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Halbleiteranordnung zur Temperaturmessung
Der bekannte Flächentransistor ist eine Halbleitervorrichtung mit drei oder mehr Zonen aus Halbleitermaterial abwechselnd anderer Leitfähigkeitstype. Jede dieser Zonen bildet mit den benachbarten Zonen eine gleichrichtende Grenzschicht. Die bekannteren Arten von Flächentransistoren haben eine Zone des einen Leitfähigkeitstyps, welche an zwei Zonen des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps angrenzt und so zwei gleichrichtende Grenzschichten bildet. Sie werden je nach der Verteilung ihrer P- und N-Zonen als PNP- oder NPN-Flächentransistoren bezeichnet. In diesen Einheiten werden die beiden äusseren Zonen vom gleichen Leitfähigkeitstyp Emitter- bzw0 Kollektorzone und die mittlere Zone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps Basiszone genannt.
Diese Vorrichtungen dienen zur Strom-, Spannungs- und Energieverstärkung je nachdem, wie sie in einem Stromkreis geschaltet sind. Es gibt drei allgemeine Anordnungen zum Schalten von PNP- und NPNFlächentransistoren als Schaltelemente, nämlich Schaltungen mit gemeinsamem Emitter, gemeinsamer Basis und gemeinsamem Kollektor, bei denen in jedem Falle die Emitter-, die Basis- bzw. die Kollektorzone sowohl mit dem Eingangs- als auch mit dem Ausgangskreis der Vorrichtung zusammengeschaltet ist.
Man kann diese PNP- und NPN-Flächentransistoren mit einer Kollektorzone hohen spezifischen Widerstandes einrichten. Solche Transistoren sind dann in einer Schaltung mit gemeinsamem Emitter sehr empfindlich gegen Temperaturschwankungen. Die Basiseingangstromverstärkung von Transistoren mit einer Kollektorzone hohen spezifischen Widerstandes ist in starkem Masse von der Temperatur abhängig und kann für ausgewählte Temperaturwerte annähernd unendlich werden.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht in der Schaffung einer verbesserten Halbleitervorrichtung zur Temperaturmessung.
Die Erfindung besteht darin, dass ein Flächentransistor in Emitterschaltung im Bereich der Kollektorzone einen höheren spezifischen Widerstand aufweist als die übrigen Transistorzonen.
Der Flächentransistorthermostat nach der Erfindung liefert in vorteilhafter Weise bei einer bestimmten Temperatur ein grosses Ausgangssignal.
Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung und den nachstehend aufgeführten Zeichnungen :
Fig. 1 zeigt eine Schaltung, welche den erfindungsgemässen Transistor zum Anzeigen einer Temperaturänderung verwendet.
Fig. 2 ist eine graphische Darstellung der Temperaturabhängigkeit des Verhältnisses von Elektronen zu Löchern in der Kollektorzone für einen typischen NPN- oder PNP-Flächentransistor mit einer Kollektorzone hohen spezifischen Widerstandes.
Ein Transistor mit einem genügend hohen spezifischen Widerstand in der Kollektorzone gemäss der Erfindung ist, wenn im Betrieb die Emitterzone sowohl mit dem Eingangs- als auch mit dem Ausgangskreis des Transistors verbunden ist, sehr empfindlich gegen Temperaturveränderungen. Infolge der Temperaturänderung kann die Gesamtverstärkung des Transistors gleich oder grösser als Eins werden. Dies lässt sich mit herkömmlichen NPN- oder PNP-Flächentransistoren insofern vergleichen, als bei diesen herkömmlichen Transistoren die Gesamtverstärkung theoretisch gleich Eins und in der Praxis infolge der inneren Verluste in dem Transistor stets kleiner als Eins ist.
Der Kollektorbereich mit hohem spezifischem Widerstand erzeugt ein die Ladungsträger eliminierendes wegfegendes Feld in der Nähe des Kollektors, und dieses Feld lässt die Gesamtverstärkung des Transistors in der Praxis gleich oder grösser als Eins sein. Eine theoretische obere Grenze ist noch festzulegen, wie nachstehend genauer erklärt wird.
Für die Herstellung des bei der Anordnung nach der Erfindung vorgesehenen Transistors lässt sich jedes Verfahren, das zu einem Kollektorbereich mit hohem spezifischem Widerstand führt, verwenden. Ein geeignetes Verfahren ist z. B. die auf dem Transistorgebiet verwendete normale Doppeldotierungstechnik. Dabei wird ein Halbleiterkristallkeim in eine Schmelze aus demselben
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Halbleitermaterialtyp eingetaucht und langsam wieder herausgezogen, damit das Material der Schmelze kontinuierlich auf der Oberfläche des Kristallkeims erstarren und diesen wachsen lassen kann. Der spezifische Widerstand und die Leitfähigkeit des gebildeten Kristalls werden gesteuert durch Zusatz bestimmter die Leitfähigkeit bestimmender Verunreinigungsstoffe (Störstoffe) zu der Schmelze in aufeinanderfolgenden Stadien der Kristallzüchtung.
Bei der Bildung eines Halbleiterkristalls, von dem ein Transistor mit einem Kollektor hohen spezifischen Widerstandes abgeschnitten werden kann, wird zunächst eine Schmelze aus Halbleitermaterial, z. B. Silizium oder Germanium, bereitet, zu der bestimmte Mengen von Verunreinigungsstonen, die die Noder die P-Leitfähigkeit bestimmen, z. B. Elemente der Gruppe III und V des Periodischen Systems, zugesetzt werden. Das Vorherrschen der dreiwertigen oder der fünfwertigen Verunreinigungsstoffe bestimmt den erlangten Leitfähigkeitstyp. Durch die reine Menge solcher Verunreinigungen in dem gezüchteten Kristall lässt sich der gewünschte spezifische Widerstand steuern. Ein Kristallkeim wird in Kontakt mit der Schmelze gebracht und langsam wieder entfernt, wodurch das Material der Schmelze auf dem Kristallkeim erstarren kann, während dieser herausgezogen wird.
Wenn ein bestimmtes Stück Kristall gezüchtet worden ist, um einen Kollektorbereich annehmbarer Grösse zu ergeben, wird eine weitere Menge der einen Verunreinigung der Schmelze zugesetzt, um die Vorherrschaft der Verunreinigungen in der Schmelze und damit den Leitfähigkeitstyp in dem wachsenden Kristall zu verändern. Dieser Zusatz von Verunreinigungen zu der Schmelze wird Dotieren oder Dopen genannt. Dies geschieht, um die reine Zahl von Verunreinigungen in dem gezüchteten Kristall so zu erhöhen, dass der spezifische Widerstand des Kristallbereichs, der danach aus der Schmelze gezüchtet wird, niedriger als der vorher gezüchtete ist.
Die Kristallzüchtung wird so lange fortgesetzt, wie es nötig ist, um die gewünschte Dicke des Basisbereichs zu erlangen, und wenn das geschehen ist, wird die Schmelze ein zweites Mal gedopt mit weiteren Verunreinigungen des Typs, der erforderlich ist, um wieder den Leitfähigkeitstyp der ursprünglichen Schmelze herzustellen. Durch diesen letzten Zusatz wird wieder der reine Verunreinigungsgehalt so ver- ändert, dass der spezifische Widerstand des wachsenden Kristalls verringert wird. Die Kristallbildung wird fortgesetzt, bis ein Kristallstück der gewünschten Länge gezüchtet ist, um einen Emitterbereich von geeigneter Grösse zu haben. Damit ist ein einziger Halbleiterkristall mit drei Zonen abwechselnder Leitfähigkeitstypen erzeugt worden, dessen aufeinanderfolgende Zonen progressiv kleinere spezifische Widerstände haben.
Aus dem Kristall können NPN- oder PNPTransistoren geschnitten werden. Bei Verwendung von fast reinem Halbleiter für die Ausgangsschmelze ist es möglich, durch genaue Kon- trolle der zugesetzten Verunreinigungsmengen einen Kristall von jedem gewünschten spezifischen Widerstand zu züchten und einen gewünschten Widerstandsgradienten in einem bestimmten Teil des Kristalls zu erzeugen.
Fig. l zeigt nun einen PNP-Transistor mit einem Kollektor hohen spezifischen Widerstandes in einer Schaltung zum Anzeigen von Temperaturänderungen. Der Transistor 1 hat drei Zonen 2, 3 und 4, die als Emitter, Basis bzw.
Kollektor dienen. Die Emitterzone 2 ist geerdet.
Die Basiszone 3 ist über den Widerstand 5 und über die Batterie 6 geerdet, so dass eine Quelle konstanten Basiseingangsstroms gebildet wird.
Die Kollektorzone 4 liegt über eine Belastungsimpedanz, in der Zeichnung als Widerstand 7 dargestellt, an der negativen Klemme der ver- änderlichen Energie- und Vorspannungsbatterie 8, deren positive Klemme geerdet ist. An Stelle des Widerstandes 7 als Kollektorkreisbelastungsimpedanz kann an sich jede beliebige Kollektorbelastungsimpedanz für Steuerzwecke verwendet werden.
Ist der Transistor 1 nach Fig. l geschaltet, so hat er eine Basiseingangsstromverstärkung, die stark von der Temperatur und der Kollektorspannung abhängig ist. Diese Verstärkung wird unendlich, wenn die Gesamtverstärkung des Transistors 1 den Wert Eins erreicht, und die Temperatur, bei der die Basiseingangsstromverstärkung unendlich wird, kann gesteuert werden durch Veränderung der Kollektorarbeitsspannung, z. B. durch Veränderung des Ausgangs der Batterie 8. Bei einer gegebenen Temperatur leitet die aus der Reihenschaltung von Batterie 6 und Widerstand 5 bestehende konstante Stromquelle : dem Transistor 1 einen konstanten Basiseingangsstrom zu, wodurch ein konstanter Kollektorstrom in dem Ausgangskreis durch die Impedanz 7 erzeugt wird.
Bei Erhöhung der Temperatur bleibt der Basiseingangsstrom konstant, aber der Strom durch die Impedanz 7 steigt steil an und kann einen Wert erreichen, der nur durch die gesamte Durchlassimpedanz des Kollektorkreises begrenzt ist. Die Temperatur, bei der dieser verstärkte Stromfluss erreicht wird, kann gesteuert werden durch Veränderung der Kollektorarbeitsspannung durch die Batterie 8. Mit diesem Transistor, dessen Kollektor einen hohen spezifischen Widerstand hat, kann also eine wärmeempfindliche Schaltung aufgebaut werden, welche einen Ausgangsstrom abgibt, der sich bei Temperaturänderungen abrupt verändert, und welche bei einer gewählten Temperatur einen kurzen Ausgangsstrom liefert.
Der Grund dafür und das Verfahren, durch das der Bereich von Kollektorwiderständen, bei dem dies der Fall ist, bestimmt wird, gehen aus der nachstehenden kurzen Besprechung der Verstärkung von PNP- oder NPN-Flächentransistoren hervor, in der sich die gegebene Erklärung insbesondere auf Gleichstromanwendungen bezieht, obwohl ohne weiteres auch eine entsprechende Wechselstromanordnung möglich ist.
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Es hat sich erwiesen, dass die Gesamtstromverstärkung eines PNP- oder NPN-Flächentransistors die Veränderung des Kollektorstroms hinsichtlich Veränderungen des Emitterstroms bei einer konstanten Kollektorspannung ist. Diese Verstärkung
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sind die Injektionsleistung der Emittergrenzschicht, die Übertragungsleistung der Basiszone und die innewohnende Kollektorausbeute. Diese drei Faktoren werden nüty, ss bzw. α+ bezeichnet.
Was nun y, die Injektionsleistung der Emittergrenzschicht, betrifft, so wird dieser Faktor für einen PNP-Transistor im allgemeinen aus der folgenden Gleichung berechnet :
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Bei Verwendung der in Fig. 1 benutzten Bezugszeichen sind diese Faktoren folgende : pe ist der spezifische Widerstand der Emitter- zone 2, Pb ist der spezifische Widerstand der Basiszone 3, W ist die Breite der Basiszone 3, und Ln ist die Diffusionslänge für Elektronen in der
Emitterzone 2.
Da die vorstehende Gleichung reziprok ist und ihr Nenner niemals kleiner als Eins sein kann, hat der Wert der Gleichung einen theoretischen Maximalwert von Eins, und für die meisten Grenzschichten ist dieser Wert fast gleich Eins, z. B. 0, 99.
Was nun ss, die Übertragsleistung des Basisbereichs, betrifft, so wird der Wert dieses Faktors in erster Linie bestimmt durch die Rekombination injizierter Träger im Basisbereich. Da die optimale Vorbedingung für diesen Faktor die Rekombination Null wäre, so dass alle injizierten Träger zu der Kollektorgrenzschicht übertragen würden, wäre der theoretische Maximalwert dieses Faktors gleich Eins.
Der innewohnende Kollektorleistungsfaktor < x+ ist ein Mass für die Fähigkeit des Transistors, den Stromfluss durch die Kollektorgrenzschicht als Ergebnis des Einflusses von an der Grenzschicht ankommenden Minoritätsträgern zu steuern. Bei dem Transistor nach Fig. 1 führt eine Veränderung des Kollektorstroms durch die Kollektorgrenzschicht. Da die Grösse des Kollektorstroms unmittelbar durch die injizierten Löcher bestimmt ist, würde die Normalgrenze für oc+ den Wert Eins haben, falls keine Extraelektronen durch die ankommenden Löcher befreit werden.
In dem erfindungsgemässen temperaturempfindlichen Flächentransistor erzeugt der Kollektorbereich hohen spezifischen Widerstandes ein Feld im Kollektorbereich, das einige Extraelektronen aus dem Kollektorbereich durch die Kollektorgrenzschicht auslöst und den Faktor a+ des Transistors über Eins ansteigen lässt.
Da die Gesamtstromverstärkung oc eines PNPoder NPN-Transistors das Produkt dieser drei Faktoren y, ss und oc+ ist, kann, wenn jeder dieser Faktoren kleiner oder gleich Eins ist wie bei einem herkömmlichen NPN-oder PNP-Transistor, das Produkt nicht grösser als Eins sein.
Bei dem erfindungsgemässen Transistor, dessen Kollektor einen hohen spezifischen Widerstand hat, kann, weil < x+ grösser als Eins ist, die Gesamtstromverstärkung α gleich oder grösser als Eins sein, solange ot + die Verluste bei y und ss ausgleicht.
D. h. also, dass K gleich oder grösser als Eins ist, wenn
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ist.
Es ist erwiesen, dass die Basiseingangsstromverstärkung eines PNP- oder NPN¯Transistors, wenn er nach der in Fig. 1 gezeigten Schaltung mit gemeinsamem Emitter betrieben wird, gleich der Gesamtstromverstärkung oc dividiert durch den Wert Eins minus der Gesamtstromver- stärkung oc ist. Wenn also oc den Wert Eins erreicht, wird der Wert der Basiseingangsstrom-
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Schaltung nach Fig. 1 ist, dass der Strom durch die Impedanz 7 nur durch die gesamte Durchlassimpedanz des Kollektorkreises, zu dem die Impedanz 7 gehört, begrenzt wird.
Bezüglich der Beeinflussung von < x'durch y ss und ru. + hat sich gezeigt, dass oc'die algebraische Summe dieser drei Faktoren ist und als reziproker Wert der Verluste jedes Faktors wie folgt ausgedrückt werden kann :
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wobei pe der spezifische Widerstand der Emit- terzone ist, pb der spezifische Widerstand der Basis- zone ist,
W die Breite des Basisbereichs ist, Lne die Diffusionslänge für Elektronen im Emitterbereich ist,
As der die Emittergrenzschicht umge- bende Oberflächenbereich des Basis- bereichs oder der gesamte Oberflächenbereich des Basisbereichs ist je nach der Geometrie des Tran- sistors, S die Konstante der Oberflächenrekom- binationsgeschwindigkeit ist, Ae der Oberflächenbereich der Emitter- grenzschicht ist, Dp die Diffusionskonstante für Löcher ist,
Lpb die Lebensdauer von Löchern in der
Basis ist und Ne die Konzentration von Elektronen im
Kollektorbereich ist,
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Pc ist die Konzentration von Löchern im
Kollektorbereich, (, : ist die Elektronenbeweglichkeit im
Kollektorbereich und tip ist die Lochbeweglichkeit im Kollek- torbereich.
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infolge von Oberflächenrekombination bzw. Massenrekombination und stellen zusammen den Verlust infolge von ss dar, und der Ausdruck (4) entspricht der innewohnenden Kollektorausbeute oc"". Aus der vorstehenden Gleichung geht
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(2) und (3) Verluste darstellt, muss die Summe dieser Verluste durch den Ausdruck (4) ausgeglichen werden.
Dies ist jetzt mit dem neuen erfindungsgemässen Transistor möglich, weil die Kollektorzone hohen spezifischen Widerstandes ein entsprechend grosses Ne/Pe ergibt und gestattet, dass der Ausdruck (4) gleich der Summe der Ausdrücke (1), (2) und (3) wird. Physikalisch bedeutet dies, dass ein Feld in der Nähe der Kollektorsperrschicht liegt, das das Verhältnis von Elektronen zu Löchern, die durch die Kollektorsperrschicht gehen, vergrössert.
Es hat sich gezeigt, dass, wenn wie bei dem erfindungsgemässen Transistor pe und pb gleich oder kleiner als pe sind, der einzige Ausdruck in der vorstehenden Gleichung, der merklich durch Wärme beeinflusst wird, der Teil N. IP, des Ausdrucks (4) ist und dass das Verhältnis von Elektronen zu Löchern in diesem Transistor so temperaturempfindlich ist, dass der Ausdruck (4) zwischen Null bei niedrigen Temperaturen und Eins bei hohen Temperaturen schwankt. Es ist in der Technik an sich bekannt, dass bei Anlegung einer Kollektorarbeitsspannung über eine Kollektorgrenzschicht eine Erschöpfungsschicht entlang der Grenzschicht aufgebaut wird.
Die Dicke dieser Erschöpfungsschicht verändert sich mit der Quadratwurzel der angelegten Spannung und erstreckt sich sowohl in den Kollektor- als auch in den Basisbereich hinein je nach dem Verhältnis der betreffenden spezifischen Widerstände dieser Bereiche. Die Breite W des Basisbereichs wird daher durch diesen Effekt verringert, und der Ausdruck (l) wird verkleinert.
Ebenfalls zu beachten ist, dass, da das Verhältnis von Elektronen zu Löchern in dem Kollektorbereich die Grösse des Ausdrucks (4) bestimmt, und dieses Verhältnis sich direkt mit dem spezifischen Widerstand ändert, eine weitere Kontrolle der Temperatur, bei der oc'unendlich wird, dadurch ausgeübt werden kann, dass ein Widerstandsgradient in dem Kollektorbereich hohen spezifischen Widerstandes vorgesehen wird, u. zw. so, dass der spezifische Widerstand von einem Wert an der Kollektorgrenzschicht auf grössere Werte anwächst mit der Vergrösserung des Ab- standes von der Grenzschicht. Dies hat die Wirkung, dass die durch die Kollektorarbeitsspannung erzeugte Erschöpfungsschicht jetzt nicht nur auf die Dicke des Basisbereichs übergreift, sondern ihr im Kollektorbereich liegender Teil einen vergrösserten Wert NIP, einführt.
Durch das Obengesagte wird also klar, dass CI.' dieses Transistors bei steigender Temperatur grösser wird und bei einer ausgewählten Temperatur unendlich gemacht werden kann, indem die Kollektorarbeitsspannung oder eine Kombination der Kollektorarbeitsspannung und des Kollektorbereichs abgestuften spezifischen Widerstandes
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gleich dem Ausdruck (4) bei der betreffenden Temperatur werden.
In Zusammenfassung des Vorstehenden kann also gesagt werden, dass der Kollektorbereich hohen spezifischen Widerstandes des erfindunggemässen Transistors ein Feld in der Nähe der Kollektorgrenzschicht erzeugt und dass wegen dieses Feldes die Gesamtstromverstärkung dieses Transistors gleich oder grösser als Eins sein kann.
Dies hat die Wirkung, dass die Basiseingangsstromverstärkung eines Transistors mit einer Kollektorzone hohen spezifischen Widerstandes sehr empfindlich gegenüber den Faktoren der Temperatur und der Kollektorarbeitsspannung ist und dass infolge der Fähigkeit dieses Transistors, eine Gesamtstromverstärkung über Eins zu haben, die Ausnutzung der Empfindlichkeit gegenüber diesen Faktoren es gestattet, eine neuartige und verbesserte temperaturempfindliche Vorrichtung zu schaffen.
Um die vorstehende Lehre zu veranschaulichen und zum Verständnis der Erfindung beizutragen, werden für den Transistor nach Fig. 1 folgende Angaben gemacht, die jedoch nicht den Erfindungsbereich begrenzen sollen, da in Übereinstimmung mit der obenstehenden Lehre viele verschiedene Werte möglich sind zur Schaffung von NPN- oder PNP-Flächentransistoren, die einen genügend hohen spezifischen Widerstand in der Kollektorzone gegenüber dem der benachbarten Basiszonen haben, um ein Feld in der Nähe der Kollektorgrenzschicht zu erzeugen, welches stark genug ist, um das Verhältnis von Elektronen zu Löchern in der Kollektorzone auf einen Wert zu erhöhen, welcher multipliziert mit dem Beweglichkeitsverhältnis für das betreffende Halbleitermaterial gleich den kombinierten Verlusten, welche die Gesamtstromverstärkung beeinflussen, in dem Transistor sein kann.
Es hat sich gezeigt, dass für einen Germanium-NPN-Transistor, dessen Zone hohen spezifischen Widerstandes als Kollektor dient, ein spezifischer Widerstand von 1, 7 Ohm/cm ausreicht, um a + gleich Eins sein zu lassen, und dass für einen ähnlichen PNPTransistor ein spezifischer Widerstand von 2, 3 Ohm/cm ausreicht.
In einer vorteilhaften Ausführung kann der Transistor nach Fig. l aus Germanium bestehen und folgende Werte haben :
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Verhältnisses von Elektronen zu Löchern in der Kollektorzone des oben beschriebenen Transistors mit der Temperatur. Diese Kurve ist eine nichtlineare Funktion der Temperatur und veranschaulicht die Empfindlichkeit von NIP, gegen- über der Temperaturänderung.
Die Werte für diese Kurve sind aus der folgenden Gleichung abgeleitet worden :
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Dabei ist (l. n das Verhältnis der Beweglichkeit von (J. P Elektronen und Löchern in dem Halbleiter-
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widerstand des Halbleitermaterials. Dieses Verhältnis ändert sich mit der Temperatur.
Für den Transistor dieses Ausführungsbeispieles, der mit einer Kollektorspannung von - V und einer Temperatur von 30 C arbeitet, würde der aus der vorstehenden Gleichung abgeleitete Basiseingangsstromgewinn α' wie folgt ausgedrückt, wobei angenommen wird, dass der Ausdruck (3) vernachlässigbar ist :
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W kann für diese Darstellung eines typischen Transistors gemäss der Erfindung bestimmt werden durch Berechnung der Breitenzunahme des Teils des Erschöpfungsbereichs, der der Kollektorsperrschicht zugeordnet ist, welcher sich in die Basiszone hinein erstreckt als Ergebnis der Kollektorarbeitsspannung, und durch ihre Subtraktion von der konstruierten Breite des Basisbereiches.
Da der spezifische Widerstand der Basis- und der Kollektorzone gleich ist, erstreckt sich in dieser Darstellung der Effekt des Erschöpfungsbereiches gleichmässig auf beide Seiten der Kollektorsperrschicht, und der Effekt in jeder einzelnen Zone beträgt die Hälfte des Gesamtwertes. Daher wird die Breitenzunahme des Erschöpfungsberecihes in der Basiszone wie folgt berechnet :
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Dann ist
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Bei dieser Temperatur ist der Ausdruck (4) kleiner als die Summe der Ausdrücke (1) und (2), und a' hat einen endlichen Wert.
Bei Ansteigen der Temperatur nimmt gemäss
Fig. 2 der Wert NIP, zu und kann α über Eins ansteigen lassen. Dies ist in der nachstehenden Berechnung veranschaulicht, bei der die Summe der Ausdrücke (1) und (2) gleich dem Ausdruck (4) gesetzt ist :
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und (O, 14) ! aus Fig. 2 ist bei 51, 4 C.
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Bei dieser Temperatur liefert der Transistor ein grosses Ausgangssignal.
Nun sei angenommen, dass ein grosses Signal bei 50 C geliefert werden soll. Würde die Kollektorarbeitsspannung auf 50 V erhöht, so würde folgendes geschehen : W Effektiv würde auf 0, 0029 cm fallen, und oc' wäre gleich unendlich bei 49, 4 C.
Daher kann ein sehr geringes Absinken in der Kollektorarbeitsspannung bewirken, dass Effektiv auf einen Wert steigt, bei dem α' = # bei 50 C.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Halbleiteranordnung zur Temperaturmessung, gekennzeichnet durch einen Flächentransistor in Emitterschaltung, dessen Kollektorzone einen höheren spezifischen Widerstand aufweist als die übrigen Transistorzonen.