KR20000066207A - 음극선관의 전자총 에이징 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 음극선관(cathode ray tube; CRT)의 전자총 에이징(aging) 방법에 관한 것으로, 특히 고압 에이징 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 음극선관의 전자총 에이징 방법은 23KV의 전압을 G3 전극에 직접 인가하여 그리드 전극의 이물질을 제거한 다음, 30~40KV의 펄스 전압을 소켓 단자간에 인가하여 하여 소켓 단자 간의 이물질을 제거함으로써, GLASS ROD 매립부 방전 불량시 방전 수리가 거의 불가능한 것을 수리 양품율이 80% 이상이 되도록 인가하여 그리드 전극의 이물질을 제거한 다음, 30~40KV의 펄스 전압을 소켓 단자간에 인가하여 하여 소켓 단자 간의 이물질을 제거함으로써, GLASS ROD 매립부 방전 불량시 방전 수리가 거의 불가능한 것을 수리 양품율이 80% 이상이 되도록 개선된다.

Description

음극선관의 전자총 에이징 방법{Method for aging a electron gun of CRT}

본 발명은 음극선관(cathode ray tube; CRT)의 전자총 에이징(aging) 방법에 관한 것으로, 특히 고압 에이징 방법에 관한 것이다.

일반적으로 에이징(aging)이라 함은 배기가 완료된 음극선관 튜브를 각 전극간 절연을 좋게하고 전자 방출이 용이하도록 처리하는 공정을 지칭하는 것으로, 게터 플래슁(getter flashing), 고압 에이징 및 에미션 에이징(emission aging)으로 구분된다.

먼저, 게터 플래슁은, 배기 공정의 열분해 배기로서는 CRT의 전자 방출에 필요한 10-7 Torr의 진공도를 얻는데 불충분하므로, 고진공도의 CRT를 얻기 위하여 게터의 화학적 작용을 이용하여 관내의 잔류 가스를 게터막에 흡착시키는 공정으로서, 10-2 Torr 정도의 진공도를 향상시킨다. 또한, 사용도중 발생되는 가스도 흡착하여 관내의 진공도를 유지시켜 음극의 수명을 높인다.

에미션 에이징은 음극(산화물 음극)의 활성도를 높여 전자 방출이 용이하도록 함으로써 CRT가 안정적인 동작을 하도록 한다.

그리고 고압 에이징은 8~16KV의 높은 전압이 걸리는 CRT의 G3과 G5 전극 간에 절연상태가 나쁘면 순간적으로 쇼트(short)되어 회로부품의 소손 등과 같은 TV 세트에 주게되는 신뢰성의 문제가 발생하는 것을 방지하기 위한 공정으로, 내압 불량을 방지하기 위하여 각 전극에 사용 전압 보다 3~5배의 높은 전압을 인가하여 관내 이물을 태우고 전계 연마를 시켜 절연 상태를 높이는 공정이다. 음극선관의 내압불량을 발생시키는 원인으로는 다음과 같은 것들이 있다.

1. 그리드(grid): 전극 표면의 요철(Barrel), 끝티, 열처리 부족

2. 스템(stem): 리엔트렌트 불량, 유리 이물, 세정 부족

3. 마운트(mount): 이물(유리, 용접똥, 용접봉 가루), 먼지, glass rod 불결, 손때(염분)

4. 벌브(bulb): 이물(유리, Al 조각, 흑연, 기타), 내장 흑연 긁힘

5. 튜브(tube): 봉입-유리조각, 분필가루, 먼지, 장갑취급불량, 진공불량

6. 에이징: 고압 에이징 부족, 선로 단선

이와 같은 음극선관의 내압불량을 방지하기 위하여, 도 1에 도시된 바와 같이, 고압 에이징을 하고 있다. 즉, G1 전극과 G2 전극 및 히터와 음극을 연결하여 -50V의 펄스 고압을 인가하고, G3 전극은 플로팅(floating)시키며, 양극(anode)에 초고전압 Eb를 인가하여 고압 에이징을 실시한다. 이와 같이 하여 전극으로부터 발생하는 가스 등의 이물질을 제거한다.

