WO2017068619A1 - レーザ装置管理システム - Google Patents

レーザ装置管理システム Download PDF

Info

Publication number
WO2017068619A1
WO2017068619A1 PCT/JP2015/079421 JP2015079421W WO2017068619A1 WO 2017068619 A1 WO2017068619 A1 WO 2017068619A1 JP 2015079421 W JP2015079421 W JP 2015079421W WO 2017068619 A1 WO2017068619 A1 WO 2017068619A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
laser
control unit
data
control
information
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/079421
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
峰岸　裕司
五十嵐　豊
太田　毅
Original Assignee
ギガフォトン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ギガフォトン株式会社 filed Critical ギガフォトン株式会社
Priority to PCT/JP2015/079421 priority Critical patent/WO2017068619A1/ja
Priority to JP2017546285A priority patent/JP6671387B2/ja
Priority to CN201580082992.XA priority patent/CN108028506B/zh
Publication of WO2017068619A1 publication Critical patent/WO2017068619A1/ja
Priority to US15/914,299 priority patent/US10394133B2/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F21/00—Security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
    • G06F21/60—Protecting data
    • G06F21/62—Protecting access to data via a platform, e.g. using keys or access control rules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H01S3/08009—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/137—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity for stabilising of frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2221/00—Indexing scheme relating to security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
    • G06F2221/21—Indexing scheme relating to G06F21/00 and subgroups addressing additional information or applications relating to security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
    • G06F2221/2141—Access rights, e.g. capability lists, access control lists, access tables, access matrices

