ATE37449T1 - Vorrichtung zum kontinuierlichen niederschlagen einer schicht aus polykristallinem silizium auf einem kohlenstoffband. - Google Patents

Vorrichtung zum kontinuierlichen niederschlagen einer schicht aus polykristallinem silizium auf einem kohlenstoffband.

Info

Publication number
ATE37449T1
ATE37449T1 AT84110062T AT84110062T ATE37449T1 AT E37449 T1 ATE37449 T1 AT E37449T1 AT 84110062 T AT84110062 T AT 84110062T AT 84110062 T AT84110062 T AT 84110062T AT E37449 T1 ATE37449 T1 AT E37449T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
layer
polycrystalline silicon
carbon ribbon
continuous deposition
deposition
Prior art date
Application number
AT84110062T
Other languages
English (en)
Inventor
Michel Mautref
Christian Belouet
Original Assignee
Comp Generale Electricite
Elf Aquitaine
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR8313834A external-priority patent/FR2551233B1/fr
Priority claimed from FR8319212A external-priority patent/FR2556109B2/fr
Application filed by Comp Generale Electricite, Elf Aquitaine filed Critical Comp Generale Electricite
Application granted granted Critical
Publication of ATE37449T1 publication Critical patent/ATE37449T1/de

Links

AT84110062T 1983-08-29 1984-08-23 Vorrichtung zum kontinuierlichen niederschlagen einer schicht aus polykristallinem silizium auf einem kohlenstoffband. ATE37449T1 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8313834A FR2551233B1 (fr) 1983-08-29 1983-08-29 Dispositif pour deposer en regime continu une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone
FR8319212A FR2556109B2 (fr) 1983-08-29 1983-12-01 Dispositif pour deposer en regime continu une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone
EP84110062A EP0141114B1 (de) 1983-08-29 1984-08-23 Vorrichtung zum kontinuierlichen Niederschlagen einer Schicht aus polykristallinem Silizium auf einem Kohlenstoffband

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE37449T1 true ATE37449T1 (de) 1988-10-15

Family

ID=27226898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT84110062T ATE37449T1 (de) 1983-08-29 1984-08-23 Vorrichtung zum kontinuierlichen niederschlagen einer schicht aus polykristallinem silizium auf einem kohlenstoffband.

Country Status (1)

Country Link
AT (1) ATE37449T1 (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3687540D1 (de) Verfahren zum niederschlagen einer schicht aus zinkoxid.
DE3483451D1 (de) Verfahren zum strukturieren einer duennen schicht.
DE3879143D1 (de) Verfahren zur zuechtung einer beta-siliziumcarbid-einkristall-schicht auf einem siliziumsubstrat.
ATA919377A (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer tiefbohrung und zum uebertragen von in- formationen aus einem bohrloch zur erdober- flaeche
DE3686453T2 (de) Verfahren zum herstellen einer duennen halbleiterschicht.
DE3674456D1 (de) Verfahren zum schuetzen einer metalloberflaeche.
DE3686092D1 (de) Verfahren zur in-situ-herstellung einer schutzschicht auf photolack fuer plasmaaetzen.
DE69200771D1 (de) Verfahren zum Bilden einer gemusterten Oberfläche auf einem Substrat.
DE3676458D1 (de) Verfahren zum chemischen polieren zur herstellung einer koplanaren schicht aus isolator-metall auf einem substrat.
DE2967291D1 (en) Process for the deposition of a thin-film pattern on a substrate
DE3280182D1 (de) Verfahren zur herstellung einer monokristallinen schicht.
AT374923B (de) Verfahren zur herstellung einer freitragenden schicht auf einem plaettchenfoermigen, hochtemperaturbestaendigen substrat
DE3581626D1 (de) Photochemisches verfahren zum behandeln einer substratoberflaeche.
AT371400B (de) Verbundmaterial aus einem polykristallinen diamantkoerper und einem siliciumkarbid- oder siliciumnitridsubstrat und verfahren zu dessen herstellung
DE3678760D1 (de) Vorrichtung zur chemischen metallorganischen gasabscheidung zum wachsen einer epitaxialen halbleiterverbindungsschicht.
IT8019613A0 (it) Processo per depositare tracciati metallici su un substrato ceramico senza l'uso di maschere.
DE3480940D1 (de) Verfahren zur abscheidung eines metalles auf einer oberflaeche.
DE3576766D1 (de) Schottky-kontakt auf einer halbleiteroberflaeche und verfahren zu dessen herstellung.
DE3177210D1 (de) Verfahren zum gestalten einer gekruemmten flaeche.
DE68914061D1 (de) Verfahren zum Niederschlagen einer Wolframschicht.
DE3775090D1 (de) System zum entfernen einer fluessigkeit aus einem fluessig-pulverschlamm.
AT381959B (de) Vorrichtung zur kontinuierlichen, mit hoher stromdichte erfolgenden elektrolytischen abscheidung einer abdeckmetallschicht
DE3581353D1 (de) Halbleiteranordnung mit monokristalliner schicht aus ga-as auf einem substrat aus silicium und verfahren zu deren herstellung.
ATE68673T1 (de) Verteilvorrichtung zur bildung einer duennen schicht auf einer oberflaeche.
DE3765144D1 (de) Vorrichtung zum anbringen einer monomolekularen schicht.

Legal Events

Date Code Title Description
UEP Publication of translation of european patent specification
REN Ceased due to non-payment of the annual fee