BE1026116B1

BE1026116B1 - Regelbare magnetron

Info

Publication number: BE1026116B1
Application number: BE2018/5183A
Authority: BE
Inventors: Bosscher Wilmert De
Original assignee: Soleras Advanced Coatings Bvba
Priority date: 2018-03-19
Filing date: 2018-03-19
Publication date: 2019-10-17
Also published as: BE1026116A1

Claims

Conclusies

1.- Een magnetroneenheid (100) voor sputtermateriaal, de magnetroneenheid (100) omvattend, een bevestigingselement (130) voor het monteren van een target (132) en een instelbaar magneetsysteem, het magneetsysteem omvattend een eerste module (110) en een tweede module (120), waarbij elke module ten minste één magnetisch actief element (112, 122, 124) omvat, waarbij ten minste één van de magnetisch actieve elementen een magneet (112,122) is en waarbij de eerste module (110) en de tweede module (120) zodanig zijn gepositioneerd dat, wanneer een target (132) is gemonteerd op het montage-element (130), magneetveldlijnen die afkomstig zijn van de ten minste ene magneet (112, 122) worden gesloten door het vormen van een lus over de eerste module (110), de tweede module (120) en het target (132) waardoor een magneetveld wordt gevormd voor het target dat geschikt is om bij te dragen tot de vorming van een plasmaopsluiting die sputteren mogelijk maakt, waarbij ten minste één afstandhouder (115) aanwezig is tussen de eerste module (110) en de tweede module (120) en waarbij de magnetroneenheid (100) zodanig is geconfigureerd dat een positie van de tweede module (120) kan worden gewijzigd ten opzichte van een positie van de eerste module (110) wat resulteert in een wijziging van de sterkte van het magneetveld op het targetoppervlak, waarbij de lus uit twee paden bestaat, een eerste pad (154) is een lussegment dat wordt gedefinieerd tussen 2 afzonderlijke magnetisch actieve elementen van de eerste module en over het target, en een tweede pad (152) is een lussegment dat is gedefinieerd tussen de 2 afzonderlijke magnetisch actieve elementen van de eerste module (110) en over de ten minste ene afstandhouder (115) en de tweede module (120).
2.- Een magnetroneenheid volgens conclusie 1 waarbij ten minste 10 % van de magneetveldlijnen door het eerste pad ook door het tweede pad gaat.
3.- Een magnetroneenheid (100) volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de afstandhouder (115) een magnetische susceptibiliteit lager dan 1 heeft.
4.- Een magnetroneenheid (100) volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de magnetroneenheid (100) zodanig is geconfigureerd dat een vorm van de afstandhouder (115) wordt gemodificeerd bij het wijzigen van de positie tussen de tweede module ten opzichte van de positie van de eerste module.
5.- Een magnetroneenheid (100) volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de afstandhouder onderdelen omvat die zodanig zijn geconfigureerd dat ze kunnen bewegen ten opzichte van elkaar.
6.- Een magnetroneenheid (100) volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de afstandhouder een luchtspleet omvat.
7.- Een magnetroneenheid (100) volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij een magnetisch actief element van de tweede module een magneet omvat die zodanig is georiënteerd dat deze de magneetveldsterkte verhoogt, die is gegenereerd in de lus over de eerste module (110), de tweede module (120) en het target (132).
8.- Een magnetroneenheid (100) volgens een van de voorgaande conclusies waarbij de magnetisch actieve elementen van de tweede module en/of van de eerste module magnetisch permeabel materiaal omvatten.
9.- Een magnetroneenheid (100) volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij ten minste een van de magnetisch actieve elementen van de eerste module een magneet is.
10.- Een magnetroneenheid (100) volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de magnetroneenheid zodanig is geconfigureerd dat de positie van de eerste module kan worden gewijzigd ten opzichte van de positie van het target.
11.- Een magnetroneenheid (100) volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de magnetroneenheid een derde module (140) omvat omvattend een magnetisch actief element en waarbij de magnetroneenheid zodanig is geconfigureerd dat de positie van de tweede module (120) instelbaar is ten opzichte van de derde module en zodanig dat de tweede module (120) kan worden gepositioneerd tegen de derde module (140) zodanig dat de magneetveldverdeling van de tweede module wordt beïnvloed door de derde module.
12.- Een magnetroneenheid (100) volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de magnetroneenheid bovendien een instelmiddel omvat dat is geschikt voor het wijzigen van de positie van de tweede module (120) ten opzichte van de positie van de eerste module (110).
13.- Een magnetroneenheid (100) volgens conclusie 12 waarbij het instelmiddel bovendien is geschikt voor het wijzigen van de positie van de eerste module (110) ten opzichte van de positie van een gemonteerd target (130).
14. - Een magnetroneenheid (100) volgens conclusie 12 of 13 waarbij het instelmiddel is geschikt voor het wijzigen van de positie van de tweede module (120) ten opzichte van de positie van de eerste module (110) voor het wijzigen van de sterkte van het magneetveld aan de magnetroneenheid op het targetoppervlak en/of waarbij het instelmiddel is aangepast voor het wijzigen van de positie van de eerste module ten opzichte van de positie van het target voor het wijzigen van de vorm van het magneetveld op het targetoppervlak.
15. - Een vacuümdepositie-inrichting voor sputteren, de vacuümdepositie-inrichting omvattend een vacuümkamer, een substraathouder voor het positioneren van een substraat dat in de vacuümkamer moet worden gecoat, en een instelbaar magnetronsysteem in overeenstemming met één van de conclusies 1 tot 14.
16. - Een werkwijze voor het besturen van een magneetveld aan het oppervlak van een target, gemonteerd in een magnetronsysteem omvattend een eerste module en een tweede module, waarbij elke module ten minste één magnetisch actief element omvat en waarbij ten minste één van de magnetisch actieve elementen een magneet is, waarbij de eerste module en de tweede module zodanig zijn gepositioneerd dat, wanneer een target is gemonteerd op het montage-element, magneetveldlijnen die afkomstig zijn van de ten minste ene magneet worden gesloten door het vormen van een lus over de eerste module, de tweede module en het target, waardoor een magneetveld wordt gevormd voor het target dat geschikt is om bij te dragen tot de vorming van een plasmaopsluiting die sputteren mogelijk maakt, waarbij ten minste één afstandhouder aanwezig is tussen de eerste module en de tweede module en waarbij de magnetroneenheid zodanig is geconfigureerd dat een positie van de tweede module kan worden gewijzigd ten opzichte van een positie van de eerste module wat resulteert in een wijziging van de sterkte van het magneetveld op het targetoppervlak, waarbij de lus uit twee paden bestaat, een eerste pad (154) is een lussegment dat wordt gedefinieerd tussen 2 afzonderlijke magnetisch actieve elementen van de eerste module en over het target, en een tweede pad (152) is een lussegment dat is gedefinieerd tussen de 2 afzonderlijke magnetisch actieve elementen van de eerste module (110) en over de ten minste ene afstandhouder (115) en de tweede module (120), de methode omvattend: - het monteren van een target in het magnetronsysteem, - het wijzigen van de positie van de tweede module ten opzichte van de positie van de eerste module.