TW508881B - Mode translating waveguide adapter for a quasi-optic grid array - Google Patents
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Description
508881 A7 B7 __ 五、發明説明（1 ) 發明背景 發明範圍 本發明是關於準光學柵格陣列，諸如周期性柵格陣列 ，特別是關於使波導適用於準光學柵格陣列的技術。 相關技藝說明 寬頻通訊、雷達與其它成像系統需要將無線電頻率 ("RF")信號轉變成爲微波與毫米波頻帶。爲了有效達1ί在這 些高頻的很多應用所需要的輸出傳輸功率之位準，已使用 一種稱爲「功率結合」的技術，以耦合或結合個別部件的 輸出功率，藉以產生單一功率輸出，其大於個別部件能夠 供應者。傳統上，功率結合已使用共振波導穴或傳輸線饋 送網路。然而，這些方法具有很多缺點，其在高頻時變成 特別明顯。第一，在波導壁或傳輸線的導體損失傾向於隨 著頻率而增加，終究限制結合效率。第二，當波長變小時 ，這些共振波導穴或傳輸線結合器越來越難以機製。第三 ，在波導系統中，每一裝置通常必須以人工插入及調諧。 此相當耗費勞力，且只適用於數目相當小的裝置。 若干年以前，建議使用「準光學」的空間功率結合， 做爲這些問題的可能解答。其理論在於，一安置於共振器 中的微波或毫米波固態來源陣列可以同步至相同的頻率與 相，且它們的輸出將在自由空間中結合，使導體的損失減 至最小。此外，一平面形陣列可以整體地製造且在較短的 波長，使得數千裝置能夠倂入單一晶圓中。 i紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210乂297公釐1 ~ -4- —--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
*1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508881 B7 五、發明説明（2 ) 從那時候起，已發展很多準光學裝置，包含偵測器、 乘法器、混合器與移相器。這些被動裝置持續成爲進行中 之硏究的主題。然而，於過去數年，已開發出主動準光學 裝置，即，振盪器與放大器。使用準光學的空間功率結合（ 優於其它方法）之利益在於輸出功率與晶片面積線性定標。 於是，主動準光學的領域已在短時間內吸引可觀的注意力 ，且該領域已爆炸性成長。 所相信的是，第一個準光學柵格陣列放大器是由 M. Km等人在加州理工學院所發展的柵格。此柵格使用25 MESFET差動對，在三十億赫茲展示11分貝的增益。如圖1 所示，一典型的栅格放大器1 0是在一主動柵格1 2上之緊密 隔離差動電晶體對1 4的陣列，主動柵格1 2係夾置於輸入與 輸出極化器18、24之間。一輸入信號16通過水平極化的 輸入極化器1 8，且產生一自左入射的輸入光，其使柵格12 之水平極化輸入天線20上之無線電頻率電流激發。這些電 流以差動模式驅動電晶體對14的輸入。輸出電流沿著栅格 之垂直極化天線22而再被引導，經由右方之一輸出極化器 24產生垂直極化輸出光線30。 交叉極化的輸入與輸出提供二重要的優點。第一，它 提供良好的輸入-輸出隔離，減少虛假的回授振盪之可能性 。第二，放大器的輸入與輸出電路可以使用金屬條極化器 獨立調諧，其也將光線限定在向前的方向。迄今已發展很 多柵格放大器，且目前爲止已經証明，於軍用與商用無線 電頻率應用二者-特別是在小而較佳爲單片的封裝體中需要 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —-------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 —0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 508881 A7 ____B7____ 五、發明説明（3 ) 顯著的輸出功率位準（例如，>5瓦特）之高頻、寬頻系統-具 有遠大的前景。此外，共振器可以用於提供回授，以耦合 主動裝置，以形成高功率振盪器。 柵格放大器的特徵爲準平面波輸入、.準平面波輸出（自 由空間）裝置。栅格振盪器基本上是準平面波輸出裝置。然 而，大多數微波與毫米波系統經由電波導輸送信號，波導 是具有由波約束-典型上是金屬—壁劃定界限的內部波導穴 之裝置。結果，在大多數狀況，於二環境之間需要一捧面 。無論電場信號正從一波導輸出以有效施加至柵格陣列， 或者，一柵格陣列的自由空間輸出信號待被收集至一波導 中，皆需要此界面。 由於若千理由，提供此界面並非微不足道的事。第一 ’微波與毫米波波導傳統上以單一橫向電（TE)模式傳輸信 號，亦稱爲基本（或TEi。）模式，且阻礙信號之高階模式部件 。這些傳統波導具有標準、恆定的尺寸與矩形的形狀。然 而，由輸入信號入射的任何典型柵格陣列的輸入平面面積 可能遠大於標準矩形波導孔的面積。此外，如所提示者， 包括N乘N單元電池且由一介電質劃定界限（見圖2)的柵格 陣列總成將依賴於柵格中的電池數目與介電質的尺寸而改 變尺寸。於是，標準波導不能直接匹配於柵格陣列結構。 