JP4170839B2 - 積層シート - Google Patents
積層シート Download PDFInfo
- Publication number
- JP4170839B2 JP4170839B2 JP2003196113A JP2003196113A JP4170839B2 JP 4170839 B2 JP4170839 B2 JP 4170839B2 JP 2003196113 A JP2003196113 A JP 2003196113A JP 2003196113 A JP2003196113 A JP 2003196113A JP 4170839 B2 JP4170839 B2 JP 4170839B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wafer
- laminated sheet
- semiconductor device
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 29
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 27
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 27
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 18
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 6
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 152
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 85
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 20
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 17
- -1 polyethylene vinyl acetate Polymers 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 4
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical group C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical group C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000692870 Inachis io Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N hydantoin Chemical compound O=C1CNC(=O)N1 WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940091173 hydantoin Drugs 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O thiamine pyrophosphate Chemical compound CC1=C(CCOP(O)(=O)OP(O)(O)=O)SC=[N+]1CC1=CN=C(C)N=C1N AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
- B32B27/26—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using curing agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13139—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/731—Location prior to the connecting process
- H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
- H01L2224/73103—Bump and layer connectors
- H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/812—Applying energy for connecting
- H01L2224/81201—Compression bonding
- H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/812—Applying energy for connecting
- H01L2224/81201—Compression bonding
- H01L2224/81205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/812—Applying energy for connecting
- H01L2224/8121—Applying energy for connecting using a reflow oven
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
- H01L2224/81815—Reflow soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0133—Ternary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/1579—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
- Y10T428/31565—Next to polyester [polyethylene terephthalate, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造に使用される積層シート、該シートを用いる半導体装置の製造方法ならびに該方法により製造され得る半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
最近の半導体デバイスの高機能化、軽薄短小化に伴う要求として、半導体素子をフェイスダウン構造で配線回路基板に搭載するフリップチップ実装が行われている。
【0003】
一般にフリップチップ実装においては、半導体素子を保護するために半導体素子と配線回路基板の間隙に樹脂封止がなされる。従来のフリップチップ実装の製造方式では、ウエハ上にパターンを作製し、バンプを形成した後、ウエハを所定の厚さまで研削後、個々の半導体素子に切断し、半導体素子の配線回路基板搭載と樹脂封止が行われる。
【0004】
薄く研削されたウエハは、外力に対して強度が低いという欠点があった。その改善策として、突起電極付ウエハをあらかじめ樹脂封止した後、ウエハ裏面研削を行うことにより、研削後のウエハの強度不足を補うことが提案されている(例えば、特許文献1)。しかしながら、半導体装置を回路基板に実装するための電極形成のためには、ウエハの電極位置に対応した孔を封止樹脂層に開口し、その空孔にハンダを埋め込み、その後ハンダボールを形成するといった複雑な工程が必要となる問題があった。
【0005】
また、突起電極付ウエハ上に電極を完全に覆うように接着性薄膜層を形成し、その接着性薄膜層を突起電極保護層としてウエハの裏面研削を行い、その後個別チップに分割し、回路基板に実装するといったことが提案されている(例えば、特許文献2)。この場合には、接着性薄膜層が突起電極を完全に覆っているため、回路基板との電気接続において、絶縁物である接着性薄膜層を機械的に押しのけ電気的接続を確保しなければならず、接続信頼性に問題があった。また、接着性薄膜層が突起電極を完全に覆っていることから、半導体素子と回路基板の空隙を充填するための必要な樹脂量よりも過剰の樹脂量を塗布しているため、チップ搭載後に半導体素子周辺に過剰の樹脂が広範囲にはみ出すために、高密度実装に対して問題があった。
【0006】
一方、ウエハの突起電極面の電極頂部を露出する量の熱可塑性樹脂をコートし、その後粘着層付テープを熱可塑性樹脂層に貼り付け、ウエハの裏面研削を行うことを提案している(例えば、特許文献3)。この提案では、裏面研削後、粘着層付テープを剥離し、個別チップに分割し、その後可塑性樹脂を溶融させながら回路基板に実装される。本方法では熱可塑性樹脂を均一に塗布するためには充分な活動性が必要であり、好適には150℃程度で可塑化する熱可塑性樹脂を240〜260℃に加熱しながら滴下することを提案していることから、ウエハ研削後においては、熱可塑性樹脂の残留応力に伴う反りの発生によりウエハ搬送不良といった問題があった。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−144123号公報
【特許文献2】
特開2001−144140号公報
【特許文献3】
特開2000−223602号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、フリップチップ実装に好適に使用される、バンプ充填性に優れ、優れたウエハ加工性が得られ、樹脂封止後に優れた電気接続信頼性をもたらす積層シート、該シートを用いた半導体の製造方法ならびに該方法によって製造され得る半導体装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、
