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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schmucksteinformation mit einer Vielzahl von
Schmucksteinen.
Insbesondere von Mode- und Schmuckdesignern wird häufig der Wunsch geäussert,
Schmucksteinformationen mit einer Vielzahl von Schmucksteinen geliefert zu bekommen, die einfach weiterverarbeitet werden können. Wesentlich ist dabei, dass die Schmucksteine stabil eingebettet sind. Weiters ist es insbesondere für Modeanwendungen entscheidend, dass eine Art der Fixierung gefunden wird, die hohe Verformbarkeit gewährleistet.
Bekannt geworden ist in diesem Zusammenhang die Einbettung von Schmucksteinen in ein
Metallgeflecht, wobei diese Verarbeitungsvariante mit relativ hohen Kosten verbunden ist.
Als kostengünstige Alternative sieht die vorliegende Erfindung vor, dass die Schmucksteine in eine Silikonschicht eingebettet sind.
Die Silikonschicht gewährt einerseits sicheren Halt für die Schmucksteine und ist andererseits in hohem Masse bieg- und verformbar, sodass die Schmucksteinformation in vielfältiger Form weiterverarbeitet werden kann. Zudem kann einfach mit einem Messer oder einer Schere ein beliebig grosses Teilstück abgetrennt werden.
Für eine optimale Verankerung der Schmucksteine ist es günstig, wenn die Schmucksteine bis über den Bereich ihres grössten Durchmessers in die Silikonschicht eingebettet sind.
Die Reissfestigkeit der Silikonschicht kann dadurch erhöht werden, dass in die Silikonschicht zusätzlich eine Gewebeschicht eingebettet ist. Insbesondere eignet sich ein transparentes Kunststoffgewebe.
Das erfindungsgemässe Verfahren sieht vor, dass zuerst die Schmucksteine auf einer klebrigen Transferfolie angeordnet und mittels dieser Transferfolie in ein flächiges Silikonbad getaucht werden, wobei die Transferfolie nach dem Aushärten des Silikons abgezogen wird.
Dieses Verfahren gewährleistet eine einfache und kostengünstige Verarbeitung.
Weitere Merkmale und Einzelheiten der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Figurenbeschreibung. Dabei zeigt:
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Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer erfindungsgemässen Schmucksteinformation,
Fig. 2 eine entsprechende Ansicht von oben,
Fig. 3 einen Schnitt entlang der Linie A-A in Fig. 2,
Fig. 4 das Detail B in Fig. 3 in Vergrösserung und
Fig. 5 bis 8 die erfindungsgemässen Verfahrensschritte in schematisierter Darstellung.
Wie die Fig. 1 bis 4 zeigen, ist bei der erfindungsgemässen Schmucksteinformation eine
Vielzahl von Schmucksteinen 1 in eine Silikonschicht 2 eingebettet. Die Silikonschicht 2 ist üblicher Weise farblos und in der Dicke an die Grösse der Schmucksteine 1 angepasst.
Bei den Schmucksteinen 1 handelt es sich bevorzugt um Steine aus geschliffenem (facettiertem) Glas, das durchsichtig oder gefärbt sein kann. Es können auch beliebige andere echte oder unechte Schmucksteine zur Anwendung kommen.
Im Bereich der Spitzen der Schmucksteine 1 ist ein Kunststoffgewebe 3 in die Silikonschicht
2 eingegossen, um die Reissfestigkeit zu erhöhen.
Aus der Detailvergrösserung der Fig. 4 ist gut zu erkennen, dass die Schmucksteine 1 bis über den Bereich ihres grössten Durchmessers in die Silikonschicht 2 eingebettet sind, sodass sich ein formschlüssiger Halt ergibt.
Anhand der Fig. 5 bis 8 wird nachfolgend das erfindungsgemässe Verfahren erläutert:
Die Verarbeitungsvorrichtung weist eine obere Platte 4a und eine untere Platte 4b auf. An der oberen Platte 4a ist eine klebrige Transferfolie 5 angeordnet. An der Transferfolie 5 kleben die Schmucksteine 1 mit ihrer planen Oberseite, wobei jede beliebige Anordnung, gesetzmässig oder chaotisch, gewählt werden kann.
Gegenüber befindet sich auf der unteren Platte 4b innerhalb der Begrenzung 6 die vorerst noch flüssige Silikonschicht 2 von etwa 1 mm Dicke. In diese Silikonschicht 2 werden gemäss Fig. 6 die Schmucksteine 1 durch Absenken der oberen Platte 4a eingetaucht.
Sobald die Silikonschicht 2 ausgehärtet ist, kann die Vorrichtung gewendet werden, sodass die obere Platte 4a nunmehr unten liegt. Nach Anbringung einer etwas höheren Begrenzung 7 (siehe Fig. 8) kann nunmehr auf der von den Schmucksteinen 1 abgewandten Seite der Silikonschicht 2 die Gewebeschicht 3 aufgelegt werden, wobei anschliessend zusätzliches
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flüssiges Silikon aufgebracht wird, das die Gewebeschicht 3 vorzugsweise vollständig einhüllt.
Im letzten Verfahrensschritt wird die Silikonschicht 2 samt eingebetteten Schmucksteinen 1 von der Transferfolie 5 abgelöst.
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The present invention relates to a gemstone formation with a plurality of
Precious stones.
Fashion and jewelry designers in particular often express the wish
Get gemstone formations supplied with a variety of gemstones that can be easily processed. It is essential that the gemstones are stably embedded. Furthermore, it is particularly important for fashion applications that a type of fixation is found that ensures high deformability.
The embedding of gemstones in a has become known in this context
Metal mesh, this processing variant is associated with relatively high costs.
As a cost-effective alternative, the present invention provides that the gemstones are embedded in a silicone layer.
The silicone layer provides a secure hold for the gemstones on the one hand and is highly bendable and deformable on the other hand, so that the gemstone formation can be processed in many different ways. In addition, a section of any size can easily be cut off with a knife or scissors.
For an optimal anchoring of the gemstones, it is favorable if the gemstones are embedded in the silicone layer to the extent of their largest diameter.
The tensile strength of the silicone layer can be increased by additionally embedding a fabric layer in the silicone layer. A transparent plastic fabric is particularly suitable.
The method according to the invention provides that the gemstones are first arranged on a sticky transfer film and immersed in a flat silicone bath by means of this transfer film, the transfer film being removed after the silicone has hardened.
This process ensures simple and inexpensive processing.
Further features and details of the present invention result from the following description of the figures. It shows:
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1 is a perspective view of a gemstone formation according to the invention,
2 shows a corresponding view from above,
3 shows a section along the line A-A in FIG. 2,
Fig. 4 shows the detail B in Fig. 3 in magnification and
5 to 8 the process steps according to the invention in a schematic representation.
As shown in FIGS. 1 to 4, there is one in the gemstone formation according to the invention
A large number of gemstones 1 embedded in a silicone layer 2. The silicone layer 2 is usually colorless and adapted in thickness to the size of the gemstones 1.
The gemstones 1 are preferably stones made of cut (faceted) glass, which can be transparent or colored. Any other real or fake gemstones can also be used.
In the area of the tips of the gemstones 1 there is a plastic fabric 3 in the silicone layer
2 poured in to increase the tensile strength.
4 that the gemstones 1 are embedded in the silicone layer 2 up to the area of their largest diameter, so that there is a form-fitting hold.
The method according to the invention is explained below with reference to FIGS. 5 to 8:
The processing device has an upper plate 4a and a lower plate 4b. A sticky transfer film 5 is arranged on the upper plate 4a. The gemstones 1 stick to the transfer film 5 with their flat top, any arrangement, legal or chaotic, can be selected.
Opposite is on the lower plate 4b within the boundary 6 the initially still liquid silicone layer 2 of about 1 mm thick. 6, the gemstones 1 are immersed in this silicone layer 2 by lowering the upper plate 4a.
As soon as the silicone layer 2 has hardened, the device can be turned so that the upper plate 4a is now at the bottom. After attaching a somewhat higher boundary 7 (see FIG. 8), the fabric layer 3 can now be placed on the side of the silicone layer 2 facing away from the gemstones 1, with additional items subsequently being applied
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liquid silicone is applied, which preferably completely envelops the fabric layer 3.
In the last process step, the silicone layer 2 together with the embedded gemstones 1 is detached from the transfer film 5.