JP4492054B2

JP4492054B2 - Reclaimed wafer reclaim processing method and reclaimed wafer

Info

Publication number: JP4492054B2
Application number: JP2003209167A
Authority: JP
Inventors: 悦郎森田; 真司大川; 五十六小野
Original assignee: Sumco Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2003-08-28
Filing date: 2003-08-28
Publication date: 2010-06-30
Anticipated expiration: 2023-08-28
Also published as: JP2005072071A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオンを注入した半導体ウェーハを支持ウェーハに重ね合せて積層体を形成し、この積層体を熱処理してイオン注入領域で半導体ウェーハの薄膜から分離された厚肉の剥離ウェーハを再生処理する方法と、この方法で再生されたウェーハに関する。更に詳しくはＳＯＩ(Silicon On Insulator)ウェーハ等の結合ウェーハを製造する、いわゆるイオン注入剥離法において、２回以上副生される剥離ウェーハの再生処理方法及び再生されたウェーハに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の剥離ウェーハの再生処理方法として、剥離ウェーハの少なくとも面取り部のイオン注入層を除去した後に、剥離した側のウェーハの主面を研磨する剥離ウェーハの再生処理方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この再生処理方法によれば、剥離ウェーハを、ベースウェーハである支持ウェーハ、通常のシリコン鏡面ウェーハ又はボンドウェーハである半導体ウェーハとして用いることができる。そして剥離ウェーハを支持ウェーハ（ベースウェーハ）又は半導体ウェーハ（ボンドウェーハ）として再利用する場合には、最初の半導体ウェーハの厚さを大きくしておけば、２回以上繰返して再利用することができる。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−１５５９７８号公報（請求項１、段落番号００１９）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、２回以上剥離ウェーハを再利用する場合に、剥離毎に剥離ウェーハを両面研磨することは、再生コストを押上げる問題がある。
本発明の目的は、２回以上剥離ウェーハを再利用する場合に、再生コストを低減し得る剥離ウェーハの再生処理方法及び再生されたウェーハを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、図１及び図２に示すように、(A) ボンドウェーハとしての半導体ウェーハ１３の第１主面にイオンを注入して半導体ウェーハ１３内部にイオン注入領域１３ｂを形成する工程と、(B) 半導体ウェーハ１３の第１主面をベースウェーハとしての第１支持ウェーハ１４の主面に重ね合せて第１積層体１６を形成する工程と、(C) 第１積層体１６を所定の温度で熱処理して半導体ウェーハ１３をイオン注入領域１３ｂで薄膜１７から分離することにより厚肉の第１剥離ウェーハ１２を得る工程と、(D) 分離面１２ａと反対側の第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃにイオンを注入して第１剥離ウェーハ１２内部にイオン注入領域２３ｂを形成する工程と、(E) 第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを第１支持ウェーハ１４とは別のベースウェーハとしての第２支持ウェーハ２４の主面に重ね合せて第２積層体２６を形成する工程と、(F) 第２積層体２６を所定の温度で熱処理して第１剥離ウェーハ１２をイオン注入領域２３ｂで薄膜２７から分離することにより厚肉の第２剥離ウェーハ２２を得る工程と、(G) この第２剥離ウェーハ２２の両面を研磨して再生ウェーハ３２を得る工程とをこの順に含み、工程(C)で得られた第１剥離ウェーハ１２の分離面１２ａがその外周縁にリング状段差１２ｂを有し、工程(F)で得られた第２剥離ウェーハ２２の分離面２２ａがその外周縁にリング状段差２２ｂを有し、工程(G)の第２剥離ウェーハ２２の両面研磨により、第１及び第２主面のリング状段差１２ｂ及び２２ｂを同時に除去することを特徴とする。
この請求項１に記載された剥離ウエーハの再生処理方法では、半導体ウェーハ１３を表裏１回ずつ、計２回剥離して第１剥離ウェーハ１２，第２剥離ウェーハ２２にした後で、ウェーハ２２の両分離面１２ａ及び２２ａに形成されたリング状段差１２ｂ及び２２ｂを１回で除去することができ、再生コストを低減することができる。
【０００６】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、図２に示すように、工程(G)で両面研磨された再生ウェーハ３２を工程(B)の第１支持ウェーハ１４又は工程(A)の半導体ウェーハ１３に用いることを特徴とする。
この請求項２に記載された剥離ウエーハの再生処理方法では、両面研磨のキャリアプレートを調整すれば、再生ウェーハ３２を更に２回以上再利用することができる。
【０００７】
請求項３に係る発明は、請求項１に係る発明であって、(H) 分離面１２ａと反対側の第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを研磨する工程を工程(C)と工程(D)の間に有することを特徴とする。
この請求項３に記載された剥離ウエーハの再生処理方法では、第１剥離ウェーハ１２を別の支持ウェーハ２４と重ね合わせる前に、第１剥離ウェーハ１２の作製中に形成された第２主面１２ｃのチャック痕等のダメージを研磨により除去しておくことにより、分離面１２ａにリング状段差１２ｂを残したままでも、第１剥離ウェーハ１２から高品質のＳＯＩウェーハ２１を得ることができる。
【０００８】
請求項４に係る発明は、請求項３に係る発明であって、工程(H)の研磨が、研磨布５１ａ，５１ｂが展張された研磨定盤５２ａ，５２ｂと、研磨定盤５２ａ，５２ｂに対向して設けられ環状のテンプレート５６が固着された研磨ヘッド５３とを有するワックスレス研磨装置５０を用いて、テンプレート５６内に設けられた軟質のバックパッド５７を第１剥離ウェーハ１２の分離面１２ａに押し当て、第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを研磨布５１ａ，５１ｂに摺接させることにより行われることを特徴とする。
この請求項４に記載された剥離ウエーハの再生処理方法では、ワックスレス研磨装置５０により第１剥離ウェーハ１２の一方のリング状段差のない主面１２ｃを研磨することにより、他方の主面（分離面）１２ａにリング状段差１２ｂがあっても、一方の主面１２ｃを面内均一に研磨することができる。
【０００９】
請求項５に係る発明は、請求項３又は４に係る発明であって、(I) 第１剥離ウェーハ１２の少なくとも第２主面１２ｃに形成された酸化膜を除去する工程を工程(H)の研磨前に有することを特徴とする。
この請求項５に記載された剥離ウエーハの再生処理方法では、工程(H)の研磨前に剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃ上の酸化膜を除去しておくことにより、第２主面１２ｃをパーティクルなどの不純物を残存させずに均一に研磨することができる。
【００１０】
請求項６に係る発明は、請求項３又は４に係る発明であって、工程(H)の研磨が、(J) 仕上げ研磨布よりも粗い１次研磨布の研磨作用面に、仕上げ研磨剤を供給しながら第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを押し付けて１次研磨する工程と、(K) この１次研磨後に仕上げ研磨布の研磨作用面に、仕上げ研磨剤を供給しながら第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを押し付けて仕上げ研磨する工程とを有することを特徴とする。
請求項７に係る発明は、請求項３又は４に係る発明であって、工程(H)の研磨が、(L) 仕上げ研磨布の研磨作用面に、仕上げ研磨剤よりも粗い１次研磨剤を供給しながら第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを押し付けて１次研磨する工程と、(M) この１次研磨後に仕上げ研磨布の研磨作用面に、仕上げ研磨剤を供給しながら第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを押し付けて仕上げ研磨する工程とを有することを特徴とする。
これらの請求項６又は７に記載された剥離ウエーハの再生処理方法では、２段研磨を行うことにより、第２主面１２ｃのチャック痕等のダメージを除去しかつ第２主面１２ｃを高い平坦度にすることができる。
【００１１】
請求項８に係る発明は、請求項１ないし６いずれか１項に記載された方法で再生処理された再生ウエーハ３２である。
この請求項８に記載された再生ウェーハ３２は、剥離ウェーハ２２の両面に形成されたリング状段差１２ｂ及び２２ｂを両面研磨により同時に除去しているため、両面研磨時に研磨力が一方の面に偏らず、両主面がそれぞれ均一で高い平坦度を有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１に示すように、ＳＯＩウェーハ１１及び２１を製造するときに剥離ウェーハ１２及び２２が副次的に生成される。ＳＯＩウェーハ１１及び２１を製造するには、ボンドウェーハとしての半導体ウェーハ１３及びベースウェーハとしての支持ウェーハ１４、２４を用意する。この実施の形態ではこれらのウェーハ１３、１４及び２４は、それぞれチョクラルスキー法で製造され、同一の直径と同一の厚さを有する。これらのウェーハ１３，１４及び２４は両面研磨された後、ＲＣＡ洗浄されたウェーハである。
【００１３】
先ず半導体ウェーハ１３を熱酸化することによりウェーハ１３の第１主面に絶縁膜である酸化膜１３ａ（ＳｉＯ₂膜）を形成した後に、このウェーハ１３の第１主面に水素ガスイオンである水素イオン（Ｈ ⁺）を３．０×１０¹⁶／ｃｍ²以上又は水素分子イオン（Ｈ²⁺）を１．５×１０¹⁶／ｃｍ²以上のドーズ量でイオン注入する（図１（ａ））。ここで、図１（ａ）中の符号１３ｂは水素ガスイオン又は水素分子イオンの注入により半導体ウェーハ１３内部に形成されたイオン注入領域であり、このイオン注入領域１３ｂは酸化膜１３ａに平行に、即ち半導体ウェーハ１３表面に平行に形成される。また水素ガスイオン（Ｈ⁺）の場合には、水素分子イオン（Ｈ²⁺）の場合の約２倍の注入量が必要である。なお、水素ガスイオン及び水素分子イオンの注入に代えて、或いは水素ガスイオン又は水素分子イオンの注入とともに、ヘリウムイオン（Ｈｅ ⁺）を注入してもよい。この場合、ヘリウムイオンのドーズ量は０．５×１０¹⁶／ｃｍ²以上であることが好ましい。なお、図示しないが酸化膜１３ａは半導体ウェーハの全面（第１主面、第２主面及び両端縁）に形成してもよい。
【００１４】
次に図１（ｂ）に示される支持ウェーハ１４の主面に半導体ウェーハ１３の第１主面を酸化膜２３ａを介して室温で重ね合せて積層体１６を形成する（図１（ｃ））。この積層体１６を窒素（Ｎ₂）雰囲気中で５００〜８００℃の範囲に昇温し、この温度範囲に５〜３０分間保持して薄膜分離熱処理を行う。これにより半導体ウェーハ１３がイオン注入領域１３ｂのところで割れて上部の厚肉の第１剥離ウェーハ１２と下部の薄膜１７に分離する（図１（ｄ））。
【００１５】
次に上記半導体ウェーハ１３がイオン注入領域１３ｂで割れた積層体１６の温度を下げ、酸化膜１３ａを介して薄膜１７が積層された支持ウェーハ１４（以下、単に支持ウェーハ１４という）から第１剥離ウェーハ１２を取除く。上記支持ウェーハ１４を酸素（Ｏ₂）又は窒素（Ｎ₂）雰囲気中で９００〜１２００℃の範囲に昇温しこの温度範囲に３０〜１２０分間保持する熱処理を行う（図１（ｅ））。この熱処理は薄膜１７の支持ウェーハ１４への貼合せを強固にする熱処理である。更に支持ウェーハ１４の分離面をアニール処理するか又は研磨（タッチポリッシング）して平滑化する（図１（ｇ））。これにより支持ウェーハ１４はＳＯＩウェーハ１１となる。
【００１６】
一方、第１剥離ウェーハ１２の分離面１２ａの外周縁には、０．３μｍ程度のリング状段差１２ｂが形成される（図１（ｆ））。このリング状段差１２ｂが発生するメカニズムは未だ解明されていないが、剥離ウェーハ１２の分離面１２ａ周縁の面取り部の形状やイオン注入領域の深さが影響しているものと考えられる。剥離ウェーハ１２の分離面１２ａ周縁の面取り部の上及び第２主面１２ｃ上には、熱処理等で形成された酸化膜が残存するが（図１（ｆ））、次に述べる剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを研磨する前に、図２（ａ）に示すように、この第１剥離ウェーハ１２をフッ酸に浸漬するなどにより上記酸化膜を除去しておくことが好ましい。
【００１７】
この第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃは、図３及び図４に示すワックスレスの枚葉式ウェーハ研磨装置５０により研磨される。図３及び図４に示すように、研磨装置５０は、上面にそれぞれ研磨布５１ａ及び５１ｂが展張された２つの第１研磨定盤５２ａ及び第２研磨定盤５２ｂと、両研磨定盤５２ａ、５２ｂのいずれか上方に対向可能に配置される１つの研磨ヘッド５３とを備える。研磨ヘッド５３は、図３（ｂ）の矢印に示すようにアーム５４により研磨定盤５２ａ及び５２ｂに択一的に移動可能に設けられる。図４に示すように、研磨ヘッド５３の下面には環状のテンプレート５６が固着される。このテンプレート５６の内側には、剥離ウェーハ１２の直径より若干大径な孔部５６ａが形成され、この孔内にスエードパッド、シリコーンゴム、不織布等の軟質のバックパッド５７が収納される。研磨定盤５２ａ及び５２ｂのそれぞれ上方には、研磨布５１ａに向けて研磨剤を供給するためのノズル５５ａ及び研磨布５１ｂに向けて研磨剤を供給するためのノズル５５ｂが配設される。
【００１８】
次にこの研磨装置５０を用いて剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃの研磨方法について説明する。
図２（ａ）に示す第１剥離ウェーハ１２を、図４に示すように、その分離面１２ａがバックパッド５７に対面するように押し当てて、テンプレート５６内に配置する。バックパッド５７の発泡層（ナップ部）と剥離ウェーハ１２の分離面１２ａとの間に純水を供給し、その純水の表面張力によって剥離ウェーハ１２がバックパッド５７に密着する。
【００１９】
剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを第１研磨定盤５２ａの研磨布５１ａで研磨する２つの方法について述べる。
[1] 第１の研磨方法
図４（ａ）に示すように、第１研磨定盤５２ａの上面に仕上げ研磨布よりも粗い１次研磨布５１ａを展張し、この研磨布５１ａの上方に設けられたノズル５５ａからは仕上げ研磨剤を供給するように準備する。一方、図４（ｂ）に示すように、第２研磨定盤５２ｂの上面に仕上げ研磨布５１ｂを展張し、この研磨布５１ｂの上方に設けられたノズル５５ｂからは仕上げ研磨剤を供給するように準備する。図３（ａ）に示すように、先ずアーム５４により第１剥離ウェーハ１２を保持した研磨ヘッド５３を第１研磨定盤５２ａの上方に移動し、１次研磨布５１ａの研磨作用面に、ノズル５５ａから仕上げ研磨剤を供給しながら第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを押し付けて１次研磨する。この押し付けにより、剥離ウェーハ１２のリング状段差１２ｂは軟質のバックパッド５７に埋没し、研磨面である剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃは面内均一に１次研磨布５１ａに接触する。次いで図３（ｂ）に示すように、この１次研磨後にアーム５４により研磨ヘッド５３を第１剥離ウェーハ１２を保持したまま第２研磨定盤５２ｂａの上方に移動し、仕上げ研磨布５１ｂの研磨作用面に、ノズル５５ｂから仕上げ研磨剤を供給しながら第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを押し付けて仕上げ研磨する。この仕上げ研磨時も１次研磨時と同様に、第２主面１２ｃは面内均一に仕上げ研磨布５１ｂに接触する。
[2] 第２の研磨方法
第１研磨定盤５２ａの上面に仕上げ研磨布を展張し、ノズル５５ａからは仕上げ研磨剤よりも粗い１次研磨剤を供給するように準備する。一方、第２研磨定盤５２ｂの研磨布は上記第１の研磨方法と同じ仕上げ研磨布５１ｂを用い、ノズル５５ｂからも上記第１の研磨方法と同じ仕上げ研磨剤を供給するように準備する。以下、第１の研磨方法と同様に、剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを第１研磨定盤５２ａの仕上げ研磨布に押し付けて１次研磨剤を供給しながら１次研磨し、次いでこの第２主面１２ｃを第２研磨定盤５２ｂの仕上げ研磨布に押し付けて仕上げ研磨剤を供給しながら仕上げ研磨する。
【００２０】
ここで、上記１次研磨布としては、硬質の発泡ウレタンフォームパッド、不織布にウレタン樹脂を含浸・硬化させた軟質の不織布パッドなどが採用され、仕上げ研磨布としては、不織布からなる基布の上にウレタン樹脂を発泡させたスエードタイプのパッドなどが採用される。また１次研磨剤としては、アルカリ溶液中に平均粒径０．０２〜０．１μｍ程度の焼成シリカやコロイダルシリカ（シリカゾル）からなる遊離砥粒と、加工促進剤であるアミンなどとを含むスラリーが採用される。また仕上げ研磨剤としては、アルカリ溶液中に平均粒径０．０２〜０．１μｍ程度の遊離砥粒のほか、ヘイズ抑制剤である有機高分子などを含むスラリーが採用される。
第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃはチャック等でダメージを受けるけれども、上記第１又は第２の研磨方法に基づき、第１剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを２段研磨することにより、第２主面１２ｃのチャック痕等のダメージを除去しかつ第２主面１２ｃを高い平坦度にすることができる。
【００２１】
次に図１（ａ）を用いて説明した方法と同様に、仕上げ研磨した第１剥離ウェーハ１２を熱酸化することによりウェーハ１２の第２主面１２ｃに酸化膜２３ａを形成した後に、この第２主面１２ｃに水素イオン注入する（図１（ｈ））。これにより、剥離ウェーハ１２表面に平行にイオン注入領域２３ａが形成される。続いて図１（ｉ）に示される別の支持ウェーハ２４の主面に剥離ウェーハ１２の第２主面１２ｃを酸化膜２３ａを介して室温で重ね合せて積層体２６を形成する（図１（ｊ））。この積層体２６を前述した方法と同様にして薄膜分離熱処理を行う。これにより第１剥離ウェーハ１２がイオン注入領域２３ｂのところで割れて上部の厚肉の第２剥離ウェーハ２２と下部の薄膜２７に分離する（図１（ｋ））。更に積層体２６の温度を下げ、酸化膜２３ａと薄膜２７が積層された支持ウェーハ２４から第２剥離ウェーハ２２を取除く。ウェーハ２２が取り除かれた支持ウェーハ２４を前述した方法と同様に熱処理して薄膜２７の支持ウェーハ２４への貼合せを強固にした後（図１（ｌ））、支持ウェーハ２４の分離面を研磨して平滑化する（図１（ｎ））。これにより支持ウェーハ２４はＳＯＩウェーハ２１となる。
【００２２】
一方、第２剥離ウェーハ２２は、その分離面１２ａの外周縁に先に形成されたリング状段差１２ｂに加えて、上記熱処理により新たな分離面１２ａの外周縁に０．３μｍ程度のリング状段差２２ｂが形成される（図１（ｍ））。剥離ウェーハ２２の分離面２２ａ周縁の面取り部の上及び分離面１２ａ上には、熱処理等で形成された酸化膜が残存する。これらの酸化膜は第２剥離ウェーハ２２をフッ酸に浸漬するなどにより、図２（ｃ）に示すように、除去しておくことが好ましい。
【００２３】
図２（ｃ）に示す第２剥離ウェーハ２２は、図示しない両面研磨装置により、その両主面が同時に研磨される。具体的には、剥離ウェーハ２２は複数枚を同時に研磨可能な両面研磨装置により、図２（ｄ）の符号２２ｃに示される部分が１次研磨された後、枚葉式の片面研磨装置により仕上げ研磨が施される。１次研磨における１次研磨布及び１次研磨剤、並びに仕上げ研磨における仕上げ研磨布及び仕上げ研磨剤は、それぞれ前述したものが用いられる。これらの両面研磨においては、第２剥離ウェーハ２２の両主面に形成されたリング状段差１２ｂ及び２２ｂが同時に除去される。また研磨時には両主面のリング状段差１２ｂ及び２２ｂに均等に研磨力が加わり、段差の除去されかつ仕上げ研磨された再生ウェーハ３２の両主面は、高い平坦度を有するようになる（図２（ｅ））。この再生ウェーハ３２は半導体ウェーハ１３に用いることができる。これによりウェーハの再利用回数が増大し、ＳＯＩウェーハの製造コストを低減することができる。
【００２４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、２回以上剥離ウェーハを再利用する場合に、１回目のＳＯＩウェーハの製造時に得られた第１剥離ウェーハの分離面と反対面を、２回目のＳＯＩウェーハの製造時に、別の支持ウェーハに重ね合わせ、このときに分離して得られた第２剥離ウェーハを両面研磨することにより、第２剥離ウェーハの両分離面に形成されたリング状段差を同時に除去でき、再生コストを低減することができる。
また両面研磨のキャリアプレートを調整すれば、再生したウェーハを更に２回以上再利用することができる。
また第１剥離ウェーハを別の支持ウェーハと重ね合わせる前に、第１剥離ウェーハの作製中に形成された第２主面のダメージを研磨により低減しておくことにより、この分離面にリング状段差を残したままでも、この剥離ウェーハから高品質のＳＯＩウェーハを得ることができる。
【００２５】
またワックスレス研磨装置により第１剥離ウェーハの一方のリング状段差のない第２主面を研磨することにより、他方の主面（分離面）にリング状段差があっても、第２主面を面内均一に研磨することができる。
またこのワックスレスの研磨前に第１剥離ウェーハの第２主面上の酸化膜を除去しておくことにより、第２主面をパーティクルなどの不純物を残存させずに均一に研磨することができる。
またワックスレス研磨を１次研磨と仕上げ研磨の２段で行うことにより、第２主面のチャック痕等のダメージを除去しかつ第２主面を高い平坦度にすることができる。
更に本発明で再生されたウェーハは、第２剥離ウェーハの両面に形成されたリング状段差を両面研磨により同時に除去しているため、両面研磨時に研磨力が一方の面に偏らず、両主面がそれぞれ均一で高い平坦度を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施形態の剥離ウェーハを含むＳＯＩウェーハの製造方法を工程順に示す図。
【図２】その第１剥離ウェーハの第２主面を研磨して再生する方法を工程順に示す図。
【図３】（ａ）第１剥離ウェーハの第２主面を第１研磨定盤で研磨している状況を示すワックスレスの枚葉式研磨装置の要部平面図。
（ｂ）第１剥離ウェーハの第２主面を第２研磨定盤で研磨している状況を示すワックスレスの枚葉式研磨装置の要部平面図。
【図４】（ａ）図３のＡ−Ａ線断面図。
（ｂ）図３のＢ−Ｂ線断面図。
【符号の説明】
１２，２２剥離ウェーハ
１２ａ，２２ａ分離面
１２ｂ，２２ｂリング状段差
１２ｃ第２主面
１３半導体ウェーハ
１３ｂ，２３ｂイオン注入領域
１４，２４支持ウェーハ
１６，２６積層体
１７，２７薄膜
３２再生ウェーハ
５０研磨装置
５１ａ，５１ｂ研磨布
５２ａ，５２ｂ研磨定盤
５３研磨ヘッド
５６テンプレート
５７バックパッド[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In the present invention, a semiconductor wafer into which ions have been implanted is superposed on a support wafer to form a laminated body, and the laminated body is heat-treated to regenerate a thick release wafer separated from the thin film of the semiconductor wafer in the ion-implanted region. And a wafer regenerated by this method. More specifically, the present invention relates to a method for reclaiming a separation wafer by-produced twice or more in a so-called ion implantation separation method for manufacturing a bonded wafer such as an SOI (Silicon On Insulator) wafer and the regenerated wafer.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a method for reclaiming a peeled wafer of this type, a method for reclaiming a peeled wafer in which at least the chamfered portion of the peeled wafer is removed and then the main surface of the peeled wafer is polished is known. (For example, refer to Patent Document 1). According to this regeneration processing method, the peeled wafer can be used as a support wafer as a base wafer, a normal silicon mirror wafer or a semiconductor wafer as a bond wafer. When the peeled wafer is reused as a support wafer (base wafer) or a semiconductor wafer (bond wafer), if the thickness of the first semiconductor wafer is increased, it can be reused more than once. .
