JP4474296B2 - Planographic printing plate precursor - Google Patents

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Abstract

The planographic printing plate precursor according to the invention is a planographic printing plate precursor, comprising a support and a recording layer formed on the support containing a sulfonium salt (A), an alkali-soluble resin (B), and an infrared absorbent (C), wherein the sulfonium salt (A) has a solubility of 25 mg/ml or more in aqueous 0.1 mol/L NaOH solution having a liquid temperature of 25°C at normal room temperature and atmospheric pressure. The invention provides a high-sensitivity planographic printing plate precursor that allows direct plate making by scanning exposure based on digital signals, for example and also suppresses generation of development scum.

Description

本発明は平版印刷版原版に関し、より詳細には、コンピュータ等のデジタル信号に基づいて赤外線レーザ光を走査することにより直接製版できる所謂ダイレクト製版が可能なポジ型平版印刷版原版に関する。   The present invention relates to a lithographic printing plate precursor, and more particularly to a positive lithographic printing plate precursor capable of so-called direct plate making that can be directly made by scanning infrared laser light based on a digital signal from a computer or the like.

近年におけるレーザの発展は目ざましく、特に、近赤外線から赤外線領域に発光領域を持つ固体レーザや半導体レーザでは、高出力・小型化が進んでいる。したがって、コンピュータ等のディジタルデータから直接製版する際の露光光源として、これらのレーザは非常に有用である。   In recent years, the development of lasers has been remarkable. In particular, solid-state lasers and semiconductor lasers having a light emitting region from the near infrared region to the infrared region have been increasing in output and size. Therefore, these lasers are very useful as an exposure light source when making a plate directly from digital data such as a computer.

前述の赤外線領域に発光領域を持つ赤外線レーザを露光光源として使用する、赤外線レーザ用ポジ型平版印刷版は、アルカリ水溶液可溶性のバインダー樹脂と、光を吸収し熱を発生するIR染料等とを必須成分とする画像形成材料である。従来公知の技術として開示されている特許文献1、2、3等の感光性組成物、或いは画像形成材料は、前記赤外線レーザを露光すると、非露光部(画像部)では、感光性組成物中のIR染料等が、前記バインダー樹脂との相互作用により、該バインダー樹脂の溶解性を実質的に低下させる溶解阻止剤として働く。一方、露光部(非画像部)では、前記IR染料等が、光を吸収して熱を発生するため、該IR染料等と前記バインダー樹脂との相互作用が弱くなる。したがって、現像時には、前記露光部(非画像部)が、アルカリ現像液に溶解し、画像が形成される。しかしながら、このような赤外線レーザ用ポジ型画像形成材料は、様々な使用条件における未露光部(画像部)の現像液に対する耐溶解性と、露光部(非画像部)の溶解性との間の差が未だ十分とは言えず、使用条件による現像安定性性(現像ラチチュード)が低く、高現像液濃度において現像過剰が起きやすいという問題があった。一方で、この現像過剰を抑制する目的で、アルカリ現像液に対して溶解性の低いバインダー樹脂を用いると、露光部の現像性(感度)の低下が起きてしまう問題があった。   The positive lithographic printing plate for infrared lasers that uses the infrared laser having a light emitting region in the infrared region as an exposure light source must have a binder resin that is soluble in an alkaline aqueous solution and an IR dye that absorbs light and generates heat. An image forming material as a component. The photosensitive composition disclosed in Patent Documents 1, 2, and 3 disclosed as a conventionally known technique, or the image forming material, when exposed to the infrared laser, the photosensitive composition in the non-exposed area (image area). The IR dye or the like acts as a dissolution inhibitor that substantially lowers the solubility of the binder resin by interaction with the binder resin. On the other hand, in the exposed portion (non-image portion), the IR dye or the like absorbs light and generates heat, so that the interaction between the IR dye or the like and the binder resin is weakened. Therefore, at the time of development, the exposed portion (non-image portion) is dissolved in the alkaline developer, and an image is formed. However, such a positive-type image forming material for infrared laser has a resistance between the solubility of the unexposed area (image area) in the developing solution and the solubility of the exposed area (non-image area) under various usage conditions. The difference is still not sufficient, and there is a problem that development stability (development latitude) depending on use conditions is low, and overdevelopment tends to occur at a high developer concentration. On the other hand, when a binder resin having low solubility in an alkaline developer is used for the purpose of suppressing this development, there is a problem that the developability (sensitivity) of the exposed area is lowered.

このため、例えば、特許文献4に記載の画像形成材料では、オニウム塩を含有させることで現像ラチチュードの拡大を図っているが、大量の現像処理をした場合、自動現像機の現像液中にバインダー樹脂由来の不溶化したカス(以下、現像カスと称する)が発生する傾向があり、この改良が望まれている。
WO97/39894号公報 特開平11−44956号公報 特開平11−218914号公報 特開2002−278050号公報
For this reason, for example, in the image forming material described in Patent Document 4, the development latitude is increased by including an onium salt. However, when a large amount of development processing is performed, a binder is contained in the developer of the automatic processor. Resin-derived insoluble residue (hereinafter referred to as development residue) tends to occur, and this improvement is desired.
WO97 / 39894 gazette JP 11-44956 A JP 11-218914 A JP 2002-278050 A

上記従来の技術の欠点を考慮してなされた本発明の目的は、コンピュータ等からのデジタル信号に基づいた走査露光による直接製版が可能であり、高感度で、かつ、現像カスの発生を抑制しうる平版印刷版原版を提供することにある。   The object of the present invention, which has been made in consideration of the drawbacks of the above-mentioned conventional techniques, is that direct plate-making by scanning exposure based on digital signals from a computer or the like is possible, and it is highly sensitive and suppresses development debris. It is to provide a lithographic printing plate precursor.

本発明者らは鋭意研究の結果、記録層中に、カチオン部にアルカリ可溶性基を有することによりアルカリ水溶液への溶解性に優れたスルホニウム塩を含有させることにより、上記目的が達成されること見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明の平版印刷版原版は、支持体上に、アルカリ可溶性樹脂、赤外線吸収剤、及びスルホニウム塩を含有する記録層を有し、該スルホニウム塩が、カチオン部に、アルカリ可溶性基を置換基として有するフェニル基を3つ有するスルホニウム塩であり、且つ、常温常圧下において、0.1mol/Lで、かつ、液温25℃のNaOH水溶液に対する溶解度が25mg/ml以上であることを特徴とする。なお、本発明においては、常温常圧下とは、25℃、1気圧を意味する。
As a result of diligent research, the present inventors have found that the above object can be achieved by including a sulfonium salt that has an alkali-soluble group in the cation portion and has excellent solubility in an aqueous alkali solution. The present invention has been completed.
That is, the planographic printing plate precursor of the present invention has a recording layer containing an alkali-soluble resin, an infrared absorber, and a sulfonium salt on a support, and the sulfonium salt substitutes an alkali-soluble group in the cation part. A sulfonium salt having three phenyl groups as a group, and having a solubility in an aqueous NaOH solution of 0.1 mol / L and a liquid temperature of 25 ° C. under normal temperature and normal pressure, is 25 mg / ml or more. To do. In the present invention, “under normal temperature and normal pressure” means 25 ° C. and 1 atm.

本発明の作用は明確ではないが、以下のように推測される。
上記のような溶解度を有するスルホニウム塩(以下、適宜、「特定スルホニウム塩」と称する。)は、アルカリ水溶液に対する優れた溶解性を有する。そのため、このような特定スルホニウム塩は、バインダーと共に自動現像機の現像液中に溶出した場合に、バインダー樹脂を分散させる機能を有し、その結果、バインダー樹脂の凝集による現像カスの発生を抑制しうるものと推測される。
また、この特定スルホニウム塩を含有する記録層において、未露光部では、オニウム塩の構造に起因する特定スルホニウム塩とアルカリ可溶性樹脂との相互作用が形成され、現像抑制効果が高くなる。一方、露光部では、露光のエネルギーにより前記相互作用が消失すると、特定スルホニウム塩自体の高いアルカリ水溶液に対する溶解性が発現し、現像液の浸透性が高くなり、速やかに記録層が溶解する。
これらのことから、未露光部と露光部のアルカリ水溶液(現像液)に対する溶解性の差(ディスクリミネーション)が広がり、結果的に、高感度化が図れるものと推測される。
Although the operation of the present invention is not clear, it is presumed as follows.
The sulfonium salt having the above-described solubility (hereinafter, appropriately referred to as “specific sulfonium salt”) has excellent solubility in an alkaline aqueous solution. Therefore, such a specific sulfonium salt has a function of dispersing the binder resin when it is eluted together with the binder into the developing solution of an automatic processor, and as a result, it suppresses generation of development residue due to aggregation of the binder resin. Presumed to be possible.
In the recording layer containing the specific sulfonium salt, an interaction between the specific sulfonium salt and the alkali-soluble resin due to the structure of the onium salt is formed in the unexposed area, and the development suppressing effect is enhanced. On the other hand, in the exposed area, when the interaction disappears due to the energy of exposure, the solubility of the specific sulfonium salt itself in a high alkaline aqueous solution is exhibited, the permeability of the developing solution is increased, and the recording layer is rapidly dissolved.
From these facts, it is presumed that the difference in solubility (discrimination) between the unexposed area and the exposed area in the alkaline aqueous solution (developer) widens, and as a result, high sensitivity can be achieved.

本発明によれば、コンピュータ等からのデジタル信号に基づいた走査露光による直接製版が可能であり、高感度で、かつ、現像カスの発生を抑制しうる平版印刷版原版を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a lithographic printing plate precursor capable of direct plate making by scanning exposure based on a digital signal from a computer or the like, having high sensitivity and capable of suppressing development debris generation.

以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の平版印刷版原版は、支持体上に、(A)カチオン部に、アルカリ可溶性基を置換基として有するフェニル基を3つ有するスルホニウム塩であり、且つ、常温常圧下において、0.1mol/Lで、かつ、液温25℃のNaOH水溶液に対する溶解度が25mg/ml以上であるスルホニウム塩(特定スルホニウム塩)、(B)アルカリ可溶性樹脂、及び(C)赤外線吸収剤を含有する記録層を有することを特徴とする。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The lithographic printing plate precursor of the present invention is a sulfonium salt having three phenyl groups having an alkali-soluble group as a substituent on the cation part (A) on a support , and 0.1 mol at room temperature and normal pressure. / L and a recording layer containing a sulfonium salt (specific sulfonium salt) having a solubility in an aqueous NaOH solution at a liquid temperature of 25 ° C. of 25 mg / ml or more, (B) an alkali-soluble resin, and (C) an infrared absorber. It is characterized by having.

〔記録層〕
本発明の平版印刷版原版に係る記録層は、(A)特定スルホニウム塩、(B)アルカリ可溶性樹脂、及び(C)赤外線吸収剤を必須成分として含有する。まず、これらの構成成分について詳細に説明する。
[Recording layer]
The recording layer according to the lithographic printing plate precursor according to the invention contains (A) a specific sulfonium salt, (B) an alkali-soluble resin, and (C) an infrared absorber as essential components. First, these constituent components will be described in detail.

[(A)特定スルホニウム塩]
本発明における特定スルホニウム塩は、カチオン部に、アルカリ可溶性基を置換基として有するフェニル基を3つ有するスルホニウム塩であり、且つ、常温常圧下において、0.1mol/Lで、かつ、液温25℃のNaOH水溶液に対する溶解度が25mg/ml以上であることを要する。また、現像カスの発生をより効率よく抑制するためには、前記溶解度が35mg/ml以上であることが好ましく、50mg/ml以上であることがより好ましい。
[(A) Specific sulfonium salt]
The specific sulfonium salt in the present invention is a sulfonium salt having three phenyl groups having an alkali-soluble group as a substituent in the cation portion, and at a normal temperature and a normal pressure, 0.1 mol / L, and a liquid temperature of 25 The solubility in a NaOH aqueous solution at 0 ° C. is required to be 25 mg / ml or more. Moreover, in order to more efficiently suppress the development of development residue, the solubility is preferably 35 mg / ml or more, and more preferably 50 mg / ml or more.

本発明における特定スルホニウム塩の構造は、カチオン部に、アルカリ可溶性基を置換基として有するフェニル基を3つ有するものである。このアルカリ可溶性基としては、−COOH基、−OH基、−SO3H基、−PO32基等が挙げられ、中でも、−COOH基、又は、−OH基が好ましい。これらのアルカリ可溶性基は、1つのフェニル基に対し、1つ置換していてもよく、複数置換していてもよい。
お、アルカリ可溶性基の置換位置は特に制限されない。
一方、特定スルホニウム塩のアニオン部としては強酸残基が挙げられ、アルカリ水溶液に対する溶解度を高める観点から、酸基を複数有する強酸残基、又は、ホスホン酸由来の強酸残基等が好ましい。
Structure of a particular sulfonium salt of the present invention, the mosquito thione section and has three phenyl groups having an alkali-soluble group as a substituent. Examples of the alkali-soluble group include —COOH group, —OH group, —SO 3 H group, —PO 3 H 2 group, etc. Among them, —COOH group or —OH group is preferable. These alkali-soluble group based on one of a phenyl group may also be one substituted, but it may also have a plurality of substituents.
Na us, the substitution position of the alkali-soluble group is not particularly limited.
On the other hand, examples of the anion moiety of the specific sulfonium salt include a strong acid residue. From the viewpoint of increasing the solubility in an alkaline aqueous solution, a strong acid residue having a plurality of acid groups or a strong acid residue derived from phosphonic acid is preferred.

また、本発明における特定スルホニウム塩は、アルカリ可溶性基を置換基として有するフェニル基を3つ有する構造を有し、常温常圧下において、0.1mol/Lで、かつ、液温25℃のNaOH水溶液に対する溶解度が25mg/ml以上であれば、フェニル基はアルカリ可溶性基以外の置換基を有していてもよい。
このアルカリ可溶性基以外の置換基としては、好ましくは、ハロゲン原子、ニトロ基、炭素原子数12個以下のアルキル基、炭素原子12個以下のアルコキシ基、又は炭素原子数12個以下のアリールオキシ基が挙げられる。
Further, the specific sulfonium salt in the present invention has a structure having three phenyl groups having an alkali-soluble group as a substituent, an aqueous NaOH solution having a temperature of 0.1 mol / L and a liquid temperature of 25 ° C. under normal temperature and pressure. If the solubility with respect to is 25 mg / ml or more, the phenyl group may have a substituent other than the alkali-soluble group.
The substituent other than the alkali-soluble group is preferably a halogen atom, a nitro group, an alkyl group having 12 or less carbon atoms, an alkoxy group having 12 or less carbon atoms, or an aryloxy group having 12 or less carbon atoms. Is mentioned.

前記アニオン部として好適な強酸残基としては、例えば、ハロゲンイオン(フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン)や、スルホン酸化合物、カルボン酸化合物、無機酸化合物等に由来する残基が挙げられる。このような化合物は、pKa<5であることが好ましい。特に、前記強酸残基は、複数の酸基を有するものが好ましい。
また、強酸残基において、無機酸化合物の残基としては、ハロゲン化物アニオン、HS04 -、及びハロゲン含有錯アニオン、例えば、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロアーセネート、及びヘキサフルオロアンチモネートである。これらの中でも、好ましくは、フッ素原子を含む無機酸化合物に由来する強酸残基が挙げられる。フッ素原子を含む無機酸化合物の具体例としては、例えば、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロアルミン酸、テトラフルオロ鉄酸、テトラフルオロガリウム酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロヒ素酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、ヘキサフルオロケイ素酸、ヘキサフルオロニッケル酸、ヘキサフルオロチタン酸、ヘキサフルオロジルコン酸等が挙げられ、中でも、ヘキサンルオロリン酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロアンチモン酸等が好ましい。
Examples of strong acid residues suitable as the anion moiety include residues derived from halogen ions (fluorine ions, chlorine ions, bromine ions, iodine ions), sulfonic acid compounds, carboxylic acid compounds, inorganic acid compounds, and the like. It is done. Such a compound preferably has a pKa <5. In particular, the strong acid residue preferably has a plurality of acid groups.
Further, in a strong acid residue, the residue of an inorganic acid compound, a halide anion, HS0 4 -, and halogen-containing complex anions, e.g., tetrafluoroborate, hexafluorophosphate, hexafluoro Ah cell sulfonates, and hexafluoroantimonate It is. Among these, Preferably, the strong acid residue derived from the inorganic acid compound containing a fluorine atom is mentioned. Specific examples of the inorganic acid compound containing a fluorine atom include, for example, tetrafluoroboric acid, tetrafluoroaluminic acid, tetrafluoroiron acid, tetrafluorogallic acid, hexafluorophosphoric acid, hexafluoroarsenic acid, hexafluoroantimonic acid, Hexafluorosilicic acid, hexafluoronickic acid, hexafluorotitanic acid, hexafluorozirconic acid and the like can be mentioned, and among them, hexanelurophosphoric acid, tetrafluoroboric acid, hexafluoroantimonic acid and the like are preferable.

前記強酸残基の由来となるスルホン酸化合物の具体例としては、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、ヘプタンスルホン酸、オクタンスルホン酸、ノナンスルホン酸、デカンスルホン酸、ウンデカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、トリデカンスルホン酸、テトラデカンスルホン酸、ペンタデカンスルホン酸、ヘキサデカンスルホン酸、ヘプタデカンスルホン酸、オクタデカンスルホン酸、ノナデカンスルホン酸、イコサンスルホン酸、ヘンイコサンスルホン酸、ドコサンスルホン酸、トリコサンスルホン酸、テトラコンサンスルホン酸等のアルキルスルホン酸;
例えば、フルオロメタンスルホン酸、ジフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、クロロメタンスルホン酸、ジクロロメタンスルホン酸、トリクロロメタンスルホン酸、ブロモメタンスルホン酸、ジブロモメタンスルホン酸、トリブロモメタンスルホン酸、ヨードメタンスルホン酸、ジヨードメタンスルホン酸、トリヨードメタンスルホン酸、フルオロエタンスルホン酸、ジフルオロエタンスルホン酸、トリフルオロエタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、クロロエタンスルホン酸、ジクロロエタンスルホン酸、トリクロロエタンスルホン酸、ペンタクロロエタンスルホン酸、トリブロモエタンスルホン酸、ペンタブロモエタンスルホン酸、トリヨードエタンスルホン酸、ペンタヨードエタンスルホン酸、フルオロプロパンスルホン酸、トリフルオロプロパンスルホン酸、ヘプタフルオロプロパンスルホン酸、クロロプロパンスルホン酸、トリクロロプロパンスルホン酸、ヘプタクロロプロパンスルホン酸、ブロモプロパンスルホン酸、トリブロモプロパンスルホン酸、ヘプタブロモプロパンスルホン酸、トリヨードプロパンスルホン酸、ヘプタヨードプロパンスルホン酸、トリフルオロブタンスルホン酸、ノナフルオロブタンスルホン酸、トリクロロブタンスルホン酸、ノナクロロブタンスルホン酸、トリブロモブタンスルホン酸、ノナブロモブタンスルホン酸、トリヨードブタンスルホン酸、ノナヨードブタンスルホン酸、
Specific examples of the sulfonic acid compound from which the strong acid residue is derived include, for example, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid, butanesulfonic acid, pentanesulfonic acid, hexanesulfonic acid, heptanesulfonic acid, and octanesulfonic acid. Nonane sulfonic acid, decane sulfonic acid, undecane sulfonic acid, dodecane sulfonic acid, tridecane sulfonic acid, tetradecane sulfonic acid, pentadecane sulfonic acid, hexadecane sulfonic acid, heptadecane sulfonic acid, octadecane sulfonic acid, nonadecane sulfonic acid, icosane Alkyl sulfonic acids such as sulfonic acid, heicosan sulfonic acid, docosan sulfonic acid, tricosane sulfonic acid, tetraconsan sulfonic acid;
For example, fluoromethanesulfonic acid, difluoromethanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, chloromethanesulfonic acid, dichloromethanesulfonic acid, trichloromethanesulfonic acid, bromomethanesulfonic acid, dibromomethanesulfonic acid, tribromomethanesulfonic acid, iodomethanesulfone Acid, diiodomethanesulfonic acid, triiodomethanesulfonic acid, fluoroethanesulfonic acid, difluoroethanesulfonic acid, trifluoroethanesulfonic acid, pentafluoroethanesulfonic acid, chloroethanesulfonic acid, dichloroethanesulfonic acid, trichloroethanesulfonic acid, pentachloroethanesulfone Acid, tribromoethanesulfonic acid, pentabromoethanesulfonic acid, triiodoethanesulfonic acid, pentaiodoethanesulfonic acid, Fluoropropanesulfonic acid, trifluoropropanesulfonic acid, heptafluoropropanesulfonic acid, chloropropanesulfonic acid, trichloropropanesulfonic acid, heptachloropropanesulfonic acid, bromopropanesulfonic acid, tribromopropanesulfonic acid, heptabromopropanesulfonic acid, tri Iodopropanesulfonic acid, heptaiodopropanesulfonic acid, trifluorobutanesulfonic acid, nonafluorobutanesulfonic acid, trichlorobutanesulfonic acid, nonachlorobutanesulfonic acid, tribromobutanesulfonic acid, nonabromobutanesulfonic acid, triiodobutanesulfone Acid, nonaiodobutane sulfonic acid,

トリフルオロペンタンスルホン酸、パーフルオロペンタンスルホン酸、トリクロロペンタンスルホン酸、パークロロペンタンスルホン酸、トリブロモペンタンスルホン酸、パーブロモペンタンスルホン酸、トリヨードペンタンスルホン酸、パーヨードペンタンスルホン酸、トリフルオロヘキサンスルホン酸、パーフルオロヘキサンスルホン酸、トリクロロヘキサンスルホン酸、パークロロヘキサンスルホン酸、パーブロモヘキサンスルホン酸、パーヨードヘキサンスルホン酸、トリフルオロヘプタンスルホン酸、パーフルオロヘプタンスルホン酸、トリクロロヘプタンスルホン酸、パークロロヘプタンスルホン酸、パーブロモヘプタンスルホン酸、パーヨードヘプタンスルホン酸、トリフルオロオクタンスルホン酸、パーフルオロオクタンスルホン酸、トリクロロオクタンスルホン酸、パークロロオクタンスルホン酸、パーブロモオクタンスルホン酸、パーヨードオクタンスルホン酸、トリフルオロノナンスルホン酸、パーフルオロノナンスルホン酸、トリクロロノナンスルホン酸、パークロロノナンスルホン酸、パーブロモノテンスルホン酸、パーヨードノナンスルホン酸、トリフルオロデカンスルホン酸、パーフルオロデカンスルホン酸、トリクロロデカンスルホン酸、パークロロデカンスルホン酸、パーブロモデカンスルホン酸、パーヨードデカンスルホン酸、トリフルオロウンデカンスルホン酸、パーフルオロウンデカンスルホン酸、トリクロロウンデカンスルホン酸、パークロロウンデカンスルホン酸、パーブロモウンデカンスルホン酸、バーヨードウンデカンスルホン酸、トリフルオロドデカンスルホン酸、パーフルオロドデカンスルホン酸、トリクロロドデカンスルホン酸、パークロロドデカンスルホン酸、パーブロモドデカンスルホン酸、パーヨードドデカンスルホン酸、トリフルオロトリデカンスルホン酸、パーフルオロトリデカンスルホン酸、トリクロロトリデカンスルホン酸、パークロロトリデカンスルホン酸、パーブロモトリデカンスルホン酸、パーヨードトリデカンスルホン酸、 Trifluoropentanesulfonic acid, perfluoropentanesulfonic acid, trichloropentanesulfonic acid, perchloropentanesulfonic acid, tribromopentanesulfonic acid, perbromopentanesulfonic acid, triiodopentanesulfonic acid, periododopentanesulfonic acid, trifluorohexane Sulfonic acid, perfluorohexanesulfonic acid, trichlorohexanesulfonic acid, perchlorohexanesulfonic acid, perbromohexanesulfonic acid, periodohexanesulfonic acid, trifluoroheptanesulfonic acid, perfluoroheptanesulfonic acid, trichloroheptanesulfonic acid, perfluorohexane Chloroheptane sulfonic acid, perbromoheptane sulfonic acid, periodate heptane sulfonic acid, trifluorooctane sulfonic acid, perfluorooctance Phosphonic acid, trichlorooctane sulfonic acid, perchlorooctane sulfonic acid, perbromooctane sulfonic acid, periodooctane sulfonic acid, trifluorononane sulfonic acid, perfluorononane sulfonic acid, trichlorononane sulfonic acid, perchlorononane sulfonic acid, per Bromonotenesulfonic acid, periodononanesulfonic acid, trifluorodecanesulfonic acid, perfluorodecanesulfonic acid, trichlorodecanesulfonic acid, perchlorodecanesulfonic acid, perbromodecanesulfonic acid, periodododecanesulfonic acid, trifluoroundecane Sulfonic acid, perfluoroundecane sulfonic acid, trichloroundecane sulfonic acid, perchloroundecane sulfonic acid, perbromoundecane sulfonic acid, bayiodoundecane sulfone , Trifluorododecanesulfonic acid, perfluorododecanesulfonic acid, trichlorododecanesulfonic acid, perchlorododecanesulfonic acid, perbromododecanesulfonic acid, periodododecanesulfonic acid, trifluorotridecanesulfonic acid, perfluorotridecanesulfonic acid, trichloro Tridecanesulfonic acid, perchlorotridecanesulfonic acid, perbromotridecanesulfonic acid, periodotridecanesulfonic acid,