(1)突起電極付ウエハの裏面を研削する工程において、該ウエハの回路面に貼られる積層シートであって、少なくとも、回路面と接する層(A層)が80℃における溶融粘度が10〜3000Pa・sの熱硬化性樹脂層であり、A層の上に直接積層された層(B層)が40℃〜80℃で1〜300MPaの引張り弾性率を有する熱可塑性樹脂層であり、かつ最外層(C層)が少なくとも25℃で非可塑性の熱可塑性樹脂層である積層シート、
(2)C層の40℃〜80℃における引張り弾性率が1000〜3000MPaである(1)記載の積層シート、
(3)突起電極の高さをh、A層の厚さをAt、B層の厚さをBtとしたときに、At<hであり、且つ(At+Bt)>hであ(1)または(2)記載の積層シート、
(4)A層を構成する熱硬化性樹脂組成物が、
(イ) 1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、
(ロ) 硬化剤、
(ハ) 潜在性硬化促進剤、および
(ニ) 熱可塑性樹脂
を含有してなる(1)〜(3)いずれか記載の積層シート、
(5)回路面に(1)〜(4)いずれか記載の積層シートが貼られた突起電極付ウエハの裏面を研削する工程、A層のみをウエハに残して他の層を除去する工程、および個別チップに切断する工程を含む半導体装置の製造方法、ならびに
(6)(5)記載の方法によって製造され得る半導体装置
に関する。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の積層シートは、突起電極付ウエハの裏面を研削する工程において、該ウエハの回路面に貼りつけて使用されるものであり、少なくとも、回路面と接する層(A層)が熱硬化性樹脂層であり、A層の上に直接積層された層(B層)が40℃〜80℃で1〜300MPaの引張り弾性率を有する突起電極を埋め込むための柔軟性の熱可塑性樹脂層であり、かつ最外層(C層)が少なくとも25℃で非可塑性の熱可塑性樹脂層であることに大きな1つの特徴を有する。
【0011】
フリップチップ実装においては、突起電極を形成したウエハを所定の厚さまで研削した後、該ウエハを個々の半導体素子に切断し、得られた半導体素子を配線回路基板上に搭載し、樹脂封止を行う。本発明の積層シートを突起電極が存在する回路面に貼りつけた場合、通常、突起電極はA層を貫通してB層に至ることになるが、B層は突起電極を埋め込み得る柔軟性を有しており、該電極を包み込んで保護するので、ウエハ加工時の突起電極の損傷等が防止される。また、本発明の積層シートは充分に密に回路面上に貼りつけることができるので、突起電極と該シートとの間に実質的にボイドが生ずることはなく、バンプ充填性に優れる。
【0012】
研削されたウエハは外力に対して強度が低いが、一定の強度を示すC層を有する本発明の積層シートをA層を介してウエハの回路面に貼ることで充分に該ウエハの強度を高めることができ、研削後にウエハが割れることが実質的にない。また、研削後のウエハの反りも防止され得る。従って、優れたウエハ加工性が得られる。
【0013】
また、本発明の積層シートは、通常、ウエハの研削後、A層のみを残して他の層を除去(剥離)して用いるが、A層は半導体素子と配線回路基板との間を樹脂封止し得る封止機能を有しており、該シートを用いて半導体装置を製造する場合、樹脂封止はA層により行われる。A層は、通常、突起電極を覆うことなく(通常、突起電極はA層を貫通する)、半導体素子と配線回路基板との間を樹脂封止するのに適度な量の熱硬化性樹脂組成物で構成されることから、チップ搭載後に該チップ周辺に過剰の樹脂がはみ出すことはなく、また、突起電極と配線回路との電気的接続を阻害することもなく、得られる半導体装置は優れた電気接続信頼性を有する。
【0014】
本明細書において、「最外層」とは、本発明の積層シートのA層とは反対面を形成する最も外に面する層をいう。「突起電極」および「バンプ」;「切断」および「ダイシング」;ならびに「チップ」、「半導体チップ」および「半導体素子」は、それぞれ互いに同意義で使用される。
【0015】
本発明の積層シートにおけるA層は、その使用時に突起電極付ウエハの回路面と接する熱硬化性樹脂層である。A層の形成にあたっては、例えば、有機成分のみを含む樹脂組成物、有機成分と無機成分とを含む樹脂組成物、有機成分と金属粒子とを含む樹脂組成物、有機成分と無機成分と金属粒子とを含む樹脂組成物などが用いられる。
【0016】
中でも、A層を構成する熱硬化性樹脂組成物としては、耐熱性、耐湿性および接着性の向上の観点から、(イ)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(ロ)硬化剤、(ハ)潜在性硬化促進剤、および(ニ)熱可塑性樹脂を含有してなる樹脂組成物が好適に使用される。かかる樹脂組成物の詳細については後述する。
【0017】
A層の厚さは特に限定されるものではないが、通常、10〜180μm、好ましくは20〜160μmである。
【0018】
本発明の積層シートにおけるB層は、A層の上に直接積層された層であり、突起電極を埋め込むための柔軟性のある熱可塑性樹脂層である。B層を形成するにあたっては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチルビニルアセテート、ポリエチレンビニルアセテート、ポリエチレンメチルアクリレート、ポリエチレンエチルアセテート、ポリエチレンブチルアクリレート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリウタレン、ポリエステル系ポリウタレン、ポリエーテル系ポリウタレン、アクリル−ウレタン複合ポリマーなどが用いられる。これらは単独で使用されてもよく、また2種以上併用されてもよい。
【0019】
また、B層は、バンプ充填性およびその剥離性の向上の観点から、40〜80℃において、1〜300MPa、好ましくは2〜250MPa、より好ましくは3〜200MPaの引張り弾性率を有する。前記例示した材料を適宜組み合わせてB層を形成することで、所望の引張り弾性率を有するものとすることができる。従って、B層を構成する熱可塑性樹脂層は、本発明の積層シートをウエハの回路面に貼りつけた際に、突起電極が充分に埋め込まれ得る、すなわち、貫入し得る程度の柔軟性を有する。
【0020】
B層の厚さは特に限定されるものではないが、通常、25〜200μm、好ましくは50〜150μmである。
【0021】
また、本発明の積層シートとしては、突起電極の高さをh、A層の厚さをAt、B層の厚さをBtとした時、以下の式:
At<h
(At+Bt)>h
を満たすものが好適である。なお、hは、通常、10〜200μm程度である。
【0022】
本発明の積層シートにおけるC層は、少なくとも25℃で非可塑性の熱可塑性樹脂層である。少なくとも25℃で非可塑性であるので、フリップチップ実装における研削工程で、ウエハの充分な加工性を維持することができる。C層を形成するにあたっては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、2軸延伸ポリプロピレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミドなどが用いられる。これらは単独で使用されてもよく、また2種以上併用されてもよい。
【0023】
また、C層としては、ウエハを切断する際の積層シート自身の切断加工性維持ならびにウエハ研削後のウェハの割れおよび反り防止の観点から、40〜80℃における引張り弾性率が、好ましくは1000〜3000MPa、より好ましくは1500〜2500MPaであるものが望ましい。前記例示した材料を適宜組み合わせてC層を形成することで、所望の引張り弾性率を有するものとすることができる。
【0024】
C層の厚さは特に限定されるものではないが、積層シートの切断加工性維持ならびにウエハ研削後のウェハの割れおよび反り防止の観点から、好ましくは25〜150μm、より好ましくは50〜100μmである。
【0025】
なお、本明細書における引張り弾性率は、例えば、RHEOMETRIC SCIENTIFIC社製:RSAIIにより、周波数1Hzの条件で測定することができる。
【0026】
本発明の積層シートは、少なくとも前記A層、B層およびC層を有し、A層の上にB層が直接積層されていればよく、本発明の所望の効果の発現が阻害されない限り、B層とC層との間に、公知の任意の原料からなる他の層が1または複数設けられていてもよい。なお、本発明の積層シートの厚さとしては、通常、50〜500μm、好ましくは75〜450μm、より好ましくは100〜400μmである。
【0027】
ここで、前記A層の形成に好適に使用される、前記(イ)〜(ニ)の成分を含んでなる樹脂組成物について詳細に説明する。
【0028】
前記(イ)成分である1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、ヒダントインエポキシ樹脂などの含窒素含環エポキシ樹脂、水添加ビスフェノールA型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、低給水率硬化体タイプの主流であるビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは単独で使用されてもよく、あるいは、2種以上併用されてもよい。
【0029】
上記エポキシ樹脂は、常温で固形でも液状でもよいが、A層の機械的強度およびガラス転移温度の制御の観点から、一般にエポキシ当量が90〜1000g/eqのものが好ましい。樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、耐熱性および硬化性の向上の観点から、5〜80重量%が好ましく、10〜70重量%がより好ましい。
【0030】
