JPH08235232A - Method and device for verificating layout - Google Patents

Method and device for verificating layout

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JPH08235232A
JPH08235232A JP7036823A JP3682395A JPH08235232A JP H08235232 A JPH08235232 A JP H08235232A JP 7036823 A JP7036823 A JP 7036823A JP 3682395 A JP3682395 A JP 3682395A JP H08235232 A JPH08235232 A JP H08235232A
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error
design rule
rectangles
rule error
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功一 佐藤
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Abstract

PURPOSE: To verify a masking pattern for correcting a pseudo design rule error by outputting a rectangle before being divided by a cut line which generates a spacing error and the position of the rectangle. CONSTITUTION: The masking pattern constituted of the rectangles is constituted of the wirings LH1-LH3 and LV2 of a first wiring layer, the wirings LV1 and LV3 of a second wiring layer and the contacts VIA1 and VIA2 of the first wiring layer and the second wiring layer. The cut lines or slits for dividing the rectangle along the horizontal or vertical direction of the rectangle extended for minimum spacing or all the rectangles for which a spacing rule is defined are set in a masking layout constituted of the rectangles. Then, whether or not a distance between the adjacent rectangles present between the adjacent cut lines keeps a design rule is checked. Then, the rectangle before being divided by the cut line which generates the spacing error and the position of the rectangle are outputted.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体VLSI等の矩
形で構成されるマスクパターンのデザインルールエラー
の検証と修整に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to verification and correction of a design rule error of a mask pattern composed of a rectangle such as a semiconductor VLSI.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体VLSI等の矩形で構成されるマ
スクパターンのデザインルールエラーの検証と修整する
方法として、2つの矩形間で最短距離を調べ、等電位の
2つの矩形間でノッチ、スリットといった疑似デザイン
ルールエラーを起こしている場合は、同じ配線層の矩形
で疑似デザインルールエラーを起こしている領域を埋め
る方法があった(参考文献 情報処理学会第36回全国
大会 「自動レイアウトシステムにおけるレイアウト検
証の手法」 3Y-11 P2027-2028)。
2. Description of the Related Art As a method for verifying and correcting a design rule error of a mask pattern composed of a rectangle such as a semiconductor VLSI, the shortest distance between two rectangles is checked, and a notch or a slit is formed between two rectangles of equal potential. If a pseudo design rule error has occurred, there was a method of filling the area in which the pseudo design rule error occurred with a rectangle of the same wiring layer (Reference: IPSJ 36th National Convention “Layout verification in automatic layout system”). Method ”3Y-11 P2027-2028).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、2つ
の矩形間の最短距離でデザインルールエラーの判定を行
なっているので、非常に高速にしかも効率良く、デザイ
ンルールエラーの検証とノッチやスリットと呼ばれる疑
似デザインルールエラーの修整が行なえる。
In the prior art, since the design rule error is determined by the shortest distance between the two rectangles, the verification of the design rule error and the notch or slit can be performed very quickly and efficiently. You can fix the pseudo design rule error called.

【0004】しかし、図4に示すようにVIA1とLV
2の間で疑似デザインルールエラーが発生している領域
Area2を、図5に示すように自動または人手でVI
A1とLV2と同層、同電位の矩形R1で埋め疑似デザ
インルールエラーを修整した後でも、2つの矩形VIA
1とLV2の間の最短距離でデザインルールエラーの判
定を行なうため、R1は考慮されず常にVIA1とLV
2の間で疑似デザインルールエラーが発生していると判
定されてしまう。
However, as shown in FIG. 4, VIA1 and LV
The area Area2 in which the pseudo design rule error has occurred between the two areas is automatically or manually VI as shown in FIG.
Two rectangles VIA even after the pseudo design rule error is filled in by filling the rectangle R1 of the same potential as A1 and LV2 in the same layer
Since the design rule error is determined by the shortest distance between 1 and LV2, R1 is not considered and VIA1 and LV are always considered.
It is determined that a pseudo design rule error has occurred between the two.

【0005】上記問題点に鑑み、本発明は、疑似デザイ
ンルールエラーの修整及び、疑似デザインルールエラー
を修整したマスクパターンの検証を可能とすることを目
的とする。
In view of the above problems, it is an object of the present invention to enable correction of a pseudo design rule error and verification of a mask pattern in which the pseudo design rule error is corrected.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、VLSI等の
矩形で構成されるマスクレイアウトで、スペーシングル
ールが定義された全ての矩形(または最小スペーシング
だけ拡張された矩形)の水平(または垂直)方向に沿っ
て矩形を分割するカットライン(スリット)を設定する
ステップと、隣合うカットライン間に存在する隣合う矩
形間の距離がデザインルールを守っているかどうかを調
べるステップと、スペーシングエラーを起こしている、
カットラインで分割される前の矩形と矩形の位置を出力
するステップと、等電位で同一配線層の矩形間で最小ス
ペーシングエラーを起こしている領域を矩形で埋めるこ
とで最小スペーシングエラーを修正するステップと、エ
ラーが修正された領域を記憶し、前記領域を最小スペー
シングだけ拡張し、前記拡張された領域の矩形を抽出す
るステップを備えたレイアウトの検証方法である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a mask layout composed of rectangles such as VLSI, in which all rectangles (or rectangles extended by a minimum spacing) for which a spacing rule is defined are horizontal (or Setting a cut line (slit) that divides the rectangle along the (vertical) direction, checking whether the distance between adjacent rectangles existing between adjacent cut lines observes the design rule, and spacing. Is making an error,
Correct the minimum spacing error by outputting the rectangle and the position of the rectangle before being divided by the cut line and filling the area where the minimum spacing error occurs between the rectangles of the same wiring layer with the same potential with the rectangle. And a step of storing the area where the error is corrected, expanding the area by a minimum spacing, and extracting a rectangle of the expanded area.

