WO2007031660A1
(fr )
2007-03-22
Dispositif de transformation de materiaux utilisant un chauffage par induction
JP5920383B2
(ja )
2016-05-18
半導体装置を製造する方法及び半導体装置
JP2016029685A
(ja )
2016-03-03
半導体装置
JP5962475B2
(ja )
2016-08-03
炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置
BE513223A
(show.php )
FR3069368A1
(fr )
2019-01-25
Canon a electrons
US20170032968A1
(en )
2017-02-02
Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device
CN106471605A
(zh )
2017-03-01
宽带隙半导体上的欧姆触点的形成
US11380757B2
(en )
2022-07-05
Metal terminal edge for semiconductor structure and method of forming the same
US10115595B2
(en )
2018-10-30
Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device
BE520677A
(show.php )
WO2013017774A1
(fr )
2013-02-07
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WO2009083534A1
(fr )
2009-07-09
Refroidissement d'un tube générateur de rayons x
WO1998059098A2
(de )
1998-12-30
Verfahren und vorrichtung zur herstellung elektrisch leitfähiger durchgänge in halbleiter-bauelementen
TWI697259B
(zh )
2020-06-21
高功率瞬間脈衝電磁場設備的用途
DE739330C
(de )
1943-09-21
Anordnung zum Gettern von elektrischen Entladungsgefaessen mit metallischer Gefaesswand
FR2480496A1
(fr )
1981-10-16
Cathode pour tubes electroniques comportant deux corps creux
Jung et al.
2015
Copper Schottky contacts to oxygen-plasma-treated n-type Ge
BE525600A
(show.php )
FR2666004A1
(fr )
1992-02-28
Hamecon multiple et procede pour sa fabrication.
CH206025A
(fr )
1939-07-15
Procédé pour le chauffage d'un bain de matière par effet Joule au moyen d'un courant électrique et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé.
FR3065330A1
(fr )
2018-10-19
Outil pour souder un conducteur electrique avec un dispositif de connexion
WO2025034682A1
(en )
2025-02-13
Buried channel photoconductive semiconductor switches
CH543170A
(fr )
1973-10-15
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BE515773A
(show.php )
1938-07-30