KR19990050852A - How to manage semiconductor equipment - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 설비와 반도체 제조 설비의 공정 환경을 계측하는 계측 설비를 설비 제어 모듈에 의하여 양방향 통신 가능하게 온라인시키고, 설비 제어 모듈을 다시 호스트와 온라인시켜 설비 제어 모듈이 계측데이터를 호스트의 스펙 데이터와 비교 분석하여 반도체 설비에 이상이 발견되었을 때 이를 신속하게 경보 및 분석 가능토록 한 반도체 설비 관리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 반도체 설비의 공정 환경을 계측하기 위한 선행 공정을 진행하는 단계와, 선행 공정 결과에 따라서 계측 설비가 계측을 진행하도록 설비 제어 모듈이 계측 서버로 계측 명령을 내리는 단계와, 계측된 결과를 호스트에 저장하여 호스트에 기 설정되어 있는 스펙 데이터와 비교-분석하는 단계와, 비교-분석된 데이터에 의하여 설비 제어 모듈이 반도체 설비를 셋팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, a measurement facility for measuring a process environment of a semiconductor manufacturing facility and a semiconductor manufacturing facility is online by a facility control module for bidirectional communication, and the facility control module is online with a host so that the facility control module reads the measurement data of the host specification. The present invention relates to a method for managing a semiconductor device that can be quickly alerted and analyzed when an abnormality is found in a semiconductor device by analyzing the data and analyzing the data. According to the present invention, there is provided a method of performing a preceding process for measuring a process environment of a semiconductor device. A step in which the facility control module issues a measurement command to the measurement server so that the measurement facility proceeds with measurement according to the result of the preceding process, and stores the measured result in the host and compares and analyzes the specification data with the preset data in the host; , The control module of the facility Characterized in that it comprises the step of setting the ratio.
Description
본 발명은 반도체 설비 관리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 설비를 제어하는 설비 서버와 반도체 설비의 공정 환경을 계측하는 계측 설비를 제어하는 계측설비 서버를 설비 제어 모듈에 의하여 양방향 통신 가능하게 온라인시키고, 설비 제어 모듈을 다시 호스트와 온라인시켜 설비 제어 모듈이 계측 데이터를 호스트의 스펙 데이터와 비교 분석하여 반도체 설비에 이상이 발견되었을 때 이를 신속하게 경보 및 분석 가능토록 한 반도체 설비 관리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for managing a semiconductor facility, and more particularly, a facility server for controlling a semiconductor facility and a measurement facility server for controlling a measurement facility for measuring a process environment of a semiconductor facility are enabled to be bi-directionally communicated by a facility control module. And the facility control module online with the host, and the facility control module compares and analyzes the measurement data with the host's specification data so as to promptly alert and analyze when an abnormality is found in the semiconductor facility. .
일반적으로 하나의 완성된 반도체 제품을 생산하기 위해서는 무수히 많은 공정 및 공정을 정밀하게 수행하는 무수히 많은 반도체 설비를 거쳐야만 한다. 이와 같은 이유로 반도체 산업을 설비 의존도가 높은 장치 산업이라 하기도 한다.In general, in order to produce a finished semiconductor product, it has to go through a myriad of semiconductor facilities that precisely perform a myriad of processes and processes. For this reason, the semiconductor industry is sometimes referred to as a device industry with high facility dependency.
이와 같이 반도체 제품을 생산하는 생산라인에 설치되어 있는 무수히 많은 반도체 설비들은 모두 개별적으로 공정을 수행하는 것 처럼 보이기도 하지만, 전체적으로 반도체 설비와 반도체 설비는 상호 밀접한 관계를 갖고 있음은 널리 알려진 사실이다.Although a myriad of semiconductor facilities installed in the production line for producing semiconductor products all seem to perform the process individually, it is well known that semiconductor equipment and semiconductor equipment have a close relationship with each other.
최근들어서는 반도체 제품의 집적도 및 복잡도가 더욱 증대하면서 그만큼 반도체 공정수 및 반도체 설비대수도 증가하는 추세이다. 이에 부응하여 반도체 설비들의 효율적인 관리 방법 및 시스템의 개발 또한 꾸준히 진행되고 있다.In recent years, as the integration and complexity of semiconductor products have increased, the number of semiconductor processes and semiconductor facilities has increased. In response to this, development of an efficient management method and system for semiconductor facilities has been steadily progressing.
도 1은 종래 반도체 설비 관리 시스템을 도시한 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating a conventional semiconductor equipment management system.
반도체 설비 관리 시스템은 전체적으로 보아 반도체 공정이 실제로 진행되는 반도체 설비(10)와, 반도체 설비(10)를 직접적으로 제어하여 반도체 설비(10)가 공정을 진행할 수 있도록 하는 설비 서버(20)와, 설비 서버(20)에 공정 순서 및 공정 환경, 공정 데이터등 방대한 간접 데이터를 제공하는 호스트(50)로 구성되어 있다.The semiconductor facility management system generally includes a semiconductor facility 10 in which a semiconductor process actually proceeds, a facility server 20 that directly controls the semiconductor facility 10 so that the semiconductor facility 10 can proceed with the process, and a facility. The server 20 is configured with a host 50 that provides a vast amount of indirect data such as a process sequence, a process environment, and process data.
여기서, 반도체 설비(10)와 설비 서버(20)는 SECS(SEMI Communication Standard) 프로토콜에 의하여 양방향 통신 가능토록 형성되어 있으며, 설비 서버(20)와 호스트(50)는 TCP/IP 프로토콜에 의하여 통신 가능토록 형성되어 있다.Here, the semiconductor facility 10 and the facility server 20 are formed to enable bidirectional communication by the SECS (SEMI Communication Standard) protocol, and the facility server 20 and the host 50 can communicate by the TCP / IP protocol. It is formed all the time.
한편, 반도체 설비(10)는 아주 미세하게 변화되는 공정 환경에 의해서도 수율(yield)에 많은 영향이 미치게 됨으로, 반도체 설비(10)에는 공정 환경을 체크하기 위한 계측 설비(30)가 설치되어 있으며, 계측 설비(30)는 계측설비 서버(40)에 의하여 제어된다.On the other hand, since the semiconductor equipment 10 has a large influence on yield even by a very minute process environment, the semiconductor equipment 10 is provided with a measurement facility 30 for checking the process environment. The measurement facility 30 is controlled by the measurement facility server 40.
작업자는 계측설비 서버(40)에 의하여 계측 설비(30)를 제어함으로써, 일정 주기(PM)로 반도체 설비(10)의 공정 환경을 체크하여 공정 환경이 허용 범위 내에 있지 않을 경우, 이를 점검하여 반도체 설비(10)의 공정 환경을 다시 셋팅하게 된다.By controlling the measurement facility 30 by the measurement facility server 40, an operator checks the process environment of the semiconductor facility 10 at a predetermined period PM and checks the process environment when the process environment is not within the allowable range. The process environment of the facility 10 is reset.
도 2는 이와 같은 반도체 설비중 스퍼터 설비(A)와, 스퍼터 설비(A)에 형성되어 있는 다수개의 챔버1, 챔버2, 챔버3, 챔버4에 잔존함으로써 공정에 영향을 미치는 잔존가스를 계측하는 잔존가스 계측 설비(30)와 계측설비 서버(40)가 도시되고 있다.FIG. 2 shows the remaining gas influencing the process by remaining in the sputtering equipment A and the plurality of chambers 1, 2, 3, and 4 formed in the sputtering equipment A. The residual gas measurement facility 30 and the measurement facility server 40 are shown.
이 챔버1(2), 챔버2(4), 챔버3(6), 챔버4(8) 들 내부로 공급되어 실제 반응에 참여하는 공정가스 이외의 타 가스(공기, 수증기 등)가 챔버들내에 잔존할 경우, 공정이 진행되면서 공정 불량이 발생할 수 있기 때문에 실제 공정이 진행되기 이전에는 반드시 챔버1(2), 챔버2(4), 챔버3(6), 챔버4(8) 내부를 고진공 상태로 만든 후, 공정을 진행한다.The chamber 1 (2), chamber 2 (4), chamber 3 (6), chamber 4 (8) is supplied to the inside of the chamber other gas (air, steam, etc.) other than the process gas to participate in the actual reaction. If remaining, process defects may occur as the process proceeds. Therefore, the chamber 1 (2), chamber 2 (4), chamber 3 (6), and chamber 4 (8) inside the vacuum chamber must be in a high vacuum state before the actual process proceeds. After making, proceed with the process.
그러나, 다른 여러 가지 요인으로 인하여 일정 진공압이 형성된 후에도 상기 챔버1, 챔버2, 챔버3, 챔버4 내부로 타 가스가 유입될 수 있음으로 각각의 챔버에는 잔존가스를 감지하는 센서(32,34,36,38)를 포함하고 있는 잔존가스 계측 설비(30)가 설치되어 있다.However, other gases may be introduced into the chamber 1, the chamber 2, the chamber 3, and the chamber 4 even after a certain vacuum pressure is formed due to various other factors. Residual gas measurement facility 30 including 36 and 38 is provided.
이 잔존가스 계측 설비(30)에 의하여 잔존가스의 정보를 포함하고 있는 센싱 신호가 계측된 후, 잔존가스 계측설비 서버(40)로 입력되어 분석된다.After the sensing signal including the residual gas information is measured by the remaining gas measuring equipment 30, it is input to the remaining gas measuring equipment server 40 and analyzed.
분석된 데이터는 잔존가스 계측설비 서버(40)에 소정 포맷을 갖는 파일(file) 형태로 저장된다.The analyzed data is stored in the file format having a predetermined format in the residual gas measurement facility server 40.
작업자는 이 분석된 데이터를 추출하여 스퍼터 설비의 공정 환경을 체크한다.The operator extracts this analyzed data to check the process environment of the sputtering plant.
그러나, 이와 같은 종래 반도체 설비 관리 시스템에 의하여 반도체 설비를 관리할 때, 반도체 설비와 반도체 설비의 공정 환경을 계측하는 계측 설비가 상호 온라인되어 있지 않기 때문에, 계측 설비가 계측을 종료한 후 생성된 계측 데이터의 비교-분석이 지연됨으로써, 반도체 설비에 이상이 발생할 경우 신속하게 발생 상황을 대처할 수 없는 문제점이 있으며, 반도체 설비 및 계측 설비의 현재 상황을 한번에 알 수 없는 어려움이 있었다.However, when the semiconductor equipment is managed by such a conventional semiconductor equipment management system, since the measurement equipment for measuring the process environment of the semiconductor equipment and the semiconductor equipment is not online, the measurement generated after the measurement equipment has finished the measurement. As the comparison-analysis of data is delayed, when an abnormality occurs in the semiconductor equipment, there is a problem in that it cannot cope with the situation quickly, and there is a difficulty in knowing the current situation of the semiconductor equipment and the measurement equipment at once.
따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안하여 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 반도체 설비와 계측 설비를 설비 제어 모듈을 사용하여 온라인 시키고, 설비 제어 모듈을 다시 호스트에 온라인하여 반도체 설비와 계측 설비를 설비 제어 모듈에 의하여 양방향 모니터링 제어하고 반도체 설비 및 계측 설비의 현재 상황을 설비 제어 모듈에 의하여 수행할 수 있도록 함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a conventional problem, and an object of the present invention is to bring a semiconductor facility and a measurement facility online by using a facility control module, and bring the facility control module online to a host and measure it with the semiconductor facility. Bidirectional monitoring control of the facility by the facility control module and the present situation of the semiconductor facility and the measurement facility to be carried out by the facility control module.
도 1은 종래 반도체 설비 관리 시스템을 도시한 개념도.1 is a conceptual diagram showing a conventional semiconductor equipment management system.
도 2는 도 1의 스퍼터 설비 및 계측설비인 Ⅰ부분을 도시한 개념도.FIG. 2 is a conceptual diagram showing part I of the sputtering and measuring equipment of FIG. 1; FIG.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 설비 관리 시스템을 도시한 개념도.3 is a conceptual diagram illustrating a semiconductor facility management system according to the present invention.
도 4는 도 3의 스퍼터 설비 및 계측설비인 Ⅱ 부분을 도시한 개념도.FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating a part II of the sputtering facility and the measurement facility of FIG. 3. FIG.
도 5는 본 발명에 의한 스퍼터 설비를 계측하는 계측설비의 계측 방법을 도시한 시퀀스도.5 is a sequence diagram showing a measurement method of a measurement facility for measuring a sputter facility according to the present invention.
도 6은 본 발명에 의한 반도체 설비 관리 방법을 도시한 순서도.6 is a flowchart illustrating a method for managing semiconductor equipment according to the present invention.
이와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명 반도체 설비 관리 방법은 반도체 공정이 진행되도록 설치된 반도체 설비, 반도체 설비와 온라인 되어 있는 설비 서버와, 반도체 설비의 공정 환경을 계측하기 위한 계측 설비, 계측 설비와 온라인 되어 있는 계측 서버와, 설비 서버 및 계측 서버와 온라인 되어 있는 설비 제어 서버와, 설비 제어 서버와 온라인되어 있는 호스트 컴퓨터를 구비한 반도체 설비 관리 시스템에 의하여 반도체 설비를 관리하는 방법에 있어서, 반도체 설비의 공정 환경을 계측하기 위한 선행 공정을 진행하는 단계와, 선행 공정 결과에 따라서 계측 설비가 계측을 진행하도록 설비 제어 모듈이 계측 서버로 계측 명령을 내리는 단계와, 계측된 결과를 호스트에 저장하여 호스트에 기 설정되어 있는 스펙 데이터와 비교-분석하는 단계와, 비교-분석된 데이터에 의하여 설비 제어 모듈이 반도체 설비를 셋팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The semiconductor device management method of the present invention for achieving the above object of the present invention is a semiconductor facility installed to proceed the semiconductor process, a facility server that is online with the semiconductor facility, a measurement facility for measuring the process environment of the semiconductor facility, a measurement facility A method for managing a semiconductor facility by means of a semiconductor facility management system having a measurement server which is online, and a measurement server which is online, a facility server, a facility control server that is online, and a facility control server and a host computer online. A process of performing a preliminary process for measuring the process environment of a facility, a step in which a facility control module issues a measurement command to a measurement server so that a measurement facility performs a measurement according to a result of a preliminary process, and stores the measured result in a host. Compare and analyze the specification data set in the host. ; And comparison - the plant control module by a data analysis characterized in that it comprises the step of setting the semiconductor equipment.
바람직하게, 선행공정 진행단계 이후에는 반도체 설비의 공정 환경이 계측을 위한 조건과 합치하는가를 판단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the method may further include determining whether the process environment of the semiconductor equipment is consistent with the conditions for the measurement after the preceding process.
바람직하게, 계측 명령을 내리는 단계 이후에는 계측 설비가 반도체 설비 계측을 실시하고, 계측된 데이터를 설비 제어 모듈로 입력하는 단계를 더 포함한다.Preferably, after the step of issuing a measurement command, the measurement facility further includes the step of performing semiconductor facility measurement and inputting the measured data into the facility control module.
바람직하게 반도체 설비를 셋팅하는 단계에는 계측 데이터가 스펙 데이터의 범위에 있으면 반도체 설비를 초기화하고 공정을 진행하고, 계측 데이터가 스펙 데이터의 범위밖에 있으면 경보 메시지를 호스트 및 설비 서버로 입력하고, 반도체 설비의 이상 발생원인을 분석한 후, 설비를 재셋팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, in the step of setting the semiconductor equipment, if the measurement data is in the range of the specification data, the semiconductor equipment is initialized and the process proceeds. If the measurement data is out of the specification data, an alarm message is input to the host and the facility server. After analyzing the cause of the abnormality, characterized in that it further comprises the step of resetting the equipment.
바람직하게 설비 서버, 계측 서버, 설비 제어 모듈은 호스트와 TCP/IP 프로토콜에 의하여 온라인되고, 설비 서버와 계측 서버는 설비 제어 모듈과 SECS 프로토콜에 의하여 온라인 되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the facility server, the measurement server and the facility control module are online by the host and the TCP / IP protocol, and the facility server and the measurement server are online by the facility control module and the SECS protocol.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 설비 관리 방법을 구현하기 위한 반도체 설비 시스템을 개념적으로 도시하고 있는 개념도이다.3 is a conceptual diagram conceptually illustrating a semiconductor facility system for implementing a semiconductor facility management method according to the present invention.
본 발명에 의한 반도체 설비 시스템은 공정이 실제로 진행되는 반도체 설비(100)와, 반도체 설비(100)와 온라인되어 반도체 설비(100)를 직접적으로 제어하는 다수개의 설비 서버(120)와, 설비 서버(120)와 다시 온라인되어 설비 서버(120)로 필요한 데이터의 제공 및 반도체 생산 라인을 전체적으로 관리, 제어하는 호스트(150)를 포함하고 있다.The semiconductor facility system according to the present invention includes a semiconductor facility 100 in which a process is actually performed, a plurality of facility servers 120 that are online with the semiconductor facility 100 and directly control the semiconductor facility 100, and a facility server ( And a host 150 that is back online with the facility server 120 to provide necessary data and to manage and control the semiconductor production line as a whole.
이에 더하여, 반도체 설비(100)가 최적의 상태 및 공정 불량을 사전에 예방되도록 반도체 설비(100)의 공정 환경을 계측하는 계측 설비(130)와, 설비 서버(100)와 계측설비 서버(140)를 양방향 모니터링 및 제어하는 설비 제어 모듈(200)로 구성되어 있다.In addition, the measurement facility 130 for measuring the process environment of the semiconductor facility 100, the facility server 100, and the measurement facility server 140 so that the semiconductor facility 100 prevents an optimal state and process failure in advance. Consists of a facility control module 200 for bidirectional monitoring and control.
여기서, 반도체 설비(100)와 설비 서버(120)는 SECS(SEMI Communication Standard) 프로토콜(protocol)에 의하여 양방향 통신 가능케 되고, 설비 서버(120)와 호스트(150)는 TCP/IP 프로토콜에 의하여 양방향 통신 가능케 된다.Here, the semiconductor facility 100 and the facility server 120 may be bidirectionally communicated by the SECS (SEMI Communication Standard) protocol, and the facility server 120 and the host 150 may bidirectionally communicate by the TCP / IP protocol. It becomes possible.
한편, 설비 제어 모듈(200)은 설비 서버(120) 및 계측설비 서버(140)와 SECS 프로토콜에 의하여 통신하고, 호스트(150)와는 TCP/IP 프로토콜에 의하여 양방향 통신한다.Meanwhile, the facility control module 200 communicates with the facility server 120 and the measurement facility server 140 by the SECS protocol, and bidirectionally communicates with the host 150 by the TCP / IP protocol.
도 4은 도 3에 도시된 개념도의 Ⅱ부분을 보다 구체적으로 설명하기 위한 개념도이다.FIG. 4 is a conceptual diagram for describing in more detail part II of the conceptual diagram illustrated in FIG. 3.
이 일실시예에서 반도체 설비는 반도체 제조 공정중 하나인 스퍼터(sputter) 공정을 진행하는 스퍼터 설비이고 스퍼터 설비에는 스퍼터 설비(100)를 제어하는 설비 서버(120)가 온라인되어 있다.In this embodiment, the semiconductor facility is a sputter facility for performing a sputter process, which is one of semiconductor manufacturing processes, and the facility server 120 for controlling the sputter facility 100 is online.
한편, 스퍼터 공정이 시작되기 이전에 최적의 공정 환경을 셋팅하기 위하여 잔존가스를 측정하는 계측 설비(130)에는 계측설비 서버(140)와 온라인되어 있으며 계측 설비(130)는 스퍼터 설비(100)와 결합되어 있다.On the other hand, in order to set the optimum process environment before the start of the sputtering process, the measurement facility 130 for measuring the residual gas is online with the measurement facility server 140 and the measurement facility 130 and the sputter facility 100 and Are combined.
스퍼터 설비(100)는 일실시예로 4 개의 챔버(102,104,106,108;이하 챔버)를 구비하고 있으며, 계측 설비(130)는 각각의 챔버에 설치되는 센서(132,134,136,138)를 구비하고 있다.The sputtering apparatus 100 includes four chambers 102, 104, 106, and 108 (hereinafter, referred to as chambers) in one embodiment, and the measuring apparatus 130 includes sensors 132, 134, 136, and 138 installed in the respective chambers.
이 스퍼터 설비(100)와 계측설비 서버(140)는 모두 설비 제어 모듈(200)과 온라인되어 있으며, 설비 제어 모듈(200)은 다시 호스트(150)와 온라인된다.Both the sputtering equipment 100 and the measuring equipment server 140 are online with the equipment control module 200, and the equipment control module 200 is online with the host 150 again.
도 5의 시퀀스도를 참조하여 앞서 설명한 일실시예인 스퍼터 설비의 잔존가스를 분석 및 관리 방법을 설명하기로 한다.Referring to the sequence diagram of Figure 5 will be described a method of analyzing and managing the remaining gas of the sputtering apparatus as an embodiment described above.
먼저, 스퍼터 공정을 진행하기 이전에 설비 제어 모듈(200)은 스퍼터 설비(100)의 공정 환경 이상 유무를 파악하기 위하여 설비 서버(120)에 스퍼터 설비(100)의 챔버(102,104,106,108) 내부를 펌핑하라는 명령을 내린다.First, before proceeding with the sputtering process, the facility control module 200 requires the facility server 120 to pump the interior of the chambers 102, 104, 106, and 108 of the sputtering facility 100 to determine whether there is an abnormality in the process environment of the sputtering facility 100. Give an order
명령을 받은 설비 서버(120)는 챔버를 일정 진공 상태(10-3torr)가 될 때까지 계속 펌핑한다.Commanded facility server 120 continues to pump the chamber until a constant vacuum (10 -3 torr).
소정 시간이 경과되어 챔버가 일정 진공 상태가 되면 설비 서버(120)는 챔버내의 진공압을 점검하여 현재 챔버 내부의 진공압을 설비 제어 모듈(200)로 보고한다.When the predetermined time elapses and the chamber is in a constant vacuum state, the facility server 120 checks the vacuum pressure in the chamber and reports the current vacuum pressure inside the chamber to the facility control module 200.
이에 따라서, 설비 제어 모듈(200)은 챔버 내부의 진공압을 설정값과 비교한 후, 계측설비 서버(140)에 계측 시작 명령을 내린다.Accordingly, the facility control module 200 issues a measurement start command to the measurement facility server 140 after comparing the vacuum pressure in the chamber with a set value.
계측설비 서버(140)는 계측 설비(130)의 센서(132,134,136,138)들을 통하여 챔버 내부의 잔존 가스를 센싱하고, 센싱된 데이터를 다시 설비 제어 모듈(200)로 보고한다.The measurement facility server 140 senses the remaining gas in the chamber through the sensors 132, 134, 136, and 138 of the measurement facility 130, and reports the sensed data back to the facility control module 200.
설비 제어 모듈(200)은 계측된 데이터를 호스트(150)에 저장한다. 이때, 계측된 데이터는 설비 서버(120)에 저장되어도 무방하다.The facility control module 200 stores the measured data in the host 150. In this case, the measured data may be stored in the facility server 120.
호스트(150)는 저장된 계측 데이터를 호스트(150)의 데이터 베이스에 기 설정되어 있는 스펙 데이터와 비교 분석하고, 비교-분석된 데이터는 다시 설비 제어 모듈(200)의 요청에 의하여 호출된 후, 설비 제어 모듈(200)에 입력된다.The host 150 compares and analyzes the stored measurement data with the specification data set in the database of the host 150, and the comparison-analyzed data is called again by the request of the facility control module 200, and then the facility It is input to the control module 200.
이때, 비교-분석된 데이터는 앞서 언급한 방식과 같이 설비 서버(120)에 저장되어도 무방하다.In this case, the compared-analyzed data may be stored in the facility server 120 as described above.
설비 제어 모듈(200)은 비교-분석된 데이터를 토대로 설비 서버(120) 또는 작업자에게 조치 명령을 내려 스퍼터 설비(100)를 조치하고, 다시 조치 결과를 회송받은 후, 스퍼터 설비(100)를 초기화하고 스퍼터 공정을 진행한다.The facility control module 200 measures the sputter facility 100 by giving an action command to the facility server 120 or the operator based on the compared-analyzed data, and after receiving the action result again, initializes the sputter facility 100. And the sputtering process.
도 6은 본 발명에 의한 반도체 설비 관리 방법을 일실시예로 도시한 순서도이다.6 is a flowchart illustrating a semiconductor device management method according to an embodiment of the present invention.
먼저, 반도체 설비(100)의 공정 환경을 계측 설비(120)가 계측하기 위하여 설비 제어 모듈(200)은 반도체 설비(100)에 리모트 커멘드 명령을 내려 선행 공정을 진행한다(step 10).First, in order for the measurement facility 120 to measure the process environment of the semiconductor facility 100, the facility control module 200 issues a remote command command to the semiconductor facility 100 to proceed with the preceding process (step 10).
선행 공정으로는 다양한 경우가 있을 수 있다. 물론 전술한 일실시와 같이 챔버를 진공 상태로 만들어 줄 수도 있으며, 챔버 내부를 일정 온도 및 일정 압력으로 만들어 줄 수도 있을 것이다.There may be various cases of the prior process. Of course, as described above, the chamber may be made in a vacuum state, and the inside of the chamber may be made at a constant temperature and a constant pressure.
이 선행 공정에 의하여 계측을 위한 예비 데이터가 발생된다. 이 예비 데이터는 다시 설비 제어 모듈(200)로 입력되어, 설비 제어 모듈(200)은 이 예비 데이터가 계측을 위한 조건에 합당한지를 판단한다(step 20).This preliminary process generates preliminary data for measurement. This preliminary data is again input to the facility control module 200, and the facility control module 200 determines whether this preliminary data meets the conditions for measurement (step 20).
만일, 예비 데이터가 계측을 위한 조건에 합당하지 않을 경우 조건에 합당하게 될 때까지 선행 공정(step 10)을 반복하게 된다.If the preliminary data does not meet the conditions for measurement, the preceding process (step 10) is repeated until the conditions are satisfied.
예비 데이터가 계측을 위한 조건에 합당할 경우, 설비 제어 모듈(200)은 계측설비 서버(140)에 계측 명령을 하달하여 계측 설비(130)는 계측 공정을 진행한다(step 30).If the preliminary data meets the conditions for measurement, the facility control module 200 issues a measurement command to the measurement facility server 140 and the measurement facility 130 proceeds with the measurement process (step 30).
계측이 종료되면 계측설비 서버(140)는 계측 설비(130)에 의하여 계측된 데이터를 다시 설비 제어 모듈(200)로 입력시킨다.When the measurement is completed, the measurement facility server 140 inputs the data measured by the measurement facility 130 back to the facility control module 200.
여기서, 설비 제어 모듈(200)로 계측 데이터가 입력되면 설비 제어 모듈(200)은 다시 계측 데이터를 호스트(150)에 저장한다(step 50).Here, when the measurement data is input to the facility control module 200, the facility control module 200 again stores the measurement data in the host 150 (step 50).
호스트(150)에 저장된 계측 데이터는 호스트(150)에 의하여 데이터 베이스에 기 설정되어 있는 스펙 데이터와 비교-분석된다.Measurement data stored in the host 150 is compared and analyzed by the host 150 with specification data previously set in the database.
비교-분석된 데이터는 다시 설비 제어 모듈(200)로 입력되고, 설비 제어 모듈(200)은 비교-분석된 데이터를 기초로 계측 데이터가 스펙 데이터의 범주안에 있는지를 판단한다(step 60).The comparison-analyzed data is input back to the facility control module 200, and the facility control module 200 determines whether the measurement data is within the scope of the specification data based on the comparison-analyzed data (step 60).
계측 데이터가 스펙 데이터의 범주 내에 있으면, 설비 제어 모듈(200)은 반도체 설비(100)에서 공정이 진행되도록 반도체 설비(100)를 초기화시키고(step 70), 공정을 진행한다(step 80).If the measurement data is within the range of the specification data, the facility control module 200 initializes the semiconductor facility 100 to proceed with the process in the semiconductor facility 100 (step 70), and proceeds with the process (step 80).
계측 데이터가 스펙 데이터의 범주 밖에 있으면, 설비 제어 모듈(200)은 설비 서버(120)와 호스트(150)에 소리에 의한 알람(alarm) 또는 경보 메시지를 입력하여 반도체 설비(100)의 이상을 알린다(step 85).If the measurement data is outside the range of the specification data, the facility control module 200 notifies the facility server 120 and the host 150 of the sound of the semiconductor facility 100 by inputting an alarm or an alarm message by sound. (step 85).
반도체 설비(100)의 이상을 알람, 경보 메시지에 의하여 알림과 동시에 설비 제어 모듈(200)은 반도체 설비(100)의 이상 원인을 분석하고(step 90), 반도체 설비(100)를 다시 셋팅한 후(step 95), 시작 단계로 피드백한다.At the same time as the alarm of the semiconductor device 100 by the alarm, the alarm message and the facility control module 200 analyzes the cause of the error of the semiconductor device 100 (step 90), after setting the semiconductor device 100 again (step 95), feed back to the start step.
이상에서 상세하게 설명한 바와 같이 반도체 설비를 제어하는 설비 서버와, 반도체 설비의 공정 환경을 계측하는 계측 설비를 제어하는 계측 서버를 설비 제어 모듈과 온라인 시키고, 이 설비 제어 모듈을 다시 호스트와 온라인시킴으로써, 설비 서버와 계측 서버를 양방향 모니터링 및 제어할 수 있고 계측 설비로부터 계측된 데이터의 비교-분석이 신속하게 일련의 과정에 의하여 진행됨으로 설비에 이상이 발생하더라도 이를 신속하게 처리할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the facility server controlling the semiconductor facility and the measurement server controlling the measurement facility for measuring the process environment of the semiconductor facility are brought online with the facility control module, and the facility control module is brought back online with the host. The facility server and the measurement server can be bidirectionally monitored and controlled, and the comparison-analysis of the data measured from the measurement facility is rapidly performed through a series of processes, so that there is an effect that the facility can be quickly processed even if an abnormality occurs in the facility.
또한, 현재 계측 공정의 진행 상황과 이상 유무 등의 데이터를 한곳에서 얻을 수 있음으로 인하여 작업 효율이 증대되는 효과도 있다.In addition, the work efficiency can be increased because data such as the progress of the measurement process and the presence of abnormalities can be obtained in one place.
Claims (5)
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|---|---|---|---|
| KR1019970070042A KR19990050852A (en) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | How to manage semiconductor equipment |
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ID=66091017
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| KR1019970070042A KR19990050852A (en) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | How to manage semiconductor equipment |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020012387A (en) * | 2000-08-07 | 2002-02-16 | 윤종용 | Method for polishing in semiconductor device processing and apparatus for performing the same |
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-
1997
- 1997-12-17 KR KR1019970070042A patent/KR19990050852A/en not_active Application Discontinuation
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