前記(ロ)成分である硬化剤としては、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであれば特に限定されず、各種の硬化剤が用いられる。耐湿信頼性に優れる点で、フェノール系硬化剤が一般に用いられるが、各種酸無水物系硬化剤、アミン類、ジシアンジアミド、ベンゾオキサジン環化合物などを使用することもできる。これらは、単独で使用されてもよく、また2種以上併用されてもよい。
【0031】
前記フェノール系硬化剤としては、例えば、クレゾールノボラック樹脂、フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン環型フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、キシリレン型フェノール樹脂、ナフトールなどが挙げられる。これらは、単独で使用されてもよく、また2種以上併用されてもよい。
【0032】
上記エポキシ樹脂とフェノール系硬化剤の配合割合は、硬化性、耐熱性、耐湿信頼性の確保の観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ当量1g/eqに対して、通常、フェノール系硬化剤における反応性の水酸基当量が0.5〜1.5g/eq、好ましくは0.7〜1.2g/eqとなるような割合であるのが好ましい。なお、フェノール系硬化剤以外の硬化剤を使用する場合においても、その配合割合は、フェノール系硬化剤を用いる場合の配合割合(当量比)に準じればよい。
【0033】
前記(ハ)成分である潜在性硬化促進剤とは、これを含有してなるA層の示差熱走査型測定器(パーキンエルマー社製:PYR1S1)で測定される昇温速度10℃/分での反応開始温度が80℃以上であるものをいう。例えば、イミダゾール系潜在性硬化促進剤、アミンアダクト系潜在性硬化促進剤、リン系潜在性硬化促進剤、ホウ素系潜在性硬化促進剤、リン−ホウ素系潜在性硬化促進剤、有機金属錯体系潜在性硬化促進剤などが挙げられる。また、該潜在性硬化促進剤をマイクロカプセルに封入したものからなるマイクロカプセル型硬化促進剤はより好適に用いられる。これは、マイクロカプセル型硬化促進剤を含有するA層は、シェル部がコア部(潜在性硬化促進剤)と硬化剤との物理的接触を遮断するのでハンダ付け工程においてA層のゲル化が抑制され、良好なハンダ付け性を示すからである。また、貯蔵時などに生じるA層の所望されない硬化を抑制することができ、それにより可使時間が非常に長くなり貯蔵安定性に優れるという利点がある。
【0034】
なお、前記マイクロカプセル型硬化促進剤は、例えば、特開2000-309682 号に記載の方法によって調製される。
【0035】
前記潜在性硬化促進剤は、単独で使用されてもよく、また2種以上併用されてもよい。
【0036】
A層の形成に好適に使用される前記樹脂組成物中の潜在性硬化促進剤の含有量は、所望の硬化速度が得られ、かつハンダ付け性および接着性を低下させないような割合で、適宜設定すればよい。設定方法としては、例えば、種々の量の潜在性硬化促進剤を含有するA層の熱板上でのゲル化時間(硬化速度の指標)を測定し、所望のゲル化時間が得られた量をその含有量とする方法が挙げられる。一般に、硬化剤100重量部に対して、好ましくは0.1〜40重量部、より好ましくは1〜20重量部である。
【0037】
前記(ニ)成分である熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル酸アルキルエステル共重合物、アクリロニトリル−ブタジエン共重合物、水添アクリロニトリル−ブタジエン共重合物、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合物、エポキシ変性スチレン−ブタジエン−スチレン共重合物などが挙げられる。また、これら熱可塑性樹脂の含有量は、A層の形成に好適に使用される前記樹脂組成物のシート化が可能であれば特に限定されないが、ウエハ貼り合せ性、切断加工性、チップ実装性の確保の観点から、好ましくは1〜50重量%、より好ましくは3〜30重量%である。
【0038】
また、A層を構成する熱硬化性樹脂組成物には、所望により無機充填剤、カップリング剤、顔料、染料などを加えることができる。無機充填剤としては、アルミナ、シリカ、窒化珪素など、酸化チタン、ジルコニアなどが挙げられる。無機充填剤の含有量は、特に限定されるものではないが、熱硬化性樹脂組成物の粘度の制御および半導体素子と配線回路基板との電気的接合の確保の観点から、熱硬化性樹脂組成物中に0〜70重量%が好ましく、より好ましくは0〜65重量%である。
【0039】
A層は、例えば、好適な前記樹脂組成物を用いて以下のようにして形成することができる。すなわち、エポキシ樹脂、硬化剤、潜在性硬化促進剤、熱可塑性樹脂の各成分を所定量配合し、トルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチルなどの有機溶剤に混合溶解し、この混合溶液を、後述のようにして得られるB層およびC層(所望によりさらにその他の層)からなる剥離シートの上に塗布する。つぎに、該シートを80〜160℃程度で乾燥させ、有機溶剤を除去することにより、該シート上にA層を形成する。また、エポキシ樹脂、硬化剤、潜在性硬化促進剤、熱可塑性樹脂の各成分を所定量配合し、トルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチルなどの有機溶剤に混合溶解し、この混合溶液を離型処理したポリエステルフィルムなどの基材フィルム上に塗布する。つぎに、この塗布した基材フィルムを80〜160℃程度で乾燥させ、基材フィルム上にA層を形成する。
【0040】
なお、前記剥離シートを構成するB層およびC層(所望によりさらにその他の層)は、いずれも、例えば、カレンダー法、キャスティング法、インフレーション押出し法、Tダイ押出し法などの従来より公知の方法により形成することができる。
【0041】
また、このように形成された剥離シートの表面には、所望によりマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋処理などの慣用の物理的または化学的処理を施してもよい。
【0042】
上記のようにして形成されたA層の特性としては、80℃における溶融粘度が1〜500Pa・sであるのが好ましく、より好ましくは10〜3000Pa・sである。ゲルタイムは175℃において2〜120秒が好ましく、3〜90秒がより好ましい。溶融粘度が前記範囲内にあれば充填性が良好となり好ましい。ゲルタイムが前記範囲内にあれば成形作業性が良好であり好ましい。
【0043】
前記溶融粘度は、A層1gについて、E型粘度計(HAAKE社製:RS1)を用いて、プレートの直径は20mm、ギャップは100μm、剪断速度は10(1/s)に設定して80℃にて測定する。
【0044】
また、前記ゲルタイムは、下記の(1)〜(5)の手順により測定する。
(1)熱板の表面温度を表面温度計で測定し、所定の温度になるように設定する。
(2)測定サンプル(A層)を200〜400mgとり、熱板上にのせてすばやく広げる。
(3)サンプルが溶融すると同時にストップウォッチで測定を開始する。
(4)5秒間、サンプルをかき混ぜ、その後10秒間で薄く引き伸ばす。
(5)針先で線を入れていき、線が広がり乱れた点を終点とし、ストップウォッチを止め、時間を読み取り、その時間をゲルタイムとする。
【0045】
本発明の積層シートは、例えば、上記のように剥離シートの上にA層を形成することにより、また、基材フィルム上に形成されたA層を前記剥離シートとロールラミネーターを用いて貼り合わせ、基材フィルムを除去することにより得られ得る。貼り合わせの条件は、特に限定されず、公知の条件に従えばよい。
【0046】
以上のようにして、本発明の積層シートが得られる。A層、B層およびC層からなる当該シートの一例を図1に示す。かかる図では、A層1の上にB層2が、B層2の上にC層3が積層されている。
【0047】
次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。本発明の半導体装置の製造方法は、その回路面に本発明の積層シートが貼られた突起電極付ウエハの裏面を研削する工程、A層のみをウエハに残して他の層を除去(剥離)する工程、および個別チップに切断する工程を含む。図3〜8に、本発明の半導体装置の製造方法における各工程の一例を示す。以下においては、当該図を参照して説明する。
【0048】
突起電極付ウエハの一例を図2に示す。かかる図では、ウエハ4上に突起電極5が形成されている。
【0049】
本発明に用いられるウエハ4の材質としては、特に限定するものではないが、例えば、シリコンやガリウム−ヒ素などが挙げられる。その厚さは、特に限定はされないが、例えば、200〜1000μm程度が好ましい。
【0050】
突起電極5としては、特に限定はされないが、例えば、ハンダによる低融点および高融点バンプ、錫バンプ、銀−錫バンプ、銀−錫−銅バンプ、金バンプ、銅バンプなどが挙げられる。その高さは、特に制限はされないが、10〜200μmが好ましい。
【0051】
上記ウエハの回路面に本発明の積層シート(図1に例示のもの)を貼り合わせた一例を図3に示す。かかる図では、ウエハ4の回路面とA層1が接しており、突起電極5は、A層1を突き抜け、B層2に埋め込まれている。突起電極5は、C層3には達していない。
【0052】
上記ウエハおよび積層シートの貼り合わせには、ロール式貼り合わせ装置や真空式貼り合わせ装置が用いられる。貼り合わせ温度は、ボイドの減少、ウエハ密着性の向上およびウエハ研削後の反り防止の観点から、好ましくは25℃〜100℃、より好ましくは40℃〜80℃である。また、貼り合わせ圧力は、貼り合わせ方式および貼り合わせ時間などにより適宜設定される。
【0053】
上記積層シートを貼り合わせたウエハの研削後のものの一例を図4に示す。かかる図では、積層シートをウエハ4に貼り合せたまま、ウエハ4の裏面が研削されている。