トリフルオロテトラデカンスルホン酸、パーフルオロテトラデカンスルホン酸、トリクロロテトラデカンスルホン酸、パークロロテトラデカンスルホン酸、パーブロモテトラデカンスルホン酸、パーヨードテトラデカンスルホン酸、トリフルオロペンタデカンスルホン酸、パーフルオロペンタデカンスルホン酸、トリクロロペンタデカンスルホン酸、パークロロペンタデカンスルホン酸、パーブロモペンタデカンスルホン酸、パーヨードペンタデカンスルホン酸、パーフルオロヘキサデカンスルホン酸、パークロロヘキサデカンスルホン酸、パーブロモヘキサデカンスルホン酸、パーヨードヘキサデカンスルホン酸、パーフルオロヘプタデカンスルホン酸、パークロロヘプタデカンスルホン酸、パーブロモへプタデカンスルホン酸、パーヨードヘプタデカンスルホン酸、パーフルオロオクタデカンスルホン酸、バークロロオクタデカンスルホン酸、パープロモオクタデカンスルホン酸、パーヨードオクタデカンスルホン酸、パーフルオロノナデカンスルホン酸、パークロロノナデカンスルホン酸、パーブロモノナデカンスルホン酸、パーヨードノナデカンスルホン酸、パーフルオロイコサンスルホン酸、パークロロイコサンスルホン酸、パーブロモイコサンスルホン酸、パーヨードイコサンスルホン酸、パーフルオロヘンイコサンスルホン酸、パークロロヘンイコサンスルホン酸、パーブロモヘンイコサンスルホン酸、パーヨードヘンイコサンスルホン酸、パーフルオロドコサンスルホン酸、パークロロドコサンスルホン酸、パーブロモドコサンスルホン酸、バーヨードドコサンスルホン酸、パーフルオロトリコサンスルホン酸、パークロロトリコサンスルホン酸、パーブロモトリコサンスルホン酸、パーヨードトリコサンスルホン酸、パーフルオロテトラコンサンスルホン酸、パークロロテトラコンサンスルホン酸、パーブロモテトラコンサンスルホン酸、パーヨードテトラコンサンスルホン酸等のハロアルキルスルホン酸; Trifluorotetradecane sulfonic acid, perfluorotetradecane sulfonic acid, trichlorotetradecane sulfonic acid, perchlorotetradecane sulfonic acid, perbromotetradecane sulfonic acid, periodate tetradecane sulfonic acid, trifluoropentadecane sulfonic acid, perfluoropentadecane sulfonic acid, trichloropentadecane sulfonic acid Acid, perchloropentadecanesulfonic acid, perbromopentadecanesulfonic acid, periodopentadecanesulfonic acid, perfluorohexadecanesulfonic acid, perchlorohexadecanesulfonic acid, perbromohexadecanesulfonic acid, periodohexadecanesulfonic acid, perfluoroheptadecanesulfonic acid Perchloroheptadecanesulfonic acid, perbromoheptadecanesulfonic acid, perio Heptadecanesulfonic acid, perfluorooctadecanesulfonic acid, berchlorooctadecanesulfonic acid, perpromooctadecanesulfonic acid, periodooctadecanesulfonic acid, perfluorononadecanesulfonic acid, perchlorononadecanesulfonic acid, perbromononadecanesulfonic acid, Periodononadecanesulfonic acid, perfluoroicosanesulfonic acid, perchloroicosanesulfonic acid, perbromoicosanesulfonic acid, periodoicosanesulfonic acid, perfluoroheneicosansulfonic acid, perchlorohicosansulfonic acid , Perbromohedicosan sulfonic acid, periodohenicosan sulfonic acid, perfluorodocosane sulfonic acid, perchlorodocosane sulfonic acid, perbromodocosane sulfonic acid, baiodo docosanth Phosphonic acid, perfluorotricosansulfonic acid, perchlorotricosansulfonic acid, perbromotricosansulfonic acid, periodotricosanesulfonic acid, perfluorotetraconsansulfonic acid, perchlorotetraconsansulfonic acid, perbromotetracene Haloalkyl sulfonic acids such as consan sulfonic acid and periodotetracon san sulfonic acid;

例えば、シクロペンタンスルホン酸、シクロヘキサンスルホン酸等のシクロアルキルスルホン酸;
例えば、2−フルオロシクロペンタンスルホン酸、2−クロロシクロペンタンスルホン酸、2−ブロモシクロペンタンスルホン酸、2−ヨードシクロペンタンスルホン酸、3−フルオロシクロペンタンスルホン酸、8−クロロシクロペンタンスルホン酸、3−ブロモシクロペンタンスルホン酸、3−ヨードシクロペンタンスルホン酸、3,4−ジフルオロシクロペンタンスルホン酸、3,4−ジクロロシクロペンタンスルホン酸、3,4−ジブロモシクロペンタンスルホン酸、3,4−ジヨードシクロペンタンスルホン酸、4−フルオロシクロヘキサンスルホン酸、4−クロロシクロヘキサンスルホン酸、4−ブロモシクロヘキサンスルホン酸、4−ヨードシクロヘキサンスルホン酸、2,4−ジフルオロシクロヘキサンスルホン酸、2,4−ジクロロシクロヘキサンスルホン酸、2,4−ジブロモシクロヘキサンスルホン酸、2,4−ジヨードシクロヘキサンスルホン酸、2,4,6−トリフルオロシクロヘキサンスルホン酸、2,4,6−トリクロロシクロヘキサンスルホン酸、2,4,6−トリブロモシクロヘキサンスルホン酸、2,4,6−トリヨードシクロヘキサンスルホン酸、テトラフルオロシクロヘキサンスルホン酸、テトラクロロシクロヘキサンスルホン酸、テトラブロモシクロヘキサンスルホン酸、テトラヨードシクロヘキサンスルホン酸等のハロゲン化シクロアルキルスルホン酸;
For example, cycloalkyl sulfonic acids such as cyclopentane sulfonic acid and cyclohexane sulfonic acid;
For example, 2-fluorocyclopentanesulfonic acid, 2-chlorocyclopentanesulfonic acid, 2-bromocyclopentanesulfonic acid, 2-iodocyclopentanesulfonic acid, 3-fluorocyclopentanesulfonic acid, 8-chlorocyclopentanesulfonic acid, 3-bromocyclopentanesulfonic acid, 3-iodocyclopentanesulfonic acid, 3,4-difluorocyclopentanesulfonic acid, 3,4-dichlorocyclopentanesulfonic acid, 3,4-dibromocyclopentanesulfonic acid, 3,4- Diiodocyclopentanesulfonic acid, 4-fluorocyclohexanesulfonic acid, 4-chlorocyclohexanesulfonic acid, 4-bromocyclohexanesulfonic acid, 4-iodocyclohexanesulfonic acid, 2,4-difluorocyclohexanesulfonic acid, 2,4 Dichlorocyclohexanesulfonic acid, 2,4-dibromocyclohexanesulfonic acid, 2,4-diiodocyclohexanesulfonic acid, 2,4,6-trifluorocyclohexanesulfonic acid, 2,4,6-trichlorocyclohexanesulfonic acid, 2,4 Halogenated cycloalkyl such as 1,6-tribromocyclohexanesulfonic acid, 2,4,6-triiodocyclohexanesulfonic acid, tetrafluorocyclohexanesulfonic acid, tetrachlorocyclohexanesulfonic acid, tetrabromocyclohexanesulfonic acid, tetraiodocyclohexanesulfonic acid Sulfonic acid;

例えば、ベンゼンスルホン酸、ナンタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸、フェナントレンスルホン酸、ピレンスルホン酸等の芳香族スルホン酸;
例えば、2−フルオロベンゼンスルホン酸、3−フルオロベンゼンスルホン酸、4−フルオロベンゼンスルホン酸、2−クロロベンゼンスルホン酸、3−クロロベンゼンスルホン酸、4−クロロベンゼンスルホン酸、2−ブロモベンゼンスルホン酸、3−プロモベンゼンスルホン酸、4−ブロモベンゼンスルホン酸、2−ヨードベンゼンスルホン酸、4−ヨードベンゼンスルホン酸、2,4−ジフルオロベンゼンスルホン酸、2,6−ジフルオロベンゼンスルホン酸、2,4−ジクロロベンゼンスルホン酸、2,6−ジクロロベンゼンスルホン酸、2,4−ジブロモベンゼンスルホン酸、2,6−ジブロモベンゼンスルホン酸、2,4−ジヨードベンゼンスルホン酸、2,6−ジヨードベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリフルオロベンゼンスルホン酸、3,4,5−トリフルオロベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリクロロベンゼンスルホン酸、3,4,5−トリクロロベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリブロモベンゼンスルホン酸、3,4,5−トリブロモベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリヨードベンゼンスルホン酸、3,4,5−トリヨードベンゼンスルホン酸、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸、ペンタクロロベンゼンスルホン酸、ペンタブロモベンゼンスルホン酸、ペンタヨードベンゼンスルホン酸、フルオロナフタレンスルホン酸、クロロナフタレンスルホン酸、ブロモナフタレンスルホン酸、ヨードナフタレンスルホン酸、フルオロアントラセンスルホン酸、クロロアントラセンスルホン酸、ブロモアントラセンスルホン酸、ヨードアントンセンスルホン酸等のハロゲン化芳香接スルホン酸;
For example, aromatic sulfonic acids such as benzene sulfonic acid, nanthalene sulfonic acid, anthracene sulfonic acid, phenanthrene sulfonic acid, pyrene sulfonic acid;
For example, 2-fluorobenzenesulfonic acid, 3-fluorobenzenesulfonic acid, 4-fluorobenzenesulfonic acid, 2-chlorobenzenesulfonic acid, 3-chlorobenzenesulfonic acid, 4-chlorobenzenesulfonic acid, 2-bromobenzenesulfonic acid, 3- Promobenzenesulfonic acid, 4-bromobenzenesulfonic acid, 2-iodobenzenesulfonic acid, 4-iodobenzenesulfonic acid, 2,4-difluorobenzenesulfonic acid, 2,6-difluorobenzenesulfonic acid, 2,4-dichlorobenzene Sulfonic acid, 2,6-dichlorobenzenesulfonic acid, 2,4-dibromobenzenesulfonic acid, 2,6-dibromobenzenesulfonic acid, 2,4-diiodobenzenesulfonic acid, 2,6-diiodobenzenesulfonic acid, 2,4,6-trifluorobenze Sulfonic acid, 3,4,5-trifluorobenzenesulfonic acid, 2,4,6-trichlorobenzenesulfonic acid, 3,4,5-trichlorobenzenesulfonic acid, 2,4,6-tribromobenzenesulfonic acid, 3 , 4,5-tribromobenzenesulfonic acid, 2,4,6-triiodobenzenesulfonic acid, 3,4,5-triiodobenzenesulfonic acid, pentafluorobenzenesulfonic acid, pentachlorobenzenesulfonic acid, pentabromobenzenesulfone Acid, pentaiodobenzenesulfonic acid, fluoronaphthalenesulfonic acid, chloronaphthalenesulfonic acid, bromonaphthalenesulfonic acid, iodonaphthalenesulfonic acid, fluoroanthracenesulfonic acid, chloroanthracenesulfonic acid, bromoanthracenesulfonic acid, iodoanthone sense Halogenated aromatic contact sulfonic acids such as acid;

例えば、p−トルエンスルホン酸、4−イソプロピルベンゼンスルホン酸、3,5−ビス(トリメチル)ベンゼンスルホン酸、3,5−ビス(イソプロピル)ベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリス(トリメチル)ベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリス(イソプロピル)ベンゼンスルホン酸等のアルキル芳香族スルホン酸;
例えば、2−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸、2−トリクロロメチルベンゼンスルホン酸、2−トリブロモメチルベンゼンスルホン酸、2−トリヨードメチルベンゼンスルホン酸、3−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸、3−トリクロロメチルベンゼンスルホン酸、3−トリブロモメチルベンゼンスルホン酸、3−トリヨードメチルベンゼンスルホン酸、4−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸、4−トリクロロメチルベンゼンスルホン酸、4−トリブロモメチルベンゼンスルホン酸、4−トリヨードメチルベンゼンスルホン酸、2,6−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンスルホン酸、2,6−ビス(トリクロロメチル)ベンゼンスルホン酸、2,6−ビス(トリブロモメチル)ベンゼンスルホン酸、2,6−ビス(トリヨードメチル)ベンゼンスルホン酸、3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンスルホン酸、3,5−ビス(トリクロロメチル)ベンゼンスルホン酸、3,5−ビス(トリブロモメチル)ベンゼンスルホン酸、3,5−ビス(トリヨードメチル)ベンゼンスルホン酸等のハロゲン化アルキル芳香族スルホン酸;
例えば、ベンジルスルホン酸、フェネチルスルホン酸、フェニルプロピルスルホン酸、フェニルブチルスルホン酸、フェニルペンチルスルホン酸、フェニルヘキシルスルホン酸、フェニルヘプチルスルホン酸、フェニルオクチルスルホン酸、フェニルノニルスルホン酸等の芳香脂肪族スルホン酸;
For example, p-toluenesulfonic acid, 4-isopropylbenzenesulfonic acid, 3,5-bis (trimethyl) benzenesulfonic acid, 3,5-bis (isopropyl) benzenesulfonic acid, 2,4,6-tris (trimethyl) benzene Alkyl aromatic sulfonic acids such as sulfonic acid and 2,4,6-tris (isopropyl) benzenesulfonic acid;
For example, 2-trifluoromethylbenzenesulfonic acid, 2-trichloromethylbenzenesulfonic acid, 2-tribromomethylbenzenesulfonic acid, 2-triiodomethylbenzenesulfonic acid, 3-trifluoromethylbenzenesulfonic acid, 3-trichloromethyl Benzenesulfonic acid, 3-tribromomethylbenzenesulfonic acid, 3-triiodomethylbenzenesulfonic acid, 4-trifluoromethylbenzenesulfonic acid, 4-trichloromethylbenzenesulfonic acid, 4-tribromomethylbenzenesulfonic acid, 4- Triiodomethylbenzenesulfonic acid, 2,6-bis (trifluoromethyl) benzenesulfonic acid, 2,6-bis (trichloromethyl) benzenesulfonic acid, 2,6-bis (tribromomethyl) benzenesulfonic acid, 2, 6-bis ( Lyodomethyl) benzenesulfonic acid, 3,5-bis (trifluoromethyl) benzenesulfonic acid, 3,5-bis (trichloromethyl) benzenesulfonic acid, 3,5-bis (tribromomethyl) benzenesulfonic acid, 3,5 A halogenated alkyl aromatic sulfonic acid such as bis (triiodomethyl) benzenesulfonic acid;
For example, aromatic aliphatic sulfones such as benzyl sulfonic acid, phenethyl sulfonic acid, phenyl propyl sulfonic acid, phenyl butyl sulfonic acid, phenyl pentyl sulfonic acid, phenyl hexyl sulfonic acid, phenyl heptyl sulfonic acid, phenyl octyl sulfonic acid, and phenyl nonyl sulfonic acid acid;

例えば、4−フルオロフェニルメチルスルホン酸、4−クロロフェニルメチルスルホン酸、4−ブロモフェニルメチルスルホン酸、4−ヨードフェニルメチルスルホン酸、テトラフルオロフェニルメチルスルホン酸、チトラクロロフェニルメチルスルホン酸、テトラブロモフェニルメチルスルホン酸、テトラヨードフェニルメチルスルホン酸、4−フルオロフェニルエチルスルホン酸、4−クロロフェニルエチルスルホン酸、4−ブロモフェニルエチルスルホン酸、4−ヨードフェニルエチルスルホン酸.4−フルオロフェニルプロピルスルホン酸、4−クロロフェニルプロピルスルホン酸、4−ブロモフェニルプロピルスルホン酸、4−ヨードフェニルプロピルスルホン酸、4−フルオロフェニルブチルスルホン酸、4−クロロフェニルブチルスルホン酸、4−ブロモフェニルブチルスルホン酸、4−ヨードフェニルブチルスルホン酸等のハロゲン化芳香脂肪族スルホン酸;
例えば、カンファースルホン酸、アダマンタンカルボン酸等の脂環式スルホン酸;等が挙げられる。
中でも、入手性、製造適性の面から、トリフルオロメタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸が特に好ましい。
For example, 4-fluorophenylmethylsulfonic acid, 4-chlorophenylmethylsulfonic acid, 4-bromophenylmethylsulfonic acid, 4-iodophenylmethylsulfonic acid, tetrafluorophenylmethylsulfonic acid, titrachlorophenylmethylsulfonic acid, tetrabromophenylmethyl Sulfonic acid, tetraiodophenylmethylsulfonic acid, 4-fluorophenylethylsulfonic acid, 4-chlorophenylethylsulfonic acid, 4-bromophenylethylsulfonic acid, 4-iodophenylethylsulfonic acid. 4-fluorophenylpropylsulfonic acid, 4-chlorophenylpropylsulfonic acid, 4-bromophenylpropylsulfonic acid, 4-iodophenylpropylsulfonic acid, 4-fluorophenylbutylsulfonic acid, 4-chlorophenylbutylsulfonic acid, 4-bromophenyl Halogenated araliphatic sulfonic acids such as butylsulfonic acid and 4-iodophenylbutylsulfonic acid;
Examples thereof include alicyclic sulfonic acids such as camphor sulfonic acid and adamantane carboxylic acid.
Of these, trifluoromethanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, and methanesulfonic acid are particularly preferable from the viewpoints of availability and production suitability.

前記強酸残基の由来となるカルボン酸化合物の具体例としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ラウリル酸、トリデカン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、イコサン酸、ヘンイコサン酸、ドコサン酸、トリコサン酸等の脂肪族不飽和カルボン酸;
例えば、フルオロ酢酸、クロロ酢酸、ブロモ酢酸、ヨード酢酸、ジフルオロ酢酸、ジクロロ酢酸、ジブロモ酢酸、ジヨード酢酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリブロモ酢酸、トリヨード酢酸、2−フルオロプ口ピオン酸、2−クロロプロピオン酸、2−ブロモプロピオン酸、2−ヨードプロピオン酸、トリフルオロプロピオン酸、トリクロロプロピオン酸、ペンタフルオロプロピォン酸、ペンタクロロプロピオン酸、ペンタブロモプ口ピオン酸、ペンタヨードプロピオン酸、2,2−ビス(トリフルオロメチル)プロピオン酸、2,2−ビス(トリクロロメチル)プロピオン酸、2,2−ビス(トリブロモメチル)プロピオン酸、2,2−ビス(トリヨードメチル)プロピオン酸、トリフルオロ酪酸、トリクロロ酪酸、ペンタフルオロ酪酸、ヘプタクロロ酪酸、ヘプタフルオロ酪酸、へプタブロモ酪酸、ヘプタヨード酪酸、ヘプタフルオロイソ酪酸、ヘプタクロロイソ酪酸、ヘプタブロモイソ酪酸、ヘプタヨードイソ酪酸、トリフルオロ吉草酸、5H−パーフルオロ吉草酸、5H−パークロロ吉草酸、5H−パープロモ吉草酸、5H−パーヨード吉草酸、ノナフルオロ吉草酸、ノナクロロ吉草酸、ノナブロモ吉草酸、ノナヨード吉草酸、トリフルオロヘキサン酸、トリクロロヘキサン酸、パーフルオロヘキサン酸、パークロロヘキサン酸、パーブロモヘキサン酸、パーヨードヘキサン酸、7−クロロドデカフルオロヘプタン酸、7−クロロドデカクロロヘプタン酸、7−クロロドデカブロモヘプタン酸、7−クロロドデカヨードヘプタン酸、トリフルオロヘプタン酸、トリクロロヘプタン酸、7H−パーフルオロヘプタン酸、7H−パークロロヘプタン酸、7H−パーブロモヘプタン酸、7H−パーヨードヘプタン酸、
Specific examples of the carboxylic acid compound from which the strong acid residue is derived include, for example, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid, valeric acid, isovaleric acid, pivalic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, Nonsaturation such as nonanoic acid, decanoic acid, undecanoic acid, lauric acid, tridecanoic acid, myristic acid, pentadecanoic acid, palmitic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, nonadecanoic acid, icosanoic acid, heicosanoic acid, docosanoic acid, tricosanoic acid carboxylic acid;
For example, fluoroacetic acid, chloroacetic acid, bromoacetic acid, iodoacetic acid, difluoroacetic acid, dichloroacetic acid, dibromoacetic acid, diiodoacetic acid, trifluoroacetic acid, trichloroacetic acid, tribromoacetic acid, triiodoacetic acid, 2-fluoropropionic acid, 2-chloropropion Acid, 2-bromopropionic acid, 2-iodopropionic acid, trifluoropropionic acid, trichloropropionic acid, pentafluoropropionic acid, pentachloropropionic acid, pentabromopropionic acid, pentaiodopropionic acid, 2,2-bis (Trifluoromethyl) propionic acid, 2,2-bis (trichloromethyl) propionic acid, 2,2-bis (tribromomethyl) propionic acid, 2,2-bis (triiodomethyl) propionic acid, trifluorobutyric acid, Trichlorobutyric acid, pentaful Robutyric acid, heptachlorobutyric acid, heptafluorobutyric acid, heptabromobutyric acid, heptaiobutyric acid, heptafluoroisobutyric acid, heptachloroisobutyric acid, heptabromoisobutyric acid, heptaiodoisobutyric acid, trifluorovaleric acid, 5H-perfluorovaleric acid, 5H-perchloro Valeric acid, 5H-perpromovaleric acid, 5H-periodovaleric acid, nonafluorovaleric acid, nonachlorovaleric acid, nonabromovaleric acid, nonaiodovaleric acid, trifluorohexanoic acid, trichlorohexanoic acid, perfluorohexanoic acid, perchlorohexanoic acid, Perbromohexanoic acid, periodiohexanoic acid, 7-chlorododecafluoroheptanoic acid, 7-chlorododecachloroheptanoic acid, 7-chlorododecabromoheptanoic acid, 7-chlorododecaiodoheptanoic acid, trifluoroheptanoic acid, Chloro heptanoic acid, 7H-perfluoroheptanoic acid, 7H-perchlorethylene heptanoic acid, 7H-Per-bromo heptanoic acid, 7H-per-iodo-heptanoic acid,

トリフルオロオクタン酸、トリクロロオクタン酸、ペンタデカフルオロオクタン酸、ペンタデカクロロオクタン酸、ペンタデカブロモオクタン酸、ペンタデ力ヨードオクタン酸、トリフルオロノナン酸、トリクロロノナン酸、9H−ヘキサデカフルオロノナン酸、9H−ヘキサデカクロロノナン酸、9H−ヘキサデカブロモノナン酸、9H−ヘキサデカヨードノナン酸、パーフルオロノナン酸、パークロロノナン酸、パーブロモノナン酸、パーヨードノナン酸、トリフルオロデカン酸、トリクロロデカン酸、ノナデカフルオロデカン酸、ノナデカクロロデカン酸、ノナデカブロモデカン酸、ノナデカヨードデカン酸、トリフルオロウンデカン酸、トリクロロウンデカン酸、パーフルオロウンデカン酸、パークロロウンデカン酸、パーブロモウンデカン酸、パーヨードウンデカン酸、トリフルオロドデカン酸、トリクロロドデカン酸、パーフルオロドデカン酸、パークロロドデカン酸、パーブロモドデカン酸、パーヨードドデカン酸、トリフルオロトリデカン酸、トリクロロトリデカン酸、パーフルオロトリデカン酸、パークロロトリデカン酸、パーブロモトリデカン酸、パーヨードトリデカン酸、トリフルオロテトラデカン酸、トリクロロテトラデカン酸、パーフルオロテトラデカン酸、パークロロテトラデカン酸、パーブロモテトラデカン酸、パーヨードテトラデカン酸、トリフルオロペンタデカン酸、トリクロロペンタデカン酸、パーフルオロペンタデカン酸、パークロロペンタデカン酸、パーブロモペンタデカン酸、パーヨードペンタデカン酸、パーフルオロヘキサデカン酸、パークロロヘキサデカン酸、パーブロモヘキサデカン酸、パーヨードヘキサデカン酸、パーフルオロヘブタデカン酸、パークロロヘプタデカン酸、パーブロモヘプタデカン酸、パーヨードヘプタデカン酸、パーフルオロオクタデカン酸、パークロロオクタデカン酸、パーブロモオクタデカン酸、パーヨードオクタデカン酸、パーフルオロノナデカン酸、パークロロノナデカン酸、パーブロモノナデカン酸、パーヨードノナデカン酸、パーフルオロイコサン酸、パークロロイコサン酸、パーブロモイコサン酸、バーヨードイコサン酸、パーフルオロヘンイコサン酸、パークロロヘンイコサン酸、パーブロモヘンイコサン酸、パーヨードヘンイコサン酸、パーフルオロドコサン酸、パークロロドコサン酸、パーブロモドコサン酸、パーヨードドコサン酸、パーフルオロトリコサン酸、パークロロトリコサン酸、パーブロモトリコサン酸、パーヨードトリコサン酸等のハロゲン化飽和脂肪酸カルボン酸; Trifluorooctanoic acid, trichlorooctanoic acid, pentadecafluorooctanoic acid, pentadecachlorooctanoic acid, pentadecabromooctanoic acid, pentadeoxyiodooctanoic acid, trifluorononanoic acid, trichlorononanoic acid, 9H-hexadecafluorononanoic acid, 9H-hexadecachlorononanoic acid, 9H-hexadecabromononanoic acid, 9H-hexadecaiodononanoic acid, perfluorononanoic acid, perchlorononanoic acid, perbromononanoic acid, periodononanoic acid, trifluorodecanoic acid, trichlorodecanoic acid , Nonadecafluorodecanoic acid, nonadecachlorodecanoic acid, nonadecabromodecanoic acid, nonadecanoiododecanoic acid, trifluoroundecanoic acid, trichloroundecanoic acid, perfluoroundecanoic acid, perchloroundecanoic acid, perbromo Decanoic acid, periodododecanoic acid, trifluorododecanoic acid, trichlorododecanoic acid, perfluorododecanoic acid, perchlorododecanoic acid, perbromododecanoic acid, periodododecanoic acid, trifluorotridecanoic acid, trichlorotridecanoic acid, perfluorotridecanoic acid Decanoic acid, perchlorotridecanoic acid, perbromotridecanoic acid, periodotridecanoic acid, trifluorotetradecanoic acid, trichlorotetradecanoic acid, perfluorotetradecanoic acid, perchlorotetradecanoic acid, perbromotetradecanoic acid, periodotetradecanoic acid, Trifluoropentadecanoic acid, trichloropentadecanoic acid, perfluoropentadecanoic acid, perchloropentadecanoic acid, perbromopentadecanoic acid, periodopentadecanoic acid, perfluorohexadecanoic acid Perchlorohexadecanoic acid, perbromohexadecanoic acid, periodohexadecanoic acid, perfluorohebutadecanoic acid, perchloroheptadecanoic acid, perbromoheptadecanoic acid, periodoheptadecanoic acid, perfluorooctadecanoic acid, perchlorooctadecanoic acid, Perbromooctadecanoic acid, periodooctadecanoic acid, perfluorononadecanoic acid, perchlorononadecanoic acid, perbromononadecanoic acid, periodononadecanoic acid, perfluoroicosanoic acid, perchloroicosanoic acid, perbromoicosano Acid, valiodoicosanoic acid, perfluorohenicosanoic acid, perchlorohenicosanoic acid, perbromohenicosanoic acid, periodohenicosanoic acid, perfluorodocosanoic acid, perchlorodocosanoic acid, perbromo Docosanoic acid, periodate doco Halogenated saturated fatty acid carboxylic acids such as sanic acid, perfluorotricosanoic acid, perchlorotricosanoic acid, perbromotricosanoic acid, and periodotricosanoic acid;

例えば、グリコール酸、乳酸、グリセリン酸、3−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸等のヒドロキシ脂肪族カルボン酸;
例えば、3−ヒドロキシ−2−(トリフルオロメチル)プロピオン酸、3−ヒドロキシ−2−(トリクロロメチル)プロピオン酸、3−ヒドロキシ−2−(トリブロモメチル)プロピオン酸、3−ヒドロキシ−2−(トリヨードメチル)プロピオン酸、2−ヒドロキシ−2−(トリフルオロメチル)酪酸、2−ヒドロキシ−2−(トリクロロメチル)酪酸、2−ヒドロキシ−2−(トリブロモメチル)酪酸、2−ヒドロキシ−2−(トリヨードメチル)酪酸等のハロゲン化とドロキン脂肪族カルボン酸;
例えば、シクロヘキサンカルボン酸、樟脳酸、アダマンタン酸等の脂環式カルボン酸;
例えば、4−フルオロシクロヘキサンカルボン酸、4−クロロシクロヘキサンカルボン酸、4−ブロモシクロヘキサンカルボン酸、4−ヨードシクロヘキサンカルボン酸、ペンタフルオロシクロヘキサンカルボン酸、ペンタクロロシクロヘキサンカルボン酸、ペンタブロモシクロヘキサンカルボン酸、ペンタヨードシクロヘキサンカルボン酸、4−(トリフルオロメチル)シクロヘキサンカルボン酸、4−(トリクロロメチル)シクロヘキサンカルボン酸、4−(トリブロモメチル)シクロヘキサンカルボン酸、4−(トリヨードメチル)シクロヘキサンカルボン酸等のハロゲン化脂環式カルボン酸;
For example, hydroxy aliphatic carboxylic acids such as glycolic acid, lactic acid, glyceric acid, 3-hydroxy-2-methylpropionic acid;
For example, 3-hydroxy-2- (trifluoromethyl) propionic acid, 3-hydroxy-2- (trichloromethyl) propionic acid, 3-hydroxy-2- (tribromomethyl) propionic acid, 3-hydroxy-2- ( Triiodomethyl) propionic acid, 2-hydroxy-2- (trifluoromethyl) butyric acid, 2-hydroxy-2- (trichloromethyl) butyric acid, 2-hydroxy-2- (tribromomethyl) butyric acid, 2-hydroxy-2 -Halogenation such as (triiodomethyl) butyric acid and droquine aliphatic carboxylic acid;
For example, cycloaliphatic carboxylic acids such as cyclohexanecarboxylic acid, camphoric acid, adamantanoic acid;
For example, 4-fluorocyclohexanecarboxylic acid, 4-chlorocyclohexanecarboxylic acid, 4-bromocyclohexanecarboxylic acid, 4-iodocyclohexanecarboxylic acid, pentafluorocyclohexanecarboxylic acid, pentachlorocyclohexanecarboxylic acid, pentabromocyclohexanecarboxylic acid, pentaiodo Halogenation of cyclohexanecarboxylic acid, 4- (trifluoromethyl) cyclohexanecarboxylic acid, 4- (trichloromethyl) cyclohexanecarboxylic acid, 4- (tribromomethyl) cyclohexanecarboxylic acid, 4- (triiodomethyl) cyclohexanecarboxylic acid, etc. Alicyclic carboxylic acids;

例えば、安息香酸、ナフトエ酸、アントラセンカルボン酸、ピレンカルボン酸、ピリレンカルボン酸、ペンタフェンカルボン酸等の芳香族カルボン酸;
例えば、フルオロ安息香酸、クロロ安息香酸、ブロモ安息香酸、ヨード安息香酸、ジフルオロ安息香酸、ジクロロ安息香酸、ジブロモ安息香酸、ジヨード安息香酸、トリフルオロ安息香酸、トリクロロ安息香酸、トリブロモ安息香酸、トリヨード安息香酸、テトラフルオロ安息香酸、テトラクロロ安息香酸、テトラブロモ安息香酸、テトラヨード安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、ペンタクロロ安息香酸、ペンタブロモ安息香酸、ペンタヨード安息香酸、フルオロナフトエ酸、クロロナフトエ酸、ブロモナフトエ酸、ヨードナフトエ酸、パーフルオロナフトエ酸、パークロロナフトエ酸、パーブロモナフトエ酸、パーヨードナフトエ酸、フルオロアントラセンカルボン酸、クロロアントラセンカルボン酸、ブロモアントンセンカルボン酸、ヨードアントラセンカルボン酸、パーフルオロアントラセンカルボン酸、パークロロアントラセンカルボン酸、パーブロモアントラセンカルボン酸、パーヨードアントラセンカルボン酸等のハロゲン化芳香族カルボン酸、ベンゾイル蟻酸;
For example, aromatic carboxylic acids such as benzoic acid, naphthoic acid, anthracene carboxylic acid, pyrene carboxylic acid, pyrylene carboxylic acid, pentaphen carboxylic acid;
For example, fluorobenzoic acid, chlorobenzoic acid, bromobenzoic acid, iodobenzoic acid, difluorobenzoic acid, dichlorobenzoic acid, dibromobenzoic acid, diiodobenzoic acid, trifluorobenzoic acid, trichlorobenzoic acid, tribromobenzoic acid, triiodobenzoic acid , Tetrafluorobenzoic acid, tetrachlorobenzoic acid, tetrabromobenzoic acid, tetraiodobenzoic acid, pentafluorobenzoic acid, pentachlorobenzoic acid, pentabromobenzoic acid, pentaiodobenzoic acid, fluoronaphthoic acid, chloronaphthoic acid, bromonaphthoic acid, iodonaphthoic acid Perfluoronaphthoic acid, perchloronaphthoic acid, perbromonaphthoic acid, periodonaphthoic acid, fluoroanthracene carboxylic acid, chloroanthracene carboxylic acid, bromoanthanthene carboxylic acid, Over de-anthracene carboxylic acid, perfluoro-anthracene carboxylic acid, perchlorethylene anthracene carboxylic acid, perfluoro-bromo-anthracene carboxylic acid, halogenated aromatic carboxylic acids such as per-iodo-anthracene carboxylic acid, benzoyl formic acid;

例えば、トルイル酸、2,4,6−トリ(イソプロピル)安息香酸等のアルキル芳香族カルボン酸;
例えば、2−トリフルオロメチル安息香酸、2−トリクロロメチル安息香酸、2−トリブロモメチル安息香酸、2−トリヨードメチル安息香酸、3−トリフルオロメチル安息香酸、3−トリクロロメチル安息香酸、3−トリブロモメチル安息香酸、3−トリヨードメチル安息香酸、4−トリフルオロメチル安息香酸、4−トリクロロメチル安息香酸、4−トリブロモメチル安息香酸、4−トリヨードメチル安息香酸、2−フルオロ−4−(トリフルオロメチル)安息香酸、2−クロロ−4−(トリクロロメチル)安息香酸、2−ブロモ−4−(トリブロモメチル)安息香酸、2,3,4−トリフルオロ−6−(トリフルオロメチル)安息香酸、2,3,4−トリクロロ−6−(トリクロロメチル)安息香酸、2,3,4−トリブロモ−6−(トリブロモメチル)安息香酸、2,3,4−トリヨード−6−(トリヨードメチル)安息香酸、2−ヨード−4−(トリヨードメチル)安息香酸、2,4−ビス(トリフルオロメチル)安息香酸、2,4−ビス(トリクロロメチル)安息香酸、2,4−ビス(トリブロモメチル)安息香酸、2,4−ビス(トリヨードメチル)安息香酸、2,6−ビス(トリフルオロメチル)安息香酸、2,6−ビス(トリクロロメチル)安息香酸、2,6−ビス(トリブロモメチル)安息香酸、2,6−ビス(トリヨードメチル)安息香酸、3,5−ビス(トリフルオロメチル)安息香酸、3,5−ビス(トリクロロメチル)安息香酸、3,5−ビス(トリブロモメチル)安息香酸、3,5−ビス(トリヨードメチル)安息香酸、2,4,6−トリス(トリフルオロメチル)安息香酸、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)安息香酸、2,4,6−トリス(トリブロモメチル)安息香酸、2,4,6−トリス(トリヨードメチル)安息香酸、2−クロロ−6−フルオロ−3−メチル安息香酸、トリフルオロメチルナフトエ酸、トリクロロメチルナフトエ酸、トリブロモメチルナフトエ酸、トリヨードメチルナフトエ酸、
For example, alkyl aromatic carboxylic acids such as toluic acid and 2,4,6-tri (isopropyl) benzoic acid;
For example, 2-trifluoromethylbenzoic acid, 2-trichloromethylbenzoic acid, 2-tribromomethylbenzoic acid, 2-triiodomethylbenzoic acid, 3-trifluoromethylbenzoic acid, 3-trichloromethylbenzoic acid, 3- Tribromomethylbenzoic acid, 3-triiodomethylbenzoic acid, 4-trifluoromethylbenzoic acid, 4-trichloromethylbenzoic acid, 4-tribromomethylbenzoic acid, 4-triiodomethylbenzoic acid, 2-fluoro-4 -(Trifluoromethyl) benzoic acid, 2-chloro-4- (trichloromethyl) benzoic acid, 2-bromo-4- (tribromomethyl) benzoic acid, 2,3,4-trifluoro-6- (trifluoro Methyl) benzoic acid, 2,3,4-trichloro-6- (trichloromethyl) benzoic acid, 2,3,4-tribromo-6- ( (Ribromomethyl) benzoic acid, 2,3,4-triiodo-6- (triiodomethyl) benzoic acid, 2-iodo-4- (triiodomethyl) benzoic acid, 2,4-bis (trifluoromethyl) benzoic acid, 2,4-bis (trichloromethyl) benzoic acid, 2,4-bis (tribromomethyl) benzoic acid, 2,4-bis (triiodomethyl) benzoic acid, 2,6-bis (trifluoromethyl) benzoic acid 2,6-bis (trichloromethyl) benzoic acid, 2,6-bis (tribromomethyl) benzoic acid, 2,6-bis (triiodomethyl) benzoic acid, 3,5-bis (trifluoromethyl) benzoic acid Acid, 3,5-bis (trichloromethyl) benzoic acid, 3,5-bis (tribromomethyl) benzoic acid, 3,5-bis (triiodomethyl) benzoic acid, 2,4,6-tris (tri Fluoromethyl) benzoic acid, 2,4,6-tris (trichloromethyl) benzoic acid, 2,4,6-tris (tribromomethyl) benzoic acid, 2,4,6-tris (triiodomethyl) benzoic acid, 2, -Chloro-6-fluoro-3-methylbenzoic acid, trifluoromethylnaphthoic acid, trichloromethylnaphthoic acid, tribromomethylnaphthoic acid, triiodomethylnaphthoic acid,

ビス(トリフルオロメチル)ナフトエ酸、ビス(トリクロロメチル)ナフトエ酸、ビス(トリブロモメチル)ナフトエ酸、ビス(トリヨードメチル)ナフトエ酸、トリス(トリフルオロメチル)ナフトエ酸、トリス(トリクロロメチル)ナフトエ酸、トリス(トリブロモメチル)ナフトエ酸、トリス(トリヨードメチル)ナフトエ酸、トリフルオロメチルアントラセンカルボン酸、トリクロロメチルアントラセンカルボン酸、トリブロモメチルアントラセンカルボン酸、トリヨードメチルアントラセンカルボン酸等のハロアルキル芳香族カルボン酸;
例えば、アニス酸、ベルトラム酸、o−ベルトラム酸等のアルコキシ芳香族カルボン酸;
例えば、4−トリフルオロメトキシ安息香酸、4−トリクロロメトキシ安息香酸、4−トリブロモメトキシ安息香酸、4−トリヨードメトキシ安息香酸、4−ペンタフルオロエトキシ安息香酸、4−ペンタクロロエトキン安息香酸、4−ペンタブロモエトキシ安息香酸、4−ペンタヨードエトキシ安息香酸、3,4−ビス(トリフルオロメトキシ)安息香酸、3,4−ビス(トリクロロメトキシ)安息香酸、3,4−ビス(トリブロモメトキシ)安息香酸、3,4−ビス(トリヨードメトキシ)安息香酸、2,5−ビス(2,2,2−トリフルオロエトキシ)安息香酸、2,5−ビス(2,2,2−トリクロロエトキシ)安息香酸、2,5−ビス(2,2,2−トリブロモエトキシ)安息香酸、2,5−ビス(2,2,2−トリヨードエトキシ)安息香酸等のハロアルコキシ芳香族カルボン酸;
例えば、サリチル酸、o−ピロカテク酸、α−レゾルシル酸、ゲンテジン酸、α−レゾルシル酸、プロトカテク酸、α−レゾルシル酸、没食子酸等のヒドロキシ芳香族カルボン酸;
例えば、バニリン酸、イソバニリン酸等のヒドロキシアルコキシ芳香族カルボン酸;
例えば、トリニトロ安息香酸等のニトロ芳香族カルボン酸;
例えば、アントラニル酸等のアミノ芳香族カルボン酸;
例えば、α−トルイル酸、ヒドロ桂皮酸、ヒドロアトロパ酸、3−フェニルプロピオン酸、4−フェニル酪酸、5−フェニルペンタン酸、6−フェニルヘキサン酸、7−フェニルヘプタン酸、6−(2−ナフチル)ヘキサン酸等の芳香脂肪族カルボン酸;
例えば、ホモゲンチジン酸等のヒドロキシ芳香脂肪族カルボン酸;
例えば、マンデル酸、ベンジル酸、アトロラクチン酸、トロパ酸、アトログリセリン酸等の芳香族ヒドロキシアルキルカルボン酸;
例えば、2−ホルミル酢酸、アセト酢酸、3−ベンゾイルプロピオン酸等、4−ホルミル酪酸、3−オキソ吉草酸、5−オキソ吉草酸、3,5−ジオキソ吉草酸、6−ホルミルヘキサンカルボン酸、2−オキソ−1−シクロヘキサンカルボン酸、4−(2−オキソブチル)安息香酸、p−(3−ホルミルプロピル)安息香酸、4−ホルミルフェニル酢酸、β−オキソシクロヘキサンプロピオン酸、ピルビン酸等のオキソカルボン酸が挙げられる。
中でも、ベンゾイル蟻酸、酢酸、安息香酸が特に好ましい。
Bis (trifluoromethyl) naphthoic acid, bis (trichloromethyl) naphthoic acid, bis (tribromomethyl) naphthoic acid, bis (triiodomethyl) naphthoic acid, tris (trifluoromethyl) naphthoic acid, tris (trichloromethyl) naphthoic acid Haloalkyl aromatics such as acids, tris (tribromomethyl) naphthoic acid, tris (triiodomethyl) naphthoic acid, trifluoromethylanthracene carboxylic acid, trichloromethylanthracene carboxylic acid, tribromomethylanthracene carboxylic acid, triiodomethylanthracene carboxylic acid Group carboxylic acids;
For example, an alkoxy aromatic carboxylic acid such as anisic acid, betramic acid, o-bertramic acid;
For example, 4-trifluoromethoxybenzoic acid, 4-trichloromethoxybenzoic acid, 4-tribromomethoxybenzoic acid, 4-triiodomethoxybenzoic acid, 4-pentafluoroethoxybenzoic acid, 4-pentachloroethoquinbenzoic acid, 4-pentabromoethoxybenzoic acid, 4-pentaiodoethoxybenzoic acid, 3,4-bis (trifluoromethoxy) benzoic acid, 3,4-bis (trichloromethoxy) benzoic acid, 3,4-bis (tribromomethoxy) ) Benzoic acid, 3,4-bis (triiodomethoxy) benzoic acid, 2,5-bis (2,2,2-trifluoroethoxy) benzoic acid, 2,5-bis (2,2,2-trichloroethoxy) ) Benzoic acid, 2,5-bis (2,2,2-tribromoethoxy) benzoic acid, 2,5-bis (2,2,2-triiodoethoxy) ) Haloalkoxy aromatic carboxylic acids such as benzoic acid;
For example, hydroxy aromatic carboxylic acids such as salicylic acid, o-pyrocatechuic acid, α-resorcylic acid, gentesic acid, α-resorcylic acid, protocatechuic acid, α-resorcylic acid, gallic acid and the like;
For example, hydroxyalkoxy aromatic carboxylic acids such as vanillic acid and isovanillic acid;
For example, nitroaromatic carboxylic acids such as trinitrobenzoic acid;
For example, an amino aromatic carboxylic acid such as anthranilic acid;
For example, α-toluic acid, hydrocinnamic acid, hydroatropic acid, 3-phenylpropionic acid, 4-phenylbutyric acid, 5-phenylpentanoic acid, 6-phenylhexanoic acid, 7-phenylheptanoic acid, 6- (2-naphthyl) Araliphatic carboxylic acids such as hexanoic acid;
For example, hydroxyaromatic carboxylic acids such as homogentisic acid;
For example, aromatic hydroxyalkyl carboxylic acids such as mandelic acid, benzylic acid, atrolactic acid, tropic acid, atroglyceric acid;
For example, 2-formylacetic acid, acetoacetic acid, 3-benzoylpropionic acid, 4-formylbutyric acid, 3-oxovaleric acid, 5-oxovaleric acid, 3,5-dioxovaleric acid, 6-formylhexanecarboxylic acid, 2 -Oxo-1-cyclohexanecarboxylic acid, 4- (2-oxobutyl) benzoic acid, p- (3-formylpropyl) benzoic acid, 4-formylphenylacetic acid, β-oxocyclohexanepropionic acid, pyruvic acid, and other oxocarboxylic acids Is mentioned.
Among these, benzoyl formic acid, acetic acid, and benzoic acid are particularly preferable.

上記のような特定スルホニウム塩の具体例〔(S−7)、(S−8)、(S−16)、(S−17)、(S−25)、(S−26)、(S−34)、(S−35)、(S−43)、(S−44)、(S−52)、(S−53)、(S−61)、(S−62)、及び、(S−64)〜(S−67)を以下に示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
なお、前記具体例において、25℃、1気圧下において、0.1mol/Lで、かつ、液温25℃のNaOH水溶液に対する溶解度を併記した。
Specific examples of the specific sulfonium salt as described above [(S-7), (S-8), (S-16), (S-17), (S-25), (S-26), (S- 34), (S-35), (S-43), (S-44), (S-52), (S-53), (S-61), (S-62), and (S- 64) to (S-67) ] are shown below, but the present invention is not limited thereto.
Incidentally, Oite the embodiment, 25 ° C., under 1 atm, at 0.1 mol / L, and was also shown solubility NaOH aqueous liquid temperature 25 ° C..

(本発明における特定スルホニウム塩の合成)
このような特定スルホニウム塩は、一般的には、スルフィド化合物と芳香族化合物とのフリーデル・クラフト反応、グリニア反応により合成することができる。合成方法は、例えば、J.Amer.Chem.Soc.第112巻(16)、1990年;pp6004−6015、J.Org.Chem.1998年;pp5571−5573、WO02/081439A1パンフレット、或いは欧州特許(EP)第1113005号明細書等に記載されている。
(Synthesis of specific sulfonium salt in the present invention)
Such a specific sulfonium salt can be generally synthesized by a Friedel-Craft reaction or a Grineer reaction between a sulfide compound and an aromatic compound. Examples of the synthesis method are described in J. Amer. Chem. Soc. 112 (16), 1990; pp 6004-6015, J. MoI. Org. Chem. 1998; pp 5571-5573, WO 02/081439 A1 pamphlet, or European Patent (EP) No. 1113005.

本発明における記録層において、このような特定スルホニウム塩の含有量は、感度及び現像カスの発生の観点から、記録層全固形分中、1〜30質量%であることが好ましく、3〜25質量%であることがより好ましく、5〜20質量%であることが特に好ましい。
なお、特定スルホニウム塩は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
In the recording layer of the present invention, the content of the specific sulfonium salt is preferably 1 to 30% by mass, and 3 to 25% by mass in the total solid content of the recording layer from the viewpoint of sensitivity and development residue generation. % Is more preferable, and 5 to 20% by mass is particularly preferable.
In addition, the specific sulfonium salt may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

なお、本発明における記録層には、上記の特定スルホニウム塩以外の一般的なオニウム塩を溶解抑制剤として併用することができる。このような一般的なオニウム塩については下記のその他の成分において説明する。
上記の特定スルホニウム塩と一般的なオニウム塩とを併用する場合、一般的なオニウム塩は、特定スルホニウム塩に対し、0〜30質量%の範囲で併用することができ、好ましくは0.5〜15質量%の範囲である。
In the recording layer of the present invention, a general onium salt other than the specific sulfonium salt can be used in combination as a dissolution inhibitor. Such general onium salts will be described in the following other components.
When the above-mentioned specific sulfonium salt and a general onium salt are used in combination, the general onium salt can be used in the range of 0 to 30% by mass with respect to the specific sulfonium salt, preferably 0.5 to It is in the range of 15% by mass.

[(B)アルカリ可溶性樹脂]
本発明におけるアルカリ可溶性樹脂としては、樹脂中の主鎖及び/又は側鎖に酸性基を含有する単独重合体、これらの共重合体、又はこれらの混合物を包含する。
中でも、下記(1)〜(6)に挙げる酸性基を高分子の主鎖及び/又は側鎖中に有するものが、アルカリ性現像液に対する溶解性の点、溶解抑制能発現の点で好ましい。
[(B) Alkali-soluble resin]
The alkali-soluble resin in the present invention includes a homopolymer containing an acidic group in the main chain and / or side chain in the resin, a copolymer thereof, or a mixture thereof.
Among these, those having an acidic group listed in the following (1) to (6) in the main chain and / or side chain of the polymer are preferable from the viewpoint of solubility in an alkaline developer and expression of dissolution inhibiting ability.

(1)フェノール基(−Ar−OH)
(2)スルホンアミド基(−SO2NH−R)
(3)置換スルホンアミド系酸基(以下、「活性イミド基」という。)
〔−SO2NHCOR、−SO2NHSO2R、−CONHSO2R〕
(4)力ルボン酸基(−CO2H)
(5)スルホン酸基(−SO3H)
(6)リン酸基(−OPO32
(1) Phenol group (-Ar-OH)
(2) Sulfonamide group (—SO 2 NH—R)
(3) Substituted sulfonamide acid group (hereinafter referred to as “active imide group”)
[—SO 2 NHCOR, —SO 2 NHSO 2 R, —CONHSO 2 R]
(4) Force rubonic acid group (—CO 2 H)
(5) Sulfonic acid group (—SO 3 H)
(6) Phosphate group (—OPO 3 H 2 )

上記(1)〜(6)中、Arは置換基を有していてもよい2価のアリール連結基を表し、Rは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表す。   In the above (1) to (6), Ar represents a divalent aryl linking group which may have a substituent, and R represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group which may have a substituent. .

上記(1)〜(6)より選ばれる酸性基を有するアルカリ可溶性樹脂の中でも、(1)フェノール基、(2)スルホンアミド基及び(3)活性イミド基を有するアルカリ可溶性樹脂が好ましく、特に、(1)フェノール基又は(2)スルホンアミド基を有するアルカリ可溶性樹脂が、アルカリ性現像液に対する溶解性、現像ラチチュード、膜強度を十分に確保する点から最も好ましい。   Among the alkali-soluble resins having an acidic group selected from the above (1) to (6), (1) an alkali-soluble resin having a phenol group, (2) a sulfonamide group, and (3) an active imide group is preferable. An alkali-soluble resin having (1) a phenol group or (2) a sulfonamide group is most preferred from the viewpoint of sufficiently ensuring solubility in an alkaline developer, development latitude, and film strength.

上記(1)〜(6)より選ばれる酸性基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
(1)フェノール基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、フェノールとホルムアルデヒドとの縮重合体、m−クレゾールとホルムアルデヒドとの縮重合体、p−クレゾールとホルムアルデヒドとの縮重合体、m−/p−混合クレゾールとホルムアルデヒドとの縮重合体、フェノールとクレゾール(m−、p−、又はm−/p−混合のいずれでもよい)とホルムアルデヒドとの縮重合体等のノボラック樹脂、及びピロガロールとアセトンとの縮重合体を挙げることができる。更に、フェノール基を側鎖に有する化合物を共重合させた共重合体を挙げることもできる。
As alkali-soluble resin which has an acidic group chosen from said (1)-(6), the following can be mentioned, for example.
(1) Examples of the alkali-soluble resin having a phenol group include a condensation polymer of phenol and formaldehyde, a condensation polymer of m-cresol and formaldehyde, a condensation polymer of p-cresol and formaldehyde, m− / p. A novolac resin such as a condensation polymer of mixed cresol and formaldehyde, a condensation polymer of phenol and cresol (m-, p- or m- / p-mixed) and formaldehyde, and pyrogallol and acetone. Can be mentioned. Furthermore, the copolymer which copolymerized the compound which has a phenol group in a side chain can also be mentioned.

ここで、フェノール基を側鎖に有する化合物としては、フェノール基を有するアクリルアミド、メタクリルアミド、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、又はヒドロキシスチレン等が挙げられる。   Here, examples of the compound having a phenol group in the side chain include acrylamide, methacrylamide, acrylic acid ester, methacrylic acid ester, and hydroxystyrene having a phenol group.

(2)スルホンアミド基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、スルホンアミド基を有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分として構成される重合体を挙げることができる。上記のような化合物としては、窒素原子に少なくとも一つの水素原子が結合したスルホンアミド基と、重合可能な不飽和基と、を分子内にそれぞれ1以上有する化合物が挙げられる。中でも、アクリロイル基、アリル基、又はビニロキシ基と、置換或いはモノ置換アミノスルホニル基又は置換スルホニルイミノ基と、を分子内に有する低分子化合物が好ましく、例えば、下記一般式(i)〜一般式(v)で表される化合物が挙げられる。   (2) As an alkali-soluble resin having a sulfonamide group, for example, a polymer composed of a minimum constituent unit derived from a compound having a sulfonamide group as a main constituent can be mentioned. Examples of the compound as described above include compounds having at least one sulfonamide group in which at least one hydrogen atom is bonded to a nitrogen atom and one or more polymerizable unsaturated groups in the molecule. Among them, a low molecular compound having an acryloyl group, an allyl group, or a vinyloxy group and a substituted or monosubstituted aminosulfonyl group or a substituted sulfonylimino group in the molecule is preferable. For example, the following general formula (i) to general formula ( and a compound represented by v).

