BE528431A - - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 10
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N Cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N Cadmium sulfide Chemical compound [S-2].[Cd+2] FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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Description
<Desc/Clms Page number 1> La présente invention concerne les contacts électriques et les électrodes de contacta et spécialement les contacts du type ohmique et leurs procédés de fabrication. Un contact ohmique est. de préférence, à faible résistance, suit la loi d'Ohm et ne produit pas... par lui-même. des tensions ou des courants comme des couches faisant barrière. des effets photoélectri- ques, microphoniques ou autres causes de bruit. Une connexion bien soudée par soudure. fusion ou brasure ne produit pas de bruit, mais il faut souvent établir des connexions électriques avec des matières qui ne peuvent pas être soudées, fondues ou braséeso Il est très souhaitable d'avoir de bons cqn- tacts ohmiques dans ces cas. Certains métaux, comme l'argent., le cuivre ou l'or, sont sou- vent utilisés pour faire des contacts. Ces métaux peuvent constituer des barrières à la limite entre le métal et le matériau à mettre en contact et ne pas délivrer librement les électrons à ce dernier. Le contact semble présenter une résistance anormalement élevée à l'écoulement du courant dans un sens ou dans les deux. En outre,, des tensions parasites peuvent être produites par de la lumière à la surface de contact et des courants de bruit relativement grands peuvent en résulter. Un contact ohmique fournitd'au- tre part. de grandes quantités d'électrons à la matière mise en contacto Il se fait parfois que des contacts faits avec les métaux pré- cités semblent être ohmiques alors qu'ils ne le sont pas. Si une tension supérieure à la tension de rupture d'une barrière est appliquée à un cantact de ce genre, le courant varie suivant la loi d'Ohm. Au contraire,, pour des tensions et des courants plus faibles, l'examen montre l'existence de barrières et un contact non ohmique. Où il faut des appareils à faible tension et haute sensibilité,un contact ohmique est nécessaire. Par exemple dans les appareils photoconducteurs qui doivent laisser passer des courants photoélectriques très faibles, l'emploi de contacts du type ohmique diminue la résistance totale, le bruit à l'endroit du contact et les tensions parasites produites par la lumière au contact. Le résultat est l'accriqissement du rendement et de la photosensibllité de tels appareils. Des contacts ohmiques ont été fabriqués sur des semi-conducteurs suivant différents procédés connus qui exigent cependant habituellement soit que le demi-conducteur soit placé directement sur la surface de l'électrode de contact, soit que la matière de contact diffuse et s'allie à la matière semi-conductrice. Ces deux procédés sont coûteux et il est difficile d'en rester maître. La présente invention procure des contacts de type ohmique perfectionnés en utilisant, comme matière ou électrode de contact. un métal à faible fonction de travail ayant les propriétés voulues physiques et chimiques de stabilité ou d'inertie dans les conditions d'utilisation. Les métaux préférés sont l'indium. le gallium et des alliages avec un de ces métaux ou les deux. Comme l'indium fond à 155 C et le gallium à 30 C. on peut obtenir une gamme de points de fusion étendue en alliant ces métaux en différentes proportions. Cette gamme peut être étendue vers le bas en ajoutant du bismuth ou du mercure, et vers le haut en ajoutant du thallium, de l'étain, du plomb, du magnésium ou du cérium. Les métaux de ce dernier groupe ont des fonctions de travail supérieures à celles de l'indium et du gallium et quoiqu'on puisse les utiliser seuls parfois pour faire des contacts ohmiques, ils sont Inférieurs à l'indium ou au gallium à ce point de vue. Dans les alliages précités, il faut au moins 50%. d'indium ou de gallium. La matière mise en contact doit avoir une conductivité de type N et peut être, par exemple, un photoconducteur, un semiconducteur. ou même une matière qui peut être considérée comme un isolant qui a une faible conductivité dans certaines conditions. La plupart de ces matières se caractérisent par la difficulté ou l'impossibilité de faire de bonnes conne- xions électriques par les procédés ordinaires. <Desc/Clms Page number 2> Pour faire un bon contact ohmique avec les matières ci-dessus, il est nécessaire que le métal ou alliage de contact vienne en contact physique intime avec une surface de la matière.. Rien qu'une faible pression est souvent suffisante pour des métaux tendres, et des métaux plus durs peuvent être ramollis en chauffant pendant l'application de la pression, Le chauffage peut aussi être suffisant pour fondre le métal ou alliage et, de préférence, humecter la surface de la matière à mettre en contact. Cette opération est facilitée en chauffant dans une atmosphère non oxydante, comme de l'hydrogène. Si le métal ou alliage est porté à la fusion, son propre poids peut appliquer une pression suffisante. Ou bien, le métal ou alliage de contact peut être appliqué en recpuvrement sur une mince feuille d'un métal tendre plus commun, par exemple le nickel. Des électrodes de forme et de dimension voulues sont découpées dans la feuille recouverte et appliquées à la matière à mettre en contact, de préférence avec un échauffement suffisant pour fondre le recouvrement qui humecte ainsi la surface de contact. Pour les matières photoconductrices, spécialement les cristaux de sulfure de cadmium, de séléniure de cadmium ou d'oxyde de zinc, il est préférable d'évaporer le métal de contact qui se condense sur la surface voulue,faisant un contact physique très intime pratiquement parfaitement ohmique. De même, le métal de contact peut être appliqué par crachement ou pistolageo La pression précitée ne doit pas être maintenue pour qu'un contact ohmique s'entretienne. Cependant, comme il n'y a généralement pas de fusion et rien qu'une légère adhérence de la matière de contact, le contact peut être maintenu en place en déposant, par égouttage ou pistolage, un vernis isolant convenable, du trempage de bobine ou du "glyptol" restant de préférence un peu plastique. REVENDICATIONS. 1.- Pièce électrique comprenant un contact sur une matière du type N, caractérisée en ce que la matière ou électrode de contact est un métal ou alliage à fonction de travail faible en contact physique intime avec une partie de la surface de la matière de type N, grâce à quoi le contact est ohmique.
Claims (1)
- 2. - Pièce suivant la revendication 1, caractérisée en ce que le métal de contact est de l'indium ou du gallium, ou un alliage contenant au moins cinquante pour cent d'indium ou de gallium.3.- Pièce suivant la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que l'alliage comprend un ou plusieurs des métaux thallium. étain, plomb, magnésium ou cérium.4.- Pièce suivant la revendication 1, 2 ou 3, caractérisée en ce que l'électrode comprend une base de métal tendre, par exemple de nickel, portant une pellicule de métal ou alliage de contact.5.- Pièce suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que la matière du type N est du sulfure de cadmium, du séléniure de cadmium ou de l'oxyde de zinc, de préférence sous forme cristallisée.6.- Pièce suivant la revendication 5, caractérisée en ce que la fozme cristallisée est un photoconducteuro 7.- Pièce suivant l'une quelconque des revendications précéden- tes, caractérisée en ce que le contact est maintenu par un corps de matière isolante plastique adhérant à la fois à la matière de type N et au métal ou alliage de contact. <Desc/Clms Page number 3>80- Procédé de fabrication d'un contact ohmique suivant l'une quelconque des revendications précédentes.. en substance comme décrit ci-dessuso
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BE528431A true BE528431A (fr) |
Family
ID=161743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BE528431D BE528431A (fr) |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE528431A (fr) |
-
0
- BE BE528431D patent/BE528431A/fr unknown
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