AT314677B - Strahlungsdetektor mit einem Halbleiterkörper mit zwei zueinander praktisch parallelen Hauptflächen und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents
Strahlungsdetektor mit einem Halbleiterkörper mit zwei zueinander praktisch parallelen Hauptflächen und Verfahren zur Herstellung desselbenInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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