AT351596B - Halbleiteranordnung, insbesondere monolithische integrierte schaltung mit von zum teil durch eine versenkte isolierschicht gebildete isolierzonen umgebenen inseln - Google Patents

Halbleiteranordnung, insbesondere monolithische integrierte schaltung mit von zum teil durch eine versenkte isolierschicht gebildete isolierzonen umgebenen inseln

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