AT320030B - Verfahren zum Herstellen von Feldeffekttransistoren mit p-dotierten Zonen mit unterschiedlichen Eindringtiefen in Silizium - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Feldeffekttransistoren mit p-dotierten Zonen mit unterschiedlichen Eindringtiefen in Silizium

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AT320030B
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