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EP0148088B1
(fr)
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Joint d'étanchéité métallique flexible comportant des parties saillantes consommables
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EP2834189B1
(fr)
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Structure semiconductrice optoelectronique a nanofils et procede de fabrication d'une telle structure
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FR2986907A1
(fr)
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Diode schottky superjonction-pin oxyde avec des couches p minces sous le contact schottky
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FR2967294A1
(fr)
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Procédé de formation d'une structure multicouches
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FR2723260A1
(fr)
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Thyristor a trois bornes avec caracteristiques commandees par une seule gachette mos
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FR2807569A1
(fr)
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Perfectionnement apportes aux diodes schottky
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EP3240041A1
(fr)
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Transistor à heterojonction de type normalement ouvert a tension de seuil elevee
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FR2932012A1
(fr)
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Transistor supraconducteur a effet de champ et procede de fabrication d'un tel transistor.
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FR3017242A1
(fr)
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Diode schottky verticale au nitrure de gallium
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EP3378098A1
(fr)
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Diode a heterojonction ayant un courant de surcharge transitoire accru
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WO2003077321A2
(fr)
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Diode schottky de puissance a substrat sicoi, et procede de realisation d'une telle diode
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EP1076365B1
(fr)
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Commutateur statique bidirectionnel sensible
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EP0128062B1
(fr)
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Transistor à effet de champ, fonctionnant en régime d'enrichissement
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EP0833394B1
(fr)
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Diode bidirectionnelle de protection, à retournement
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EP0881687A1
(fr)
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Contact sur une région de type P
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EP0599739A1
(fr)
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Thyristor et assemblage de thyristors à cathode commune
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EP0996165A1
(fr)
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Composant de puissance portant des interconnexions
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EP1328980A1
(fr)
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Diac planar
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WO2002050916A1
(fr)
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Commutateur statique bidirectionnel sensible
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FR3063573A1
(fr)
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Dispositif fusible integre
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FR2894386A1
(fr)
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Transistor de type i-mos comportant deux grilles independantes, et procede d'utilisation d'un tel transistor
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FR3102610A1
(fr)
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Composant électronique à hétérojonction et double contact ohmique
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FR3097682A1
(fr)
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Composant monolithique comportant un transistor de puissance au nitrure de gallium
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FR2975531A1
(fr)
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Diode schottky verticale controlee
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CH695408A5
(fr)
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Dispositif de puissance à semi-conducteur.
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