그러나 이와 같은 고압 에이징 방법은 G3 전극이 플로팅되기 때문에 초고압이 인가된 양극(anode)과 G2 전극과의 거리차가 커 두 전극간에 형성되는 전계의 세기가 그다지 크지 못하기 때문에 G3 전극에서의 이물질 제거 효과가 현저히 떨어진다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안한 것으로, 전자총의 GLASS ROD 매립부 방전 불량시 방전 수리가 거의 불가능한 것을 개선하여 양품율을 거의 80% 수준으로 올릴수 있는 방전 수리 조건을 포함하는 음극선관의 전자총 에이징 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래의 음극선관의 전자총 에이징 방법을 설명하기 위한 도면이고,

도 2는 본 발명에 따른 음극선관의 전자총 에이징 방법을 설명하기 위한 도면이다.

＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞

G: 그리드 K: 음극

H: 히터

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 음극선관의 전자총 에이징 방법은, 전자총을 에이징 하는 방법에 있어서, (가) 상기 전자총의 G3 전극에 직접 DC 전압을 인가하여 DC 고압 방전을 실시하는 단계; 및 (나) 상기 (가) 단계 다음에 상기 전자총의 소켓 전극 단자들 간에 소정 전압의 펄스파를 인가하여 소켓 스파크를 실시하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 있어서, 상기 (가) 단계에서 상기 G3 전극에 직접 인가하는 DC 전압은 23KV이고, 이 DC 전압을 온 상태에서 5초간 유지하고 오프 상태에서 3초간 유지하는 과정을 5회 이상 반복하여 실시하는 것이 바람직하며, 상기 (나) 단계에서 상기 펄스파의 전압은 30~40KV 이고, 상기 펄스파는 온 및 오프 상태를 각각 1초씩 유지하며, 100 회 이상 인가하는 것이 바람직하다.

이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 음극선관의 전자총 에이징 방법을 상세하게 설명한다.

도 2는 본 발명에 따른 음극선관의 전자총 에이징 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 음극선관의 전자총 에이징 방법은 DC 고압(DC SPARK) 수리를 먼저 실시하고 소켓 스파크(SOCKET SPARK) 수리를 실시하는 순서로 진행된다. 만약, 이와 반대 순서로 에이징을 실시하게 되면 수리가 되지 않는다.

먼저, DC 고압 수리를 실시한다. DC 고압 수리는, 도 2에 도시된 바와 같이, G1 전극과 G2 전극 및 히터와 음극을 연결하여 접지시키고, G3 전극에 DC 23.0 KV의 고압을 직접 인가하여 ON 상태를 5초 동안 유지하고, OFF 상태를 3초 동안 유지하는 방식으로 이러 방식을 5회 실시한다. 이와 같이 하면, G2 전극과 G3 전극 사이에는 기존의 글로우(GLOW) 방전 대신에 아크(ARC) 방전이 일어나 이물질이 제거된다.

다음에, 소켓 스파크를 실시한다. 소켓 스파크는 ON 및 OFF 상태가 각각 1초씩 유지되는 30~40KV의 펄스파를 소켓의 전극 단자에 인가하여 100회 실시한다. 이는 소켓 전극 단자간에 이물질을 제거하여 단락을 방지하기 위한 것이다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 음극선관의 전자총 에이징 방법은 23KV의 전압을 G3 전극에 직접 인가하여 그리드 전극의 이물질을 제거한 다음, 30~40KV의 펄스 전압을 소켓 단자간에 인가하여 하여 소켓 단자 간의 이물질을 제거함으로써, GLASS ROD 매립부 방전 불량시 방전 수리가 거의 불가능한 것을 수리 양품율이 80% 이상이 되도록 개선된다.

Claims (4)

1. 전자총을 에이징 하는 방법에 있어서,

   (가) 상기 전자총의 G3 전극에 직접 DC 전압을 인가하여 DC 고압 방전을 실시하는 단계; 및

   (나) 상기 (가) 단계 다음에 상기 전자총의 소켓 전극 단자들 간에 소정 전압의 펄스파를 인가하여 소켓 스파크를 실시하는 단계;를

   포함하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 전자총 에이징 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 (가) 단계에서 상기 G3 전극에 직접 인가하는 DC 전압은 23KV이고, 이 DC 전압을 온 상태에서 5초간 유지하고 오프 상태에서 3초간 유지하는 과정을 5회 이상 반복하여 실시하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 전자총 에이징 방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 (나) 단계에서 상기 펄스파의 전압은 30~40KV 인 것을 특징으로 하는 음극선관의 전자총 에이징 방법.
4. 제1항 또는 제3항에 있어서,

   상기 (나) 단계에서 상기 펄스파는 온 및 오프 상태를 각각 1초씩 유지하며, 상기 펄스파를 100회 이상 인가하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 전자총 에이징 방법.