JP4369375B2 - Positive lithographic printing plate precursor for infrared laser - Google Patents

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Description

本発明は赤外線レーザー対応ポジ型平版印刷版原版に関し、特に、コンピュータ等のデジタル信号に基づいて赤外線レーザを走査することにより直接製版できる、いわゆるダイレクト製版可能な平版印刷版原版に関する。   The present invention relates to a positive lithographic printing plate precursor for infrared lasers, and more particularly to a so-called lithographic printing plate precursor capable of direct plate making that can be directly made by scanning an infrared laser based on a digital signal from a computer or the like.

近年におけるレーザの発展は目ざましく、特に近赤外から赤外に発光領域を持つ固体レーザ・半導体レーザは高出力かつ小型の物が容易に入手できるようになっている。コンピュータ等のディジタルデータから直接製版する際の露光光源として、これらのレーザは非常に有用である。   In recent years, the development of lasers has been remarkable, and in particular, solid-state lasers and semiconductor lasers having a light emitting region from the near infrared to the infrared can easily obtain high-power and small-sized ones. These lasers are very useful as an exposure light source when directly making a plate from digital data such as a computer.

このような赤外線レーザ対応ポジ平版印刷版原版における記録層は、アルカリ水溶液可溶性のバインダー樹脂と、該バインダー樹脂との相互作用によりバインダー樹脂の溶解性を実質的に低下させる溶解阻止剤と、光を吸収し熱を発生する赤外線吸収染料等の光熱変換剤と、を含有することが好ましい。これらの光熱変換剤の中でも、特に、シアニン染料は、上記溶解阻止剤としての機能をも有することから、赤外線レーザ対応の記録層の光熱変換剤として好適に用いられる。
しかしながら、このような赤外線レーザ対応の記録層では、様々な使用条件における未露光部(画像部)の現像液に対する耐溶解性と、露光部(非画像部)の溶解性との間の差(ディスクリミネーション;以下、溶解ディスクリと称する。)が未だ十分とは言えず、使用条件の変動による現像過剰や現像不良が起きやすいという問題があった。
The recording layer in such an infrared laser compatible positive lithographic printing plate precursor comprises a binder resin that is soluble in an alkaline aqueous solution, a dissolution inhibitor that substantially reduces the solubility of the binder resin by interaction with the binder resin, and a light. And a photothermal conversion agent such as an infrared absorbing dye that absorbs and generates heat. Among these photothermal conversion agents, in particular, the cyanine dye also has a function as the dissolution inhibitor, and thus is suitably used as a photothermal conversion agent for recording layers compatible with infrared lasers.
However, in such an infrared laser-compatible recording layer, the difference between the solubility resistance of the unexposed area (image area) with respect to the developer and the solubility of the exposed area (non-image area) under various use conditions ( Discrimination (hereinafter referred to as “dissolving discrimination”) is still not sufficient, and there is a problem that overdevelopment and development failure are liable to occur due to variations in use conditions.

上記の問題に対して、アルカリ水溶液可溶性のバインダー樹脂の大部分がノボラック樹脂で形成されている感光性組成物(例えば、特許文献1参照。)を用いることで、溶解ディスクリを向上させる技術が知られている。このノボラック樹脂は、フェノール性水酸基同士の水素結合、或いは、感光性組成物内に含有されている他添加剤(例えば、溶解阻止剤)との相互作用等により、未露光郡では現像液に対する溶解性が抑制され、露光部では熱により溶解性が増大することで、溶解ディスクリが拡大することとなる。
また、溶解阻止剤として、非常に高い溶解抑制能を有するスルホニウム塩、ヨードニウム塩などのオニウム塩系化合物を用いることにより、画像部の耐アルカリ現像性が向上して、結果的に、溶解ディスクリ(画像コントラスト)を拡大させる方法も知られている(例えば、特許文献2参照。)。
これらの方法により、溶解ディスクリの拡大に関して一定の成果は得られたものの、実用上、溶解ディスクリの拡大については未だ改良の余地があり、現像安定性(現像ラチチュード)に関する一層の改良が望まれている。
In order to solve the above problem, there is a technique for improving dissolution discretion by using a photosensitive composition (for example, refer to Patent Document 1) in which most of an aqueous alkali-soluble binder resin is formed of a novolac resin. Are known. This novolac resin dissolves in the developer in unexposed areas due to hydrogen bonding between phenolic hydroxyl groups or interaction with other additives (for example, dissolution inhibitors) contained in the photosensitive composition. Therefore, the dissolution discrepancy is increased by increasing the solubility in the exposed portion by heat.
In addition, by using an onium salt compound such as a sulfonium salt or iodonium salt having a very high dissolution inhibiting ability as a dissolution inhibitor, the alkali developability of the image area is improved. A method of enlarging (image contrast) is also known (see, for example, Patent Document 2).
Although these methods have achieved certain results with respect to the expansion of dissolution discreet, there is still room for improvement in terms of expansion of dissolution discrepancies, and further improvements in development stability (development latitude) are desired. It is rare.

一方、上記の方法を適用したポジ型の記録層においては、取扱い時に記録層表面に触れる等によりわずかに表面状態が変動した場合に、未露光部(画像部)における溶解抑制能が低下してしまい、高pHのアルカリ水溶液による現像時にその画像部が溶解してキズ跡状となり、耐刷の劣化や着肉性不良を引き起こすという問題があった。
この問題に対し、耐キズ性の向上を目的として、記録層中に低分子量のワックスを添加する方法(例えば、特許文献3参照)や、記録層上に保護層を設ける方法が提案されている。しかし、これらの方法では、記録層の感度が低下したり、また、ワックスや保護層が現像時に溶けのこり、印刷時に汚れが発生する原因となるという問題を有していた。
欧州特許出願公開第823327A2号明細書 日本国特許2577718号明細書 特開2000−35666号公報
On the other hand, in the positive recording layer to which the above method is applied, when the surface state is slightly changed by touching the surface of the recording layer during handling, the dissolution inhibiting ability in the unexposed area (image area) is reduced. Therefore, there is a problem that the image portion is dissolved and becomes a scratch mark during development with an alkaline aqueous solution having a high pH, resulting in deterioration of printing durability and poor inking property.
In order to improve the scratch resistance, a method of adding a low molecular weight wax to the recording layer (for example, see Patent Document 3) and a method of providing a protective layer on the recording layer have been proposed. . However, these methods have a problem that the sensitivity of the recording layer is lowered, and the wax and the protective layer are melted during development and cause stains during printing.
European Patent Application No. 823327A2 Japanese Patent No. 2577718 JP 2000-35666 A

本発明は、前記従来における技術的問題点を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の目的は、溶解ディスクリが大きく現像ラチチュードに優れると共に、耐キズ性にも優れた赤外線レーザ対応ポジ型平版印刷版原版を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the conventional technical problems and achieve the following objects.
That is, an object of the present invention is to provide a positive lithographic printing plate precursor for infrared lasers which has a large dissolution discrepancy and excellent development latitude and is also excellent in scratch resistance.

本発明者らは鋭意研究の結果、記録層中に、保護基で保護された酸基を有するスルホニウム塩を添加することにより、上記目的が達成されること見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明の赤外線レーザ対応ポジ型平版印刷版原版は、親水性表面を有する支持休上に、(A)水不溶且つアルカリ可溶性樹脂、(B)赤外線吸収剤、及び(C)下記一般式(1)で表されるスルホニウム塩を含有し、赤外線レーザの露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する記録層を有することを特徴とする。
As a result of intensive studies, the present inventors have found that the above object can be achieved by adding a sulfonium salt having an acid group protected by a protective group to the recording layer, and the present invention has been completed. .
Namely, the positive lithographic printing plate precursor for infrared laser of the present invention comprises (A) a water-insoluble and alkali-soluble resin, (B) an infrared absorber, and (C) the following general formula, on a supporting rest having a hydrophilic surface. It has a recording layer containing the sulfonium salt represented by (1) and having increased solubility in an alkaline aqueous solution upon exposure with an infrared laser.

Figure 0004369375
Figure 0004369375

[一般式(1)中、R 1 及びR 2 は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリール基を表す。Arは、酸又は熱の作用により分解することでヒドロキシル基へ変換する−O−R基(ここでRは保護基を表し、該保護基を形成する連結基として−CO −を含まない。)、及び、酸又は熱の作用により分解することでカルボキシル基へ変換する−COO−R’基(ここでR’は保護基を表す。)から選択される少なくとも1つ置換基有する芳香族炭化水素基を表す。XpKaが5未満である化合物に由来する残基をす。なお、R1とR2とが互いに結合して環状構造を形成してもよい。] [In the general formula (1), R 1 and R 2 each independently be TABLE an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, or an aryl group. Ar is an —O—R group that is converted to a hydroxyl group by decomposing by the action of an acid or heat (wherein R represents a protecting group, and —CO 2 — is not included as a linking group forming the protecting group) . ), and an aromatic having at least one substituent -COO-R 'groups (where R' to convert it to decompose by the action of an acid or heat to the carboxyl group is selected from representative.) the protecting group Represents a group hydrocarbon group. X - is to display the residue derived from a compound having a pKa of less than 5. R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a cyclic structure. ]

本発明における記録層は、単層でもよく、また、それぞれの構成成分が異なる複数の層からなる重層構造であってもよい。重層構造の記録層の場合には、最上層に上記スルホニウム塩が添加される態様が添加効果発現の観点から好ましい。   The recording layer in the present invention may be a single layer or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having different constituent components. In the case of a recording layer having a multilayer structure, an embodiment in which the above-mentioned sulfonium salt is added to the uppermost layer is preferable from the viewpoint of the addition effect.

本発明の作用は明確ではないが、以下のように推測される。
本発明における記録層に含有されるスルホニウム塩は、その構造内に、酸又は熱の作用により分解することでヒドロキシル基へ変換する−O−R基(ここでRは保護基を表し、該保護基を形成する連結基として−CO −を含まない。)、及び/又は、酸又は熱の作用により分解することでカルボキシル基へ変換する−COO−R’基(ここでR’は保護基を表す。)(以下、適宜、保護酸基と称する。)を有する。つまり、この基は、酸基が分解性の保護基によりキャップ(保護)されている状態を意味する。このような保護酸基を有するスルホニウム塩を含有する記録層において、未露光部(画像部)は、オニウム塩化合物の優れた溶解抑制能により膜強度が向上し、且つ、酸基が保護されていることにより耐アルカリ溶解性に優れるものと思われる。このため、本発明の平版印刷版原版は、取り扱い時などに記録層の表面状態が変動してしまっても、その変動領域においてもアルカリ現像液による溶解が効果的に抑制されるため、画像欠陥を引き起こすようなキズ跡が形成され難くなると推測される。
一方、露光部(非画像部)は、露光による熱エネルギー及び/又はスルホニウム塩の分解により発生する酸により保護基が分解してヒドロキシル基やカルボキシル基となり、これらの酸基が本来有する優れた溶解性が発現するため、アルカリ現像液に対する高い現像性が確保できるものと思われる。このように、本発明の平版印刷版原版では、未露光部の優れた膜強度と露光部の優れた現像性とが両立し、その結果、溶解ディスクリが拡大するものと推測される。
Although the operation of the present invention is not clear, it is presumed as follows.
The sulfonium salt contained in the recording layer in the present invention has, within its structure, an —O—R group (wherein R represents a protective group, which is converted to a hydroxyl group by being decomposed by the action of an acid or heat). -CO 2 -is not included as a linking group to form a group ) and / or a -COO-R 'group (wherein R' is a protective group) which is converted into a carboxyl group by decomposition by the action of an acid or heat. the expressed.) (hereinafter, having called protecting acid group.). That is, this group means a state in which the acid group is capped (protected) by a degradable protecting group. In the recording layer containing a sulfonium salt having such a protective acid group, the unexposed portion (image portion) has improved film strength due to the excellent ability of the onium salt compound to inhibit dissolution, and the acid group is protected. It seems that it is excellent in alkali solubility resistance. For this reason, the lithographic printing plate precursor of the present invention is effective in suppressing the dissolution by the alkaline developer even in the fluctuation region even if the surface state of the recording layer fluctuates during handling or the like. It is presumed that scratch marks that cause the damage are difficult to form.
On the other hand, in the exposed area (non-image area), the protecting group is decomposed by a heat energy generated by exposure and / or an acid generated by the decomposition of the sulfonium salt to be converted into a hydroxyl group or a carboxyl group. Therefore, it is considered that high developability for an alkali developer can be secured. Thus, in the lithographic printing plate precursor according to the present invention, it is presumed that the excellent film strength of the unexposed area and the excellent developability of the exposed area are compatible, and as a result, the dissolution disc is expanded.

本発明によれば、溶解ディスクリが大きく現像ラチチュードに優れると共に、耐キズ性にも優れた赤外線レーザー対応ポジ型平版印刷版原版を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an infrared laser-compatible positive planographic printing plate precursor having a large dissolution discrepancy and excellent development latitude and excellent scratch resistance.

以下、本発明の赤外線レーザー対応ポジ型平版印刷版原版(以下、単に「平版印刷版原版」と称する場合がある。)について詳細に説明する。
本発明の平版印刷版原版は、親水性表面を有する支持体上に、(A)水不溶且つアルカリ可溶性樹脂、(B)赤外線吸収剤、及び(C)下記一般式(1)で表されるスルホニウム塩(以下、適宜、特定スルホニウム塩を称する。)を含有し、赤外線レーザの露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する記録層を有することを特徴とする。
本発明における記録層は、その層構成に特に制限はなく、単層構造であっても、それぞれの構成成分が異なる複数の層からなる重層構造であってもよい。記録層が重層構造の場合には、上記特定高分子化合物は、いずれの層に含まれていてもよいが、特に、最上層に特定スルホニウム塩が添加される態様が添加効果発現の観点から好ましい。
まず、本発明の平版印刷版原版における記録層を構成する各成分について説明する。
The infrared laser positive positive lithographic printing plate precursor (hereinafter sometimes simply referred to as “lithographic printing plate precursor”) of the present invention will be described in detail below.
The planographic printing plate precursor of the present invention is represented by (A) a water-insoluble and alkali-soluble resin, (B) an infrared absorber, and (C) the following general formula (1) on a support having a hydrophilic surface. It has a recording layer containing a sulfonium salt (hereinafter referred to as a specific sulfonium salt as appropriate) and having increased solubility in an alkaline aqueous solution upon exposure with an infrared laser.
The recording layer in the present invention is not particularly limited in its layer structure, and may be a single layer structure or a multilayer structure composed of a plurality of layers having different constituent components. In the case where the recording layer has a multilayer structure, the specific polymer compound may be contained in any layer, but in particular, an embodiment in which a specific sulfonium salt is added to the uppermost layer is preferable from the viewpoint of the effect of addition. .
First, each component constituting the recording layer in the lithographic printing plate precursor according to the invention will be described.

〔(C)特定スルホニウム塩〕
本発明における記録層を構成する特定スルホニウム塩は、下記一般式(1)で表される構造を有する。
[(C) Specific sulfonium salt]
The specific sulfonium salt constituting the recording layer in the invention has a structure represented by the following general formula (1).

Figure 0004369375
Figure 0004369375

上記一般式(1)において、R1及びR2は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリール基を表し、中でも、特に、R1及びR2のいずれもがアリール基であることが好ましい。
前記R1及びR2で表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が挙げられ、中でも、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基が好ましい。これらのアルキル基は更に置換基を有してしてもよい。
In the general formula (1), R 1 and R 2 each independently represent an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, or an aryl group, and in particular, both R 1 and R 2 are aryl groups. It is preferable that
The alkyl group represented by R 1 and R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, t Examples include linear or branched alkyl groups such as -butyl group, among which n-butyl group, sec-butyl group and t-butyl group are preferable. These alkyl groups may further have a substituent.

前記R1及びR2で表されるシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等が挙げられ、中でも、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。これらのシクロアルキル基は更に置換基を有してしてもよい。 Examples of the cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, and a boronyl group. Among them, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group are preferable. . These cycloalkyl groups may further have a substituent.

前記R1及びR2で表されるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7〜12のアラルキル基であり、例えば、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等が挙げられ、中でも、フェネチル基が好ましい。これらのアラルキル基は更に置換基を有してしてもよい。 The aralkyl group represented by R 1 and R 2 is preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a benzyl group, a phenethyl group, and a cumyl group, and among them, a phenethyl group is preferable. These aralkyl groups may further have a substituent.

前記R1及びR2で表されるアリール基としては、好ましくは炭素数6〜18のアリール基であり、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられ、中でも、フェニル基、ナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。これらのアリール基は更に置換基を有してしてもよい。 The aryl group represented by R 1 and R 2 is preferably an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group, and among them, a phenyl group and a naphthyl group. Are preferable, and a phenyl group is more preferable. These aryl groups may further have a substituent.

なお、R1とR2とが互いに結合して、S+と共に環状構造を形成してもよい。この場合、R1とR2とが結合して形成する基としては、例えば、炭素数4〜10のアルキレン基、好ましくは、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、特に好ましくはブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。
また、R1とR2とが互いに結合してS+と共に形成した環状構造の中に、ヘテロ原子を含んでいてもよい。
R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a cyclic structure together with S + . In this case, the group formed by combining R 1 and R 2 is, for example, an alkylene group having 4 to 10 carbon atoms, preferably a butylene group, a pentylene group or a hexylene group, particularly preferably a butylene group or pentylene. The group can be mentioned.
Further, a hetero atom may be contained in the cyclic structure formed by combining R 1 and R 2 together with S + .

また、上記一般式(1)におけるArは、酸又は熱の作用により分解することでヒドロキシル基へ変換する−O−R基(ここでRは保護基を表し、該保護基を形成する連結基として−CO −を含まない。)、及び、酸又は熱の作用により分解することでカルボキシル基へ変換する−COO−R’基(ここでR’は保護基を表す。)から選択される少なくとも1つ置換基有する芳香族炭化水素基を表す。
まず、酸又は熱の作用により分解することでヒドロキシル基へ変換する−O−R基(ここでRは保護基を表し、該保護基を形成する連結基として−CO −を含まない。)、及び、酸又は熱の作用により分解することでカルボキシル基へ変換する−COO−R’基(ここでR’は保護基を表す。)について説明する。この基は、ヒドロキンル基及び/又はカルボキシル基の酸基が分解性の保護基によりキャップ(保護)されている構造を有し、その保護基が分解することで、酸基が表れる特性を有する。以下、このような基を保護酸基と称して説明する。
In the general formula (1), Ar represents an —O—R group which is converted to a hydroxyl group by being decomposed by the action of an acid or heat (where R represents a protective group, and the linking group forms the protective group). as -CO 2 -. containing no), and, -COO-R 'groups (where R' to convert it to decompose by the action of an acid or heat to the carboxyl group is selected from the representative) protecting group. It represents an aromatic hydrocarbon group having at least one substituent.
First, an —O—R group that is converted to a hydroxyl group by being decomposed by the action of an acid or heat (wherein R represents a protecting group, and —CO 2 — is not included as a linking group forming the protecting group ). And —COO—R ′ group (wherein R ′ represents a protecting group) which is converted into a carboxyl group by being decomposed by the action of an acid or heat . This group has a structure in which an acid group of a hydroquinle group and / or a carboxyl group is capped (protected) by a degradable protecting group, and the acid group appears by decomposing the protecting group. Hereinafter, such a group will be described as a protective acid group.

本発明における保護酸基は、−O−R、又は、−COO−R’の構造を有する。ここで、R及びR’は保護基である。この保護基としては、有機合成の分野で慣用であるヒドロキシル基の保護基及びカルボキシル基の保護基を用いることができる。具体的には、“Protective Groups In Organic Synthesis(Second Edition)”,Theodora W.Greene,Peter G.M.Wuts著、John Wiley & Sons inc.出版、1991のp143〜p276に記載の保護基が用いられる。   The protective acid group in the present invention has a structure of —O—R or —COO—R ′. Here, R and R 'are protecting groups. As the protecting group, a hydroxyl protecting group and a carboxyl protecting group commonly used in the field of organic synthesis can be used. Specifically, “Protective Groups In Organic Synthesis (Second Edition)”, Theodora W., et al. Greene, Peter G. M.M. Wuts, John Wiley & Sons Inc. The protecting groups described in publishing, 1991, p143-p276 are used.

より具体的には、上記の保護基R及びR’は、下記の末端基から構成されるか、又は、下記の連結基と末端基とを組み合わせて構成される。なお、保護基R及びR’が、連結基と末端基とを組み合わせて構成される場合、その組み合わせは任意であり、また、連結基や末端基を複数組み合わせてもよい。
保護基を構成する連結基としては、直鎖、分岐或いは環状のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、又はアラルキレン基、−O−、−S−、−C(=O)−、−N(R4)−、−SO−、−SO2−、−CO2−、−N(R4)SO2−、−P<、−P(=O)<、−P(=S)<が挙げられる。ここでR4は、水素原子又はアルキル基(アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基等の炭素数1〜4個のアルキル基が挙げられる。)である。
また、保護基を構成する末端基としては、直鎖、分岐或いは環状のアルキル基、アルケニル基、アリール基、複素環基、縮合環基、アラルキル基、アミノ基、又はトリアルキルシリル基が挙げられる。
なお、これらの連結基及び末端基は、構造によっては更に置換基を有していてもよく、導入可能な置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ホルミル基、アミノ基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。
More specifically, the protecting groups R and R ′ are composed of the following terminal groups or a combination of the following linking groups and terminal groups. In addition, when protecting group R and R 'are comprised combining a coupling group and a terminal group, the combination is arbitrary and you may combine multiple coupling groups and terminal groups.
As the linking group constituting the protective group, a linear, branched or cyclic alkylene group, alkenylene group, arylene group, heteroarylene group, or aralkylene group, —O—, —S—, —C (═O) —, -N (R 4) -, - SO -, - SO 2 -, - CO 2 -, - N (R 4) SO 2 -, - P <, - P (= O) <, - P (= S) <Is mentioned. R 4 represents a hydrogen atom or an alkyl group (specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group. And an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a group.).
Examples of the terminal group constituting the protective group include a linear, branched or cyclic alkyl group, alkenyl group, aryl group, heterocyclic group, condensed ring group, aralkyl group, amino group, or trialkylsilyl group. .
These linking groups and terminal groups may further have a substituent depending on the structure. Examples of the substituent that can be introduced include a halogen atom, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, a formyl group, and an amino group. , A nitro group, an alkyl halide group, and the like.

上記の直鎖、分岐或いは環状のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、1,4−ブチレン基、1,4−シクロヘキシレン基等の炭素数1〜10個のものを挙げることができる。
上記のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基等を挙げることができる。
上記のアラルキレン基としては、トルイレン基、キシリレン基、フェネチレン基等を挙げることができる。
上記のヘテロアリーレン基としては、下記式(A1)〜(A4)で示される構造において2価の基になったものが挙げられる。
Examples of the linear, branched or cyclic alkylene group include those having 1 to 10 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a 1,4-butylene group and a 1,4-cyclohexylene group. Can do.
Examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group, and an anthrylene group.
Examples of the aralkylene group include a toluylene group, a xylylene group, and a phenethylene group.
As said heteroarylene group, what became a bivalent group in the structure shown by following formula (A1)-(A4) is mentioned.

Figure 0004369375
Figure 0004369375

上記式(A1)〜(A3)中、Xは、酸素原子、イオウ原子、又は−NH−を表し、Y1〜Y6は、各々独立に、−CH=若しくは−N=を表し、式(A3)において、Y1〜Y6のうち少なくとも一つは−N=を表す。
上記式(A4)中、Y7〜Y14は、各々独立に、−CH=若しくは−N=を表し、Y7〜Y14のうち少なくとも一つは−N=を表す。
In the above formulas (A1) to (A3), X represents an oxygen atom, a sulfur atom, or —NH—, and Y 1 to Y 6 each independently represent —CH═ or —N═, In A3), at least one of Y 1 to Y 6 represents —N═.
In the formula (A4), Y 7 to Y 14 each independently represent —CH═ or —N═, and at least one of Y 7 to Y 14 represents —N═.

これらの保護基は、酸又は熱の作用により分解する。保護基の分解の態様について、以下に示す。
一般に、光照射により酸を発生する化合物(PAG:Photo Acid Generator)と酸分解基で保護した化合物とを組合せた化学増幅系のレジストは、酸による分解反応が熱的に増幅されることで高感度化が期待できる。本発明における特定スルホニウム塩では、光照射により酸を発生する化合物がアニオン部であり、酸分解基で保護した化合物がカチオン部に相当する。このことから、この特定スルホニウム塩を含有する記録層が赤外線レーザーにより露光されると、露光による熱エネルギーによりアニオン部から酸が発生し、その酸により酸分解基(保護基)が分解して、脱保護され、カルボキシル基やヒドロキシル基が発現する。すなわち、本発明においては、保護基の分解機構は酸による加水分解となる。なお、熱による保護基の分解は、酸による分解のしやすさに比例するため、その分解機構は酸による分解機構と同じであると考えられる。
These protecting groups are decomposed by the action of acid or heat. About the aspect of decomposition | disassembly of a protecting group, it shows below.
In general, a resist of a chemical amplification system in which a compound that generates an acid upon irradiation with light (PAG: Photo Acid Generator) and a compound protected with an acid-decomposable group has a high resistance because the decomposition reaction by acid is thermally amplified. Sensitivity can be expected. In the specific sulfonium salt in the present invention, a compound that generates an acid upon irradiation with light is an anion portion, and a compound protected with an acid-decomposable group corresponds to a cation portion. From this, when the recording layer containing this specific sulfonium salt is exposed by an infrared laser, an acid is generated from the anion portion due to the thermal energy by exposure, and the acid-decomposing group (protecting group) is decomposed by the acid, Deprotected to express carboxyl group and hydroxyl group. That is, in the present invention, the decomposition mechanism of the protecting group is hydrolysis with an acid. In addition, since the decomposition of the protecting group by heat is proportional to the ease of decomposition by an acid, the decomposition mechanism is considered to be the same as the decomposition mechanism by an acid.

また、上記の保護酸基を置換基として有する芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数6〜18のアリール基であり、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等を挙げることができ、フェニル基、ナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
また、保護酸基は、上記芳香族炭化水素基の芳香族環上に少なくとも1つ置換していればよく、また、1つの芳香族環上に複数の保護酸基が置換していてもよい。
In addition, the aromatic hydrocarbon group having the above protecting acid group as a substituent is preferably an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group. Group and a naphthyl group are preferable, and a phenyl group is more preferable.
Further, at least one protective acid group may be substituted on the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group, and a plurality of protective acid groups may be substituted on one aromatic ring. .

また、上記一般式(1)におけるX-pKaが5未満である化合物に由来する残基を表す。このpKaが5未満である化合物に由来する残基としては、スルホン酸化合物、カルボン酸化合物、及び、無機酸化合物から選択されるpKaが5未満である化合物に由来する残基が挙げられる
上記X-で表されるpKaが5未満である化合物に由来する残基において、無機酸化合物の残基としては、ハロゲン化物アニオン、HS04 -、及びハロゲン含有錯アニオン、例えば、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロアーセネート、及びヘキサフルオロアンチモネートである。これらの中でも、好ましくは、フッ素原子を含む無機酸化合物に由来する残基が挙げられる。フッ素原子を含む無機酸化合物の具体例としては、例えば、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロアルミン酸、テトラフルオロ鉄酸、テトラフルオロガリウム酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロヒ素酸、ヘキサフルオロアンチモン酸、ヘキサフルオロケイ素酸、ヘキサフルオロニッケル酸、ヘキサフルオロチタン酸、ヘキサフルオロジルコン酸等が挙げられ、中でも、ヘキサンルオロリン酸、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロアンチモン酸等が好ましい。
X in the general formula (1) represents a residue derived from a compound having a pKa of less than 5 . Examples of the residue derived from a compound having a pKa of less than 5 include a residue derived from a compound having a pKa selected from a sulfonic acid compound, a carboxylic acid compound, and an inorganic acid compound of less than 5 .
In residues from pKa which is expressed by less than 5 compound, as the residue of an inorganic acid compound, a halide anion, HS0 4 - - the X, and halogen-containing complex anions, e.g., tetrafluoroborate, Hexafluorophosphate, hexafluoroarsenate, and hexafluoroantimonate. Among these, preferably, a residue you from organic acid compound containing a fluorine atom. Specific examples of the inorganic acid compound containing a fluorine atom include, for example, tetrafluoroboric acid, tetrafluoroaluminic acid, tetrafluoroiron acid, tetrafluorogallic acid, hexafluorophosphoric acid, hexafluoroarsenic acid, hexafluoroantimonic acid, Hexafluorosilicic acid, hexafluoronickic acid, hexafluorotitanic acid, hexafluorozirconic acid and the like can be mentioned, and among them, hexane fluorophosphoric acid, tetrafluoroboric acid, hexafluoroantimonic acid and the like are preferable.

上記X-で表される残基の由来となるpKaが5未満であるスルホン酸化合物の具体例としては、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸、ヘプタンスルホン酸、オクタンスルホン酸、ノナンスルホン酸、デカンスルホン酸、ウンデカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、トリデカンスルホン酸、テトラデカンスルホン酸、ペンタデカンスルホン酸、ヘキサデカンスルホン酸、ヘプタデカンスルホン酸、オクタデカンスルホン酸、ノナデカンスルホン酸、イコサンスルホン酸、ヘンイコサンスルホン酸、ドコサンスルホン酸、トリコサンスルホン酸、テトラコンサンスルホン酸等のアルキルスルホン酸;
例えば、フルオロメタンスルホン酸、ジフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、クロロメタンスルホン酸、ジクロロメタンスルホン酸、トリクロロメタンスルホン酸、ブロモメタンスルホン酸、ジブロモメタンスルホン酸、トリブロモメタンスルホン酸、ヨードメタンスルホン酸、ジヨードメタンスルホン酸、トリヨードメタンスルホン酸、フルオロエタンスルホン酸、ジフルオロエタンスルホン酸、トリフルオロエタンスルホン酸、ペンタフルオロエタンスルホン酸、クロロエタンスルホン酸、ジクロロエタンスルホン酸、トリクロロエタンスルホン酸、ペンタクロロエタンスルホン酸、トリブロモエタンスルホン酸、ペンタブロモエタンスルホン酸、トリヨードエタンスルホン酸、ペンタヨードエタンスルホン酸、フルオロプロパンスルホン酸、トリフルオロプロパンスルホン酸、ヘプタフルオロプロパンスルホン酸、クロロプロパンスルホン酸、トリクロロプロパンスルホン酸、ヘプタクロロプロパンスルホン酸、ブロモプロパンスルホン酸、トリブロモプロパンスルホン酸、ヘプタブロモプロパンスルホン酸、トリヨードプロパンスルホン酸、ヘプタヨードプロパンスルホン酸、トリフルオロブタンスルホン酸、ノナフルオロブタンスルホン酸、トリクロロブタンスルホン酸、ノナクロロブタンスルホン酸、トリブロモブタンスルホン酸、ノナブロモブタンスルホン酸、トリヨードブタンスルホン酸、ノナヨードブタンスルホン酸、
Specific examples of the sulfonic acid compound from which the pKa derived from the residue represented by X is less than 5 include, for example, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, propanesulfonic acid, butanesulfonic acid, pentanesulfonic acid, Hexanesulfonic acid, heptanesulfonic acid, octanesulfonic acid, nonanesulfonic acid, decanesulfonic acid, undecanesulfonic acid, dodecanesulfonic acid, tridecanesulfonic acid, tetradecanesulfonic acid, pentadecanesulfonic acid, hexadecanesulfonic acid, heptadecanesulfonic acid, Alkyl sulfonic acids such as octadecane sulfonic acid, nonadecane sulfonic acid, icosane sulfonic acid, henicosane sulfonic acid, docosane sulfonic acid, tricosane sulfonic acid, tetraconsan sulfonic acid;
For example, fluoromethanesulfonic acid, difluoromethanesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, chloromethanesulfonic acid, dichloromethanesulfonic acid, trichloromethanesulfonic acid, bromomethanesulfonic acid, dibromomethanesulfonic acid, tribromomethanesulfonic acid, iodomethanesulfone Acid, diiodomethanesulfonic acid, triiodomethanesulfonic acid, fluoroethanesulfonic acid, difluoroethanesulfonic acid, trifluoroethanesulfonic acid, pentafluoroethanesulfonic acid, chloroethanesulfonic acid, dichloroethanesulfonic acid, trichloroethanesulfonic acid, pentachloroethanesulfone Acid, tribromoethanesulfonic acid, pentabromoethanesulfonic acid, triiodoethanesulfonic acid, pentaiodoethanesulfonic acid, Fluoropropanesulfonic acid, trifluoropropanesulfonic acid, heptafluoropropanesulfonic acid, chloropropanesulfonic acid, trichloropropanesulfonic acid, heptachloropropanesulfonic acid, bromopropanesulfonic acid, tribromopropanesulfonic acid, heptabromopropanesulfonic acid, tri Iodopropanesulfonic acid, heptaiodopropanesulfonic acid, trifluorobutanesulfonic acid, nonafluorobutanesulfonic acid, trichlorobutanesulfonic acid, nonachlorobutanesulfonic acid, tribromobutanesulfonic acid, nonabromobutanesulfonic acid, triiodobutanesulfone Acid, nonaiodobutanesulfonic acid,

トリフルオロペンタンスルホン酸、パーフルオロペンタンスルホン酸、トリクロロペンタンスルホン酸、パークロロペンタンスルホン酸、トリブロモペンタンスルホン酸、パーブロモペンタンスルホン酸、トリヨードペンタンスルホン酸、パーヨードペンタンスルホン酸、トリフルオロヘキサンスルホン酸、パーフルオロヘキサンスルホン酸、トリクロロヘキサンスルホン酸、パークロロヘキサンスルホン酸、パーブロモヘキサンスルホン酸、パーヨードヘキサンスルホン酸、トリフルオロヘプタンスルホン酸、パーフルオロヘプタンスルホン酸、トリクロロヘプタンスルホン酸、パークロロヘプタンスルホン酸、パーブロモヘプタンスルホン酸、パーヨードヘプタンスルホン酸、トリフルオロオクタンスルホン酸、パーフルオロオクタンスルホン酸、トリクロロオクタンスルホン酸、パークロロオクタンスルホン酸、パーブロモオクタンスルホン酸、パーヨードオクタンスルホン酸、トリフルオロノナンスルホン酸、パーフルオロノナンスルホン酸、トリクロロノナンスルホン酸、パークロロノナンスルホン酸、パーブロモノテンスルホン酸、パーヨードノナンスルホン酸、トリフルオロデカンスルホン酸、パーフルオロデカンスルホン酸、トリクロロデカンスルホン酸、パークロロデカンスルホン酸、パーブロモデカンスルホン酸、パーヨードデカンスルホン酸、トリフルオロウンデカンスルホン酸、パーフルオロウンデカンスルホン酸、トリクロロウンデカンスルホン酸、パークロロウンデカンスルホン酸、パーブロモウンデカンスルホン酸、バーヨードウンデカンスルホン酸、トリフルオロドデカンスルホン酸、パーフルオロドデカンスルホン酸、トリクロロドデカンスルホン酸、パークロロドデカンスルホン酸、パーブロモドデカンスルホン酸、パーヨードドデカンスルホン酸、トリフルオロトリデカンスルホン酸、パーフルオロトリデカンスルホン酸、トリクロロトリデカンスルホン酸、パークロロトリデカンスルホン酸、パーブロモトリデカンスルホン酸、パーヨードトリデカンスルホン酸、 Trifluoropentanesulfonic acid, perfluoropentanesulfonic acid, trichloropentanesulfonic acid, perchloropentanesulfonic acid, tribromopentanesulfonic acid, perbromopentanesulfonic acid, triiodopentanesulfonic acid, periododopentanesulfonic acid, trifluorohexane Sulfonic acid, perfluorohexanesulfonic acid, trichlorohexanesulfonic acid, perchlorohexanesulfonic acid, perbromohexanesulfonic acid, periodohexanesulfonic acid, trifluoroheptanesulfonic acid, perfluoroheptanesulfonic acid, trichloroheptanesulfonic acid, perfluorohexane Chloroheptane sulfonic acid, perbromoheptane sulfonic acid, periodate heptane sulfonic acid, trifluorooctane sulfonic acid, perfluorooctance Phosphonic acid, trichlorooctane sulfonic acid, perchlorooctane sulfonic acid, perbromooctane sulfonic acid, periodooctane sulfonic acid, trifluorononane sulfonic acid, perfluorononane sulfonic acid, trichlorononane sulfonic acid, perchlorononane sulfonic acid, per Bromonotenesulfonic acid, periodononanesulfonic acid, trifluorodecanesulfonic acid, perfluorodecanesulfonic acid, trichlorodecanesulfonic acid, perchlorodecanesulfonic acid, perbromodecanesulfonic acid, periodododecanesulfonic acid, trifluoroundecane Sulfonic acid, perfluoroundecane sulfonic acid, trichloroundecane sulfonic acid, perchloroundecane sulfonic acid, perbromoundecane sulfonic acid, bayiodoundecane sulfone , Trifluorododecanesulfonic acid, perfluorododecanesulfonic acid, trichlorododecanesulfonic acid, perchlorododecanesulfonic acid, perbromododecanesulfonic acid, periodododecanesulfonic acid, trifluorotridecanesulfonic acid, perfluorotridecanesulfonic acid, trichloro Tridecanesulfonic acid, perchlorotridecanesulfonic acid, perbromotridecanesulfonic acid, periodotridecanesulfonic acid,

トリフルオロテトラデカンスルホン酸、パーフルオロテトラデカンスルホン酸、トリクロロテトラデカンスルホン酸、パークロロテトラデカンスルホン酸、パーブロモテトラデカンスルホン酸、パーヨードテトラデカンスルホン酸、トリフルオロペンタデカンスルホン酸、パーフルオロペンタデカンスルホン酸、トリクロロペンタデカンスルホン酸、パークロロペンタデカンスルホン酸、パーブロモペンタデカンスルホン酸、パーヨードペンタデカンスルホン酸、パーフルオロヘキサデカンスルホン酸、パークロロヘキサデカンスルホン酸、パーブロモヘキサデカンスルホン酸、パーヨードヘキサデカンスルホン酸、パーフルオロヘプタデカンスルホン酸、パークロロヘプタデカンスルホン酸、パーブロモへプタデカンスルホン酸、パーヨードヘプタデカンスルホン酸、パーフルオロオクタデカンスルホン酸、バークロロオクタデカンスルホン酸、パープロモオクタデカンスルホン酸、パーヨードオクタデカンスルホン酸、パーフルオロノナデカンスルホン酸、パークロロノナデカンスルホン酸、パーブロモノナデカンスルホン酸、パーヨードノナデカンスルホン酸、パーフルオロイコサンスルホン酸、パークロロイコサンスルホン酸、パーブロモイコサンスルホン酸、パーヨードイコサンスルホン酸、パーフルオロヘンイコサンスルホン酸、パークロロヘンイコサンスルホン酸、パーブロモヘンイコサンスルホン酸、パーヨードヘンイコサンスルホン酸、パーフルオロドコサンスルホン酸、パークロロドコサンスルホン酸、パーブロモドコサンスルホン酸、バーヨードドコサンスルホン酸、パーフルオロトリコサンスルホン酸、パークロロトリコサンスルホン酸、パーブロモトリコサンスルホン酸、パーヨードトリコサンスルホン酸、パーフルオロテトラコンサンスルホン酸、パークロロテトラコンサンスルホン酸、パーブロモテトラコンサンスルホン酸、パーヨードテトラコンサンスルホン酸等のハロアルキルスルホン酸; Trifluorotetradecanesulfonic acid, perfluorotetradecanesulfonic acid, trichlorotetradecanesulfonic acid, perchlorotetradecanesulfonic acid, perbromotetradecanesulfonic acid, periodotetradecanesulfonic acid, trifluoropentadecanesulfonic acid, perfluoropentadecanesulfonic acid, trichloropentadecanesulfonic acid Acid, perchloropentadecanesulfonic acid, perbromopentadecanesulfonic acid, periodopentadecanesulfonic acid, perfluorohexadecanesulfonic acid, perchlorohexadecanesulfonic acid, perbromohexadecanesulfonic acid, periodohexadecanesulfonic acid, perfluoroheptadecanesulfonic acid Perchloroheptadecanesulfonic acid, perbromoheptadecanesulfonic acid, perio Heptadecanesulfonic acid, perfluorooctadecanesulfonic acid, berchlorooctadecanesulfonic acid, perpromooctadecanesulfonic acid, periodooctadecanesulfonic acid, perfluorononadecanesulfonic acid, perchlorononadecanesulfonic acid, perbromononadecanesulfonic acid, Periodononadecanesulfonic acid, perfluoroicosanesulfonic acid, perchloroicosanesulfonic acid, perbromoicosanesulfonic acid, periodoicosanesulfonic acid, perfluoroheneicosansulfonic acid, perchlorohicosansulfonic acid , Perbromohedicosan sulfonic acid, periodohenicosan sulfonic acid, perfluorodocosane sulfonic acid, perchlorodocosane sulfonic acid, perbromodocosane sulfonic acid, baiodo docosanth Phosphonic acid, perfluorotricosansulfonic acid, perchlorotricosansulfonic acid, perbromotricosansulfonic acid, periodotricosanesulfonic acid, perfluorotetraconsansulfonic acid, perchlorotetraconsansulfonic acid, perbromotetracene Haloalkyl sulfonic acids such as consan sulfonic acid and periodotetracon san sulfonic acid;

例えば、シクロペンタンスルホン酸、シクロヘキサンスルホン酸等のシクロアルキルスルホン酸;
例えば、2−フルオロシクロペンタンスルホン酸、2−クロロシクロペンタンスルホン酸、2−ブロモシクロペンタンスルホン酸、2−ヨードシクロペンタンスルホン酸、3−フルオロシクロペンタンスルホン酸、8−クロロシクロペンタンスルホン酸、3−ブロモシクロペンタンスルホン酸、3−ヨードシクロペンタンスルホン酸、3,4−ジフルオロシクロペンタンスルホン酸、3,4−ジクロロシクロペンタンスルホン酸、3,4−ジブロモシクロペンタンスルホン酸、3,4−ジヨードシクロペンタンスルホン酸、4−フルオロシクロヘキサンスルホン酸、4−クロロシクロヘキサンスルホン酸、4−ブロモシクロヘキサンスルホン酸、4−ヨードシクロヘキサンスルホン酸、2,4−ジフルオロシクロヘキサンスルホン酸、2,4−ジクロロシクロヘキサンスルホン酸、2,4−ジブロモシクロヘキサンスルホン酸、2,4−ジヨードシクロヘキサンスルホン酸、2,4,6−トリフルオロシクロヘキサンスルホン酸、2,4,6−トリクロロシクロヘキサンスルホン酸、2,4,6−トリブロモシクロヘキサンスルホン酸、2,4,6−トリヨードシクロヘキサンスルホン酸、テトラフルオロシクロヘキサンスルホン酸、テトラクロロシクロヘキサンスルホン酸、テトラブロモシクロヘキサンスルホン酸、テトラヨードシクロヘキサンスルホン酸等のハロゲン化シクロアルキルスルホン酸;
For example, cycloalkyl sulfonic acids such as cyclopentane sulfonic acid and cyclohexane sulfonic acid;
For example, 2-fluorocyclopentanesulfonic acid, 2-chlorocyclopentanesulfonic acid, 2-bromocyclopentanesulfonic acid, 2-iodocyclopentanesulfonic acid, 3-fluorocyclopentanesulfonic acid, 8-chlorocyclopentanesulfonic acid, 3-bromocyclopentanesulfonic acid, 3-iodocyclopentanesulfonic acid, 3,4-difluorocyclopentanesulfonic acid, 3,4-dichlorocyclopentanesulfonic acid, 3,4-dibromocyclopentanesulfonic acid, 3,4- Diiodocyclopentanesulfonic acid, 4-fluorocyclohexanesulfonic acid, 4-chlorocyclohexanesulfonic acid, 4-bromocyclohexanesulfonic acid, 4-iodocyclohexanesulfonic acid, 2,4-difluorocyclohexanesulfonic acid, 2,4 Dichlorocyclohexanesulfonic acid, 2,4-dibromocyclohexanesulfonic acid, 2,4-diiodocyclohexanesulfonic acid, 2,4,6-trifluorocyclohexanesulfonic acid, 2,4,6-trichlorocyclohexanesulfonic acid, 2,4 Halogenated cycloalkyl such as 1,6-tribromocyclohexanesulfonic acid, 2,4,6-triiodocyclohexanesulfonic acid, tetrafluorocyclohexanesulfonic acid, tetrachlorocyclohexanesulfonic acid, tetrabromocyclohexanesulfonic acid, tetraiodocyclohexanesulfonic acid Sulfonic acid;

例えば、ベンゼンスルホン酸、ナンタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸、フェナントレンスルホン酸、ピレンスルホン酸等の芳香族スルホン酸;
例えば、2−フルオロベンゼンスルホン酸、3−フルオロベンゼンスルホン酸、4−フルオロベンゼンスルホン酸、2−クロロベンゼンスルホン酸、3−クロロベンゼンスルホン酸、4−クロロベンゼンスルホン酸、2−ブロモベンゼンスルホン酸、3−プロモベンゼンスルホン酸、4−ブロモベンゼンスルホン酸、2−ヨードベンゼンスルホン酸、4−ヨードベンゼンスルホン酸、2,4−ジフルオロベンゼンスルホン酸、2,6−ジフルオロベンゼンスルホン酸、2,4−ジクロロベンゼンスルホン酸、2,6−ジクロロベンゼンスルホン酸、2,4−ジブロモベンゼンスルホン酸、2,6−ジブロモベンゼンスルホン酸、2,4−ジヨードベンゼンスルホン酸、2,6−ジヨードベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリフルオロベンゼンスルホン酸、3,4,5−トリフルオロベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリクロロベンゼンスルホン酸、3,4,5−トリクロロベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリブロモベンゼンスルホン酸、3,4,5−トリブロモベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリヨードベンゼンスルホン酸、3,4,5−トリヨードベンゼンスルホン酸、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸、ペンタクロロベンゼンスルホン酸、ペンタブロモベンゼンスルホン酸、ペンタヨードベンゼンスルホン酸、フルオロナフタレンスルホン酸、クロロナフタレンスルホン酸、ブロモナフタレンスルホン酸、ヨードナフタレンスルホン酸、フルオロアントラセンスルホン酸、クロロアントラセンスルホン酸、ブロモアントラセンスルホン酸、ヨードアントンセンスルホン酸等のハロゲン化芳香接スルホン酸;
For example, aromatic sulfonic acids such as benzenesulfonic acid, nanthalenesulfonic acid, anthracenesulfonic acid, phenanthrenesulfonic acid, pyrenesulfonic acid;
For example, 2-fluorobenzenesulfonic acid, 3-fluorobenzenesulfonic acid, 4-fluorobenzenesulfonic acid, 2-chlorobenzenesulfonic acid, 3-chlorobenzenesulfonic acid, 4-chlorobenzenesulfonic acid, 2-bromobenzenesulfonic acid, 3- Promobenzenesulfonic acid, 4-bromobenzenesulfonic acid, 2-iodobenzenesulfonic acid, 4-iodobenzenesulfonic acid, 2,4-difluorobenzenesulfonic acid, 2,6-difluorobenzenesulfonic acid, 2,4-dichlorobenzene Sulfonic acid, 2,6-dichlorobenzenesulfonic acid, 2,4-dibromobenzenesulfonic acid, 2,6-dibromobenzenesulfonic acid, 2,4-diiodobenzenesulfonic acid, 2,6-diiodobenzenesulfonic acid, 2,4,6-trifluorobenze Sulfonic acid, 3,4,5-trifluorobenzenesulfonic acid, 2,4,6-trichlorobenzenesulfonic acid, 3,4,5-trichlorobenzenesulfonic acid, 2,4,6-tribromobenzenesulfonic acid, 3 , 4,5-tribromobenzenesulfonic acid, 2,4,6-triiodobenzenesulfonic acid, 3,4,5-triiodobenzenesulfonic acid, pentafluorobenzenesulfonic acid, pentachlorobenzenesulfonic acid, pentabromobenzenesulfone Acid, pentaiodobenzenesulfonic acid, fluoronaphthalenesulfonic acid, chloronaphthalenesulfonic acid, bromonaphthalenesulfonic acid, iodonaphthalenesulfonic acid, fluoroanthracenesulfonic acid, chloroanthracenesulfonic acid, bromoanthracenesulfonic acid, iodoanthone sense Halogenated aromatic contact sulfonic acids such as acid;

例えば、p−トルエンスルホン酸、4−イソプロピルベンゼンスルホン酸、3,5−ビス(トリメチル)ベンゼンスルホン酸、3,5−ビス(イソプロピル)ベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリス(トリメチル)ベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリス(イソプロピル)ベンゼンスルホン酸等のアルキル芳香族スルホン酸;
例えば、2−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸、2−トリクロロメチルベンゼンスルホン酸、2−トリブロモメチルベンゼンスルホン酸、2−トリヨードメチルベンゼンスルホン酸、3−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸、3−トリクロロメチルベンゼンスルホン酸、3−トリブロモメチルベンゼンスルホン酸、3−トリヨードメチルベンゼンスルホン酸、4−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸、4−トリクロロメチルベンゼンスルホン酸、4−トリブロモメチルベンゼンスルホン酸、4−トリヨードメチルベンゼンスルホン酸、2,6−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンスルホン酸、2,6−ビス(トリクロロメチル)ベンゼンスルホン酸、2,6−ビス(トリブロモメチル)ベンゼンスルホン酸、2,6−ビス(トリヨードメチル)ベンゼンスルホン酸、3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンスルホン酸、3,5−ビス(トリクロロメチル)ベンゼンスルホン酸、3,5−ビス(トリブロモメチル)ベンゼンスルホン酸、3,5−ビス(トリヨードメチル)ベンゼンスルホン酸等のハロゲン化アルキル芳香族スルホン酸;
例えば、ベンジルスルホン酸、フェネチルスルホン酸、フェニルプロピルスルホン酸、フェニルブチルスルホン酸、フェニルペンチルスルホン酸、フェニルヘキシルスルホン酸、フェニルヘプチルスルホン酸、フェニルオクチルスルホン酸、フェニルノニルスルホン酸等の芳香脂肪族スルホン酸;
For example, p-toluenesulfonic acid, 4-isopropylbenzenesulfonic acid, 3,5-bis (trimethyl) benzenesulfonic acid, 3,5-bis (isopropyl) benzenesulfonic acid, 2,4,6-tris (trimethyl) benzene Alkyl aromatic sulfonic acids such as sulfonic acid and 2,4,6-tris (isopropyl) benzenesulfonic acid;
For example, 2-trifluoromethylbenzenesulfonic acid, 2-trichloromethylbenzenesulfonic acid, 2-tribromomethylbenzenesulfonic acid, 2-triiodomethylbenzenesulfonic acid, 3-trifluoromethylbenzenesulfonic acid, 3-trichloromethyl Benzenesulfonic acid, 3-tribromomethylbenzenesulfonic acid, 3-triiodomethylbenzenesulfonic acid, 4-trifluoromethylbenzenesulfonic acid, 4-trichloromethylbenzenesulfonic acid, 4-tribromomethylbenzenesulfonic acid, 4- Triiodomethylbenzenesulfonic acid, 2,6-bis (trifluoromethyl) benzenesulfonic acid, 2,6-bis (trichloromethyl) benzenesulfonic acid, 2,6-bis (tribromomethyl) benzenesulfonic acid, 2, 6-bis ( Lyodomethyl) benzenesulfonic acid, 3,5-bis (trifluoromethyl) benzenesulfonic acid, 3,5-bis (trichloromethyl) benzenesulfonic acid, 3,5-bis (tribromomethyl) benzenesulfonic acid, 3,5 A halogenated alkyl aromatic sulfonic acid such as bis (triiodomethyl) benzenesulfonic acid;
For example, aromatic aliphatic sulfones such as benzyl sulfonic acid, phenethyl sulfonic acid, phenyl propyl sulfonic acid, phenyl butyl sulfonic acid, phenyl pentyl sulfonic acid, phenyl hexyl sulfonic acid, phenyl heptyl sulfonic acid, phenyl octyl sulfonic acid, and phenyl nonyl sulfonic acid acid;

例えば、4−フルオロフェニルメチルスルホン酸、4−クロロフェニルメチルスルホン酸、4−ブロモフェニルメチルスルホン酸、4−ヨードフェニルメチルスルホン酸、テトラフルオロフェニルメチルスルホン酸、チトラクロロフェニルメチルスルホン酸、テトラブロモフェニルメチルスルホン酸、テトラヨードフェニルメチルスルホン酸、4−フルオロフェニルエチルスルホン酸、4−クロロフェニルエチルスルホン酸、4−ブロモフェニルエチルスルホン酸、4−ヨードフェニルエチルスルホン酸.4−フルオロフェニルプロピルスルホン酸、4−クロロフェニルプロピルスルホン酸、4−ブロモフェニルプロピルスルホン酸、4−ヨードフェニルプロピルスルホン酸、4−フルオロフェニルブチルスルホン酸、4−クロロフェニルブチルスルホン酸、4−ブロモフェニルブチルスルホン酸、4−ヨードフェニルブチルスルホン酸等のハロゲン化芳香脂肪族スルホン酸;
例えば、カンファースルホン酸、アダマンタンカルボン酸等の脂環式スルホン酸;等が挙げられる。
中でも、入手性、製造適性の面から、トリフルオロメタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸が特に好ましい。
For example, 4-fluorophenylmethylsulfonic acid, 4-chlorophenylmethylsulfonic acid, 4-bromophenylmethylsulfonic acid, 4-iodophenylmethylsulfonic acid, tetrafluorophenylmethylsulfonic acid, titrachlorophenylmethylsulfonic acid, tetrabromophenylmethyl Sulfonic acid, tetraiodophenylmethylsulfonic acid, 4-fluorophenylethylsulfonic acid, 4-chlorophenylethylsulfonic acid, 4-bromophenylethylsulfonic acid, 4-iodophenylethylsulfonic acid. 4-fluorophenylpropylsulfonic acid, 4-chlorophenylpropylsulfonic acid, 4-bromophenylpropylsulfonic acid, 4-iodophenylpropylsulfonic acid, 4-fluorophenylbutylsulfonic acid, 4-chlorophenylbutylsulfonic acid, 4-bromophenyl Halogenated aromatic aliphatic sulfonic acids such as butylsulfonic acid and 4-iodophenylbutylsulfonic acid;
Examples thereof include alicyclic sulfonic acids such as camphorsulfonic acid and adamantanecarboxylic acid.
Among these, trifluoromethanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, and methanesulfonic acid are particularly preferable from the viewpoints of availability and production suitability.

上記X-で表される残基の由来となるpKaが5未満であるカルボン酸化合物の具体例としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ラウリル酸、トリデカン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、イコサン酸、ヘンイコサン酸、ドコサン酸、トリコサン酸等の脂肪族不飽和カルボン酸;
例えば、フルオロ酢酸、クロロ酢酸、ブロモ酢酸、ヨード酢酸、ジフルオロ酢酸、ジクロロ酢酸、ジブロモ酢酸、ジヨード酢酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリブロモ酢酸、トリヨード酢酸、2−フルオロプ口ピオン酸、2−クロロプロピオン酸、2−ブロモプロピオン酸、2−ヨードプロピオン酸、トリフルオロプロピオン酸、トリクロロプロピオン酸、ペンタフルオロプロピォン酸、ペンタクロロプロピオン酸、ペンタブロモプ口ピオン酸、ペンタヨードプロピオン酸、2,2−ビス(トリフルオロメチル)プロピオン酸、2,2−ビス(トリクロロメチル)プロピオン酸、2,2−ビス(トリブロモメチル)プロピオン酸、2,2−ビス(トリヨードメチル)プロピオン酸、トリフルオロ酪酸、トリクロロ酪酸、ペンタフルオロ酪酸、ヘプタクロロ酪酸、ヘプタフルオロ酪酸、へプタブロモ酪酸、ヘプタヨード酪酸、ヘプタフルオロイソ酪酸、ヘプタクロロイソ酪酸、ヘプタブロモイソ酪酸、ヘプタヨードイソ酪酸、トリフルオロ吉草酸、5H−パーフルオロ吉草酸、5H−パークロロ吉草酸、5H−パープロモ吉草酸、5H−パーヨード吉草酸、ノナフルオロ吉草酸、ノナクロロ吉草酸、ノナブロモ吉草酸、ノナヨード吉草酸、トリフルオロヘキサン酸、トリクロロヘキサン酸、パーフルオロヘキサン酸、パークロロヘキサン酸、パーブロモヘキサン酸、パーヨードヘキサン酸、7−クロロドデカフルオロヘプタン酸、7−クロロドデカクロロヘプタン酸、7−クロロドデカブロモヘプタン酸、7−クロロドデカヨードヘプタン酸、トリフルオロヘプタン酸、トリクロロヘプタン酸、7H−パーフルオロヘプタン酸、7H−パークロロヘプタン酸、7H−パーブロモヘプタン酸、7H−パーヨードヘプタン酸、
Specific examples of the carboxylic acid compound from which the pKa derived from the residue represented by X is less than 5 include, for example, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid, valeric acid, isovaleric acid, and pival. Acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, undecanoic acid, lauric acid, tridecanoic acid, myristic acid, pentadecanoic acid, palmitic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, nonadecanoic acid, icosanoic acid, henicosanoic acid, Aliphatic unsaturated carboxylic acids such as docosanoic acid and tricosanoic acid;
For example, fluoroacetic acid, chloroacetic acid, bromoacetic acid, iodoacetic acid, difluoroacetic acid, dichloroacetic acid, dibromoacetic acid, diiodoacetic acid, trifluoroacetic acid, trichloroacetic acid, tribromoacetic acid, triiodoacetic acid, 2-fluoropropionic acid, 2-chloropropion Acid, 2-bromopropionic acid, 2-iodopropionic acid, trifluoropropionic acid, trichloropropionic acid, pentafluoropropionic acid, pentachloropropionic acid, pentabromopropionic acid, pentaiodopropionic acid, 2,2-bis (Trifluoromethyl) propionic acid, 2,2-bis (trichloromethyl) propionic acid, 2,2-bis (tribromomethyl) propionic acid, 2,2-bis (triiodomethyl) propionic acid, trifluorobutyric acid, Trichlorobutyric acid, pentaful Robutyric acid, heptachlorobutyric acid, heptafluorobutyric acid, heptabromobutyric acid, heptaiobutyric acid, heptafluoroisobutyric acid, heptachloroisobutyric acid, heptabromoisobutyric acid, heptaiodoisobutyric acid, trifluorovaleric acid, 5H-perfluorovaleric acid, 5H-perchloro Valeric acid, 5H-perpromovaleric acid, 5H-periodovaleric acid, nonafluorovaleric acid, nonachlorovaleric acid, nonabromovaleric acid, nonaiodovaleric acid, trifluorohexanoic acid, trichlorohexanoic acid, perfluorohexanoic acid, perchlorohexanoic acid, Perbromohexanoic acid, periodiohexanoic acid, 7-chlorododecafluoroheptanoic acid, 7-chlorododecachloroheptanoic acid, 7-chlorododecabromoheptanoic acid, 7-chlorododecaiodoheptanoic acid, trifluoroheptanoic acid, Chloro heptanoic acid, 7H-perfluoroheptanoic acid, 7H-perchlorethylene heptanoic acid, 7H-Per-bromo heptanoic acid, 7H-per-iodo-heptanoic acid,

トリフルオロオクタン酸、トリクロロオクタン酸、ペンタデカフルオロオクタン酸、ペンタデカクロロオクタン酸、ペンタデカブロモオクタン酸、ペンタデ力ヨードオクタン酸、トリフルオロノナン酸、トリクロロノナン酸、9H−ヘキサデカフルオロノナン酸、9H−ヘキサデカクロロノナン酸、9H−ヘキサデカブロモノナン酸、9H−ヘキサデカヨードノナン酸、パーフルオロノナン酸、パークロロノナン酸、パーブロモノナン酸、パーヨードノナン酸、トリフルオロデカン酸、トリクロロデカン酸、ノナデカフルオロデカン酸、ノナデカクロロデカン酸、ノナデカブロモデカン酸、ノナデカヨードデカン酸、トリフルオロウンデカン酸、トリクロロウンデカン酸、パーフルオロウンデカン酸、パークロロウンデカン酸、パーブロモウンデカン酸、パーヨードウンデカン酸、トリフルオロドデカン酸、トリクロロドデカン酸、パーフルオロドデカン酸、パークロロドデカン酸、パーブロモドデカン酸、パーヨードドデカン酸、トリフルオロトリデカン酸、トリクロロトリデカン酸、パーフルオロトリデカン酸、パークロロトリデカン酸、パーブロモトリデカン酸、パーヨードトリデカン酸、トリフルオロテトラデカン酸、トリクロロテトラデカン酸、パーフルオロテトラデカン酸、パークロロテトラデカン酸、パーブロモテトラデカン酸、パーヨードテトラデカン酸、トリフルオロペンタデカン酸、トリクロロペンタデカン酸、パーフルオロペンタデカン酸、パークロロペンタデカン酸、パーブロモペンタデカン酸、パーヨードペンタデカン酸、パーフルオロヘキサデカン酸、パークロロヘキサデカン酸、パーブロモヘキサデカン酸、パーヨードヘキサデカン酸、パーフルオロヘブタデカン酸、パークロロヘプタデカン酸、パーブロモヘプタデカン酸、パーヨードヘプタデカン酸、パーフルオロオクタデカン酸、パークロロオクタデカン酸、パーブロモオクタデカン酸、パーヨードオクタデカン酸、パーフルオロノナデカン酸、パークロロノナデカン酸、パーブロモノナデカン酸、パーヨードノナデカン酸、パーフルオロイコサン酸、パークロロイコサン酸、パーブロモイコサン酸、バーヨードイコサン酸、パーフルオロヘンイコサン酸、パークロロヘンイコサン酸、パーブロモヘンイコサン酸、パーヨードヘンイコサン酸、パーフルオロドコサン酸、パークロロドコサン酸、パーブロモドコサン酸、パーヨードドコサン酸、パーフルオロトリコサン酸、パークロロトリコサン酸、パーブロモトリコサン酸、パーヨードトリコサン酸等のハロゲン化飽和脂肪酸カルボン酸; Trifluorooctanoic acid, trichlorooctanoic acid, pentadecafluorooctanoic acid, pentadecachlorooctanoic acid, pentadecabromooctanoic acid, pentadeoxyiodooctanoic acid, trifluorononanoic acid, trichlorononanoic acid, 9H-hexadecafluorononanoic acid, 9H-hexadecachlorononanoic acid, 9H-hexadecabromononanoic acid, 9H-hexadecaiodononanoic acid, perfluorononanoic acid, perchlorononanoic acid, perbromononanoic acid, periodononanoic acid, trifluorodecanoic acid, trichlorodecanoic acid , Nonadecafluorodecanoic acid, nonadecachlorodecanoic acid, nonadecabromodecanoic acid, nonadecanoiododecanoic acid, trifluoroundecanoic acid, trichloroundecanoic acid, perfluoroundecanoic acid, perchloroundecanoic acid, perbromo Decanoic acid, periodododecanoic acid, trifluorododecanoic acid, trichlorododecanoic acid, perfluorododecanoic acid, perchlorododecanoic acid, perbromododecanoic acid, periodododecanoic acid, trifluorotridecanoic acid, trichlorotridecanoic acid, perfluorotridecanoic acid Decanoic acid, perchlorotridecanoic acid, perbromotridecanoic acid, periodotridecanoic acid, trifluorotetradecanoic acid, trichlorotetradecanoic acid, perfluorotetradecanoic acid, perchlorotetradecanoic acid, perbromotetradecanoic acid, periodotetradecanoic acid, Trifluoropentadecanoic acid, trichloropentadecanoic acid, perfluoropentadecanoic acid, perchloropentadecanoic acid, perbromopentadecanoic acid, periodopentadecanoic acid, perfluorohexadecanoic acid Perchlorohexadecanoic acid, perbromohexadecanoic acid, periodohexadecanoic acid, perfluorohebutadecanoic acid, perchloroheptadecanoic acid, perbromoheptadecanoic acid, periodoheptadecanoic acid, perfluorooctadecanoic acid, perchlorooctadecanoic acid, Perbromooctadecanoic acid, periodooctadecanoic acid, perfluorononadecanoic acid, perchlorononadecanoic acid, perbromononadecanoic acid, periodononadecanoic acid, perfluoroicosanoic acid, perchloroicosanoic acid, perbromoicosano Acid, valiodoicosanoic acid, perfluorohenicosanoic acid, perchlorohenicosanoic acid, perbromohenicosanoic acid, periodohenicosanoic acid, perfluorodocosanoic acid, perchlorodocosanoic acid, perbromo Docosanoic acid, periodate doco Halogenated saturated fatty acid carboxylic acids such as sanic acid, perfluorotricosanoic acid, perchlorotricosanoic acid, perbromotricosanoic acid, and periodotricosanoic acid;

例えば、グリコール酸、乳酸、グリセリン酸、3−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸等のヒドロキシ脂肪族カルボン酸;
例えば、3−ヒドロキシ−2−(トリフルオロメチル)プロピオン酸、3−ヒドロキシ−2−(トリクロロメチル)プロピオン酸、3−ヒドロキシ−2−(トリブロモメチル)プロピオン酸、3−ヒドロキシ−2−(トリヨードメチル)プロピオン酸、2−ヒドロキシ−2−(トリフルオロメチル)酪酸、2−ヒドロキシ−2−(トリクロロメチル)酪酸、2−ヒドロキシ−2−(トリブロモメチル)酪酸、2−ヒドロキシ−2−(トリヨードメチル)酪酸等のハロゲン化とドロキン脂肪族カルボン酸;
例えば、シクロヘキサンカルボン酸、樟脳酸、アダマンタン酸等の脂環式カルボン酸;
例えば、4−フルオロシクロヘキサンカルボン酸、4−クロロシクロヘキサンカルボン酸、4−ブロモシクロヘキサンカルボン酸、4−ヨードシクロヘキサンカルボン酸、ペンタフルオロシクロヘキサンカルボン酸、ペンタクロロシクロヘキサンカルボン酸、ペンタブロモシクロヘキサンカルボン酸、ペンタヨードシクロヘキサンカルボン酸、4−(トリフルオロメチル)シクロヘキサンカルボン酸、4−(トリクロロメチル)シクロヘキサンカルボン酸、4−(トリブロモメチル)シクロヘキサンカルボン酸、4−(トリヨードメチル)シクロヘキサンカルボン酸等のハロゲン化脂環式カルボン酸;
For example, hydroxy aliphatic carboxylic acids such as glycolic acid, lactic acid, glyceric acid, 3-hydroxy-2-methylpropionic acid;
For example, 3-hydroxy-2- (trifluoromethyl) propionic acid, 3-hydroxy-2- (trichloromethyl) propionic acid, 3-hydroxy-2- (tribromomethyl) propionic acid, 3-hydroxy-2- ( Triiodomethyl) propionic acid, 2-hydroxy-2- (trifluoromethyl) butyric acid, 2-hydroxy-2- (trichloromethyl) butyric acid, 2-hydroxy-2- (tribromomethyl) butyric acid, 2-hydroxy-2 -Halogenation such as (triiodomethyl) butyric acid and droquine aliphatic carboxylic acid;
For example, cycloaliphatic carboxylic acids such as cyclohexanecarboxylic acid, camphoric acid, adamantanoic acid;
For example, 4-fluorocyclohexanecarboxylic acid, 4-chlorocyclohexanecarboxylic acid, 4-bromocyclohexanecarboxylic acid, 4-iodocyclohexanecarboxylic acid, pentafluorocyclohexanecarboxylic acid, pentachlorocyclohexanecarboxylic acid, pentabromocyclohexanecarboxylic acid, pentaiodo Halogenation of cyclohexanecarboxylic acid, 4- (trifluoromethyl) cyclohexanecarboxylic acid, 4- (trichloromethyl) cyclohexanecarboxylic acid, 4- (tribromomethyl) cyclohexanecarboxylic acid, 4- (triiodomethyl) cyclohexanecarboxylic acid, etc. Alicyclic carboxylic acids;

例えば、安息香酸、ナフトエ酸、アントラセンカルボン酸、ピレンカルボン酸、ピリレンカルボン酸、ペンタフェンカルボン酸等の芳香族カルボン酸;
例えば、フルオロ安息香酸、クロロ安息香酸、ブロモ安息香酸、ヨード安息香酸、ジフルオロ安息香酸、ジクロロ安息香酸、ジブロモ安息香酸、ジヨード安息香酸、トリフルオロ安息香酸、トリクロロ安息香酸、トリブロモ安息香酸、トリヨード安息香酸、テトラフルオロ安息香酸、テトラクロロ安息香酸、テトラブロモ安息香酸、テトラヨード安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、ペンタクロロ安息香酸、ペンタブロモ安息香酸、ペンタヨード安息香酸、フルオロナフトエ酸、クロロナフトエ酸、ブロモナフトエ酸、ヨードナフトエ酸、パーフルオロナフトエ酸、パークロロナフトエ酸、パーブロモナフトエ酸、パーヨードナフトエ酸、フルオロアントラセンカルボン酸、クロロアントラセンカルボン酸、ブロモアントンセンカルボン酸、ヨードアントラセンカルボン酸、パーフルオロアントラセンカルボン酸、パークロロアントラセンカルボン酸、パーブロモアントラセンカルボン酸、パーヨードアントラセンカルボン酸等のハロゲン化芳香族カルボン酸、ベンゾイル蟻酸;
For example, aromatic carboxylic acids such as benzoic acid, naphthoic acid, anthracene carboxylic acid, pyrene carboxylic acid, pyrylene carboxylic acid, pentaphen carboxylic acid;
For example, fluorobenzoic acid, chlorobenzoic acid, bromobenzoic acid, iodobenzoic acid, difluorobenzoic acid, dichlorobenzoic acid, dibromobenzoic acid, diiodobenzoic acid, trifluorobenzoic acid, trichlorobenzoic acid, tribromobenzoic acid, triiodobenzoic acid , Tetrafluorobenzoic acid, tetrachlorobenzoic acid, tetrabromobenzoic acid, tetraiodobenzoic acid, pentafluorobenzoic acid, pentachlorobenzoic acid, pentabromobenzoic acid, pentaiodobenzoic acid, fluoronaphthoic acid, chloronaphthoic acid, bromonaphthoic acid, iodonaphthoic acid Perfluoronaphthoic acid, perchloronaphthoic acid, perbromonaphthoic acid, periodonaphthoic acid, fluoroanthracene carboxylic acid, chloroanthracene carboxylic acid, bromoanthanthene carboxylic acid, Over de-anthracene carboxylic acid, perfluoro-anthracene carboxylic acid, perchlorethylene anthracene carboxylic acid, perfluoro-bromo-anthracene carboxylic acid, halogenated aromatic carboxylic acids such as per-iodo-anthracene carboxylic acid, benzoyl formic acid;

例えば、トルイル酸、2,4,6−トリ(イソプロピル)安息香酸等のアルキル芳香族カルボン酸;
例えば、2−トリフルオロメチル安息香酸、2−トリクロロメチル安息香酸、2−トリブロモメチル安息香酸、2−トリヨードメチル安息香酸、3−トリフルオロメチル安息香酸、3−トリクロロメチル安息香酸、3−トリブロモメチル安息香酸、3−トリヨードメチル安息香酸、4−トリフルオロメチル安息香酸、4−トリクロロメチル安息香酸、4−トリブロモメチル安息香酸、4−トリヨードメチル安息香酸、2−フルオロ−4−(トリフルオロメチル)安息香酸、2−クロロ−4−(トリクロロメチル)安息香酸、2−ブロモ−4−(トリブロモメチル)安息香酸、2,3,4−トリフルオロ−6−(トリフルオロメチル)安息香酸、2,3,4−トリクロロ−6−(トリクロロメチル)安息香酸、2,3,4−トリブロモ−6−(トリブロモメチル)安息香酸、2,3,4−トリヨード−6−(トリヨードメチル)安息香酸、2−ヨード−4−(トリヨードメチル)安息香酸、2,4−ビス(トリフルオロメチル)安息香酸、2,4−ビス(トリクロロメチル)安息香酸、2,4−ビス(トリブロモメチル)安息香酸、2,4−ビス(トリヨードメチル)安息香酸、2,6−ビス(トリフルオロメチル)安息香酸、2,6−ビス(トリクロロメチル)安息香酸、2,6−ビス(トリブロモメチル)安息香酸、2,6−ビス(トリヨードメチル)安息香酸、3,5−ビス(トリフルオロメチル)安息香酸、3,5−ビス(トリクロロメチル)安息香酸、3,5−ビス(トリブロモメチル)安息香酸、3,5−ビス(トリヨードメチル)安息香酸、2,4,6−トリス(トリフルオロメチル)安息香酸、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)安息香酸、2,4,6−トリス(トリブロモメチル)安息香酸、2,4,6−トリス(トリヨードメチル)安息香酸、2−クロロ−6−フルオロ−3−メチル安息香酸、トリフルオロメチルナフトエ酸、トリクロロメチルナフトエ酸、トリブロモメチルナフトエ酸、トリヨードメチルナフトエ酸、
For example, alkyl aromatic carboxylic acids such as toluic acid and 2,4,6-tri (isopropyl) benzoic acid;
For example, 2-trifluoromethylbenzoic acid, 2-trichloromethylbenzoic acid, 2-tribromomethylbenzoic acid, 2-triiodomethylbenzoic acid, 3-trifluoromethylbenzoic acid, 3-trichloromethylbenzoic acid, 3- Tribromomethylbenzoic acid, 3-triiodomethylbenzoic acid, 4-trifluoromethylbenzoic acid, 4-trichloromethylbenzoic acid, 4-tribromomethylbenzoic acid, 4-triiodomethylbenzoic acid, 2-fluoro-4 -(Trifluoromethyl) benzoic acid, 2-chloro-4- (trichloromethyl) benzoic acid, 2-bromo-4- (tribromomethyl) benzoic acid, 2,3,4-trifluoro-6- (trifluoro Methyl) benzoic acid, 2,3,4-trichloro-6- (trichloromethyl) benzoic acid, 2,3,4-tribromo-6- ( (Ribromomethyl) benzoic acid, 2,3,4-triiodo-6- (triiodomethyl) benzoic acid, 2-iodo-4- (triiodomethyl) benzoic acid, 2,4-bis (trifluoromethyl) benzoic acid, 2,4-bis (trichloromethyl) benzoic acid, 2,4-bis (tribromomethyl) benzoic acid, 2,4-bis (triiodomethyl) benzoic acid, 2,6-bis (trifluoromethyl) benzoic acid 2,6-bis (trichloromethyl) benzoic acid, 2,6-bis (tribromomethyl) benzoic acid, 2,6-bis (triiodomethyl) benzoic acid, 3,5-bis (trifluoromethyl) benzoic acid Acid, 3,5-bis (trichloromethyl) benzoic acid, 3,5-bis (tribromomethyl) benzoic acid, 3,5-bis (triiodomethyl) benzoic acid, 2,4,6-tris (tri Fluoromethyl) benzoic acid, 2,4,6-tris (trichloromethyl) benzoic acid, 2,4,6-tris (tribromomethyl) benzoic acid, 2,4,6-tris (triiodomethyl) benzoic acid, 2, -Chloro-6-fluoro-3-methylbenzoic acid, trifluoromethylnaphthoic acid, trichloromethylnaphthoic acid, tribromomethylnaphthoic acid, triiodomethylnaphthoic acid,

ビス(トリフルオロメチル)ナフトエ酸、ビス(トリクロロメチル)ナフトエ酸、ビス(トリブロモメチル)ナフトエ酸、ビス(トリヨードメチル)ナフトエ酸、トリス(トリフルオロメチル)ナフトエ酸、トリス(トリクロロメチル)ナフトエ酸、トリス(トリブロモメチル)ナフトエ酸、トリス(トリヨードメチル)ナフトエ酸、トリフルオロメチルアントラセンカルボン酸、トリクロロメチルアントラセンカルボン酸、トリブロモメチルアントラセンカルボン酸、トリヨードメチルアントラセンカルボン酸等のハロアルキル芳香族カルボン酸;
例えば、アニス酸、ベルトラム酸、o−ベルトラム酸等のアルコキシ芳香族カルボン酸;
例えば、4−トリフルオロメトキシ安息香酸、4−トリクロロメトキシ安息香酸、4−トリブロモメトキシ安息香酸、4−トリヨードメトキシ安息香酸、4−ペンタフルオロエトキシ安息香酸、4−ペンタクロロエトキン安息香酸、4−ペンタブロモエトキシ安息香酸、4−ペンタヨードエトキシ安息香酸、3,4−ビス(トリフルオロメトキシ)安息香酸、3,4−ビス(トリクロロメトキシ)安息香酸、3,4−ビス(トリブロモメトキシ)安息香酸、3,4−ビス(トリヨードメトキシ)安息香酸、2,5−ビス(2,2,2−トリフルオロエトキシ)安息香酸、2,5−ビス(2,2,2−トリクロロエトキシ)安息香酸、2,5−ビス(2,2,2−トリブロモエトキシ)安息香酸、2,5−ビス(2,2,2−トリヨードエトキシ)安息香酸等のハロアルコキシ芳香族カルボン酸;
例えば、サリチル酸、o−ピロカテク酸、α−レゾルシル酸、ゲンテジン酸、α−レゾルシル酸、プロトカテク酸、α−レゾルシル酸、没食子酸等のヒドロキシ芳香族カルボン酸;
例えば、バニリン酸、イソバニリン酸等のヒドロキシアルコキシ芳香族カルボン酸;
例えば、トリニトロ安息香酸等のニトロ芳香族カルボン酸;
例えば、アントラニル酸等のアミノ芳香族カルボン酸;
例えば、α−トルイル酸、ヒドロ桂皮酸、ヒドロアトロパ酸、3−フェニルプロピオン酸、4−フェニル酪酸、5−フェニルペンタン酸、6−フェニルヘキサン酸、7−フェニルヘプタン酸、6−(2−ナフチル)ヘキサン酸等の芳香脂肪族カルボン酸;
例えば、ホモゲンチジン酸等のヒドロキシ芳香脂肪族カルボン酸;
例えば、マンデル酸、ベンジル酸、アトロラクチン酸、トロパ酸、アトログリセリン酸等の芳香族ヒドロキシアルキルカルボン酸;
例えば、2−ホルミル酢酸、アセト酢酸、3−ベンゾイルプロピオン酸等、4−ホルミル酪酸、3−オキソ吉草酸、5−オキソ吉草酸、3,5−ジオキソ吉草酸、6−ホルミルヘキサンカルボン酸、2−オキソ−1−シクロヘキサンカルボン酸、4−(2−オキソブチル)安息香酸、p−(3−ホルミルプロピル)安息香酸、4−ホルミルフェニル酢酸、β−オキソシクロヘキサンプロピオン酸、ピルビン酸等のオキソカルボン酸が挙げられる。
中でも、ベンゾイル蟻酸、酢酸、安息香酸が特に好ましい。
Bis (trifluoromethyl) naphthoic acid, bis (trichloromethyl) naphthoic acid, bis (tribromomethyl) naphthoic acid, bis (triiodomethyl) naphthoic acid, tris (trifluoromethyl) naphthoic acid, tris (trichloromethyl) naphthoic acid Haloalkyl aromatics such as acids, tris (tribromomethyl) naphthoic acid, tris (triiodomethyl) naphthoic acid, trifluoromethylanthracene carboxylic acid, trichloromethylanthracene carboxylic acid, tribromomethylanthracene carboxylic acid, triiodomethylanthracene carboxylic acid Group carboxylic acids;
For example, an alkoxy aromatic carboxylic acid such as anisic acid, betramic acid, o-bertramic acid;
For example, 4-trifluoromethoxybenzoic acid, 4-trichloromethoxybenzoic acid, 4-tribromomethoxybenzoic acid, 4-triiodomethoxybenzoic acid, 4-pentafluoroethoxybenzoic acid, 4-pentachloroethoquinbenzoic acid, 4-pentabromoethoxybenzoic acid, 4-pentaiodoethoxybenzoic acid, 3,4-bis (trifluoromethoxy) benzoic acid, 3,4-bis (trichloromethoxy) benzoic acid, 3,4-bis (tribromomethoxy) ) Benzoic acid, 3,4-bis (triiodomethoxy) benzoic acid, 2,5-bis (2,2,2-trifluoroethoxy) benzoic acid, 2,5-bis (2,2,2-trichloroethoxy) ) Benzoic acid, 2,5-bis (2,2,2-tribromoethoxy) benzoic acid, 2,5-bis (2,2,2-triiodoethoxy) ) Haloalkoxy aromatic carboxylic acids such as benzoic acid;
For example, hydroxy aromatic carboxylic acids such as salicylic acid, o-pyrocatechuic acid, α-resorcylic acid, gentesic acid, α-resorcylic acid, protocatechuic acid, α-resorcylic acid, gallic acid and the like;
For example, hydroxyalkoxy aromatic carboxylic acids such as vanillic acid and isovanillic acid;
For example, nitroaromatic carboxylic acids such as trinitrobenzoic acid;
For example, an amino aromatic carboxylic acid such as anthranilic acid;
For example, α-toluic acid, hydrocinnamic acid, hydroatropic acid, 3-phenylpropionic acid, 4-phenylbutyric acid, 5-phenylpentanoic acid, 6-phenylhexanoic acid, 7-phenylheptanoic acid, 6- (2-naphthyl) Araliphatic carboxylic acids such as hexanoic acid;
For example, hydroxyaromatic carboxylic acids such as homogentisic acid;
For example, aromatic hydroxyalkyl carboxylic acids such as mandelic acid, benzylic acid, atrolactic acid, tropic acid, atroglyceric acid;
For example, 2-formylacetic acid, acetoacetic acid, 3-benzoylpropionic acid, 4-formylbutyric acid, 3-oxovaleric acid, 5-oxovaleric acid, 3,5-dioxovaleric acid, 6-formylhexanecarboxylic acid, 2 -Oxo-1-cyclohexanecarboxylic acid, 4- (2-oxobutyl) benzoic acid, p- (3-formylpropyl) benzoic acid, 4-formylphenylacetic acid, β-oxocyclohexanepropionic acid, pyruvic acid, and other oxocarboxylic acids Is mentioned.
Among these, benzoyl formic acid, acetic acid, and benzoic acid are particularly preferable.

上記のような特定スルホニウム塩の具体例を、カチオン部とアニオン部とに分けて以下に示すが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、下記に示すカチオン部とアニオン部は、任意に組み合わせて特定スルホニウム塩を形成することができる。   Specific examples of the specific sulfonium salt as described above are shown below by dividing them into a cation portion and an anion portion, but the present invention is not limited thereto. In addition, the cation part and the anion part shown below can be arbitrarily combined to form a specific sulfonium salt.

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(本発明における特定スルホニウム塩の合成)
本発明に用いられる特定スルホニウム塩は以下の方法により合成することができる。
まず、酸基を含有するスルホニウム塩構造を有する化合物は、一般的にはスルフィド化合物と芳香族化合物とのフリーデル・クラフト反応、グリニア反応、により合成できる。合成方法は、例えば、J.Amer.Chem.Soc.第112巻(16)、1990年;pp6004−6015、J.Org.Chem.1988年;pp5571−5573、WO02/081439A1パンフレット、或いは欧州特許(EP)第1113005号明細書等に記載されている。その後、酸基を含有するスルホニウム塩をProtective Groups In Organic Synthesis(Second Edition)”,Theodora W.Greene,Peter G.M.Wuts著、John Wiley & Sons inc.出版、1991に記載の方法にて保護することにより合成することができる。
(Synthesis of specific sulfonium salt in the present invention)
The specific sulfonium salt used in the present invention can be synthesized by the following method.
First, a compound having a sulfonium salt structure containing an acid group can be generally synthesized by Friedel-Craft reaction or Grineer reaction of a sulfide compound and an aromatic compound. The synthesis method is described, for example, in J. Org. Amer. Chem. Soc. 112 (16), 1990; pp 6004-6015, J. MoI. Org. Chem. 1988; pp 5571-5573, WO 02/081439 A1 pamphlet, or European Patent (EP) No. 1113005. Subsequently, sulfonium salts containing acid groups are described in Protective Groups In Organic Synthesis (Second Edition) ”, Theodora W. Greene, Peter G. M. Wuts, John Wiley & Sons 91, published by John Wiley & Sons. Can be synthesized.

本発明における記録層において、このような特定スルホニウム塩の含有量は、感度及び非画像部の汚れ性の観点から、記録層全固形分中、0.1〜50質量%であることが好ましく、0.5〜50質量%であることがより好ましく、1〜40質量%であることが特に好ましい。
なお、特定スルホニウム塩は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
In the recording layer in the present invention, the content of the specific sulfonium salt is preferably 0.1 to 50% by mass in the total solid content of the recording layer from the viewpoint of sensitivity and soiling property of the non-image area. More preferably, it is 0.5-50 mass%, and it is especially preferable that it is 1-40 mass%.
In addition, specific sulfonium salt may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

なお、本発明における記録層には、上記の特定スルホニウム塩以外の一般的なオニウム塩を溶解抑制剤として併用することができる。このような一般的なオニウム塩については下記のその他の成分において説明する。
上記の特定スルホニウム塩と一般的なオニウム塩とを併用する場合、一般的なオニウム塩は、特定スルホニウム塩に対し、0〜30質量%の範囲で併用することができ、好ましくは0.5〜15質量%の範囲である。
In the recording layer of the present invention, a general onium salt other than the specific sulfonium salt can be used in combination as a dissolution inhibitor. Such general onium salts will be described in the following other components.
When the specific sulfonium salt and the general onium salt are used in combination, the general onium salt can be used in the range of 0 to 30% by mass with respect to the specific sulfonium salt, preferably 0.5 to It is in the range of 15% by mass.

〔(A)水不溶且つアルカリ可溶性樹脂〕
本発明における記録層を構成する(A)水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂(以下、適宜、アルカリ可溶性樹脂と称する。)としては、高分子中の主鎖及び/又は側鎖に酸性基を含有する単独重合体、これらの共重合体、又はこれらの混合物を包含する。
中でも、下記(1)〜(6)に挙げる酸性基を高分子の主鎖及び/又は側鎖中に有するものが、アルカリ性現像液に対する溶解性の点、溶解抑制能発現の点で好ましい。
[(A) Water-insoluble and alkali-soluble resin]
As the (A) water-insoluble and alkali-soluble resin (hereinafter, appropriately referred to as alkali-soluble resin) constituting the recording layer in the invention, an acid group is contained alone in the main chain and / or side chain in the polymer. Including polymers, copolymers thereof, or mixtures thereof.
Among these, those having an acidic group listed in the following (1) to (6) in the main chain and / or side chain of the polymer are preferable from the viewpoint of solubility in an alkaline developer and expression of dissolution inhibiting ability.

(1)フェノール基(−Ar−OH)
(2)スルホンアミド基(−SO2NH−R)
(3)置換スルホンアミド系酸基(以下、「活性イミド基」という。)
〔−SO2NHCOR、−SO2NHSO2R、−CONHSO2R〕
(4)力ルボン酸基(−CO2H)
(5)スルホン酸基(−SO3H)
(6)リン酸基(−OPO32
(1) Phenol group (-Ar-OH)
(2) sulfonamide group (-SO 2 NH-R)
(3) Substituted sulfonamide acid group (hereinafter referred to as “active imide group”)
[—SO 2 NHCOR, —SO 2 NHSO 2 R, —CONHSO 2 R]
(4) Force rubonic acid group (—CO 2 H)
(5) Sulfonic acid group (—SO 3 H)
(6) Phosphate group (—OPO 3 H 2 )

上記(1)〜(6)中、Arは置換基を有していてもよい2価のアリール連結基を表し、Rは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表す。   In the above (1) to (6), Ar represents a divalent aryl linking group which may have a substituent, and R represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group which may have a substituent. .

上記(1)〜(6)より選ばれる酸性基を有するアルカリ可溶性樹脂の中でも、(1)フェノール基、(2)スルホンアミド基及び(3)活性イミド基を有するアルカリ可溶性樹脂が好ましく、特に、(1)フェノール基又は(2)スルホンアミド基を有するアルカリ可溶性樹脂が、アルカリ性現像液に対する溶解性、現像ラチチュード、膜強度を十分に確保する点から最も好ましい。   Among the alkali-soluble resins having an acidic group selected from the above (1) to (6), (1) an alkali-soluble resin having a phenol group, (2) a sulfonamide group, and (3) an active imide group is preferable. An alkali-soluble resin having (1) a phenol group or (2) a sulfonamide group is most preferred from the viewpoint of sufficiently ensuring solubility in an alkaline developer, development latitude, and film strength.

上記(1)〜(6)より選ばれる酸性基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、以下のものを挙げることができる。
(1)フェノール基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、フェノールとホルムアルデヒドとの縮重合体、m−クレゾールとホルムアルデヒドとの縮重合体、p−クレゾールとホルムアルデヒドとの縮重合体、m−/p−混合クレゾールとホルムアルデヒドとの縮重合体、フェノールとクレゾール(m−、p−、又はm−/p−混合のいずれでもよい)とホルムアルデヒドとの縮重合体等のノボラック樹脂、及びピロガロールとアセトンとの縮重合体を挙げることができる。更に、フェノール基を側鎖に有する化合物を共重合させた共重合体を挙げることもできる。
As alkali-soluble resin which has an acidic group chosen from said (1)-(6), the following can be mentioned, for example.
(1) Examples of the alkali-soluble resin having a phenol group include a condensation polymer of phenol and formaldehyde, a condensation polymer of m-cresol and formaldehyde, a condensation polymer of p-cresol and formaldehyde, m− / p. A novolac resin such as a condensation polymer of mixed cresol and formaldehyde, a condensation polymer of phenol and cresol (m-, p- or m- / p-mixed) and formaldehyde, and pyrogallol and acetone. Can be mentioned. Furthermore, the copolymer which copolymerized the compound which has a phenol group in a side chain can also be mentioned.

フェノール基を有する化合物としては、フェノール基を有するアクリルアミド、メタクリルアミド、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、又はヒドロキシスチレン等が挙げられる。   Examples of the compound having a phenol group include acrylamide, methacrylamide, acrylic acid ester, methacrylic acid ester, and hydroxystyrene having a phenol group.

(2)スルホンアミド基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、スルホンアミド基を有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分として構成される重合体を挙げることができる。上記のような化合物としては、窒素原子に少なくとも一つの水素原子が結合したスルホンアミド基と、重合可能な不飽和基と、を分子内にそれぞれ1以上有する化合物が挙げられる。中でも、アクリロイル基、アリル基、又はビニロキシ基と、置換或いはモノ置換アミノスルホニル基又は置換スルホニルイミノ基と、を分子内に有する低分子化合物が好ましく、例えば、下記一般式(i)〜一般式(v)で表される化合物が挙げられる。   (2) As an alkali-soluble resin having a sulfonamide group, for example, a polymer composed of a minimum constituent unit derived from a compound having a sulfonamide group as a main constituent can be mentioned. Examples of the compound as described above include compounds having at least one sulfonamide group in which at least one hydrogen atom is bonded to a nitrogen atom and one or more polymerizable unsaturated groups in the molecule. Among them, low molecular compounds having an acryloyl group, an allyl group, or a vinyloxy group, and a substituted or monosubstituted aminosulfonyl group or a substituted sulfonylimino group in the molecule are preferable. For example, the following general formulas (i) to ( and a compound represented by v).

Figure 0004369375
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〔式中、X1、X2は、それぞれ独立に、−O−又はNR7を表す。Rl、R4は、それぞれ独立に水素原子又は−CH3を表す。R2、R5、R9、R12、及び、R16は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基又はアラルキレン基を表す。R3、R7、及び、R13は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。また、R6、R17は、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。R8、R10、R14は、それぞれ独立に水素原子又は−CH3を表す。R11、R15は、それぞれ独立に単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基又はアラルキレン基を表す。Yl、Y2は、それぞれ独立に単結合又はCOを表す。〕 [In formula, X < 1 >, X < 2 > represents -O- or NR < 7 > each independently. R 1 and R 4 each independently represents a hydrogen atom or —CH 3 . R 2 , R 5 , R 9 , R 12 , and R 16 each independently represent a C 1-12 alkylene group, cycloalkylene group, arylene group, or aralkylene group that may have a substituent. . R 3 , R 7 and R 13 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group. R 6 and R 17 each independently represents a C 1-12 alkyl group, cycloalkyl group, aryl group or aralkyl group which may have a substituent. R 8 , R 10 and R 14 each independently represent a hydrogen atom or —CH 3 . R 11, R 15 are each independently a single bond or may have a substituent group alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkylene group, arylene group, or aralkylene group. Y 1 and Y 2 each independently represents a single bond or CO. ]

一般式(i)〜一般式(v)で表される化合物のうち、本発明のポジ型平版印刷版原版では、特に、m−アミノスルホニルフェニルメタクリレート、N−(p−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミド、N−(p−アミノスルホニルフェニル)アクリルアミド等を好適に使用することができる。   Among the compounds represented by the general formula (i) to the general formula (v), in the positive planographic printing plate precursor of the present invention, in particular, m-aminosulfonylphenyl methacrylate, N- (p-aminosulfonylphenyl) methacrylamide N- (p-aminosulfonylphenyl) acrylamide and the like can be preferably used.

(3)活性イミド基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、活性イミド基を有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分として構成される重合体を挙げることができる。上記のような化合物としては、下記構造式で表される活性イミド基と、重合可能な不飽和基と、を分子内にそれぞれ1以上有する化合物を挙げることができる。   (3) As an alkali-soluble resin having an active imide group, for example, a polymer composed of a minimum constituent unit derived from a compound having an active imide group as a main constituent can be mentioned. Examples of the compound as described above include compounds each having one or more active imide groups represented by the following structural formula and polymerizable unsaturated groups in the molecule.

Figure 0004369375
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具体的には、N−(p−トルエンスルホニル)メタクリルアミド、N−(p−トルエンスルホニル)アクリルアミド等を好適に使用することができる。   Specifically, N- (p-toluenesulfonyl) methacrylamide, N- (p-toluenesulfonyl) acrylamide and the like can be preferably used.

(4)力ルボン酸基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、カルボン酸基と、重合可能な不飽和基と、を分子内にそれぞれ1以上有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分とする重合体を挙げることができる。
(5)スルホン酸基を有するアルカリ可溶性高分子としては、例えば、スルホン酸基と、重合可能な不飽和基と、を分子内にそれぞれ1以上有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成単位とする重合体を挙げることができる。
(6)リン酸基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、リン酸基と、重合可能な不飽和基と、を分子内にそれぞれ1以上有する化合物に由来する最小構成単位を主要構成成分とする重合体を挙げることができる。
(4) As an alkali-soluble resin having a strong rubonic acid group, for example, a minimum structural unit derived from a compound having at least one carboxylic acid group and polymerizable unsaturated group in the molecule is used as a main constituent component. Can be mentioned.
(5) As the alkali-soluble polymer having a sulfonic acid group, for example, a minimum structural unit derived from a compound having at least one sulfonic acid group and polymerizable unsaturated group in the molecule is a main structural unit. Can be mentioned.
(6) As an alkali-soluble resin having a phosphate group, for example, a minimum structural unit derived from a compound having at least one phosphate group and a polymerizable unsaturated group in the molecule is used as a main constituent component. A polymer can be mentioned.

(A)アルカリ可溶性樹脂を構成する、前記(1)〜(6)より選ばれる酸性基を有する最小構成単位は、特に1種類のみである必要はなく、同一の酸性基を有する最小構成単位を2種以上、又は異なる酸性基を有する最小構成単位を2種以上共重合させたものを用いることもできる。   (A) The minimum structural unit having an acidic group selected from the above (1) to (6) that constitutes the alkali-soluble resin is not necessarily limited to one kind, and the minimum structural unit having the same acidic group Two or more kinds or those obtained by copolymerizing two or more kinds of minimum structural units having different acidic groups can also be used.

前記共重合体は、共重合させる(1)〜(6)より選ばれる酸性基を有する化合物が共重合体中に10モル%以上含まれているものが好ましく、20モル%以上含まれているものがより好ましい。10モル%未満であると、現像ラチチュードを十分に向上させることができない傾向がある。   The copolymer preferably contains 10 mol% or more of a compound having an acidic group selected from (1) to (6) to be copolymerized, and is contained in an amount of 20 mol% or more. Those are more preferred. If it is less than 10 mol%, the development latitude tends to be insufficiently improved.

本発明において、アルカリ可溶性樹脂が共重合体である場合、共重合体を構成する化合物として、前記(1)〜(6)の酸性基を含まない他の化合物を用いることもできる。(1)〜(6)の酸性基を含まない他の化合物の例としては、下記(m1)〜(m12)に挙げる化合物を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
(m1)2−ヒドロキシエチルアクリレート又は2−ヒドロキシエチルメタクリレート等の脂肪族水酸基を有するアクリル酸エステル類、及びメタクリル酸エステル類。
(m2)アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸へキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸−2−クロロエチル、グリシジルアクリレート、等のアルキルアクリレート。
(m3)メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸アミル、メタクリル酸へキシル、メタクリル酸シクロへキシル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸−2−クロロエチル、グリシジルメタクリレート、等のアルキルメタクリレート。
(m4)アクリルアミド、メタクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、N−エチルアクリルアミド、N−ヘキシルメタクリルアミド、N−シクロへキシルアクリルアミド、N−ヒドロキシエチルアクリルアミド、N−フェニルアクリルアミド、N−ニトロフェニルアクリルアミド、N−エチル−N−フェニルアクリルアミド等のアクリルアミド若しくはメタクリルアミド。
In this invention, when alkali-soluble resin is a copolymer, the other compound which does not contain the acidic group of said (1)-(6) can also be used as a compound which comprises a copolymer. Examples of other compounds not containing an acidic group of (1) to (6) include the compounds listed in the following (m1) to (m12), but are not limited thereto.
(M1) Acrylic acid esters and methacrylic acid esters having an aliphatic hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxyethyl methacrylate.
(M2) Alkyl acrylates such as methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate, hexyl acrylate, octyl acrylate, benzyl acrylate, 2-chloroethyl acrylate, glycidyl acrylate, etc. .
(M3) methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, 2-chloroethyl methacrylate, glycidyl methacrylate, etc. Alkyl methacrylate.
(M4) Acrylamide, methacrylamide, N-methylol acrylamide, N-ethyl acrylamide, N-hexyl methacrylamide, N-cyclohexyl acrylamide, N-hydroxyethyl acrylamide, N-phenyl acrylamide, N-nitrophenyl acrylamide, N- Acrylamide or methacrylamide such as ethyl-N-phenylacrylamide.

(m5)エチルビニルエーテル、2−クロロエチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、フェニルビニルエーテル等のビニルエーテル類。
(m6)ビニルアセテート、ビニルクロロアセテート、ビニルブチレート、安息香酸ビニル等のビニルエステル類。
(m7)スチレン、α−メチルスチレン、メチルスチレン、クロロメチルスチレン等のスチレン類。
(m8)メチルビニルケトン、エチルビニルケトン、プロピルビニルケトン、フェニルビニルケトン等のビニルケトン類。
(m9)エチレン、プロピレン、イソブチレン、ブタジエン、イソプレン等のオレフィン類。
(m10)N−ビニルピロリドン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等。
(m11)マレイミド、N−アクリロイルアクリルアミド、N−アセチルメタクリルアミド、N−プロピオニルメタクリルアミド、N−(p−クロロベンゾイル)メタクリルアミド等の不飽和イミド。
(m12)アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸、イタコン酸等の不飽和カルボン酸。
(M5) Vinyl ethers such as ethyl vinyl ether, 2-chloroethyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, propyl vinyl ether, butyl vinyl ether, octyl vinyl ether, and phenyl vinyl ether.
(M6) Vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl chloroacetate, vinyl butyrate and vinyl benzoate.
(M7) Styrenes such as styrene, α-methylstyrene, methylstyrene, chloromethylstyrene.
(M8) Vinyl ketones such as methyl vinyl ketone, ethyl vinyl ketone, propyl vinyl ketone, and phenyl vinyl ketone.
(M9) Olefins such as ethylene, propylene, isobutylene, butadiene and isoprene.
(M10) N-vinylpyrrolidone, acrylonitrile, methacrylonitrile and the like.
(M11) Unsaturated imides such as maleimide, N-acryloylacrylamide, N-acetylmethacrylamide, N-propionylmethacrylamide, N- (p-chlorobenzoyl) methacrylamide.
(M12) Unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride and itaconic acid.

本発明において、アルカリ可溶性樹脂としては、赤外線レーザー等による露光での画像形成性に優れる点で、フェノール性水酸基を有することが好ましく、例えば、フェノールホルムアルデヒド樹脂、m−クレゾールホルムアルデヒド樹脂、p−クレゾールホルムアルデヒド樹脂、m−/p−混合クレゾールホルムアルデヒド樹脂、フェノール/クレゾール(m−,p−,又はm−/p−混合のいずれでもよい)混合ホルムアルデヒド樹脂等のノボラック樹脂やピロガロールアセトン樹脂が好ましく挙げられる。   In the present invention, the alkali-soluble resin preferably has a phenolic hydroxyl group from the viewpoint of excellent image formability upon exposure with an infrared laser or the like, such as phenol formaldehyde resin, m-cresol formaldehyde resin, p-cresol formaldehyde. Preferred are novolak resins and pyrogallol acetone resins such as resins, m- / p-mixed cresol formaldehyde resins, phenol / cresol (any of m-, p-, or m- / p-mixed) mixed formaldehyde resins.

また、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、更に、米国特許第4,123,279号明細書に記載されているように、t−ブチルフェノールホルムアルデヒド樹脂、オクチルフェノールホルムアルデヒド樹脂のような、炭素数3〜8のアルキル基を置換基として有するフェノールとホルムアルデヒドとの縮重合体が挙げられる。   Further, as an alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group, as described in US Pat. No. 4,123,279, a carbon number of 3 such as t-butylphenol formaldehyde resin and octylphenol formaldehyde resin is used. And a condensation polymer of phenol and formaldehyde having an alkyl group of ˜8 as a substituent.

アルカリ可溶性樹脂は、その重量平均分子量が500以上であることが画像形成性の点で好ましく、1,000〜700,000であることがより好ましい。また、その数平均分子量が500以上であることが好ましく、750〜650,000であることがより好ましい。分散度(重量平均分子量/数平均分子量)は、1.1〜10であることが好ましい。   The alkali-soluble resin preferably has a weight average molecular weight of 500 or more from the viewpoint of image forming properties, and more preferably 1,000 to 700,000. Moreover, it is preferable that the number average molecular weight is 500 or more, and it is more preferable that it is 750-650,000. The dispersity (weight average molecular weight / number average molecular weight) is preferably 1.1 to 10.

また、これらのアルカリ可溶性樹脂は単独で用いるのみならず、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。組み合わせる場合には、米国特許第4,123,279号明細書に記載されているような、t−ブチルフェノールとホルムアルデヒドとの縮重合体や、オクチルフェノールとホルムアルデヒドとの縮重合体のような、炭素数3〜8のアルキル基を置換基として有するフェノールとホルムアルデヒドとの縮重合体、特開2000−241972号公報に記載の芳香環上に電子吸引性基を有するフェノール構造を有するアルカリ可溶性樹脂などを併用してもよい。   Moreover, these alkali-soluble resins may be used alone or in combination of two or more. In the case of combination, the number of carbon atoms such as a condensation polymer of t-butylphenol and formaldehyde or a condensation polymer of octylphenol and formaldehyde as described in US Pat. No. 4,123,279 is described. Combined use of a polycondensation product of phenol and formaldehyde having 3 to 8 alkyl groups as substituents, and an alkali-soluble resin having a phenol structure having an electron-withdrawing group on an aromatic ring described in JP-A-2000-241972 May be.

本発明における記録層において、アルカリ可溶性樹脂の含有量は、感度、画像形成性、及び被膜の耐久性の観点から、記録層全固形分中、30〜98質量%が好ましく、40〜95質量%がより好ましい。   In the recording layer of the present invention, the content of the alkali-soluble resin is preferably from 30 to 98% by mass, and preferably from 40 to 95% by mass in the total solid content of the recording layer, from the viewpoints of sensitivity, image formability, and film durability. Is more preferable.

〔(B)赤外線吸収剤〕
本発明における記録層を構成する(B)赤外線吸収剤としては、記録に使用する赤外線レーザを吸収し、熱を発生する物質であれば特に制限はなく用いることができるが、入手容易な高出力レーザーへの適合性の観点から、波長760nmから1200nmに吸収極大を有する赤外線吸収染料又は顔料が好ましく挙げられる。
[(B) Infrared absorber]
The (B) infrared absorber constituting the recording layer in the present invention can be used without particular limitation as long as it is a substance that absorbs an infrared laser used for recording and generates heat. From the viewpoint of compatibility with a laser, an infrared absorbing dye or pigment having an absorption maximum at a wavelength of 760 nm to 1200 nm is preferable.

染料としては、市販の染料及び例えば「染料便覧」(有機合成化学協会編集、昭和45年刊)等の文献に記載されている公知のものが利用できる。具体的には、アゾ染料、金属錯塩アブ染料、ピラブロンアゾ染料、ナフトキノン染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、カルボニウム染料、キノンイミン染料、メチン染料、シアニン染料、スクアリリウム色素、ピリリウム塩、金属チオレート錯体、オキソノール染料、ジイモニウム染料、アミニウム染料、クロコニウム染料等の染料が挙げられる。   As the dye, commercially available dyes and known dyes described in documents such as “Dye Handbook” (edited by the Society for Synthetic Organic Chemistry, published in 1970) can be used. Specifically, azo dyes, metal complex salt ab dyes, pyrablon azo dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes, phthalocyanine dyes, carbonium dyes, quinoneimine dyes, methine dyes, cyanine dyes, squarylium dyes, pyrylium salts, metal thiolate complexes, oxonol dyes, Examples include dyes such as diimonium dyes, aminium dyes, and croconium dyes.

好ましい染料としては、例えば、特開昭58−125246号、特開昭59−84356号、特開昭59−202829号、特開昭60−78787号等に記載されているシアニン染料、特開昭58−173696号、特開昭58−181690号、特開昭58−194595号等に記載されているメチン染料、特開昭58−112793号、特開昭58−224793号、特開昭59−48187号、特開昭59−73996号、特開昭60−52940号、特開昭60−63744号等に記載されているナフトキノン染料、特開昭58−112792号等に記載されているスクアリリウム色素、英国特許434,875号記載のシアニン染料等を挙げることができる。   Preferred dyes include, for example, cyanine dyes described in JP-A-58-125246, JP-A-59-84356, JP-A-59-202829, JP-A-60-78787, and the like. Methine dyes described in JP-A-58-173696, JP-A-58-181690, JP-A-58-194595, JP-A-58-112793, JP-A-58-224793, JP-A-59- 48187, JP-A 59-73996, JP-A 60-52940, JP-A 60-63744, etc., naphthoquinone dyes, JP-A 58-112792, etc. And cyanine dyes described in British Patent 434,875.

また、米国特許第5,156,938号記載の近赤外吸収増感剤も好適に用いられ、また、米国特許第3,881,924号記載の置換されたアリールベンゾ(チオ)ピリリウム塩、特開昭57−142645号(米国特許第4,327,169号)記載のトリメチンチアピリリウム塩、特開昭58−181051号、同58−220143号、同59−41363号、同59−84248号、同59−84249号、同59−146063号、同59−146061号に記載されているピリリウム系化合物、特開昭59−216146号記載のシアニン色素、米国特許第4,283,475号に記載のペンタメチンチオピリリウム塩等や特公平5−13514号、同5−19702号に開示されているピリリウム化合物も好ましく用いられる。   Also, a near infrared absorption sensitizer described in US Pat. No. 5,156,938 is preferably used, and a substituted arylbenzo (thio) pyrylium salt described in US Pat. No. 3,881,924, Trimethine thiapyrylium salts described in JP-A-57-142645 (US Pat. No. 4,327,169), JP-A-58-181051, 58-220143, 59-41363, 59-84248 Nos. 59-84249, 59-146063, 59-146061, pyranlium compounds, cyanine dyes described in JP-A-59-216146, US Pat. No. 4,283,475 The pentamethine thiopyrylium salts described above and the pyrylium compounds disclosed in Japanese Patent Publication Nos. 5-13514 and 5-19702 are also preferably used. .

また、染料として好ましい別の例として米国特許第4,756,993号明細書中に式(I)、(II)として記載されている近赤外吸収染料を挙げることができる。   Another example of a preferable dye is a near-infrared absorbing dye described in US Pat. No. 4,756,993 as formulas (I) and (II).

これらの染料のうち特に好ましいものとしては、シアニン色素、フタロシアニン染料、オキソノール染料、スクアリリウム色素、ピリリウム塩、チオピリリウム染料、ニッケルチオレート錯体が挙げられる。更に、下記一般式(a)〜一般式(e)で示される染料が光熱変換効率に優れるため好ましく、特に下記一般式(a)で示されるシアニン色素は、本発明における記録層中で使用した場合に、アルカリ可溶性樹脂との高い相互作用を与え、且つ、安定性、経済性に優れるため最も好ましい。   Particularly preferred among these dyes are cyanine dyes, phthalocyanine dyes, oxonol dyes, squarylium dyes, pyrylium salts, thiopyrylium dyes, and nickel thiolate complexes. Further, the dyes represented by the following general formulas (a) to (e) are preferable because they are excellent in photothermal conversion efficiency. Particularly, the cyanine dyes represented by the following general formula (a) are used in the recording layer in the invention. In this case, it is most preferable because it gives a high interaction with the alkali-soluble resin and is excellent in stability and economy.

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一般式(a)中、X1は、水素原子、ハロゲン原子、−NPh2、−X2−L1又は以下に示す基を表す。ここで、X2は酸素原子又は、硫黄原子を示し、L1は、炭素原子数1〜12の炭化水素基、ヘテロ原子を有する芳香族環、ヘテロ原子を含む炭素原子数1〜12の炭化水素基を示す。なお、ここでヘテロ原子とは、N、S、O、ハロゲン原子、Seを示す。 In formula (a), X 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom, -NPh 2, -X 2 -L 1 or a group shown below. Here, X 2 represents an oxygen atom or a sulfur atom, and L 1 represents a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an aromatic ring having a hetero atom, or a carbon atom having 1 to 12 carbon atoms including a hetero atom. Indicates a hydrogen group. In addition, a hetero atom here shows N, S, O, a halogen atom, and Se.

Figure 0004369375
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前記式中、Xa-は、後述するZa-と同様に定義され、Raは、水素原子、アルキル基、アリール基、置換又は無置換のアミノ基、ハロゲン原子より選択される置換基を表す。R1及びR2は、それぞれ独立に、炭素原子数1〜12の炭化水素基を示す。記録層塗布液の保存安定性から、R1及びR2は、炭素原子数2個以上の炭化水素基であることが好ましく、更に、R1とR2とは互いに結合し、5員環又は6員環を形成していることが特に好ましい。 In the above formula, Xa - has Za described later - is defined as for, Ra represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a substituted or unsubstituted amino group, substituted or unsubstituted amino group and a halogen atom. R 1 and R 2 each independently represents a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. From the storage stability of the recording layer coating solution, R 1 and R 2 are preferably hydrocarbon groups having 2 or more carbon atoms, and R 1 and R 2 are bonded to each other to form a 5-membered ring or It is particularly preferable that a 6-membered ring is formed.

Ar1、Ar2は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を示す。好ましい芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環及びナフタレン環が挙げられる。また、好ましい置換基としては、炭素原子数12個以下の炭化水素基、ハロゲン原子、炭素原子数12個以下のアルコキシ基が挙げられる。Y1、Y2は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、硫黄原子又は炭素原子数12個以下のジアルキルメチレン基を示す。R3、R4は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、置換基を有していてもよい炭素原子数20個以下の炭化水素基を示す。好ましい置換基としては、炭素原子数12個以下のアルコキシ基、カルボキシル基、スルホ基が挙げられる。R5、R6、R7及びR8は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素原子又は炭素原子数12個以下の炭化水素基を示す。原料の入手性から、好ましくは水素原子である。また、Za-は、対アニオンを示す。ただし、一般式(a)で示されるシアニン色素が、その構造内にアニオン性の置換基を有し、電荷の中和が必要ない場合には、Za-は必要ない。好ましいZa-は、記録層塗布液の保存安定性から、ハロゲンイオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、及びスルホン酸イオンであり、特に好ましくは、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロフォスフェートイオン、及びアリールスルホン酸イオンである。 Ar 1 and Ar 2 may be the same or different and each represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. Preferred aromatic hydrocarbon groups include a benzene ring and a naphthalene ring. Moreover, as a preferable substituent, a C12 or less hydrocarbon group, a halogen atom, and a C12 or less alkoxy group are mentioned. Y 1 and Y 2 may be the same or different and each represents a sulfur atom or a dialkylmethylene group having 12 or less carbon atoms. R 3 and R 4 may be the same or different and each represents a hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms which may have a substituent. Preferred substituents include alkoxy groups having 12 or less carbon atoms, carboxyl groups, and sulfo groups. R 5 , R 6 , R 7 and R 8 may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 12 or less carbon atoms. From the availability of raw materials, a hydrogen atom is preferred. Za represents a counter anion. However, Za is not necessary when the cyanine dye represented by formula (a) has an anionic substituent in the structure and neutralization of charge is not necessary. Preferred Za is a halogen ion, a perchlorate ion, a tetrafluoroborate ion, a hexafluorophosphate ion, and a sulfonate ion, particularly preferably a perchlorate ion, a hexagonal salt, in view of the storage stability of the recording layer coating solution. Fluorophosphate ions and aryl sulfonate ions.

本発明において、好適に用いることのできる一般式(a)で示されるシアニン色素の具体例としては、以下に例示するものの他、特開2001−133969明細書の段落番号[0017]〜[0019]、特開2002−40638明細書の段落番号[0012]〜[0038]、特開2002−23360明細書の段落番号[0012]〜[0023]に記載されたものを挙げることができる。   Specific examples of the cyanine dye represented by formula (a) that can be suitably used in the present invention include those exemplified below, and paragraph numbers [0017] to [0019] of JP-A-2001-133969. And those described in paragraph numbers [0012] to [0038] of JP-A No. 2002-40638 and paragraph numbers [0012] to [0023] of JP-A No. 2002-23360.

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前記一般式(b)中、Lは共役炭素原子数7以上のメチン鎖を表し、該メチン鎖は置換基を有していてもよく、置換基が互いに結合して環構造を形成していてもよい。Zb+は対カチオンを示す。好ましい対カチオンとしては、アンモニウム、ヨードニウム、スルホニウム、ホスホニウム、ピリジニウム、アルカリ金属カチオン(Na+、K+、Li+)などが挙げられる。R9〜R14及びR15〜R20は互いに独立に水素原子又はハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、カルボニル基、チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、オキシ基、又はアミノ基から選択される置換基、或いは、これらを2つ若しくは3つ組合せた置換基を表し、互いに結合して環構造を形成していてもよい。ここで、前記一般式(b)中、Lが共役炭素原子数7のメチン鎖を表すもの、及び、R9〜R14及びR15〜R20がすべて水素原子を表すものが入手の容易性と効果の観点から好ましい。 In the general formula (b), L represents a methine chain having 7 or more conjugated carbon atoms, the methine chain may have a substituent, and the substituents are bonded to each other to form a ring structure. Also good. Zb + represents a counter cation. Preferred counter cations include ammonium, iodonium, sulfonium, phosphonium, pyridinium, alkali metal cations (Na + , K + , Li + ) and the like. R 9 to R 14 and R 15 to R 20 are each independently a hydrogen atom or halogen atom, cyano group, alkyl group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, carbonyl group, thio group, sulfonyl group, sulfinyl group, oxy group Or a substituent selected from amino groups, or a combination of two or three of these, and may be bonded to each other to form a ring structure. Here, in the general formula (b), those in which L represents a methine chain having 7 conjugated carbon atoms and those in which R 9 to R 14 and R 15 to R 20 all represent hydrogen atoms are easily available. From the viewpoint of the effect.

本発明において、好適に用いることのできる一般式(b)で示される染料の具体例としては、以下に例示するものを挙げることができる。   Specific examples of the dye represented by formula (b) that can be suitably used in the present invention include those exemplified below.

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前記一般式(c)中、Y3及びY4は、それぞれ、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、又はテルル原子を表す。Mは、共役炭素数5以上のメチン鎖を表す。R21〜R24及びR25〜R28は、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、カルボニル基、チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、オキシ基、又はアミノ基を表す。また、式中Za-は対アニオンを表し、前記一般式(a)におけるZa-と同義である。 In the general formula (c), Y 3 and Y 4 each represent an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom, or a tellurium atom. M represents a methine chain having 5 or more conjugated carbon atoms. R 21 to R 24 and R 25 to R 28 may be the same or different, and are each a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a carbonyl group, a thiol group, Represents a group, a sulfonyl group, a sulfinyl group, an oxy group, or an amino group. Further, wherein Za - include a counter anion, Za in the general formula (a) - it is synonymous.

本発明において、好適に用いることのできる一般式(c)で示される染料の具体例としては、以下に例示するものを挙げることができる。   In the present invention, specific examples of the dye represented by formula (c) that can be suitably used include those exemplified below.

Figure 0004369375
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前記一般式(d)中、R29ないしR31は、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基を示す。R33及びR34は、各々独立に、アルキル基、置換オキシ基、又はハロゲン原子を示す。n及びmは各々独立に0ないし4の整数を示す。R29とR30、又はR31とR32はそれぞれ結合して環を形成してもよく、またR29及び/又はR30はR33と、またR31及び/又はR32はR34と結合して環を形成してもよく、更に、R33或いはR34が複数存在する場合に、R33同士或いはR34同士は互いに結合して環を形成してもよい。X2及びX3は各々独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基であり、X2及びX3の少なくとも一方は水素原子又はアルキル基を示す。Qは置換基を有していてもよいトリメチン基又はペンタメチン基であり、2価の有機基と共に環構造を形成してもよい。Zc-は対アニオンを示し、前記一般式(a)におけるZa-と同義である。 In the general formula (d), R 29 to R 31 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. R 33 and R 34 each independently represents an alkyl group, a substituted oxy group, or a halogen atom. n and m each independently represents an integer of 0 to 4. R 29 and R 30 , or R 31 and R 32 may be bonded to each other to form a ring, and R 29 and / or R 30 is R 33 and R 31 and / or R 32 is R 34 taken together, may form a ring, further, when R 33 or R 34 there are a plurality, R 33 or between R 34 each other may be bonded to each other to form a ring. X 2 and X 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, and at least one of X 2 and X 3 represents a hydrogen atom or an alkyl group. Q is a trimethine group or a pentamethine group which may have a substituent, and may form a ring structure together with a divalent organic group. Zc represents a counter anion and has the same meaning as Za in the general formula (a).

本発明において、好適に用いることのできる一般式(d)で示される染料の具体例としては、以下に例示するものを挙げることができる。   In the present invention, specific examples of the dye represented by the general formula (d) that can be suitably used include those exemplified below.

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前記一般式(e)中、R35〜R50は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、水酸基、カルボニル基、チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、オキシ基、アミノ基、オニウム塩構造を示し、構造によっては更に置換基を有してもよい。Mは2つの水素原子若しくは金属原子、ハロメタル基、オキシメタル基を示すが、そこに含まれる金属原子としては、周期律表のIA、IIA、IIIB、IVB族原子、第一、第二、第三周期の遷移金属、ランタノイド元素が挙げられ、中でも、銅、マグネシウム、鉄、亜鉛、コバルト、アルミニウム、チタン、バナジウムが好ましい。 In the general formula (e), R 35 to R 50 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a thio group, or a sulfonyl group. , A sulfinyl group, an oxy group, an amino group, and an onium salt structure, and may further have a substituent depending on the structure. M represents two hydrogen atoms or metal atoms, a halometal group, and an oxymetal group, and the metal atoms contained therein are IA, IIA, IIIB, IVB group atoms of the periodic table, first, second, second Three-period transition metals and lanthanoid elements can be mentioned, among which copper, magnesium, iron, zinc, cobalt, aluminum, titanium, and vanadium are preferable.

本発明において、好適に用いることのできる一般式(e)で示される染料の具体例としては、以下に例示するものを挙げることができる。   In the present invention, specific examples of the dye represented by formula (e) that can be suitably used include those exemplified below.

Figure 0004369375
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前記顔料としては、市販の顔料又はカラーインデックス(C.I.)便覧、「最新顔料便覧」(日本顔料技術協会編、1977年刊)、「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)及び「印刷インキ技術」CMC出版、1984年刊)に記載されている顔料が利用できる。   Examples of the pigment include a commercially available pigment or color index (CI) manual, “Latest Pigment Handbook” (edited by the Japan Pigment Technology Association, published in 1977), “Latest Pigment Applied Technology” (published by CMC, published in 1986), and “ The pigments described in “Printing Ink Technology”, published by CMC Publishing, 1984) can be used.

前記顔料の種類としては、例えば、黒色顔料、黄色顔料、オレンジ色顔料、褐色顔料、赤色顔料、紫色顔料、青色顔料、緑色顔料、蛍光顔料、金属粉顔料、ポリマー結合色素が挙げられる。具体的には、不溶性アゾ顔料、アゾレーキ顔料、縮合アゾ顔料、キレートアゾ顔料、フタロシアニン系顔料、アントラキノン系顔料、ペリレン及びペリノン系顔料、チオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、ジオキサジン系顔料、イソインドリノン系顔料、キノフタロン系顔料、染付けレーキ顔料、アジン顔料、ニトロソ顔料、ニトロ顔料、天然顔料、蛍光顔料、無機顔料、カーボンブラックを用いることができる。   Examples of the pigment include black pigment, yellow pigment, orange pigment, brown pigment, red pigment, purple pigment, blue pigment, green pigment, fluorescent pigment, metal powder pigment, and polymer-bonded dye. Specifically, insoluble azo pigments, azo lake pigments, condensed azo pigments, chelate azo pigments, phthalocyanine pigments, anthraquinone pigments, perylene and perinone pigments, thioindigo pigments, quinacridone pigments, dioxazine pigments, isoindolinone pigments A quinophthalone pigment, a dyed lake pigment, an azine pigment, a nitroso pigment, a nitro pigment, a natural pigment, a fluorescent pigment, an inorganic pigment, or carbon black can be used.

これらの顔料は表面処理をせずに用いてもよく、表面処理を施して用いてもよい。表面処理の方法には樹脂やワックスを表面コートする方法、界面活性剤を付着させる方法、反応性物質(例えば、シランカップリング剤、エポキシ化合物、ポリイソシアネート)を顔料表面に結合させる方法等が挙げられる。上記の表面処理方法は、「金属石鹸の性質と応用」(幸書房)、「印刷インキ技術」(CMC出版、1984年刊)及び「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)に記載されている。   These pigments may be used without surface treatment or may be used after surface treatment. Examples of the surface treatment method include a method of surface coating with a resin or wax, a method of attaching a surfactant, and a method of bonding a reactive substance (eg, silane coupling agent, epoxy compound, polyisocyanate) to the pigment surface. It is done. The above-mentioned surface treatment methods are described in “Characteristics and Applications of Metal Soap” (Shobobo), “Printing Ink Technology” (CMC Publishing, 1984) and “Latest Pigment Application Technology” (CMC Publishing, 1986). Yes.

顔料の粒径は、塗布液中の分散物の安定性や記録層の均一性の観点から、0.01μm〜10μmの範囲にあることが好ましく、0.05μm〜1μmの範囲にあることが更に好ましく、特に0.1μm〜1μmの範囲にあることが好ましい。   The particle diameter of the pigment is preferably in the range of 0.01 μm to 10 μm, more preferably in the range of 0.05 μm to 1 μm, from the viewpoint of the dispersion stability in the coating liquid and the uniformity of the recording layer. It is particularly preferable that the thickness is in the range of 0.1 μm to 1 μm.

顔料を分散する方法としては、インク製造やトナー製造等に用いられる公知の分散技術が使用できる。分散機としては、超音波分散器、サンドミル、アトライター、パールミル、スーパーミル、ボールミル、インペラー、デスパーザー、KDミル、コロイドミル、ダイナトロン、3本ロールミル、加圧ニーダー等が挙げられる。詳細は、「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)に記載されている。   As a method for dispersing the pigment, a known dispersion technique used in ink production, toner production, or the like can be used. Examples of the disperser include an ultrasonic disperser, a sand mill, an attritor, a pearl mill, a super mill, a ball mill, an impeller, a disperser, a KD mill, a colloid mill, a dynatron, a three-roll mill, and a pressure kneader. Details are described in "Latest Pigment Applied Technology" (CMC Publishing, 1986).

赤外線吸収剤は、記録層と同一の層に添加してもよいし、別の層を設けそこへ添加してもよい。別の層とする場合、記録層に隣接する層へ添加するのが望ましい。
更に、赤外線吸収剤が溶解抑制能を有する化合物である場合には、前記(A)アルカリ可溶性樹脂と同一の層に添加することで、該赤外線吸収剤が光熱変換機能のみならず、現像抑制剤としても機能するため好ましい。
The infrared absorber may be added to the same layer as the recording layer, or another layer may be provided and added thereto. In the case of a separate layer, it is desirable to add it to a layer adjacent to the recording layer.
Further, when the infrared absorbent is a compound having dissolution inhibiting ability, it is added to the same layer as the (A) alkali-soluble resin, so that the infrared absorbent has not only a photothermal conversion function but also a development inhibitor. Is also preferable.

本発明の記録層において、赤外線吸収剤の含有量は、感度や記録層の耐久性(膜性)等の観点から、記録層全固形分中、0.01〜50質量%添加することが好ましく、0.1〜10質量%添加することが更に好ましい。染料の場合、特に好ましくは0.5〜10質量%、顔料の場合特に好ましくは0.1〜10質量%の割合で添加することができる。   In the recording layer of the present invention, the content of the infrared absorber is preferably 0.01 to 50% by mass in the total solid content of the recording layer from the viewpoints of sensitivity and durability (film properties) of the recording layer. More preferably, 0.1 to 10% by mass is added. In the case of a dye, it is particularly preferably 0.5 to 10% by mass, and in the case of a pigment, it is particularly preferably 0.1 to 10% by mass.

〔その他の成分〕
本発明における記録層を形成するにあたっては、上記の成分の他、本発明の効果を損なわない限りにおいて、更に必要に応じて、種々の添加剤を添加することができる。
[Other ingredients]
In forming the recording layer in the present invention, various additives can be added as necessary, in addition to the above components, as long as the effects of the present invention are not impaired.

[溶解抑制剤]
本発明における記録層には、上記特定スルホニウム塩に加え、インヒビション(溶解抑制能)を高める目的で、溶解抑制剤を含有させることが好ましい。溶解抑制剤としては、例えば、オニウム塩、o−キノンジアジド化合物、芳香族スルホン化合物、芳香族スルホン酸エステル化合物等の、熱分解性であり、分解しない状態では、アルカリ可溶性樹脂の溶解性を実質的に低下させる物質を併用することは、画像部の現像液への溶解阻止性の向上を図る点で好ましい。
[Dissolution inhibitor]
In addition to the specific sulfonium salt, the recording layer in the present invention preferably contains a dissolution inhibitor for the purpose of enhancing inhibition (dissolution suppression ability). As the dissolution inhibitor, for example, an onium salt, an o-quinonediazide compound, an aromatic sulfone compound, an aromatic sulfonic acid ester compound and the like are thermally decomposable, and in a state where they are not decomposed, the solubility of the alkali-soluble resin is substantially reduced. It is preferable to use a substance that lowers the concentration of the toner in order to improve the dissolution inhibition property of the image portion in the developer.

本発明において用いられるオニウム塩としては、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等の従来公知なものをが挙げられ、特に好適なものとしては、例えば、下記に示すものが挙げられる。
S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,387(1974)、T.S.Balet al,Polymer,21,423(1980)、特開平5−158230号公報に記載のジアゾニウム塩;
米国特許第4,069,055号、同4,069,056号、特開平3−140140号の明細書に記載のアンモニウム塩、D.C.Necker et al,Macromolecules,17,2468(1984)、C.S.Wen et al,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055号、同4,069,056号に記載のホスホニウム塩、
Examples of the onium salt used in the present invention include conventionally known ones such as a diazonium salt, an ammonium salt, a phosphonium salt, an iodonium salt, a sulfonium salt, a selenonium salt, and an arsonium salt. The following are mentioned.
S. I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng. , 18, 387 (1974), T.A. S. A diazonium salt described in Balet al, Polymer, 21, 423 (1980), JP-A-5-158230;
Ammonium salts described in U.S. Pat. Nos. 4,069,055, 4,069,056 and JP-A-3-140140; C. Necker et al, Macromolecules, 17, 2468 (1984), C.I. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988), U.S. Pat. Nos. 4,069,055 and 4,069,056,

J.V.Crivello et al,Macromorecules,10(6),1307(1977)、Chem.&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第104,143号、米国特許第5,041,358号、同第4,491,628号、特開平2−150848号、特開平2−296514号に記載のヨードニウム塩、   J. et al. V. Crivello et al, Macromolecules, 10 (6), 1307 (1977), Chem. & Eng. News, Nov. 28, p31 (1988), European Patent No. 104,143, US Pat. Nos. 5,041,358, 4,491,628, JP-A-2-150848 and JP-A-2-296514. Iodonium salt,

J.V.Crivello et al,Polymer J.17,73(1985)、J.V.Crivelloet al.J.Org.Chem.,48,3055(1978)、W.R.Watt et al,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1984)、J.V.Crivello et al,Polymer Bull.,14,279(1985)、J.V.Crivello et al,Macromorecules,14(5),1141(1981)、J.V.Crivello et al,J.Polymer Scl.,Polymer Chem.Ed.,17,2877(1979)、欧州特許第370,693号、同233,567号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,933,377号、同3,902,114号、同4,491,628号、同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、独国特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号に記載のスルホニウム塩、   J. et al. V. Crivello et al, Polymer J. et al. 17, 73 (1985), J. Am. V. Crivello et al. J. et al. Org. Chem. 48, 3055 (1978); R. Watt et al, J.A. Polymer Sci. , Polymer Chem. Ed. , 22, 1789 (1984), J. Am. V. Crivello et al, Polymer Bull. 14, 279 (1985), J. Am. V. Crivello et al, Macromolecules, 14 (5), 1141 (1981), J. MoI. V. Crivello et al, J.A. Polymer Scl. , Polymer Chem. Ed. 17, 2877 (1979), European Patents 370,693, 233,567, 297,443, 297,442, U.S. Pat. Nos. 4,933,377, 3,902,114 No. 4,491,628, No. 4,760,013, No. 4,734,444, No. 2,833,827, German Patent No. 2,904,626, No. 3,604 The sulfonium salt described in No. 580 and No. 3,604,581,

J.V,Crivello et al,MacromoreCules,lo(6),1307(1977)、J.V.Crivello et al,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,17,1047(1979)に記載のセレノンニウム塩、
C.S.Wen et al,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)に記載のアルソニウム塩等が挙げられる。
このようなオニウム塩の中でも、ジアゾニウム塩が特に好ましい。また、特に好適なジアゾニウム塩としては、特開平5−158230号公報記載のものが挙げられる。
J. et al. V, Crivello et al, MacromoreCules, lo (6), 1307 (1977), J. MoI. V. Crivello et al, J.A. Polymer Sci. , Polymer Chem. Ed. , 17, 1047 (1979), selenonium salts,
C. S. Wen et al, Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, p478 Tokyo, Oct (1988).
Of these onium salts, diazonium salts are particularly preferred. Particularly suitable diazonium salts include those described in JP-A-5-158230.

オニウム塩の対イオンとしては、四フッ化ホウ酸、六フッ化リン酸、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸、5−ニトロ−o−トルエンスルホン酸、5−スルホサリチル酸、2,5−ジメチルベンゼンスルホン酸、2,4,6−トリメチルベンゼンスルホン酸、2−ニトロベンゼンスルホン酸、3−クロロベンゼンスルホン酸、3−ブロモベンゼンスルホン酸、2−フルオロカプリルナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、1−ナフトール−5−スルホン酸、2−メトキシ−4−ヒドロキシ−5−ベンゾイル−ベンゼンスルホン酸、及びパラトルエンスルホン酸等を挙げることができる。これらの中でも特に、六フッ化リン酸、トリイソプロピルナフタレンスルホン酸や2,5−ジメチルベンゼンスルホン酸のごときアルキル芳香族スルホン酸が好適である。   The counter ion of the onium salt includes tetrafluoroboric acid, hexafluorophosphoric acid, triisopropylnaphthalenesulfonic acid, 5-nitro-o-toluenesulfonic acid, 5-sulfosalicylic acid, 2,5-dimethylbenzenesulfonic acid, 2,4,6-trimethylbenzenesulfonic acid, 2-nitrobenzenesulfonic acid, 3-chlorobenzenesulfonic acid, 3-bromobenzenesulfonic acid, 2-fluorocaprylnaphthalenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, 1-naphthol-5-sulfone Examples include acid, 2-methoxy-4-hydroxy-5-benzoyl-benzenesulfonic acid, and paratoluenesulfonic acid. Of these, alkyl aromatic sulfonic acids such as hexafluorophosphoric acid, triisopropylnaphthalenesulfonic acid and 2,5-dimethylbenzenesulfonic acid are particularly preferred.

これらのオニウム塩の添加量は、記録層全固形分に対し、好ましくは0.1〜40質量%、より好ましくは0.1〜30質量%、更に好ましくは0.1〜25質量%の範囲である。
これらのオニウム塩は単一で使用できるが、数種の混合物として使用してもよい。
The addition amount of these onium salts is preferably in the range of 0.1 to 40% by mass, more preferably 0.1 to 30% by mass, and still more preferably 0.1 to 25% by mass with respect to the total solid content of the recording layer. It is.
These onium salts can be used alone, but may be used as a mixture of several kinds.

好適なキノンジアジド類としては、o−キノンジアジド化合物を挙げることができる。本発明に用いられるo−キノンジアジド化合物は、少なくとも1個のo−キノンジアジド基を有する化合物で、熱分解によりアルカリ可溶性を増すものであり、種々の構造の化合物を用いることができる。つまり、o−キノンジアジドは熱分解により現像抑制剤としてのインヒビションを失うことと、o−キノンジアジド自身がアルカリ可溶性の物質に変化することの両方の効果により上層の溶解性を助ける。
そのようなo−キノンジアジド化合物としては、例えば、J.コーサー著「ライト−センシティブ・システムズ」(John Wiley&Sons.Inc.)第339〜352頁に記載の化合物が使用できるが、特に種々の芳香族ポリヒドロキン化合物或いは芳香族アミノ化合物と反応させたo−キノンジアジドのスルホン酸エステル又はスルホン酸アミドが好適である。また、特公昭43−28403号公報に記載されているようなベンゾキノン(1,2)−ジアジドスルホン酸クロライド又はナフトキノン−(1、2)−ジアジド−5−スルホン酸クロライドとピロガロール−アセトン樹脂とのエステル、米国特許第3,046,120号及び同第3,188,210号に記載されているベンゾキノン−(1,2−ジアジドスルホン酸クロライド又はナフトキノン−(1,2)−ジアジド−5スルホン酸クロライドとフェノール−ホルムアルデヒド樹脂とのエステルも好適に使用される。
Suitable quinonediazides include o-quinonediazide compounds. The o-quinonediazide compound used in the present invention is a compound having at least one o-quinonediazide group, which increases alkali solubility by thermal decomposition, and compounds having various structures can be used. That is, o-quinonediazide assists the solubility of the upper layer by the effects of both losing the inhibition as a development inhibitor due to thermal decomposition and changing o-quinonediazide itself into an alkali-soluble substance.
Examples of such o-quinonediazide compounds include J. Org. The compounds described in pages 339-352 of “Light-Sensitive Systems” (John Wiley & Sons. Inc.) by Korser can be used. Sulfonic acid esters or sulfonic acid amides are preferred. Further, benzoquinone (1,2) -diazide sulfonic acid chloride or naphthoquinone- (1,2) -diazide-5-sulfonic acid chloride and pyrogallol-acetone resin as described in JP-B-43-28403 Esters of benzoquinone- (1,2-diazide sulfonic acid chloride or naphthoquinone- (1,2) -diazide-5 described in US Pat. Nos. 3,046,120 and 3,188,210. Esters of sulfonic acid chloride and phenol-formaldehyde resin are also preferably used.

更に、ナフトキノン−(1,2)−ジアジド−4−スルホン酸クロライドとフェノールホルムアルデヒド樹脂或いはクレゾールーホルムアルデヒド樹脂とのエステル、ナフトキノン−(1,2)−ジアジド−4−スルホン酸クロライドとピロガロール−アセトン樹脂とのエステルも同様に好適に使用される。その他の有用なo−キノンジアジド化合物としては、数多くの特許に報告され知られている。例えば特開昭47−5303号、特開昭48−63802号、特開昭48−63803号、特開昭48−96575号、特開昭49−38701号、特開昭48−13354号、特公昭41−11222号、特公昭45−9610号、特公昭49−17481号、米国特許第2,797,213号、同第3,454,400号、同第3,544,323号、同第3,573,917号、同第3,674,495号、同第3,785,825号、英国特許第1,227,602号、同第1,251,345号、同第1,267,005号、同第1,329,888号、同第1,330,932号、ドイツ特許第854,890号などの各明細書中に記載されているものを挙げることができる。   Further, esters of naphthoquinone- (1,2) -diazido-4-sulfonic acid chloride with phenol formaldehyde resin or cresol-formaldehyde resin, naphthoquinone- (1,2) -diazido-4-sulfonic acid chloride and pyrogallol-acetone resin Similarly, the esters are also preferably used. Other useful o-quinonediazide compounds are reported and known in numerous patents. For example, JP-A-47-5303, JP-A-48-63802, JP-A-48-63803, JP-A-48-96575, JP-A-49-38701, JP-A-48-13354, Japanese Patent Publication Nos. 41-11222, 45-9610, 49-17474, U.S. Pat. Nos. 2,797,213, 3,454,400, 3,544,323, 3,573,917, 3,674,495, 3,785,825, British Patents 1,227,602, 1,251,345, 1,267, No. 005, No. 1,329,888, No. 1,330,932, German Patent No. 854,890, and the like.

o−キノンジアジド化合物の添加量は、好ましくは記録層全固形分に対し、0.1〜8質量%、より好ましくは0.2〜5質量%の範囲である。これらの化合物は単一で使用できるが、数種の混合物として使用してもよい。
また、特開平11−288089号記載の少なくとも一部がエステル化されたアルカリ可溶性樹脂を含んでも良い。
The addition amount of the o-quinonediazide compound is preferably in the range of 0.1 to 8% by mass, more preferably 0.2 to 5% by mass, based on the total solid content of the recording layer. These compounds can be used alone, but may be used as a mixture of several kinds.
Further, an alkali-soluble resin at least partially esterified in JP-A No. 11-288089 may be included.

[現像促進剤]
本発明における記録層には、感度を向上させる目的で、酸無水物類、フェノール類、有機酸類を添加してもよい。
酸無水物類としては環状酸無水物が好ましく、具体的に環状酸無水物としては、米国特許第4,115,128号明細書に記載されている無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、3,6−エンドオキシ−△4−テトラヒドロ無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、無水マレイン酸、クロル無水マレイン酸、α−フェニル無水マレイン酸、無水コハク酸、無水ピロメリット酸などが使用できる。非環状の酸無水物としては無水酢酸などが挙げられる。
[Development accelerator]
For the purpose of improving sensitivity, acid anhydrides, phenols, and organic acids may be added to the recording layer in the present invention.
As the acid anhydrides, cyclic acid anhydrides are preferable, and specific examples of cyclic acid anhydrides include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, and hexahydro anhydride described in US Pat. No. 4,115,128. Uses phthalic acid, 3,6-endooxy-Δ 4 -tetrahydrophthalic anhydride, tetrachlorophthalic anhydride, maleic anhydride, chloromaleic anhydride, α-phenylmaleic anhydride, succinic anhydride, pyromellitic anhydride, etc. it can. Examples of the acyclic acid anhydride include acetic anhydride.

フェノール類としては、ビスフェノールA、2,2’−ビスヒドロキシスルホン、p−ニトロフェノール、p−エトキシフェノール、2,4,4’−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシベンザフェノン、4−ヒドロキンベンゾフェノン、4,4’,4”−トリヒドロキシトリフェニルメタン、4,4’,3”,4”−テトラヒドロキシ−3,5,3’,5’−テトラメチルトリフェニルメタン、4,4’−スルホニルジフェノールなどが挙げられる。   Examples of phenols include bisphenol A, 2,2′-bishydroxysulfone, p-nitrophenol, p-ethoxyphenol, 2,4,4′-trihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzaphenone, 4 Hydroquinobenzophenone, 4,4 ′, 4 ″ -trihydroxytriphenylmethane, 4,4 ′, 3 ″, 4 ″ -tetrahydroxy-3,5,3 ′, 5′-tetramethyltriphenylmethane, 4 , 4'-sulfonyldiphenol and the like.

有機酸類としては、特開昭60−88942号、特開平2−96755号公報などに記載されている、スルホン酸類、スルフィン酸類、アルキル硫酸類、ホスホン酸類、リン酸エステル類及びカルボン酸類などがあり、具体的には、p−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルフィン酸、エチル硫酸、フェニルホスホン酸、フェニルホスフィン酸、リン酸フェニル、リン酸ジフェニル、安息香酸、イソフタル酸、アジピン酸、p−トルイル酸、3,4−ジメトキシ安息香酸、フタル酸、テレフタル酸、4−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸、エルカ酸、ラウリン酸、n−ウンデカン酸、アスコルビン酸などが挙げられる。
上記の酸無水物、フェノール類及び有機酸類の記録層全固形分に占める割合は、0.05〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.1〜15質量%、特に好ましくは0.1〜10質量%である。
Examples of organic acids include sulfonic acids, sulfinic acids, alkylsulfuric acids, phosphonic acids, phosphate esters, and carboxylic acids described in JP-A-60-88942 and JP-A-2-96755. Specifically, p-toluenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, p-toluenesulfinic acid, ethyl sulfate, phenylphosphonic acid, phenylphosphinic acid, phenyl phosphate, diphenyl phosphate, benzoic acid, isophthalic acid, adipic acid , P-toluic acid, 3,4-dimethoxybenzoic acid, phthalic acid, terephthalic acid, 4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid, erucic acid, lauric acid, n-undecanoic acid, ascorbic acid and the like.
The proportion of the acid anhydride, phenols and organic acids in the total solid content of the recording layer is preferably 0.05 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 15% by mass, particularly preferably 0.1 to 0.1% by mass. 10% by mass.

[界面活性剤]
本発明における記録層には、塗布性を良化するため、また、現像条件に対する処理の安定性を広げるため、特開昭62−251740号公報や特開平3−208514号公報に記載されているような非イオン界面活性剤、特開昭59−121044号公報、特開平4−13149号公報に記載されているような両性界面活性剤、EP950517公報に記載されているようなシロキサン系化合物、特開昭62−170950号公報、特開平11−288093号公報、特願2001−247351に記載されているようなフッ素含有のモノマー共重合体を添加することができる。
[Surfactant]
The recording layer in the present invention is described in JP-A Nos. 62-251740 and 3-208514 in order to improve the coating properties and to expand the stability of processing with respect to development conditions. Such nonionic surfactants, amphoteric surfactants as described in JP-A-59-121044 and JP-A-4-13149, siloxane compounds as described in EP950517, A fluorine-containing monomer copolymer as described in JP-A-62-170950, JP-A-11-288093, and Japanese Patent Application No. 2001-247351 can be added.

非イオン界面活性剤の具体例としては、ソルビタントリステアレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタントリオレート、ステアリン酸モノグリセリド、ポリオキンエチレンノニルフェニルエーテル等が挙げられる。
両性活性剤の具体例としては、アルキルジ(アミノエチル)グリシン、アルキルポリアミノエチルグリシン塩酸塩、2−アルキル−N−カルボキシエチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタインやN−テトラデシル−N,N−へタイン型(例えば、商品名「アモーゲンK」:第一工業製薬(株)製)等が挙げられる。
Specific examples of the nonionic surfactant include sorbitan tristearate, sorbitan monopalmitate, sorbitan trioleate, stearic acid monoglyceride, and polyoxin ethylene nonylphenyl ether.
Specific examples of amphoteric activators include alkyldi (aminoethyl) glycine, alkylpolyaminoethylglycine hydrochloride, 2-alkyl-N-carboxyethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine and N-tetradecyl-N, N-to. Examples include tine type (for example, trade name “Amorgen K” manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.).

シロキサン系化合物としては、ジメチルシロキサンとポリアルキレンオキシドのブロック共重合体が好ましく、具体例として、(株)チッソ社製、DBE−224、DBE−621、DBE−712、DBP−732、DBP−534、独Tego社製、Tego Glide100等のポリアルキレンオキシド変性シリコーンを挙げることが出来る。
上記非イオン界面活性剤及び両性界面活性剤の記録層全固形分に占める割合は、0.01〜15質量%が好ましく、より好ましくは0.1〜5.0質量%、更に好ましくは0.5〜2.0質量%である。
As the siloxane compound, a block copolymer of dimethylsiloxane and polyalkylene oxide is preferable. Specific examples include DBE-224, DBE-621, DBE-712, DBP-732, DBP-534, manufactured by Chisso Corporation. And polyalkylene oxide-modified silicones such as Tego Glide 100 manufactured by Tego, Germany.
The proportion of the nonionic surfactant and amphoteric surfactant in the total solid content of the recording layer is preferably 0.01 to 15% by mass, more preferably 0.1 to 5.0% by mass, and still more preferably 0.8. 5 to 2.0% by mass.

[焼出し剤/着色剤]
本発明における記録層には、露光による加熱後直ちに可視像を得るための焼き出し剤や、画像着色剤としての染料や顔料を加えることができる。
焼出し剤としては、露光による加熱によって酸を放出する化合物(光酸放出剤)と塩を形成し得る有機染料の組合せを代表として挙げることができる。具体的には、特開昭50−36209号、同53−8128号の各公報に記載されているo−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸ハロゲニドと塩形成性有機染料の組合せや、特開昭53−36223号、同54−74728号、同60−3626号、同61−143748号、同61−151644号及び同63−58440号の各公報に記載されているトリハロメチル化合物と塩形成性有機染料の組合せを挙げることができる。かかるトリハロメチル化合物としては、オキサゾール系化合物とトリアジン系化合物とがあり、どちらも経時安定性に優れ、明瞭な焼き出し画像を与える。
[Bake-out agent / colorant]
In the recording layer of the present invention, a print-out agent for obtaining a visible image immediately after heating by exposure, or a dye or pigment as an image colorant can be added.
A representative example of the printing-out agent is a combination of a compound that releases an acid by heating by exposure (photoacid releasing agent) and an organic dye that can form a salt. Specifically, combinations of o-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid halides and salt-forming organic dyes described in JP-A-50-36209 and JP-A-53-8128, 36223, 54-74728, 60-3626, 61-143748, 61-151644 and 63-58440, and trihalomethyl compounds and salt-forming organic dyes Can be mentioned. Such trihalomethyl compounds include oxazole compounds and triazine compounds, both of which have excellent temporal stability and give clear printout images.

画像着色剤としては、前述の塩形成性有機染料以外に他の染料を用いることができる。塩形成性有機染料を含めて、好適な染料として油溶性染料と塩基性染料を挙げることができる。具体的にはオイルイエロー♯101、オイルイエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリーンBG、オイルブルーBOS、オイルブルー#603、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイルブラックT−505(以上オリエント化学工業(株)製)、ビクトリアピュアブルー、クリスタルバイオレットラクトン、クリスタルバイオレット(CI42555)、メチルバイオレット(CI42535)、エチルバイオレット、ローダミンB(CI145170B)、マラカイトグリーン(CI42000)、メチレンブルー(CI52015)などを挙げることができる。また、特開昭62−293247号公報に記載されている染料は特に好ましい。
これらの染料は、記録層全固形分に対し、0.01〜10質量%、好ましくは0.1〜3質量%の割合で添加することができる。
As the image colorant, other dyes can be used in addition to the aforementioned salt-forming organic dyes. Examples of suitable dyes including salt-forming organic dyes include oil-soluble dyes and basic dyes. Specifically, oil yellow # 101, oil yellow # 103, oil pink # 312, oil green BG, oil blue BOS, oil blue # 603, oil black BY, oil black BS, oil black T-505 (oriental chemical industry) Co., Ltd.), Victoria Pure Blue, Crystal Violet Lactone, Crystal Violet (CI42555), Methyl Violet (CI42535), Ethyl Violet, Rhodamine B (CI145170B), Malachite Green (CI42000), Methylene Blue (CI52015), etc. it can. The dyes described in JP-A-62-293247 are particularly preferred.
These dyes can be added in a proportion of 0.01 to 10% by mass, preferably 0.1 to 3% by mass, based on the total solid content of the recording layer.

[可塑剤]
本発明における記録層には、塗膜の柔軟性等を付与するために可塑剤を添加しても良い。例えば、ブチルフタリル、ポリエチレングリコール、クエン酸トリブチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘキシル、フタル酸ジオクチル、リン酸トリクレジル、リン酸トリブチル、リン酸トリオクチル、オレイン酸テトラヒドロフルフリル、アクリル酸又はメタクリル酸のオリゴマー及びポリマー等が用いられる。
これらの可塑剤は、記録層全固形分に対し、0.5〜10質量%、好ましくは1.0〜5質量%の割合で添加することができる。
[Plasticizer]
A plasticizer may be added to the recording layer in the present invention in order to impart flexibility of the coating film. For example, butylphthalyl, polyethylene glycol, tributyl citrate, diethyl phthalate, dibutyl phthalate, dihexyl phthalate, dioctyl phthalate, tricresyl phosphate, tributyl phosphate, trioctyl phosphate, tetrahydrofurfuryl oleate, acrylic acid or methacrylic acid These oligomers and polymers are used.
These plasticizers can be added in a proportion of 0.5 to 10% by mass, preferably 1.0 to 5% by mass, based on the total solid content of the recording layer.

[WAX剤]
本発明における記録層には、キズに対する抵抗性を付与する目的で、表面の静摩擦係数を低下させる化合物を添加することもできる。具体的には、米国特許第6,117,913号明細書、或いは本願出願人が先に提案した特願2001−261627号、特願2002−032904号、特願2002−165584号の各明細書に記載されているような、長鎖アルキルカルボン酸のエステルを有する化合物などを挙げることができる。
これらのWAX剤の添加量としては、記録層全固形分中に占める割合が、0.1〜10質量%であることが好ましく、0.5〜5質量%であることがより好ましい。
[WAX agent]
A compound that lowers the coefficient of static friction of the surface can also be added to the recording layer in the present invention for the purpose of imparting resistance to scratches. Specifically, US Pat. No. 6,117,913 or Japanese Patent Application Nos. 2001-261627, 2002-032904, and 2002-165854 previously proposed by the applicant of the present application. And compounds having an ester of a long-chain alkyl carboxylic acid as described in 1).
The added amount of these WAX agents is preferably 0.1 to 10% by mass, and more preferably 0.5 to 5% by mass in the total solid content of the recording layer.

〔記録層の形成〕
本発明の平版印刷版原版における記録層は、上記の各成分を溶媒に溶かして塗布液を調製し、その塗布液を適当な支持体上に塗布して形成すればよい。また、目的に応じて、バックコート層、下塗り層、有機中間層なども同様にして形成することができる。
ここで使用する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノール、2−メトキシエチルアセテート、1−メトキシ−2−プロピルアセテート、ジメトキシエタン、乳酸メチル、乳酸エチル、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラメチルウレア、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、γ−ブチロラクトン、トルエン等を挙げることができるがこれに限定されるものではない。これらの溶媒は単独或いは混合して使用される。
ここで、塗布液中の上記成分(添加剤を含む全国形分)の濃度は、好ましくは1〜50質量%である。
また、塗布、乾燥後に得られる支持体上の塗布量(固形分)は、感度及び皮膜特性の観点から、一般的に、0.5〜5.0g/m2が好ましい。
[Formation of recording layer]
The recording layer in the lithographic printing plate precursor according to the invention may be formed by dissolving the above components in a solvent to prepare a coating solution and coating the coating solution on a suitable support. Depending on the purpose, a backcoat layer, an undercoat layer, an organic intermediate layer, and the like can be formed in the same manner.
Solvents used here include ethylene dichloride, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, methanol, ethanol, propanol, ethylene glycol monomethyl ether, 1-methoxy-2-propanol, 2-methoxyethyl acetate, 1-methoxy-2-propyl acetate, dimethoxy Examples include ethane, methyl lactate, ethyl lactate, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, tetramethylurea, N-methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, sulfolane, γ-butyrolactone, and toluene. It is not limited. These solvents are used alone or in combination.
Here, the density | concentration of the said component (particulate form containing an additive) in a coating liquid becomes like this. Preferably it is 1-50 mass%.
The coating amount (solid content) on the support obtained after coating and drying is generally preferably 0.5 to 5.0 g / m 2 from the viewpoints of sensitivity and film properties.

本発明の平版印刷版原版における記録層は、単層でもよく、また、それぞれの構成成分が異なる複数の層からなる重層構造であってもよい。なお、重層構造の記録層の場合、最上層に特定スルホニウム塩が添加される態様が添加効果発現の観点から好ましい。   The recording layer in the lithographic printing plate precursor according to the invention may be a single layer or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having different constituent components. In the case of a recording layer having a multilayer structure, an embodiment in which a specific sulfonium salt is added to the uppermost layer is preferable from the viewpoint of the effect of addition.

〔支持体〕
本発明に使用される支持体は親水性表面を有することを必須とする。本発明に好適な支持体としては、必要な強度と耐久性を備えた寸度的に安定な板状物であれば特に制限はなく、この板状物に親水化処理を施したものが用いられる。
支持体に好適な板状物としては、例えば、紙、プラスチック(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等)がラミネートされた紙、金属板(例えば、アルミニウム、亜鉛、銅等)、プラスチックフィルム(例えば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール等)、上記のごとき金属がラミネート、若しくは蒸着された紙、若しくはプラスチックフィルム等が挙げられる。
[Support]
It is essential that the support used in the present invention has a hydrophilic surface. The support suitable for the present invention is not particularly limited as long as it is a dimensionally stable plate having the required strength and durability, and a plate subjected to a hydrophilization treatment is used. It is done.
Examples of the plate-like material suitable for the support include, for example, paper, paper laminated with plastic (eg, polyethylene, polypropylene, polystyrene, etc.), metal plate (eg, aluminum, zinc, copper, etc.), plastic film (eg, Cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose propionate, cellulose butyrate, cellulose acetate butyrate, cellulose nitrate, polyethylene terephthalate, polyethylene, polystyrene, polypropylene, polycarbonate, polyvinyl acetal, etc.) Or a plastic film.

中でも、本発明においては、ポリエステルフィルム又はアルミニウム板が好ましく、その中でも寸度安定性がよく、比較的安価であるアルミニウム板は特に好ましい。好適なアルミニウム板は、純アルミニウム板及びアルミニウムを主成分とし、微量の異元素を含む合金板であり、更にアルミニウムがラミネート若しくは蒸着されたプラスチックフィルムでもよい。アルミニウム合金に含まれる異元素には、ケイ素、鉄、マンガン、銅、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタンなどがある。合金中の異元素の含有量は高々10質量%以下である。   Among them, in the present invention, a polyester film or an aluminum plate is preferable, and among them, an aluminum plate that has good dimensional stability and is relatively inexpensive is particularly preferable. A suitable aluminum plate is a pure aluminum plate or an alloy plate containing aluminum as a main component and containing a trace amount of different elements, and may be a plastic film on which aluminum is laminated or vapor-deposited. Examples of foreign elements contained in the aluminum alloy include silicon, iron, manganese, copper, magnesium, chromium, zinc, bismuth, nickel, and titanium. The content of foreign elements in the alloy is at most 10% by mass.

本発明において特に好適なアルミニウムは、純アルミニウムであるが、完全に純粋なアルミニウムは精錬技術上製造が困難であるので、僅かに異元素を含有するものでもよい。
このように本発明に適用されるアルミニウム板は、その組成が特定されるものではなく、従来より公知公用の素材のアルミニウム板を適宜に利用することができる。本発明で用いられるアルミニウム板の厚みはおよそ0.1mm〜0.6mm程度、好ましくは0.15mm〜0.4mm、特に好ましくは0.2mm〜0.3mmである。
Particularly suitable aluminum in the present invention is pure aluminum. However, since completely pure aluminum is difficult to manufacture in terms of refining technology, it may contain slightly different elements.
Thus, the composition of the aluminum plate applied to the present invention is not specified, and an aluminum plate made of a publicly known material can be appropriately used. The thickness of the aluminum plate used in the present invention is about 0.1 mm to 0.6 mm, preferably 0.15 mm to 0.4 mm, and particularly preferably 0.2 mm to 0.3 mm.

このようなアルミニウム板には、下記に示すような、粗面化処理、陽極酸化処理などの表面処理(親水化処理を含む)を行うことが好ましい。
アルミニウム板を粗面化するに先立ち、所望により、表面の圧延油を除去するための、例えば、界面活性剤、有機溶剤又はアルカリ性水溶液などによる脱脂処理が行われる。アルミニウム板の表面の粗面化処理は、種々の方法により行われるが、例えば、機械的に粗面化する方法、電気化学的に表面を溶解粗面化する方法及び化学的に表面を選択溶解させる方法により行われる。機械的方法としては、ボール研磨法、ブラン研磨法、ブラスト研磨法、バフ研磨法などの公知の方法を用いることができる。また、電気化学的な粗面化法としては塩酸又は硝酸電解液中で交流又は直流により行う方法がある。また、特開昭54−63902号公報に開示されているように両者を組み合わせた方法も利用することができる。
以上のように粗面化されたアルミニウム板は、必要に応じてアルカリエッチング処理及び中和処理された後、所望により表面の保水性や耐摩耗性を高めるために陽極酸化処理が施される。アルミニウム板の陽極酸化処理に用いられる電解質としては、多孔質酸化皮膜を形成する種々の電解質の使用が可能で、一般的には硫酸、リン酸、蓚酸、クロム酸或いはそれらの混酸が用いられる。それらの電解質の濃度は電解質の種類によって適宜決められる。
Such an aluminum plate is preferably subjected to surface treatment (including hydrophilization treatment) such as roughening treatment and anodizing treatment as described below.
Prior to roughening the aluminum plate, a degreasing treatment with, for example, a surfactant, an organic solvent, or an alkaline aqueous solution for removing rolling oil on the surface is performed as desired. The surface roughening treatment of the aluminum plate is performed by various methods. For example, a method of mechanically roughening, a method of electrochemically dissolving and roughening a surface, and a method of selectively dissolving a surface chemically. This is done by the method of As the mechanical method, a known method such as a ball polishing method, a bran polishing method, a blast polishing method, or a buff polishing method can be used. Further, as an electrochemical surface roughening method, there is a method of performing alternating current or direct current in hydrochloric acid or nitric acid electrolyte. Further, as disclosed in JP-A-54-63902, a method in which both are combined can also be used.
The aluminum plate roughened as described above is subjected to an alkali etching treatment and neutralization treatment as necessary, and then subjected to an anodizing treatment if desired in order to enhance the water retention and wear resistance of the surface. As the electrolyte used for the anodizing treatment of the aluminum plate, various electrolytes that form a porous oxide film can be used. In general, sulfuric acid, phosphoric acid, oxalic acid, chromic acid, or a mixed acid thereof is used. The concentration of these electrolytes is appropriately determined depending on the type of electrolyte.

陽極酸化の処理条件は用いる電解質により種々変わるので一概に特定し得ないが一般的には電解質の濃度が1〜80質量%溶液、液温は5〜70℃、電流密度5〜60A/dm2、電圧1〜100V、電解時間10秒〜5分の範囲であれば適当である。陽極酸化皮膜の量は1.0g/m2ょり少ないと耐刷性が不十分であったり、平版印刷版の非画像部に傷が付き易くなって、印刷時に傷の部分にインキが付着するいわゆる「傷汚れ」が生じ易くなる。
陽極酸化処理を施された後、アルミニウム表面は必要により親水化処理が施される。
The treatment conditions for anodization vary depending on the electrolyte used, and thus cannot be specified in general. In general, however, the electrolyte concentration is 1 to 80% by mass solution, the liquid temperature is 5 to 70 ° C., and the current density is 5 to 60 A / dm 2. A voltage of 1 to 100 V and an electrolysis time of 10 seconds to 5 minutes are suitable. If the amount of the anodized film is less than 1.0 g / m 2 , the printing durability will be insufficient, or the non-image part of the planographic printing plate will be easily damaged, and ink will adhere to the damaged part during printing. The so-called “scratch stain” tends to occur.
After the anodizing treatment, the aluminum surface is subjected to a hydrophilic treatment if necessary.

本発明に使用される親水化処理としては、米国特許第2,714,066号、同第3,181,461号、第3,280,734号及び第3,902,734号に開示されているようなアルカリ金属シリケート(例えばケイ酸ナトリウム水溶液)法がある。この方法においては、支持体がケイ酸ナトリウム水溶液で浸漬処理されるか又は電解処理される。 他に、特公昭36−22063号公報に開示されているフッ化ジルコン酸カリウム及び米国特許第3,276,868号、同第4,153,461号、同第4,689,272号に開示されているようなポリビニルホスホン酸で処理する方法などが用いられる。   The hydrophilization treatment used in the present invention is disclosed in US Pat. Nos. 2,714,066, 3,181,461, 3,280,734 and 3,902,734. There are alkali metal silicate (such as aqueous sodium silicate) methods. In this method, the support is immersed in an aqueous sodium silicate solution or electrolytically treated. In addition, potassium fluoride zirconate disclosed in Japanese Patent Publication No. 36-22063 and disclosed in US Pat. Nos. 3,276,868, 4,153,461 and 4,689,272 A method of treating with polyvinylphosphonic acid as described above is used.

〔バックコート層〕
本発明の平版印刷版原版の支持体裏面には、必要に応じてバックコート層が設けられる。かかるバックコート層としては、特開平5−45885号公報記載の有機高分子化合物及び特開平6−35174号公報記載の有機又は無機金属化合物を加水分解及び重縮合させて得られる金属酸化物からなる被覆層が好ましく用いられる。これらの被覆層のうち、Si(OCH34、Si(OC254、Si(OC374、Si(OC494などのケイ素のアルコキシ化合物が安価で入手し易く、それから得られる金属酸化物の被覆層が耐現像液に優れており特に好ましい。
[Back coat layer]
A back coat layer is provided on the back side of the support of the planographic printing plate precursor according to the invention, if necessary. Such a back coat layer comprises a metal oxide obtained by hydrolysis and polycondensation of an organic polymer compound described in JP-A-5-45885 and an organic or inorganic metal compound described in JP-A-6-35174. A coating layer is preferably used. Among these coating layers, silicon alkoxy compounds such as Si (OCH 3 ) 4 , Si (OC 2 H 5 ) 4 , Si (OC 3 H 7 ) 4 , and Si (OC 4 H 9 ) 4 are available at a low price. The coating layer of the metal oxide obtained therefrom is particularly preferable because of its excellent developer resistance.

〔下塗り層〕
本発明の平版印刷版原版は、必要に応じて支持体と記録層との間に下塗り層を設けることができる。
下塗り層成分としては種々の有機化合物が用いられ、例えば、カルボキシメチルセルロース、デキストリン、アラビアガム、2−アミノエチルホスホン酸などのアミノ基を有するホスホン酸類、置換基を有してもよいフェニルホスホン酸、ナフチルホスホン酸、アルキルホスホン酸、グリセロホスホン酸、メチレンジホスホン酸及びエチレンジホスホン酸などの有機ホスホン酸、置換基を有してもよいフェニルリン酸、ナフチルリン酸、アルキルリン酸及びグリセロリン酸などの有機リン酸、置換基を有してもよいフェニルホスフィン酸、ナフチルホスフィン酸、アルキルホスフィン酸及びグリセロホスフィン酸などの有機ホスフィン酸、グリシンやβ−アラニンなどのアミノ酸類、及びトリエタノールアミンの塩酸塩などのヒドロキシ基を有するアミンの塩酸塩等から選ばれるが、2種以上混合して用いてもよい。
(Undercoat layer)
In the lithographic printing plate precursor according to the invention, an undercoat layer can be provided between the support and the recording layer, if necessary.
Various organic compounds are used as the undercoat layer component. For example, phosphonic acids having an amino group such as carboxymethylcellulose, dextrin, gum arabic, 2-aminoethylphosphonic acid, phenylphosphonic acid which may have a substituent, Organic phosphonic acids such as naphthylphosphonic acid, alkylphosphonic acid, glycerophosphonic acid, methylenediphosphonic acid and ethylenediphosphonic acid, optionally substituted phenylphosphoric acid, naphthylphosphonic acid, alkylphosphoric acid and glycerophosphoric acid Organic phosphoric acid, optionally substituted phenylphosphinic acid, naphthylphosphinic acid, organic phosphinic acids such as alkylphosphinic acid and glycerophosphinic acid, amino acids such as glycine and β-alanine, and hydrochloride of triethanolamine Hydroxy groups such as Selected from hydrochloride of the amine to be, but may be used by mixing two or more.

また、下塗り層には、オニウム基を有する化合物を含有することも好ましい。オニウム基を有する化合物は、特開2000−10292公報、同2000−108538公報等に詳述されている。その他、ポリ(p−ビニル安息香酸)などで代表される構造単位を分子中に有する高分子化合物群の中から選ばれる化合物を用いることもできる。これらの高分子化合物として、より具体的には、p−ビニル安息香酸とビニルベンジルトリエチルアンモニウム塩との共重合体、p−ビニル安息香酸とビニルベンジルトリメチルアンモニウムクロリドとの共重合体などが挙げられる。   The undercoat layer preferably contains a compound having an onium group. The compounds having an onium group are described in detail in JP-A Nos. 2000-10292 and 2000-108538. In addition, a compound selected from the group of polymer compounds having a structural unit represented by poly (p-vinylbenzoic acid) in the molecule can also be used. Specific examples of these polymer compounds include a copolymer of p-vinylbenzoic acid and vinylbenzyltriethylammonium salt, a copolymer of p-vinylbenzoic acid and vinylbenzyltrimethylammonium chloride, and the like. .

この有機下塗り層は次のような方法で設けることができる。即ち、水又はメタノール、エタノール、メチルエチルケトンなどの有機溶剤若しくはそれらの混合溶剤に上記の有機化合物を溶解させた溶液をアルミニウム板上に塗布、乾燥して設ける方法と、水又はメタノール、エタノール、メチルエチルケトンなどの有機溶剤若しくはそれらの混合溶剤に上記の有機化合物を溶解させた溶液に、アルミニウム板を浸漬して上記化合物を吸着させ、その後水などによって洗浄、乾燥して有機下塗り層を設ける方法である。前者の方法では、上記の有機化合物の0.005〜10質量%の濃度の溶液を種々の方法で塗布できる。また後者の方法では、溶液の濃度は0.01〜20質量%、好ましくは0.05〜5質量%であり、浸漬温度は20〜90℃、好ましくは25〜50℃であり、浸漬時間は0.1秒〜20分、好ましくは2秒〜1分である。これに用いる溶液は、アンモニア、トリエチルアミン、水酸化カリウムなどの塩基性物質や、塩酸、リン酸などの酸性物質によりpH1〜12の範囲に調整することもできる。また、平版印刷版原版の調子再現性改良のために黄色染料を添加することもできる。
有機下塗り層の被覆量は、耐刷性能の観点から、2〜200mg/m2が適当であり、好ましくは5〜100mg/m2である。
This organic undercoat layer can be provided by the following method. That is, a method in which water or an organic solvent such as methanol, ethanol, methyl ethyl ketone, or a mixed solvent thereof is dissolved and applied on an aluminum plate and dried, and water, methanol, ethanol, methyl ethyl ketone, etc. In this method, an aluminum plate is immersed in a solution in which the above organic compound is dissolved in the above organic solvent or a mixed solvent thereof to adsorb the above compound, and then washed with water or the like and dried to provide an organic undercoat layer. In the former method, a solution having a concentration of 0.005 to 10% by mass of the above organic compound can be applied by various methods. In the latter method, the concentration of the solution is 0.01 to 20% by mass, preferably 0.05 to 5% by mass, the immersion temperature is 20 to 90 ° C., preferably 25 to 50 ° C., and the immersion time is 0.1 second to 20 minutes, preferably 2 seconds to 1 minute. The solution used for this can be adjusted to a pH range of 1 to 12 with basic substances such as ammonia, triethylamine, potassium hydroxide, and acidic substances such as hydrochloric acid and phosphoric acid. Further, a yellow dye can be added to improve the tone reproducibility of the lithographic printing plate precursor.
The coverage of the organic undercoat layer, from the viewpoint of printing durability, 2 to 200 mg / m 2 are suitable, and preferably from 5 to 100 mg / m 2.

〔樹脂中間層〕
本発明の平版印刷版原版においては、必要に応じて支持体と記録層との間に有機中間層を設けることができる。
この有機中間層を設けることで、露光によりアルカリ現像液への溶解性が向上する赤外線感応層である記録層が、露光面或いはその近傍に設けらることで赤外線レーザに対する感度の良好さを確保すると共に、支持体と該赤外線感応層との間に存在する高分子からなる有機中間層が断熱層として機能し、赤外線レーザの露光により発生した熱が支持体に拡散せず、効率良く画像形成反応に使用されることからのさらなる高感度化も図れるという利点を有する。また、未露光部においては、アルカリ現像液に対して非浸透性の記録層自体が有機中間層の保護層として機能するために、現像安定性が良好になると共にディスクリミネーションに優れた画像が形成され、且つ、経時的な安定性も確保されるものと考えられ、露光部においては、溶解抑制能が解除された記録層の成分が速やかに現像液に溶解、分散し、更には、支持体に隣接して存在する有機中間層がアルカリ可溶性高分子からなるものであるため、現像液に対する溶解性が良好で、例えば、活性の低下した現像液などを用いた場合でも、残膜などが発生することなく速やかに溶解し、優れた現像性を有する。即ち、画像部の強度及び耐現像性、非画像部における易現像性の双方に寄与することから、この有機中間層は有用であると考えられる。
(Resin intermediate layer)
In the lithographic printing plate precursor according to the invention, an organic intermediate layer can be provided between the support and the recording layer as necessary.
By providing this organic intermediate layer, a recording layer, which is an infrared sensitive layer whose solubility in an alkali developer is improved by exposure, is provided on the exposed surface or in the vicinity thereof, thereby ensuring good sensitivity to an infrared laser. In addition, an organic intermediate layer made of a polymer existing between the support and the infrared sensitive layer functions as a heat insulating layer, and heat generated by infrared laser exposure is not diffused to the support, so that an image can be formed efficiently. Since it is used for the reaction, there is an advantage that it is possible to further increase the sensitivity. Further, in the unexposed area, the recording layer itself impermeable to the alkali developer functions as a protective layer for the organic intermediate layer, so that an image having excellent development stability and excellent discrimination is obtained. In the exposed area, the components of the recording layer whose dissolution-inhibiting ability is released are quickly dissolved and dispersed in the developer, and further supported. Since the organic intermediate layer that is adjacent to the body is made of an alkali-soluble polymer, the solubility in a developer is good. For example, even when a developer with reduced activity is used, a residual film or the like is present. It dissolves rapidly without generating and has excellent developability. That is, this organic intermediate layer is considered useful because it contributes to both the strength and development resistance of the image area and the ease of development in the non-image area.

この有機中間層は、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂(以下、適宜、アルカリ可溶性樹脂と称する。)を含有することが好ましい。このようなアルカリ可溶性樹脂としては、有機中間層自体が、特に非画像部領域において、高いアルカリ可溶性を発現することを要するため、この特性を損なわない樹脂を選択する必要がある。この観点から、前記記録層を構成する(A)水不溶且つアルカリ可溶性樹脂が好ましく挙げられる。これらの中でも、感度、画像形成性の観点からは、相互作用を形成し難く、アルカリ現像液に対する溶解性に優れた樹脂を選択することが好ましく、例えば、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、アセタール樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、スチレン系樹脂、ウレタン樹脂等を好ましく挙げることができる。   The organic intermediate layer preferably contains a water-insoluble and alkali-soluble resin (hereinafter referred to as an alkali-soluble resin as appropriate). As such an alkali-soluble resin, it is necessary for the organic intermediate layer itself to exhibit high alkali-solubility, particularly in the non-image area, and therefore it is necessary to select a resin that does not impair this property. From this viewpoint, (A) water-insoluble and alkali-soluble resins constituting the recording layer are preferably mentioned. Among these, from the viewpoint of sensitivity and image formability, it is preferable to select a resin that hardly forms an interaction and has excellent solubility in an alkaline developer. For example, a polyamide resin, an epoxy resin, an acetal resin, an acrylic resin Preferred examples include resins, methacrylic resins, styrene resins, urethane resins, and the like.

また、有機中間層に用いるアルカリ可溶性樹脂としては、記録層を塗布する際にその塗布溶媒により溶解され難い樹脂を選択することが重要となる。このような樹脂を選択することで、2つの層の界面における所望されない相溶が抑制されると共に、耐薬品性の一層の向上も期待できる。このような観点から上記の中でも、アクリル樹脂が特に好ましい。   As the alkali-soluble resin used for the organic intermediate layer, it is important to select a resin that is difficult to dissolve in the coating solvent when the recording layer is applied. By selecting such a resin, undesired compatibility at the interface between the two layers is suppressed, and further improvement in chemical resistance can be expected. From such a viewpoint, among the above, acrylic resin is particularly preferable.

以下、有機中間層に好適に用いられる好ましいアルカリ可溶性樹脂である水不溶性且つアルカリ可溶性のアクリル樹脂(以下、適宜、単にアクリル樹脂と称する)について説明する。ここで用いられるアクリル樹脂は、水に不溶であり、且つ、アルカリ水溶液に可溶であれば特に制限はない。このようなアクリル樹脂は、記録層において好ましく用いられるフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂との相溶性が低いため、このような重層構造を形成するのに特に適しており、また、樹脂自体のアルカリ可溶性にも優れる。
アクリル樹脂としては、スルホンアミド基(−SO2NH−R、ここで、Rは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表す。)、活性イミド基〔−SO2NHCOR、−SO2NHSO2R、−CONHSO2R、ここで、Rは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を表す。〕、カルボン酸基(−CO2H)、スルホン酸基(−SO3H)、リン酸基(−OPO32)などのアルカリ可溶性基を有し、且つ、アルカリ可溶性樹脂の共重合性分として好適な、脂肪族水酸基を有するアクリル酸エステル類、及びメタクリル酸エステル類、アルキルアクリレート類、アルキルメタクリレート類、アクリルアミド若しくはメタクリルアミド、アルキルマレイミド、アリールマレイミドなどの不活性イミド類、アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのニトリル類などを構成成分として含む樹脂が挙げられる。また、特開平2−866号に記載のスルホンアミド基を有するアクリル系樹脂なども本発明に好適に適用し得る。
Hereinafter, a water-insoluble and alkali-soluble acrylic resin (hereinafter, simply referred to as “acrylic resin” as appropriate), which is a preferable alkali-soluble resin suitably used for the organic intermediate layer, will be described. The acrylic resin used here is not particularly limited as long as it is insoluble in water and soluble in an alkaline aqueous solution. Such an acrylic resin is particularly suitable for forming such a multilayer structure because of its low compatibility with an alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group that is preferably used in the recording layer. Excellent solubility.
Examples of the acrylic resin include a sulfonamide group (—SO 2 NH—R, where R represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group which may have a substituent), an active imide group [—SO 2 NHCOR. , —SO 2 NHSO 2 R, —CONHSO 2 R, where R represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group which may have a substituent. ], Having an alkali-soluble group such as a carboxylic acid group (—CO 2 H), a sulfonic acid group (—SO 3 H), and a phosphoric acid group (—OPO 3 H 2 ), and being copolymerizable with an alkali-soluble resin Acrylic acid esters having aliphatic hydroxyl groups and methacrylic acid esters, alkyl acrylates, alkyl methacrylates, acrylamide or methacrylamide, alkyl maleimides, aryl maleimides and other inert imides, acrylonitrile, methacrylo Examples thereof include resins containing nitriles such as nitriles as constituent components. Also, acrylic resins having a sulfonamide group described in JP-A-2-866 can be suitably applied to the present invention.

アクリル樹脂の重量平均分子量は2,000以上、数平均分子量が500以上のものが好ましい。更に好ましくは、重量平均分子量が5,000〜300,000で、数平均分子量が800〜250,000であり、分散度(重量平均分子量/数平均分子量)が1.1〜10のものである。   The acrylic resin preferably has a weight average molecular weight of 2,000 or more and a number average molecular weight of 500 or more. More preferably, the weight average molecular weight is 5,000 to 300,000, the number average molecular weight is 800 to 250,000, and the dispersity (weight average molecular weight / number average molecular weight) is 1.1 to 10. .

本発明における有機中間層成分中のアルカリ可溶性樹脂の含有量は、全固形分中、約40〜95重量%、好ましくは約50〜90重量%である。
このような有機中間層には、前記アルカリ可溶性樹脂に加えて、記録層に用いられる光熱変換剤や種々の添加剤を併用することができる。
The content of the alkali-soluble resin in the organic intermediate layer component in the present invention is about 40 to 95% by weight, preferably about 50 to 90% by weight, based on the total solid content.
In such an organic intermediate layer, in addition to the alkali-soluble resin, a photothermal conversion agent used in the recording layer and various additives can be used in combination.

また、本発明における樹脂中間層の乾燥後の塗布量は、耐刷性、画像再現性、及び感度の観点から、0.1〜5.0g/m2の範囲にあることが好ましく、0.2〜2.0g/m2の範囲にあることがより好ましく、0.5〜1.5g/m2の範囲にあることが更に好ましい。 Further, the coating amount after drying of the resin intermediate layer in the present invention is preferably in the range of 0.1 to 5.0 g / m 2 from the viewpoint of printing durability, image reproducibility, and sensitivity. More preferably, it is in the range of 2 to 2.0 g / m 2 , and still more preferably in the range of 0.5 to 1.5 g / m 2 .

〔平版印刷版原版の製版〕
本発明の平版印刷版原版における製版工程(像露光、現像処理、印刷工程)について説
明する。
[Plate making of lithographic printing plate precursor]
The plate making process (image exposure, development process, printing process) in the lithographic printing plate precursor according to the invention will be described.

(露光)
像露光に用いられる光線の光源としては、近赤外から赤外領域に発光波長を持つ光源が好ましく、固体レーザ、半導体レーザが特に好ましい。
(exposure)
As the light source of the light beam used for image exposure, a light source having an emission wavelength in the near infrared to infrared region is preferable, and a solid laser or a semiconductor laser is particularly preferable.

(現像)
本発明の平版印刷版原版を現像する際に用いられる現像液及び補充液としては、従来より知られているアルカリ水溶液が使用できる。
例えば、ケイ酸ナトリウム、同カリウム、第3リン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、第2リン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、ほう酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、水酸化ナトリウム、同アンモニウム、同カリウム及び同リチウムなどの無機アルカリ塩が挙げられる。また、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、n−ブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、エチレンイミン、エテレシジアミン、ピリジンなどの有機アルカリ剤も用いられる。これらのアルカリ剤は単独若しくは2種以上を組み合わせて用いられる。
これらのアルカリ剤の中で特に好ましい現像液は、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム等のケイ酸塩水溶液である。その理由はケイ酸塩の成分である酸化珪素SiO2とアルカリ金属酸化物M2Oの比率と濃度によって現像性の調節が可能となるためであり、例えば、特開昭54−62004号公報、特公昭57−7427号に記載されているようなアルカリ金属ケイ酸塩が有効に用いられる。
(developing)
As the developer and replenisher used when developing the lithographic printing plate precursor according to the invention, conventionally known alkaline aqueous solutions can be used.
For example, sodium silicate, potassium, tribasic sodium phosphate, potassium, ammonium, dibasic sodium phosphate, potassium, ammonium, sodium carbonate, potassium, ammonium, sodium bicarbonate, potassium, Examples include inorganic alkali salts such as ammonium, sodium borate, potassium, ammonium, sodium hydroxide, ammonium, potassium, and lithium. In addition, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropylamine, triisopropylamine, n-butylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monoisopropanolamine, diisopropanolamine, Organic alkali agents such as ethyleneimine, etherediamine, and pyridine are also used. These alkali agents are used alone or in combination of two or more.
Among these alkali agents, particularly preferred developers are aqueous silicate solutions such as sodium silicate and potassium silicate. The reason is that the developability can be adjusted by the ratio and concentration of silicon oxide SiO 2 and alkali metal oxide M 2 O, which are silicate components. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-62004, Alkali metal silicates as described in JP-B-57-7427 are effectively used.

更に自動現像機を用いて現像する場合には、現像液よりもアルカリ強度の高い水溶液(補充液)を現像液に加えることによって、長時間現像タンク中の現像液を交換することなく、多量のPS版を処理できることが知られている。本発明においてもこの補充方式が好ましく適用される。現像液及び補充液には現像性の促進や抑制、現像カスの分散及び印刷版画像部の親インキ性を高める目的で必要に応じて種々の界面活性剤や有機溶剤を添加できる。
好ましい界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系及び両性界面活性剤が挙げられる。更に現像液及び補充液には必要に応じて、ハイドロキノン、レゾルシン、亜硫酸、亜硫酸水素酸などの無機酸のナトリウム塩、カリウム塩等の還元剤、更に有機カルボン酸、消泡剤、硬水軟化剤を加えることもできる。
上記現像液及び補充液を用いて現像処理された平版印刷版原版は、水洗水、界面活性剤等を含有するリンス液、アラビアガムや澱粉誘導体を含む不感脂化液で後処理される。本発明の平版印刷版原版として使用する場合の後処理としては、これらの処理を種々組み合わせて用いることができる。
Further, when developing using an automatic developing machine, an aqueous solution (replenisher) having a higher alkali strength than that of the developer is added to the developer, so that a large amount of the developer can be obtained without replacing the developer in the developer tank for a long time. It is known that PS plates can be processed. This replenishment method is also preferably applied in the present invention. Various surfactants and organic solvents can be added to the developer and replenisher as necessary for the purpose of promoting and suppressing developability, dispersing development residue, and improving ink affinity of the printing plate image area.
Preferred surfactants include anionic, cationic, nonionic and amphoteric surfactants. If necessary, the developer and replenisher may contain reducing agents such as hydroquinone, resorcin, sulfurous acid, bisulfite, and other inorganic acids such as sodium salts and potassium salts, organic carboxylic acids, antifoaming agents, and hard water softeners. It can also be added.
The lithographic printing plate precursor developed by using the developer and the replenisher is post-treated with a desensitizing solution containing rinse water containing a washing water, a surfactant or the like, gum arabic or a starch derivative. These post-treatments can be used in various combinations as post-treatments when used as a lithographic printing plate precursor according to the present invention.

近年、製版・印刷業界では製版作業の合理化及び標準化のため、印刷版用の自動現像機が広く用いられている。この自動現像機は、一般に現像部と後処理部からなり、印刷版を搬送する装置と各処理液槽及びスプレー装置からなり、露光済みの印刷版を水平に搬送しながら、ポンプで汲み上げた各処理液をスプレーノズルから吹き付けて現像処理するものである。また、最近は処理液が満たされた処理液槽中に液中ガイドロールなどによって印刷版を浸漬搬送させて処理する方法も知られている。このような自動処理においては、各処理液に処理量や稼働時間等に応じて補充液を補充しながら処理することができる。また、実質的に未使用の処理液で処理するいわゆる使い捨て処理方式も適用できる。   In recent years, automatic developing machines for printing plates have been widely used in the plate making and printing industries in order to rationalize and standardize plate making operations. This automatic developing machine is generally composed of a developing unit and a post-processing unit, and includes an apparatus for transporting the printing plate, each processing liquid tank and a spray device, and each pumped up by a pump while transporting the exposed printing plate horizontally. The processing liquid is sprayed from the spray nozzle and developed. In addition, recently, a method is also known in which a printing plate is dipped and conveyed by a submerged guide roll or the like in a processing liquid tank filled with the processing liquid. In such automatic processing, each processing solution can be processed while being supplemented with a replenisher according to the processing amount, operating time, and the like. In addition, a so-called disposable processing method in which processing is performed with a substantially unused processing solution can also be applied.

本発明の平版印刷版原版においては、画像露光し、現像し、水洗及び/又はリンス及び/又はガム引きして得られた平版印刷版に不必要な画像部(例えば原画フィルムのフィルムエッジ跡など)がある場合には、その不必要な画像部の消去が行なわれる。このような消去は、例えば、特公平2−13298号公報に記載されているような消去液を不必要画像部に塗布し、そのまま所定の時間放置したのちに水洗することにより行なう方法が好ましいが、特開平59−174842号公報に記載されているようなオプティカルファイバーで導かれた活性光線を不必要画像部に照射したのち現像する方法も利用できる。   In the lithographic printing plate precursor according to the invention, image portions unnecessary for the lithographic printing plate obtained by image exposure, development, washing and / or rinsing and / or gumming (for example, film edge marks of the original film, etc.) ), Unnecessary image portions are erased. Such erasing is preferably performed by applying an erasing solution to an unnecessary image portion as described in Japanese Patent Publication No. 2-13298, and leaving it for a predetermined time, followed by washing with water. A method of developing after irradiating an unnecessary image portion with an actinic ray guided by an optical fiber as described in JP-A-59-174842 can also be used.

(加熱処理(バーニング処理))
以上のようにして得られた平版印刷版は、所望により不感脂化ガムを塗布した後、印刷工程に供することができるが、より一層の高耐刷力平版印刷版としたい場合には、所望によりバーニング処理が施される。特に、本発明においては、(A)アルカリ可溶性樹脂として、フェノール性水酸基を有する樹脂を用いる場合には、このフェノール性水酸基が熱架橋性を有するため、汎用のバーニング処理を行なうことで、耐刷性が著しく向上する。
(Heat treatment (burning treatment))
The lithographic printing plate obtained as described above can be subjected to a printing process after applying a desensitized gum if desired. However, if it is desired to obtain a lithographic printing plate with a higher printing durability, it is desired. The burning process is performed. In particular, in the present invention, when a resin having a phenolic hydroxyl group is used as the alkali-soluble resin (A), the phenolic hydroxyl group has thermal crosslinkability. The property is significantly improved.

なお、バーニング処理前には、特公昭61−2518号、同55−28062号、特開昭62−31859号、同61−159655号の各公報に記載されているような整面液で処理することが好ましい。その方法としては、該整面液を浸み込ませたスポンジや脱脂綿にて、平版印刷版上に塗布するか、整面液を満たしたバット中に印刷版を浸漬して塗布する方法や、自動コーターによる塗布などが適用される。また、塗布した後でスキージ、或いは、スキージローラーで、その塗布量を均一にすることは、より好ましい結果を与える。
整面液の塗布量は一般に0.03〜0.8g/m2(乾燥質量)が適当である。その後、整面液が塗布された平版印刷版は必要により乾燥させてもよい。
Prior to the burning treatment, the surface is treated with a surface conditioning solution as described in JP-B-61-2518, JP-A-55-28062, JP-A-62-21859, and JP-A-61-159655. It is preferable. As its method, with a sponge or absorbent cotton soaked with the surface-adjusting liquid, it is applied onto a lithographic printing plate, or a method in which the printing plate is immersed and applied in a vat filled with the surface-adjusting liquid, Application by an automatic coater is applied. Further, it is more preferable to make the coating amount uniform with a squeegee or a squeegee roller after coating.
In general, the amount of surface-adjusting solution applied is suitably 0.03 to 0.8 g / m 2 (dry mass). Thereafter, the lithographic printing plate coated with the leveling liquid may be dried as necessary.

続いて、本発明の平版印刷版に加熱処理を施す。加熱処理の方法としては、版面に熱が加わることにより、本発明の効果の一つであるバーニング耐刷性の向上効果を発現しうるものであれば特に制限はないが、例えば、バーニングプロセッサーにより加熱する方法などが挙げられる。
本発明においては、上記加熱方法の中でも、バーニングプロセッサー(例えば富士写真フイルム(株)より販売されているバーニングプロセッサー:「BP−1300」)などで高温に加熱する方法が好ましい。この場合の加熱温度及び加熱時間は、記録層を構成する成分の種類にもよるが、150〜300℃の範囲で0.5〜20分の範囲が好ましく、180〜270℃の範囲で1〜10分の範囲がより好ましい。
Subsequently, the lithographic printing plate of the present invention is subjected to a heat treatment. The heat treatment method is not particularly limited as long as it can exhibit the effect of improving the burning printing durability, which is one of the effects of the present invention, by applying heat to the plate surface. The method of heating is mentioned.
In the present invention, among the above heating methods, a method of heating to a high temperature with a burning processor (for example, a burning processor sold by Fuji Photo Film Co., Ltd .: “BP-1300”) or the like is preferable. The heating temperature and heating time in this case depend on the type of components constituting the recording layer, but are preferably in the range of 0.5 to 20 minutes in the range of 150 to 300 ° C, and 1 to 1 in the range of 180 to 270 ° C. A range of 10 minutes is more preferred.

バーニング処理された平版印刷版は、必要に応じて適宜、水洗、ガム引きなどの従来より行なわれている処理を施こすことができるが水溶性高分子化合物等を含有する整面液が使用された場合にはガム引きなどのいわゆる不感脂化処理を省略することができる。
このような処理によって得られた平版印刷版はオフセット印刷機等にかけられ、多数枚の印刷に用いられる。
The lithographic printing plate that has been burned can be subjected to conventional treatments such as washing and gumming as needed, but a surface-conditioning solution containing a water-soluble polymer compound is used. In such a case, a so-called desensitizing treatment such as gumming can be omitted.
The lithographic printing plate obtained by such processing is applied to an offset printing machine or the like and used for printing a large number of sheets.

以下に、実施例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限られるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

(支持体の作製)
厚さ0.3mmのJIS−A−1050アルミニウム板を用いて、下記に示す工程を組み合わせて処理することで支持体A、B、C、Dを作製した。
(Production of support)
Supports A, B, C, and D were prepared by using a JIS-A-1050 aluminum plate having a thickness of 0.3 mm in combination with the following processes.

(a)機械的粗面化処理
比重1.12の研磨斉J(ケイ砂)と水との懸濁液を研磨スラリー液としてアルミニウム板の表面に供給しながら、回転するローラ状ナイロンブラシにより機械的な粗面化を行った。研磨剤の平均粒径は8μm、最大粒径は50μmであった。ナイロンブランの材質は6・10ナイロン、毛長50mm、毛の直径は0.3mmであった。ナイロンブラシはゆφ300mmのステンレス製の筒に穴をあけて密になるように植毛した。回転ブランは3本使用した。ブラン下部の2本の支持ローラ(φ200mm)の距離は300mmであった。ブラシローラはブラシを回転させる駆動モータの負荷が、ブラシローラをアルミニウム板に押さえつける前の負荷に対して7kWプラスになるまで押さえつけた。ブラシの回転方向はアルミニウム板の移動方向と同じであった。ブラシの回転数は200rpmであった。
(A) Mechanical roughening treatment The machine is rotated by a roller-type nylon brush while supplying a suspension of polishing simultaneous J (silica sand) having a specific gravity of 1.12 and water as a polishing slurry to the surface of the aluminum plate. Roughening was performed. The average particle size of the abrasive was 8 μm, and the maximum particle size was 50 μm. The material of the nylon bran was 6 · 10 nylon, the hair length was 50 mm, and the hair diameter was 0.3 mm. The nylon brush was planted so as to be dense by making a hole in a stainless steel tube having a diameter of 300 mm. Three rotating brans were used. The distance between the two support rollers (φ200 mm) at the bottom of the bran was 300 mm. The brush roller was pressed until the load of the drive motor for rotating the brush became 7 kW plus with respect to the load before the brush roller was pressed against the aluminum plate. The rotating direction of the brush was the same as the moving direction of the aluminum plate. The rotation speed of the brush was 200 rpm.

(b)アルカリエッチング処理
上記で得られたアルミニウム板に温度70℃のNaOH水溶液(濃度26質量%、アルミニウムイオン濃度6.5質量%)をスプレーしてエッチング処理を行い、アルミニウム板を6g/m2溶解した。その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(B) Alkali etching treatment The aluminum plate obtained above was sprayed with an aqueous NaOH solution at a temperature of 70 ° C. (concentration 26 mass%, aluminum ion concentration 6.5 mass%) to carry out an etching treatment, and the aluminum plate was 6 g / m. 2 dissolved. Thereafter, washing with water was performed using well water.

(c)デスマット処理
温度30℃の硝酸濃度1質量%水溶液(アルミニウムイオンを0.5質量%含む。)で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、スプレーで水洗した。前記デスマットに用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的な粗面化を行う工程の廃液を用いた。
(C) Desmutting treatment Desmutting treatment was performed by spraying with a 1% by weight aqueous solution of nitric acid at a temperature of 30 ° C. (containing 0.5% by weight of aluminum ions), and then washed with water by spraying. The nitric acid aqueous solution used for the desmut was the waste liquid from the step of electrochemical surface roughening using alternating current in nitric acid aqueous solution.

(d)電気化学的粗面化処理
60Hzの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、硝酸10.5g/リットル水溶液(アルミニウムイオンを5g/リットル)、温度50℃であった。交流電源波形は電流値がゼロからピークに達するまでの時間TPが0.8msec、DUTY比1:1、台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的な粗面化処理を行った。補助陽極にはフェライトを用いた。使用した電解槽はラジアルセルタイプのものを使用した。
電流密度は、電流のピーク値で30A/dm2、電気量はアルミニウム板が陽極時の電気量の総和で220C/dm2であった。補助陽極には電源から流れる電流の5%を分流させた。
その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(D) Electrochemical roughening treatment An electrochemical roughening treatment was carried out continuously using an alternating voltage of 60 Hz. The electrolytic solution at this time was a nitric acid 10.5 g / liter aqueous solution (aluminum ion 5 g / liter) at a temperature of 50 ° C. The AC power supply waveform has an electrochemical surface roughening treatment using a carbon electrode as a counter electrode using a trapezoidal rectangular wave alternating current with a time TP of 0.8 msec until the current value reaches a peak from zero, a DUTY ratio of 1: 1. went. Ferrite was used for the auxiliary anode. The electrolytic cell used was a radial cell type.
The current density was 30 A / dm 2 at the peak current value, and the amount of electricity was 220 C / dm 2 in terms of the total amount of electricity when the aluminum plate was the anode. 5% of the current flowing from the power source was shunted to the auxiliary anode.
Thereafter, washing with water was performed using well water.

(e)アルカリエッチング処理
アルミニウム板をカセイソーダ濃度26質量%、アルミニウムイオン濃度6.5質量%でスプレーによるエッチング処理を32℃で行い、アルミニウム板を0.20g/m2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的な粗面化を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成したピットのエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(E) Alkali etching treatment The aluminum plate was sprayed at a caustic soda concentration of 26% by mass and an aluminum ion concentration of 6.5% by mass at 32 ° C. to dissolve the aluminum plate by 0.20 g / m 2 , The smut component mainly composed of aluminum hydroxide generated when electrochemical surface roughening was used was removed, and the edge portion of the generated pit was melted to smooth the edge portion. Thereafter, washing with water was performed using well water.

(f)デスマット処理
温度30℃の硝酸濃度15質量%水溶液(アルミニウムイオンを4.5質量%含む。)で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、井水を用いてスプレーで水洗した。前記デスマットに用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的な粗面化を行う工程の廃液を用いた。
(F) Desmut treatment Desmut treatment was performed by spraying with a 15% by weight aqueous solution of nitric acid at a temperature of 30 ° C. (containing 4.5% by weight of aluminum ions), and then washed with water using well water. The nitric acid aqueous solution used for the desmut was the waste liquid from the step of electrochemical surface roughening using alternating current in nitric acid aqueous solution.

(g)電気化学的粗面化処理
60Hzの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、塩酸7.5g/リットル水溶液(アルミニウムイオンを5g/リットル含む。)、温度35℃であった。交流電源波形は矩形波であり、カーボン電極を対極として電気化学的な粗面化処理を行った。補助アノードにはフェライトを用いた。電解槽はラジアルセルタイプのものを使用した。
電流密度は電流のピーク値で25A/dm2、電気量はアルミニウム板が陽極時の電気量の総和で50C/dm2であった。
その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(G) Electrochemical surface roughening treatment An electrochemical surface roughening treatment was performed continuously using an alternating voltage of 60 Hz. The electrolytic solution at this time was a hydrochloric acid 7.5 g / liter aqueous solution (containing 5 g / liter of aluminum ions) at a temperature of 35 ° C. The AC power supply waveform was a rectangular wave, and an electrochemical surface roughening treatment was performed using a carbon electrode as a counter electrode. Ferrite was used for the auxiliary anode. The electrolytic cell used was a radial cell type.
The current density was 25 A / dm 2 at the peak current value, and the amount of electricity was 50 C / dm 2 in terms of the total amount of electricity when the aluminum plate was the anode.
Thereafter, washing with water was performed using well water.

(h)アルカリエッチング処理
アルミニウム板をカセイソーダ濃度26質量%、アルミニウムイオン濃度6.5質量%でスプレーによるエッチング処理を32℃で行い、アルミニウム板を0.10g/m2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的な粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成したピットのエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(H) Alkali etching treatment The aluminum plate was sprayed at a caustic soda concentration of 26% by mass and an aluminum ion concentration of 6.5% by mass at 32 ° C. to dissolve the aluminum plate at 0.10 g / m 2 , The smut component mainly composed of aluminum hydroxide generated during the electrochemical surface roughening treatment was removed, and the edge portion of the generated pit was dissolved to smooth the edge portion. Thereafter, washing with water was performed using well water.

(i)デスマット処理
温度60℃の硫酸濃度25質量%水溶液(アルミニウムイオンを0.5質量%含む。)で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
(I) Desmut treatment A desmut treatment by spraying was performed with a 25% by mass aqueous solution of sulfuric acid having a temperature of 60 ° C. (containing 0.5% by mass of aluminum ions), and then water washing by spraying was performed using well water.

(j)陽極酸化処理
電解液としては、硫酸を用いた。電解液は、いずれも硫酸濃度170g/リットル(アルミニウムイオンを0.5質量%含む。)、温度は43℃であった。その後、井水を用いてスプレーによる水洗を行った。
電流密度はともに約30A/dm2であった。最終的な酸化皮膜量は2.7g/m2であった。
(J) Anodizing treatment As the electrolytic solution, sulfuric acid was used. The electrolyte solutions all had a sulfuric acid concentration of 170 g / liter (containing 0.5 mass% of aluminum ions), and the temperature was 43 ° C. Thereafter, washing with water was performed using well water.
Both current densities were about 30 A / dm 2 . The final oxide film amount was 2.7 g / m 2 .

<支持体A>
上記(a)〜(j)の各工程を順に行い(e)工程におけるエッチング量は3.4g/m2となるようにして支持体を作製した。
<支持体B>
上記工程のうち(g)(h)(i)の工程を省略した以外は各工程を順に行い支持体を作製した。
<支持体C>
上記工程のうち(a)及び(g)(h)(i)の工程を省略した以外は各工程を順に行い支持体を作製した。
<支持体D>
上記工程のうち(a)及び(d)(e)(f)の工程を省略した以外は各工程を順に行い、(g)工程における電気量の総和が450C/dm2となるようにして支持体を作製した。
上記によって得られた支持体A、B、C、Dは続けて下記の親水化処理(アルカリ金属ケイ酸塩処理)、及び下塗り処理を行った。
<Support A>
The steps (a) to (j) were performed in order, and the support was prepared so that the etching amount in the step (e) was 3.4 g / m 2 .
<Support B>
Except for omitting the steps (g), (h) and (i) among the above steps, each step was performed in order to prepare a support.
<Support C>
A support was prepared by sequentially performing each step except that the steps (a), (g), (h), and (i) were omitted.
<Support D>
Except for omitting the process of the above step (a) and (d) (e) (f ) performs the steps in turn, supported as total amount of electricity is 450C / dm 2 in step (g) The body was made.
Supports A, B, C, and D obtained as described above were subsequently subjected to the following hydrophilization treatment (alkali metal silicate treatment) and undercoating treatment.

(k)アルカリ金属ケイ酸塩処理
陽極酸化処理により得られたアルミニウム支持体を温度30℃の3号ケイ酸ソーダの1質量%水溶液の処理層中へ、10秒間、浸漬することでアルカリ金属ケイ酸塩処理(シリケート処理)を行った。その後、井水を用いたスプレーによる水洗を行った。その際のシリケート付着量は3.6mg/m2であった。
(K) Alkali metal silicate treatment Alkali metal silica was obtained by immersing the aluminum support obtained by anodizing treatment in a treatment layer of a 1 mass% aqueous solution of sodium silicate No. 3 at a temperature of 30 ° C for 10 seconds. Acid salt treatment (silicate treatment) was performed. Then, the water washing by the spray using well water was performed. The amount of silicate adhering at that time was 3.6 mg / m 2 .

(下塗り処理)
上記のようにして得られたアルカリ金属ケイ酸塩処理後のアルミニウム支持体上に、下記組成の下塗り液を塗布し、80℃で15秒間乾燥した。乾燥後の被覆量は16mg/m2であった。
(Undercoating)
On the aluminum support after the alkali metal silicate treatment obtained as described above, an undercoat solution having the following composition was applied and dried at 80 ° C. for 15 seconds. The coating amount after drying was 16 mg / m 2 .

<下塗り液組成>
・下記高分子化合物 0.3g
・メタノール 100g
・水 1.0g
<Undercoat liquid composition>
・ The following polymer compound 0.3g
・ Methanol 100g
・ Water 1.0g

Figure 0004369375
Figure 0004369375

〔実施例1〜7、比較例1〜2〕
得られた支持体Aに、下記組成の下層用塗布液を、ワイヤーバーで塗布したのち、150℃の乾燥オーブンで60秒間乾燥して塗布量を0.95g/m2とした。
得られた下層上に、下記組成の上層用途布液をワイヤーバーで塗布した。塗布後、乾燥オーブンで、130℃で90秒間の乾燥を行い、総塗布量を1.25g/m2として実施例1〜7及び比較例1、2のポジ型平版印刷版原版を作製した。
[Examples 1-7, Comparative Examples 1-2]
A coating solution for a lower layer having the following composition was coated on the obtained support A with a wire bar, and then dried in a drying oven at 150 ° C. for 60 seconds to obtain a coating amount of 0.95 g / m 2 .
On the obtained lower layer, the upper layer use cloth liquid of the following composition was apply | coated with the wire bar. After coating, drying was performed at 130 ° C. for 90 seconds in a drying oven, and positive lithographic printing plate precursors of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2 were prepared with a total coating amount of 1.25 g / m 2 .

<下層用塗布液>
・共重合体1(下記により合成したもの) 1.833g
・シアニン染料A(下記構造) 0.098g
・2−メルカプト−5−メチルチオ−
1,3,4−チアジアジール 0.030g
.シス−△4−テトラヒドロフタル酸無水物 0.100g
・4,4’−スルホニルジフェノール 0.090g
・p−トルエンスルホン酸 0.008g
・エチルバイオレットの対アニオンを
6−ヒドロキシナフタレンスルホン酸に変えたもの 0.100g
・3−メトキシ−4−ジアゾジフェニルアミン
ヘキサフルオロホスフェニート 0.030g
・フッ素系界面活性剤 0.035g
(メガファックF−780、大日本インキ化学工業(株)製)
・メチルエチルケトン 26.6g
・1−メトキシ−2−プロパノール 13.6g
・γ−ブチロラクトン 13.8g
<Coating liquid for lower layer>
-Copolymer 1 (synthesized by the following) 1.833 g
・ Cyanine dye A (the following structure) 0.098g
・ 2-Mercapto-5-methylthio-
1,3,4-thiadiazil 0.030g
. Cis-Δ 4 -tetrahydrophthalic anhydride 0.100 g
・ 4,4'-sulfonyldiphenol 0.090g
・ 0.008 g of p-toluenesulfonic acid
・ The counter anion of ethyl violet is changed to 6-hydroxynaphthalenesulfonic acid 0.100 g
・ 3-Methoxy-4-diazodiphenylamine
Hexafluorophosphenate 0.030g
・ Fluorosurfactant 0.035g
(Megafuck F-780, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
・ Methyl ethyl ketone 26.6g
1-methoxy-2-propanol 13.6 g
・ Γ-Butyrolactone 13.8g

Figure 0004369375
Figure 0004369375

<共重合体1の合成>
攪拌機、冷却管及び滴下ロートを備えた500ml三ツ口フラスコに、メタクリル酸31.0g(0.36モル)、クロロギサンエチル39.1g(0.36モル)及びアセトニトリル200mlを入れ、氷水浴で冷却しながら混合物を攪拌した。この混合物に、トリエチルアミン36.4g(0.36モル)を約1時間かけて滴下ロートにより滴下した。滴下終了後、氷水浴をとり去り、室温下で30分間混合物を攪拌した。
この反応混合物に、p−アミノベンゼシスルホンアミド51.7g(0.30モル)を加え、油浴にて70℃に温めながら混合物を1時間攪拌した。反応終了後、この混合物を水1リットルにこの水を攪拌しながら投入し、30分間得られた混合物を攪拌した。この混合物をろ過して析出物を取り出し、これを水500mlでスラリーにした後、このスラリーをろ過し、得られた固体を乾燥することによりN−(p−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミドの白色固体が得られた(収量46.9g)。
<Synthesis of Copolymer 1>
A 500 ml three-necked flask equipped with a stirrer, a condenser tube and a dropping funnel is charged with 31.0 g (0.36 mol) of methacrylic acid, 39.1 g (0.36 mol) of chlorogysanethyl and 200 ml of acetonitrile and cooled in an ice water bath. The mixture was stirred while. To this mixture, 36.4 g (0.36 mol) of triethylamine was dropped with a dropping funnel over about 1 hour. After completion of the dropwise addition, the ice-water bath was removed, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes.
To this reaction mixture, 51.7 g (0.30 mol) of p-aminobenzesisulfonamide was added, and the mixture was stirred for 1 hour while warming to 70 ° C. in an oil bath. After completion of the reaction, the mixture was added to 1 liter of water with stirring, and the resulting mixture was stirred for 30 minutes. The mixture was filtered to take out a precipitate, which was slurried with 500 ml of water, and then the slurry was filtered, and the obtained solid was dried to dry a white solid of N- (p-aminosulfonylphenyl) methacrylamide. Was obtained (yield 46.9 g).

次に、攪拌機、冷却管及び滴下ロートを備えた20ml三ツ口フラスコに、N−(p−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミド4.61g(0.0192モル)、メタクリル酸エチル2.58g(0.0258モル)、アクリロニトリル0.80g(0.015モル)及びN,N−ジメチルアセトアミド20gを入れ、湯水浴により65℃に加熱しながら混合物を攪拌した。この混合物に、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)(商品名:「V−65」、和光純薬(株)製)0.15gを加え、65℃に保ちながら窒素気流下2時間混合物を攪拌した。この反応混合物に更にN−(p−アミノスルホニルフェニル)メタクリルアミド4.61g、メタクリル酸メチル2.58g、アクリロニトリル0.80g、N,N−ジメチルアセトアミド20g及び「V−65」0.15gの混合物を2時間かけて滴下ロートにより滴下した。滴下終了後更に65℃で2時間得られた混合物を攪拌した。反応終了後メタノール40gを混合物に加え、冷却し、得られた混合物を水2リットルにこの水を攪拌しながら投入し、30分混合物を攪拌した後、析出物をろ過により取り出し、乾燥することにより15gの白色固体を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによりこの特定の共重合体1の重量平均分子量(ポリスチレン標準)を測定したところ54,000であった。   Next, 4.61 g (0.0192 mol) of N- (p-aminosulfonylphenyl) methacrylamide and 2.58 g of ethyl methacrylate (0.0258 mol) were added to a 20 ml three-necked flask equipped with a stirrer, a condenser and a dropping funnel. ), 0.80 g (0.015 mol) of acrylonitrile and 20 g of N, N-dimethylacetamide were added, and the mixture was stirred while heating to 65 ° C. with a hot water bath. To this mixture, 0.12 g of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) (trade name: “V-65”, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added as a polymerization initiator, and the mixture was heated to 65 ° C. While maintaining, the mixture was stirred for 2 hours under a nitrogen stream. This reaction mixture was further mixed with 4.61 g of N- (p-aminosulfonylphenyl) methacrylamide, 2.58 g of methyl methacrylate, 0.80 g of acrylonitrile, 20 g of N, N-dimethylacetamide and 0.15 g of “V-65”. Was dropped by a dropping funnel over 2 hours. After completion of the dropwise addition, the resulting mixture was further stirred at 65 ° C. for 2 hours. After completion of the reaction, 40 g of methanol was added to the mixture, cooled, and the resulting mixture was added to 2 liters of water while stirring the water. After stirring the mixture for 30 minutes, the precipitate was removed by filtration and dried. 15 g of a white solid was obtained. It was 54,000 when the weight average molecular weight (polystyrene standard) of this specific copolymer 1 was measured by the gel permeation chromatography.

<上層用塗布液>
・メタクリル酸エチルと2−メタクリロイロキシエチルコハク酸と
の共重合体 0.040g
(モル比75:25、重量平均分子量70,000)
・フェノールクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック 0.400g
(フェノール:m−クレゾール:p−クレゾール=50:10:40(モル比)、
重量平均分子量:5,000)
・特定スルホニウム塩又は比較スルホニウム塩 0.3g
・シアニン染料A(前記構造) 0.015g
・エチルバイオレットの対アニオンを
6−ヒドロキンナフタレンスルホン酸に変えたもの 0.012g
・フッ素系界面活性剤 0.022g
(メガファックF−780、大日本インキ化学工業(株)製)
・メチルエチルケトン 13.1g
・1−メトキシ−2−プロパノール 6.79g
<Upper layer coating solution>
・ With ethyl methacrylate and 2-methacryloyloxyethyl succinic acid
Copolymer of 0.040 g
(Molar ratio 75:25, weight average molecular weight 70,000)
・ Phenol Cresol-Formaldehyde Novolak 0.400g
(Phenol: m-cresol: p-cresol = 50: 10: 40 (molar ratio),
Weight average molecular weight: 5,000)
・ Specific sulfonium salt or comparative sulfonium salt 0.3g
・ Cyanine dye A (the above structure) 0.015 g
-Ethyl violet counter anion changed to 6-hydroquinnaphthalene sulfonic acid 0.012g
・ Fluorine surfactant 0.022g
(Megafuck F-780, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
・ Methyl ethyl ketone 13.1g
1-methoxy-2-propanol 6.79g

なお、下記表1に記載の特定スルホニウム塩の構造を示すカチオン部及びアニオン部の番号は、前記具体例のカチオン部及びアニオン部に付された番号を表す。また、比較例に用いた比較スルホニウム塩1及び2の構造は以下に示す通りである。   In addition, the number of the cation part and anion part which show the structure of the specific sulfonium salt of following Table 1 represents the number attached | subjected to the cation part and the anion part of the said specific example. Moreover, the structures of the comparative sulfonium salts 1 and 2 used in the comparative examples are as shown below.

Figure 0004369375
Figure 0004369375

[平版印刷版原版の評価]
平版印刷版原版の評価は、現像ラチチュード、耐キズ性の各項目について行った。評価方法の詳細は下記の通りである。
1.現像ラチチュード
上記のようにして得られた平版印刷版原版を、温度25℃相対湿度50%の条件下で5日間保存した後に、Creo社製Trendsetter3244VXにてビーム強度12.0W、ドラム回転速度50rpmでテストパターンを画像状に描き込みを行った。
その後、下記A組成及びB組成のアルカリ現像液における水の質量比率を変更することにより、希釈率を変えて電導度を変化させたものを仕込んだ富士写真フイルム(株)製PSプロセッサー900Hを用い、液温を30℃に保ち、現像時間40秒で現像した。この時、画像部が溶出されず、かつ、現像不良の感光層残膜に起因する汚れや着色がなく良好に現像が行えた現像液の電導度の一番高いものと、一番低い物の差を現像ラチチュードとして評価した。
[Evaluation of lithographic printing plate precursor]
The evaluation of the lithographic printing plate precursor was performed for each of the development latitude and scratch resistance items. Details of the evaluation method are as follows.
1. Development Latitude The lithographic printing plate precursor obtained as described above is stored for 5 days under the conditions of a temperature of 25 ° C. and a relative humidity of 50%, and then a Trendsetter 3244VX manufactured by Creo at a beam intensity of 12.0 W and a drum rotation speed of 50 rpm. A test pattern was drawn in an image.
Thereafter, a PS processor 900H manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd. was used, in which the electric conductivity was changed by changing the dilution ratio by changing the mass ratio of water in the alkaline developer of the following A composition and B composition. The liquid temperature was kept at 30 ° C., and development was performed with a development time of 40 seconds. At this time, the developer having the highest conductivity and the lowest conductivity of the developer in which the image portion was not eluted and the development was successfully performed without contamination and coloring caused by the poorly developed photosensitive layer residual film. The difference was evaluated as development latitude.

<アルカリ現像液A組成>
・SiO2・K2O(K2O/SiO2=1/1(モル比)) 4.0質量%
・クエン酸 0.5質量%
・ポリエチレングリコールラウリルエーテル 0.5質量%
(重量平均分子量1,000)
・水 95.0質量%
<Alkali developer A composition>
・ SiO 2 · K 2 O (K 2 O / SiO 2 = 1/1 (molar ratio)) 4.0% by mass
・ Citric acid 0.5% by mass
・ Polyethylene glycol lauryl ether 0.5% by mass
(Weight average molecular weight 1,000)
・ Water 95.0 mass%

<アルカリ現像液B組成>
・Dソルビット 2.5質量%
・水酸化ナトリウム 0.85質量%
・ポリエチレングリコールラウリルエーテル 0.5質量%
(重量平均分子量1,000)
・水 96.15質量%
<Alkali developer B composition>
・ D sorbit 2.5% by mass
-Sodium hydroxide 0.85 mass%
・ Polyethylene glycol lauryl ether 0.5% by mass
(Weight average molecular weight 1,000)
・ Water 96.15% by mass

2.キズ性の評価
上記のようにして得られた平版印刷版原版を、HEIDON社製引っかき試験機で、サファイヤ針(先端径1.0mm)に荷重をかけて表面を引っ掻いた。その後、Creo社製Trendsetter3244にてビーム強度9.0W、ドラム回転速度150rpmで画像様に露光した。そして、富士写真フイルム(株)製現像液DT−2(1:8で希釈したもの)及び富士写真フイルム(株)製フィエッシャーFG−1(1:1で希釈したもの)を仕込んだ富士写真フイルム(株)製PSプロセッサーLP940Hを用い、液温を30℃に保ち、現像時間12sで現像した。この時の現像液の電導度は43mS/cmであった。
現像後の平版印刷版を目視し、キズがついていない最大荷重量(g)を耐キズ性の値とした。数値が大きいほど耐キズ性に優れていると評価する。結果を下記表に示す。
2. Evaluation of scratch resistance The surface of the lithographic printing plate precursor obtained as described above was scratched by applying a load to a sapphire needle (tip diameter: 1.0 mm) with a scratch tester manufactured by HEIDON. Thereafter, the image was exposed imagewise with a Trend setter 3244 manufactured by Creo at a beam intensity of 9.0 W and a drum rotation speed of 150 rpm. Fuji Photo Film was developed with Fuji Photo Film Co., Ltd. developer DT-2 (diluted 1: 8) and Fuji Photo Film Co., Ltd. Fischer FG-1 (diluted 1: 1). Using a PS processor LP940H manufactured by Film Co., Ltd., the liquid temperature was kept at 30 ° C., and development was performed for 12 s. The electric conductivity of the developer at this time was 43 mS / cm.
The developed lithographic printing plate was visually observed, and the maximum load amount (g) without scratches was defined as a scratch resistance value. The larger the value, the better the scratch resistance. The results are shown in the table below.

<実施例1〜7、比較例1〜2の平版印刷版原版の評価>
実施例1〜7及び比較例1〜2の各平版印刷版原版について、現像ラチチュード、耐キズ性について、上記の方法により評価した。現像液は現像液Bを用いた。その結果を下記表1に示す。
<Evaluation of planographic printing plate precursors of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2>
The lithographic printing plate precursors of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2 were evaluated for development latitude and scratch resistance by the above methods. Developer B was used as the developer. The results are shown in Table 1 below.

Figure 0004369375
Figure 0004369375

表1に示されるように、実施例1〜7の平版印刷版原版は、現像ラチチュードの向上及び耐キズ性の改良を実現していることが分かる。
一方、本発明の範囲外の比較スルホニウム塩1及び2を用いた比較例1〜2は、実施例1〜7に比べて、現像ラチチュード、耐キズ性のいずれもが劣ることが分かる。特に、ヒドロキシル基が保護されてない状態で芳香族炭化水素に結合している比較スルホニウム塩1を用いた比較例1では、実施例1〜7に比べて、現像ラチチュード、耐キズ性のいずれもが大きく劣ることが分かる。
As shown in Table 1, it can be seen that the lithographic printing plate precursors of Examples 1 to 7 achieve improved development latitude and improved scratch resistance.
On the other hand, it can be seen that Comparative Examples 1 and 2 using comparative sulfonium salts 1 and 2 outside the scope of the present invention are inferior in both development latitude and scratch resistance compared to Examples 1 to 7. In particular, in Comparative Example 1 using the comparative sulfonium salt 1 bonded to an aromatic hydrocarbon in a state in which the hydroxyl group is not protected, both development latitude and scratch resistance are compared with those in Examples 1-7. It is understood that is greatly inferior.

(実施例8〜12、比較例3〜4)
得られた支持体Cに、下記組成の下層用塗布液を、ワイヤーバーで塗布した後、120℃の乾燥オーブンで90秒間乾燥して塗布量を0.60g/m2とした。
得られた下層上に、下記組成の上層用塗布液をワイヤーバーで塗布した。塗布後、乾燥オーブンで、120℃で90秒間の乾燥を行い、総塗布量を1.35g/m2として実施例8〜12及び比較例3〜4のポジ型平版印刷版原版を作製した。
(Example 8-12 and Comparative Example 3-4)
A coating solution for a lower layer having the following composition was applied to the obtained support C with a wire bar, and then dried in a drying oven at 120 ° C. for 90 seconds to obtain a coating amount of 0.60 g / m 2 .
On the obtained lower layer, the upper layer coating solution having the following composition was applied with a wire bar. After coating, drying was performed at 120 ° C. for 90 seconds in a drying oven to prepare positive lithographic printing plate precursors of Examples 8 to 12 and Comparative Examples 3 to 4 with a total coating amount of 1.35 g / m 2 .

<下層用途布液>
・前記共重合体1 2.200g
・シアニン染料A(前記構造) 0.098g
・2−メルカプト−5−メチルチオ
−1,3,4−チアジアゾール 0.030g
.シス−△4−テトラヒドロフタル酸無水物 0.100g
・4,4’−スルホニルジフェノール 0.090g
・p−トルエンスルホン酸 0.008g
・エチルバイオレットの対アニオンを
6−ヒドロキンナフタレンスルホン酸に変えたもの 0.100g
・3−メトキシ−4−ジアゾジフェニルアミン
ヘキサフルオロホスフェート 0.030g
・フッ素系界面活性剤 0.035g
(メガファックF−780、大日本インキ化学工業(株)製)
・メチルエチルケトン 26.6g
・1−メトキシ−2−プロパノール 13.6g
・ジメチルスルホキシド 13.8g
<Lower layer cloth>
-Said copolymer 1 2.200g
・ Cyanine dye A (the above structure) 0.098 g
・ 2-Mercapto-5-methylthio
-1,3,4-thiadiazole 0.030 g
. Cis-Δ 4 -tetrahydrophthalic anhydride 0.100 g
・ 4,4'-sulfonyldiphenol 0.090g
・ 0.008 g of p-toluenesulfonic acid
-The counter anion of ethyl violet is changed to 6-hydroquinnaphthalenesulfonic acid 0.100 g
・ 3-Methoxy-4-diazodiphenylamine
Hexafluorophosphate 0.030g
・ Fluorosurfactant 0.035g
(Megafuck F-780, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
・ Methyl ethyl ketone 26.6g
1-methoxy-2-propanol 13.6 g
・ Dimethylsulfoxide 13.8g

<上層用塗布液>
・メタクリル酸エチルと2−メタクリロイロキシエチルコハク酸と
の共重合体 0.040g
(モル比70:30、重量平均分子量88,000)
・フェノールクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック 0.250g
(フェノール:m−クレゾール:p−クレゾール=60:5:35(モル比)、
重量平均分子量:5,500)
・特定スルホニウム塩又は比較スルホニウム塩 0.04g
・シアニン染料A(前記構造) 0.015g
・フッ素系界面活性剤 0.022g
(メガファックF−780、大日本インキ化学工業(株)製)
・メチルエチルケトン 13.1g
・1−メトキシ−2−プロパノール 6.79g
<Upper layer coating solution>
・ With ethyl methacrylate and 2-methacryloyloxyethyl succinic acid
Copolymer of 0.040 g
(Molar ratio 70:30, weight average molecular weight 88,000)
・ Phenol Cresol-Formaldehyde Novolak 0.250g
(Phenol: m-cresol: p-cresol = 60: 5: 35 (molar ratio))
Weight average molecular weight: 5,500)
・ Specific sulfonium salt or comparative sulfonium salt 0.04g
・ Cyanine dye A (the above structure) 0.015 g
・ Fluorine surfactant 0.022g
(Megafuck F-780, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
・ Methyl ethyl ketone 13.1g
1-methoxy-2-propanol 6.79g

<実施例8〜12及び比較例3〜4の評価>
得られた実施例8〜12及び比較例3〜4の各平版印刷版原版について、実施例1と同様の方法で評価を行った。現像液は現像液Bを用いた。その結果を下記表2に示す。
なお、下記表2に記載の特定スルホニウム塩の構造を示すカチオン部及びアニオン部の番号は、前記具体例のカチオン部及びアニオン部に付された番号を表す。
<Evaluation of Examples 8 to 12 and Comparative Examples 3 to 4>
The obtained planographic printing plate precursors of Examples 8 to 12 and Comparative Examples 3 to 4 were evaluated in the same manner as in Example 1. Developer B was used as the developer. The results are shown in Table 2 below.
In addition, the number of the cation part and anion part which show the structure of the specific sulfonium salt of the following Table 2 represents the number attached | subjected to the cation part and the anion part of the said specific example.

Figure 0004369375
Figure 0004369375

表2に示されるように、実施例8〜12の平版印刷版原版は、比較例3〜4と比較するに、現像ラチチュードの向上及び耐キズ性の改良を実現していることが分かる。 As shown in Table 2, it can be seen that the lithographic printing plate precursors of Examples 8 to 12 achieve improved development latitude and improved scratch resistance as compared with Comparative Examples 3 and 4.

(実施例15〜21、比較例5〜6)
得られた支持体Dに、下記組成の下層用塗布液を、ワイヤーバーで塗布したのち、150℃の乾燥オーブンで60秒間乾燥して塗布量を0.81g/m2とした。
得られた下層上に、下記組成の上層用塗布液をワイヤーバーで塗布した。塗布後、乾燥オーブンで、120℃で90秒間の乾燥を行い、総塗布量を1.1g/m2として実施例15〜21及び比較例5〜6のポジ型平版印刷版原版を作製した。
(Examples 15 to 21, Comparative Examples 5 to 6)
A coating solution for a lower layer having the following composition was applied to the obtained support D with a wire bar, and then dried in a drying oven at 150 ° C. for 60 seconds to obtain a coating amount of 0.81 g / m 2 .
On the obtained lower layer, the upper layer coating solution having the following composition was applied with a wire bar. After coating, drying was performed at 120 ° C. for 90 seconds in a drying oven, and positive lithographic printing plate precursors of Examples 15 to 21 and Comparative Examples 5 to 6 were prepared with a total coating amount of 1.1 g / m 2 .

<下層用塗布液>
・前記共重合体1 2.133g
・シアニン染料A(前記構造) 0.098g
.シス−△4−テトラヒドロフタル酸無水物 0.110g
・4,4’−スルホニルジフェノール 0.090g
・p−トルエンスルホン酸 0.008g
・エチルバイオレットの対アニオンを
6−ヒドロキシナフタレンスルホン酸に変えたもの 0.100g
・3−メトキシ−4−ジアゾジフェニルアミン
ヘキサフルオロホスフェート 0.030g
・フッ素系界面活性剤 0.035g
(メガファックF−780、大日本インキ化学工業(株)製)
・メチルエチルケトン 26.6g
・1−メトキシ−2−プロパノール 13.6g
・γ−ブチロラクトン 13.8g
<Coating liquid for lower layer>
-Copolymer 1 2.133 g
・ Cyanine dye A (the above structure) 0.098 g
. Cis-Δ 4 -tetrahydrophthalic anhydride 0.110 g
・ 4,4'-sulfonyldiphenol 0.090g
・ 0.008 g of p-toluenesulfonic acid
・ The counter anion of ethyl violet is changed to 6-hydroxynaphthalenesulfonic acid 0.100 g
・ 3-Methoxy-4-diazodiphenylamine
Hexafluorophosphate 0.030g
・ Fluorosurfactant 0.035g
(Megafuck F-780, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
・ Methyl ethyl ketone 26.6g
1-methoxy-2-propanol 13.6 g
・ Γ-Butyrolactone 13.8g

<上層用塗布液>
・メタクリル酸エチルと2−メタクリロイロキシエチルコハク酸と
の共重合体 0.035g
(モル比65:35、重量平均分子量78,000)
・クレゾール−ホルムアルデヒドノボラソク 0.300g
(m−クレゾール:p−クレゾール=60:40、重量平均分子量:4,100)
・特定スルホニウム塩又は比較スルホニウム塩 0.020g
・シアニン染料A(前記構造) 0.015g
・フッ素系界面活性剤 0.022g
(メガファックF−780、大日本インキ化学工業(株)製)
・メチルエチルケトン 13.1g
・1−メトキシ−2−プロパノール 6.79g
<Upper layer coating solution>
・ With ethyl methacrylate and 2-methacryloyloxyethyl succinic acid
Copolymer of 0.035g
(Molar ratio 65:35, weight average molecular weight 78,000)
・ Cresol-formaldehyde noborasok 0.300g
(M-cresol: p-cresol = 60: 40, weight average molecular weight: 4,100)
-Specific sulfonium salt or comparative sulfonium salt 0.020 g
・ Cyanine dye A (the above structure) 0.015 g
・ Fluorine surfactant 0.022g
(Megafuck F-780, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
・ Methyl ethyl ketone 13.1g
1-methoxy-2-propanol 6.79g

<実施例15〜21及び比較例5〜6の評価>
得られた平版印刷版原版を前記の方法で評価を行った。現像液は現像液Aを用いた。その下記結果を表3に示す。
下記表3に記載の特定スルホニウム塩の構造を示すカチオン部及びアニオン部の番号は、前記具体例のカチオン部及びアニオン部に付された番号を表す。
<Evaluation of Examples 15 to 21 and Comparative Examples 5 to 6>
The obtained lithographic printing plate precursor was evaluated by the method described above. Developer A was used as the developer. The following results are shown in Table 3.
The numbers of the cation part and the anion part showing the structure of the specific sulfonium salt described in Table 3 below are the numbers given to the cation part and the anion part of the specific examples.

Figure 0004369375
Figure 0004369375

表3に示されるように、実施例15〜21の平版印刷版原版は、比較例5〜6と比較するに、現像ラチチュードの向上及び耐キズ性の改良を実現していることが分かる。   As shown in Table 3, it can be seen that the lithographic printing plate precursors of Examples 15 to 21 achieve improved development latitude and improved scratch resistance as compared with Comparative Examples 5 to 6.

(実施例2327、比較例7〜8)
得られた支持体Dに以下の記録層塗布液を塗布し、120℃で90秒間乾燥して、単層構造の記録層を形成し、実施例2327及び比較例7〜8の平版印刷版原版を得た。乾燥後の塗布量は1.60g/m2であった。
(Examples 23 to 27 , Comparative Examples 7 to 8)
The following recording layer coating solution was applied to the obtained support D and dried at 120 ° C. for 90 seconds to form a recording layer having a single layer structure, and lithographic printing of Examples 23 to 27 and Comparative Examples 7 to 8 I got the original version. The coating amount after drying was 1.60 g / m 2 .

<記録層塗布液>
・フェノールクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック 1.0g
(フェノール:m−クレゾール:p−クレゾール=50:20:30(モル比)、
重量平均分子量:4,500)
・特定スルホ二ウム塩又は比較スルホニウム塩 0.08g
・シアニン染料A(前記構造) 0.05g
・ビクトリアピュアブルーBOHの対アニオンを
1−ナフタレンスルホン酸アニオンにした染料 0.01g
・フッ素系界面活性剤 0.05g
(メガファックF−177、大日本インキ化学工業(株)製)
・メチルエチルケトン 9.0g
・1−メトキシ−2−プロパノール 9.0g
<Recording layer coating solution>
・ Phenol Cresol-Formaldehyde Novolak 1.0g
(Phenol: m-cresol: p-cresol = 50: 20: 30 (molar ratio),
(Weight average molecular weight: 4,500)
・ Specific sulfonium salt or comparative sulfonium salt 0.08g
・ Cyanine dye A (the above structure) 0.05 g
・ Counter anion of Victoria Pure Blue BOH
1-naphthalene sulfonate anion 0.01g
・ Fluorosurfactant 0.05g
(Megafuck F-177, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.)
・ Methyl ethyl ketone 9.0g
・ 9.0 g of 1-methoxy-2-propanol

<実施例2327及び比較例7〜8の評価>
得られた実施例2327及び比較例7〜8の各平版印刷版原版に対して、実施例1と同様の方法で評価を行った。現像液は現像液Aを用いた。その結果を表4に示す。
下記表4に記載の特定スルホニウム塩の構造を示すカチオン部及びアニオン部の番号は、前記具体例のカチオン部及びアニオン部に付された番号を表す。
<Evaluation of Examples 23 to 27 and Comparative Examples 7 to 8>
The obtained lithographic printing plate precursors of Examples 23 to 27 and Comparative Examples 7 to 8 were evaluated in the same manner as in Example 1. Developer A was used as the developer. The results are shown in Table 4.
The numbers of the cation part and the anion part showing the structure of the specific sulfonium salt described in Table 4 below represent the numbers given to the cation part and the anion part of the specific examples.

Figure 0004369375
Figure 0004369375

表4に示されるように、実施例2327の平版印刷版原版は、比較例7〜8と比較するに、現像ラチチュードの向上及び耐キズ性の改良を実現していることが分かる。
また、実施例1〜21と実施例2327との対比において、本発明の平版印刷版原版は、記録層が単層の場合も重層の場合と同様に優れた効果を発現することが確認された。
As shown in Table 4, it can be seen that the lithographic printing plate precursors of Examples 23 to 27 achieve improved development latitude and improved scratch resistance as compared with Comparative Examples 7 to 8.
Further, in comparison between Examples 1 to 21 and Examples 23 to 27 , it was confirmed that the lithographic printing plate precursor according to the present invention exhibited excellent effects in the same manner as in the case of the multi-layer even when the recording layer was a single layer. It was done.

Claims (1)

親水性表面を有する支持体上に、(A)水不溶且つアルカリ可溶性樹脂、(B)赤外線吸収剤、及び(C)下記一般式(1)で表されるスルホニウム塩を含有し、赤外線レーザーの露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する記録層を有することを特徴とする赤外線レーザー対応ポジ型平版印刷版原版。
Figure 0004369375

[一般式(1)中、R 1 及びR 2 は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリール基を表す。Arは、酸又は熱の作用により分解することでヒドロキシル基へ変換する−O−R基(ここでRは保護基を表し、該保護基を形成する連結基として−CO −を含まない。)、及び、酸又は熱の作用により分解することでカルボキシル基へ変換する−COO−R’基(ここでR’は保護基を表す。)から選択される少なくとも1つ置換基有する芳香族炭化水素基を表す。XpKaが5未満である化合物に由来する残基をす。なお、R1とR2とが互いに結合して環状構造を形成してもよい。]
On a support having a hydrophilic surface, (A) a water-insoluble and alkali-soluble resin, (B) an infrared absorber, and (C) a sulfonium salt represented by the following general formula (1), A positive lithographic printing plate precursor for infrared lasers, comprising a recording layer whose solubility in an alkaline aqueous solution increases upon exposure.
Figure 0004369375

[In the general formula (1), R 1 and R 2 each independently be TABLE an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, or an aryl group. Ar is an —O—R group that is converted to a hydroxyl group by decomposing by the action of an acid or heat (wherein R represents a protecting group, and —CO 2 — is not included as a linking group forming the protecting group) . ), and an aromatic having at least one substituent -COO-R 'groups (where R' to convert it to decompose by the action of an acid or heat to the carboxyl group is selected from representative.) the protecting group Represents a group hydrocarbon group. X - is to display the residue derived from a compound having a pKa of less than 5. R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a cyclic structure. ]
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