BE415724A - - Google Patents

Info

Publication number
BE415724A
BE415724A BE415724DA BE415724A BE 415724 A BE415724 A BE 415724A BE 415724D A BE415724D A BE 415724DA BE 415724 A BE415724 A BE 415724A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
layer
electrode
rectifier
barrier layer
contact
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
French (fr)
Publication of BE415724A publication Critical patent/BE415724A/fr

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Laminated Bodies (AREA)
BE415724D BE415724A (forum.php)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE415724A true BE415724A (forum.php)

Family

ID=78799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE415724D BE415724A (forum.php)

Country Status (1)

Country Link
BE (1) BE415724A (forum.php)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69734131T2 (de) Zweischichtige elektroneninjektionselektrode zur verwendung in einer elektrolumineszenzvorrichtung
TW588389B (en) Quantum device
WO2014099322A1 (en) Enhanced adhesion of seed layer for solar cell conductive contact
RU2457584C2 (ru) Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией
FR2467046A1 (fr) Electrode en forme de fil pour le decoupage d'une piece metallique par etincelage erosif
WO2009144086A1 (fr) Substrat en verre portant une electrode
EP2030254A2 (en) Reflective electrode for a semiconductor light emitting apparatus
EP0002550B1 (fr) Procédé de création, par sérigraphie, d'un contact à la surface d'un corps semiconducteur et dispositif obtenu par ce procédé
CA2732559C (fr) Elaboration de couche d'oxyde transparente et conductrice pour utilisation dans une structure photovoltaique
CN1206881C (zh) 用于有机场致发光设备的无机电极及其制造方法
FR2462011A1 (fr) Procede pour ameliorer les contacts d'interrupteurs, contact obtenu par ce procede et interrupteur s'y rapportant
BE415724A (forum.php)
KR20090044027A (ko) Ci(g)s 태양전지 후면 전극의 제조방법
JP2001048509A (ja) Cntとcnt集合体、電界放出型冷陰極電子放出素子とその製造方法、および該電子放出素子を用いた表示装置
JP2013138265A (ja) スイッチング素子
FR2517921A1 (fr) Dispositif electroluminescent et son procede d'obtention
JP4842289B2 (ja) ホール注入電極と該電極を用いた有機el素子
WO2014013183A1 (fr) Electrode supportee transparente pour oled
Kim et al. In-situ determination of interface dipole energy between tris (8-hydroxyquinoline) aluminum and MgO coated Al in inverted top-emitting organic light-emitting diodes
WO2010001014A2 (fr) Cellule photovoltaïque et substrat de cellule photovoltaïque
EP2525377A1 (fr) Collecteur de courant et procédé de sa fabrication
WO2017064384A1 (fr) Procede de fabrication d'une cellule photovoltaique a heterojonction
EP3258510B1 (fr) Procédé de fabrication d'un contact électrique sur une structure
CH633739A5 (en) Electrode in the form of a wire for cutting a metal workpiece by electrical discharge (spark erosion)
FR2573249A1 (fr) Procede pour la preparation d'elements semi-conducteurs a couches minces, et en particulier de cellules solaires