ATE553235T1 - Verfahren zum hochziehen von siliziumeinkristallen unter verwendung von quarzglastiegeln. - Google Patents

Verfahren zum hochziehen von siliziumeinkristallen unter verwendung von quarzglastiegeln.

Info

Publication number
ATE553235T1
ATE553235T1 AT08012494T AT08012494T ATE553235T1 AT E553235 T1 ATE553235 T1 AT E553235T1 AT 08012494 T AT08012494 T AT 08012494T AT 08012494 T AT08012494 T AT 08012494T AT E553235 T1 ATE553235 T1 AT E553235T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
crucbles
quartz glass
silicon single
silicon crystals
crucible
Prior art date
Application number
AT08012494T
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Kishi
Minoru Kanda
Original Assignee
Japan Super Quartz Corp
Sumco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Super Quartz Corp, Sumco Corp filed Critical Japan Super Quartz Corp
Application granted granted Critical
Publication of ATE553235T1 publication Critical patent/ATE553235T1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
AT08012494T 2008-07-10 2008-07-10 Verfahren zum hochziehen von siliziumeinkristallen unter verwendung von quarzglastiegeln. ATE553235T1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08012494A EP2143831B1 (de) 2008-07-10 2008-07-10 Verfahren zum Hochziehen von Siliziumeinkristallen unter Verwendung von Quarzglastiegeln.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE553235T1 true ATE553235T1 (de) 2012-04-15

Family

ID=39864761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT08012494T ATE553235T1 (de) 2008-07-10 2008-07-10 Verfahren zum hochziehen von siliziumeinkristallen unter verwendung von quarzglastiegeln.

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP2143831B1 (de)
AT (1) ATE553235T1 (de)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5141786A (en) * 1989-02-28 1992-08-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them
JP3360626B2 (ja) * 1998-12-01 2002-12-24 三菱住友シリコン株式会社 シリコン単結晶の製造方法
US6187089B1 (en) * 1999-02-05 2001-02-13 Memc Electronic Materials, Inc. Tungsten doped crucible and method for preparing same
JP3717151B2 (ja) * 2000-03-13 2005-11-16 東芝セラミックス株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法
DE10217946A1 (de) * 2002-04-22 2003-11-13 Heraeus Quarzglas Quarzglastiegel und Verfahren zur Herstellung desselben

Also Published As

Publication number Publication date
EP2143831B1 (de) 2012-04-11
EP2143831A1 (de) 2010-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE555236T1 (de) Glasartiger quarztiegel und verfahren zum ziehen von einkristall-silicium
ATE494403T1 (de) HOCHREINER GLASARTIGER QUARZTIEGEL ZUM ZIEHEN EINES EINKRISTALL-SILICIUMBLOCKS MIT GROßEM DURCHMESSER
SG106151A1 (en) Quartz glass crucible for pulling up single silicon crystal and production method therefor
ATE552364T1 (de) Quarzglastiegel und verfahren zum ziehen von siliciumeinkristall mit dem quarzglastiegel
WO2006107926A3 (en) Line scan sequential lateral solidification of thin films
EP1632592A4 (de) Quarzglastiegel zum hochziehen von siliciumeinkristall und herstellungsverfahren dafür
SG148935A1 (en) Manufacturing method of single crystal
EP2202335A4 (de) Quarzglastiegel für die züchtung von siliziumeinkristallen und verfahren zur herstellung des tiegels
WO2008131075A3 (en) Large grain, multi-crystalline semiconductor ingot formation method and system
WO2008095111A3 (en) Method and system for forming a higher purity semiconductor ingot using low purity semiconductor feedstock
EP1655270A4 (de) Quarzglastiegel zum ziehen von siliciumeinkristall
WO2013025024A3 (en) Ingot growing apparatus and method of manufacturing ingot
RU2008133475A (ru) Способ кристаллизации мезотриона
ATE373119T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur kristallzüchtung
KR20110119730A (ko) 실리카 유리 도가니
DE502006007373D1 (de) Verfahren zur herstellung einer einkristallinen si-scheibe mit annähernd polygonalem querschnitt
EP1905872A4 (de) Quarzglastiegel zum hochziehen eines siliciumeinkristalls und verfahren zur herstellung des quarzglastiegels
WO2008155673A3 (en) Method for producing sic single crystal
ATE350519T1 (de) Tiegel für eine vorrichtung zur herstellung eines kristallinen blockes, und verfahren zu seiner herstellung
WO2008146724A1 (ja) シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶基板
WO2012125365A3 (en) Automated vision system for a crystal growth apparatus
EP2067883A3 (de) Glasartiger Quarztiegel
EP2045372A3 (de) Verfahren zum Züchten eines Siliziumstabes
ATE553235T1 (de) Verfahren zum hochziehen von siliziumeinkristallen unter verwendung von quarzglastiegeln.
DE60204758D1 (de) Verfahren zur Kristallisation von amorphem Silicium unter Verwendung von Nanopartikeln