此外，以ΤΕα模式操作的標準單一模式矩形波導提供 一電場分佈，其在它的孔以正弦振幅變化。然而，柵格放 大器的有效操作需要一激發光線，其在整個放大器的區域 之相與大小的分佈相當均勻。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐1 ~ -6 - I 衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508881 A7 B7 五、發明説明（4 ) 若十群組已嘗試設計與準先學主動裝置相鄰接的波導 ，但只具有有限的成果。例如，楊等人最近公佈一篇文章 ，名稱爲「使用單極性精巧光子頻帶間隙之新穎的TEM波 導」’ 1 999年十一月的IEEE Trans·微波理論與技術第48卷 第2期第2092-2098頁。此外，AH等人公佈一篇文章，名 稱爲「用於激發準光學放大器的硬喇叭饋送之分析與測量 」，1 999年四月的IEEE Trans·微波理論與技術第47卷第4 期第479-4 87頁。不幸，這些所建議的技術未適當地喊決前 述問題。例如，楊等人描述的光子頻帶間隙結構很難以製 造且成本很高’使得此技術不如所期望者。此外，All等人 的「硬喇叭」方法產生頗大且笨重的結構，其對於大多數 商業應用而言不切實際。 於是’明確地需要簡單且具有成本效益的界面或轉接 器，其將一以基本模式傳播信號的波導耦合至--具有所欲 的場分佈之柵格陣列結構。 發明槪述 滿足這些需求的本發明在於一種轉接器，用於將一準 光學柵格陣列總成親合至一波導，其具有一由波約束裝置 劃定界限的內穴，且引導一在縱向傳播的波。轉接器將波 轉換於波導的基本模式與一在陣列總成平面之所欲的電磁 場分佈之間。轉接器包括一第一端、一第二端與一波約束 結構。第一端可匹配於波導之一端，其界定一第一孔，第 一孔實質上匹配於在波導端部之波導穴的尺寸。第二端界 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公着） — L·--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508881 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) 定一第二孔，其大於第一孔。波約束結構配置於第一孔與 第二孔之間，且界定一波引導穴，其引導一沿著信號傳播 的縱向傳播之波。波約束結構包含裝置，用於在一預定尺 寸的穴內產生空間不連續性，以產生所欲的場分佈。在一 實施例中，此包含一形成於穴內的第一階梯，其與第一孔 相隔預定的距離。空間不連續性界定爲在波約束結構的剖 面中之實質上突然的改變，其可以只是內壁。雖然依用途 而定，.但典型上，剖面的改變較佳爲發生在小於1 /4 €長處 。.專精於此技藝的人可以了解，剖面的其他改變（大小與形 狀）係可行的。因此，本發明的轉接器傾向於比傳統技術與 裝置實質上更可製造且精巧。 更特別地，在轉接器內壁中的第一階梯於一方向調整 引導穴的尺寸，該方向平行於在波導中傳播的電場，此處 稱爲「E平面」。替代地，第一階梯可以在一方向調整引 導穴的尺寸，該方向垂直於電場的方向與波傳播的縱向二 者，此處稱爲「Η平面」。然而，較佳地，本發明的轉接 器包含至少二在引導穴內的階梯；一階梯在Ε平面調整穴 的尺寸，另一階梯在Η平面調整穴的尺寸。本發明的轉接 器可又包含至少一在轉接器壁內的Ε平面中之額外階梯， 及一在轉接器壁內的Η平面中之額外階梯。這些階梯的構 造全部皆可激發轉接器中的高階模式，及使在第二孔的信 號之場分佈成形。 在一較佳實施例中’本發明的轉接器包含一柵格陣列 ，其位於轉接器的第二孔。此柵格陣列總成包含一由介電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) ' -8- —---------衣— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508881 A7 B7 五、發明説明（6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 質劃定界限的主動柵格陣列’介電質充當散熱器。柵格陣 列可以是柵格放大器、柵格振盪器或其他型式的主動柵格 陣列。此外，第二孔具有適當尺寸，俾使主動陣列的邊緣 與約束壁相隔一預定距離’以使入射於第二孔的場分佈成 形。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本發明之另一更詳細的特點中，揭示一用於主動準 光學柵格陣列總成的輸入饋送裝置，其使一在矩形波導（其 具有一內部波約束穴）中縱向傳播的信號之基本模式膨脹成 爲具有所欲的場分佈之多重模式信號。此裝置包括：（1) 一 界定第一孔的輸入，第一孔實質上匹配於波導穴的尺寸， 且可匹配於波導；（2)—界定第二孔的輸出，第二孔可以容 納柵格陣列；及（3)—波約束結構，其配置於輸入與輸出之 間，界定一 EM引導穴。波約束結構包含一在穴內的第一階 梯，其與輸入相隔一預定的距離，且使穴膨脹一預定的尺 寸，藉以控制在波導的基本模式與高階模式之間的信號之 相與振幅分佈，以獲得所欲的場分佈。階梯使E平面或Η 平面中的引導穴擴大。