AT256182B - Einrichtung zum epitaxialen Aufwachsen von Halbleitersubstanzen - Google Patents
Einrichtung zum epitaxialen Aufwachsen von HalbleitersubstanzenInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT256182B true AT256182B (de) | 1967-08-10 |
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ID=7202246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT159965A AT256182B (de) | 1964-03-18 | 1965-02-23 | Einrichtung zum epitaxialen Aufwachsen von Halbleitersubstanzen |
Country Status (4)
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Family Cites Families (3)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6503233A (de) | 1965-09-20 |
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| DE1262243B (de) | 1968-03-07 |
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