〔式中、X1、X2は、それぞれ独立に、−O−又はNR7を表す。Rl、R4は、それぞれ独立に水素原子又は−CH3を表す。R2、R5、R9、R12、及び、R16は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基又はアラルキレン基を表す。R3、R7、及び、R13は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。また、R6、R17は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。R8、R10、R14は、それぞれ独立に水素原子又は−CH3を表す。R11、R15は、それぞれ独立に単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基又はアラルキレン基を表す。Yl、Y2は、それぞれ独立に単結合又はCOを表す。〕 [Wherein, X 1 and X 2 each independently represent —O— or NR 7 . R 1 and R 4 each independently represents a hydrogen atom or —CH 3 . R 2 , R 5 , R 9 , R 12 , and R 16 each independently represent an optionally substituted alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkylene group, an arylene group, or an aralkylene group. . R 3 , R 7 , and R 13 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group, an aryl group, or an aralkyl group. R 6 and R 17 each independently represents a C 1-12 alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or aralkyl group which may have a substituent. R 8 , R 10 and R 14 each independently represent a hydrogen atom or —CH 3 . R 11 and R 15 each independently represents a single bond or a C 1-12 alkylene group, cycloalkylene group, arylene group or aralkylene group which may have a substituent. Y 1 and Y 2 each independently represents a single bond or CO. ]

一般式(i)〜一般式(v)で表される化合物のうち、本発明の平版印刷版原版では、特に、m−アミノスルホニルフェニルメタクリレート、N−(p−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミド、N−(p−アミノスルホニルフェニル)アクリルアミド等を好適に使用することができる。   Among the compounds represented by the general formula (i) to the general formula (v), in the lithographic printing plate precursor according to the invention, in particular, m-aminosulfonylphenyl methacrylate, N- (p-aminosulfonylphenyl) methacrylamide, N -(P-aminosulfonylphenyl) acrylamide etc. can be used conveniently.

(3)活性イミド基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、活性イミド基を有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分として構成される重合体を挙げることができる。上記のような化合物としては、下記構造式で表される活性イミド基と、重合可能な不飽和基と、を分子内にそれぞれ1以上有する化合物を挙げることができる。   (3) As an alkali-soluble resin having an active imide group, for example, a polymer composed of a minimum constituent unit derived from a compound having an active imide group as a main constituent can be mentioned. Examples of the compound as described above include compounds each having one or more active imide groups represented by the following structural formula and polymerizable unsaturated groups in the molecule.

具体的には、N−(p−トルエンスルホニル)メタクリルアミド、N−(p−トルエンスルホニル)アクリルアミド等を好適に使用することができる。   Specifically, N- (p-toluenesulfonyl) methacrylamide, N- (p-toluenesulfonyl) acrylamide and the like can be preferably used.

(4)力ルボン酸基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、カルボン酸基と、重合可能な不飽和基と、を分子内にそれぞれ1以上有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分とする重合体を挙げることができる。
(5)スルホン酸基を有するアルカリ可溶性高分子としては、例えば、スルホン酸基と、重合可能な不飽和基と、を分子内にそれぞれ1以上有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成単位とする重合体を挙げることができる。
(6)リン酸基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、リン酸基と、重合可能な不飽和基と、を分子内にそれぞれ1以上有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分とする重合体を挙げることができる。
(4) As an alkali-soluble resin having a strong rubonic acid group, for example, a minimum constituent unit derived from a compound having at least one carboxylic acid group and polymerizable unsaturated group in the molecule is a main constituent. Can be mentioned.
(5) As the alkali-soluble polymer having a sulfonic acid group, for example, a minimum structural unit derived from a compound having at least one sulfonic acid group and a polymerizable unsaturated group in the molecule is a main structural unit. Can be mentioned.
(6) As an alkali-soluble resin having a phosphate group, for example, a minimum structural unit derived from a compound having at least one phosphate group and a polymerizable unsaturated group in the molecule is used as a main constituent component. A polymer can be mentioned.

(A)アルカリ可溶性樹脂を構成する、前記(1)〜(6)より選ばれる酸性基を有する最小構成単位は、特に1種類のみである必要はなく、同一の酸性基を有する最小構成単位を2種以上、又は異なる酸性基を有する最小構成単位を2種以上共重合させたものを用いることもできる。   (A) The minimum structural unit having an acidic group selected from the above (1) to (6) that constitutes the alkali-soluble resin is not necessarily limited to one kind, and the minimum structural unit having the same acidic group Two or more kinds or those obtained by copolymerizing two or more kinds of minimum structural units having different acidic groups can also be used.

前記共重合体は、共重合させる(1)〜(6)より選ばれる酸性基を有する化合物が共重合体中に10モル%以上含まれているものが好ましく、20モル%以上含まれているものがより好ましい。10モル%未満であると、現像ラチチュードを十分に向上させることができない傾向がある。   The copolymer preferably contains 10 mol% or more of a compound having an acidic group selected from (1) to (6) to be copolymerized, and is contained in an amount of 20 mol% or more. Those are more preferred. If it is less than 10 mol%, the development latitude tends to be insufficiently improved.

本発明において、アルカリ可溶性樹脂が共重合体である場合、共重合体を構成する化合物として、前記(1)〜(6)の酸性基を含まない他の化合物を用いることもできる。(1)〜(6)の酸性基を含まない他の化合物の例としては、下記(m1)〜(m12)に挙げる化合物を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
(m1)2−ヒドロキシエチルアクリレート又は2−ヒドロキシエチルメタクリレート等の脂肪族水酸基を有するアクリル酸エステル類、及びメタクリル酸エステル類。
(m2)アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸へキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸−2−クロロエチル、グリシジルアクリレート、等のアルキルアクリレート。
(m3)メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸アミル、メタクリル酸へキシル、メタクリル酸シクロへキシル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸−2−クロロエチル、グリシジルメタクリレート、等のアルキルメタクリレート。
(m4)アクリルアミド、メタクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、N−エチルアクリルアミド、N−ヘキシルメタクリルアミド、N−シクロへキシルアクリルアミド、N−ヒドロキシエチルアクリルアミド、N−フェニルアクリルアミド、N−ニトロフェニルアクリルアミド、N−エチル−N−フェニルアクリルアミド等のアクリルアミド若しくはメタクリルアミド。
In this invention, when alkali-soluble resin is a copolymer, the other compound which does not contain the acidic group of said (1)-(6) can also be used as a compound which comprises a copolymer. Examples of other compounds not containing an acidic group of (1) to (6) include the compounds listed in the following (m1) to (m12), but are not limited thereto.
(M1) Acrylic acid esters and methacrylic acid esters having an aliphatic hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxyethyl methacrylate.
(M2) Alkyl acrylates such as methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate, hexyl acrylate, octyl acrylate, benzyl acrylate, 2-chloroethyl acrylate, glycidyl acrylate, etc. .
(M3) methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, 2-chloroethyl methacrylate, glycidyl methacrylate, etc. Alkyl methacrylate.
(M4) Acrylamide, methacrylamide, N-methylol acrylamide, N-ethyl acrylamide, N-hexyl methacrylamide, N-cyclohexyl acrylamide, N-hydroxyethyl acrylamide, N-phenyl acrylamide, N-nitrophenyl acrylamide, N- Acrylamide or methacrylamide such as ethyl-N-phenylacrylamide.

(m5)エチルビニルエーテル、2−クロロエチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、フェニルビニルエーテル等のビニルエーテル類。
(m6)ビニルアセテート、ビニルクロロアセテート、ビニルブチレート、安息香酸ビニル等のビニルエステル類。
(m7)スチレン、α−メチルスチレン、メチルスチレン、クロロメチルスチレン等のスチレン類。
(m8)メチルビニルケトン、エチルビニルケトン、プロピルビニルケトン、フェニルビニルケトン等のビニルケトン類。
(m9)エチレン、プロピレン、イソブチレン、ブタジエン、イソプレン等のオレフィン類。
(m10)N−ビニルピロリドン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等。
(m11)マレイミド、N−アクリロイルアクリルアミド、N−アセチルメタクリルアミド、N−プロピオニルメタクリルアミド、N−(p−クロロベンゾイル)メタクリルアミド等の不飽和イミド。
(m12)アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸、イタコン酸等の不飽和カルボン酸。
(M5) Vinyl ethers such as ethyl vinyl ether, 2-chloroethyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, propyl vinyl ether, butyl vinyl ether, octyl vinyl ether, and phenyl vinyl ether.
(M6) Vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl chloroacetate, vinyl butyrate and vinyl benzoate.
(M7) Styrenes such as styrene, α-methylstyrene, methylstyrene, chloromethylstyrene.
(M8) Vinyl ketones such as methyl vinyl ketone, ethyl vinyl ketone, propyl vinyl ketone, and phenyl vinyl ketone.
(M9) Olefins such as ethylene, propylene, isobutylene, butadiene and isoprene.
(M10) N-vinylpyrrolidone, acrylonitrile, methacrylonitrile and the like.
(M11) Unsaturated imides such as maleimide, N-acryloylacrylamide, N-acetylmethacrylamide, N-propionylmethacrylamide, N- (p-chlorobenzoyl) methacrylamide.
(M12) Unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride and itaconic acid.

本発明において、アルカリ可溶性樹脂としては、前記フェノール性水酸基を有する重合性モノマー、又は活性イミド基を有する重合性モノマーの単独重合体或いは共重合体が好ましく、特に、m−アミノスルホニルフェニルメタクリレート、N−(p−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミド、N−(p−アミノスルホニルフェニル)アクリルアミド等の、スルホンアミド基を有する重合性モノマーの単独重合体或いは共重合体のものが好ましい。   In the present invention, the alkali-soluble resin is preferably a polymerizable monomer having a phenolic hydroxyl group or a homopolymer or copolymer of a polymerizable monomer having an active imide group, and particularly m-aminosulfonylphenyl methacrylate, N A homopolymer or copolymer of a polymerizable monomer having a sulfonamide group such as-(p-aminosulfonylphenyl) methacrylamide or N- (p-aminosulfonylphenyl) acrylamide is preferred.

また、本発明におけるアルカリ可溶性樹脂は、重量平均分子量は2,000以上、数平均分子量が500以上のものが好ましい。更に好ましくは、重量平均分子量が5,000〜300,000で、数平均分子量が800〜250,000であり、分散度(重量平均分子量/数平均分子量)が1.1〜10のものである。特に、本発明においてアルカリ可溶性樹脂がフェノールホルムアルデヒド樹脂、クレゾールアルデヒド樹脂等の樹脂である場合には、重量平均分子量が500〜20,000であり、数平均分子量が200〜10,000のものが好ましい。   The alkali-soluble resin in the present invention preferably has a weight average molecular weight of 2,000 or more and a number average molecular weight of 500 or more. More preferably, the weight average molecular weight is 5,000 to 300,000, the number average molecular weight is 800 to 250,000, and the dispersity (weight average molecular weight / number average molecular weight) is 1.1 to 10. . In particular, in the present invention, when the alkali-soluble resin is a resin such as phenol formaldehyde resin or cresol aldehyde resin, those having a weight average molecular weight of 500 to 20,000 and a number average molecular weight of 200 to 10,000 are preferable. .

これらのアルカリ可溶性樹脂は1種類を用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明における記録層において、アルカリ可溶性樹脂の含有量は、感度、画像形成性、及び被膜の耐久性の観点から、記録層全固形分中、30〜98質量%の範囲が好ましく、40〜95質量%の範囲がより好ましく、50〜90質量%の範囲が特に好ましい。
One kind of these alkali-soluble resins may be used, or two or more kinds may be used in combination.
In the recording layer of the present invention, the content of the alkali-soluble resin is preferably in the range of 30 to 98% by mass in the total solid content of the recording layer, from the viewpoint of sensitivity, image formability, and film durability, and is preferably 40 to 95%. The range of mass% is more preferable, and the range of 50 to 90 mass% is particularly preferable.

[(C)赤外線吸収剤]
本発明における記録層に含まれる赤外線吸収剤は、700nm以上、好ましくは750〜1200nmの赤外域に光吸収域を有し、この範囲の波長域の光により、光/熱変換能を発現する物質を指す。具体的には、上記波長域の光を吸収し熱を発生する種々の染料又は顔料を用いることができる。
[(C) Infrared absorber]
The infrared absorber contained in the recording layer in the present invention has a light absorption region in an infrared region of 700 nm or more, preferably 750 to 1200 nm, and exhibits a light / heat conversion ability by light in this wavelength region. Point to. Specifically, various dyes or pigments that absorb light in the above wavelength range and generate heat can be used.

染料としては、市販の染料、例えば「染料便覧」(有機合成化学協会編集、昭和45年刊)等の文献に記載されている公知のものが利用できる。具体的には、アゾ染料、金属錯塩アゾ染料、ピラゾロンアゾ染料、ナフトキノン染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、カルボニウム染料、キノンイミン染料、メチン染料、シアニン染料、スクアリリウム色素、ピリリウム塩、金属チオレ−ト錯体、オキソノ−ル染料、ジイモニウム染料、アミニウム染料、クロコニウム染料等の染料が挙げられる。   As the dye, commercially available dyes, for example, known dyes described in documents such as “Dye Handbook” (edited by the Society for Synthetic Organic Chemistry, published in 1970) can be used. Specifically, azo dyes, metal complex azo dyes, pyrazolone azo dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes, phthalocyanine dyes, carbonium dyes, quinoneimine dyes, methine dyes, cyanine dyes, squarylium dyes, pyrylium salts, metal thiolate complexes, Examples thereof include oxonol dyes, diimonium dyes, aminium dyes, and croconium dyes.

好ましい染料としては、例えば、特開昭58−125246号、特開昭59−84356号、特開昭59−202829号、特開昭60−78787号等に記載されているシアニン染料、特開昭58−173696号、特開昭58−181690号、特開昭58−194595号等に記載されているメチン染料、特開昭58−112793号、特開昭58−224793号、特開昭59−48187号、特開昭59−73996号、特開昭60−52940号、特開昭60−63744号等に記載されているナフトキノン染料、特開昭58−112792号等に記載されているスクアリリウム色素、英国特許434,875号記載のシアニン染料等を挙げることができる。   Preferred dyes include, for example, cyanine dyes described in JP-A-58-125246, JP-A-59-84356, JP-A-59-202829, JP-A-60-78787, and the like. Methine dyes described in JP-A-58-173696, JP-A-58-181690, JP-A-58-194595, JP-A-58-112793, JP-A-58-224793, JP-A-59- 48187, JP-A 59-73996, JP-A 60-52940, JP-A 60-63744, etc., naphthoquinone dyes, JP-A 58-112792, etc. And cyanine dyes described in British Patent 434,875.

また、米国特許第5,156,938号記載の近赤外吸収増感剤も好適に用いられ、また、米国特許第3,881,924号記載の置換されたアリ−ルベンゾ(チオ)ピリリウム塩、特開昭57−142645号(米国特許第4,327,169号)記載のトリメチンチアピリリウム塩、特開昭58−181051号、同58−220143号、同59−41363号、同59−84248号、同59−84249号、同59−146063号、同59−146061号に記載されているピリリウム系化合物、特開昭59−216146号記載のシアニン色素、米国特許第4,283,475号に記載のペンタメチンチオピリリウム塩等や特公平5−13514号、同5−19702号に開示されているピリリウム化合物も好ましく用いられる。   Further, near infrared absorption sensitizers described in US Pat. No. 5,156,938 are also preferably used, and substituted arylbenzo (thio) pyrylium salts described in US Pat. No. 3,881,924 Trimethine thiapyrylium salts described in JP-A Nos. 57-142645 (US Pat. No. 4,327,169), JP-A Nos. 58-181051, 58-220143, 59-41363, 59- 84248, 59-84249, 59-146063, 59-146061, pyrylium compounds, cyanine dyes described in JP-A-59-216146, US Pat. No. 4,283,475 And the pyrylium compounds disclosed in JP-B-5-13514 and JP-A-5-19702 are also preferably used. .

また、染料として好ましい別の例として米国特許第4,756,993号明細書中に式(I)、(II)として記載されている近赤外吸収染料を挙げることができる。   Another example of a preferable dye is a near-infrared absorbing dye described as formulas (I) and (II) in US Pat. No. 4,756,993.

これらの染料のうち特に好ましいものとしては、シアニン色素、フタロシアニン染料、オキソノ−ル染料、スクアリリウム色素、ピリリウム塩、チオピリリウム染料、ニッケルチオレ−ト錯体が挙げられる。更に、下記一般式(a)〜一般式(e)で示される染料が光熱変換効率に優れるため好ましく、特に下記一般式(a)で示されるシアニン色素は、本発明に係る記録層で使用した場合に、アルカリ溶解性樹脂との高い相互作用を与え、且つ、安定性、経済性に優れるため最も好ましい。   Particularly preferred among these dyes are cyanine dyes, phthalocyanine dyes, oxonol dyes, squarylium dyes, pyrylium salts, thiopyrylium dyes, and nickel thiolate complexes. Furthermore, the dyes represented by the following general formulas (a) to (e) are preferable because of their excellent photothermal conversion efficiency. Particularly, the cyanine dyes represented by the following general formula (a) were used in the recording layer according to the present invention. In this case, it is most preferable because it gives a high interaction with the alkali-soluble resin and is excellent in stability and economy.

一般式(a)中、X1は、水素原子、ハロゲン原子、−NPh2、−X2−L1又は以下に示す基を表す。ここで、X2は酸素原子又は、硫黄原子を示し、L1は、炭素原子数1〜12の炭化水素基、ヘテロ原子を有する芳香族環、ヘテロ原子を含む炭素原子数1〜12の炭化水素基を示す。なお、ここでヘテロ原子とは、N、S、O、ハロゲン原子、Seを示す。 In formula (a), X 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, -NPh 2, -X 2 -L 1 or a group shown below. Here, X 2 represents an oxygen atom or a sulfur atom, and L 1 represents a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an aromatic ring having a hetero atom, or a carbon atom having 1 to 12 carbon atoms including a hetero atom. Indicates a hydrogen group. In addition, a hetero atom here shows N, S, O, a halogen atom, and Se.

前記式中、Xa-は、後述するZa-と同様に定義され、Raは、水素原子、アルキル基、アリール基、置換又は無置換のアミノ基、ハロゲン原子より選択される置換基を表す。R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素原子数1〜12の炭化水素基を示す。記録層塗布液の保存安定性から、R1及びR2は、炭素原子数2個以上の炭化水素基であることが好ましく、更に、R1とR2とは互いに結合し、5員環又は6員環を形成していることが特に好ましい。 In the above formula, Xa - has Za described later - is defined as for, Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a substituted or unsubstituted amino group, substituted or unsubstituted amino group and a halogen atom. R 1 and R 2 each independently represents a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. From the storage stability of the recording layer coating solution, R 1 and R 2 are preferably hydrocarbon groups having 2 or more carbon atoms, and R 1 and R 2 are bonded to each other to form a 5-membered ring or It is particularly preferable that a 6-membered ring is formed.

Ar1、Ar2は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を示す。好ましい芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環及びナフタレン環が挙げられる。また、好ましい置換基としては、炭素原子数12個以下の炭化水素基、ハロゲン原子、炭素原子数12個以下のアルコキシ基が挙げられる。Y1、Y2は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、硫黄原子又は炭素原子数12個以下のジアルキルメチレン基を示す。R3、R4は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、置換基を有していてもよい炭素原子数20個以下の炭化水素基を示す。好ましい置換基としては、炭素原子数12個以下のアルコキシ基、カルボキシル基、スルホ基が挙げられる。R5、R6、R7及びR8は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素原子又は炭素原子数12個以下の炭化水素基を示す。原料の入手性から、好ましくは水素原子である。また、Za-は、対アニオンを示す。ただし、一般式(a)で示されるシアニン色素が、その構造内にアニオン性の置換基を有し、電荷の中和が必要ない場合には、Za-は必要ない。好ましいZa-は、記録層塗布液の保存安定性から、ハロゲンイオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、及びスルホン酸イオンであり、特に好ましくは、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロフォスフェートイオン、及びアリールスルホン酸イオンである。 Ar 1 and Ar 2 may be the same or different and each represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. Preferred aromatic hydrocarbon groups include a benzene ring and a naphthalene ring. Moreover, as a preferable substituent, a C12 or less hydrocarbon group, a halogen atom, and a C12 or less alkoxy group are mentioned. Y 1 and Y 2 may be the same or different and each represents a sulfur atom or a dialkylmethylene group having 12 or less carbon atoms. R 3 and R 4 may be the same or different and each represents a hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms which may have a substituent. Preferred substituents include alkoxy groups having 12 or less carbon atoms, carboxyl groups, and sulfo groups. R 5 , R 6 , R 7 and R 8 may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 12 or less carbon atoms. From the availability of raw materials, a hydrogen atom is preferred. Za represents a counter anion. However, Za is not necessary when the cyanine dye represented by formula (a) has an anionic substituent in the structure and neutralization of charge is not necessary. Preferred Za is a halogen ion, a perchlorate ion, a tetrafluoroborate ion, a hexafluorophosphate ion, and a sulfonate ion, particularly preferably a perchlorate ion, a hexagonal salt, in view of the storage stability of the recording layer coating solution. Fluorophosphate ions and aryl sulfonate ions.

本発明において、好適に用いることのできる一般式(a)で示されるシアニン色素の具体例としては、以下に例示するものの他、特開2001−133969明細書の段落番号[0017]〜[0019]、特開2002−40638明細書の段落番号[0012]〜[0038]、特開2002−23360明細書の段落番号[0012]〜[0023]に記載されたものを挙げることができる。   Specific examples of the cyanine dye represented by formula (a) that can be suitably used in the present invention include those exemplified below, and paragraph numbers [0017] to [0019] of JP-A-2001-133969. And those described in paragraph numbers [0012] to [0038] of JP-A No. 2002-40638 and paragraph numbers [0012] to [0023] of JP-A No. 2002-23360.

前記一般式(b)中、Lは共役炭素原子数7以上のメチン鎖を表し、該メチン鎖は置換基を有していてもよく、置換基が互いに結合して環構造を形成していてもよい。Zb+は対カチオンを示す。好ましい対カチオンとしては、アンモニウム、ヨードニウム、スルホニウム、ホスホニウム、ピリジニウム、アルカリ金属カチオン(Na+、K+、Li+)などが挙げられる。R9〜R14及びR15〜R20は互いに独立に水素原子又はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、カルボニル基、チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、オキシ基、又はアミノ基から選択される置換基、或いは、これらを2つ若しくは3つ組合せた置換基を表し、互いに結合して環構造を形成していてもよい。ここで、前記一般式(b)中、Lが共役炭素原子数7のメチン鎖を表すもの、及び、R9〜R14及びR15〜R20がすべて水素原子を表すものが入手の容易性と効果の観点から好ましい。 In the general formula (b), L represents a methine chain having 7 or more conjugated carbon atoms, the methine chain may have a substituent, and the substituents are bonded to each other to form a ring structure. Also good. Zb + represents a counter cation. Preferred counter cations include ammonium, iodonium, sulfonium, phosphonium, pyridinium, alkali metal cations (Na + , K + , Li + ) and the like. R 9 to R 14 and R 15 to R 20 are each independently a hydrogen atom or halogen atom, cyano group, alkyl group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, carbonyl group, thio group, sulfonyl group, sulfinyl group, oxy group Or a substituent selected from amino groups, or a combination of two or three of these, and may be bonded to each other to form a ring structure. Here, in the general formula (b), those in which L represents a methine chain having 7 conjugated carbon atoms and those in which R 9 to R 14 and R 15 to R 20 all represent hydrogen atoms are easily available. From the viewpoint of the effect.

本発明において、好適に用いることのできる一般式(b)で示される染料の具体例としては、以下に例示するものを挙げることができる。   Specific examples of the dye represented by formula (b) that can be suitably used in the present invention include those exemplified below.

前記一般式(c)中、Y3及びY4は、それぞれ、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、又はテルル原子を表す。Mは、共役炭素数5以上のメチン鎖を表す。R21〜R24及びR25〜R28は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、カルボニル基、チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、オキシ基、又はアミノ基を表す。また、式中Za-は対アニオンを表し、前記一般式(a)におけるZa-と同義である。 In the general formula (c), Y 3 and Y 4 each represent an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom, or a tellurium atom. M represents a methine chain having 5 or more conjugated carbon atoms. R 21 to R 24 and R 25 to R 28 may be the same or different, and are each a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a carbonyl group, a thiol group, Represents a group, a sulfonyl group, a sulfinyl group, an oxy group, or an amino group. Further, wherein Za - include a counter anion, Za in the general formula (a) - it is synonymous.

本発明において、好適に用いることのできる一般式(c)で示される染料の具体例としては、以下に例示するものを挙げることができる。   In the present invention, specific examples of the dye represented by formula (c) that can be suitably used include those exemplified below.

前記一般式(d)中、R29ないしR31は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基を示す。R33及びR34は、各々独立に、アルキル基、置換オキシ基、又はハロゲン原子を示す。n及びmは各々独立に0ないし4の整数を示す。R29とR30、又はR31とR32はそれぞれ結合して環を形成してもよく、またR29及び/又はR30はR33と、またR31及び/又はR32はR34と結合して環を形成してもよく、更に、R33或いはR34が複数存在する場合に、R33同士或いはR34同士は互いに結合して環を形成してもよい。X2及びX3は各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基であり、X2及びX3の少なくとも一方は水素原子又はアルキル基を示す。Qは置換基を有していてもよいトリメチン基又はペンタメチン基であり、2価の有機基と共に環構造を形成してもよい。Zc-は対アニオンを示し、前記一般式(a)におけるZa-と同義である。 In the general formula (d), R 29 to R 31 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. R 33 and R 34 each independently represents an alkyl group, a substituted oxy group, or a halogen atom. n and m each independently represents an integer of 0 to 4. R 29 and R 30 , or R 31 and R 32 may be bonded to each other to form a ring, and R 29 and / or R 30 is R 33 and R 31 and / or R 32 is R 34 taken together, may form a ring, further, when R 33 or R 34 there are a plurality, R 33 or between R 34 each other may be bonded to each other to form a ring. X 2 and X 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, and at least one of X 2 and X 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group. Q is a trimethine group or a pentamethine group which may have a substituent, and may form a ring structure together with a divalent organic group. Zc represents a counter anion and has the same meaning as Za in the general formula (a).

本発明において、好適に用いることのできる一般式(d)で示される染料の具体例としては、以下に例示するものを挙げることができる。   In the present invention, specific examples of the dye represented by the general formula (d) that can be suitably used include those exemplified below.

前記一般式(e)中、R35〜R50は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、水酸基、カルボニル基、チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、オキシ基、アミノ基、オニウム塩構造を示し、構造によっては更に置換基を有してもよい。Mは2つの水素原子若しくは金属原子、ハロメタル基、オキシメタル基を示すが、そこに含まれる金属原子としては、周期律表のIA、IIA、IIIB、IVB族原子、第一、第二、第三周期の遷移金属、ランタノイド元素が挙げられ、中でも、銅、マグネシウム、鉄、亜鉛、コバルト、アルミニウム、チタン、バナジウムが好ましい。 In the general formula (e), R 35 to R 50 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a thio group, or a sulfonyl group. , A sulfinyl group, an oxy group, an amino group, and an onium salt structure, and may further have a substituent depending on the structure. M represents two hydrogen atoms or metal atoms, a halometal group, and an oxymetal group, and the metal atoms contained therein are IA, IIA, IIIB, IVB group atoms of the periodic table, first, second, second Three-period transition metals and lanthanoid elements can be mentioned, among which copper, magnesium, iron, zinc, cobalt, aluminum, titanium, and vanadium are preferable.

本発明において、好適に用いることのできる一般式(e)で示される染料の具体例としては、以下に例示するものを挙げることができる。   In the present invention, specific examples of the dye represented by formula (e) that can be suitably used include those exemplified below.

顔料としては、市販の顔料又はカラ−インデックス(C.I.)便覧、「最新顔料便覧」(日本顔料技術協会編、1977年刊)、「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)及び「印刷インキ技術」CMC出版、1984年刊)に記載されている顔料が利用できる。   Examples of pigments include commercially available pigments or color index (CI) manuals, “Latest Pigment Handbook” (edited by the Japan Pigment Technology Association, published in 1977), “Latest Pigment Applied Technology” (published by CMC, published in 1986), and “ The pigments described in “Printing Ink Technology”, published by CMC Publishing, 1984) can be used.

顔料の種類としては、例えば、黒色顔料、黄色顔料、オレンジ色顔料、褐色顔料、赤色顔料、紫色顔料、青色顔料、緑色顔料、蛍光顔料、金属粉顔料、ポリマ−結合色素が挙げられる。具体的には、不溶性アゾ顔料、アゾレ−キ顔料、縮合アゾ顔料、キレ−トアゾ顔料、フタロシアニン系顔料、アントラキノン系顔料、ペリレン及びペリノン系顔料、チオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、ジオキサジン系顔料、イソインドリノン系顔料、キノフタロン系顔料、染付けレ−キ顔料、アジン顔料、ニトロソ顔料、ニトロ顔料、天然顔料、蛍光顔料、無機顔料、カ−ボンブラックを用いることができる。   Examples of the pigment include black pigments, yellow pigments, orange pigments, brown pigments, red pigments, purple pigments, blue pigments, green pigments, fluorescent pigments, metal powder pigments, and polymer-bonded pigments. Specifically, insoluble azo pigments, azo lake pigments, condensed azo pigments, chelate azo pigments, phthalocyanine pigments, anthraquinone pigments, perylene and perinone pigments, thioindigo pigments, quinacridone pigments, dioxazine pigments, isotopic pigments Indolinone pigments, quinophthalone pigments, dyed lake pigments, azine pigments, nitroso pigments, nitro pigments, natural pigments, fluorescent pigments, inorganic pigments, and carbon black can be used.

これらの顔料は表面処理をせずに用いてもよく、表面処理を施して用いてもよい。表面処理の方法には樹脂やワックスを表面コ−トする方法、界面活性剤を付着させる方法、反応性物質(例えば、シランカップリング剤、エポキシ化合物、ポリイソシアネ−ト)を顔料表面に結合させる方法等が挙げられる。上記の表面処理方法は、「金属石鹸の性質と応用」(幸書房)、「印刷インキ技術」(CMC出版、1984年刊)及び「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)に記載されている。   These pigments may be used without surface treatment or may be used after surface treatment. As the surface treatment method, a method of surface coating of resin or wax, a method of attaching a surfactant, a method of bonding a reactive substance (eg, silane coupling agent, epoxy compound, polyisocyanate) to the pigment surface Etc. The above-mentioned surface treatment methods are described in “Characteristics and Applications of Metal Soap” (Yokoshobo), “Printing Ink Technology” (CMC Publishing, 1984) and “Latest Pigment Application Technology” (CMC Publishing, 1986). Yes.

顔料の粒径は0.01μm〜10μmの範囲にあることが好ましく、顔料分散物の塗布液中での安定性、記録層の均一性の観点から、0.05μm〜1μmの範囲にあることが更に好ましく、特に0.1μm〜1μmの範囲にあることが好ましい。   The pigment particle size is preferably in the range of 0.01 μm to 10 μm, and from the viewpoint of the stability of the pigment dispersion in the coating solution and the uniformity of the recording layer, it is preferably in the range of 0.05 μm to 1 μm. More preferably, it is particularly preferably in the range of 0.1 to 1 μm.

顔料を分散する方法としては、インク製造やトナ−製造等に用いられる公知の分散技術が使用できる。分散機としては、超音波分散器、サンドミル、アトライタ−、パ−ルミル、ス−パ−ミル、ボ−ルミル、インペラ−、デスパ−ザ−、KDミル、コロイドミル、ダイナトロン、3本ロ−ルミル、加圧ニ−ダ−等が挙げられる。詳細は、「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)に記載されている。   As a method for dispersing the pigment, a known dispersion technique used in ink production, toner production, or the like can be used. Dispersers include ultrasonic dispersers, sand mills, attritors, par mills, super mills, ball mills, impellers, desperzers, KD mills, colloid mills, Dynatrons, three-rollers Lumil, pressure kneader and the like. Details are described in "Latest Pigment Applied Technology" (CMC Publishing, 1986).

これらの顔料又は染料は、感度、記録層の均一性及び耐久性の観点から、記録層を構成する全固形分に対し0.01〜50質量%、好ましくは0.1〜10質量%である。特に、染料の場合には、0.5〜10質量%の割合で含有するすることが好ましく、顔料の場合には、0.1〜10質量%の割合で含有することが好ましい。   These pigments or dyes are 0.01 to 50% by mass, preferably 0.1 to 10% by mass, based on the total solid content constituting the recording layer, from the viewpoints of sensitivity, recording layer uniformity and durability. . In particular, in the case of a dye, it is preferably contained in a proportion of 0.5 to 10% by mass, and in the case of a pigment, it is preferably contained in a proportion of 0.1 to 10% by mass.

[その他の成分]
本発明における記録層には、必要に応じて、種々の添加剤を添加することができる。
例えば、記録層の溶解性を調節するために、特定スルホニウム塩以外のオニウム塩、芳香族スルホン化合物、芳香族スルホン酸エステル化合物、多官能アミン化合物等、添加すると(B)アルカリ可溶性樹脂の現像液への溶解阻止機能を向上させるいわゆる溶解抑止剤を添加することが好ましく、中でも、オニウム塩、o−キノンジアジド化合物、スルホン酸アルキルエステル等の熱分解性であり、分解しない状態ではアルカリ可溶性樹脂の溶解性を実質的に低下させる物質を併用することが、画像部の現像液への溶解阻止性の向上を図る点で好ましい。
[Other ingredients]
Various additives can be added to the recording layer in the invention as needed.
For example, when an onium salt other than a specific sulfonium salt, an aromatic sulfone compound, an aromatic sulfonic acid ester compound, a polyfunctional amine compound, or the like is added to adjust the solubility of the recording layer, (B) a developer of an alkali-soluble resin It is preferable to add a so-called dissolution inhibitor that improves the dissolution inhibiting function in the aqueous solution, and among them, onium salts, o-quinonediazide compounds, sulfonic acid alkyl esters, etc. are thermally decomposable, and in the state where they are not decomposed, the alkali-soluble resin is dissolved. It is preferable to use a substance that substantially reduces the property in terms of improving the dissolution inhibition of the image portion in the developer.

本発明において用いられるオニウム塩として、好適なものとしては、例えば、S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,387(1974)、T.S.Bal et al,Polymer,21,423(1980)、特開平5−158230号公報に記載のジアゾニウム塩;
米国特許第4,069,055号、同4,069,056号、特開平3−140140号の明細書に記載のアンモニウム塩;
D.C.Necker et al,Macromolecules,17,2468(1984)、C.S.Wen et al,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055号、同4,069,056号に記載のホスホニウム塩;
J.V.Crivello et al,Macromorecules,10(6),1307(1977)、Chem.&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第104,143号、米国特許第5,041,358号、同第4,491,628号、特開平2−150848号、特開平2−296514号に記載のヨードニウム塩;
Preferred examples of the onium salt used in the present invention include S.P. I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng. , 18, 387 (1974), T.A. S. Bal et al, Polymer, 21, 423 (1980), diazonium salts described in JP-A-5-158230;
Ammonium salts described in US Pat. Nos. 4,069,055, 4,069,056 and JP-A-3-140140;
D. C. Necker et al, Macromolecules, 17, 2468 (1984), C.I. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988), U.S. Pat. Nos. 4,069,055 and 4,069,056;
J. et al. V. Crivello et al, Macromolecules, 10 (6), 1307 (1977), Chem. & Eng. News, Nov. 28, p31 (1988), European Patent No. 104,143, US Pat. Nos. 5,041,358, 4,491,628, JP-A-2-150848 and JP-A-2-296514. Iodonium salts;

J.V.Crivello et al,Polymer J.17,73(1985)、J.V.Crivello et al.J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.Watt et al,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1984)、J.V.Crivello et al,Polymer Bull.,14,279(1985)、J.V.Crivello et al,Macromorecules,14(5),1141(1981)、J.V.Crivello et al,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,17,2877(1979)、欧州特許第370,693号、同233,567号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,933,377号、同3,902,114号、同5,041,358号、同4,491,628号、同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、独国特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号に記載のスルホニウム塩;   J. et al. V. Crivello et al, Polymer J. et al. 17, 73 (1985), J. Am. V. Crivello et al. J. et al. Org. Chem. 43, 3055 (1978); R. Watt et al, J.A. Polymer Sci. , Polymer Chem. Ed. , 22, 1789 (1984), J. Am. V. Crivello et al, Polymer Bull. 14, 279 (1985), J. Am. V. Crivello et al, Macromolecules, 14 (5), 1141 (1981), J. MoI. V. Crivello et al, J.A. Polymer Sci. , Polymer Chem. Ed. 17, 2877 (1979), European Patents 370,693, 233,567, 297,443, 297,442, U.S. Pat. Nos. 4,933,377, 3,902,114 No. 5,041,358, No. 4,491,628, No. 4,760,013, No. 4,734,444, No. 2,833,827, German Patent No. 2,904 Sulfonium salts described in No. 626, No. 3,604,580, No. 3,604,581;

J.V.Crivello et al,Macromorecules,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello et al,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,17,1047(1979)に記載のセレノニウム塩;
C.S.Wen et al,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)に記載のアルソニウム塩等が挙げられる。
これらのオニウム塩の中でも、溶解阻止能や熱分解性の観点から、ジアゾニウム塩及び4級アンモニウム塩が特に好ましい。特に、ジアゾニウム塩としては、特開平5−158230号公報に記載の一般式(I)で示されるジアゾニウム塩や特開平11−143064号公報に記載の一般式(1)で示されるジアゾニウム塩が好ましく、可視光領域の吸収波長が小さい特開平11−143064号公報に記載の一般式(1)で示されるジアゾニウム塩が最も好ましい。また4級アンモニウム塩としては、特開2002−229186号公報に記載[化5][化6]中の(1)〜(10)に示される4級アンモニウム塩が好ましい。
J. et al. V. Crivello et al, Macromolecules, 10 (6), 1307 (1977), J. MoI. V. Crivello et al, J.A. Polymer Sci. , Polymer Chem. Ed. , 17, 1047 (1979);
C. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988).
Among these onium salts, diazonium salts and quaternary ammonium salts are particularly preferable from the viewpoints of dissolution inhibition ability and thermal decomposability. In particular, the diazonium salt is preferably a diazonium salt represented by the general formula (I) described in JP-A-5-158230 or a diazonium salt represented by the general formula (1) described in JP-A-11-143064. The diazonium salt represented by the general formula (1) described in JP-A-11-143064 having a small absorption wavelength in the visible light region is most preferable. Moreover, as a quaternary ammonium salt, the quaternary ammonium salt shown by (1)-(10) in [Chemical Formula 5] [Chemical Formula 6] described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-229186 is preferable.

オニウム塩の対イオンとしては、四フッ化ホウ酸、六フッ化リン酸、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸、5−ニトロ−o−トルエンスルホン酸、5−スルホサリチル酸、2,5−ジメチルベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリメチルベンゼンスルホン酸、2−ニトロベンゼンスルホン酸、3−クロロベンゼンスルホン酸、3−ブロモベンゼンスルホン酸、2−フルオロカプリルナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、1−ナフトール−5−スルホン酸、2−メトキシ−4−ヒドロキシ−5−ベンゾイル−ベンゼンスルホン酸、及びパラトルエンスルホン酸等を挙げることができる。これらの中でも特に六フッ化リン酸、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸や2,5−ジメチルベンゼンスルホン酸のごときアルキル芳香族スルホン酸が好適である。   The counter ion of the onium salt includes tetrafluoroboric acid, hexafluorophosphoric acid, triisopropylnaphthalenesulfonic acid, 5-nitro-o-toluenesulfonic acid, 5-sulfosalicylic acid, 2,5-dimethylbenzenesulfonic acid, 2,4,6-trimethylbenzenesulfonic acid, 2-nitrobenzenesulfonic acid, 3-chlorobenzenesulfonic acid, 3-bromobenzenesulfonic acid, 2-fluorocaprylnaphthalenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, 1-naphthol-5-sulfone Examples include acid, 2-methoxy-4-hydroxy-5-benzoyl-benzenesulfonic acid, and paratoluenesulfonic acid. Of these, particularly preferred are alkyl aromatic sulfonic acids such as hexafluorophosphoric acid, triisopropylnaphthalenesulfonic acid and 2,5-dimethylbenzenesulfonic acid.

好適なキノンジアジド類としてはo−キノンジアジド化合物を挙げることができる。本発明に用いられるo−キノンジアジド化合物は、少なくとも1個のo−キノンジアジド基を有する化合物で、熱分解によりアルカリ可溶性を増すものであり、種々の構造の化合物を用いることができる。つまり、o−キノンジアジドは熱分解により結着剤の溶解抑制能を失うことと、o−キノンジアジド自身がアルカリ可溶性の物質に変化することの両方の効果により感材系の溶解性を助ける。本発明に用いられるo−キノンジアジド化合物としては、例えば、J.コーサー著「ライト−センシティブ・システムズ」(John Wiley&Sons.Inc.)第339〜352頁に記載の化合物が使用できるが、特に種々の芳香族ポリヒドロキシ化合物或いは芳香族アミノ化合物と反応させたo−キノンジアジドのスルホン酸エステル又はスルホン酸アミドが好適である。また、特公昭43−28403号公報に記載されているようなベンゾキノン(1,2)−ジアジドスルホン酸クロライド又はナフトキノン−(1,2)−ジアジド−5−スルホン酸クロライドとピロガロール−アセトン樹脂とのエステル、米国特許第3,046,120号及び同第3,188,210号に記載されているベンゾキノン−(1,2)−ジアジドスルホン酸クロライド又はナフトキノン−(1,2)−ジアジド−5−スルホン酸クロライドとフェノール−ホルムアルデヒド樹脂とのエステルも好適に使用される。   Suitable quinonediazides include o-quinonediazide compounds. The o-quinonediazide compound used in the present invention is a compound having at least one o-quinonediazide group, which increases alkali solubility by thermal decomposition, and compounds having various structures can be used. That is, o-quinonediazide helps the solubility of the sensitive material system by both the effect of losing the ability to suppress the dissolution of the binder due to thermal decomposition and the change of o-quinonediazide itself into an alkali-soluble substance. Examples of the o-quinonediazide compound used in the present invention include J. The compounds described in pages 339 to 352 of “Light-sensitive systems” by John Coley (John Wiley & Sons. Inc.) can be used, and in particular, o-quinonediazide reacted with various aromatic polyhydroxy compounds or aromatic amino compounds. The sulfonic acid esters or sulfonic acid amides are preferred. Further, benzoquinone (1,2) -diazidosulfonic acid chloride or naphthoquinone- (1,2) -diazide-5-sulfonic acid chloride and pyrogallol-acetone resin as described in JP-B-43-28403 Esters of benzoquinone- (1,2) -diazide sulfonic acid chloride or naphthoquinone- (1,2) -diazide- described in US Pat. Nos. 3,046,120 and 3,188,210 Esters of 5-sulfonic acid chloride and phenol-formaldehyde resin are also preferably used.

更に、ナフトキノン−(1,2)−ジアジド−4−スルホン酸クロライドとフェノールホルムアルデヒド樹脂或いはクレゾール−ホルムアルデヒド樹脂とのエステル、ナフトキノン−(1,2)−ジアジド−4−スルホン酸クロライドとピロガロール−アセトン樹脂とのエステルも同様に好適に使用される。その他の有用なo−キノンジアジド化合物としては、数多くの特許に報告され知られている。例えば、特開昭47−5303号、特開昭48−63802号、特開昭48−63803号、特開昭48−96575号、特開昭49−38701号、特開昭48−13354号、特公昭41−11222号、特公昭45−9610号、特公昭49−17481号、米国特許第2,797,213号、同第3,454,400号、同第3,544,323号、同第3,573,917号、同第3,674,495号、同第3,785,825号、英国特許第1,227,602号、同第1,251,345号、同第1,267,005号、同第1,329,888号、同第1,330,932号、ドイツ特許第854,890号などの各明細書中に記載されているものを挙げることができる。   Further, esters of naphthoquinone- (1,2) -diazido-4-sulfonic acid chloride with phenol formaldehyde resin or cresol-formaldehyde resin, naphthoquinone- (1,2) -diazido-4-sulfonic acid chloride and pyrogallol-acetone resin Similarly, the esters are also preferably used. Other useful o-quinonediazide compounds are reported and known in numerous patents. For example, JP-A-47-5303, JP-A-48-63802, JP-A-48-63803, JP-A-48-96575, JP-A-49-38701, JP-A-48-13354, JP-B-41-11222, JP-B-45-9610, JP-B-49-174781, U.S. Pat. Nos. 2,797,213, 3,454,400, 3,544,323, 3,573,917, 3,674,495, 3,785,825, British Patents 1,227,602, 1,251,345, 1,267 No. 1,005, No. 1,329,888, No. 1,330,932, German Patent No. 854,890, and the like.

分解性溶解抑止剤であるオニウム塩、及び/又は、o−キノンジアジド化合物の添加量は、好ましくは記録層の全固形分に対し、1〜10質量%、更に好ましくは1〜5質量%、特に好ましくは1〜2質量%の範囲である。これらの化合物は単一で使用できるが、数種の混合物として使用してもよい。   The amount of the onium salt and / or o-quinonediazide compound that is a degradable dissolution inhibitor is preferably 1 to 10% by mass, more preferably 1 to 5% by mass, particularly preferably the total solid content of the recording layer. Preferably it is the range of 1-2 mass%. These compounds can be used alone, but may be used as a mixture of several kinds.

o−キノンジアジド化合物以外の添加剤の添加量は、好ましくは0.1〜5質量%、更に好ましくは0.1〜2質量%、特に好ましくは0.1〜1.5質量%である。本発明に係る添加剤と結着剤は、同一層へ含有させることが好ましい。   The amount of additives other than the o-quinonediazide compound is preferably 0.1 to 5% by mass, more preferably 0.1 to 2% by mass, and particularly preferably 0.1 to 1.5% by mass. The additive and binder according to the present invention are preferably contained in the same layer.

また、分解性を有さない溶解抑止剤を併用してもよく、好ましい溶解抑止剤としては、特開平10−268512号公報に詳細に記載されているスルホン酸エステル、燐酸エステル、芳香族カルボン酸エステル、芳香族ジスルホン、カルボン酸無水物、芳香族ケトン、芳香族アルデヒド、芳香族アミン、芳香族エーテル等、同じく特開平11−190903号公報に詳細に記載されているラクトン骨格、N,N−ジアリールアミド骨格、ジアリールメチルイミノ骨格を有し着色剤を兼ねた酸発色性色素、同じく特開2000−105454号公報に詳細に記載されている非イオン性界面活性剤等を挙げることができる。   Further, a dissolution inhibitor having no decomposability may be used in combination, and preferred dissolution inhibitors include sulfonate esters, phosphate esters, and aromatic carboxylic acids described in detail in JP-A-10-268512. Esters, aromatic disulfones, carboxylic anhydrides, aromatic ketones, aromatic aldehydes, aromatic amines, aromatic ethers, etc., as well as lactone skeletons described in detail in JP-A-11-190903, N, N- Examples thereof include an acid color-forming dye having a diarylamide skeleton and a diarylmethylimino skeleton, which also serves as a colorant, and nonionic surfactants described in detail in JP-A No. 2000-105454.

また、本発明における記録層には、感度を向上させる目的で、環状酸無水物類、フェノール類、有機酸類を添加することができる。
環状酸無水物としては米国特許第4,115,128号明細書に記載されている無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、3,6−エンドオキシ−4−テトラヒドロ無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、無水マレイン酸、クロル無水マレイン酸、α−フェニル無水マレイン酸、無水コハク酸、無水ピロメリット酸などが使用できる。フェノール類としては、ビスフェノールA、p−ニトロフェノール、p−エトキシフェノール、2,4,4’−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、4−ヒドロキシベンゾフェノン、4,4’,4”−トリヒドロキシトリフェニルメタン、4,4’,3”,4”−テトラヒドロキシ−3,5,3’,5’−テトラメチルトリフェニルメタンなどが挙げられる。更に、有機酸類としては、特開昭60−88942号、特開平2−96755号公報などに記載されている、スルホン酸類、スルフィン酸類、アルキル硫酸類、ホスホン酸類、リン酸エステル類、及びカルボン酸類などが挙げられる。
上記の環状酸無水物、フェノール類、及び有機酸類の記録層中に占める割合は、0.05〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.1〜15質量%、特に好ましくは0.1〜10質量%である。
In addition, cyclic acid anhydrides, phenols, and organic acids can be added to the recording layer in the present invention for the purpose of improving sensitivity.
Examples of cyclic acid anhydrides include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, 3,6-endooxy-4-tetrahydrophthalic anhydride, tetrachlorophthalic anhydride described in US Pat. No. 4,115,128, Maleic anhydride, chloromaleic anhydride, α-phenylmaleic anhydride, succinic anhydride, pyromellitic anhydride and the like can be used. As phenols, bisphenol A, p-nitrophenol, p-ethoxyphenol, 2,4,4′-trihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 4-hydroxybenzophenone, 4,4 ′, 4 “-Trihydroxytriphenylmethane, 4,4 ′, 3”, 4 ”-tetrahydroxy-3,5,3 ′, 5′-tetramethyltriphenylmethane and the like. Examples thereof include sulfonic acids, sulfinic acids, alkylsulfuric acids, phosphonic acids, phosphate esters, and carboxylic acids described in JP-A-60-88942 and JP-A-2-96755.
The proportion of the cyclic acid anhydride, phenols, and organic acids in the recording layer is preferably 0.05 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 15% by mass, particularly preferably 0.1 to 0.1% by mass. 10% by mass.

これら以外にも、エポキシ化合物、ビニルエーテル類、更には特開平8−276558号公報に記載のヒドロキシメチル基を有するフェノール化合物、アルコキシメチル基を有するフェノール化合物及び本発明者らが先に提案した特開平11−160860号公報に記載のアルカリ溶解抑制作用を有する架橋性化合物等を目的に応じて適宜添加することができる。   In addition to these, epoxy compounds, vinyl ethers, and further, phenol compounds having a hydroxymethyl group, phenol compounds having an alkoxymethyl group described in JP-A-8-276558, and JP-A-5 A crosslinkable compound having an alkali dissolution inhibiting action described in JP-A-11-160860 can be appropriately added depending on the purpose.

本発明における記録層には、現像条件に対する処理の安定性を広げるため、特開昭62−251740号公報や特開平3−208514号公報に記載されているような非イオン界面活性剤、特開昭59−121044号公報、特開平4−13149号公報に記載されているような両性界面活性剤、EP950517公報に記載されているようなシロキサン系化合物、特開平11−288093号公報に記載されているようなフッ素含有のモノマー共重合体を添加することができる。
非イオン界面活性剤の具体例としては、ソルビタントリステアレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタントリオレート、ステアリン酸モノグリセリド、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等が挙げられる。両面活性剤の具体例としては、アルキルジ(アミノエチル)グリシン、アルキルポリアミノエチルグリシン塩酸塩、2−アルキル−N−カルボキシエチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタインやN−テトラデシル−N,N−ベタイン型(例えば、商品名「アモーゲンK」:第一工業(株)製)等が挙げられる。
シロキサン系化合物としては、ジメチルシロキサンとポリアルキレンオキシドのブロック共重合体が好ましく、具体例として、(株)チッソ社製、DBE−224,DBE−621,DBE−712,DBP−732,DBP−534、独Tego社製、Tego Glide100等のポリアルキレンオキシド変性シリコーンを挙げることができる。
上記非イオン界面活性剤及び両性界面活性剤の記録層中に占める割合は、0.05〜15質量%が好ましく、より好ましくは0.1〜5質量%である。
In the recording layer of the present invention, a nonionic surfactant as described in JP-A-62-251740 and JP-A-3-208514 is disclosed in order to broaden the stability of processing with respect to development conditions. An amphoteric surfactant as described in JP-A-59-121044 and JP-A-4-13149, a siloxane-based compound as described in EP950517, and JP-A-11-288093 Such fluorine-containing monomer copolymers can be added.
Specific examples of the nonionic surfactant include sorbitan tristearate, sorbitan monopalmitate, sorbitan trioleate, stearic acid monoglyceride, polyoxyethylene nonylphenyl ether and the like. Specific examples of the double-sided activator include alkyldi (aminoethyl) glycine, alkylpolyaminoethylglycine hydrochloride, 2-alkyl-N-carboxyethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine and N-tetradecyl-N, N-betaine. Type (for example, trade name “Amorgen K” manufactured by Daiichi Kogyo Co., Ltd.).
The siloxane compound is preferably a block copolymer of dimethylsiloxane and polyalkylene oxide. Specific examples include DBE-224, DBE-621, DBE-712, DBP-732, DBP-534, manufactured by Chisso Corporation. And polyalkylene oxide-modified silicones such as Tego Glide 100 manufactured by Tego, Germany.
The proportion of the nonionic surfactant and the amphoteric surfactant in the recording layer is preferably 0.05 to 15% by mass, more preferably 0.1 to 5% by mass.

また、本発明における記録層には、露光による加熱後直ちに可視像を得るための焼き出し剤や、画像着色剤としての染料や顔料を添加することができる。
焼き出し剤としては、露光による加熱によって酸を放出する化合物(光酸放出剤)と塩を形成し得る有機染料の組合せを代表として挙げることができる。具体的には、特開昭50−36209号、同53−8128号の各公報に記載されているo−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸ハロゲニドと塩形成性有機染料の組合せや、特開昭53−36223号、同54−74728号、同60−3626号、同61−143748号、同61−151644号及び同63−58440号の各公報に記載されているトリハロメチル化合物と塩形成性有機染料の組合せを挙げることができる。かかるトリハロメチル化合物としては、オキサゾール系化合物とトリアジン系化合物とがあり、どちらも経時安定性に優れ、明瞭な焼き出し画像を与える。
Further, a printing-out agent for obtaining a visible image immediately after heating by exposure, or a dye or pigment as an image coloring agent can be added to the recording layer in the present invention.
Typical examples of the printing-out agent include a combination of a compound that releases an acid by heating by exposure (photoacid releasing agent) and an organic dye that can form a salt. Specifically, combinations of o-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid halides and salt-forming organic dyes described in JP-A-50-36209 and JP-A-53-8128, 36223, 54-74728, 60-3626, 61-143748, 61-151644 and 63-58440, and trihalomethyl compounds and salt-forming organic dyes Can be mentioned. Such trihalomethyl compounds include oxazole-based compounds and triazine-based compounds, both of which have excellent temporal stability and give clear printout images.

画像の着色剤としては、前述の塩形成性有機染料以外に他の染料を用いることができる。塩形成性有機染料を含めて、好適な染料として油溶性染料と塩基性染料を挙げることができる。具体的にはオイルイエロー#101、オイルイエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オイルブルーBOS、オイルブルー#603、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイルブラックT−505(以上オリエント化学工業(株)製)、ビクトリアピュアブルー、クリスタルバイオレット(CI42555)、メチルバイオレット(CI42535)、エチルバイオレット、ローダミンB(CI145170B)、マラカイトグリーン(CI42000)、メチレンブルー(CI52015)などを挙げることができる。また、特開昭62−293247号公報に記載されている染料は特に好ましい。これらの染料は、記録層全固形分に対し、0.01〜10質量%、好ましくは0.1〜3質量%の割合で記録層中に添加することができる。   As the image colorant, other dyes can be used in addition to the above-mentioned salt-forming organic dyes. Examples of suitable dyes including salt-forming organic dyes include oil-soluble dyes and basic dyes. Specifically, Oil Yellow # 101, Oil Yellow # 103, Oil Pink # 312, Oil Green BG, Oil Blue BOS, Oil Blue # 603, Oil Black BY, Oil Black BS, Oil Black T-505 (oriental chemical industry) Manufactured by Co., Ltd.), Victoria Pure Blue, Crystal Violet (CI42555), Methyl Violet (CI42535), Ethyl Violet, Rhodamine B (CI145170B), Malachite Green (CI42000), Methylene Blue (CI522015), and the like. The dyes described in JP-A-62-293247 are particularly preferred. These dyes can be added to the recording layer in a proportion of 0.01 to 10% by mass, preferably 0.1 to 3% by mass, based on the total solid content of the recording layer.

更に、本発明における記録層には必要に応じ、塗膜の柔軟性等を付与するために可塑剤が添加される。可塑剤としては、例えば、ブチルフタリル、ポリエチレングリコール、クエン酸トリブチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘキシル、フタル酸ジオクチル、リン酸トリクレジル、リン酸トリブチル、リン酸トリオクチル、オレイン酸テトラヒドロフルフリル、アクリル酸又はメタクリル酸のオリゴマー及びポリマー等が用いられる。   Furthermore, a plasticizer is added to the recording layer in the present invention as needed in order to impart flexibility of the coating film. Examples of the plasticizer include butyl phthalyl, polyethylene glycol, tributyl citrate, diethyl phthalate, dibutyl phthalate, dihexyl phthalate, dioctyl phthalate, tricresyl phosphate, tributyl phosphate, trioctyl phosphate, tetrahydrofurfuryl oleate, Acrylic acid or methacrylic acid oligomers and polymers are used.

〔記録層の層構成〕
本発明の平版印刷版原版の記録層は、単層型、相分離型、又は重層型のいずれであってもよい。
単層型記録層としては、例えば、特開平7−285275号公報、国際公開97/39894号パンフレット記載の感光層の構成を同様に適用することができる。相分離型記録層としては、例えば、特開平11−44956号公報記載の感光層の構成を同様に適用することができる。また、重層型記録層としては、例えば、特開平11−218914号公報、米国特許第6352812B1号、米国特許第6352811B1号、米国特許第6358669B1号、米国特許第6534238B1号、欧州特許第864420B1号明細書記載の感光層の構成を同様に適用することができる。しかしながら、本発明における記録層の構成は、これらに限定されるものではない。
なお、記録層を重層型記録層として構成する場合、効果の発現性の観点から、最上層に本発明における特定スルホニウム塩が含有していることが好ましい。
[Layer structure of recording layer]
The recording layer of the lithographic printing plate precursor according to the invention may be any of a single layer type, a phase separation type, and a multilayer type.
As the single-layer recording layer, for example, the configuration of the photosensitive layer described in JP-A-7-285275 and WO97 / 39894 can be similarly applied. As the phase separation type recording layer, for example, the configuration of the photosensitive layer described in JP-A No. 11-44956 can be similarly applied. Examples of the multilayer recording layer include, for example, JP-A-11-218914, US Pat. No. 6,352,812 B1, US Pat. No. 6,352,811 B1, US Pat. No. 6,358,669 B1, US Pat. No. 6,534,238 B1, and EP 864420 B1. The structure of the photosensitive layer described can be applied similarly. However, the configuration of the recording layer in the present invention is not limited to these.
In the case where the recording layer is configured as a multilayer recording layer, it is preferable that the specific sulfonium salt in the present invention is contained in the uppermost layer from the viewpoint of the effect.

〔記録層の形成方法〕
本発明における記録層は、記録層を構成する成分を溶媒に溶かして記録層塗布液を調製し、適当な支持体上に塗布し、乾燥することにより形成することができる。また、目的に応じて設けられる、後述する下塗り層や、その他、バックコート層なども同様にして形成することができる。
ここで使用する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノール、2−メトキシエチルアセテート、1−メトキシ−2−プロピルアセテート、ジメトキシエタン、乳酸メチル、乳酸エチル、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラメチルウレア、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、γ−ブチロラクトン、トルエン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は単独又は混合して使用される。
[Method for forming recording layer]
The recording layer in the present invention can be formed by preparing a recording layer coating solution by dissolving the components constituting the recording layer in a solvent, coating on a suitable support, and drying. In addition, an undercoat layer, which will be described later, and a backcoat layer, which are provided according to the purpose, can be formed in the same manner.
Solvents used here include ethylene dichloride, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol monomethyl ether, 1-methoxy-2-propanol, 2-methoxyethyl acetate, 1-methoxy-2-propyl acetate, dimethoxy Examples include, but are not limited to, ethane, methyl lactate, ethyl lactate, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, tetramethylurea, N-methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, sulfolane, γ-butyrolactone, and toluene. Is not to be done. These solvents are used alone or in combination.

溶媒中の上記成分(添加剤を含む全固形分)の濃度は、好ましくは1〜50質量%である。
また、塗布、乾燥後に得られる支持体上の塗布量(固形分)は、用途によって異なるが、一般に、乾燥後の塗膜量が、0.5〜5.0g/m2が好ましく、0.6〜2.0g/m2が更に好ましい。
なお、記録層が2層からなる重層型記録層の場合の塗布量は下層としては、0.1〜5.0g/m2が好ましく、0.2〜3.0g/m2が更に好ましい。また、上層(最上層)としては、0.01〜5.0g/m2となる量が好ましく、0.05〜2.0g/m2となる量がより好ましい。
The concentration of the above components (total solid content including additives) in the solvent is preferably 1 to 50% by mass.
In addition, the coating amount (solid content) on the support obtained after coating and drying varies depending on the use, but generally, the coating amount after drying is preferably 0.5 to 5.0 g / m 2 . 6 to 2.0 g / m 2 is more preferable.
The coating amount in the case of a multilayer recording layer comprising two recording layers is preferably 0.1 to 5.0 g / m 2 , more preferably 0.2 to 3.0 g / m 2 as the lower layer. As the upper layer (uppermost layer), preferably the amount to be 0.01~5.0g / m 2, more preferably the amount to be 0.05 to 2.0 g / m 2.

記録層塗布液を塗布する方法としては、種々の方法を用いることができる。例えば、バーコーター塗布、回転塗布、スプレー塗布、カーテン塗布、ディップ塗布、エアーナイフ塗布、ブレード塗布、ロール塗布等を挙げることができる。塗布量が少なくなるにつれて、見かけの感度は大になるが、感光膜の皮膜特性は低下する。   Various methods can be used for applying the recording layer coating solution. Examples thereof include bar coater coating, spin coating, spray coating, curtain coating, dip coating, air knife coating, blade coating, and roll coating. As the coating amount decreases, the apparent sensitivity increases, but the film properties of the photosensitive film deteriorate.

なお、本発明における記録層塗布液には、塗布性を良化するための界面活性剤、例えば、特開昭62−170950号公報に記載されているようなフッ素系界面活性剤を添加することができる。好ましい添加量は、記録層塗布液の全固形分中0.01〜1質量%、更に好ましくは0.05〜0.5質量%である。   In the recording layer coating solution of the present invention, a surfactant for improving coating properties, for example, a fluorine-based surfactant as described in JP-A-62-170950 is added. Can do. A preferable addition amount is 0.01 to 1% by mass, more preferably 0.05 to 0.5% by mass in the total solid content of the recording layer coating solution.

〔支持体〕
本発明の平版印刷版原版に使用される支持体としては、寸度的に安定な板状物であり、必要な強度、可撓性などの物性を満たすものであれば特に制限はなく、例えば、紙、プラスチック(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等)がラミネートされた紙、金属板(例えば、アルミニウム、亜鉛、銅等)、プラスチックフイルム(例えば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール等)、上記のごとき金属がラミネート、若しくは蒸着された紙、若しくはプラスチックフイルム等が挙げられる。
[Support]
The support used in the lithographic printing plate precursor according to the present invention is a dimensionally stable plate-like material, and is not particularly limited as long as it satisfies physical properties such as required strength and flexibility. , Paper, paper laminated with plastic (eg, polyethylene, polypropylene, polystyrene, etc.), metal plate (eg, aluminum, zinc, copper, etc.), plastic film (eg, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose propionate, Cellulose butyrate, cellulose acetate butyrate, cellulose nitrate, polyethylene terephthalate, polyethylene, polystyrene, polypropylene, polycarbonate, polyvinyl acetal, etc.), paper laminated with or vapor-deposited metal as described above, or plastic film.

本発明に適用し得る支持体としては、ポリエステルフイルム又はアルミニウム板が好ましく、その中でも寸法安定性がよく、比較的安価であるアルミニウム板は特に好ましい。好適なアルミニウム板は、純アルミニウム板及びアルミニウムを主成分とし、微量の異元素を含む合金板であり、更にアルミニウムがラミネート若しくは蒸着されたプラスチックフイルムでもよい。アルミニウム合金に含まれる異元素には、ケイ素、鉄、マンガン、銅、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタンなどがある。合金中の異元素の含有量は高々10質量%以下である。本発明において特に好適なアルミニウムは、純アルミニウムであるが、完全に純粋なアルミニウムは精錬技術上製造が困難であるので、僅かに異元素を含有するものでもよい。   As the support that can be applied to the present invention, a polyester film or an aluminum plate is preferable. Among them, an aluminum plate that has good dimensional stability and is relatively inexpensive is particularly preferable. A suitable aluminum plate is a pure aluminum plate or an alloy plate containing aluminum as a main component and containing a trace amount of foreign elements, and may be a plastic film on which aluminum is laminated or vapor-deposited. Examples of foreign elements contained in the aluminum alloy include silicon, iron, manganese, copper, magnesium, chromium, zinc, bismuth, nickel, and titanium. The content of foreign elements in the alloy is at most 10% by mass. Particularly suitable aluminum in the present invention is pure aluminum, but completely pure aluminum is difficult to produce in the refining technique, and may contain slightly different elements.

このように本発明に適用されるアルミニウム板は、その組成が特定されるものではなく、従来より公知公用の素材のアルミニウム板を適宜に利用することができる。本発明で用いられるアルミニウム板の厚みはおよそ0.1mm〜0.6mm程度、好ましくは0.15mm〜0.4mm、特に好ましくは0.2mm〜0.3mmである。   Thus, the composition of the aluminum plate applied to the present invention is not specified, and conventionally known and used aluminum plates can be appropriately used. The thickness of the aluminum plate used in the present invention is about 0.1 mm to 0.6 mm, preferably 0.15 mm to 0.4 mm, and particularly preferably 0.2 mm to 0.3 mm.

アルミニウム板を粗面化するに先立ち、所望により、表面の圧延油を除去するための例えば界面活性剤、有機溶剤又はアルカリ性水溶液などによる脱脂処理が行われる。アルミニウム板の表面の粗面化処理は、種々の方法により行われるが、例えば、機械的に粗面化する方法、電気化学的に表面を溶解粗面化する方法及び化学的に表面を選択溶解させる方法により行われる。機械的方法としては、ボール研磨法、ブラシ研磨法、ブラスト研磨法、バフ研磨法などの公知の方法を用いることができる。また、電気化学的な粗面化法としては塩酸又は硝酸電解液中で交流又は直流により行う方法がある。また、特開昭54−63902号公報に開示されているように両者を組合せた方法も利用することができる。このように粗面化されたアルミニウム板は、必要に応じてアルカリエッチング処理及び中和処理された後、所望により表面の保水性や耐摩耗性を高めるために陽極酸化処理が施される。アルミニウム板の陽極酸化処理に用いられる電解質としては、多孔質酸化皮膜を形成する種々の電解質の使用が可能で、一般的には硫酸、リン酸、蓚酸、クロム酸或いはそれらの混酸が用いられる。それらの電解質の濃度は電解質の種類によって適宜決められる。   Prior to roughening the aluminum plate, a degreasing treatment with, for example, a surfactant, an organic solvent or an alkaline aqueous solution for removing rolling oil on the surface is performed as desired. The surface roughening treatment of the aluminum plate is performed by various methods. For example, a method of mechanically roughening, a method of electrochemically dissolving and roughening a surface, and a method of selectively dissolving a surface chemically. This is done by the method of As the mechanical method, a known method such as a ball polishing method, a brush polishing method, a blast polishing method, or a buff polishing method can be used. Further, as an electrochemical surface roughening method, there is a method of performing alternating current or direct current in hydrochloric acid or nitric acid electrolyte. Further, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 54-63902, a method in which both are combined can also be used. The roughened aluminum plate is subjected to an alkali etching treatment and neutralization treatment as necessary, and then subjected to an anodization treatment to enhance the water retention and wear resistance of the surface as desired. As the electrolyte used for the anodizing treatment of the aluminum plate, various electrolytes that form a porous oxide film can be used. In general, sulfuric acid, phosphoric acid, oxalic acid, chromic acid, or a mixed acid thereof is used. The concentration of these electrolytes is appropriately determined depending on the type of electrolyte.

陽極酸化の処理条件は用いる電解質により種々変わるので一概に特定し得ないが、一般的には電解質の濃度が1〜80質量%溶液、液温は5〜70℃、電流密度5〜60A/dm2、電圧1〜100V、電解時間10秒〜5分の範囲であれば適当である。陽極酸化皮膜の量は1.0g/m2より少ないと耐刷性が不十分であったり、平版印刷版原版の非画像部に傷が付き易くなって、印刷時に傷の部分にインキが付着するいわゆる「傷汚れ」が生じ易くなる。陽極酸化処理を施された後、アルミニウム表面は必要により親水化処理が施される。本発明に使用される親水化処理としては、米国特許第2,714,066号、同第3,181,461号、第3,280,734号及び第3,902,734号に開示されているようなアルカリ金属シリケート(例えばケイ酸ナトリウム水溶液)法がある。この方法においては、支持体がケイ酸ナトリウム水溶液で浸漬処理されるか又は電解処理される。他に特公昭36−22063号公報に開示されているフッ化ジルコン酸カリウム及び米国特許第3,276,868号、同第4,153,461号、同第4,689,272号に開示されているようなポリビニルホスホン酸で処理する方法などが用いられる。 The treatment conditions for anodization vary depending on the electrolyte used and cannot be specified. However, in general, the concentration of the electrolyte is 1 to 80% by mass, the liquid temperature is 5 to 70 ° C., and the current density is 5 to 60 A / dm. 2. A voltage of 1 to 100 V and an electrolysis time of 10 seconds to 5 minutes are suitable. When the amount of the anodized film is less than 1.0 g / m 2 , the printing durability is insufficient, or the non-image part of the lithographic printing plate precursor is easily damaged, and ink adheres to the damaged part during printing. The so-called “scratch stain” is likely to occur. After the anodizing treatment, the aluminum surface is subjected to a hydrophilic treatment if necessary. The hydrophilization treatment used in the present invention is disclosed in US Pat. Nos. 2,714,066, 3,181,461, 3,280,734 and 3,902,734. There are alkali metal silicate (such as aqueous sodium silicate) methods. In this method, the support is immersed in an aqueous sodium silicate solution or electrolytically treated. In addition, it is disclosed in potassium fluoride zirconate disclosed in Japanese Patent Publication No. 36-22063 and US Pat. Nos. 3,276,868, 4,153,461, and 4,689,272. A method of treating with polyvinylphosphonic acid is used.

〔下塗り層〕
本発明の平版印刷版原版は、支持体上に先述したような記録層を設けたものであるが、必要に応じて支持体と記録層との間に下塗り層を設けることができる。
この下塗り層を設けることで、支持体と記録層との間の下塗り層が断熱層として機能し、赤外線レーザの露光により発生した熱が支持体に拡散せず、効率よく使用されることから、高感度化が図れるという利点を有する。また、本発明における記録層は、この下塗り層を設ける際にも、露光面或いはその近傍に位置するため、赤外線レーザに対する感度は良好に維持される。
また、未露光部においては、アルカリ現像液に対して非浸透性である記録層自体が下塗り層の保護層として機能するために、現像安定性が良好になるとともにディスクリミネーションに優れた画像を形成することができ、且つ経時的な安定性も確保されるものと考えられる。
更に、下塗り層はアルカリ可溶性高分子を主成分とした層であり、現像液に対する溶解性が極めて良好な層であることから、このような下塗り層を支持体に隣接して設けることにより、例えば、活性の低下した現像液などを用いた場合であっても、露光により溶解抑制能が解除された感光層の成分が現像液に溶解・分散する際に、残膜などが発生することなく速やかに露光部が除去される。このことが現像性の向上にも寄与するものと考えられる。以上の理由から下塗り層は有用であると考えられる。
(Undercoat layer)
The lithographic printing plate precursor according to the invention is provided with a recording layer as described above on a support. If necessary, an undercoat layer can be provided between the support and the recording layer.
By providing this undercoat layer, the undercoat layer between the support and the recording layer functions as a heat insulating layer, and the heat generated by the exposure of the infrared laser does not diffuse to the support and is used efficiently. There is an advantage that high sensitivity can be achieved. In addition, since the recording layer in the present invention is located on the exposed surface or in the vicinity thereof even when the undercoat layer is provided, the sensitivity to the infrared laser is maintained well.
In the unexposed area, the recording layer itself that is impermeable to the alkali developer functions as a protective layer for the undercoat layer, so that an image with excellent development stability and excellent discrimination is obtained. It can be formed and stability over time is also ensured.
Furthermore, since the undercoat layer is a layer mainly composed of an alkali-soluble polymer and has a very good solubility in a developer, by providing such an undercoat layer adjacent to the support, for example, Even when a developer with reduced activity is used, when the components of the photosensitive layer whose dissolution-inhibiting ability has been released by exposure are dissolved and dispersed in the developer, no residual film or the like is generated promptly. The exposed portion is removed. This is considered to contribute to the improvement of developability. For these reasons, the undercoat layer is considered useful.

下塗り層成分としては種々の有機化合物が用いられ、例えば、カルボキシメチルセルロース、デキストリン、アラビアガム、2−アミノエチルホスホン酸などのアミノ基を有するホスホン酸類、置換基を有してもよいフェニルホスホン酸、ナフチルホスホン酸、アルキルホスホン酸、グリセロホスホン酸、メチレンジホスホン酸及びエチレンジホスホン酸などの有機ホスホン酸、置換基を有してもよいフェニルリン酸、ナフチルリン酸、アルキルリン酸及びグリセロリン酸などの有機リン酸、置換基を有してもよいフェニルホスフィン酸、ナフチルホスフィン酸、アルキルホスフィン酸及びグリセロホスフィン酸などの有機ホスフィン酸、グリシンやβ−アラニンなどのアミノ酸類、及びトリエタノールアミンの塩酸塩などのヒドロキシ基を有するアミンの塩酸塩等から選ばれるが、2種以上混合して用いてもよい。   Various organic compounds are used as the undercoat layer component. For example, phosphonic acids having an amino group such as carboxymethylcellulose, dextrin, gum arabic, 2-aminoethylphosphonic acid, phenylphosphonic acid which may have a substituent, Organic phosphonic acids such as naphthylphosphonic acid, alkylphosphonic acid, glycerophosphonic acid, methylenediphosphonic acid and ethylenediphosphonic acid, optionally substituted phenylphosphoric acid, naphthylphosphonic acid, alkylphosphoric acid and glycerophosphoric acid Organic phosphoric acid, optionally substituted phenylphosphinic acid, naphthylphosphinic acid, organic phosphinic acids such as alkylphosphinic acid and glycerophosphinic acid, amino acids such as glycine and β-alanine, and hydrochloride of triethanolamine Hydroxy groups such as Selected from hydrochloride of the amine to be, but may be used by mixing two or more.

特に、下記式で示される構造単位を有する有機高分子化合物群から選ばれる少なくとも1種の化合物を含む下塗層も好ましい。   In particular, an undercoat layer containing at least one compound selected from the group of organic polymer compounds having a structural unit represented by the following formula is also preferred.

上記式中、R11は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表し、R12及びR13はそれぞれ独立して、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基、−OR14、−COOR15、−CONHR16、−COR17若しくは−CNを表すか、又はR12及びR13が結合して環を形成してもよく、R14〜R17はそれぞれ独立してアルキル基又はアリール基を表し、Xは水素原子、金属原子、NR18192021を表し、R18〜R21はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基若しくは置換アリール基を表すか、又はR18及びR19が結合して環を形成してもよく、mは1〜3の整数を表す。 In the above formula, R 11 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group, and R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, or a substituted aryl. Represents a group, —OR 14 , —COOR 15 , —CONHR 16 , —COR 17 or —CN, or R 12 and R 13 may combine to form a ring, and R 14 to R 17 are each independently X represents a hydrogen atom, a metal atom, or NR 18 R 19 R 20 R 21 , and R 18 to R 21 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, It represents an aryl group or a substituted aryl group, or R 18 and R 19 may combine to form a ring, and m represents an integer of 1 to 3.

また、本発明の平版印刷版原版における好適な下塗層成分として、特開2000−241962号公報に記載の酸基を有する構成成分とオニウム基を有する構成成分とを有する高分子化合物を挙げることができる。具体的には、酸基を有するモノマーとオニウム基を有するモノマーの共重合体が挙げられる。酸基として好ましいのは酸解離指数(pKa)が7以上の酸基であり、より好ましくは−COOH、−SO3H、−OSO3H、−PO32、−OPO32、−CONHSO2−、又は−SO2NHSO2−であり、特に好ましくは−COOHである。酸基を有するモノマーの具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、上記酸基を有するスチレンなどが挙げられる。オニウム塩として好ましいのは、周期表V族或いは第VI族の原子からなるオニウム基であり、より好ましくは窒素原子、リン原子或いは硫黄原子から成るオニウム塩であり、特に好ましくは窒素原子から成るオニウム塩である。オニウム塩を有するモノマーの具体例としては、側鎖にアンモニウム基を有するメタクリレート、メタクリルアミド、第4級アンモニウム基などのオニウム基を含む置換基などのオニウム基を含む置換基を有するスチレン等が挙げられる。
更に、特開2000−108538号公報、特願2002−257484号公報、特願2003−78699号公報、等に記載されているような化合物についても、必要に応じて用いることができる。
Examples of suitable undercoat layer components in the lithographic printing plate precursor according to the present invention include polymer compounds having a component having an acid group and a component having an onium group, as described in JP-A No. 2000-241962. Can do. Specific examples include a copolymer of a monomer having an acid group and a monomer having an onium group. The acid group is preferably an acid group having an acid dissociation index (pKa) of 7 or more, more preferably —COOH, —SO 3 H, —OSO 3 H, —PO 3 H 2 , —OPO 3 H 2 , — CONHSO 2 — or —SO 2 NHSO 2 —, particularly preferably —COOH. Specific examples of the monomer having an acid group include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, itaconic acid, maleic acid, maleic anhydride, and styrene having the acid group. Preferred as the onium salt is an onium group comprising an atom of Group V or Group VI of the periodic table, more preferred is an onium salt comprising a nitrogen atom, a phosphorus atom or a sulfur atom, and particularly preferred is an onium salt comprising a nitrogen atom. It is salt. Specific examples of the monomer having an onium salt include styrene having a substituent containing an onium group such as a methacrylate having an ammonium group in the side chain, a methacrylamide, a substituent containing an onium group such as a quaternary ammonium group, and the like. It is done.
Furthermore, compounds described in JP-A No. 2000-108538, Japanese Patent Application No. 2002-257484, Japanese Patent Application No. 2003-78699, and the like can be used as necessary.

このような下塗り層は次のような方法で設けることができる。即ち、水又はメタノール、エタノール、メチルエチルケトンなどの有機溶剤若しくはそれらの混合溶剤に上記の有機化合物を溶解させた溶液をアルミニウム板(支持体)上に塗布、乾燥して設ける方法と、水又はメタノール、エタノール、メチルエチルケトンなどの有機溶剤若しくはそれらの混合溶剤に上記の有機化合物を溶解させた溶液に、アルミニウム板(支持体)を浸漬して上記化合物を吸着させ、その後水などによって洗浄、乾燥して下塗り層を設ける方法である。
前者の方法では、上記の有機化合物の0.005〜10質量%の濃度の溶液を種々の方法で塗布できる。また後者の方法では、溶液の濃度は0.01〜20質量%、好ましくは0.05〜5質量%であり、浸漬温度は20〜90℃、好ましくは25〜50℃であり、浸漬時間は0.1秒〜20分、好ましくは2秒〜1分である。これに用いる溶液は、アンモニア、トリエチルアミン、水酸化カリウムなどの塩基性物質や、塩酸、リン酸などの酸性物質によりpH1〜12の範囲に調整することもできる。また、画像記録材料の調子再現性改良のために黄色染料を添加することもできる。
下塗り層の被覆量は、耐刷性の観点から、2〜200mg/m2が適当であり、好ましくは5〜100mg/m2である。
Such an undercoat layer can be provided by the following method. That is, a method in which a solution prepared by dissolving the above organic compound in water or an organic solvent such as methanol, ethanol, methyl ethyl ketone, or a mixed solvent thereof is applied on an aluminum plate (support) and dried, and water or methanol, An aluminum plate (support) is immersed in a solution in which the above organic compound is dissolved in an organic solvent such as ethanol or methyl ethyl ketone, or a mixed solvent thereof, to adsorb the above compound, and then washed and dried with water or the like to undercoat. This is a method of providing a layer.
In the former method, a solution having a concentration of 0.005 to 10% by mass of the organic compound can be applied by various methods. In the latter method, the concentration of the solution is 0.01 to 20% by mass, preferably 0.05 to 5% by mass, the immersion temperature is 20 to 90 ° C., preferably 25 to 50 ° C., and the immersion time is 0.1 second to 20 minutes, preferably 2 seconds to 1 minute. The solution used for this can be adjusted to a pH range of 1 to 12 with basic substances such as ammonia, triethylamine, potassium hydroxide, and acidic substances such as hydrochloric acid and phosphoric acid. A yellow dye can also be added to improve the tone reproducibility of the image recording material.
The coating amount of the undercoat layer is suitably 2 to 200 mg / m 2 from the viewpoint of printing durability, and preferably 5 to 100 mg / m 2 .

〔平版印刷版原版の製版処理〕
(露光)
本発明の平版印刷版原版は熱により画像形成される。この画像形成には、具体的には、熱記録ヘッド等による直接画像様記録、赤外線レーザによる走査露光、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光や赤外線ランプ露光などが用いられるが、波長700〜1200nmの赤外線を放射する半導体レーザ、YAGレーザ等の固体高出力赤外線レーザによる露光が好適である。
[Plate making process of lithographic printing plate precursor]
(exposure)
The planographic printing plate precursor of the present invention is image-formed by heat. Specifically, for this image formation, direct image-like recording with a thermal recording head or the like, scanning exposure with an infrared laser, high-illuminance flash exposure such as a xenon discharge lamp, infrared lamp exposure, etc. are used, but the wavelength is 700 to 1200 nm. Exposure with a solid-state high-power infrared laser such as a semiconductor laser or a YAG laser that emits infrared light is suitable.

レーザの出力は100mW以上が好ましく、露光時間を短縮するため、マルチビームレーザデバイスを用いることが好ましい。また、1画素あたりの露光時間は20μ秒以内であることが好ましく、記録材料に照射されるエネルギーは10〜500mJ/cm2であることが好ましい。 The laser output is preferably 100 mW or more, and a multi-beam laser device is preferably used in order to shorten the exposure time. The exposure time per pixel is preferably within 20 μsec, and the energy applied to the recording material is preferably 10 to 500 mJ / cm 2 .

(現像)
本発明の平版印刷版原版に適用することのできる現像液は、pHが9.0〜14.0の範囲、好ましくは12.0〜13.5の範囲にある現像液である。現像液(以下、補充液も含めて現像液と呼ぶ)には、従来より知られているアルカリ水溶液が使用できる。例えば、ケイ酸ナトリウム、同カリウム、第3リン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、第2リン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、ほう酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、水酸化ナトリウム、同アンモニウム、同カリウム及び同リチウムなどの無機アルカリ塩が挙げられる。また、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、n−ブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、エチレンイミン、エチレンジアミン、ピリジンなどの有機アルカリ剤が挙げられる。これらのアルカリ水溶液は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
(developing)
The developer that can be applied to the lithographic printing plate precursor according to the invention is a developer having a pH in the range of 9.0 to 14.0, preferably in the range of 12.0 to 13.5. A conventionally known alkaline aqueous solution can be used as the developer (hereinafter referred to as developer including the replenisher). For example, sodium silicate, potassium, tribasic sodium phosphate, potassium, ammonium, dibasic sodium phosphate, potassium, ammonium, sodium carbonate, potassium, ammonium, sodium bicarbonate, potassium, Examples include inorganic alkali salts such as ammonium, sodium borate, potassium, ammonium, sodium hydroxide, ammonium, potassium, and lithium. Moreover, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, triisopropylamine, n-butylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monoisopropanolamine, diisopropanolamine, Organic alkali agents such as ethyleneimine, ethylenediamine, and pyridine are listed. These alkaline aqueous solutions may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

上記のアルカリ水溶液の内、本発明による効果が発揮される現像液は、一つは塩基としてケイ酸アルカリを含有した、又は塩基にケイ素化合物を混ぜてケイ酸アルカリとしたものを含有した、所謂「シリケート現像液」と呼ばれるpH12以上の水溶液で、もう一つは、ケイ酸アルカリを含有せず、非還元糖(緩衝作用を有する有機化合物)と塩基とを含有したいわゆる「ノンシリケート現像液」である。   Among the above alkaline aqueous solutions, one of the developing solutions that exert the effect according to the present invention is a so-called one containing an alkali silicate as a base or containing an alkali silicate by mixing a silicon compound with a base. An aqueous solution called “silicate developer” having a pH of 12 or higher, and the other is a so-called “non-silicate developer” that does not contain alkali silicate and contains a non-reducing sugar (an organic compound having a buffering action) and a base. It is.

前者においては、アルカリ金属ケイ酸塩の水溶液はケイ酸塩の成分である酸化ケイ素SiO2とアルカリ金属酸化物M2Oの比率(一般に〔SiO2〕/〔M2O〕のモル比で表す)と濃度によって現像性の調節が可能であり、例えば、特開昭54−62004号公報に開示されているような、SiO2/Na2Oのモル比が1.0〜1.5(即ち〔SiO2〕/〔Na2O〕が1.0〜1.5)であって、SiO2の含有量が1〜4質量%のケイ酸ナトリウムの水溶液や、特公昭57−7427号公報に記載されているような、〔SiO2〕/〔M〕が0.5〜0.75(即ち〔SiO2〕/〔M2O〕が1.0〜1.5)であって、SiO2の濃度が1〜4質量%であり、かつ該現像液がその中に存在する全アルカリ金属のグラム原子を基準にして少なくとも20%のカリウムを含有している、アルカリ金属ケイ酸塩の水溶液が好適に用いられる。 In the former, the aqueous solution of alkali metal silicate is a ratio of silicon oxide SiO 2 which is a component of silicate and alkali metal oxide M 2 O (generally expressed as a molar ratio of [SiO 2 ] / [M 2 O]. ) And the density, the developability can be adjusted. For example, as disclosed in JP-A-54-62004, the SiO 2 / Na 2 O molar ratio is 1.0 to 1.5 (that is, [SiO 2 ] / [Na 2 O] is 1.0 to 1.5), and an aqueous solution of sodium silicate having a SiO 2 content of 1 to 4 mass% is disclosed in JP-B-57-7427. As described, [SiO 2 ] / [M] is 0.5 to 0.75 (ie, [SiO 2 ] / [M 2 O] is 1.0 to 1.5), and SiO 2 The developer is based on gram atoms of all alkali metals present in the developer. A manner containing potassium at least 20%, aqueous solution of an alkali metal silicate is preferably used.

また、ケイ酸アルカリを含有せず、非還元糖と塩基とを含有したいわゆる「ノンシリケート現像液」が、本発明の平版印刷版原版の現像に適用するのには一層好ましい。この現像液を用いて、平版印刷版原版の現像処理を行うと、記録層の表面を劣化させることがなく、かつ記録層の着肉性を良好な状態に維持することができる。また、平版印刷版原版は、一般には現像ラチチュードが狭く、現像液pHによる画線幅等の変化が大きいが、ノンシリケート現像液にはpHの変動を抑える緩衝性を有する非還元糖が含まれているため、シリケートを含む現像処理液を用いた場合に比べて有利である。更に、非還元糖は、シリケートに比べて液活性度を制御するための電導度センサーやpHセンサー等を汚染し難いため、この点でも、ノンシリケート現像液は有利である。また、ディスクリミネーション向上効果が顕著である。これは、本発明において重要な現像液との接触(浸透)がマイルドとなり、露光部及び未露光部の差が出やすくなっているためと推定される。   In addition, a so-called “non-silicate developer” which does not contain an alkali silicate and contains a non-reducing sugar and a base is more preferable for application to the development of a lithographic printing plate precursor according to the present invention. When this developer is used to develop the lithographic printing plate precursor, the surface of the recording layer is not deteriorated and the thickness of the recording layer can be maintained in a good state. In addition, the lithographic printing plate precursor generally has a narrow development latitude and a large change in the image line width due to the developer pH, but the non-silicate developer contains a non-reducing sugar having a buffering property that suppresses fluctuations in pH. Therefore, it is more advantageous than the case where a developing processing solution containing silicate is used. Furthermore, since non-reducing sugars are less likely to contaminate conductivity sensors, pH sensors and the like for controlling liquid activity compared to silicates, non-silicate developers are advantageous in this respect as well. Further, the effect of improving discrimination is remarkable. This is presumably because the contact (penetration) with the developer which is important in the present invention is mild, and the difference between the exposed and unexposed areas is likely to occur.

前記非還元糖とは、遊離のアルデヒド基やケトン基を持たず、還元性を示さない糖類であり、還元基同士の結合したトレハロース型少糖類、糖類の還元基と非糖類が結合した配糖体、及び糖類に水素添加して還元した糖アルコールに分類され、何れも本発明において好適に用いることができる。なお、本発明においては、特開平8−305039号公報に記載された非還元糖を好適に使用することができる。   The non-reducing sugar is a saccharide that does not have a free aldehyde group or a ketone group and does not exhibit reducibility, and is a trehalose-type oligosaccharide in which reducing groups are bonded to each other. And sugar alcohols reduced by hydrogenation of saccharides and sugars, both of which can be suitably used in the present invention. In the present invention, non-reducing sugars described in JP-A-8-305039 can be preferably used.

前記トレハロース型少糖類としては、例えば、サッカロース、トレハロース等が挙げられる。前記配糖体としては、例えば、アルキル配糖体、フェノール配糖体、カラシ油配糖体等が挙げられる。前記糖アルコールとしては、例えば、D,L−アラビット、リビット、キシリット、D,L−ソルビット、D,L−マンニット、D,L−イジット、D,L−タリット、ズリシット、アロズルシット等が挙げられる。更に、二糖類のマルトースに水素添加したマルチトール、オリゴ糖の水素添加で得られる還元体(還元水あめ)等が好適に挙げられる。これらの非還元糖の中でも、トレハロース型少糖類、糖アルコールが好ましく、その中でも、D−ソルビット、サッカロース、還元水あめ、等が適度なpH領域に緩衝作用があり、低価格である点で好ましい。   Examples of the trehalose type oligosaccharides include saccharose and trehalose. Examples of the glycoside include alkyl glycosides, phenol glycosides, and mustard oil glycosides. Examples of the sugar alcohol include D, L-arabit, rebit, xylit, D, L-sorbit, D, L-mannit, D, L-exit, D, L-talit, zulsiit, allozulcit and the like. . Further, maltitol hydrogenated to disaccharide maltose, reduced form obtained by hydrogenation of oligosaccharide (reduced water candy), and the like are preferable. Among these non-reducing sugars, trehalose-type oligosaccharides and sugar alcohols are preferable, and among them, D-sorbitol, saccharose, reduced syrup, etc. are preferable in that they have a buffering action in an appropriate pH region and are inexpensive.

これらの非還元糖は、一種単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。前記非還元糖の前記ノンシリケート現像液中における含有量としては、高濃縮化の促進、及び入手性の観点から、0.1〜30質量%が好ましく、1〜20質量%がより好ましい。   These non-reducing sugars may be used alone or in combination of two or more. The content of the non-reducing sugar in the non-silicate developer is preferably 0.1 to 30% by mass, and more preferably 1 to 20% by mass from the viewpoint of promoting high concentration and availability.

また、前記非還元糖と組み合わせて用いられる塩基としては、従来より公知のアルカリ剤、例えば、無機アルカリ剤、有機アルカリ剤等が挙げられる。無機アルカリ剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、リン酸三ナトリウム、リン酸三カリウム、リン酸三アンモニウム、リン酸二ナトリウム、リン酸二カリウム、リン酸二アンモニウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素アンモニウム、硼酸ナトリウム、硼酸カリウム、硼酸アンモニウム等が挙げられる。   Examples of the base used in combination with the non-reducing sugar include conventionally known alkali agents such as inorganic alkali agents and organic alkali agents. Examples of the inorganic alkaline agent include sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, trisodium phosphate, tripotassium phosphate, triammonium phosphate, disodium phosphate, dipotassium phosphate, diammonium phosphate, Examples thereof include sodium carbonate, potassium carbonate, ammonium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, ammonium hydrogen carbonate, sodium borate, potassium borate, and ammonium borate.

有機アルカリ剤としては、例えば、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、n−ブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、エチレンイミン、エチレンジアミン、ピリジン等が挙げられる。   Examples of the organic alkali agent include monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, triisopropylamine, n-butylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monoisopropanol. Examples include amine, diisopropanolamine, ethyleneimine, ethylenediamine, and pyridine.

前記塩基は、一種単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。これらの塩基の中でも、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが好ましい。また、本発明においては、前記ノンシリケート現像液として、非還元糖と塩基との併用に代えて、非還元糖のアルカリ金属塩を主成分としたものを用いることもできる。   The said base may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Among these bases, sodium hydroxide and potassium hydroxide are preferable. In the present invention, as the non-silicate developer, a non-reducing sugar alkali metal salt as a main component can be used instead of the non-reducing sugar and the base.

また、前記ノンシリケート現像液に、前記非還元糖以外の弱酸と強塩基とからなるアルカリ性緩衝液を併用することができる。前記弱酸としては、解離定数(pKa)が10.0〜13.2のものが好ましく、例えば、Pergmon Press 社発行のIonization Constants of Organic Acidsin Aqueous Solution 等に記載されているものから選択できる。   In addition, an alkaline buffer composed of a weak acid other than the non-reducing sugar and a strong base can be used in combination with the non-silicate developer. The weak acid preferably has a dissociation constant (pKa) of 10.0 to 13.2, and can be selected from, for example, those described in Ionization Constants of Organic Acids Solution issued by Pergmon Press.

具体的には、2,2,3,3−テトラフルオロプロパノ−ル−1、トリフルオロエタノール、トリクロロエタノール等のアルコール類、ピリジン−2−アルデヒド(、ピリジン−4−アルデヒド(等のアルデヒド類、サリチル酸、3−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸、カテコール、没食子酸、スルホサリチル酸、3,4−ジヒドロキシスルホン酸、3,4−ジヒドロキシ安息香酸、ハイドロキノン(同11.56)、ピロガロール、o−、m−,p−クレゾール、レゾルソノール等のフェノール性水酸基を有する化合物、アセトキシム、2−ヒドロキシベンズアルデヒドオキシム、ジメチルグリオキシム、エタンジアミドジオキシム、アセトフェノンオキシム等のオキシム類、アデノシン、イノシン、グアニン、シトシン、ヒポキサンチン、キサンチン等の核酸関連物質、その他に、ジエチルアミノメチルホスホン酸、ベンズイミダゾール、バルビツル酸等が好適に挙げられる。   Specifically, alcohols such as 2,2,3,3-tetrafluoropropanol-1, trifluoroethanol and trichloroethanol, pyridine-2-aldehyde (, aldehydes such as pyridine-4-aldehyde (and the like) , Salicylic acid, 3-hydroxy-2-naphthoic acid, catechol, gallic acid, sulfosalicylic acid, 3,4-dihydroxysulfonic acid, 3,4-dihydroxybenzoic acid, hydroquinone (11.56), pyrogallol, o-, m Compounds having a phenolic hydroxyl group such as-, p-cresol, resorsonol, oximes such as acetoxime, 2-hydroxybenzaldehyde oxime, dimethylglyoxime, ethanediamide dioxime, acetophenone oxime, adenosine, inosine, guanine, cytosine, hypoxanthine , Ki Nucleic acid-related substances such as Nchin, other, diethylaminomethyl acid, benzimidazole, and the like barbituric acid is preferably exemplified.

前記現像液及び補充液には、現像性の促進や抑制、現像カスの分散、又は、印刷版画像部の親インキ性を高める目的で、必要に応じて、種々の界面活性剤や有機溶剤を添加できる。前記界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系及び両性界面活性剤が好ましい。更に、前記現像液及び補充液には、必要に応じて、ハイドロキノン、レゾルシン、亜硫酸、亜硫酸水素酸などの無機酸のナトリウム塩、カリウム塩等の還元剤、更に有機カルボン酸、消泡剤、硬水軟化剤等を加えることができる。   In the developer and replenisher, various surfactants and organic solvents are added as necessary for the purpose of promoting and suppressing developability, dispersing development residue, or enhancing ink affinity of the printing plate image area. Can be added. As the surfactant, anionic, cationic, nonionic and amphoteric surfactants are preferable. Further, the developer and replenisher may contain a reducing agent such as sodium salt and potassium salt of inorganic acids such as hydroquinone, resorcin, sulfurous acid, and bisulfite, as well as organic carboxylic acid, antifoaming agent, hard water, if necessary. Softeners and the like can be added.

前記現像液及び補充液を用いて現像処理された平版印刷版は、水洗水、界面活性剤等を含有するリンス液、アラビアガムや澱粉誘導体を含む不感脂化液で後処理される。後処理としては、これらの処理を種々組み合わせて用いることができる。   The lithographic printing plate developed using the developer and the replenisher is post-treated with a desensitizing solution containing washing water, a rinsing solution containing a surfactant or the like, gum arabic or a starch derivative. As post-processing, these processes can be used in various combinations.

更に自動現像機を用いて現像する場合には、現像液よりもアルカリ強度の高い水溶液(補充液)を現像液に加えることによって、長時間現像タンク中の現像液を交換することなく、多量のPS版を処理できることが知られている。本発明においてもこの補充方式が好ましく適用される。現像液及び補充液には現像性の促進や抑制、現像カスの分散及び印刷版画像部の親インキ性を高める目的で必要に応じて種々の界面活性剤や有機溶剤を添加できる。
好ましい界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系及び両性界面活性剤が挙げられる。更に現像液及び補充液には必要に応じて、ハイドロキノン、レゾルシン、亜硫酸、亜硫酸水素酸などの無機酸のナトリウム塩、カリウム塩等の還元剤、更に有機カルボン酸、消泡剤、硬水軟化剤を加えることもできる。
上記現像液及び補充液を用いて現像処理された印刷版は水洗水、界面活性剤等を含有するリンス液、アラビアガムや澱粉誘導体を含む不感脂化液で後処理される。本発明のに係る印刷版原版の後処理としては、これらの処理を種々組合せて用いることができる。
Further, when developing using an automatic developing machine, an aqueous solution (replenisher) having a higher alkali strength than that of the developer is added to the developer, so that a large amount of the developer can be obtained without replacing the developer in the developer tank for a long time. It is known that PS plates can be processed. This replenishment method is also preferably applied in the present invention. Various surfactants and organic solvents can be added to the developer and replenisher as necessary for the purpose of promoting and suppressing developability, dispersing development residue, and improving ink affinity of the printing plate image area.
Preferred surfactants include anionic, cationic, nonionic and amphoteric surfactants. If necessary, the developer and replenisher may contain reducing agents such as hydroquinone, resorcin, sulfurous acid, bisulfite, and other inorganic acids such as sodium salts and potassium salts, organic carboxylic acids, antifoaming agents, and hard water softeners. It can also be added.
The printing plate developed using the developer and the replenisher is post-treated with water-washing water, a rinsing solution containing a surfactant and the like, a desensitizing solution containing gum arabic and starch derivatives. As the post-treatment of the printing plate precursor according to the present invention, these treatments can be used in various combinations.

近年、製版・印刷業界では製版作業の合理化及び標準化のため、印刷版用の自動現像機が広く用いられている。この自動現像機は、一般に現像部と後処理部からなり、印刷版を搬送する装置と各処理液槽及びスプレー装置からなり、露光済みの印刷版を水平に搬送しながら、ポンプで汲み上げた各処理液をスプレーノズルから吹き付けて現像処理するものである。また、最近は処理液が満たされた処理液槽中に液中ガイドロールなどによって印刷版を浸漬搬送させて処理する方法も知られている。このような自動処理においては、各処理液に処理量や稼働時間等に応じて補充液を補充しながら処理することができる。また、実質的に未使用の処理液で処理するいわゆる使い捨て処理方式も適用できる。   In recent years, automatic developing machines for printing plates have been widely used in the plate making and printing industries in order to rationalize and standardize plate making operations. This automatic developing machine is generally composed of a developing unit and a post-processing unit, and includes an apparatus for transporting the printing plate, each processing liquid tank and a spray device, and each pumped up by a pump while transporting the exposed printing plate horizontally. A developing solution is sprayed from a spray nozzle. In addition, recently, a method is also known in which a printing plate is dipped and conveyed by a submerged guide roll in a processing liquid tank filled with the processing liquid. In such automatic processing, each processing solution can be processed while being supplemented with a replenisher according to the processing amount, operating time, and the like. In addition, a so-called disposable processing method in which processing is performed with a substantially unused processing solution can also be applied.

本発明においては、画像露光し、現像し、水洗及び/又はリンス及び/又はガム引きして得られた平版印刷版に不必要な画像部(例えば原画フイルムのフイルムエッジ跡など)がある場合には、その不必要な画像部の消去が行なわれる。このような消去は、例えば特公平2−13293号公報に記載されているような消去液を不必要画像部に塗布し、そのまま所定の時間放置したのちに水洗することにより行う方法が好ましいが、特開平59−174842号公報に記載されているようなオプティカルファイバーで導かれた活性光線を不必要画像部に照射したのち現像する方法も利用できる。   In the present invention, when there is an unnecessary image portion (for example, a film edge mark of the original film) on the planographic printing plate obtained by image exposure, development, washing and / or rinsing and / or gumming. The unnecessary image portion is erased. Such erasing is preferably performed by applying an erasing solution as described in, for example, Japanese Patent Publication No. 2-13293 to an unnecessary image portion, leaving it for a predetermined time, and then washing with water. As described in JP-A-59-174842, a method of developing after irradiating an unnecessary image portion with an actinic ray guided by an optical fiber can also be used.

以上のようにして得られた平版印刷版は所望により不感脂化ガムを塗布したのち、印刷工程に供することができるが、より一層の高耐刷力平版印刷版としたい場合には、所望によりバーニング処理が施される。
平版印刷版をバーニングする場合には、バーニング前に特公昭61−2518号、同55−28062号、特開昭62−31859号、同61−159655号の各公報に記載されているような整面液で処理することが好ましい。
その方法としては、該整面液を浸み込ませたスポンジや脱脂綿にて、平版印刷版上に塗布するか、整面液を満たしたバット中に印刷版を浸漬して塗布する方法や、自動コーターによる塗布などが適用される。また、塗布した後でスキージ、或いは、スキージローラーで、その塗布量を均一にすることは、より好ましい結果を与える。
The lithographic printing plate obtained as described above can be subjected to a printing process after applying a desensitized gum if desired. However, if it is desired to make a lithographic printing plate with a higher printing durability, if desired, Burning process is performed.
In the case of burning a lithographic printing plate, the preparation as described in JP-B-61-2518, JP-A-55-28062, JP-A-62-31859 and JP-A-61-159655 is performed before burning. It is preferable to treat with a surface liquid.
As its method, with a sponge or absorbent cotton soaked with the surface-adjusting liquid, it is applied onto a lithographic printing plate, or a method in which the printing plate is immersed and applied in a vat filled with the surface-adjusting liquid, Application by an automatic coater is applied. Further, it is more preferable to make the coating amount uniform with a squeegee or a squeegee roller after coating.

整面液の塗布量は、一般に0.03〜0.8g/m2(乾燥質量)が適当である。整面液が塗布された平版印刷版は必要であれば乾燥された後、バーニングプロセッサー(たとえば富士写真フイルム(株)より販売されているバーニングプロセッサー:「BP−1300」)などで高温に加熱される。この場合の加熱温度及び時間は、画像を形成している成分の種類にもよるが、180〜300℃の範囲で1〜20分の範囲が好ましい。 In general, the amount of surface-adjusting solution applied is suitably 0.03 to 0.8 g / m 2 (dry mass). The lithographic printing plate coated with the surface-adjusting solution is dried if necessary, and then heated to a high temperature with a burning processor (for example, burning processor “BP-1300” sold by Fuji Photo Film Co., Ltd.). The In this case, the heating temperature and time are in the range of 180 to 300 ° C. and preferably in the range of 1 to 20 minutes, although depending on the type of components forming the image.

バーニング処理された平版印刷版は、必要に応じて適宜、水洗、ガム引きなどの従来より行なわれている処理を施こすことができるが水溶性高分子化合物等を含有する整面液が使用された場合にはガム引きなどのいわゆる不感脂化処理を省略することができる。この様な処理によって得られた平版印刷版はオフセット印刷機等にかけられ、多数枚の印刷に用いられる。   The lithographic printing plate that has been burned can be subjected to conventional treatments such as washing and gumming as needed, but a surface-conditioning solution containing a water-soluble polymer compound is used. In such a case, a so-called desensitizing treatment such as gumming can be omitted. The planographic printing plate obtained by such processing is applied to an offset printing machine or the like and used for printing a large number of sheets.

以下、本発明を実施例に従って説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
[実施例1〜、比較例1]
〔支持体の作製〕
厚さ0.3mmのJIS−A−1050アルミニウム板を用いて、以下に示す工程を経て処理することで支持体を作製した。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated according to an Example, the scope of the present invention is not limited to these Examples.
[Examples 1 and 2 , Comparative Example 1]
(Production of support)
Using a JIS-A-1050 aluminum plate having a thickness of 0.3 mm, a support was produced by processing through the following steps.

(a)機械的粗面化処理
比重1.12の研磨剤(ケイ砂)と水との懸濁液を研磨スラリー液としてアルミニウム板の表面に供給しながら、回転するローラ状ナイロンブラシにより機械的な粗面化を行った。研磨剤の平均粒径は8μm、最大粒径は50μmであった。ナイロンブラシの材質は6・10ナイロン、毛長50mm、毛の直径は0.3mmであった。ナイロンブラシはφ300mmのステンレス製の筒に穴をあけて密になるように植毛した。回転ブラシは3本使用した。ブラシ下部の2本の支持ローラ(φ200mm)の距離は300mmであった。ブラシローラはブラシを回転させる駆動モータの負荷が、ブラシローラをアルミニウム板に押さえつける前の負荷に対して7kWプラスになるまで押さえつけた。ブラシの回転方向はアルミニウム板の移動方向と同じであった。ブラシの回転数は200rpmであった。
(A) Mechanical surface roughening treatment While supplying a suspension of abrasive (silica sand) having a specific gravity of 1.12. Roughening was performed. The average particle size of the abrasive was 8 μm, and the maximum particle size was 50 μm. The material of the nylon brush was 6 · 10 nylon, the hair length was 50 mm, and the hair diameter was 0.3 mm. The nylon brush was planted so as to be dense by making a hole in a stainless steel tube having a diameter of 300 mm. Three rotating brushes were used. The distance between the two support rollers (φ200 mm) at the bottom of the brush was 300 mm. The brush roller was pressed until the load of the drive motor for rotating the brush became 7 kW plus with respect to the load before the brush roller was pressed against the aluminum plate. The rotating direction of the brush was the same as the moving direction of the aluminum plate. The rotation speed of the brush was 200 rpm.

(b)アルカリエッチング処理
上記で得られたアルミニウム板に温度70℃のNaOH水溶液(濃度26質量%、アルミニウムイオン濃度6.5質量%)をスプレーしてエッチング処理を行い、アルミニウム板を6g/m2溶解した。その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(B) Alkali etching treatment The aluminum plate obtained above was sprayed with an aqueous NaOH solution at a temperature of 70 ° C. (concentration 26 mass%, aluminum ion concentration 6.5 mass%) to perform an etching treatment, and the aluminum plate was 6 g / m. 2 dissolved. Thereafter, washing with water was performed using well water.

(c)デスマット処理
温度30℃の硝酸濃度1質量%水溶液(アルミニウムイオンを0.5質量%含む)で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、スプレーで水洗した。前記デスマットに用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的な粗面化を行う工程の廃液を用いた。
(C) Desmut treatment A desmut treatment was performed by spraying with a 1% by weight aqueous solution of nitric acid at a temperature of 30 ° C. (containing 0.5% by weight of aluminum ions), and then washed with water by spraying. The nitric acid aqueous solution used for the desmut was the waste liquid from the step of electrochemical surface roughening using alternating current in nitric acid aqueous solution.

(d)電気化学的粗面化処理
60Hzの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、硝酸10.5g/リットル水溶液(アルミニウムイオンを5g/リットル)、温度50℃であった。交流電源波形は電流値がゼロからピークに達するまでの時間TPが0.8msec、DUTY比1:1、台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的な粗面化処理を行った。補助陽極にはフェライトを用いた。使用した電解槽はラジアルセルタイプのものを使用した。
電流密度は電流のピーク値で30A/dm2、電気量はアルミニウム板が陽極時の電気量の総和で220C/dm2であった。補助陽極には電源から流れる電流の5%を分流させた。
その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(D) Electrochemical roughening treatment An electrochemical roughening treatment was carried out continuously using an alternating voltage of 60 Hz. The electrolytic solution at this time was a nitric acid 10.5 g / liter aqueous solution (aluminum ion 5 g / liter) at a temperature of 50 ° C. The AC power supply waveform has an electrochemical surface roughening treatment using a carbon electrode as a counter electrode using a trapezoidal rectangular wave alternating current with a time TP of 0.8 msec until the current value reaches a peak from zero, a DUTY ratio of 1: 1. went. Ferrite was used for the auxiliary anode. The electrolytic cell used was a radial cell type.
The current density was 30 A / dm 2 at the peak current value, and the amount of electricity was 220 C / dm 2 in terms of the total amount of electricity when the aluminum plate was the anode. 5% of the current flowing from the power source was shunted to the auxiliary anode.
Thereafter, washing with water was performed using well water.

(e)アルカリエッチング処理
アルミニウム板をカセイソーダ濃度26質量%、アルミニウムイオン濃度6.5質量%でスプレーによるエッチング処理を32℃で行い、アルミニウム板を0.20g/m2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的な粗面化を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成したピットのエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(E) Alkali etching treatment The aluminum plate was sprayed at a caustic soda concentration of 26% by mass and an aluminum ion concentration of 6.5% by mass at 32 ° C. to dissolve the aluminum plate by 0.20 g / m 2 , The smut component mainly composed of aluminum hydroxide generated when electrochemical surface roughening was used was removed, and the edge portion of the generated pit was melted to smooth the edge portion. Thereafter, washing with water was performed using well water.

(f)デスマット処理
温度30℃の硫酸濃度15質量%水溶液(アルミニウムイオンを4.5質量%含む)で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、井水を用いてスプレーで水洗した。前記デスマットに用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的な粗面化を行う工程の廃液を用いた。
(F) Desmut treatment Desmut treatment by spraying was performed with a 15% by weight aqueous solution of sulfuric acid at a temperature of 30 ° C. (containing 4.5% by weight of aluminum ions), and then washed with water using well water. The nitric acid aqueous solution used for the desmut was the waste liquid from the step of electrochemical surface roughening using alternating current in nitric acid aqueous solution.

(g)電気化学的粗面化処理
60Hzの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、塩酸7.5g/リットル水溶液(アルミニウムイオンを5g/リットル含む)、温度35℃であった。交流電源波形は矩形波であり、カーボン電極を対極として電気化学的な粗面化処理を行った。補助アノードにはフェライトを用いた。電解槽はラジアルセルタイプのものを使用した。
電流密度は電流のピーク値で25A/dm2、電気量はアルミニウム板が陽極時の電気量の総和で50C/dm2であった。
その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(G) Electrochemical roughening treatment An electrochemical roughening treatment was carried out continuously using an alternating voltage of 60 Hz. The electrolytic solution at this time was a hydrochloric acid 7.5 g / liter aqueous solution (containing 5 g / liter of aluminum ions) at a temperature of 35 ° C. The AC power supply waveform was a rectangular wave, and an electrochemical surface roughening treatment was performed using a carbon electrode as a counter electrode. Ferrite was used for the auxiliary anode. The electrolytic cell used was a radial cell type.
The current density was 25 A / dm 2 at the peak current value, and the amount of electricity was 50 C / dm 2 in terms of the total amount of electricity when the aluminum plate was the anode.
Thereafter, washing with water was performed using well water.

(h)アルカリエッチング処理
アルミニウム板をカセイソーダ濃度26質量%、アルミニウムイオン濃度6.5質量%でスプレーによるエッチング処理を32℃で行い、アルミニウム板を0.10g/m2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的な粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成したピットのエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(H) Alkali etching treatment The aluminum plate was sodium hydroxide concentration of 26 wt%, performed an aluminum ion concentration of 6.5 wt% to etching treatment by spraying at 32 ° C., the aluminum plate 0.10 g / m 2 was dissolved, the alternating current in the previous stage The smut component mainly composed of aluminum hydroxide generated during the electrochemical surface roughening treatment was removed, and the edge portion of the generated pit was melted to smooth the edge portion. Thereafter, washing with water was performed using well water.

(i)デスマット処理
温度60℃の硫酸濃度25質量%水溶液(アルミニウムイオンを0.5質量%含む。)で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(I) Desmut treatment A desmut treatment by spraying was performed with a 25% by mass aqueous solution of sulfuric acid at a temperature of 60 ° C. (containing 0.5% by mass of aluminum ions), and then water washing by spraying was performed using well water.

(j)陽極酸化処理
電解液としては、硫酸を用いた。電解液は、いずれも硫酸濃度170g/リットル(アルミニウムイオンを0.5質量%含む。)、温度は43℃であった。その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
電流密度はともに約30A/dm2であった。最終的な酸化皮膜量は2.7g/m2であった。
(J) Anodizing treatment As the electrolytic solution, sulfuric acid was used. All electrolytes had a sulfuric acid concentration of 170 g / liter (containing 0.5 mass% of aluminum ions), and the temperature was 43 ° C. Thereafter, washing with water was performed using well water.
Both current densities were about 30 A / dm 2 . The final oxide film amount was 2.7 g / m 2 .

<支持体A>
上記(a)〜(j)の各工程を順に行い(e)工程におけるエッチング量は3.4g/m2となるようにして支持体Aを作製した。
<支持体B>
上記工程のうち(g)(h)(i)の工程を省略した以外は各工程を順に行い支持体Bを作製した。
<Support A>
The steps (a) to (j) were sequentially performed, and the support A was produced so that the etching amount in the step (e) was 3.4 g / m 2 .
<Support B>
A support B was prepared by sequentially performing the steps except that the steps (g), (h), and (i) were omitted.

<支持体C>
上記工程のうち(a)及び(g)(h)(i)の工程を省略した以外は各工程を順に行い支持体Cを作製した。
<支持体D>
上記工程のうち(a)及び(d)(e)(f)の工程を省略した以外は各工程を順に行い、(g)工程における電気量の総和が450C/dm2となるようにして支持体Dを作製した。
上記によって得られた支持体A、B、C、Dには、引き続き下記の親水処理、下塗り処理を行った。
<Support C>
A support C was prepared by sequentially performing the steps except that the steps (a), (g), (h), and (i) were omitted.
<Support D>
Except for omitting the process of the above step (a) and (d) (e) (f ) performs the steps in turn, supported as total amount of electricity is 450C / dm 2 in step (g) Body D was prepared.
The following supports A, B, C and D were then subjected to the following hydrophilic treatment and undercoating treatment.

(k)アルカリ金属ケイ酸塩処理
陽極酸化処理により得られたアルミニウム支持体を温度30℃の3号ケイ酸ソーダの1質量%水溶液の処理層中へ、10秒間、浸せきすることでアルカリ金属ケイ酸塩処理(シリケート処理)を行った。その後、井水を用いたスプレーによる水洗を行った。その際のシリケート付着量は3.6mg/m2であった。
(K) Alkali metal silicate treatment An aluminum support obtained by anodizing treatment was immersed in a treatment layer of a 1 mass% aqueous solution of sodium silicate No. 3 at a temperature of 30 ° C. for 10 seconds to immerse the alkali metal silica. Acid salt treatment (silicate treatment) was performed. Then, the water washing by the spray using well water was performed. The amount of silicate adhering at that time was 3.6 mg / m 2 .

〔下塗り処理〕
上記のようにして得られたアルカリ金属ケイ酸塩処理後のアルミニウム支持体上に、下記組成の下塗り液を塗布し、80℃で15秒間乾燥することにより下塗り層を形成した。乾燥後の被覆量は15mg/m2であった。
[Undercoating]
On the aluminum support after the alkali metal silicate treatment obtained as described above, an undercoat solution having the following composition was applied and dried at 80 ° C. for 15 seconds to form an undercoat layer. The coating amount after drying was 15 mg / m 2 .

(下塗り液)
・下記高分子化合物(下記I又はII) 0.3g
・メタノール 100g
・水 1g
(Undercoat liquid)
・ 0.3 g of the following polymer compound (I or II below)
・ Methanol 100g
・ Water 1g

〔記録層の形成〕
次に、上記で得られた下塗り層付き支持体(支持体の種類については、下記表1に示す。)に、下記組成の下層用塗布液Aを、ワイヤーバーで塗布したのち、140℃の乾燥オーブンで50秒間乾燥して塗布量を0.85g/m2とした。
次いで、得られた下層付き支持体に、下記組成の最上層用塗布液Bをワイヤーバーで塗布した。塗布後140℃60秒間の乾燥を行い、総塗布量を1.07g/m2として実施例1〜、及び比較例1のポジ型平版印刷版原版を得た。
[Formation of recording layer]
Next, after applying the lower layer coating liquid A having the following composition to the support with the undercoat layer obtained above (the type of support is shown in Table 1 below) with a wire bar, the temperature is 140 ° C. The coating amount was 0.85 g / m 2 by drying in a drying oven for 50 seconds.
Subsequently, the uppermost layer coating liquid B having the following composition was applied to the obtained support with a lower layer with a wire bar. After coating, drying was performed at 140 ° C. for 60 seconds to obtain positive lithographic printing plate precursors of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 with a total coating amount of 1.07 g / m 2 .

<下層用塗布液A>
・N−(4−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミド/
アクリロニトリル/メタクリル酸メチル 2.13g
(モル比36:34:30、重量平均分子量50,000)
・シアニン染料P(下記構造) 0.134g
・ビス−p−ヒドロキシフェニルスルホン 0.126g
・テトラヒドロ無水フタル酸 0.19g
・p−トルエンスルホン酸 0.008g
・2−メトキシ−4−(N−フェニルアミノ)
ベンゼンジアゾニウム・ヘキサフルオロホスフェート 0.032g
・エチルバイオレット6−ナフタレンスルホン酸 0.078g
・フッ素系界面活性剤 0.023g
(メガファックF−780、大日本インキ化学工業(株)製)
・γ―ブチロラクトン 13.16g
・メチルエチルケトン 25.39g
・1−メトキシ−2−プロパノール 12.95g
<Coating liquid A for lower layer>
N- (4-aminosulfonylphenyl) methacrylamide /
Acrylonitrile / methyl methacrylate 2.13 g
(Molar ratio 36:34:30, weight average molecular weight 50,000)
・ Cyanine dye P (structure shown below) 0.134 g
・ Bis-p-hydroxyphenylsulfone 0.126 g
・ Tetrahydrophthalic anhydride 0.19g
・ 0.008 g of p-toluenesulfonic acid
2-methoxy-4- (N-phenylamino)
Benzenediazonium hexafluorophosphate 0.032 g
・ Ethyl violet 6-naphthalenesulfonic acid 0.078g
・ Fluorine-based surfactant 0.023g
(Megafuck F-780, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
・ Γ-Butyrolactone 13.16g
・ Methyl ethyl ketone 25.39g
・ 1-methoxy-2-propanol 12.95 g

<最上層用塗布液B>
・下記表1に記載の特定スルホニウム塩又は比較スルホニウム塩 0.08g
・m−クレゾール/p−クレゾールノボラック樹脂 0.341g
(モル比60:40、重量平均分子量5,000)
・シアニン染料P(前記構造) 0.019g
・フッ素系界面活性剤 0.004g
(メガファックF−780、大日本インキ化学工業(株)製)
・フッ素系界面活性剤 0.001g
(メガファックF−781、大日本インキ化学工業(株)製)
・メチルエチルケトン 2.63g
・1−メトキシ−2−プロパノール 5.27g
<Coating solution B for top layer>
-Specific sulfonium salt or comparative sulfonium salt described in Table 1 below 0.08 g
・ 0.341 g of m-cresol / p-cresol novolac resin
(Molar ratio 60:40, weight average molecular weight 5,000)
・ Cyanine dye P (the above structure) 0.019 g
・ Fluorine surfactant 0.004g
(Megafuck F-780, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
・ Fluorine surfactant 0.001g
(Megafuck F-781, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
・ Methyl ethyl ketone 2.63g
・ 1-methoxy-2-propanol 5.27g

[実施例3〜4、比較例2]
実施例1〜と同様の方法で得られた下塗り層付き支持体(支持体の種類については、下記表1に示す。)に、下記組成の記録層塗布液Cをワイヤーバーで塗布した。塗布後140℃60秒間の乾燥を行い、総塗布量を1.80g/m2として、実施例3〜4、及び比較例2のポジ型平版印刷版原版を得た。
[Examples 3 to 4 and Comparative Example 2]
A recording layer coating solution C having the following composition was applied to a support with an undercoat layer obtained in the same manner as in Examples 1 and 2 (the type of support is shown in Table 1 below) with a wire bar. After coating, drying was performed at 140 ° C. for 60 seconds to obtain a positive lithographic printing plate precursor of Examples 3 to 4 and Comparative Example 2 with a total coating amount of 1.80 g / m 2 .

<記録層塗布液C>
・下記表1に記載の特定スルホニウム塩又は比較スルホニウム塩 0.100g
・N−(4−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミド/
アクリロニトリル/メタクリル酸メチル 0.75g
(モル比36:34:30、重量平均分子量50,000)
・m−クレゾール/p−クレゾールノボラック樹脂 0.25g
(モル比60:40、重量平均分子量5,000)
・p−トルエンスルホン酸 0.003g
・テトラヒドロ無水フタル酸 0.03g
・シアニン染料P(前記構造) 0.017g
・ビクトリアピュアブルー 0.015g
(BOHの対アニオンを1−ナフタレンスルホン酸アニオンにした染料)
・フッ素系界面活性剤 0.05g
(メガファックF−177、大日本インキ化学工業(株)製)
・γ−ブチルラクトン 10g
・メチルエチルケトン 10g
・1−メトキシ−2−プロパノール 1g
<Recording layer coating solution C>
-Specific sulfonium salt or comparative sulfonium salt described in Table 1 below 0.100 g
N- (4-aminosulfonylphenyl) methacrylamide /
Acrylonitrile / methyl methacrylate 0.75g
(Molar ratio 36:34:30, weight average molecular weight 50,000)
・ M-cresol / p-cresol novolak resin 0.25 g
(Molar ratio 60:40, weight average molecular weight 5,000)
・ 0.003 g of p-toluenesulfonic acid
・ Tetrahydrophthalic anhydride 0.03g
・ Cyanine dye P (the above structure) 0.017 g
・ Victorious Pure Blue 0.015g
(Dye whose BOH counter anion is 1-naphthalenesulfonic acid anion)
・ Fluorosurfactant 0.05g
(Megafuck F-177, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
・ Γ-Butyllactone 10g
・ Methyl ethyl ketone 10g
1-methoxy-2-propanol 1g

〔実施例5〜6、比較例3〕
実施例1〜と同様の方法で得られた下塗り層付き支持体に、下記組成の記録層塗布液Dをワイヤーバーで塗布した。塗布後150℃100秒間の乾燥を行い、総塗布量を1.40g/m2として実施例5〜6、及び比較例3のポジ型平版印刷版原版を得た。
[Examples 5 to 6 , Comparative Example 3]
A recording layer coating solution D having the following composition was applied to a support with an undercoat layer obtained by the same method as in Examples 1 and 2 with a wire bar. After coating, drying was performed at 150 ° C. for 100 seconds to obtain positive lithographic printing plate precursors of Examples 5 to 6 and Comparative Example 3 with a total coating amount of 1.40 g / m 2 .

<記録層塗布液D>
・下記表1に記載の特定スルホニウム塩又は比較スルホニウム塩 0.100g
・N−(4−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミド/
アクリロニトリル/メタクリル酸メチル 2.072g
(モル比36:34:30、重量平均分子量50,000)
・シアニン染料P(前記構造) 0.052g
・フッ素系界面活性剤 0.017g
(メガファックF−780、大日本インキ化学工業(株)製)
・エチルバイオレット6−ナフタレンスルホン酸 0.078g
・メチルエチルケトン 25.30g
<Recording layer coating solution D>
-Specific sulfonium salt or comparative sulfonium salt described in Table 1 below 0.100 g
N- (4-aminosulfonylphenyl) methacrylamide /
Acrylonitrile / methyl methacrylate 2.072g
(Molar ratio 36:34:30, weight average molecular weight 50,000)
・ Cyanine dye P (the above structure) 0.052 g
・ Fluorine-based surfactant 0.017g
(Megafuck F-780, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
・ Ethyl violet 6-naphthalenesulfonic acid 0.078g
・ Methyl ethyl ketone 25.30g

[平版印刷版原版の評価]
実施例1〜、及び比較例1〜3のポジ型平版印刷版原版の性能評価を行った。
なお、評価試験は記録層を形成するための塗布後、25℃で30日間保存したものについて行った。
[Evaluation of lithographic printing plate precursor]
The performance evaluation of the positive type lithographic printing plate precursors of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 was performed.
Note that the evaluation test was conducted for a sample stored at 25 ° C. for 30 days after coating for forming the recording layer.

(感度の評価)
得られた実施例1〜、及び比較例1〜3のポジ型平版印刷版原版を、Creo社製Trendsetter800にて、ビーム強度を段階的に変えながら、ドラム回転速度250rpmでベタ画像を描き込んだ後、富士写真フイルム(株)製現像液DT−2の水希釈(1:8)液、及び富士写真フイルム(株)製フィニッシャーFG−1の水希釈(1:1)液を仕込んだ富士写真フイルム(株)製PSプロセッサーLP−940HIIを用い、液温を30度に保って現像時間12秒で現像した。そして、現像後の版を50倍のルーペで観察し、ポツ状の残膜が観測されないところの露光ビーム強度を感度とした。
この時、露光エネルギー量が小さいものほど高感度であると評価される。結果を表1に示す。
(Evaluation of sensitivity)
The obtained positive lithographic printing plate precursors of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 were drawn solid images at a drum rotation speed of 250 rpm while gradually changing the beam intensity with a Trend setter 800 manufactured by Creo. After that, Fuji was charged with a water dilution (1: 8) solution of developer DT-2 manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd. and a water dilution (1: 1) solution of finisher FG-1 manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd. Using a PS processor LP-940HII manufactured by Photo Film Co., Ltd., development was performed at a developing time of 12 seconds while maintaining the liquid temperature at 30 ° C. Then, the developed plate was observed with a magnifying glass of 50 times, and the exposure beam intensity where no pot-like residual film was observed was taken as sensitivity.
At this time, the smaller the exposure energy amount, the higher the sensitivity. The results are shown in Table 1.

(現像カスの評価)
得られた実施例1〜、及び比較例1〜3のポジ型平版印刷版原版を、Creo社製Trendsetter800にて、ビーム強度10W、ドラム回転速度250rpmでベタ画像を描き込んだ後、富士写真フイルム(株)製現像液DT−2Rの水希釈(1:9)にて、電導度が37mS/cmになるまで炭酸ガスを吹き込んだ液及び富士写真フイルム(株)製フィニッシャーFG−1の水希釈(1:1)液を仕込んだ富士写真フイルム(株)製PSプロセッサーLP−940HIIを用い、液温を30度に保って現像時間12秒で現像した。
この現像を総処理面積100m2分行った後、自動現像機中の現像液を透明な瓶に回収し、12時間室温放置した後の現像カスの有無を目視により比較した。評価は、現像カスが殆ど確認できなかったものを◎、現像カスが殆ど確認できなかったものを○、現像カスが多量にみられたものを×とした。結果を表1に示す。
(Evaluation of development residue)
The obtained positive type planographic printing plate precursors of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 were drawn with a solid image at a beam intensity of 10 W and a drum rotation speed of 250 rpm on a Trend setter 800 manufactured by Creo, Fuji Photo A solution in which carbon dioxide gas was blown into the developer DT-2R manufactured by Film Co., Ltd. in a water dilution (1: 9) until the electric conductivity reached 37 mS / cm and water of the finisher FG-1 manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd. Using a PS processor LP-940HII manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd. with a diluted (1: 1) solution, the solution temperature was maintained at 30 ° C. and development was performed for 12 seconds.
After this development was performed for a total processing area of 100 m 2 , the developer in the automatic developing machine was collected in a transparent bottle, and the presence or absence of development residue after standing at room temperature for 12 hours was visually compared. The evaluation was evaluated as を when almost no development debris could be confirmed, ◯ when almost no debris was confirmed, and x when large amounts of development debris were observed. The results are shown in Table 1.

[スルホニウム塩の溶解度]
実施例及び比較例において用いた各スルホニウム塩の溶解度は以下に従い測定した。
即ち、25℃1気圧の条件下で、中身が良く見えるガラス製に0.1mol/LのNaOH水溶液を50ml入れ、25℃に保温し密閉しながら、スルホニウム塩を50mg添加して5分間撹拌し、溶解性を確認した。その後、スルホニウム塩が完全に溶解していれば、更にスルホニウム塩を50mg添加して5分間撹拌し、再び溶解性を確認した。この作業をスルホニウム塩が溶解しなくなるまで続け、溶解量が最大限となるときのスルホニウム塩の濃度を溶解度とした。この測定結果を表1に併記する。
[Solubility of sulfonium salt]
The solubility of each sulfonium salt used in the examples and comparative examples was measured as follows.
That is, under a condition of 25 ° C. and 1 atm, 50 ml of 0.1 mol / L NaOH aqueous solution is put in a glass that can be clearly seen, and 50 mg of a sulfonium salt is added and stirred for 5 minutes while keeping the temperature at 25 ° C. and sealing. The solubility was confirmed. Thereafter, if the sulfonium salt was completely dissolved, 50 mg of the sulfonium salt was further added and stirred for 5 minutes, and the solubility was confirmed again. This operation was continued until the sulfonium salt was not dissolved, and the concentration of the sulfonium salt when the amount of dissolution was maximized was defined as the solubility. The measurement results are also shown in Table 1.

ここで、上記表1に記載の特定スルホニウム塩を示す番号(No.)は、前記具体例の特定スルホニウム塩に付された番号である。
また、比較例に用いた比較スルホニウム塩(S−A、S−B、及びS−C)の構造を以下に示す。
Here, the number (No.) indicating the specific sulfonium salt described in Table 1 is a number assigned to the specific sulfonium salt of the specific example.
Moreover, the structure of the comparative sulfonium salt (SA, SB, and SC) used for the comparative example is shown below.

表1に明らかなように、本発明における特定スルホニウム塩を含有する記録層を備えた実施例1〜実施例の平版印刷版原版は、いずれも、感度に優れ、また、現像カスの発生が見られないことが分かる。
これに対し、本発明の溶解度の範囲を外れる比較スルホニウム塩を含有する記録層を備えた平版印刷版原版(比較例1〜3)は、感度が低く、また、現像カスが多く見られることが分かる。
As is apparent from Table 1, the lithographic printing plate precursors of Examples 1 to 6 provided with the recording layer containing the specific sulfonium salt in the present invention are all excellent in sensitivity, and the development residue is generated. I can't see it.
On the other hand, the lithographic printing plate precursors (Comparative Examples 1 to 3) provided with a recording layer containing a comparative sulfonium salt that is out of the solubility range of the present invention have low sensitivity and a large amount of development residue is observed. I understand.

Claims (4)

支持体上に、アルカリ可溶性樹脂、赤外線吸収剤、及びスルホニウム塩を含有する記録層を有し、該スルホニウム塩が、カチオン部に、アルカリ可溶性基を置換基として有するフェニル基を3つ有するスルホニウム塩であり、且つ、常温常圧下において、0.1mol/Lで、かつ、液温25℃のNaOH水溶液に対する溶解度が25mg/ml以上であることを特徴とする平版印刷版原版。 A sulfonium salt having a recording layer containing an alkali-soluble resin, an infrared absorber, and a sulfonium salt on a support, the sulfonium salt having three phenyl groups having an alkali-soluble group as a substituent at the cation portion , and the and at normal temperature and pressure, in 0.1 mol / L, and the lithographic printing plate precursor solubility NaOH aqueous solution temperature 25 ° C. is characterized in that at 25 mg / ml or more. 前記アルカリ可溶性基がカルボキシ基、又は、水酸基である請求項1に記載の平版印刷版原版。The lithographic printing plate precursor as claimed in claim 1, wherein the alkali-soluble group is a carboxy group or a hydroxyl group. 前記アルカリ可溶性基が水酸基である請求項1に記載の平版印刷版原版。The lithographic printing plate precursor according to claim 1, wherein the alkali-soluble group is a hydroxyl group. 前記アルカリ可溶性基がカルボキシ基である請求項1に記載の平版印刷版原版。The lithographic printing plate precursor as claimed in claim 1, wherein the alkali-soluble group is a carboxy group.
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