JP6327437B2 - Manufacturing method of electronic device - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 84
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 338
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 234
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 45
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 7
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- SQEGLLMNIBLLNQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-1,1,2,3,3,3-hexafluoro-2-(trifluoromethyl)propane Chemical compound CCOC(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F SQEGLLMNIBLLNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-N sodium;hydron;carbonate Chemical compound [Na+].OC(O)=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、電子デバイスの製造方法に関し、より詳しくは、電子デバイス等の製造に際して用いられるガラスフィルム積層体を、ガラスフィルムと支持ガラスとに分離するための技術に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device, and more particularly to a technique for separating a glass film laminate used for manufacturing an electronic device or the like into a glass film and a supporting glass.
省スペース化の観点から、従来普及していたＣＲＴ型ディスプレイに替わり、近年は液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等のフラットパネルディスプレイが普及している。これらのフラットパネルディスプレイにおいては、軽量化のためさらなる薄型化が要請される。特に有機ＥＬディスプレイには、折りたたみや巻き取ることによって持ち運びを容易にすると共に、平面だけでなく曲面にも使用可能とすることが求められている。また、平面だけでなく曲面にも使用可能とすることが求められているのはディスプレイには限られず、例えば、自動車の車体表面や建築物の屋根、柱や外壁等、曲面を有する物体の表面に太陽電池を形成したり、有機ＥＬ照明を形成したりすることができれば、その用途が広がることとなる。従って、これらデバイスに使用される基板やカバーガラスには、更なる薄板化と高い可撓性が要求される。 From the viewpoint of space saving, instead of the CRT type display which has been widely used in the past, flat panel displays such as a liquid crystal display, a plasma display, an organic EL display, and a field emission display have become popular in recent years. In these flat panel displays, further thinning is required for weight reduction. In particular, organic EL displays are required to be easily carried by folding or winding, and to be usable not only on flat surfaces but also on curved surfaces. In addition, it is not limited to a display that can be used not only on a flat surface but also on a curved surface. For example, the surface of an object having a curved surface, such as a car body surface, a roof of a building, a pillar, or an outer wall. If a solar cell can be formed or organic EL illumination can be formed, the application will be expanded. Therefore, the substrate and cover glass used in these devices are required to be further thinned and highly flexible.
有機ＥＬディスプレイ等に使用される発光体は、酸素や水蒸気等の気体が接触することにより劣化する。従って有機ＥＬディスプレイに使用される基板には高いガスバリア性が求められるため、ガラス基板を使用することが期待されている。しかしながら、基板に使用されるガラスは、樹脂フィルムと異なり引っ張り応力に弱いため可撓性が低く、ガラス基板を曲げることによりガラス基板表面に引っ張り応力がかけられると破損に至る。ガラス基板に可撓性を付与するためにはガラス基板の超薄板化を行う必要があり、下記特許文献１に記載されているような厚み２００μｍ以下のガラスフィルムやガラスロールが提案されている。 Luminescent materials used for organic EL displays and the like are deteriorated by contact with gases such as oxygen and water vapor. Accordingly, since a high gas barrier property is required for a substrate used in an organic EL display, it is expected to use a glass substrate. However, unlike a resin film, glass used for a substrate is weak in tensile stress and thus has low flexibility. If the glass substrate surface is bent to be subjected to tensile stress, the glass substrate is damaged. In order to impart flexibility to the glass substrate, it is necessary to make the glass substrate ultra-thin, and a glass film or glass roll having a thickness of 200 μm or less as described in Patent Document 1 below has been proposed. .
フラットパネルディスプレイや太陽電池等の電子デバイスに使用されるガラス基板には加工処理や洗浄処理、成膜処理等、様々な電子デバイス製造関連の処理が施される。ところが、これら電子デバイスに使用されるガラス基板のフィルム化を行うと、ガラスは脆性材料であるため多少の応力変化により破損に至り、上述した各種電子デバイス製造関連処理を行う際に、取り扱いが大変困難であるという問題がある。加えて、厚み２００μｍ以下のガラスフィルムは可撓性に富むため、処理を行う際に位置決め等を行い難く、パターンニング時にずれ等が生じるという問題もある。 A glass substrate used for an electronic device such as a flat panel display or a solar cell is subjected to various processing related to electronic device manufacturing such as processing, cleaning, and film formation. However, when a glass substrate used in these electronic devices is made into a film, glass is a brittle material, so it is damaged by a slight stress change, and handling is difficult when performing various electronic device manufacturing related processes described above. There is a problem that it is difficult. In addition, since a glass film having a thickness of 200 μm or less is rich in flexibility, it is difficult to perform positioning or the like when performing processing, and there is a problem that displacement or the like occurs during patterning.
ガラスフィルムの取り扱い性を向上させるために、下記特許文献２では、支持ガラスの上にガラスフィルムを積層させたガラスフィルム積層体が提案されている。これによれば、単体では強度や剛性のないガラスフィルムを用いても、支持ガラスの剛性が高いため、処理の際にガラスフィルム積層体全体として位置決めが容易となる。また、下記特許文献２では、工程終了後にガラスフィルムを破損することなくすみやかに支持ガラスからガラスフィルムを剥離することが可能であるとされている。 In order to improve the handleability of the glass film, the following Patent Document 2 proposes a glass film laminate in which a glass film is laminated on a supporting glass. According to this, even if a glass film having no strength or rigidity is used alone, the supporting glass has high rigidity, so that the entire glass film laminate can be easily positioned during processing. Moreover, in following patent document 2, it is supposed that it is possible to peel a glass film from support glass immediately, without damaging a glass film after completion | finish of a process.
下記特許文献２に記載されたようなガラスフィルム積層体に対しては、様々な電子デバイス製造関連処理が施される。電子デバイス製造関連処理の中には、透明導電膜の成膜処理や、有機ＥＬ素子や液晶素子の封着処理等、加熱を伴うものが存在する。 Various electronic device manufacturing related processes are performed on the glass film laminate as described in Patent Document 2 below. Among electronic device manufacturing related processes, there are processes involving heating, such as a film forming process of a transparent conductive film and a sealing process of an organic EL element or a liquid crystal element.
特許文献２に記載されているようなガラスフィルム積層体に対して、このような加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を行った場合、直接積層させている支持ガラスとガラスフィルムとが接着してしまい、支持ガラスとガラスフィルムとを剥離することが困難になるおそれがある。 When such an electronic device manufacturing related process involving heating is performed on a glass film laminate as described in Patent Document 2, the support glass and the glass film that are directly laminated adhere to each other. In addition, it may be difficult to peel the supporting glass and the glass film.
この問題を解決するために、下記特許文献３では、支持ガラスの表面の一部を粗面化することで、支持ガラスとガラスフィルムの接着力を制御することが記載されている。このことにより、様々な電子デバイス製造関連処理後に、粗面化処理を行った箇所を起点として、支持ガラスとガラスフィルムとを剥離することが可能であるとされている。 In order to solve this problem, Patent Document 3 below describes that the adhesive force between the supporting glass and the glass film is controlled by roughening a part of the surface of the supporting glass. Thereby, after various electronic device manufacturing related processes, it is said that it is possible to peel a support glass and a glass film from the place which performed the roughening process.
しかしながら、特許文献３に記載されているようなガラスフィルム積層体では、支持ガラスの粗面化の領域が広すぎると、電子デバイス製造関連処理時に支持ガラスとガラスフィルムとが意図せず剥離するおそれがある。逆に、支持ガラスの祖面化の領域が狭すぎると、加熱を伴う電子デバイス製造関連処理後に支持ガラスとガラスフィルムとの剥離が困難になるおそれがある。つまり、支持ガラス上の粗面化の領域の広狭により、製造関連処理時における支持ガラスとガラスフィルムとの接着性と、製造関連処理後における支持ガラスからのガラスフィルムの剥離性とが、トレードオフの関係となり、支持ガラス上の粗面化の領域の決定が、困難であるという問題が生じる。 However, in the glass film laminate as described in Patent Document 3, if the surface roughening region of the support glass is too wide, the support glass and the glass film may be unintentionally peeled off during processing related to electronic device manufacturing. There is. On the other hand, if the surface area of the supporting glass is too narrow, it may be difficult to separate the supporting glass and the glass film after processing related to electronic device manufacturing involving heating. In other words, due to the wide and narrow surface roughening region on the support glass, there is a trade-off between the adhesion between the support glass and the glass film at the time of manufacturing-related processing and the peelability of the glass film from the support glass after the manufacturing-related processing. Thus, there arises a problem that it is difficult to determine the roughening region on the supporting glass.
本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、電子デバイス製造関連処理時には、支持ガラスとガラスフィルムとの接着性を良好に保ちつつ、加熱を伴う電子デバイス製造関連処理後には支持ガラスからガラスフィルムを容易に剥離させることを可能にすることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and is accompanied by heating while maintaining good adhesion between the supporting glass and the glass film during processing related to electronic device manufacturing. It aims at making it possible to peel a glass film from support glass easily after processing related to electronic device manufacture.
上記課題を解決するために創案された本発明は、支持ガラスの表面に加熱によって気体を放出する薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記支持ガラスの前記薄膜上にガラスフィルムを積層してガラスフィルム積層体を作製するガラスフィルム積層体作製工程と、前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムに加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を行うことで前記ガラスフィルム積層体の前記ガラスフィルム上に素子を形成し、封止基板で前記素子を封止して支持ガラス付電子デバイスを作製する電子デバイス作製工程と、前記支持ガラス付電子デバイスを、前記電子デバイスと前記支持ガラスとに分離する分離工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法に関する。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a thin film forming step of forming a thin film for releasing a gas by heating on the surface of a supporting glass, and a glass film formed by laminating a glass film on the thin film of the supporting glass. An element is formed on the glass film of the glass film laminate by performing a glass film laminate production process for producing a laminate and an electronic device manufacturing related process involving heating the glass film in the glass film laminate. An electronic device manufacturing step of manufacturing the electronic device with supporting glass by sealing the element with a sealing substrate, and a separation step of separating the electronic device with supporting glass into the electronic device and the supporting glass. The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device.
上記課題を解決するために創案された本発明は、ガラスフィルムの表面に加熱によって気体を放出する薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記支持ガラスと前記ガラスフィルムの前記薄膜とが接触するように、前記支持ガラス上に前記ガラスフィルムを積層してガラスフィルム積層体を作製するガラスフィルム積層体作製工程と、前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムに加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を行うことで前記ガラスフィルム積層体の前記ガラスフィルム上に素子を形成し、封止基板で前記素子を封止して支持ガラス付電子デバイスを作製する電子デバイス作製工程と、前記支持ガラス付電子デバイスを、前記電子デバイスと前記支持ガラスとに分離する分離工程と、
を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法に関する。
In order to solve the above problems, the present invention provides a thin film forming step of forming a thin film that releases gas on the surface of a glass film, and the supporting glass and the thin film of the glass film are in contact with each other. By performing a glass film laminate production process for producing a glass film laminate by laminating the glass film on the support glass, and an electronic device manufacturing related process involving heating the glass film in the glass film laminate. Forming an element on the glass film of the glass film laminate, encapsulating the element with a sealing substrate to produce an electronic device with supporting glass, and the electronic device with supporting glass, A separation step of separating the electronic device and the supporting glass;
It is related with the manufacturing method of the electronic device characterized by having.
上記の構成において、前記薄膜は、無機薄膜であることが好ましい。 Said structure WHEREIN: It is preferable that the said thin film is an inorganic thin film.
上記の構成において、前記薄膜は、酸化物薄膜であることが好ましい。 In the above configuration, the thin film is preferably an oxide thin film.
上記の構成において、前記薄膜は、窒化物薄膜であることが好ましい。 In the above configuration, the thin film is preferably a nitride thin film.
上記の構成において、前記薄膜は、金属薄膜であることが好ましい。 In the above configuration, the thin film is preferably a metal thin film.
上記の構成において、前記気体は、不活性ガスであることが好ましい。 In the above configuration, the gas is preferably an inert gas.
上記の構成において、前記封止基板は、キャリアガラスにカバーガラスフィルムが積層されたカバーガラスフィルム積層体であって、前記薄膜形成工程において、前記キャリアガラスの表面に加熱によって気体を放出する薄膜を形成する工程をさらに含み、前記ガラスフィルム積層体作製工程において、前記キャリアガラスの前記薄膜上に前記カバーガラスフィルムを積層してカバーガラスフィルム積層体を作製する工程をさらに含み、前記分離工程において、前記キャリアガラスと前記カバーガラスフィルムとを分離する工程をさらに含むことが好ましい。 Said structure WHEREIN: The said sealing substrate is a cover glass film laminated body by which the cover glass film was laminated | stacked on carrier glass, Comprising: In the said thin film formation process, the thin film which discharge | releases gas by heating to the surface of the said carrier glass Further comprising a step of forming a cover glass film laminate by laminating the cover glass film on the thin film of the carrier glass in the glass film laminate production step, and in the separation step, It is preferable that the method further includes a step of separating the carrier glass and the cover glass film.
上記の構成において、前記封止基板は、キャリアガラスにカバーガラスフィルムが積層されたカバーガラスフィルム積層体であって、前記薄膜形成工程において、前記カバーガラスフィルムの表面に加熱によって気体を放出する薄膜を形成する工程をさらに含み、前記ガラスフィルム積層体作製工程において、前記キャリアガラスと前記カバーガラスフィルムの前記薄膜とが接触するように、前記キャリアガラス上に前記カバーガラスフィルムを積層してカバーガラスフィルム積層体を作製する工程をさらに含み、前記分離工程において、前記キャリアガラスと前記カバーガラスフィルムとを分離する工程をさらに含むことが好ましい。 Said structure WHEREIN: The said sealing substrate is a cover glass film laminated body by which the cover glass film was laminated | stacked on carrier glass, Comprising: The thin film which discharge | releases gas by the heating to the surface of the said cover glass film in the said thin film formation process A step of forming a cover glass by laminating the cover glass film on the carrier glass so that the carrier glass and the thin film of the cover glass film are in contact with each other. It is preferable that the method further includes a step of producing a film laminate, and the separation step further includes a step of separating the carrier glass and the cover glass film.
上記課題を解決するために創案された本発明は、支持ガラスにガラスフィルムを積層したガラスフィルム積層体であって、前記支持ガラスの表面に、加熱によって気体を放出する薄膜が形成され、前記薄膜の表面と前記ガラスフィルムの表面とが接触した状態で積層されていることを特徴とするガラスフィルム積層体に関する。 The present invention devised to solve the above problems is a glass film laminate in which a glass film is laminated on a supporting glass, and a thin film that releases gas by heating is formed on the surface of the supporting glass, and the thin film It is related with the glass film laminated body characterized by being laminated | stacked in the state which the surface of and the surface of the said glass film contacted.
上記課題を解決するために創案された本発明は、支持ガラスにガラスフィルムを積層したガラスフィルム積層体であって、前記ガラスフィルムの表面に、加熱によって気体を放出する薄膜が形成され、前記薄膜の表面と前記支持ガラスの表面とが接触した状態で積層されていることを特徴とするガラスフィルム積層体に関する。 The present invention devised to solve the above problems is a glass film laminate in which a glass film is laminated on a supporting glass, and a thin film that releases gas by heating is formed on the surface of the glass film, and the thin film It is related with the glass film laminated body characterized by being laminated | stacked in the state which the surface of this and the surface of the said support glass contacted.
本発明によれば、電子デバイス製造関連処理時には、支持ガラスとガラスフィルムとの接着性を良好に保ちつつ、加熱を伴う電子デバイス等の製造関連処理後に、支持ガラスからガラスフィルムを容易に剥離することができる。 According to the present invention, at the time of electronic device manufacturing-related processing, the glass film is easily peeled from the supporting glass after manufacturing-related processing of an electronic device or the like with heating while maintaining good adhesion between the supporting glass and the glass film. be able to.
以下、本発明に係る電子デバイスの製造方法、及びガラスフィルム積層体の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。但し、以下の実施形態は、単なる一例であり、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。 Hereinafter, preferred embodiments of a method for manufacturing an electronic device and a glass film laminate according to the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments are merely examples, and the present invention is not limited to the following embodiments.
図１は、本発明に係るガラスフィルム積層体１０を示した図である。ガラスフィルム積層体１０は、ガラスフィルム１１と、支持ガラス１２と、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２との間に設けられた加熱によって気体を放出する薄膜１３とで構成されている。図１では、支持ガラス１２上に薄膜１３が形成されたガラスフィルム積層体１０を示している。 FIG. 1 is a view showing a glass film laminate 10 according to the present invention. The glass film laminate 10 is composed of a glass film 11, a support glass 12, and a thin film 13 that releases gas by heating provided between the glass film 11 and the support glass 12. In FIG. 1, the glass film laminated body 10 in which the thin film 13 was formed on the support glass 12 is shown.
ガラスフィルム１１は、ケイ酸塩ガラスやシリカガラスが用いられ、好ましくはホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスが用いられ、最も好ましくは無アルカリガラスが用いられる。ガラスフィルム１１にアルカリ成分が含有されていると、表面において陽イオンの脱落が発生し、いわゆるソーダ吹きの現象が生じ、構造的に粗となる。この場合、ガラスフィルム１１を湾曲させて使用していると、経年劣化により粗となった部分から破損する可能性がある。尚、ここで無アルカリガラスとは、アルカリ成分（アルカリ金属酸化物）が実質的に含まれていないガラスのことであって、具体的には、アルカリ成分が２０００ｐｐｍ以下のガラスのことである。本発明でのアルカリ成分の含有量は、好ましくは１００ｐｐｍ以下であり、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、更に好ましくは３００ｐｐｍ以下である。 The glass film 11 is made of silicate glass or silica glass, preferably borosilicate glass, aluminosilicate glass, or aluminoborosilicate glass, and most preferably non-alkali glass. If the glass film 11 contains an alkali component, cations are dropped on the surface, so-called soda blowing phenomenon occurs, and the structure becomes rough. In this case, if the glass film 11 is curved and used, there is a possibility that it will be damaged from a portion that has become rough due to deterioration over time. Here, the alkali-free glass is a glass that does not substantially contain an alkali component (alkali metal oxide), and specifically, a glass having an alkali component of 2000 ppm or less. The content of the alkali component in the present invention is preferably 100 ppm or less, more preferably 500 ppm or less, and still more preferably 300 ppm or less.
ガラスフィルム１１の厚みは、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは５μｍ〜２００μｍ、最も好ましくは５μｍ〜１００μｍである。これによりガラスフィルム１１の厚みをより薄くして、適切な可撓性を付与することができるとともに、ハンドリング性が困難で、かつ、位置決めミスやパターニング時の撓み等の問題が生じやすいガラスフィル１１に対して、後述する支持ガラス１２を使用することで電子デバイス製造関連処理等を容易に行うことができる。ガラスフィルム１１の厚みが５μｍ未満であると、ガラスフィルム１１の強度が不足がちになり、支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離しにくくなるおそれがある。 The thickness of the glass film 11 is preferably 300 μm or less, more preferably 5 μm to 200 μm, and most preferably 5 μm to 100 μm. Thereby, the glass film 11 can be made thinner to provide appropriate flexibility, handling properties are difficult, and problems such as misalignment and bending during patterning are likely to occur. On the other hand, processing related to electronic device manufacturing can be easily performed by using the supporting glass 12 described later. If the thickness of the glass film 11 is less than 5 μm, the strength of the glass film 11 tends to be insufficient, and the glass film 11 may be difficult to peel from the support glass 12.
支持ガラス１２は、ガラスフィルム１１と同様、ケイ酸塩ガラスやシリカガラスが用いられ好ましくはホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスが用いられ、最も好ましくは無アルカリガラスが用いられる。支持ガラス１２については、ガラスフィルム１１との３０〜３８０℃における熱膨張係数の差が、５×１０−７／℃以内のガラスを使用することが好ましい。これにより、電子デバイス製造関連処理の際に加熱を伴ったとしても、膨張率の差による熱反りやガラスフィルム１１の割れ等が生じ難く、安定した積層状態を維持できるガラスフィルム積層体１０とすることが可能となる。支持ガラス１２とガラスフィルム１１とは、同一の組成を有するガラスを使用することが最も好ましい。 The support glass 12 is made of silicate glass or silica glass as in the glass film 11, preferably borosilicate glass, aluminosilicate glass, or aluminoborosilicate glass, and most preferably non-alkali glass. About the support glass 12, it is preferable to use the glass of the difference of the thermal expansion coefficient in 30-380 degreeC with the glass film 11 within 5 * 10 < -7 > / degreeC . Thereby, even if heating is involved in the electronic device manufacturing related process, it is difficult to cause thermal warp or cracking of the glass film 11 due to a difference in expansion coefficient, and the glass film laminate 10 can maintain a stable laminated state. It becomes possible. The supporting glass 12 and the glass film 11 are most preferably glass having the same composition.
支持ガラス１２の厚みは、３００μｍ以上であることが好ましい。支持ガラス１２の厚みが３００μｍ未満であると、支持ガラス１２を単体で取り扱う場合に、強度の面で問題が生じるおそれがある。支持ガラス１２の厚みは、４００μｍ〜７００μｍであることが好ましく、５００μｍ〜７００μｍであることが最も好ましい。これによりガラスフィルム１１を確実に支持することが可能となる。尚、電子デバイス等の製造関連処理時に、図示しないセッター上に、ガラスフィルム積層体１を載置する場合は、支持ガラス１２の厚みは３００μｍ未満（例えば２００μｍ等、ガラスフィルム１１と同一の厚み）でも良い。 The thickness of the support glass 12 is preferably 300 μm or more. When the thickness of the supporting glass 12 is less than 300 μm, there is a possibility that a problem may occur in terms of strength when the supporting glass 12 is handled alone. The thickness of the support glass 12 is preferably 400 μm to 700 μm, and most preferably 500 μm to 700 μm. Thereby, it becomes possible to support the glass film 11 reliably. When the glass film laminate 1 is placed on a setter (not shown) during manufacturing-related processing such as an electronic device, the thickness of the support glass 12 is less than 300 μm (for example, 200 μm, the same thickness as the glass film 11). But it ’s okay.
ガラスフィルム１１及び支持ガラス１２の相互に接触する側の表面（ガラスフィルム１１の下面１１ｂと支持ガラス１２の上面１２ａの表面粗さＲａが夫々２．０ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とを、薄膜１３を介して安定して積層させることができる。ガラスフィルム１１の下面１１ｂ及び支持ガラス１２の上面１２ａ）の表面粗さＲａは、夫々１．０ｎｍ以下であることが好ましく、０．５ｎｍ以下であることがより好ましく、０．２ｎｍ以下であることが最も好ましい。 The surface of the glass film 11 and the supporting glass 12 on the side in contact with each other (the surface roughness Ra of the lower surface 11b of the glass film 11 and the upper surface 12a of the supporting glass 12 is preferably 2.0 nm or less. The film 11 and the supporting glass 12 can be stably laminated through the thin film 13. The surface roughness Ra of the lower surface 11b of the glass film 11 and the upper surface 12a) of the supporting glass 12 is 1.0 nm or less, respectively. Preferably, it is 0.5 nm or less, and most preferably 0.2 nm or less.
本発明に使用されるガラスフィルム１１及び支持ガラス１２は、ダウンドロー法、フロート法、スロットダウンドロー法、ロールアウト法、アップドロー法、リドロー法等によって成形されていることが好ましく、オーバーフローダウンドロー法によって成形されていることがより好ましい。特に、図２に示すオーバーフローダウンドロー法は、成形時にガラス板の両面が、成形部材と接触しない成形法であり、得られたガラス板の両面（透光面）には傷が生じ難く、研磨しなくても高い表面品位を得ることができる。 The glass film 11 and the supporting glass 12 used in the present invention are preferably formed by a down draw method, a float method, a slot down draw method, a roll out method, an up draw method, a redraw method or the like, and an overflow down draw More preferably, it is molded by the method. In particular, the overflow downdraw method shown in FIG. 2 is a molding method in which both surfaces of the glass plate do not come into contact with the molded member at the time of molding, and the both surfaces (translucent surface) of the obtained glass plate are hardly scratched and polished. Even if not, high surface quality can be obtained.
次に、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２を製造する方法について、図２を使用して説明する。ガラス製造装置２０の成形炉２１内部には、断面楔状の外表面形状を有する成形体２２が配設されており、図示しない溶融窯で溶融されたガラス（溶融ガラス）を成形体２２に供給することで、当該溶融ガラスが成形体２２の頂部から溢れ出るようになっている。そして、溢れ出た溶融ガラスは、成形体２２の断面楔状を呈する両側面を伝って下端で合流することで、溶融ガラスからガラスリボンＧの成形が開始されるようになっている。成形体２２下端で合流した直後のガラスリボンＧは、冷却ローラ（エッジローラ）２３によって幅方向の収縮が規制されながら下方へ引き伸ばされて所定の厚みまで薄くなる。次に、前記所定厚みに達したガラスリボンＧをローラ２４で送りだすことにより、徐冷炉（アニーラ）で徐々に冷却し、ガラスリボンＧの熱歪を除き、徐冷されたガラスリボンＧを室温程度の温度にまで十分に冷却するようになっている。徐冷炉を通過したガラスリボンＧは、湾曲補助ローラ２５によって鉛直方向から水平方向へと進行方向を変えた後、ガラスリボンＧの幅方向両端部に存在する不要部分（冷却ローラ２３やローラ２４等が接触した部分）を長手方向切断装置２６で切断する。その後、幅方向切断装置２７で所定幅毎に切断を行うことによって、本発明で使用されるガラスフィルム１１を得ることができる。尚、幅方向切断装置２７で幅方向に切断した後、長手方向切断装置２６でガラスフィルムリボンＧの不要部分を切断除去することによって、ガラスフィルム１１を作製してもよい。また、上述の製造装置２０では、枚葉式でガラスフィルム１１を作製する方法について説明したが、これには限定されず、長手方向切断装置２６によって不要部分を切断した後に幅方向に切断することなく、合紙を介してガラスリボンＧをロール状に巻き取ることによってガラスロールを作製し、ガラスロールを引き出しつつ一定長ずつ切断することでガラスフィルム１１を作製してもよい。また、上述の製造装置２０では、可撓性のあるガラスフィルムで１１を製造する方法について説明したが、比較的厚みのある支持ガラス１２を製造する場合には、湾曲補助ローラ２５を設けずに縦姿勢のまま幅方向切断装置２７で所定幅ずつ切断することで、枚葉式で支持ガラス１１を製造することもできる。 Next, a method for producing the glass film 11 and the supporting glass 12 will be described with reference to FIG. Inside the molding furnace 21 of the glass manufacturing apparatus 20, a molded body 22 having an outer surface shape having a wedge-shaped cross section is disposed, and glass (molten glass) melted in a melting furnace (not shown) is supplied to the molded body 22. Thus, the molten glass overflows from the top of the molded body 22. And the molten glass which overflowed passes along the both sides | surfaces which exhibit the cross-sectional wedge shape of the molded object 22, and joins by a lower end, The shaping | molding of the glass ribbon G is started from molten glass. The glass ribbon G immediately after joining at the lower end of the molded body 22 is drawn downward while being contracted in the width direction by the cooling roller (edge roller) 23 and is thinned to a predetermined thickness. Next, the glass ribbon G having reached the predetermined thickness is sent out by a roller 24, and then gradually cooled in a slow cooling furnace (annealer) to remove the thermal distortion of the glass ribbon G. It is designed to cool sufficiently to the temperature. The glass ribbon G that has passed through the slow cooling furnace has its traveling direction changed from the vertical direction to the horizontal direction by the bending auxiliary roller 25, and then unnecessary portions (the cooling roller 23, the roller 24, etc.) that exist at both ends of the glass ribbon G in the width direction. The contact portion) is cut by the longitudinal cutting device 26. Then, the glass film 11 used by this invention can be obtained by cut | disconnecting for every predetermined width with the width direction cutting device 27. FIG. The glass film 11 may be produced by cutting and removing unnecessary portions of the glass film ribbon G with the longitudinal direction cutting device 26 after cutting in the width direction with the width direction cutting device 27. Moreover, although the manufacturing apparatus 20 mentioned above demonstrated the method of producing the glass film 11 by a single wafer type, it is not limited to this, After cutting an unnecessary part with the longitudinal direction cutting device 26, it cuts in the width direction. Alternatively, the glass film G may be produced by winding the glass ribbon G into a roll shape through a slip sheet, and cutting the glass roll by a predetermined length while pulling out the glass roll. Further, in the manufacturing apparatus 20 described above, the method of manufacturing 11 with a flexible glass film has been described. However, when the support glass 12 having a relatively large thickness is manufactured, the bending auxiliary roller 25 is not provided. The supporting glass 11 can also be manufactured in a single-wafer type by cutting each predetermined width with the width direction cutting device 27 in the vertical posture.
薄膜１３は、図１では支持ガラス１２上に形成されており、電子デバイス製造関連処理時に加熱を伴った場合に、気体を放出する。このことにより、図３（ａ）（ｂ）に模式的に示す通り、支持ガラス１２上の薄膜１３と、ガラスフィルム１１との界面１４に、気泡１５が発生する。気泡１５が発生することで、ガラスフィルム１１と薄膜１３の接着面積が減少する。このことにより、加熱を伴う電子デバイス製造関連処理後に、支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離しやすくなる。一方、加熱を伴う電子デバイス製造関連処理前は、図１に示す通り、薄膜１３とガラスフィルム１２との界面１４に気泡１５は発生しておらず、ガラスフィルム積層体１０は、安定した積層状態を維持しており、支持ガラス１２からガラスフィルム１１が意図せず剥離することを防止している。薄膜１３が気体を放出する加熱温度は、２００℃以上が好ましく、４００℃以上であることがより好ましく、６００℃以上であることがさらに好ましい。尚、図３（ａ）（ｂ）では、気泡１５や気泡１５の発生によるガラスフィルム１１の変形を、誇張して表現している。 The thin film 13 is formed on the support glass 12 in FIG. 1 and emits gas when heated during the electronic device manufacturing related process. As a result, bubbles 15 are generated at the interface 14 between the thin film 13 on the support glass 12 and the glass film 11 as schematically shown in FIGS. Generation | occurrence | production of the bubble 15 reduces the adhesion area of the glass film 11 and the thin film 13. FIG. Thereby, it becomes easy to peel the glass film 11 from the support glass 12 after the electronic device manufacturing related process with heating. On the other hand, before the electronic device manufacturing related process with heating, as shown in FIG. 1, no bubbles 15 are generated at the interface 14 between the thin film 13 and the glass film 12, and the glass film laminate 10 is in a stable laminated state. The glass film 11 is prevented from unintentionally peeling from the support glass 12. The heating temperature at which the thin film 13 releases the gas is preferably 200 ° C. or higher, more preferably 400 ° C. or higher, and even more preferably 600 ° C. or higher. 3A and 3B, the deformation of the glass film 11 due to the generation of the bubbles 15 and the bubbles 15 is exaggerated.
薄膜１３としては、無機薄膜を使用することが好ましい。薄膜１３が無機薄膜であると、加熱によっても劣化せず、ガラスフィルム１１に付着物等が発生し難くなるからである。無機薄膜としては、金属薄膜、酸化物薄膜、金属酸化物薄膜等を使用することができる。支持ガラス１２に無機薄膜としての薄膜１３を形成する方法としては、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法等を使用することができる。 As the thin film 13, an inorganic thin film is preferably used. This is because, if the thin film 13 is an inorganic thin film, it does not deteriorate even by heating, and deposits and the like hardly occur on the glass film 11. As the inorganic thin film, a metal thin film, an oxide thin film, a metal oxide thin film, or the like can be used. As a method of forming the thin film 13 as an inorganic thin film on the support glass 12, a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method, a sol-gel method, or the like can be used.
薄膜１３は、ＩＴＯ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｓｃ２Ｏ３、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、Ｔｉ３Ｏ５、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｓｎ、ＳｎＯ２から選択される１種又は２種以上で形成されていることが好ましい。 Thin film 13, ITO, Ti, Si, Au , Ag, Al, Cr, Cu, Mg, Ti, SiO, SiO 2, Al 2 O 3, MgO, Y 2 O 3, La 2 O 3, Pr 6 O 11 , Sc 2 O 3 , WO 3 , HfO 2 , In 2 O 3 , ZrO 2 , Nd 2 O 3 , Ta 2 O 5 , CeO 2 , Nb 2 O 5 , TiO, TiO 2 , Ti 3 O 5 , NiO, It is preferably formed of one or more selected from ZnO, Sn and SnO 2 .
薄膜１３は、酸化物薄膜であることがより好ましい。酸化物薄膜は熱的に安定である。そのため、支持ガラス１２に酸化物薄膜を設けることで、ガラスフィルム積層体１０に対して加熱を伴う処理を行っても、支持ガラス１２を繰り返し使用することが可能となる。酸化物薄膜として、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｓｃ２Ｏ３、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ、ＺｒＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＣｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、Ｔｉ３Ｏ５、ＮｉＯ、ＺｎＯ及びそれらの組み合わせを使用することが好ましい。 The thin film 13 is more preferably an oxide thin film. The oxide thin film is thermally stable. Therefore, by providing the support glass 12 with an oxide thin film, the support glass 12 can be used repeatedly even if the glass film laminate 10 is subjected to a treatment involving heating. As an oxide film, SiO, SiO 2, Al 2 O 3, MgO, Y 2 O 3, La 2 O 3, Pr 6 O 11, Sc 2 O 3, WO 3, HfO 2, In 2 O 3, ITO, ZrO 2, Nd 2 O 3, Ta 2 O 5, CeO 2, Nb 2 O 5, TiO, TiO 2, Ti 3 O 5, NiO, it is preferable to use ZnO and combinations thereof.
薄膜１３から加熱によって気体を放出させるためには、薄膜１３に、水分やガスを含ませることが好ましい。これにより、薄膜１３に溶け込んだ水分やガスが、加熱によって薄膜１３から放出され、気泡１５となる。薄膜１３にガスを含ませるためには、スパッタ法等による成膜時に、チャンバー内のＡｒやＮ２、Ｏ２等のガスを、公知の方法よりも増加させることが好ましい。例えば、通常のスパッタリング法においては、アルゴンガスや酸素ガス・窒素ガスを真空状態のチャンバー内に導入し、チャンバー内の圧力を０．２〜０．３Ｐａとして成膜することが一般的だが、支持ガラス１２上に成膜する薄膜１３内にガスを吸蔵させやすくするため、チャンバー内の圧力を０．７Ｐａ〜１．０Ｐａとして成膜することが好ましい。また、支持ガラス１２上に形成する薄膜１３を酸化物や窒化物にする場合には、酸素ガスや窒素ガスが金属酸化物や金属窒化物を形成する上で消費されるため、チャンバー内の圧力を１．０〜１．５Ｐａとして成膜することが好ましい。 In order to release gas from the thin film 13 by heating, the thin film 13 preferably contains moisture or gas. As a result, moisture or gas dissolved in the thin film 13 is released from the thin film 13 by heating and becomes bubbles 15. In order to include the gas in the thin film 13, it is preferable to increase the gas such as Ar, N 2 , and O 2 in the chamber more than a known method during film formation by sputtering or the like. For example, in a normal sputtering method, it is common to introduce a film of argon gas, oxygen gas, or nitrogen gas into a vacuum chamber and set the pressure in the chamber to 0.2 to 0.3 Pa. In order to make it easy to occlude gas in the thin film 13 formed on the glass 12, it is preferable to form the film at a pressure in the chamber of 0.7 Pa to 1.0 Pa. Further, when the thin film 13 formed on the supporting glass 12 is made of oxide or nitride, oxygen gas or nitrogen gas is consumed in forming the metal oxide or metal nitride, and therefore the pressure in the chamber The film is preferably formed at 1.0 to 1.5 Pa.
薄膜１３から加熱によって気体を放出させるためには、薄膜１３を、それ自体が加熱による化学反応によって気体を放出するような膜で構成することが好ましい。例えば、薄膜１３を、ＳｉＮやＡｌＮ等の窒化物薄膜とすることが好ましい。これにより、薄膜１３としてＡｌＮ膜を使用して加熱された場合に、空気中の水分と反応して、
２ＡｌＮ＋３Ｈ２Ｏ → Ａｌ２Ｏ３＋Ｎ２＋Ｈ２
という化学反応が生じ、薄膜１３とガラスフィルム１１との積層界面１４にＮ２の気泡を発生させることができる。薄膜１３として支持ガラス１２上に窒化物薄膜を形成する場合も、スパッタ法等を使用することが好ましい。
In order to release gas from the thin film 13 by heating, it is preferable that the thin film 13 is formed of a film that itself releases gas by a chemical reaction by heating. For example, the thin film 13 is preferably a nitride thin film such as SiN or AlN. Thus, when heated using an AlN film as the thin film 13, it reacts with moisture in the air,
2AlN + 3H 2 O → Al 2 O 3 + N 2 + H 2
A chemical reaction occurs, and N 2 bubbles can be generated at the laminated interface 14 between the thin film 13 and the glass film 11. When a nitride thin film is formed on the support glass 12 as the thin film 13, it is preferable to use a sputtering method or the like.
薄膜１３から加熱によって気体を放出させるためには、薄膜１３に有機物を含有させることが好ましい。薄膜１３に有機物を含有させると、加熱によって薄膜１３中の有機物が分解され、Ｈ２ＯやＣＯ２等の気体が発生することで、薄膜１３とガラスフィルム１１との積層界面１４に気泡１５を発生させることができる。薄膜１３に有機物を含有させる場合、無機薄膜に有機物を含有させてもよく、薄膜１３自体が有機物の薄膜でもよい。無機薄膜に有機物を含有させることが好ましい。薄膜１３に含有させる有機物としては、シリコーン系樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、フッ素樹脂の中から、１種又は２種以上を選択することが好ましい。 In order to release gas from the thin film 13 by heating, the thin film 13 preferably contains an organic substance. When an organic substance is contained in the thin film 13, the organic substance in the thin film 13 is decomposed by heating, and a gas such as H 2 O or CO 2 is generated, whereby bubbles 15 are formed at the laminated interface 14 between the thin film 13 and the glass film 11. Can be generated. When the thin film 13 contains an organic substance, the inorganic thin film may contain an organic substance, or the thin film 13 itself may be an organic thin film. It is preferable to contain an organic substance in the inorganic thin film. As the organic substance to be contained in the thin film 13, it is preferable to select one or more of silicone resins, polyimide resins, acrylic resins, polyurethane resins, polyolefin resins, and fluororesins.
薄膜１３を、無機薄膜とした場合において、薄膜１３に有機物を含有させる方法として、例えば、ＣＶＤプロセスにおいて、反応エネルギーを制御して金属アルコキシド等と酸素や窒素とを不完全に反応させることで、アルコキシド中の有機基を一部残存させた状態で無機薄膜を形成してもよい。また、無機薄膜をスパッタリング法で形成する場合においては、スパッタリングと同時にプラズマ重合を行うことで、有機物を一部含有させても良い。加えて、無機薄膜をゾルゲル法で形成する場合においては、金属酸化物を形成すると共に有機物の重合反応を同時に行っても良い。尚、上述では、無機薄膜に有機物を含有させる方法について説明したが、無機薄膜を形成した後に有機分子を吸着させても良い。例えば、支持ガラス１２上に金属錯体を形成し易いＺｒ等を含む無機薄膜１３を形成した場合においては、ルイス塩基性の有機物を無機薄膜１３に吸着させやすい。Ｚｒ以外では、内殻に空位のｄ軌道を有する金属元素（遷移金属元素）を含む無機薄膜であれば良い。ルイス塩基性の有機物としては、例えば、カルボン酸や酢酸、ギ酸、リン酸、クエン酸、水酸化物イオンなどや各種キレート剤等が容易に吸着される。 In the case where the thin film 13 is an inorganic thin film, as a method for containing an organic substance in the thin film 13, for example, in a CVD process, by controlling reaction energy and reacting metal alkoxide or the like with oxygen or nitrogen incompletely, The inorganic thin film may be formed with some organic groups remaining in the alkoxide remaining. In the case where the inorganic thin film is formed by a sputtering method, an organic substance may be partially contained by performing plasma polymerization simultaneously with sputtering. In addition, when the inorganic thin film is formed by a sol-gel method, a metal oxide may be formed and an organic polymerization reaction may be simultaneously performed. In the above description, the method of incorporating an organic substance into the inorganic thin film has been described. However, organic molecules may be adsorbed after the inorganic thin film is formed. For example, when the inorganic thin film 13 containing Zr or the like that easily forms a metal complex is formed on the support glass 12, it is easy to adsorb the Lewis basic organic substance to the inorganic thin film 13. Other than Zr, any inorganic thin film containing a metal element (transition metal element) having a vacant d orbital in the inner shell may be used. As the Lewis basic organic substance, for example, carboxylic acid, acetic acid, formic acid, phosphoric acid, citric acid, hydroxide ions and various chelating agents are easily adsorbed.
薄膜１３の厚みは、放出させる気体の量の観点から、１〜２００ｎｍであることが好ましく、１０〜１００ｎｍであることがより好ましく、３０〜６０ｎｍであることがより好ましい。 The thickness of the thin film 13 is preferably 1 to 200 nm, more preferably 10 to 100 nm, and more preferably 30 to 60 nm from the viewpoint of the amount of gas to be released.
薄膜１３の表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であることが好ましく、１．０ｎｍ以下であることがより好ましく、０．５ｎｍ以下であることがより好ましく、０．２ｎｍ以下であることが最も好ましい。これにより、ガラスフィルム１１を強固に積層することができる。 The surface roughness Ra of the thin film 13 is preferably 2.0 nm or less, more preferably 1.0 nm or less, more preferably 0.5 nm or less, and most preferably 0.2 nm or less. preferable. Thereby, the glass film 11 can be laminated | stacked firmly.
図１では、支持ガラス１２の全面に薄膜１３を形成していたが、支持ガラス１２の一部の領域のみに薄膜１３を形成してもよい。例えば、支持ガラス１２の周辺部やコーナー部のみに薄膜１３を形成することで、支持ガラス１２とガラスフィルム１１の剥離の開始点とすることができる。この場合、ガラスフィルム積層体１０の端部から５〜２０ｍｍのコーナー部や周辺部に、薄膜１３を形成することもできる。 In FIG. 1, the thin film 13 is formed on the entire surface of the support glass 12, but the thin film 13 may be formed only on a part of the support glass 12. For example, by forming the thin film 13 only in the peripheral part or corner part of the support glass 12, the start point of the peeling between the support glass 12 and the glass film 11 can be set. In this case, the thin film 13 can also be formed at a corner portion or a peripheral portion of 5 to 20 mm from the end portion of the glass film laminate 10.
レーザーによる封着処理等、加熱を伴う製造関連処理として、レーザーを使用する場合においては、薄膜１３にレーザーを吸収しやすい元素、例えばＣｕ等を添加してもよい。 In the case of using a laser as a manufacturing-related process involving heating, such as a sealing process using a laser, an element that easily absorbs a laser, such as Cu, may be added to the thin film 13.
気泡１５は、Ｈ２、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ａｒ、Ｈｅ等から選択される１種又は２種以上から構成されることが好ましいが、Ｎ２やＡｒ等の不活性ガスであることが好ましい。これにより、作製される電子デバイスへの影響を、最小限にすることができる。 Bubbles 15, H 2, N 2, O 2, CO 2, H 2 O, Ar, but is preferably composed of one or more selected from He, etc., such as N 2 or Ar unsaturated An active gas is preferred. Thereby, the influence on the produced electronic device can be minimized.
気泡１５の大きさは、ガラスフィルム１１に生じる浮き上がり量の観点から、直径２０ｍｍ以内であることが好ましく、１０ｍｍ以内であることがより好ましく、５ｍｍ以内であることが最も好ましい。 The size of the bubbles 15 is preferably 20 mm or less, more preferably 10 mm or less, and most preferably 5 mm or less from the viewpoint of the amount of lift generated in the glass film 11.
発生させる気泡１５の個数は、気泡１５の大きさにも依存するが、ガラスフィルム１１の剥離性と固着性の観点から、気泡１５の直径が１０ｍｍ以内の場合については、１０〜１００００個／１００ｃｍ２であることが好ましい。 The number of bubbles 15 to be generated depends on the size of the bubbles 15, but from the viewpoint of the releasability and adhesion of the glass film 11, when the diameter of the bubbles 15 is within 10 mm, 10 to 10000/100 cm. 2 is preferable.
図１では、支持ガラス１２上に薄膜１３を形成する形態について説明を行ったが、これには限定されず、ガラスフィルム１１に薄膜１３を形成しても良い。この場合、加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を行った場合に、薄膜１３と支持ガラス１２との界面に、気泡１５が発生する。薄膜１３が、繰り返しの使用によっても加熱に伴う気体の放出量に変動が少ない場合については、支持ガラス１２上に形成することが好ましく、１回の使用により気体の放出量が減少する場合については、ガラスフィルム１１に薄膜１３を形成することが好ましい。ガラスフィルム１１に薄膜１３を形成した場合については、別途、後述する剥離工程後に薄膜１３を除去する薄膜除去工程を含めてもよい。 In FIG. 1, although the form which forms the thin film 13 on the support glass 12 was demonstrated, it is not limited to this, You may form the thin film 13 in the glass film 11. FIG. In this case, bubbles 15 are generated at the interface between the thin film 13 and the support glass 12 when an electronic device manufacturing related process involving heating is performed. The thin film 13 is preferably formed on the support glass 12 when there is little variation in the amount of gas released by heating even after repeated use, and the case where the amount of released gas is reduced by one use. The thin film 13 is preferably formed on the glass film 11. About the case where the thin film 13 is formed in the glass film 11, you may include the thin film removal process of removing the thin film 13 separately after the peeling process mentioned later.
次に、本発明に係る電子デバイスの製造方法について、説明する。図４は、本発明の１実施形態に係る電子デバイス１の製造方法を示した図である。本発明の１実施形態に係る電子デバイス１の製造方法は、薄膜形成工程Ｓ１と、ガラスフィルム積層体作製工程Ｓ２と、支持ガラス付電子デバイス３０を作製する電子デバイス作製工程Ｓ３と、剥離工程Ｓ４と、を備えている。薄膜形成工程Ｓ１とガラスフィルム積層体作製工程Ｓ２については、図１〜図３を使用して説明した前述の通りである。尚、薄膜１３が形成された支持ガラス１２を再使用する場合については、薄膜形成工程Ｓ１を適宜省略しても良い。 Next, a method for manufacturing an electronic device according to the present invention will be described. FIG. 4 is a diagram showing a method for manufacturing the electronic device 1 according to one embodiment of the present invention. The manufacturing method of the electronic device 1 which concerns on 1 embodiment of this invention is the thin film formation process S1, the glass film laminated body production process S2, the electronic device production process S3 which produces the electronic device 30 with support glass, and peeling process S4. And. The thin film forming step S1 and the glass film laminate manufacturing step S2 are as described above with reference to FIGS. In addition, about the case where the support glass 12 in which the thin film 13 was formed is reused, you may abbreviate | omit thin film formation process S1 suitably.
本発明における電子デバイス作製工程Ｓ３は、加熱を伴うものであり、支持ガラス付電子デバイス３０を作製する工程である。本明細書中において、加熱を伴う電子デバイス製造関連処理とは、電子デバイスの製造関連処理自体に加熱を伴うものだけでなく、電子デバイス製造関連処理として加熱を伴わない場合については、後述する剥離工程Ｓ４の前に別途加熱処理を行う形態も含む。図４では、ガラスフィルム積層体作製工程Ｓ２で作製されたガラスフィルム積層体１０のガラスフィルム１１の上面１１ａ（有効面）上に素子３１を形成し、スペーサ３２を配置した後で、封止基板としてのカバーガラスフィルム積層体４０で封止することで、電子デバイスを作製している。カバーガラスフィルム積層体４０は、キャリアガラス４２に薄膜４３を介してカバーガラスフィルム４１が積層されており、上述のガラスフィルム積層体１０と同様の構成である。薄膜４３についても、上述の薄膜１３と同様の構成である。 The electronic device manufacturing step S3 in the present invention involves heating and is a step of manufacturing the electronic device 30 with supporting glass. In this specification, the electronic device manufacturing related process with heating is not only the process related to the manufacturing of the electronic device itself with heating, but also the case where heating is not performed as the electronic device manufacturing related process itself. A mode in which heat treatment is separately performed before step S4 is also included. In FIG. 4, after forming the element 31 on the upper surface 11a (effective surface) of the glass film 11 of the glass film laminate 10 produced in the glass film laminate production step S2 and disposing the spacer 32, the sealing substrate The electronic device is produced by sealing with the cover glass film laminated body 40 as. The cover glass film laminate 40 has a cover glass film 41 laminated on a carrier glass 42 with a thin film 43 interposed therebetween, and has the same configuration as that of the glass film laminate 10 described above. The thin film 43 has the same configuration as that of the thin film 13 described above.
ガラスフィルム１１の上面１１ａ（有効面）上に形成される素子３１としては、液晶素子、有機ＥＬ素子、タッチパネル素子、太陽電池素子、圧電素子、受光素子、リチウムイオン２次電池等の電池素子、ＭＥＭＳ素子、半導体素子等が挙げられる。図４では、製造関連処理工程でガラスフィルム１１上に素子３１を形成する形態の説明を行ったが、加熱を伴う製造関連処理は素子３１の形成には限られず、ガラスフリットの焼結処理や反射防止膜、透過防止膜、反射膜、防汚コート等を成膜する成膜処理等も加熱を伴う電子デバイス製造関連処理に含まれる。 As an element 31 formed on the upper surface 11a (effective surface) of the glass film 11, a liquid crystal element, an organic EL element, a touch panel element, a solar cell element, a piezoelectric element, a light receiving element, a battery element such as a lithium ion secondary battery, A MEMS element, a semiconductor element, etc. are mentioned. In FIG. 4, the form in which the element 31 is formed on the glass film 11 in the manufacturing related processing step has been described. However, the manufacturing related process involving heating is not limited to the formation of the element 31. A film forming process for forming an anti-reflection film, an anti-transmission film, a reflective film, an antifouling coating, and the like are also included in the electronic device manufacturing related process involving heating.
加熱を伴う製造関連処理としては、例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング等による成膜処理、封着処理等が挙げられる。加熱を伴う電子デバイス製造関連処理後は、図４で模式的に示した通り、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２上の薄膜１３との界面１４に気泡１５が発生しており、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２との接着力が低下することで、容易に支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離することができる。加えて、カバーガラスフィルム４１とキャリアガラス４２上の薄膜４３との界面４４に気泡４５が発生しており、カバーガラスフィルム４１とキャリアガラス４２との接着力が低下することで、容易にキャリアガラス４２からカバーガラスフィルム４１を剥離することができる。尚、図４では、気泡１５と気泡４５を誇張して表現していると共に、気泡１５や気泡４５によって生じるガラスフィルム１１やカバーガラスフィルム４１の変形を省略して表現している。 Examples of the manufacturing-related process involving heating include a film forming process by a CVD method or sputtering, a sealing process, and the like. After the electronic device manufacturing related process with heating, as schematically shown in FIG. 4, bubbles 15 are generated at the interface 14 between the glass film 11 and the thin film 13 on the support glass 12, and the glass film 11 and the support are supported. The glass film 11 can be easily peeled from the supporting glass 12 by reducing the adhesive strength with the glass 12. In addition, air bubbles 45 are generated at the interface 44 between the cover glass film 41 and the thin film 43 on the carrier glass 42, and the carrier glass is easily reduced by reducing the adhesive force between the cover glass film 41 and the carrier glass 42. The cover glass film 41 can be peeled from 42. In FIG. 4, the bubbles 15 and the bubbles 45 are exaggerated and the deformation of the glass film 11 and the cover glass film 41 caused by the bubbles 15 and the bubbles 45 is omitted.
図４では、封止基板としてカバーガラスフィルム積層体４０を使用する形態の説明を行ったが、封止基板としてカバーガラスフィルム４１単体を用いても良く、適宜樹脂フィルム等の封止基板を使用しても良い。 In FIG. 4, the cover glass film laminate 40 is used as the sealing substrate. However, the cover glass film 41 alone may be used as the sealing substrate, and a sealing substrate such as a resin film is used as appropriate. You may do it.
本実施形態において、剥離工程Ｓ４は、ガラスフィルム１１と支持ガラス１２とに分離する工程である。封止基板としてカバーガラスフィルム積層体４０を使用する場合については、カバーガラスフィルム４１とキャリアガラス４２を分離する工程も、含まれる。 In this embodiment, peeling process S4 is a process of isolate | separating into the glass film 11 and the support glass 12. FIG. In the case of using the cover glass film laminate 40 as a sealing substrate, a step of separating the cover glass film 41 and the carrier glass 42 is also included.
支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離する際には、界面１４に対して図示しない水等の流体を付与することが好ましい。これにより、支持ガラス１２やガラスフィルム１１と物理的な接触をすることなく、支持ガラス１２からガラスフィルム１１の剥離を促進させることができる。これにより、剥離の際にガラスフィルム１１に傷等が発生することが防止される。支持ガラス付電子デバイス３０を水中に浸漬した後に、超音波を印加することで、支持ガラス１２とガラスフィルム１１の剥離を試みても良い。 When peeling the glass film 11 from the support glass 12, it is preferable to apply a fluid such as water (not shown) to the interface 14. Thereby, peeling of the glass film 11 from the support glass 12 can be promoted, without making physical contact with the support glass 12 or the glass film 11. Thereby, it is prevented that a damage | wound etc. generate | occur | produce in the glass film 11 in the case of peeling. After the electronic device 30 with a supporting glass is immersed in water, the peeling of the supporting glass 12 and the glass film 11 may be attempted by applying an ultrasonic wave.
支持ガラス１２からガラスフィルムを剥離する際には、図示しない剥離部材を使用してもよい。剥離部材の形状は、シート状、帯状、板状、短冊状等、厚みが少なく剥離進行方向に幅広な部材を使用することが好ましい。具体的には、剥離部材の厚みが０．０１ｍｍ〜１ｍｍであることが好ましく、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍであることがより好ましい。これにより、界面１４に剥離部材を円滑に挿入することができる。剥離部材の幅は、剥離の対象となる支持ガラス付電子デバイス３０の面積にも依存するが、支持ガラス付電子デバイス３０よりも剥離進行方向において幅広であることが好ましい。 When peeling a glass film from the support glass 12, you may use the peeling member which is not shown in figure. As for the shape of the peeling member, it is preferable to use a member having a small thickness and a wide width in the peeling progress direction, such as a sheet shape, a belt shape, a plate shape, and a strip shape. Specifically, the thickness of the peeling member is preferably 0.01 mm to 1 mm, and more preferably 0.1 mm to 0.5 mm. Thereby, the peeling member can be smoothly inserted into the interface 14. The width of the peeling member depends on the area of the electronic device 30 with supporting glass to be peeled, but is preferably wider in the peeling progress direction than the electronic device 30 with supporting glass.
剥離部材の材質は、剛性を有するアルミニウム、ステンレス等の金属を使用することが可能であるが、可撓性を有するポリエチレンやアクリル等の樹脂フィルムを使用することが好ましく、フッ素樹脂フィルム等の疎水性の樹脂シートであることがより好ましい。 As the material of the peeling member, it is possible to use a rigid metal such as aluminum or stainless steel, but it is preferable to use a flexible resin film such as polyethylene or acrylic, and a hydrophobic film such as a fluororesin film. The resin sheet is more preferable.
支持ガラス１２からガラスフィルム１１を剥離する際には、支持ガラス１２の下面１２ｂに図示しない吸着部材等を使用して支持ガラス１２をガラスフィルム１１から引き剥がすことで、支持ガラス１２を剥離しても良い。 When peeling the glass film 11 from the support glass 12, the support glass 12 is peeled off by peeling the support glass 12 from the glass film 11 using an adsorption member or the like (not shown) on the lower surface 12 b of the support glass 12. Also good.
そして、図４に示すように、剥離工程Ｓ４により、支持ガラス付電子デバイス３０から支持ガラス１２とキャリアガラス４２を剥離することで、最終的に所望の電子デバイス１を製造することができる。 And as shown in FIG. 4, the desired electronic device 1 can finally be manufactured by peeling support glass 12 and carrier glass 42 from the electronic device 30 with support glass by peeling process S4.
本発明は、図１や図４に模式的に示すように、薄膜形成工程Ｓ１、ガラスフィルム積層体作製工程Ｓ２、電子デバイス作製工程Ｓ３（支持ガラス付電子デバイスを作製する工程）、及び剥離工程Ｓ４を連続して行うことができる。また、本発明は、薄膜形成工程Ｓ１から剥離工程Ｓ４までを連続して行う構成には限定されず、例えば、ガラスフィルム積層体作製工程Ｓ２後に製造されたガラスフィルム積層体１０やカバーガラスフィルム積層体４０を梱包、出荷し、別途電子デバイス製造関連処理施設において、電子デバイス作製工程Ｓ３、及び剥離工程Ｓ４を行う構成であっても良い。 As schematically shown in FIGS. 1 and 4, the present invention includes a thin film forming step S1, a glass film laminate manufacturing step S2, an electronic device manufacturing step S3 (a step of manufacturing an electronic device with a supporting glass), and a peeling step. S4 can be performed continuously. Moreover, this invention is not limited to the structure which performs thin film formation process S1 to peeling process S4 continuously, For example, the glass film laminated body 10 manufactured after glass film laminated body production process S2, and cover glass film lamination | stacking The structure which packs and ships the body 40 and performs electronic device production process S3 and peeling process S4 separately in an electronic device manufacture related processing facility may be sufficient.
（実施例１）
支持ガラス、及び、ガラスフィルムとして、日本電気硝子株式会社製の無アルカリガラス（ＯＡ−１０Ｇ、３０〜３８０℃における熱膨張係数：３８×１０−７／℃）を使用した。オーバーフローダウンドロー法にて製造し、未研磨の状態で使用した。支持ガラスとして、縦３７０ｍｍ、横４７０ｍｍ、厚み５００μｍの矩形状の板ガラスを準備した。ガラスフィルムとして、縦３７０ｍｍ、横４７０ｍｍ、厚み１００μｍの矩形状の透明なガラスを準備した。支持ガラス上に、ＺｒＯ２膜を、スパッタリング法により、３０ｎｍ成膜した。スパッタリングの際には、Ａｒをチャンバー内に通常よりも多量に導入することで、チャンバー内の圧力を０．７Ｐａとした。その後、支持ガラスの薄膜上にガラスフィルムを積層して、ガラスフィルム積層体を作製した。作製したガラスフィルム積層体に対して、４００℃、１５分間加熱による熱処理を行った。尚、加熱処理は、ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製電気マッフル炉（ＫＭ−４２０）を使用することにより行った。加熱後のガラスフィルム積層体を目視によって観察したところ、ガラスフィルムと薄膜との界面に平均約直径１０ｍｍの気泡が、複数観察された。
Example 1
Non-alkali glass (OA-10G, thermal expansion coefficient at 30 to 380 ° C .: 38 × 10 −7 / ° C.) manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd. was used as the supporting glass and the glass film. Manufactured by the overflow downdraw method and used in an unpolished state. As the supporting glass, a rectangular plate glass having a length of 370 mm, a width of 470 mm, and a thickness of 500 μm was prepared. A rectangular transparent glass having a length of 370 mm, a width of 470 mm, and a thickness of 100 μm was prepared as a glass film. A ZrO 2 film having a thickness of 30 nm was formed on the supporting glass by a sputtering method. At the time of sputtering, Ar was introduced in a larger amount than usual into the chamber, so that the pressure in the chamber was 0.7 Pa. Then, the glass film was laminated | stacked on the thin film of support glass, and the glass film laminated body was produced. The produced glass film laminate was subjected to heat treatment by heating at 400 ° C. for 15 minutes. The heat treatment was performed by using an electric muffle furnace (KM-420) manufactured by ADVANTEC. When the glass film laminate after heating was visually observed, a plurality of bubbles having an average diameter of about 10 mm were observed at the interface between the glass film and the thin film.
（実施例２）
通常のスパッタリング法で支持ガラス上にＳｉＮ膜を３０ｎｍ成膜した以外は、実施例１と同様にしてガラスフィルム積層体を作製し、実施例１と同様の加熱試験を行った。加熱後の実施例２に係るガラスフィルム積層体を目視によって観察したところ、ガラスフィルムと薄膜との界面に、平均約直径１０ｍｍの気泡が、複数観察された。
(Example 2)
A glass film laminate was produced in the same manner as in Example 1 except that a SiN film having a thickness of 30 nm was formed on a supporting glass by a normal sputtering method, and a heating test similar to that in Example 1 was performed. When the glass film laminate according to Example 2 after heating was visually observed, a plurality of bubbles having an average diameter of about 10 mm were observed at the interface between the glass film and the thin film.
（実施例３）
スピンコート法で支持ガラス上にエチルノナフルオロイソブチルエーテルを１ｎｍ成膜した以外は、実施例１と同様にしてガラスフィルム積層体を作製し、実施例１と同様の加熱試験を行った。加熱後の実施例３に係るガラスフィルム積層体を目視によって観察したところ、ガラスフィルムと薄膜との界面に、平均約直径１０ｍｍの気泡が、複数観察された。
(Example 3)
A glass film laminate was prepared in the same manner as in Example 1 except that 1 nm of ethyl nonafluoroisobutyl ether was formed on a supporting glass by a spin coating method, and the same heat test as in Example 1 was performed. When the glass film laminate according to Example 3 after heating was visually observed, a plurality of bubbles having an average diameter of about 10 mm were observed at the interface between the glass film and the thin film.
（比較例１）
成膜を行わずにガラスフィルムと支持ガラスを直接積層したこと以外は、実施例１と同様にしてガラスフィルム積層体を作製し、実施例１と同様の加熱試験を行った。加熱後の比較例１に係るガラスフィルム積層体を目視によって観察したところ、気泡を確認することはできなかった。
(Comparative Example 1)
A glass film laminate was produced in the same manner as in Example 1 except that the glass film and the supporting glass were directly laminated without forming a film, and the same heating test as in Example 1 was performed. When the glass film laminated body which concerns on the comparative example 1 after a heating was observed visually, a bubble was not able to be confirmed.
本発明は、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイや太陽電池等のデバイスに使用されるガラス基板、及び有機ＥＬ照明のカバーガラスに好適に使用することができる。 The present invention can be suitably used for glass substrates used in flat panel displays such as liquid crystal displays and organic EL displays, devices such as solar cells, and cover glasses for organic EL lighting.
１ 電子デバイス
１０ ガラスフィルム積層体
１１ ガラスフィルム
１２ 支持ガラス
１３ 薄膜
１４ 界面
１５ 気泡
３０ 支持ガラス付電子デバイス
３１ 素子
３２ スペーサ
４０ カバーガラスフィルム積層体
４１ カバーガラスフィルム
４２ キャリアガラス
４３ 薄膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electronic device 10 Glass film laminated body 11 Glass film 12 Support glass 13 Thin film 14 Interface 15 Bubble 30 Electronic device with support glass 31 Element 32 Spacer 40 Cover glass film laminated body 41 Cover glass film 42 Carrier glass 43 Thin film
Claims (11)
前記支持ガラスの前記薄膜上にガラスフィルムを積層してガラスフィルム積層体を作製するガラスフィルム積層体作製工程と、
前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムに加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を行うことで前記ガラスフィルム積層体の前記ガラスフィルム上に素子を形成し、封止基板で前記素子を封止して支持ガラス付電子デバイスを作製する電子デバイス作製工程と、
前記支持ガラス付電子デバイスを、前記電子デバイスと前記支持ガラスとに分離する分離工程と、
を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 A thin film forming step of forming a thin film to release the gas by heating with the inclusion of gas in the chamber at the time of film formation on the surface of the supporting glass,
A glass film laminate producing step of producing a glass film laminate by laminating a glass film on the thin film of the supporting glass;
An element is formed on the glass film of the glass film laminate by performing an electronic device manufacturing related process involving heating on the glass film in the glass film laminate, and the element is sealed and supported by a sealing substrate An electronic device manufacturing process for manufacturing an electronic device with glass;
A separation step of separating the electronic device with supporting glass into the electronic device and the supporting glass;
A method for manufacturing an electronic device, comprising:
前記支持ガラスと前記ガラスフィルムの前記薄膜とが接触するように、前記支持ガラス上に前記ガラスフィルムを積層してガラスフィルム積層体を作製するガラスフィルム積層体作製工程と、
前記ガラスフィルム積層体における前記ガラスフィルムに加熱を伴う電子デバイス製造関連処理を行うことで前記ガラスフィルム積層体の前記ガラスフィルム上に素子を形成し、封止基板で前記素子を封止して支持ガラス付電子デバイスを作製する電子デバイス作製工程と、
前記支持ガラス付電子デバイスを、前記電子デバイスと前記支持ガラスとに分離する分離工程と、
を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 A thin film forming step of forming a thin film to release the gas by heating with the inclusion of gas in the chamber at the time of film formation on the surface of the glass film,
A glass film laminate production step of producing a glass film laminate by laminating the glass film on the support glass so that the support glass and the thin film of the glass film are in contact with each other;
An element is formed on the glass film of the glass film laminate by performing an electronic device manufacturing related process involving heating on the glass film in the glass film laminate, and the element is sealed and supported by a sealing substrate An electronic device manufacturing process for manufacturing an electronic device with glass;
A separation step of separating the electronic device with supporting glass into the electronic device and the supporting glass;
A method for manufacturing an electronic device, comprising:
前記薄膜形成工程において、前記キャリアガラスの表面に成膜時にチャンバー内の気体を含ませることで加熱によって前記気体を放出する薄膜を形成する工程をさらに含み、
前記ガラスフィルム積層体作製工程において、前記キャリアガラスの前記薄膜上に前記カバーガラスフィルムを積層してカバーガラスフィルム積層体を作製する工程をさらに含み、
前記分離工程において、前記キャリアガラスと前記カバーガラスフィルムとを分離する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。 The sealing substrate is a cover glass film laminate in which a cover glass film is laminated on a carrier glass,
In the thin film forming step further includes forming a thin film to release the gas by heating with the inclusion of gas in the chamber at the time of film formation on the surface of the carrier glass,
In the glass film laminate production step, the method further includes a step of producing a cover glass film laminate by laminating the cover glass film on the thin film of the carrier glass,
In the above separation process, a method for fabricating an electronic device according to any one of claims 1 to 8, further comprising the step of separating the cover glass film and the carrier glass.
前記薄膜形成工程において、前記カバーガラスフィルムの表面に成膜時にチャンバー内の気体を含ませることで加熱によって前記気体を放出する薄膜を形成する工程をさらに含み、
前記ガラスフィルム積層体作製工程において、前記キャリアガラスと前記カバーガラスフィルムの前記薄膜とが接触するように、前記キャリアガラス上に前記カバーガラスフィルムを積層してカバーガラスフィルム積層体を作製する工程をさらに含み、
前記分離工程において、前記キャリアガラスと前記カバーガラスフィルムとを分離する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。 The sealing substrate is a cover glass film laminate in which a cover glass film is laminated on a carrier glass,
In the thin film forming step further includes forming a thin film to release the gas by heating with the inclusion of gas in the chamber at the time of film formation on the surface of the cover glass film,
In the glass film laminate production step, a step of producing a cover glass film laminate by laminating the cover glass film on the carrier glass so that the carrier glass and the thin film of the cover glass film are in contact with each other. In addition,
In the above separation process, a method for fabricating an electronic device according to any one of claims 1 to 8, further comprising the step of separating the cover glass film and the carrier glass.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014002901A JP6327437B2 (en) | 2014-01-10 | 2014-01-10 | Manufacturing method of electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014002901A JP6327437B2 (en) | 2014-01-10 | 2014-01-10 | Manufacturing method of electronic device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015133190A JP2015133190A (en) | 2015-07-23 |
| JP6327437B2 true JP6327437B2 (en) | 2018-05-23 |
Family
ID=53900255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014002901A Active JP6327437B2 (en) | 2014-01-10 | 2014-01-10 | Manufacturing method of electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6327437B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102572801B1 (en) * | 2018-03-20 | 2023-08-29 | 코닝 인코포레이티드 | Apparatus of supporting debonding and method for debonding using the same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003066858A (en) * | 2001-08-23 | 2003-03-05 | Sony Corp | Method of manufacturing thin-film device substrate |
| TWI264121B (en) * | 2001-11-30 | 2006-10-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device |
| JP2003246154A (en) * | 2002-02-26 | 2003-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Transfer sheet, method for forming image, and method for preparing ceramic material with image |
| JP2003264076A (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Sharp Corp | Coating solution for forming organic luminous layer, donor film for organic led, manufacturing method of organic led display panel using the same, and organic led display panel |
| JP2005081299A (en) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | Method for forming film, method for forming circuit pattern, method for producing semiconductor device, electro-optical apparatus, and electronic apparatus |
| JP2007015377A (en) * | 2005-06-07 | 2007-01-25 | Fujifilm Holdings Corp | Functional film-containing structure and manufacturing method of functional film |
| JP4438782B2 (en) * | 2006-08-23 | 2010-03-24 | ソニー株式会社 | Display device manufacturing method and display device |
| US7897482B2 (en) * | 2007-05-31 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP5594522B2 (en) * | 2009-07-03 | 2014-09-24 | 日本電気硝子株式会社 | Glass film laminate for manufacturing electronic devices |
-
2014
- 2014-01-10 JP JP2014002901A patent/JP6327437B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015133190A (en) | 2015-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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