JPH07312186A - Reflection antistatic cathode-ray tube and manufacture thereof - Google Patents

Reflection antistatic cathode-ray tube and manufacture thereof

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JPH07312186A
JPH07312186A JP6102704A JP10270494A JPH07312186A JP H07312186 A JPH07312186 A JP H07312186A JP 6102704 A JP6102704 A JP 6102704A JP 10270494 A JP10270494 A JP 10270494A JP H07312186 A JPH07312186 A JP H07312186A
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JP
Japan
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layer
film
face
ray tube
refractive index
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Application number
JP6102704A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Suzuki
良裕 鈴木
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a cathode-ray tube having a wide reflection antistatic film in a low reflection factor wavelength region by providing the reflection antistatic film, comprising the first to third layers displaying a prescribed relation in a wavelength of the highest visual sensitivity, refraction index of the layer and a film thickness, in a face external surface. CONSTITUTION:A reflection antistatic film 11, comprising three layer films of the first to third layers 12a to 12c, is provided on an external surface in a face 1 of a color cathode-ray tube. When assume lambda0 for wavelength (lambda0=550nm) of incident light of the highest visual sensitivity, n1 to n3 for respectively refraction factor of the first to third layers and d1 to d3 for respectively film thickness, the first to third layers are formed in the refraction factor and the film thickness respectively satisfying a relation n1=1.65 to 1.75, 0.9Xlambda0/4<=n1d1<=1.1Xlambda0/4 in the first layer, satisfying a relation n2=1.90 to 2.00, 0.9Xlambda0/2<=n2d2<=1.1Xlambda0/2 in the second layer and satisfying a relation n3=1.40 to 1.45, 0.9Xlambda0/4<=n3d3<=1.1Xlambda0/4 in the third layer. The first layer 12a is composed of a mixture of SnO2, SiO2 the second layer 12b is composed of TiO2 by a liquid phase method, and the third layer 12c is composed of a mixture of MgF2, SiO2 by the liquid phase method.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、陰極線管のフェース
外表面に反射帯電防止膜を有する反射帯電防止型陰極線
管およびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection-prevention type cathode ray tube having a reflection-prevention film on the outer surface of the face of a cathode ray tube and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に陰極線管は、図4に示すように、
ガラスからなるフェース1の内面に蛍光体スクリーン2
が形成され、この蛍光体スクリーン2をファンネル3の
ネック4内に配置された電子銃5から放出される電子ビ
ームにより水平、垂直走査することにより、画像を表示
する構造に形成されている。カラー陰極線管において
は、さらに蛍光体スクリーン2に対向して、その内側に
シャドウマスク6配置されている。なお、7はフェース
1の側壁を緊締する防爆バンドである。
2. Description of the Related Art Generally, a cathode ray tube is constructed as shown in FIG.
Phosphor screen 2 on the inner surface of face 1 made of glass
Is formed, and the phosphor screen 2 is horizontally and vertically scanned by an electron beam emitted from an electron gun 5 arranged in the neck 4 of the funnel 3 to form an image display structure. In the color cathode ray tube, a shadow mask 6 is arranged inside the phosphor screen 2 so as to face the phosphor screen 2. Reference numeral 7 is an explosion-proof band for tightening the side wall of the face 1.

【0003】このような陰極線管において、特に高輝度
画像を表示するために、蛍光体スクリーン2に高電圧が
印加される陰極線管では、その高電圧がフェース1の外
表面に誘導されて帯電し、この帯電によりフェース1の
外表面にごみなどが付着すると、画像が見にくくなる。
またこのフェース1の外表面に人体が接触した場合、電
撃を受ける。また一般に陰極線管のフェース1の外表面
は、鏡面に形成されているため、このフェース1の外表
面で外光の反射がおこり、フェース1を通して見る画像
のコントラストが劣化する。特にコンピュータのディス
プレイなどでは、近距離から画面を見ることが多いた
め、この外光の反射が目の疲労を促進する。
In such a cathode ray tube, in which a high voltage is applied to the phosphor screen 2 in order to display a particularly high-luminance image, the high voltage is induced on the outer surface of the face 1 and charged. If dust or the like adheres to the outer surface of the face 1 due to this charging, the image becomes difficult to see.
When a human body comes into contact with the outer surface of the face 1, an electric shock is received. Further, since the outer surface of the face 1 of the cathode ray tube is generally formed as a mirror surface, external light is reflected on the outer surface of the face 1 and the contrast of an image viewed through the face 1 is deteriorated. Especially in computer displays and the like, since the screen is often viewed from a short distance, this reflection of external light promotes eye fatigue.

【0004】このようなフェース外表面の帯電あるいは
外光の反射を防止するため、従来よりフェース外表面に
反射および帯電防止効果もつ反射帯電防止膜を形成する
ことが知られている。
In order to prevent such charging of the outer surface of the face or reflection of external light, it has been conventionally known to form a reflective antistatic film having a reflection and antistatic effect on the outer surface of the face.

【0005】この反射帯電防止膜を均一かつ安価に形成
する方法として、シリコンアルコキシドのアルコール溶
液に導電性金属酸化物の微粒子を分散させた分散液をス
プレー法によりフェース外表面に塗布し、焼成して凹凸
膜を形成し、導電性金属酸化物微粒子によって導電性を
付与するとともに、その表面の微細な凹凸により外光を
拡散反射して反射率を低減させる方法がある。しかしこ
の方法により形成される反射帯電防止膜は、表面が凹凸
であるため、この反射帯電防止膜を通してみる画像がぼ
け、解像度が劣化する。また表面の微細な凹凸のために
画面が白ぽっくなり、コントラストが劣化するなどの問
題がある。
As a method for uniformly and inexpensively forming this antireflection film, a dispersion liquid in which fine particles of a conductive metal oxide are dispersed in an alcohol solution of silicon alkoxide is applied to the outer surface of the face by a spray method and then baked. There is a method of forming a concavo-convex film with a conductive metal oxide fine particle to impart conductivity, and reducing the reflectance by diffusing and reflecting external light due to the fine concavities and convexities on the surface. However, since the antistatic film formed by this method has an uneven surface, the image seen through the antistatic film is blurred and the resolution is degraded. Further, there are problems that the screen becomes whitish due to the fine irregularities on the surface and the contrast deteriorates.

【0006】また、他の形成方法として、真空蒸着やス
パッタリングなどの気相法により、ガラスプレート上に
光学多層膜を形成し、このガラスプレートをフェース外
表面に接着して光の干渉効果により反射を防止する方法
がある。しかしこの方法は、気相法により光学多層膜を
形成するため、大掛りな装置が必要であり、製造コスト
が高くなるなどの問題がある。そのため、一部の高級機
種にしか採用できないという問題がある。
As another forming method, an optical multi-layer film is formed on the glass plate by a vapor phase method such as vacuum deposition or sputtering, and the glass plate is adhered to the outer surface of the face and reflected by the interference effect of light. There are ways to prevent this. However, since this method forms an optical multilayer film by a vapor phase method, a large-scale apparatus is required, and there is a problem that the manufacturing cost becomes high. Therefore, there is a problem that it can be used only in some high-end models.

【0007】上述の問題点を解決する方法として、最近
液相法によりフェース外表面に多層膜からなる反射防止
膜を形成する方法が開発されている。この方法によれ
ば、低コストで解像度やコントラストの低下のない反射
防止膜を形成することができる。しかしこの液相法は、
膜厚の制御がむつかしいので、2〜3層膜程度するのが
望ましく、4層膜以上にすることは、製造上、非常にむ
つくしくなる。
As a method for solving the above-mentioned problems, recently, a method of forming an antireflection film composed of a multilayer film on the outer surface of the face by a liquid phase method has been developed. According to this method, it is possible to form an antireflection film at a low cost without deterioration of resolution and contrast. However, this liquid phase method
Since it is difficult to control the film thickness, it is desirable to set the film thickness to about 2 to 3 layers, and the film thickness of 4 layers or more is very difficult in manufacturing.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、陰極線
管の反射防止膜の形成方法として、液相法により多層膜
からなる反射防止膜を形成する方法が開発されている。
しかしこの液相法による多層膜の形成は、膜厚の制御
上、4層膜以上にすることは非常にむつくしく、2〜3
層膜程度するのが望ましい。
As described above, as a method for forming an antireflection film for a cathode ray tube, a method for forming an antireflection film composed of a multilayer film by a liquid phase method has been developed.
However, it is very difficult to form a multilayer film by the liquid phase method in order to control the film thickness, and it is very difficult to form a four-layer film or more.
It is desirable to have a layer thickness.

【0009】この液相法により2〜3層膜からなる反射
防止膜を形成する場合、重要なことは、各膜の屈折率と
膜厚である。2層膜からなる反射防止膜では、空気の屈
折率をn0 (n0 =1.00)、ガラスからなるフェー
スの屈折率をns (ns =1.52)、フェース外表面
側に第1層の屈折率をn1 、この第1層上の第2層の屈
折率をn2 とし、第1層の膜厚をd1 、第2層の膜厚を
d2 、最も視感度の高い入射光の波長をλ0 (λ0 =5
50nm)とすると、分光反射率の計算から、 n1 /n2 =(ns /n0 )1/2 n1 d1 =n2 d2 =λ0 /4 にすればよい。
When forming an antireflection film consisting of two or three layers by this liquid phase method, what is important is the refractive index and film thickness of each film. In the antireflection film composed of a two-layer film, the refractive index of air is n0 (n0 = 1.00), the refractive index of the face made of glass is ns (ns = 1.52), and the first layer is formed on the outer surface side of the face. The refractive index is n1, the refractive index of the second layer on the first layer is n2, the film thickness of the first layer is d1, the film thickness of the second layer is d2, and the wavelength of incident light with the highest visibility is λ0. (Λ0 = 5
50 nm), n1 / n2 = (ns / n0) 1 / 2n1d1 = n2d2 = .lambda.0 / 4 may be calculated from the calculation of the spectral reflectance.

【0010】この場合、第2層の屈折率n2 をできるか
ぎり下げることが望まれる。そこで、液相法により得ら
れる第2層の屈折率n2 として、最も低い屈折率が得ら
れるMg F2 とSi O2 との混合物の屈折率 n2 =1.40 を利用して、上式を満たすn1 、d1 、d2 を求める
と、 n1 =1.73 d1 =79nm d2 =98nm となる。しかしこれら屈折率、膜厚で2層膜を形成する
と、λ0 近傍の入射光に対しては低反射となるが、可視
光波長の両端近傍の入射光に対しては反射率が高くな
り、反射防止膜の色付きが大きくなるので好ましくな
い。
In this case, it is desired to lower the refractive index n2 of the second layer as much as possible. Therefore, the refractive index n2 of the second layer obtained by liquid phase method, by utilizing the refractive index n2 = 1.40 of a mixture of Mg F 2 and Si O 2 to the lowest refractive index is obtained, the above equation When n1, d1 and d2 to be satisfied are obtained, n1 = 1.73 d1 = 79 nm d2 = 98 nm. However, when a two-layer film is formed with these refractive indexes and film thicknesses, the incident light in the vicinity of λ0 has low reflection, but the incident light in the vicinity of both ends of the visible light wavelength has a high reflectance and the reflection is high. It is not preferable because the coloring of the prevention film becomes large.

【0011】これに対して、3層膜からなる反射防止膜
は、2層膜にくらべて低反射率波長域を広くすることが
できる。この場合、3層膜の最外層の第3層の屈折率n
3 を上記2層膜のように液相法により得られる最も低い
屈折率 n3 =1.40 にして、低反射率波長域が広くなるように構成するため
には、第1、第2、第3層をつぎの表1、表2のいずれ
かの条件を満足する屈折率、膜厚にする必要がある。
On the other hand, the antireflection film composed of the three-layer film can widen the low reflectance wavelength region as compared with the two-layer film. In this case, the refractive index n of the outermost third layer of the three-layer film is n.
3 has the lowest refractive index n3 = 1.40 obtained by the liquid phase method like the above two-layer film, and the low reflectance wavelength range is widened, the first, second, It is necessary for the three layers to have a refractive index and a film thickness that satisfy one of the conditions in Tables 1 and 2 below.

【0012】[0012]

【表1】 [Table 1]

【表2】 しかし実際にこのような屈折率、膜厚で3層膜を形成し
ようとすると、つぎのような問題がある。すなわち、高
屈折率物質として用いられるTi O2 の屈折率は、結晶
体の場合は約2.50であるが、液相法により陰極線管
のフェース外表面上に反射防止膜を形成する場合は、そ
の後の焼成温度が200℃程度であるため、この程度の
温度では、Ti O2 は完全に結晶化せず、Ti O2 の屈
折率は、2.00以上にはならないということが本発明
者等らの実験により判明している。また液相法により形
成された3層膜からなる反射防止膜は、可視光波長域の
両端近傍の反射率が高くなり、反射防止膜の色付きが大
きくなる。つまり、表1、表2に示した3層膜を液相法
により形成することは困難であり、しかも3層膜本来の
低反射率波長域の広い反射防止膜を形成することはでき
ないという問題がある。
[Table 2] However, when actually trying to form a three-layer film with such a refractive index and film thickness, there are the following problems. That is, the refractive index of TiO 2 used as a high refractive index substance is about 2.50 in the case of a crystalline substance, but when an antireflection film is formed on the outer surface of the face of a cathode ray tube by the liquid phase method. However, since the subsequent firing temperature is about 200 ° C., at this temperature, TiO 2 is not completely crystallized and the refractive index of TiO 2 does not reach 2.00 or more. It has been confirmed by experiments by the researchers. Further, in the antireflection film formed of the three-layer film formed by the liquid phase method, the reflectance near both ends of the visible light wavelength region is high, and the antireflection film is highly colored. That is, it is difficult to form the three-layer film shown in Tables 1 and 2 by the liquid phase method, and it is impossible to form an antireflection film having a wide low reflectance wavelength range which is inherent in the three-layer film. There is.

【0013】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、屈折率が2.00以下の物質を用
いて、低反射率波長域の広い反射特性をもつ3層膜から
なる反射帯電防止膜を有する陰極線管およびこの製造方
法を得ることを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and is made of a three-layer film having a wide reflection range of a low reflectance wavelength region using a substance having a refractive index of 2.00 or less. An object of the present invention is to obtain a cathode ray tube having a reflection antistatic film and a method for manufacturing the same.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】フェース外表面に反射帯
電防止膜を有する反射帯電防止型陰極線管において、そ
の反射帯電防止膜を3層膜とし、視感度の最も高い入射
光の波長をλ0 (λ0=550nm)とし、フェース外表
面上の第1層の屈折率をn1 、膜厚をd1 、第1層上の
第2層の屈折率をn2 、膜厚をd2 、第2層上の第3層
の屈折率をn3、膜厚をd3 とするとき、第1層が n1 =1.65〜1.75 0.9×λ0 /4≦n1 d1 ≦1.1×λ0 /4 第2層が n2 =1.90〜2.00 0.9×λ0 /2≦n2 d2 ≦1.1×λ0 /2 第3層が n3 =1.40〜1.45 0.9×λ0 /4≦n3 d3 ≦1.1×λ0 /4 を満足する屈折率および膜厚に形成した。
In a reflective antistatic cathode ray tube having a reflective antistatic film on the outer surface of the face, the reflective antistatic film is a three-layer film, and the wavelength of incident light with the highest luminosity is λ 0 ( λ0 = 550 nm), the refractive index of the first layer on the outer surface of the face is n1, the film thickness is d1, the refractive index of the second layer on the first layer is n2, the film thickness is d2, and the second layer on the second layer is When the refractive index of three layers is n3 and the film thickness is d3, the first layer is n1 = 1.65 to 1.75 0.9 × λ0 / 4 ≦ n1 d1 ≦ 1.1 × λ0 / 4 Second layer N2 = 1.90 to 2.00 0.9 × λ0 / 2 ≦ n2 d2 ≦ 1.1 × λ0 / 2 The third layer has n3 = 1.40 to 1.45 0.9 × λ0 / 4 ≦ n3 The film was formed with a refractive index and a film thickness satisfying d3 ≤ 1.1 x λ0 / 4.

【0015】また、その第1層をSn O2 ,Ti O2
Si O2 の混合物、第2層をTi O2 、第3層をMg F
2 ,Si O2 の混合物で構成した。
The first layer is formed of SnO 2 , TiO 2 ,
Mixture of Si O 2, the second layer Ti O 2, the third layer Mg F
2 , a mixture of SiO 2 .

【0016】また、フェース外表面に反射帯電防止膜を
形成する反射帯電防止型陰極線管の製造方法において、
フェース外表面上に液相法によりSn O2 ,Ti O2
SiO2 の混合物からなる第1層を形成し、この第1層
上に液相法によりTi O2 からなる第2層を形成し、こ
の第2層上に液相法によりMg F2 ,Si O2 の混合物
からなる第3層を形成した。
Further, in a method of manufacturing a reflection-prevention type cathode ray tube, wherein a reflection-prevention film is formed on the outer surface of the face,
Sn O 2, Ti O 2 by a liquid phase method on the face outer surface,
Forming a first layer consisting of a mixture of SiO 2, this by a liquid phase method on the first layer to form a second layer of Ti O 2, Mg F 2 by a liquid phase method in the second layer on, Si A third layer was formed consisting of a mixture of O 2 .

【0017】[0017]

【作用】上記のように3層膜からなる反射帯電防止膜を
構成すると、液相法により成膜したのち、200℃の低
温焼成により屈折率が2.00以下となる物質を用いて
も、陰極線管のフェース外表面上に、低反射波長域が広
くかつ反射防止膜の色付きが少なく、しかも帯電防止効
果をもつ反射帯電防止膜を形成することができる。
When the antireflection film composed of the three-layer film is formed as described above, even if a material whose refractive index becomes 2.00 or less by low temperature baking at 200 ° C. after being formed by the liquid phase method, On the outer surface of the face of the cathode ray tube, it is possible to form a reflection antistatic film having a wide low reflection wavelength range, little coloring of the antireflection film and having an antistatic effect.

【0018】[0018]

【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described based on embodiments with reference to the drawings.

【0019】図1にその一実施例である反射帯電防止型
陰極線管を示す。この陰極線管は、カラー陰極線管であ
り、周辺部にスカート部10が形成されたガラスからな
るフェース1(パネル)とこのフェース1のスカート部
10に接合されたファンネル3からなる外囲器を有し、
そのフェース1の内面に、3色蛍光体層からなる蛍光体
スクリーン2が形成され、この蛍光体スクリーン2に対
向して、その内側にシャドウマスク6が配置されてい
る。一方、ファンネル3のネック4内に電子銃5が配置
されている。さらにフェース1のスカート部10の外周
に防爆バンド7が取付けられている。またフェース1の
外表面上に反射帯電防止膜11が設けられている。この
反射帯電防止膜11は、アース接続のめに、その周辺部
が上記防爆バンド7に接続されている。
FIG. 1 shows a reflection-prevention type cathode ray tube which is one of the embodiments. This cathode ray tube is a color cathode ray tube, and has a face 1 (panel) made of glass having a skirt portion 10 formed in the peripheral portion and an envelope having a funnel 3 joined to the skirt portion 10 of the face 1. Then
A phosphor screen 2 made of a phosphor layer of three colors is formed on the inner surface of the face 1, and a shadow mask 6 is arranged inside the face 1 so as to face the phosphor screen 2. On the other hand, the electron gun 5 is arranged in the neck 4 of the funnel 3. Further, an explosion-proof band 7 is attached to the outer periphery of the skirt portion 10 of the face 1. Further, a reflection antistatic film 11 is provided on the outer surface of the face 1. The reflective antistatic film 11 has its peripheral portion connected to the explosion-proof band 7 for grounding.

【0020】上記反射帯電防止膜11は、図2に示すよ
うに、フェース1の外表面上に順次積層形成された第
1、第2、第3層12a ,12b ,12c の3層膜から
なる。そのフェース1側の第1層12a は、Sn O2
Ti O2 ,Si O2 の混合物からなり、屈折率n1 およ
び膜厚d1 が、それぞれ n1 =1.70 d1 =λ0 /4n1 =81nm に形成されている。この反射帯電防止膜11の導電特性
は、この第1層12a 中のSn O2 により付与される。
As shown in FIG. 2, the antireflection film 11 is a three-layer film including first, second, and third layers 12a, 12b, and 12c, which are sequentially formed on the outer surface of the face 1. . The first layer 12a on the face 1 side is Sn O 2 ,
It consists of a mixture of Ti O 2, Si O 2, the refractive index n1 and thickness d1 is formed on each of n1 = 1.70 d1 = λ0 / 4n1 = 81nm. The conductive property of the antireflection film 11 is given by SnO 2 in the first layer 12a.

【0021】上記第1層12a 上の第2層12b は、T
i O2 からなり、屈折率n2 および膜厚d2 が、それぞ
れ n2 =1.92 d1 =λ0 /2n2 =143nm に形成されている。
The second layer 12b on the first layer 12a is made of T
consists i O 2, a refractive index n2 and thickness d2 is formed on each of n2 = 1.92 d1 = λ0 / 2n2 = 143nm.

【0022】この第2層12b 上の第3層12c は、M
g F2 ,Si O2 の混合物からなり、屈折率n3 および
膜厚d3 が、それぞれ n3 =1.42 d3 =λ0 /4n3 =97nm に形成されている。
The third layer 12c on the second layer 12b is M
g F 2, consist of a mixture of Si O 2, the refractive index n3 and a thickness d3 is formed on each of n3 = 1.42 d3 = λ0 / 4n3 = 97nm.

【0023】この3層膜からなる反射帯電防止膜11
は、液相法により形成される。まずアルコールに可溶な
チタニウム化合物およびシラン化合物のアルコール溶液
にSnO2 の微粒子を分散した分散液をスピンコート法
によりフェースの外表面上に塗布し乾燥したのち、この
塗布膜を200℃の温度で焼成して第1層を成膜する。
つぎに、チタニウムアルコキシドや四塩化チタンなどの
アルコール可溶チタニウム化合物のアルコール溶液をス
ピンコート法により上記第1層上に塗布し乾燥して第2
層を成膜する。その後、シリコンアルコキシドのアルコ
ール溶液にMgF2 の微粒子を分散した分散液をスピン
コート法により上記第2層上に塗布し乾燥したのち、こ
の塗布膜を第2層とともに200℃の温度で焼成して第
3層を形成する。
Antireflection film 11 consisting of this three-layer film
Are formed by the liquid phase method. First, a dispersion of SnO 2 particles dispersed in an alcohol solution of a titanium compound and a silane compound which are soluble in alcohol is applied on the outer surface of the face by spin coating and dried, and then this coating film is heated at a temperature of 200 ° C. The first layer is formed by firing.
Next, an alcohol solution of an alcohol-soluble titanium compound such as titanium alkoxide or titanium tetrachloride is applied onto the above-mentioned first layer by spin coating and dried to form a second layer.
Deposit layers. Then, a dispersion liquid in which fine particles of MgF 2 are dispersed in an alcohol solution of silicon alkoxide is applied onto the second layer by spin coating and dried, and then this coating film is baked together with the second layer at a temperature of 200 ° C. Form a third layer.

【0024】ところで、上記のようにフェースの外表面
上に3層膜からなる反射帯電防止膜11を形成すると、
その第1層、第2層、第3層にそれぞれ屈折率nが2.
00以下の物質を用いて形成しても、最も視感度の高い
波長(λ0 =550nm)近傍で十分に低い反射率をも
ち、低反射波長域が広く、かつ反射防止膜の色付きが少
なく、しかも帯電防止効果をもつ反射帯電防止膜とする
ことができる。
By the way, as described above, when the reflective antistatic film 11 consisting of a three-layer film is formed on the outer surface of the face,
The first layer, the second layer, and the third layer each have a refractive index n of 2.
Even if it is formed using a substance of 00 or less, it has a sufficiently low reflectance in the vicinity of the wavelength (λ 0 = 550 nm) with the highest luminosity, has a wide low reflection wavelength range, and has little coloring of the antireflection film. It can be a reflection antistatic film having an antistatic effect.

【0025】すなわち、図2に、前述した屈折率n1 が
1.73、膜厚d1 が79nmの第1層と、屈折率n2 が
1.40、膜厚d2 が98nmの第2層とからなる2層膜
の反射率を曲線14で、また表1に示した3層膜の反射
率を曲線15a 、表2に示した3層膜の反射率を曲線1
5b で示したが、これら2層膜および3層膜は、いずれ
も最も視感度の高い波長近傍では、十分に反射率が低く
なっているが、可視光波長域の両端近傍で反射率が高い
ために低反射波長域が比較的狭く、かつその可視光波長
域の両端近傍で反射率が高いために反射防止膜の色付き
が大きくなった。しかし上述した屈折率n1 が1.7
0、膜厚d1 が81nmの第1層と、屈折率n2 が1.9
2、膜厚d2 が143nmの第2層と、屈折率n3 が1.
42、膜厚d3 が97nmの第3層とからなるこの例の反
射帯電防止膜11の反射率は、曲線16で示すように、
最も視感度の高い波長近傍で十分に低い反射率となって
いるばかりでなく、可視光波長域の両端近傍でも、反射
率はあまり高くならず、広い低反射波長域をもち、かつ
反射防止膜の色付きが少ない良好なものとなっいてる。
That is, in FIG. 2, the above-described first layer has a refractive index n1 of 1.73 and a film thickness d1 of 79 nm, and a second layer having a refractive index n2 of 1.40 and a film thickness d2 of 98 nm. The reflectance of the two-layer film is shown by curve 14, the reflectance of the three-layer film shown in Table 1 is shown by curve 15a, and the reflectance of the three-layer film shown in Table 2 is shown by curve 1
As shown in 5b, both the two-layer film and the three-layer film have sufficiently low reflectance near the wavelength where the visibility is highest, but have high reflectance near both ends of the visible light wavelength range. Therefore, the low reflection wavelength region is relatively narrow, and the reflectance is high near both ends of the visible light wavelength region, so that the coloring of the antireflection film becomes large. However, the above-mentioned refractive index n1 is 1.7.
0, the first layer having a film thickness d1 of 81 nm, and the refractive index n2 of 1.9.
2. The second layer having a film thickness d2 of 143 nm and the refractive index n3 of 1.
42, the reflectance of the anti-reflective coating 11 of this example composed of the third layer having a film thickness d3 of 97 nm is as shown by the curve 16.
Not only the reflectance is sufficiently low near the wavelength where the visibility is highest, but also the reflectance does not become too high near both ends of the visible light wavelength range, and it has a wide low reflection wavelength range and an antireflection film. It is a good one with little coloring.

【0026】なお、上記実施例では、反射帯電防止膜の
フェース側の第1層の屈折率n1 を1.70、膜厚d1
を81nm、この第1層上の第2層の屈折率n2 を1.9
2、膜厚d2 を143nm、この第2層上の第3層の屈折
率n3 を1.42、膜厚d3を97nmとしたが、この3
層膜からなる反射帯電防止膜は、各層を成膜するための
分散液の組成や塗布条件を変えることにより変化させる
ことができ、それにより、第1層の屈折率n1 、膜厚d
1 を、 n1 =1.65〜1.75 0.9×λ0 /4≦n1 d1 ≦1.1×λ0 /4 とし、第2層の屈折率n2 、膜厚d2 を、 n2 =1.90〜2.00 0.9×λ0 /2≦n2 d2 ≦1.1×λ0 /2 とし、第3層の屈折率n3 、膜厚d3 を、 n3 =1.40〜1.45 0.9×λ0 /4≦n3 d3 ≦1.1×λ0 /4 の範囲としても、同様の効果をもつ反射帯電防止膜とす
ることができる。
In the above embodiment, the first layer on the face side of the antireflection film has a refractive index n1 of 1.70 and a film thickness d1.
Is 81 nm, and the refractive index n2 of the second layer on the first layer is 1.9.
2. The film thickness d2 was 143 nm, the refractive index n3 of the third layer on the second layer was 1.42, and the film thickness d3 was 97 nm.
The anti-reflection film formed of a layer film can be changed by changing the composition of the dispersion liquid for forming each layer and the coating conditions, whereby the refractive index n1 and the film thickness d of the first layer are changed.
1 is set to n1 = 1.65 to 1.75 0.9 × λ0 / 4 ≦ n1 d1 ≦ 1.1 × λ0 / 4, the refractive index n2 and the film thickness d2 of the second layer are set to n2 = 1.90. .About.2.00 0.9.times..lambda.0 /2.ltoreq.n2 d2 .ltoreq.1.1.times..lamda.0 / 2, the refractive index n3 and the film thickness d3 of the third layer are: n3 = 1.40 to 1.45 0.9.times. Even in the range of .lambda.0 / 4.ltoreq.n3 d3.ltoreq.1.1.times..lambda.0 / 4, a reflection antistatic film having the same effect can be obtained.

【0027】なお、上記実施例では、カラー陰極線管に
ついて説明したが、この発明は、カラー陰極線管以外の
陰極線管にも適用可能である。
Although the color cathode ray tube has been described in the above embodiment, the present invention can be applied to cathode ray tubes other than the color cathode ray tube.

【0028】[0028]

【発明の効果】フェース外表面の反射帯電防止膜を3層
膜とし、そのフェース外表面側に屈折率n1 、膜厚d1
が、 n1 =1.65〜1.75 0.9×λ0 /4≦n1 d1 ≦1.1×λ0 /4 を満足する第1層を形成し、この第1層上に屈折率n2
、膜厚d2 が、 n2 =1.90〜2.00 0.9×λ0 /2≦n2 d2 ≦1.1×λ0 /2 を満足する第2層を形成し、この第2層上に屈折率n3
、膜厚d3 が、 n3 =1.40〜1.45 0.9×λ0 /4≦n3 d3 ≦1.1×λ0 /4 を満足する第3層を形成し、またその第1層をSn
2 ,Ti O2 ,Si O2 の混合物、第2層をTi
2 、第3層をMg F2 ,Si O2 の混合物で構成する
と、成膜後、200℃の低温焼成により屈折率が2.0
0以下となる物質を用いても、液相法により最も視感度
の高い波長近傍で十分に低い反射率をもち、低反射波長
域が広く、かつ反射の色付きが少なく、しかも帯電防止
効果をもつ反射帯電防止膜を形成することができる。
The antireflection film on the outer surface of the face is a three-layer film having a refractive index n1 and a film thickness d1 on the outer surface of the face.
, N1 = 1.65 to 1.75 0.9 × λ0 / 4 ≦ n1 d1 ≦ 1.1 × λ0 / 4 is formed, and the refractive index n2 is formed on this first layer.
, And a film thickness d2 of n2 = 1.90 to 2.00 0.9 × λ0 / 2 ≦ n2 d2 ≦ 1.1 × λ0 / 2 is formed, and refraction is performed on this second layer. Rate n3
, A film thickness d3 forms a third layer satisfying n3 = 1.40 to 1.45 0.9 × λ0 / 4 ≦ n3 d3 ≦ 1.1 × λ0 / 4, and the first layer is Sn.
O 2, a mixture of Ti O 2, Si O 2, the second layer Ti
When O 2 and the third layer are made of a mixture of MgF 2 and SiO 2 , the film has a refractive index of 2.0 after baking at a low temperature of 200 ° C.
Even if a substance of 0 or less is used, it has a sufficiently low reflectance in the vicinity of the wavelength with the highest luminosity by the liquid phase method, has a wide low reflection wavelength range, has little coloring of reflection, and has an antistatic effect. A reflective antistatic film can be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例である反射帯電防止型陰極
線管の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a reflection-prevention type cathode ray tube according to an embodiment of the present invention.

