BE1019211A3 - Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoelectroniques. - Google Patents
Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoelectroniques. Download PDFInfo
- Publication number
- BE1019211A3 BE1019211A3 BE2010/0137A BE201000137A BE1019211A3 BE 1019211 A3 BE1019211 A3 BE 1019211A3 BE 2010/0137 A BE2010/0137 A BE 2010/0137A BE 201000137 A BE201000137 A BE 201000137A BE 1019211 A3 BE1019211 A3 BE 1019211A3
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- layer
- electrical conductivity
- weight
- oxide
- doped
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 106
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 33
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 23
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100188768 Drosophila melanogaster Or43a gene Proteins 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003698 anagen phase Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011090 industrial biotechnology method and process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJVLWFXZVBOFRZ-UHFFFAOYSA-N titanium zinc Chemical compound [Ti].[Zn] YJVLWFXZVBOFRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Claims (13)
1. Substrat conducteur transparent pour dispositif optoélectronique comprenant un support et un revêtement conducteur à base d'oxyde de zinc dopé, ledit revêtement étant constitué d'un empilement d'au moins deux couches de conductivité électrique différente, une couche dite de conductivité électrique élevée et une couche dite de conductivité électrique faible, caractérisé en ce que la couche dite de conductivité électrique élevée est une couche à base d oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde d'un premier élément dopant avec m inférieur ou égal à 6,0 et en ce que la couche dite de conductivité électrique faible est une couche à base d'oxyde de zinc dopé à (m/p)% en poids d'oxyde d'un second élément dopant avec p supérieur ou égal à 2.
2. Substrat conducteur transparent selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément dopant est sélectionné parmi ΓΑ1 et/ou le Ga et/ou le B.
3. Substrat conducteur transparent selon une
quelconque des revendications précédente, caractérisé en ce que 1 épaisseur géométrique de chaque couche constituant le revêtement est comprise entre 35 et 200 nm.
4. Substrat conducteur transparent selon une
quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le revêtement conducteur comprend un empilement couche dite de conductivité électrique élevée-couche dite de conductivité électrique faible reproduit n fois, avec n compris entre 3 et 10.
5. Substrat conducteur transparent selon une
quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le revêtement conducteur comprend un empilement couche dite de
conductivité électrique faible-couche dite de conductivité électrique élevée reproduit n fois, avec n compris entre 3 et 10.
6. Substrat conducteur transparent selon une
quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le revêtement conducteur comprend une couche tampon à base d'oxyde de zinc dopé à ΓΑ1 à m% en poids d'oxyde d'aluminium avec m compris entre 0.5 et 4, ladite couche tampon étant la couche constituant le revêtement conducteur la plus éloignée par rapport au support.
7. Substrat conducteur transparent selon une
quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le revêtement conducteur comprend une couche barrière, ladite couche barrière étant la couche du revêtement conducteur la plus proche par rapport au support.
8. Procédé de fabrication du substrat transparent selon une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes :
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique élevée, ladite couche étant à base d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde de l'élément dopant avec m inférieur ou égal à 6,0,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique faible, ladite couche étant à base d'oxyde de zinc dopé à (m/p)% en poids de l'oxyde de l'élément dopant avec p supérieur ou égal à 2,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde d'aluminium avec m compris entre 0,5 et 4,0, l'épaisseur de la couche étant comprise entre 100 et 400 nm,
• Attaque acide afin de conférer au revêtement conducteur une valeur de rugosité R.M.S. dans la gamme de valeurs allant de 55nm à 200nm.
9. Selon un autre mode préféré de réalisation, le procédé de fabrication du substrat transparent selon l'invention est tel qu'il comprend les étapes suivantes :
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique faible, ladite couche étant à base d'oxyde de zinc dopé à (m/p)% en poids de l'oxyde de l'élément dopant avec p supérieur ou égal à 2,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique élevée, ladite couche étant à base d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde de l'élément dopant avec m inférieur ou égal à 6,0,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde d'aluminium avec m compris entre 0,5 et 4,0, l'épaisseur de la couche étant comprise entre 100 et 400 nm,
• Attaque acide afin de conférer au revêtement conducteur une valeur de rugosité R.M.S. dans la gamme de valeurs allant de 55nm à 200nm.
10. Selon un autre mode préféré de réalisation, le procédé de fabrication du substrat transparent selon l'invention est tel qu'il comprend les étapes suivantes :
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique élevée, ladite couche étant à base d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde de l'élément dopant avec m inférieur ou égal à 6,0,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique faible, ladite couche étant à base d oxyde de zinc dopé à (m/p)% en poids de l'oxyde de l'élément dopant avec p supérieur ou égal à 2,
• L empilement résultant des deux dépôts précédent étant reproduit n fois, avec n compris entre 3 et 10,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche d'oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde d'aluminium avec m compris entre 0,5 et 4,0, l'épaisseur de la couche étant comprise entre 100 et 400 nm,
• Attaque acide afin de conférer au revêtement conducteur une valeur de rugosité R.M.S. dans la gamme de valeurs allant de 55nm à 200nm.
11. Selon un autre mode préféré de réalisation, le procédé de fabrication du substrat transparent selon l'invention est tel qu'il comprend les étapes suivantes :
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique faible, ladite couche étant à base d'oxyde de zinc dopé à (m/p)% en poids de l'oxyde de l'élément dopant avec p supérieur ou égal à 2,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche dite de conductivité électrique élevée, ladite couche étant à base d oxyde de zinc dopé à m% en poids d'oxyde de l'élément dopant avec m inférieur ou égal à 6,0,
• L'empilement résultant des deux dépôts précédents étant reproduit n fois, avec n compris entre 3 et 10,
• Dépôt par pulvérisation cathodique d'une couche d'oxyde de zinc dopé à m % en poids d'oxyde d'aluminium avec m compris entre 0,5 et 4,0, l'épaisseur de la couche étant comprise entre 100 et 400 nm,
• Attaque acide afin de conférer au revêtement conducteur une valeur de rugosité R.M.S. dans la gamme de valeurs allant de 55nm à 200nm.
12. Dispositif optoélectronique comprenant un substrat conducteur transparent selon une quelconque des revendications 1 à 7
13. Dispositif optoélectronique selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il est une cellule photovoltaïque
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE2010/0137A BE1019211A3 (fr) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoelectroniques. |
| EP11708441A EP2543074A2 (fr) | 2010-03-04 | 2011-03-03 | Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoélectroniques |
| PCT/EP2011/053215 WO2011107554A2 (fr) | 2010-03-04 | 2011-03-03 | Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoélectroniques |
| EP11706269A EP2543073A2 (fr) | 2010-03-04 | 2011-03-03 | Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoélectroniques |
| PCT/EP2011/053224 WO2011107557A2 (fr) | 2010-03-04 | 2011-03-03 | Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoélectroniques |
| PCT/EP2011/053200 WO2011107549A2 (fr) | 2010-03-04 | 2011-03-03 | Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoélectroniques |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE2010/0137A BE1019211A3 (fr) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoelectroniques. |
| BE201000137 | 2010-03-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BE1019211A3 true BE1019211A3 (fr) | 2012-04-03 |
Family
ID=43216783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BE2010/0137A BE1019211A3 (fr) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoelectroniques. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE1019211A3 (nl) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10294478A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
| JP2000261011A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置 |
| JP2009199986A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化亜鉛系透明導電膜積層体と透明導電性基板およびデバイス |
| US20090229657A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Nanopv Technologies Inc. | Transparent conductive layer and method |
| US20100003511A1 (en) * | 2008-07-03 | 2010-01-07 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Transparent conducting electrode |
| US20100024862A1 (en) * | 2006-11-20 | 2010-02-04 | Kaneka Corporation | Substrate Provided with Transparent Conductive Film for Photoelectric Conversion Device, Method for Manufacturing the Substrate, and Photoelectric Conversion Device Using the Substrate |
-
2010
- 2010-03-04 BE BE2010/0137A patent/BE1019211A3/fr active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10294478A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
| JP2000261011A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置 |
| US20100024862A1 (en) * | 2006-11-20 | 2010-02-04 | Kaneka Corporation | Substrate Provided with Transparent Conductive Film for Photoelectric Conversion Device, Method for Manufacturing the Substrate, and Photoelectric Conversion Device Using the Substrate |
| JP2009199986A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化亜鉛系透明導電膜積層体と透明導電性基板およびデバイス |
| US20090229657A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Nanopv Technologies Inc. | Transparent conductive layer and method |
| US20100003511A1 (en) * | 2008-07-03 | 2010-01-07 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Transparent conducting electrode |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2438024B1 (fr) | Procede de depot de couche mince | |
| EP1448490B1 (fr) | Substrat transparent muni d'une electrode | |
| EP2005473B1 (fr) | Couche conductrice transparente et texturee et son procede de realisation | |
| FR2919430A1 (fr) | Substrat de face avant de cellule photovoltaique et utilisation d'un substrat pour une face avant de cellule photovoltaique. | |
| JP5243697B2 (ja) | 光電変換装置用透明導電膜とその製造方法 | |
| EP2374153A1 (fr) | Element en couches et dispositif photovoltaique comprenant un tel element | |
| EP2263260A2 (fr) | Substrat transparent comportant un revetement antireflet | |
| EP2586063B1 (fr) | Substrat comprenant une couche d'oxyde transparent conducteur et son procédé de fabrication | |
| FR2949775A1 (fr) | Substrat de protection pour dispositif collecteur ou emetteur de rayonnement | |
| WO2010063973A1 (fr) | Substrat de face avant de panneau photovoltaïque, panneau photovoltaïque et utilisation d'un substrat pour une face avant de panneau photovoltaïque | |
| FR2891269A1 (fr) | Substrat transparent muni d'une electrode | |
| EP2255372A2 (fr) | Cellule photovoltaique et substrat de cellule photovoltaique | |
| FR2956925A1 (fr) | Cellule photovoltaique | |
| BE1019826A3 (fr) | Substrat verrier transparent conducteur pour cellule photovoltaique. | |
| BE1019211A3 (fr) | Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoelectroniques. | |
| Her et al. | Effect of sputtering power on optical and electrical properties of indium tin oxide films | |
| BE1019245A3 (fr) | Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoelectroniques. | |
| BE1019244A3 (fr) | Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoelectroniques. | |
| WO2011107554A2 (fr) | Substrat conducteur transparent pour dispositifs optoélectroniques | |
| FR2939788A1 (fr) | Substrat a fonction verriere pour module photovoltaique | |
| EP2104145A1 (fr) | Substrat de type verrier revêtu de couches minces et procédé de fabrication | |
| FR2919114A1 (fr) | Cellule photovoltaique et substrat de cellule photovoltaique | |
| EP2545588B1 (fr) | Substrat transparent verrier associe a une couche electroconductrice transparente a proprietes electriques ameliorees | |
| WO2020043973A1 (fr) | Vitrage texture et isolant pour serre |