[0003]
[Patent Document 1]
JP 2001-155978 A (Claim 1, paragraph number 0019)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the peeled wafer is reused twice or more, double-side polishing the peeled wafer for each peeling has a problem of raising the regeneration cost.
The objective of this invention is providing the reproduction | regeneration processing method and the regenerated wafer of the peeling wafer which can reduce reproduction | regeneration cost, when reusing a peeling wafer twice or more.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In the invention according to claim 1, as shown in FIGS. 1 and 2, (A) ions are implanted into the first main surface of a semiconductor wafer 13 as a bond wafer to form an ion implantation region 13b inside the semiconductor wafer 13. And (B) a step of superposing the first main surface of the semiconductor wafer 13 on the main surface of the first support wafer 14 as a base wafer to form a first stacked body 16; and (C) a first stacked body. 16 is heat-treated at a predetermined temperature to separate the semiconductor wafer 13 from the thin film 17 at the ion implantation region 13b, thereby obtaining a thick first peeled wafer 12, and (D) a first side opposite to the separation surface 12a. A step of implanting ions into the second main surface 12c of the separation wafer 12 to form an ion implantation region 23b inside the first separation wafer 12, and (E) a first support of the second main surface 12c of the first separation wafer 12. What is wafer 14? Forming a second laminated body 26 by superimposing it on the main surface of a second support wafer 24 as a base wafer, and (F) heat-treating the second laminated body 26 at a predetermined temperature to form the first release wafer 12. The step of obtaining the thick second peeled wafer 22 by separating from the thin film 27 in the ion implantation region 23b, and the step of (G) polishing the both surfaces of the second peeled wafer 22 to obtain the reclaimed wafer 32 in this order. In addition, the separation surface 12a of the first separation wafer 12 obtained in the step (C) has a ring-shaped step 12b on the outer periphery thereof, and the separation surface 22a of the second separation wafer 22 obtained in the step (F) A ring-shaped step 22b is provided on the outer peripheral edge, and the ring-shaped steps 12b and 22b on the first and second main surfaces are simultaneously removed by double-side polishing of the second release wafer 22 in the step (G). .
In the peeling wafer reclaim processing method according to claim 1, after the semiconductor wafer 13 is peeled twice, a total of two times, to make the first peeled wafer 12 and the second peeled wafer 22, The ring-shaped steps 12b and 22b formed on both separation surfaces 12a and 22a can be removed at a time, and the regeneration cost can be reduced.
[0006]
The invention according to claim 2 is the invention according to claim 1, wherein, as shown in FIG. 2, the recycled wafer 32 polished on both sides in the step (G) is replaced with the first support wafer 14 or the step in the step (B). It is used for the semiconductor wafer 13 of (A).
In the method for reclaiming a peeled wafer according to the second aspect, if the double-side polished carrier plate is adjusted, the reclaimed wafer 32 can be reused two more times.
[0007]
The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1, wherein (H) the steps of polishing the second main surface 12c of the first release wafer 12 on the side opposite to the separation surface 12a are the steps (C) and It is characterized by having between (D).
In the method for reclaiming a peeled wafer according to the third aspect, the second main surface 12c formed during the production of the first peeled wafer 12 before the first peeled wafer 12 is overlapped with another supporting wafer 24. By removing damage such as the chuck traces by polishing, a high-quality SOI wafer 21 can be obtained from the first peeled wafer 12 while leaving the ring-shaped step 12b on the separation surface 12a.
[0008]
The invention according to claim 4 is the invention according to claim 3, wherein the polishing in the step (H) is performed on the polishing surface plates 52a and 52b on which the polishing cloths 51a and 51b are stretched, and the polishing surface plates 52a and 52b. A soft back pad 57 provided in the template 56 is attached to the separation surface 12a of the first separation wafer 12 by using a waxless polishing apparatus 50 having a polishing head 53 provided oppositely and having an annular template 56 fixed thereto. And the second main surface 12c of the first release wafer 12 is brought into sliding contact with the polishing cloths 51a and 51b.
In the method for reclaiming a peeled wafer according to claim 4, the waxless polishing apparatus 50 polishes one main surface 12c having no ring-shaped step of the first peeled wafer 12 to obtain the other main surface (separation). Even if there is a ring-shaped step 12b on the surface 12a, one main surface 12c can be uniformly polished in the surface.
[0009]
The invention according to claim 5 is the invention according to claim 3 or 4, wherein (I) a step of removing the oxide film formed on at least the second main surface 12c of the first separation wafer 12 is a step (H). It is characterized by having before polishing.
In the method for reclaiming a release wafer according to claim 5, the oxide film on the second main surface 12c of the release wafer 12 is removed before polishing in the step (H), whereby the second main surface 12c. Can be uniformly polished without leaving impurities such as particles.
[0010]
The invention according to claim 6 is the invention according to claim 3 or 4, wherein the polishing in the step (H) is performed on the polishing surface of the primary polishing cloth which is rougher than the finishing polishing cloth (J). Pressing the second main surface 12c of the first release wafer 12 while supplying the first polishing, and (K) first polishing the surface of the finishing polishing cloth while supplying the final polishing agent after the primary polishing. And a step of finish polishing by pressing the second main surface 12c of the one-peeled wafer 12.
The invention according to claim 7 is the invention according to claim 3 or 4, wherein the polishing in the step (H) is (L) a primary abrasive that is rougher than the finish abrasive on the polishing surface of the finish polishing cloth. Pressing the second main surface 12c of the first peeled wafer 12 while supplying the first polishing, and (M) performing the first polishing while supplying the final polishing agent to the polishing surface of the final polishing cloth after the primary polishing. And a step of finish polishing by pressing the second main surface 12c of the one-peeled wafer 12.
In the method for reclaiming a peeled wafer described in claim 6 or 7, the two-step polishing is performed to remove damage such as chuck marks on the second main surface 12c and to make the second main surface 12c highly flat. Can be degrees.
[0011]
The invention according to claim 8 is a reclaimed wafer 32 regenerated by the method according to any one of claims 1 to 6.
In the reclaimed wafer 32 described in claim 8, since the ring-shaped steps 12b and 22b formed on both surfaces of the separation wafer 22 are simultaneously removed by double-side polishing, the polishing force is biased to one surface during double-side polishing. In other words, both main surfaces are uniform and have high flatness.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, when the SOI wafers 11 and 21 are manufactured, the separation wafers 12 and 22 are generated as a secondary. In order to manufacture the SOI wafers 11 and 21, a semiconductor wafer 13 as a bond wafer and support wafers 14 and 24 as base wafers are prepared. In this embodiment, these wafers 13, 14 and 24 are each manufactured by the Czochralski method and have the same diameter and the same thickness. These wafers 13, 14 and 24 are RCA cleaned wafers after being polished on both sides.
[0013]
First, the semiconductor wafer 13 is thermally oxidized to form an oxide film 13a (SiO ₂ film) as an insulating film on the first main surface of the wafer 13, and then hydrogen as hydrogen gas ions is formed on the first main surface of the wafer 13. Ions are implanted with ions ( H ⁺ ) of 3.0 × 10 ¹⁶ / cm ² or more or hydrogen molecular ions (H ²⁺ ) with a dose of 1.5 × 10 ¹⁶ / cm ² or more (FIG. 1A). . Here, reference numeral 13b in FIG. 1 (a) denotes an ion implantation region formed inside the semiconductor wafer 13 by implantation of hydrogen gas ions or hydrogen molecular ions, and this ion implantation region 13b is parallel to the oxide film 13a. That is, it is formed parallel to the surface of the semiconductor wafer 13. Further, in the case of hydrogen gas ions (H ⁺ ), an injection amount that is about twice that of hydrogen molecular ions (H ²⁺ ) is required. Instead of hydrogen gas ions and hydrogen molecular ions, helium ions ( He ⁺ ) may be implanted together with hydrogen gas ions or hydrogen molecule ions. In this case, the dose of helium ions is preferably 0.5 × 10 ¹⁶ / cm ² or more. Although not shown, the oxide film 13a may be formed on the entire surface of the semiconductor wafer (first main surface, second main surface, and both end edges).
[0014]
Next, a laminated body 16 is formed by superimposing the first main surface of the semiconductor wafer 13 on the main surface of the support wafer 14 shown in FIG. 1B through the oxide film 23a at room temperature (FIG. 1C). . The laminated body 16 is heated to a temperature of 500 to 800 ° C. in a nitrogen (N ₂ ) atmosphere, and kept in this temperature range for 5 to 30 minutes to perform a thin film separation heat treatment. As a result, the semiconductor wafer 13 is broken at the ion implantation region 13b and separated into an upper thick first peeled wafer 12 and a lower thin film 17 (FIG. 1D).
[0015]
Next, the temperature of the stacked body 16 in which the semiconductor wafer 13 is broken in the ion implantation region 13b is lowered, and the first peeling is performed from the support wafer 14 (hereinafter simply referred to as the support wafer 14) on which the thin film 17 is stacked via the oxide film 13a. Wafer 12 is removed. The support wafer 14 is heated to 900 to 1200 ° C. in an oxygen (O ₂ ) or nitrogen (N ₂ ) atmosphere, and heat treatment is performed for 30 to 120 minutes in this temperature range (FIG. 1E). This heat treatment is a heat treatment for strengthening the bonding of the thin film 17 to the support wafer 14. Further, the separation surface of the support wafer 14 is annealed or polished (touch polishing) to be smoothed (FIG. 1 (g)). As a result, the support wafer 14 becomes the SOI wafer 11.
[0016]
On the other hand, a ring-shaped step 12b of about 0.3 μm is formed on the outer peripheral edge of the separation surface 12a of the first release wafer 12 (FIG. 1 (f)). Although the mechanism of the ring-shaped step 12b is not yet elucidated, it is considered that the shape of the chamfered portion around the separation surface 12a of the separation wafer 12 and the depth of the ion implantation region have an effect. An oxide film formed by heat treatment or the like remains on the chamfered portion on the periphery of the separation surface 12a of the separation wafer 12 and on the second main surface 12c (FIG. 1F). Before polishing the second main surface 12c, it is preferable to remove the oxide film by immersing the first peeled wafer 12 in hydrofluoric acid, as shown in FIG.
[0017]
The second main surface 12c of the first peeled wafer 12 is polished by a waxless single wafer polishing apparatus 50 shown in FIGS. As shown in FIG. 3 and FIG. 4, the polishing apparatus 50 includes two first polishing surface plates 52a and 52b on which upper surfaces of polishing cloths 51a and 51b are stretched, both polishing surface plates 52a, One polishing head 53 disposed so as to be opposed to any one of the upper portions 52b. As shown by the arrow in FIG. 3B, the polishing head 53 is provided so as to be selectively movable on the polishing surface plates 52a and 52b by an arm. As shown in FIG. 4, an annular template 56 is fixed to the lower surface of the polishing head 53. Inside the template 56, a hole 56a having a diameter slightly larger than the diameter of the release wafer 12 is formed, and a soft back pad 57 such as a suede pad, silicone rubber, or non-woven fabric is accommodated in the hole. Above each of the polishing surface plates 52a and 52b, a nozzle 55a for supplying an abrasive toward the polishing cloth 51a and a nozzle 55b for supplying an abrasive toward the polishing cloth 51b are disposed.
[0018]
Next, a method for polishing the second main surface 12c of the separation wafer 12 using the polishing apparatus 50 will be described.
As shown in FIG. 4, the first peeled wafer 12 shown in FIG. 2A is pressed so that the separation surface 12 a faces the back pad 57 and is arranged in the template 56. Pure water is supplied between the foam layer (nap portion) of the back pad 57 and the separation surface 12a of the separation wafer 12, and the separation wafer 12 is in close contact with the back pad 57 by the surface tension of the pure water.
[0019]
Two methods for polishing the second main surface 12c of the release wafer 12 with the polishing cloth 51a of the first polishing surface plate 52a will be described.
