AT351596B - Halbleiteranordnung, insbesondere monolithische integrierte schaltung mit von zum teil durch eine versenkte isolierschicht gebildete isolierzonen umgebenen inseln
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Halbleiteranordnung, insbesondere monolithische integrierte schaltung mit von zum teil durch eine versenkte isolierschicht gebildete isolierzonen umgebenen inseln
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AT594371A1970-07-101971-07-08Halbleiteranordnung, insbesondere monolithische integrierte schaltung mit von zum teil durch eine versenkte isolierschicht gebildete isolierzonen umgebenen inseln
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Halbleiteranordnung, insbesondere monolithische integrierte schaltung mit von zum teil durch eine versenkte isolierschicht gebildete isolierzonen umgebenen inseln
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