JP2598458B2 - 電気信号観測装置 - Google Patents
電気信号観測装置Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/24—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
-
- G—PHYSICS
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- G01R13/00—Arrangements for displaying electric variables or waveforms
- G01R13/20—Cathode-ray oscilloscopes
- G01R13/22—Circuits therefor
- G01R13/34—Circuits for representing a single waveform by sampling, e.g. for very high frequencies
- G01R13/347—Circuits for representing a single waveform by sampling, e.g. for very high frequencies using electro-optic elements
Description
本発明は、光信号をプローブとして被測定電気信号の
波形を光強度波形に変換して観測信号を得るための電気
信号観測装置に係り、特に、簡単な構成により、効率良
く被測定電気信号の波形を光強度波形に変換して観測信
号を得ることが可能な電気信号観測装置に関するもので
ある。
波形を光強度波形に変換して観測信号を得るための電気
信号観測装置に係り、特に、簡単な構成により、効率良
く被測定電気信号の波形を光強度波形に変換して観測信
号を得ることが可能な電気信号観測装置に関するもので
ある。
従来、繰返し高速電気信号はサンプリング型オシロス
コープ（分解能20〜30ピコ秒が限度）で、又、単一現象
はリアルタイムオシロスコープ（分解能300ピコ秒程度
が限度）で測定されているが、測定対象の高速化に伴
い、被測定電気信号を更に高分解能で測定する必要が生
じてきている。 このような要請を満足するものとして、米国特許4446
425号には、電気光学効果を有する非線形光学媒質（ポ
ツケルスセル）と、偏光子、検光子及び補償器を組合わ
せた光変調器を用いて、被測定電気信号を短パルス光に
よりサンプリングして観測信号を得るようにした電圧測
定装置が開示されている。 しかしながら、このような短パルス光を用いたサンプ
リング計測においては、単一現象の計測が不可能であ
る。 一方、ヨーロッパ特許公開公報197196号には、短パル
ス光の代わりに連続光（CW光）を用いた電気−電子光オ
シロスコープが開示されている。 しかしながら、いずれにしても、ポツケルスセルのよ
うな非線形光学媒質を含む光変調器を用いているので、
該非線形光学媒質が一般に高価であるだけでなく、取扱
いが難しい。又、非線形光学媒質の他に偏光子及び検光
子、更に補償器が必要となるため、光学系が複雑にな
り、その調整も複雑で面倒である。又、非線形光学媒質
を用いた光変調器は、偏光状態の変化を利用して透過率
を変えるだけであり、増幅機能を持たないため、入射光
を有効に利用できず、効率が低く、SN比が悪い等の問題
点を有していた。
コープ（分解能20〜30ピコ秒が限度）で、又、単一現象
はリアルタイムオシロスコープ（分解能300ピコ秒程度
が限度）で測定されているが、測定対象の高速化に伴
い、被測定電気信号を更に高分解能で測定する必要が生
じてきている。 このような要請を満足するものとして、米国特許4446
425号には、電気光学効果を有する非線形光学媒質（ポ
ツケルスセル）と、偏光子、検光子及び補償器を組合わ
せた光変調器を用いて、被測定電気信号を短パルス光に
よりサンプリングして観測信号を得るようにした電圧測
定装置が開示されている。 しかしながら、このような短パルス光を用いたサンプ
リング計測においては、単一現象の計測が不可能であ
る。 一方、ヨーロッパ特許公開公報197196号には、短パル
ス光の代わりに連続光（CW光）を用いた電気−電子光オ
シロスコープが開示されている。 しかしながら、いずれにしても、ポツケルスセルのよ
うな非線形光学媒質を含む光変調器を用いているので、
該非線形光学媒質が一般に高価であるだけでなく、取扱
いが難しい。又、非線形光学媒質の他に偏光子及び検光
子、更に補償器が必要となるため、光学系が複雑にな
り、その調整も複雑で面倒である。又、非線形光学媒質
を用いた光変調器は、偏光状態の変化を利用して透過率
を変えるだけであり、増幅機能を持たないため、入射光
を有効に利用できず、効率が低く、SN比が悪い等の問題
点を有していた。
本発明は、前記従来の問題点を解消するべくなされた
もので、構成が簡単であり、且つ、入射光を有効に利用
できて効率の高い電気信号観測装置を提供することを目
的とする。
もので、構成が簡単であり、且つ、入射光を有効に利用
できて効率の高い電気信号観測装置を提供することを目
的とする。
本発明は、光信号をプローブとして被測定電気信号の
波形を光強度波形に変換して観測信号を得るための電気
信号観測装置において、連続的な光信号を発生する直流
光源と、被測定電気信号によつて制御される可変利得に
より、前記光信号を増幅する光増幅器と、該光増幅器の
出射光を高速で検出して観測信号を得る光検出器と、被
測定電気信号による前記光増幅器の利得制御と同期し
て、前記光検出器を動作させるトリガ回路と、前記光検
出器出力の時間変化を表示する表示装置とを備えること
により、前記目的を達成したものである。 又、前記光増幅器を、半導体レーザの両端面での反射
を抑えた非共振型の進行波型光増幅器としたものであ
る。 又、前記光検出器をストリークカメラとすると共に、
前記光増幅器を複数とし、前記ストリークカメラで、複
数の被測定電気信号の並列観測を可能としたものであ
る。 又、前記光検出器をサンプリング型光オシロスコープ
とすると共に、前記光信号を所定周波数でオンオフする
ための光チヨツプ素子と、前記サンプリング型光オシロ
スコープの出力のうち、該周波数成分だけを狭帯域で取
出すロツクイン増幅器とを備えたものである。 又、前記光増幅器自体が、前記光チヨツプ素子として
も動作するようにしたものである。 又、前記光増幅器の入出射光学系及び／又は光検出器
の入射光学系の少くとも一部を光フアイバとしたもので
ある。
波形を光強度波形に変換して観測信号を得るための電気
信号観測装置において、連続的な光信号を発生する直流
光源と、被測定電気信号によつて制御される可変利得に
より、前記光信号を増幅する光増幅器と、該光増幅器の
出射光を高速で検出して観測信号を得る光検出器と、被
測定電気信号による前記光増幅器の利得制御と同期し
て、前記光検出器を動作させるトリガ回路と、前記光検
出器出力の時間変化を表示する表示装置とを備えること
により、前記目的を達成したものである。 又、前記光増幅器を、半導体レーザの両端面での反射
を抑えた非共振型の進行波型光増幅器としたものであ
る。 又、前記光検出器をストリークカメラとすると共に、
前記光増幅器を複数とし、前記ストリークカメラで、複
数の被測定電気信号の並列観測を可能としたものであ
る。 又、前記光検出器をサンプリング型光オシロスコープ
とすると共に、前記光信号を所定周波数でオンオフする
ための光チヨツプ素子と、前記サンプリング型光オシロ
スコープの出力のうち、該周波数成分だけを狭帯域で取
出すロツクイン増幅器とを備えたものである。 又、前記光増幅器自体が、前記光チヨツプ素子として
も動作するようにしたものである。 又、前記光増幅器の入出射光学系及び／又は光検出器
の入射光学系の少くとも一部を光フアイバとしたもので
ある。
本発明は、光信号を光信号をプローブとして被測定電
気信号の波形を光強度波形に変換して観測信号を得る際
に、第１図に示す如く、直流光源10によつて連続的な光
信号（CW光）を発生し、該CW光を、被測定電気信号によ
つて利得が制御される光増幅器12を用いて、増幅しつつ
変調する。該光増幅器12の出射光は、光検出器14によつ
て、高速で検出され、観測信号として表示装置18に表示
される。この際、トリガ回路16によつて、被測定信号に
よる前記光増幅器12の利得制御と同期して、前記光検出
器14を動作させる。従つて、偏光子や検光子が不要で構
成が簡単であり、装置を安価に構成できると共に、光学
系の調整も簡略である。又、透過率でなく増幅率を変え
ることによつて光信号を変調しているので、入射光を有
効に利用でき、効率が高く、SN比も良い。 前記直流光源10としては、例えば、ヘリウム−ネオン
レーザ、半導体レーザ、半導体レーザ励起固体レーザ等
を用いることができる。 入射光を、外部からの電気信号に依存した増幅度で増
幅して、出射することができる前記光増幅器12として
は、半導体レーザの両端面に反射防止膜を施し、両端面
での反射を抑えた非共振型の進行波型光増幅器（Travel
ing−Wave type optical Amplifier、TWA）や、通常の
半導体レーザを発振閾値以下にバイアスして光増幅器と
して用いるフアブリペロー型光増幅器（Fabry Perot ty
pe optical Amplifier、FPA）や、フアイバ中の誘導ラ
マン散乱を利用したフアイバラマン増幅器や、DFBレー
ザを用いたもの、注入同期型増幅器等を用いることがで
きるが、光増幅器の小型化や、制御の容易さから半導体
光増幅器が有利である。 中でもTWAは、電気信号に対する高速応答、高速光信
号の増幅が可能であり、共振器による波長選択性がない
ため、数十nmに渡る広い利得帯域幅（約50nm）を持ち、
増幅器の温度や、入射光の波長が変化しても利得の変化
が小さく、安定した利得が得られるという大きな利点を
有する。又、光増幅器としての重要な基本特性である利
得飽和や雑音の面でも優れた特性を持つている。 これに対してFPAは、製作が容易であると共に、両端
面間の多重反射を利用して信号利得を得るため、低注入
電流でも閾値付近で高利得が得易いという利点を有す
る。 更に、半導体光増幅器では、その注入電流を変えるこ
とで容易に利得が変えられるため、本発明のように、注
入電流のオンオフにより光スイツチとしても用いること
ができる。 本発明に用いるのに好適なTWAは、例えば第２図に示
すような、VIPS（Ｖ−grooved Inner stripe on P−Sub
strate）構造の半導体レーザ49の両端面に反射防止膜を
施したものとすることができる。 前記VIPS構造は、第２図に示した如く、１回目の液相
成長で、まずｐ−InP基板49A上に、p1−InPバツフア層4
9B、ｎ−InPブロツク層49C、p2−InPブロツク層49Dを成
長し、SiO2ストライプマスクを通常のフオトリソ工程で
作成し（111）Ｂ面を持つＶ溝ウエツトエツチングで形
成する。これに２回目の液相成長で、ｐ−InPクラツド
層49E、ｐ型乃至はノンドープGaInAsP活性層49F、ｎ−I
nPクラツド層49G、n+−GaInAsPコンタクト層49Hを順次
成長する。このとき、GaInAsP活性層49FはＶ溝の底に形
成され、例えば幅約1.2μｍ、厚み約0.10μｍに制御さ
れる。その後、電極を形成し、ヘキ開により端面を形成
して作成される。 TWAは、この半導体レーザ49の両端面に、例えばSiO2
をターゲツトにし、酸素雰囲気中で蒸着により反射防止
膜を施すことによつて作成される。VIPS構造の半導体レ
ーザ49は、活性層への注入効率が高く、優れた高出力特
性が得られるので、これを用いたTWAも、高利得で、高
飽和出力となる。 このようにして作成されたTWA50は、第３図に示すよ
うな基本構成を有し、該TWA50への入射光強度Iinが一定
である場合には、入力電流値ｉが変化すると、TWA50か
らの出射光強度Ioutは、第４図に示す如く変化する。従
つて、入射光強度Iinが一定である時は、出射光強度Iou
tを入力電流ｉで制御できることがわかる。 今、簡単のために線形の部分のみを使うと仮定すると
（非線形な部分は補正も可能）、第４図の関係は第５図
に示す如くとなる。従つて、第５図に示す範囲では、線
形な増幅器として取扱うことができる。 なお、前記TWA50においては、その両端面に反射防止
膜を施すことによつて、両端面の反射を抑えていたが、
両端面の反射を抑える構成はこれに限定されず、第６図
に示す如く、両端面をブリユースタ角とすることによつ
て、両端面での反射を抑えることも可能である。この場
合には、偏光面が規定されるが、そのことを逆に利用す
ることも考えられる。即ち、偏光面を規定する必要があ
る場合には、そのための偏光子や検光子が不要となる。 なお、本発明に用いる光増幅器12としては、前記TWA5
0やFPAの他に、第７図に示す如く、固体レーザ媒質52に
レーザダイオード54により励起光を与え、発振閾値以下
にバイアスして共振型の光増幅器としたものや、第８図
に示す如く、固体レーザ媒質52の両端面の反射を反射防
止膜又はブリユースタ角によつて抑え、TWAと類似の非
共振型の光増幅器としたものを用いることもできる。第
７図において、56は共振鏡である。なお、前記レーザダ
イオード54には、閾値付近にするため、又は／及び、増
幅率を高めるためのバイアス電流を流してもよく、又、
流さなくてもよい。 又、光増幅器12として、第９図に示す如く、色素レー
ザ媒質又は気体レーザ媒質58に対して、発光ダイオー
ド、レーザダイオード又は各種電流制御ランプ60を用い
て励起光を与えるようにしたものを用いることもでき
る。又、第９図において、共振鏡56を省略したものを用
いることもできる。 更に、光増幅器の他の例として、第10図に示す如く、
気体レーザ媒質62を電流−電圧変換器64を介して電極62
A間に印加される電圧によつて励起するようにした、放
電を利用したものを用いることもできる。又、第10図に
おいて、共振鏡56を省略したものを用いることもでき
る。 又、前記光増幅器12の入出射光学系及び／又は光検出
器14の入射光学系の少くとも一部を光フアイバとした場
合には、光学系の厳密な調整が不要となると共に、各構
成要素の配置の自由度が高まり、例えば全体を小型化す
ることもできる。 又、前記光検出器14をフトリークカメラとすると共
に、前記光増幅器12を複数とした場合には、該ストリー
クカメラで、複数の被測定電気信号の並列観測が可能と
なる。 又、前記光検出器14をサンプリング型光オシロスコー
プとすると共に、前記光信号を所定周波数でオンオフす
るための光チヨツプ素子と、前記サンプリング型光オシ
ロスコープの出力のうち、該周波数成分だけを狭帯域で
取出すロツクイン増幅器とを備えた場合には、前記効果
に加えて、更にSN比を向上させることができる。 前記光チヨツプ素子としては、通常の光チヨツパの
他、前記のような光増幅器、電気光学効果を用いた光変
調器、Ａ−Ｏ変調器、更には光カーシヤツタ、液晶シヤ
ツタ等を用いることができる。該光チヨツプ素子とし
て、電気信号によつて利得が可変とされた光増幅器を用
いた場合には、光の利用率を向上することができる。 又、前記光増幅器12自体が、前記光チヨツプ素子とし
ても動作するようにした場合には、別体の光チヨツプ素
子を設ける必要がなく、構成が簡略である。
気信号の波形を光強度波形に変換して観測信号を得る際
に、第１図に示す如く、直流光源10によつて連続的な光
信号（CW光）を発生し、該CW光を、被測定電気信号によ
つて利得が制御される光増幅器12を用いて、増幅しつつ
変調する。該光増幅器12の出射光は、光検出器14によつ
て、高速で検出され、観測信号として表示装置18に表示
される。この際、トリガ回路16によつて、被測定信号に
よる前記光増幅器12の利得制御と同期して、前記光検出
器14を動作させる。従つて、偏光子や検光子が不要で構
成が簡単であり、装置を安価に構成できると共に、光学
系の調整も簡略である。又、透過率でなく増幅率を変え
ることによつて光信号を変調しているので、入射光を有
効に利用でき、効率が高く、SN比も良い。 前記直流光源10としては、例えば、ヘリウム−ネオン
レーザ、半導体レーザ、半導体レーザ励起固体レーザ等
を用いることができる。 入射光を、外部からの電気信号に依存した増幅度で増
幅して、出射することができる前記光増幅器12として
は、半導体レーザの両端面に反射防止膜を施し、両端面
での反射を抑えた非共振型の進行波型光増幅器（Travel
ing−Wave type optical Amplifier、TWA）や、通常の
半導体レーザを発振閾値以下にバイアスして光増幅器と
して用いるフアブリペロー型光増幅器（Fabry Perot ty
pe optical Amplifier、FPA）や、フアイバ中の誘導ラ
マン散乱を利用したフアイバラマン増幅器や、DFBレー
ザを用いたもの、注入同期型増幅器等を用いることがで
きるが、光増幅器の小型化や、制御の容易さから半導体
光増幅器が有利である。 中でもTWAは、電気信号に対する高速応答、高速光信
号の増幅が可能であり、共振器による波長選択性がない
ため、数十nmに渡る広い利得帯域幅（約50nm）を持ち、
増幅器の温度や、入射光の波長が変化しても利得の変化
が小さく、安定した利得が得られるという大きな利点を
有する。又、光増幅器としての重要な基本特性である利
得飽和や雑音の面でも優れた特性を持つている。 これに対してFPAは、製作が容易であると共に、両端
面間の多重反射を利用して信号利得を得るため、低注入
電流でも閾値付近で高利得が得易いという利点を有す
る。 更に、半導体光増幅器では、その注入電流を変えるこ
とで容易に利得が変えられるため、本発明のように、注
入電流のオンオフにより光スイツチとしても用いること
ができる。 本発明に用いるのに好適なTWAは、例えば第２図に示
すような、VIPS（Ｖ−grooved Inner stripe on P−Sub
strate）構造の半導体レーザ49の両端面に反射防止膜を
施したものとすることができる。 前記VIPS構造は、第２図に示した如く、１回目の液相
成長で、まずｐ−InP基板49A上に、p1−InPバツフア層4
9B、ｎ−InPブロツク層49C、p2−InPブロツク層49Dを成
長し、SiO2ストライプマスクを通常のフオトリソ工程で
作成し（111）Ｂ面を持つＶ溝ウエツトエツチングで形
成する。これに２回目の液相成長で、ｐ−InPクラツド
層49E、ｐ型乃至はノンドープGaInAsP活性層49F、ｎ−I
nPクラツド層49G、n+−GaInAsPコンタクト層49Hを順次
成長する。このとき、GaInAsP活性層49FはＶ溝の底に形
成され、例えば幅約1.2μｍ、厚み約0.10μｍに制御さ
れる。その後、電極を形成し、ヘキ開により端面を形成
して作成される。 TWAは、この半導体レーザ49の両端面に、例えばSiO2
をターゲツトにし、酸素雰囲気中で蒸着により反射防止
膜を施すことによつて作成される。VIPS構造の半導体レ
ーザ49は、活性層への注入効率が高く、優れた高出力特
性が得られるので、これを用いたTWAも、高利得で、高
飽和出力となる。 このようにして作成されたTWA50は、第３図に示すよ
うな基本構成を有し、該TWA50への入射光強度Iinが一定
である場合には、入力電流値ｉが変化すると、TWA50か
らの出射光強度Ioutは、第４図に示す如く変化する。従
つて、入射光強度Iinが一定である時は、出射光強度Iou
tを入力電流ｉで制御できることがわかる。 今、簡単のために線形の部分のみを使うと仮定すると
（非線形な部分は補正も可能）、第４図の関係は第５図
に示す如くとなる。従つて、第５図に示す範囲では、線
形な増幅器として取扱うことができる。 なお、前記TWA50においては、その両端面に反射防止
膜を施すことによつて、両端面の反射を抑えていたが、
両端面の反射を抑える構成はこれに限定されず、第６図
に示す如く、両端面をブリユースタ角とすることによつ
て、両端面での反射を抑えることも可能である。この場
合には、偏光面が規定されるが、そのことを逆に利用す
ることも考えられる。即ち、偏光面を規定する必要があ
る場合には、そのための偏光子や検光子が不要となる。 なお、本発明に用いる光増幅器12としては、前記TWA5
0やFPAの他に、第７図に示す如く、固体レーザ媒質52に
レーザダイオード54により励起光を与え、発振閾値以下
にバイアスして共振型の光増幅器としたものや、第８図
に示す如く、固体レーザ媒質52の両端面の反射を反射防
止膜又はブリユースタ角によつて抑え、TWAと類似の非
共振型の光増幅器としたものを用いることもできる。第
７図において、56は共振鏡である。なお、前記レーザダ
イオード54には、閾値付近にするため、又は／及び、増
幅率を高めるためのバイアス電流を流してもよく、又、
流さなくてもよい。 又、光増幅器12として、第９図に示す如く、色素レー
ザ媒質又は気体レーザ媒質58に対して、発光ダイオー
ド、レーザダイオード又は各種電流制御ランプ60を用い
て励起光を与えるようにしたものを用いることもでき
る。又、第９図において、共振鏡56を省略したものを用
いることもできる。 更に、光増幅器の他の例として、第10図に示す如く、
気体レーザ媒質62を電流−電圧変換器64を介して電極62
A間に印加される電圧によつて励起するようにした、放
電を利用したものを用いることもできる。又、第10図に
おいて、共振鏡56を省略したものを用いることもでき
る。 又、前記光増幅器12の入出射光学系及び／又は光検出
器14の入射光学系の少くとも一部を光フアイバとした場
合には、光学系の厳密な調整が不要となると共に、各構
成要素の配置の自由度が高まり、例えば全体を小型化す
ることもできる。 又、前記光検出器14をフトリークカメラとすると共
に、前記光増幅器12を複数とした場合には、該ストリー
クカメラで、複数の被測定電気信号の並列観測が可能と
なる。 又、前記光検出器14をサンプリング型光オシロスコー
プとすると共に、前記光信号を所定周波数でオンオフす
るための光チヨツプ素子と、前記サンプリング型光オシ
ロスコープの出力のうち、該周波数成分だけを狭帯域で
取出すロツクイン増幅器とを備えた場合には、前記効果
に加えて、更にSN比を向上させることができる。 前記光チヨツプ素子としては、通常の光チヨツパの
他、前記のような光増幅器、電気光学効果を用いた光変
調器、Ａ−Ｏ変調器、更には光カーシヤツタ、液晶シヤ
ツタ等を用いることができる。該光チヨツプ素子とし
て、電気信号によつて利得が可変とされた光増幅器を用
いた場合には、光の利用率を向上することができる。 又、前記光増幅器12自体が、前記光チヨツプ素子とし
ても動作するようにした場合には、別体の光チヨツプ素
子を設ける必要がなく、構成が簡略である。
以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明
する。 本発明の第１実施例は、前出第１図に示したような、
直流光源10と、光増幅器12と、光検出器14と、トリガ回
路16と、表示装置18とを有する電気信号観測装置におい
て、第11図に示す如く、前記光増幅器12を前記TWA50と
すると共に、前記光検出器14をストリークカメラ70とし
て、表示装置18に観測信号を表示するようにしたもので
ある。 前記ストリークカメラ70は、例えば第12図に示す如
く、入射光学系のスリツト72及びレンズ74を通して入
射、結像される光（スリツト後）を電子像に変換する光
電面76、該光電面76で発生した電子像を加速する綱状の
加速電極77、該加速電極77で加速された電子をスリツト
72の長手方向に垂直（図の上下方向）に高速で掃引する
偏向電極80、該偏向電極80によつて偏向された電子像を
再び光学像（時間の経過が縦軸方向の位置で表された輝
度情報像であるストリーク像）に変換する蛍光面83を主
に含むストリーク管75と、出射光学系のレンズ84を通し
て前記ストリーク像を撮像するための、SITカメラ、CCD
カメラ等の撮像装置86とから構成されている。 図において、78は、前記加速電極77で加速された電子
を一定範囲に集束するための集束電極、79は、電子を更
に加速するためのアパーチヤ電極（陽極）、81は、電子
の通過に合わせて前記偏向電極80に所定の掃引電圧を印
加するための掃引回路、82は、前記偏向電極80を通過し
た電子を、蛍光面83の前で増倍するためのマイクロチヤ
ンネルプレート（MCP）、85は、該MCP82の入力側に設け
られた、蛍光面83の有効掃引域の外に偏向される電子を
遮断して計測精度を向上するためのコーン状の遮断電極
である。 以下、第１実施例の作用を説明する。 前記直流光源10からは、CW光がTWA50に入力されてい
る。この状態で、被測定電気信号が、必要に応じて（電
圧信号の場合）電圧−電流変換器90を介して、TWA50に
利得制御信号として入力されると、TWA50からは、該被
測定電気信号によつて変調されたCW光がストリークカメ
ラ70に入射される。従つて、ストリークカメラ70を、前
記被測定電気信号と同期してトリガ回路16から入力され
るトリガ信号によつて、所定タイミングで動作させるこ
とによつて、該ストリークカメラ70の撮像装置86には、
被測定電気信号に対応する観測信号が得られる。 なお、被測定電気信号が電流信号である場合には、前
記電流−電圧変換器90を省略することができる。 本実施例においては、光検出器としてストリークカメ
ラ70を用いているので、単一現象の観測が可能である。 次に、第13図を参照して、本発明の第２実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、前記第１実施例と同様の電気信号観測装
置において、前記TWA50を複数個設け、各TWA50の出射光
を、例えば第14図に示す如く、多数の光フアイバ92が接
続されたフアイバプレート94を用いて、前記ストリーク
カメラ70のスリツト72の長さ方向に入射するようにした
ものである。 本実施例においては、蛍光面83のスリツト長さ方向
に、前記各被測定電気信号に対応する蛍光が発生するの
で、多数の被測定電気信号の並列観測が可能となる。こ
のとき、多数の被測定電気信号が同時に発生する場合に
は、多数の被測定電気信号を同時に観測可能である。一
方、多数の被測定電気信号が、それぞれ異なるタイミン
グで発生する場合には、本発明に拘わる装置を使用する
者が、予め被測定電気信号が伝搬する電線の長さをそれ
ぞれ調整し、TWA50に加わる被測定電気信号のタイミン
グを等しくしてやることにより、多数の異なるタイミン
グで発生する被測定電気信号を同時に観測可能となる。
又、予め多数の被測定電気信号のタイミングが既知であ
れば、光フアイバ92の長さを調整して、本装置を構成す
れば、目的に応じた専用器として、多数の異なるタイミ
ングで発生する被測定電気信号を同時に観測可能に構成
することができる。又、光フアイバ92の長さを、ストリ
ークカメラ70の観測可能な時間（これをＴとする）に相
当する長さずつ、それぞれ一定量ずつ変化させて構成
し、単一の被測定電気信号をTWA50に加えることによ
り、１回のストリーク掃引で、長時間に亘り、単一の被
測定電気信号を観測することができる。このとき、光フ
アイバ92がｎ本であれば、１回の掃引でnT時間の観測が
可能となる。 次に、第15図を参照して、本発明の第３実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、前出第１図に示したような、直流光源10
と、光増幅器12と、光検出器14と、トリガ回路16と、表
示装置18とを有する電気信号観測装置において、前記光
増幅器12をTWA50とすると共に、前記光検出器14をサン
プリング型光オシロスコープ96とし、更に、該サンプリ
ング型光オシロスコープ96の出力のうち、所定周波数成
分だけを狭帯域で取出すロツクイン増幅器98を設け、該
ロツクイン増幅器98の前記周波数によつて、前記TWA50
を所定周波数でオンオフするようにしたものである。 前記サンプリング型光オシロスコープ96は、例えば第
16図に示す如く、前出第12図に示したようなストリーク
カメラ70に、ストリーク像を空間的に制限するスリツト
板100を設けて光サンプリングを可能としたものであ
り、蛍光面83で発生した蛍光は、スリツト板100で制御
された後、例えば光電子増倍管102等の零次元光検出器
によつて電気信号に変換される。 本実施例においては、光検出器14として、サンプリン
グ型光オシロスコープ96を用いているので、電気信号観
測装置を安価に構成でき、電気信号を簡単に測定でき
る。更に、ロツクイン増幅器98を設けることも可能とな
り、SN比が向上する。 又、本実施例においては、ロツクイン検出用の光チヨ
ツプ素子として、前記TWA50をそのまま用いているの
で、構成が簡略である。 なお、サンプリング型光オシロスコープにおいて、ス
リツト板100の設置位置は、光検出器102の直前に限るこ
とはなく、特開昭59−134538に示される如く、ストリー
ク管75の中であつても良い。 次に、第17図を参照して本発明の第４実施例を詳細に
説明する。 この第４実施例は、前記第３実施例と同様の電気信号
観測装置において、前記TWA50とは別体のTWA104を、ロ
ツクイン検出用の光チヨツプ素子として設けたものであ
る。 本実施例においては、光増幅器としても作動するTWA5
0、104がタンデムに２段配置されているので、増幅率が
高められる。 なお、前記TWA50と104を、その端面において、例えば
接着により一体化して、強度や耐振動性を高めることも
できる。 又、TWA50とTWA104の配置は逆であつても良い。 前記実施例では、被測定電気信号を分岐して直接TWA5
0に入力していたが、必要に応じて広帯域増幅器によ
り、被測定電気信号の波形を変えることなく増幅して、
TWA50に入力してもよい。又、被測定電気信号によりTWA
50が動作するように、直流バイアス電流を同時にTWA50
に入力してもよい。更に、被測定電気信号が電圧である
場合には、電圧−電流変換器を介してTWA50に入力する
ようにしてもよい。 更に、第11図、第13図に示される第１、第２実施例に
おいて、ストリークカメラ70として、SPIE Proc.Vol.3
48 P245〜250（1982）に示されるような、シンクロス
キヤンストリークカメラを用いても良い。 又、第15図、第17図に示される第３、第４実施例にお
いて、サンプリング型光オシロスコープ96として、SPIE
Proc.Vol.491 P224〜229（1984）に示されるよう
な、シンクロスキヤンフオトメータを用いても良い。
する。 本発明の第１実施例は、前出第１図に示したような、
直流光源10と、光増幅器12と、光検出器14と、トリガ回
路16と、表示装置18とを有する電気信号観測装置におい
て、第11図に示す如く、前記光増幅器12を前記TWA50と
すると共に、前記光検出器14をストリークカメラ70とし
て、表示装置18に観測信号を表示するようにしたもので
ある。 前記ストリークカメラ70は、例えば第12図に示す如
く、入射光学系のスリツト72及びレンズ74を通して入
射、結像される光（スリツト後）を電子像に変換する光
電面76、該光電面76で発生した電子像を加速する綱状の
加速電極77、該加速電極77で加速された電子をスリツト
72の長手方向に垂直（図の上下方向）に高速で掃引する
偏向電極80、該偏向電極80によつて偏向された電子像を
再び光学像（時間の経過が縦軸方向の位置で表された輝
度情報像であるストリーク像）に変換する蛍光面83を主
に含むストリーク管75と、出射光学系のレンズ84を通し
て前記ストリーク像を撮像するための、SITカメラ、CCD
カメラ等の撮像装置86とから構成されている。 図において、78は、前記加速電極77で加速された電子
を一定範囲に集束するための集束電極、79は、電子を更
に加速するためのアパーチヤ電極（陽極）、81は、電子
の通過に合わせて前記偏向電極80に所定の掃引電圧を印
加するための掃引回路、82は、前記偏向電極80を通過し
た電子を、蛍光面83の前で増倍するためのマイクロチヤ
ンネルプレート（MCP）、85は、該MCP82の入力側に設け
られた、蛍光面83の有効掃引域の外に偏向される電子を
遮断して計測精度を向上するためのコーン状の遮断電極
である。 以下、第１実施例の作用を説明する。 前記直流光源10からは、CW光がTWA50に入力されてい
る。この状態で、被測定電気信号が、必要に応じて（電
圧信号の場合）電圧−電流変換器90を介して、TWA50に
利得制御信号として入力されると、TWA50からは、該被
測定電気信号によつて変調されたCW光がストリークカメ
ラ70に入射される。従つて、ストリークカメラ70を、前
記被測定電気信号と同期してトリガ回路16から入力され
るトリガ信号によつて、所定タイミングで動作させるこ
とによつて、該ストリークカメラ70の撮像装置86には、
被測定電気信号に対応する観測信号が得られる。 なお、被測定電気信号が電流信号である場合には、前
記電流−電圧変換器90を省略することができる。 本実施例においては、光検出器としてストリークカメ
ラ70を用いているので、単一現象の観測が可能である。 次に、第13図を参照して、本発明の第２実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、前記第１実施例と同様の電気信号観測装
置において、前記TWA50を複数個設け、各TWA50の出射光
を、例えば第14図に示す如く、多数の光フアイバ92が接
続されたフアイバプレート94を用いて、前記ストリーク
カメラ70のスリツト72の長さ方向に入射するようにした
ものである。 本実施例においては、蛍光面83のスリツト長さ方向
に、前記各被測定電気信号に対応する蛍光が発生するの
で、多数の被測定電気信号の並列観測が可能となる。こ
のとき、多数の被測定電気信号が同時に発生する場合に
は、多数の被測定電気信号を同時に観測可能である。一
方、多数の被測定電気信号が、それぞれ異なるタイミン
グで発生する場合には、本発明に拘わる装置を使用する
者が、予め被測定電気信号が伝搬する電線の長さをそれ
ぞれ調整し、TWA50に加わる被測定電気信号のタイミン
グを等しくしてやることにより、多数の異なるタイミン
グで発生する被測定電気信号を同時に観測可能となる。
又、予め多数の被測定電気信号のタイミングが既知であ
れば、光フアイバ92の長さを調整して、本装置を構成す
れば、目的に応じた専用器として、多数の異なるタイミ
ングで発生する被測定電気信号を同時に観測可能に構成
することができる。又、光フアイバ92の長さを、ストリ
ークカメラ70の観測可能な時間（これをＴとする）に相
当する長さずつ、それぞれ一定量ずつ変化させて構成
し、単一の被測定電気信号をTWA50に加えることによ
り、１回のストリーク掃引で、長時間に亘り、単一の被
測定電気信号を観測することができる。このとき、光フ
アイバ92がｎ本であれば、１回の掃引でnT時間の観測が
可能となる。 次に、第15図を参照して、本発明の第３実施例を詳細
に説明する。 本実施例は、前出第１図に示したような、直流光源10
と、光増幅器12と、光検出器14と、トリガ回路16と、表
示装置18とを有する電気信号観測装置において、前記光
増幅器12をTWA50とすると共に、前記光検出器14をサン
プリング型光オシロスコープ96とし、更に、該サンプリ
ング型光オシロスコープ96の出力のうち、所定周波数成
分だけを狭帯域で取出すロツクイン増幅器98を設け、該
ロツクイン増幅器98の前記周波数によつて、前記TWA50
を所定周波数でオンオフするようにしたものである。 前記サンプリング型光オシロスコープ96は、例えば第
16図に示す如く、前出第12図に示したようなストリーク
カメラ70に、ストリーク像を空間的に制限するスリツト
板100を設けて光サンプリングを可能としたものであ
り、蛍光面83で発生した蛍光は、スリツト板100で制御
された後、例えば光電子増倍管102等の零次元光検出器
によつて電気信号に変換される。 本実施例においては、光検出器14として、サンプリン
グ型光オシロスコープ96を用いているので、電気信号観
測装置を安価に構成でき、電気信号を簡単に測定でき
る。更に、ロツクイン増幅器98を設けることも可能とな
り、SN比が向上する。 又、本実施例においては、ロツクイン検出用の光チヨ
ツプ素子として、前記TWA50をそのまま用いているの
で、構成が簡略である。 なお、サンプリング型光オシロスコープにおいて、ス
リツト板100の設置位置は、光検出器102の直前に限るこ
とはなく、特開昭59−134538に示される如く、ストリー
ク管75の中であつても良い。 次に、第17図を参照して本発明の第４実施例を詳細に
説明する。 この第４実施例は、前記第３実施例と同様の電気信号
観測装置において、前記TWA50とは別体のTWA104を、ロ
ツクイン検出用の光チヨツプ素子として設けたものであ
る。 本実施例においては、光増幅器としても作動するTWA5
0、104がタンデムに２段配置されているので、増幅率が
高められる。 なお、前記TWA50と104を、その端面において、例えば
接着により一体化して、強度や耐振動性を高めることも
できる。 又、TWA50とTWA104の配置は逆であつても良い。 前記実施例では、被測定電気信号を分岐して直接TWA5
0に入力していたが、必要に応じて広帯域増幅器によ
り、被測定電気信号の波形を変えることなく増幅して、
TWA50に入力してもよい。又、被測定電気信号によりTWA
50が動作するように、直流バイアス電流を同時にTWA50
に入力してもよい。更に、被測定電気信号が電圧である
場合には、電圧−電流変換器を介してTWA50に入力する
ようにしてもよい。 更に、第11図、第13図に示される第１、第２実施例に
おいて、ストリークカメラ70として、SPIE Proc.Vol.3
48 P245〜250（1982）に示されるような、シンクロス
キヤンストリークカメラを用いても良い。 又、第15図、第17図に示される第３、第４実施例にお
いて、サンプリング型光オシロスコープ96として、SPIE
Proc.Vol.491 P224〜229（1984）に示されるよう
な、シンクロスキヤンフオトメータを用いても良い。
第１図は、本発明の基本的な構成を示すブロツク線図、
第２図は、本発明で用いられる光増幅器の一例としての
進行波型光増幅器（TWA）を構成する半導体レーザの構
造の一例を示す断面図、第３図は、前記TWAの動作特性
を説明するためのブロツク線図、第４図及び第５図は、
同じく出射光強度特性の一例を示す線図、第６図は、前
記TWAの変形例の構成を示す概略図、第７図乃至第10図
は、前記光増幅器の他の変形例をそれぞれ示す概略図、
第11図は、本発明に係る電気信号観測装置の第１実施例
の構成を示すブロツク線図、第12図は、第１実施例で用
いられているストリークカメラの構成を示す断面図、第
13図は、本発明の第２実施例の構成を示すブロツク線
図、第14図は、第２実施例で用いられているフアイバプ
レートの形状を示す斜視図、第15図は、本発明の第３実
施例の構成を示すブロツク線図、第16図は、第３実施例
で用いられているサンプリング型光オシロスコープの構
成を示す断面図、第17図は、本発明の第４実施例の構成
を示すブロツク線図である。 10…直流光源、12…光増幅器、14…光検出器、16…トリ
ガ回路、18…表示装置、50、104…進行波型光増幅器（T
WA）、70…ストリークカメラ、92…光フアイバ、94…フ
アイバプレート、96…サンプリング型光オシロスコー
プ、98…ロツクイン増幅器。
第２図は、本発明で用いられる光増幅器の一例としての
進行波型光増幅器（TWA）を構成する半導体レーザの構
造の一例を示す断面図、第３図は、前記TWAの動作特性
を説明するためのブロツク線図、第４図及び第５図は、
同じく出射光強度特性の一例を示す線図、第６図は、前
記TWAの変形例の構成を示す概略図、第７図乃至第10図
は、前記光増幅器の他の変形例をそれぞれ示す概略図、
第11図は、本発明に係る電気信号観測装置の第１実施例
の構成を示すブロツク線図、第12図は、第１実施例で用
いられているストリークカメラの構成を示す断面図、第
13図は、本発明の第２実施例の構成を示すブロツク線
図、第14図は、第２実施例で用いられているフアイバプ
レートの形状を示す斜視図、第15図は、本発明の第３実
施例の構成を示すブロツク線図、第16図は、第３実施例
で用いられているサンプリング型光オシロスコープの構
成を示す断面図、第17図は、本発明の第４実施例の構成
を示すブロツク線図である。 10…直流光源、12…光増幅器、14…光検出器、16…トリ
ガ回路、18…表示装置、50、104…進行波型光増幅器（T
WA）、70…ストリークカメラ、92…光フアイバ、94…フ
アイバプレート、96…サンプリング型光オシロスコー
プ、98…ロツクイン増幅器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｒ 19/00 Ｇ０１Ｒ 15/07 Ａ
Claims (6)
- 【請求項１】光信号をプローブとして被測定電気信号の
波形を光強度波形に変換して観測信号を得るための電気
信号観測装置において、 連続的な光信号を発生する直流光源と、 被測定電気信号によつて制御される可変利得により、前
記光信号を増幅する光増幅器と、 該光増幅器の出射光を高速で検出して観測信号を得る光
検出器と、 被測定電気信号による前記光増幅器の利得制御と同期し
て、前記光検出器を動作させるトリガ回路と、 前記光検出器出力の時間変化を表示する表示装置と、 を備えたことを特徴とする電気信号観測装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の電気信号観測装置におい
て、前記光増幅器が、半導体レーザの両端面での反射を
抑えた非共振型の進行波型光増幅器であることを特徴と
する電気信号観測装置。 - 【請求項３】請求項１に記載の電気信号観測装置におい
て、前記光検出器がストリークカメラとされると共に、
前記光増幅器が複数とされ、前記ストリークカメラで、
複数の被測定電気信号の並列観測を可能としたことを特
徴とする電気信号観測装置。 - 【請求項４】請求項１に記載の電気信号観測装置におい
て、前記光検出器がサンプリング型光オシロスコープと
されると共に、前記光信号を所定周波数でオンオフする
ための光チヨツプ素子と、前記サンプリング型光オシロ
スコープの出力のうち、該周波数成分だけを狭帯域で取
出すロツクイン増幅器とを備えたことを特徴とする電気
信号観測装置。 - 【請求項５】請求項４に記載の電気信号観測装置におい
て、前記光増幅器自体が、前記光チヨツプ素子としても
動作することを特徴とする電気信号観測装置。 - 【請求項６】請求項１に記載の電気信号観測装置におい
て、前記光増幅器の入出射光学系及び／又は光検出器の
入射光学系の少くとも一部を光フアイバとしたことを特
徴とする電気信号観測装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133420A JP2598458B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 電気信号観測装置 |
| EP89305356A EP0344986B1 (en) | 1988-05-31 | 1989-05-26 | Electrical signal observing device |
| DE68913076T DE68913076T2 (de) | 1988-05-31 | 1989-05-26 | Beobachtungsanordnung für elektrische Signale. |
| US07/357,824 US4967144A (en) | 1988-05-31 | 1989-05-26 | Electrical signal observing device for converting an electrical signal to be measured into an optical intensity waveform |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133420A JP2598458B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 電気信号観測装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302173A JPH01302173A (ja) | 1989-12-06 |
| JP2598458B2 true JP2598458B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=15104355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63133420A Expired - Fee Related JP2598458B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 電気信号観測装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4967144A (ja) |
| EP (1) | EP0344986B1 (ja) |
| JP (1) | JP2598458B2 (ja) |
| DE (1) | DE68913076T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9127057D0 (en) * | 1991-12-20 | 1992-02-19 | Secr Defence | Improved digital sampling of individual pulses |
| JP3167189B2 (ja) * | 1992-08-31 | 2001-05-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電圧測定装置 |
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