[1] First Polishing Method As shown in FIG. 4A, a primary polishing cloth 51a rougher than the finishing polishing cloth is spread on the upper surface of the first polishing surface plate 52a and provided above the polishing cloth 51a. A prepared abrasive is supplied from the nozzle 55a. On the other hand, as shown in FIG. 4B, a finish polishing cloth 51b is spread on the upper surface of the second polishing surface plate 52b, and a finish polishing agent is supplied from a nozzle 55b provided above the polishing cloth 51b. Prepare to. As shown in FIG. 3A, first, the polishing head 53 holding the first peeled wafer 12 by the arm 54 is moved above the first polishing surface plate 52a, and the nozzle is formed on the polishing surface of the primary polishing cloth 51a. While supplying the final polishing agent from 55a, the second main surface 12c of the first release wafer 12 is pressed to perform primary polishing. By this pressing, the ring-shaped step 12b of the release wafer 12 is buried in the soft back pad 57, and the second main surface 12c of the release wafer 12, which is a polishing surface, contacts the primary polishing cloth 51a uniformly in the surface. Next, as shown in FIG. 3B, after this primary polishing, the polishing head 53 is moved above the second polishing surface plate 52ba while holding the first release wafer 12 by the arm 54, and polishing of the final polishing cloth 51b is performed. The second main surface 12c of the first peeled wafer 12 is pressed against the working surface while supplying a final polishing agent from the nozzle 55b to perform final polishing. Similarly to the primary polishing, the second main surface 12c contacts the finish polishing cloth 51b evenly in the surface during this final polishing.
[2] Second Polishing Method A finish polishing cloth is spread on the upper surface of the first polishing surface plate 52a, and the nozzle 55a is prepared to supply a primary polishing agent coarser than the finishing polishing agent. On the other hand, as the polishing cloth of the second polishing surface plate 52b, the same finishing polishing cloth 51b as that of the first polishing method is used, and the same finishing abrasive as that of the first polishing method is supplied from the nozzle 55b. Thereafter, similarly to the first polishing method, the second main surface 12c of the release wafer 12 is pressed against the finishing polishing cloth of the first polishing surface plate 52a to perform primary polishing while supplying the primary abrasive, and then this first polishing is performed. 2 The main surface 12c is pressed against the finishing polishing cloth of the second polishing surface plate 52b and finish polishing while supplying a finishing abrasive.
[0020]
Here, as the primary polishing cloth, a hard foamed urethane foam pad, a soft non-woven pad in which a non-woven fabric is impregnated and cured with urethane resin, or the like is employed. Suede type pads made of foamed urethane resin are used. Moreover, as a primary abrasive, a slurry containing free abrasive grains made of calcined silica or colloidal silica (silica sol) having an average particle size of about 0.02 to 0.1 μm in an alkaline solution, and an amine as a processing accelerator. Is adopted. Further, as the final polishing agent, a slurry containing free abrasive grains having an average particle size of about 0.02 to 0.1 μm in an alkaline solution and an organic polymer that is a haze inhibitor is employed.
Although the second main surface 12c of the first release wafer 12 is damaged by a chuck or the like, the second main surface 12c of the first release wafer 12 is polished in two steps based on the first or second polishing method. In addition, damage such as chuck marks on the second main surface 12c can be removed, and the second main surface 12c can have high flatness.
[0021]
Next, in the same manner as described with reference to FIG. 1A, the first peeled wafer 12 that has been subjected to final polishing is thermally oxidized to form an oxide film 23a on the second main surface 12c of the wafer 12, and then this first 2 Hydrogen ions are implanted into the main surface 12c (FIG. 1H). Thereby, an ion implantation region 23a is formed in parallel to the surface of the peeled wafer 12. Subsequently, the second main surface 12c of the separation wafer 12 is superposed on the main surface of another support wafer 24 shown in FIG. 1 (i) through the oxide film 23a at room temperature to form a laminated body 26 (FIG. 1 ( j)). The laminated body 26 is subjected to thin film separation heat treatment in the same manner as described above. As a result, the first peeled wafer 12 is broken at the ion implantation region 23b and separated into an upper thick second peeled wafer 22 and a lower thin film 27 (FIG. 1 (k)). Further, the temperature of the laminated body 26 is lowered, and the second peeled wafer 22 is removed from the support wafer 24 on which the oxide film 23a and the thin film 27 are laminated. After the support wafer 24 from which the wafer 22 has been removed is heat-treated in the same manner as described above, the thin film 27 is firmly attached to the support wafer 24 (FIG. 1 (l)), and then the separation surface of the support wafer 24 is polished. And smoothing (FIG. 1 (n)). As a result, the support wafer 24 becomes the SOI wafer 21.
[0022]
On the other hand, in addition to the ring-shaped step 12b previously formed on the outer periphery of the separation surface 12a, the second peeled wafer 22 has a ring-shaped step of about 0.3 μm on the outer periphery of the new separation surface 12a by the heat treatment. 22b is formed (FIG. 1 (m)). An oxide film formed by heat treatment or the like remains on the chamfered portion on the periphery of the separation surface 22a of the separation wafer 22 and on the separation surface 12a. These oxide films are preferably removed as shown in FIG. 2C by immersing the second peeled wafer 22 in hydrofluoric acid.
[0023]
The main surface of the second release wafer 22 shown in FIG. 2C is simultaneously polished by a double-side polishing apparatus (not shown). Specifically, the peeled wafer 22 is subjected to primary polishing by a double-side polishing apparatus capable of simultaneously polishing a plurality of wafers, and then finished by a single-wafer single-side polishing apparatus. Polishing is performed. As the primary polishing cloth and the primary abrasive in the primary polishing, and the final polishing cloth and the final abrasive in the final polishing, those described above are used. In these double-side polishing, the ring-shaped steps 12b and 22b formed on both main surfaces of the second release wafer 22 are simultaneously removed. Further, during polishing, a polishing force is evenly applied to the ring-shaped steps 12b and 22b on both main surfaces, and both main surfaces of the reclaimed wafer 32 from which the steps have been removed and finish-polished have high flatness (FIG. 2). (E)). The recycled wafer 32 can be used as the semiconductor wafer 13. This increases the number of times the wafer is reused and reduces the manufacturing cost of the SOI wafer.
[0024]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when the separation wafer is reused two or more times, the separation surface of the first separation wafer obtained at the time of manufacturing the first SOI wafer is changed to the second time. When manufacturing the SOI wafer, the ring-shaped step formed on both separation surfaces of the second separation wafer is obtained by double-side polishing the second separation wafer obtained by superposing on another supporting wafer and separating at this time. It can be removed at the same time, and the regeneration cost can be reduced.
If the carrier plate for double-side polishing is adjusted, the regenerated wafer can be reused two more times.
In addition, before the first peeled wafer is overlapped with another supporting wafer, damage to the second main surface formed during the production of the first peeled wafer is reduced by polishing, so that a ring-shaped step is formed on the separating surface. Even if this is left, a high-quality SOI wafer can be obtained from this peeled wafer.
[0025]
Moreover, even if there is a ring-shaped step on the other main surface (separation surface), the second main surface is polished by polishing the second main surface without one ring-shaped step of the first peeled wafer with a waxless polishing apparatus. In-plane polishing can be performed uniformly.
Further, by removing the oxide film on the second main surface of the first exfoliated wafer before this waxless polishing, the second main surface can be uniformly polished without leaving impurities such as particles remaining. .
Further, by performing waxless polishing in two stages of primary polishing and finish polishing, damage such as chuck marks on the second main surface can be removed and the second main surface can have high flatness.
Furthermore, since the wafers regenerated in the present invention simultaneously remove the ring-shaped steps formed on both sides of the second peeled wafer by double-side polishing, the polishing force is not biased to one side during double-side polishing, and both main surfaces Each have uniform and high flatness.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing a manufacturing method of an SOI wafer including a separation wafer according to an embodiment of the present invention in order of steps.
FIG. 2 is a view showing a method of polishing and regenerating a second main surface of the first peeled wafer in order of steps .
FIG. 3A is a plan view of a principal part of a waxless single wafer polishing apparatus showing a state in which a second main surface of a first peeled wafer is being polished by a first polishing surface plate.
(B) The principal part top view of the waxless single wafer type polisher showing the situation where the 2nd principal surface of the 1st exfoliation wafer is grind | polished with the 2nd polishing surface plate.
4A is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
(B) BB sectional drawing of FIG.
[Explanation of symbols]
12, 22 Separation wafers 12a, 22a Separation surfaces 12b, 22b Ring-shaped step 12c Second main surface 13 Semiconductor wafers 13b, 23b Ion implantation regions 14, 24 Support wafers 16, 26 Laminates 17, 27 Thin film 32 Reproduction wafer 50 Polishing device 51a, 51b Polishing cloth 52a, 52b Polishing surface plate 53 Polishing head 56 Template 57 Back pad

Claims

(A) a step of implanting ions into a first main surface of a semiconductor wafer (13) as a bond wafer to form an ion implantation region (13b) inside the semiconductor wafer (13);
(B) forming a first laminate (16) by superimposing a first main surface of the semiconductor wafer (13) on a main surface of a first support wafer (14) as a base wafer;
(C) The first laminated body (16) is heat-treated at a predetermined temperature, and the semiconductor wafer (13) is separated from the thin film (17) in the ion implantation region (13b), whereby a thick first peeled wafer is obtained. Obtaining (12);
(D) Ions are implanted into the second main surface (12c) of the first separation wafer (12) opposite to the separation surface (12a) to form an ion implantation region (23b) inside the first separation wafer (12). Forming, and
(E) The second main surface (12c) of the first separation wafer (12) is superimposed on the main surface of a second support wafer (24) as a base wafer different from the first support wafer (14). Forming a second laminate (26);
(F) The second laminate (26) is heat-treated at a predetermined temperature to separate the first exfoliated wafer (12) from the thin film (27) in the ion implantation region (23b), thereby increasing the thickness of the second laminated body (26). Obtaining a release wafer (22);
(G) polishing the both surfaces of the second exfoliated wafer (22) to obtain a reclaimed wafer (32) in this order,
The separation surface (12a) of the first exfoliated wafer (12) obtained in the step (C) has a ring-shaped step (12b) on its outer periphery, and the separation of the exfoliated wafer obtained in the step (F) is performed. The surface (22a) has a ring-shaped step (22b) on the outer periphery thereof, and the two separated surfaces (12a, 22a) are ring-shaped by double-side polishing of the second release wafer (22) in the step (G). A method for reclaiming a peeled wafer, wherein the steps (12b, 22b) are simultaneously removed.

The method for reclaiming a release wafer according to claim 1, wherein the reclaimed wafer (32) polished on both sides in the step (G) is used as the semiconductor wafer (13) in the step (A).

The process of (H) polishing the second main surface (12c) of the first peeled wafer (12) opposite to the separation surface (12a) between the steps (C) and (D). Recycled wafer reclaim processing method.

Polishing in the step (H) is a polishing platen (52a, 52b) on which a polishing cloth (51a, 51b) is stretched, and an annular template (56) provided facing the polishing platen (52a, 52b). A soft back pad (57) provided in the template (56) is separated from the first peeled wafer (12) by using a waxless polishing apparatus (50) having a polishing head (53) to which is fixed. The reproduction of the separation wafer according to claim 3, which is performed by pressing against the surface (12a) and bringing the second main surface (12c) of the first separation wafer (12) into sliding contact with the polishing cloth (51a, 51b). Processing method.

The regeneration of the peeled wafer according to claim 3 or 4, further comprising a step of removing an oxide film formed on at least the second main surface (12c) of the first peeled wafer (12) before polishing in the step (H). Processing method.

Polishing in step (H)
(J) A step of primary polishing by pressing the second main surface (12c) of the first release wafer (12) against the polishing surface of the primary polishing cloth, which is coarser than the finishing polishing cloth, while supplying the finishing abrasive. ,
(K) After the primary polishing, pressing the second main surface (12c) of the first release wafer (12) against the polishing surface of the final polishing cloth while supplying the final polishing agent to finish polishing. A method for reclaiming a peeled wafer according to claim 3 or 4.

Polishing in step (H)
(L) A step of primary polishing by pressing the second main surface (12c) of the first release wafer (12) while supplying a primary polishing agent coarser than the final polishing agent to the polishing surface of the finishing polishing cloth; ,
(M) After the primary polishing, pressing the second main surface (12c) of the first release wafer (12) onto the polishing surface of the final polishing cloth while supplying the final polishing agent to finish polishing. A method for reclaiming a peeled wafer according to claim 3 or 4.

A wafer regenerated by the method according to any one of claims 1 to 7.