然而，較佳地，饋送穴包含一使Ε 平面中的穴擴大之階梯及一使Η平面中的穴擴大之第二階 梯。穴內可以有額外的階梯，以在輸出獲得所欲的場分佈 〇 在又一實施例中，揭示一種電磁波收集器裝置，其將 一由主動準光學柵格陣列總成傳播的多種模式信號轉變成 爲矩.形波導的基本模式，波導具有一內部引導穴。收集器 包含一界定第一孔的輸入、一界定第二孔的輸出及一波導 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -9 - 508881 Α7 Β7 五、發明説明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電結構，第一孔可以容納柵格陣列，第二孔實質上匹配於 波導穴的尺寸，且可匹配於波導，波導電結構配置於輸入 與輸出之間，界定一 EM引導穴。 穴包含在E平面或Η平面中的第一階梯，其與輸入相 隔一預定的距離，且使穴收縮一預定的尺寸’藉以控制信 號的相與振幅分佈，以使信號之高階模式的功率轉換爲來 自柵格陣列的基本模式。更特別地，至少二階梯包含於穴 內，一.階梯在Ε平面中，另一階梯在Η平面中。穴內苛包 含額外的階梯，以更密切趨近基本模式。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 揭示一種將電磁信號轉換於一標準矩形波導的基本模 式與一場分佈之間之方法，標準矩形波導是在一波導轉接 器的一端，轉接器具有一由波約束結構劃定界限的內穴’ 場分佈是在轉接器的對立端，其係準光學柵格陣列總成所 欲者。方法包含調整具有至少一不連續階梯（階梯係在Ε平 面中，與波導相隔一預定距離）之轉接器內壁的尺寸’及調 整具有至少一空間不連續性（其係在Η平面中，與波導相隔 一預定距離）之轉接器內壁的尺寸。方法又包含的步驟爲提 供一在轉接器對立端的柵格陣列總成，其具有一柵格陣列 及將陣列劃定界限的介電質，及調整柵格陣列邊緣與在對 立端的轉接器壁之間的正常距離，以進一步判定在柵格陣 列上的場分佈。 圖式簡單說明 圖1是一傳統準光學柵格陣列的爆炸圖，陣列中的差 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -10- 508881 A7 B7 五、發明説明（8 ) 動對單元電池之一係放大； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2是本發明之波導轉接器的透視圖，圖中顯示，有 一矩形波導就定位以組裝至其一端，且一主動準光學柵格 陣列總成就定位以組裝至轉接器的一端；而 圖3是本發明之轉接器的切除透視圖，圖中顯示有一 階梯設在E平面中，而一階梯設在Η平面中。 主要元件對照表 100 波導轉接器 102 階梯 104 階梯 106 階梯 108 階梯 110 第一端 120 第一孔 122 導電壁 124 導電壁 126 導電壁 127 壁 128 壁 129 壁 130 弟一晴 200 柵格陣列總成 202 主動準光學栅格陣列 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -11 - 508881 Α7 Β7 較佳實施例詳細說明 此處揭示的本發明是一轉接器或在波導環境與準zp胃 波（準TEM模式）環境之間的過渡，而柵格陣列部件在環境 中操作。栅格放大器的有效操作需要一激發光線，其於g 個放大器的面積具有均勻的相與大小。有效操作也要求， 如果柵格陣列的輸出待再被捕捉至一引導波環境中（而非車畐 射進入自由空間），則柵格陣列的輸出場分佈（典型上，振幅 與相基本上是均勻的，不過，其他分佈亦可行）必須強力親 合至一波導結構的基本模式。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 208 介電層 222 邊緣 224 邊緣 226 邊緣 228 邊緣 300 矩形波導 310 端 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如所提示者，以ΤΕιο模式操作的單一模式矩形波導提 供一電場分佈，其在它的孔以正弦振幅變化。此處揭示的 波導轉接器將一標准波導中之此基本Τ10模式耦合至一超 尺寸引導（其具有所欲的振幅與相之關係）中的高階模式，以 在充當輸入饋送時提供柵格陣列之有效激發。在逆操作中 ，轉接器在如同輸出波導過渡而使用時，充當輸出功率的 有效收集器。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -12- 508881 A7 ___B7 五、發明説明（1〇 ) 圖2是本發明之波導轉接器1 〇〇之一實施例的透視圖， 圖中顯示’有一傳統矩形波導300在一端，且一柵格陣列 總成200在另一端’二者就定位，以組裝至轉接器，柵格 陣列總成200係包括一關聯於介電層208的主動準光學柵格 陣列202。圖3是本發明之典型轉接器100-諸如圖2所示者 -的切除透視圖。本發明之轉接器的第一端11 〇界定一第一 孔120，其設計成爲匹配-或匹配於—在一典型矩形波導300 -端310的孔320，矩形波導300以TE單一模式傳播號* 。在水平與垂直平面二者中的階梯102、104、106與108 使引導結構100的內部尺寸從在第一孔120的標準基本單一 模式波導尺寸膨脹至由大於或等於主動陣列202尺寸的轉 接器第二端130所界定之超尺寸引導孔。這些階梯界定導 電壁122、124、126，EM信號在其內傳播。如所見，階 梯丨02與104使引導在平行於標準引導中的電場之方向膨脹 (自波導所見），於是稱爲「E平面」階梯。階梯106與108 垂直於電場與傳播的縱向二者，於是稱爲「Η平面」階梯 。每一階梯在穴內產生空間不連續性，其係在穴的剖面中 之相當突然的改變，且係如上述而界定。然而，階梯不需 要機製以產生「尖銳」的角。由拇指定則，階梯必須使剖 面產生小於四分之一波長的變化，且可依特定用途而有所 不同。此外，階梯的數目、位置與尺寸控制在柵格陣列的 平面-或第二端1 30-之振幅與相分佈，旦可以如所欲地調整 〇 除了轉接器的約束結構-或壁-以外，一或更多片介電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐) ^ 一 -13- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本買) 衣. ,ιτ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508881 A7 B7 五、發明説明（11 ) 質208可以用於提供阻抗，其匹配於在超尺寸引導與主動 陣列中激發的模式之間。在圖2所示實施例中，一片介電 質的表面支撐柵格陣列202 ’且整個柵格陣列介電質總成 可以組裝進入且由轉接器1⑼的第二端1 3 〇容納。典型上， 在引導的介電加載部分中之傳播模式數目大於在空氣充塡 部分中的數目。 階梯激發轉接器1〇〇的引導結構中之高階模式。這些 模式可以是傳播或漸漸消失式。相對於基本模式之這些激 發的大小與相是由階梯的側向尺寸與縱向位置決定。藉由 控制這些激發的大小與相，乃達成在孔1 20之基本標準波 導模式與在主動陣列Π0平面之趨近於所欲的場分佈（例如 ，均勻的振幅與相）之間的轉變。可以獨立控制之高階模式 的數目是由用於自標準引導膨脹至超尺寸引導的階梯數目 決定。數目更大的小階梯於修改在主動陣列平面的場分佈 形狀時，允許更大的彈性。 此外，於組裝時，自主動陣列的邊緣222、224、226 、228至轉接器100第二端130的邊緣-於此事例中係壁126 、127、128與129-之距離w，x，y與z在決定場分佈時也是 重要的，且提供一額外的設計參數，用於改良分佈。 階梯設計的第一趨近可以使用空間富立葉級數膨脹於 可用的模式，以在超尺寸的引導中傳播而達成。膨脹係數 的大小與相依階梯的尺寸與縱向位置而定。 如所提示者，圖2是一充當柵格放大器的輸入饋送之 轉接器特殊繪示圖。即，此轉接器自一波導饋送一信號至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1K_____— 费— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 «# 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 508881 A7 ____B7 _ 五、發明説明（12 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一諸如柵格放大器的柵格陣列，且放大器提供一自由空間 輸出。然而，應該了解，本發明同樣可以逆模式操作。即 ，本發明的轉接器可以如同有效的輸出波導收集器或「模 式收縮器」而操作。在此實施例中，柵格陣列於自由空間 中輻射一多重模式輸出功率信號至超尺寸的轉接器1 〇〇中 ’轉接器100收集此自由空間信號，且經由使它的內穴收 縮之轉接器的階梯，將信號減少至一信號模式TEM信號， 以輸入至一標準TEM波導。 應了解，內部波約束結構典型是導電壁，但替代地， 可以不導電。 已如此說明本發明的示範性實施例，顯然，專精於此 技藝的人也可思及其它改變、修改與改良。此外，顯然， 此技術與系統不限於充當將一在波導上的信號調適成爲所 欲的分佈之技術。無論波導是否唯獨以單一模式傳播，且 無論陣列是柵格放大器、柵格振盪器或其它形式的準光學 柵格陣列結構，它可以應用到任何形式的波導至柵格陣列 過渡。因此，本發明只由下列申請專利範圍所界定。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15-
Claims (1)
- 508881 C8 印年？叫日修正 ___^_[ 丨補贰_ 穴、申請專利乾圍 附件一 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 第901 14335號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國91年/7月29日修正 1. 一種用於將一準光學柵格陣列耦合至一波導之轉接器 ，其具有一由波約束裝置劃定界限的內穴，且引導一在縱向 傳播的波，轉接器轉換於波導的基本模式與一在陣列平面之 所欲的電磁場分佈之間，包括： (a ) —第一端，其可實質上匹配於波導，且其‘界定一 第一孔，第一孔實質上匹配於波導穴的'尺I寸；及 (b ) —第二端，其界定一大於第一孔的第二孔；及 (c ) 一波約束結構，其配置於第一端與第二端之間， 界定一波引導穴，其引導一沿著信號傳播的縱向傳播之波， 包含一構建於穴內的第一階梯，第一階梯與第一孔相隔一預 定距離，且在一預定尺寸的波導穴內產生空間不連續性，以 產生所欲的場分佈。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2. 如申請專利範圍第1項之轉接器，其中第一階梯於一 方向調整引導穴的尺寸，該方向平行於在波導中傳播的電場 (「E平面」）。 3. 如申請專利範圍第1項之轉接器，其中第一階梯在一 方向調整引導穴的尺寸，該方向垂直於電場的方向與波傳播 的縱向二者（「Η平面」）。 4. 如申請專利範圍第2項之轉接器，其中又包括一在引 導穴內的第二階梯，其調整在Η平面之穴的尺寸。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公麓） ^ , 508881 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5. 如申請專利範圍第4項之轉接器，其中又包括至少一 在轉接器引導穴內的E平面中之額外階梯’及一在穴內的Η 平面中之額外階梯’全部階梯的構造皆可激發轉接器中的高 階模式，及使在第二孔的信號之場分佈成形° 6. 如申請專利範圍第1項之轉接器，其中轉接器的第二 端含有柵格陣列。 7. 如申請專利範圍第1項之轉接器，其中轉接器的第二 端含有由一介電片劃定界限的柵格陣列。 8. 如申請專利範圍第1項之轉接器，其中轉接器的第二 端含有由一介電片劃定界限的柵格放大器。 9. 如申請專利範圍第7項之轉接器，其中介電質是散熱 器。 10. 如申請專利範圍第7項之轉接器，其中第二孔具有 適當尺寸，俾使主動陣列的邊緣與在第二端的波約束結構相 隔一預定距離，以使入射於第二孔的場分佈成形。 11. 一種用於主動準光學栅格陣列之輸入饋送裝置，其 使一在矩形波導（其具有一內部波約束穴）中縱向傳播的信號 之基本模式膨脹成爲具有所欲的場分佈之多重模式信號，包 括： (a ) —界定第一孔的輸入，第一孔實質上匹配於波導 穴的尺寸，且可匹配於波導； (b ) —界定第二孔的輸出，第二孔可以容納栅格陣列 •，及 (c ) 一波約束結構，其配置於輸入與輸出之間，界定 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） ---------装-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508881 ABCD 六、申請專利範圍 一波引導穴，且包含 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁〕 一在穴內的第一階梯，其與輸入相隔一預定的距 離，且使穴膨脹一預定的尺寸，藉以控制在波導的基 本模式與高階模式之間的信號之相與振幅分佈，以獲 得所欲的場分佈。 1 2·如申請專利範圍第11項之裝置，其中階梯使E平面 中的EM引導穴擴大。 13·如申請專利範圍第11項之裝置，其中階梯使Η平面 中的ΕΜ引導穴擴大。 14·如申請專利範圍第13項之裝置，其中又包含一第二 階梯，其使Η平面中的ΕΜ引導穴擴大。 15.如申請專利範圍第14項之裝置，其中又包含在ΕΜ 引導穴的額外階梯，以在輸出獲得所欲的場分佈。 16·—種ΕΜ波收集器裝置，其將一由主動準光學栅格陣 列傳播的多重模式信號轉變成爲矩形波導的基本模式，波導 具有一內部導電穴，包含 (a ) —界定第一孔的輸入，其可容納柵格陣列； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (b ) —界定第二孔的輸出，其實質上匹配於波導穴的 尺寸，且可匹配於波導；及 (c ) 一內部導電結構，其配置於輸入與輸出之間，界 定一波引導穴，且包含 一在穴中的第一階梯，其與輸入相隔一預定的距 離，且使穴收縮一預定的尺寸，藉以控制信號的相與 振幅分佈，以使信號之高階模式的功率轉換成爲來自 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(llO X 297公釐） 7^ 一 508881 A8 B8 C8 _D8______ 六、申請專利範圍 柵格陣列的基本模式。 17. 如申請專利J範圍第16項之裝置，其中階梯使Ε平面 中的EM引導穴收縮。 18. 如申請專利範圍第Π項之裝置，其中階梯使Η平面 中的ΕΜ引導穴收縮。 19. 如申請專利範圍第17項之裝置，其中又包含一第二 階梯，其使Η平面中的穴收縮。 2〇.如申請專利範圍第19項之裝置，其中又包含在穴中 的額外階梯，以在輸出獲得一第一階場分佈。 21. —種將電磁信號轉換於一標準矩形波導的基本模式 與一場分佈之間之方法，標準矩形波導是在一波導轉接器的 一端，轉接器具有一由波約束結構劃定界限的內穴，場分佈 是在波導轉接器的對立端，其係準光學柵格陣列所欲者，包 含·· 調整具有至少一空間不連續性之轉接器的穴之尺寸，空 間不連續性係在Ε平面中，與波導相隔一預定.距離。 22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中又包含調整具 有至少一空間不連續性之轉接器的穴之尺寸，空間不連續性 係在Ε平面中，與波導相隔一預定距離。 23·如申請專利範圍第21項之方法，其中又包含提供在 轉接器對立端的柵格陣列，而以一介電質將陣列劃定界限， 及 調整柵格陣列邊緣與在對立端的轉接器之間的正常距離 ，以進一步判定在柵格陣列上的場分佈。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 』 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508881 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 24·—種用於將一準光學柵格陣列轉接至一波導之轉接 器’其具有一由波約束裝置界定的內穴，且引導一在縱向傳 播的波，轉接器轉換於波導的基本模式與一在陣列平面之所 欲的電磁場分佈之間，包括： (a ) —第一端，其實質上可匹配於波導，且界定一第 一孔，第一孔實質上匹配於波導穴的尺寸；及 (b ) —第二端，其界定一大於第一孔的第二孔；及 (c )配置於第一端與第二端之間的裝置，其界定一 波引導穴，用於引導一沿著信號傳播的縱‘傳 播之波，裝置包含構建於穴內的裝置’其與第 一孔相隔一預定距離，以在一預定尺寸的波導 穴內產生空間不連續性，以在準光學柵格陣列 產生所欲的場分佈。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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| US7784390B1 (en) | 2005-08-18 | 2010-08-31 | Raytheon Company | Solid-state non-lethal directed energy weapon |
| US7443573B2 (en) * | 2005-09-20 | 2008-10-28 | Raytheon Company | Spatially-fed high-power amplifier with shaped reflectors |
| US7911272B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-03-22 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including blended control embodiments |
| US9106316B2 (en) | 2005-10-24 | 2015-08-11 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification |
| US8013675B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-09-06 | Parkervision, Inc. | Combiner-less multiple input single output (MISO) amplification with blended control |
| US8334722B2 (en) | 2007-06-28 | 2012-12-18 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF power transmission, modulation and amplification |
| US7378914B2 (en) * | 2006-01-31 | 2008-05-27 | Raytheon Company | Solid-state high-power oscillators |
| US7403076B1 (en) | 2006-02-03 | 2008-07-22 | Hrl Laboratories, Llc | High frequency quasi optical power source capable of solid state implementation |
| US7937106B2 (en) * | 2006-04-24 | 2011-05-03 | ParkerVision, Inc, | Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including architectural embodiments of same |
| US8031804B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-10-04 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of RF tower transmission, modulation, and amplification, including embodiments for compensating for waveform distortion |
| US7504999B2 (en) * | 2006-08-22 | 2009-03-17 | Raytheon Company | Amplified patch antenna reflect array |
| AU2008219083A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | Wavestream Corporation | Energy focusing system for active denial apparatus |
| WO2008144017A1 (en) | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification |
| US8182103B1 (en) | 2007-08-20 | 2012-05-22 | Raytheon Company | Modular MMW power source |
| EP2191770B1 (en) * | 2008-05-02 | 2016-04-13 | Olympus Corporation | Optical inspection device, electromagnetic wave detection method, electromagnetic wave detection device, organism observation method, microscope, endoscope, and optical tomographic image generation device |
| US8107894B2 (en) | 2008-08-12 | 2012-01-31 | Raytheon Company | Modular solid-state millimeter wave (MMW) RF power source |
| US8248320B2 (en) * | 2008-09-24 | 2012-08-21 | Raytheon Company | Lens array module |
| US9375169B2 (en) | 2009-01-30 | 2016-06-28 | Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh | Cam drive for managing disposable penetrating member actions with a single motor and motor and control system |
| GB2467763B (en) * | 2009-02-13 | 2013-02-20 | Univ Kent Canterbury | Tuneable surface |
| US8058935B2 (en) | 2010-02-05 | 2011-11-15 | The Boeing Company | Scalable millimeter wave power source |
| WO2012139126A1 (en) | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Parkervision, Inc. | Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification |
| JP6174574B2 (ja) | 2011-06-02 | 2017-08-02 | パーカーヴィジョン インコーポレイテッド | アンテナ制御 |
| US8552813B2 (en) | 2011-11-23 | 2013-10-08 | Raytheon Company | High frequency, high bandwidth, low loss microstrip to waveguide transition |
| KR20160058855A (ko) | 2013-09-17 | 2016-05-25 | 파커비전, 인크. | 정보를 포함하는 시간의 함수를 렌더링하기 위한 방법, 장치 및 시스템 |
| EP2943992A1 (en) * | 2013-11-19 | 2015-11-18 | CommScope Technologies LLC | Modular feed assembly |
| JP6504995B2 (ja) * | 2015-10-30 | 2019-04-24 | アンリツ株式会社 | 帰還増幅回路およびその周波数特性制御方法 |
| CN109286080B (zh) * | 2018-10-23 | 2021-01-12 | 北京无线电测量研究所 | 一种极化装置 |
| US10749256B1 (en) * | 2019-01-30 | 2020-08-18 | Raytheon Company | Waveguide adapter for slot antennas |
| CN114284654B (zh) * | 2021-11-23 | 2023-05-12 | 电子科技大学 | 异形光栅加载的圆波导tm01-te01模式转换器 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2617937A (en) * | 1945-09-14 | 1952-11-11 | Lester C Van Atta | Flared horn wave guide antenna |
| US2957143A (en) * | 1959-09-11 | 1960-10-18 | Arizona Res Foundation | Wideband transistor amplifier |
| US4942369A (en) * | 1987-03-20 | 1990-07-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Controlled current producing differential circuit apparatus |
| US4757326A (en) * | 1987-03-27 | 1988-07-12 | General Electric Company | Box horn antenna with linearized aperture distribution in two polarizations |
| US5214394A (en) * | 1991-04-15 | 1993-05-25 | Rockwell International Corporation | High efficiency bi-directional spatial power combiner amplifier |
| DE69215492T2 (de) * | 1991-12-23 | 1997-05-22 | Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit zweistufigen Differenzverstärker |
| US5317173A (en) | 1993-05-13 | 1994-05-31 | Rockwell International Corporation | HBT differential pair chip for quasi-optic amplifiers |
| US5392152A (en) * | 1993-10-13 | 1995-02-21 | Rockwell International Corporation | Quasi-optic amplifier with slot and patch antennas |
| EP0673111A1 (en) * | 1994-03-17 | 1995-09-20 | ALCATEL BELL Naamloze Vennootschap | Differential pair arrangement |
| US5481223A (en) * | 1994-09-13 | 1996-01-02 | Rockwell International Corporation | Bi-directional spatial power combiner grid amplifier |
| US5450041A (en) * | 1994-09-19 | 1995-09-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Quasi-optical oscillator using ring-resonator feedback |
| US5900779A (en) * | 1996-06-13 | 1999-05-04 | Vtc, Inc. | Differential transimpedance amplifier |
| FI107657B (fi) * | 1998-03-11 | 2001-09-14 | Nokia Mobile Phones Ltd | Kytkentä differentiaalisen aktiivikomponentin impedanssin säätämiseksi |
| US5900965A (en) * | 1998-05-06 | 1999-05-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Wideband quasi-optical millimeter-wave resonator |
| US6069523A (en) * | 1998-06-04 | 2000-05-30 | Nortel Networks Corporation | Differential data driver |
| JP4206589B2 (ja) * | 1999-12-02 | 2009-01-14 | 富士通株式会社 | 分布増幅器 |
-
2001
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