【0007】[0007]

【作用】矩形で構成されるマスクレイアウトで、スペー
シングルールが定義された全ての矩形または最小スペー
シングだけ拡張された矩形の水平または垂直方向に沿っ
て矩形を分割するカットラインまたはスリットを設定
し、隣合うカットライン間に存在する隣合う矩形間の距
離がデザインルールを守っているかどうかを調べ、スペ
ーシングエラーを起こしている、カットラインで分割さ
れる前の矩形と矩形の位置を出力し、等電位で同一配線
層の矩形間で最小スペーシングエラーを起こしている領
域を矩形で埋めることで最小スペーシングエラーを修正
し、エラーが修正された領域を記憶し、前記領域を最小
スペーシングだけ拡張し、前記拡張された領域の矩形を
抽出する。
Operation: In a mask layout consisting of rectangles, set cut lines or slits that divide the rectangles along the horizontal or vertical direction of all rectangles with spacing rules defined or rectangles expanded by the minimum spacing. , Check whether the distance between the adjacent rectangles existing between the adjacent cut lines complies with the design rule, and output the spacing error-caused rectangle and the position of the rectangle before division. , The minimum spacing error is corrected by filling the area where the minimum spacing error occurs between the rectangles of the same wiring layer at the same potential with the rectangle, and the area where the error is corrected is stored, and the above-mentioned area is reduced to the minimum spacing. Only, and the rectangle of the expanded area is extracted.

【0008】これにより、疑似デザインルールエラーの
修整及び、疑似デザインルールエラーを修整したマスク
パターンの検証が可能となる。
As a result, it becomes possible to correct the pseudo design rule error and verify the mask pattern in which the pseudo design rule error has been corrected.

【0009】[0009]

【実施例】以下に本発明の実施例を図面を参照しながら
説明を行なう。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】(実施例1)図2に示す矩形で構成される
マスクパターンを例に、図1に示すフローチャートにそ
って第1の実施例のレイアウトの検証方法を説明する。
(Embodiment 1) The layout verification method of the first embodiment will be described with reference to the flow chart shown in FIG. 1 by taking the mask pattern composed of rectangles shown in FIG. 2 as an example.

【0011】図2に示す各々の矩形は、左下端点と右上
端点の座標値、配線層、ネット番号(同電位の矩形は同
じネット番号を持つものとする)の情報を持っているも
のとする。LH1〜LH3とLV2は、第1配線層の配
線、LV1とLV3は第2配線層の配線、VIA1とV
IA2は第1配線層と第2配線層のコンタクトである。
LH1、LH2、LV1、LV2、VIA1はネット1
を構成し、LH3、LV3、VIA2はネット2を構成
する。VIA1とVIA2は、各々第1配線層と第2配
線層の矩形とそれらを接続させるコンタクトウインドウ
から構成される。デザインルールは第1配線層、第2配
線層、コンタクトウインドウの各々の配線層で個々に定
められているものとする。第1配線層の最小スペーシン
グをLM1、第1配線層の配線幅をW1とし、VIA1
の第1配線層の矩形は縦横とも、WV1とする。
It is assumed that each rectangle shown in FIG. 2 has information on the coordinate values of the lower left end point and the upper right end point, the wiring layer, and the net number (the rectangles having the same potential have the same net number). . LH1 to LH3 and LV2 are wirings in the first wiring layer, LV1 and LV3 are wirings in the second wiring layer, and VIA1 and VA.
IA2 is a contact between the first wiring layer and the second wiring layer.
LH1, LH2, LV1, LV2, and VIA1 are net 1
And LH3, LV3, and VIA2 form a net 2. Each of VIA1 and VIA2 is composed of a rectangle of the first wiring layer and a rectangle of the second wiring layer and a contact window for connecting them. It is assumed that the design rule is individually defined for each of the first wiring layer, the second wiring layer, and the wiring layer of the contact window. The minimum spacing of the first wiring layer is LM1, the wiring width of the first wiring layer is W1, and VIA1
The rectangle of the first wiring layer is WV1 both vertically and horizontally.

【0012】図2のマスクパターンのうち、第1配線層
を例に本実施例の説明を行なう。データ入力ステップ1
1により、マスクパターンとデザインルールを読み込
む。
This embodiment will be described by taking the first wiring layer as an example among the mask patterns shown in FIG. Data input step 1
1 reads the mask pattern and design rule.

【0013】次にマスクパターン分類ステップ12で、
各々第1配線層、第2配線層、コンタクトウインドウの
矩形を抽出し、各々の矩形の左下端点の座標値でソート
した、前記第1配線層、第2配線層、コンタクトウイン
ドウのマスクパターンデータファイルを作り、デザイン
ルールが定義された各マスクパターンデータファイルの
全てのマスクパターンデータに対し、デザインルールエ
ラー判定ステップ14、疑似デザインルールエラー判定
および終了条件判定ステップ15、疑似デザインルール
エラー修正ステップ16、疑似デザインルールエラー修
正箇所再チェックステップ17を実行する。
Next, in a mask pattern classification step 12,
Mask pattern data files for the first wiring layer, the second wiring layer, and the contact window, in which rectangles of the first wiring layer, the second wiring layer, and the contact window are extracted and sorted by the coordinate value of the lower left corner of each rectangle. For all mask pattern data of each mask pattern data file in which design rules are defined, design rule error determination step 14, pseudo design rule error determination and end condition determination step 15, pseudo design rule error correction step 16, The step 17 for rechecking the corrected portion of the pseudo design rule error is executed.

【0014】第1配線層の矩形を例に前記14、15、
16、17の各々のステップの処理の説明を行なう。図
3に示す矩形は第1配線層のマスクパターンの一部分
で、VIA1の第1配線層の矩形(以下VIA1と呼
ぶ)とLV2の間で、ノッチと呼ばれる疑似デザインル
ールエラーを起こしている箇所を拡大したものである。
Taking the rectangle of the first wiring layer as an example, the above 14, 15,
The processing of each of steps 16 and 17 will be described. The rectangle shown in FIG. 3 is a part of the mask pattern of the first wiring layer, and a portion between the rectangle of the first wiring layer of VIA1 (hereinafter referred to as VIA1) and LV2 causes a pseudo design rule error called a notch. It is an enlarged version.

【0015】デザインルールエラー探索ステップ13
で、第1配線層のマスクパターンデータファイルを呼び
出し、左下にある矩形から順に処理を行なっていく。
Design rule error search step 13
Then, the mask pattern data file of the first wiring layer is called, and the processing is performed in order from the lower left rectangle.

【0016】図3に示すようにVIA1を第1配線層の
最小スペーシングLM1だけ拡大しArea1を作る。
Area1はVIA1を第1配線層の最小スペーシング
だけ拡大したものであるので、Area1と重なる矩形
はデザインルールエラーの可能性があると判断される。
As shown in FIG. 3, VIA1 is enlarged by the minimum spacing LM1 of the first wiring layer to form Area1.
Since Area1 is VIA1 enlarged by the minimum spacing of the first wiring layer, it is determined that the rectangle overlapping Area1 may be a design rule error.

【0017】デザインルール判定ステップ14でLH
1、LH2、LV2、VIA1は各々ネット1を構成す
る同電位の矩形であるのでデザインルールエラーは起こ
していないと判定され、この情報は疑似デザインルール
エラー判定および終了条件判定ステップ15に送られ
る。もしデザインルールエラーがあった場合は、デザイ
ンルールエラーを起こしている矩形情報(座標値、配線
層、ネット番号等)を疑似デザインルールエラー判定お
よび終了条件判定ステップ15に送り格納する。
At the design rule determination step 14, LH
Since 1, LH2, LV2, and VIA1 are rectangles of the same potential forming the net 1, it is determined that no design rule error has occurred, and this information is sent to the pseudo design rule error determination and end condition determination step 15. If there is a design rule error, the rectangle information (coordinate value, wiring layer, net number, etc.) causing the design rule error is sent to and stored in the pseudo design rule error determination and end condition determination step 15.

【0018】次に疑似デザインルールエラー判定および
終了条件判定ステップ15では、疑似デザインルールエ
ラー判定と処理の終了条件の判定とデザインルールエラ
ーの保持を行なう。
Next, in the pseudo design rule error judgment and end condition judgment step 15, the pseudo design rule error judgment, the processing end condition judgment and the design rule error holding are carried out.

【0019】処理の終了条件は、全ての矩形に対して疑
似デザインルールエラー判定を終わり、疑似デザインル
ールエラーが無くなった場合である。ただし、一度でも
疑似デザインルールエラー修正ステップ16の処理を行
なって、同じ疑似デザインルールエラーが無くならない
場合は、デザインルールエラーと判定し、デザインルー
ルエラーを起こしている矩形情報(座標値、配線層、ネ
ット番号等)を保持しておく。処理が終了すれば、保持
していたデザインルールエラーを起こしている矩形情報
(座標値、配線層、ネット番号)を、データ出力ステッ
プ18に送る。
The processing end condition is that the pseudo design rule error determination is completed for all rectangles and the pseudo design rule error is eliminated. However, if the pseudo design rule error correction step 16 is performed even once and the same pseudo design rule error is not eliminated, it is determined as a design rule error, and the rectangular information (coordinate value, wiring layer) causing the design rule error is determined. , Net number, etc.). When the processing is completed, the held rectangular information (coordinate value, wiring layer, net number) causing the design rule error is sent to the data output step 18.

【0020】図3に示すようにArea1と重なりを持
つ矩形がLH1、LH2、LV2が各々VIA1と、疑
似デザインルールエラーを起こしていないかを判定す
る。ここでWEはVIA1とLV2の距離である。
As shown in FIG. 3, rectangles that overlap Area1 are LH1, LH2, and LV2 are each VIA1, and it is determined whether a pseudo design rule error has occurred. Here, WE is the distance between VIA1 and LV2.

【0021】LH1はVIA1と接続しているので、疑
似デザインルールエラーは起こしていない。LH2はV
IA1と直接接続していないので、LH2とVIA1は
疑似デザインルールエラーを起こしていると判定され
る。LV2とVIA1も同様に疑似デザインルールエラ
ーを起こしていると判定される。
Since LH1 is connected to VIA1, no pseudo design rule error has occurred. LH2 is V
Since it is not directly connected to IA1, it is determined that LH2 and VIA1 have a pseudo design rule error. Similarly, LV2 and VIA1 are also determined to have a pseudo design rule error.

【0022】次に疑似デザインルールエラー修整ステッ
プ16で、図4と図5に示すようにVIA1とLV2の
間で疑似デザインルールエラーを起こしている領域であ
るArea2をVIA1とLV2と同層かつ同電位の矩
形R1で埋める。
Next, in the pseudo design rule error correction step 16, as shown in FIGS. 4 and 5, the area Area2, which is the area in which the pseudo design rule error is generated, between VIA1 and LV2 is in the same layer as VIA1 and LV2. Fill with the potential rectangle R1.

【0023】ここで、R1の左下端点と右下端点の座標
値はVIA1とLV2の左下端点と右上端点の座標値か
ら容易に計算できる。VIA1の左下端点の座標が(x
1,y1)右上端点の座標が(x2,y2)、LV2の
左下端点の座標が(x3,y3)右上端点の座標が(x
4,y4)であると、R1の左下端点の座標が(x2,
y1)右上端点の座標が(x3,y4)となる。疑似デ
ザインルールエラー修整ステップ16の結果を図5に示
す(図5では、修正箇所を分かりやすくするためにLH
1とLH2を省略している。)。
Here, the coordinate values of the lower left corner and the lower right corner of R1 can be easily calculated from the coordinate values of the lower left corner and the upper right corner of VIA1 and LV2. The coordinates of the lower left corner of VIA1 are (x
1, y1) the coordinates of the upper right corner are (x2, y2), the coordinates of the lower left corner of LV2 are (x3, y3) the coordinates of the upper right corner are (x
4, y4), the coordinates of the lower left corner of R1 is (x2,
y1) The coordinates of the upper right end point are (x3, y4). The result of the pseudo design rule error correction step 16 is shown in FIG. 5 (in FIG. 5, the LH
1 and LH2 are omitted. ).

【0024】疑似デザインルールエラーを修正した矩形
情報から、疑似デザインルールエラー修正ファイルを作
る。
A pseudo design rule error correction file is created from the rectangle information in which the pseudo design rule error is corrected.

【0025】疑似デザインルールエラー修正箇所再検証
ステップ17で、図6に示すように疑似デザインルール
エラーを起こしていた領域を修正したR1をデザインル
ールで定められた最小スペーシングLM1だけ拡張した
領域Area3と重なりを持つ矩形VIA1、LH1、
LH2、LV2、R1を抽出する。
In the step 17 of re-verifying the corrected portion of the pseudo design rule error, the area Area3 obtained by expanding the area R1 in which the pseudo design rule error is generated as shown in FIG. 6 is expanded by the minimum spacing LM1 defined by the design rule. Rectangle VIA1, LH1, which has an overlap with
Extract LH2, LV2, and R1.

【0026】図9に示すように抽出された各々の矩形V
IA1、LH1、LH2、LV2、R1を最小スペーシ
ングLM1だけ拡張した矩形VIA110、LH11
0、LH120、LV120、R110の水平方向の各
辺に沿ってカットラインL1〜L6を設定し、各々の矩
形を分割する。
Each rectangle V extracted as shown in FIG.
Rectangles VIA110 and LH11 obtained by expanding IA1, LH1, LH2, LV2, and R1 by the minimum spacing LM1.
The cut lines L1 to L6 are set along each side of the horizontal direction of 0, LH120, LV120, and R110, and each rectangle is divided.

【0027】ただし、実際に矩形を分割するのではな
く、L1とL2の間に存在する矩形がVIA110、L
H110、LV120、L2とL3の間に存在する矩形
がVIA110、LH110、LH120、LV12
0、R110、L3とL4の間に存在する矩形がVIA
110、LH110、LH120、LV120、R11
0、L4とL5の間に存在する矩形がVIA110、L
H110、LV120、R110、L5とL6の間に存
在する矩形がVIA110、LH110、LV120、
R110であることが分かるようにすればよい。
However, instead of actually dividing the rectangle, the rectangle existing between L1 and L2 is the VIA 110, L.
The rectangles existing between H110, LV120, L2 and L3 are VIA110, LH110, LH120, LV12.
The rectangle existing between 0, R110, L3 and L4 is VIA.
110, LH110, LH120, LV120, R11
0, the rectangle existing between L4 and L5 is VIA110, L
The rectangles existing between H110, LV120, R110, L5 and L6 are VIA110, LH110, LV120,
It should be understood that it is R110.

【0028】分割された各々の矩形は、分割前の矩形と
拡張される前の矩形の情報をそれぞれ参照できるように
しておく。
For each of the divided rectangles, it is possible to refer to the information of the rectangle before division and the information of the rectangle before expansion.

【0029】スペーシングルールが定められた同電位の
2つの矩形がスペーシングエラーを起こさない条件は、
図7に示すように、2つの矩形が重なり合うか、接して
いる場合で、これら2つの矩形をLM1だけ拡張した場
合は、水平または垂直方向にスペーシングルールのLM
1の2倍以上の長さの重なりができる。スペーシングル
ールが定められた異なる電位の2つの矩形が重なり合う
か、接している場合は、配線がショートするのでスペー
シングエラー(正確には接続エラー)となる。
The conditions under which two rectangles of the same potential for which the spacing rule is defined do not cause a spacing error are:
As shown in FIG. 7, when two rectangles overlap or are in contact with each other, and when these two rectangles are expanded by LM1, the LM of the spacing rule is set in the horizontal or vertical direction.
Overlaps with a length more than twice the length of 1 are possible. When two rectangles of different potentials for which the spacing rule is defined overlap or are in contact with each other, the wiring is short-circuited, resulting in a spacing error (more accurately, a connection error).

【0030】また、スペーシングルールが定められた異
なる電位の2つの矩形または同電位の2つの矩形がスペ
ーシングエラーを起こさない条件は、図8に示すよう
に、2つの矩形の距離がスペーシングルールのLM1以
上の場合で、これら2つの矩形をLM1だけ拡張した場
合は、水平または垂直方向にスペーシングルールのLM
1以下の重なりができるか、まったく重なりを持たな
い。
As shown in FIG. 8, the distance between the two rectangles is the spacing, as shown in FIG. 8, under the condition that two rectangles of different potentials or two rectangles of the same potential for which the spacing rule is defined do not cause a spacing error. If the two rectangles are expanded by LM1 when the rule is LM1 or more, the LM of the spacing rule is set in the horizontal or vertical direction.
Overlap of 1 or less, or no overlap at all.

【0031】したがって、LM1だけ拡張した、2つの
矩形の間でスペーシングルールエラーを起こす条件とし
ては、2つの矩形の重なりが水平または垂直方向に、L
M1より大きくLM1の2倍より小さい場合である。
Therefore, as a condition for causing a spacing rule error between two rectangles expanded by LM1, the overlap between the two rectangles is set to L or L in the horizontal or vertical direction.
This is the case where it is larger than M1 and smaller than twice LM1.