【0054】
裏面の研削には、研削ステージを有する研削装置が特に限定なく、使用される。当該装置としては、ディスコ(株)製、「DFG−840」などの公知の装置が挙げられる。また、研削条件も、特に限定はない。研削された後のウエハの厚さは、50〜600μm程度が好ましい。
【0055】
研削後のウエハの裏面(研削面)にダイシングテープを貼り合わせたものの一例を図5に示す。かかる図では、研削されたウエハ4の裏面にダイシングテープ6が貼り合わせられている。
【0056】
本発明に用いられるダイシングテープとしては、当該分野で通常使用されるものであれば特に限定されない。
【0057】
ダイシングテープの貼り合わせ装置および条件としては、特に限定されず、公知の装置および条件が用いられる。
【0058】
剥離シートの除去後のものの一例を図6に示す。かかる図では、ウエハ4に貼り合わされた積層シートのうち剥離シート(B層2およびC層3)のみが除去され、ウエハ4上にはA層1のみが残っている。
【0059】
剥離シートの除去は、例えば日東電工社製:HR−8500−IIを用いて行なわれる。
【0060】
ウエハの切断(ダイシング)後のものの一例を図7に示す。かかる図では、A層1が貼り合わされたウエハ4が、ダイシングテープ6に貼り合わされたまま個別チップ7に切断されている。
【0061】
ウエハの切断は、特に限定されず、通常のダイシング装置を用いて行われる。
【0062】
別の態様として、ウエハの切断の際、A層の透明性が低くウエハ回路面のパターンなどが認識できない場合においては、ダイシングテープをウエハの裏面に貼り合わせるのではなく、C層上にダイシングテープを貼り合わせた後、赤外線カメラを用いてパターン認識を行なうことにより切断することもできる。
【0063】
チップ搭載の一例を図8に示す。かかる図では、個別チップ7がダイシングテープから取り外され配線回路基板8上に搭載されている。ウエハ4と配線回路基板8との間は、A層1により樹脂封止されている。
【0064】
配線回路基板8としては、特に限定されないが、大別してセラミック基板、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板、ガラスエポキシ基板などが挙げられる。
【0065】
個別チップ7の配線回路基板への搭載方法としては、まず個別チップは、ダイシングテープからピックアップして取り外され、チップトレイに収納されるか、またはフリップチップボンダーのチップ搭載ノズルへと搬送された後、バンプ接合形態により、半導体素子を加熱と共に加圧して配線回路基板へ搭載する(熱圧着実装方式)と同時に電気接続を得る方法、半導体素子を加熱と加圧と超音波を用いて配線回路基板へ搭載すると同時に電気接続を得る方法、半導体素子を配線回路基板に搭載した後、ハンダリフローにより電気接続を得る方法などが挙げられる。
【0066】
上記加熱温度は、チップおよび配線回路基板の劣化の防止の観点から、500℃以下が好ましく、400℃以下がより好ましい。上記加圧条件は、接続用電極部の個数などにも依存するが、9.8×10-3〜1.96N/個が好ましく、1.96×10-2〜9.8×10-1N/個がより好ましい。加熱方法としては、赤外線リフロー炉、乾燥機、温風機、熱板などを用いる公知の方法が挙げられる。
【0067】
以上の方法により、電気接続信頼性や耐久性に優れた半導体装置が効率的に得られる。得られた半導体装置は、本発明に包含される。
【0068】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに説明するが、本発明はかかる実施例によりなんら限定されるものではない。
【0069】
以下に実施例で用いた原料および部品をまとめて示す。
【0070】
A層の形成においては、エポキシ樹脂としてナフタレン型エポキシ樹脂(エポキシ当量:141g/eq)、硬化剤としてキシリレン型フェノール樹脂(水酸基当量:174g/eq)、潜在性硬化促進剤としてマイクロカプセル化トリフェニルホスフィン(TPP)(シェル:ポリウレア、コア/シェル比=3/7(wt/wt))、熱可塑性樹脂としてアクリロニトリル−ブタジエン共重合物(アクリロニトリル結合度:27%、ムーニー粘度:70ML1+4/100℃)および無機充填剤として球状シリカ(平均粒径:2μm、最大粒径:5μm)を用いた。
【0071】
B層の形成においては、アクリル−ウレタン複合ポリマー、ポリ塩化ビニルまたはポリエチレンビニルアセテートを用いた。
【0072】
C層の形成においては、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンまたはポリ塩化ビニルを用いた。
【0073】
突起電極付ウエハとして、以下のようなウエハを使用した。
サイズ:8インチ、
厚さ:525μm、
配線:A1、
突起電極:Auスタッドバンプ、
突起電極高さ:85±10μm、
突起電極数:240個/10mm2 (個別チップ)、
電極ピッチ:135μm、
パッシベーション膜:ポリイミド
【0074】
配線回路基板として、以下のような配線回路基板を使用した。
材質:ガラスエポキシ、
配線:Cu−Ni−Au、
配線厚さ:35μm
【0075】
以下に評価方法をまとめて示す。
【0076】
(1)厚さ
各層の厚さをPEACOCK社製:DG205を用いて測定した。
【0077】
(2)ゲルタイム
熱板の表面温度を表面温度計で測定し、175℃になるように設定した。測定サンプルを200〜400mgとり、熱板上にのせてすばやく広げた。サンプルが溶融すると同時にストップウォッチで測定を開始した。5秒間、サンプルをかき混ぜ、その後10秒間で薄く引き伸ばした。針先で線を入れていき、線が広がり乱れた点を終点とし、ストップウォッチを止め、時間を読み取り、その時間をゲルタイムとした。
【0078】
(3)溶融粘度
A層1gを、E型粘度計(HAAKE社製:RS1)を用いて、80℃にて測定した。プレートの直径は20mm、ギャップは100μm、剪断速度は10(1/s)に設定した。
【0079】
(4)引張り弾性率
各層を、5mm幅×25mm長さに切断し、RHEOMETRIC SCIENTIFIC社製:RSAIIにより、40〜80℃で測定した。周波数は1Hzに設定した。
【0080】
(5)バンプ充填性
積層シートをウエハに貼り合わせた後の、バンプ周辺におけるボイドを目視にて確認し、以下の評価基準に従って評価した。
〔評価基準〕
ボイドなし:○
ボイドあり:×
【0081】
(6)ウエハ裏面研削(BG)後割れ
ウエハの裏面を研削した後のウエハの割れを目視にて確認し、以下の評価基準に従って評価した。
〔評価基準〕
割れなし:○
割れあり:×
【0082】
(7)ウエハ反り量
ウエハの裏面を研削した後のウエハの最大反り部を定規により測定し、以下の評価基準に従って評価した。
〔評価基準〕
反り量が3mm未満:○
反り量が3mm以上:×
【0083】
(8)チップ搭載後導通性
熱衝撃装置(タバイエスペック社製:TSB−5)を用い、半導体装置を−40℃で5分間維持後、100℃で5分間維持する操作を行った。この操作後、半導体装置の導通性を評価し、半導体装置20個あたりの不良品の個数で表した。導通性の評価では、デイジーチェーン(ADVANTEST社製:デジタルマルチメーターTR6847)で半導体装置の電気抵抗値を測定し、抵抗値表示なしのものを不良品としてカウントした。
【0084】
(9)樹脂広がり量
半導体装置におけるチップ搭載エリアからのA層を構成する熱硬化性樹脂組成物の広がりを測定し、以下の評価基準に従って評価した。
〔評価基準〕
1.5mm未満:○
1.5mm以上:×
【0085】
(10)ハンダリフローの評価
JEDECレベル3に基づき、260℃でのハンダリフロー後の半導体装置の電気抵抗値を測定し、半導体装置20個あたりの不良品の個数で表した。本評価では、デイジーチェーン(ADVANTEST社製:デジタルマルチメーターTR6847)にて半導体装置の電気抵抗値を測定し、その電気抵抗値を初期値(前記操作を行う前の半導体装置の電気抵抗値)と比較した。この電気抵抗値が初期の1.5倍以上となったものを不良品としてカウントした。
【0086】
(11)温度サイクル試験
半導体装置を−55℃で30分間維持後、125℃で30分間維持する操作を行った。この操作を100サイクル行う毎にデイジーチェーン(ADVANTEST社製:デジタルマルチメーターTR6847)にて半導体装置の電気抵抗値を測定し、その電気抵抗値を初期値(前記操作を行う前の半導体装置の電気抵抗値)と比較した。この電気抵抗値が初期値の1.5倍以下を維持する最大の温度サイクルの回数で表した。
【0087】
実施例1〜8および比較例1〜5
以下のようにして実施例1〜8および比較例1〜5の積層シートを形成した。該積層シートは、図1のものと同様の形態である。
【0088】
(1)A層の形成
表1に示す各原料を同表に示す割合で、メチルエチルケトンに混合溶解し、この混合溶液を離型処理したポリエステルフィルム上に塗布した。次に、ポリエステルフィルム上の該溶液を120℃で5分間乾燥させ、メチルエチルケトンを除去することにより、上記ポリエステルフィルム上に目的とする厚さ30μmまたは90μmのA層(A1〜A3)をそれぞれ形成し、その物性を測定した。
【0089】
【表1】
【0090】
(2)B層の形成
表2に示す原料を用いてB層(B1〜B6)を形成し、その物性を測定した。
【0091】
【表2】
【0092】
(3)C層の形成
表3に示す原料を用いてC層(C1〜C3)を形成し、その物性を測定した。
【0093】
【表3】
【0094】
(4)剥離シートの形成
上記で形成したC層の片面にアンカーとして厚さ20μmのアクリル系粘着剤層を接着し、これを介して上記で形成したB層とC層とを貼り合わせることにより剥離シートを形成した。
【0095】
(5)積層シートの形成
上記で形成した剥離シートのB層側と上記で形成したA層を60℃にて貼り合わせることにより積層シートを形成した。なお、各実施例および比較例の積層シートにおける、A層、B層およびC層の組み合わせは表4および5にそれぞれ示す。
【0096】
【表4】
【0097】
【表5】
【0098】
実施例9〜16および比較例6〜10
以下のようにして実施例9〜16および比較例6〜10の半導体装置を作製した。上記で形成した実施例1〜8および比較例1〜5の積層シートを、ロール貼り合わせ機(日東電工社製:DR−8500−II)を用いて突起電極付ウエハの回路面上に40℃、80℃または150℃にてそれぞれ貼り合わせた(表6および7参照)。得られたウエハを研削装置(DISCO社製:DFG−840)を用いて50μmの厚さまで研削した後、ダイシングテープ(日東電工社製:DU−300)を貼り合わせた。次いで、剥離シートを除去した後、ダイシング装置(DISCO社製:DFD−651)を使用して該ウエハを個別チップに切断し、A層付チップを作製した。
【0099】
【表6】
【0100】
【表7】
【0101】
その後、フリップチップボンダー(九州松下製:FB30T−M)を使用してA層付チップを配線回路基板へ熱圧着実装方式(チップ搭載時:温度120℃、圧力=9.8×10-2N/個、時間=3秒、本圧着時:温度240℃、圧力=4.9×10-1N/個、時間=10秒)により搭載して半導体装置を作製した。得られた半導体装置に対して、乾燥炉(タバイエスペック社製:PHH−100)を使用してA層のポストキュアを行い、目的とする半導体装置を得た。
【0102】
試験例
実施例9〜13ならびに比較例6および7において作製した半導体装置について、上記の評価を行った。その結果を表8に示す。
【0103】
【表8】
【0104】
表8の結果から、実施例9〜13において作製した半導体装置は、いずれの評価項目についても良好な評価結果を示すことがわかる。一方、比較例6および7において作製した半導体装置は、40℃および80℃におけるB層の引張り弾性率が300MPaを超えるため、バンプ充填性が悪く、またBG後に割れも生じ、良好な半導体装置が得られないことがわかる。
【0105】
実施例14〜16および比較例8〜10において作製した半導体装置について、上記の評価を行った。その結果を表9に示す。
【0106】
【表9】
【0107】
表9の結果から、実施例14〜16において作製した半導体装置は、A層の各原料の含有量にかかわらず、またC層の原料に関わらず、C層の引張り弾性率が1000〜3000MPaの範囲にある場合、良好な評価結果を示すことがわかる。
【0108】
一方、比較例8において作製した半導体装置は、バンプ充填性およびBG後割れは比較例6および7において作製した半導体装置と比較して良好な結果を示すものの、ウエハ反り量は評価基準を満たさないことがわかる。
【0109】
また、比較例9において作製した半導体装置は、バンプ充填性、BG後割れおよびウエハ反り量について良好な結果が得られるものの、チップ搭載後導通不良が生じ、さらに、樹脂広がり量も評価基準を満たさないことがわかる。
【0110】
さらに、比較例10において作製した半導体装置は、150℃におけるB層の弾性率が1〜300MPaの範囲である(表2参照)ため、バンプ充填性およびBG後割れは良好な結果を示すものの、ウエハ反り量は評価基準を満たさないことがわかる。
【0111】
【発明の効果】
本発明の積層シートは、バンプ充填性に優れ、優れたウエハ加工性を与え、半導体素子と配線回路基板との間の樹脂封止に使用でき、また半導体装置の優れた電気接続信頼性を担保し得る。該シートは、ウエハ回路面にボイドの発生なく貼り合わせることができ、ウエハ裏面研削後におけるウエハの反りの発生や、チップ周辺への樹脂のはみ出しがなく、該シートを用いることで効率的に半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の積層シートの一例を示す。
【図2】図2は、突起電極付ウエハの断面図の一例を示す。
【図3】図3は、本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図の一例を示す。
【図4】図4は、本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図の一例を示す。
【図5】図5は、本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図の一例を示す。
【図6】図6は、本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図の一例を示す。
【図7】図7は、本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図の一例を示す。
【図8】図8は、本発明の半導体装置の製造方法の工程説明図の一例を示す。
【符号の説明】
1 A層
2 B層
3 C層
4 ウエハ
5 突起電極
6 ダイシングテープ
7 個別チップ
8 配線回路基板
Claims (6)
- 突起電極付ウエハの裏面を研削する工程において、該ウエハの回路面に貼られる積層シートであって、少なくとも、回路面と接する層(A層)が80℃における溶融粘度が10〜3000Pa・sの熱硬化性樹脂層であり、A層の上に直接積層された層(B層)が40℃〜80℃で1〜300MPaの引張り弾性率を有する熱可塑性樹脂層であり、かつ最外層(C層)が少なくとも25℃で非可塑性の熱可塑性樹脂層である積層シート。
- C層の40℃〜80℃における引張り弾性率が1000〜3000MPaである請求項1記載の積層シート。
- 突起電極の高さをh、A層の厚さをAt、B層の厚さをBtとしたときに、At<hであり、且つ(At+Bt)>hである請求項1または2記載の積層シート。
- A層を構成する熱硬化性樹脂組成物が、
(イ) 1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、
(ロ) 硬化剤、
(ハ) 潜在性硬化促進剤、および
(ニ) 熱可塑性樹脂
を含有してなる請求項1〜3いずれか記載の積層シート。 - 回路面に請求項1〜4いずれか記載の積層シートが貼られた突起電極付ウエハの裏面を研削する工程、A層のみをウエハに残して他の層を除去する工程、および個別チップに切断する工程を含む半導体装置の製造方法。
- 請求項5記載の方法によって製造され得る半導体装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003196113A JP4170839B2 (ja) | 2003-07-11 | 2003-07-11 | 積層シート |
US10/876,651 US7521122B2 (en) | 2003-07-11 | 2004-06-28 | Laminated sheet |
EP20040015517 EP1496547B1 (en) | 2003-07-11 | 2004-07-01 | Multilayer sheet for backside grinding of a semiconductor wafer |
AT04015517T ATE551721T1 (de) | 2003-07-11 | 2004-07-01 | Mehrschichtige folie zum schleifen einer halbleiterscheibenrückseite |
TW093120520A TWI347659B (en) | 2003-07-11 | 2004-07-08 | Laminated sheet |
CNB2004100552484A CN1333462C (zh) | 2003-07-11 | 2004-07-09 | 层压片、用于制造半导体器件的方法和半导体器件 |
KR1020040053615A KR101044584B1 (ko) | 2003-07-11 | 2004-07-09 | 적층 시트 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003196113A JP4170839B2 (ja) | 2003-07-11 | 2003-07-11 | 積層シート |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005028734A JP2005028734A (ja) | 2005-02-03 |
JP4170839B2 true JP4170839B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=33448032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003196113A Expired - Lifetime JP4170839B2 (ja) | 2003-07-11 | 2003-07-11 | 積層シート |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7521122B2 (ja) |
EP (1) | EP1496547B1 (ja) |
JP (1) | JP4170839B2 (ja) |
KR (1) | KR101044584B1 (ja) |
CN (1) | CN1333462C (ja) |
AT (1) | ATE551721T1 (ja) |
TW (1) | TWI347659B (ja) |
Families Citing this family (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005322804A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置 |
US20060068213A1 (en) * | 2004-09-29 | 2006-03-30 | O'brien Kevin | Decorative laminate assembly with improved tie sheet and bridging agent |
CN101035649B (zh) * | 2004-10-08 | 2010-09-08 | 昭和电工株式会社 | 液体珩磨加工机和液体珩磨加工方法 |
JP2006261529A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Lintec Corp | フリップチップ実装用アンダーフィルテープおよび半導体装置の製造方法 |
JPWO2006118033A1 (ja) * | 2005-04-27 | 2008-12-18 | リンテック株式会社 | シート状アンダーフィル材および半導体装置の製造方法 |
JP2007035880A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | バンプ付きウエハの製造方法、バンプ付きウエハ、半導体装置 |
JP2007141963A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Denso Corp | 基板の実装方法、及びその実装方法で実装された半導体装置 |
JP4699189B2 (ja) * | 2005-12-01 | 2011-06-08 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法及び電子部品 |
JP2007250952A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2007266191A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Nec Electronics Corp | ウェハ処理方法 |
US8766224B2 (en) | 2006-10-03 | 2014-07-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electrically actuated switch |
JP2008159755A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US7838391B2 (en) * | 2007-05-07 | 2010-11-23 | Stats Chippac, Ltd. | Ultra thin bumped wafer with under-film |
KR101096142B1 (ko) * | 2008-01-24 | 2011-12-19 | 브레우어 사이언스 인코포레이션 | 캐리어 기판에 디바이스 웨이퍼를 가역적으로 장착하는 방법 |
EP2242090A4 (en) | 2008-02-07 | 2011-05-18 | Sumitomo Bakelite Co | SEMICONDUCTOR FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
JP5318435B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-10-16 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの裏面研削用粘着シート及びこの裏面研削用粘着シートを用いる半導体ウエハの裏面研削方法 |
JP2009260224A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体ウエハのダイシング方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2009260232A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 |
JP5837272B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2015-12-24 | 日立化成株式会社 | 半導体製造装置の製造方法 |
US20100007007A1 (en) * | 2008-07-08 | 2010-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd | Semiconductor package |
US8431921B2 (en) | 2009-01-13 | 2013-04-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memristor having a triangular shaped electrode |
JP5477144B2 (ja) * | 2009-05-26 | 2014-04-23 | 日立化成株式会社 | 回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法 |
JP6073781B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2017-02-01 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 多層封止フィルム |
US8852391B2 (en) | 2010-06-21 | 2014-10-07 | Brewer Science Inc. | Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate |
US9263314B2 (en) | 2010-08-06 | 2016-02-16 | Brewer Science Inc. | Multiple bonding layers for thin-wafer handling |
WO2012026431A1 (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | 積水化学工業株式会社 | 接着シート及び半導体チップの実装方法 |
JP2012074623A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体加工用接着フィルム及び半導体チップ実装体の製造方法 |
JP5957794B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2016-07-27 | 日立化成株式会社 | 積層シート及び半導体装置の製造方法 |
JP5802400B2 (ja) * | 2011-02-14 | 2015-10-28 | 日東電工株式会社 | 封止用樹脂シートおよびそれを用いた半導体装置、並びにその半導体装置の製法 |
JP5830250B2 (ja) * | 2011-02-15 | 2015-12-09 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5666335B2 (ja) | 2011-02-15 | 2015-02-12 | 日東電工株式会社 | 保護層形成用フィルム |
TWI540644B (zh) | 2011-07-01 | 2016-07-01 | 漢高智慧財產控股公司 | 斥性材料於半導體總成中保護製造區域之用途 |
JP2013021119A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ウエハーレベルアンダーフィル剤組成物、これを用いた半導体装置及びその製造方法 |
JP5800640B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2015-10-28 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
JP5958262B2 (ja) | 2011-10-28 | 2016-07-27 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP6337417B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2018-06-06 | 住友ベークライト株式会社 | 接着シートおよび電子部品 |
JP5965185B2 (ja) | 2012-03-30 | 2016-08-03 | デクセリアルズ株式会社 | 回路接続材料、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
EP2857470A4 (en) | 2012-05-30 | 2016-02-17 | Toray Industries | ADHESIVE SHEET FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BODY ELECTRODES AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE |
JP5738263B2 (ja) * | 2012-12-25 | 2015-06-17 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR102070091B1 (ko) | 2013-02-20 | 2020-01-29 | 삼성전자주식회사 | 기판 연마 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 제조방법 |
JP5976573B2 (ja) * | 2013-03-13 | 2016-08-23 | 日東電工株式会社 | 補強シート及び二次実装半導体装置の製造方法 |
JP6358535B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2018-07-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 配線板間接続構造、および配線板間接続方法 |
JP6069142B2 (ja) | 2013-09-11 | 2017-02-01 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP6069143B2 (ja) | 2013-09-11 | 2017-02-01 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP6129696B2 (ja) | 2013-09-11 | 2017-05-17 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP6069153B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-02-01 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
CN105849215B (zh) * | 2013-12-26 | 2019-09-03 | 日立化成株式会社 | 临时固定用膜、临时固定用膜片材及半导体装置 |
JP6328987B2 (ja) * | 2014-04-22 | 2018-05-23 | デクセリアルズ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6347657B2 (ja) | 2014-04-22 | 2018-06-27 | デクセリアルズ株式会社 | 保護テープ、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2015092594A (ja) * | 2014-12-10 | 2015-05-14 | 日東電工株式会社 | 保護層形成用フィルム |
JP6438790B2 (ja) | 2015-02-06 | 2018-12-19 | デクセリアルズ株式会社 | 半導体装置の製造方法、及びアンダーフィルフィルム |
JP6021982B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-09 | 積水化学工業株式会社 | バックグラインド−アンダーフィル一体型テープ、及び、半導体チップの実装方法 |
JP6599134B2 (ja) | 2015-06-04 | 2019-10-30 | デクセリアルズ株式会社 | 保護テープ、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP6595296B2 (ja) | 2015-10-19 | 2019-10-23 | デクセリアルズ株式会社 | 保護テープ、及び半導体装置の製造方法 |
WO2017077958A1 (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-11 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TWI761317B (zh) | 2015-11-04 | 2022-04-21 | 日商琳得科股份有限公司 | 熱固化性樹脂膜、第一保護膜形成用片以及第一保護膜的形成方法 |
US20180320029A1 (en) | 2015-11-04 | 2018-11-08 | Lintec Corporation | Curable resin film and first protective film forming sheet |
JP6230761B2 (ja) | 2015-11-04 | 2017-11-15 | リンテック株式会社 | 第1保護膜形成用シート |
SG11201803007TA (en) | 2015-11-04 | 2018-05-30 | Lintec Corp | Kit for thermosetting resin film and second protective film forming film, thermosetting resin film, first protective film forming sheet, and method for forming first protective film for semiconductor wafer |
SG11201803358RA (en) | 2015-11-04 | 2018-05-30 | Lintec Corp | Curable resin film and first protective film forming sheet |
TWI641494B (zh) | 2015-11-04 | 2018-11-21 | 日商琳得科股份有限公司 | 第一保護膜形成用片、第一保護膜形成方法以及半導體晶片的製造方法 |
TWI745314B (zh) | 2015-11-04 | 2021-11-11 | 日商琳得科股份有限公司 | 保護膜形成用片 |
TWI631154B (zh) | 2015-11-04 | 2018-08-01 | 日商琳得科股份有限公司 | 固化性樹脂膜、第一保護膜形成用片及第一保護膜形成方法 |
US10717901B2 (en) | 2015-11-04 | 2020-07-21 | Lintec Corporation | Curable resin film and first protective film forming sheet |
US9837375B2 (en) * | 2016-02-26 | 2017-12-05 | Semtech Corporation | Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die |
JP6132056B2 (ja) * | 2016-06-17 | 2017-05-24 | 日立化成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
GB2551732B (en) * | 2016-06-28 | 2020-05-27 | Disco Corp | Method of processing wafer |
WO2018088269A1 (ja) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6975006B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2021-12-01 | リンテック株式会社 | ワークの製造方法 |
CN110582841B (zh) | 2017-05-16 | 2023-08-22 | 迪睿合株式会社 | 底部填充材料、底部填充薄膜及使用其的半导体装置的制备方法 |
JP7095978B2 (ja) * | 2017-11-16 | 2022-07-05 | 日東電工株式会社 | 半導体プロセスシートおよび半導体パッケージ製造方法 |
KR102661683B1 (ko) * | 2018-08-03 | 2024-04-29 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP7384168B2 (ja) | 2018-11-12 | 2023-11-21 | 株式会社レゾナック | 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルム |
JP7047750B2 (ja) * | 2018-12-21 | 2022-04-05 | 味の素株式会社 | 積層配線板の製造方法 |
US20220352116A1 (en) | 2019-09-30 | 2022-11-03 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Adhesive for semiconductor, production method therefor, and semiconductor device and production method therefor |
JP7032477B2 (ja) * | 2020-06-19 | 2022-03-08 | 日東電工株式会社 | バンプ根元補強用シート |
KR20230166071A (ko) | 2021-03-30 | 2023-12-06 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 반도체용 접착제, 반도체용 접착제 시트, 및 반도체장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1660721A (en) * | 1926-07-02 | 1928-02-28 | Martin J Schrag | Orthopedic apparatus |
US4099525A (en) * | 1977-03-07 | 1978-07-11 | Mccarthy Robert O | Animal leg brace |
EP0422167B1 (fr) * | 1989-04-28 | 1993-06-30 | HUMBERT, Charles | Appareil orthopedique pour handicapes d'une jambe |
US5578041A (en) * | 1994-10-14 | 1996-11-26 | Trustees Of The University Of Pennsylvania | External fixation device |
US5726391A (en) * | 1996-12-16 | 1998-03-10 | Shell Oil Company | Thermosetting Encapsulants for electronics packaging |
JP4598905B2 (ja) | 1999-01-29 | 2010-12-15 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 半導体素子の製造方法 |
US6350664B1 (en) * | 1999-09-02 | 2002-02-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2001144123A (ja) | 1999-09-02 | 2001-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2001144120A (ja) | 1999-11-10 | 2001-05-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4180206B2 (ja) | 1999-11-12 | 2008-11-12 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4369584B2 (ja) | 2000-01-21 | 2009-11-25 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ保持保護用粘着シート |
JP4438973B2 (ja) * | 2000-05-23 | 2010-03-24 | アムコア テクノロジー,インコーポレイテッド | シート状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2002327165A (ja) | 2001-04-20 | 2002-11-15 | Three M Innovative Properties Co | 熱硬化性の接着剤フィルム及びそれを用いた接着構造 |
US6794751B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-09-21 | Intel Corporation | Multi-purpose planarizing/back-grind/pre-underfill arrangements for bumped wafers and dies |
US20030111519A1 (en) | 2001-09-04 | 2003-06-19 | 3M Innovative Properties Company | Fluxing compositions |
JP4251807B2 (ja) * | 2001-12-17 | 2009-04-08 | 株式会社巴川製紙所 | 半導体装置製造用接着シート |
JP3717899B2 (ja) * | 2002-04-01 | 2005-11-16 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-07-11 JP JP2003196113A patent/JP4170839B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-06-28 US US10/876,651 patent/US7521122B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-01 EP EP20040015517 patent/EP1496547B1/en not_active Not-in-force
- 2004-07-01 AT AT04015517T patent/ATE551721T1/de active
- 2004-07-08 TW TW093120520A patent/TWI347659B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-09 KR KR1020040053615A patent/KR101044584B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-09 CN CNB2004100552484A patent/CN1333462C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050008873A1 (en) | 2005-01-13 |
EP1496547B1 (en) | 2012-03-28 |
JP2005028734A (ja) | 2005-02-03 |
EP1496547A3 (en) | 2007-07-18 |
KR20050009160A (ko) | 2005-01-24 |
EP1496547A2 (en) | 2005-01-12 |
ATE551721T1 (de) | 2012-04-15 |
CN1333462C (zh) | 2007-08-22 |
TW200507208A (en) | 2005-02-16 |
TWI347659B (en) | 2011-08-21 |
KR101044584B1 (ko) | 2011-06-29 |
US7521122B2 (en) | 2009-04-21 |
CN1577821A (zh) | 2005-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4170839B2 (ja) | 積層シート | |
TWI427685B (zh) | 半導體裝置之製造方法及半導體裝置 | |
US7611926B2 (en) | Thermosetting die bonding film | |
JP4975564B2 (ja) | 半導体装置製造用の接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP5477144B2 (ja) | 回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法 | |
JP2001332520A (ja) | シート状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2011134811A (ja) | 基板レス半導体パッケージ製造用耐熱性粘着シート、及びその粘着シートを用いる基板レス半導体パッケージ製造方法 | |
JP4766200B2 (ja) | 接着剤組成物及び半導体装置の製造方法 | |
JP2011140617A (ja) | アンダーフィル形成用接着剤組成物、アンダーフィル形成用接着剤シート及び半導体装置の製造方法 | |
JP4449325B2 (ja) | 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。 | |
JP4988531B2 (ja) | 半導体装置製造用の接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2013004872A (ja) | 半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤及び接着剤シート | |
JP5005324B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP4994743B2 (ja) | フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 | |
KR102012788B1 (ko) | 접착 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
JP6321910B2 (ja) | 封止シート、半導体装置の製造方法及び封止シート付き基板 | |
JP5213313B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2005089660A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
JP4417122B2 (ja) | シート状半導体封止用樹脂組成物 | |
JP4148434B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
JP5703621B2 (ja) | 回路部材接続用接着剤、回路部材接続用接着剤シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5414256B2 (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
TWI830861B (zh) | 膜狀接著劑、接著片以及半導體裝置及其製造方法 | |
JP2000290471A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JP5375351B2 (ja) | 半導体回路部材の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080807 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4170839 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140815 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |