ATE512455T1 - Vorrichtung und methode zur untersuchung oder modifizierung einer oberfläche mittels ladungsträgerstrahls - Google Patents

Vorrichtung und methode zur untersuchung oder modifizierung einer oberfläche mittels ladungsträgerstrahls

Info

Publication number
ATE512455T1
ATE512455T1 AT04008972T AT04008972T ATE512455T1 AT E512455 T1 ATE512455 T1 AT E512455T1 AT 04008972 T AT04008972 T AT 04008972T AT 04008972 T AT04008972 T AT 04008972T AT E512455 T1 ATE512455 T1 AT E512455T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
modifying
charged particles
examining
charge carrier
carrier beam
Prior art date
Application number
AT04008972T
Other languages
English (en)
Inventor
Klaus Edinger
Josef Sellmair
Thorsten Hofmann
Original Assignee
Zeiss Carl Sms Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeiss Carl Sms Gmbh filed Critical Zeiss Carl Sms Gmbh
Application granted granted Critical
Publication of ATE512455T1 publication Critical patent/ATE512455T1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004—Charge control of objects or beams
    • H01J2237/0041—Neutralising arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/026—Shields

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
AT04008972T 2004-04-15 2004-04-15 Vorrichtung und methode zur untersuchung oder modifizierung einer oberfläche mittels ladungsträgerstrahls ATE512455T1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04008972A EP1587128B1 (de) 2004-04-15 2004-04-15 Vorrichtung und Methode zur Untersuchung oder Modifizierung einer Oberfläche mittels Ladungsträgerstrahls

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE512455T1 true ATE512455T1 (de) 2011-06-15

Family

ID=34924612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT04008972T ATE512455T1 (de) 2004-04-15 2004-04-15 Vorrichtung und methode zur untersuchung oder modifizierung einer oberfläche mittels ladungsträgerstrahls

Country Status (6)

Country Link
EP (2) EP2287883B1 (de)
JP (2) JP4812749B2 (de)
KR (1) KR101101558B1 (de)
CN (2) CN100580865C (de)
AT (1) ATE512455T1 (de)
WO (1) WO2005101451A1 (de)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006043895B9 (de) 2006-09-19 2012-02-09 Carl Zeiss Nts Gmbh Elektronenmikroskop zum Inspizieren und Bearbeiten eines Objekts mit miniaturisierten Strukturen
TWI479570B (zh) * 2007-12-26 2015-04-01 Nawotec Gmbh 從樣本移除材料之方法及系統
DE102008037944B4 (de) 2008-08-14 2013-03-21 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von leitfähigem Material
DE102008062928A1 (de) 2008-12-23 2010-07-01 Nawotec Gmbh Verfahren zum Ermitteln einer Reparaturform eines Defekts an oder in der Nähe einer Kante eines Substrats einer Photomaske
EP2551889B1 (de) 2011-07-26 2016-03-02 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Ladungsträgerteilchenstrahlvorrichtung mit Abschirmungselement mit Ladungssteuerungselektrode
JP2013101929A (ja) * 2011-11-07 2013-05-23 Fei Co 荷電粒子ビーム・システムの絞り
CN102768943A (zh) * 2012-07-03 2012-11-07 上海华力微电子有限公司 一种晶圆钨连接层表面电荷失衡的修复方法
JP6581520B2 (ja) * 2016-02-09 2019-09-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置
KR101787379B1 (ko) * 2016-05-25 2017-10-18 한국표준과학연구원 모노크로미터의 제조방법
US11476083B2 (en) 2017-03-14 2022-10-18 Protochips, Inc. Electrical devices with edge slits for mounting sample
CN108155079B (zh) * 2017-12-04 2019-07-05 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 用于扫描电子显微镜中的x射线靶组件
WO2020178068A1 (en) * 2019-03-04 2020-09-10 Agc Glass Europe Charge neutralizing apparatus
KR102181456B1 (ko) * 2019-08-16 2020-11-23 참엔지니어링(주) 검사 장치, 수리 장치 및 입자 빔 장치
KR102180979B1 (ko) * 2019-08-19 2020-11-19 참엔지니어링(주) 처리 장치 및 방법
DE102020120940B4 (de) 2020-08-07 2023-12-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Bearbeitungsanordnung, Vorrichtung, Verfahren, Spülplatte und Verwendung
DE102020124307A1 (de) 2020-09-17 2022-03-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zum Analysieren und/oder Bearbeiten einer Probe mit einem Teilchenstrahl und Verfahren
DE102020124306B4 (de) * 2020-09-17 2022-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zum Analysieren und/oder Bearbeiten einer Probe mit einem Teilchenstrahl und Verfahren
DE102021120913B3 (de) 2021-08-11 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zum Analysieren und/oder Bearbeiten einer Probe mit einem Teilchenstrahl und Verfahren
DE102022119752A1 (de) 2022-08-05 2024-02-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Charakterisierung einer Störung in einem Rasterelektronenmikroskop

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3545350A1 (de) * 1985-12-20 1987-07-02 Siemens Ag Verfahren und anordnung zur unterdrueckung der aufladung einer mit einem korpuskularstrahl aus geladenen teilchen abgetasteten probe
US4818872A (en) 1987-05-11 1989-04-04 Microbeam Inc. Integrated charge neutralization and imaging system
JPH0754683B2 (ja) * 1987-08-20 1995-06-07 株式会社日立製作所 帯電防止法
US4992661A (en) * 1987-08-20 1991-02-12 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for neutralizing an accumulated charge on a specimen by means of a conductive lattice deposited on the specimen
CN1018110B (zh) * 1988-01-18 1992-09-02 电子扫描公司 用于湿试样的目视的扫描电镜
JPH06294848A (ja) 1993-04-12 1994-10-21 Advantest Corp 電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法
US5591971A (en) * 1995-09-18 1997-01-07 Shahar; Arie Shielding device for improving measurement accuracy and speed in scanning electron microscopy
JPH09320505A (ja) * 1996-03-29 1997-12-12 Hitachi Ltd 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン
US5789748A (en) * 1997-05-29 1998-08-04 Stanford University Low voltage electron beam system
DE19724265A1 (de) * 1997-06-09 1998-12-10 Atomika Instr Gmbh Sekundärionen-Massenspektrometer mit Lochmaske
US6570154B1 (en) 1998-09-08 2003-05-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Scanning electron beam microscope
JP4236742B2 (ja) * 1998-10-29 2009-03-11 株式会社日立製作所 走査形電子顕微鏡
US6344750B1 (en) 1999-01-08 2002-02-05 Schlumberger Technologies, Inc. Voltage contrast method for semiconductor inspection using low voltage particle beam
US6586736B1 (en) 1999-09-10 2003-07-01 Kla-Tencor, Corporation Scanning electron beam microscope having an electrode for controlling charge build up during scanning of a sample
US6664546B1 (en) 2000-02-10 2003-12-16 Kla-Tencor In-situ probe for optimizing electron beam inspection and metrology based on surface potential
US6683320B2 (en) 2000-05-18 2004-01-27 Fei Company Through-the-lens neutralization for charged particle beam system
IL160981A0 (en) 2001-09-26 2004-08-31 Interact Devices Inc System and method for communicating media signals
JP2003133203A (ja) * 2001-10-23 2003-05-09 Seiko Instruments Inc ステンシルマスクの欠陥修正方法
JP3908530B2 (ja) * 2001-12-21 2007-04-25 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 フォトマスクの白欠陥修正方法
DE10208043B4 (de) * 2002-02-25 2011-01-13 Carl Zeiss Nts Gmbh Materialbearbeitungssystem und Materialbearbeitungsverfahren
JP2005045124A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Sony Corp ステンシルマスク、荷電粒子照射装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101101558B1 (ko) 2012-01-02
JP2011253816A (ja) 2011-12-15
JP2007533089A (ja) 2007-11-15
EP2287883A2 (de) 2011-02-23
EP1587128B1 (de) 2011-06-08
CN101714491A (zh) 2010-05-26
EP1587128A1 (de) 2005-10-19
EP2287883B1 (de) 2017-08-16
EP2287883A3 (de) 2011-03-23
CN1969364A (zh) 2007-05-23
JP4812749B2 (ja) 2011-11-09
CN101714491B (zh) 2012-07-18
JP5560242B2 (ja) 2014-07-23
WO2005101451A1 (en) 2005-10-27
CN100580865C (zh) 2010-01-13
KR20070007930A (ko) 2007-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE512455T1 (de) Vorrichtung und methode zur untersuchung oder modifizierung einer oberfläche mittels ladungsträgerstrahls
MY147695A (en) Aberration evaluation pattern, aberration evaluation method, aberration correction method, electron beam drawing apparatus, electron microscope, master, stamper
EP2522992A3 (de) Testvorrichtung, die geladene Teilchen verwendet und Bauteilherstellungsverfahren, das diese verwendet
ATE533041T1 (de) Verfahren zur analyse einer probe und vorrichtung dafür
ATE505808T1 (de) Verfahren zum erzielen eines rastertransmissionsbildes einer probe in einer teilchenoptischen vorrichtung
EP2090928A3 (de) Druckgerät, Druckverfahren und Druckform
DE10291985D2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur berührungsfreien Untersuchung eines Gegenstandes, insbesondere hinsichtlich dessen Oberflächengestalt
EP1500035A4 (de) Bildanalyse auf strahlenbasis für biologische proben
WO2008007952A3 (en) Getter and cleaning arrangement for a lithographic apparatus
EP2056090A3 (de) Feinteilchen-Messverfahren, Substrat für die Messung und Messvorrichtung
EP1777490A3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung eines Objektes mittels strukturierten Lichts
EP1777493A3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung eines Objektes mittels strukturierten Lichts
WO2002029886A3 (en) Method and apparatus for substrate surface inspection using spectral profiling techniques
EP2136203A3 (de) Probenhalterung, Probenprüfvorrichtung und Probenprüfverfahren
ATE405812T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur charakterisierung von strukturschäden mittels moire- schatten
EP2708870A3 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Wärmemanagement eines Ionenstrahl-Probenpräparats
ATE506627T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur optischen gewebeanalyse
DE60308482D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung einer Probe eines Prüfkörpers mittels Elektronenstrahls
BRPI0406196A (pt) Retentor de amostra para análise de fluorescência por raios-x, método para analisar a fluorescência por raios-x, e, espectrÈmetro de fluorescência por raios-x
EP1837883A3 (de) Röntgenstrahlerzeugungsverfahren und Röntgenstrahlerzeugungsvorrichtung
DE69112764D1 (de) Massenspektrometer und Vorrichtung zur Probeneinführung mittels eines Ionenzerstäubers.
EP1205939A3 (de) Nahfeldmikroskop
DE60139617D1 (de) Vorrichtung und verfahren zur sequentiellen probenbeobachtung
ATE443851T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur charakterisierung von fs-laserpulsen
DE60003573D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur untersuchung von emissionen radioaktiver quellen in einer umgebung

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties