JP6319460B2 - 波長可変レーザ装置 - Google Patents
波長可変レーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6319460B2 JP6319460B2 JP2016563501A JP2016563501A JP6319460B2 JP 6319460 B2 JP6319460 B2 JP 6319460B2 JP 2016563501 A JP2016563501 A JP 2016563501A JP 2016563501 A JP2016563501 A JP 2016563501A JP 6319460 B2 JP6319460 B2 JP 6319460B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- substrate
- unit
- optical waveguide
- tunable laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- MXSJNBRAMXILSE-UHFFFAOYSA-N [Si].[P].[B] Chemical compound [Si].[P].[B] MXSJNBRAMXILSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02438—Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens
- H01S5/02446—Cooling being separate from the laser chip cooling
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
- H01S5/142—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon which comprises an additional resonator
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/06—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/15—Function characteristic involving resonance effects, e.g. resonantly enhanced interaction
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/21—Thermal instability, i.e. DC drift, of an optical modulator; Arrangements or methods for the reduction thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/083—Ring lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
Description
本発明は波長可変レーザ装置に関し、特に、半導体光増幅器およびリング共振器型波長可変フィルタによって構成される波長可変レーザ装置に関する。
現在の４０Ｇ／１００Ｇデジタルコヒーレント通信では、変調方式にＤＱＰＳＫ（Differential Quadrature Phase Shift Keying）などの変調方式が適用されている。今後、４００Ｇを実現するにあたり、次世代の変調方式として、１６ＱＡＭ（Quadrature Amplitude Modulation）などの多値変調を適用することが検討されている。
多値変調方式が光源に対して要求する重要性能の一つに、狭線幅がある。狭線幅を実現するための有効な光源の一つに外部共振器型波長可変レーザがある。外部共振器型波長可変レーザは、半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）と外部反射鏡とを用いて共振器を形成し、共振器内に波長可変フィルタを挿入することによって波長を選択して出力する。外部共振器型波長可変レーザは、例えば、特許文献１−３等に開示されている。
特許文献１の波長可変レーザ装置の平面図を図９に示す。特許文献１の波長可変レーザ装置９００は、ＳＯＡ９１０、波長可変部９２０、位相可変部９３０、反射鏡部９４０、第１の光導波路９５１および第２の光導波路９５２によって構成される。
ＳＯＡ９１０はリング共振器型の波長可変部９２０へ光を供給する。
波長可変部９２０は、互いに異なる光路長を有する３つのリング共振器９２１、９２２、９２３が光学的結合手段を介して連結されることによって形成された多重光共振器である。波長可変部９２０は、膜状ヒータ９２４、９２５、９２６によってリング共振器９２１、９２２、９２３の温度をそれぞれ制御することによって、第１の光導波路９５１を通過する光の波長を制御する。
位相可変部９３０は、波長可変部９２０と反射鏡部９４０とを結ぶ第２の光導波路９５２の温度をヒータ９３１を用いて変化させることによって、第２の光導波路９５２を通過する光の位相を制御する。
反射鏡部９４０は、波長可変部９２０および位相可変部９３０を通過してきた光を全反射し、位相可変部９３０および波長可変部９２０へ光を戻す。
上記のように構成された波長可変レーザ装置９００は、ＳＯＡ９１０から出力された光が、波長可変部９２０および位相可変部９３０を通過して反射鏡部９４０で反射されることにより、共振光が生成される。そして、特定の波長光のみがＳＯＡ９１０を透過し、単一軸モード発振が実現される。
特許文献１において、波長可変部９２０と反射鏡部９４０とを結ぶ第２の光導波路９５２の温度を制御することによって第２の光導波路９５２を通過する光の位相を制御する場合、位相制御用の有効長を十分に確保できないため、所望の変化量を得るためにヒータ９３１へ供給する電力を増大させていた。
しかし、ヒータ９３１へ供給する電力を増大させることにより、位相可変部９３０以外の波長可変部９２０やＳＯＡ９１０において不要な温度上昇が発生する。波長可変部９２０において意図しない温度上昇が発生した場合、発振波長が長波長側にシフトする。一方、ＳＯＡ９１０において意図しない温度上昇が発生した場合、光出力強度が低下する。なお、上記のような意図しない温度上昇に伴う特性変化を熱干渉と言う。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、熱干渉を抑制しつつ高精度な位相制御を実現でき、所望波長の発振光を安定的に出力できる波長可変レーザ装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明に係る波長可変レーザ装置は、光増幅手段と反射手段との間で光を伝搬させる光導波路と、前記反射手段との間で光を入出力させる無反射面および所定波長以外の光を反射すると共に前記所定波長の光を放出する低反射面を備えた光増幅手段と、前記光導波路を伝搬している光の波長を制御する波長制御手段と、加熱手段から放出された熱を用いて前記光導波路を伝搬している光の位相を制御する位相制御手段と、前記波長制御手段および位相制御手段を通過してきた光を、前記波長制御手段および位相制御手段へ戻す反射手段と、前記加熱手段から放出された熱が前記位相制御手段が配置された領域以外の領域へ伝熱されることを抑制する放熱手段と、を備える。
上述した本発明の態様によれば、熱干渉を抑制しつつ高精度な位相制御を実現でき、所望波長の発振光を安定的に出力できる波長可変レーザ装置を提供することができる。
＜第１の実施形態＞
本発明に係る第１の実施形態について説明する。本実施形態に係る波長可変レーザ装置のブロック構成図を図１に示す。図１において、波長可変レーザ装置１０は、光導波路２０、光増幅手段３０、波長制御手段４０、位相制御手段５０、反射手段６０および放熱手段７０を備える。
本発明に係る第１の実施形態について説明する。本実施形態に係る波長可変レーザ装置のブロック構成図を図１に示す。図１において、波長可変レーザ装置１０は、光導波路２０、光増幅手段３０、波長制御手段４０、位相制御手段５０、反射手段６０および放熱手段７０を備える。
光導波路２０は、光増幅手段３０と反射手段６０との間で光を伝搬させる。
光増幅手段３０は、反射手段６０との間で光を入出力させる無反射面３１、および、所定波長以外の光を反射すると共に所定波長の光を放出する低反射面３２を備え、波長制御手段４０および位相制御手段５０へ光を供給する。光増幅手段３０から供給された光は、波長制御手段４０および位相制御手段５０を通過して反射手段６０へ入力され、反射手段６０において反射された後、波長制御手段４０および位相制御手段５０を再び通過して光増幅手段３０に入力し、低反射面３２において反射される。そして、波長制御手段４０において制御された所定の波長の光のみ、低反射面３２からレーザ発振光として外部へ出力される。
波長制御手段４０は、光導波路２０を伝搬している光の波長を制御する。
位相制御手段５０は、加熱手段５１を備え、加熱手段５１から放出された熱を用いて光導波路２０を伝搬している光の位相を制御する。
反射手段６０は、波長制御手段４０および位相制御手段５０を通過してきた光を、波長制御手段４０および位相制御手段５０へ戻す。上述のように、光増幅手段３０から供給された光は、光増幅手段３０の低反射面３２と反射手段６０との間を往復する。
放熱手段７０は、位相制御手段５０の加熱手段５１から放出された熱が、位相制御手段５０以外の領域に伝熱されることを抑制する。放熱手段７０は、例えば、波長制御手段４０または位相制御手段５０の下方に配置された放熱部材７１によって構成することができる。具体的には、放熱手段７０は、光導波路２０、波長制御手段４０および位相制御手段５０が同一基板上に形成され、該基板が台座を用いて図示しない板状部材上に配置されている場合、基板と板状部材との間に配置された放熱部材７１によって構成される。すなわち、加熱手段５１から放出された熱は放熱部材７１を介して板状部材に放熱され、加熱手段５１から放出された熱が波長制御手段４０等へ伝熱されて波長制御手段４０等において熱干渉が発生することが抑制される。
以上のように、本実施形態に係る波長可変レーザ装置１０は、放熱手段７０によって、加熱手段５１から放出された熱が位相制御手段５０以外の領域へ伝熱されることが抑制される、従って、本実施形態に係る波長可変レーザ装置１０は、熱干渉を抑制しつつ高精度な位相制御を実現でき、所望波長の発振光を安定的に出力できる。
ここで、放熱部材７１は、加熱手段５１から放出された熱が波長制御手段４０へ伝熱されることを抑制できればよく、配置される位置、形状等は様々に設計することができる。例えば、放熱手段７０によって加熱手段５１から放出された熱を積極的に板状部材へ放熱したい場合、放熱部材７１を基板と接する高さに形成し、板状部材上の加熱手段５１の直下に配置することが望ましい。一方、放熱手段７０が基板と接することによって光導波路２０に応力歪が発生することを避けたい場合は、放熱部材７１を基板とは接しない高さに形成する。さらに、位相制御手段５０において加熱手段５１によって効率よく光導波路２０を加熱したい場合は、放熱部材７１を加熱手段５１の直下に配置する代わりに、板状部材上の熱干渉を生じさせたくない領域（例えば、波長制御手段４０の周囲）の下方に配置する。
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態について説明する。本実施形態に係る波長可変レーザ装置の平面図を図２に、図２のＡ−Ａ’線における断面図を図３に示す。図２において、波長可変レーザ装置１０００は、基板１００、半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）２００、外部共振器３００および放熱構造８００によって構成される。
第２の実施形態について説明する。本実施形態に係る波長可変レーザ装置の平面図を図２に、図２のＡ−Ａ’線における断面図を図３に示す。図２において、波長可変レーザ装置１０００は、基板１００、半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）２００、外部共振器３００および放熱構造８００によって構成される。
基板１００の上面に、複数の台座１１０、１２０を介して、ＳＯＡ２００および外部共振器３００がそれぞれ固定されている。さらに、基板１００の上面の所定の領域に放熱構造８００が配置される。本実施形態においては、基板１００の上面のヒータ６１０の下方に、放熱構造８００が配置される。なお、本実施形態に係る基板１００は、請求項の板状部材に含まれる。
ＳＯＡ２００は、外部共振器３００へ光を供給する。ＳＯＡ２００は、一方の面に無反射コーティングが、他方の面に低反射コーティングが施され、無反射コーティング面は、外部共振器３００に形成された第１の光導波路４１０に結合されている。ＳＯＡ２００から外部共振器３００へ出力された光は、外部共振器３００の波長制御部５００および位相制御部６００を通過した後、反射鏡部７００によって折り返され、再び位相制御部６００および波長制御部５００を通過してＳＯＡ２００へ出力される。そして、ＳＯＡ２００の低反射コーティングと反射鏡部７００との間で、レーザ共振器が構成される。レーザ発振された発振光は、波長制御部５００および位相制御部６００における制御によって特定の波長の発振光のみがＳＯＡ２００の低反射コーティング面から出力される。
外部共振器３００は、シリコン基板３１０、第１の光導波路４１０、第２の光導波路４２０、波長制御部５００、位相制御部６００および反射鏡部７００を備え、リング共振器型波長可変フィルタとして機能する。外部共振器３００は、シリコン基板３１０上に酸化膜を成膜し、コア部分の屈折率を高めることで、埋め込み型の光導波路を形成した構造体である。この埋め込み型の光導波路によって、第１の光導波路４１０、第２の光導波路４２０、波長制御部５００、位相制御部６００および反射鏡部７００が形成される。
第１の光導波路４１０は、ＳＯＡ２００と波長制御部５００との間で光を入出力させる。第２の光導波路４２０は、位相制御部６００を介して波長制御部５００と反射鏡部７００との間で光を入出力させる。
波長制御部５００は、光路長の異なる２つのリング共振器５１０、５２０が連結された多重リング共振器によって構成される。リング共振器５１０、５２０の光導波路上には薄膜ヒータ５３０、５４０がそれぞれ配置され、リング共振器５１０、５２０の光導波路の温度を変えることによって、波長制御部５００を通過する光の波長を制御する。リング共振器５１０、５２０は、光路長が互いに僅かに異なり、リング共振器５１０、５２０が共振する時のみ、共振波長の光を合波および分波し、バーニア効果によって大きなＦＳＲ（Free Spectral Range：自由スペクトル間隔）を得る。
ここで、バーニア効果とは、光路長が異なる複数の共振器を組み合わせると、ピーク周期のずれた各共振器の共振周波数が、それらの最小公倍数の周波数で重なる現象である。複数の共振器を組み合わせた多重光共振器は、このバーニア効果を利用することで、見かけ上ＦＳＲが各共振器の共振周波数の最小公倍数の周波数となるように機能する。これにより、単一の共振器よりも広い範囲で周波数特性（波長）を制御することができる。
位相制御部６００は、ヒータ６１０を備える。位相制御部６００は、位相制御部６００領域内に位置する第２の光導波路４２０の温度をヒータ６１０により変化させることによって、第２の光導波路４２０の屈折率および物理長を変化させ、第２の光導波路４２０を通過する光の位相を制御する。ここで、ヒータ６１０は、ＴｉおよびＰｔを蒸着する等によって形成することができる。
反射鏡部７００は、波長制御部５００および位相制御部６００を通過してきた光を全反射し、位相制御部６００および波長制御部５００へ光を戻す。
放熱構造８００は、位相制御部６００のヒータ６１０から放出された熱を基板１００へ逃がす。本実施形態に係る放熱構造８００は、基板１００の上面の、ヒータ６１０の下方に配置される。放熱構造８００は、図３に示すように、基板１００の上面から外部共振器３００のシリコン基板３１０に達する高さに形成され、ヒータ６１０の面積より大きな面積を有する。
放熱構造８００が配置されない場合、すなわち、ヒータ６１０の下方が空間である場合、ヒータ６１０から放出された熱は空気中に留まり、隣接する波長制御部５００等へ回り込み、熱干渉が発生する。これに対して、ヒータ６１０の下方に放熱構造８００を配置することにより、ヒータ６１０から放出された熱は放熱構造８００を介して基板１００側へ逃げる。これにより、隣接する波長制御部５００へ熱が回り込むことが抑制され、熱干渉の発生が抑制される。
例えば、放熱構造８００の高さが外部共振器３００の厚みと同じである場合、外部共振器３００内への拡散と放熱構造８００への拡散とが同程度になり、波長制御部５００等へ回り込む熱は、放熱構造８００が配置されていない場合と比較して略半分になる。
上記のように構成された波長可変レーザ装置１０００において、ＳＯＡ２００から出力された光は、ＳＯＡ２００→第１の光導波路４１０→波長制御部５００→第２の光導波路４２０→位相制御部６００→第２の光導波路４２０→反射鏡部７００→第２の光導波路４２０→位相制御部６００→第２の光導波路４２０→波長制御部５００→第１の光導波路４１０→ＳＯＡ２００、という経路を通って戻ってくる。この戻り光は、波長制御部５００の多重リング共振器の共振波長であるとき、最も強くなる。そして、ＳＯＡ２００へ入力した戻り光（発振光）は、ＳＯＡ２００の低反射コーティング面からレーザ発振光として出力される。
以上のように、本実施形態に係る波長可変レーザ装置１０００は、ヒータ６１０の下方に放熱構造８００が配置されていることから、ヒータ６１０から放出された熱は外部共振器３００の周囲に留まることなく、放熱構造８００を介して基板１００へ放出される。従って、本実施形態に係る波長可変レーザ装置１０００は、熱干渉を抑制しつつ高精度な位相制御を実現でき、所望波長の発振光を安定的に出力できる。
ここで、放熱構造８００が外部共振器３００のシリコン基板３１０と接することによって第１の光導波路４１０および第２の光導波路４２０等に応力歪が発生することを避けたい場合には、放熱構造８００を外部共振器３００のシリコン基板３１０に接しないギリギリの高さに形成すれば良い。この場合の波長可変レーザ装置１０００Ｂの断面図を図４に示す。図４の放熱構造８００Ｂは、図３の放熱構造８００と比較して放熱機能はやや劣化するものの、ヒータ６１０から放出された熱はシリコン基板３１０の下方に留まることなく、放熱構造８００Ｂを伝熱して基板１００へ放熱される。
従って、図４の波長可変レーザ装置１０００Ｂは、光導波路４１０、４２０において応力歪が発生すること、および、波長制御部５００等において熱干渉が発生することを抑制しつつ、高精度な位相制御を実現できる。
なお、放熱構造８００、８００Ｂは、製造コストを抑制する上で、台座１２０を形成するのと同時に基板１００上に形成されることが望ましい。図４の放熱構造８００Ｂの製造工程を図５A〜図５Ｄに沿って簡単に説明する。
例えば、放熱構造８００Ｂとシリコン基板３１０との間に隙間Ｌを設けたい場合、基板１００の上面に厚さＬのゲタ層αを成膜する（図５A）。ゲタ層αは、例えば、基板１００の表面を熱酸化することによって形成することができる。その後、台座１２０となる領域をマスキングし、それ以外の領域に形成されたゲタ層αを削除する（図５Ｂ）。
次に、外部共振器３００を保持する高さまで、台座１２０および放熱構造８００Ｂの元となる膜βを成膜する（図５Ｃ）。台座１２０および放熱構造８００Ｂの材料として、例えば、ＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon Glass）を用いることができる。そして、台座１２０および放熱構造８００Ｂとなる領域をマスキングし、それ以外の領域に形成された膜（ＢＰＳＧ）βを削除する（図５Ｄ）。これにより、台座１２０と、シリコン基板３１０との間に隙間Ｌが形成される放熱構造８００Ｂと、が同時に形成される。
上記のように形成された台座１２０および放熱構造８００Ｂの上に外部共振器３００を配置することにより、外部共振器３００が所望の高さに保持されると共に、隙間Ｌが形成された状態でヒータ６１０の下方に放熱構造８００Ｂが配置される。なお、図５Ａおよび図５Ｂの工程を省略することにより、図３の放熱構造８００が形成される。
＜第３の実施形態＞
第３の実施形態について説明する。本実施形態に係る波長可変レーザ装置の平面図を図６に示す。第２の実施形態で説明した図２の波長可変レーザ装置１０００においては、放熱構造８００を基板１００の上面のヒータ６１０の下方に配置したが、本実施形態に係る波長可変レーザ装置１０００Ｃにおいては、放熱構造８００Ｃを、基板１００の上面の波長制御部５００の下方に配置する。すなわち、本実施形態においては、ヒータ６１０の下方は空間のままとし、熱干渉を抑制したい波長制御部５００の下方に放熱構造８００Ｃを配置する。
第３の実施形態について説明する。本実施形態に係る波長可変レーザ装置の平面図を図６に示す。第２の実施形態で説明した図２の波長可変レーザ装置１０００においては、放熱構造８００を基板１００の上面のヒータ６１０の下方に配置したが、本実施形態に係る波長可変レーザ装置１０００Ｃにおいては、放熱構造８００Ｃを、基板１００の上面の波長制御部５００の下方に配置する。すなわち、本実施形態においては、ヒータ６１０の下方は空間のままとし、熱干渉を抑制したい波長制御部５００の下方に放熱構造８００Ｃを配置する。
ヒータ６１０の下方は空間のままとすることにより、ヒータ６１０から放出された熱は空気中に留まる。これにより、ヒータ６１０へ供給する電力を増大させることなく、位相制御部６００領域内に位置する第２の光導波路４２０の温度を効率よく制御でき、第２の光導波路４２０を通過する光の位相を精度よく変化させることができる。
そして、ヒータ６１０の下方から波長制御部５００側へ流れ込んだ熱は、波長制御部５００の下方で留まることなく、放熱構造８００Ｃを介して基板１００へ放熱される。これにより波長制御部５００において熱干渉が発生することが抑制される。
以上のように、ヒータ６１０の下方は空間のままとし、放熱構造８００Ｃを基板１００の上面の波長制御部５００の下方に配置することにより、ヒータ６１０へ供給する電力を増大させることなく、第２の光導波路４２０を通過する光の位相を精度よく制御できると共に、波長制御部５００において熱干渉が発生することを抑制できる。
なお、放熱構造８００Ｃは、外部共振器３００のシリコン基板３１０と接する高さに形成することもできるし、シリコン基板３１０にギリギリ接しない高さに形成することもできる。
＜第４の実施形態＞
第４の実施形態について説明する。本実施形態に係る波長可変レーザ装置の平面図を図７に、図７のＢ−Ｂ’線における断面図を図８に示す。図７の波長可変レーザ装置１０００Ｄは、ヒータ６１０Ｂによって温度制御される第２の光導波路４２０Ｂの長さを長くすることで、第２の光導波路４２０Ｂの温度を大きく変化させ、第２の光導波路４２０Ｂを通過する光の位相変化を大きくする。
第４の実施形態について説明する。本実施形態に係る波長可変レーザ装置の平面図を図７に、図７のＢ−Ｂ’線における断面図を図８に示す。図７の波長可変レーザ装置１０００Ｄは、ヒータ６１０Ｂによって温度制御される第２の光導波路４２０Ｂの長さを長くすることで、第２の光導波路４２０Ｂの温度を大きく変化させ、第２の光導波路４２０Ｂを通過する光の位相変化を大きくする。
図７において、波長可変レーザ装置１０００Ｄは、基板１００、ＳＯＡ２００、外部共振器３００Ｂおよび放熱構造８００Ｄによって構成される。また、外部共振器３００Ｂは、シリコン基板３１０Ｂ、第１の光導波路４１０、第２の光導波路４２０Ｂ、波長制御部５００、位相制御部６００Ｂおよび反射鏡部７００によって構成される。基板１００、ＳＯＡ２００、シリコン基板３１０Ｂ、第１の光導波路４１０、波長制御部５００および反射鏡部７００は、第２の実施形態で説明した図２のそれらと同様に構成される。
位相制御部６００Ｂは、反射鏡部７００と縦列に配置され、該縦列方向に長く形成された長尺のヒータ６１０Ｂを備える。長尺のヒータ６１０Ｂを用いることにより、ヒータ６１０Ｂによって温度制御される第２の光導波路４２０Ｂの長さが長くなり、第２の光導波路４２０Ｂを通過する光の位相を大きく変化させることができる。さらに、本実施形態においては、第２の光導波路４２０Ｂを位相制御部６００Ｂ内において折り返し、温度制御される範囲を大きくした。
放熱構造８００Ｄは、基板１００の上面から外部共振器３００Ｂのシリコン基板３１０Ｂに達しないぎりぎりの高さに形成され、さらに、後述する温度制御空間６２０Ｂを内包する大きさに形成される。
ここで、図８に示すように、ヒータ６１０Ｂから放出された熱は、一般的に、ヒータ６１０Ｂの垂線方向から−４５°〜＋４５°の空間内に熱拡散される。以下、この空間を温度制御空間６２０Ｂと記載する。温度制御空間６２０Ｂ内は、ヒータ６１０Ｂによって一定の温度に制御されることが知られている。
従って、温度制御空間６２０Ｂ内において第２の光導波路４２０Ｂが折り返されることにより、温度制御される第２の光導波路４２０Ｂの導波路長が長くなり、第２の光導波路４２０Ｂを通過する光の位相を大きく変化させることができる。
一方、基板１００上において、温度制御空間６２０Ｂを内包する大きさに放熱構造８００Ｄを形成することにより、ヒータ６１０Ｂから放出された熱を十分に基板１００側に放熱させることができる。
以上のように、本実施形態に係る波長可変レーザ装置１０００Ｄは、長尺のヒータ６１０Ｂを配置すると共に、温度制御空間６２０Ｂ内において第２の光導波路４２０Ｂを折り返すことによって温度制御される導波路長を長くし、さらに、温度制御空間６２０Ｂを内包するように放熱構造８００Ｄを配置した。この場合、第２および第３の実施形態に係る位相制御部６００と比較してヒータ６１０Ｂへ供給する電力は大きくなるものの、第２の光導波路４２０Ｂを通過する光の位相を大きく変化させることができると共に、熱が波長制御部５００等にまわり込んで熱干渉が発生することを抑制できる。
従って、本実施形態に係る波長可変レーザ装置１０００Ｄは、波長制御部５００等において熱干渉が発生することを抑制しつつ、位相制御部６００Ｂにおける位相制御の精度をさらに高めることができる。
なお、本実施形態においては、第２の光導波路４２０Ｂを温度制御空間６２０Ｂ内で１往復させた例を示したが、ヒータ６１０Ｂの寸法やヒータ６１０Ｂと第２の光導波路４２０Ｂとの距離を適切に設計することにより、第２の光導波路４２０Ｂを温度制御空間６２０Ｂ内で１．５往復以上させる構造とすることもできる。
また、本実施形態においては、放熱構造８００Ｃの高さを外部共振器３００Ｂのシリコン基板３１０Ｂにギリギリ接しない高さに形成したが、放熱構造８００Ｃの高さを外部共振器３００Ｂのシリコン基板３１０Ｂと接する高さに形成することもできる。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。
本願発明は、半導体光増幅器およびリング共振器型波長可変フィルタによって構成される波長可変レーザ装置に広く適用することができる。
この出願は、２０１４年１２月１２日に出願された日本出願特願２０１４−２５１４５７を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
１０ 波長可変レーザ装置
２０ 光導波路
３０ 光増幅手段
４０ 波長制御手段
５０ 位相制御手段
６０ 反射手段
７０ 放熱手段
１００ 基板
１１０、１２０ 台座
２００ ＳＯＡ
３００ 外部共振器
４１０ 第１の光導波路
４２０、４２０Ｂ 第２の光導波路
５００ 波長制御部
５１０、５２０ リング共振器
５３０、５４０ 薄膜ヒータ
６００、６００Ｂ 位相制御部
６１０、６１０Ｂ ヒータ
６２０Ｂ 温度制御空間
７００ 反射鏡部
８００、８００Ｂ、８００Ｃ、８００Ｄ 放熱構造
９００ 波長可変レーザ装置
９１０ ＳＯＡ
９２０ 波長可変部
９３０ 位相可変部
９４０ 反射鏡部
９５１ 第１の光導波路
９５２ 第２の光導波路
１０００、１０００Ｂ、１０００Ｃ、１０００Ｄ 波長可変レーザ装置
２０ 光導波路
３０ 光増幅手段
４０ 波長制御手段
５０ 位相制御手段
６０ 反射手段
７０ 放熱手段
１００ 基板
１１０、１２０ 台座
２００ ＳＯＡ
３００ 外部共振器
４１０ 第１の光導波路
４２０、４２０Ｂ 第２の光導波路
５００ 波長制御部
５１０、５２０ リング共振器
５３０、５４０ 薄膜ヒータ
６００、６００Ｂ 位相制御部
６１０、６１０Ｂ ヒータ
６２０Ｂ 温度制御空間
７００ 反射鏡部
８００、８００Ｂ、８００Ｃ、８００Ｄ 放熱構造
９００ 波長可変レーザ装置
９１０ ＳＯＡ
９２０ 波長可変部
９３０ 位相可変部
９４０ 反射鏡部
９５１ 第１の光導波路
９５２ 第２の光導波路
１０００、１０００Ｂ、１０００Ｃ、１０００Ｄ 波長可変レーザ装置
Claims (7)
- 薄膜が形成された基板に形成され、光導波路を伝搬している光の波長を制御する波長制御手段と、
前記基板に形成され、加熱手段から放出された熱を用いて前記光導波路を伝搬している光の位相を制御する位相制御手段と、
前記波長制御手段及び前記位相制御手段により、波長及び位相を制御された光を、反射する反射手段と、
前記光導波路に接続され、所定波長以外の光を反射すると共に所定波長の光を放出する反射面を備えた光増幅手段と、
前記基板と接触せず、且つ、前記基板と熱的に接続されることにより前記加熱手段から放出された熱を放熱する放熱手段と
を備えた波長可変レーザ装置。 - 前記放熱手段と前記基板との距離は、前記加熱手段から放出された熱が前記基板の前記放熱手段側に留まらず前記放熱手段に伝熱される距離である請求項１に記載の波長可変レーザ装置。
- 前記基板は台座を介して板状部材上に配置され、前記放熱手段は、前記加熱手段から放出された熱を前記板状部材へ伝熱させる請求項１に記載の波長可変レーザ装置。
- 前記光導波路は、前記加熱手段の温度制御空間内において折り返される、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の波長可変レーザ装置。
- 前記基板と前記放熱手段とは空気を介して熱的に接続される請求項１ないし４のいずれか一に記載の波長可変レーザ装置。
- 板状部材上に台座を介して、少なくとも、光導波路を伝搬している光の波長を制御する波長制御手段、及び、加熱手段から放出された熱を用いて前記光導波路を伝搬している光の位相を制御する位相制御手段が配置される基板を形成する波長可変レーザ装置の製造方法であって、
前記板状部材の前記台座を形成する箇所に絶縁膜を形成し、
前記板状部材上に前記台座、及び、前記加熱手段から放出された熱が前記位相制御手段が配置された領域以外の領域へ伝熱されることを抑制する放熱手段の元となる膜を形成し、
前記台座及び放熱手段の箇所以外の前記元となる膜を除去し、前記絶縁膜と前記元となる膜の厚さの差が、前記放熱手段が前記基板とは接しないが熱的に接続される距離である波長可変レーザ装置の製造方法。 - 前記基板上には前記波長制御手段及び前記位相制御手段に加えて、光増幅手段と反射手段との間で光を伝搬させる前記光導波路、前記加熱手段、前記波長制御手段および位相制御手段を通過してきた光を、前記波長制御手段および位相制御手段へ戻す反射手段、が配置されている請求項６に記載の波長可変レーザ装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014251457 | 2014-12-12 | ||
| JP2014251457 | 2014-12-12 | ||
| PCT/JP2015/006078 WO2016092810A1 (ja) | 2014-12-12 | 2015-12-08 | 波長可変レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2016092810A1 JPWO2016092810A1 (ja) | 2017-08-17 |
| JP6319460B2 true JP6319460B2 (ja) | 2018-05-09 |
Family
ID=56107030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016563501A Active JP6319460B2 (ja) | 2014-12-12 | 2015-12-08 | 波長可変レーザ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10069277B2 (ja) |
| JP (1) | JP6319460B2 (ja) |
| CN (1) | CN107005026A (ja) |
| WO (1) | WO2016092810A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10090645B2 (en) * | 2016-06-23 | 2018-10-02 | Oracle International Corporation | Integrated laser with DBR-MRR mirror and multiple drop ports that provide balanced power |
| JP7035730B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-03-15 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
| KR20210150225A (ko) * | 2020-06-03 | 2021-12-10 | 삼성전자주식회사 | 파장 가변 레이저 광원 및 이를 포함하는 광 조향 장치 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6455930B1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-09-24 | Lamina Ceramics, Inc. | Integrated heat sinking packages using low temperature co-fired ceramic metal circuit board technology |
| US6594288B1 (en) * | 2000-11-06 | 2003-07-15 | Cidra Corporation | Tunable raman laser and amplifier |
| US6910812B2 (en) * | 2001-05-15 | 2005-06-28 | Peregrine Semiconductor Corporation | Small-scale optoelectronic package |
| US7023886B2 (en) * | 2001-11-08 | 2006-04-04 | Intel Corporation | Wavelength tunable optical components |
| JP2003215369A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Fdk Corp | 熱光学光導波路デバイス |
| JP2003228031A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Nec Corp | 光回路部品 |
| EP1349243B1 (en) * | 2002-03-29 | 2008-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device, method of manufacturing the same, optical module, optical transmission system |
| JP4104925B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2008-06-18 | 三菱電機株式会社 | 波長可変半導体レーザの波長制御装置 |
| US6974260B2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-12-13 | Emcore Corporation | Flexible substrate for routing fibers in an optical transceiver |
| JP2005159104A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Sony Corp | レーザ・システム |
| US7250611B2 (en) * | 2003-12-02 | 2007-07-31 | 3M Innovative Properties Company | LED curing apparatus and method |
| US7313157B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-12-25 | Novera Optics, Inc. | Integration of laser sources and detectors for a passive optical network |
| US7447246B2 (en) * | 2004-10-27 | 2008-11-04 | Jian-Jun He | Q-modulated semiconductor laser |
| US20060251425A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-11-09 | K2 Optronics | Suppression of fiber-induced noise caused by narrow linewidth lasers |
| JP2006278770A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Nec Corp | 波長可変レーザ |
| US8351472B2 (en) | 2006-05-01 | 2013-01-08 | Anritsu Corporation | Semiconductor light emitting element and tunable wavelength laser light source |
| JP2008060445A (ja) | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nec Corp | 発光素子 |
| JP4905854B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2012-03-28 | 日本電気株式会社 | 直接変調波長可変レーザ |
| JPWO2009119284A1 (ja) * | 2008-03-26 | 2011-07-21 | 日本電気株式会社 | 波長可変レーザ装置並びにその制御方法及び制御プログラム |
| KR101276338B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2013-06-18 | 한국전자통신연구원 | 파장 가변 광원 |
| US20110198570A1 (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Research Triangle Institute | Self assembled nano dots (sand) and non-self assembled nano-dots (nsand) device structures and fabrication methods thereof to create spacers for energy transfer |
| DE102010003227A1 (de) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | Universität Stuttgart Institut für Strahlwerkzeuge | Lasersystem |
| US20120189025A1 (en) * | 2010-11-23 | 2012-07-26 | Oracle International Corporation | Monolithic laser source using ring-resonator reflectors |
| JP2013045054A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Ushio Inc | レーザ光源装置、及び、レーザ光源装置における波長変換素子の温度制御方法 |
| WO2013152362A1 (en) * | 2012-04-07 | 2013-10-10 | Axlen, Inc. | High flux high brightness led lighting devices |
-
2015
- 2015-12-08 US US15/533,885 patent/US10069277B2/en active Active
- 2015-12-08 WO PCT/JP2015/006078 patent/WO2016092810A1/ja active Application Filing
- 2015-12-08 CN CN201580067557.XA patent/CN107005026A/zh active Pending
- 2015-12-08 JP JP2016563501A patent/JP6319460B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2016092810A1 (ja) | 2017-08-17 |
| CN107005026A (zh) | 2017-08-01 |
| WO2016092810A1 (ja) | 2016-06-16 |
| US20170353007A1 (en) | 2017-12-07 |
| US10069277B2 (en) | 2018-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4945907B2 (ja) | 波長可変レーザ | |
| JP5052668B2 (ja) | レーザ光源モジュール | |
| JP5050548B2 (ja) | 光モジュール | |
| US9261716B2 (en) | Optical semiconductor device and optical semiconductor device control method | |
| JPWO2013114577A1 (ja) | レーザ素子 | |
| US8670470B2 (en) | Tunable Laser | |
| JP2019503080A (ja) | デュアルリングレーザの波長制御 | |
| WO2015107366A2 (en) | Tunable soi laser | |
| JP6319460B2 (ja) | 波長可変レーザ装置 | |
| AU2007200931A1 (en) | Variable light controlling device and variable light controlling method | |
| JP2017528008A (ja) | ＴＨｚ生成のための二重周波数垂直外部キャビティ面発光レーザデバイスおよびＴＨｚを生成する方法 | |
| JP6265895B2 (ja) | 光素子モジュール | |
| JP2011507263A (ja) | 波長可変半導体レーザー装置 | |
| JP2015111644A (ja) | 波長可変レーザの制御方法 | |
| JP5830398B2 (ja) | レーザモジュール | |
| JP2015050284A (ja) | 波長可変レーザの制御方法 | |
| Hassan et al. | High-power, quasi-single-mode vertical-cavity surface-emitting laser with near-diffraction-limited and low-divergence beam | |
| JP2015060944A (ja) | 波長制御フィルタおよび波長可変レーザ | |
| US9647424B2 (en) | Single mode reflector using a nanobeam cavity | |
| JP6319883B2 (ja) | 波長フィルタおよびレーザ | |
| WO2009051267A1 (ja) | 波長可変光源 | |
| JP2014142422A (ja) | レーザ光源装置 | |
| WO2016117457A1 (ja) | 平面導波路型レーザ装置 | |
| TWI363508B (en) | Widely tunable chirp managed laser | |
| RU135193U1 (ru) | Одночастотный перестраиваемый полупроводниковый лазер |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171121 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180112 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180306 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180319 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6319460 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |