JP7035347B2 - Semiconductor processing tape - Google Patents
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Description
本発明は半導体加工用テープに関する。 The present invention relates to a tape for semiconductor processing.
近年、電子機器の小型化、軽量化及び高機能化の要求が高まっている。これらの要求に応じて、電子機器を構成する半導体装置については、小型化、薄型化及び高密度実装化が求められている。
半導体装置は、基板、ガラス又は仮止め材に固定された半導体チップを樹脂で封止する封止工程、封止された半導体チップを必要に応じて個片化するダイシング工程等を経て製造される。上記製造過程において、ウエハを研磨する工程が実施される場合もある。
これらの工程はチップ又は基板等を保護用テープで覆った状態で実施されることが多い。保護用テープは、通常、特定の加工工程の前に保護すべき面に貼り付けられ、該加工工程後に剥離される。In recent years, there has been an increasing demand for miniaturization, weight reduction and high functionality of electronic devices. In response to these demands, semiconductor devices constituting electronic devices are required to be miniaturized, thinned, and mounted at high density.
The semiconductor device is manufactured through a sealing step of sealing a semiconductor chip fixed to a substrate, glass or a temporary fixing material with a resin, a dicing step of separating the sealed semiconductor chip as necessary, and the like. .. In the above manufacturing process, a step of polishing the wafer may be carried out.
These steps are often carried out with the chip, substrate, or the like covered with protective tape. The protective tape is usually attached to the surface to be protected before a specific processing step and peeled off after the processing step.
特許文献１は、金属製リードフレームを用いない基板レス半導体パッケージの製造に使用される半導体製造用耐熱性粘着シート、該シートに用いる粘着剤、及び該シートを用いた半導体装置の製造方法を開示する。
ところで、近年、多種多様なパッケージ及びそれらの製造プロセスが開発されている中で、チップ、半導体ウエハ及び基板等の被着体を仮固定するための接着テープに求められる性能も変わりつつある。例えば、半導体装置の製造過程における加熱処理に起因する高温環境下に、接着テープが有する接着層が曝された後、この接着層を介して基板にウエハを仮固定するプロセスも提案されている。しかし、本発明者らの検討によると、従来の接着テープは熱の影響で接着層の密着力が低下し、これにより、例えば、基板に仮固定したウエハの搬送時にウエハが基板から剥離してしまい、これが次工程における不具合の原因となっている。 By the way, in recent years, while a wide variety of packages and their manufacturing processes have been developed, the performance required for adhesive tapes for temporarily fixing adherends such as chips, semiconductor wafers and substrates is also changing. For example, a process has been proposed in which an adhesive layer of an adhesive tape is exposed to a high temperature environment caused by heat treatment in a process of manufacturing a semiconductor device, and then a wafer is temporarily fixed to a substrate via the adhesive layer. However, according to the studies by the present inventors, in the conventional adhesive tape, the adhesive force of the adhesive layer is reduced due to the influence of heat, and as a result, for example, the wafer is peeled off from the substrate when the wafer temporarily fixed to the substrate is conveyed. This is the cause of problems in the next process.
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体装置の製造過程における加熱処理によって熱硬化した後であっても、ウエハに対する十分な密着性を有する接着層を備えた半導体加工用テープを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and a semiconductor processing tape provided with an adhesive layer having sufficient adhesion to a wafer even after being heat-cured by heat treatment in the manufacturing process of a semiconductor device. The purpose is to provide.
本発明に係る半導体加工用テープは、基材層と、基材層の表面上に設けられた粘着層と、粘着層の表面上に設けられた熱硬化性を有する接着層と、接着層の表面上に設けられた剥離フィルムとをこの順序で備え、上記接着層は、１７０℃で１時間の硬化処理がされた後において、８０℃における貯蔵弾性率が７ＭＰａ以下である。 The tape for semiconductor processing according to the present invention comprises a base material layer, an adhesive layer provided on the surface of the base material layer, a thermosetting adhesive layer provided on the surface of the adhesive layer, and an adhesive layer. A release film provided on the surface is provided in this order, and the adhesive layer has a storage elastic modulus of 7 MPa or less at 80 ° C. after being cured at 170 ° C. for 1 hour.
上記接着層の８０℃における貯蔵弾性率が７ＭＰａ以下ということは、接着層が１７０℃で１時間程度の熱履歴を受けた後においても、接着層は十分な柔軟性を有していることを意味する。接着層が柔軟であることで、被着体に対する優れた密着性を実現できる。具体的には、上記接着層は、１７０℃で１時間の硬化処理がされた後において、ウエハに対するピール剥離力が８Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。なお、本明細書でいう「ピール剥離力」は剥離速度５０ｍｍ／分、剥離角度９０°で測定されるピール剥離力を意味する。 The fact that the storage elastic modulus of the adhesive layer at 80 ° C. is 7 MPa or less means that the adhesive layer has sufficient flexibility even after the adhesive layer has undergone a thermal history at 170 ° C. for about 1 hour. means. Since the adhesive layer is flexible, excellent adhesion to the adherend can be realized. Specifically, it is preferable that the adhesive layer has a peel peeling force of 8 N / m or more with respect to the wafer after being cured at 170 ° C. for 1 hour. The "peel peeling force" as used herein means a peel peeling force measured at a peeling speed of 50 mm / min and a peeling angle of 90 °.
本発明に係る半導体加工用テープの用途として、基板に対するウエハの仮固定が挙げられる。すなわち、本発明に係る半導体加工用テープは、半導体装置の製造過程において、剥離フィルムを剥離した後に接着層の第１の面に基板を仮固定するとともに、基材層及び接着層を剥離した後に接着層の第２の面にウエハを仮固定するために使用することができる。上述のように、半導体加工用テープを仮固定の用途で使用する場合、基材層、粘着層、接着層及び剥離フィルムはいずれも最終的に製造される半導体装置に残存しない。 An application of the semiconductor processing tape according to the present invention includes temporary fixing of a wafer to a substrate. That is, in the semiconductor processing tape according to the present invention, in the manufacturing process of the semiconductor device, after the release film is peeled off, the substrate is temporarily fixed to the first surface of the adhesive layer, and after the base material layer and the adhesive layer are peeled off. It can be used to temporarily fix the wafer to the second surface of the adhesive layer. As described above, when the semiconductor processing tape is used for temporary fixing, none of the base material layer, the adhesive layer, the adhesive layer and the release film remains in the finally manufactured semiconductor device.
上記接着層は、１７０℃で１時間の硬化処理がされた後において、１２０℃における貯蔵弾性率が７ＭＰａ以下であることが好ましい。接着層がこの要件を満たすことにより、ウエハに対する密着力がより安定的に発揮される。 The adhesive layer preferably has a storage elastic modulus of 7 MPa or less at 120 ° C. after being cured at 170 ° C. for 1 hour. When the adhesive layer satisfies this requirement, the adhesive force to the wafer is more stably exhibited.
上記接着層は、少なくとも、熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂とを含むことが好ましい。この場合、接着層における熱可塑性樹脂の含有量を１００質量部とした際の、接着層における熱硬化性樹脂の含有量は、１質量部以上３０質量部未満であることが好ましい。接着層がこの要件を満たすことにより、ウエハに対する密着力がより安定的に発揮される。 The adhesive layer preferably contains at least a thermoplastic resin and a thermosetting resin. In this case, when the content of the thermoplastic resin in the adhesive layer is 100 parts by mass, the content of the thermosetting resin in the adhesive layer is preferably 1 part by mass or more and less than 30 parts by mass. When the adhesive layer satisfies this requirement, the adhesive force to the wafer is more stably exhibited.
本発明によれば、半導体装置の製造過程における加熱処理によって熱硬化した後であっても、ウエハに対する十分な密着性を有する接着層を備えた半導体加工用テープが提供される。 INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, there is provided a semiconductor processing tape provided with an adhesive layer having sufficient adhesion to a wafer even after being heat-cured by heat treatment in the manufacturing process of a semiconductor device.
以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルを意味する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. The present invention is not limited to the following embodiments. As used herein, the term (meth) acrylic means acrylic or methacrylic.
＜半導体加工用テープ＞
図１は本実施形態に係る半導体加工用テープを模式的に示す断面図である。同図に示す半導体加工用テープ１０は、基材層１と、粘着層２と、熱硬化性を有する接着層３と、剥離フィルム４とがこの順序で積層されている。半導体加工用テープ１０の接着層３は、１７０℃で１時間の硬化処理がされた後において、８０℃における貯蔵弾性率が７ＭＰａ以下である。接着層３は、上記のような熱履歴を受けた後において、被着体に対する優れた密着性を有する。かかる接着層３を備える半導体加工用テープ１０は、半導体装置の製造過程の種々の工程に適用可能であり、特に部材同士の仮固定に好適に適用可能である。
半導体加工用テープ１０の幅は、例えば、２００～４００ｍｍであり、１０～２００ｍｍ又は４００～６００ｍｍであってもよい。<Semiconductor processing tape>
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor processing tape according to the present embodiment. In the
The width of the
上述のとおり、接着層３は、１７０℃で１時間の硬化処理がされた後において、８０℃における貯蔵弾性率が７ＭＰａ以下であり、５ＭＰａ以下であることが好ましく、３ＭＰａ以下であることがより好ましい。この値が７ＭＰａ以下であることで、被着体に対する優れた密着性を実現できる。優れた密着性をより安定的に達成する観点から、接着層３は、１７０℃で１時間の硬化処理がされた後において、１２０℃における貯蔵弾性率が７ＭＰａ以下であることが好ましく、５ＭＰａ以下であることがより好ましく、３ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。なお、上記熱履歴後の接着層３の８０℃及び１２０℃における貯蔵弾性率の下限値はいずれも、例えば、１ＭＰａである。 As described above, the
接着層３の貯蔵弾性率は以下のようにして求めることができる。半導体加工用テープ１０を所定のサイズに裁断し、これから基材層１及び粘着層２を剥がすことによって接着層３と剥離フィルム４との積層体からなる試料を準備する。これを１７０℃で１時間加熱して硬化させる。このようにして得られた硬化処理後の接着層３を所定のサイズ（例えば、４ｍｍ×３０ｍｍ）に裁断することによって試料を得る。この試料の弾性率を動的粘弾性測定装置（）を用いて測定する。すなわち、試料に引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で－５０℃から３００℃まで測定する。 The storage elastic modulus of the
１７０℃で１時間の硬化処理がされた後において、ウエハに対する接着層３のピール剥離力は、８Ｎ／ｍ以上であることが好ましく、１０～３０Ｎ／ｍであることがより好ましく、２０～３０Ｎ／ｍであることがさらに好ましい。このピール剥離力が８Ｎ／ｍ以上であることでウエハに対する十分な密着性を確保できる。 After being cured at 170 ° C. for 1 hour, the peel peeling force of the
１７０℃で１時間の硬化処理がされた後において、接着層３の収縮率は、２％未満が好ましく、１．８％以下がより好ましく、１．６％以下がさらに好ましい。この値が２％未満であることで、半導体装置の製造過程において、接着層３に対してウエハ又は基板が仮固定された状態で接着層３に熱が加わっても位置ずれを十分に抑制できる。 After the curing treatment at 170 ° C. for 1 hour, the shrinkage rate of the
接着層３の収縮率は以下のようにして求めることができる。半導体加工用テープ１０を所定のサイズ（例えば、１００ｍｍ×１００ｍｍ）に裁断し、これから基材層１及び粘着層２を剥がすことによって接着層３と剥離フィルム４との積層体からなる試料を準備する。これを１３０℃、１時間加熱して硬化させ、硬化処理後の接着層３のサイズを計測する。熱硬化前の試料面積と熱硬化後の試料面積を以下の式に代入して収縮率が算出される。
収縮率（％）＝（硬化後の試料面積）／（硬化前の試料面積）×１００The shrinkage rate of the
Shrinkage rate (%) = (sample area after curing) / (sample area before curing) x 100
接着層３は、熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂と、硬化促進剤と、フィラーとを含むことが好ましい。接着層３における熱可塑性樹脂の含有量を１００質量部とした際の、これらの成分の含有量の好ましい範囲は以下のとおりである。すなわち、接着層３における熱硬化性樹脂の含有量は１質量部以上３０質量部未満であることが好ましく、５～２９質量であること部がより好ましく、１０～２８質量部であることがさらに好ましい。接着層３における硬化促進剤の含有量は、０．０１～３質量部であることが好ましく、０．０２～２質量部であることがより好ましく、０．０３～１質量部であることがさらに好ましい。接着層３におけるフィラーの含有量は１～３３０質量部であることが好ましく、１～３００質量部であることがより好ましく、５～２００質量部であることがさらに好ましく、１０～１００質量部であることが特に好ましい。これらの要件を満たす接着層３は半導体装置の製造過程における種々の加工工程において求められる密着性、耐熱性及び剥離性をより一層安定的に向上することができる。 The
接着層３と粘着層２は、加工工程の際に剥離が生じないように十分に密着していることが好ましい。接着層３と粘着層２の密着力は、両者のＴ字剥離強度で評価することができる。接着層３と粘着層２のＴ字剥離強度（剥離速度：５０ｍｍ／分）は、１５Ｎ／ｍ以上が好ましく、１６～１００Ｎ／ｍがより好ましい。Ｔ字剥離強度は、以下の方法で行う。接着層３と粘着層２とをラミネータで貼り合せた後に２５ｍｍ幅の切込みを入れることによって測定用試料を準備する。このときに、ＵＶ照射型の粘着剤を用いる場合は、適宜光ＵＶ照射を行う。剥離速度は５０ｍｍ／分で測定する。 It is preferable that the
以下、半導体加工用テープ１０を構成する接着層３、粘着層２、基材層１及び剥離フィルム４について説明する。 Hereinafter, the
［接着層］
上述のとおり、接着層３は、熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂と、硬化促進剤と、フィラーとを含むことが好ましい。[Adhesive layer]
As described above, the
（熱可塑性樹脂）
熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、半導体加工用テープとして、収縮性、耐熱性及び剥離性に優れる観点から、反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体（以下、「反応性基含有（メタ）アクリル共重合体」という場合もある）が好ましい。
熱可塑性樹脂として、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体を含む場合、接着層３は、熱硬化性樹脂を含まない態様でもよい。すなわち、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含む態様でもよい。
熱可塑性樹脂は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。(Thermoplastic resin)
As the thermoplastic resin, a resin having thermoplasticity, or a resin having at least thermoplasticity in an uncured state and forming a crosslinked structure after heating can be used. As the thermoplastic resin, as a tape for semiconductor processing, a (meth) acrylic copolymer having a reactive group from the viewpoint of excellent shrinkage, heat resistance and peelability (hereinafter, “reactive group-containing (meth) acrylic” It may also be referred to as "polymer").
When the thermoplastic resin contains a reactive group-containing (meth) acrylic copolymer, the
The thermoplastic resin may be used alone or in combination of two or more.
（メタ）アクリル共重合体としては、アクリルガラス、アクリルゴム等の（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられ、アクリルゴムが好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、（メタ）アクリル酸エステル及びアクリロニトリルから選択されるモノマーの共重合により形成されるものが好ましい。 Examples of the (meth) acrylic copolymer include (meth) acrylic acid ester copolymers such as acrylic glass and acrylic rubber, and acrylic rubber is preferable. The acrylic rubber is preferably formed by copolymerizing an acrylic acid ester as a main component and a monomer selected from (meth) acrylic acid ester and acrylonitrile.
（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート、ラウリルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２－エチルヘキシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート等が挙げられる。
（メタ）アクリル酸エステル共重合体としては、共重合成分としてブチルアクリレート及びアクリロニトリルを含む共重合体、共重合成分としてエチルアクリレート及びアクリロニトリルを含む共重合体が好ましい。Examples of the (meth) acrylic acid ester include methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, isopropyl acrylate, butyl acrylate, isobutyl acrylate, hexyl acrylate, cyclohexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, lauryl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, and propyl methacrylate. Examples thereof include isopropyl acrylate, butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate and lauryl methacrylate.
As the (meth) acrylic acid ester copolymer, a copolymer containing butyl acrylate and acrylonitrile as a copolymerization component and a copolymer containing ethyl acrylate and acrylonitrile as a copolymerization component are preferable.
反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含む反応性基含有（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。このような反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーと、上記のモノマーとが含まれる単量体組成物を共重合することにより得ることができる。 The reactive group-containing (meth) acrylic copolymer is preferably a reactive group-containing (meth) acrylic copolymer containing a (meth) acrylic monomer having a reactive group as a copolymerization component. Such a reactive group-containing (meth) acrylic copolymer can be obtained by copolymerizing a (meth) acrylic monomer having a reactive group and a monomer composition containing the above-mentioned monomer. ..
反応性基としては、耐熱性向上の観点から、エポキシ基、カルボキシル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、エピスルフィド基が好ましく、中でも架橋性の点から、エポキシ基及びカルボキシル基がより好ましい。 As the reactive group, an epoxy group, a carboxyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a hydroxyl group and an episulfide group are preferable from the viewpoint of improving heat resistance, and an epoxy group and a carboxyl group are more preferable from the viewpoint of crosslinkability.
本実施形態において、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含むエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。この場合、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーとしては、グリシジルアクリレート、４－ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、３，４－エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、４－ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテル、３，４－エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート等が挙げられる。反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーは、耐熱性の観点から、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましい。 In the present embodiment, the reactive group-containing (meth) acrylic copolymer is preferably an epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer containing a (meth) acrylic monomer having an epoxy group as a copolymerization component. In this case, examples of the (meth) acrylic monomer having an epoxy group include glycidyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate glycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, glycidyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate glycidyl ether, and 3,4-. Epoxycyclohexylmethylmethacrylate and the like can be mentioned. As the (meth) acrylic monomer having a reactive group, glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate are preferable from the viewpoint of heat resistance.
熱可塑性樹脂のＴｇは、－５０℃～５０℃であることが好ましい。熱可塑性樹脂のＴｇが５０℃以下であると、接着層３の柔軟性を確保しやすい。また、被着体に貼り付ける際に凹凸が存在する場合、追随しやすくなり、適度な接着性を有するようになる。一方、熱可塑性樹脂のＴｇが－５０℃以上であると、接着層３の柔軟性が高くなりすぎることを抑制しやすく、優れた取扱性及び接着性、剥離性を達成できる。 The Tg of the thermoplastic resin is preferably −50 ° C. to 50 ° C. When the Tg of the thermoplastic resin is 50 ° C. or lower, it is easy to secure the flexibility of the
熱可塑性樹脂のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる中間点ガラス転移温度値である。熱可塑性樹脂のＴｇは、具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度：－８０～８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ Ｋ ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。 The Tg of the thermoplastic resin is an intermediate point glass transition temperature value obtained by differential scanning calorimetry (DSC). Specifically, the Tg of the thermoplastic resin is an intermediate calculated by a method based on JIS K 7121: 1987 by measuring the change in calorific value under the conditions of a heating rate of 10 ° C./min and a measurement temperature of -80 to 80 ° C. The point glass transition temperature.
熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、１０万以上２００万以下であることが好ましい。重量平均分子量が１０万以上であると、仮固定の用途で使用する場合、耐熱性を確保しやすくなる。一方、重量平均分子量が２００万以下であると、仮固定の用途で使用する場合、フローの低下及び貼付性の低下を抑制しやすい。上述した観点から、熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、５０万以上２００万以下であることがより好ましく、１００万以上２００万以下であることがさらに好ましい。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。 The weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 100,000 or more and 2 million or less. When the weight average molecular weight is 100,000 or more, it becomes easy to secure heat resistance when used for temporary fixing. On the other hand, when the weight average molecular weight is 2 million or less, it is easy to suppress a decrease in flow and a decrease in stickability when used for temporary fixing. From the above viewpoint, the weight average molecular weight of the thermoplastic resin is more preferably 500,000 or more and 2 million or less, and further preferably 1 million or more and 2 million or less. The weight average molecular weight is a polystyrene-equivalent value using a calibration curve made of standard polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).
反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体がグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを共重合成分として含む場合、これらの含有量は合計で、共重合成分全量を基準として、０．１～２０質量％であることが好ましく、０．５～１５質量％であることがより好ましく、１．０～１０質量％であることがさらに好ましい。含有量が上記範囲内であると、接着層３の柔軟性と接着性、剥離性をより高水準で両立することができる。 When the (meth) acrylic copolymer having a reactive group contains glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as a copolymerization component, the total content thereof is 0.1 to 20% by mass based on the total amount of the copolymerization component. It is preferably present, more preferably 0.5 to 15% by mass, still more preferably 1.0 to 10% by mass. When the content is within the above range, the flexibility, adhesiveness, and peelability of the
上述のような反応性基を有する（メタ）アクリル共重合体としては、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよい。または、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ（商品名、ナガセケムテックス（株）製）等の市販品を用いてもよい。 As the (meth) acrylic copolymer having a reactive group as described above, one obtained by a polymerization method such as pearl polymerization or solution polymerization may be used. Alternatively, a commercially available product such as HTR-860P-3CSP (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) may be used.
（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂としては、熱により硬化する樹脂であれば特に制限なく用いることができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらは、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。(Thermosetting resin)
As the thermosetting resin, any resin that can be cured by heat can be used without particular limitation. Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, phenol resin, thermosetting polyimide resin, polyurethane resin, melamine resin, and urea resin. These can be used alone or in combination of two or more.
エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを用いることができる。エポキシ樹脂は、また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、従来公知のものを用いることができる。 The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has a heat resistant effect. As the epoxy resin, a bifunctional epoxy resin such as bisphenol A type epoxy, a novolak type epoxy resin such as a phenol novolac type epoxy resin, and a novolak type epoxy resin such as cresol novolac type epoxy resin can be used. As the epoxy resin, conventionally known ones such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, a heterocyclic-containing epoxy resin, and an alicyclic epoxy resin can be used.
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９（いずれも三菱ケミカル（株）製）、ＤＥＲ－３３０、ＤＥＲ－３０１、ＤＥＲ－３６１（いずれもダウケミカル社製）、ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０（いずれも東都化成（株）製）等が挙げられる。
フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、エピコート１５２、エピコート１５４（いずれも三菱ケミカル（株）製）、ＥＰＰＮ－２０１（日本化薬（株）製）、ＤＥＮ－４３８（ダウケミカル社製）等が挙げられる。
ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、ＹＤＣＮ－７００－１０（新日鉄住金化学（株）製）、ＥＯＣＮ－１０２Ｓ、ＥＯＣＮ－１０３Ｓ、ＥＯＣＮ－１０４Ｓ、ＥＯＣＮ－１０１２、ＥＯＣＮ－１０２５、ＥＯＣＮ－１０２７（いずれも日本化薬（株）製）、ＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４（いずれも東都化成（株）製）等が挙げられる。
多官能エポキシ樹脂としては、Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ（三菱ケミカル（株）製）、アラルダイト０１６３（ＢＡＳＦジャパン社製）、デナコールＥＸ－６１１、ＥＸ－６１４、ＥＸ－６１４Ｂ、ＥＸ－６２２、ＥＸ－５１２、ＥＸ－５２１、ＥＸ－４２１、ＥＸ－４１１、ＥＸ－３２１（いずれもナガセケムテックス（株）製）等が挙げられる。
アミン型エポキシ樹脂としては、エピコート６０４（三菱ケミカル（株）製）、ＹＨ－４３４（東都化成（株）製）、ＴＥＴＲＡＤ－Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ－Ｃ（いずれも三菱ガス化学（株）製）、ＥＬＭ－１２０（住友化学（株）製）等が挙げられる。
複素環含有エポキシ樹脂としては、アラルダイトＰＴ８１０（ＢＡＳＦジャパン社製）、ＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６（いずれもユニオンカーバイド社製）等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。Examples of the bisphenol A type epoxy resin include Epicoat 807, Epicoat 815, Epicoat 825, Epicoat 827, Epicoat 828, Epicoat 834, Epicoat 1001, Epicoat 1004, Epicoat 1007, Epicoat 1009 (all manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), DER-. 330, DER-301, DER-361 (all manufactured by Dow Chemical Corporation), YD8125, YDF8170 (all manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) and the like can be mentioned.
Examples of the phenol novolac type epoxy resin include Epicoat 152, Epicoat 154 (all manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), EPPN-201 (manufactured by Nippon Kayaku Corporation), DEN-438 (manufactured by Dow Chemical Corporation), and the like. ..
Examples of the o-cresol novolak type epoxy resin include YDCN-700-10 (manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation), EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, and EOCN-1027 (any of them). (Made by Nippon Kayaku Co., Ltd.), YDCN701, YDCN702, YDCN703, YDCN704 (all manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) and the like.
Examples of the polyfunctional epoxy resin include Epon 1031S (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), Araldite 0163 (manufactured by BASF Japan), Denacol EX-611, EX-614, EX-614B, EX-622, EX-512, and EX-. 521, EX-421, EX-411, EX-321 (all manufactured by Nagase ChemteX Corporation) and the like can be mentioned.
As the amine type epoxy resin, Epicoat 604 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), YH-434 (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), TETRAD-X, TETRAD-C (all manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.), ELM -120 (manufactured by Sumitomo Chemical Corporation) and the like can be mentioned.
Examples of the heterocyclic-containing epoxy resin include Araldite PT810 (manufactured by BASF Japan Ltd.), ERL4234, ERL4299, ERL4221 and ERL4206 (all manufactured by Union Carbide). These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.
熱硬化樹脂成分の一部であるエポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の樹脂を使用することができる。具体的には、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に二個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。エポキシ樹脂硬化剤としては、特に、吸湿時の耐電食性に優れるという観点から、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。
なお、エポキシ硬化剤は、エポキシ樹脂と同時に用いてもよいし、単独で用いてもよい。As the epoxy resin curing agent which is a part of the thermosetting resin component, a commonly used known resin can be used. Specifically, bisphenols and phenol novolak resins having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, such as amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S. , Bisphenol A novolak resin, phenolic resin such as cresol novolak resin and the like. As the epoxy resin curing agent, phenolic resins such as phenol novolac resin, bisphenol A novolak resin, and cresol novolak resin are particularly preferable from the viewpoint of excellent electrolytic corrosion resistance during moisture absorption.
The epoxy curing agent may be used at the same time as the epoxy resin, or may be used alone.
上記フェノール樹脂硬化剤の中でも、フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ－２０９０、フェノライトＴＤ－２１４９、フェノライトＶＨ－４１５０、フェノライトＶＨ４１７０（いずれもＤＩＣ（株）製、商品名）、Ｈ－１（明和化成（株）製、商品名）、エピキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５、ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＸＬＣ－ＬＬ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ（いずれも三菱ケミカル（株）製、商品名）を用いることが好ましい。 Among the above phenol resin curing agents, Phenolite LF2882, Phenolite LF2822, Phenolite TD-2090, Phenolite TD-2149, Phenolite VH-4150, Phenolite VH4170 (all manufactured by DIC Co., Ltd., trade name), H-1 (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., trade name), Epicure MP402FPY, Epicure YL6065, Epicure YLH129B65, Millex XL, Millex XLC, Millex XLC-LL, Millex RN, Millex RS, Millex VR (all from Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) ), It is preferable to use the trade name).
（硬化促進剤）
硬化促進剤としては、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。(Curing accelerator)
Examples of the curing accelerator include imidazoles, dicyandiamide derivatives, dicarboxylic acid dihydrazide, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole-tetraphenylborate, 1,8-diazabicyclo [5,4. 0] Undecene-7-tetraphenylborate and the like can be mentioned. These can be used alone or in combination of two or more.
接着層３がエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含有する場合、係るアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有することが好ましい。エポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤としては、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、イミダゾリン系硬化剤、トリアジン系硬化剤及びホスフィン系硬化剤が挙げられる。これらの中でも、速硬化性、耐熱性及び剥離性の観点から、工程時間の短縮及び作業性の向上が期待できるイミダゾール系硬化剤であることが好ましい。これらの化合物は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 When the
接着層３における硬化促進剤の含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．０２～２０質量部であることが好ましく、０．０２５～１０質量部であることがより好ましく、０．０２５～３質量部であることがさらに好ましく、０．０２５～０．０５であることが特に好ましい。硬化促進剤の含有量が上記範囲内であると、接着層３の硬化性を向上させながら保存安定性の低下を十分抑制できる傾向にある。 The content of the curing accelerator in the
（無機フィラー）
接着層３には、無機フィラーを配合することができる。無機フィラーとしては、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金属無機フィラーなどが挙げられる。無機フィラーは所望する機能に応じて選択することができる。(Inorganic filler)
An inorganic filler can be blended in the
上記無機フィラーは表面に有機基を有するものが好ましい。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されていることにより、接着層３を形成するためのワニスを調製するときの有機溶剤への分散性、並びに接着層３の収縮性を抑えられ、弾性率を向上させ、剥離性を向上させることが容易となる。 The inorganic filler preferably has an organic group on its surface. Since the surface of the inorganic filler is modified with an organic group, the dispersibility in an organic solvent when preparing a varnish for forming the
表面に有機基を有する無機フィラーは、例えば、下記式（Ｂ－１）で表されるシランカップリング剤と無機フィラーとを混合し、３０℃以上の温度で攪拌することにより得ることができる。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されたことは、ＵＶ測定、ＩＲ測定、ＸＰＳ測定等で確認することが可能である。 The inorganic filler having an organic group on the surface can be obtained, for example, by mixing a silane coupling agent represented by the following formula (B-1) and the inorganic filler and stirring at a temperature of 30 ° C. or higher. It is possible to confirm that the surface of the inorganic filler is modified by the organic group by UV measurement, IR measurement, XPS measurement and the like.
式（Ｂ－１）中、Ｘは、フェニル基、グリシドキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、ビニル基、イソシアネート基及びメタクリロキシ基からなる群より選択される有機基を示し、ｓは０又は１～１０の整数を示し、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は各々独立に、炭素数１～１０のアルキル基を示す。
炭素数１～１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソプロピル基、イソブチル基等が挙げられる。
炭素数１～１０のアルキル基は、入手が容易であるという観点から、メチル基、エチル基及びペンチル基が好ましい。Ｘは、耐熱性の観点から、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基及びイソシアネート基が好ましく、グリシドキシ基及びメルカプト基がより好ましい。式（Ｂ－１）中のｓは、高熱時のフィルム流動性を抑制し、耐熱性を向上させる観点から、０～５が好ましく、０～４がより好ましい。In the formula (B-1), X represents an organic group selected from the group consisting of a phenyl group, a glycidoxy group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a mercapto group, an amino group, a vinyl group, an isocyanate group and a methacryloxy group, and s Indicates 0 or an integer of 1 to 10, and R 11 , R 12 and R 13 each independently indicate an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, an isopropyl group and an isobutyl group. ..
The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferably a methyl group, an ethyl group and a pentyl group from the viewpoint of easy availability. From the viewpoint of heat resistance, X is preferably an amino group, a glycidoxy group, a mercapto group and an isocyanate group, and more preferably a glycidoxy group and a mercapto group. The s in the formula (B-1) is preferably 0 to 5, and more preferably 0 to 4 from the viewpoint of suppressing the film fluidity at the time of high heat and improving the heat resistance.
シランカップリング剤としては、トリメトキシフェニルシラン、ジメチルジメトキシフェニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２－メトキシエトキシ）シラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－（１，３－ジメチルブチリデン）－３－（トリエトキシシリル）－１－プロパンアミン、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、ポリオキシエチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシジメチルシロキサン等が挙げられる。
これらの中でも、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシランが好ましく、トリメトキシフェニルシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシランがより好ましい。シランカップリング剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。Examples of the silane coupling agent include trimethoxyphenylsilane, dimethyldimethoxyphenylsilane, triethoxyphenylsilane, dimethoxymethylphenylsilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, and N- (2). -Aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-glycid Xipropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-isoxapropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3- Mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, N- (1,3-dimethylbutylidene) -3- (triethoxysilyl) -1-propaneamine, N, N'-bis (3- (tri) Examples thereof include methoxysilyl) propyl) ethylenediamine, polyoxyethylenepropyltrialkoxysilane, and polyethoxydimethylsiloxane.
Among these, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-isoxapropyltriethoxysilane, and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane are preferable, and trimethoxyphenylsilane and 3-glycidoxy are preferable. Propyltrimethoxysilane and 3-mercaptopropyltrimethoxysilane are more preferred. The silane coupling agent may be used alone or in combination of two or more.
上記カップリング剤の含有量は、耐熱性と保存安定性とのバランスを図る観点から、無機フィラー１００質量部に対して、０．０１～５０質量部であることが好ましく、０．０５～２０質量部であることがより好ましく、耐熱性向上の観点から、０．５～１０質量部であることがさらに好ましい。 The content of the coupling agent is preferably 0.01 to 50 parts by mass and 0.05 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic filler from the viewpoint of balancing heat resistance and storage stability. It is more preferably parts by mass, and further preferably 0.5 to 10 parts by mass from the viewpoint of improving heat resistance.
接着層３における無機フィラーの含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３３０質量部以下であることが好ましく、１８０質量部以下であることがより好ましく、１００質量部以下であることがさらに好ましい。無機フィラーの含有量の下限は特に制限はないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、１質量部以上であることが好ましく、５質量部以上であることがより好ましく、８質量部以上であることがさらに好ましい。無機フィラーの含有量を上記範囲とすることにより、接着層３の収縮性を抑えられ、弾性率を向上させ、剥離性を向上させることが容易となる。 The content of the inorganic filler in the
（有機フィラー）
接着層３には、有機フィラーを配合することができる。有機フィラーとしては、カーボン、ゴム系フィラー、シリコーン系微粒子、ポリアミド微粒子、ポリイミド微粒子等が挙げられる。有機フィラーの含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下であることが好ましく、２００質量部以下であることがより好ましく、１００質量部以下であることがさらにより好ましい。有機フィラーの含有量の下限は特に制限はないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。(Organic filler)
An organic filler can be blended in the
（有機溶剤）
接着層３は、必要に応じて、さらに有機溶剤を用いて希釈してもよい。有機溶剤は特に限定されないが、製膜時の揮発性等を沸点から考慮して決めることができる。具体的には、メタノール、エタノール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、２－ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶剤が、製膜時にフィルムの硬化が進みにくいという観点から好ましい。また、製膜性を向上させる等の目的では、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶剤を使用することが好ましい。これらの溶剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。(Organic solvent)
The
［粘着層］
粘着層２としては、室温で粘着力があり、接着層３に対し密着力を有するものが好ましい。粘着層２として、感圧型及び光硬化型（紫外線又は放射線等の高エネルギー線によって硬化するもの）のいずれも採用可能であるが、感圧型の方が光硬化型よりも被着体の表面が荒れることを抑制しやすい点で、感圧型を採用することが好ましい。また、粘着層２は光硬化型であっても、非光硬化型（例えば、熱によって硬化するもの）であってもよい。[Adhesive layer]
As the
光硬化型粘着剤を使用する場合、粘着層２を形成する粘着剤としては、アクリル系共重合体（アクリル樹脂）と、架橋剤と、光重合開始剤とを含有することが好ましい。
非光硬化型粘着剤を使用する場合、粘着力の調整のため、ベース樹脂と、架橋反応によりベース樹脂の官能基と反応させる架橋剤として、エポキシ基、イソシアネート基、アジリジン基及びメラニン基から選ばれた少なくとも一種の官能基を有することが好ましい。これらの架橋剤は、単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
ベース樹脂としては、アクリル樹脂、各種合成ゴム、天然ゴム、ポリイミド樹脂等が挙げられる。粘着剤が糊残りしにくい観点で、ベース樹脂は他の添加剤と反応しうる官能基、例えば、水酸基、カルボキシル基等を有しているのが好ましい。
また、反応速度が遅い場合は、適宜にアミン又はスズ等の触媒を用いることができる。粘着特性を調整するために、ロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等の任意成分を本発明の効果に影響しない程度に適宜含有してもよい。When a photocurable pressure-sensitive adhesive is used, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-
When a non-photocurable pressure-sensitive adhesive is used, it is selected from an epoxy group, an isocyanate group, an aziridine group and a melanin group as a cross-linking agent that reacts with the base resin and the functional group of the base resin by a cross-linking reaction in order to adjust the adhesive strength. It is preferable to have at least one kind of functional group. These cross-linking agents may be used alone or in combination of two or more.
Examples of the base resin include acrylic resin, various synthetic rubbers, natural rubbers, polyimide resins and the like. From the viewpoint that the adhesive does not easily remain on the adhesive, the base resin preferably has a functional group capable of reacting with other additives, such as a hydroxyl group and a carboxyl group.
If the reaction rate is slow, a catalyst such as amine or tin can be used as appropriate. In order to adjust the adhesive properties, arbitrary components such as rosin-based and terpene resin-based tack fires and various surfactants may be appropriately contained to the extent that the effects of the present invention are not affected.
粘着層２の厚さは、１～１００μｍであることが好ましく、２～５０μｍであることがより好ましく、５～４０μｍであることがさらに好ましい。粘着層２の厚さが１μｍよりも薄いと接着層との十分な粘着力を確保するのが困難になり、加工がしにくい恐れがあり、一方、１００μｍよりも厚いと不経済で特性上の利点もない。 The thickness of the
［基材層］
基材層１としては、既知のポリマーシート又はテープを用いることができる。具体例として、結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフィド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂が挙げられる。これらに、可塑剤、シリカ、アンチブロッキング材、スリップ剤、帯電防止剤等を混合した混合物を用いることもできる。[Base layer]
As the
上記の中でも、ポリプロピレン、ポリエチレン‐ポリプロピレンランダム共重合体、ポリエチレン－ポリプロピレンブロック共重合体、エチレン－酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体から選ばれる少なくとも１種が主成分である層が、粘着層と接していることが好ましい。これらの樹脂は、ヤング率、応力緩和性、融点等の特性、並びに価格面、使用後の廃材リサイクル等の観点からも好ましく、紫外線による表面改質効果が得られやすい観点からも好ましい。 Among the above, at least one selected from polypropylene, polyethylene-polypropylene random copolymer, polyethylene-polypropylene block copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, and ethylene- (meth) acrylic acid copolymer is selected. It is preferable that the layer as the main component is in contact with the adhesive layer. These resins are preferable from the viewpoints of properties such as Young's modulus, stress relaxation property, melting point, price, waste material recycling after use, and the like, and are also preferable from the viewpoint that the surface modification effect by ultraviolet rays can be easily obtained.
基材層１は、単層でも構わないが、必要に応じて異なる材質からなる層が積層された多層構造を有してもよい。このような基材の製造法としては、多層押し出し法で異なる層を有する基材層を一度で作ってもよいし、インフレーション法、単層押し出し法で作られたテープを接着剤を用いて張り合わせる、又は熱溶着によって張り合わせる等の手法により得てもよい。また基材層１には粘着層２との密着性を制御するため、必要に応じて、マット処理、コロナ処理などの表面粗化処理を施してもよい。 The
［剥離フィルム］
剥離フィルム４は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレン等によって形成されている。剥離フィルム４には、任意の充填剤を含有させてもよい。また、剥離フィルム４の表面には、離型処理又はプラズマ処理等が施されていてもよい。[Release film]
The release film 4 is made of polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene or the like. The release film 4 may contain any filler. Further, the surface of the release film 4 may be subjected to a mold release treatment, a plasma treatment, or the like.
＜半導体加工用テープの作製方法＞
半導体加工用テープ１０は、例えば、以下に述べる方法により作製できる。すなわち、まず、剥離フィルム４上に、接着層３の原料樹脂組成物を有機溶剤等の溶媒に溶解させてワニス化したものを、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等により塗工し、溶媒を除去して接着層３を形成する。その後、別途作製した、基材層１と粘着層２とからなる積層体を常温～６０℃で積層する。これにより、基材層１上に、粘着層２、接着層３及び剥離フィルム４が、この順に積層された半導体加工用テープ１０を得ることができる。<Method of manufacturing semiconductor processing tape>
The
＜半導体加工用テープの仮固定用テープとしての使用＞
半導体加工用テープ１０は、半導体装置の製造過程において、剥離フィルム４を剥離した後、接着層３の第１の面Ｆ１に基板を仮固定するとともに、基材層１及び粘着層２を剥離した後、接着層３の第２の面Ｆ２にウエハを仮固定するために使用することができる。基板としては、接着層３を支持でき且つ上記温度に耐え得る耐熱性を有するものであれば、特に制限はなく、シリコン基板、ガラス基板、石英基板等が挙げられる。ウエハとしては、半導体ウエハ等が挙げられる。<Use of semiconductor processing tape as temporary fixing tape>
In the
図２（ａ）～（ｆ）は、半導体加工用テープ１０を仮固定用テープとして使用して半導体装置を製造する工程を示す断面図である。半導体加工用テープ１０を仮固定用テープとして使用する場合、基材層１、粘着層２、接着層３及び剥離フィルム４はいずれも、最終的に製造される半導体装置に残存しない（図３（ｄ）及び図４参照）。 2 (a) to 2 (f) are cross-sectional views showing a process of manufacturing a semiconductor device using the
まず、半導体加工用テープ１０の剥離フィルム４を剥がす。これによって露出した接着層３の第１の面Ｆ１と基板Ｓの表面が接するように、半導体加工用テープ１０Ａ（剥離フィルム４を剥離後のもの）を基板Ｓに貼り付ける（図２（ａ））。この際の温度は５０～９０℃程度とすればよい。この温度条件で両者を貼り合わせることで、接着層３と基板Ｓとの間の接着力を、接着層３と粘着層２との間の接着力よりも大きい状態とすることができる。つまり、基板Ｓは、接着層３が貼り合わされた状態で接着層３の接着性をコントロールするためのものである。なお、基板Ｓに貼り合わされた状態の接着層３は、熱が加えられることによって接着性がコントロールされるとともに、所定の耐熱性を有する層となる。 First, the release film 4 of the
図２（ａ）に示される状態から基材層１及び粘着層２を剥離することにより、図２（ｂ）に示されるとおり、基板Ｓと接着層３とからなる積層体２０が得られる。この積層体２０に対して熱を加えることにより、具体的には、例えば、１７０℃で１時間程度の硬化処理を接着層３に対して施すことにより、接着層３の接着力をさらにコントロールすることができる。このような硬化処理がされた後において、接着層３の８０℃における貯蔵弾性率が７ＭＰａ以下であることで、接着層３はウエハＷに対する優れた密着性を有する。 By peeling the
続いて、上記のような硬化処理後の接着層３の第２の面Ｆ２に半導体ウエハＷの面Ｗｓが接するように接着層３に半導体ウエハＷを貼り付ける。なお、半導体ウエハＷの面Ｗｓの反対側の面が回路面Ｗｃである。これにより、図２（ｃ）に示されるとおり、接着層３の第１の面Ｆ１に基板Ｓが貼り合わされ、接着層３の第２の面Ｆ２に半導体ウエハＷが貼り合わされた積層体３０が得られる。接着層３と半導体ウエハＷとを貼り合わせる際の温度は５０～９０℃程度とすればよい。この温度条件で接着層３と半導体ウエハＷとを貼り合わせることで、接着層３と半導体ウエハＷとの間の接着力を、接着層３と基板Ｓとの間の接着力よりも大きい状態とすることができる。 Subsequently, the semiconductor wafer W is attached to the
図２（ｃ）に示された積層体３０における半導体ウエハＷに対して必要な加工（例えば、マイクロバンプ接合）を施した後、基板Ｓを剥離する。これにより、図２（ｄ）に示されるウエハＷと接着層３とからなる積層体４０が得られる。続いて、図２（ｅ）に示すように、半導体ウエハＷの回路面Ｗｃが支持基板５０に向いた状態で、表面にダイシングフィルム５０ａを有する支持基板５０に半導体ウエハＷを搭載する。なお、ダイシングフィルム５０ａとしては、従来のものから適宜選択すればよい。次に、図２（ｆ）に示されるように、接着層３、半導体ウエハＷ及びダイシングフィルム５０ａをダイシングする。このとき、支持基板５０を途中までダイシングしてもよい。このとき、接着層３は半導体ウエハＷを保護する役割を果たす。 After performing necessary processing (for example, microbump bonding) on the semiconductor wafer W in the laminate 30 shown in FIG. 2C, the substrate S is peeled off. As a result, the
次に、図３（ａ）に示されるように、支持基板５０をエキスパンドすることにより、切断により得られた各半導体素子Ｗａを互いに離間させつつ、支持基板５１側からニードル４２で突き上げられた接着層付き半導体素子６０を吸引コレット４４で吸引してピックアップする。接着層付き半導体素子６０は、半導体素子Ｗａと接着層３ａとを有する。半導体素子Ｗａは半導体ウエハＷを分割して得られるものであり、接着層３ａは接着層３を分割して得られるものである。なお、ピックアップ工程では、必ずしもエキスパンドを行わなくてもよいが、エキスパンドすることによりピックアップ性をより向上させることができる。また、ニードル４２による突き上げ量は、必要に応じて選択できる。さらに、極薄ウエハに対しても十分なピックアップ性を確保する観点から、例えば、２段又は３段ピックアップ法を行ってもよい。また、吸引コレット４４以外の方法によって半導体素子６０のピックアップを行ってもよい。 Next, as shown in FIG. 3A, by expanding the
図３（ｂ）に示されるように、半導体素子Ｗａの回路面Ｗｃに複数のバンプＷｂを形成する。その後、図３（ｃ）に示されるように、接着層付き半導体素子６０を、熱圧着により、半導体素子搭載用の支持基板７０に接着する。その後、半導体素子Ｗａの上面を保護していた接着層３ａを剥離することにより、図３（ｄ）に示される構造体８０が得られる。 As shown in FIG. 3B, a plurality of bumps Wb are formed on the circuit surface Wc of the semiconductor element Wa. Then, as shown in FIG. 3C, the
続いて、図４に示されるように、必要に応じて半導体素子Ｗａと支持基板７０とをワイヤーボンド９０により電気的に接続することが好ましい。さらに、ワイヤーボンディングにより接続した後、必要に応じて半導体素子Ｗａを樹脂封止してもよい。樹脂封止材９５を支持基板７０の表面７０ａに形成し、他方、支持基板７０の表面７０ａとは反対側の面に外部基板（マザーボード）との電気的な接続用として、はんだボール７５を形成してもよい。 Subsequently, as shown in FIG. 4, it is preferable to electrically connect the semiconductor element Wa and the
本発明について実施例に基づいて説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 The present invention will be described with reference to examples. The present invention is not limited to the following examples.
（粘着フィルムの作製）
粘着剤として、以下の主モノマーと官能基モノマーとを用い、溶液重合法によってアクリル共重合体を得た。すなわち、主モノマーとして２－エチルヘキシルアクリレートとメチルメタクリレートを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸とを用いた。上記アクリル共重合体の重量平均分子量は４０万、ガラス転移点は－３８℃であった。このアクリル共重合体１００質量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤（三菱ケミカル（株）製、商品名マイテックＮＹ７３０Ａ－Ｔ）を１０質量部配合した粘着剤溶液を調製した。表面離型処理ポリエチレンテレフタレート（厚さ２５μｍ）の上に乾燥時の粘着剤厚さが１０μｍになるよう粘着剤溶液を塗工乾燥した。さらに、ポリプロピレン／酢酸ビニル／ポリプロピレンからなるポリオレフィン基材（厚さ１００μｍ）を粘着剤面にラミネートした。これにより、粘着層と、ポリオレフィン基材（基材層）とからなる粘着フィルムを得た。この粘着フィルムを室温で２週間放置し十分にエージングを行った。(Making an adhesive film)
An acrylic copolymer was obtained by a solution polymerization method using the following main monomer and functional group monomer as the pressure-sensitive adhesive. That is, 2-ethylhexyl acrylate and methyl methacrylate were used as the main monomers, and hydroxyethyl acrylate and acrylic acid were used as the functional group monomers. The weight average molecular weight of the acrylic copolymer was 400,000, and the glass transition point was −38 ° C. A pressure-sensitive adhesive solution was prepared by blending 10 parts by mass of a polyfunctional isocyanate cross-linking agent (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name: Mytec NY730A-T) with 100 parts by mass of this acrylic copolymer. A pressure-sensitive adhesive solution was applied and dried on a surface-release-treated polyethylene terephthalate (thickness 25 μm) so that the pressure-sensitive adhesive thickness at the time of drying was 10 μm. Further, a polyolefin base material (
＜実施例１＞
（接着剤ワニスの調製）
以下の材料を混合するとともに真空脱気することによって接着剤ワニスを得た。
・熱可塑性樹脂：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（商品名、ナガセケムテックス（株）製、グリシジル基含有アクリルゴム、分子量：１００万、Ｔｇ：－７℃）１００質量部
・熱硬化成分：ミレックスＸＬＣ－ＬＬ（商品名、三井化学（株）製、フェノールアラルキル樹脂、水酸基当量１７４）１７質量部
・熱硬化成分：ＹＤＣＮ－７００－１０（商品名、新日鉄住金化学（株）製、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）２０質量部
・硬化促進剤：２ＰＺ－ＣＮ（商品名、四国化成工業（株）製、イミダゾール化合物）０．０４質量部
・無機フィラー：アエロジルＲ９７２（商品名、日本アエロジル（株）製、酸化ケイ素、真球状シリカ、平均粒径約０．１６μｍ）１２質量部
・添加材（シランカップリング剤）：適量
・溶剤（シクロヘキサノン）：適量<Example 1>
(Preparation of adhesive varnish)
The following materials were mixed and vacuum degassed to obtain an adhesive varnish.
-Epoxy resin: HTR-860P-3 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, glycidyl group-containing acrylic rubber, molecular weight: 1 million, Tg: -7 ° C) 100 parts by mass-Heat-curing component: Millex XLC- LL (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., phenol aralkyl resin, hydroxyl weight equivalent 174) 17 parts by mass, thermosetting component: YDCN-700-10 (trade name, manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, o-cresol novolac type) Epoxy resin, epoxy equivalent 210) 20 parts by mass ・ Curing accelerator: 2PZ-CN (trade name, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., imidazole compound) 0.04 parts by mass ・ Inorganic filler: Aerodil R972 (trade name, Nippon Aerodil) Manufactured by Co., Ltd., silicon oxide, true spherical silica, average particle size of about 0.16 μm) 12 parts by mass ・ Additive (silane coupling agent): Appropriate amount ・ Solvent (cyclohexanone): Appropriate amount
（半導体加工用テープの作製）
上記接着剤ワニスを、厚さ７５μｍの表面離型処理ポリエチレンテレフタレート（帝人デュポンフィルム（株）製、テイジンテトロンフィルム：Ａ－３１）上に塗布した。これにより、樹脂フィルムの一方の面に接着層が形成された接着シートを得た。この接着シートと、上記粘着フィルムとを貼り合わせることによって半導体加工用テープを得た。なお、接着シートの接着層と、粘着フィルムの粘着層が直接接するように、接着シートと粘着フィルムとを貼り合わせた。粘着層に対して接着層が粘着していることで、上記ポリエチレンテレフタレートに形成された接着層を粘着層側に確実に反転させることができる。(Manufacturing of tape for semiconductor processing)
The adhesive varnish was applied onto a surface release-treated polyethylene terephthalate (Teijin DuPont Film Co., Ltd., Teijin Tetron Film: A-31) having a thickness of 75 μm. As a result, an adhesive sheet having an adhesive layer formed on one surface of the resin film was obtained. By adhering this adhesive sheet and the above-mentioned adhesive film, a semiconductor processing tape was obtained. The adhesive sheet and the adhesive film were bonded so that the adhesive layer of the adhesive sheet and the adhesive layer of the adhesive film were in direct contact with each other. Since the adhesive layer is adhered to the adhesive layer, the adhesive layer formed of the polyethylene terephthalate can be reliably inverted toward the adhesive layer side.
（実施例２）
接着剤ワニスの調製に使用する各材料を表１の実施例２に示す配合としたことの他は、実施例１と同様にして半導体加工用テープを得た。(Example 2)
A semiconductor processing tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material used for preparing the adhesive varnish had the formulation shown in Example 2 of Table 1.
（比較例１）
接着剤ワニスの調製に使用する各材料を表１の比較例１に示す配合としたことの他は、実施例１と同様にして半導体加工用テープを得た。なお、表１における「ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ」はＤＩＣ（株）製の熱硬化性樹脂（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１７０）の商品名である。(Comparative Example 1)
A semiconductor processing tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material used for preparing the adhesive varnish had the composition shown in Comparative Example 1 in Table 1. In addition, "EXA-830CRP" in Table 1 is a trade name of a thermosetting resin (bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent 170) manufactured by DIC Corporation.
（比較例２）
接着剤ワニスの調製に使用する各材料を表１の比較例２に示す配合としたことの他は、実施例１と同様にして半導体加工用テープを得た。なお、表１における「ＬＦ－４８７１」はＤＩＣ（株）製の熱硬化性樹脂（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１１８）の商品名であり、「ＹＤＦ－８１７０Ｃ」は新日鉄住金化学（株）製の熱硬化性樹脂（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１５７）の商品名であり、「ＳＣ－２０５０－ＨＬＧ」は、アドマテックス（株）製のフィラーの商品名である。(Comparative Example 2)
A semiconductor processing tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material used for preparing the adhesive varnish had the composition shown in Comparative Example 2 in Table 1. In Table 1, "LF-4871" is a trade name of a thermosetting resin (bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent 118) manufactured by DIC Co., Ltd., and "YDF-8170C" is Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation. Is a trade name of a thermosetting resin (bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent 157) manufactured by Admatex Co., Ltd., and "SC-2050-HLG" is a trade name of a filler manufactured by Admatex Co., Ltd.
（比較例３）
接着剤ワニスの調製に使用する各材料を表１の比較例３に示す配合としたことの他は、実施例１と同様にして半導体加工用テープを得た。(Comparative Example 3)
A semiconductor processing tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material used for preparing the adhesive varnish had the composition shown in Comparative Example 3 in Table 1.
実施例及び比較例に係る半導体加工用テープを以下の方法により評価した。
（１）硬化処理後の接着層の貯蔵弾性率
実施例及び比較例に係る半導体加工用テープを１００ｍｍ×１００ｍｍのサイズにそれぞれ裁断した。それぞれの試料から粘着フィルム（粘着層及び基材層）と、表面離型処理ポリエチレンテレフタレートとを剥がすことによって接着層のみとし、これを測定用試料とした。実施例及び比較例に係る測定用試料を１７０℃、１時間加熱して硬化させた。硬化処理後の試料の弾性率を、動的粘弾性測定装置ＤＶＥ－Ｖ４（商品名、（株）レオロジ製）を用い、引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で－５０℃から３００℃まで測定した。その結果から、温度８０℃及び１２０℃における貯蔵弾性率を求めた。表１において貯蔵弾性率の値が７ＭＰａ以下であった試料を「Ａ」とし、７ＭＰａ超であった試料を「Ｂ」とした。The semiconductor processing tapes according to Examples and Comparative Examples were evaluated by the following methods.
(1) Storage elastic modulus of the adhesive layer after the curing treatment The semiconductor processing tapes according to Examples and Comparative Examples were cut into sizes of 100 mm × 100 mm, respectively. The adhesive film (adhesive layer and base material layer) and the surface release-treated polyethylene terephthalate were peeled off from each sample to form only an adhesive layer, which was used as a sample for measurement. The measurement samples according to Examples and Comparative Examples were heated at 170 ° C. for 1 hour to be cured. The elastic modulus of the sample after the curing treatment was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device DVE-V4 (trade name, manufactured by Rheology Co., Ltd.) under a tensile load, with a frequency of 10 Hz and a temperature rise rate of 10 ° C./min. The temperature was measured from −50 ° C. to 300 ° C. From the results, the storage elastic modulus at temperatures of 80 ° C. and 120 ° C. was determined. In Table 1, the sample having a storage elastic modulus of 7 MPa or less was designated as “A”, and the sample having a storage elastic modulus of more than 7 MPa was designated as “B”.
（２）ウエハに対する接着層の９０°ピール剥離力（ウエハに対する密着力の評価）
上記貯蔵弾性率の評価に使用した硬化後の試料を１０ｍｍ幅に切断したものを測定用試料とした。測定用試料をシリコンのウエハの表面に貼り付けた。その後、測定用試料に粘着テープ（補助テープ）を貼り付け、ウエハから測定用試料を５０ｍｍ／分にて９０°の角度で引き剥がした。表１において９０°ピール剥離力の値が８Ｎ／ｍ以上であった試料を「Ａ」とし、８Ｎ／ｍ未満であった試料を「Ｂ」とした。(2) 90 ° peel peeling force of the adhesive layer to the wafer (evaluation of adhesion to the wafer)
The cured sample used for the evaluation of the storage elastic modulus was cut into a width of 10 mm and used as a measurement sample. The measurement sample was attached to the surface of the silicon wafer. Then, an adhesive tape (auxiliary tape) was attached to the measurement sample, and the measurement sample was peeled off from the wafer at an angle of 90 ° at 50 mm / min. In Table 1, the sample having a 90 ° peel peeling force value of 8 N / m or more was designated as “A”, and the sample having a value of less than 8 N / m was designated as “B”.
１…基材層、２…粘着層、３…接着層、４…剥離フィルム、１０…半導体加工用テープ、Ｓ…基板、Ｗ…半導体ウエハ。1 ... Base material layer, 2 ... Adhesive layer, 3 ... Adhesive layer, 4 ... Release film, 10 ... Semiconductor processing tape, S ... Substrate, W ... Semiconductor wafer.
Claims (5)
前記基材層の表面上に設けられた粘着層と、
前記粘着層の表面上に設けられた熱硬化性を有する接着層と、
前記接着層の表面上に設けられた剥離フィルムと、
をこの順序で備える半導体加工用テープであって、
前記接着層は、１７０℃で１時間の硬化処理がされた後において、８０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上７ＭＰａ以下であり且つウエハに対するピール剥離力が８Ｎ／ｍ以上３０Ｎ／ｍ以下であり、
前記接着層は、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含み且つ重量平均分子量が５０万以上２００万以下であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体である熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂と、フィラーとを少なくとも含み、
前記接着層における前記熱可塑性樹脂の含有量を１００質量部としたとき、前記接着層における前記熱硬化性樹脂の含有量が１０質量部以上３７質量部以下であり且つ前記接着層における前記フィラーの含有量が１０質量部以上１００質量部以下である、半導体加工用テープ。Substrate layer and
An adhesive layer provided on the surface of the base material layer and
A thermosetting adhesive layer provided on the surface of the adhesive layer and
A release film provided on the surface of the adhesive layer and
Is a semiconductor processing tape that is equipped with in this order.
After being cured at 170 ° C. for 1 hour, the adhesive layer has a storage elastic modulus at 80 ° C. of 1 MPa or more and 7 MPa or less, and a peel peeling force with respect to the wafer of 8 N / m or more and 30 N / m or less. ,
The adhesive layer contains a (meth) acrylic monomer having an epoxy group as a copolymerization component, and is a thermoplastic resin which is an epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 500,000 or more and 2 million or less. Contains at least a thermosetting resin and a filler,
When the content of the thermoplastic resin in the adhesive layer is 100 parts by mass, the content of the thermosetting resin in the adhesive layer is 10 parts by mass or more and 37 parts by mass or less, and the filler in the adhesive layer. A tape for semiconductor processing having a content of 10 parts by mass or more and 100 parts by mass or less .
前記接着層における前記熱可塑性樹脂の含有量を１００質量部としたとき、前記接着層における前記硬化促進剤の含有量が０．０１質量部以上３質量部以下である、請求項１又は２に記載の半導体加工用テープ。 The adhesive layer further contains a curing accelerator and contains
According to claim 1 or 2, when the content of the thermoplastic resin in the adhesive layer is 100 parts by mass, the content of the curing accelerator in the adhesive layer is 0.01 parts by mass or more and 3 parts by mass or less. The described tape for semiconductor processing.
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