【0032】なお、エラーの判定条件は、矩形を拡張す
る長さ(または距離)によって異なるので、矩形を拡張
した長さ(または距離)に合ったエラーの判定条件を設
定する必要がある。
Since the error determination condition differs depending on the length (or distance) of the extended rectangle, it is necessary to set the error determination condition that matches the length (or distance) of the extended rectangle.

【0033】疑似デザインルールエラーを起こしていた
L2とL3の間に存在する矩形VIA110、R11
0、LV120、LH120を例に水平方向の疑似デザ
インルールエラー再検証ステップ17のエラーチェック
処理の説明を行なう。
Rectangles VIA110 and R11 existing between L2 and L3 that cause the pseudo design rule error
The error check processing of the pseudo design rule error reverification step 17 in the horizontal direction will be described by taking 0, LV120, and LH120 as an example.

【0034】VIA110、R110、LV120、L
H120は各々カットラインL2とL3で分割される。
VIA110の分割された矩形をVIA111、R11
0の分割された矩形をR111、LV120の分割され
た矩形をLV122、LH120の分割された矩形をL
H122とする。
VIA110, R110, LV120, L
H120 is divided by cut lines L2 and L3, respectively.
The divided rectangles of the VIA 110 are set as VIA 111 and R11.
The divided rectangle of 0 is R111, the divided rectangle of LV120 is LV122, and the divided rectangle of LH120 is L.
H122.

【0035】図10に示すようにVIA111と隣合う
R111とでエラーチェックを行なう。VIA1とR1
は接していたのでVIA111と隣合うR111の重な
りはLM1の2倍であり、疑似デザインルールエラーは
起こしていない。VIA111とR111をマージしV
IA111_R111を作る。
As shown in FIG. 10, the VIA 111 and the adjacent R111 perform error checking. VIA1 and R1
Since VIA111 and R111 adjacent to each other are overlapped with each other twice as much as LM1, the pseudo design rule error does not occur. Merge VIA111 and R111 to V
Make IA111_R111.

【0036】図11に示すようにVIA111_R11
1と隣合うLV122とでエラーチェックを行なう。R
1とLV2は接していたのでVIA111_R111と
LV122の重なりはLM1の2倍であり、疑似デザイ
ンルールエラーは起こしていない。VIA111_R1
11とLV122をマージしVIA111_R111L
V122を作る。
As shown in FIG. 11, VIA111_R11
An error check is performed between 1 and the adjacent LV 122. R
Since 1 and LV2 were in contact with each other, the overlap of VIA111_R111 and LV122 was twice that of LM1, and a pseudo design rule error did not occur. VIA111_R1
11 and LV122 are merged and VIA111_R111L
Make V122.

【0037】図12に示すようにVIA111_R11
1_LV122と隣合うLH122とでエラーチェック
を行なう。R1とLH2は接しておりまた、LV2とL
H2は接続されていたので、VIA111_R111_
LV122とLH122重なりはLM1の2倍にLV2
のはばW1を加えたものであり、これは2×LM1+W
1>2×LM1であり、疑似デザインルールエラーは起
こしていない。
VIA111_R11 as shown in FIG.
An error check is performed between the 1_LV 122 and the adjacent LH 122. R1 and LH2 are in contact with each other, and LV2 and L
H2 was connected, so VIA111_R111_
LV122 and LV122 overlap twice as much as LM1 and LV2
Nohabara W1 is added, which is 2 × LM1 + W
1> 2 × LM1 and no pseudo design rule error has occurred.

【0038】したがって、VIA1とLV2、VIA1
とLH2の間の疑似デザインルールエラーは、R1によ
って修正されたことが確認できる。
Therefore, VIA1 and LV2, VIA1
It can be confirmed that the pseudo design rule error between LH2 and LH2 has been corrected by R1.

【0039】垂直方向では、抽出された各々の矩形VI
A1、LH1、LH2、LV2、R1を最小スペーシン
グLM1だけ拡張した矩形VIA110、LH110、
LH120、LV120、R110の垂直方向の各辺に
沿ってカットラインを設定し、同様の方法で疑似デザイ
ンルールエラーの再検証を行なう。
In the vertical direction, each extracted rectangle VI
Rectangles VIA110, LH110, which are obtained by expanding A1, LH1, LH2, LV2, R1 by the minimum spacing LM1.
A cut line is set along each side of the LH120, LV120, and R110 in the vertical direction, and the pseudo design rule error is reverified by the same method.

【0040】また、疑似デザインルールエラー修正箇所
再検証ステップ17で図3に示すマスクパターンの疑似
デザインルールエラーをチェックできることを示してお
く。
It is also shown that the pseudo design rule error correction location re-verification step 17 can check the pseudo design rule error of the mask pattern shown in FIG.

【0041】図13に示すように抽出された各々の矩形
VIA1、LH1、LH2、LV2を最小スペーシング
LM1だけ拡張した矩形VIA110、LH110、L
H120、LV120の水平方向の各辺に沿ってカット
ラインL1〜L6を設定し、各々の矩形を分割する。
As shown in FIG. 13, each of the extracted rectangles VIA1, LH1, LH2, LV2 is extended by a minimum spacing LM1 to obtain a rectangle VIA110, LH110, L.
Cut lines L1 to L6 are set along each horizontal side of H120 and LV120, and each rectangle is divided.

【0042】疑似デザインルールエラーを起こしていた
疑似デザインルールエラーを起こしていたL2とL3の
間に存在する矩形VIA111、LV122、LH12
2で、VIA111と隣合うLV122とLH122
で、各々疑似デザインルールエラーチェックを行なう。
Rectangle VIA111, LV122, LH12 existing between L2 and L3 which caused the pseudo design rule error.
2, the LV122 and LH122 that are adjacent to the VIA111
Then, each pseudo design rule error check is performed.

【0043】図14に示すように、VIA111とLV
122の重なりは2×LM1−WE<2×LM1であ
り、疑似デザインルールエラーを起こしていることが分
かる。
As shown in FIG. 14, the VIA 111 and the LV
The overlap of 122 is 2 × LM1-WE <2 × LM1, and it can be seen that a pseudo design rule error has occurred.

【0044】同様に図15に示すように、VIA111
とLH122の重なりは2×LM1−WE<2×LM1
であり、疑似デザインルールエラーを起こしていること
が分かる。
Similarly, as shown in FIG.
And LH122 overlap is 2 × LM1-WE <2 × LM1
Therefore, it can be seen that a pseudo design rule error has occurred.

【0045】疑似デザインルールエラー修正箇所再検証
ステップ17で疑似デザインルールエラーが発見された
場合は、疑似デザインルールエラー判定および終了条件
判定ステップ15で、疑似デザインルールエラー修正ス
テップ16に戻して疑似デザインルールエラーを修正
し、疑似デザインルールエラー修正箇所再検証ステップ
17で疑似デザインルールエラー修正箇所のチェックを
行なう。
If a pseudo design rule error is found in the step 17 for re-verifying the correction portion of the pseudo design rule error, the pseudo design rule error correction step 16 is returned to the pseudo design rule error correction step 16 in the pseudo design rule error judgment step 15 and the end condition judgment step 15. The rule error is corrected, and the pseudo design rule error corrected portion is checked at the pseudo design rule error corrected portion re-verification step 17.

【0046】疑似デザインルールエラーが無くなれば、
最後にデータ出力ステップ18で、疑似デザインルール
エラー修正ファイルとデータ入力ステップ11で入力さ
れたマスクパターンから、疑似デザインルールエラーを
修正したマスクパターンデータのファイルを作成し出力
する。また、デザインルールエラーが残っている場合は
デザインルールエラーを修正するために、デザインルー
ルエラーを起こしている領域と矩形に関する座標、配線
層、ネット番号等の情報を出力する。
If the pseudo design rule error disappears,
Finally, in the data output step 18, a file of mask pattern data in which the pseudo design rule error is corrected is created and output from the pseudo design rule error correction file and the mask pattern input in the data input step 11. Further, when the design rule error remains, in order to correct the design rule error, information such as coordinates, wiring layer, net number, etc. regarding the area and rectangle in which the design rule error has occurred is output.

【0047】なお、非常にマスクパターンのデータ量が
多い場合は、マスクパターンの領域を幾つかに分割し、
分割された領域のマスクパターンを複数のコンピュータ
とプロセッサに割り当て並列処理を行なえば、非常に高
速な処理が可能である。
When the data amount of the mask pattern is very large, the mask pattern area is divided into several parts,
If the mask patterns of the divided areas are assigned to a plurality of computers and processors and parallel processing is performed, extremely high speed processing is possible.

【0048】(実施例2)図16に、本発明の第2の実
施例のレイアウト検証装置におけるデータの流れを示
す。図17は上記処理を行うためのハードウェアーの構
成を示すものである。
(Embodiment 2) FIG. 16 shows a data flow in the layout verification apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG. 17 shows a hardware configuration for performing the above processing.

【0049】データ入力装置111で、図1に示すデー
タ入力ステップ11の処理を行なう。マスクパターンデ
ータとデザインルールは、ネットワークバス209を使
って他のシステムから転送されて来て、インターフェー
ス210を通り、外部記憶装置207に書き込まれる
か、入力装置208から入力され外部記憶装置207に
書き込まれる。
The data input device 111 performs the process of the data input step 11 shown in FIG. The mask pattern data and the design rule are transferred from another system using the network bus 209 and written to the external storage device 207 through the interface 210 or input from the input device 208 and written to the external storage device 207. Be done.

【0050】マスクパターンデータ分類および記憶装置
112で、図1に示すマスクパターンデータ分類ステッ
プ12の処理を行ない、各配線層のマスクパターンデー
タファイルを保持する。このとき、各配線層のマスクパ
ターンデータファイルは外部記憶装置207に書き込ま
れる。
The mask pattern data classification and storage device 112 performs the mask pattern data classification step 12 shown in FIG. 1 and holds the mask pattern data file of each wiring layer. At this time, the mask pattern data file of each wiring layer is written in the external storage device 207.

【0051】デザインルールエラー探索装置113で、
デザインルールエラー探索ステップ13の処理を行な
う。
In the design rule error search device 113,
The design rule error searching step 13 is performed.

【0052】デザインルールエラー判定装置114で、
図1に示すデザインルールエラー判定ステップ14の処
理を行なう。
In the design rule error judgment device 114,
The design rule error determination step 14 shown in FIG. 1 is performed.

【0053】疑似デザインルールエラー判定およびデザ
インルールエラー記憶および処理終了判定装置115
で、疑似デザインルールエラー判定ステップ15の処理
を行なう。デザインルールエラーを起こしている矩形の
座標値、配線層、ネット番号等のデザインルールエラー
情報として、外部記憶装置207に書き込む。
Pseudo-design rule error judgment and design rule error storage and processing end judgment device 115
Then, the process of the pseudo design rule error determination step 15 is performed. It is written in the external storage device 207 as design rule error information such as the coordinate value of the rectangle causing the design rule error, the wiring layer, and the net number.

【0054】疑似デザインルールエラー修正装置116
で、図1の疑似デザインルールエラー修正ステップ16
の処理を行なう。疑似デザインルールエラーを修正し
た、矩形の座標値、配線層、ネット番号の疑似デザイン
ルールエラー修正情報を、外部記憶装置207に書き込
む。また、入力されたマスクパターンデータと疑似デザ
インルールエラー修正情報をマージして、疑似デザイン
ルールエラーを修正したマスクパターンデータを新たに
作成し、外部記憶装置207に書き込む。
Pseudo-design rule error correction device 116
Then, the pseudo design rule error correction step 16 in FIG.
Is processed. The pseudo design rule error correction information of the rectangular coordinate value, wiring layer, and net number in which the pseudo design rule error is corrected is written in the external storage device 207. Further, the input mask pattern data and the pseudo design rule error correction information are merged to newly create mask pattern data in which the pseudo design rule error is corrected, and the mask pattern data is written in the external storage device 207.

【0055】疑似デザインルールエラー修正箇所再チェ
ック装置117で、図1の疑似デザインルールエラー修
正箇所再チェックステップ17の処理を行なう。
The pseudo design rule error correction point re-check device 117 performs the processing of the pseudo design rule error correction point re-check step 17 in FIG.

【0056】データ出力装置118で、磁気ディスク等
の外部記憶装置207に書き込まれた、デザインルール
エラー情報、疑似デザインルールエラー修正情報を出力
装置206で出力、またはグラフィックディスプレイ2
01に表示する。
The data output device 118 outputs the design rule error information and the pseudo design rule error correction information written in the external storage device 207 such as a magnetic disk by the output device 206 or the graphic display 2
01 is displayed.

【0057】マスクパターン表示装置119で、データ
出力装置118で磁気ディスク等の外部記憶装置207
に書き込んだ、入力されたマスクパターンデータ、疑似
デザインルールエラーを修正したマスクパターンデー
タ、デザインルールエラーを起こしている矩形、領域等
で必要なデータをグラフィックディスプレイ201に表
示するか出力装置によって図形情報等を出力する。
In the mask pattern display device 119, the data output device 118 is used as an external storage device 207 such as a magnetic disk.
The input mask pattern data, the mask pattern data in which the pseudo design rule error is corrected, the necessary data in the rectangle, the area, etc. in which the design rule error has been written, are displayed on the graphic display 201, or the graphic information is output by the output device. Etc. are output.

【0058】デザインルールエラーが残っている場合
は、マスクパターン編集装置119で、マスクパターン
表示装置118でグラフィックディスプレイ201にデ
ザインルールエラー情報と疑似デザインルールエラーを
修正したマスクパターンデータを表示し、デザインルー
ルエラー情報を参照しながら、疑似デザインルールエラ
ーを修正したマスクパターンデータのデザインルールエ
ラーをキーボード203、マウス202を使用し対話的
に修正する。
When the design rule error remains, the mask pattern editing device 119 displays the design pattern error information and the mask pattern data in which the pseudo design rule error is corrected on the graphic display 201 on the mask pattern display device 118, While referring to the rule error information, the design rule error of the mask pattern data in which the pseudo design rule error is corrected is interactively corrected using the keyboard 203 and the mouse 202.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば疑
似デザインルールの修整及び、疑似デザインルールを修
整したマスクパターンの検証が可能となる。
As described above, according to the present invention, it is possible to modify a pseudo design rule and verify a mask pattern modified by the pseudo design rule.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例のレイアウト検証方法の
処理を示すフローチャート
FIG. 1 is a flowchart showing processing of a layout verification method according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施例のレイアウト検証方法で用いるマ
スクパターンを示す図
FIG. 2 is a diagram showing a mask pattern used in the layout verification method of the first embodiment.

【図3】図2のマスクパターンにおける第1配線層の一
部分を示す図
FIG. 3 is a diagram showing a part of a first wiring layer in the mask pattern of FIG.

【図4】疑似デザインルールエラーが発生している領域
の例を示す図
FIG. 4 is a diagram showing an example of an area in which a pseudo design rule error has occurred.

【図5】疑似デザインルールエラーを修正したマスクレ
イアウトの例を示す図
FIG. 5 is a diagram showing an example of a mask layout in which a pseudo design rule error is corrected.

【図6】疑似デザインルールエラー修正箇所再検証ステ
ップを説明する図
FIG. 6 is a diagram for explaining a re-verification step of a pseudo design rule error correction location.

【図7】スペーシングルールが定められた同電位の2つ
の矩形がズペーシングエラーを起こさないための条件を
説明する図
FIG. 7 is a diagram illustrating a condition for preventing a spacing error between two rectangles having the same potential and having a spacing rule.

【図8】スペーシングルールが定められた異なる電位の
2つの矩形または同電位の2つの矩形がスペーシングエ
ラーを起こさない条件を説明する図
FIG. 8 is a diagram illustrating a condition in which two rectangles having different potentials or two rectangles having the same potential with a spacing rule do not cause a spacing error.

【図9】疑似デザインエラー修正箇所再検証ステップで
抽出した矩形の分割を説明する図
FIG. 9 is a diagram illustrating division of a rectangle extracted in a pseudo design error correction location reverification step.

【図10】VIA111とR111とのエラーチェック
を説明する図
FIG. 10 is a diagram for explaining error checking between VIA111 and R111.

【図11】VIA111_R111とLV122とのエ
ラーチェックを説明する図
FIG. 11 is a diagram illustrating error checking between VIA111_R111 and LV122.

【図12】VIA111_R111_LV122とLH
122とのエラーチェックを説明する図
FIG. 12: VIA111_R111_LV122 and LH
The figure explaining the error check with 122.

【図13】疑似デザインルールエラー修正箇所再検証ス
テップを説明する図
FIG. 13 is a diagram for explaining the step of re-verifying the pseudo design rule error correction portion.

【図14】VIA111とLV122の重なりについて
のエラーチェックを説明する図
FIG. 14 is a diagram for explaining an error check for overlapping VIA111 and LV122.

【図15】VIA111とLH122の重なりについえ
のエラーチェックを説明する図
FIG. 15 is a diagram for explaining an error check for overlapping VIA111 and LH122.

【図16】本発明の第2の実施例のレイアウト検証装置
におけるデータの流れを示す図
FIG. 16 is a diagram showing a data flow in the layout verification apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【図17】第2の実施例のハードウェア構成を示す図FIG. 17 is a diagram showing a hardware configuration of a second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 データ入力ステップ 12 マスクパターン分類ステップ 13 ザインルールエラー探索ステップ 14 デザインルールエラー判定ステップ 15 疑似デザインルールエラー判定および終了条件判
定ステップ 16 疑似デザインルールエラー修整ステップ 17 疑似デザインルールエラー修整箇所再チェックス
テップ 18 データ出力ステップ 111 データ入力装置 112 マスクパターン分類および記憶装置 113 デザインルールエラー探索装置 114 デザインルールエラー判定装置 115 疑似デザインルールエラー判定およびデザイン
ルールエラー記憶および処理終了判定装置 116 疑似デザインルールエラー修整装置 117 疑似デザインルールエラー修整箇所再チェック
装置 118 データ出力装置 119 エラー表示装置 120 マスクパターン編集装置
11 data input step 12 mask pattern classification step 13 design rule error search step 14 design rule error judgment step 15 pseudo design rule error judgment and end condition judgment step 16 pseudo design rule error correction step 17 pseudo design rule error correction recheck step 18 Data output step 111 Data input device 112 Mask pattern classification and storage device 113 Design rule error search device 114 Design rule error judgment device 115 Pseudo design rule error judgment and design rule error storage and processing end judgment device 116 Pseudo design rule error correction device 117 Pseudo-design rule error rechecking device 118 Data output device 119 Error display device 120 Mask pattern editing device

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】VLSI等の矩形で構成されるマスクレイ
アウトで、スペーシングルールが定義された全ての矩形
または最小スペーシングだけ拡張された矩形の、水平ま
たは垂直方向に沿って矩形を分割するカットラインまた
はスリットを設定するステップと、 隣合うカットライン間に存在する隣合う矩形間の距離が
デザインルールを守っているかどうかを調べるステップ
と、 スペーシングエラーを起こしている、カットラインで分
割される前の矩形情報を記憶しかつ、出力するステップ
とを備えたレイアウトの検証方法。
1. A cut for dividing a rectangle along a horizontal or vertical direction in a mask layout composed of rectangles such as VLSI, of all rectangles for which a spacing rule is defined or a rectangle extended by a minimum spacing. Setting a line or slit, checking whether the distance between adjacent rectangles existing between adjacent cut lines adheres to the design rules, and causing a spacing error. A method of verifying a layout, comprising the step of storing and outputting the previous rectangle information.
【請求項2】請求項1記載のレイアウトの検証方法にお
いて、さらに等電位で同一配線層の矩形間で最小スペー
シングエラーを起こしている領域を矩形で埋めることで
最小スペーシングエラーを修正するステップを備えたレ
イアウトの検証方法。
2. The method of verifying a layout according to claim 1, further comprising the step of correcting the minimum spacing error by filling a region having a minimum spacing error between the rectangles of the same wiring layer at the same potential with a rectangle. Layout verification method with.
【請求項3】請求項2記載のレイアウトの検証方法にお
いて、さらにエラーが修正された領域を記憶し、前記領
域を最小スペーシングだけ拡張し、前記拡張された領域
の矩形を抽出するステップを備えたレイアウトの検証方
法。
3. The layout verification method according to claim 2, further comprising the step of storing an area in which an error is corrected, expanding the area by a minimum spacing, and extracting a rectangle of the expanded area. Layout verification method.
【請求項4】VLSI等の矩形で構成されるマスクレイ
アウトで、スペーシングルールが定義された全ての矩形
または最小スペーシングだけ拡張された矩形の、水平ま
たは垂直方向に沿って矩形を分割するカットラインまた
はスリットを設定する手段と、 隣合うカットライン間に存在する隣合う矩形間の距離が
デザインルールを守っているかどうかを調べる手段と、 スペーシングエラーを起こしている、カットラインで分
割される前の矩形情報を記憶し、かつ出力する手段とを
備えたレイアウトの検証装置。
4. A cut for dividing a rectangle along a horizontal or vertical direction in a mask layout composed of rectangles such as VLSI, of all rectangles for which a spacing rule is defined or a rectangle extended by a minimum spacing. A means to set a line or a slit, a means to check whether the distance between the adjacent rectangles existing between the adjacent cut lines complies with the design rule, and a spacing error is caused, and it is divided by the cut line. A layout verification device comprising means for storing and outputting the previous rectangle information.
【請求項5】請求項4記載のレイアウトの検証装置にお
いて、さらに等電位で同一配線層の矩形間で最小スペー
シングエラーを起こしている領域を矩形で埋めることで
最小スペーシングエラーを修正する手段を備えたレイア
ウトの検証装置。
5. The layout verifying device according to claim 4, further comprising means for correcting a minimum spacing error by filling a region having a minimum spacing error between rectangles of the same wiring layer at the same potential with a rectangle. Layout verification device equipped with.
【請求項6】請求項5記載のレイアウトの検証装置にお
いて、さらにエラーが修正された領域を記憶し、前記領
域を最小スペーシングだけ拡張し、前記拡張された領域
の矩形を抽出する手段を備えたレイアウトの検証装置。
6. The layout verification apparatus according to claim 5, further comprising means for storing an area where an error is corrected, expanding the area by a minimum spacing, and extracting a rectangle of the expanded area. Layout verification device.
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