AT223707B - Fremdgesteuerter Wechselrichter - Google Patents

Description

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  Fremdgesteuerter Wechselrichter 
 EMI1.1 
 

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21812ap 2, die von   Ril. ckkopplungswic1dungen   des Ausgangstransformators   t 1   gesteuert werden. Die Schaltmit- telkombinationen mit den Gleichrichtern n 5 bzw. n 6, k 3 bzw. k 5 und r 8 bzw. r 9 dienen zur Über- spannungsverminderung an den Transistoren t 1 und t 2. Die Kondensatoren k 3 und k 5 können unter- schiedlich bemessen sein, um einen schnelleren Anschwingvorgang zu ermöglichen. In den Steuerkreisen der Transistoren   p l   und p 2 liegen die einstellbaren Widerstände r 26 und r 27, mit denen eine Symme- trierung der Halbwellen erreicht werden kann. Entsprechendes gilt für den Widerstand r 24, dem für den andern Transistor ein Festwiderstand r 25 zugeordnet ist.

   Mit den gemeinsam einstellbaren Widerständen r 22 und r 23 kann die Wechselrichterfrequenz festgelegt werden. 



   Ein Kurzschlussschutz für den Wechselrichter wird mit Hilfe des im Batteriezweig des selbsterregten
Wechselrichters eingeschalteten Transistors p 3 erreicht. Zur Steuerung desselben wird die vom Ausgang des fremdgesteuerten Wechselrichters abgenommene Spannung mit dem   leistungsschwachen Transformator   t 3 heruntertransformiert. Gleichzeitig dient t 3 zur Potentialtrennung. Nach Gleichrichtung in der Trok- kengleichrichterbrücke n   1 - n   4 wird die Gleichspannung dem Transistor p 9 zugeführt, der durch den nun fliessenden Basisstrom in den Zustand "offen" versetzt wird, wodurch der Kollektor von p 9 praktisch am positiven Pol 20 der Gleichspannungsquelle liegt. Damit hat auch die über den Widerstand r 16 an den
Kollektor von p 9 angekoppelte Basis von p 10 das gleiche Potential, so dass der vorher offene Transistor p 10 gesperrt wird.

   Hiedurch wird aber der Transistor p 3 geöffnet, der wie beim Gegenstand des Stammpatentes in der positiven Leitung zur Steuerstufe liegt und im Zustand "offen" einen Betrieb des Wechsel- richters ermöglicht, während dieser im Störungsfalle gesperrt wird. 



   Der Störungsfall tritt beim Ausbleiben der Spannung am Transformator t 3 ein. Es wird dann der Transistor p 9 gesperrt, worauf der Transistor p 10 öffnet und damit der Transistor p 3 gesperrt wird. Somit ist der Wechselrichter abgeschaltet. 



   Da derKurzschlussschutz nur arbeitet, wenn am Wechselrichterausgang eine Spannung besteht, ist ein Einschalten des Wechselrichters zunächst nicht   möglich -da   der Transistor p 3 gesperrt ist. Um nun beim Einschalten in Betrieb zu kommen, ist der Transistor p 8 vorgesehen, der durch einen Ladestromstoss auf den Kondensator k 4 gesperrt wird, so dass der Transistor p 9 über den Widerstand   r   12 angesteuert und ge- öffnet wird. Dies hat, wie vorstehend bereits dargelegt, die Sperrung von p 10 und das Öffnen von p 3 zur Folge. Der Wechselrichter liefert jetzt am Ausgang Spannung und arbeitet, wie schon beschrieben, weiter. 



   Liefert der Wechselrichter am Ausgang keine rechteckförmige, sondern eine   sinusförmige Spannung,   so muss hinter die Gleichrichterbrücke n   1 - n   4 ein Kondensator k 2 in Verbindung mit dem Widerstand r 13 eingefügt werden. Bei Gleichrichtung von Sinushalbwellen würden sich Nullstellen der Spannung ergeben, die den Kurzschlussschutz zum Ansprechen bringen könnten. Die Zeitkonstante der insbesondere mit dem Kondensator k 2 erfolgenden Siebung muss aber genügend klein sein, etwa in der Grössenordnung einer Halbperiode der erzeugten Wechselspannung, damit die Leistungstransistoren der Endstufe bei einem eventuellen Kurzschluss nicht gefährdet werden. 



     Die Abschaltung desWechselrichters   erfolgt an einer   leistungsschwachen Stelle. Daher   kann der Kurzschlussschutz aus elektrisch leistungsschwachen und damit geometrisch kleinen Bauteilen erstellt werden. 



   Zur Figur ist noch nachzutragen, dass es sich bei den Widerständen   r   5, r 11 - r 16 zweckmässig um ohmsche Widerstände handelt, die entweder als Belastungswiderstände für die Hilfstransistoren oder zur Festlegung der Steuerströme bestimmt sind. Für die Transistoren selbst ist angenommen, dass es sich um p-n-p-Flächentransistoren handelt. Die Erfindung ist jedoch nicht an die Verwendung bestimmter steuerbarer Halbleiter gebunden. 

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Claims (1)

1. PATENTANSPRÜCHE : 1. Fremdgesteuerter Wechselrichter, enthaltend nichtlineare Verstärkerelemente, wie Transistoren, bei dem ein selbsterregter Wechselrichter zur Fremdsteuerung vorgesehen ist, die im Storungsfalle durch einen steuerbaren Halbleiter, insbesondere die Kollektor-Emitterstrecke eines Flächentransistors, abgeschaltet wird, der im Batteriezweig des selbsterregten Wechselrichters angeordnet ist, gemäss Patent Nr. 218129, dadurch gekennzeichnet, dass der steuerbare Halbleiter (p 3) über einen Kondensator (k 4) und zweckmässig über mindestens ein diesem nachgeschaltetes Verstärkerelement (p 8) mit der den Wechselrichter speisenden Gleichspannung gekoppelt ist, derart, dass der steuerbare Halbleiter (p 3) mit dem Anschalten der Gleichspannung mindestens kurzzeitig geöffnet wird.

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   2. Fremdgesteuerter Wechselrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der mit einer von der Ausgangswechselspannung abgeleiteten Gleichspannung gesteuerte Halbleiter (p 3) im Steuerkreis mit Siebgliedern (r 13, k 2) beschaltet ist, deren Entladezeitkonstante in der Grössenordnung derHalbperiode der erzeugten Wechselspannung liegt.