Definitions

  • This disclosure relates to a laser device management system.
  • semiconductor exposure apparatuses are simply referred to as “exposure apparatuses”). For this reason, the wavelength of light output from the light source for exposure is being shortened.
  • a gas laser device is used instead of a conventional mercury lamp.
  • a gas laser apparatus for exposure a KrF excimer laser apparatus that outputs ultraviolet light with a wavelength of 248 nm and an ArF excimer laser apparatus that outputs ultraviolet light with a wavelength of about 193.4 nm are used.
  • the spectral line width in natural oscillation of KrF and ArF excimer laser devices is as wide as about 350 to 400 pm, the chromatic aberration of laser light (ultraviolet light) projected on the wafer by the projection lens on the exposure device side is generated, resulting in high resolution. descend. Therefore, it is necessary to narrow the spectral line width of the laser light output from the gas laser device until the chromatic aberration becomes negligible.
  • the spectral line width is also called the spectral width.
  • a narrow band module (Line Narrow) Module) having a narrow band element is provided in the laser resonator of the gas laser device, and the narrow band of the spectral width is realized by this narrow band module.
  • the band narrowing element may be an etalon, a grating, or the like.
  • Such a laser device having a narrowed spectral width is called a narrow-band laser device.
  • the laser apparatus management system includes: first information that is access-restricted so as to be accessible by the first access authority; and second that is access-restricted so as to be accessible by the second access authority.
  • a server configured to store information, and third information that is restricted to be accessible by both the first access authority and the second access authority, and an exposure apparatus that performs wafer exposure
  • a laser device including a laser output unit that outputs a pulsed laser beam toward the server, and a control unit that performs control to store the first information, the second information, and the third information in a server,
  • the information may include wafer exposure related information in the exposure apparatus and laser control related information in the laser apparatus, which are associated with each other.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration example of a laser device management system according to a comparative example.
  • FIG. 2 schematically shows an example of the output timing of the pulsed laser light output from the laser device by burst operation.
  • FIG. 3 schematically shows an outline of scan exposure.
  • FIG. 4 schematically shows a configuration example of the laser device management system according to the first embodiment.
  • FIG. 5 schematically illustrates an example of the relationship between the server data area and the access authority in the laser device management system according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a flowchart showing an example of a flow of data writing control to the second data area by the wafer data collection control unit in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 7 schematically shows a data example of the second information stored in the second data area of the server.
  • FIG. 8 is a flowchart illustrating an example of a flow of data writing control to the third data area by the laser control unit in the laser device management system according to the first embodiment.
  • FIG. 9 schematically shows a data example of the third information stored in the third data area of the server.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating an example of a flow of data writing control to the first data area by the laser control unit in the laser device management system according to the first embodiment.
  • FIG. 11 schematically shows a data example of the first information stored in the first data area of the server.
  • FIG. 12 schematically shows a configuration example of a part related to beam measurement in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 13 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to beam measurement of the beam measurement control unit in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is a sub flowchart showing details of the process in step S403 in the flowchart shown in FIG.
  • FIG. 15 schematically shows an example of a beam profile calculation method by the beam measurement control unit.
  • FIG. 16 is a sub flowchart showing details of the process in step S404 in the flowchart shown in FIG.
  • FIG. 17 schematically illustrates an example of a beam pointing calculation method by the beam measurement control unit.
  • FIG. 18 is a sub-flowchart showing details of the processing in step S405 in the flowchart shown in FIG. FIG.
  • FIG. 19 schematically shows an example of the peak intensity of the polarization component calculated by the beam measurement control unit.
  • FIG. 20 schematically shows a configuration example of a part related to energy control in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 21 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to energy control of the energy control unit in the laser device management system according to the first embodiment.
  • FIG. 22 schematically shows a configuration example of a part related to spectrum control in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 23 schematically shows an example of the configuration of the band narrowing module and the spectrum variable unit.
  • FIG. 24 schematically shows a configuration example of the narrowband module and the spectrum variable unit.
  • FIG. 25 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to wavelength control of the spectrum control unit in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 26 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to spectrum line width control of the spectrum control unit in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 27 schematically shows a configuration example of a part related to gas control in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 28 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to gas pressure control of the gas control unit in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 29 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to partial gas exchange control of the gas control unit in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 30 is a sub-flowchart showing details of the process in step S719 in the flowchart shown in FIG.
  • FIG. 31 schematically shows a configuration example of a part related to power consumption measurement in the laser device management system according to the first embodiment.
  • FIG. 32 schematically shows a configuration example of a portion related to measurement of the cooling water flow rate in the laser device management system according to the first embodiment.
  • FIG. 33 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to ecology measurement of the laser control unit in the laser device management system according to the first embodiment.
  • FIG. 34 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to error log acquisition of the laser control unit in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 35 schematically illustrates an example of the relationship between the server data area and the access authority in the laser device management system according to the modification of the first embodiment.
  • FIG. 36 is a sequence diagram relating to server settings in the laser apparatus management system according to the second embodiment.
  • FIG. 37 schematically shows an example of setting an information range in the data area of the server in the laser apparatus management system according to the second embodiment.
  • FIG. 38 schematically shows a configuration example of a monitor module in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 39 schematically shows an example of the spectral line width measured by the spectrum measuring instrument of the monitor module shown in FIG.
  • FIG. 40 schematically shows a configuration example of a pulse power module in the laser apparatus management system according to the first embodiment.
  • FIG. 41 shows an example of the hardware environment of the control unit.
  • Second Embodiment> (Laser device management system having a setting change function by a user) (FIGS. 36 to 37) 3.1 Configuration and Operation 3.2 Action / Effect ⁇ 4.
  • Third Embodiment> (Specific Examples of Each Part) 4.1 Specific examples of the monitor module (FIGS. 38 to 39) 4.1.1 Configuration 4.1.2 Operation 4.2 Specific example of pulse power module (FIG. 40) 4.2.1 Configuration 4.2.2 Operation ⁇ 5. Hardware environment of control unit> (FIG. 41) ⁇ 6. Other>
  • FIG. 1 schematically illustrates a configuration example of a laser device management system according to a comparative example with respect to the embodiment of the present disclosure.
  • the optical path axis direction of the laser light may be the Z direction.
  • the two directions substantially orthogonal to the Z direction may be the H direction and the V direction.
  • the H direction may be a direction substantially orthogonal to the paper surface of FIG.
  • the laser device management system may include a laser device 101, a first terminal 111, and a second terminal 112.
  • the second terminal 112 may be a terminal such as a PC (personal computer) operated by a user of the laser apparatus 101 and the exposure apparatus 4.
  • the first terminal 111 may be a terminal such as a PC operated by the laser manufacturer of the laser apparatus 101.
  • the laser apparatus 101 may include a laser output unit that outputs the pulsed laser light Lp toward the exposure apparatus 4.
  • the laser output unit may include a laser chamber 20 to which a laser gas is supplied, a narrow band module (LNM) 10 and an output coupling mirror 35 as an OC (out coupler).
  • LNM narrow band module
  • the exposure apparatus 4 may be an apparatus that performs wafer exposure.
  • Wafer exposure may include performing scan exposure.
  • the “scan exposure” may be a method of exposing the exposure area of the wafer while scanning the pulse laser beam Lp.
  • the laser apparatus 101 may be subjected to a burst operation in accordance with the wafer exposure in the exposure apparatus 4.
  • the “burst operation” may be an operation in which a burst period in which the pulse laser beam Lp narrowed in accordance with the scan exposure is continuously oscillated and an oscillation pause period in which the oscillation is stopped are alternately repeated.
  • FIG. 2 schematically shows an example of the output timing of the pulsed laser light Lp output from the laser device 101 by burst operation.
  • FIG. 3 schematically shows an outline of scan exposure.
  • one vertical line indicates one pulse of the pulse laser beam Lp.
  • the laser apparatus 101 may perform a burst operation for the first wafer exposure (Wafer # 1) after performing the adjustment oscillation first and leaving an interval of a predetermined period.
  • the adjustment oscillation may be to perform an oscillation to output the adjustment pulse laser beam Lp, although the wafer is not irradiated with the pulse laser beam Lp.
  • the pulse laser beam Lp may be output at a predetermined frequency of, for example, about several hundred to several kHz.
  • FIG. 1 the first wafer exposure
  • the adjustment oscillation may be to perform an oscillation to output the adjustment pulse laser beam Lp, although the wafer is not irradiated with the pulse laser beam Lp.
  • the pulse laser beam Lp may be output at a predetermined frequency of, for example, about several hundred to
  • the period where pulses are dense may be a burst period in which the pulse laser beam Lp is output continuously for a predetermined period.
  • the section where no pulse exists may be an oscillation pause period.
  • the length of each continuous output period of the pulse does not need to be constant, and for the adjustment, the continuous output operation may be performed by changing the length of each continuous output period.
  • a first wafer exposure (Wafer # 1) may be performed in the exposure apparatus 4 with a relatively large interval time.
  • the wafer exposure may be performed by dividing the wafer into a plurality of predetermined exposure areas and performing scanning exposure on each exposure area. That is, in the wafer exposure, the first predetermined exposure area of the wafer is exposed by the first scan exposure (Scan # 1), and then the second predetermined exposure area is exposed by the second scan exposure (Scan # 2).
  • the step of exposing with may be repeated.
  • a plurality of pulsed laser beams Lp (Pulse # 1, Pulse # 2,...) Can be continuously output from the laser apparatus 101.
  • the scan exposure (Scan # 1) of the first predetermined exposure region When the scan exposure (Scan # 1) of the first predetermined exposure region is completed, the scan exposure (Scan # 2) of the second predetermined exposure region may be performed at a predetermined interval.
  • the scan exposure is sequentially repeated, and after the scan exposure of the entire exposure area of the first wafer is completed, the adjustment oscillation is performed again, and then the wafer exposure (Wafer # 2) of the second wafer is performed. Also good.
  • the laser device management system may be a system that collects and manages various data in the laser device 101 when performing wafer exposure as described above.
  • the laser apparatus 101 may further include a laser control unit 2, a wafer data collection control unit 3, an energy control unit 6, a spectrum control unit 7, a beam measurement control unit 8, and a gas control unit 9. Good.
  • the laser device 101 may further include a monitor module (MM) 30, a beam measuring device (BPM) 40, a charger 90, a laser gas supply device 91, and a laser gas exhaust device 92.
  • the laser chamber 20 includes windows 21 and 22, a pair of discharge electrodes 23 and 24, an electrical insulating member 25, a cross flow fan (CFF) 26, a motor 27, and a pulse power module (PPM) 28. You may go out.
  • CFF cross flow fan
  • PPM pulse power module
  • the electrical insulating member 25 may be alumina ceramics, for example.
  • the pulse power module 28 includes a switch 29 and may be connected to the discharge electrode 23 via a feed fluid (not shown) of the electrical insulating member 25.
  • the discharge electrode 24 may be connected to the grounded laser chamber 20.
  • the narrowband module 10 and the output coupling mirror 35 may constitute an optical resonator.
  • the laser chamber 20 may be arranged so that the discharge region of the pair of discharge electrodes 23 and 24 is arranged on the optical path of the resonator.
  • the output coupling mirror 35 may be coated with a multilayer film that reflects part of the laser light generated in the laser chamber 20 and transmits part of it.
  • the band narrowing module 10 may include a grating 11, a prism 12, and a rotating stage 14 that rotates the prism 12.
  • the prism 12 may be arranged so that the beam of laser light output from the laser chamber 20 is expanded by the prism 12 and incident on the grating 11 at a predetermined angle.
  • the rotation stage 14 may be arranged so that the incident angle of the beam to the grating 11 changes when the prism 12 rotates.
  • the grating 11 may be Littrow arranged so that the incident angle of the beam and the diffraction angle are the same.
  • the charger 90 and the pulse power module 28 may be electrically connected to each other so as to charge a charging capacitor 612 having a capacity C0 of the pulse power module 28 shown in FIG.
  • the charger 90 may receive charging voltage data Dv indicating the charging voltage V from the energy control unit 6.
  • the light emission trigger signal Str may be input to the laser control unit 2 from the exposure device control unit 5 of the exposure device 4.
  • a light emission trigger signal Str may be input to the energy control unit 6 via the laser control unit 2.
  • the energy control unit 6 and the pulse power module 28 may be electrically connected so that the switch 29 is turned on / off in synchronization with the light emission trigger signal Str.
  • the monitor module 30 may include beam splitters 31 and 32, a pulse energy measuring device 33, and a spectrum measuring device 34.
  • the beam splitter 31 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light Lp output from the output coupling mirror 35.
  • the beam splitter 32 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light Lp reflected by the beam splitter 31.
  • the beam splitter 32 may be arranged so that the reflected light is incident on the pulse energy measuring device 33 and the transmitted light is incident on the spectrum measuring device 34.
  • the pulse energy measuring device 33 may include a condenser lens 331 and an optical sensor 332 as shown in FIG.
  • the optical sensor 332 may be a photodiode resistant to high-speed ultraviolet light.
  • the spectrum measuring instrument 34 may be a spectroscope including an etalon as shown in FIG.
  • the beam measuring instrument 40 may include a polarization measuring instrument 41, a beam pointing measuring instrument 42, a beam profile measuring instrument 43, and a beam splitter 44.
  • the beam splitter 44 may be disposed on the optical path of the pulse laser beam Lp output from the output coupling mirror 35.
  • the beam measurement control unit 8 may calculate the beam measurement related data Db based on the image data measured by the beam measuring instrument 40. Between the beam measurement control unit 8 and the laser control unit 2 and between the beam measurement control unit 8 and the laser control unit 2, the beam measurement related data Db is transferred to the laser control unit 2 and the wafer data collection control unit 3. A signal line for transmission may be provided.
  • a signal line for transmitting a stage angle control signal S ⁇ for controlling the rotation stage angle ⁇ of the rotation stage 14 to the rotation stage 14 is provided between the spectrum controller 7 and the rotation stage 14 of the band narrowing module 10. It may be done.
  • the rotation stage angle ⁇ of the rotation stage 14 may be controlled based on the wavelength ⁇ detected by the spectrum measuring instrument 34.
  • the spectrum control related data D ⁇ c based on the measurement result by the spectrum measuring device 34 is laser-controlled.
  • a signal line for transmitting to the unit 2 and the wafer data collection control unit 3 may be provided.
  • a signal line for transmitting charging voltage data Dv indicating the charging voltage V to the charger 90 may be provided.
  • the charging voltage V may be controlled based on the pulse energy E measured by the pulse energy measuring device 33.
  • the charging voltage V may be a voltage for charging a charging capacitor 610 shown in FIG.
  • energy control related data Deg based on the measurement result by the pulse energy measuring device 33 is transmitted to the laser control unit. 2 and a signal line for transmitting to the wafer data collection controller 3 may be provided.
  • a signal line for transmitting the gas control related data Dgs to the laser control unit 2 may be provided.
  • the laser gas supply device 91 may be configured to supply an Ar + Ne mixed gas and an Ar + Ne + F 2 mixed gas into the laser chamber 20 as the laser gas based on a control signal from the gas control unit 9.
  • Laser gas supply apparatus 91 includes a gas cylinder 93 for supplying Ar + Ne + F 2 gas mixture, it may be connected to a gas cylinder 94 for supplying Ar + Ne + F 2 gas mixture.
  • the laser gas supply device 91 may include a valve that controls the supply of the Ar + Ne mixed gas from the gas cylinder 93 and a valve that controls the supply of the Ar + Ne + F 2 mixed gas from the gas cylinder 94.
  • the laser gas exhaust device 92 may be configured to exhaust the laser gas in the laser chamber 20 by a control signal from the gas control unit 9.
  • the laser gas exhaust device 92 may include a valve that controls exhaust, an exhaust pump, and a halogen filter that traps F 2 gas in the exhaust gas.
  • the wafer data collection control unit 3 may include a storage unit 52.
  • the storage unit 52 may store per-wafer data Dwa, per-scan data Dsc, and per-pulse data Dpu.
  • the per-wafer data Dwa, the per-scan data Dsc, and the per-pulse data Dpu stored in the storage unit 52 may be referable from the second terminal 112.
  • the laser control unit 2 may include a storage unit 51.
  • the storage unit 51 may store various data Detc and various parameter Petc data. Various data Detc and various parameter Petc data stored in the storage unit 51 may be referred to from the first terminal 111.
  • a signal line for transmitting a gas control parameter Pgs for performing gas control to the gas control unit 9 may be provided.
  • a signal line for transmitting data of the target pulse energy Et for performing energy control to the energy control unit 6 may be provided. Further, a signal line for transmitting the light emission trigger signal Str to the energy control unit 6 may be provided between the laser control unit 2 and the energy control unit 6.
  • a signal line for transmitting data of the target wavelength ⁇ t for performing spectrum control to the spectrum controller 7 may be provided.
  • a signal line for transmitting the light emission trigger signal Str to the beam measuring instrument 40 may be provided between the laser control unit 2 and the beam measuring instrument 40.
  • a signal line for transmitting the rotational speed data D ⁇ for controlling the rotational speed ⁇ of the cross flow fan 26 to the motor 27 may be provided.
  • a signal line for transmitting various target data Dt to the laser control unit 2 may be provided between the exposure apparatus control unit 5 and the laser control unit 2.
  • the various target data Dt may include the target pulse energy Et and the target wavelength ⁇ t.
  • the laser control unit 2 may receive various target data Dt and the light emission trigger signal Str from the exposure apparatus control unit 5.
  • the laser control unit 2 may transmit data of the target pulse energy Et and the light emission trigger signal Str to the energy control unit 6.
  • the energy control unit 6 may transmit the charging voltage data Dv to the charger 90. Further, the energy control unit 6 may transmit an ON signal to the switch 29 of the pulse power module 28 in synchronization with the light emission trigger signal Str.
  • a high voltage is applied between the pair of discharge electrodes 23, 24, and the laser gas can break down in the discharge region between the pair of discharge electrodes 23, 24 to generate a discharge.
  • the laser gas is excited in the laser chamber 20, and laser oscillation may occur between the narrowband module 10 and the output coupling mirror 35 constituting the optical resonator. From the output coupling mirror 35, pulsed laser light Lp by laser oscillation can be output.
  • the pulse laser beam Lp output from the output coupling mirror 35 can be incident on the pulse energy measuring device 33 as a sample beam for detecting a part of the pulse energy E by the beam splitter 31 and the beam splitter 32.
  • the pulse energy measuring device 33 can detect the pulse energy E of the pulse laser beam Lp output from the output coupling mirror 35. The pulse energy measuring device 33 may transmit the detected pulse energy E data to the energy control unit 6.
  • the energy control unit 6 calculates the charging voltage V of the next pulse based on the difference ⁇ E between the pulse energy E and the target pulse energy Et, and transmits the charging voltage data Dv indicating the charging voltage V to the charger 90. May be. As a result, the pulse energy E of the pulse laser beam Lp output from the output coupling mirror 35 can approach the target pulse energy Et.
  • the energy control unit 6 may transmit energy control related data Deg to the laser control unit 2 and the wafer data collection control unit 3.
  • the energy control related data Deg may be data including the target pulse energy Et, the measured pulse energy E, and the charging voltage V, for example.
  • the laser control unit 2 may transmit data of the target wavelength ⁇ t and the light emission trigger signal Str to the spectrum control unit 7.
  • the spectrum control unit 7 may measure the wavelength ⁇ and the spectral line width ⁇ of the pulsed laser light Lp output from the output coupling mirror 35 by the spectrum measuring device 34 of the monitor module 30.
  • the spectrum control unit 7 Based on the difference ⁇ between the measured wavelength ⁇ and the target wavelength ⁇ t, the spectrum control unit 7 transmits a stage angle control signal S ⁇ to the rotary stage 14 of the band narrowing module 10 so that ⁇ approaches 0. Also good.
  • the rotation stage angle ⁇ of the rotation stage 14 can be controlled by the stage angle control signal S ⁇ .
  • the wavelength ⁇ of the pulsed laser light Lp output from the output coupling mirror 35 can approach the target wavelength ⁇ t.
  • the spectrum control unit 7 may transmit the spectrum control related data D ⁇ c to the laser control unit 2 and the wafer data collection control unit 3.
  • the spectrum control related data D ⁇ c may be data including the target wavelength ⁇ t, the measured wavelength ⁇ , and the spectrum line width ⁇ , for example.
  • the beam measurement control unit 8 may calculate image data related to the beam measurement by analyzing image data measured in each of the beam profile measuring instrument 43, the beam pointing measuring instrument 42, and the polarization measuring instrument 41. .
  • the beam measurement control unit 8 Based on the image data measured by the beam profile measuring unit 43, the beam measurement control unit 8 performs, for example, beam widths (Bwh, Bwv) and beam positions (Bch) as beam profiles in the H direction and the V direction, respectively. , Bcv).
  • the beam measurement control unit 8 also, for example, each beam divergence (Bdh, Bdv) in the H direction and V direction and beam pointing (Bph, Bpv) based on the image data measured by the beam pointing measuring instrument 42. ) May be calculated. Further, the beam measurement control unit 8 may calculate, for example, the polarization degree P based on the image data measured by the polarization measuring instrument 41.
  • the beam measurement control unit 8 may transmit these calculation data to the laser control unit 2 and the wafer data collection control unit 3 as beam measurement related data Db.
  • the gas control unit 9 may perform gas pressure control and partial gas exchange control as gas control.
  • the laser control unit 2 may transmit the gas control parameter Pgs to the gas control unit 9.
  • the gas control parameter Pgs may include a parameter for gas pressure control and a parameter for partial gas exchange control.
  • the gas control parameter Pgs for gas pressure control may include, for example, a charging voltage V, a maximum charging voltage Vmax, a minimum charging voltage Vmin, and a gas pressure variable amount ⁇ P.
  • the gas control parameter Pgs for partial gas exchange control may include, for example, a partial gas exchange period Tpg, an Ar + Ne mixed gas injection coefficient Kpg, and an Ar + Ne + F2 mixed gas injection coefficient Khg.
  • the gas pressure control by the gas control unit 9 may be a gas control method using the following properties.
  • the dielectric breakdown voltage increases, and the pulse energy E of the pulsed laser light Lp output from the output coupling mirror 35 can increase.
  • the dielectric breakdown voltage is lowered, and the pulse energy E of the pulsed laser light Lp output from the output coupling mirror 35 can be lowered.
  • the gas control unit 9 may measure the gas pressure P in the laser chamber 20 with a pressure sensor. The gas control unit 9 may transmit data on the gas pressure P to the laser control unit 2.
  • the gas control unit 9 controls the laser gas supply device 91 so that the gas pressure P is increased by the gas pressure variable amount ⁇ P in the laser chamber 20. Ar + Ne mixed gas may be injected. Conversely, the gas control unit 9 controls the laser gas exhaust device 92 when the charging voltage V becomes equal to or lower than the minimum charging voltage Vmin, so that the gas pressure P decreases by the gas pressure variable amount ⁇ P. The gas in 20 may be exhausted.
  • the partial gas exchange control by the gas control unit 9 is performed by, for example, injecting a predetermined amount of Ar + Ne mixed gas and Ar + Ne + F 2 mixed gas into the laser chamber 20 at a constant cycle, and then in the laser chamber 20 by the amount of the injected gas. Control for exhausting gas may also be used. By performing the partial gas exchange control, the decrease in the F 2 gas due to the discharge can be supplemented into the laser chamber 20.
  • the laser control unit 2 may store the various data Detc and the data of the various parameters Petc in the storage unit 51 regularly, for example, at a constant time period or for every fixed number of shots.
  • the various data Detc may include, for example, at least one of energy control related data Deg, spectrum control related data D ⁇ c, gas control related data Dgs, and beam measurement related data Db.
  • the various parameters Petc may include at least one of various control parameters.
  • the laser manufacturer may directly refer to the storage unit 51 of the laser control unit 2 from the first terminal 111 and take out the various data Detc and the data of the various parameters Petc. Of these data, data that may be disclosed to the user may be disclosed to the user.
  • the wafer data collection control unit 3 receives the light emission trigger signal Str of the exposure pattern as shown in FIG. 2 and measures the trigger time interval so as to recognize the wafer exposure related information in the exposure apparatus 4. Good.
  • the wafer exposure related information may include a wafer number #w as wafer identification information, a scan number #s as scan identification information, and a pulse number #p as pulse identification information.
  • the wafer data collection control unit 3 may perform calculation processing that associates the above-described various data Detc and the various parameter Petc data with the above-described wafer exposure related information, and may store the data in the storage unit 52.
  • the data stored in the storage unit 52 may be referred to from the second terminal 112 by the user as the data for each wafer Dwa, the data for each scan Dsc, and the data for each pulse Dpu.
  • FIG. 4 schematically illustrates a configuration example of the laser device management system according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the laser device management system may include the laser device 1, the first terminal 111, the second terminal 112, and the server 110.
  • the server 110 may be connected to each of the laser device 1, the first terminal 111, and the second terminal 112 via a network such as a LAN (Local Area Network) or a WAN (Wide Area Network). Alternatively, the server 110 may be installed in the laser device 1. The server 110 may be installed in a semiconductor factory.
  • a network such as a LAN (Local Area Network) or a WAN (Wide Area Network).
  • the server 110 may be installed in the laser device 1.
  • the server 110 may be installed in a semiconductor factory.
  • the laser device 1 may be different from the laser device 101 according to the comparative example in the following points.
  • a signal line may be provided between the storage unit 51 of the laser control unit 2 and the server 110 for transmitting and storing various data Detc and various parameters Petc stored in the storage unit 51 to the server 110. Good.
  • the wafer-by-wafer data Dwa, the scan-by-scan data Dsc, the pulse-by-pulse data Dpu, and the like stored in the storage unit 52 are transmitted to the server 110 and stored.
  • a signal line may be provided.
  • the wafer-by-wafer data Dwa, the scan-by-scan data Dsc, and the pulse-by-pulse data Dpu may include wafer exposure related information in the exposure apparatus 4 and laser control related information in the laser apparatus 1 that are associated with each other.
  • the wafer exposure related information may include a wafer number #w as wafer identification information, a scan number #s as scan identification information, and a pulse number #p as pulse identification information.
  • the laser control related data associated with the wafer exposure related information includes at least various control related data such as energy control related data Deg, spectrum control related data D ⁇ c, gas control related data Dgs, and beam measurement related data Db. One may be included.
  • the storage unit 52 may temporarily store the wafer data Dwa, the scan data Dsc, and the pulse data Dpu.
  • the wafer-by-wafer data Dwa may be data in units of wafers when performing wafer exposure.
  • the scan-by-scan data Dsc may be data in scan units when performing scan exposure.
  • the pulse-by-pulse data Dpu may be data of each pulse laser beam unit when performing scan exposure.
  • the data storage period in the storage unit 52 may be a predetermined default period. Further, the data storage period in the storage unit 52 may be set and changed from the second terminal 112 via the server 110.
  • a signal line for transmitting a setting signal such as setting of a data storage period in the storage unit 52 to the wafer data collection control unit 3 may be provided.
  • a signal for transmitting wafer exposure related information data including wafer number #w, scan number #s, and pulse number #p to laser control unit 2 A line may be provided.
  • a signal line may be provided between the laser control unit 2 and the wafer data collection control unit 3 so that the wafer data collection control unit 3 receives wafer exposure related information via the laser control unit 2.
  • a signal line for transmitting the gas control related data Dgs to the wafer data collection control unit 3 may be provided.
  • the spectrum variable unit 60 may be disposed on the optical path between the laser chamber 20 and the output coupling mirror 35.
  • the spectrum variable unit 60 may include a cylindrical concave lens 61, a cylindrical convex lens 62, and a linear stage 63.
  • the cylindrical concave lens 61 and the cylindrical convex lens 62 may be disposed on the optical path between the laser chamber 20 and the output coupling mirror 35.
  • the lens interval Dx between the cylindrical concave lens 61 and the cylindrical convex lens 62 may be changeable by the linear stage 63.
  • a signal line for transmitting a stage position control signal Sx for controlling the stage position X of the linear stage 63 to the linear stage 63 may be provided between the spectrum control unit 7 and the linear stage 63.
  • a signal line for transmitting data of the target wavelength ⁇ t and the target spectral line width ⁇ t for performing spectrum control to the spectrum control unit 7 may be provided.
  • FIG. 5 schematically shows an example of the relationship between the data area of the server 110 and the access authority.
  • the server 110 may store various log data related to wafer exposure and laser control.
  • the log data may include first information, second information, and third information that are restricted in access so that they can be referred to by different access authorities.
  • the server 110 includes a first data area 110A for storing first information, a second data area 110B for storing second information, and a third data area 110C for storing third information. It may be provided.
  • the access to the first data area 110A may be restricted so that it can be accessed only by the first access authority.
  • the first access authority may be the authority of the laser manufacturer that uses the first terminal 111. Thus, only the laser manufacturer having the first access authority may be able to refer to the first information.
  • the laser control unit 2 may perform control to store the first information in the first data area 110A.
  • the first information may include data of various control parameters related to the control of the laser apparatus 1.
  • the first information includes at least one data of various control parameters such as an energy control parameter Peg, a spectrum control parameter P ⁇ c, and a gas control parameter Pgs associated with the shot number. May be included.
  • the first information may include data of the ecology related parameter Pec associated with the shot number.
  • the first information may include data such as a shot number of the pulse laser beam Lp, total shot number data, beam measurement control parameters, and the like.
  • the access to the second data area 110B may be restricted so that it can be accessed only by the second access authority.
  • the second access authority may be an authority of a user who uses the second terminal 112. Thereby, only a user having the second access authority may be able to refer to the second information.
  • the wafer data collection control unit 3 may perform control to store the second information in the second data area 110B.
  • the second information may include wafer exposure related information and laser control related information associated with each other.
  • the wafer exposure related information may include, for example, the wafer number #w, the scan number #s, and the pulse number #p.
  • the laser control related information data associated with the wafer exposure related information includes, for example, energy control related data Deg, spectrum control related data D ⁇ c, gas control related data Dgs, and beam measurement related data Db. It may include at least one control related data.
  • the access to the third data area 110C may be restricted so that it can be accessed by both the first access authority and the second access authority. Thereby, both the laser manufacturer having the first access authority and the user having the second access authority may be able to refer to the third information.
  • the laser control unit 2 may perform control to store the third information in the third data area 110C.
  • the third information may include log data related to the laser device 1.
  • the third information may include the shot number of the pulsed laser light Lp and the laser control related information, which are associated with each other, as log data.
  • the third information includes energy control related data Deg, spectrum control related data D ⁇ c, gas control related data Dgs, beam measurement related data Db, etc. associated with shot numbers.
  • the third information may include ecology related data Dec associated with the shot number.
  • the third information may include data on the shot number of the pulse laser beam Lp and the total number of shots. Further, the third information may include error log data as shown in FIG. 34 described later.
  • the wafer data collection control unit 3 may receive the various control related data described above in synchronization with the wafer exposure related information such as the wafer number #w and the scan number #s transmitted from the exposure apparatus control unit 5. .
  • the wafer data collection control unit 3 associates the received wafer exposure related information and various control related data with each other, and temporarily stores them in the storage unit 52 as data for each wafer Dwa, data for each scan Dsc, and data for each pulse Dpu. May be saved.
  • the wafer data collection control unit 3 writes the temporarily stored wafer data Dwa, scan data Dsc, and pulse data Dpu as second information in the second data area 110B of the server 110 that can be referred to only by the user. But you can.
  • the laser control unit 2 periodically transmits energy control related data Deg, spectrum control related data D ⁇ c, gas control related data Dgs, beam measurement related data Db, ecology related data Dec, and error log, for example, You may preserve
  • the laser control unit 2 can refer to those data stored in the storage unit 51 as third information periodically, for example, for every fixed time period or every fixed number of shots, by both the user and the laser manufacturer.
  • the data may be written to the third data area 110C of the server 110.
  • the laser control unit 2 periodically, for example, constant time period or constant data of the beam measurement control parameter, the energy control parameter Peg, the spectrum control parameter P ⁇ c, the gas control parameter Pgs, and the ecology related parameter Pec. You may preserve
  • the laser control unit 2 is a server that can be referred to only by the laser manufacturer as the first information on the parameter data stored in the storage unit 51 as the first information periodically, for example, for every fixed time period or every fixed number of shots. 110 may be written in the first data area 110A.
  • the laser control unit 2 may transmit data of the target spectral line width ⁇ t and the light emission trigger signal Str to the spectrum control unit 7.
  • the spectrum control unit 7 may measure the spectrum line width ⁇ of the pulsed laser light Lp output from the output coupling mirror 35 by the spectrum measuring device 34 of the monitor module 30.
  • the spectrum control unit 7 Based on the difference ⁇ between the measured spectral line width ⁇ and the target spectral line width ⁇ t, the spectrum control unit 7 sends the stage position control signal Sx to the linear stage 63 of the spectrum variable unit 60 so that ⁇ approaches zero. You may send it.
  • the stage position X of the linear stage 63 can be controlled by the stage position control signal Sx.
  • the spectral line width ⁇ of the pulsed laser light Lp output from the output coupling mirror 35 can approach the target spectral line width ⁇ t.
  • the spectrum control unit 7 may transmit the spectrum control related data D ⁇ c including the target spectrum line width ⁇ t and the measured spectrum line width ⁇ to the laser control unit 2 and the wafer data collection control unit 3. Good.
  • the gas control unit 9 may transmit the gas control related data Dgs to both the wafer data collection control unit 3 and the laser control unit 2.
  • the gas control unit 9 may transmit data on the gas pressure P of the laser chamber 20 to the wafer data collection control unit 3 as the gas control related data Dgs.
  • FIG. 6 is a flowchart showing an example of a flow of control of writing data to the second data area 110B by the wafer data collection controller 3.
  • the wafer data collection control unit 3 may detect the head of the burst period for each wafer exposure as shown in FIG.
  • the start of the burst period may be detected by determining whether or not the start of the scan has been detected (step S101).
  • the wafer data collection control unit 3 may detect the head of the scan by receiving the first scan number (Scan # 1) from the exposure apparatus control unit 5 via the laser control unit 2.
  • the wafer data collection control unit 3 detects the head of the burst period by measuring the oscillation pause period and detecting the leading pulse after the oscillation pause period of a predetermined period or longer, for example, 0.1 s or longer. Good.
  • step S101 If the wafer data collection control unit 3 determines that the head of the scan has not been detected (step S101; N), the process of step S101 may be repeated.
  • the wafer data collection controller 3 next receives the wafer number # received from the exposure apparatus controller 5 via the laser controller 2. Reading of w, scan number #s, and pulse number #p may be performed (step S102).
  • the wafer data collection control unit 3 may perform at least one of the processes in steps S103 to S106.
  • the wafer data collection control unit 3 may collect and analyze the beam measurement related data Db as the process of step S103.
  • the wafer data collection control unit 3 may collect and analyze energy control related data Deg as the process of step S104.
  • the wafer data collection controller 3 may collect and analyze the spectrum control related data D ⁇ c as the process of step S105.
  • the wafer data collection control unit 3 may collect and analyze the gas control related data Dgs as the process of step S106.
  • the wafer data collection control unit 3 may detect the end of the burst period.
  • the end of the burst period may be detected by determining whether the end of the scan is detected (step S107). For example, the wafer data collection control unit 3 may detect the end of scanning when a valid scan number is not transmitted from the exposure apparatus control unit 5. Further, the wafer data collection control unit 3 may detect the end of the burst period by measuring the oscillation pause period and detecting an oscillation pause period of a predetermined period or longer, for example, 0.1 s or longer.
  • step S107 If the wafer data collection control unit 3 determines that the end of scanning has not been detected (step S107; N), the process of step S107 may be repeated.
  • the wafer data collection control unit 3 uses the second data area of the server 110 where only the user can refer to the collected and analyzed data. 110B may be written (step S108).
  • the data collected and analyzed by the wafer data collection control unit 3 may include a wafer number #w, a scan number #s, and a pulse number #p.
  • the data collected and analyzed by the wafer data collection control unit 3 may include beam measurement-related data Db, energy control-related data Deg, spectrum control-related data D ⁇ c, and gas control-related data Dgs for each pulse.
  • FIG. 7 shows an example of data written in the second data area 110B of the server 110.
  • the wafer data collection control unit 3 may determine whether or not to stop collecting data (step S109). If the wafer data collection control unit 3 determines not to stop collecting data (step S109; N), the process may return to step S101. On the other hand, if it is determined that the data collection is to be stopped (step S109; Y), the wafer data collection control unit 3 may end the data collection process.
  • FIG. 8 is a flowchart showing an example of a flow of control of writing data into the third data area 110C by the laser control unit 2.
  • the laser controller 2 may set the initial value of the counter value N of the number of pulses to 0 (step S201). Next, the laser controller 2 may determine whether laser oscillation has occurred (step S202). For example, the laser control unit 2 may determine whether laser oscillation has occurred based on the light emission trigger signal Str from the exposure control device 5.
  • step S202 determines that laser oscillation is not occurring (step S202; N)
  • the process of step S202 may be repeated.
  • the laser controller 2 may next set the counter value N of the number of pulses to N + 1 (step S203).
  • the laser controller 2 may determine whether the counter value N of the number of pulses has reached a predetermined number of shots Ni (step S204).
  • the predetermined shot number Ni may be, for example, 1000000 or 6000000 as the value of the number of pulses.
  • the laser control unit 2 may return to the process of step S202.
  • the laser control unit 2 may then perform at least one of the processes of steps S205 to S209.
  • Laser control unit 2 may collect and analyze ecology related data Dec as the process of step S205.
  • the laser control unit 2 may collect and analyze the beam measurement related data Db as the process of step S206.
  • the laser control unit 2 may collect and analyze energy control related data Deg as the process of step S207.
  • the laser control unit 2 may collect and analyze spectrum control related data D ⁇ c as the process of step S208.
  • the laser control unit 2 may collect and analyze the gas control related data Dgs as the process of step S209.
  • the laser control unit 2 may read data of the total number of shots (step S210).
  • the total number of shots may be the total number of shots after the laser apparatus 1 is installed.
  • the laser device 1 may include a counter for counting the total number of shots.
  • the laser control unit 2 may write the collected and analyzed data in the third data area 110C of the server 110 that can be referred to by both the user and the laser manufacturer (step S211).
  • the data collected and analyzed by the laser control unit 2 may include data on the total number of shots.
  • the data collected and analyzed by the laser control unit 2 may include a shot number of the pulsed laser light Lp and laser control related information that are associated with each other.
  • beam measurement related data Db, energy control related data Deg, spectrum control related data D ⁇ c, and gas control related data Dgs may be included for each shot.
  • FIG. 9 shows an example of data written in the third data area 110C of the server 110. As can be seen from comparison with the data example in FIG. 7, the data written in the third data area 110C does not have to include wafer exposure related information such as the wafer number #w and the scan number #s.
  • the laser control unit 2 may determine whether or not to stop collecting data (step S212). When it is determined that the data collection is not stopped (step S212; N), the laser control unit 2 may return to the process of step S101. On the other hand, if it is determined that the data collection is to be stopped (step S212; Y), the laser control unit 2 may end the data collection process.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating an example of a flow of control of writing data to the first data area 110A by the laser control unit 2.
  • the laser controller 2 may set the initial value of the counter value N of the number of pulses to 0 (step S301). Next, the laser controller 2 may determine whether laser oscillation has occurred (step S302). For example, the laser control unit 2 may determine whether laser oscillation has occurred based on the light emission trigger signal Str from the exposure control device 5.
  • step S302 When the laser controller 2 determines that laser oscillation is not occurring (step S302; N), the process of step S302 may be repeated.
  • the laser control unit 2 may next set the counter value N of the number of pulses to N + 1 (step S303).
  • the laser control unit 2 may determine whether or not the pulse number counter value N has reached a predetermined shot number Ni (step S304).
  • the predetermined shot number Ni may be, for example, 1000000 or 6000000 as the value of the number of pulses. If the laser control unit 2 determines that the predetermined number of shots Ni has not been reached (step S304; N), the process may return to step S302.
  • the laser control unit 2 may next read data of the total number of shots (step S305).
  • the total number of shots may be the total number of shots after the laser apparatus 1 is installed.
  • the laser device 1 may include a counter for counting the total number of shots.
  • the laser control unit 2 may write the total shot number data and various parameters in the first data area 110A of the server 110 that can be referred to only by the laser manufacturer (step S306).
  • Various parameters written in the first data area 110A include, for example, a beam measurement control parameter, an energy control parameter Peg, a spectrum control parameter P ⁇ c, a gas control parameter Pgs, and an ecology related parameter Pec for each shot. Also good.
  • FIG. 11 shows an example of data written in the first data area 110 ⁇ / b> A of the server 110.
  • the laser control unit 2 may determine whether or not to stop data collection (step S307). When it is determined that the data collection is not stopped (step S307; N), the laser control unit 2 may return to the process of step S301. On the other hand, when it is determined that the data collection is to be stopped (step S307; Y), the laser control unit 2 may end the data collection process.
  • the second data area 110B that can be referred to only by the user is provided in the server 110 arranged in the laser device 1 or in the semiconductor factory.
  • Data related to wafer number #w, scan number #s, etc. can be written in data area 110B.
  • the wafer exposure related information such as the wafer number #w and the scan number #s can be acquired from the exposure apparatus controller 5 without the wafer data collection controller 3 analyzing the pattern of the light emission trigger signal Str. For this reason, even if there is an adjustment oscillation, the possibility of erroneously recognizing the scan number #s or the like may be lower than when the pattern of the light emission trigger signal Str is analyzed to recognize the scan number #s or the like.
  • the server 110 is provided with a third data area 110C that can be referred to by both the user and the laser manufacturer, and the third data area 110C can be used in various ways without being associated with the wafer number #w, the scan number #s, or the like. Since control-related data and the like are written, data required by both the user and the laser manufacturer can be easily acquired.
  • the server 110 is provided with a first data area 110A that can be referred to only by the laser manufacturer, and data such as various parameters is not associated with the wafer number #w, the scan number #s, etc. in the first data area 110A. Since only the data required by the laser manufacturer can be easily acquired.
  • FIG. 12 schematically shows a configuration example of a part related to beam measurement in the laser device management system.
  • the beam measuring instrument 40 may include a polarization measuring instrument 41, a beam pointing measuring instrument 42, a beam profile measuring instrument 43, and a beam sample unit 45.
  • the beam sample unit 45 may include a beam splitter 44.
  • the beam splitter 44 may be coated with a multilayer film so that the reflectances of P-polarized light and S-polarized light substantially coincide.
  • the beam profile measuring instrument 43 may include an image sensor 431, a beam splitter 432, and a transfer optical system 433.
  • the beam splitter 432 may be coated with a multilayer film so that the reflectances of P-polarized light and S-polarized light substantially match.
  • the transfer optical system 433 may be a combined lens having a magnification M.
  • the light receiving surface of the image sensor 431 may be disposed at a position where the beam is transferred M times.
  • the beam pointing measuring instrument 42 may include an image sensor 421, a beam splitter 422, and a condensing optical system 423.
  • the beam splitter 422 may be coated with a multilayer film so that the reflectances of the P-polarized light and the S-polarized light substantially coincide.
  • the condensing optical system 423 may be a convex lens having a focal length f.
  • the light receiving surface of the image sensor 421 may be disposed on the focal plane of the condensing optical system 423.
  • the polarization measuring instrument 41 may include an image sensor 411, a high reflection mirror 412, a condensing optical system 413, and a lotion prism 414.
  • the high reflection mirror 412 may be coated with a multilayer film so that the reflectances of the P-polarized light and the S-polarized light are substantially the same.
  • the lotion prism 414 is a prism including MgF 2 crystal, and may be disposed on the optical path between the high reflection mirror 412 and the condensing optical system 413.
  • the condensing optical system 413 may be a convex lens having a focal length f.
  • the light receiving surface of the image sensor 411 may be disposed on the focal plane of the condensing optical system 413.
  • the beam measurement control unit 8 may receive the light emission trigger signal Str from the exposure apparatus control unit 5 via the laser control unit 2. Based on the light emission trigger signal Str, the shutter signal Sht may be transmitted to the image sensors 411, 421, 431, and the image data from the image sensors 411, 421, 431 may be received.
  • the beam measurement control unit 8 may calculate the beam profile based on the image data of the image sensor 431 in the beam profile measuring instrument 43 and the magnification M of the transfer optical system 433. For example, the beam measurement control unit 8 may calculate the beam width (Bwh, Bwv) and the beam position (Bch, Bcv) as the respective beam profiles in the H direction and the V direction.
  • the beam measurement control unit 8 also, for example, each beam divergence (Bdh) in the H direction and the V direction based on the image data of the image sensor 421 in the beam pointing measuring instrument 42 and the focal length f of the condensing optical system 423. , Bdv) and beam pointing (Bph, Bpv).
  • the beam measurement control unit 8 may calculate, for example, the polarization degree P based on the image data of the image sensor 411 in the polarization measuring instrument 41.
  • the beam measurement control unit 8 may transmit these calculation data to the laser control unit 2 and the wafer data collection control unit 3 as beam measurement related data Db.
  • FIG. 13 is a flowchart showing an example of a flow of control related to beam measurement of the beam measurement control unit 8.
  • the beam measurement control unit 8 may determine whether or not the head of the burst period for each wafer exposure as shown in FIG. 2 has been detected (step S401). If the beam measurement control unit 8 determines that the head of the burst period has not been detected (step S401; N), the process of step S401 may be repeated.
  • the beam measurement control unit 8 next receives the image data from the image sensors 411, 421, and 431 in the beam measuring instrument 40. You may acquire and memorize
  • the beam measurement control unit 8 may perform reading of image data from the image sensor 431 of the beam profile measuring instrument 43 and calculation and output of the beam profile data (step S403).
  • the beam measurement control unit 8 may perform reading of image data from the image sensor 421 of the beam pointing measuring instrument 42 and calculation and output of the beam pointing data (step S404).
  • the beam measurement control unit 8 may perform reading of image data from the image sensor 411 of the polarization measuring instrument 41 and calculation and output of polarization data (step S405).
  • the beam measurement control unit 8 may determine whether or not the end of the burst period is detected (step S406). When it is determined that the end of the burst period has not been detected (step S406; N), the beam measurement control unit 8 may return to the process of step S402.
  • the beam measurement control unit 8 may next determine whether or not to stop the beam measurement (step S407). .
  • the beam measurement control unit 8 may return to the process of step S401.
  • the beam measurement control unit 8 may end the beam measurement process.
  • FIG. 14 is a sub-flowchart showing details of the process in step S403 in the flowchart shown in FIG.
  • the beam measurement control unit 8 may read each pixel data in the image data of the image sensor 431 of the beam profile measuring instrument 43 from a storage unit (not shown) (step S411). Next, based on each pixel data, the beam measurement control unit 8 uses, as beam profile data, a beam width Bwh in the H direction, a beam width Bwv in the V direction, a beam position Bch in the H direction, and a beam in the V direction. The position Bcv may be calculated (step S412).
  • the beam measurement control unit 8 may transmit the calculated beam profile data to the laser control unit 2 and the wafer data collection control unit 3 (step S413). Thereafter, the process of step S404 in FIG. 13 may be performed.
  • FIG. 15 schematically shows an example of a beam profile calculation method by the beam measurement control unit 8.
  • FIG. 15 schematically shows image data acquired by the image sensor 431.
  • the beam measurement control unit 8 may obtain the center position (Bch, Bcv) of the beam profile from the position of the center of gravity of the image data. Further, the beam measurement control unit 8 may calculate the beam width (Bwh, Bwv) as a width of a region where the light intensity is a fixed ratio with respect to the peak value, for example, 5% to 10%.
  • FIG. 16 is a sub-flowchart showing details of the process in step S404 in the flowchart shown in FIG.
  • the beam measurement control unit 8 may read each pixel data in the image data of the image sensor 421 of the beam pointing measuring instrument 42 from a storage unit (not shown) (step S421). Next, the beam measurement control unit 8 calculates the condensing width Wh in the H direction, the condensing width Wv in the V direction, the condensing position Pph in the H direction, and the condensing position Ppv in the V direction. Good (step S422).
  • the condensing width and the condensing position may be the condensing width and condensing position of the beam by the condensing optical system 423 of the beam pointing measuring instrument 42.
  • the beam measurement control unit 8 may transmit the calculated beam pointing data to the laser control unit 2 and the wafer data collection control unit 3 (step S424). Then, you may perform the process of FIG.13 S405.
  • FIG. 17 schematically shows an example of a beam pointing calculation method by the beam measurement control unit 8.
  • FIG. 17 schematically shows image data acquired by the image sensor 421.
  • the beam measurement control unit 8 may calculate the pointing (Bph, Bpv) in the H direction and the V direction by calculating the position of the center of gravity of the beam based on the image data acquired by the image sensor 421. Further, the beam measurement control unit 8 calculates the beam divergence (Bdh, Bdv) in the H direction and the V direction as a width of a region where the light intensity is a constant ratio with respect to the peak value, for example, 1 / e 2. May be. Further, the beam measurement control unit 8 may calculate the beam divergence (Bdh, Bdv) as a width of a region where the light intensity is a fixed ratio with respect to the peak value, for example, 5% to 10%.
  • FIG. 18 is a sub-flowchart showing details of the processing in step S405 in the flowchart shown in FIG.
  • the beam measurement control unit 8 may read each pixel data in the image data of the image sensor 411 of the polarization measuring instrument 41 from a storage unit (not shown) (step S431). Next, the beam measurement control unit 8 may calculate the peak intensity Pv of the polarization component in the V direction and the peak intensity Ph of the polarization component in the H direction (step S432).
  • the beam measurement control unit 8 may calculate the polarization degree P as follows (step S433).
  • P (Ph ⁇ Pv) / (Ph + Pv)
  • the beam measurement control unit 8 may transmit polarization data indicating the calculated degree of polarization P to the laser control unit 2 and the wafer data collection control unit 3 (step S434). Thereafter, the process of step S406 in FIG. 13 may be performed.
  • FIG. 19 schematically shows an example of the peak intensities Pv and Ph of the polarization component.
  • FIG. 19 schematically shows image data acquired by the image sensor 411.
  • the values obtained by integrating the light intensity in the polarization component in the V direction and the values obtained by integrating the light intensity in the polarization component in the H direction may be obtained as the peak intensities Pv and Ph.
  • FIG. 20 schematically shows a configuration example of a part related to energy control in the laser device management system.
  • FIG. 21 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to energy control of the energy control unit 6.
  • the energy control unit 6 may set and read the energy control parameter Peg (step S501).
  • the energy control unit 6 may read the target pulse energy Et from the exposure apparatus control unit 5 via the laser control unit 2 (step S502).
  • the energy control unit 6 may determine whether laser oscillation has occurred (step S503). For example, the energy control unit 6 may determine whether or not laser oscillation has occurred based on the light emission trigger signal Str from the exposure control device 5. Alternatively, the energy control unit 6 may determine whether laser oscillation has occurred based on the pulse energy E detected by the pulse energy measuring device 33, for example.
  • step S503 When the energy control unit 6 determines that laser oscillation is not occurring (step S503; N), the process of step S503 may be repeated.
  • the energy control unit 6 may then measure the pulse energy E by the pulse energy measuring device 33 (step S504).
  • the energy control unit 6 may transmit data of the measured pulse energy E and the charging voltage V to the wafer data collection control unit 3 and the laser control unit 2 (step S505).
  • the energy control unit 6 may calculate the next charging voltage V based on ⁇ E as in the following equation (step S507).
  • the pulse energy coefficient Vk may be a proportional coefficient that converts ⁇ E into a change amount of the charging voltage V.
  • V V + Vk ⁇ ⁇ E
  • the energy control unit 6 may set the charging voltage V in the charger 90 by transmitting the charging voltage data Dv indicating the calculated charging voltage V to the charger 90 (step S508).
  • the energy control unit 6 may determine whether or not to change the target pulse energy Et (step S509). If the energy control unit 6 determines to change the target pulse energy Et (step S509; Y), the energy control unit 6 may return to the process of step S502.
  • the energy control unit 6 may next determine whether or not to end the energy control (step S510).
  • step S510; N When it is determined that the energy control is not finished (step S510; N), the energy control unit 6 may return to the process of step S503. On the other hand, when it is determined that the energy control is to be ended (step S510; Y), the energy control unit 6 may end the energy control process.
  • FIG. 22 schematically shows a configuration example of a part related to spectrum control in the laser device management system.
  • FIG. 23 and FIG. 24 schematically show a configuration example of the band narrowing module 10 and the spectrum variable unit 60. 23 shows a configuration example viewed from the V direction, and FIG. 24 shows a configuration example viewed from the H direction.
  • the cylindrical concave lens 61 of the spectrum variable unit 60 may be a cylindrical plano-concave lens.
  • the cylindrical convex lens 62 may be a cylindrical plano-convex lens.
  • a partial reflection film (PR film) 64 may be provided on the lens surface of the cylindrical convex lens 62 on the output coupling mirror 35 side.
  • the cylindrical concave lens 61 may be held by a holder 66.
  • the cylindrical convex lens 62 may be held by a holder 65.
  • the linear stage 63 may be attached to the cylindrical concave lens 61 via the holder 66.
  • FIG. 25 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to wavelength control of the spectrum control unit 7.
  • the spectrum control unit 7 may set and read the spectrum control parameter P ⁇ c for wavelength control (step S601).
  • the spectrum control unit 7 may read the target wavelength ⁇ t from the exposure apparatus control unit 5 via the laser control unit 2 (step S602).
  • the spectrum control unit 7 may determine whether laser oscillation has occurred (step S603). When the spectrum control unit 7 determines that laser oscillation is not occurring (step S603; N), the process of step S603 may be repeated.
  • the spectrum control unit 7 may then measure the wavelength ⁇ using the spectrum measuring instrument 34 (step S604).
  • the spectrum control unit 7 may transmit data of the measured wavelength ⁇ to the wafer data collection control unit 3 and the laser control unit 2 (step S605).
  • the spectrum control unit 7 may calculate the next rotation stage angle ⁇ based on ⁇ as in the following equation (step S607).
  • the wavelength coefficient ⁇ k may be a proportional coefficient that converts ⁇ into a change amount of the rotation stage angle ⁇ .
  • ⁇ ⁇ + ⁇ k ⁇ ⁇
  • the spectrum control unit 7 may transmit the stage angle control signal S ⁇ to the rotation stage 14 of the narrowband module 10 so that the rotation stage angle becomes ⁇ (step S608).
  • the spectrum control unit 7 may determine whether or not to change the target wavelength ⁇ t (step S609). When the spectrum control unit 7 determines to change the target wavelength ⁇ t (step S609; Y), the spectrum control unit 7 may return to the process of step S602.
  • the spectrum control unit 7 may next determine whether or not to end the wavelength control (step S610).
  • the spectrum control unit 7 may return to the process of step S603 when determining that the wavelength control is not terminated (step S610; N). On the other hand, when it is determined that the wavelength control is to be ended (step S610; Y), the spectrum control unit 7 may end the wavelength control process.
  • FIG. 26 is a flowchart showing an example of a flow of control related to spectrum line width control of the spectrum control unit 7.
  • the spectrum control unit 7 may set and read the spectrum control parameter P ⁇ c for controlling the spectrum line width (step S611).
  • the spectrum control unit 7 may read the target spectral line width ⁇ t from the exposure apparatus control unit 5 via the laser control unit 2 (step S612).
  • the spectrum control unit 7 may determine whether or not laser oscillation has occurred (step S613). When the spectrum control unit 7 determines that laser oscillation is not occurring (step S613; N), the process of step S613 may be repeated.
  • the spectrum control unit 7 may next measure the spectrum line width ⁇ by the spectrum measuring instrument 34 (step S614).
  • the spectrum control unit 7 may transmit data of the measured spectral line width ⁇ to the wafer data collection control unit 3 and the laser control unit 2 (step S615).
  • the spectrum control unit 7 may calculate the position X of the next linear stage 63 based on ⁇ as shown in the following equation (step S617).
  • the spectral line width coefficient ⁇ k may be a proportional coefficient for converting ⁇ into a change amount of the position X.
  • X X + ⁇ k ⁇ ⁇
  • the spectrum control unit 7 may transmit the stage position control signal Sx to the linear stage 63 of the spectrum variable unit 60 so that the position of the linear stage 63 becomes X (step S618).
  • the spectrum control unit 7 may determine whether or not to change the target spectrum line width ⁇ t (step S619). When the spectrum control unit 7 determines to change the target spectral line width ⁇ t (step S619; Y), the spectrum control unit 7 may return to the process of step S612.
  • the spectrum control unit 7 may next determine whether or not to end the spectral line width control (step S619). S620).
  • the spectrum control unit 7 may return to the process of step S613 when determining that the spectrum line width control is not terminated (step S620; N). On the other hand, when it is determined that the spectral line width control is to be ended (step S620; Y), the spectrum control unit 7 may end the spectral line width control process.
  • FIG. 27 schematically shows a configuration example of a portion related to gas control in the laser device management system.
  • FIG. 28 is a flowchart showing an example of a flow of control related to gas pressure control of the gas control unit 9 in the laser device management system.
  • the gas control unit 9 may read the gas control parameter Pgs for gas pressure control (step S701).
  • the gas control unit 9 reads the minimum charge voltage Vmin, the maximum charge voltage Vmax, and the gas pressure variable amount ⁇ P via the laser control unit 2 as the gas control parameter Pgs for gas pressure control. You may go.
  • the gas control unit 9 may read the gas pressure P in the laser chamber 20 measured by the pressure sensor (step S702).
  • the gas control unit 9 may transmit data of the measured gas pressure P to the wafer data collection control unit 3 and the laser control unit 2 (step S703).
  • the gas control unit 9 may receive data of the charging voltage V via the laser control unit 2 (step S704).
  • the gas control unit 9 may compare the value of the charging voltage V with the minimum charging voltage Vmin and the maximum charging voltage Vmax (step S705). In the case of Vmax ⁇ V ⁇ Vmin, the gas control unit 9 may determine whether or not to end the gas pressure control (step S709).
  • the gas control unit 9 controls the laser gas supply device 91 to inject the Ar + Ne mixed gas into the laser chamber 20 so that the gas pressure P increases by the gas pressure variable amount ⁇ P. It may be done (step S706).
  • the gas control unit 9 may transmit data indicating that the Ar + Ne mixed gas is consumed by ⁇ P to the laser control unit 2 (step S707).
  • the laser controller 2 can calculate the total consumption amount of the Ar + Ne mixed gas by the gas pressure control by integrating the ⁇ P. Thereafter, the gas control unit 9 may determine whether or not to end the gas pressure control (step S709).
  • the gas control unit 9 controls the laser gas exhaust device 92 to exhaust the gas in the laser chamber 20 so that the gas pressure P decreases by the gas pressure variable amount ⁇ P. It is also possible (step S708). Thereafter, the gas control unit 9 may determine whether or not to end the gas pressure control (step S709).
  • the soot gas control unit 9 may return to the process of step S702 when determining that the gas pressure control is not terminated (step S709; N). On the other hand, if it is determined that the gas pressure control is to be ended (step S709; Y), the gas control unit 9 may end the gas pressure control process.
  • FIG. 29 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to partial gas exchange control of the gas control unit 9.
  • the gas control unit 9 may read the gas control parameter Pgs for partial gas exchange control (step S711).
  • the gas control unit 9 reads the partial gas exchange period Tpg, the Ar + Ne mixed gas injection coefficient Kpg, and the Ar + Ne + F 2 mixed gas injection coefficient Khg as the gas control parameter Pgs for partial gas exchange control. You may go.
  • Kpg may be an injection amount of Ar + Ne gas per unit oscillation pulse.
  • Khg may be an injection amount of Ar + Ne + F 2 mixed gas per unit oscillation pulse.
  • the gas control unit 9 may determine whether or not laser oscillation has occurred (step S714). If the gas control unit 9 determines that laser oscillation is not occurring (step S714; N), the process of step S714 may be repeated.
  • the gas control unit 9 may next set the counter value N of the number of pulses to N + 1 (step S715).
  • the gas control unit 9 may determine whether or not the value of the timer T has reached the partial gas exchange period Tpg (step S716). Thereby, the gas control unit 9 may measure the number of laser oscillation pulses in the partial gas exchange period Tpg. When the gas control unit 9 determines that the value of the timer T has not reached the partial gas exchange period Tpg (step S716; N), the gas control unit 9 may return to the process of step S714.
  • the gas control unit 9 next determines the gas pressure in the laser chamber 20 measured by the pressure sensor. P may be read (step S717).
  • the gas control unit 9 may transmit data of the measured gas pressure P to the wafer data collection control unit 3 and the laser control unit 2 (step S718).
  • the gas control unit 9 may perform a partial gas exchange process shown in FIG. 30 described later (step S719).
  • the gas control unit 9 may determine whether or not to end the partial gas exchange control (step S720). When it is determined that the partial gas exchange control is not terminated (step S720; N), the gas control unit 9 may return to the process of step S712. On the other hand, when it is determined that the partial gas replacement control is to be ended (step S720; Y), the gas control unit 9 may end the partial gas replacement control process.
  • FIG. 30 is a sub flowchart showing details of the process in step S719 in the flowchart shown in FIG.
  • the gas control unit 9 may inject an Ar + Ne mixed gas into the laser chamber 20 so that the gas pressure P increases by ⁇ Ppg (step S722).
  • the gas control unit 9 may transmit data indicating that ⁇ Ppg of the Ar + Ne mixed gas is consumed to the laser control unit 2 (step S723).
  • the laser control unit 2 can calculate the total consumption amount of the Ar + Ne mixed gas by the gas pressure control by integrating the ⁇ Ppg.
  • the gas control unit 9 may inject Ar + Ne + F 2 mixed gas into the laser chamber 20 so that the gas pressure P increases by ⁇ Phg (step S725).
  • the gas control unit 9 may transmit data indicating that the Ar + Ne + F 2 mixed gas is consumed by ⁇ Phg to the laser control unit 2 (step S726).
  • the laser control unit 2 can calculate the total consumption amount of the Ar + Ne + F 2 mixed gas by the gas pressure control by integrating the ⁇ Phg.
  • the gas control unit 9 may exhaust the gas in the laser chamber 20 so that the gas pressure P decreases by ( ⁇ Ppg + ⁇ Phg) (step S727). Thereafter, the gas control unit 9 may perform the process of step S720 of FIG.
  • FIG. 31 schematically shows a configuration example of a portion related to power consumption measurement in the laser device management system.
  • the power consumption in the laser device 1 may be measured by arranging a wattmeter 502 on the main AC line 501 supplied to the laser device 1.
  • the AC line 501 may be connected to the charger 90, the motor 27, and other various devices 503.
  • Other various devices 503 may include, for example, an electrical system and various control units.
  • the power consumption may be obtained by calculation from the control parameters of each unit.
  • the power consumption Wc of the cross flow fan 26 can be obtained from the rotational speed of the cross flow fan 26 and the gas pressure P in the laser chamber 20 as follows.
  • Wc ( ⁇ ⁇ P + ⁇ ) ⁇ ( ⁇ / ⁇ 0) 3
  • Wc kW number of the cross flow fan 26
  • ⁇ gas pressure coefficient
  • P gas pressure
  • ⁇ offset constant
  • ⁇ rotation speed
  • ⁇ 0 reference rotation speed (rotation speed when ⁇ and ⁇ are obtained)
  • FIG. 32 schematically shows a configuration example of a part related to measurement of the coolant flow rate in the laser device management system.
  • the cooling water 510 may be mainly flowed to a cooling water line such as the charger 90, the pulse power module 28, the heat exchanger 516 of the laser chamber 20, and the motor 27.
  • Flow meters 511, 512, 513, and 514 may be arranged in the respective cooling water lines, and the total cooling water amount F may be calculated from the sum of the cooling water flow rates F1, F2, F3, and F4.
  • a flow rate adjustment valve 515 may be provided at the inlet of the cooling water 510.
  • the flow rate may be measured by arranging a cooling water flow meter at the cooling water inlet or the cooling water outlet.
  • FIG. 33 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to ecology measurement by the laser control unit 2.
  • Laser control unit 2 may read ecology related parameter Pec for ecology measurement (step S801).
  • the laser control unit 2 may read the measurement cycle Tecok for ecology measurement as the ecology-related parameter Pec for ecology measurement.
  • the laser control unit 2 may reset and start the measurement period timer (Teco) (step S802).
  • the laser controller 2 mixes the total pressure P Ar + Ne of the Ar + Ne mixed gas injected into the laser chamber 20 and the Ar + Ne + F 2 mixture injected into the laser chamber 20.
  • the total gas pressure P Ar + Ne + F2 may be calculated (step S803).
  • the laser control unit 2 sets the following equation using Ar + Ne mixed gas consumption Q Ar + Ne and Ar + Ne + F 2 mixed gas consumption Q Ar + Ne + F 2 , assuming that the laser chamber volume is Vo and the atmospheric pressure is 1013 hpa. (Step S804).
  • Q Ar + Ne Vo ⁇ P Ar + Ne / 1013
  • Q Ar + Ne + F2 Vo ⁇ P Ar + Ne + F2 / 1013
  • the laser control unit 2 may read a measured value of the power consumption W by the power meter 502 (step S805). Next, the laser control unit 2 may integrate the power consumption W so far and calculate the power consumption Wh so far (step S806).
  • the laser controller 2 may read the measured values of the flow rates F1, F2, F3, and F4 by the flow meters 511, 512, 513, and 514 (step S807).
  • the laser control unit 2 may calculate the total cooling water flow rate F from the sum of the flow rates F1, F2, F3, and F4 as in the following equation (step S808).
  • F F1 + F2 + F3 + F4
  • the laser control unit 2 may calculate the total cooling water consumption L so far by integrating the total cooling water flow rate F so far (step S809).
  • the laser control unit 2 may read data on the measurement time and the total number of shots (step S810).
  • the laser control unit 2 uses the ecology-related data (Q Ar + Ne , Q Ar + Ne + F2 , W, Wh, L) at the measurement time and the total number of shots, as a third data area 110C of the server 110. (Step S811).
  • the laser control unit 2 may determine whether or not the value of the measurement cycle timer (Teco) has reached the measurement cycle Tecok (step S812). When the laser control unit 2 determines that the measurement cycle Tecok has not been reached (step S812; N), the process of step S812 may be repeated.
  • Teco measurement cycle timer
  • the laser control unit 2 may determine whether or not to end ecology measurement (step S813).
  • step S813; N the process may return to step S802.
  • step S813; Y the laser control unit 2 may end the ecology measurement process.
  • FIG. 34 is a flowchart illustrating an example of a control flow related to error log acquisition of the laser control unit 2.
  • the laser control unit 2 may perform initial setting of error parameters for acquiring an error log (step S901).
  • Error parameters for error log acquisition include energy control error parameters ⁇ Emaxl, ⁇ Eminl, spectrum control error parameters ⁇ maxl, ⁇ minl, spectrum control error parameters ⁇ maxl, ⁇ minl, and gas control error parameters Vmaxl, Vminl. May be.
  • ⁇ Eminl may be a minimum limit value of the difference ⁇ E from the target pulse energy Et.
  • ⁇ minl may be a minimum limit value of the difference ⁇ from the target wavelength ⁇ t.
  • ⁇ minl may be a minimum limit value of the difference ⁇ from the target spectral line width ⁇ t.
  • Vmaxl may be a maximum limit value of the charging voltage V.
  • Vminl may be a minimum limit value of the charging voltage V.
  • the laser control unit 2 may read the difference ⁇ E from the target pulse energy Et (step S902).
  • the laser controller 2 may determine whether or not the condition of ⁇ Eminl ⁇ ⁇ E ⁇ ⁇ Emax is satisfied (step S903). When it is determined that the condition of ⁇ Eminl ⁇ ⁇ E ⁇ ⁇ Emax is not satisfied (step S903; N), the laser control unit 2 may acquire error log data on the assumption that an energy control error has occurred. (Step S904). Thereafter, the process of step S911 may be performed.
  • step S903 when it is determined that the condition of ⁇ Eminl ⁇ ⁇ E ⁇ ⁇ Emax is satisfied (step S903; Y), the laser control unit 2 next determines whether the condition of ⁇ minl ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ maxl is satisfied. It may be determined (step S905).
  • step S905 If the laser control unit 2 determines that the condition of ⁇ minl ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ maxl is not satisfied (step S905; N), it may acquire error log data on the assumption that a spectrum control error has occurred. (Step S906). Thereafter, the process of step S911 may be performed.
  • step S905 when it is determined that the condition of ⁇ minl ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ maxl is satisfied (step S905; Y), the laser control unit 2 next determines whether or not the condition of ⁇ minl ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ maxl is satisfied. It may be determined (step S907).
  • the laser control unit 2 may acquire error log data on the assumption that a spectrum control error has occurred. (Step S908). Thereafter, the process of step S911 may be performed.
  • step S907 when it is determined that the condition of ⁇ minl ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ maxl is satisfied (step S907; Y), the laser control unit 2 next determines whether or not the condition of Vminl ⁇ V ⁇ Vmaxl is satisfied. It may be judged (step S909).
  • step S909 If the laser control unit 2 determines that the condition of Vminl ⁇ V ⁇ Vmaxl is not satisfied (step S909; N), it may acquire error log data on the assumption that a gas control error has occurred. (Step S910). Thereafter, the process of step S911 may be performed.
  • the laser control unit 2 next determines whether or not to end the error log acquisition process. (Step S914). If the laser control unit 2 determines not to end the error log acquisition process (step S914; N), the laser control unit 2 may return to the process of step S902. On the other hand, when it is determined that the error log acquisition process is to be ended (step S914; Y), the laser control unit 2 may end the data error log acquisition process.
  • the laser control unit 2 may read the time when the error log data is acquired as the process of step S911. Next, the laser control unit 2 may read the total number of shots since the installation of the laser device (step S912). Next, the laser control unit 2 may write the time, the total number of shots, and the error log data in the first data area 110A or the third data area 110C of the server 110 (step S913). . Thereafter, the error log acquisition process may be terminated.
  • laser apparatus 1 is an ArF excimer laser
  • the present invention is not limited to this example, and an excimer laser such as KrF, XeCl, or XeF may be used.
  • laser gas may be generated by putting a predetermined amount of a mixed gas of rare gas and buffer gas and a mixed gas of rare gas, buffer gas, and halogen gas into the laser chamber 20.
  • the laser apparatus 1 is a single chamber type, but the present invention is not limited to this example.
  • it may be a laser device including an amplifier in which another laser chamber and an optical resonator are arranged on the optical path between the output coupling mirror 35 and the monitor module 30.
  • the first access authority that is the authority of the laser manufacturer and the second access authority that is the authority of the user may be set in one terminal 113.
  • the first access authority and the second access authority may be set in one PC as the terminal 113 using an ID and a password.
  • a terminal is not provided separately from the laser device 1.
  • an operation unit such as a console panel is provided in the laser device 1, and the authority to operate the operation unit is the first access authority and the second access authority. Access authority may be set. And you may make it access the server 110 by the 1st access authority or the 2nd access authority via the operation part provided in the laser apparatus 1.
  • Second Embodiment> (Laser apparatus management system having a setting change function by a user) Next, a laser device management system according to the second embodiment of the present disclosure will be described.
  • substantially the same components as those of the comparative example or the laser device management system according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted as appropriate.
  • FIG. 36 is a sequence diagram related to setting of the server 110 in the laser device management system according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 37 schematically illustrates an example of setting an information range in the data area of the server 110.
  • the data storage period in the storage unit 52 of the wafer data collection control unit 3 may be set and changed from the second terminal 112 via the server 110 (T101 and T102 in FIG. 36).
  • the wafer data collection control unit 3 may delete data outside the storage period from the storage unit 52 (T103 in FIG. 36). Note that erasing data may include overwriting with newly received data or the like.
  • the range of the first information stored in the first data area 110A of the server 110 may be changeable from the first terminal 111 by the first access authority.
  • the range of the third information that can be accessed by both the first access authority and the second access authority may be changed. For example, a change may be made so that one of various control parameters such as the ecology-related parameter Pec is included in the third information according to the first access authority.
  • the range of the second information stored in the second data area 110B of the server 110 may be changeable from the second terminal 112 by the second access authority.
  • the range of the second information As the range of the second information is changed, the range of the third information that can be accessed by both the first access authority and the second access authority may be changed. For example, after the ecology-related data Dec included in the third information is associated with the wafer exposure-related information, a change that is included in the second information may be performed with the second access authority.
  • the range of the first information and the range of the second information may be set as default ranges by the first access authority from the first terminal 111 (T104 in FIG. 36). Thereafter, the range of the second information may be changed by the second access authority from the second terminal 112 (T105 in FIG. 36).
  • the range of the second information that can be referred to only by the user can be changed to an arbitrary range by the user himself / herself. Further, the data storage period in the storage unit 52 of the wafer data collection control unit 3 can be changed to an arbitrary period by the user himself / herself. Thereby, it may be possible to improve the safety of the second information that can be referred to only by the user.
  • FIG. 38 schematically shows a configuration example of the monitor module 30 in the laser device management system according to the first or second embodiment.
  • FIG. 38 schematically shows a configuration example in which the spectrum measuring instrument 34 in the monitor module 30 is a monitor etalon spectrometer.
  • the monitor module 30 may include beam splitters 31 and 32, a pulse energy measuring device 33, and a spectrum measuring device 34.
  • the spectrum measuring instrument 34 may include a diffusing element 341, a monitor etalon 342, a condenser lens 343, and an image sensor 344.
  • the image sensor 344 may be a photodiode array.
  • the focal length of the condenser lens 343 may be f.
  • the pulse energy measuring device 33 may include a condenser lens 331 and an optical sensor 332.
  • the optical sensor 333 may be a photodiode resistant to high-speed ultraviolet light.
  • the optical sensor 332 may be disposed at a substantially condensing position of the condensing lens 331.
  • the beam splitter 31 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light Lp output from the output coupling mirror 35.
  • the beam splitter 32 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light Lp reflected by the beam splitter 31.
  • the beam splitter 32 may be arranged so that the reflected light is incident on the pulse energy measuring device 33 and the transmitted light is incident on the spectrum measuring device 34.
  • the pulse laser beam Lp output from the output coupling mirror 35 can be incident on the pulse energy measuring device 33 as a sample beam for partially detecting the pulse energy E by the beam splitter 31 and the beam splitter 32.
  • the sample light incident on the pulse energy measuring device 33 can be condensed on the sensor surface of the optical sensor 332 by the condenser lens 331. Thereby, the pulse energy measuring device 33 can detect the pulse energy E of the pulse laser beam Lp output from the output coupling mirror 35.
  • the pulse energy measuring device 33 may transmit the detected pulse energy E data to the energy control unit 6.
  • the light transmitted through the beam splitter 32 may first enter the diffusion element 341.
  • the diffusion element 341 may scatter incident light. This scattered light may be incident on the monitor etalon 342.
  • the light transmitted through the monitor etalon 342 enters the condenser lens 343 and can generate interference fringes on the focal plane of the condenser lens 343.
  • the image sensor 344 may be disposed on the focal plane of the condenser lens 343.
  • the image sensor 344 may detect interference fringes on the focal plane.
  • the square of the radius r of the interference fringes can be proportional to the wavelength ⁇ of the pulse laser beam Lp. Therefore, the spectral line width ⁇ and the center wavelength as the spectral profile of the pulse laser beam Lp can be detected from the detected interference fringes.
  • the spectral line width ⁇ and the center wavelength may be obtained from the detected interference fringes by an information processing device (not shown), or may be calculated by the spectrum control unit 7.
  • the relationship between the interference fringe radius r and the wavelength ⁇ can be approximated by the following equation (1).
  • ⁇ ⁇ c + ⁇ r 2 (1)
  • ⁇ proportionality constant
  • r radius of interference fringes
  • ⁇ c The wavelength when the light intensity at the center of the interference fringe is maximized.
  • FIG. 39 schematically shows an example of the spectral line width ⁇ measured by the spectrum measuring instrument 34.
  • E95 may be calculated as the spectral line width ⁇ after converting the interference fringes into a spectral waveform having a relationship between the light intensity and the wavelength ⁇ . Further, the full width at half maximum of the spectrum waveform may be set as the spectrum line width ⁇ .
  • the present invention is not limited to this example.
  • a plurality of monitor etalons having different resolutions may be arranged, and interference fringes may be measured by a plurality of line sensors.
  • the spectral line width ⁇ may be measured using a monitor etalon having a long focal length, a small FSR (Free Spectral Range), and a high resolution.
  • the data of the interference fringe waveform and the peak light amount of the interference fringe may be measured for each predetermined number of shots and stored in the first data area of the server 110 that can be referred to only by the laser manufacturer.
  • FIG. 40 schematically shows a configuration example of the pulse power module 28 in the laser device management system according to the first or second embodiment.
  • the pulse power module 28 may include a charging capacitor 610, a semiconductor switch 621, a transformer TC1, magnetic switches MS1, MS2, MS3, and capacitors 611, 612, 613.
  • the capacity of the charging capacitor 610 may be C0.
  • the capacitance of the capacitor 611 may be C1.
  • the capacitance of the capacitor 612 may be C2.
  • the capacitance of the capacitor 613 may be C3.
  • the pulse power module 28 may be electrically connected to the charger 90 and the laser chamber 20.
  • the pulse power module 28 and the charger 90 may be electrically connected to the laser control unit 2.
  • the discharge electrode 23 may be electrically connected to the pulse power module 28 via the current introduction terminal 601.
  • the discharge electrode 24 may be electrically connected to the pulse power module 28 via the electrode holder 602.
  • the charger 90 may apply the charging voltage V to the charging capacitor 610.
  • the energy stored in the charging capacitor 610 by the charging voltage V may be (1/2) C0 ⁇ V 2 where the capacity of the charging capacitor 610 is C0.
  • the laser controller 2 may cause the pulse power module 28 to generate a pulse voltage by transmitting an oscillation trigger Tr1 to the semiconductor switch 621 of the pulse power module 28.
  • the transformer TC1, the magnetic switches MS1, MS2, MS3, and the capacitors 611, 612, 613 in the pulse power module 28 may form a magnetic pulse compression circuit.
  • the pulse width of the pulse voltage may be compressed by the magnetic pulse compression circuit in the pulse power module 28.
  • the pulse voltage with the compressed pulse width may be applied to the current introduction terminal 601 and the electrode holder 602 in the laser chamber 20. Thereby, a pulse voltage may be applied between the discharge electrode 23 and the discharge electrode 24 via the current introduction terminal 601 and the electrode holder 602.
  • the laser gas supplied between the discharge electrode 23 and the discharge electrode 24 may be caused to discharge by a pulse voltage applied between the discharge electrode 23 and the discharge electrode 24.
  • the pulsed laser beam Lp may be generated by the discharge of the laser gas.
  • the laser gas supplied between the discharge electrode 23 and the discharge electrode 24 may be circulated in the laser chamber 20 by the cross flow fan 26.
  • the laser gas circulated by the cross flow fan 26 may be cooled by the heat exchanger 516.
  • FIG. 41 is a block diagram illustrating an exemplary hardware environment in which various aspects of the disclosed subject matter may be implemented.
  • the exemplary hardware environment 100 of FIG. 41 includes a processing unit 1000, a storage unit 1005, a user interface 1010, a parallel I / O controller 1020, a serial I / O controller 1030, A / D, D / A.
  • the converter 1040 may be included, the configuration of the hardware environment 100 is not limited to this.
  • the processing unit 1000 may include a central processing unit (CPU) 1001, a memory 1002, a timer 1003, and an image processing unit (GPU) 1004.
  • the memory 1002 may include random access memory (RAM) and read only memory (ROM).
  • the CPU 1001 may be any commercially available processor. A dual microprocessor or other multiprocessor architecture may be used as the CPU 1001.
  • FIG. 41 may be interconnected to perform the processes described in this disclosure.
  • the processing unit 1000 may read and execute a program stored in the storage unit 1005. Further, the processing unit 1000 may read data from the storage unit 1005 together with the program. Further, the processing unit 1000 may write data to the storage unit 1005.
  • the CPU 1001 may execute a program read from the storage unit 1005.
  • the memory 1002 may be a work area for temporarily storing programs executed by the CPU 1001 and data used for the operation of the CPU 1001.
  • the timer 1003 may measure the time interval and output the measurement result to the CPU 1001 according to the execution of the program.
  • the GPU 1004 may process the image data according to a program read from the storage unit 1005 and output the processing result to the CPU 1001.
  • the parallel I / O controller 1020 includes a rotary stage 14, a linear stage 63, a laser control unit 2, a wafer data collection control unit 3, an exposure apparatus control unit 5, an energy control unit 6, a spectrum control unit 7, a beam measurement control unit 8, In addition, it may be connected to a parallel I / O device that can communicate with the processing unit 1000, such as the gas control unit 9, or may control communication between the processing unit 1000 and these parallel I / O devices.
  • the serial I / O controller 1030 includes a laser controller 2, a wafer data collection controller 3, an exposure apparatus controller 5, an energy controller 6, a spectrum controller 7, a beam measurement controller 8, a gas controller 9, and the like.
  • a plurality of serial I / O devices that can communicate with the processing unit 1000 may be connected, and communication between the processing unit 1000 and the plurality of serial I / O devices may be controlled.
  • the A / D and D / A converter 1040 may be connected to various sensors and analog devices such as the image sensors 411, 421, 431, the image sensor 344, and the optical sensor 332 via an analog port. Communication between 1000 and these analog devices may be controlled, or A / D and D / A conversion of communication contents may be performed.
  • the user interface 1010 may display the progress of the program executed by the processing unit 1000 to the operator so that the operator can instruct the processing unit 1000 to stop the program or execute the interrupt routine.
  • the exemplary hardware environment 100 may be applied to the configuration of the exposure apparatus control unit 5 and the laser control unit 2 in the present disclosure.
  • controllers may be implemented in a distributed computing environment, i.e., an environment where tasks are performed by processing units connected via a communications network.
  • the exposure apparatus control unit 5, the laser control unit 2, and the like may be connected to each other via a communication network such as Ethernet (registered trademark) or the Internet.
  • program modules may be stored in both local and remote memory storage devices.

Abstract

本開示によるレーザ装置管理システムは、第１のアクセス権限によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第１の情報と、第２のアクセス権限によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第２の情報と、第１のアクセス権限及び第２のアクセス権限の双方によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第３の情報とを格納するように構成されたサーバと、ウエハ露光を行う露光装置に向けてパルスレーザ光を出力するレーザ出力部と、第１の情報、第２の情報、及び第３の情報をサーバに保存する制御を行う制御部とを含むレーザ装置とを備え、第２の情報は、互いに対応付けられた、露光装置におけるウエハ露光関連情報とレーザ装置におけるレーザ制御関連情報とを含んでもよい。

Description

レーザ装置管理システム
　本開示は、レーザ装置管理システムに関する。
　半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、半導体露光装置においては解像力の向上が要請されている（半導体露光装置を以下、単に「露光装置」という）。このため、露光用光源から出力される光の短波長化が進められている。露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられている。現在、露光用のガスレーザ装置としては、波長２４８ｎｍの紫外線を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置並びに、波長約１９３．４ｎｍの紫外線を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられている。
　現在の露光技術としては、露光装置側の投影レンズとウエハ間の間隙を液体で満たして、当該間隙の屈折率を変えることによって、露光用光源の見かけの波長を短波長化する液浸露光が実用化されている。ＡｒＦエキシマレーザ装置を露光用光源として用いて液浸露光が行われた場合は、ウエハには水中における波長１３４ｎｍの紫外光が照射される。この技術をＡｒＦ液浸露光という。ＡｒＦ液浸露光はＡｒＦ液浸リソグラフィーとも呼ばれる。
　ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振におけるスペクトル線幅は約３５０～４００ｐｍと広いため、露光装置側の投影レンズによってウエハ上に縮小投影されるレーザ光（紫外線光）の色収差が発生して解像力が低下する。そこで色収差が無視できる程度となるまでガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する必要がある。スペクトル線幅はスペクトル幅とも呼ばれる。このためガスレーザ装置のレーザ共振器内には狭帯域化素子を有する狭帯域化モジュール（Line Narrow Module）が設けられ、この狭帯域化モジュールによりスペクトル幅の狭帯域化が実現されている。なお、狭帯域化素子はエタロンやグレーティング等であってもよい。このようにスペクトル幅が狭帯域化されたレーザ装置を狭帯域化レーザ装置という。
特開２００３－２５８３３７号公報 特開２００３－２８３００７号公報 特表２００３－５０３８６１号公報 特開２００１－１３５８８３号公報 特開２００２－８４０２６号公報 国際公開第２０１５／０６８２０５号 国際公開第２０１４／０３０６４５号
概要
　本開示によるレーザ装置管理システムは、第１のアクセス権限によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第１の情報と、第２のアクセス権限によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第２の情報と、第１のアクセス権限及び第２のアクセス権限の双方によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第３の情報とを格納するように構成されたサーバと、ウエハ露光を行う露光装置に向けてパルスレーザ光を出力するレーザ出力部と、第１の情報、第２の情報、及び第３の情報をサーバに保存する制御を行う制御部とを含むレーザ装置とを備え、第２の情報は、互いに対応付けられた、露光装置におけるウエハ露光関連情報とレーザ装置におけるレーザ制御関連情報とを含んでもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例に係るレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示す。 図２は、バースト運転によってレーザ装置が出力するパルスレーザ光の出力タイミングの一例を模式的に示す。 図３は、スキャン露光の概要を模式的に示す。 図４は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示す。 図５は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるサーバのデータ領域とアクセス権限との関係の一例を模式的に示す。 図６は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるウエハデータ収集制御部による第２のデータ領域へのデータの書き込み制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図７は、サーバの第２のデータ領域に格納される第２の情報のデータ例を概略的に示す。 図８は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるレーザ制御部による第３のデータ領域へのデータの書き込み制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図９は、サーバの第３のデータ領域に格納される第３の情報のデータ例を概略的に示す。 図１０は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるレーザ制御部による第１のデータ領域へのデータの書き込み制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図１１は、サーバの第１のデータ領域に格納される第１の情報のデータ例を概略的に示す。 図１２は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるビーム計測に関わる部分の一構成例を概略的に示す。 図１３は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるビーム計測制御部のビーム計測に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図１４は、図１３に示したフローチャートにおけるステップＳ４０３の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１５は、ビーム計測制御部によるビームプロファイルの計算方法の一例を概略的に示す。 図１６は、図１３に示したフローチャートにおけるステップＳ４０４の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１７は、ビーム計測制御部によるビームポインティングの計算方法の一例を概略的に示す。 図１８は、図１３に示したフローチャートにおけるステップＳ４０５の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１９は、ビーム計測制御部によって計算される偏光成分のピーク強度の一例を概略的に示す。 図２０は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるエネルギ制御に関わる部分の一構成例を概略的に示す。 図２１は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるエネルギ制御部のエネルギ制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図２２は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるスペクトル制御に関わる部分の一構成例を概略的に示す。 図２３は、狭帯域化モジュール及びスペクトル可変部の一構成例を概略的に示す。 図２４は、狭帯域化モジュール及びスペクトル可変部の一構成例を概略的に示す。 図２５は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるスペクトル制御部の波長制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図２６は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるスペクトル制御部のスペクトル線幅制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図２７は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるガス制御に関わる部分の一構成例を概略的に示す。 図２８は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるガス制御部のガス圧制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図２９は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるガス制御部の部分ガス交換制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図３０は、図２９に示したフローチャートにおけるステップＳ７１９の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図３１は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおける消費電力の計測に関わる部分の一構成例を概略的に示す。 図３２は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおける冷却水流量の計測に関わる部分の一構成例を概略的に示す。 図３３は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるレーザ制御部のエコロジー計測に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図３４は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるレーザ制御部のエラーログ取得に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。 図３５は、第１の実施形態の変形例に係るレーザ装置管理システムにおけるサーバのデータ領域とアクセス権限との関係の一例を模式的に示す。 図３６は、第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるサーバの設定に関するシーケンス図である。 図３７は、第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるサーバのデータ領域における情報範囲の設定の一例を模式的に示す。 図３８は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるモニタモジュールの一構成例を概略的に示す。 図３９は、図３８に示したモニタモジュールのスペクトル計測器によって計測されるスペクトル線幅の一例を模式的に示す。 図４０は、第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるパルスパワーモジュールの一構成例を概略的に示す。 図４１は、制御部のハードウエア環境の一例を示す。
実施形態
＜内容＞
＜１．比較例＞（レーザ装置管理システム）（図１～図３）
　１．１　構成
　１．２　動作
　１．３　課題
＜２．第１の実施形態＞（サーバを備えたレーザ装置管理システム）
　２．１　サーバを備えたレーザ装置管理システムの概要（図４～図１１）
　　２．１．１　構成
　　２．１．２　動作
　　２．１．３　作用・効果
　２．２　ビーム計測システム（図１２～図１９）
　　２．２．１　構成
　　２．２．２　動作
　２．３　エネルギ制御システム（図２０～図２１）
　２．４　スペクトル制御システム（図２２～図２６）
　　２．４．１　構成
　　２．４．２　動作
　２．５　ガス制御システム（図２７～図３０）
　２．６　その他の制御システム（図３１～図３４）
　　２．６．１　構成
　　２．６．２　動作
　２．７　変形例（図３５）
＜３．第２の実施形態＞（ユーザによる設定変更機能を有するレーザ装置管理システム）（図３６～図３７）
　３．１　構成、及び動作
　３．２　作用・効果
＜４．第３の実施形態＞（各部の具体例）
　４．１　モニタモジュールの具体例（図３８～図３９）
　　４．１．１　構成
　　４．１．２　動作
　４．２　パルスパワーモジュールの具体例（図４０）
　　４．２．１　構成
　　４．２．２　動作
＜５．制御部のハードウエア環境＞（図４１）
＜６．その他＞
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
＜１．比較例＞
［１．１　構成］（レーザ装置管理システム）
　図１は、本開示の実施形態に対する比較例に係るレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示している。
　なお、本明細書において、レーザ光の光路軸方向はＺ方向であってもよい。Ｚ方向に略直交する２つの方向は、Ｈ方向とＶ方向とであってもよい。Ｈ方向は、図１の紙面に略直交する方向であってもよい。
　比較例に係るレーザ装置管理システムは、レーザ装置１０１と、第１の端末１１１と、第２の端末１１２とを備えてもよい。第２の端末１１２は、レーザ装置１０１及び露光装置４のユーザによって操作されるＰＣ（パーソナルコンピュータ）等の端末であってもよい。第１の端末１１１は、レーザ装置１０１のレーザメーカによって操作されるＰＣ等の端末であってもよい。
　レーザ装置１０１は、露光装置４に向けてパルスレーザ光Ｌｐを出力するレーザ出力部を備えてもよい。レーザ出力部は、レーザガスが供給されるレーザチャンバ２０と、狭帯域化モジュール（ＬＮＭ）１０と、ＯＣ（出力結合器：outcoupler）としての出力結合ミラー３５とを含んでいてもよい。
　露光装置４は、ウエハ露光を行う装置であってもよい。ウエハ露光は、スキャン露光を行うことを含んでもよい。「スキャン露光」とは、パルスレーザ光Ｌｐをスキャンさせながらウエハの露光領域を露光する方法のことであってもよい。
　レーザ装置１０１は、露光装置４におけるウエハ露光に合わせてバースト運転がなされてもよい。「バースト運転」とは、スキャン露光に合わせて狭帯域化したパルスレーザ光Ｌｐを連続して発振するバースト期間と、発振休止する発振休止期間とを交互に繰り返す運転のことであってもよい。
　ここで、レーザ装置管理システムの構成を説明するのに先だって、バースト運転、及びウエハ露光の概要を説明する。図２は、バースト運転によってレーザ装置１０１が出力するパルスレーザ光Ｌｐの出力タイミングの一例を模式的に示している。図３は、スキャン露光の概要を模式的に示している。
　図２において、１つの縦の線はパルスレーザ光Ｌｐの１パルス分を示している。図２に示すように、レーザ装置１０１は、最初に調整発振を行い、所定期間の間隔を空けた後、１枚目のウエハ露光（Ｗａｆｅｒ＃１）のためのバースト運転を行ってもよい。調整発振は、ウエハにはパルスレーザ光Ｌｐを照射しないものの、調整用のパルスレーザ光Ｌｐを出力する発振を行うことであってもよい。パルスレーザ光Ｌｐは、例えば数百～数ｋＨｚ程度の所定の周波数で出力されてもよい。ウエハ露光時には、バースト期間と発振休止期間とを繰り返すバースト運転を行うのが一般的であり得る。調整発振においても、バースト運転が行われてもよい。図２において、パルスが密集している区間は、所定期間連続してパルスレーザ光Ｌｐを出力するバースト期間であってもよい。また、図２において、パルスが存在していない区間は、発振休止期間であってもよい。なお、調整発振では、パルスの各連続出力期間の長さは一定である必要はなく、調整のため、各連続出力期間の長さを異ならせて連続出力動作を行うようにしてもよい。
　調整発振を行った後、比較的大きな間隔時間を空けて、露光装置４において１枚目のウエハ露光（Ｗａｆｅｒ＃１）が行われてもよい。ウエハ露光は、図３に示したように、ウエハを複数の所定の露光領域に分割して、各露光領域をスキャン露光することにより行われてもよい。すなわち、ウエハ露光では、ウエハの第１の所定の露光領域を１回目のスキャン露光（Ｓｃａｎ＃１）で露光し、次いで、第２の所定の露光領域を２回目のスキャン露光（Ｓｃａｎ＃２）で露光するというステップを繰り返してもよい。１回のスキャン露光中は、複数のパルスレーザ光Ｌｐ（Ｐｕｌｓｅ＃１，Ｐｕｌｓｅ＃２，…）が連続的にレーザ装置１０１から出力され得る。第１の所定の露光領域のスキャン露光（Ｓｃａｎ＃１）が終了したら、所定間隔を空けて第２の所定の露光領域のスキャン露光（Ｓｃａｎ＃２）が行われてもよい。このスキャン露光を順次、繰り返し、１枚目のウエハの全露光領域をスキャン露光し終えたら、再度、調整発振を行った後、２枚目のウエハのウエハ露光（Ｗａｆｅｒ＃２）が行われてもよい。
　レーザ装置管理システムは、以上のようなウエハ露光を行う際のレーザ装置１０１における各種のデータを収集して管理するシステムであってもよい。
　図１に戻り、再び、レーザ装置管理システムの構成を説明する。
　レーザ装置１０１は、レーザ制御部２と、ウエハデータ収集制御部３と、エネルギ制御部６と、スペクトル制御部７と、ビーム計測制御部８と、ガス制御部９とを、さらに含んでいてもよい。レーザ装置１０１は、モニタモジュール（ＭＭ）３０と、ビーム計測器（ＢＰＭ）４０と、充電器９０と、レーザガス供給装置９１と、レーザガス排気装置９２とを、さらに含んでいてもよい。
　レーザチャンバ２０は、ウインドウ２１，２２と、１対の放電電極２３，２４と、電気絶縁部材２５と、クロスフローファン（ＣＦＦ）２６と、モータ２７と、パルスパワーモジュール（ＰＰＭ）２８とを含んでいてもよい。
　電気絶縁部材２５は、例えばアルミナセラミックスであってもよい。パルスパワーモジュール２８は、スイッチ２９を含み、電気絶縁部材２５の図示しないフィードフルーを介して、放電電極２３と接続されていてもよい。放電電極２４は、接地されたレーザチャンバ２０と接続されていてもよい。
　狭帯域化モジュール１０と出力結合ミラー３５は光共振器を構成してもよい。この共振器の光路上に１対の放電電極２３，２４の放電領域が配置されるように、レーザチャンバ２０が配置されてもよい。出力結合ミラー３５には、レーザチャンバ２０内で発生したレーザ光の一部を反射し、一部を透過する多層膜がコートされていてもよい。
　狭帯域化モジュール１０は、グレーティング１１と、プリズム１２と、プリズム１２を回転させる回転ステージ１４とを含んでいてもよい。
　プリズム１２は、レーザチャンバ２０から出力されたレーザ光のビームがプリズム１２でビーム拡大されてグレーティング１１に所定の角度で入射するように配置されてもよい。
　回転ステージ１４は、プリズム１２が回転した時に、グレーティング１１へのビームの入射角度が変化するように配置されていてもよい。グレーティング１１は、ビームの入射角度と回折角度とが同じ角度となるようにリトロー配置されてもよい。
　充電器９０とパルスパワーモジュール２８は、後述する図４０に示すパルスパワーモジュール２８の容量Ｃ０の充電コンデンサ６１２を充電するように互いに電気的に接続されていてもよい。充電器９０は、充電電圧Ｖを示す充電電圧データＤｖをエネルギ制御部６から受信してもよい。
　レーザ制御部２には、露光装置４の露光装置制御部５から発光トリガ信号Ｓｔｒが入力されてもよい。エネルギ制御部６には、レーザ制御部２を介して発光トリガ信号Ｓｔｒが入力されてもよい。エネルギ制御部６とパルスパワーモジュール２８は、発光トリガ信号Ｓｔｒに同期して、スイッチ２９がオン／オフされるように電気的に接続されていてもよい。
　モニタモジュール３０は、ビームスプリッタ３１，３２と、パルスエネルギ計測器３３と、スペクトル計測器３４とを含んでいてもよい。
　ビームスプリッタ３１は、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐの光路上に配置されていてもよい。ビームスプリッタ３２は、ビームスプリッタ３１で反射されたパルスレーザ光Ｌｐの光路上に配置されていてもよい。ビームスプリッタ３２は、反射光がパルスエネルギ計測器３３に入射し、透過光がスペクトル計測器３４に入射するように配置されていてもよい。
　パルスエネルギ計測器３３は、後述する図３８に示すように、集光レンズ３３１と光センサ３３２とを含んでいてもよい。光センサ３３２は高速の紫外光に耐性があるフォトダイオードであってもよい。
　スペクトル計測器３４は、後述する図３８に示すように、エタロンを含む分光器であってもよい。
　ビーム計測器４０は、偏光計測器４１と、ビームポインティング計測器４２と、ビームプロファイル計測器４３と、ビームスプリッタ４４とを含んでいてもよい。ビームスプリッタ４４は、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐの光路上に配置されていてもよい。
　ビーム計測制御部８は、ビーム計測器４０で計測された画像データに基づいてビーム計測関連データＤｂを計算してもよい。ビーム計測制御部８とレーザ制御部２との間、及びビーム計測制御部８とレーザ制御部２との間には、ビーム計測関連データＤｂをレーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３とに送信する信号ラインが設けられていてもよい。
　スペクトル制御部７と狭帯域化モジュール１０の回転ステージ１４との間には、回転ステージ１４の回転ステージ角度θを制御するためのステージ角度制御信号Ｓθを、回転ステージ１４に送信する信号ラインが設けられていてもよい。回転ステージ１４の回転ステージ角度θは、スペクトル計測器３４で検出された波長λに基づいて制御されてもよい。
　また、スペクトル制御部７とレーザ制御部２との間、及びスペクトル制御部７とウエハデータ収集制御部３との間には、スペクトル計測器３４による計測結果に基づくスペクトル制御関連データＤλｃをレーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３とに送信する信号ラインが設けられていてもよい。
　エネルギ制御部６と充電器９０との間には、充電電圧Ｖを示す充電電圧データＤｖを充電器９０に送信する信号ラインが設けられていてもよい。充電電圧Ｖは、パルスエネルギ計測器３３によって計測されたパルスエネルギＥに基づいて制御されてもよい。充電電圧Ｖは、パルスパワーモジュール２８の後述の図４０に示す充電コンデンサ６１０を充電する電圧であってもよい。
　エネルギ制御部６とレーザ制御部２との間、及びエネルギ制御部６とウエハデータ収集制御部３との間には、パルスエネルギ計測器３３による計測結果に基づくエネルギ制御関連データＤｅｇをレーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３とに送信する信号ラインが設けられていてもよい。
　ガス制御部９とレーザ制御部２との間には、ガス制御関連データＤｇｓをレーザ制御部２に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
　レーザガス供給装置９１は、ガス制御部９からの制御信号に基づいて、レーザガスとして、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスと、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスとをそれぞれ、レーザチャンバ２０内に供給できるように構成されていてもよい。レーザガス供給装置９１は、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスを供給するガスボンベ９３と、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスを供給するガスボンベ９４とに接続されていてもよい。レーザガス供給装置９１は、ガスボンベ９３からのＡｒ＋Ｎｅ混合ガスの供給を制御するバルブと、ガスボンベ９４からのＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの供給を制御するバルブとを含んでいてもよい。
　レーザガス排気装置９２は、ガス制御部９からの制御信号によってレーザチャンバ２０内のレーザガスを排気できるように構成されていてもよい。レーザガス排気装置９２は、排気を制御するバルブと、排気ポンプと、排気ガス中のＦ2ガスをトラップするハロゲンフィルタとを含んでいてもよい。
　ウエハデータ収集制御部３は、記憶部５２を含んでいてもよい。記憶部５２には、ウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕが格納されてもよい。記憶部５２に格納されたウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕは、第２の端末１１２から参照可能であってもよい。
　レーザ制御部２は、記憶部５１を含んでいてもよい。記憶部５１には、各種データＤｅｔｃと各種パラメータＰｅｔｃのデータとが格納されてもよい。記憶部５１に格納された各種データＤｅｔｃと各種パラメータＰｅｔｃのデータは、第１の端末１１１から参照可能であってもよい。
　レーザ制御部２とガス制御部９との間には、ガス制御を行うためのガス制御パラメータＰｇｓをガス制御部９に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
　レーザ制御部２とエネルギ制御部６との間には、エネルギ制御を行うための目標パルスエネルギＥｔのデータをエネルギ制御部６に送信する信号ラインが設けられていてもよい。また、レーザ制御部２とエネルギ制御部６との間には、発光トリガ信号Ｓｔｒをエネルギ制御部６に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
　レーザ制御部２とスペクトル制御部７との間には、スペクトル制御を行うための目標波長λｔのデータをスペクトル制御部７に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
　レーザ制御部２とビーム計測器４０との間には、発光トリガ信号Ｓｔｒをビーム計測器４０に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
　レーザ制御部２とレーザチャンバ２０のモータ２７との間には、クロスフローファン２６の回転数ωを制御するための回転数データＤωをモータ２７に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
　露光装置制御部５とレーザ制御部２との間には、各種目標データＤｔをレーザ制御部２に送信する信号ラインが設けられていてもよい。各種目標データＤｔには、目標パルスエネルギＥｔと目標波長λｔとが含まれていてもよい。
［１．２　動作］
　レーザ制御部２は、露光装置制御部５から、各種目標データＤｔと発光トリガ信号Ｓｔｒとを受信してもよい。
（エネルギ制御）
　レーザ制御部２は、エネルギ制御部６に、目標パルスエネルギＥｔのデータと、発光トリガ信号Ｓｔｒとを送信してもよい。エネルギ制御部６は、充電電圧データＤｖを、充電器９０に送信してもよい。また、エネルギ制御部６は、発光トリガ信号Ｓｔｒに同期して、パルスパワーモジュール２８のスイッチ２９にオン信号を送信してもよい。これにより、レーザチャンバ２０において、１対の放電電極２３，２４間に高電圧が印加され、１対の放電電極２３，２４間の放電領域においてレーザガスが絶縁破壊して、放電が生成され得る。その結果、レーザチャンバ２０内においてレーザガスが励起され、光共振器を構成する狭帯域化モジュール１０と出力結合ミラー３５との間でレーザ発振が起こり得る。出力結合ミラー３５からは、レーザ発振によるパルスレーザ光Ｌｐが出力され得る。
　出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐは、ビームスプリッタ３１とビームスプリッタ３２とによって一部がパルスエネルギＥを検出するためのサンプル光として、パルスエネルギ計測器３３に入射し得る。
　パルスエネルギ計測器３３では、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥを検出し得る。パルスエネルギ計測器３３は、検出したパルスエネルギＥのデータを、エネルギ制御部６に送信してもよい。
　エネルギ制御部６は、パルスエネルギＥと目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥに基づいて、次のパルスの充電電圧Ｖを計算して、充電器９０に充電電圧Ｖを示す充電電圧データＤｖを送信してもよい。その結果、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥは目標パルスエネルギＥｔに近づき得る。
　ここで、エネルギ制御部６は、レーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３とにエネルギ制御関連データＤｅｇを送信してもよい。エネルギ制御関連データＤｅｇは、例えば、目標パルスエネルギＥｔと、計測されたパルスエネルギＥと、充電電圧Ｖとを含むデータであってもよい。
（スペクトル制御）
　レーザ制御部２は、スペクトル制御部７に、目標波長λｔのデータと、発光トリガ信号Ｓｔｒとを送信してもよい。スペクトル制御部７は、モニタモジュール３０のスペクトル計測器３４によって、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐの波長λとスペクトル線幅Δλとを計測してもよい。
　スペクトル制御部７は、計測された波長λと目標波長λｔとの差δλに基づいて、δλが０に近づくように、狭帯域化モジュール１０の回転ステージ１４にステージ角度制御信号Ｓθを送信してもよい。ステージ角度制御信号Ｓθによって、回転ステージ１４の回転ステージ角度θが制御され得る。その結果、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光Ｌｐの波長λは目標波長λｔに近づき得る。
　ここで、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３とにスペクトル制御関連データＤλｃを送信してもよい。スペクトル制御関連データＤλｃは、例えば、目標波長λｔと、計測された波長λと、スペクトル線幅Δλとを含むデータであってもよい。
（ビーム計測制御）
　ビーム計測制御部８は、ビームプロファイル計測器４３と、ビームポインティング計測器４２と、偏光計測器４１とのそれぞれにおいて計測された画像データを解析して、ビーム計測関連データＤｂを計算してもよい。
　ビーム計測制御部８は、ビームプロファイル計測器４３において計測された画像データに基づいて、例えば、Ｈ方向とＶ方向とのそれぞれのビームプロファイルとして、ビーム幅（Ｂｗｈ，Ｂｗｖ）と、ビーム位置（Ｂｃｈ，Ｂｃｖ）とを計算してもよい。また、ビーム計測制御部８は、ビームポインティング計測器４２において計測された画像データに基づいて、例えば、Ｈ方向とＶ方向とのそれぞれのビームダイバージェンス（Ｂｄｈ，Ｂｄｖ）と、ビームポインティング（Ｂｐｈ，Ｂｐｖ）とを計算してもよい。また、ビーム計測制御部８は、偏光計測器４１において計測された画像データに基づいて、例えば、偏光度Ｐを計算してもよい。
　ビーム計測制御部８は、これらの計算データをビーム計測関連データＤｂとして、レーザ制御部２と、ウエハデータ収集制御部３とに送信してもよい。
（ガス制御）
　ガス制御部９は、ガス制御として、ガス圧制御と部分ガス交換制御とを行ってもよい。レーザ制御部２は、ガス制御部９にガス制御パラメータＰｇｓを送信してもよい。ガス制御パラメータＰｇｓは、ガス圧制御のためのパラメータと部分ガス交換制御のためのパラメータとを含んでいてもよい。ガス圧制御のためのガス制御パラメータＰｇｓは、例えば、充電電圧Ｖと、最大充電電圧Ｖｍａｘと、最小充電電圧Ｖｍｉｎと、ガス圧可変量ΔＰとを含んでいてもよい。部分ガス交換制御のためのガス制御パラメータＰｇｓは、例えば、部分ガス交換周期Ｔｐｇと、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスの注入係数Ｋｐｇと、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ２混合ガスの注入係数Ｋｈｇとを含んでいてもよい。
（ガス圧制御）
　ガス制御部９によるガス圧制御は、以下の性質を利用するガス制御方式であってもよい。レーザガス圧が高くなると、絶縁破壊電圧が上昇して、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥが増加し得る。逆にレーザガス圧が低くなると、絶縁破壊電圧が降下して、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥが低下し得る。
　ガス制御部９は、レーザチャンバ２０内のガス圧Ｐを圧力センサによって計測してもよい。ガス制御部９は、ガス圧Ｐのデータをレーザ制御部２に送信してもよい。
　ガス制御部９は、充電電圧Ｖが最大充電電圧Ｖｍａｘ以上となった場合は、レーザガス供給装置９１を制御して、ガス圧Ｐがガス圧可変量ΔＰだけ増加するように、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ混合ガスを注入してもよい。逆に、ガス制御部９は、充電電圧Ｖが最小充電電圧Ｖｍｉｎ以下となった場合は、レーザガス排気装置９２を制御して、ガス圧Ｐがガス圧可変量ΔＰだけ減少するように、レーザチャンバ２０内のガスを排気してもよい。
（部分ガス交換制御）
　ガス制御部９による部分ガス交換制御は、例えば一定周期で、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ混合ガスとＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスとを所定量注入した後、それらの注入したガスの量だけレーザチャンバ２０内のガスを排気する制御であってもよい。部分ガス交換制御を行うことによって、放電によるＦ2ガスの低下分がレーザチャンバ２０内に補充され得る。
（データ管理）
　レーザ制御部２は、各種データＤｅｔｃと各種パラメータＰｅｔｃのデータとを、定期的、例えば一定時間周期、又は一定ショット数毎に記憶部５１に保存してもよい。各種データＤｅｔｃは、例えば、エネルギ制御関連データＤｅｇ、スペクトル制御関連データＤλｃ、ガス制御関連データＤｇｓ、及びビーム計測関連データＤｂを少なくとも１つ、含んでいてもよい。各種パラメータＰｅｔｃは、各種制御パラメータを少なくとも１つ、含んでいてもよい。
　レーザメーカは、第１の端末１１１からレーザ制御部２の記憶部５１を直接参照して、各種データＤｅｔｃと各種パラメータＰｅｔｃのデータとを取り出してもよい。これらのデータのうち、ユーザに開示してもよいデータをユーザに開示してもよい。
　ウエハデータ収集制御部３は、図２に示すような露光パターンの発光トリガ信号Ｓｔｒを受信して、トリガ時間間隔を計測することによって、露光装置４におけるウエハ露光関連情報を認識するようにしてもよい。ウエハ露光関連情報は、ウエハ識別情報としてのウエハ番号♯ｗと、スキャン識別情報としてのスキャン番号♯ｓと、パルス識別情報としてのパルス番号♯ｐとを含んでいてもよい。
　ウエハデータ収集制御部３は、上記した各種データＤｅｔｃと各種パラメータＰｅｔｃのデータとを、上記したウエハ露光関連情報に関連付けるような計算処理をして、記憶部５２に保存してもよい。
　記憶部５２に保存されたデータは、ウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕとして、ユーザが第２の端末１１２から参照可能であってもよい。
［１．３　課題］
　比較例に係るレーザ装置管理システムでは、レーザ制御部２が取得したデータのうち、ユーザに開示してよいデータのみレーザメーカを介して、ユーザに開示され得る。ユーザに開示されるデータのうち、ウエハ番号♯ｗやスキャン番号＃ｓ等のウエハ露光関連情報は、ウエハデータ収集制御部３において、発光トリガ信号Ｓｔｒのパターンの解析から認識され得る。しかしながら、発光トリガ信号Ｓｔｒのパターンの解析からウエハ番号♯ｗやスキャン番号＃ｓを認識する方法では、調整発振が入ると、誤認識する可能性があり得る。
＜２．第１の実施形態＞（サーバを備えたレーザ装置管理システム）
　次に、本開示の第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムについて説明する。なお、以下では上記比較例に係るレーザ装置管理システムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［２．１　サーバを備えたレーザ装置管理システムの概要］
（２．１．１　構成）
　図４は、本開示の第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムの一構成例を概略的に示している。
　本実施形態に係るレーザ装置管理システムは、レーザ装置１と、第１の端末１１１と、第２の端末１１２と、サーバ１１０とを備えてもよい。
　サーバ１１０は、レーザ装置１と、第１の端末１１１と、第２の端末１１２とのそれぞれに、ＬＡＮ（Local Area Network）やＷＡＮ（Wide Area Network）等のネットワークで接続されてもよい。又は、サーバ１１０は、レーザ装置１内に設置されてもよい。また、サーバ１１０は、半導体工場内に設置されてもよい。
（レーザ装置１の構成）
　レーザ装置１は、上記比較例に係るレーザ装置１０１に対して、以下の点が異なっていてもよい。
　レーザ制御部２の記憶部５１とサーバ１１０との間には、記憶部５１に保存された各種データＤｅｔｃや各種パラメータＰｅｔｃ等をサーバ１１０に送信、格納するための信号ラインが設けられていてもよい。
　ウエハデータ収集制御部３の記憶部５２とサーバ１１０との間には、記憶部５２に保存されたウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕ等をサーバ１１０に送信、格納するための信号ラインが設けられていてもよい。
　ウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕは、互いに対応付けられた、露光装置４におけるウエハ露光関連情報とレーザ装置１におけるレーザ制御関連情報とを含んでいてもよい。ウエハ露光関連情報は、ウエハ識別情報としてのウエハ番号♯ｗと、スキャン識別情報としてのスキャン番号♯ｓと、パルス識別情報としてのパルス番号♯ｐとを含んでいてもよい。ウエハ露光関連情報に対応付けられるレーザ制御関連情報のデータは、例えば、エネルギ制御関連データＤｅｇ、スペクトル制御関連データＤλｃ、ガス制御関連データＤｇｓ、及びビーム計測関連データＤｂ等の各種制御関連データを少なくとも１つ、含んでいてもよい。
　記憶部５２は、ウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕを一時的に記憶してもよい。ウエハ毎データＤｗａは、ウエハ露光を行う際のウエハ単位のデータであってもよい。スキャン毎データＤｓｃは、スキャン露光を行う際のスキャン単位のデータであってもよい。パルス毎データＤｐｕは、スキャン露光を行う際の各パルスレーザ光単位のデータであってもよい。記憶部５２におけるデータ保存期間は、あらかじめ決められたデフォルトの所定の期間であってもよい。また、記憶部５２におけるデータ保存期間は、サーバ１１０を介して第２の端末１１２から設定、変更可能であってもよい。
　サーバ１１０とウエハデータ収集制御部３との間には、記憶部５２におけるデータ保存期間の設定等の設定信号をウエハデータ収集制御部３に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
　露光装置制御部５とレーザ制御部２との間には、ウエハ番号♯ｗと、スキャン番号♯ｓと、パルス番号♯ｐとを含むウエハ露光関連情報のデータをレーザ制御部２に送信する信号ラインが設けられていてもよい。レーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３との間には、ウエハ露光関連情報をレーザ制御部２を介してウエハデータ収集制御部３が受信するための信号ラインが設けられていてもよい。
　ガス制御部９とウエハデータ収集制御部３との間には、ガス制御関連データＤｇｓをウエハデータ収集制御部３に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
　レーザチャンバ２０と出力結合ミラー３５との間の光路上には、スペクトル可変部６０が配置されていてもよい。スペクトル可変部６０は、シリンドリカル凹レンズ６１と、シリンドリカル凸レンズ６２と、リニアステージ６３とを含んでもよい。
　シリンドリカル凹レンズ６１とシリンドリカル凸レンズ６２は、レーザチャンバ２０と出力結合ミラー３５との間の光路上に配置されていてもよい。シリンドリカル凹レンズ６１とシリンドリカル凸レンズ６２とのレンズ間隔Ｄｘは、リニアステージ６３によって変更可能であってもよい。
　スペクトル制御部７とリニアステージ６３との間には、リニアステージ６３のステージ位置Ｘを制御するためのステージ位置制御信号Ｓｘをリニアステージ６３に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
　レーザ制御部２とスペクトル制御部７との間には、スペクトル制御を行うための目標波長λｔと目標スペクトル線幅Δλｔとのデータをスペクトル制御部７に送信する信号ラインが設けられていてもよい。
（サーバ１１０の構成）
　図５は、サーバ１１０のデータ領域とアクセス権限との関係の一例を模式的に示している。
　サーバ１１０には、ウエハ露光及びレーザ制御に関する各種のログデータが格納されてもよい。ログデータには、互いに異なるアクセス権限によって参照可能となるようにアクセス制限された第１の情報、第２の情報、及び第３の情報が含まれてもよい。
　サーバ１１０には、第１の情報を格納する第１のデータ領域１１０Ａと、第２の情報を格納する第２のデータ領域１１０Ｂと、第３の情報を格納する第３のデータ領域１１０Ｃとが設けられていてもよい。
　第１のデータ領域１１０Ａは、第１のアクセス権限によってのみアクセス可能となるようにアクセス制限されていてもよい。第１のアクセス権限は、第１の端末１１１を使用するレーザメーカの権限であってもよい。これにより、第１の情報は第１のアクセス権限を有するレーザメーカのみが参照可能であってもよい。レーザ制御部２は、第１の情報を第１のデータ領域１１０Ａに保存する制御を行ってもよい。第１の情報は、レーザ装置１の制御に関する各種制御パラメータのデータを含んでいてもよい。例えば、後述する図１１に示すように、ショット番号に対応付けられた、エネルギ制御パラメータＰｅｇ、スペクトル制御パラメータＰλｃ、及びガス制御パラメータＰｇｓ等の各種制御パラメータのデータを少なくとも１つ、第１の情報として含んでいてもよい。また、第１の情報は、ショット番号に対応付けられた、エコロジー関連パラメータＰｅｃのデータを含んでいてもよい。また、第１の情報は、パルスレーザ光Ｌｐのショット番号、トータルショット数のデータ、ビーム計測制御パラメータ等のデータを含んでいてもよい。
　第２のデータ領域１１０Ｂは、第２のアクセス権限によってのみアクセス可能となるようにアクセス制限されていてもよい。第２のアクセス権限は、第２の端末１１２を使用するユーザの権限であってもよい。これにより、第２の情報は第２のアクセス権限を有するユーザのみが参照可能であってもよい。ウエハデータ収集制御部３は、第２の情報を第２のデータ領域１１０Ｂに保存する制御を行ってもよい。第２の情報は、後述する図７に示すように、互いに対応付けられたウエハ露光関連情報とレーザ制御関連情報とを含んでいてもよい。ウエハ露光関連情報は、上記したように、例えば、ウエハ番号♯ｗと、スキャン番号♯ｓと、パルス番号♯ｐとを含んでいてもよい。ウエハ露光関連情報に対応付けられるレーザ制御関連情報のデータは、上記したように、例えば、エネルギ制御関連データＤｅｇ、スペクトル制御関連データＤλｃ、ガス制御関連データＤｇｓ、及びビーム計測関連データＤｂ等の各種制御関連データを少なくとも１つ、含んでいてもよい。
　第３のデータ領域１１０Ｃは、第１のアクセス権限及び第２のアクセス権限の双方によってアクセス可能となるようにアクセス制限されていてもよい。これにより、第３の情報は第１のアクセス権限を有するレーザメーカと第２のアクセス権限を有するユーザとの双方が参照可能であってもよい。レーザ制御部２は、第３の情報を第３のデータ領域１１０Ｃに保存する制御を行ってもよい。第３の情報は、レーザ装置１に関するログデータを含んでいてもよい。第３の情報は、互いに対応付けられた、パルスレーザ光Ｌｐのショット番号とレーザ制御関連情報とを、ログデータとして含んでいてもよい。例えば、第３の情報は、後述する図９に示すように、ショット番号に対応付けられた、エネルギ制御関連データＤｅｇ、スペクトル制御関連データＤλｃ、ガス制御関連データＤｇｓ、及びビーム計測関連データＤｂ等の各種制御関連データを少なくとも１つ、含んでいてもよい。また、第３の情報は、ショット番号に対応付けられた、エコロジー関連データＤｅｃを含んでいてもよい。また、第３の情報は、パルスレーザ光Ｌｐのショット番号、トータルショット数のデータを含んでいてもよい。また、第３の情報は、後述する図３４に示すように、エラーログのデータを含んでいてもよい。
　その他の構成は、上記比較例に係るレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
（２．１．２　動作）
（データ管理）
　ウエハデータ収集制御部３は、露光装置制御部５から送信されたウエハ番号♯ｗ、及びスキャン番号♯ｓ等のウエハ露光関連情報に同期して、上記した各種制御関連データを受信してもよい。ウエハデータ収集制御部３は、受信したウエハ露光関連情報と各種制御関連データとを互いに対応付けして、ウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕとして一時的に記憶部５２に保存してもよい。
　ウエハデータ収集制御部３は、一時記憶したウエハ毎データＤｗａ、スキャン毎データＤｓｃ、及びパルス毎データＤｐｕを第２の情報として、ユーザのみが参照可能なサーバ１１０の第２のデータ領域１１０Ｂに書き込んでもよい。
　レーザ制御部２は、エネルギ制御関連データＤｅｇと、スペクトル制御関連データＤλｃと、ガス制御関連データＤｇｓと、ビーム計測関連データＤｂと、エコロジー関連データＤｅｃと、エラーログとを、定期的、例えば、一定時間周期、又は、一定ショット数毎に記憶部５１に保存してもよい。レーザ制御部２は、記憶部５１に保存したそれらのデータを、定期的、例えば、一定時間周期、又は、一定ショット数毎に、第３の情報として、ユーザとレーザメーカとの双方が参照可能なサーバ１１０の第３のデータ領域１１０Ｃに書き込んでもよい。
　また、レーザ制御部２は、ビーム計測制御パラメータ、エネルギ制御パラメータＰｅｇ、スペクトル制御パラメータＰλｃ、及びガス制御パラメータＰｇｓ、並びにエコロジー関連パラメータＰｅｃのデータを、定期的、例えば、一定時間周期、又は、一定ショット数毎に記憶部５１に保存してもよい。レーザ制御部２は、記憶部５１に保存したそれらのパラメータのデータを、定期的、例えば、一定時間周期、又は、一定ショット数毎に、第１の情報として、レーザメーカのみが参照可能なサーバ１１０の第１のデータ領域１１０Ａに書き込んでもよい。
（スペクトル線幅制御）
　レーザ制御部２は、スペクトル制御部７に、目標スペクトル線幅Δλｔのデータと、発光トリガ信号Ｓｔｒとを送信してもよい。スペクトル制御部７は、モニタモジュール３０のスペクトル計測器３４によって、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐのスペクトル線幅Δλを計測してもよい。
　スペクトル制御部７は、計測されたスペクトル線幅Δλと目標スペクトル線幅Δλｔとの差ΔΔλに基づいて、ΔΔλが０に近づくように、スペクトル可変部６０のリニアステージ６３にステージ位置制御信号Ｓｘを送信してもよい。ステージ位置制御信号Ｓｘによって、リニアステージ６３のステージ位置Ｘが制御され得る。その結果、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光Ｌｐのスペクトル線幅Δλは目標スペクトル線幅Δλｔに近づき得る。
　ここで、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２とウエハデータ収集制御部３とに、目標スペクトル線幅Δλｔと、計測されたスペクトル線幅Δλとを含むスペクトル制御関連データＤλｃを送信してもよい。
（ガス制御）
　ガス制御部９は、ウエハデータ収集制御部３とレーザ制御部２との双方に、ガス制御関連データＤｇｓを送信してもよい。ガス制御部９は、例えば、ウエハデータ収集制御部３に、ガス制御関連データＤｇｓとして、レーザチャンバ２０のガス圧Ｐのデータを送信してもよい。
（第２のデータ領域１１０Ｂへのデータの書き込み制御）
　図６は、ウエハデータ収集制御部３による第２のデータ領域１１０Ｂへのデータの書き込み制御の流れの一例を示すフローチャートである。
　ウエハデータ収集制御部３は、図２に示したようなウエハ露光毎のバースト期間の先頭を検出してもよい。バースト期間の先頭の検出は、スキャンの先頭を検出したか否かを判断することによって行ってもよい（ステップＳ１０１）。例えば、ウエハデータ収集制御部３は、レーザ制御部２を介して露光装置制御部５から最初のスキャン番号（Ｓｃａｎ＃１）を受信することによってスキャンの先頭を検出してもよい。また、ウエハデータ収集制御部３は、発振休止期間を計測して、所定期間以上、例えば０．１ｓ以上の発振休止期間後の先頭パルスを検出することによって、バースト期間の先頭を検出してもよい。
　ウエハデータ収集制御部３は、スキャンの先頭を検出していないと判断した場合（ステップＳ１０１；Ｎ）には、ステップＳ１０１の処理を繰り返してもよい。
　一方、スキャンの先頭を検出したと判断した場合（ステップＳ１０１；Ｙ）には、ウエハデータ収集制御部３は、次に、レーザ制御部２を介して露光装置制御部５から受信したウエハ番号♯ｗと、スキャン番号♯ｓと、パルス番号♯ｐとの読み込みを行ってもよい（ステップＳ１０２）。
　次に、ウエハデータ収集制御部３は、ステップＳ１０３～Ｓ１０６の処理を、少なくとも１つ行ってもよい。ウエハデータ収集制御部３は、ステップＳ１０３の処理として、ビーム計測関連データＤｂの収集と解析を行ってもよい。ウエハデータ収集制御部３は、ステップＳ１０４の処理として、エネルギ制御関連データＤｅｇの収集と解析を行ってもよい。ウエハデータ収集制御部３は、ステップＳ１０５の処理として、スペクトル制御関連データＤλｃの収集と解析を行ってもよい。ウエハデータ収集制御部３は、ステップＳ１０６の処理として、ガス制御関連データＤｇｓの収集と解析を行ってもよい。
　次に、ウエハデータ収集制御部３は、バースト期間の終了を検出してもよい。バースト期間の終了の検出は、スキャンの終了を検出したか否かを判断することによって行ってもよい（ステップＳ１０７）。例えば、ウエハデータ収集制御部３は、露光装置制御部５から有効なスキャン番号が送信されなくなった場合にスキャンの終了を検出してもよい。また、ウエハデータ収集制御部３は、発振休止期間を計測して、所定期間以上、例えば０．１ｓ以上の発振休止期間を検出することによって、バースト期間の終了を検出してもよい。
　ウエハデータ収集制御部３は、スキャンの終了を検出していないと判断した場合（ステップＳ１０７；Ｎ）には、ステップＳ１０７の処理を繰り返してもよい。
　一方、スキャンの終了を検出したと判断した場合（ステップＳ１０７；Ｙ）には、ウエハデータ収集制御部３は、収集、解析したデータを、ユーザのみが参照可能なサーバ１１０の第２のデータ領域１１０Ｂに書き込んでもよい（ステップＳ１０８）。ウエハデータ収集制御部３が収集、解析したデータには、ウエハ番号♯ｗと、スキャン番号♯ｓと、パルス番号♯ｐとが含まれていてもよい。ウエハデータ収集制御部３が収集、解析したデータには、パルス毎の、ビーム計測関連データＤｂ、エネルギ制御関連データＤｅｇ、スペクトル制御関連データＤλｃ、及びガス制御関連データＤｇｓが含まれていてもよい。ここで、図７に、サーバ１１０の第２のデータ領域１１０Ｂに書き込まれたデータの一例を示す。
　次に、ウエハデータ収集制御部３は、データの収集を中止するか否かを判断してもよい（ステップＳ１０９）。ウエハデータ収集制御部３は、データの収集を中止しないと判断した場合（ステップＳ１０９；Ｎ）には、ステップＳ１０１の処理に戻ってもよい。一方、データの収集を中止すると判断した場合（ステップＳ１０９；Ｙ）には、ウエハデータ収集制御部３は、データの収集の処理を終了してもよい。
（第３のデータ領域１１０Ｃへのデータの書き込み制御）
　図８は、レーザ制御部２による第３のデータ領域１１０Ｃへのデータの書き込み制御の流れの一例を示すフローチャートである。
　レーザ制御部２は、パルス数のカウンタ値Ｎの初期値を０に設定してもよい（ステップＳ２０１）。次に、レーザ制御部２は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ２０２）。レーザ制御部２は、例えば、露光制御装置５からの発光トリガ信号Ｓｔｒに基づいて、レーザ発振したか否かを判断してもよい。
　レーザ制御部２は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ２０２；Ｎ）には、ステップＳ２０２の処理を繰り返してもよい。
　一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ２０２；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、パルス数のカウンタ値ＮをＮ＋１に設定してもよい（ステップＳ２０３）。
　次に、レーザ制御部２は、パルス数のカウンタ値Ｎが、所定のショット数Ｎｉに達したか否かを判断してもよい（ステップＳ２０４）。ここで、所定のショット数Ｎｉは、例えば、パルス数の値として１００００００や、６００００００であってもよい。レーザ制御部２は、所定のショット数Ｎｉに達していないと判断した場合（ステップＳ２０４；Ｎ）には、ステップＳ２０２の処理に戻ってもよい。
　一方、所定のショット数Ｎｉに達したと判断した場合（ステップＳ２０４；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、ステップＳ２０５～Ｓ２０９の処理を、少なくとも１つ行ってもよい。
　レーザ制御部２は、ステップＳ２０５の処理として、エコロジー関連データＤｅｃの収集と解析を行ってもよい。レーザ制御部２は、ステップＳ２０６の処理として、ビーム計測関連データＤｂの収集と解析を行ってもよい。レーザ制御部２は、ステップＳ２０７の処理として、エネルギ制御関連データＤｅｇの収集と解析を行ってもよい。レーザ制御部２は、ステップＳ２０８の処理として、スペクトル制御関連データＤλｃの収集と解析を行ってもよい。レーザ制御部２は、ステップＳ２０９の処理として、ガス制御関連データＤｇｓの収集と解析を行ってもよい。
　次に、レーザ制御部２は、トータルショット数のデータの読み込みを行ってもよい（ステップＳ２１０）。ここで、トータルショット数は、レーザ装置１が設置されてからのトータルのショット数であってもよい。レーザ装置１は、トータルのショット数をカウントするためのカウンタを備えていてもよい。
　次に、レーザ制御部２は、収集、解析したデータを、ユーザとレーザメーカとの双方が参照可能なサーバ１１０の第３のデータ領域１１０Ｃに書き込んでもよい（ステップＳ２１１）。レーザ制御部２が収集、解析したデータには、トータルショット数のデータが含まれていてもよい。さらに、レーザ制御部２が収集、解析したデータには、互いに対応付けられた、パルスレーザ光Ｌｐのショット番号とレーザ制御関連情報とが含まれていてもよい。例えば、ショット毎の、ビーム計測関連データＤｂ、エネルギ制御関連データＤｅｇ、スペクトル制御関連データＤλｃ、及びガス制御関連データＤｇｓが含まれていてもよい。ここで、図９に、サーバ１１０の第３のデータ領域１１０Ｃに書き込まれたデータの一例を示す。図７のデータ例と比較して分かるように、第３のデータ領域１１０Ｃに書き込まれるデータには、ウエハ番号♯ｗやスキャン番号♯ｓ等のウエハ露光関連情報は含まれていなくともよい。
　次に、レーザ制御部２は、データの収集を中止するか否かを判断してもよい（ステップＳ２１２）。レーザ制御部２は、データの収集を中止しないと判断した場合（ステップＳ２１２；Ｎ）には、ステップＳ１０１の処理に戻ってもよい。一方、データの収集を中止すると判断した場合（ステップＳ２１２；Ｙ）には、レーザ制御部２は、データの収集の処理を終了してもよい。
（第１のデータ領域１１０Ａへのデータの書き込み制御）
　図１０は、レーザ制御部２による第１のデータ領域１１０Ａへのデータの書き込み制御の流れの一例を示すフローチャートである。
　レーザ制御部２は、パルス数のカウンタ値Ｎの初期値を０に設定してもよい（ステップＳ３０１）。次に、レーザ制御部２は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ３０２）。レーザ制御部２は、例えば、露光制御装置５からの発光トリガ信号Ｓｔｒに基づいて、レーザ発振したか否かを判断してもよい。
　レーザ制御部２は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ３０２；Ｎ）には、ステップＳ３０２の処理を繰り返してもよい。
　一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ３０２；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、パルス数のカウンタ値ＮをＮ＋１に設定してもよい（ステップＳ３０３）。
　次に、レーザ制御部２は、パルス数のカウンタ値Ｎが、所定のショット数Ｎｉに達したか否かを判断してもよい（ステップＳ３０４）。ここで、所定のショット数Ｎｉは、例えば、パルス数の値として１００００００や、６００００００であってもよい。レーザ制御部２は、所定のショット数Ｎｉに達していないと判断した場合（ステップＳ３０４；Ｎ）には、ステップＳ３０２の処理に戻ってもよい。
　一方、所定のショット数Ｎｉに達したと判断した場合（ステップＳ３０４；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、トータルショット数のデータの読み込みを行ってもよい（ステップＳ３０５）。ここで、トータルショット数は、レーザ装置１が設置されてからのトータルのショット数であってもよい。レーザ装置１は、トータルのショット数をカウントするためのカウンタを備えていてもよい。
　次に、レーザ制御部２は、トータルショット数のデータと、各種パラメータとを、レーザメーカのみが参照可能なサーバ１１０の第１のデータ領域１１０Ａに書き込んでもよい（ステップＳ３０６）。第１のデータ領域１１０Ａに書き込む各種パラメータには、例えば、ショット毎の、ビーム計測制御パラメータ、エネルギ制御パラメータＰｅｇ、スペクトル制御パラメータＰλｃ、及びガス制御パラメータＰｇｓ、並びにエコロジー関連パラメータＰｅｃが含まれていてもよい。ここで、図１１に、サーバ１１０の第１のデータ領域１１０Ａに書き込まれたデータの一例を示す。
　次に、レーザ制御部２は、データの収集を中止するか否かを判断してもよい（ステップＳ３０７）。レーザ制御部２は、データの収集を中止しないと判断した場合（ステップＳ３０７；Ｎ）には、ステップＳ３０１の処理に戻ってもよい。一方、データの収集を中止すると判断した場合（ステップＳ３０７；Ｙ）には、レーザ制御部２は、データの収集の処理を終了してもよい。
　その他の動作は、上記比較例に係るレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
（２．１．３　作用・効果）
　本実施形態のレーザ装置管理システムによれば、レーザ装置１の内部、又は半導体工場内に配置されたサーバ１１０に、ユーザのみが参照可能な第２のデータ領域１１０Ｂが設けられ、その第２のデータ領域１１０Ｂにウエハ番号♯ｗやスキャン番号♯ｓ等に関連するデータが書き込まれ得る。この場合において、ウエハ番号♯ｗやスキャン番号♯ｓ等のウエハ露光関連情報は、ウエハデータ収集制御部３において発光トリガ信号Ｓｔｒのパターンを解析することなく、露光装置制御部５から取得され得る。このため、調整発振があったとしても、発光トリガ信号Ｓｔｒのパターンを解析してスキャン番号♯ｓ等を認識する場合に比べて、スキャン番号♯ｓ等を誤認識する可能性が低下し得る。
　また、サーバ１１０にユーザとレーザメーカとの双方が参照可能な第３のデータ領域１１０Ｃを設け、その第３のデータ領域１１０Ｃに、ウエハ番号♯ｗやスキャン番号♯ｓ等に関連付けせずに各種制御関連データ等を書き込むようにしたので、ユーザとレーザメーカとの双方が必要とするデータを容易に取得し得る。
　また、サーバ１１０にレーザメーカのみが参照可能な第１のデータ領域１１０Ａを設け、その第１のデータ領域１１０Ａに、ウエハ番号♯ｗやスキャン番号♯ｓ等に関連付けせずに各種パラメータ等のデータを書き込むようにしたので、レーザメーカが必要とするデータのみを容易に取得し得る。
［２．２　ビーム計測システム］
（２．２．１　構成）
　図１２は、レーザ装置管理システムにおけるビーム計測に関わる部分の一構成例を概略的に示している。
　ビーム計測器４０は、偏光計測器４１と、ビームポインティング計測器４２と、ビームプロファイル計測器４３と、ビームサンプル部４５とを含んでいてもよい。
　ビームサンプル部４５は、ビームスプリッタ４４を含んでいてもよい。ビームスプリッタ４４は、Ｐ偏光とＳ偏光との反射率が略一致するように多層膜のコーティングがされていてもよい。
　ビームプロファイル計測器４３は、イメージセンサ４３１と、ビームスプリッタ４３２と、転写光学系４３３とを含んでいてもよい。
　ビームスプリッタ４３２は、Ｐ偏光とＳ偏光との反射率が略一致するように多層膜のコーティングがされていてもよい。転写光学系４３３は、倍率Ｍの、組レンズであってもよい。イメージセンサ４３１の受光面は、ビームがＭ倍に転写される位置に配置されていてもよい。
　ビームポインティング計測器４２は、イメージセンサ４２１と、ビームスプリッタ４２２と、集光光学系４２３とを含んでいてもよい。
　ビームスプリッタ４２２は、Ｐ偏光とＳ偏光との反射率が略一致するように多層膜のコーティングがされていてもよい。集光光学系４２３は、焦点距離ｆの凸レンズであってもよい。イメージセンサ４２１の受光面は、集光光学系４２３の焦点面に配置されていてもよい。
　偏光計測器４１は、イメージセンサ４１１と、高反射ミラー４１２と、集光光学系４１３と、ローションプリズム４１４とを含んでいてもよい。
　高反射ミラー４１２は、Ｐ偏光とＳ偏光との反射率が略一致するように多層膜のコーティングがされていてもよい。ローションプリズム４１４は、ＭｇＦ2結晶を含むプリズムであって、高反射ミラー４１２と集光光学系４１３との間の光路上に配置されてもよい。集光光学系４１３は、焦点距離ｆの凸レンズであってもよい。イメージセンサ４１１の受光面は、集光光学系４１３の焦点面に配置されていてもよい。
（２．２．２　動作）
　ビーム計測制御部８は、露光装置制御部５からの発光トリガ信号Ｓｔｒをレーザ制御部２を介して受信してもよい。この発光トリガ信号Ｓｔｒに基づいて、イメージセンサ４１１，４２１，４３１にシャッタ信号Ｓｈｔを送信して、イメージセンサ４１１，４２１，４３１からの画像データを受信してもよい。
　ビーム計測制御部８は、ビームプロファイル計測器４３におけるイメージセンサ４３１の画像データと転写光学系４３３の倍率Ｍとに基づいて、ビームプロファイルを計算してもよい。ビーム計測制御部８は、例えば、Ｈ方向とＶ方向とのそれぞれのビームプロファイルとして、ビーム幅（Ｂｗｈ，Ｂｗｖ）と、ビーム位置（Ｂｃｈ，Ｂｃｖ）とを計算してもよい。
　また、ビーム計測制御部８は、ビームポインティング計測器４２におけるイメージセンサ４２１の画像データと集光光学系４２３の焦点距離ｆに基づいて、例えば、Ｈ方向とＶ方向とのそれぞれのビームダイバージェンス（Ｂｄｈ，Ｂｄｖ）と、ビームポインティング（Ｂｐｈ，Ｂｐｖ）とを計算してもよい。
　また、ビーム計測制御部８は、偏光計測器４１におけるイメージセンサ４１１の画像データに基づいて、例えば、偏光度Ｐを計算してもよい。
　ビーム計測制御部８は、これらの計算データをビーム計測関連データＤｂとして、レーザ制御部２と、ウエハデータ収集制御部３とに送信してもよい。
　図１３は、ビーム計測制御部８のビーム計測に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
　ビーム計測制御部８は、図２に示したようなウエハ露光毎のバースト期間の先頭を検出したか否かを判断してもよい（ステップＳ４０１）。ビーム計測制御部８は、バースト期間の先頭を検出していないと判断した場合（ステップＳ４０１；Ｎ）には、ステップＳ４０１の処理を繰り返してもよい。
　一方、バースト期間の先頭を検出したと判断した場合（ステップＳ４０１；Ｙ）には、ビーム計測制御部８は、次に、ビーム計測器４０における各イメージセンサ４１１，４２１，４３１からの画像データを取得し、図示しない記憶部に記憶してもよい（ステップＳ４０２）。
　次に、ビーム計測制御部８は、ビームプロファイル計測器４３のイメージセンサ４３１からの画像データの読み出しと、ビームプロファイルデータの計算及び出力とを行ってももよい（ステップＳ４０３）。
　次に、ビーム計測制御部８は、ビームポインティング計測器４２のイメージセンサ４２１からの画像データの読み出しと、ビームポインティングデータの計算及び出力とを行ってももよい（ステップＳ４０４）。
　次に、ビーム計測制御部８は、偏光計測器４１のイメージセンサ４１１からの画像データの読み出しと、偏光データの計算及び出力とを行ってももよい（ステップＳ４０５）。
　次に、ビーム計測制御部８は、バースト期間の終了を検出したか否かを判断してもよい（ステップＳ４０６）。ビーム計測制御部８は、バースト期間の終了を検出していないと判断した場合（ステップＳ４０６；Ｎ）には、ステップＳ４０２の処理に戻ってもよい。
　一方、バースト期間の終了を検出したと判断した場合（ステップＳ４０６；Ｙ）には、ビーム計測制御部８は、次に、ビーム計測を中止するか否かを判断してもよい（ステップＳ４０７）。
　ビーム計測制御部８は、ビーム計測を中止しないと判断した場合（ステップＳ４０７；Ｎ）には、ステップＳ４０１の処理に戻ってもよい。一方、ビーム計測を中止すると判断した場合（ステップＳ４０７；Ｙ）には、ビーム計測制御部８は、ビーム計測の処理を終了してもよい。
　図１４は、図１３に示したフローチャートにおけるステップＳ４０３の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
　ビーム計測制御部８は、図示しない記憶部から、ビームプロファイル計測器４３のイメージセンサ４３１の画像データにおける各ピクセルデータを読み出してもよい（ステップＳ４１１）。次に、ビーム計測制御部８は、各ピクセルデータに基づいて、ビームプロファイルデータとして、Ｈ方向のビーム幅Ｂｗｈと、Ｖ方向のビーム幅Ｂｗｖと、Ｈ方向のビーム位置Ｂｃｈと、Ｖ方向のビーム位置Ｂｃｖとを計算してもよい（ステップＳ４１２）。
　次に、ビーム計測制御部８は、計算したビームプロファイルデータを、レーザ制御部２と、ウエハデータ収集制御部３とに送信してもよい（ステップＳ４１３）。その後、図１３のステップＳ４０４の処理を行ってもよい。
　図１５は、ビーム計測制御部８によるビームプロファイルの計算方法の一例を概略的に示している。図１５には、イメージセンサ４３１で取得された画像データを模式的に示す。
　ビームのピーク強度に対しＶ方向において光強度が１／ｅ2となる位置をＶ１，Ｖ２とした場合、Ｈ方向のビーム位置Ｂｃｈは、ビームにおけるＶ方向の中心位置として、Ｂｃｖ＝（Ｖ１＋Ｖ２）／（２Ｍ）と計算され得る。
　また、ビームのピーク強度に対し、Ｈ方向において光強度が１／ｅ2となる位置をＨ１，Ｈ２とした場合、Ｖ方向のビーム位置Ｂｃｖは、ビームにおけるＨ方向の中心位置として、Ｂｃｈ＝（Ｈ１＋Ｈ２）／（２Ｍ）と計算され得る。
　なお、ビーム計測制御部８は、ビームプロファイルの中心位置（Ｂｃｈ，Ｂｃｖ）を、画像データの重心の位置から求めてもよい。また、ビーム計測制御部８は、ビーム幅（Ｂｗｈ，Ｂｗｖ）を、ピーク値に対して光強度が一定の割合、例えば５％～１０％となる領域の幅として算出してもよい。
　図１６は、図１３に示したフローチャートにおけるステップＳ４０４の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
　ビーム計測制御部８は、図示しない記憶部から、ビームポインティング計測器４２のイメージセンサ４２１の画像データにおける各ピクセルデータを読み出してもよい（ステップＳ４２１）。次に、ビーム計測制御部８は、Ｈ方向の集光幅Ｗｈと、Ｖ方向の集光幅Ｗｖと、Ｈ方向の集光位置Ｐｐｈと、Ｖ方向の集光位置Ｐｐｖとを計算してもよい（ステップＳ４２２）。なお、集光幅、及び集光位置は、ビームポインティング計測器４２の集光光学系４２３によるビームの集光幅、及び集光位置であってもよい。
　次に、ビーム計測制御部８は、Ｈ方向とＶ方向とのそれぞれのビームダイバージェンス（Ｂｄｈ，Ｂｄｖ）と、ビームポインティング（Ｂｐｈ，Ｂｐｖ）とを以下のように、計算してもよい（ステップＳ４２３）。
　Ｈ方向のビームダイバージェンスＢｄｈ＝ｆ・Ｗｈ、
　Ｖ方向のビームダイバージェンスＢｄｖ＝ｆ・Ｗｖ、
　Ｈ方向のポインティングＢｐｈ＝ｆ・Ｐｐｈ、
　Ｖ方向のポインティングＢｐｖ＝ｆ・Ｐｐｖ
　ただし、ｆは、ビームポインティング計測器４２の集光光学系４２３の焦点距離であってもよい。
　次に、ビーム計測制御部８は、計算したビームポインティングデータを、レーザ制御部２と、ウエハデータ収集制御部３とに送信してもよい（ステップＳ４２４）。その後、図１３のステップＳ４０５の処理を行ってもよい。
　図１７は、ビーム計測制御部８によるビームポインティングの計算方法の一例を概略的に示している。図１７には、イメージセンサ４２１で取得された画像データを模式的に示す。
　ビーム計測制御部８は、Ｈ方向及びＶ方向におけるポインティング（Ｂｐｈ、Ｂｐｖ）を、イメージセンサ４２１で取得された画像データに基づいて、ビームの重心の位置を算出することにより計算してもよい。また、ビーム計測制御部８は、Ｈ方向及びＶ方向におけるビームダイバージェンス（Ｂｄｈ、Ｂｄｖ）を、ピーク値に対して光強度が一定の割合、例えば、１／ｅ2となる領域の幅として計算してもよい。また、ビーム計測制御部８は、ビームダイバージェンス（Ｂｄｈ、Ｂｄｖ）を、ピーク値に対して光強度が一定の割合、例えば５％～１０％となる領域の幅として算出してもよい。
　図１８は、図１３に示したフローチャートにおけるステップＳ４０５の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
　ビーム計測制御部８は、図示しない記憶部から、偏光計測器４１のイメージセンサ４１１の画像データにおける各ピクセルデータを読み出してもよい（ステップＳ４３１）。次に、ビーム計測制御部８は、Ｖ方向の偏光成分のピーク強度Ｐｖと、Ｈ方向の偏光成分のピーク強度Ｐｈとを計算してもよい（ステップＳ４３２）。
　次に、ビーム計測制御部８は、偏光度Ｐを以下のように、計算してもよい（ステップＳ４３３）
　Ｐ＝（Ｐｈ－Ｐｖ）／（Ｐｈ＋Ｐｖ）
　次に、ビーム計測制御部８は、計算した偏光度Ｐを示す偏光データを、レーザ制御部２と、ウエハデータ収集制御部３とに送信してもよい（ステップＳ４３４）。その後、図１３のステップＳ４０６の処理を行ってもよい。
　図１９は、偏光成分のピーク強度Ｐｖ，Ｐｈの一例を概略的に示している。図１９には、イメージセンサ４１１で取得された画像データを模式的に示す。
　なお、Ｖ方向の偏光成分における光強度を積分した値、及びＨ方向の偏光成分における光強度を積分した値をピーク強度Ｐｖ，Ｐｈとして求めてもよい。
［２．３　エネルギ制御システム］
　図２０は、レーザ装置管理システムにおけるエネルギ制御に関わる部分の一構成例を概略的に示している。図２１は、エネルギ制御部６のエネルギ制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
　エネルギ制御部６は、エネルギ制御パラメータＰｅｇの設定と読み込みとを行ってもよい（ステップＳ５０１）。ここで、エネルギ制御部６は、充電電圧Ｖの初期値をＶ＝Ｖ０に設定してもよい。また、エネルギ制御部６は、レーザ制御部２を介してパルスエネルギ係数Ｖｋの読み込みを行ってもよい。
　次に、エネルギ制御部６は、レーザ制御部２を介して、露光装置制御部５からの目標パルスエネルギＥｔの読み込みを行ってもよい（ステップＳ５０２）。
　次に、エネルギ制御部６は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ５０３）。エネルギ制御部６は、例えば、露光制御装置５からの発光トリガ信号Ｓｔｒに基づいて、レーザ発振したか否かを判断してもよい。又は、エネルギ制御部６は、例えば、パルスエネルギ計測器３３で検出されたパルスエネルギＥに基づいて、レーザ発振したか否かを判断してもよい。
　エネルギ制御部６は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ５０３；Ｎ）には、ステップＳ５０３の処理を繰り返してもよい。
　一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ５０３；Ｙ）には、エネルギ制御部６は、次に、パルスエネルギ計測器３３によってパルスエネルギＥの計測を行ってもよい（ステップＳ５０４）。
　次に、エネルギ制御部６は、ウエハデータ収集制御部３とレーザ制御部２とに、計測されたパルスエネルギＥと充電電圧Ｖとのデータを送信してもよい（ステップＳ５０５）。
　次に、エネルギ制御部６は、計測されたパルスエネルギＥと目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥ（＝Ｅ－Ｅｔ）の計算をしてもよい（ステップＳ５０６）。
　次に、エネルギ制御部６は、ΔＥに基づいて、以下の式のように、次の充電電圧Ｖを計算してもよい（ステップＳ５０７）。パルスエネルギ係数Ｖｋは、ΔＥを充電電圧Ｖの変化量に変換する比例係数であってもよい。
　Ｖ＝Ｖ＋Ｖｋ・ΔＥ
　次に、エネルギ制御部６は、計算した充電電圧Ｖを示す充電電圧データＤｖを充電器９０に送信することにより、充電器９０に充電電圧Ｖを設定してもよい（ステップＳ５０８）。
　次に、エネルギ制御部６は、目標パルスエネルギＥｔを変更するか否かを判断してもよい（ステップＳ５０９）。エネルギ制御部６は、目標パルスエネルギＥｔを変更すると判断した場合（ステップＳ５０９；Ｙ）には、ステップＳ５０２の処理に戻ってもよい。
　一方、目標パルスエネルギＥｔを変更しないと判断した場合（ステップＳ５０９；Ｎ）には、エネルギ制御部６は、次に、エネルギ制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ５１０）。
　エネルギ制御部６は、エネルギ制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ５１０；Ｎ）には、ステップＳ５０３の処理に戻ってもよい。一方、エネルギ制御を終了すると判断した場合（ステップＳ５１０；Ｙ）には、エネルギ制御部６は、エネルギ制御の処理を終了してもよい。
［２．４　スペクトル制御システム］
（２．４．１　構成）
　図２２は、レーザ装置管理システムにおけるスペクトル制御に関わる部分の一構成例を概略的に示している。図２３及び図２４は、狭帯域化モジュール１０及びスペクトル可変部６０の一構成例を概略的に示している。なお、図２３はＶ方向から見た構成例、図２４はＨ方向から見た構成例を示している。
　スペクトル可変部６０のシリンドリカル凹レンズ６１は、シリンドリカル平凹レンズであってもよい。シリンドリカル凸レンズ６２は、シリンドリカル平凸レンズであってもよい。シリンドリカル凸レンズ６２における出力結合ミラー３５側のレンズ面には、部分反射膜（ＰＲ膜）６４が設けられていてもよい。
　シリンドリカル凹レンズ６１は、ホルダ６６によって保持されていてもよい。シリンドリカル凸レンズ６２は、ホルダ６５によって保持されていてもよい。リニアステージ６３は、ホルダ６６を介してシリンドリカル凹レンズ６１に取り付けられていてもよい。
（２．４．２　動作）
　図２５は、スペクトル制御部７の波長制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
　スペクトル制御部７は、波長制御のためのスペクトル制御パラメータＰλｃの設定と読み込みとを行ってもよい（ステップＳ６０１）。ここで、スペクトル制御部７は、狭帯域化モジュール１０の回転ステージ１４の回転ステージ角度θの初期値をθ＝θ０に設定してもよい。また、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２を介して波長係数λｋの読み込みを行ってもよい。
　次に、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２を介して、露光装置制御部５からの目標波長λｔの読み込みを行ってもよい（ステップＳ６０２）。
　次に、スペクトル制御部７は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ６０３）。スペクトル制御部７は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ６０３；Ｎ）には、ステップＳ６０３の処理を繰り返してもよい。
　一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ６０３；Ｙ）には、スペクトル制御部７は、次に、スペクトル計測器３４によって波長λの計測を行ってもよい（ステップＳ６０４）。
　次に、スペクトル制御部７は、ウエハデータ収集制御部３とレーザ制御部２とに、計測された波長λのデータを送信してもよい（ステップＳ６０５）。
　次に、スペクトル制御部７は、計測された波長λと目標波長λｔとの差δλ（＝λ－λｔ）の計算をしてもよい（ステップＳ６０６）。
　次に、スペクトル制御部７は、δλに基づいて、以下の式のように、次の回転ステージ角度θを計算してもよい（ステップＳ６０７）。波長係数λｋは、δλを回転ステージ角度θの変化量に変換する比例係数であってもよい。
　θ＝θ＋λｋ・δλ
　次に、スペクトル制御部７は、回転ステージ角度がθとなるように、ステージ角度制御信号Ｓθを、狭帯域化モジュール１０の回転ステージ１４に送信してもよい（ステップＳ６０８）。
　次に、スペクトル制御部７は、目標波長λｔを変更するか否かを判断してもよい（ステップＳ６０９）。スペクトル制御部７は、目標波長λｔを変更すると判断した場合（ステップＳ６０９；Ｙ）には、ステップＳ６０２の処理に戻ってもよい。
　一方、目標波長λｔを変更しないと判断した場合（ステップＳ６０９；Ｎ）には、スペクトル制御部７は、次に、波長制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ６１０）。
　スペクトル制御部７は、波長制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ６１０；Ｎ）には、ステップＳ６０３の処理に戻ってもよい。一方、波長制御を終了すると判断した場合（ステップＳ６１０；Ｙ）には、スペクトル制御部７は、波長制御の処理を終了してもよい。
　図２６は、スペクトル制御部７のスペクトル線幅制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
　スペクトル制御部７は、スペクトル線幅制御のためのスペクトル制御パラメータＰλｃの設定と読み込みとを行ってもよい（ステップＳ６１１）。ここで、スペクトル制御部７は、スペクトル可変部６０のリニアステージ６３の位置Ｘの初期値をＸ＝Ｘ０に設定してもよい。また、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２を介してスペクトル線幅係数Δλｋの読み込みを行ってもよい。
　次に、スペクトル制御部７は、レーザ制御部２を介して、露光装置制御部５からの目標スペクトル線幅Δλｔの読み込みを行ってもよい（ステップＳ６１２）。
　次に、スペクトル制御部７は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ６１３）。スペクトル制御部７は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ６１３；Ｎ）には、ステップＳ６１３の処理を繰り返してもよい。
　一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ６１３；Ｙ）には、スペクトル制御部７は、次に、スペクトル計測器３４によってスペクトル線幅Δλの計測を行ってもよい（ステップＳ６１４）。
　次に、スペクトル制御部７は、ウエハデータ収集制御部３とレーザ制御部２とに、計測されたスペクトル線幅Δλのデータを送信してもよい（ステップＳ６１５）。
　次に、スペクトル制御部７は、計測されたスペクトル線幅Δλと目標スペクトル線幅Δλｔとの差ΔΔλ（＝Δλ－Δλｔ）の計算をしてもよい（ステップＳ６１６）。
　次に、スペクトル制御部７は、Δλに基づいて、以下の式のように、次のリニアステージ６３の位置Ｘを計算してもよい（ステップＳ６１７）。スペクトル線幅係数Δλｋは、Δλを位置Ｘの変化量に変換する比例係数であってもよい。
　Ｘ＝Ｘ＋Δλｋ・Δλ
　次に、スペクトル制御部７は、リニアステージ６３の位置がＸとなるように、ステージ位置制御信号Ｓｘを、スペクトル可変部６０のリニアステージ６３に送信してもよい（ステップＳ６１８）。
　次に、スペクトル制御部７は、目標スペクトル線幅Δλｔを変更するか否かを判断してもよい（ステップＳ６１９）。スペクトル制御部７は、目標スペクトル線幅Δλｔを変更すると判断した場合（ステップＳ６１９；Ｙ）には、ステップＳ６１２の処理に戻ってもよい。
　一方、目標スペクトル線幅Δλｔを変更しないと判断した場合（ステップＳ６１９；Ｎ）には、スペクトル制御部７は、次に、スペクトル線幅制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ６２０）。
　スペクトル制御部７は、スペクトル線幅制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ６２０；Ｎ）には、ステップＳ６１３の処理に戻ってもよい。一方、スペクトル線幅制御を終了すると判断した場合（ステップＳ６２０；Ｙ）には、スペクトル制御部７は、スペクトル線幅制御の処理を終了してもよい。
［２．５　ガス制御システム］
　図２７は、レーザ装置管理システムにおけるガス制御に関わる部分の一構成例を概略的に示している。図２８は、レーザ装置管理システムにおけるガス制御部９のガス圧制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
（ガス圧制御）
　ガス制御部９は、ガス圧制御のためのガス制御パラメータＰｇｓの読み込みを行ってもよい（ステップＳ７０１）。ここで、ガス制御部９は、ガス圧制御のためのガス制御パラメータＰｇｓとして、レーザ制御部２を介して、最小充電電圧Ｖｍｉｎと、最大充電電圧Ｖｍａｘと、ガス圧可変量ΔＰとの読み込みを行ってもよい。
　次に、ガス制御部９は、圧力センサによって計測されたレーザチャンバ２０内のガス圧Ｐの読み込みを行ってもよい（ステップＳ７０２）。
　次に、ガス制御部９は、ウエハデータ収集制御部３とレーザ制御部２とに、計測されたガス圧Ｐのデータを送信してもよい（ステップＳ７０３）。
　次に、ガス制御部９は、レーザ制御部２を介して充電電圧Ｖのデータを受信してもよい（ステップＳ７０４）。
　次に、ガス制御部９は、充電電圧Ｖの値を、最小充電電圧Ｖｍｉｎ及び最大充電電圧Ｖｍａｘと比較してもよい（ステップＳ７０５）。Ｖｍａｘ≧Ｖ≧Ｖｍｉｎの場合には、ガス制御部９は、ガス圧制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ７０９）。
　また、Ｖ＞Ｖｍａｘの場合には、ガス制御部９は、レーザガス供給装置９１を制御して、ガス圧Ｐがガス圧可変量ΔＰだけ増加するように、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ混合ガスを注入してもよい（ステップＳ７０６）。次に、ガス制御部９は、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスがΔＰ消費されたことを示すデータをレーザ制御部２に送信してもよい（ステップＳ７０７）。レーザ制御部２は、このΔＰを積算することによって、ガス圧制御によるＡｒ＋Ｎｅ混合ガスのトータルの消費量を計算し得る。その後、ガス制御部９は、ガス圧制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ７０９）。
　また、Ｖ＜Ｖｍｉｎの場合には、ガス制御部９は、レーザガス排気装置９２を制御して、ガス圧Ｐがガス圧可変量ΔＰだけ減少するように、レーザチャンバ２０内のガスを排気してもよい（ステップＳ７０８）。その後、ガス制御部９は、ガス圧制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ７０９）。
  ガス制御部９は、ガス圧制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ７０９；Ｎ）には、ステップＳ７０２の処理に戻ってもよい。一方、ガス圧制御を終了すると判断した場合（ステップＳ７０９；Ｙ）には、ガス制御部９は、ガス圧制御の処理を終了してもよい。
（部分ガス交換制御）
　図２９は、ガス制御部９の部分ガス交換制御に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
　ガス制御部９は、部分ガス交換制御のためのガス制御パラメータＰｇｓの読み込みを行ってもよい（ステップＳ７１１）。ここで、ガス制御部９は、部分ガス交換制御のためのガス制御パラメータＰｇｓとして、部分ガス交換周期Ｔｐｇと、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスの注入係数Ｋｐｇと、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの注入係数Ｋｈｇとの読み込みを行ってもよい。Ｋｐｇは、単位発振パルス当たりのＡｒ＋Ｎｅガスの注入量であってもよい。Ｋｈｇは、単位発振パルス当たりのＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの注入量であってもよい。
　次に、ガス制御部９は、パルス数のカウンタ値Ｎの初期値をＮ＝０に設定してもよい（ステップＳ７１２）。次に、ガス制御部９は、タイマＴをリセットスタートさせてもよい（ステップＳ７１３）。
　次に、ガス制御部９は、レーザ発振したか否かを判断してもよい（ステップＳ７１４）。ガス制御部９は、レーザ発振していないと判断した場合（ステップＳ７１４；Ｎ）には、ステップＳ７１４の処理を繰り返してもよい。
　一方、レーザ発振したと判断した場合（ステップＳ７１４；Ｙ）には、ガス制御部９は、次に、パルス数のカウンタ値ＮをＮ＋１に設定してもよい（ステップＳ７１５）。
　次に、ガス制御部９は、タイマＴの値が部分ガス交換周期Ｔｐｇに達したか否かを判断してもよい（ステップＳ７１６）。これにより、ガス制御部９は、部分ガス交換周期Ｔｐｇにおけるレーザ発振のパルス数を計測してもよい。ガス制御部９は、タイマＴの値が部分ガス交換周期Ｔｐｇに達していないと判断した場合（ステップＳ７１６；Ｎ）には、ステップＳ７１４の処理に戻ってもよい。
　一方、タイマＴの値が部分ガス交換周期Ｔｐｇに達したと判断した場合（ステップＳ７１６；Ｙ）には、ガス制御部９は、次に、圧力センサによって計測されたレーザチャンバ２０内のガス圧Ｐの読み込みを行ってもよい（ステップＳ７１７）。
　次に、ガス制御部９は、ウエハデータ収集制御部３とレーザ制御部２とに、計測されたガス圧Ｐのデータを送信してもよい（ステップＳ７１８）。
　次に、ガス制御部９は、後述の図３０に示す部分ガス交換の処理を行ってもよい（ステップＳ７１９）。
　ガス制御部９は、次に、部分ガス交換制御を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ７２０）。ガス制御部９は、部分ガス交換制御を終了しないと判断した場合（ステップＳ７２０；Ｎ）には、ステップＳ７１２の処理に戻ってもよい。一方、部分ガス交換制御を終了すると判断した場合（ステップＳ７２０；Ｙ）には、ガス制御部９は、部分ガス交換制御の処理を終了してもよい。
　図３０は、図２９に示したフローチャートにおけるステップＳ７１９の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
　ガス制御部９は、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスの注入係数Ｋｐｇと、部分ガス交換周期Ｔｐｇにおけるレーザ発振のパルス数Ｎとから、ΔＰｐｇ（＝Ｋｐｇ・Ｎ）の計算をしてもよい（ステップＳ７２１）。
　次に、ガス制御部９は、ガス圧ＰがΔＰｐｇだけ増加するように、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ混合ガスを注入してもよい（ステップＳ７２２）。
　次に、ガス制御部９は、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガスがΔＰｐｇ消費されたことを示すデータをレーザ制御部２に送信してもよい（ステップＳ７２３）。レーザ制御部２は、このΔＰｐｇを積算することによって、ガス圧制御によるＡｒ＋Ｎｅ混合ガスのトータルの消費量を計算し得る。
　次に、ガス制御部９は、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスの注入係数Ｋｈｇと、部分ガス交換周期Ｔｐｇにおけるレーザ発振のパルス数Ｎとから、ΔＰｈｇ（＝Ｋｈｇ・Ｎ）の計算をしてもよい（ステップＳ７２４）。
　次に、ガス制御部９は、ガス圧ＰがΔＰｈｇだけ増加するように、レーザチャンバ２０内にＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスを注入してもよい（ステップＳ７２５）。
　次に、ガス制御部９は、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスがΔＰｈｇ消費されたことを示すデータをレーザ制御部２に送信してもよい（ステップＳ７２６）。レーザ制御部２は、このΔＰｈｇを積算することによって、ガス圧制御によるＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスのトータルの消費量を計算し得る。
　次に、ガス制御部９は、ガス圧Ｐが（ΔＰｐｇ＋ΔＰｈｇ）だけ減少するように、レーザチャンバ２０内のガスを排気してもよい（ステップＳ７２７）。その後、ガス制御部９は、図２９のステップＳ７２０の処理を行ってもよい。
［２．６　その他の制御システム］
（２．６．１　構成）
（電力ラインシステム）
　図３１は、レーザ装置管理システムにおける消費電力の計測に関わる部分の一構成例を概略的に示している。
　レーザ装置１における消費電力は、レーザ装置１に供給される大元のＡＣライン５０１に電力計５０２を配置して計測してもよい。ＡＣライン５０１は、充電器９０と、モータ２７と、その他の各種装置５０３とに接続されてもよい。その他の各種装置５０３は、例えば、電装系や、各種制御部が含まれていてもよい。
　また、消費電力は各部の制御パラメータから計算によって求めてもよい。
　例えば、レーザチャンバ２０における放電の消費電力Ｗｐは、充電電圧Ｖと後述の図４０に示す充電コンデンサ６１０の容量Ｃ０と、繰り返し周波数Ｒｅｐとから、以下のように求められ得る。
　Ｗｐ＝（１／２）Ｃ０・Ｖ2・Ｒｅｐ
　クロスフローファン２６の消費電力Ｗｃは、クロスフローファン２６の回転数と、レーザチャンバ２０内のガス圧Ｐとから、以下のように求められ得る。
　Ｗｃ＝（α・Ｐ＋β）・（ω／ω０）３
　Ｗｃ：クロスフローファン２６のｋＷ数、α：ガス圧係数、Ｐ：ガス圧、β：オフセット定数、ω：回転数、ω０：基準の回転数（αとβを求めた時の回転数）
　その他は、一定消費電力Ｗｏとして計算してもよい。従って、消費電力Ｗ＝Ｗｐ＋Ｗｃ＋Ｗｏとして近似的に計算してもよい。
（冷却水ラインシステム）
　図３２は、レーザ装置管理システムにおける冷却水流量の計測に関わる部分の一構成例を概略的に示している。
　冷却水５１０は、主に充電器９０、パルスパワーモジュール２８、レーザチャンバ２０の熱交換器５１６、及びモータ２７等の冷却水ラインに流されてもよい。それぞれの冷却水ラインに流量計５１１，５１２，５１３，５１４を配置して、それらの冷却水流量Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４の総和からトータルの冷却水量Ｆを計算してもよい。
　冷却水５１０の入口には、流量調節バルブ５１５が設けられていてもよい。
　その他、上記した例に限らず、冷却水入口、又は冷却水出口に冷却水流量計を配置して、流量を計測してもよい。
（２．６．２　動作）
（エコロジー計測の制御動作）
　図３３は、レーザ制御部２によるエコロジー計測に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
　レーザ制御部２は、エコロジー計測のためのエコロジー関連パラメータＰｅｃの読み込みを行ってもよい（ステップＳ８０１）。ここで、レーザ制御部２は、エコロジー計測のためのエコロジー関連パラメータＰｅｃとして、エコロジー計測する計測周期Ｔｅｃｏｋの読み込みを行ってもよい。
　次に、レーザ制御部２は、計測周期のタイマ（Ｔｅｃｏ）をリセットスタートさせてもよい（ステップＳ８０２）。
　次に、レーザ制御部２は、ガス制御部９から受信したデータから、レーザチャンバ２０内に注入されたＡｒ＋Ｎｅ混合ガスのトータル圧ＰAr+Neと、レーザチャンバ２０内に注入されたＡｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガスのトータル圧ＰAr+Ne+F2とを計算してもよい（ステップＳ８０３）。
　次に、レーザ制御部２は、Ａｒ＋Ｎｅ混合ガス消費量ＱAr+Neと、Ａｒ＋Ｎｅ＋Ｆ2混合ガス消費量ＱAr+Ne+F2とを、レーザチャンバ体積をＶｏ、大気圧を１０１３ｈｐａとして、以下の式のように計算してもよい（ステップＳ８０４）。
　ＱAr+Ne＝Ｖｏ・ＰAr+Ne／１０１３、
　ＱAr+Ne+F2＝Ｖｏ・ＰAr+Ne+F2／１０１３
　次に、レーザ制御部２は、電力計５０２による消費電力Wの計測値の読み込みを行ってもよい（ステップＳ８０５）。次に、レーザ制御部２は、これまでの消費電力Wを積算して、これまでの消費電力量Wｈを計算してもよい（ステップＳ８０６）。
　次に、レーザ制御部２は、各流量計５１１，５１２，５１３，５１４による流量Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４の計測値の読み込みを行ってもよい（ステップＳ８０７）。
　次に、レーザ制御部２は、以下の式のように、流量Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４の総和から、トータルの冷却水流量Ｆの計算を行ってもよい（ステップＳ８０８）。
　Ｆ＝Ｆ１＋Ｆ２＋Ｆ３＋Ｆ４
　次に、レーザ制御部２は、これまでのトータルの冷却水流量Ｆを積算して、これまでのトータルの冷却水使用量Ｌの計算を行ってもよい（ステップＳ８０９）。
　次に、レーザ制御部２は、計測時刻とトータルショット数とのデータの読み込みを行ってもよい（ステップＳ８１０）。
　次に、レーザ制御部２は、計測時刻とトータルショット数とにおけるエコロジー関連データ（ＱAr+Ne、ＱAr+Ne+F2、Ｗ、Ｗｈ、Ｌ）を、サーバ１１０の第３のデータ領域１１０Ｃに書き込んでもよい（ステップＳ８１１）。
　次に、レーザ制御部２は、計測周期のタイマ（Ｔｅｃｏ）の値が、計測周期Ｔｅｃｏｋに達したか否かを判断してもよい（ステップＳ８１２）。レーザ制御部２は、計測周期Ｔｅｃｏｋに達していないと判断した場合（ステップＳ８１２；Ｎ）には、ステップＳ８１２の処理を繰り返してもよい。
　一方、計測周期Ｔｅｃｏｋに達したと判断した場合（ステップＳ８１２；Ｙ）には、レーザ制御部２は、エコロジー計測を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ８１３）。
　レーザ制御部２は、エコロジー計測を終了しないと判断した場合（ステップＳ８１３；Ｎ）には、ステップＳ８０２の処理に戻ってもよい。一方、エコロジー計測を終了すると判断した場合（ステップＳ８１３；Ｙ）には、レーザ制御部２は、エコロジー計測の処理を終了してもよい。
（エラーログ取得の制御動作）
　図３４は、レーザ制御部２のエラーログ取得に関わる制御の流れの一例を示すフローチャートである。
　レーザ制御部２は、エラーログ取得のためのエラーパラメータの初期設定を行ってもよい（ステップＳ９０１）。エラーログ取得のためのエラーパラメータには、エネルギ制御エラーパラメータΔＥｍａｘｌ，ΔＥｍｉｎｌと、スペクトル制御エラーパラメータδλｍａｘｌ，δλｍｉｎｌと、スペクトル制御エラーパラメータΔΔλｍａｘｌ，ΔΔλｍｉｎｌと、ガス制御エラーパラメータＶｍａｘｌ，Ｖｍｉｎｌとが含まれていてもよい。
　ここで、ΔＥｍａｘｌは、目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥ（＝Ｅ－Ｅｔ）の最大限界値であってもよい。ΔＥｍｉｎｌは、目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥの最小限界値であってもよい。δλｍａｘｌは、目標波長λｔとの差δλ（＝λ－λｔ）の最大限界値であってもよい。δλｍｉｎｌは、目標波長λｔとの差δλの最小限界値であってもよい。ΔΔλｍａｘｌは、目標スペクトル線幅Δλｔとの差ΔΔλ（＝Δλ－Δλｔ）の最大限界値であってもよい。ΔΔλｍｉｎｌは、目標スペクトル線幅Δλｔとの差ΔΔλの最小限界値であってもよい。Ｖｍａｘｌは、充電電圧Ｖの最大限界値であってもよい。Ｖｍｉｎｌは、充電電圧Ｖの最小限界値であってもよい。
　次に、レーザ制御部２は、目標パルスエネルギＥｔとの差ΔＥの読み込みを行ってもよい（ステップＳ９０２）。
　次に、レーザ制御部２は、ΔＥｍｉｎｌ≦ΔＥ≦ΔＥｍａｘの条件を満足するか否かを判断してもよい（ステップＳ９０３）。レーザ制御部２は、ΔＥｍｉｎｌ≦ΔＥ≦ΔＥｍａｘの条件を満足していないと判断した場合（ステップＳ９０３；Ｎ）には、エネルギ制御エラーが生じているものとして、エラーログデータを取得してもよい（ステップＳ９０４）。その後、ステップＳ９１１の処理を行ってもよい。
　一方、ΔＥｍｉｎｌ≦ΔＥ≦ΔＥｍａｘの条件を満足していると判断した場合（ステップＳ９０３；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、δλｍｉｎｌ≦δλ≦δλｍａｘｌの条件を満足するか否かを判断してもよい（ステップＳ９０５）。
　レーザ制御部２は、δλｍｉｎｌ≦δλ≦δλｍａｘｌの条件を満足していないと判断した場合（ステップＳ９０５；Ｎ）には、スペクトル制御エラーが生じているものとして、エラーログデータを取得してもよい（ステップＳ９０６）。その後、ステップＳ９１１の処理を行ってもよい。
　一方、δλｍｉｎｌ≦δλ≦δλｍａｘｌの条件を満足していると判断した場合（ステップＳ９０５；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、ΔΔλｍｉｎｌ≦ΔΔλ≦ΔΔλｍａｘｌの条件を満足するか否かを判断してもよい（ステップＳ９０７）。
　レーザ制御部２は、ΔΔλｍｉｎｌ≦ΔΔλ≦ΔΔλｍａｘｌの条件を満足していないと判断した場合（ステップＳ９０７；Ｎ）には、スペクトル制御エラーが生じているものとして、エラーログデータを取得してもよい（ステップＳ９０８）。その後、ステップＳ９１１の処理を行ってもよい。
　一方、ΔΔλｍｉｎｌ≦ΔΔλ≦ΔΔλｍａｘｌの条件を満足していると判断した場合（ステップＳ９０７；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、Ｖｍｉｎｌ≦Ｖ≦Ｖｍａｘｌの条件を満足するか否かを判断してもよい（ステップＳ９０９）。
　レーザ制御部２は、Ｖｍｉｎｌ≦Ｖ≦Ｖｍａｘｌの条件を満足していないと判断した場合（ステップＳ９０９；Ｎ）には、ガス制御エラーが生じているものとして、エラーログデータを取得してもよい（ステップＳ９１０）。その後、ステップＳ９１１の処理を行ってもよい。
　一方、Ｖｍｉｎｌ≦Ｖ≦Ｖｍａｘｌの条件を満足していると判断した場合（ステップＳ９０９；Ｙ）には、レーザ制御部２は、次に、エラーログ取得の処理を終了するか否かを判断してもよい（ステップＳ９１４）。レーザ制御部２は、エラーログ取得の処理を終了しないと判断した場合（ステップＳ９１４；Ｎ）には、ステップＳ９０２の処理に戻ってもよい。一方、エラーログ取得の処理を終了すると判断した場合（ステップＳ９１４；Ｙ）には、レーザ制御部２は、データのエラーログ取得の処理を終了してもよい。
　また、レーザ制御部２は、ステップＳ９１１の処理として、エラーログデータ取得時の時刻の読み込みを行ってもよい。次に、レーザ制御部２は、レーザ装置設置時からのトータルショット数の読み込みを行ってもよい（ステップＳ９１２）。次に、レーザ制御部２は、サーバ１１０の第１のデータ領域１１０Ａ、又は第３のデータ領域１１０Ｃに、時刻と、トータルショット数と、エラーログデータとを書き込みしてもよい（ステップＳ９１３）。その後、エラーログ取得の処理を終了してもよい。
［２．７　変形例］
　以上の説明では、レーザ装置１がＡｒＦエキシマレーザである例を示したが、この例に限定されることなく、例えば、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ等のエキシマレーザであってもよい。また、レアガスとバッファガスとの混合ガスと、レアガスとバッファガスとハロゲンガスとの混合ガスとをレーザチャンバ２０内に所定量入れることによって、レーザガスを生成してもよい。
　また、以上の説明では、レーザ装置１がシングルチャンバ方式である例を示したが、この例に限定されない。例えば、出力結合ミラー３５とモニタモジュール３０との間の光路上にもう１台、レーザチャンバと光共振器とを配置した増幅器を含むレーザ装置であってもよい。
　また、以上の説明では、レーザメーカとユーザとが、別々の端末から、サーバ１１０にアクセスする例を示したが、この例には限定されない。
　例えば、図３５に示したように、１台の端末１１３に、レーザメーカの権限である第１のアクセス権限と、ユーザの権限である第２のアクセス権限とが設定されていてもよい。例えば、端末１１３としての１台のＰＣに、ＩＤとパスワードとを用いて第１のアクセス権限と第２のアクセス権限とが設定されていてもよい。
　また、レーザ装置１とは別体として端末を設けるのではなく、例えば、レーザ装置１にコンソールパネルのような操作部を設け、操作部を操作する権限として、第１のアクセス権限と第２のアクセス権限とを設定してもよい。そして、レーザ装置１に設けられた操作部を介して、第１のアクセス権限又は第２のアクセス権限によってサーバ１１０にアクセスするようにしてもよい。
＜３．第２の実施形態＞（ユーザによる設定変更機能を有するレーザ装置管理システム）
　次に、本開示の第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムについて説明する。なお、以下では上記比較例、若しくは上記第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［３．１　構成、及び動作］
　図３６は、本開示の第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるサーバ１１０の設定に関するシーケンス図を示している。図３７は、サーバ１１０のデータ領域における情報範囲の設定の一例を模式的に示している。
（データ保存期間の設定）
　ウエハデータ収集制御部３の記憶部５２におけるデータの保存期間は、サーバ１１０を介して第２の端末１１２から設定、変更可能であってもよい（図３６のＴ１０１、Ｔ１０２）。ウエハデータ収集制御部３は、保存期間外のデータを記憶部５２から消去してもよい（図３６のＴ１０３）。なお、データの消去は、新しく受信したデータ等により上書きすることも含んでもよい。
（情報範囲の設定）
　図３７に示したように、サーバ１１０の第１のデータ領域１１０Ａに格納される第１の情報の範囲は、第１の端末１１１から第１のアクセス権限によって変更可能であってもよい。第１の情報の範囲が変更されるのに伴って、第１のアクセス権限及び第２のアクセス権限の双方によってアクセス可能となる第３の情報の範囲が変更されてもよい。例えば、エコロジー関連パラメータＰｅｃ等の各種制御パラメータの１つを、第１のアクセス権限によって、第３の情報に含めるような変更を行ってもよい。
　また、サーバ１１０の第２のデータ領域１１０Ｂに格納される第２の情報の範囲は、第２の端末１１２から第２のアクセス権限によって変更可能であってもよい。第２の情報の範囲が変更されるのに伴って、第１のアクセス権限及び第２のアクセス権限の双方によってアクセス可能となる第３の情報の範囲が変更されてもよい。例えば、第３の情報に含まれていたエコロジー関連データＤｅｃを、ウエハ露光関連情報に対応付けした上で、第２の情報に含めるような変更を、第２のアクセス権限によって行ってもよい。
　第１の情報の範囲、及び第２の情報の範囲は、第１の端末１１１から第１のアクセス権限によってデフォルトの範囲に設定されてもよい（図３６のＴ１０４）。その後、第２の情報の範囲は、第２の端末１１２から第２のアクセス権限によって変更されてもよい（図３６のＴ１０５）。
　その他の構成、及び動作は、上記比較例、又は上記第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
［３．２　作用・効果］
　本実施形態のレーザ装置管理システムによれば、ユーザのみが参照可能な第２の情報の範囲を、ユーザ自身によって任意の範囲に変更し得る。また、ウエハデータ収集制御部３の記憶部５２におけるデータの保存期間をユーザ自身によって任意の期間に変更し得る。これにより、ユーザのみが参照可能な第２の情報の安全性を高めることが可能となり得る。
　その他の作用・効果は、上記第１の実施形態に係るレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
＜４．第３の実施形態＞（各部の具体例）
　次に、本開示の第３の実施形態として、上記第１又は第２の実施形態のレーザ装置管理システムにおける各部の具体例を説明する。なお、以下では上記比較例、上記第１又は第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
［４．１　モニタモジュールの具体例］
（４．１．１　構成）
　図３８は、上記第１又は第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるモニタモジュール３０の一構成例を概略的に示している。図３８には、モニタモジュール３０におけるスペクトル計測器３４を、モニタエタロン分光器とした場合の構成例を模式的に示している。
　モニタモジュール３０は、ビームスプリッタ３１，３２と、パルスエネルギ計測器３３と、スペクトル計測器３４とを備えてもよい。
　スペクトル計測器３４は、拡散素子３４１と、モニタエタロン３４２と、集光レンズ３４３と、イメージセンサ３４４とを含んでいてもよい。イメージセンサ３４４は、フォトダイオードアレイであってもよい。集光レンズ３４３の焦点距離はｆであってもよい。
　パルスエネルギ計測器３３は、集光レンズ３３１と、光センサ３３２とを含んでいてもよい。光センサ３３３は、高速の紫外光に耐性があるフォトダイオードであってもよい。光センサ３３２は、集光レンズ３３１の略集光位置に配置されてもよい。
　ビームスプリッタ３１は、出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐの光路上に配置されていてもよい。ビームスプリッタ３２は、ビームスプリッタ３１で反射されたパルスレーザ光Ｌｐの光路上に配置されていてもよい。ビームスプリッタ３２は、反射光がパルスエネルギ計測器３３に入射し、透過光がスペクトル計測器３４に入射するように配置されていてもよい。
（４．１．２　動作）
　出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光Ｌｐは、ビームスプリッタ３１とビームスプリッタ３２とによって一部がパルスエネルギＥを検出するためのサンプル光として、パルスエネルギ計測器３３に入射し得る。パルスエネルギ計測器３３に入射したサンプル光は、集光レンズ３３１によって光センサ３３２のセンサ面上に集光され得る。これにより、パルスエネルギ計測器３３では、出力結合ミラー３５から出力されるパルスレーザ光ＬｐのパルスエネルギＥを検出し得る。パルスエネルギ計測器３３は検出したパルスエネルギＥのデータを、エネルギ制御部６に送信してもよい。
　一方、ビームスプリッタ３２を透過した光は、まず、拡散素子３４１に入射してもよい。拡散素子３４１は、入射した光を散乱させてもよい。この散乱光は、モニタエタロン３４２に入射してもよい。モニタエタロン３４２を透過した光は、集光レンズ３４３に入射し、集光レンズ３４３の焦点面上に干渉縞を生成し得る。
　イメージセンサ３４４は、集光レンズ３４３の焦点面に配置されてもよい。イメージセンサ３４４は、焦点面上の干渉縞を検出してもよい。この干渉縞の半径ｒの２乗は、パルスレーザ光Ｌｐの波長λと比例関係にあり得る。そのため、検出した干渉縞からパルスレーザ光Ｌｐのスペクトルプロファイルとしてのスペクトル線幅Δλと中心波長とを検出し得る。スペクトル線幅Δλと中心波長は、検出した干渉縞から図示しない情報処理装置によって求めてもよいし、スペクトル制御部７で算出してもよい。
　干渉縞の半径ｒと波長λの関係は、以下の（１）式で近似され得る。
　λ＝λｃ＋αｒ2　……（１）
ただし、
　α：比例定数、
　ｒ：干渉縞の半径、
　λｃ：干渉縞の中央の光強度が最大となった時の波長
とする。
　図３９は、スペクトル計測器３４によって計測されるスペクトル線幅Δλの一例を模式的に示している。
　上記（１）式から、干渉縞を光強度と波長λの関係のスペクトル波形に変換した後、Ｅ９５をスペクトル線幅Δλとして計算してもよい。また、スペクトル波形の半値全幅をスペクトル線幅Δλとしてもよい。
（その他）
　なお、本実施形態では、波長λの計測とスペクトル線幅Δλの計測とを１つのモニタエタロン３４２で行う例を示したがこの例に限定されない。例えば、分解能の異なるモニタエタロンを複数個配置して、干渉縞をそれぞれ複数のラインセンサで計測してもよい。この場合、集光レンズ３４３の焦点距離を長くし、ＦＳＲ（Free Spectral Range）が小さく、分解能の高いモニタエタロンを用いて、スペクトル線幅Δλを計測してもよい。
　また、干渉縞の波形や干渉縞のピーク光量のデータを、所定ショット数毎に計測して、レーザメーカのみが参照可能なサーバ１１０の第１のデータ領域に保存しておいてもよい。
［４．２　パルスパワーモジュール２８の具体例］
（４．２．１　構成）
　図４０は、上記第１又は第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムにおけるパルスパワーモジュール２８の一構成例を概略的に示している。
　パルスパワーモジュール２８は、充電コンデンサ６１０と、半導体スイッチ６２１と、トランスＴＣ１と、磁気スイッチＭＳ１，ＭＳ２，ＭＳ３と、コンデンサ６１１，６１２，６１３とを含んでもよい。
　充電コンデンサ６１０の容量はＣ０であってもよい。コンデンサ６１１の容量はＣ１であってもよい。コンデンサ６１２の容量はＣ２であってもよい。コンデンサ６１３の容量はＣ３であってもよい。
　パルスパワーモジュール２８は、充電器９０及びレーザチャンバ２０に電気的に接続されてもよい。パルスパワーモジュール２８及び充電器９０は、レーザ制御部２に電気的に接続されてもよい。
　レーザチャンバ２０において、放電電極２３は、電流導入端子６０１を介してパルスパワーモジュール２８に電気的に接続されてもよい。放電電極２４は、電極ホルダ６０２を介してパルスパワーモジュール２８に電気的に接続されてもよい。
（４．２．２　動作）
　充電器９０は、レーザ制御部２から充電電圧Ｖの信号を受信すると、充電コンデンサ６１０に充電電圧Ｖを印加してもよい。充電電圧Ｖによって充電コンデンサ６１０に蓄えられるエネルギは、充電コンデンサ６１０の容量をＣ０とすると、（１／２）Ｃ０・Ｖ2であってもよい。レーザチャンバ２０における１パルス当たりの放電のエネルギＥｄは、Ｅｄ＝（１／２）Ｃ０・Ｖ2であってもよい。放電の消費電力Ｗｐは、パルスの繰り返し周波数をＲｅｐとすると。Ｗｐ＝Ｒｅｐ・（１／２）Ｃ０・Ｖ2であってもよい。
　レーザ制御部２は、パルスパワーモジュール２８の半導体スイッチ６２１に発振トリガＴｒ１を送信することによって、パルスパワーモジュール２８にパルス電圧を生じさせてもよい。
　パルスパワーモジュール２８におけるトランスＴＣ１、磁気スイッチＭＳ１，ＭＳ２，ＭＳ３、及びコンデンサ６１１，６１２，６１３は、磁気パルス圧縮回路を形成してもよい。パルスパワーモジュール２８における磁気パルス圧縮回路によって、パルス電圧のパルス幅は、圧縮されてもよい。
　パルス幅が圧縮されたパルス電圧は、レーザチャンバ２０における電流導入端子６０１及び電極ホルダ６０２に印加されてもよい。これにより、電流導入端子６０１及び電極ホルダ６０２を介して、パルス電圧が放電電極２３と放電電極２４との間に印加されてもよい。放電電極２３と放電電極２４との間に印加されたパルス電圧によって、放電電極２３と放電電極２４との間に供給されたレーザガスに放電を生じさせてもよい。このレーザガスの放電によってパルスレーザ光Ｌｐを生じさせてもよい。
　放電電極２３と放電電極２４との間に供給されるレーザガスは、クロスフローファン２６によってレーザチャンバ２０内で循環させられてもよい。クロスフローファン２６によって循環させられるレーザガスは、熱交換器５１６によって冷却させられてもよい。
　その他の構成、及び動作等は、上記比較例、上記第１又は第２の実施形態に係るレーザ装置管理システムと略同様であってもよい。
＜５．制御部のハードウエア環境＞
　当業者は、汎用コンピュータ又はプログラマブルコントローラにプログラムモジュール又はソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャーなどを含む。
　図４１は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウエア環境を示すブロック図である。図４１の例示的なハードウエア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウエア環境１００の構成は、これに限定されない。
　処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
　図４１におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
　動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラム及びＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
　パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、回転ステージ１４、リニアステージ６３、レーザ制御部２、ウエハデータ収集制御部３、露光装置制御部５、エネルギ制御部６、スペクトル制御部７、ビーム計測制御部８、及びガス制御部９等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、レーザ制御部２、ウエハデータ収集制御部３、露光装置制御部５、エネルギ制御部６、スペクトル制御部７、ビーム計測制御部８、及びガス制御部９等の、処理ユニット１０００と通信可能な複数のシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれら複数のシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、各種センサや、イメージセンサ４１１，４２１，４３１、イメージセンサ３４４、及び光センサ３３２等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
　ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
　例示的なハードウエア環境１００は、本開示における露光装置制御部５、及びレーザ制御部２等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、露光装置制御部５、及びレーザ制御部２等は、イーサネット（登録商標）やインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
＜６．その他＞
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (12)

  1. 　第１のアクセス権限によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第１の情報と、第２のアクセス権限によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第２の情報と、前記第１のアクセス権限及び前記第２のアクセス権限の双方によってアクセス可能となるようにアクセス制限された第３の情報とを格納するように構成されたサーバと、
    　ウエハ露光を行う露光装置に向けてパルスレーザ光を出力するレーザ出力部と、前記第１の情報、前記第２の情報、及び前記第３の情報を前記サーバに保存する制御を行う制御部とを含むレーザ装置と
    　を備え、
    　前記第２の情報は、互いに対応付けられた、前記露光装置におけるウエハ露光関連情報と前記レーザ装置におけるレーザ制御関連情報とを含む
    　レーザ装置管理システム。
  2. 　前記第１の情報は、前記レーザ装置の制御に関する制御パラメータのデータを含む
    　請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
  3. 　前記レーザ出力部は、レーザガスが供給されるレーザチャンバを含み、
    　前記制御パラメータは、
    　前記パルスレーザ光のパルスエネルギの制御に関するエネルギ制御パラメータ、
    　前記パルスレーザ光の波長の制御に関するスペクトル制御パラメータ、
    　及び、前記レーザガスの制御に関するガス制御パラメータのうちの少なくとも１つを含む
    　請求項２に記載のレーザ装置管理システム。
  4. 　前記第３の情報は、前記レーザ装置に関するログデータを含む
    　請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
  5. 　前記ログデータは、互いに対応付けられた、前記パルスレーザ光のショット番号と前記レーザ制御関連情報とを含む
    　請求項４に記載のレーザ装置管理システム。
  6. 　前記ログデータは、前記パルスレーザ光のトータルショット数のデータを含む
    　請求項４に記載のレーザ装置管理システム。
  7. 　前記レーザ出力部は、レーザガスが供給されるレーザチャンバを含み、
    　前記レーザ制御関連情報は、
    　前記パルスレーザ光のビームのプロファイル及びポインティングのデータを含むビーム計測関連データ、
    　前記パルスレーザ光のパルスエネルギの制御に関するエネルギ制御関連データ、
    　前記パルスレーザ光の波長の制御に関するスペクトル制御関連データ、
    　及び、前記レーザガスの制御に関するガス制御関連データのうちの少なくとも１つを含む
    　請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
  8. 　前記ウエハ露光は、スキャン露光を行うことを含み、
    　前記ウエハ露光関連情報は、前記ウエハ露光が行われるウエハに関するウエハ識別情報と、前記スキャン露光に関するスキャン識別情報とを含む
    　請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
  9. 　前記レーザ装置は、前記第２の情報を所定の期間経過後に消去する記憶部を含む
    　請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
  10. 　前記所定の期間は、前記第２のアクセス権限によって設定される
    　請求項９に記載のレーザ装置管理システム。
  11. 　前記第２の情報の範囲は、前記第２のアクセス権限によって変更可能である
    　請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
  12. 　前記第１の情報の範囲は、前記第１のアクセス権限によって変更可能である
    　請求項１に記載のレーザ装置管理システム。
PCT/JP2015/079421 2015-10-19 2015-10-19 レーザ装置管理システム WO2017068619A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/079421 WO2017068619A1 (ja) 2015-10-19 2015-10-19 レーザ装置管理システム
JP2017546285A JP6671387B2 (ja) 2015-10-19 2015-10-19 レーザ装置管理システム
CN201580082992.XA CN108028506B (zh) 2015-10-19 2015-10-19 激光装置管理系统
US15/914,299 US10394133B2 (en) 2015-10-19 2018-03-07 Laser unit management system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/079421 WO2017068619A1 (ja) 2015-10-19 2015-10-19 レーザ装置管理システム

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/914,299 Continuation US10394133B2 (en) 2015-10-19 2018-03-07 Laser unit management system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017068619A1 true WO2017068619A1 (ja) 2017-04-27

Family

ID=58557070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/079421 WO2017068619A1 (ja) 2015-10-19 2015-10-19 レーザ装置管理システム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10394133B2 (ja)
JP (1) JP6671387B2 (ja)
CN (1) CN108028506B (ja)
WO (1) WO2017068619A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019102613A1 (ja) * 2017-11-27 2019-05-31 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
CN110799902A (zh) * 2017-08-29 2020-02-14 极光先进雷射株式会社 数据分析装置、半导体制造系统、数据分析方法和半导体制造方法
WO2020095418A1 (ja) * 2018-11-08 2020-05-14 ギガフォトン株式会社 レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法
WO2022085146A1 (ja) * 2020-10-22 2022-04-28 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043219A (ja) * 2000-04-25 2002-02-08 Gigaphoton Inc レーザ装置管理システム
JP2008134894A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Kyocera Mita Corp データ管理装置
WO2014030645A1 (ja) * 2012-08-23 2014-02-27 ギガフォトン株式会社 光源装置及びデータ処理方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW376542B (en) * 1997-03-04 1999-12-11 Canon Kk Exposure unit, exposure system and device manufacturing method
US6442182B1 (en) 1999-02-12 2002-08-27 Lambda Physik Ag Device for on-line control of output power of vacuum-UV laser
US6735236B2 (en) 1999-09-03 2004-05-11 Cymer, Inc. High power gas discharge laser with line narrowing unit
JP2002084026A (ja) 2000-06-16 2002-03-22 Lambda Physik Ag Ｆ２レーザ
JP4981218B2 (ja) * 2001-06-15 2012-07-18 キヤノン株式会社 露光装置および露光方法
JP2003258337A (ja) 2002-03-06 2003-09-12 Komatsu Ltd レーザ装置用筐体の洗浄方法
JP2003283007A (ja) 2002-03-20 2003-10-03 Komatsu Ltd レーザ装置の筐体パージ機構
JP3956149B2 (ja) * 2005-12-19 2007-08-08 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション リソース・コンテンツのアクセス制御方法、システム、およびプログラム
WO2015068205A1 (ja) 2013-11-05 2015-05-14 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及び非一過性のコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043219A (ja) * 2000-04-25 2002-02-08 Gigaphoton Inc レーザ装置管理システム
JP2008134894A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Kyocera Mita Corp データ管理装置
WO2014030645A1 (ja) * 2012-08-23 2014-02-27 ギガフォトン株式会社 光源装置及びデータ処理方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110799902A (zh) * 2017-08-29 2020-02-14 极光先进雷射株式会社 数据分析装置、半导体制造系统、数据分析方法和半导体制造方法
US11353857B2 (en) 2017-08-29 2022-06-07 Gigaphoton Inc. Data analyzer, semiconductor manufacturing system, data analysis method, and semiconductor manufacturing method
CN110799902B (zh) * 2017-08-29 2022-12-23 极光先进雷射株式会社 数据分析装置、半导体制造系统、数据分析方法和半导体制造方法
WO2019102613A1 (ja) * 2017-11-27 2019-05-31 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
JPWO2019102613A1 (ja) * 2017-11-27 2020-11-26 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
US11271361B2 (en) 2017-11-27 2022-03-08 Gigaphoton Inc. Excimer laser apparatus and method for manufacturing electronic device
JP7239485B2 (ja) 2017-11-27 2023-03-14 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
WO2020095418A1 (ja) * 2018-11-08 2020-05-14 ギガフォトン株式会社 レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法
JPWO2020095418A1 (ja) * 2018-11-08 2021-10-07 ギガフォトン株式会社 レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法
JP7175999B2 (ja) 2018-11-08 2022-11-21 ギガフォトン株式会社 レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法
US11764541B2 (en) 2018-11-08 2023-09-19 Gigaphoton Inc. Laser system and method for manufacturing electronic device
WO2022085146A1 (ja) * 2020-10-22 2022-04-28 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10394133B2 (en) 2019-08-27
JPWO2017068619A1 (ja) 2018-08-16
CN108028506A (zh) 2018-05-11
CN108028506B (zh) 2020-06-26
US20180196347A1 (en) 2018-07-12
JP6671387B2 (ja) 2020-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6671387B2 (ja) レーザ装置管理システム
US9841684B2 (en) Light source apparatus and data processing method
CN108352673B (zh) 窄带化激光装置和谱线宽度计测装置
CN112771444B (zh) 激光系统和电子器件的制造方法
US10151640B2 (en) Light beam measurement device, laser apparatus, and light beam separator
CN111316512B (zh) 准分子激光装置和电子器件的制造方法
JP2022133383A (ja) レーザ装置、及びレーザ装置管理システム、並びにレーザ装置の管理方法
US9647411B2 (en) Method of controlling wavelength of laser beam and laser apparatus
US11353857B2 (en) Data analyzer, semiconductor manufacturing system, data analysis method, and semiconductor manufacturing method
CN109891689B (zh) 激光装置
JP6856653B2 (ja) レーザ装置
CN111194510B (zh) 准分子激光装置和电子器件的制造方法
US20240044711A1 (en) Wavelength measurement apparatus, narrowed-line laser apparatus, and method for manufacturing electronic devices
CN115720624A (zh) 标准具中测量误差的确定

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15906627

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017546285

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15906627

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1