【図2】その反射帯電防止膜の構造を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the structure of the antireflection film.

【図3】上記反射帯電防止膜の反射特性を2層膜および
表1、表2に示した反射防止膜と比較して示した図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing the reflection characteristics of the antireflection film in comparison with the two-layer film and the antireflection films shown in Tables 1 and 2.

【図4】カラー陰極線管の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a color cathode ray tube.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…フェース 2…蛍光体スクリーン 7…防爆バンド 11…反射帯電防止膜 12a …第1層 12b …第2層 12c …第3層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Face 2 ... Phosphor screen 7 ... Explosion-proof band 11 ... Reflective antistatic film 12a ... 1st layer 12b ... 2nd layer 12c ... 3rd layer

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フェース外表面に反射帯電防止膜を有す
る反射帯電防止型陰極線管において、 上記反射帯電防止膜は順次上記フェース外表面上に積層
形成された3層膜からなり、視感度の最も高い入射光の
波長をλ0 (λ0 =550nm)とし、上記フェース外表
面上の第1層の屈折率をn1 、膜厚をd1 、この第1層
上の第2層の屈折率をn2 、膜厚をd2 、この第2層上
の第3層の屈折率をn3 、膜厚をd3 とするとき、第1
層が n1 =1.65〜1.75 0.9×λ0 /4≦n1 d1 ≦1.1×λ0 /4 第2層が n2 =1.90〜2.00 0.9×λ0 /2≦n2 d2 ≦1.1×λ0 /2 第3層が n3 =1.40〜1.45 0.9×λ0 /4≦n3 d3 ≦1.1×λ0 /4 を満足する屈折率および膜厚に形成されていることを特
徴とする反射帯電防止型陰極線管。
1. A reflective antistatic cathode ray tube having a reflective antistatic film on the outer surface of the face, wherein the antireflective film is a three-layer film sequentially laminated on the outer surface of the face, and has the highest visibility. The wavelength of high incident light is λ0 (λ0 = 550 nm), the refractive index of the first layer on the outer surface of the face is n1, the film thickness is d1, the refractive index of the second layer on this first layer is n2, and the film is When the thickness is d2, the refractive index of the third layer on the second layer is n3, and the film thickness is d3,
The layer is n1 = 1.65 to 1.75 0.9 × λ0 / 4 ≦ n1 d1 ≦ 1.1 × λ0 / 4 The second layer is n2 = 1.90 to 2.00 0.9 × λ0 / 2 ≦ n2 d2 ≦ 1.1 × λ0 / 2 The third layer has a refractive index and a film thickness satisfying n3 = 1.40 to 1.45 0.9 × λ0 / 4 ≦ n3 d3 ≦ 1.1 × λ0 / 4 A reflective antistatic cathode ray tube characterized in that it is formed.
【請求項2】 第1層がSn O2 ,Ti O2 ,Si O2
の混合物、第2層がTi O2 、第3層がMg F2 ,Si
2 の混合物からなることを特徴とする請求項1記載の
反射帯電防止型陰極線管。
2. The first layer comprises SnO 2 , TiO 2 and SiO 2
Mixture, the second layer is Ti O 2, third layer Mg F 2, Si of
The anti-reflection type cathode ray tube according to claim 1, which is composed of a mixture of O 2 .
【請求項3】 フェース外表面に反射帯電防止膜を形成
する反射帯電防止型陰極線管の製造方法において、 上記フェース外表面上に液相法によりSn O2 ,Ti O
2 ,Si O2 の混合物からなる第1層を形成し、この第
1層上に液相法によりTi O2 からなる第2層を形成
し、この第2層上に液相法によりMg F2 ,Si O2
混合物からなる第3層を形成することを特徴とする反射
帯電防止型陰極線管の製造方法。
3. A method for manufacturing a reflection-preventing type cathode ray tube in which a reflection-preventing film is formed on the outer surface of the face, wherein Sn O 2 , Ti 2 O 3 is formed on the outer surface of the face by a liquid phase method.
2, Si O to form a first layer consisting of a mixture of 2, this by a liquid phase method on the first layer to form a second layer of Ti O 2, Mg F by a liquid phase method in the second layer on the A method for producing a reflection-prevention type cathode ray tube, which comprises forming a third layer made of a mixture of SiO 2 and SiO 2 .
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