JP2010205807A - 被覆層形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 対象基材上に、絶縁樹脂組成物の塗膜による被覆層が、テープ基材の剥離によっても接着性および電気絶縁性が劣化せず、その特性が維持された状態で形成される被覆層形成方法の提供。
【解決手段】 被覆層形成方法は、テープ基材上に粘着膜が形成された保護テープを用い、対象基材の一面上に、その粘着膜が前記対象基材の一面上に接触する状態に保護テープを貼り合わせる工程と、粘着膜に熱または光を与えて気体を発生させた後、テープ基材を粘着膜から剥離する工程とを、この順に行って粘着膜による被覆層を対象基材の一面上に形成する方法であって、粘着膜が、熱または光を受けることにより気体を発生する気体発生剤を含有する絶縁樹脂組成物の塗膜よりなることを特徴とする。
【選択図】 なし
【解決手段】 被覆層形成方法は、テープ基材上に粘着膜が形成された保護テープを用い、対象基材の一面上に、その粘着膜が前記対象基材の一面上に接触する状態に保護テープを貼り合わせる工程と、粘着膜に熱または光を与えて気体を発生させた後、テープ基材を粘着膜から剥離する工程とを、この順に行って粘着膜による被覆層を対象基材の一面上に形成する方法であって、粘着膜が、熱または光を受けることにより気体を発生する気体発生剤を含有する絶縁樹脂組成物の塗膜よりなることを特徴とする。
【選択図】 なし
Description
本発明は、被覆層形成方法に関する。
従来、感光性樹脂組成物は様々な用途に用いられており、その一つとして半導体電子部品に係る永久膜が挙げられる。なお、「永久膜」という語は、製品を構成する部品上や部品間に感光性樹脂組成物によって形成された被膜が、製品完成後にも残存しているものを総称する概念として使用されている。
永久膜の具体例としては、ソルダーレジスト、パッケージ材、アンダーフィル剤、封止剤、ダイシングダイアタッチフィルム、および回路素子などの部品のパッケージの接着層や集積回路素子と回路基板との接着層として使用される膜などが挙げられる。例えば、特許文献１および特許文献２には、電極が形成された第１の基板と、前記電極に対応する位置に同様に電極が形成された第２の基板とを、ネガ型の感光性絶縁樹脂組成物からなる永久膜によって接着する半導体電子部品の製造方法が開示されている。
このような半導体集積回路の製造に係る永久膜には、特に電気絶縁性が高いことが求められている。
永久膜の具体例としては、ソルダーレジスト、パッケージ材、アンダーフィル剤、封止剤、ダイシングダイアタッチフィルム、および回路素子などの部品のパッケージの接着層や集積回路素子と回路基板との接着層として使用される膜などが挙げられる。例えば、特許文献１および特許文献２には、電極が形成された第１の基板と、前記電極に対応する位置に同様に電極が形成された第２の基板とを、ネガ型の感光性絶縁樹脂組成物からなる永久膜によって接着する半導体電子部品の製造方法が開示されている。
このような半導体集積回路の製造に係る永久膜には、特に電気絶縁性が高いことが求められている。
半導体集積回路（ＩＣチップ）は、例えば、厚さ６００μｍ程度の円盤状の半導体ウエハーの表面に、格子状に区画された各半導体チップ領域に所期の回路パターンや電極などによる電子回路を形成させた後、前記格子状の区画に沿ってダイシング（分割）してチップ化され、その後、ワイヤボンディングおよびパッケージングされることにより製造される。
そして、この製造工程中においては、ダイシング処理の前に、半導体ウエハーの裏面を研削してその厚みを薄くするバックグラインド処理が行われる。
然るに、バックグラインド処理においては、半導体ウエハーの破損を防止したり、電子回路を保護したりする目的で、半導体ウエハーの表面を保護するテープ（例えば、特許文献３参照。）を貼り合わせる処理をした後に研削が行われ、研削処理後、テープを剥離するところ、製造工程上、絶縁樹脂組成物による粘着層上にテープが貼り合わせられているときには当該テープを剥離する際にこの粘着性層がダメージを受け、得られる永久膜の接着性や電気絶縁性が劣化してしまうおそれがある、という問題があった。
そして、この製造工程中においては、ダイシング処理の前に、半導体ウエハーの裏面を研削してその厚みを薄くするバックグラインド処理が行われる。
然るに、バックグラインド処理においては、半導体ウエハーの破損を防止したり、電子回路を保護したりする目的で、半導体ウエハーの表面を保護するテープ（例えば、特許文献３参照。）を貼り合わせる処理をした後に研削が行われ、研削処理後、テープを剥離するところ、製造工程上、絶縁樹脂組成物による粘着層上にテープが貼り合わせられているときには当該テープを剥離する際にこの粘着性層がダメージを受け、得られる永久膜の接着性や電気絶縁性が劣化してしまうおそれがある、という問題があった。
本発明は、以上のような事情を考慮してなされたものであって、その目的は、対象基材上に、絶縁樹脂組成物の塗膜による被覆層が、テープ基材の剥離によっても接着性および電気絶縁性が劣化せず、その特性が維持された状態で形成される被覆層形成方法を提供することにある。
本発明の被覆層形成方法は、テープ基材上に粘着膜が形成された保護テープを用い、対象基材の一面上に、その粘着膜が前記対象基材の一面上に接触する状態に保護テープを貼り合わせるテープ貼り付け工程と、
前記粘着膜に熱または光を与えて気体を発生させた後、前記テープ基材を前記粘着膜から剥離する剥離工程と
を、この順に行うことにより粘着膜による被覆層を対象基材の一面上に形成する方法であって、
前記粘着膜が、熱または光を受けることにより気体を発生する気体発生剤を含有する絶縁樹脂組成物の塗膜よりなることを特徴とする。
前記粘着膜に熱または光を与えて気体を発生させた後、前記テープ基材を前記粘着膜から剥離する剥離工程と
を、この順に行うことにより粘着膜による被覆層を対象基材の一面上に形成する方法であって、
前記粘着膜が、熱または光を受けることにより気体を発生する気体発生剤を含有する絶縁樹脂組成物の塗膜よりなることを特徴とする。
本発明の被覆層形成方法においては、前記気体が、窒素または二酸化炭素であることが好ましい。
また、前記気体発生剤が、キノンジアジド基を有する化合物であることが好ましい。
また、前記気体を、光により発生させることが好ましい。
さらに、前記光を、テープ基材を介して照射することが好ましい。
また、前記気体発生剤が、キノンジアジド基を有する化合物であることが好ましい。
また、前記気体を、光により発生させることが好ましい。
さらに、前記光を、テープ基材を介して照射することが好ましい。
また、本発明の被覆層形成方法においては、前記テープ貼り付け工程と、前記剥離工程との間に、前記対象基材を加工する加工処理工程を行うこともできる。
この被覆層形成方法においては、前記対象基材の一面が、電子回路が形成された半導体ウエハーの表面であり、前記加工処理がバックグラインド処理である構成とすることができる。
この被覆層形成方法においては、前記対象基材の一面が、電子回路が形成された半導体ウエハーの表面であり、前記加工処理がバックグラインド処理である構成とすることができる。
本発明の被覆層形成方法によれば、絶縁樹脂組成物が熱または光を受けることにより気体を発生する気体発生剤を含有するものであるために、当該絶縁樹脂組成物の塗膜による粘着膜が、テープ基材に対する優れた剥離性を発揮し、テープ基材を剥離することによっても当該粘着膜の接着性および電気絶縁性が劣化せず、その特性が維持された被覆層を形成することができる。
以下、本発明について具体的に説明する。
本発明の被覆層形成方法は、テープ基材上に粘着膜が形成された保護テープを用い、対象基材の一面上に、その粘着膜が前記対象基材の一面上に接触する状態に保護テープを貼り合わせるテープ貼り付け工程と、前記粘着膜に熱または光を与えて気体を発生させた後、前記テープ基材を粘着膜から剥離する剥離工程とを、この順に行って粘着膜を残留させてこれを被覆層として対象基材の一面上に形成する方法において、粘着膜が、熱または光を受けることにより気体を発生する気体発生剤を含有する絶縁樹脂組成物の塗膜よりなる方法である。
本発明の被覆層形成方法においては、テープ貼り付け工程と剥離工程との間に、対象基材を加工する加工処理工程を行うこともできる。
本発明の被覆層形成方法においては、テープ貼り付け工程と剥離工程との間に、対象基材を加工する加工処理工程を行うこともできる。
このような被覆層形成方法としては、具体的には、例えば、図１に示されるように、半導体集積回路の製造工程において、
（工程１）電子回路２１が形成された半導体ウエハー（以下、単に「ウエハー」ともいう。）２０（図１（ａ）参照。）の表面上に、テープ基材２３上に、熱または光を受けて気体を発生する気体発生剤を含有する絶縁樹脂組成物の塗膜からなる粘着膜２４が形成されたバックグラインドテープ２５を、前記粘着膜２４がウエハー２０の表面に接触する状態に貼り合わせるテープ貼り付け工程（図１（ｂ）参照。）と、
（工程２）ウエハー２０の裏面を研削するバックグラインド処理工程（図１（ｃ）参照。）と、
（工程３）粘着膜２４に熱または光を与えて気体を発生させ（図１（ｄ）参照。）、その後、粘着膜２４からテープ基材２３を剥離する剥離工程（図１（ｅ）参照。）と
を、この順に行う方法が例示される。
以下、本発明の被覆層形成方法を半導体集積回路のバックグラインド処理工程の前後に適用させた例について説明する。
（工程１）電子回路２１が形成された半導体ウエハー（以下、単に「ウエハー」ともいう。）２０（図１（ａ）参照。）の表面上に、テープ基材２３上に、熱または光を受けて気体を発生する気体発生剤を含有する絶縁樹脂組成物の塗膜からなる粘着膜２４が形成されたバックグラインドテープ２５を、前記粘着膜２４がウエハー２０の表面に接触する状態に貼り合わせるテープ貼り付け工程（図１（ｂ）参照。）と、
（工程２）ウエハー２０の裏面を研削するバックグラインド処理工程（図１（ｃ）参照。）と、
（工程３）粘着膜２４に熱または光を与えて気体を発生させ（図１（ｄ）参照。）、その後、粘着膜２４からテープ基材２３を剥離する剥離工程（図１（ｅ）参照。）と
を、この順に行う方法が例示される。
以下、本発明の被覆層形成方法を半導体集積回路のバックグラインド処理工程の前後に適用させた例について説明する。
〔（工程１）テープ貼り付け工程〕
このテープ貼り付け工程においては、バックグラインドテープ２５によってウエハー２０上の電子回路２１が被覆されて保護される。
バックグラインドテープ２５を構成する粘着膜２４は、テープ基材２３上に絶縁樹脂組成物を塗工し、乾燥させて溶剤などを揮発させることにより、形成することができる。
この粘着膜２４においては、気体発生剤が均質に分散されていてもよいが、気体発生剤が粘着膜２４中に均質に分散されている場合は、熱または光によって気体が発生したときに当該粘着膜２４全体が発泡体となって柔軟性が過度に高いものとなり、粘着膜２４のテープ基材２３に対する剥離性が低いものとなるおそれがあるため、粘着膜２４のテープ基材２３に接触する表層部分に気体発生剤が偏在されていることが好ましい。
このテープ貼り付け工程においては、バックグラインドテープ２５によってウエハー２０上の電子回路２１が被覆されて保護される。
バックグラインドテープ２５を構成する粘着膜２４は、テープ基材２３上に絶縁樹脂組成物を塗工し、乾燥させて溶剤などを揮発させることにより、形成することができる。
この粘着膜２４においては、気体発生剤が均質に分散されていてもよいが、気体発生剤が粘着膜２４中に均質に分散されている場合は、熱または光によって気体が発生したときに当該粘着膜２４全体が発泡体となって柔軟性が過度に高いものとなり、粘着膜２４のテープ基材２３に対する剥離性が低いものとなるおそれがあるため、粘着膜２４のテープ基材２３に接触する表層部分に気体発生剤が偏在されていることが好ましい。
粘着膜２４の厚さは、例えば１〜１００μｍであることが好ましい。
絶縁樹脂組成物を塗工する方法としては、例えば、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法およびスピンコート法などの塗布方法を採用することができる。
粘着膜２４の厚さは、塗布方法、絶縁樹脂組成物の固形分濃度や粘度を調節することにより、適宜制御することができる。
絶縁樹脂組成物を塗工する方法としては、例えば、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法およびスピンコート法などの塗布方法を採用することができる。
粘着膜２４の厚さは、塗布方法、絶縁樹脂組成物の固形分濃度や粘度を調節することにより、適宜制御することができる。
テープ基材２３としては、特に限定されないが、通常、ポリオレフィンやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのプラスチックフィルムが用いられる。
このテープ基材２３は、絶縁樹脂組成物に含有される気体発生剤に与える刺激が光であり、かつ、当該光をテープ基材２３を介して照射する場合は、透光性を有するものとすればよい。
このテープ基材２３は、絶縁樹脂組成物に含有される気体発生剤に与える刺激が光であり、かつ、当該光をテープ基材２３を介して照射する場合は、透光性を有するものとすればよい。
〔（工程２）バックグラインド処理工程〕
このバックグラインド処理工程においては、ウエハー２０が、適宜の研削装置を用いて、必要な厚さ、例えば２００〜５０μｍとなるまで薄化される。
このバックグラインド処理工程においては、ウエハー２０が、適宜の研削装置を用いて、必要な厚さ、例えば２００〜５０μｍとなるまで薄化される。
〔（工程３）剥離工程〕
この剥離工程においては、粘着膜２４からテープ基材２３が剥離され、その結果、当該粘着膜２４が被覆層２７としてウエハー２０および／または電子回路２１上に残留する。
具体的には、絶縁樹脂組成物よりなる粘着膜２４に熱または光を与えることにより、当該粘着膜２４中において気体が発生され、これにより、テープ基材２３と接する粘着膜２４の表層部分において、テープ基材２３と粘着膜２４との界面の接着面積が低減されるために、当該粘着膜２４の粘着力が低減される。
粘着膜２４の粘着力が低減されることにより、テープ基材２３を、当該粘着膜２４の接着性および電気絶縁性を劣化させない状態において容易に剥離することができる。
この剥離工程においては、粘着膜２４からテープ基材２３が剥離され、その結果、当該粘着膜２４が被覆層２７としてウエハー２０および／または電子回路２１上に残留する。
具体的には、絶縁樹脂組成物よりなる粘着膜２４に熱または光を与えることにより、当該粘着膜２４中において気体が発生され、これにより、テープ基材２３と接する粘着膜２４の表層部分において、テープ基材２３と粘着膜２４との界面の接着面積が低減されるために、当該粘着膜２４の粘着力が低減される。
粘着膜２４の粘着力が低減されることにより、テープ基材２３を、当該粘着膜２４の接着性および電気絶縁性を劣化させない状態において容易に剥離することができる。
気体発生剤に与えるための光としては、例えば、紫外線や可視光線などが挙げられる。
また、気体発生剤に与えるための熱としては、例えば５０〜２５０℃の熱とすることができる。
また、気体発生剤に与えるための熱としては、例えば５０〜２５０℃の熱とすることができる。
テープ基材２３が剥離された粘着膜２４は、熱硬化されて絶縁性の永久膜とすることができるものである。
〔絶縁樹脂組成物〕
本発明の被覆層形成方法に用いられる絶縁樹脂組成物としては、気体発生剤を含有し、その塗膜が粘着性を発揮し、さらに、硬化されることにより絶縁性の永久膜となるものであれば特に限定されず、種々の組成物を用いることができる。
本発明の被覆層形成方法に用いられる絶縁樹脂組成物としては、気体発生剤を含有し、その塗膜が粘着性を発揮し、さらに、硬化されることにより絶縁性の永久膜となるものであれば特に限定されず、種々の組成物を用いることができる。
〔気体発生剤〕
本発明の被覆層形成方法において用いられる絶縁樹脂組成物に含有される気体発生剤は、熱または光を受けることにより気体を発生させる物質よりなり、具体的には、加熱により気体を発生させる物質、露光により気体を発生させる物質などを挙げることができる。
本発明の被覆層形成方法において用いられる絶縁樹脂組成物に含有される気体発生剤は、熱または光を受けることにより気体を発生させる物質よりなり、具体的には、加熱により気体を発生させる物質、露光により気体を発生させる物質などを挙げることができる。
加熱により気体を発生させる物質としては、ニトロソ系化合物、スルホヒドラジド系化合物、ヒドラゾ化合物およびアゾ化合物などが挙げられる。
ニトロソ系化合物の具体例としては、ジニトロソペンタメチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジニトロソテレフタラミド、トリニトロソトリメチレントリアミンなどが挙げられる。これらの化合物は、加熱によりホルムアルデヒド、アンモニア、窒素および二酸化炭素のいずれかを発生させるものである。
スルホヒドラジド系化合物の具体例としては、ｐ−トルエンスルホヒドラジド、ベンゼンスルホヒドラジド、ｐ，ｐ−オキシビス（ベンゼンスルホヒドラジド）、ベンゼン−１，３−ジスルホヒドラジド、３，３−ジスルホヒドラジドフェニルスルホン、トルエン−２，４−ジスルホヒドラジド、ｐ，ｐ−チオビス（ベンゼンスルホヒドラジド）などが挙げられる。
ヒドラゾ化合物の具体例としては、ヒドラゾジカルボアミド、Ｎ，Ｎ−ジベンゾイルヒドラジン、β−アセチルフェニルヒドラジン、１，１−ジフェニルヒドラジンなどが挙げられる。これらの化合物は、加熱により窒素を発生させるものである。
アゾ化合物の具体例としては、アゾビスイソブチリロニトリル、アゾビスホルムアミド、ジアゾアミノベンゼン、アゾカルボン酸ジエチルエステルなどが挙げられる。これらの化合物は、加熱により窒素を発生させるものである。
ニトロソ系化合物の具体例としては、ジニトロソペンタメチレンテトラミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジニトロソテレフタラミド、トリニトロソトリメチレントリアミンなどが挙げられる。これらの化合物は、加熱によりホルムアルデヒド、アンモニア、窒素および二酸化炭素のいずれかを発生させるものである。
スルホヒドラジド系化合物の具体例としては、ｐ−トルエンスルホヒドラジド、ベンゼンスルホヒドラジド、ｐ，ｐ−オキシビス（ベンゼンスルホヒドラジド）、ベンゼン−１，３−ジスルホヒドラジド、３，３−ジスルホヒドラジドフェニルスルホン、トルエン−２，４−ジスルホヒドラジド、ｐ，ｐ−チオビス（ベンゼンスルホヒドラジド）などが挙げられる。
ヒドラゾ化合物の具体例としては、ヒドラゾジカルボアミド、Ｎ，Ｎ−ジベンゾイルヒドラジン、β−アセチルフェニルヒドラジン、１，１−ジフェニルヒドラジンなどが挙げられる。これらの化合物は、加熱により窒素を発生させるものである。
アゾ化合物の具体例としては、アゾビスイソブチリロニトリル、アゾビスホルムアミド、ジアゾアミノベンゼン、アゾカルボン酸ジエチルエステルなどが挙げられる。これらの化合物は、加熱により窒素を発生させるものである。
露光により気体を発生させる物質としては、ジアゾニウム化合物、アジド化合物、ジアジド化合物および有機ジカルボン酸などが挙げられる。
ジアゾニウム化合物の具体例としては、２，５−ジエトキシ−ベンゼンジアゾニウムクロライド、ｐ−ジメチルアミノ−ベンゼンジアゾニウムクロライド、ｐ−ジエチルアミノ−ベンゼンジアゾニウムクロライド、２，５−ジクロロ−４−ベンジルアミノ−ベンゼンジアゾニウムクロライド、２，５−ジブトキシ−４−モルホリノ−ベンゼンジアゾニウムクロライドおよび４−フェニルアミノ−ベンゼンジアゾニウムクロライドなどが挙げられる。これらの化合物は、露光により分解されて窒素を発生させるものである。
アジド化合物の具体例としては、４，４’−ジアジド−スチルベン−２，２’−ジスルホン酸およびそのナトリウム塩、４，４’−ジアジドカルコンならびに２−アジド−１，４−ナフタレン−ジベンゼン−スルホンアミドなどが挙げられる。これらの化合物は、露光により分解されて窒素を発生させるものである。
ジアジド化合物の具体例としては、２−ジアゾ−１−ナフトール−５−スルホン酸エチルエーテルなどが挙げられる。これらの化合物は、露光により分解されて窒素を発生させるものである。
有機ジカルボン酸の具体例としては、シュウ酸第２鉄、シュウ酸第２鉄アンモニウムが挙げられる。これらの化合物は、露光により分解されて二酸化炭素を発生させるものである。
ジアゾニウム化合物の具体例としては、２，５−ジエトキシ−ベンゼンジアゾニウムクロライド、ｐ−ジメチルアミノ−ベンゼンジアゾニウムクロライド、ｐ−ジエチルアミノ−ベンゼンジアゾニウムクロライド、２，５−ジクロロ−４−ベンジルアミノ−ベンゼンジアゾニウムクロライド、２，５−ジブトキシ−４−モルホリノ−ベンゼンジアゾニウムクロライドおよび４−フェニルアミノ−ベンゼンジアゾニウムクロライドなどが挙げられる。これらの化合物は、露光により分解されて窒素を発生させるものである。
アジド化合物の具体例としては、４，４’−ジアジド−スチルベン−２，２’−ジスルホン酸およびそのナトリウム塩、４，４’−ジアジドカルコンならびに２−アジド−１，４−ナフタレン−ジベンゼン−スルホンアミドなどが挙げられる。これらの化合物は、露光により分解されて窒素を発生させるものである。
ジアジド化合物の具体例としては、２−ジアゾ−１−ナフトール−５−スルホン酸エチルエーテルなどが挙げられる。これらの化合物は、露光により分解されて窒素を発生させるものである。
有機ジカルボン酸の具体例としては、シュウ酸第２鉄、シュウ酸第２鉄アンモニウムが挙げられる。これらの化合物は、露光により分解されて二酸化炭素を発生させるものである。
気体発生剤としては、特に、熱または光を受けることにより窒素または二酸化炭素を発生させるものが好ましい。
〔キノンジアジド基を有する化合物〕
本発明の被覆層形成方法において用いられる絶縁樹脂組成物に含有される気体発生剤としては、特に、キノンジアジド基を有する化合物（以下、「キノンジアジド化合物」ともいう。）を用いることが好ましい。
キノンジアジド化合物は、フェノール性水酸基を１つ以上有する化合物と、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸または１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステル化合物である。
キノンジアジド化合物を形成するためのフェノール性水酸基を１つ以上有する化合物としては、特に限定されないが、下記一般式（Ｂ−１）〜一般式（Ｂ−５）で表される構造を有する化合物が好ましい。
本発明の被覆層形成方法において用いられる絶縁樹脂組成物に含有される気体発生剤としては、特に、キノンジアジド基を有する化合物（以下、「キノンジアジド化合物」ともいう。）を用いることが好ましい。
キノンジアジド化合物は、フェノール性水酸基を１つ以上有する化合物と、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸または１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステル化合物である。
キノンジアジド化合物を形成するためのフェノール性水酸基を１つ以上有する化合物としては、特に限定されないが、下記一般式（Ｂ−１）〜一般式（Ｂ−５）で表される構造を有する化合物が好ましい。
〔一般式（Ｂ−１）中、Ｘ1 〜Ｘ10は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基または水酸基を示し、Ｘ1 〜Ｘ5 の少なくとも１つは水酸基である。また、Ａは単結合、Ｏ、Ｓ、ＣＨ2 、Ｃ（ＣＨ3 ）2 、Ｃ（ＣＦ3 ）2 、Ｃ＝Ｏ、またはＳＯ2 である。〕
〔一般式（Ｂ−２）中、Ｘ11〜Ｘ24は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基または水酸基を示し、Ｘ11〜Ｘ15の少なくとも１つは水酸基である。また、Ｒ11〜Ｒ14は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基である。〕
〔一般式（Ｂ−３）中、Ｘ25〜Ｘ39は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基または水酸基を示し、Ｘ25〜Ｘ29およびＸ30〜Ｘ34の組み合わせにおいてそれぞれ少なくとも１つは水酸基である。また、Ｒ15は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基である。〕
〔一般式（Ｂ−４）中、Ｘ40〜Ｘ58は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基または水酸基を示し、Ｘ40〜Ｘ44、Ｘ45〜Ｘ49およびＸ50〜Ｘ54の組み合わせにおいてそれぞれ少なくとも１つは水酸基である。また、Ｒ16〜Ｒ18は、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基である。〕
〔一般式（Ｂ−５）中、Ｘ59〜Ｘ72は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基または水酸基を示し、Ｘ59〜Ｘ62およびＸ63〜Ｘ67の組み合わせにおいてそれぞれ少なくとも１つは水酸基である。〕
このようなキノンジアジド化合物としては、４，４'−ジヒドロキシジフェニルメタン、４，４'−ジヒドロキシジフェニルエーテル、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，２'，４'−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，３−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，４−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、４，６−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−１，３−ジヒドロキシベンゼン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−［４−｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝フェニル］エタンなどの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル化合物または１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル化合物などが挙げられる。
絶縁樹脂組成物において、気体発生剤の含有割合は、全体の１〜５０質量％であることが好ましい。絶縁樹脂組成物において気体発生剤の含有割合が１質量％未満である場合は、粘着力の十分な低下が得られずに、テープ基材２３の剥離によって残留する粘着膜２４による被覆層２７に接着性や電気絶縁性についての障害が発生するおそれがあり、一方、絶縁樹脂組成物において気体発生剤の含有割合が５０質量％を超える場合は、粘着膜２４が発生する気体により変形したり、発泡体となってしまいテープ基材２３の剥離がし難いなどの不具合を生じるおそれがある。
〔架橋剤〕
本発明の被覆層形成方法に用いられる絶縁樹脂組成物には、アルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物、オキシラン基を有する化合物およびオキセタン基を有する化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の架橋剤が含有されていることが好ましい。
本発明の被覆層形成方法に用いられる絶縁樹脂組成物には、アルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物、オキシラン基を有する化合物およびオキセタン基を有する化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の架橋剤が含有されていることが好ましい。
〔アルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物〕
アルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物としては、分子中に少なくとも２つのアルキルエーテル化されたアミノ基を有するものが好ましく、このようなアルキルエーテル化されたアミノ基は、例えば下記一般式で表されるものである。
アルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物としては、分子中に少なくとも２つのアルキルエーテル化されたアミノ基を有するものが好ましく、このようなアルキルエーテル化されたアミノ基は、例えば下記一般式で表されるものである。
一般式（ｃ１）：−ＮＨＲe −Ｏ−Ｒf
〔一般式（ｃ１）中、Ｒe はアルキレン基（２価の炭化水素基）であり、Ｒf はアルキル基である。〕
〔一般式（ｃ１）中、Ｒe はアルキレン基（２価の炭化水素基）であり、Ｒf はアルキル基である。〕
アルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物としては、（ポリ）メチロール化メラミン、（ポリ）メチロール化グリコールウリル、（ポリ）メチロール化ベンゾグアナミン、（ポリ）メチロール化ウレアなどの窒素化合物中の活性メチロール基（ＣＨ2 ＯＨ基）の全部または一部（ただし、少なくとも２個）がアルキルエーテル化された化合物を挙げることができる。ここで、アルキルエーテルを構成するアルキル基は、メチル基、エチル基またはブチル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、アルキルエーテル化されていないメチロール基は、一分子内で自己縮合していてもよく、二分子間で縮合して、その結果オリゴマー成分が形成されてもよい。具体的には、ヘキサメトキシメチル化メラミン、ヘキサブトキシメチル化メラミン、テトラメトキシメチル化グリコールウリル、テトラブトキシメチル化グリコールウリルなどを用いることができる。
〔オキシラン基を有する化合物〕
オキシラン基を有する化合物としては、オキシラン基が分子内に含有されていれば特に限定されず、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂などのエポキシ基含有化合物や、ノボラック型オキセタン樹脂などのオキセタン基含有化合物などが挙げられる。
オキシラン基を有する化合物としては、オキシラン基が分子内に含有されていれば特に限定されず、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂などのエポキシ基含有化合物や、ノボラック型オキセタン樹脂などのオキセタン基含有化合物などが挙げられる。
〔オキセタン基含有化合物〕
オキセタン基含有化合物としては、分子内にオキセタン環を有し、硬化可能なものであれば特に限定されず、例えば、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、１，４−ビス−｛［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン、３−エチル３−（フェノキシメチル）オキセタン、ジ［１−エチル（３−オキセタニル）］メチルエーテル、３−エチル−３−（２−エチルヘキシロキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−｛［３−（トリエトキシル）プロポキシ］メチル｝オキセタン、およびオキセタニル−シルセスキオキサンなどが挙げられる。
オキセタン基含有化合物としては、分子内にオキセタン環を有し、硬化可能なものであれば特に限定されず、例えば、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、１，４−ビス−｛［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン、３−エチル３−（フェノキシメチル）オキセタン、ジ［１−エチル（３−オキセタニル）］メチルエーテル、３−エチル−３−（２−エチルヘキシロキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−｛［３−（トリエトキシル）プロポキシ］メチル｝オキセタン、およびオキセタニル−シルセスキオキサンなどが挙げられる。
これらの架橋剤は、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
この絶縁樹脂組成物において、架橋剤の含有割合は、全体の１〜５０質量％であることが好ましい。絶縁樹脂組成物において架橋剤の含有割合が上記の範囲にあることにより、得られる永久膜を電気絶縁性に優れたものとすることができる。
この絶縁樹脂組成物においては、必要に応じて、架橋助剤を併用することができる。このような架橋助剤としては、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基、ベンジルオキシメチル基、ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基、アセトキシメチル基、ベンゾイロキシメチル基、アセチル基、ビニル基、イソプロペニル基などを有する化合物を挙げることができる。
架橋助剤は、本発明に係る絶縁樹脂組成物が十分な硬化性を発現し、かつ、その目的を損なわない程度の量、配合されることが好ましい。具体的には、架橋剤１００質量部に対して１〜５０質量部の範囲で配合させることができる。
以上の絶縁樹脂組成物は、溶剤中に溶解された状態とされていることが好ましい。
溶剤としては、各成分を溶解または分散させることができれば特に限定されず、公知の種々のものを用いることができる。
溶剤としては、各成分を溶解または分散させることができれば特に限定されず、公知の種々のものを用いることができる。
〔その他の添加剤〕
以上の絶縁樹脂組成物においては、その他の添加剤として、密着助剤、無機フィラー、増感剤、レベリング剤などを、本発明に係る絶縁樹脂組成物の特性を損なわない程度に含有させたものとすることもできる。
以上の絶縁樹脂組成物においては、その他の添加剤として、密着助剤、無機フィラー、増感剤、レベリング剤などを、本発明に係る絶縁樹脂組成物の特性を損なわない程度に含有させたものとすることもできる。
〔絶縁樹脂組成物の調製方法〕
絶縁樹脂組成物の調製方法は、特に限定されず、通常の調製方法を適用することができる。また、各成分を中に入れ完全に栓をしたサンプル瓶を、ウェーブローターの上で撹拌することによっても調製できる。
絶縁樹脂組成物の調製方法は、特に限定されず、通常の調製方法を適用することができる。また、各成分を中に入れ完全に栓をしたサンプル瓶を、ウェーブローターの上で撹拌することによっても調製できる。
〔永久膜〕
以上の半導体集積回路の製造工程に係る被覆層形成方法に用いた絶縁樹脂組成物による粘着膜２４は、熱硬化させて永久膜として使用される。
以上の半導体集積回路の製造工程に係る被覆層形成方法に用いた絶縁樹脂組成物による粘着膜２４は、熱硬化させて永久膜として使用される。
この永久膜を、ウエハー２０および／または電子回路２１と他の基材との接着層となるよう用いる場合には、粘着膜２４を接着用の膜として、例えば粘着膜２４を介在させるよう、ウエハー２０および／または電子回路２１上に他の基材を積層させた状態で熱圧着することにより、粘着膜２４を熱硬化させてウエハー２０と他の基材とを接着することができる。
粘着膜２４の加熱条件は、特に制限されないが、硬化させた永久膜の用途に応じて、例えば、５０〜２５０℃、好ましくは５０〜２００℃の温度で、３０分間〜１０時間程度とされる。
粘着膜２４の加熱は、当該粘着膜２４の熱硬化を十分に進行させたるために、二段階以上の工程で加熱を施してもよく、例えば、第一段階において５０〜１２０℃の温度で５分間〜２時間程度加熱し、第二段階において８０〜２００℃の温度で１０分間〜１０時間程度加熱して粘着膜２４を硬化させることもできる。
粘着膜２４の加熱には、ホットプレート、オーブン、赤外線炉などを使用することができる。
以上の半導体集積回路の製造工程に係る被覆層形成方法においては、絶縁樹脂組成物からなる粘着膜２４を、紫外線を所期の選択的形状の領域に照射して露光し、次いで現像処理を施すことにより所期の形状にパターニングすることができるものとし、このパターニングを（工程３）剥離工程の後に行ってもよい。以下、これを（工程４）パターニング工程という。
この（工程４）パターニング工程を行う場合は、絶縁樹脂組成物に含有される気体発生剤を紫外線以外の刺激、例えば紫外線の波長範囲外の波長の光や熱などによって気体を発生するものとすることが必要とされる。
この（工程４）パターニング工程を行う場合は、絶縁樹脂組成物に含有される気体発生剤を紫外線以外の刺激、例えば紫外線の波長範囲外の波長の光や熱などによって気体を発生するものとすることが必要とされる。
絶縁樹脂組成物からなる粘着膜２４を、露光・現像してパターニングすることができるものとする場合は、絶縁樹脂組成物を感光性を有するものとすればよい。
〔感光性絶縁樹脂組成物〕
感光性を有する絶縁樹脂組成物（以下、「感光性絶縁樹脂組成物」ともいう。）としては、特に限定されず、用途によってその成分を選択することができるが、いわゆるポジ型のものとしては、例えば、特開２００７−０７９５５３号公報および特願２００８−２０２９５７号明細書に開示されたものを挙げることができ、ネガ型のものとしては、例えば、特開２００８−０７７０５７号公報に開示されたものを挙げることができる。
このような感光性絶縁樹脂組成物としては、例えば、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂、およびカルボキシル基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有するものを挙げることができる。
感光性を有する絶縁樹脂組成物（以下、「感光性絶縁樹脂組成物」ともいう。）としては、特に限定されず、用途によってその成分を選択することができるが、いわゆるポジ型のものとしては、例えば、特開２００７−０７９５５３号公報および特願２００８−２０２９５７号明細書に開示されたものを挙げることができ、ネガ型のものとしては、例えば、特開２００８−０７７０５７号公報に開示されたものを挙げることができる。
このような感光性絶縁樹脂組成物としては、例えば、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂、およびカルボキシル基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有するものを挙げることができる。
フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂およびカルボキシル基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、特開２００７−７９５５３号公報や特開２００７−７９５５３号公報に開示されたアルカリ可溶性樹脂などが挙げられる。
これらのアルカリ可溶性樹脂は、その合計が感光性絶縁樹脂組成物全体の１〜５０質量％含有されることが好ましい。
これらのアルカリ可溶性樹脂は、その合計が感光性絶縁樹脂組成物全体の１〜５０質量％含有されることが好ましい。
（工程４）パターニング工程においては、図２に示されるように、電子回路２１を有するウエハー２０上に形成された被覆層２７（図２（ａ）参照。）を、所望のマスクパターン２９を介して露光し（図２（ｂ）参照。）、アルカリ性現像液により現像して露光部を溶解させて除去し、水で洗浄し、乾燥することにより、所望のパターン形状の現像膜２６を得ることができる（図２（ｃ）参照。）。
この現像膜２６を、ウエハー２０および／または電子回路２１との接着層となるよう用いる場合には、当該現像膜２６を接着用の膜として、例えば現像膜２６を介在させるよう、ウエハー２０および／または電子回路２１上に他の基材を積層させた状態で熱圧着することにより、現像膜２６を熱硬化させてウエハー２０と他の基材とを接着することができる。
現像膜２６の加熱は、上記の粘着膜２４の加熱と同様にして行うことができる。
この現像膜２６を、ウエハー２０および／または電子回路２１との接着層となるよう用いる場合には、当該現像膜２６を接着用の膜として、例えば現像膜２６を介在させるよう、ウエハー２０および／または電子回路２１上に他の基材を積層させた状態で熱圧着することにより、現像膜２６を熱硬化させてウエハー２０と他の基材とを接着することができる。
現像膜２６の加熱は、上記の粘着膜２４の加熱と同様にして行うことができる。
露光に用いられる放射線としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、ｇ線ステッパー、ｉ線ステッパーなどの紫外線や電子線、レーザー光線などが挙げられる。露光量は、使用する光源や塗膜の厚さなどによって適宜選定されるが、例えば高圧水銀灯からの紫外線を照射する場合であって、塗膜の厚さが１０〜５０μｍである場合は、１，０００〜５０，０００Ｊ／ｍ2 程度とされる。
現像の方法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬現像法、パドル現像法などを挙げることができ、現像条件は、通常、２０〜４０℃で１〜１０分間程度とされる。
アルカリ性現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンなどのアルカリ性化合物を濃度が１〜１０質量％程度になるように水に溶解したアルカリ性水溶液を挙げることができる。アルカリ性水溶液は、例えば、メタノール、エタノールなどの水溶性の有機溶剤や界面活性剤などを適量添加したものであってもよい。
アルカリ性現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンなどのアルカリ性化合物を濃度が１〜１０質量％程度になるように水に溶解したアルカリ性水溶液を挙げることができる。アルカリ性水溶液は、例えば、メタノール、エタノールなどの水溶性の有機溶剤や界面活性剤などを適量添加したものであってもよい。
以上のような被覆層形成方法によれば、絶縁樹脂組成物が熱または光を受けることにより気体を発生する気体発生剤を含有するものであるために、当該絶縁樹脂組成物の塗膜による粘着膜２４が、テープ基材２３に対する優れた剥離性を発揮し、テープ基材２３を剥離することによっても当該粘着膜２４の接着性および電気絶縁性が劣化せず、その特性が維持された被覆層２７を形成することができる。
以上、本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明の実施の形態は上記の例に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、この実施例により何ら限定されるものではない。なお、実施例および比較例中の「部」および「％」は、特記しない限り、「質量部」および「質量％」を示す。また、重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記の方法により測定した。
重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ法により下記条件で測定し、ポリスチレン換算値として示した。
装置：ＨＬＣ−８２２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ−ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
流量：１ｍＬ／ｍｉｎ
装置：ＨＬＣ−８２２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ−ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
流量：１ｍＬ／ｍｉｎ
〔重合体の合成例Ａ−１〕
ｐ−ヒドロキシスチレン３０部、ｐ−ヒドロキシメタクリレート６０部、ｎ−ブチルアクリレート５５．５部、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン１５０部およびｎ−ヘキシル−１，６−ジアクリレート４．５部を、乳酸エチル４５０部に溶解させ、窒素雰囲気下、反応温度を８０℃に保持して、アゾビスイソブチロニトリル４部を用いて６時間重合させることにより、重合体（Ａ−１）を得た。この重合体（Ａ−１）の質量平均分子量（Ｍｗ）を標準ポリスチレン換算のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したところ、４０，０００であった。
ｐ−ヒドロキシスチレン３０部、ｐ−ヒドロキシメタクリレート６０部、ｎ−ブチルアクリレート５５．５部、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン１５０部およびｎ−ヘキシル−１，６−ジアクリレート４．５部を、乳酸エチル４５０部に溶解させ、窒素雰囲気下、反応温度を８０℃に保持して、アゾビスイソブチロニトリル４部を用いて６時間重合させることにより、重合体（Ａ−１）を得た。この重合体（Ａ−１）の質量平均分子量（Ｍｗ）を標準ポリスチレン換算のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したところ、４０，０００であった。
〔重合体の合成例Ａ−２，Ａ−３〕
重合体の合成例Ａ−１において、各単量体の種類および仕込み量を表１に示す処方に従って変更したこと以外は同様にして重合体〔Ａ−２〕および重合体〔Ａ−３〕を得た。
ただし、表１に記載の単量体は、以下のとおりである。
Ｍ−１：ｐ−ヒドロキシスチレン
Ｍ−２：ｐ−ヒドロキシメタクリレート
Ｍ−３：ｎ−ブチルアクリレート
Ｍ−４：３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン
Ｍ−５：イソボロニルアクリレート
Ｍ−６：ｎ−ヘキシル−１，６−ジアクリレート
Ｍ−７：２−ヒドロキシエチルアクリレート
重合体の合成例Ａ−１において、各単量体の種類および仕込み量を表１に示す処方に従って変更したこと以外は同様にして重合体〔Ａ−２〕および重合体〔Ａ−３〕を得た。
ただし、表１に記載の単量体は、以下のとおりである。
Ｍ−１：ｐ−ヒドロキシスチレン
Ｍ−２：ｐ−ヒドロキシメタクリレート
Ｍ−３：ｎ−ブチルアクリレート
Ｍ−４：３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン
Ｍ−５：イソボロニルアクリレート
Ｍ−６：ｎ−ヘキシル−１，６−ジアクリレート
Ｍ−７：２−ヒドロキシエチルアクリレート
＜実施例１〜５，比較例１，２＞
表２に示す処方に従った（Ａ）〜（Ｅ）の各成分を、乳酸エチル（（Ｆ）成分）２６０部に溶解させることにより、感光性絶縁樹脂組成物〔１〕〜〔５〕および比較用の感光性絶縁樹脂組成物〔６〕，〔７〕を調製した。
ただし、表２に記載の成分は、以下のとおりである。
表２に示す処方に従った（Ａ）〜（Ｅ）の各成分を、乳酸エチル（（Ｆ）成分）２６０部に溶解させることにより、感光性絶縁樹脂組成物〔１〕〜〔５〕および比較用の感光性絶縁樹脂組成物〔６〕，〔７〕を調製した。
ただし、表２に記載の成分は、以下のとおりである。
・（Ｂ）成分：気体発生剤
Ｂ−１：１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エタンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸との２．０モル縮合物
・（Ｃ）成分：架橋剤
Ｃ−１：ヘキサメトキシメチロールメラミン「ニカラックＭＷ−３９０」（（株）三和ケミカル製）
Ｃ−２：下記式（Ｘ）に示す化合物「ＥＸ−６１０Ｕ−Ｐ」（ナガセケムテックス（株）製）
Ｃ−３：１，４−ビス{［（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ］メチル}ベンゼン「ＯＸＴ−１２１」（東亜合成（株）製）
Ｃ−４：トリス−（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート「Ｙ−１１５９７」（モメンティブ社製）
Ｃ−５：「ＥＰ−１５２」（ジャパンエポキシレジン社製）
Ｂ−１：１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エタンと１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸との２．０モル縮合物
・（Ｃ）成分：架橋剤
Ｃ−１：ヘキサメトキシメチロールメラミン「ニカラックＭＷ−３９０」（（株）三和ケミカル製）
Ｃ−２：下記式（Ｘ）に示す化合物「ＥＸ−６１０Ｕ−Ｐ」（ナガセケムテックス（株）製）
Ｃ−３：１，４−ビス{［（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ］メチル}ベンゼン「ＯＸＴ−１２１」（東亜合成（株）製）
Ｃ−４：トリス−（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート「Ｙ−１１５９７」（モメンティブ社製）
Ｃ−５：「ＥＰ−１５２」（ジャパンエポキシレジン社製）
・（Ｄ）成分：フェノール性水酸基含有重合体）
Ｄ−１：ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝６０／４０（モル比）からなるクレゾールノボラック樹脂、ポリスチレン換算質量平均分子量（Ｍｗ）＝６，５００
Ｄ−２：ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体「マルカリンカーＣＳＴ」（丸善石油化学社製）
・（Ｅ）成分：感光剤
Ｆ−１：「ＴＥＰＢＩ−Ｓ」（日本触媒社製）
・（Ｆ）成分：溶剤
Ｆ−１：乳酸エチル
Ｄ−１：ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール＝６０／４０（モル比）からなるクレゾールノボラック樹脂、ポリスチレン換算質量平均分子量（Ｍｗ）＝６，５００
Ｄ−２：ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体「マルカリンカーＣＳＴ」（丸善石油化学社製）
・（Ｅ）成分：感光剤
Ｆ−１：「ＴＥＰＢＩ−Ｓ」（日本触媒社製）
・（Ｆ）成分：溶剤
Ｆ−１：乳酸エチル
上記の感光性絶縁樹脂組成物〔１〕〜〔５〕および比較用の感光性絶縁樹脂組成物〔６〕，〔７〕について、以下（１）〜（３）の評価方法によって評価した。結果を表３に示す。
（１）解像性
６インチのシリコンウエハー上に感光性絶縁樹脂組成物をスピンコート法にて塗布し、ホットプレートを用いて１１０℃で３分間加熱することにより、厚さ１０μｍの均一な塗膜を作製した。その後、アライナー「ＭＡ−１５０」（Ｓｕｓｓ Ｍｉｃｒｏｔｅｃ社製）を用い、１２．５μｍ角の正方形の抜きパターンが多数配置されているマスクを介して高圧水銀灯から紫外線を波長３６５ｎｍの光の露光量が５００ｍＪ／ｃｍ2 となるよう照射して露光した。次いで、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液によって２３℃で１分間浸漬現像した後、超純水によって６０秒間洗浄し、エアーにて風乾することにより、パターン形状の現像膜を得た。
この現像膜について、走査型電子顕微鏡「Ｓ４２００」（日立製作所社製）を用いて倍率１５００倍で観察し、隣接する正方形パターン同士が接触せず、パターンの開口部が埋まらない場合を「良好」として評価した。
６インチのシリコンウエハー上に感光性絶縁樹脂組成物をスピンコート法にて塗布し、ホットプレートを用いて１１０℃で３分間加熱することにより、厚さ１０μｍの均一な塗膜を作製した。その後、アライナー「ＭＡ−１５０」（Ｓｕｓｓ Ｍｉｃｒｏｔｅｃ社製）を用い、１２．５μｍ角の正方形の抜きパターンが多数配置されているマスクを介して高圧水銀灯から紫外線を波長３６５ｎｍの光の露光量が５００ｍＪ／ｃｍ2 となるよう照射して露光した。次いで、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液によって２３℃で１分間浸漬現像した後、超純水によって６０秒間洗浄し、エアーにて風乾することにより、パターン形状の現像膜を得た。
この現像膜について、走査型電子顕微鏡「Ｓ４２００」（日立製作所社製）を用いて倍率１５００倍で観察し、隣接する正方形パターン同士が接触せず、パターンの開口部が埋まらない場合を「良好」として評価した。
（２）剥離性
ＰＥＴフィルム上に感光性絶縁樹脂組成物をスピンコート法にて塗布し、ホットプレートを用いて１１０℃で３分間加熱することにより、厚さ６μｍの均一な粘着膜を形成してバックグラインドテープを作製した。次いで、４インチのシリコンウエハー上に、このバックグラインドテープを１×１０ｃｍの大きさにカットして塗膜がウエハーに接触する状態に貼り付けた。これを２３℃のイオン交換水中に６００秒間静置した後、アライナー「ＭＡ−１５０」（Ｓｕｓｓ Ｍｉｃｒｏｔｅｃ社製）を用い、高圧水銀灯から紫外線を波長３３０ｎｍの光の露光量が５００ｍＪ／ｃｍ2 となるよう照射して露光した。その後、山本鍍金試験器社製の密着強度試験器（引き剥がし）を用いてテープ基材を剥離し、このときのピール強度を測定した。
ＰＥＴフィルム上に感光性絶縁樹脂組成物をスピンコート法にて塗布し、ホットプレートを用いて１１０℃で３分間加熱することにより、厚さ６μｍの均一な粘着膜を形成してバックグラインドテープを作製した。次いで、４インチのシリコンウエハー上に、このバックグラインドテープを１×１０ｃｍの大きさにカットして塗膜がウエハーに接触する状態に貼り付けた。これを２３℃のイオン交換水中に６００秒間静置した後、アライナー「ＭＡ−１５０」（Ｓｕｓｓ Ｍｉｃｒｏｔｅｃ社製）を用い、高圧水銀灯から紫外線を波長３３０ｎｍの光の露光量が５００ｍＪ／ｃｍ2 となるよう照射して露光した。その後、山本鍍金試験器社製の密着強度試験器（引き剥がし）を用いてテープ基材を剥離し、このときのピール強度を測定した。
（３）接着性
上記（２）において得られた剥離後の粘着膜に対して、高圧水銀灯から紫外線を波長３６５ｎｍの光の露光量が５００ｍＪ／ｃｍ2 となるよう照射して露光した。次いで、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液を用いて、２３℃で１分間浸漬現像した後、超純水によって６０秒間洗浄し、エアーにて風乾することによりシリコンウエハー上に接着用の現像膜が形成された膜付き基板を得た。この膜付き基板を１ｃｍ×１ｃｍに切り取り、図３に示されるように、膜付き基板１３上に２ｃｍ×２ｃｍのシリコン基板切片１７を現像膜１５が介在される状態に貼り合わせ、１５０℃に加熱したホットプレート１１上において加重５Ｎで２０秒間プレスし、シリコン基板切片１７の両端を支持して直上に持ち上げた場合にもこのシリコン基板切片１７が膜付き基板１３から剥がれない場合を「良好」として評価した。
上記（２）において得られた剥離後の粘着膜に対して、高圧水銀灯から紫外線を波長３６５ｎｍの光の露光量が５００ｍＪ／ｃｍ2 となるよう照射して露光した。次いで、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液を用いて、２３℃で１分間浸漬現像した後、超純水によって６０秒間洗浄し、エアーにて風乾することによりシリコンウエハー上に接着用の現像膜が形成された膜付き基板を得た。この膜付き基板を１ｃｍ×１ｃｍに切り取り、図３に示されるように、膜付き基板１３上に２ｃｍ×２ｃｍのシリコン基板切片１７を現像膜１５が介在される状態に貼り合わせ、１５０℃に加熱したホットプレート１１上において加重５Ｎで２０秒間プレスし、シリコン基板切片１７の両端を支持して直上に持ち上げた場合にもこのシリコン基板切片１７が膜付き基板１３から剥がれない場合を「良好」として評価した。
本発明に係る絶縁樹脂組成物の塗膜による被覆層は、テープ基材の剥離によっても接着性および電気絶縁性が劣化せず、その特性が維持されるという特長を有する。このため、ソルダーレジスト、パッケージ材、アンダーフィル剤、封止剤、ダイシングダイアタッチフィルム、および回路素子などの部品のパッケージの接着層や集積回路素子と回路基板との接着層として好適に適用することが可能である。
１１ ホットプレート
１３ 膜付き基板
１５ 現像膜
１７ シリコン基板切片
２０ ウエハー
２１ 電子回路
２３ テープ基材
２４ 粘着膜
２５ バックグラインドテープ
２６ 現像膜
２７ 被覆層
２９ マスクパターン
１３ 膜付き基板
１５ 現像膜
１７ シリコン基板切片
２０ ウエハー
２１ 電子回路
２３ テープ基材
２４ 粘着膜
２５ バックグラインドテープ
２６ 現像膜
２７ 被覆層
２９ マスクパターン
Claims (7)
- テープ基材上に粘着膜が形成された保護テープを用い、対象基材の一面上に、その粘着膜が前記対象基材の一面上に接触する状態に保護テープを貼り合わせるテープ貼り付け工程と、
前記粘着膜に熱または光を与えて気体を発生させた後、前記テープ基材を前記粘着膜から剥離する剥離工程と
を、この順に行うことにより粘着膜による被覆層を対象基材の一面上に形成する方法であって、
前記粘着膜が、熱または光を受けることにより気体を発生する気体発生剤を含有する絶縁樹脂組成物の塗膜よりなることを特徴とする被覆層形成方法。 - 前記気体が、窒素または二酸化炭素であることを特徴とする請求項１に記載の被覆層形成方法。
- 前記気体発生剤が、キノンジアジド基を有する化合物であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の被覆層形成方法。
- 前記気体を、光により発生させることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の被覆層形成方法。
- 前記光を、テープ基材を介して照射することを特徴とする請求項４に記載の被覆層形成方法。
- 前記テープ貼り付け工程と、前記剥離工程との間に、前記対象基材を加工する加工処理工程を行うことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の被覆層形成方法。
- 前記対象基材の一面が、電子回路が形成された半導体ウエハーの表面であり、前記加工処理がバックグラインド処理であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の被覆層形成方法。
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