JPH0737533A - Panel for cathode-ray tube - Google Patents

Panel for cathode-ray tube

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JPH0737533A
JPH0737533A JP20192793A JP20192793A JPH0737533A JP H0737533 A JPH0737533 A JP H0737533A JP 20192793 A JP20192793 A JP 20192793A JP 20192793 A JP20192793 A JP 20192793A JP H0737533 A JPH0737533 A JP H0737533A
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JP
Japan
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thin film
panel
refractive index
layer
ray tube
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Application number
JP20192793A
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Japanese (ja)
Inventor
Isao Kishimoto
勇夫 岸本
Takahide Fujii
孝英 藤居
Yukio Harada
幸雄 原田
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Nippon Electric Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Glass Co Ltd
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Publication date
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  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve electromagnetic wave shield by laminating plurality of materials having a specific film thickness and refractive index, so as to decrease a reflection factor over a wide band. CONSTITUTION:In an external surface of a panel glass 10, a mixed thin film 11 of TiO2 and SiO2 is formed as the first layer, and a thin film 12 of SnO2 is formed as the second layer. Further as the third layer, an SiO2 thin film 13 is formed, and when successively laminated the thin films 11, 12, 13, when heat treated a panel, an alkali component appearing in its surface can be prevented from being generated. Here, a film thickness is made 809Angstrom for the thin film 11, 688Angstrom for the thin film 12 and 942Angstrom for the thin film 13, and a refractive index is made 1.7 for the thin film 11, 2.0 for the thin film 12 and 1.46 for the thin film 13. Then, a panel has excellent electromagnetic wave shieldability and reflection preventability, so as to provide a low refractive index over a wide band. In this way, the image are prevented from giving fatige to a viewer.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、外表面に高い電磁波遮
蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルに関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cathode ray tube panel having a high electromagnetic wave shielding property and antireflection property on its outer surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】陰極線管は、画像が映し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
2. Description of the Related Art A cathode ray tube is composed of a panel on which an image is displayed, and a funnel and a neck which are formed behind the panel.

【0003】陰極線管は、ネック管内に装着した電子銃
からでる電子ビームをフアンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有する酸化錫等の導電膜が形
成されている。
In a cathode ray tube, an electron beam emitted from an electron gun mounted in a neck tube is deflected by a deflection coil attached around a funnel. Particularly, when an unnecessary electromagnetic wave generated from this deflection coil leaks, the cathode ray tube There is a risk that other electronic devices around the tube may malfunction or the human body may be adversely affected. Therefore, in the conventional cathode ray tube, a conductive film such as tin oxide having conductivity is formed on the outer surface of the panel in order to impart the property of shielding electromagnetic waves.

【0004】しかしながら、従来一般に供されている陰
極線管用パネルでは、その外表面に形成されている導電
膜の面抵抗(正方形当たりの抵抗値)が1×106 Ω/
□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには不十分である。また、従来のパネルに形成さ
れている導電膜は、その表面が鏡面状態であり、しかも
酸化錫の膜はパネルガラスに比べて高い屈折率を有して
いるので導電性を高めるために膜厚を厚くすると、その
表面反射が大きく画像が見えにくいという問題が生じて
いる。
However, in the conventional cathode ray tube panel, the sheet resistance (resistance value per square) of the conductive film formed on the outer surface of the panel is 1 × 10 6 Ω /
Since it is as high as □ or more, it has low conductivity and is insufficient to completely shield unwanted electromagnetic waves. In addition, the conductive film formed on the conventional panel has a mirror-finished surface, and the tin oxide film has a higher refractive index than the panel glass. If the thickness is increased, there is a problem that the surface reflection is large and the image is difficult to see.

【0005】そこで、パネル表面に透明導電膜を形成し
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的には、
パネルの外表面にCVD法によって200〜400Åの
膜厚のSnO2 からなる透明導電膜を形成した後、さら
にその上にSiO2 からなる反射防止膜をスピンコート
法によって形成してなる陰極線管が提案されている。
Therefore, it has been proposed to suppress the surface reflection of light by forming a transparent conductive film on the panel surface and then forming an antireflection film on it.
A cathode ray tube is formed by forming a transparent conductive film made of SnO 2 having a film thickness of 200 to 400 Å on the outer surface of a panel by a CVD method, and further forming an antireflection film made of SiO 2 thereon by a spin coating method. Proposed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な陰極線管は、550nm付近の狭い波長域においては
かなり低い反射率を有するが、それ以外の可視域におい
ては反射率が高く、特に400nm付近の低波長域にお
いては、外表面に膜を形成していないパネルより高い反
射率を示すようになり、上記したような画像が見えにく
くなるという問題を解決するには未だ不十分である。加
えて、このように狭い波長域においてのみ低い反射率を
有するパネルにあっては、画像を見る人の目に濃い色彩
として感じられるため、疲労感を与えやすいという欠点
がある。
However, such a cathode ray tube has a considerably low reflectance in a narrow wavelength region near 550 nm, but has a high reflectance in other visible regions, particularly a low reflectance around 400 nm. In the wavelength region, the reflectance is higher than that of a panel having no film formed on the outer surface, and it is still insufficient to solve the problem that an image is hard to see. In addition, such a panel having a low reflectance only in a narrow wavelength range has a drawback that it tends to give a feeling of fatigue because it is perceived by the viewer as a dark color.

【0007】また、SnO2 の膜厚が200〜400Å
と薄いために透明導電膜の面抵抗が1×106 Ω/□と
高く、不要電磁波を遮蔽するには不十分である。
The thickness of SnO 2 is 200 to 400Å
Since it is thin, the surface resistance of the transparent conductive film is as high as 1 × 10 6 Ω / □, which is insufficient to shield unnecessary electromagnetic waves.

【0008】従って、本発明の目的は、優れた電磁波遮
蔽性を有するとともに広い波長域(以下、広帯域とい
う)に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを提供することであ
る。
Therefore, an object of the present invention is to have an excellent electromagnetic wave shielding property and a low reflectance over a wide wavelength range (hereinafter, referred to as a wide band), which gives a viewer a feeling of fatigue. It is to provide a panel for a cathode ray tube.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題及
び目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第1層目に
ガラスの屈折率とSnO2 の屈折率との間の屈折率を有
する材料からなる薄膜が形成され、第2層目にSnO2
薄膜が形成され、第3層目に第1層目より低い屈折率を
有する材料からなる薄膜が形成されてなることを特徴と
する陰極線管用パネルである。
The present invention has been made in view of the above problems and objects, and a refractive index between the refractive index of glass and the refractive index of SnO 2 is formed in the first layer on the outer surface side. A thin film made of a material having a refractive index is formed, and SnO 2 is formed on the second layer.
A cathode ray tube panel, wherein a thin film is formed, and a thin film made of a material having a refractive index lower than that of the first layer is formed as a third layer.

【0010】また、第1層目の薄膜がTiO2 とSiO
2 の混合物からなり、第3層目の薄膜がSiO2 からな
ることを特徴とする。
The first thin film is TiO 2 and SiO.
It is characterized in that it is made of a mixture of 2 and the thin film of the third layer is made of SiO 2 .

【0011】さらに、第2層目の薄膜がCVD法によっ
て形成され、500Å以上の膜厚と3×103 Ω以下の
面抵抗を有することを特徴とする。
Further, the second thin film is formed by the CVD method and has a film thickness of 500 Å or more and a sheet resistance of 3 × 10 3 Ω or less.

【0012】[0012]

【作用】本発明において、透明導電膜として用いられる
第2層目のSnO2 膜は2.0の屈折率(nd)を有
し、In23 薄膜に比べ、安価で性能が安定している
ことを特徴とする。
In the present invention, the second SnO 2 film used as the transparent conductive film has a refractive index (nd) of 2.0 and is cheaper and more stable in performance than the In 2 O 3 thin film. It is characterized by being

【0013】さらに、本発明においては、第1層目の薄
膜として、ガラスの屈折率と第2層目のSnO2 薄膜の
屈折率の間の屈折率を有する薄膜が形成され、第3層目
の薄膜として第1層目より低い屈折率を有する薄膜が形
成されてなるため、広帯域に亙って低い反射率を得るこ
とが可能となる。
Further, in the present invention, a thin film having a refractive index between the refractive index of glass and the refractive index of the SnO 2 thin film of the second layer is formed as the thin film of the first layer, and the thin film of the third layer is formed. Since a thin film having a refractive index lower than that of the first layer is formed as the thin film of, the low reflectance can be obtained over a wide band.

【0014】第1層目の薄膜、すなわちガラスの屈折率
(屈折率=1.536)とSnO2の屈折率との間の屈
折率を有する薄膜の材質としては、TiO2 、ZrO
2 、Ta25 、ZnS、CeO2 とSiO2 との混合
物等が使用可能であり、第3層目の薄膜の材質としては
SiO2 、MgF2 等が使用可能であるが、パネルの反
射防止性能とコスト面を考慮すると、第1層目としてT
iO2 とSiO2 の混合物(屈折率=1.7)の薄膜、
第3層目のとしてSiO2 (屈折率=1.46)の薄膜
を使用するのが最も望ましく、その形成方法としては、
スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法
のいずれかが適している。
The material of the first thin film, that is, the thin film having a refractive index between the refractive index of glass (refractive index = 1.536) and the refractive index of SnO 2 is TiO 2 , ZrO.
2 , Ta 2 O 5 , ZnS, a mixture of CeO 2 and SiO 2 , etc. can be used, and SiO 2 , MgF 2 etc. can be used as the material of the third layer thin film, but the reflection of the panel Considering prevention performance and cost, T is the first layer.
a thin film of a mixture of iO 2 and SiO 2 (refractive index = 1.7),
It is most desirable to use a thin film of SiO 2 (refractive index = 1.46) as the third layer.
The spin coating method, the dip coating method, or the spray coating method is suitable.

【0015】また、SnO2 を形成するCVD法は他の
コーティング法に比べ安価で大量生産に向いている。通
常、CVD法によりパネルの表面に直接SnO2 の薄膜
を形成すると、パネルの加熱処理によりガラス中のアル
カリ成分がパネルの表面に出るため、3×103 Ω/□
の抵抗値を得るには膜厚を相当厚くしなければならな
い。しかしながら、第1層目の薄膜を形成し、その上に
SnO2 薄膜を形成することにより、パネルの表面にア
ルカリ成分が出るのを防止することが可能となり、Sn
2 の膜が薄い膜厚でも3×103 Ω/□以下の抵抗値
を安定して得ることが可能である。さらに、この第2層
目の薄膜を構成するSnO2 には抵抗値を下げる目的で
少量のSb23 を添加することが可能である。
The CVD method for forming SnO 2 is cheaper than other coating methods and suitable for mass production. Usually, when a thin film of SnO 2 is directly formed on the surface of the panel by the CVD method, the alkali component in the glass is exposed on the surface of the panel by the heat treatment of the panel, so that 3 × 10 3 Ω / □ is obtained.
In order to obtain the resistance value of, the film thickness must be considerably increased. However, by forming the thin film of the first layer and then forming the SnO 2 thin film on it, it becomes possible to prevent alkaline components from appearing on the surface of the panel.
Even if the O 2 film is thin, a resistance value of 3 × 10 3 Ω / □ or less can be stably obtained. Further, a small amount of Sb 2 O 3 can be added to the SnO 2 forming the second thin film for the purpose of lowering the resistance value.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例に
基づいて詳細に説明する。
The cathode ray tube panel of the present invention will be described in detail below with reference to examples.

【0017】(実施例)図1は本発明の陰極線管用パネ
ルの縦断面図である。
(Example) FIG. 1 is a vertical sectional view of a panel for a cathode ray tube according to the present invention.

【0018】このパネルガラス10(屈折率1.53
6)の外表面には、第1層目として809Åの膜厚を有
するTiO2 とSiO2 の混合薄膜(屈折率1.7)が
形成され、また第2層目として688Åの膜厚を有する
SnO2 薄膜12(屈折率2.0)が形成され、さらに
第3層目として942Åの膜厚を有するSiO2 薄膜1
3(屈折率1.46)が形成されている。
This panel glass 10 (refractive index 1.53
On the outer surface of 6), a mixed thin film (refractive index 1.7) of TiO 2 and SiO 2 having a film thickness of 809Å is formed as the first layer, and a film thickness of 688Å is formed as the second layer. An SiO 2 thin film 1 having a SnO 2 thin film 12 (refractive index of 2.0) formed thereon and having a film thickness of 942 Å as a third layer.
3 (refractive index 1.46) is formed.

【0019】このパネルガラス10の外表面への各薄膜
の形成は以下のような方法によって行った。
Each thin film was formed on the outer surface of the panel glass 10 by the following method.

【0020】まず、パネルガラスを洗浄、乾燥させ、予
熱した状態で回転させながら、その上にTiO2 とSi
2 含有のアルコール溶液を滴下後、これを自然乾燥さ
せた後に焼成することによってTiO2 とSiO2 の混
合薄膜11を形成した。
First, the panel glass is washed, dried, and rotated in a preheated state, while TiO 2 and Si
A mixed thin film 11 of TiO 2 and SiO 2 was formed by dropping an O 2 -containing alcohol solution, allowing it to dry naturally, and then firing it.

【0021】その後、このTiO2 とSiO2 の混合薄
膜11を形成したパネルガラス10を予熱しておき、こ
の外表面にジメチル2塩化錫と3塩化アンチモンの混合
蒸気(Sb/Sn)を吹きつけ、常圧のCVD法によっ
てSbがドープされたSnO2 薄膜12を形成した。
Then, the panel glass 10 on which the mixed thin film 11 of TiO 2 and SiO 2 is formed is preheated, and a mixed vapor (Sb / Sn) of dimethyl tin dichloride and antimony trichloride is sprayed on the outer surface thereof. The SnO 2 thin film 12 doped with Sb was formed by the atmospheric pressure CVD method.

【0022】次いでこのパネルガラス10を予熱した状
態で回転させながら、その上にSiO2 含有アルコール
溶液を滴下した後、これを自然乾燥させ、焼成すること
によって、SiO2 薄膜13を形成した。
Next, while rotating the panel glass 10 in a preheated state, a SiO 2 -containing alcohol solution was dropped on the panel glass 10 and then naturally dried and fired to form a SiO 2 thin film 13.

【0023】(比較例)図1に示すようなパネルガラス
を用意し、このパネルガラスを予熱しておき、この外表
面にジメチル2塩化錫と3塩化アンチモンの混合蒸気
(Sb/Sn)を吹きつけ、常圧のCVD法によって、
300Åの膜厚を有し、SbがドープされたSnO2
膜を形成した。
(Comparative Example) A panel glass as shown in FIG. 1 was prepared, this panel glass was preheated, and a mixed vapor (Sb / Sn) of dimethyl tin dichloride and antimony trichloride was blown on the outer surface thereof. And by the atmospheric pressure CVD method,
A SnO 2 thin film having a film thickness of 300 Å and doped with Sb was formed.

【0024】次いでこのパネルガラスを予熱した状態
で、回転させながら、その上にSiO2 含有アルコール
溶液を滴下した後、これを自然乾燥させ、焼成すること
によって、1150Åの膜厚を有するSiO2 薄膜を形
成した。
Then, while preheating this panel glass, while rotating it, a SiO 2 -containing alcohol solution was dripped onto the panel glass, and then naturally dried and baked to form a SiO 2 thin film having a film thickness of 1150 Å. Was formed.

【0025】こうして作製した各々の陰極線管用パネル
の400〜700nmの波長における反射率を測定し、
その結果を図2に示した。
The reflectance of each of the thus-produced cathode ray tube panels at a wavelength of 400 to 700 nm was measured,
The results are shown in Fig. 2.

【0026】図2のグラフから明らかなように、実施例
のパネルは比較例のパネルに比べて、広帯域に亙って全
般的に低い反射率を有していた。
As is apparent from the graph of FIG. 2, the panel of the example had a generally low reflectance over a wide band as compared with the panel of the comparative example.

【0027】また、各陰極線管用パネルの面抵抗を測定
したところ、実施例のパネルは1×103 Ω/□の低い
面抵抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を有してい
た。一方、比較例のパネルは面抵抗が1×106 Ω/□
と高く電磁波遮蔽性に劣っていた。
Further, when the sheet resistance of each cathode ray tube panel was measured, the panel of the example had a low sheet resistance of 1 × 10 3 Ω / □ and had an excellent electromagnetic wave shielding property. On the other hand, the panel of the comparative example has a surface resistance of 1 × 10 6 Ω / □
And was inferior in electromagnetic wave shielding.

【0028】尚、上記の膜厚(Å)は、可視域の光の波
長を表すλを525nmに設定し、各層の膜の屈折率を
nとして、λ/4nの条件式によって求めたものであ
る。
The above-mentioned film thickness (Å) is obtained by a conditional expression of λ / 4n, where λ representing the wavelength of light in the visible region is set to 525 nm and the refractive index of each layer is n. is there.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上のように本発明によると、優れた電
磁波遮蔽性と反射防止性を有し、特に広帯域に亙って低
い反射率を有していることから、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを得ることが可能であ
る。
As described above, according to the present invention, it has excellent electromagnetic wave shielding property and antireflection property, and in particular, has a low reflectance over a wide band. It is possible to obtain a panel for a cathode ray tube which does not give a feeling of fatigue.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の陰極線管用パネルの縦断面図である。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of a cathode ray tube panel of the present invention.

【図2】実施例と比較例の陰極線管用パネルの反射率を
示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing the reflectances of cathode ray tube panels of Examples and Comparative Examples.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 パネルガラス 11 TiO2 とSiO2 の混合薄膜 12 SnO2 薄膜 13 SiO2 薄膜10 panel glass 11 mixed thin film of TiO 2 and SiO 2 12 SnO 2 thin film 13 SiO 2 thin film

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 外表面側の第1層目にガラスの屈折率と
SnO2 の屈折率との間の屈折率を有する材料からなる
薄膜が形成され、第2層目にSnO2 薄膜が形成され、
第3層目に第1層目より低い屈折率を有する材料からな
る薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極線管用パ
ネル。
1. A thin film made of a material having a refractive index between the glass refractive index of the first layer of the outer surface and SnO 2 having a refractive index is formed, SnO 2 thin film is formed on the second layer Is
A cathode ray tube panel, wherein a thin film made of a material having a refractive index lower than that of the first layer is formed on the third layer.
【請求項2】 第1層目の薄膜がTiO2 とSiO2
混合物からなることを特徴とする請求項1記載の陰極線
管用パネル。
2. The cathode ray tube panel according to claim 1, wherein the first thin film is made of a mixture of TiO 2 and SiO 2 .
【請求項3】 第3層目の薄膜がSiO2 からなること
を特徴とする請求項1記載の陰極線管用パネル。
3. The cathode ray tube panel according to claim 1, wherein the third thin film is made of SiO 2 .
【請求項4】 第2層目の薄膜がCVD法によって形成
され、500Å以上の膜厚と3×103 Ω以下の面抵抗
を有することを特徴とする請求項1記載の陰極線管用パ
ネル。
4. The cathode ray tube panel according to claim 1, wherein the second thin film is formed by a CVD method and has a film thickness of 500 Å or more and a sheet resistance of 3 × 10 3 Ω or less.
JP20192793A 1993-07-21 1993-07-21 Panel for cathode-ray tube Pending JPH0737533A (en)

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