JP3292338B2 - Panel for cathode ray tube - Google Patents

Panel for cathode ray tube

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  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、外表面に高い電磁波遮
蔽性と優れた反射防止性を有する陰極線管用パネルに関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a panel for a cathode ray tube having an outer surface having a high electromagnetic wave shielding property and an excellent antireflection property.

【0002】[0002]

【従来の技術】陰極線管は、画像が映し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
2. Description of the Related Art A cathode ray tube comprises a panel on which an image is projected, and a funnel and a neck forming the panel behind the panel.

【0003】陰極線管は、ネック管内に装着した電子銃
からでる電子ビームをフアンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有する酸化錫等の導電膜が形
成されている。
In a cathode ray tube, an electron beam emitted from an electron gun mounted in a neck tube is deflected by a deflection coil mounted around a funnel. Other electronic devices around the tube may malfunction or have an adverse effect on the human body. Therefore, in a conventional cathode ray tube, a conductive film such as tin oxide having conductivity is formed on the outer surface of the panel in order to provide a performance of shielding electromagnetic waves.

【0004】しかしながら、従来一般に供されている陰
極線管用パネルでは、その外表面に形成されている導電
膜の面抵抗(正方形当たりの抵抗値)が1×106 Ω/
□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには不十分である。また、従来のパネルに形成さ
れている導電膜は、その表面が鏡面状態であり、しかも
酸化錫の膜はパネルガラスに比べて高い屈折率を有して
いるので導電性を高めるために膜厚を厚くすると、その
表面反射が大きく画像が見えにくいという問題が生じて
いる。
However, in the conventional cathode ray tube panel, the surface resistance (resistance value per square) of the conductive film formed on the outer surface thereof is 1 × 10 6 Ω /.
□ Higher than that, the conductivity is low, and it is insufficient to completely block unnecessary electromagnetic waves. In addition, the conductive film formed on the conventional panel has a mirror-finished surface, and the tin oxide film has a higher refractive index than the panel glass. When the thickness is large, there is a problem that the surface reflection is large and an image is difficult to see.

【0005】そこで、パネル表面に透明導電膜を形成し
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的には、
パネルの外表面にCVD法によって200〜400Åの
膜厚のSnO2 からなる透明導電膜を形成した後、さら
にその上にSiO2 からなる反射防止膜をスピンコート
法によって形成してなる陰極線管が提案されている。
Therefore, it has been proposed to suppress the surface reflection of light by forming a transparent conductive film on the panel surface and then forming an anti-reflection film thereon.
After forming a transparent conductive film made of SnO 2 with a thickness of 200 to 400 ° on the outer surface of the panel by a CVD method, a cathode ray tube formed by further forming an antireflection film made of SiO 2 thereon by a spin coating method is formed. Proposed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記陰極線管は、パネ
ル表面にSnO2 からなる透明導電膜が形成されている
ため、比較的良好な帯電防止性を有しているが、その膜
厚は200〜400Åと薄いために透明導電膜の面抵抗
が1×106 Ω/□と高く、不要電磁波を遮蔽するには
未だ不十分である。
The above-mentioned cathode ray tube has a relatively good antistatic property because the transparent conductive film made of SnO 2 is formed on the panel surface. Since the transparent conductive film is as thin as 400 °, the sheet resistance of the transparent conductive film is as high as 1 × 10 6 Ω / □, which is still insufficient to shield unnecessary electromagnetic waves.

【0007】また、この陰極線管は、550nm付近の
狭い波長域においてはかなり低い反射率を有するが、そ
れ以外の可視域においては反射率が高く、特に400n
m付近の低波長域においては、外表面に膜を形成してい
ないパネルより高い反射率を示すようになり、上記した
ような画像が見えにくくなるという問題を解決する点に
ついても未だ不十分である。加えて、このように狭い波
長域においてのみ低い反射率を有するパネルにあって
は、画像を見る人の目に濃い色彩として感じられるた
め、疲労感を与えやすいという欠点がある。
Further, this cathode ray tube has a considerably low reflectance in a narrow wavelength region around 550 nm, but has a high reflectance in other visible regions, particularly 400 n.
In the low-wavelength region around m, the reflectivity becomes higher than that of the panel having no film formed on the outer surface, and it is still insufficient to solve the above-mentioned problem that the image becomes difficult to see. is there. In addition, such a panel having a low reflectance only in a narrow wavelength range has a drawback that a person who views an image feels a deep color, and thus easily gives a feeling of fatigue.

【0008】従って、本発明の目的は、優れた電磁波遮
蔽性を有するとともに広い波長域(以下、広帯域とい
う)に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを提供することであ
る。
Accordingly, an object of the present invention is to provide an excellent electromagnetic wave shielding property and a low reflectance over a wide wavelength range (hereinafter, referred to as a broadband), thereby giving a viewer a feeling of fatigue. There is no need to provide a panel for a cathode ray tube.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題及
び目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第1層目に
SiO2 膜が形成され、第2層目にガラスの屈折率とS
nO2 の屈折率との間の屈折率を有する材料からなる薄
膜が形成され、第3層目にSnO2 薄膜が形成され、第
4層目に第2層目より低い屈折率を有する材料からなる
薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極線管用パネ
ルである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems and objects. An SiO 2 film is formed on a first layer on the outer surface side, and a glass refraction is formed on a second layer. Rate and S
A thin film made of a material having a refractive index between nO 2 and the refractive index of nO 2 is formed, a SnO 2 thin film is formed on the third layer, and a material having a lower refractive index than the second layer is formed on the fourth layer. A panel for a cathode ray tube, wherein a thin film is formed.

【0010】また、第2層目の薄膜がTiO2 とSiO
2 の混合物からなることを特徴とする。
A second thin film is made of TiO 2 and SiO
It is characterized by consisting of a mixture of 2 .

【0011】また、第4層目の薄膜がSiO2 からなる
ことを特徴とする。
The fourth thin film is made of SiO 2 .

【0012】さらに、第3層目の薄膜がCVD法によっ
て形成され、500Å以上の膜厚と3×103 Ω以下の
面抵抗を有することを特徴とする。
Further, a third thin film is formed by a CVD method, and has a film thickness of 500 ° or more and a sheet resistance of 3 × 10 3 Ω or less.

【0013】[0013]

【作用】本発明において、透明導電膜として用いられる
第3層目のSnO2 膜は2.0の屈折率(nd)を有
し、In23 薄膜に比べ、安価で性能が安定している
ことを特徴とする。
According to the present invention, the third SnO 2 film used as the transparent conductive film has a refractive index (nd) of 2.0 and is more inexpensive and more stable in performance than the In 2 O 3 thin film. It is characterized by being.

【0014】さらに、本発明においては、第1層目の薄
膜としてSiO2 からなる薄膜が形成され、第2層目の
薄膜としてガラスの屈折率と第3層目のSnO2 薄膜の
屈折率の間の屈折率を有する薄膜が形成され、第4層目
の薄膜として第層目より低い屈折率を有する薄膜が形
成されてなるため、広帯域に亙って低い反射率を得るこ
とが可能となる。
Further, in the present invention, a SiO 2 thin film is formed as the first thin film, and the refractive index of glass and the refractive index of the third SnO 2 thin film are formed as the second thin film. Since a thin film having a refractive index between them is formed and a thin film having a lower refractive index than the second layer is formed as the fourth thin film, it is possible to obtain a low reflectance over a wide band. Become.

【0015】第2層目の薄膜、すなわちガラスの屈折率
(屈折率=1.536)とSnO2の屈折率との間の屈
折率を有する薄膜の材質としては、TiO2 、ZrO
2 、Ta25 、ZnS、CeO2 とSiO2 との混合
物等が使用可能であり、第4層目の薄膜の材質としては
SiO2 、MgF2 等が使用可能であるが、パネルの反
射防止性能とコスト面を考慮すると、第2層目としてT
iO2 とSiO2 の混合物(屈折率=1.7)の薄膜、
第4層目のとしてSiO2 (屈折率=1.46)の薄膜
を使用するのが最も望ましく、その形成方法としては、
スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法
のいずれかが適している。
The material of the second thin film, that is, the thin film having a refractive index between the refractive index of glass (refractive index = 1.536) and the refractive index of SnO 2 is TiO 2 , ZrO 2 .
2 , Ta 2 O 5 , ZnS, a mixture of CeO 2 and SiO 2 , etc. can be used. As the material of the fourth thin film, SiO 2 , MgF 2, etc. can be used. Considering the prevention performance and cost, T
a thin film of a mixture of iO 2 and SiO 2 (refractive index = 1.7),
Most preferably, a thin film of SiO 2 (refractive index = 1.46) is used as the fourth layer.
Any of spin coating, dip coating, and spray coating is suitable.

【0016】また、SnO2 を形成するCVD法は他の
コーティング法に比べ安価で大量生産に向いている。通
常、CVD法によりパネルの表面に直接SnO2 の薄膜
を形成すると、パネルの加熱処理によりガラス中のアル
カリ成分がパネルの表面に出るため、3×103 Ω/□
以下の抵抗値を得るには膜厚を相当厚くしなければなら
ない。しかしながら、第1層目にSiO2 薄膜を形成
し、第2層目にガラスの屈折率とSnO2 の屈折率との
間の屈折率を有する薄膜を形成し、その上にSnO2
膜を形成することにより、パネルの表面にアルカリ成分
が出るのを防止することが可能となり、SnO2 の膜が
薄い膜厚でも3×103 Ω/□以下の抵抗値を安定して
得ることが可能である。さらに、この第3層目の薄膜を
構成するSnO2 には抵抗値を下げる目的で少量のSb
23 を添加することが可能である。
The CVD method for forming SnO 2 is cheaper than other coating methods and is suitable for mass production. Usually, when a thin film of SnO 2 is formed directly on the surface of a panel by the CVD method, an alkali component in the glass comes out to the surface of the panel due to the heat treatment of the panel, so that 3 × 10 3 Ω / □
In order to obtain the following resistance values, the film thickness must be made considerably thick. However, the SiO 2 thin film is formed first layer, a thin film having a refractive index between the refractive index and SnO 2 of the refractive index of the glass in the second layer is formed, forming a thin film of SnO 2 is formed thereon By doing so, it is possible to prevent the alkali component from coming out on the surface of the panel, and it is possible to stably obtain a resistance value of 3 × 10 3 Ω / □ or less even when the SnO 2 film is thin. is there. Further, a small amount of Sb is added to SnO 2 constituting the third thin film in order to reduce the resistance value.
It is possible to add 2 O 3 .

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例に
基づいて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a cathode ray tube panel of the present invention will be described in detail based on embodiments.

【0018】(実施例)図1は本発明の陰極線管用パネ
ルの縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a cathode ray tube panel according to the present invention.

【0019】このパネルガラス10(屈折率1.53
6)の外表面には、第1層目として942Åの膜厚を有
するSiO2 薄膜11(屈折率1.46)が形成され、
第2層目として809Åの膜厚を有するTiO2 とSi
2 の混合薄膜12(屈折率1.7)が形成され、第3
層目として688Åの膜厚を有するSnO2 薄膜13
(屈折率2.0)が形成され、さらに第4層目として9
42Åの膜厚を有するSiO2 薄膜14(屈折率1.4
6)が形成されている。
This panel glass 10 (refractive index 1.53
On the outer surface of 6), a SiO 2 thin film 11 (refractive index: 1.46) having a thickness of 942 ° is formed as a first layer,
TiO 2 and Si having a thickness of 809 ° as a second layer
A mixed thin film 12 of O 2 (refractive index 1.7) is formed,
SnO 2 thin film 13 having a thickness of 688 ° as a layer
(Refractive index: 2.0), and 9 as a fourth layer.
SiO 2 thin film 14 having a thickness of 42 ° (refractive index 1.4)
6) is formed.

【0020】このパネルガラス10の外表面への各薄膜
の形成は以下のような方法によって行った。
Each thin film was formed on the outer surface of the panel glass 10 by the following method.

【0021】まず、パネルガラスを洗浄、乾燥させ、予
熱した状態で回転させながら、その上にSiO2 含有の
アルコール溶液を滴下後、これを自然乾燥させて焼成さ
せることによりSiO2 薄膜11を形成した。
First, an alcohol solution containing SiO 2 is dropped on the panel glass while washing and drying and rotating the glass in a preheated state, and then naturally dried and fired to form an SiO 2 thin film 11. did.

【0022】その後、SiO2 薄膜11を形成したパネ
ルガラス10を予熱してた状態で回転させながら、その
上にTiO2 とSiO2 含有のアルコール溶液を滴下
後、これを自然乾燥させた後に焼成させることによりT
iO2 とSiO2 の混合薄膜12を形成した。
After that, while rotating the panel glass 10 on which the SiO 2 thin film 11 is formed in a preheated state, an alcohol solution containing TiO 2 and SiO 2 is dropped thereon, and the mixture is naturally dried and fired. T
A mixed thin film 12 of iO 2 and SiO 2 was formed.

【0023】さらに、このパネルガラス10を予熱して
おき、この外表面にジメチル2塩化錫と3塩化アンチモ
ンの混合蒸気(Sb/Sn)を吹きつけ、常圧のCVD
法によってSbがドープされたSnO2 薄膜13を形成
した。
Further, the panel glass 10 is preheated, and a mixed vapor (Sb / Sn) of dimethyltin dichloride and antimony trichloride is sprayed on the outer surface of the panel glass 10 to perform normal pressure CVD.
The SnO 2 thin film 13 doped with Sb was formed by the method.

【0024】次いで、このパネルガラス10を予熱した
状態で回転させながら、その上に第1層目と同じSiO
2 含有アルコール溶液を滴下した後、これを自然乾燥さ
せ、焼成することによって、SiO2 薄膜14を形成し
た。
Next, while rotating the panel glass 10 in a preheated state, the same SiO 2 as the first layer is formed thereon.
After dripping the 2- containing alcohol solution, it was naturally dried and baked to form the SiO 2 thin film 14.

【0025】(比較例)図1に示すようなパネルガラス
を用意し、このパネルガラスを予熱しておき、この外表
面にジメチル2塩化錫と3塩化アンチモンの混合蒸気
(Sb/Sn)を吹きつけ、常圧のCVD法によって、
300Åの膜厚を有し、SbがドープされたSnO2
膜を形成した。
(Comparative Example) A panel glass as shown in FIG. 1 was prepared, the panel glass was preheated, and a mixed vapor (Sb / Sn) of dimethyltin dichloride and antimony trichloride was blown on the outer surface. And by the normal pressure CVD method,
A SnO 2 thin film having a thickness of 300 ° and doped with Sb was formed.

【0026】次いでこのパネルガラスを予熱した状態
で、回転させながら、その上にSiO2 含有アルコール
溶液を滴下した後、これを自然乾燥させ、焼成すること
によって、1150Åの膜厚を有するSiO2 薄膜を形
成した。
Next, while rotating the panel glass in a preheated state, an alcohol solution containing SiO 2 is dropped on the panel glass, and the solution is naturally dried and baked, whereby an SiO 2 thin film having a thickness of 1150 ° is obtained. Was formed.

【0027】こうして作製した各々の陰極線管用パネル
の400〜700nmの波長における反射率を測定し、
その結果を図2に示した。
The reflectance of each of the cathode ray tube panels thus manufactured at a wavelength of 400 to 700 nm was measured.
The result is shown in FIG.

【0028】図2のグラフから明らかなように、実施例
のパネルは比較例のパネルに比べて、広帯域に亙って全
般的に低い反射率を有していた。
As is clear from the graph of FIG. 2, the panel of the example had an overall lower reflectance over a wide band than the panel of the comparative example.

【0029】また、各陰極線管用パネルの面抵抗を測定
したところ、実施例のパネルは1×103 Ω/□の低い
面抵抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を有してい
た。一方、比較例のパネルは面抵抗が1×106 Ω/□
と高く電磁波遮蔽性に劣っていた。
When the sheet resistance of each cathode ray tube panel was measured, the panels of the examples had a low sheet resistance of 1 × 10 3 Ω / □ and had excellent electromagnetic wave shielding properties. On the other hand, the panel of the comparative example has a sheet resistance of 1 × 10 6 Ω / □.
And it was inferior in electromagnetic wave shielding.

【0030】尚、上記の膜厚(Å)は、可視域の光の波
長を表すλを525nmに設定し、各層の膜の屈折率を
nとして、λ/4nの条件式によって求めたものであ
る。
The above film thickness (Å) is obtained by a conditional expression of λ / 4n, where λ representing the wavelength of light in the visible region is set to 525 nm, and the refractive index of the film of each layer is n. is there.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上のように本発明によると、優れた電
磁波遮蔽性と反射防止性を有し、広帯域に亙って低い反
射率を有していることから、画像を見る人の目に疲労感
を与えない陰極線管用パネルを得ることが可能である。
As described above, according to the present invention, since it has excellent electromagnetic wave shielding and anti-reflection properties and has a low reflectance over a wide band, it can be seen by the eyes of the viewer. It is possible to obtain a cathode ray tube panel that does not give a feeling of fatigue.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の陰極線管用パネルの縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a panel for a cathode ray tube of the present invention.

【図2】実施例と比較例の陰極線管用パネルの反射率を
示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing the reflectance of the cathode ray tube panels of the example and the comparative example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 パネルガラス 11 SiO2 薄膜 12 TiO2 とSiO2 の混合薄膜 13 SnO2 薄膜 14 SiO2 薄膜10 panel glass 11 SiO 2 thin film 12 mixed thin film of TiO 2 and SiO 2 13 SnO 2 thin film 14 SiO 2 thin film

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−72549(JP,A) 特開 昭63−261646(JP,A) 特開 平5−113505(JP,A) 特開 昭58−26408(JP,A) 特開 平7−37533(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 29/88 H01J 29/89 Continuation of the front page (56) References JP-A-2-72549 (JP, A) JP-A-63-261646 (JP, A) JP-A-5-113505 (JP, A) JP-A-58-26408 (JP) , A) JP-A-7-37533 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01J 29/88 H01J 29/89

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 外表面側の第1層目にSiO2 膜が形成
され、第2層目にガラスの屈折率とSnO2 の屈折率と
の間の屈折率を有する材料からなる薄膜が形成され、第
3層目にSnO2 薄膜が形成され、第4層目に第2層目
より低い屈折率を有する材料からなる薄膜が形成されて
なることを特徴とする陰極線管用パネル。
1. An SiO 2 film is formed as a first layer on the outer surface side, and a thin film made of a material having a refractive index between that of glass and that of SnO 2 is formed as a second layer. A panel for a cathode ray tube, wherein a SnO 2 thin film is formed on a third layer, and a thin film made of a material having a lower refractive index than the second layer is formed on a fourth layer.
【請求項2】 第2層目の薄膜がTiO2 とSiO2
混合物からなることを特徴とする請求項1記載の陰極線
管用パネル。
2. The panel for a cathode ray tube according to claim 1, wherein the second thin film is made of a mixture of TiO 2 and SiO 2 .
【請求項3】 第4層目の薄膜がSiO2 からなること
を特徴とする請求項1記載の陰極線管用パネル。
3. The panel for a cathode ray tube according to claim 1, wherein the fourth thin film is made of SiO 2 .
【請求項4】 第3層目の薄膜がCVD法によって形成
され、500Å以上の膜厚と3×103 Ω以下の面抵抗
を有することを特徴とする請求項1記載の陰極線管用パ
ネル。
4. The cathode ray tube panel according to claim 1, wherein the third thin film is formed by a CVD method and has a thickness of 500 ° or more and a sheet resistance of 3 × 10 3 Ω or less.
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