BE1019211A3 - Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoelectroniques. - Google Patents
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Claims (13)
1. Substrat conducteur transparent pour dispositif optoélectronique comprenant un support et un revêtement conducteur à base d'oxyde de zinc dopé, ledit revêtement étant constitué d'un empilement d'au moins deux couches de conductivité électrique différente, une couche dite de conductivité électrique élevée et une couche dite de conductivité électrique faible, caractérisé en ce que la couche dite de conductivité électrique élevée est une couche à base d oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde d'un premier élément dopant avec m inférieur ou égal à 6,0 et en ce que la couche dite de conductivité électrique faible est une couche à base d'oxyde de zinc dopé à (m/p)% en poids d'oxyde d'un second élément dopant avec p supérieur ou égal à 2.
2. Substrat conducteur transparent selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément dopant est sélectionné parmi ΓΑ1 et/ou le Ga et/ou le B.
3. Substrat conducteur transparent selon une
quelconque des revendications précédente, caractérisé en ce que 1 épaisseur géométrique de chaque couche constituant le revêtement est comprise entre 35 et 200 nm.
4. Substrat conducteur transparent selon une
quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le revêtement conducteur comprend un empilement couche dite de conductivité électrique élevée-couche dite de conductivité électrique faible reproduit n fois, avec n compris entre 3 et 10.
5. Substrat conducteur transparent selon une
quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le revêtement conducteur comprend un empilement couche dite de
conductivité électrique faible-couche dite de conductivité électrique élevée reproduit n fois, avec n compris entre 3 et 10.
6. Substrat conducteur transparent selon une
quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le revêtement conducteur comprend une couche tampon à base d'oxyde de zinc dopé à ΓΑ1 à m% en poids d'oxyde d'aluminium avec m compris entre 0.5 et 4, ladite couche tampon étant la couche constituant le revêtement conducteur la plus éloignée par rapport au support.
7. Substrat conducteur transparent selon une
quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le revêtement conducteur comprend une couche barrière, ladite couche barrière étant la couche du revêtement conducteur la plus proche par rapport au support.
8. Procédé de fabrication du substrat transparent selon une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes :
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique élevée, ladite couche étant à base d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde de l'élément dopant avec m inférieur ou égal à 6,0,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique faible, ladite couche étant à base d'oxyde de zinc dopé à (m/p)% en poids de l'oxyde de l'élément dopant avec p supérieur ou égal à 2,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde d'aluminium avec m compris entre 0,5 et 4,0, l'épaisseur de la couche étant comprise entre 100 et 400 nm,
• Attaque acide afin de conférer au revêtement conducteur une valeur de rugosité R.M.S. dans la gamme de valeurs allant de 55nm à 200nm.
9. Selon un autre mode préféré de réalisation, le procédé de fabrication du substrat transparent selon l'invention est tel qu'il comprend les étapes suivantes :
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique faible, ladite couche étant à base d'oxyde de zinc dopé à (m/p)% en poids de l'oxyde de l'élément dopant avec p supérieur ou égal à 2,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique élevée, ladite couche étant à base d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde de l'élément dopant avec m inférieur ou égal à 6,0,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde d'aluminium avec m compris entre 0,5 et 4,0, l'épaisseur de la couche étant comprise entre 100 et 400 nm,
• Attaque acide afin de conférer au revêtement conducteur une valeur de rugosité R.M.S. dans la gamme de valeurs allant de 55nm à 200nm.
10. Selon un autre mode préféré de réalisation, le procédé de fabrication du substrat transparent selon l'invention est tel qu'il comprend les étapes suivantes :
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique élevée, ladite couche étant à base d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde de l'élément dopant avec m inférieur ou égal à 6,0,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique faible, ladite couche étant à base d oxyde de zinc dopé à (m/p)% en poids de l'oxyde de l'élément dopant avec p supérieur ou égal à 2,
• L empilement résultant des deux dépôts précédent étant reproduit n fois, avec n compris entre 3 et 10,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde d'aluminium avec m compris entre 0,5 et 4,0, l'épaisseur de la couche étant comprise entre 100 et 400 nm,
• Attaque acide afin de conférer au revêtement conducteur une valeur de rugosité R.M.S. dans la gamme de valeurs allant de 55nm à 200nm.
11. Selon un autre mode préféré de réalisation, le procédé de fabrication du substrat transparent selon l'invention est tel qu'il comprend les étapes suivantes :
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique faible, ladite couche étant à base d'oxyde de zinc dopé à (m/p)% en poids de l'oxyde de l'élément dopant avec p supérieur ou égal à 2,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique élevée, ladite couche étant à base d oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde de l'élément dopant avec m inférieur ou égal à 6,0,
• L'empilement résultant des deux dépôts précédents étant reproduit n fois, avec n compris entre 3 et 10,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche d'oxyde de zinc dopé à m % en poids d'oxyde d'aluminium avec m compris entre 0,5 et 4,0, l'épaisseur de la couche étant comprise entre 100 et 400 nm,
• Attaque acide afin de conférer au revêtement conducteur une valeur de rugosité R.M.S. dans la gamme de valeurs allant de 55nm à 200nm.
12. Dispositif optoélectronique comprenant un substrat conducteur transparent selon une quelconque des revendications 1 à 7
13. Dispositif optoélectronique selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il est une cellule photovoltaïque
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