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EP1061040A1
(en)
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Mass purification method of carbon nanotubes
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EP0595671A1
(fr)
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Procédé et dispositif de fluxage par voie sèche
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JP5530288B2
(ja)
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二酸化炭素の吸着還元剤及び還元方法
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CN1220548C
(zh)
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用于纯化全氟化碳的吸附剂、其生产方法、高纯八氟丙烷和八氟环丁烷、和其用途
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Sun et al.
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CF4 decomposition by thermal plasma processing |
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FR2702467A1
(fr)
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Procédé de préparation du disilane à partir du monosilane par décharge électrique et piégeage cryogénique et nouveau réacteur pour sa mise en Óoeuvre.
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JPH0437156B2
(OSRAM)
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BE382129A
(OSRAM)
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EP0820960B1
(fr)
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Elimination de O2 et/ou CO d'un gaz inerte par adsorption sur oxyde métallique poreux
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FR2690168A1
(fr)
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Procédé de récupération du rhénium de catalyseurs usés.
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EP0017560B1
(fr)
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Procédé et installation de fabrication de nitroparaffines par nitration d'hydrocarbures en phase gazeuse
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KR100342084B1
(ko)
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알루미늄 함유 부재의 제조 방법 및 알루미늄 함유 부재
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JP4159004B2
(ja)
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ガス回収方法
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Fabis
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Laser machining of CVD diamond: chemical and structural alteration effects |
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JP2896005B2
(ja)
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ウェハー洗浄方法
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CA1267269A
(fr)
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Procede regeneratif pour l'elimination des mercaptans contenus dans ung az
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JPH1028688A
(ja)
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外科用縫合針の黒化方法
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JPH08257376A
(ja)
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水素分離膜の水素ガス透過性能の回復及び安定化方法、並びにそれを用いた水素分離装置
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JP2006188379A
(ja)
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単層カーボンナノチューブの可飽和吸収機能の向上方法
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FR2597470A1
(fr)
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Methode de purification des matieres premieres pour la fabrication de verre a chalcogenure
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JPWO2021192034A5
(OSRAM)
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JPH05226315A
(ja)
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半導体装置の製造方法
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FR2724162A1
(fr)
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Procede de preparation de trisilane a partir de monosilane, par decharge electrique et piegeage cryogenique
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JPH05243163A
(ja)
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反応炉内部の残留ハロゲン除去方法
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RU96114744A
(ru)
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Способ тонкой очистки инертных газов от газообразных примесей
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