JP2002278073A - Radiation sensitive resin composition - Google Patents

Radiation sensitive resin composition

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JP2002278073A
JP2002278073A JP2001077042A JP2001077042A JP2002278073A JP 2002278073 A JP2002278073 A JP 2002278073A JP 2001077042 A JP2001077042 A JP 2001077042A JP 2001077042 A JP2001077042 A JP 2001077042A JP 2002278073 A JP2002278073 A JP 2002278073A
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覚 西山
Akihiro Hayashi
明弘 林
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努 下川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation sensitive resin composition containing a specified polysiloxane, having high transparency to radiation of <=193 nm wavelength and excellent in dry etching resistance, sensitivity, resolution, developability, etc. SOLUTION: The radiation sensitive resin composition contains (a) a resin having at least one selected from the group comprising a structural unit (I) or a structural unit (II) of formula (1) and a structural unit (III) or a structural unit (IV) of formula (2) and made alkali-soluble when an acid dissociable group is dissociated and (b) a radiation sensitive acid generator. In the formulae, each R is H or methyl; R' is H, a monovalent (halogenated) hydrocarbon group, halogen or amino; X<1> and X<2> are each a monovalent organic group which is dissociated by an acid and generates H or H (but the case of X<1> =H is excluded); R" is H, methyl or trifluoromethyl; and (m) and (n) are each an integer of 0-3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、特定のノルボルネ
ン系脂環式構造を有するシロキサン系ポリマーを含有す
る遠紫外線、電子線、X線等の放射線を用いる微細加工
に好適な感放射線性樹脂組成物に関する。
The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition containing a siloxane-based polymer having a specific norbornene-based alicyclic structure and suitable for fine processing using radiation such as far ultraviolet rays, electron beams, and X-rays. About things.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、LSI(高集積回路)の高密度
化、高集積化に対する要求が益々高まっており、それに
伴い配線パターンの微細化も急速に進行している。この
ような配線パターンの微細化に対応しうる手段の一つと
して、リソグラフィープロセスに用いる露光光線を短波
長化する方法があり、近年では、g線(波長436n
m)やi線(波長365nm)等の紫外線に替えて、K
rFエキシマレーザー(波長248nm)あるいはAr
Fエキシマレーザー(波長193nm)に代表される遠
紫外線や、電子線、X線等が用いられるようになってい
る。ところで、従来のレジスト組成物には、樹脂成分と
してノボラック樹脂、ポリ(ビニルフェノール)等が用
いられてきたが、これらの材料は構造中に芳香族環を含
み、193nmの波長に強い吸収があるため、例えばA
rFエキシマレーザーを用いたリソグラフィープロセス
では、高感度、高解像度、高アスペクト比に対応した高
い精度が得られない。そこで、193nm以下、特に1
57nmの波長に対して透明で、かつ芳香族環と同等以
上のドライエッチング耐性を有するレジスト用樹脂成分
が求められている。その一つとしてシロキサン系ポリマ
ーが考えられ、MIT R.R.Kunzらは、ポリシロキサン系ポ
リマーが、193nm以下の波長、特に157nmでの
透明性に優れるという測定結果を提示しており、このポ
リマーが193nm以下の波長を用いるリソグラフィー
プロセスにおけるレジスト材料に適していると報告して
いる(J. Photopolym. Sci. Technol., Vol.12, No.4,
1999) 。また、ポリシロキサン系ポリマーはドライエッ
チング耐性に優れ、中でもラダー構造をもつポリオルガ
ノポリシルセスキオキサンを含むレジストが高い耐プラ
ズマ性を有することも知られている。
2. Description of the Related Art In recent years, demands for higher density and higher integration of LSIs (highly integrated circuits) have been increasing, and accordingly, miniaturization of wiring patterns has been rapidly progressing. As one of means that can cope with such miniaturization of wiring patterns, there is a method of shortening the wavelength of exposure light used in a lithography process.
m) or i-rays (wavelength 365 nm)
rF excimer laser (wavelength 248 nm) or Ar
Far ultraviolet rays typified by F excimer laser (wavelength 193 nm), electron beams, X-rays, and the like have come to be used. By the way, novolak resins, poly (vinylphenol), and the like have been used as resin components in conventional resist compositions, but these materials contain an aromatic ring in the structure and have strong absorption at a wavelength of 193 nm. Therefore, for example, A
In a lithography process using an rF excimer laser, high sensitivity, high resolution, and high accuracy corresponding to a high aspect ratio cannot be obtained. Therefore, 193 nm or less, especially 1
There is a need for a resist resin component that is transparent to a wavelength of 57 nm and has a dry etching resistance equal to or higher than that of an aromatic ring. One such example is a siloxane-based polymer. MIT RRKunz et al. Have shown that polysiloxane-based polymers have excellent transparency at wavelengths of 193 nm or less, particularly at 157 nm. It is reported to be suitable for resist materials in lithography processes using wavelengths (J. Photopolym. Sci. Technol., Vol. 12, No. 4,
1999). It is also known that a polysiloxane-based polymer has excellent dry etching resistance, and in particular, a resist containing a polyorganopolysilsesquioxane having a ladder structure has high plasma resistance.

【0003】一方、シロキサン系ポリマーを用いるレジ
スト材料についても既に幾つか報告されている。即ち、
特開平5−323611号公報には、カルボン酸エステ
ル基、フェノールエーテル基等の酸解離性基が1個以上
の炭素原子を介してケイ素原子に結合した、側鎖に酸解
離性基を有するポリシロキサンを用いた放射線感応性樹
脂組成物が、特開平8−160623号公報には、ポリ
(2−カルボキシエチルシロキサン)のカルボキシル基
をt−ブチル基等の酸解離性基で保護したポリマーを用
いたポジ型レジストが、特開平11−60733号公報
には、酸解離性エステル基を有するポリオルガノシルセ
スキオキサンを用いたレジスト樹脂組成物が、それぞれ
開示されている。しかし、これらの従来の酸解離性基含
有シロキサン系ポリマーを用いたレジスト材料では、放
射線に対する透明性、解像度、現像性等のレジストとし
ての基本物性の点で未だ満足できるレベルにあるとはい
えない。さらに、特開平11−302382号公報に
は、カルボキシル基を有する非芳香族系の単環式もしく
は多環式炭化水素基または有橋環式炭化水素基を側鎖に
有し、かつ該カルボキシル基の少なくとも1部が酸不安
定性基で置換されたシロキサン系ポリマー、例えば5−
位にt−ブトキシカルボニル基を有するノルボルニル基
がケイ素原子に結合したシロキサン系ポリマー等、およ
び該ポリマーを用いたレジスト材料が開示されており、
このレジスト材料は、KrFエキシマレーザー(波長2
48nm)あるいはArFエキシマレーザー(波長19
3nm)の吸収が小さく、パターン形状が良好であり、
また感度、解像度、ドライエッチング耐性等にも優れて
いるとされている。しかしながら、特開平11−302
382号公報のシロキサン系ポリマーを含めても、レジ
スト材料の樹脂成分として有用なシロキサン系ポリマー
の種類は少なく、シロキサン系ポリマーを樹脂成分とし
て、短波長の放射線に有効に感応し、高度のドライエッ
チング耐性を備えつつ、レジストとしての基本物性に優
れた感放射線性樹脂組成物の開発は、半導体素子におけ
る微細化の進行に対応しうる技術開発の観点から重要な
課題となっている。
On the other hand, some resist materials using siloxane polymers have already been reported. That is,
JP-A-5-323611 discloses a polymer having an acid-dissociable group in a side chain in which an acid-dissociable group such as a carboxylic acid ester group and a phenol ether group is bonded to a silicon atom via one or more carbon atoms. Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-160623 discloses a radiation-sensitive resin composition using siloxane, in which a polymer obtained by protecting a carboxyl group of poly (2-carboxyethylsiloxane) with an acid-dissociable group such as a t-butyl group is used. JP-A-11-60733 discloses a resist resin composition using a polyorganosilsesquioxane having an acid-dissociable ester group. However, resist materials using these conventional acid-dissociable group-containing siloxane-based polymers are not yet at a satisfactory level in terms of basic physical properties of the resist such as transparency to radiation, resolution, and developability. . Further, JP-A-11-302382 discloses a non-aromatic monocyclic or polycyclic hydrocarbon group having a carboxyl group or a bridged cyclic hydrocarbon group in a side chain, and A siloxane-based polymer in which at least a part of
A siloxane-based polymer in which a norbornyl group having a t-butoxycarbonyl group at a position is bonded to a silicon atom, and a resist material using the polymer are disclosed.
This resist material is a KrF excimer laser (wavelength 2).
48 nm) or ArF excimer laser (wavelength 19
3 nm), the pattern shape is good,
It is also said to be excellent in sensitivity, resolution, dry etching resistance and the like. However, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-302
Even if the siloxane-based polymer disclosed in Japanese Patent No. 382 is included, there are few types of siloxane-based polymers useful as a resin component of a resist material, and the siloxane-based polymer is used as a resin component to effectively respond to short-wavelength radiation and to perform advanced dry etching. Development of a radiation-sensitive resin composition having excellent basic properties as a resist while having resistance has become an important issue from the viewpoint of technical development capable of coping with the progress of miniaturization of semiconductor elements.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、特定
のノルボルネン系脂環式構造を有するシロキサン系ポリ
マーを含有し、遠紫外線、電子線、X線等の放射線に有
効に感応し、特に波長193nm以下、就中波長157
nmの放射線に対する透明性が高く、しかもドライエッ
チング耐性、感度、解像度、現像性等のレジストとして
の基本物性に優れた感放射線性樹脂組成物を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to contain a siloxane-based polymer having a specific norbornene-based alicyclic structure, and to effectively respond to radiation such as far ultraviolet rays, electron beams, and X-rays. Wavelength 193 nm or less, especially wavelength 157
It is an object of the present invention to provide a radiation-sensitive resin composition having high transparency to radiation of nm and excellent in basic physical properties as a resist such as dry etching resistance, sensitivity, resolution, and developability.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、(イ)下記一般式(1)に示す構造単位(I)あ
るいは構造単位(II)および下記一般式(2)に示す構
造単位(III)あるいは構造単位(IV) からなる群から選
ばれる少なくとも1種の構造単位を有する、アルカリ不
溶性またはアルカリ難溶性のポリシロキサンであって、
その酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる
樹脂、並びに(ロ)感放射線性酸発生剤を含有すること
を特徴とする感放射線性樹脂組成物
According to the present invention, the object is to provide (a) a structural unit (I) or a structural unit (II) represented by the following general formula (1) and a structural unit represented by the following general formula (2): An alkali-insoluble or alkali-insoluble polysiloxane having at least one structural unit selected from the group consisting of units (III) and structural units (IV),
A radiation-sensitive resin composition comprising a resin which becomes alkali-soluble when the acid-dissociable group is dissociated, and (b) a radiation-sensitive acid generator.

【0006】[0006]

【化3】 Embedded image

【0007】〔一般式(1)において、各Rは相互に独
立して水素原子またはメチル基を示し、R’は水素原
子、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、炭素数1〜2
0の1価のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン原子または
1級、2級もしくは3級のアミノ基を示し、X1 は酸に
より解離して水素原子を生じる1価の有機基を示し、m
は0〜3の整数である。但し、一般式(1)中の各ケイ
素原子は最上位にあるビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプタン
環の2−位または3−位に結合している。〕
[In the general formula (1), each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group, R ′ represents a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, 2
X represents a monovalent halogenated hydrocarbon group, a halogen atom or a primary, secondary or tertiary amino group; X 1 represents a monovalent organic group which is dissociated by an acid to generate a hydrogen atom;
Is an integer of 0 to 3. However, each silicon atom in the general formula (1) is bonded to the 2-position or 3-position of the bicyclo [2.2.1] heptane ring at the highest position. ]

【0008】[0008]

【化4】 Embedded image

【0009】〔一般式(2)において、各Rは相互に独
立して水素原子またはメチル基を示し、R’は水素原
子、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、炭素数1〜2
0の1価のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン原子または
1級、2級もしくは3級のアミノ基を示し、R''は水素
原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示し、X
2は水素原子または酸により解離して水素原子を生じる
1価の有機基を示し、nは0〜3の整数である。但し、
一般式(2)中の各ケイ素原子は最上位にあるビシクロ
[ 2.2.1 ]ヘプタン環の2−位または3−位に結合
している。〕により達成される。
[In the general formula (2), each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group; R 'represents a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, 2
0 represents a monovalent halogenated hydrocarbon group, a halogen atom or a primary, secondary or tertiary amino group; R ″ represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group;
2 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group which is dissociated by an acid to generate a hydrogen atom, and n is an integer of 0 to 3. However,
Each silicon atom in the general formula (2) is a bicyclo at the top
[2.2.1] It is bonded to the 2- or 3-position of the heptane ring. ] Is achieved.

【0010】以下、本発明について詳細に説明する。ポリシロキサン(イ) 本発明における(イ)成分は、前記一般式(1)に示す
構造単位(I)あるいは構造単位(II)および前記一般
式(2)に示す構造単位(III)あるいは構造単位(IV)
からなる群から選ばれる少なくとも1種の構造単位を有
する、アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性のポリシロ
キサンであって、その酸解離性基が解離したときにアル
カリ可溶性となる樹脂(以下、「ポリシロキサン
(イ)」という。)からなる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail. Polysiloxane (a) In the present invention, the component (a) comprises the structural unit (I) or the structural unit (II) represented by the general formula (1) and the structural unit (III) or the structural unit represented by the general formula (2) (IV)
A polysiloxane having at least one structural unit selected from the group consisting of: an alkali-insoluble or slightly alkali-soluble polysiloxane, which becomes alkali-soluble when its acid-dissociable group is dissociated (hereinafter referred to as “polysiloxane ( B))).

【0011】一般式(1)および一般式(2)におい
て、構造単位(I)におけるR、構造単位(II)におけ
るR、構造単位(III)におけるR、および構造単位(I
V)におけるRは、相互に同一でも異なってもよい。
In the general formulas (1) and (2), R in the structural unit (I), R in the structural unit (II), R in the structural unit (III), and the structural unit (I
R in V) may be the same or different from each other.

【0012】次に、一般式(1)の構造単位(II)およ
び一般式(2)の構造単位(IV)において、R’の炭素
数1〜20の1価の炭化水素基としては、例えば、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n
−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピ
ル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、2−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル
基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘキサ
デシル基、n−オクタデシル基、n−エイコシル基等の
直鎖状もしくは分岐状のアルキル基;シクロブチル基、
シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキ
ル基;フェニル基、o−トリル基、m−トリル基、p−
トリル基、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチル
基、2−ナフチル基等の芳香族炭化水素基;ノルボニル
基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、
アダマンチル基等の有橋式炭化水素基等を挙げることが
できる。
Next, in the structural unit (II) of the general formula (1) and the structural unit (IV) of the general formula (2), as the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms for R ′, for example, , Methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n
-Butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n A linear or branched alkyl group such as a nonyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-hexadecyl group, n-octadecyl group, n-eicosyl group; cyclobutyl group,
Cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group; phenyl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-
Aromatic hydrocarbon groups such as tolyl group, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthyl group and 2-naphthyl group; norbornyl group, tricyclodecanyl group, tetracyclodecanyl group,
And a bridged hydrocarbon group such as an adamantyl group.

【0013】また、R’の炭素数1〜20の1価のハロ
ゲン化炭化水素基としては、例えば、前記炭素数1〜2
0の1価の炭化水素基を1種以上あるいは1個以上のハ
ロゲン原子、好ましくはフッ素原子で置換した基、より
具体的には、ペンタフルオロエチル基、3,3,3,
2,2−ペンタフルオロ−n−プロピル基、パーフルオ
ロ−i−プロピル基、ペンタフルオロフェニル基、o−
トリフルオロメチルフェニル基、m−トリフルオロメチ
ルフェニル基、p−トリフルオロメチルフェニル基、
2,6−ビス(トリフルオロメチル)フェニル基、3,
5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル基、2,4,
6−トリス(トリフルオロメチル)フェニル基、3,
4,5−トリス(トリフルオロメチル)フェニル基、パ
ーフルオロノルボニル基、下記式(3)
Examples of the monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms for R ′ include, for example, the aforementioned 1 to 2 carbon atoms.
A group in which a monovalent hydrocarbon group of 0 is substituted with one or more or one or more halogen atoms, preferably a fluorine atom, more specifically, a pentafluoroethyl group, 3,3,3,
2,2-pentafluoro-n-propyl group, perfluoro-i-propyl group, pentafluorophenyl group, o-
Trifluoromethylphenyl group, m-trifluoromethylphenyl group, p-trifluoromethylphenyl group,
2,6-bis (trifluoromethyl) phenyl group, 3,
5-bis (trifluoromethyl) phenyl group, 2,4
6-tris (trifluoromethyl) phenyl group, 3,
4,5-tris (trifluoromethyl) phenyl group, perfluoronorbonyl group, the following formula (3)

【0014】[0014]

【化5】 (式中、各Rfは相互に独立して、水素原子またはフッ
素原子を示し、かつ少なくとも1個のRfがフッ素原子
であり、jは0〜4の整数である。)で表される基等を
挙げることができる。
Embedded image (In the formula, each Rf independently represents a hydrogen atom or a fluorine atom, and at least one Rf is a fluorine atom, and j is an integer of 0 to 4.) Can be mentioned.

【0015】これらの1価のハロゲン化炭化水素基のう
ち、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、
3,3,3,2,2−ペンタフルオロ−n−プロピル
基、ペンタフルオロフェニル基、o−フルオロフェニル
基、m−フルオロフェニル基、p−フルオロフェニル
基、2,3−ジフルオロフェニル基、2,4−ジフルオ
ロフェニル基、2,5−ジフルオロフェニル基、2,6
−ジフルオロフェニル基、3,4−ジフルオロフェニル
基、3,5−ジフルオロフェニル基、2,3,4−トリ
フルオロフェニル基、2,3,5−トリフルオロフェニ
ル基、2,3,6−トリフルオロフェニル基、2,4,
6−トリフルオロフェニル基、3,4,5−トリフルオ
ロフェニル基、ペンタフルオロベンジル基、ペンタフル
オロフェネチル基、o−トリフルオロメチルフェニル
基、m−トリフルオロメチルフェニル基、p−トリフル
オロメチルフェニル基、2,6−ビス(トリフルオロメ
チル)フェニル基、3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)フェニル基、2,4,6−トリス(トリフルオロメ
チル)フェニル基、3,4,5−トリス(トリフルオロ
メチル)フェニル基や、前記式(3)で表される基とし
て、ペンタフルオロベンジル基、ペンタフルオロフェネ
チル基等が好ましい。
Among these monovalent halogenated hydrocarbon groups, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group,
3,3,3,2,2-pentafluoro-n-propyl group, pentafluorophenyl group, o-fluorophenyl group, m-fluorophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,3-difluorophenyl group, , 4-difluorophenyl group, 2,5-difluorophenyl group, 2,6
-Difluorophenyl group, 3,4-difluorophenyl group, 3,5-difluorophenyl group, 2,3,4-trifluorophenyl group, 2,3,5-trifluorophenyl group, 2,3,6-triphenyl group Fluorophenyl group, 2,4
6-trifluorophenyl group, 3,4,5-trifluorophenyl group, pentafluorobenzyl group, pentafluorophenethyl group, o-trifluoromethylphenyl group, m-trifluoromethylphenyl group, p-trifluoromethylphenyl Group, 2,6-bis (trifluoromethyl) phenyl group, 3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl group, 2,4,6-tris (trifluoromethyl) phenyl group, 3,4,5-tris As the (trifluoromethyl) phenyl group and the group represented by the formula (3), a pentafluorobenzyl group, a pentafluorophenethyl group, and the like are preferable.

【0016】また、R’のハロゲン原子としては、例え
ば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等を挙げることが
できる。これらのハロゲン原子のうち、塩素原子が好ま
しい。また、R’の2級もしくは3級のアミノ基として
は、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、n−プ
ロピルアミノ基、i−プロピルアミノ基、n−ブチルア
ミノ基、シクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミ
ノ基、フェニルアミノ基、ベンジルアミノ基、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−n−プロピルアミノ
基、ジ−i−プロピルアミノ基、ジ−n−ブチルアミノ
基、ジシクロペンチルアミノ基、ジシクロヘキシルアミ
ノ基、ジフェニルアミノ基、ジベンジルアミノ基等を挙
げることができる。R’のアミノ基としては、アミノ
基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジシクロペ
ンチルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジフェニ
ルアミノ基等が好ましい。
Examples of the halogen atom for R ′ include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom. Of these halogen atoms, a chlorine atom is preferred. Examples of the secondary or tertiary amino group for R ′ include a methylamino group, an ethylamino group, an n-propylamino group, an i-propylamino group, an n-butylamino group, a cyclopentylamino group, and a cyclohexylamino. Group, phenylamino group, benzylamino group, dimethylamino group, diethylamino group, di-n-propylamino group, di-i-propylamino group, di-n-butylamino group, dicyclopentylamino group, dicyclohexylamino group, Examples thereof include a diphenylamino group and a dibenzylamino group. As the amino group for R ′, an amino group, a dimethylamino group, a diethylamino group, a dicyclopentylamino group, a dicyclohexylamino group, a diphenylamino group, and the like are preferable.

【0017】構造単位(II)および構造単位(IV)にお
けるR’としては、特に、メチル基、エチル基、シクロ
ヘキシル基、ペンタフルオロエチル基、塩素原子、ジメ
チルアミノ基等が好ましい。構造単位(II) における
R’と構造単位(IV) におけるR’とは、相互に同一で
も異なってもよい。一般式(2)におけるR''として
は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基がいず
れも好ましい。構造単位(III)におけるR''と構造単位
(IV) におけるR''とは、相互に同一でも異なってもよ
い。
R ′ in the structural units (II) and (IV) is particularly preferably a methyl group, an ethyl group, a cyclohexyl group, a pentafluoroethyl group, a chlorine atom, a dimethylamino group and the like. R ′ in the structural unit (II) and R ′ in the structural unit (IV) may be the same or different from each other. As R ″ in the general formula (2), a hydrogen atom, a methyl group, and a trifluoromethyl group are all preferable. R ″ in the structural unit (III) and R ″ in the structural unit (IV) may be the same or different from each other.

【0018】次に、一般式(1)の構造単位(I)およ
び構造単位(II)において、X1 の酸により解離して水
素原子を生じる1価の有機基としては、下記式(a)で
表される基(以下、「酸解離性基(a)」という。)を
挙げることができる。
Next, in the structural unit (I) and the structural unit (II) of the general formula (1), the monovalent organic group which dissociates with an acid of X 1 to generate a hydrogen atom includes the following formula (a) (Hereinafter, referred to as “acid dissociable group (a)”).

【0019】[0019]

【化6】 Embedded image

【0020】〔式(a)において、R''' は相互に独立
に炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基ま
たは炭素数3〜20の1価の脂環式炭化水素基もしくは
その誘導体を示すか、あるいはいずれか2つのR''' が
相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共
に炭素数3〜20の2価の脂環式炭化水素基もしくはそ
の誘導体を形成し、残りのR''' が炭素数1〜4の直鎖
状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数3〜20の
1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体である。〕
[In the formula (a), R ′ ″ independently represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms. Or a derivative thereof, or any two R ″ ′ s are mutually bonded to form a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms or a derivative thereof together with the carbon atoms to which they are bonded. Wherein the remaining R ′ ″ is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms or a derivative thereof. ]

【0021】式(a)において、R''' の炭素数1〜4
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、例え
ば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピ
ル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチ
ルプロピル基、t−ブチル基等をあげることができる。
また、R''' の炭素数3〜20の1価の脂環式炭化水素
基、およびいずれか2つのR''' が相互に結合して形成
した炭素数3〜20の2価の脂環式炭化水素基として
は、例えば、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラ
シクロデカン、アダマンタンや、シクロプロパン、シク
ロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロへ
プタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類等に由来
する脂環族からなる基;これらの脂環族からなる基を、
上記炭素数1〜4のアルキル基の1種以上で置換した基
等を挙げることができる。一般式(1)におけるR'''
としては、特にメチル基が好ましい。
In the formula (a), R ″ ′ has 1 to 4 carbon atoms.
Examples of the linear or branched alkyl group include methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, 2-methylpropyl, 1-methylpropyl, t- Butyl group and the like.
Also, a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms of R ″ ″ and a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms formed by bonding any two R ′ ″ to each other. Examples of the cyclic hydrocarbon group include, for example, alicyclics derived from cycloalkanes such as norbornane, tricyclodecane, tetracyclodecane, adamantane, and cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane. A group consisting of a group; a group consisting of these alicyclic groups
Examples thereof include a group substituted with one or more alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms. R ′ ″ in the general formula (1)
Is particularly preferably a methyl group.

【0022】また、一般式(2)の構造単位(III)およ
び構造単位(IV)において、X2 の酸により解離して水
素原子を生じる1価の有機基(以下、「酸解離性基
(b)」という。)としては、例えば、3級アルキル
基、X2 が結合している酸素原子と共にアセタール基を
形成する基(以下、「アセタール形成基」という。)、
置換メチル基、1−置換エチル基、1−分岐アルキル基
(但し、3級アルキル基を除く。)、シリル基、ゲルミ
ル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離
性基等を挙げることができる。
In the structural units (III) and (IV) of the general formula (2), a monovalent organic group which is dissociated by an acid of X 2 to generate a hydrogen atom (hereinafter referred to as “acid-dissociable group ( b))) include, for example, a tertiary alkyl group, a group that forms an acetal group together with an oxygen atom to which X 2 is bonded (hereinafter, referred to as an “acetal forming group”);
Examples include a substituted methyl group, a 1-substituted ethyl group, a 1-branched alkyl group (excluding a tertiary alkyl group), a silyl group, a germyl group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, and a cyclic acid dissociable group. Can be.

【0023】酸解離性基(b)において、前記3級アル
キル基としては、例えば、t−ブチル基、1,1−ジメ
チルプロピル基、1−メチル−1−エチルプロピル基、
1,1−ジメチルブチル基、1−メチル−1−エチルブ
チル基、1,1−ジメチルペンチル基、1−メチル−1
−エチルペンチル基、1,1−ジメチルヘキシル基、
1,1−ジメチルヘプチル基、1,1−ジメチルオクチ
ル基等を挙げることができる。また、アセタール形成基
としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル
基、n−プロポキシメチル基、i−プロポキシメチル
基、n−ブトキシメチル基、t−ブトキシメチル基、n
−ペンチルオキシメチル基、n−ヘキシルオキシメチル
基、シクロペンチルオキシメチル基、シクロヘキシルオ
キシメチル基、1−メトキシエチル基、1−エトキシエ
チル基、1−n−プロポキシエチル基、1−i−プロポ
キシエチル基、1−n−ブトキシエチル基、1−t−ブ
トキシエチル基、1−n−ペンチルオキシエチル基、1
−n−ヘキシルオキシエチル基、1−シクロペンチルオ
キシエチル基、1−シクロヘキシルオキシエチル基、1
−メトキシプロピル基、1−エトキシプロピル基、(シ
クロヘキル)(メトキシ)メチル基、(シクロヘキル)
(エトキシ)メチル基、(シクロヘキル)(n−プロポ
キシ)メチル基、(シクロヘキル)(i−プロポキシ)
メチル基、(シクロヘキル)(シクロヘキシルオキシ)
メチル基等を挙げることができる。
In the acid dissociable group (b), the tertiary alkyl group includes, for example, t-butyl group, 1,1-dimethylpropyl group, 1-methyl-1-ethylpropyl group,
1,1-dimethylbutyl group, 1-methyl-1-ethylbutyl group, 1,1-dimethylpentyl group, 1-methyl-1
-Ethylpentyl group, 1,1-dimethylhexyl group,
Examples thereof include a 1,1-dimethylheptyl group and a 1,1-dimethyloctyl group. Examples of the acetal-forming group include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, an n-propoxymethyl group, an i-propoxymethyl group, an n-butoxymethyl group, a t-butoxymethyl group,
-Pentyloxymethyl group, n-hexyloxymethyl group, cyclopentyloxymethyl group, cyclohexyloxymethyl group, 1-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1-i-propoxyethyl group , 1-n-butoxyethyl group, 1-t-butoxyethyl group, 1-n-pentyloxyethyl group, 1
-N-hexyloxyethyl group, 1-cyclopentyloxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, 1
-Methoxypropyl group, 1-ethoxypropyl group, (cyclohexyl) (methoxy) methyl group, (cyclohexyl)
(Ethoxy) methyl group, (cyclohexyl) (n-propoxy) methyl group, (cyclohexyl) (i-propoxy)
Methyl group, (cyclohexyl) (cyclohexyloxy)
Examples include a methyl group.

【0024】また、前記置換メチル基としては、例え
ば、フェナシル基、p−ブロモフェナシル基、p−メト
キシフェナシル基、p−メチルチオフェナシル基、α−
メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジ
ル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、p
−ブロモベンジル基、p−ニトロベンジル基、p−メト
キシベンジル基、p−メチルチオベンジル基、p−エト
キシベンジル基、p−エチルチオベンジル基、ピペロニ
ル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニ
ルメチル基、n−プロポキシカルボニルメチル基、i−
プロポキシカルボニルメチル基、n−ブトキシカルボニ
ルメチル基、t−ブトキシカルボニルメチル基等を挙げ
ることができる。また、前記1−置換エチル基として
は、例えば、1−シクロプロピルエチル基、1−フェニ
ルエチル基、1,1−ジフェニルエチル基、1−メトキ
シカルボニルエチル基、1−エトキシカルボニルエチル
基、1−n−プロポキシカルボニルエチル基、1−i−
プロポキシカルボニルエチル基、1−n−ブトキシカル
ボニルエチル基、1−t−ブトキシカルボニルエチル基
等を挙げることができる。
Examples of the substituted methyl group include, for example, phenacyl group, p-bromophenacyl group, p-methoxyphenacyl group, p-methylthiophenacyl group, α-
Methylphenacyl group, cyclopropylmethyl group, benzyl group, diphenylmethyl group, triphenylmethyl group, p
-Bromobenzyl group, p-nitrobenzyl group, p-methoxybenzyl group, p-methylthiobenzyl group, p-ethoxybenzyl group, p-ethylthiobenzyl group, piperonyl group, methoxycarbonylmethyl group, ethoxycarbonylmethyl group, n -Propoxycarbonylmethyl group, i-
Examples thereof include a propoxycarbonylmethyl group, an n-butoxycarbonylmethyl group, and a t-butoxycarbonylmethyl group. Examples of the 1-substituted ethyl group include 1-cyclopropylethyl group, 1-phenylethyl group, 1,1-diphenylethyl group, 1-methoxycarbonylethyl group, 1-ethoxycarbonylethyl group, n-propoxycarbonylethyl group, 1-i-
Examples thereof include a propoxycarbonylethyl group, a 1-n-butoxycarbonylethyl group, and a 1-t-butoxycarbonylethyl group.

【0025】また、前記1−分岐アルキル基としては、
例えば、i−プロピル基、sec−ブチル基、1−メチ
ルブチル基等を挙げることができる。また、前記シリル
基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメ
チルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシ
リル基、i−プロピルジメチルシリル基、メチルジ−i
−プロピルシリル基、トリ−i−プロピルシリル基、t
−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−t−ブチルシリ
ル基、トリ−t−ブチルシリル基、フェニルジメチルシ
リル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリ
ル基等を挙げることができる。また、前記ゲルミル基と
しては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチ
ルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチル
ゲルミル基、i−プロピルジメチルゲルミル基、メチル
ジ−i−プロピルゲルミル基、トリ−i−プロピルゲル
ミル基、t−ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ−t
−ブチルゲルミル基、トリ−t−ブチルゲルミル基、フ
ェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル
基、トリフェニルゲルミル基等を挙げることができる。
また、前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、i−プ
ロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を
挙げることができる。
Further, as the 1-branched alkyl group,
For example, an i-propyl group, a sec-butyl group, a 1-methylbutyl group and the like can be mentioned. Examples of the silyl group include trimethylsilyl, ethyldimethylsilyl, methyldiethylsilyl, triethylsilyl, i-propyldimethylsilyl, and methyldi-i.
-Propylsilyl group, tri-i-propylsilyl group, t
-Butyldimethylsilyl group, methyldi-t-butylsilyl group, tri-t-butylsilyl group, phenyldimethylsilyl group, methyldiphenylsilyl group, triphenylsilyl group and the like. Examples of the germyl group include a trimethylgermyl group, an ethyldimethylgermyl group, a methyldiethylgermyl group, a triethylgermyl group, an i-propyldimethylgermyl group, a methyldi-i-propylgermyl group, and a trimethylgermyl group. -I-propylgermyl group, t-butyldimethylgermyl group, methyldi-t
-Butylgermyl group, tri-t-butylgermyl group, phenyldimethylgermyl group, methyldiphenylgermyl group, triphenylgermyl group and the like.
Further, as the alkoxycarbonyl group, for example,
Examples include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an i-propoxycarbonyl group, and a t-butoxycarbonyl group.

【0026】また、前記アシル基としては、例えば、ア
セチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル
基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソ
バレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミ
トイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル
基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペ
ロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル
基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイ
ル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、
フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベン
ゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタ
ロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロ
ポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル
基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル
基、p−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げるこ
とができる。さらに、前記環式酸解離性基としては、例
えば、3−オキソシクロヘキシル基、テトラヒドロピラ
ニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピ
ラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、3−ブロモテ
トラヒドロピラニル基、4−メトキシテトラヒドロピラ
ニル基、2−オキソ−4−メチル−4−テトラヒドロピ
ラニル基、4−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、
3−テトラヒドロチオフェン−1,1−ジオキシド基等
を挙げることができる。
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, a heptanoyl group, a hexanoyl group, a valeryl group, a pivaloyl group, an isovaleryl group, a lauryloyl group, a myristoyl group, a palmitoyl group, a stearoyl group, an oxalyl group. Group, malonyl group, succinyl group, glutaryl group, adipoyl group, piperoyl group, suberoyl group, azelaoil group, sebacoil group, acryloyl group, propioloyl group, methacryloyl group, crotonoyl group, oleoyl group, maleoyl group,
Fumaroyl group, mesaconoyl group, camphoroyl group, benzoyl group, phthaloyl group, isophthaloyl group, terephthaloyl group, naphthoyl group, toluoyl group, hydroatropoyl group, atropoyl group, cinnamoyl group, furoyl group, tenoyl group, nicotinoyl group, isonicotinoyl group , P-toluenesulfonyl group, mesyl group and the like. Further, examples of the cyclic acid dissociable group include a 3-oxocyclohexyl group, a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, a tetrahydrothiopyranyl group, a tetrahydrothiofuranyl group, a 3-bromotetrahydropyranyl group, -Methoxytetrahydropyranyl group, 2-oxo-4-methyl-4-tetrahydropyranyl group, 4-methoxytetrahydrothiopyranyl group,
Examples thereof include a 3-tetrahydrothiophene-1,1-dioxide group.

【0027】一般式(2)におけるX2 としては、水素
原子や、酸解離性基(b)として、t−ブチル基、t−
ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テト
ラヒドロフラニル基、メトキシメチル基、エトキシメチ
ル基、1−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基等
が好ましい。構造単位(I)におけるX1 、構造単位
(II)におけるX1 、構造単位(III)におけるX2 の酸
により解離して水素原子を生じる1価の有機基、および
構造単位(IV)におけるX2 の酸により解離して水素原
子を生じる1価の有機基は、相互に同一でも異なっても
よい。
X 2 in the general formula (2) is a hydrogen atom, or an acid-dissociable group (b) such as a t-butyl group or a t-butyl group.
Butoxycarbonyl, tetrahydropyranyl, tetrahydrofuranyl, methoxymethyl, ethoxymethyl, 1-methoxyethyl, 1-ethoxyethyl and the like are preferred. X 1 in the structural unit (I), X in the X 1 in the structural unit (II), dissociated by acid X 2 in the structural unit (III) 1 monovalent organic groups formed hydrogen atom and the structural unit, (IV) The monovalent organic groups that are dissociated by the two acids to generate a hydrogen atom may be the same or different from each other.

【0028】また、構造単位(I)におけるmおよび構
造単位(II)におけるmとしては、それぞれ0または1
が好ましく、特に1が好ましく、構造単位(III)におけ
るnおよび構造単位(IV) におけるnとしては、それぞ
れ0または1が好ましい。構造単位(I)におけるmと
構造単位(II)におけるm、構造単位(III)におけるn
と構造単位(IV) におけるnとは、それぞれ相互に同一
でも異なってもよい。
Further, m in the structural unit (I) and m in the structural unit (II) are each 0 or 1
Is particularly preferable, and n in the structural unit (III) and n in the structural unit (IV) are each preferably 0 or 1. M in the structural unit (I), m in the structural unit (II), and n in the structural unit (III)
And n in the structural unit (IV) may be the same or different from each other.

【0029】構造単位(I)の好ましい具体例を示す
と、下記式(I-1) または式(I-2)で表される構造単
位等を挙げることができる。
Preferred specific examples of the structural unit (I) include structural units represented by the following formula (I-1) or (I-2).

【0030】[0030]

【化7】 Embedded image

【0031】また、構造単位(II)の好ましい具体例を
示すと、下記式(II-1) 〜(II-8)で表される構造単位
等を挙げることができる。
Preferred specific examples of the structural unit (II) include structural units represented by the following formulas (II-1) to (II-8).

【0032】[0032]

【化8】 Embedded image

【0033】[0033]

【化9】 Embedded image

【0034】また、構造単位(III)の好ましい具体例を
示すと、下記式(III-1-1)〜(III-1-12) で表される構
造単位、式(III-2-1)〜(III-2-12) で表される構造単
位等を挙げることができる。
Preferred examples of the structural unit (III) include structural units represented by the following formulas (III-1-1) to (III-1-12); To (III-2-12).

【0035】[0035]

【化10】 Embedded image

【0036】[0036]

【化11】 Embedded image

【0037】[0037]

【化12】 Embedded image

【0038】[0038]

【化13】 Embedded image

【0039】[0039]

【化14】 Embedded image

【0040】[0040]

【化15】 Embedded image

【0041】[0041]

【化16】 Embedded image

【0042】[0042]

【化17】 Embedded image

【0043】これらの構造単位(III)のうち、特に、式
(III-1-2)、式(III-1-3)、式(III-1-5)、式(III-1-
6)、式(III-1-8)、式(III-1-9)、式(III-2-2)、式
(III-2-3)、式(III-2-5)、式(III-2-6)、式(III-2-
8)または式(III-2-9)で表される構造単位等が好まし
い。
Among these structural units (III), the compounds represented by the formulas (III-1-2), (III-1-3), (III-1-5) and (III-1-
6), Formula (III-1-8), Formula (III-1-9), Formula (III-2-2), Formula (III-2-3), Formula (III-2-5), Formula (III-2-5) III-2-6), Formula (III-2-
The structural unit represented by 8) or the formula (III-2-9) is preferable.

【0044】また、構造単位(IV)の好ましい具体例を
示すと、下記式(IV-1-1) 〜(IV-1-48)で表される構造
単位、式(IV-2-1) 〜(IV-2-48)で表される構造単位等
を挙げることができる。
Preferred specific examples of the structural unit (IV) include structural units represented by the following formulas (IV-1-1) to (IV-1-48); To (IV-2-48).

【0045】[0045]

【化18】 Embedded image

【0046】[0046]

【化19】 Embedded image

【0047】[0047]

【化20】 Embedded image

【0048】[0048]

【化21】 Embedded image

【0049】[0049]

【化22】 Embedded image

【0050】[0050]

【化23】 Embedded image

【0051】[0051]

【化24】 Embedded image

【0052】[0052]

【化25】 Embedded image

【0053】[0053]

【化26】 Embedded image

【0054】[0054]

【化27】 Embedded image

【0055】[0055]

【化28】 Embedded image

【0056】[0056]

【化29】 Embedded image

【0057】[0057]

【化30】 Embedded image

【0058】[0058]

【化31】 Embedded image

【0059】[0059]

【化32】 Embedded image

【0060】[0060]

【化33】 Embedded image

【0061】[0061]

【化34】 Embedded image

【0062】[0062]

【化35】 Embedded image

【0063】[0063]

【化36】 Embedded image

【0064】[0064]

【化37】 Embedded image

【0065】[0065]

【化38】 Embedded image

【0066】[0066]

【化39】 Embedded image

【0067】[0067]

【化40】 Embedded image

【0068】[0068]

【化41】 Embedded image

【0069】[0069]

【化42】 Embedded image

【0070】[0070]

【化43】 Embedded image

【0071】[0071]

【化44】 Embedded image

【0072】[0072]

【化45】 Embedded image

【0073】[0073]

【化46】 Embedded image

【0074】[0074]

【化47】 Embedded image

【0075】[0075]

【化48】 Embedded image

【0076】[0076]

【化49】 Embedded image

【0077】これらの構造単位(IV) のうち、特に、式
(IV-1-14)、式(IV-1-15)、式(IV-1-17)、式(IV-1-1
8)、式(IV-1-20)、式(IV-1-21)、式(IV-1-26)、式
(IV-1-27)、式(IV-1-29)、式(IV-1-30)、式(IV-1-3
2)、式(IV-1-33)、式(IV-2-14)、式(IV-2-15)、式
(IV-2-17)、式(IV-2-18)、式(IV-2-20)、式(IV-2-2
1)、式(IV-2-26)、式(IV-2-27)、式(IV-2-29)、式
(IV-2-30)、式(IV-2-32)または式(IV-2-33)で表され
る構造単位等が好ましい。ポリシロキサン(イ)におい
て、構造単位(I)、構造単位(II)、構造単位(III)
および構造単位(IV)はそれぞれ、単独でまたは2種以
上が存在することができる。
Among these structural units (IV), in particular, the formulas (IV-1-14), (IV-1-15), (IV-1-17) and (IV-1-1)
8), Formula (IV-1-20), Formula (IV-1-21), Formula (IV-1-26), Formula (IV-1-27), Formula (IV-1-29), Formula (IV-1-29) IV-1-30), Formula (IV-1-3
2), Formula (IV-1-33), Formula (IV-2-14), Formula (IV-2-15), Formula (IV-2-17), Formula (IV-2-18), Formula (IV-2-18) IV-2-20), Formula (IV-2-2
1), Formula (IV-2-26), Formula (IV-2-27), Formula (IV-2-29), Formula (IV-2-30), Formula (IV-2-32) or Formula (IV-2-32) The structural unit represented by IV-2-33) is preferred. In the polysiloxane (a), the structural unit (I), the structural unit (II), and the structural unit (III)
And each of the structural units (IV) may be present alone or in combination of two or more.

【0078】構造単位(I)を与える縮合成分として
は、例えば、下記一般式(4)に示すシラン化合物
(i)あるいは該シラン化合物が部分縮合した直鎖状も
しくは環状のオリゴマーを挙げることができ、構造単位
(II)を与える縮合成分としては、例えば、下記一般式
(4)に示すシラン化合物(ii) あるいは該シラン化合
物が部分縮合した直鎖状もしくは環状のオリゴマーを挙
げることができ、構造単位(III)を与える縮合成分とし
ては、例えば、下記一般式(5)に示すシラン化合物
(iii)あるいは該シラン化合物が部分縮合した直鎖状も
しくは環状のオリゴマーを挙げることができ、さらに構
造単位(IV)を与える縮合成分としては、例えば、下記
一般式(5)に示すシラン化合物(iv) あるいは該シラ
ン化合物が部分縮合した直鎖状もしくは環状のオリゴマ
ー等を挙げることができる。
Examples of the condensing component providing the structural unit (I) include a silane compound (i) represented by the following general formula (4) or a linear or cyclic oligomer obtained by partially condensing the silane compound. Examples of the condensation component that provides the structural unit (II) include a silane compound (ii) represented by the following general formula (4) or a linear or cyclic oligomer obtained by partially condensing the silane compound. Examples of the condensing component that provides the unit (III) include a silane compound (iii) represented by the following general formula (5) or a linear or cyclic oligomer obtained by partially condensing the silane compound. Examples of the condensing component that provides (IV) include a silane compound (iv) represented by the following general formula (5) or a straight chain obtained by partially condensing the silane compound. Ku can be mentioned the cyclic oligomers.

【0079】[0079]

【化50】 〔一般式(4)において、R、R’、X1 およびmは、
一般式(1)におけるそれぞれR、R’、X1 およびm
と同義であり、Yは炭素数1〜20の1価の炭化水素
基、炭素数1〜20の1価のハロゲン化炭化水素基また
は下記式(6)
Embedded image [In the general formula (4), R, R ′, X 1 and m are
R, R ′, X 1 and m in the general formula (1), respectively
And Y is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or the following formula (6)

【0080】[0080]

【化51】 (式中、各Y’は相互に独立して、水素原子、炭素数1
〜20の1価の炭化水素基、炭素数1〜20の1価のハ
ロゲン化炭化水素基または炭素数1〜20の直鎖状、分
岐状もしくは環状のアルコキシル基を示し、kは1〜1
0の整数である。)で表される基を示す。〕
Embedded image (Wherein each Y ′ is independently a hydrogen atom, a carbon atom 1)
A monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a linear, branched or cyclic alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, and k represents 1 to 1
It is an integer of 0. ). ]

【0081】[0081]

【化52】 〔一般式(5)において、R、R’、R''、X2 および
nは、一般式(2)におけるそれぞれR、R’、R''、
2 およびnと同義であり、Yは炭素数1〜20の1価
の炭化水素基、炭素数1〜20の1価のハロゲン化炭化
水素基または前記式(6)で表される基を示す。〕
Embedded image [In the general formula (5), R, R ′, R ″, X 2 and n are each R, R ′, R ″,
Have the same meaning as X 2 and n, Y is a monovalent hydrocarbon group, a group represented by a monovalent halogenated hydrocarbon group or the formula of 1 to 20 carbon atoms (6) of 1 to 20 carbon atoms Show. ]

【0082】前記「シラン化合物が部分縮合した直鎖状
のオリゴマー」は、各シラン化合物中の2個のSi−O
Y基間で縮合して、通常、2〜10量体、好ましくは2
〜5量体を形成したオリゴマーを意味し、また前記「シ
ラン化合物が部分縮合した環状のオリゴマー」は、各シ
ラン化合物中の2個のSi−OY基間で縮合して、通
常、3〜10量体、好ましくは3〜5量体を形成したオ
リゴマーを意味する。シラン化合物(i)〜(iv)にお
けるYとしては、それぞれメチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基等が好まし
い。
The “linear oligomer in which the silane compound is partially condensed” refers to two Si—O in each silane compound.
By condensation between the Y groups, a dimer to dimer, preferably 2 to 10 mer,
To a pentamer, and the term "cyclic oligomer in which a silane compound is partially condensed" refers to an oligomer which is condensed between two Si-OY groups in each silane compound, and is usually 3 to 10 Oligomer, preferably an oligomer which forms a trimer, preferably a trimer to a pentamer. As Y in the silane compounds (i) to (iv), a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group and the like are preferable.

【0083】シラン化合物(i)およびシラン化合物
(ii)は、例えば、各シラン化合物に対応するノルボル
ネン(即ち、ビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−2−エ
ン)誘導体と、対応するヒドロシリル化合物とを、常法
のヒドロシリル化反応に従い、ヒドロシリル化触媒の存
在下、無溶媒下あるいは適当な溶媒中で反応させる方法
等により合成することができる。
The silane compound (i) and the silane compound (ii) may be, for example, a norbornene (that is, bicyclo [2.2.1] hept-2-ene) derivative corresponding to each silane compound and a corresponding hydrosilyl compound. Can be synthesized according to a conventional method for hydrosilylation in the presence of a hydrosilylation catalyst, in the absence of a solvent, or in an appropriate solvent.

【0084】シラン化合物(iii)およびシラン化合物
(iv)は、X2 が水素原子である場合、例えば、各シラ
ン化合物に対応するノルボルネン誘導体と、対応するヒ
ドロシラン化合物とを、常法のヒドロシリル化反応に従
い、ヒドロシリル化触媒の存在下、無溶媒下あるいは適
当な溶媒中で反応させる方法等により合成することがで
きる。また、X2 が酸解離性基(b)である場合、例え
ば、下記〜の方法等により合成することができる。 X2 がt−ブトキシカルボニル基であるシラン化合
物(iii)およびシラン化合物(iv)は、X2 が水素原子
であるシラン化合物(iii)あるいはX2 が水素原子であ
るシラン化合物(iv)中の水酸基を、触媒量の4−ジメ
チルアミノピリジンの存在下で、ジ−t−ブチルジカー
ボネートによりエステル化する方法; X2 がt−ブチル基であるシラン化合物(iii)およ
びシラン化合物(iv)は、X2 が水素原子であるシラン
化合物(iii)あるいはX2 が水素原子であるシラン化合
物(iv)中の水酸基をナトリウムオキシド基に変換した
化合物と、t−ブチルクロライドとを、常法により脱塩
化ナトリウム反応させるか、あるいはシラン化合物
(i)〜(iv)中の水酸基を酸無水物基に変換した化合
物と、t−ブチルアルコールとを、常法により縮合させ
る方法; X2 がテトラヒドロピラニル基であるシラン化合物
(iii)およびシラン化合物(iv)は、X2 が水素原子で
あるシラン化合物(iii)あるいはX2 が水素原子である
シラン化合物(iv)中の水酸基を、2,3−ジヒドロ−
4H−ピランと、常法により付加反応させる方法; X2 がアセタール形成基であるシラン化合物(iii)
およびシラン化合物(iv)は、X2 が水素原子であるシ
ラン化合物(iii)あるいはX2 が水素原子であるシラン
化合物(iv)中の水酸基を、対応するビニルエーテル
と、常法により付加反応させる方法。
When X 2 is a hydrogen atom, for example, the silane compound (iii) and the silane compound (iv) are prepared by subjecting a norbornene derivative corresponding to each silane compound and a corresponding hydrosilane compound to a conventional hydrosilylation reaction. The reaction can be carried out in the presence of a hydrosilylation catalyst, in the absence of a solvent, or in a suitable solvent. When X 2 is an acid dissociable group (b), it can be synthesized by, for example, the following methods. The silane compound X 2 is t- butoxycarbonyl group (iii) and the silane compound (iv) is a silane compound X 2 is a hydrogen atom (iii) or X 2 is a silane compound are hydrogen atoms (iv) in the A method for esterifying a hydroxyl group with di-t-butyl dicarbonate in the presence of a catalytic amount of 4-dimethylaminopyridine; the silane compound (iii) and the silane compound (iv) wherein X 2 is a t-butyl group a compound obtained by converting the silane compound X 2 is a hydrogen atom (iii) or X 2 is a silane compound which is a hydrogen atom a hydroxyl group in (iv) sodium oxide group, a t- butyl chloride, removal by a conventional method A method in which a sodium chloride reaction is carried out or a compound obtained by converting a hydroxyl group in a silane compound (i) to (iv) into an acid anhydride group and t-butyl alcohol are condensed by a conventional method. The silane compound X 2 is tetrahydropyranyl group (iii) and the silane compound (iv) is a hydroxyl group in the silane compound X 2 is a hydrogen atom (iii) or X 2 is a silane compound which is a hydrogen atom (iv) Is 2,3-dihydro-
A method of subjecting 4H-pyran to an addition reaction by a conventional method; a silane compound (iii) wherein X 2 is an acetal-forming group
And the silane compound (iv) method, the silane compound X 2 is a hydrogen atom (iii) or X 2 is a silane compound which is a hydrogen atom a hydroxyl group in (iv), and the corresponding vinyl ether, to an addition reaction by a conventional method .

【0085】さらに、ポリシロキサン(イ)は、構造単
位(I)〜(IV)以外の構造単位(以下、「他の構造単
位」という。)を1種以上有することができる。他の構
造単位を与える縮合成分としては、例えば、下記一般式
(7)で表されるシラン化合物(以下、「シラン化合物
(7)」という。)、下記一般式(8)で表されるシラ
ン化合物(以下、「シラン化合物(8)」という。)等
の酸解離性基を有するシラン化合物
Further, the polysiloxane (a) may have one or more structural units other than the structural units (I) to (IV) (hereinafter, referred to as “other structural units”). Examples of the condensing component that provides another structural unit include a silane compound represented by the following general formula (7) (hereinafter, referred to as “silane compound (7)”) and a silane represented by the following general formula (8) A silane compound having an acid-dissociable group such as a compound (hereinafter, referred to as “silane compound (8)”)

【0086】[0086]

【化53】 Embedded image

【0087】〔一般式(7)および一般式(8)におい
て、Aは酸素原子を有する1価の有機基を示し、各R1
は相互に独立して炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もし
くは環状のアルキル基または炭素数1〜10の直鎖状、
分岐状もしくは環状のハロゲン化アルキル基を示し、R
2 は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状
のアルキル基、炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状
のハロゲン化アルキル基、炭素数6〜20の1価の芳香
族炭化水素基または炭素数6〜20の1価のハロゲン化
芳香族炭化水素基を示す。〕;
[0087] In [Formula (7) and the general formula (8), A represents a monovalent organic group having an oxygen atom, each R 1
Are independently of each other a straight-chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a linear chain having 1 to 10 carbon atoms,
A branched or cyclic halogenated alkyl group;
2 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear or branched halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a monovalent aromatic group having 6 to 20 carbon atoms. It represents a hydrocarbon group or a monovalent halogenated aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms. ];

【0088】下記一般式(9)で表されるシラン化合物
(以下、「シラン化合物(9)」という。)、下記一般
式(10)で表されるシラン化合物(以下、「シラン化
合物(10)」という。)、下記一般式(11)で表さ
れるシラン化合物(以下、「シラン化合物(11)」と
いう。)
A silane compound represented by the following general formula (9) (hereinafter referred to as “silane compound (9)”) and a silane compound represented by the following general formula (10) (hereinafter referred to as “silane compound (10)”) ") And a silane compound represented by the following general formula (11) (hereinafter, referred to as" silane compound (11) ").

【0089】[0089]

【化54】 Embedded image

【0090】〔一般式(9)〜(11)において、各R
1 は相互に独立して炭素数1〜10の直鎖状、分岐状も
しくは環状のアルキル基または炭素数1〜10の直鎖
状、分岐状もしくは環状のハロゲン化アルキル基を示
し、各R3 は相互に独立して水素原子、水酸基、ハロゲ
ン原子、置換されていてもよい炭素数1〜20の直鎖
状、分岐状もしくは環状のアルキル基、置換されていて
もよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の
アルコキシル基、置換されていてもよいアセトキシ基、
置換されていてもよい炭素数6〜20の芳香族炭化水素
基を示す。但し、各R3は、一般式(7)および一般式
(8)におけるAを含まない。〕等を挙げることができ
る。また、これらのシラン化合物(7)〜(11)はそ
れぞれ、一部または全部を部分縮合物として用いること
もできる。ここでいう「部分縮合物」とは、各シラン化
合物中の2個のSi−OR’基間で縮合して、通常、2
〜10量体、好ましくは2〜5量体を形成した直鎖状の
オリゴマー、あるいは各シラン化合物中の2個のSi−
OR’基間で縮合して、通常、3〜10量体、好ましく
は3〜5量体を形成した環状のオリゴマーを意味する。
[In the general formulas (9) to (11), each R
1 shows independently of each other a straight, branched or cyclic alkyl group or a straight, a halogenated alkyl group branched or cyclic, each R 3 Are independently of each other a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom, an optionally substituted linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an optionally substituted 1 to 20 carbon atom Linear, branched or cyclic alkoxyl group, acetoxy group which may be substituted,
It represents an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted. However, each R 3 does not include A in the general formulas (7) and (8). And the like. Further, each of these silane compounds (7) to (11) may be partially or entirely used as a partial condensate. The term "partially condensed product" as used herein refers to a compound which is condensed between two Si-OR 'groups in each silane compound,
Linear oligomers forming 10 to 10-mers, preferably 2 to 5-mers, or two Si-
It means a cyclic oligomer which is condensed between OR 'groups to form a 3- to 10-mer, preferably a 3- to 5-mer.

【0091】以下、これらのシラン化合物(7)〜(1
1)について順次説明する。一般式(7)および一般式
(8)において、Aの酸素原子を有する1価の有機基と
しては、カルボキシル基、フェノール性水酸基あるいは
アルコール性水酸基を有する有機基や、酸により解離し
て、好ましくはカルボキシル基、フェノール性水酸基あ
るいはアルコール性水酸基を生じる酸解離性基を有する
炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、
該酸解離性基を有する炭素数4〜30の1価の脂環式炭
化水素基等を挙げることができる。Aとしては、例え
ば、下記一般式(12)または一般式(13)で表され
る基等が好ましい。
Hereinafter, these silane compounds (7) to (1)
1) will be described sequentially. In the general formulas (7) and (8), the monovalent organic group having an oxygen atom of A is preferably a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group or an organic group having an alcoholic hydroxyl group, or dissociated by an acid. Is a carboxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms having an acid-dissociable group generating a phenolic hydroxyl group or an alcoholic hydroxyl group,
Examples thereof include a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 30 carbon atoms having the acid dissociable group. A is preferably, for example, a group represented by the following general formula (12) or (13).

【0092】[0092]

【化55】 〔一般式(12)および一般式(13)において、Pは
単結合、メチレン基、ジフルオロメチレン基、炭素数2
〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、
炭素数2〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフルオ
ロアルキレン基、炭素数6〜20の2価の芳香族基また
は炭素数3〜20の2価の脂環式基を示し、Zは水素原
子または酸により解離して水素原子を生じる1価の有機
基を示す。〕
Embedded image [In the general formulas (12) and (13), P represents a single bond, a methylene group, a difluoromethylene group,
-20 linear, branched or cyclic alkylene groups,
A linear, branched or cyclic fluoroalkylene group having 2 to 20 carbon atoms, a divalent aromatic group having 6 to 20 carbon atoms or a divalent alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms; A monovalent organic group which is dissociated by a hydrogen atom or an acid to generate a hydrogen atom. ]

【0093】一般式(12)および一般式(13)にお
いて、Pの炭素数2〜20の直鎖状、分岐状もしくは環
状のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、プロ
ピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基等を挙げ
ることができ、炭素数2〜20の直鎖状、分岐状もしく
は環状のフルオロアルキレン基としては、例えば、テト
ラフルオロエチレン基、ヘキサフルオロプロピレン基、
ヘキサフルオロトリメチレン基、オクタフルオロテトラ
メチレン基等を挙げることができ、炭素数6〜20の2
価の芳香族基としては、例えば、フェニレン基、ナフチ
レン基、パーフルオロフェニレン基、パーフルオロナフ
チレン基等を挙げることができ、また炭素数3〜20の
2価の脂環式基としては、ノルボルネン骨格、トリシク
ロデカン骨格あるいはアダマンタン骨格を有する2価の
炭化水素基や、これらの基のハロゲン化物等を挙げるこ
とができる。一般式(12)および一般式(13)にお
けるPとしては、単結合、メチレン基、トリフルオロメ
チレン基、ノルボルネン骨格を有する2価の炭化水素基
やそのハロゲン化物、アダマンタン骨格を有する2価の
炭化水素基やそのハロゲン化物等が好ましい。
In the general formulas (12) and (13), examples of the linear, branched or cyclic alkylene group having 2 to 20 carbon atoms of P include, for example, ethylene group, propylene group, trimethylene group and tetramethylene group. Examples of the methylene group include a linear, branched or cyclic fluoroalkylene group having 2 to 20 carbon atoms, for example, a tetrafluoroethylene group, a hexafluoropropylene group,
Hexafluorotrimethylene group, octafluorotetramethylene group and the like can be mentioned.
Examples of the valent aromatic group include a phenylene group, a naphthylene group, a perfluorophenylene group, a perfluoronaphthylene group, and the like.As the divalent alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms, Examples include divalent hydrocarbon groups having a norbornene skeleton, tricyclodecane skeleton, or adamantane skeleton, and halides of these groups. In the general formulas (12) and (13), P represents a single bond, a methylene group, a trifluoromethylene group, a divalent hydrocarbon group having a norbornene skeleton, a halide thereof, or a divalent carbon group having an adamantane skeleton. Hydrogen groups and their halides are preferred.

【0094】また、Zの酸により解離して水素原子を生
じる1価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、
i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−デシル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、4−t−ブチルシクロヘキシル基、シクロヘ
プチル基、シクロオクチル基等の直鎖状、分岐状もしく
は環状のアルキル基;フェノキシカルボニル基、4−t
−ブチルフェニル基、1−ナフチル基等のアリーロキシ
カルボニル基;ベンジル基、4−t−ブチルベンジル
基、フェネチル基、4−t−ブチルフェネチル基等のア
ラルキル基;t−ブトキシカルボニル基、メトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、i−プロポキシカル
ボニル基、9−フルオレニルメチルカルボニル基、2,
2,2−トリクロロエチルカルボニル基、2−(トリメ
チルシリル)エチルカルボニル基、i−ブチルカルボニ
ル基、ビニルカルボニル基、アリルカルボニル基、ベン
ジルカルボニル基、4−エトキシ−1−ナフチルカルボ
ニル基、メチルジチオカルボニル基等の有機カルボニル
基;
Examples of the monovalent organic group which is dissociated by an acid of Z to generate a hydrogen atom include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group,
i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-
Linear groups such as pentyl, n-hexyl, n-heptyl, n-octyl, n-decyl, cyclopentyl, cyclohexyl, 4-t-butylcyclohexyl, cycloheptyl, and cyclooctyl; Branched or cyclic alkyl group; phenoxycarbonyl group, 4-t
Aryloxycarbonyl groups such as -butylphenyl group and 1-naphthyl group; aralkyl groups such as benzyl group, 4-t-butylbenzyl group, phenethyl group and 4-t-butylphenethyl group; t-butoxycarbonyl group and methoxycarbonyl Group, ethoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, 9-fluorenylmethylcarbonyl group, 2,
2,2-trichloroethylcarbonyl group, 2- (trimethylsilyl) ethylcarbonyl group, i-butylcarbonyl group, vinylcarbonyl group, allylcarbonyl group, benzylcarbonyl group, 4-ethoxy-1-naphthylcarbonyl group, methyldithiocarbonyl group Organic carbonyl groups such as;

【0095】メトキシメチル基、エトキシメチル基、メ
チルチオメチル基、t−ブチルチオメチル基、(フェニ
ルジメチルシリル)メトキシメチル基、ベンジロキシメ
チル基、t−ブトキシメチル基、シロキシメチル基、2
−メトキシエトキシメチル基、2,2,2−トリクロロ
エトキシメチル基、ビス(2−クロロエトキシ)メチル
基、2−(トリメチルシリル)エトキシメチル基、1−
メトキシシクロヘキシル基、テトラヒドロピラニル基、
4−メトキシテトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフ
ラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロ
チオフラニル基、1−メトキシエチル基、1−エトキシ
エチル基、1−(2−クロロエトキシ)エチル基、1−
メチル−1−メトキシエチル基、1−メチル−1−ベン
ジロキシエチル基、1−(2−クロロエトキシ)エチル
基、1−メチル−1−ベンジロキシ−2−フルオロエチ
ル基、2,2,2−トリクロロエチル基、2−トリメチ
ルシリルエチル基、2−(フェニルセレニル)エチル基
等の、一般式(14)中の酸素原子と結合してアセター
ル基を形成する有機基;トリメチルシリル基、トリエチ
ルシリル基、トリ−i−プロピルシリル基、ジメチル−
i−プロピルシリル基、ジエチル−i−プロピルシリル
基、ジメチルエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリ
ル基、t−ブチルジフェニルシリル基、トリベンジルシ
リル基、トリ−p−キシリルシリル基、トリフェニルシ
リル基、ジフェニルメチルシリル基、t−ブチルメトキ
シフェニルシリル基等の有機シリル基等を挙げることが
できる。
Methoxymethyl, ethoxymethyl, methylthiomethyl, t-butylthiomethyl, (phenyldimethylsilyl) methoxymethyl, benzyloxymethyl, t-butoxymethyl, siloxymethyl,
-Methoxyethoxymethyl group, 2,2,2-trichloroethoxymethyl group, bis (2-chloroethoxy) methyl group, 2- (trimethylsilyl) ethoxymethyl group, 1-
Methoxycyclohexyl group, tetrahydropyranyl group,
4-methoxytetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group, tetrahydrothiopyranyl group, tetrahydrothiofuranyl group, 1-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, 1- (2-chloroethoxy) ethyl group, 1-
Methyl-1-methoxyethyl group, 1-methyl-1-benzyloxyethyl group, 1- (2-chloroethoxy) ethyl group, 1-methyl-1-benzyloxy-2-fluoroethyl group, 2,2,2- Organic groups such as trichloroethyl group, 2-trimethylsilylethyl group and 2- (phenylselenyl) ethyl group which form an acetal group by bonding to an oxygen atom in the general formula (14); trimethylsilyl group, triethylsilyl group, Tri-i-propylsilyl group, dimethyl-
i-propylsilyl group, diethyl-i-propylsilyl group, dimethylethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, t-butyldiphenylsilyl group, tribenzylsilyl group, tri-p-xylylsilyl group, triphenylsilyl group, Examples thereof include organic silyl groups such as a diphenylmethylsilyl group and a t-butylmethoxyphenylsilyl group.

【0096】これらの酸により解離して水素原子を生じ
る1価の有機基のうち、t−ブチル基、メトキシメチル
基、エトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、テト
ラヒドロフラニル基、1−メトキシエチル基、1−エト
キシエチル基、t−ブチルジメチルシリル基等が好まし
い。なお、一般式(7)におけるAと一般式(8)にお
けるAとは、相互に同一でも異なってもよい。
Among the monovalent organic groups that dissociate with these acids to generate hydrogen atoms, t-butyl, methoxymethyl, ethoxymethyl, tetrahydropyranyl, tetrahydrofuranyl, 1-methoxyethyl, A 1-ethoxyethyl group, a t-butyldimethylsilyl group and the like are preferable. Note that A in the general formula (7) and A in the general formula (8) may be the same or different from each other.

【0097】また、一般式(7)および一般式(8)に
おいて、R1 の炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしく
は環状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル
基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、
n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n
−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができ、炭
素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のハロゲン
化アルキル基としては、例えば、フルオロメチル基、ク
ロロメチル基、ブロモメチル基、ジフルオロメチル基、
ジクロロメチル基、トリフルオロメチル基等を挙げるこ
とができる。一般式(7)および一般式(8)における
1 としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、
i−プロピル基、n−ブチル基等が好ましい。なお、一
般式(7)におけるR1 と一般式(8)におけるR1
は、相互に同一でも異なってもよい。
In the general formulas (7) and (8), examples of the linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms for R 1 include a methyl group, an ethyl group, and an n-type alkyl group. -Propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group,
n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n
-Octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like.Examples of the linear, branched or cyclic halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include: Fluoromethyl group, chloromethyl group, bromomethyl group, difluoromethyl group,
Examples thereof include a dichloromethyl group and a trifluoromethyl group. R 1 in the general formulas (7) and (8) represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group,
i-propyl group, n-butyl group and the like are preferable. Note that the R 1 in R 1 of the general formula in the formula (7) (8) may be the same or different from each other.

【0098】また、一般式(8)において、R2 の炭素
数1〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基として
は、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−
ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシ
ル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル
基、n−デシル基等を挙げることができ、炭素数1〜2
0の直鎖状もしくは分岐状のハロゲン化アルキル基とし
ては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ヘプタフルオロ−n−プロピル基、ヘプタフ
ルオロ−i−プロピル基等を挙げることができ、炭素数
6〜20の1価の芳香族炭化水素基としては、例えば、
フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、ベンジ
ル基、フェネチル基等を挙げることができ、炭素数6〜
20の1価のハロゲン化芳香族炭化水素基としては、例
えば、パーフルオロフェニル基、パーフルオロベンジル
基、パーフルオロフェネチル基、2−(パーフルオロフ
ェニル)ヘキサフルオロ−n−プロピル基、3−(パー
フルオロフェニル)ヘキサフルオロ−n−プロピル基等
を挙げることができる。一般式(8)におけるR2 とし
ては、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、ペ
ンタフルオロエチル基、パーフルオロフェネチル基、3
−(パーフルオロフェニル)ヘキサフルオロ−n−プロ
ピル基等が好ましい。
In formula (8), examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms for R 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group and an i-type group.
-Propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-
Butyl, t-butyl, n-pentyl, n-hexyl, n-heptyl, n-octyl, n-nonyl, n-decyl and the like;
Examples of the straight-chain or branched halogenated alkyl group of 0 include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a heptafluoro-n-propyl group, and a heptafluoro-i-propyl group. Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include:
Examples thereof include a phenyl group, an α-naphthyl group, a β-naphthyl group, a benzyl group, a phenethyl group, and the like.
Examples of the 20 monovalent halogenated aromatic hydrocarbon group include a perfluorophenyl group, a perfluorobenzyl group, a perfluorophenethyl group, a 2- (perfluorophenyl) hexafluoro-n-propyl group, and a 3- ( Perfluorophenyl) hexafluoro-n-propyl group. As R 2 in the general formula (8), a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluorophenethyl group,
-(Perfluorophenyl) hexafluoro-n-propyl group and the like are preferable.

【0099】次に、一般式(9)〜(11)において、
1 の炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状の
アルキル基および炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もし
くは環状のハロゲン化アルキル基としては、例えば、一
般式(7)および一般式(8)におけるR1 のそれぞれ
対応する基等を挙げることができる。一般式(9)〜
(11)におけるR1 としては、メチル基、エチル基、
n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基等が好
ましい。なお、一般式(9)におけるR1 、一般式(1
0)におけるR1 および一般式(11)におけるR
1 は、相互に同一でも異なってもよく、またこれらの各
1は、一般式(7)におけるR1 および一般式(8)
におけるR1 と相互に同一でも異なってもよい。
Next, in the general formulas (9) to (11),
Examples of the linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and the linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 1 include a group represented by the general formula (7): And groups corresponding to R 1 in the general formula (8). General formula (9)
As R 1 in (11), a methyl group, an ethyl group,
Preferred are an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group and the like. In addition, R 1 in the general formula (9) and the general formula (1
R 1 in formula (0) and R in general formula (11)
1 may be the same or different, and each of these R 1, R 1 and formula in the formula (7) (8)
R 1 may be the same or different from each other.

【0100】また、R3 のハロゲン原子としては、例え
ば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等を
挙げることができる。また、R3 の置換されていてもよ
い炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアル
キル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル
基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフル
オロエチル基、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、3−ヒドロキシプロピル基、4−ヒドロキシブ
チル基、4−ヒドロキシシクロヘキシル基、メトキシメ
チル基、2−メトキシエチル基、3−メトキシプロピル
基、4−メトキシブチル基、4−メトキシシクロヘキシ
ル基、アセトキシメチル基、2−アセトキシエチル基、
3−アセトキシプロピル基、4−アセトキシブチル基、
4−アセトキシシクロヘキシル基、メルカプトメチル
基、2−メルカプトエチル基、3−メルカプトプロピル
基、4−メルカプトブチル基、4−メルカプトシクロヘ
キシル基、シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−
シアノプロピル基、4−シアノシクロヘキシル基、3−
グリシドキシプロピル基、2−(3,4−エポキシ)シ
クロヘキシル基、2−(3,4−エポキシ)シクロヘキ
シルエチル基、3−モルフォリノプロピル基等を挙げる
ことができる。
Further, examples of the halogen atom for R 3 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like. Examples of the linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted for R 3 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group and an n-propyl group. -Butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, cyclopentyl Group,
Cyclohexyl, trifluoromethyl, pentafluoroethyl, hydroxymethyl, 2-hydroxyethyl, 3-hydroxypropyl, 4-hydroxybutyl, 4-hydroxycyclohexyl, methoxymethyl, 2-methoxyethyl A 3-methoxypropyl group, a 4-methoxybutyl group, a 4-methoxycyclohexyl group, an acetoxymethyl group, a 2-acetoxyethyl group,
3-acetoxypropyl group, 4-acetoxybutyl group,
4-acetoxycyclohexyl group, mercaptomethyl group, 2-mercaptoethyl group, 3-mercaptopropyl group, 4-mercaptobutyl group, 4-mercaptocyclohexyl group, cyanomethyl group, 2-cyanoethyl group, 3-
Cyanopropyl group, 4-cyanocyclohexyl group, 3-
Examples thereof include a glycidoxypropyl group, a 2- (3,4-epoxy) cyclohexyl group, a 2- (3,4-epoxy) cyclohexylethyl group, and a 3-morpholinopropyl group.

【0101】また、R3 の置換されていてもよい炭素数
1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル
基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プ
ロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、シ
クロヘキシルオキシ基、フルオロメトキシ基、クロロメ
トキシ基、2−クロロエトキシ基、2−ブロモエトキシ
基、3−クロロプロポキシ基、3−ブロモプロポキシ
基、3−グリシドキシプロポキシ基、4−フルオロシク
ロヘキシルオキシ基、3,4−エポキシシクロヘキシル
オキシ基等を挙げることができる。また、R3 の置換さ
れていてもよいアセトキシ基としては、例えば、アセト
キシ基、トリフルオロアセトキ基、クロロアセトキシ
基、ブロモアセトキシ基等を挙げることができる。
The optionally substituted linear, branched or cyclic alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms for R 3 includes, for example, methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy and the like. Group, n-butoxy group, i-
Butoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group, cyclohexyloxy group, fluoromethoxy group, chloromethoxy group, 2-chloroethoxy group, 2-bromoethoxy group, 3-chloropropoxy group, 3-bromopropoxy group, 3 -Glycidoxypropoxy group, 4-fluorocyclohexyloxy group, 3,4-epoxycyclohexyloxy group and the like. Examples of the optionally substituted acetoxy group for R 3 include an acetoxy group, a trifluoroacetoxy group, a chloroacetoxy group, and a bromoacetoxy group.

【0102】また、R3 の置換されていてもよい炭素数
6〜20の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニ
ル基、α−ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基、2
−フルオロフェニル基、3−フルオロフェニル基、4−
フルオロフェニル基、4−クロロフェニル基、4−ブロ
モフェニル基、2−ヒドロキシフェニル基、3−ヒドロ
キシフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、2−メト
キシフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−メトキ
シフェニル基、2−アセトキシフェニル基、3−アセト
キシフェニル基、4−アセトキシフェニル基、2−トリ
メチルシロキシフェニル基、3−トリメチルシロキシフ
ェニル基、4−トリメチルシロキシフェニル基、2−フ
ルオロベンジル基、3−フルオロベンジル基、4−フル
オロベンジル基、4−クロロベンジル基、4−ブロモベ
ンジル基、2−ヒドロキシベンジル基、3−ヒドロキシ
ベンジル基、4−ヒドロキシベンジル基、2−メトキシ
ベンジル基、3−メトキシベンジル基、4−メトキシベ
ンジル基、2−アセトキシベンジル基、3−アセトキシ
ベンジル基、4−アセトキシベンジル基、2−トリメチ
ルシロキシベンジル基、3−トリメチルシロキシベンジ
ル基、4−トリメチルシロキシベンジル基、パーフルオ
ロフェネチル基、3−(パーフルオロフェニル)ヘキサ
フルオロ−n−プロピル基等を挙げることができる。
Examples of the optionally substituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms for R 3 include, for example, phenyl group, α-naphthyl group, benzyl group, phenethyl group,
-Fluorophenyl group, 3-fluorophenyl group, 4-
Fluorophenyl group, 4-chlorophenyl group, 4-bromophenyl group, 2-hydroxyphenyl group, 3-hydroxyphenyl group, 4-hydroxyphenyl group, 2-methoxyphenyl group, 3-methoxyphenyl group, 4-methoxyphenyl group , 2-acetoxyphenyl, 3-acetoxyphenyl, 4-acetoxyphenyl, 2-trimethylsiloxyphenyl, 3-trimethylsiloxyphenyl, 4-trimethylsiloxyphenyl, 2-fluorobenzyl, 3-fluorobenzyl Group, 4-fluorobenzyl group, 4-chlorobenzyl group, 4-bromobenzyl group, 2-hydroxybenzyl group, 3-hydroxybenzyl group, 4-hydroxybenzyl group, 2-methoxybenzyl group, 3-methoxybenzyl group, 4-methoxybenzyl group, 2-a Toxibenzyl group, 3-acetoxybenzyl group, 4-acetoxybenzyl group, 2-trimethylsiloxybenzyl group, 3-trimethylsiloxybenzyl group, 4-trimethylsiloxybenzyl group, perfluorophenethyl group, 3- (perfluorophenyl) hexa Examples thereof include a fluoro-n-propyl group.

【0103】一般式(9)〜(11)におけるR3 とし
ては、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、ペ
ンタフルオロエチル基、パーフルオロフェネチル基、3
−(パーフルオロフェニル)ヘキサフルオロ−n−プロ
ピル基等が好ましい。一般式(9)におけるR3 、一般
式(10)におけるR3 および一般式(11)における
3 は、相互に同一でも異なってもよい。
R 3 in the general formulas (9) to (11) represents a methyl group, an ethyl group, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluorophenethyl group,
-(Perfluorophenyl) hexafluoro-n-propyl group and the like are preferable. R 3 in the general formula (9), R 3 is in the R 3 and the formula in the formula (10) (11) may be the same or different from each other.

【0104】前記シラン化合物(7)〜(11)は、そ
れぞれ単独でまたは2種以上を混合して使用することが
でき、またそれらの2種以上を組み合わせて使用するこ
とができ、それらを適切に選択しあるいは適切に組み合
わせることにより、得られるポリシロキサン(イ)の分
子量およびガラス転移温度(Tg)を制御でき、また1
93nm以下、特に157nmの波長における透明性を
さらに向上させることができる。
The silane compounds (7) to (11) can be used alone or in admixture of two or more, or two or more of them can be used in combination. The molecular weight and glass transition temperature (Tg) of the resulting polysiloxane (a) can be controlled by selecting
Transparency at a wavelength of 93 nm or less, especially 157 nm, can be further improved.

【0105】ポリシロキサン(イ)は、シラン化合物
(i)および/またはシラン化合物(ii)あるいはこれ
らのシラン化合物の部分縮合物を、場合によりシラン化
合物(7)〜(11)あるいはこれらのシラン化合物の
部分縮合物と共に、酸性触媒または塩基性触媒の存在
下、無溶媒または溶媒中で、常法により重縮合させるこ
とによって製造することができる。
The polysiloxane (a) is obtained by converting a silane compound (i) and / or a silane compound (ii) or a partial condensate of these silane compounds, and optionally a silane compound (7) to (11) or a silane compound thereof. Together with the partial condensate of formula (I) in the presence of an acidic catalyst or a basic catalyst, in the absence of a solvent or in a solvent, by polycondensation according to a conventional method.

【0106】以下、ポリシロキサン(イ)を製造する重
縮合法について説明する。前記酸性触媒のうち、無機酸
類としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、ホウ酸、燐
酸、四塩化チタン、塩化亜鉛、塩化アルミニウム等を挙
げることができ、また有機酸類としては、例えば、ぎ
酸、酢酸、n−プロピオン酸、酪酸、吉草酸、しゅう
酸、マロン酸、琥珀酸、マレイン酸、フマル酸、アジピ
ン酸、フタル酸、テレフタル酸、無水酢酸、無水マレイ
ン酸、クエン酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンス
ルホン酸、メタンスルホン酸等を挙げることができる。
これらの酸性触媒は、単独でまたは2種以上を混合して
使用することができる。
Hereinafter, the polycondensation method for producing the polysiloxane (a) will be described. Among the acidic catalysts, examples of the inorganic acids include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, boric acid, phosphoric acid, titanium tetrachloride, zinc chloride, and aluminum chloride. Examples of the organic acids include formic acid Acetic acid, n-propionic acid, butyric acid, valeric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, maleic acid, fumaric acid, adipic acid, phthalic acid, terephthalic acid, acetic anhydride, maleic anhydride, citric acid, benzenesulfonic acid , P-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid and the like.
These acidic catalysts can be used alone or in combination of two or more.

【0107】前記塩基性触媒のうち、無機塩基類として
は、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、炭酸
水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム等を挙げることができる。
Among the above basic catalysts, examples of the inorganic bases include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, calcium hydroxide, barium hydroxide, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, sodium carbonate, and the like.
Potassium carbonate and the like can be mentioned.

【0108】また、有機塩基類としては、例えば、n−
ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルア
ミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン、シクロヘ
キシルアミン等の直鎖状、分岐状もしくは環状のモノア
ルキルアミン類;ジ−n−ブチルアミン、ジ−n−ペン
チルアミン、ジ−n−ヘキシルアミン、ジ−n−ヘプチ
ルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジ−n−ノニルア
ミン、ジ−n−デシルアミン、シクロヘキシルメチルア
ミン、ジシクロヘキシルアミン等の直鎖状、分岐状もし
くは環状のジアルキルアミン類;トリエチルアミン、ト
リ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、ト
リ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、
トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミ
ン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デシルアミ
ン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシクロヘキシル
メチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等の直鎖状、
分岐状もしくは環状のトリアルキルアミン類;
Further, as the organic bases, for example, n-
Linear, branched or cyclic monoalkylamines such as hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine and cyclohexylamine; di-n-butylamine, di-n-pentyl Amines, di-n-hexylamine, di-n-heptylamine, di-n-octylamine, di-n-nonylamine, di-n-decylamine, cyclohexylmethylamine, linear or branched such as dicyclohexylamine Cyclic dialkylamines; triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine,
Straight-chain such as tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine, cyclohexyldimethylamine, dicyclohexylmethylamine, and tricyclohexylamine;
Branched or cyclic trialkylamines;

【0109】アニリン、N−メチルアニリン、N,N−
ジメチルアニリン、2−メチルアニリン、3−メチルア
ニリン、4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、ジ
フェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン
等の芳香族アミン類;エチレンジアミン、N,N,N',
N’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレン
ジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミ
ノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエ
ーテル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’
−ジアミノジフェニルアミン、2,2−ビス(4−アミ
ノフェニル)プロパン、2−(3−アミノフェニル)−
2−(4−アミノフェニル)プロパン、2−(4−アミ
ノフェニル)−2−(3−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2−(4−アミノフェニル)−2−(4−ヒドロキ
シフェニル)プロパン、1,4−ビス [1−(4−アミ
ノフェニル)−1−メチルエチル] ベンゼン、1,3−
ビス [1−(4−アミノフェニル)−1−メチルエチル
]ベンゼン等のジアミン類;
Aniline, N-methylaniline, N, N-
Aromatic amines such as dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, 4-nitroaniline, diphenylamine, triphenylamine and naphthylamine; ethylenediamine, N, N, N ',
N'-tetramethylethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4 '
-Diaminodiphenylamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2- (3-aminophenyl)-
2- (4-aminophenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (3-hydroxyphenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (4-hydroxyphenyl) propane, 1, 4-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, 1,3-
Bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl
] Diamines such as benzene;

【0110】イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−
メチルイミダゾール、4−メチル−2−フェニルイミダ
ゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2−メチルピリ
ジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−
エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニル
ピリジン、2−メチル−4−フェニルピリジン、ニコチ
ン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、4−ヒ
ドロキシキノリン、8−オキシキノリン、アクリジン等
のピリジン類;ピペラジン、1−(2−ヒドロキシエチ
ル)ピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピ
ラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジ
ン、ピペリジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、
1,4−ジメチルピペラジン、1,4−ジアザビシクロ
[2.2.2] オクタン等の他の含窒素複素環化合物等
を挙げることができる。これらの塩基性触媒は、単独で
または2種以上を混合して使用することができる。
Imidazole, benzimidazole, 4-
Imidazoles such as methylimidazole and 4-methyl-2-phenylimidazole; pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-
Pyridines such as ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, 2-methyl-4-phenylpyridine, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 4-hydroxyquinoline, 8-oxyquinoline and acridine; piperazine , 1- (2-hydroxyethyl) piperazine and the like, pyrazine, pyrazole, pyridazine, quinosaline, purine, pyrrolidine, piperidine, morpholine, 4-methylmorpholine,
1,4-dimethylpiperazine, 1,4-diazabicyclo
[2.2.2] Other nitrogen-containing heterocyclic compounds such as octane can be exemplified. These basic catalysts can be used alone or in combination of two or more.

【0111】前記酸性触媒および塩基性触媒のうち、塩
酸、硫酸、酢酸、しゅう酸、マロン酸、マレイン酸、フ
マル酸、無水酢酸、無水マレイン酸、トリエチルアミ
ン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミ
ン、ピリジン等が好ましい。酸性触媒または塩基性触媒
の使用量は、シラン化合物の全量100重量部に対し
て、通常、0.01〜10,000重量部である。
Among the above acidic and basic catalysts, hydrochloric acid, sulfuric acid, acetic acid, oxalic acid, malonic acid, maleic acid, fumaric acid, acetic anhydride, maleic anhydride, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n -Butylamine, pyridine and the like are preferred. The used amount of the acidic catalyst or the basic catalyst is usually 0.01 to 10,000 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the silane compound.

【0112】また、重縮合反応に用いる溶媒としては、
例えば、2−ブタノン、2−ペンタノン、3−メチル−
2−ブタノン、2−ヘキサノン、4−メチル−2−ペン
タノン、3−メチル−2−ペンタノン、3,3−ジメチ
ル−2−ブタノン、2−ヘプタノン、2−オクタノン等
の直鎖状もしくは分岐状のケトン類;シクロペンタノ
ン、3−メチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、
2−メチルシクロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロ
ヘキサノン、イソホロン等の環状のケトン類;プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノ−i−プロピルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテ
ルアセテート、プロピレングリコールモノ−i−ブチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−se
c−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノ−t−ブチルエーテルアセテート等のプロピレング
リコールモノアルキルエーテルアセテート類;2−ヒド
ロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン
酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸n−プロピル、
2−ヒドロキシプロピオン酸i−プロピル、2−ヒドロ
キシプロピオン酸n−ブチル、2−ヒドロキシプロピオ
ン酸i−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸sec−
ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸t−ブチル等の2
−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類;3−メトキシプ
ロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、
3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピ
オン酸エチル等の3−アルコキシプロピオン酸アルキル
類;
The solvent used in the polycondensation reaction includes
For example, 2-butanone, 2-pentanone, 3-methyl-
Linear or branched such as 2-butanone, 2-hexanone, 4-methyl-2-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 3,3-dimethyl-2-butanone, 2-heptanone and 2-octanone Ketones; cyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, cyclohexanone,
Cyclic ketones such as 2-methylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone and isophorone; propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol mono-n-propyl ether acetate;
Propylene glycol mono-i-propyl ether acetate, propylene glycol mono-n-butyl ether acetate, propylene glycol mono-i-butyl ether acetate, propylene glycol mono-se
propylene glycol monoalkyl ether acetates such as c-butyl ether acetate and propylene glycol mono-t-butyl ether acetate; methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, n-propyl 2-hydroxypropionate;
I-propyl 2-hydroxypropionate, n-butyl 2-hydroxypropionate, i-butyl 2-hydroxypropionate, sec- 2-hydroxypropionate
2 such as butyl and t-butyl 2-hydroxypropionate;
-Alkyl hydroxypropionates; methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate,
Alkyl 3-alkoxypropionates such as methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-ethoxypropionate;

【0113】n−プロピルアルコール、i−プロピルア
ルコール、n−ブチルアルコール、t−ブチルアルコー
ル、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチ
レングリコールモノ−n−ブチルエーテル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール
モノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−
プロピルエーテル等のアルコール類;ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチル
エーテル、ジエチレングリコールジ−n−プロピルエー
テル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル等
のジアルキレングリコールジアルキルエーテル類;エチ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレン
グリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート等の
エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;
N-propyl alcohol, i-propyl alcohol, n-butyl alcohol, t-butyl alcohol, cyclohexanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether,
Ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-
Alcohols such as propyl ether; dialkylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol di-n-propyl ether and diethylene glycol di-n-butyl ether; ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate; Ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol mono-n-propyl ether acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene;

【0114】2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸
エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、
2−ヒドロキシ−3−メチル酪酸メチル、3−メトキシ
ブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルア
セテート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネ
ート、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、酢
酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸n−ブチル、アセト
酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピ
ルビン酸エチル等の他のエステル類のほか、N−メチル
ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−
ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエーテル、ジ−
n−ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−
ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息
香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、
γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等
を挙げることができる。これらの溶媒は、単独でまたは
2種以上を混合して使用することができる。溶媒の使用
量は、シラン化合物の全量100重量部に対して、通
常、2,000重量部以下である。
Ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate,
Methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methyl-3-methoxybutyl butyrate, acetic acid In addition to other esters such as ethyl, n-propyl acetate, n-butyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-
Dimethylacetamide, benzylethyl ether, di-
n-hexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-
Nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate,
γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate and the like. These solvents can be used alone or in combination of two or more. The amount of the solvent used is usually 2,000 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the total amount of the silane compound.

【0115】ポリシロキサン(イ)を製造する重縮合反
応は、無溶媒下、あるいは2−ブタノン、2−ペンタノ
ン、3−メチル−2−ブタノン、2−ヘキサノン、4−
メチル−2−ペンタノン、3−メチル−2−ペンタノ
ン、3,3−ジメチル−2−ブタノン、2−ヘプタノ
ン、2−オクタノン、シクロペンタノン、3−メチルシ
クロペンタノン、シクロヘキサノン、2−メチルシクロ
ヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−
プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテ
ルアセテート等の溶媒中で実施することが好ましい。
The polycondensation reaction for producing the polysiloxane (a) is carried out without solvent, or with 2-butanone, 2-pentanone, 3-methyl-2-butanone, 2-hexanone, 4-hexanone,
Methyl-2-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 3,3-dimethyl-2-butanone, 2-heptanone, 2-octanone, cyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, cyclohexanone, 2-methylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol di-n-
It is preferably carried out in a solvent such as propyl ether, diethylene glycol di-n-butyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono-n-propyl ether acetate.

【0116】また、重縮合反応に際しては、反応系に水
を添加することもできる。この場合の水の添加量は、シ
ラン化合物の全量100重量部に対して、通常、10,
000重量部以下である。さらに、ポリシロキサン
(1)を製造する重縮合に際しては、得られるポリマー
の分子量を制御し、また得られるポリマーの安定性を向
上させるために、ヘキサメチルジシロキサンを添加する
ことができる。ヘキサメチルジシロキサンの添加量は、
シラン化合物の全量100重量部に対して、通常、50
0重量部以下、好ましくは50重量部以下である。この
場合、ヘキサメチルジシロキサンの添加量が500重量
部を超えると、得られるポリマーの分子量が小さくな
り、ガラス転移温度(Tg)が低下する傾向がある。重
縮合反応における反応温度は、通常、−50〜+300
℃、好ましくは20〜100℃であり、反応時間は、通
常、1分〜100時間程度である。ポリシロキサン
(イ)は、シラン化合物(i)、シラン化合物(iii)、
シラン化合物(7)、シラン化合物(9)や、これらの
部分縮合物を用いた場合、通常、部分的にラダー構造を
有する。
In the polycondensation reaction, water can be added to the reaction system. The amount of water added in this case is usually 10, 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the silane compound.
000 parts by weight or less. Further, at the time of polycondensation for producing the polysiloxane (1), hexamethyldisiloxane can be added to control the molecular weight of the obtained polymer and improve the stability of the obtained polymer. The amount of hexamethyldisiloxane added is
Usually, 50 parts with respect to 100 parts by weight of the total amount of the silane compound.
0 parts by weight or less, preferably 50 parts by weight or less. In this case, if the addition amount of hexamethyldisiloxane exceeds 500 parts by weight, the molecular weight of the obtained polymer tends to decrease, and the glass transition temperature (Tg) tends to decrease. The reaction temperature in the polycondensation reaction is usually -50 to +300
° C, preferably 20 to 100 ° C, and the reaction time is usually about 1 minute to 100 hours. The polysiloxane (a) is a silane compound (i), a silane compound (iii),
When a silane compound (7), a silane compound (9), or a partial condensate thereof is used, it usually has a partial ladder structure.

【0117】ポリシロキサン(イ)において、構造単位
(I)〜構造単位(IV)の合計含有率は、全構造単位に
対して、通常、1〜100モル%、好ましくは5〜10
0モル%、特に好ましくは10〜100モル%であり、
構造単位(I)と構造単位(III)との合計含有率は、全
構造単位に対して、通常、1〜100モル%、好ましく
は10〜100モル%、特に好ましくは30〜100モ
ル%であり、構造単位(II)と構造単位(IV) との合計
含有率は、全構造単位に対して、通常、0〜100モル
%、好ましくは0〜50モル%、特に好ましくは0〜1
0モル%であり、また構造単位(III)および構造単位
(IV) において、X2 が水素原子である単位の含有率は
それぞれ、好ましくは95モル%以下、特に好ましくは
90モル%以下である。また、他の構造単位の含有率
は、全構造単位に対して、通常、99モル%以下、好ま
しくは95モル%以下、特に好ましくは90モル%以下
であり、酸解離性基を有する構造単位の合計含有率は、
全構造単位に対して、通常、1〜100モル%、好まし
くは5〜90モル%、特に好ましくは10〜80モル%
である。また、重縮合に関して2官能の構造単位の合計
含有率は、全構造単位に対して、通常、90モル%以
下、好ましくは80モル%以下、特に好ましくは50モ
ル%以下であり、重縮合に関して3官能の構造単位の合
計含有率は、全構造単位に対して、通常、1〜100モ
ル%、好ましくは20〜100モル%、特に好ましくは
50〜100モル%であり、重縮合に関して4官能の構
造単位の合計含有率は、全構造単位に対して、通常、5
0モル%以下、好ましくは20モル%以下である。
In the polysiloxane (a), the total content of the structural units (I) to (IV) is usually from 1 to 100 mol%, preferably from 5 to 10 mol%, based on all the structural units.
0 mol%, particularly preferably 10 to 100 mol%,
The total content of the structural units (I) and (III) is usually 1 to 100 mol%, preferably 10 to 100 mol%, particularly preferably 30 to 100 mol%, based on all structural units. The total content of the structural unit (II) and the structural unit (IV) is usually from 0 to 100 mol%, preferably from 0 to 50 mol%, particularly preferably from 0 to 1 mol%, based on all the structural units.
0 mol%, and in the structural units (III) and (IV), the content of the unit in which X 2 is a hydrogen atom is preferably 95 mol% or less, and particularly preferably 90 mol% or less. . The content of other structural units is usually 99 mol% or less, preferably 95 mol% or less, particularly preferably 90 mol% or less, based on all structural units, and is preferably a structural unit having an acid dissociable group. The total content of
Usually, 1 to 100 mol%, preferably 5 to 90 mol%, particularly preferably 10 to 80 mol%, based on all structural units.
It is. In addition, the total content of bifunctional structural units with respect to polycondensation is usually 90 mol% or less, preferably 80 mol% or less, particularly preferably 50 mol% or less, based on all structural units. The total content of the trifunctional structural units is usually 1 to 100 mol%, preferably 20 to 100 mol%, particularly preferably 50 to 100 mol%, based on all structural units. The total content of structural units is usually 5
0 mol% or less, preferably 20 mol% or less.

【0118】ポリシロキサン(イ)のゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィ(GPC)により測定したポリス
チレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」という。)
は、500〜1,000,000、好ましくは500〜
500,000、特に好ましくは1,000〜100,
000である。この場合、Mwが500未満では、得ら
れるポリマーのガラス転移温度が低下する傾向があり、
一方1,000,000を超えると、得られるポリマー
の溶剤への溶解性が低下する傾向がある。また、ポリシ
ロキサン(イ)のガラス転移温度(Tg)は、通常、−
50〜+500℃、好ましくは0〜300℃である。こ
の場合、ガラス転移温度(Tg)が−50℃未満では、
レジスト材料としたときにパターンの形成が困難となる
傾向があり、一方500℃を越えると、得られるポリマ
ーの溶剤への溶解性が低下する傾向がある。本発明にお
いて、ポリシロキサン(イ)は、単独でまたは2種以上
を混合して使用することができる。また、本発明におい
ては、ポリシロキサン(イ)と共に、他のポリシロキサ
ンを併用することができる。前記他のポリシロキサンと
しては、前記シラン化合物(7)〜(11)あるいはこ
れらのシラン化合物の部分縮合物の1種以上を重縮合さ
せたポリシロキサン等を挙げることができる。この場合
における他のポリシロキサンの使用割合は、ポリシロキ
サン(イ)と他のポリシロキサンとの合計に対して、通
常、95重量%以下、好ましくは90重量%以下であ
る。
The weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter referred to as “Mw”) of polysiloxane (a) measured by gel permeation chromatography (GPC).
Is from 500 to 1,000,000, preferably from 500 to 1,000,000
500,000, particularly preferably 1,000 to 100,
000. In this case, when Mw is less than 500, the glass transition temperature of the obtained polymer tends to decrease,
On the other hand, when it exceeds 1,000,000, the solubility of the obtained polymer in a solvent tends to decrease. The glass transition temperature (Tg) of the polysiloxane (a) is usually-
The temperature is 50 to + 500 ° C, preferably 0 to 300 ° C. In this case, when the glass transition temperature (Tg) is less than -50 ° C,
When it is used as a resist material, pattern formation tends to be difficult. On the other hand, when the temperature exceeds 500 ° C., the solubility of the obtained polymer in a solvent tends to decrease. In the present invention, the polysiloxane (a) can be used alone or as a mixture of two or more. Further, in the present invention, other polysiloxanes can be used in combination with the polysiloxane (a). Examples of the other polysiloxane include polysiloxanes obtained by polycondensing one or more of the silane compounds (7) to (11) or partial condensates of these silane compounds. In this case, the proportion of the other polysiloxane used is usually 95% by weight or less, preferably 90% by weight or less, based on the total of the polysiloxane (a) and the other polysiloxane.

【0119】酸発生剤(ロ) 本発明における(ロ)は、露光により酸を発生する感放
射線性酸発生剤(以下、「酸発生剤(ロ)」という。)
からなり、その酸の作用によって、ポリシロキサン
(イ)中に存在する酸解離性基を解離させ、その結果レ
ジスト被膜の露光部がアルカリ現像液に易溶性となり、
ポジ型のレジストパターンを形成する作用を有するもの
である。このような酸発生剤(ロ)としては、例えば、
オニウム塩、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合
物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等を挙げること
ができる。これらの酸発生剤(ロ)の例としては、下記
のものを挙げることができる。
Acid Generator (B) In the present invention, (B) is a radiation-sensitive acid generator that generates an acid upon exposure (hereinafter, referred to as “acid generator (B)”).
The acid dissociable group present in the polysiloxane (a) is dissociated by the action of the acid, and as a result, the exposed portion of the resist film becomes easily soluble in an alkali developing solution,
It has the function of forming a positive resist pattern. Examples of such an acid generator (b) include, for example,
Onium salts, halogen-containing compounds, diazoketone compounds, sulfone compounds, sulfonic acid compounds and the like can be mentioned. Examples of these acid generators (b) include the following.

【0120】オニウム塩:オニウム塩としては、例え
ば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩(テトラヒドロチ
オフェニウム塩を含む。)、ホスホニウム塩、ジアゾニ
ウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。好ま
しいオニウム塩の具体例としては、ジフェニルヨードニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨー
ドニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジフ
ェニルヨードニウムヘプタデカフルオロ−n−オクタン
スルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネ
ート、ジフェニルヨードニウム n−ドデシルベンゼン
スルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロ
アンチモネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨー
ドニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−
t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−
ブタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)
ヨードニウムヘプタデカフルオロ−n−オクタンスルホ
ネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム
n−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス(4−t−
ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム
ナフタレンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニ
ル)ヨードニウム10−カンファースルホネート、
Onium salt: Examples of the onium salt include an iodonium salt, a sulfonium salt (including a tetrahydrothiophenium salt), a phosphonium salt, a diazonium salt, a pyridinium salt and the like. Specific examples of preferred onium salts include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, diphenyliodonium heptadecafluoro-n-octanesulfonate, diphenyliodonium pyrene sulfonate, diphenyliodonium n-dodecylbenzenesulfonate, diphenyl Iodonium hexafluoroantimonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-
t-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n-
Butanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl)
Iodonium heptadecafluoro-n-octanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium n-dodecylbenzenesulfonate, bis (4-t-
Butylphenyl) iodonium hexafluoroantimonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium naphthalene sulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium 10-camphorsulfonate,

【0121】トリフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフル
オロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムヘプタデカフルオロ−n−オクタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウム10−カンファースルホ
ネート、トリフェニルスルホニウムサリチレート、4−
ヒドロキシフェニル・フェニル・メチルスルホニウム
p−トルエンスルホネート、シクロヘキシル・2−オキ
ソシクロヘキシル・メチルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホネート、シクロヘキシル・2−オキソシクロ
ヘキシル・メチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタ
ンスルホネート、シクロヘキシル・2−オキソシクロヘ
キシル・メチルスルホニウムヘプタデカフルオロ−n−
オクタンスルホネート、ジシクロヘキシル・2−オキソ
シクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、ジシクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシル
スルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、
ジシクロヘキシル・2−オキソシクロヘキシルスルホニ
ウムヘプタデカフルオロ−n−オクタンスルホネート、
2−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、2−オキソシクロヘキシル
ジメチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホ
ネート、2−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウ
ムヘプタデカフルオロ−n−オクタンスルホネート、4
−ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニウム
p−トルエンスルホネート、
Triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, triphenylsulfonium heptadecafluoro-n-octanesulfonate,
Triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium naphthalene sulfonate, triphenylsulfonium 10-camphorsulfonate, triphenylsulfonium salicylate, 4-
Hydroxyphenyl / phenyl / methylsulfonium
p-toluenesulfonate, cyclohexyl-2-oxocyclohexylmethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexyl-2-oxocyclohexylmethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, cyclohexyl-2-oxocyclohexylmethylsulfoniumheptadecafluoro-n-
Octanesulfonate, dicyclohexyl-2-oxocyclohexylsulfonium trifluoromethanesulfonate, dicyclohexyl-2-oxocyclohexylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate,
Dicyclohexyl-2-oxocyclohexylsulfonium heptadecafluoro-n-octanesulfonate,
2-oxocyclohexyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 2-oxocyclohexyldimethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 2-oxocyclohexyldimethylsulfonium heptadecafluoro-n-octanesulfonate, 4
-Hydroxyphenyl benzyl methylsulfonium p-toluenesulfonate,

【0122】1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、1−ナフチルジメチルスル
ホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−
ナフチルジメチルスルホニウムヘプタデカフルオロ−n
−オクタンスルホネート、1−ナフチルジエチルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−ナフチル
ジエチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホ
ネート、1−ナフチルジエチルスルホニウムヘプタデカ
フルオロ−n−オクタンスルホネート、4−シアノ−1
−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、4−シアノ−1−ナフチルジメチルスルホ
ニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、4−シ
アノ−1−ナフチルジメチルスルホニウムヘプタデカフ
ルオロ−n−オクタンスルホネート、4−シアノ−1−
ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、4−シアノ−1−ナフチルジエチルスルホニ
ウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、4−シア
ノ−1−ナフチルジエチルスルホニウムヘプタデカフル
オロ−n−オクタンスルホネート、
1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 1-naphthyldimethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate,
Naphthyldimethylsulfonium heptadecafluoro-n
-Octanesulfonate, 1-naphthyldiethylsulfoniumtrifluoromethanesulfonate, 1-naphthyldiethylsulfoniumnonafluoro-n-butanesulfonate, 1-naphthyldiethylsulfoniumheptadecafluoro-n-octanesulfonate, 4-cyano-1
-Naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyano-1-naphthyldimethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-cyano-1-naphthyldimethylsulfonium heptadecafluoro-n-octanesulfonate, 4-cyano-1-
Naphthyl diethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyano-1-naphthyldiethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-cyano-1-naphthyldiethylsulfonium heptadecafluoro-n-octanesulfonate,

【0123】4−ニトロ−1−ナフチルジメチルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ニトロ−
1−ナフチルジメチルスルホニウムノナフルオロ−n−
ブタンスルホネート、4−ニトロ−1−ナフチルジメチ
ルスルホニウムヘプタデカフルオロ−n−オクタンスル
ホネート、4−ニトロ−1−ナフチルジエチルスルホニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ニトロ−1
−ナフチルジエチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブ
タンスルホネート、4−ニトロ−1−ナフチルジエチル
スルホニウムヘプタデカフルオロ−n−オクタンスルホ
ネート、4−メチル−1−ナフチルジメチルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、4−メチル−1−
ナフチルジメチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタ
ンスルホネート、4−メチル−1−ナフチルジメチルス
ルホニウムヘプタデカフルオロ−n−オクタンスルホネ
ート、4−メチル−1−ナフチルジエチルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネート、4−メチル−1−ナ
フチルジエチルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタン
スルホネート、4−メチル−1−ナフチルジエチルスル
ホニウムヘプタデカフルオロ−n−オクタンスルホネー
ト、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、4−ヒドロキシ−
1−ナフチルジメチルスルホニウムノナフルオロ−n−
ブタンスルホネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジ
メチルスルホニウムヘプタデカフルオロ−n−オクタン
スルホネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジエチル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ヒ
ドロキシ−1−ナフチルジエチルスルホニウムノナフル
オロ−n−ブタンスルホネート、4−ヒドロキシ−1−
ナフチルジエチルスルホニウムヘプタデカフルオロ−n
−オクタンスルホネート、
4-nitro-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-nitro-
1-naphthyldimethylsulfonium nonafluoro-n-
Butanesulfonate, 4-nitro-1-naphthyldimethylsulfonium heptadecafluoro-n-octanesulfonate, 4-nitro-1-naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-nitro-1
-Naphthyl diethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-nitro-1-naphthyldiethylsulfonium heptadecafluoro-n-octanesulfonate, 4-methyl-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methyl-1-
Naphthyldimethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-methyl-1-naphthyldimethylsulfonium heptadecafluoro-n-octanesulfonate, 4-methyl-1-naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methyl-1-naphthyldiethyl Sulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-methyl-1-naphthyldiethylsulfonium heptadecafluoro-n-octanesulfonate, 4-hydroxy-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-hydroxy-
1-naphthyldimethylsulfonium nonafluoro-n-
Butanesulfonate, 4-hydroxy-1-naphthyldimethylsulfonium heptadecafluoro-n-octanesulfonate, 4-hydroxy-1-naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-hydroxy-1-naphthyldiethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate , 4-hydroxy-1-
Naphthyldiethylsulfonium heptadecafluoro-n
-Octane sulfonate,

【0124】4−ヒドロキシ−1−ナフチルテトラヒド
ロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4
−メトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、4−エトキシ−1−
ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、4−メトキシメトキシ−1−ナフチル
テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、4−エトキシメトキシ−1−ナフチルテトラヒ
ドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、
4−(1−メトキシエトキシ)−1−ナフチルテトラヒ
ドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、
4−(2−メトキシエトキシ)−1−ナフチルテトラヒ
ドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、
4−メトキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒ
ドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、
4−エトキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒ
ドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、
4−n−プロポキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテ
トラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、4−i−プロポキシカルボニルオキシ−1−ナフ
チルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、4−n−ブトキシカルボニルオキシ−1−
ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、4−t−ブトキシカルボニルオキシ−
1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、4−(2−テトラヒドロフラニル
オキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムト
リフルオロメタンスルホネート、4−(2−テトラヒド
ロピラニルオキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフ
ェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ベンジ
ルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムト
リフルオロメタンスルホネート、1−(1−ナフチルア
セトメチル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、4−n−ブトキシ−1−ナフチル
テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタン
スルホネート等を挙げることができる。
4-Hydroxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4
-Methoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-ethoxy-1-
Naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxymethoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-ethoxymethoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate,
4- (1-methoxyethoxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate,
4- (2-methoxyethoxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate,
4-methoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate,
4-ethoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate,
4-n-propoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-i-propoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-n-butoxycarbonyloxy-1-
Naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-t-butoxycarbonyloxy-
1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4- (2-tetrahydrofuranyloxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4- (2-tetrahydropyranyloxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium Trifluoromethanesulfonate, 4-benzyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (1-naphthylacetomethyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium Nonafluoro-n-butanesulfonate and the like can be mentioned.

【0125】ハロゲン含有化合物:ハロゲン含有化合物
としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合
物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等を挙げること
ができる。好ましいハロゲン含有化合物の具体例として
は、フェニルビス(トリクロロメチル)−s−トリアジ
ン、4−メトキシフェニルビス(トリクロロメチル)−
s−トリアジン、1−ナフチルビス(トリクロロメチ
ル)−s−トリアジン等の(トリクロロメチル)−s−
トリアジン誘導体や、1,1−ビス(4−クロロフェニ
ル)−2,2,2−トリクロロエタン等を挙げることが
できる。 ジアゾケトン化合物:ジアゾケトン化合物としては、例
えば、1,3−ジケト−2−ジアゾ化合物、ジアゾベン
ゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等を挙げる
ことができる。好ましいジアゾケトンの具体例として
は、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルク
ロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニ
ルクロリド、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステル、1,1,1−トリス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタンの1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステル等を挙げること
ができる。
Halogen-containing compound: Examples of the halogen-containing compound include a haloalkyl group-containing hydrocarbon compound and a haloalkyl group-containing heterocyclic compound. Specific examples of preferred halogen-containing compounds include phenylbis (trichloromethyl) -s-triazine and 4-methoxyphenylbis (trichloromethyl)-
(Trichloromethyl) -s- such as s-triazine and 1-naphthylbis (trichloromethyl) -s-triazine
Examples thereof include a triazine derivative and 1,1-bis (4-chlorophenyl) -2,2,2-trichloroethane. Diazoketone compound: Examples of the diazoketone compound include a 1,3-diketo-2-diazo compound, a diazobenzoquinone compound, and a diazonaphthoquinone compound. Specific examples of preferred diazoketones include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride, and 1,2-naphtho of 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone. Quinonediazide-4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid ester, 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, and the like. Can be.

【0126】スルホン化合物:スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物等を挙げるこ
とができる。好ましいスルホン化合物の具体例として
は、4−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシ
ルスルホン、ビス(フェニルスルホニル)メタン等を挙
げることができる。 スルホン酸化合物:スルホン酸化合物としては、例え
ば、アルキルスルホン酸エステル、アルキルスルホン酸
イミド、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールス
ルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げること
ができる。好ましいスルホン酸化合物の具体例として
は、ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリス(ト
リフルオロメタンスルホネート)、ニトロベンジル−
9,10−ジエトキシアントラセン−2−スルホネー
ト、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[ 2.2.
1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイミド、N
−ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンスルホネ
ート、1,8−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフル
オロメタンスルホネート等を挙げることができる。
Sulfone compound: Examples of the sulfone compound include β-ketosulfone, β-sulfonylsulfone, and α-diazo compounds of these compounds. Specific examples of preferred sulfone compounds include 4-trisphenacylsulfone, mesitylphenacylsulfone, bis (phenylsulfonyl) methane, and the like. Sulfonic acid compound: Examples of the sulfonic acid compound include alkylsulfonic acid esters, alkylsulfonic acid imides, haloalkylsulfonic acid esters, arylsulfonic acid esters, and iminosulfonates. Specific examples of preferred sulfonic acid compounds include benzoin tosylate, tris (trifluoromethanesulfonate) of pyrogallol, nitrobenzyl-
9,10-diethoxyanthracene-2-sulfonate, trifluoromethanesulfonylbicyclo [2.2.
1] hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, N
-Hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonate and 1,8-naphthalenedicarboxylic acid imide trifluoromethanesulfonate.

【0127】これらの酸発生剤(ロ)のうち、特に、ジ
フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフ
ェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホ
ネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム
10−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルス
ルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ト
リフェニルスルホニウム10−カンファースルホネー
ト、トリフェニルスルホニウムサリチレート、シクロヘ
キシル・2−オキソシクロヘキシル・メチルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル
・2−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、2−オキソシクロヘキシルジメチ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−
ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、4−ヒドロキシ−1−ナフ
チルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、1−(1−ナフチルアセトメチル)テトラ
ヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[ 2.2.
1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイミド、N
−ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンスルホネ
ート、1,8−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフル
オロメタンスルホネート等が好ましい。
Of these acid generators (b), diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n -Butanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium 10-camphorsulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, triphenylsulfonium 10-camphorsulfonate, triphenylsulfonium salitium , Cyclohexyl-2-oxocyclohexylmethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, dicyclohexyl-2-oxocyclohexyl Sill trifluoromethanesulfonate, 2-oxo-cyclohexyl dimethyl sulfonium trifluoromethane sulfonate, 4-
Hydroxy-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-hydroxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (1-naphthylacetomethyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, trifluoromethanesulfonylbicyclo [2. 2.
1] hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, N
-Hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonate, 1,8-naphthalenedicarboxylic acid imide trifluoromethanesulfonate and the like are preferable.

【0128】本発明において、酸発生剤(ロ)は、単独
でまたは2種以上を混合して使用することができる。酸
発生剤(ロ)の使用量は、レジストとしての感度および
現像性を確保する観点から、ポリシロキサン(イ)10
0重量部に対して、通常、0.1〜10重量部、好まし
くは0.5〜7重量部である。この場合、酸発生剤
(ロ)の使用量が0.1重量部未満では、感度および現
像性が低下する傾向があり、一方10重量部を超える
と、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジスト
パターンを得られ難くなる傾向がある。
In the present invention, the acid generators (b) can be used alone or as a mixture of two or more. The amount of the acid generator (b) used is from 10% of polysiloxane (b) from the viewpoint of securing the sensitivity and developability as a resist.
The amount is usually 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.5 to 7 parts by weight with respect to 0 parts by weight. In this case, if the amount of the acid generator (b) used is less than 0.1 part by weight, sensitivity and developability tend to decrease, while if it exceeds 10 parts by weight, transparency to radiation decreases, and Tends to be difficult to obtain.

【0129】各種添加剤 本発明の感放射線性樹脂組成物には、露光により酸発生
剤(ロ)から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現
象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応
を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合することが
好ましい。このような酸拡散制御剤を配合することによ
り、得られる組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、また
レジストとしての解像度がさらに向上するとともに、露
光から現像処理までの引き置き時間(PED)の変動に
よるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、
プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。酸拡
散制御剤としては、レジストパターンの形成工程中の露
光や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合
物が好ましい。このような含窒素有機化合物としては、
例えば、下記一般式(16)
Various Additives The radiation-sensitive resin composition of the present invention controls the diffusion phenomenon of the acid generated from the acid generator (b) in the resist film by exposure, and suppresses undesired chemical reactions in the unexposed area. It is preferred to add an acid diffusion controlling agent having an action of acting. By blending such an acid diffusion controller, the storage stability of the obtained composition is further improved, the resolution as a resist is further improved, and the delay time (PED) from exposure to development processing is reduced. The line width change of the resist pattern due to fluctuations can be suppressed,
A composition with excellent process stability is obtained. As the acid diffusion controller, a nitrogen-containing organic compound whose basicity is not changed by exposure or heat treatment during a resist pattern forming step is preferable. Such nitrogen-containing organic compounds include:
For example, the following general formula (16)

【0130】[0130]

【化56】 〔一般式(14)において、各R4 は相互に独立に水素
原子、置換もしくは非置換のアルキル基、置換もしくは
非置換のアリール基または置換もしくは非置換のアラル
キル基を示す。〕
Embedded image [In the general formula (14), each R 4 independently represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted aralkyl group. ]

【0131】で表される化合物(以下、「含窒素化合物
(α)」という。)、同一分子内に窒素原子を2個有す
る化合物(以下、「含窒素化合物(β)」という。)、
窒素原子を3個以上有する重合体(以下、「含窒素化合
物(γ)」という。)、アミド基含有化合物、ウレア化
合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。
(Hereinafter, referred to as “nitrogen-containing compound (α)”), a compound having two nitrogen atoms in the same molecule (hereinafter, referred to as “nitrogen-containing compound (β)”),
Examples thereof include polymers having three or more nitrogen atoms (hereinafter, referred to as “nitrogen-containing compound (γ)”), amide group-containing compounds, urea compounds, and nitrogen-containing heterocyclic compounds.

【0132】含窒素化合物(α)としては、例えば、n
−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチル
アミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン、シクロ
ヘキシルアミン等のモノ(シクロ)アルキルアミン類;
ジ−n−ブチルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、ジ−
n−ヘキシルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n
−オクチルアミン、ジ−n−ノニルアミン、ジ−n−デ
シルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘ
キシルアミン等のジ(シクロ)アルキルアミン類;トリ
エチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−
ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−
ヘキシルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n
−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n
−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシ
クロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン
等のトリ(シクロ)アルキルアミン類;アニリン、N−
メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、2−メチ
ルアニリン、3−メチルアニリン、4−メチルアニリ
ン、4−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェ
ニルアミン、ナフチルアミン等の芳香族アミン類を挙げ
ることができる。
Examples of the nitrogen-containing compound (α) include, for example, n
Mono (cyclo) alkylamines such as hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine and cyclohexylamine;
Di-n-butylamine, di-n-pentylamine, di-
n-hexylamine, di-n-heptylamine, di-n
Di (cyclo) alkylamines such as -octylamine, di-n-nonylamine, di-n-decylamine, cyclohexylmethylamine and dicyclohexylamine; triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-
Butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-
Hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n
-Octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n
Tri (cyclo) alkylamines such as decylamine, cyclohexyldimethylamine, dicyclohexylmethylamine and tricyclohexylamine; aniline, N-
Examples thereof include aromatic amines such as methylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, 4-nitroaniline, diphenylamine, triphenylamine, and naphthylamine.

【0133】含窒素化合物(β)としては、例えば、エ
チレンジアミン、N,N,N',N’−テトラメチルエチ
レンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジ
アミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニル
アミン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパ
ン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフ
ェニル)プロパン、2−(4−アミノフェニル)−2−
(3−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(4−アミ
ノフェニル)−2−(4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、1,4−ビス [1−(4−アミノフェニル)−1−
メチルエチル] ベンゼン、1,3−ビス [1−(4−ア
ミノフェニル)−1−メチルエチル] ベンゼン等を挙げ
ることができる。含窒素化合物(γ)としては、例え
ば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、2−ジメ
チルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げるこ
とができる。
Examples of the nitrogen-containing compound (β) include ethylenediamine, N, N, N ', N'-tetramethylethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane,
4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4 -Aminophenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2-
(3-hydroxyphenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (4-hydroxyphenyl) propane, 1,4-bis [1- (4-aminophenyl) -1-
Methylethyl] benzene, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, and the like. Examples of the nitrogen-containing compound (γ) include polyethyleneimine, polyallylamine, and 2-dimethylaminoethylacrylamide polymers.

【0134】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−
ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセ
トアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオン
アミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチルピロリ
ドン等を挙げることができる。前記ウレア化合物として
は、例えば、尿素、メチルウレア、1,1−ジメチルウ
レア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3−テト
ラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア、トリ−n
−ブチルチオウレア等を挙げることができる。前記含窒
素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、ベン
ズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、4−メチル
−2−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類;ピリ
ジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−
エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピ
リジン、4−フェニルピリジン、2−メチル−4−フェ
ニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミ
ド、キノリン、4−ヒドロキシキノリン、8−オキシキ
ノリン、アクリジン等のピリジン類;ピペラジン、1−
(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン等のピペラジン類
のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリ
ン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、4
−メチルモルホリン、1,4−ジメチルピペラジン、
1,4−ジアザビシクロ [2.2.2] オクタン等を挙
げることができる。
Examples of the amide group-containing compound include formamide, N-methylformamide, N, N-
Examples thereof include dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide, pyrrolidone, and N-methylpyrrolidone. Examples of the urea compound include urea, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, and tri-n
-Butylthiourea and the like. Examples of the nitrogen-containing heterocyclic compound include imidazoles such as imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole; pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine,
Ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, 2-methyl-4-phenylpyridine, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 4-hydroxyquinoline, 8-oxyquinoline, acridine and the like Pyridines; piperazine, 1-
In addition to piperazines such as (2-hydroxyethyl) piperazine, pyrazine, pyrazole, pyridazine, quinosaline, purine, pyrrolidine, piperidine, morpholine,
-Methylmorpholine, 1,4-dimethylpiperazine,
1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane and the like can be mentioned.

【0135】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物(α)、含窒素複素環化合物が好ましく、また、
含窒素化合物(α)の中では、トリ(シクロ)アルキル
アミン類が特に好ましく、含窒素複素環化合物の中で
は、ピリジン類、ピペラジン類が特に好ましい。前記酸
拡散制御剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用す
ることができる。酸拡散制御剤の配合量は、ポリシロキ
サン(イ)100重量部に対して、通常、15重量部以
下、好ましくは10重量部以下、さらに好ましくは5重
量部以下である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が1
5重量部を超えると、レジストとしての感度や露光部の
現像性が低下する傾向がある。なお、酸拡散制御剤の配
合量が0.001重量部未満であると、プロセス条件に
よっては、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度
が低下するおそれがある。
Among these nitrogen-containing organic compounds, a nitrogen-containing compound (α) and a nitrogen-containing heterocyclic compound are preferable.
Among the nitrogen-containing compounds (α), tri (cyclo) alkylamines are particularly preferable, and among the nitrogen-containing heterocyclic compounds, pyridines and piperazines are particularly preferable. The acid diffusion controllers can be used alone or in combination of two or more. The amount of the acid diffusion controller is usually 15 parts by weight or less, preferably 10 parts by weight or less, more preferably 5 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the polysiloxane (a). In this case, the compounding amount of the acid diffusion controller is 1
If the amount exceeds 5 parts by weight, the sensitivity as a resist and the developability of an exposed portion tend to decrease. If the amount of the acid diffusion controller is less than 0.001 part by weight, the pattern shape and dimensional fidelity as a resist may be reduced depending on the process conditions.

【0136】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、塗布性、現像性等を改良する作用を示す界面活性剤
を配合することができる。前記界面活性剤としては、例
えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオ
レイルエーテル、ポリオキシエチレンn−オクチルフェ
ニルエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェニル
エーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリ
エチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面
活性剤のほか、以下商品名で、KP341(信越化学工
業(株)製)、ポリフローNo.75,同No.95
(共栄社化学(株)製)、エフトップEF301,同E
F303,同EF352(トーケムプロダクツ(株)
製)、メガファックスF171,同F173(大日本イ
ンキ化学工業(株)製)、フロラードFC430,同F
C431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードA
G710,サーフロンS−382,同SC−101,同
SC−102,同SC−103,同SC−104,同S
C−105,同SC−106(旭硝子(株)製)等を挙
げることができる。これらの界面活性剤は、単独でまた
は2種以上を混合して使用することができる。界面活性
剤の配合量は、ポリシロキサン(イ)と酸発生剤(ロ)
との合計100重量部に対して、通常、2重量部以下で
ある。また、前記以外の添加剤としては、ハレーション
防止剤、接着助剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げるこ
とができる。
Further, the radiation-sensitive resin composition of the present invention may contain a surfactant having an effect of improving coatability, developability and the like. Examples of the surfactant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene n-octylphenyl ether, polyoxyethylene n-nonylphenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene In addition to nonionic surfactants such as glycol distearate, KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and Polyflow No. No. 75, the same No. 95
(Manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), F-top EF301, E-top
F303, EF352 (Tochem Products Co., Ltd.)
), Megafax F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), Florado FC430, F
C431 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard A
G710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, S
C-105 and SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) and the like. These surfactants can be used alone or in combination of two or more. The amount of the surfactant is as follows: polysiloxane (a) and acid generator (b)
Is usually 2 parts by weight or less based on 100 parts by weight in total. In addition, examples of the additives other than the above include an antihalation agent, an adhesion aid, a storage stabilizer, and an antifoaming agent.

【0137】組成物溶液の調製 本発明の感放射線性樹脂組成物は、普通、その使用に際
して、全固形分濃度が、通常、1〜25重量%、好まし
くは2〜15重量%となるように、溶剤に溶解したの
ち、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過する
ことによって、組成物溶液として調製される。前記組成
物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、2−
ブタノン、2−ペンタノン、3−メチル−2−ブタノ
ン、2−ヘキサノン、4−メチル−2−ペンタノン、3
−メチル−2−ペンタノン、3,3−ジメチル−2−ブ
タノン、2−ヘプタノン、2−オクタノン等の直鎖状も
しくは分岐状のケトン類;シクロペンタノン、3−メチ
ルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−メチルシ
クロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、
イソホロン等の環状のケトン類;プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノ−n−プロピルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノ−i−プロピルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノ−i−ブチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノ−sec−ブチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−t−
ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート類;2−ヒドロキシプロ
ピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、
2−ヒドロキシプロピオン酸n−プロピル、2−ヒドロ
キシプロピオン酸i−プロピル、2−ヒドロキシプロピ
オン酸n−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸i−ブ
チル、2−ヒドロキシプロピオン酸sec−ブチル、2
−ヒドロキシプロピオン酸t−ブチル等の2−ヒドロキ
シプロピオン酸アルキル類;3−メトキシプロピオン酸
メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキ
シプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチ
ル等の3−アルコキシプロピオン酸アルキル類のほか、
Preparation of Composition Solution The radiation-sensitive resin composition of the present invention is usually used such that the total solid content is usually 1 to 25% by weight, preferably 2 to 15% by weight. After dissolving in a solvent, the composition is prepared as a composition solution by filtering through, for example, a filter having a pore size of about 0.2 μm. As the solvent used for preparing the composition solution, for example, 2-
Butanone, 2-pentanone, 3-methyl-2-butanone, 2-hexanone, 4-methyl-2-pentanone,
Linear or branched ketones such as -methyl-2-pentanone, 3,3-dimethyl-2-butanone, 2-heptanone and 2-octanone; cyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, cyclohexanone, -Methylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone,
Cyclic ketones such as isophorone; propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol mono-n-propyl ether acetate, propylene glycol mono-i-propyl ether acetate, propylene glycol mono-n-butyl ether acetate; Propylene glycol mono-i-butyl ether acetate, propylene glycol mono-sec-butyl ether acetate, propylene glycol mono-t-
Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as butyl ether acetate; methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate;
N-propyl 2-hydroxypropionate, i-propyl 2-hydroxypropionate, n-butyl 2-hydroxypropionate, i-butyl 2-hydroxypropionate, sec-butyl 2-hydroxypropionate, 2
Alkyl 2-hydroxypropionates such as t-butyl-hydroxypropionate; 3-alkoxypropion such as methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-ethoxypropionate In addition to alkyl acid salts,

【0138】n−プロピルアルコール、i−プロピルア
ルコール、n−ブチルアルコール、t−ブチルアルコー
ル、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチ
レングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−プロピ
ルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノ−n−プロピルエーテル、トルエン、キ
シレン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチ
ル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−
ヒドロキシ−3−メチル酪酸メチル、3−メトキシブチ
ルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテ
ート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネー
ト、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、酢酸
エチル、酢酸n−プロピル、酢酸n−ブチル、アセト酢
酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチ
ルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ベン
ジルエチルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、
1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコー
ル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エ
チレン、炭酸プロピレン等を挙げることができる。
N-propyl alcohol, i-propyl alcohol, n-butyl alcohol, t-butyl alcohol, cyclohexanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether,
Ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol di-n-propyl ether, diethylene glycol di-n-butyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether Acetate, ethylene glycol mono-n-propyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether,
Propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, toluene, xylene, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, 2-
Methyl hydroxy-3-methylbutyrate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methyl-3-methoxybutyl butyrate, ethyl acetate, N-propyl acetate, n-butyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, benzyl ethyl ether, -N-hexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, caproic acid, caprylic acid,
Examples thereof include 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, and propylene carbonate.

【0139】これらの溶剤は、単独でまたは2種以上を
混合して使用することができるが、就中、直鎖状もしく
は分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリ
コールモノアルキルエーテルアセテート類、2−ヒドロ
キシプロピオン酸アルキル類および3−アルコキシプロ
ピオン酸アルキル類が好ましい。
These solvents can be used alone or in combination of two or more. Among them, linear or branched ketones, cyclic ketones, propylene glycol monoalkyl ether acetates , Alkyl 2-hydroxypropionates and alkyl 3-alkoxypropionates are preferred.

【0140】レジストパターンの形成方法 本発明の感放射線性樹脂組成物においては、露光により
酸発生剤(ロ)から酸が発生し、その酸の作用によっ
て、ポリシロキサン(イ)中の酸解離性基が解離して、
例えばカルボキシル基を生じ、その結果、レジストの露
光部のアルカリ現像液に対する溶解性が高くなり、該露
光部がアルカリ現像液によって溶解、除去され、ポジ型
のレジストパターンが得られる。本発明の感放射線性樹
脂組成物からレジストパターンを形成する際には、組成
物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の
塗布手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミ
ニウムで被覆されたウエハー等の基板上に塗布すること
により、レジスト被膜を形成し、場合により予め加熱処
理(以下、「PB」という。)を行ったのち、所定のレ
ジストパターンを形成するように該レジスト被膜に露光
する。その際に使用される放射線としては、遠紫外線、
電子線、X線等の各種の放射線を使用することができる
が、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、Ar
Fエキシマレーザー(波長193nm)あるいはF2
キシマレーザー(波長157nm)に代表される遠紫外
線が好ましい。本発明においては、露光後に加熱処理
(以下、「PEB」という。)を行うことが好ましい。
このPEBにより、ポリシロキサン(イ)中の酸解離性
基の解離反応が円滑に進行する。PEBの加熱条件は、
レジスト組成物の配合組成によって変わるが、通常、3
0〜200℃、好ましくは50〜170℃である。
Method for Forming Resist Pattern In the radiation-sensitive resin composition of the present invention, an acid is generated from the acid generator (b) upon exposure, and the acid dissociation in the polysiloxane (a) is caused by the action of the acid. The group dissociates,
For example, a carboxyl group is generated. As a result, the solubility of the exposed portion of the resist in an alkali developing solution is increased, and the exposed portion is dissolved and removed by the alkali developing solution to obtain a positive resist pattern. When forming a resist pattern from the radiation-sensitive resin composition of the present invention, the composition solution, by a suitable application means such as spin coating, casting coating, roll coating, for example, silicon wafer, coated with aluminum A resist film is formed by applying the resist film on a substrate such as a wafer which has been subjected to a heat treatment (hereinafter, referred to as “PB”) in some cases, and then the resist film is formed so as to form a predetermined resist pattern. Expose. The radiation used at that time is far ultraviolet,
Various radiations such as an electron beam and an X-ray can be used, but a KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), Ar
Far ultraviolet rays represented by an F excimer laser (wavelength 193 nm) or an F 2 excimer laser (wavelength 157 nm) are preferable. In the present invention, it is preferable to perform a heat treatment (hereinafter, referred to as “PEB”) after the exposure.
By this PEB, the dissociation reaction of the acid dissociable group in the polysiloxane (a) proceeds smoothly. The heating conditions for PEB are:
Depending on the composition of the resist composition, it is usually 3
It is 0-200 ° C, preferably 50-170 ° C.

【0141】本発明においては、感放射線性樹脂組成物
の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平6−
12452号公報等に開示されているように、使用され
る基板上に有機系あるいは無機系の反射防止膜を形成し
ておくことができ、また環境雰囲気中に含まれる塩基性
不純物等の影響を防止するため、例えば特開平5−18
8598号公報等に開示されているように、レジスト被
膜上に保護膜を設けることもでき、あるいはこれらの技
術を併用することもできる。次いで、露光されたレジス
ト被膜を現像することにより、所定のレジストパターン
を形成する。現像に使用される現像液としては、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモ
ニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチル
アミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、
メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエ
タノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8−ジアザビ
シクロ−[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジ
アザビシクロ−[4.3.0]−5−ノネン等のアルカ
リ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶
液が好ましい。前記アルカリ性水溶液の濃度は、通常、
10重量%以下である。この場合、アルカリ性水溶液の
濃度が10重量%を超えると、非露光部も現像液に溶解
するおそれがあり好ましくない。
In the present invention, in order to maximize the potential of the radiation-sensitive resin composition, for example,
As disclosed in Japanese Patent No. 12452 or the like, an organic or inorganic antireflection film can be formed on a substrate to be used, and the influence of basic impurities and the like contained in an environmental atmosphere can be reduced. To prevent this, see, for example, JP-A-5-18
As disclosed in Japanese Patent No. 8598 and the like, a protective film can be provided on a resist film, or these techniques can be used in combination. Next, a predetermined resist pattern is formed by developing the exposed resist film. Examples of the developer used for development include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, and di-n-propylamine. , Triethylamine,
Methyl diethylamine, ethyl dimethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, choline, 1,8-diazabicyclo- [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo- [4. An alkaline aqueous solution in which at least one alkaline compound such as 3.0] -5-nonene is dissolved. The concentration of the alkaline aqueous solution is usually
10% by weight or less. In this case, if the concentration of the alkaline aqueous solution exceeds 10% by weight, unexposed portions may be dissolved in the developer, which is not preferable.

【0142】また、前記アルカリ性水溶液からなる現像
液には、例えば有機溶媒を添加することもできる。前記
有機溶媒としては、例えば、アセトン、2−ブタノン、
4−メチル−2−ペンタノン、シクロペンタノン、シク
ロヘキサノン、3−メチルシクロペンタノン、2,6−
ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコ
ール、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、i
−プロピルアルコール、n−ブチルアルコール、t−ブ
チルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノ
ール、1,4−ヘキサンジオール、1,4−ヘキサンジ
メチロール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジ
オキサン等のエーテル類;酢酸エチル、酢酸n−ブチ
ル、酢酸i−アミル等のエステル類;トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルア
セトン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができ
る。これらの有機溶媒は、単独でまたは2種以上を混合
して使用することができる。有機溶媒の使用量は、アル
カリ性水溶液に対して、100容量%以下が好ましい。
この場合、有機溶媒の使用量が100容量%を超える
と、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるお
それがある。また、アルカリ性水溶液からなる現像液に
は、界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、
アルカリ性水溶液からなる現像液で現像したのちは、一
般に、水で洗浄して乾燥する。
Further, for example, an organic solvent can be added to the developer comprising the alkaline aqueous solution. Examples of the organic solvent include acetone, 2-butanone,
4-methyl-2-pentanone, cyclopentanone, cyclohexanone, 3-methylcyclopentanone, 2,6-
Ketones such as dimethylcyclohexanone; methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, i
Alcohols such as -propyl alcohol, n-butyl alcohol, t-butyl alcohol, cyclopentanol, cyclohexanol, 1,4-hexanediol, and 1,4-hexanedimethylol; ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; ethyl acetate And esters such as n-butyl acetate and i-amyl acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; phenol, acetonylacetone, and dimethylformamide. These organic solvents can be used alone or in combination of two or more. The amount of the organic solvent used is preferably 100% by volume or less based on the alkaline aqueous solution.
In this case, if the amount of the organic solvent used exceeds 100% by volume, the developability may be reduced and the undeveloped portion of the exposed portion may be increased. In addition, an appropriate amount of a surfactant or the like can be added to a developer composed of an alkaline aqueous solution. In addition,
After development with a developer composed of an alkaline aqueous solution, it is generally washed with water and dried.

【0143】[0143]

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明を
さらに具体的に説明する。 〈モノマーの合成〉 合成例1 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、トリエトキシシラン46.5g、5−t−ブトキシ
カルボニルビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−2−エン4
2.0gを加え、室温にて撹拌したのち、塩化白金酸
(H2PtCl6)の0.2モルi−プロピルアルコール溶液
1.0ミリリットルを加えて、反応を開始させ、140
℃で24時間加熱還流した。その後、反応溶液を室温に
戻し、n−ヘキサンで希釈したのち、セライト上で吸引
ろ過し、さらに溶媒を減圧留去して、粗生成物を得た。
その後、粗生成物を0.4mmHgおよび155℃で減
圧蒸留して精製し、化合物54gを得た。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. <Synthesis of Monomer> Synthesis Example 1 46.5 g of triethoxysilane and 5-t-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2 were placed in a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer. -En 4
2.0g was added, After stirring at room temperature, was added a 0.2 molar i- propyl alcohol solution 1.0 ml of chloroplatinic acid (H 2 PtCl 6), to initiate the reaction, 140
The mixture was heated at reflux at 24 ° C. for 24 hours. Thereafter, the reaction solution was returned to room temperature, diluted with n-hexane, filtered by suction on celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product.
Thereafter, the crude product was purified by distillation under reduced pressure at 0.4 mmHg and 155 ° C. to obtain 54 g of a compound.

【0144】この化合物について、 1H−NMRスペク
トル(化学シフト「σH 」)、13C−NMRスペクトル
(化学シフト「σC 」) 、 29Si−NMRスペクトル
(化学シフト「σSi」)、赤外吸収スペクトル(I
R)、質量スペクトル(FABMS)を測定したところ、測定
値は以下のとおりであり、そのRが水素原子、X1 がt
−ブチル基、Yがエチル基、mが0であるシラン化合物
(i)(以下、「シラン化合物(i-1)」という。)と
同定された。また、この化合物は、トリエトキシシリル
基がビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプタン環の2−位に結合
した化合物と3−位に結合した化合物とのほぼ等量の混
合物であった。 σH :3.8ppm(エトキシ基)、1.4ppm
(t−ブチル基)。 σC :175ppm(カルボニル基)、80ppm
(t−ブトキシ基)、59ppm(エトキシ基)、28
ppm(t−ブチル基)、19ppm(メチル基)。 σSi :−48ppm。 IR :2879cm-1(エトキシ基)、1726cm
-1(エステル基)、1155cm-1(シロキサン基)、
1080cm-1(シロキサン基)。FABMS :m/z=3
59(M+ +1)。
About this compound, 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”), 13 C-NMR spectrum (chemical shift “σC”), 29 Si-NMR spectrum (chemical shift “σSi”), infrared absorption spectrum (I
R) and mass spectrum (FABMS), the measured values are as follows, where R is a hydrogen atom and X 1 is t
A silane compound (i) having a butyl group, Y being an ethyl group and m being 0 (hereinafter, referred to as “silane compound (i-1)”). In addition, this compound was a mixture of a compound in which a triethoxysilyl group was bonded to the 2-position of the bicyclo [2.2.1] heptane ring and a compound in which the compound was bonded to the 3-position of the bicyclo [2.2.1] heptane ring. σH: 3.8 ppm (ethoxy group), 1.4 ppm
(T-butyl group). σC: 175 ppm (carbonyl group), 80 ppm
(T-butoxy group), 59 ppm (ethoxy group), 28
ppm (t-butyl group), 19 ppm (methyl group). σSi: -48 ppm. IR: 2879 cm -1 (ethoxy group), 1726 cm
-1 (ester group), 1155 cm -1 (siloxane group),
1080 cm -1 (siloxane group). FABMS: m / z = 3
59 (M ++ 1).

【0145】合成例2 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、トリエトキシシラン76.0g、8−t−ブトキシ
カルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5.1
7,10 ]ドデカ−3−エン100gを加え、室温にて撹拌
したのち、塩化白金酸(H2PtCl6)の0.2モルi−プロ
ピルアルコール溶液5.0ミリリットルを加えて、反応
を開始させ、150℃で75時間加熱還流した。その
後、反応溶液を室温に戻し、n−ヘキサンで希釈したの
ち、セライト上で吸引ろ過し、さらに溶媒を減圧留去し
て、粗生成物を得た。その後、粗生成物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにかけて、n−ヘキサン留分と
して、化合物53gを得た。
Synthesis Example 2 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 76.0 g of triethoxysilane, 8-t-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1
7,10 ] dodeca-3-ene (100 g), and the mixture was stirred at room temperature. Then, 5.0 ml of a 0.2 mol i-propyl alcohol solution of chloroplatinic acid (H 2 PtCl 6 ) was added to start the reaction. The mixture was heated and refluxed at 150 ° C. for 75 hours. Thereafter, the reaction solution was returned to room temperature, diluted with n-hexane, filtered by suction on celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Thereafter, the crude product was subjected to silica gel column chromatography to obtain 53 g of a compound as an n-hexane fraction.

【0146】この化合物について、 1H−NMRスペク
トル(化学シフト「σH 」)、13C−NMRスペクトル
(化学シフト「σC 」) 、 29Si−NMRスペクトル
(化学シフト「σSi」)、赤外吸収スペクトル(I
R)、質量スペクトル(FABMS)を測定したところ、測定
値は以下のとおりであり、そのRが水素原子、X1 がt
−ブチル基、Yがエチル基、mが1であるシラン化合物
(i)(以下、「シラン化合物(i-2)」という。)と
同定された。また、この化合物は、トリエトキシシリル
基がテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデ
カン環の3−位に結合した化合物と4−位に結合した化
合物とのほぼ等量の混合物であった。 σH :3.8ppm(エトキシ基)、1.2ppm
(エトキシ基)、1.4ppm(t−ブチル基)。 σC :175ppm(カルボニル基)、80ppm
(t−ブトキシ基)、59ppm(エトキシ基)、28
ppm(t−ブチル基)、19ppm(メチル基)。 σSi :−48ppm。 IR :2885cm-1(エトキシ基)、1726cm
-1(エステル基)、1153cm-1(シロキサン基)、
1080cm-1(シロキサン基)。 FABMS :m/z=425(M+ +1)。
About this compound, 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”), 13 C-NMR spectrum (chemical shift “σC”), 29 Si-NMR spectrum (chemical shift “σSi”), infrared absorption spectrum (I
R) and mass spectrum (FABMS), the measured values are as follows, where R is a hydrogen atom and X 1 is t
A silane compound (i) having a butyl group, Y being an ethyl group and m being 1 (hereinafter, referred to as “silane compound (i-2)”). In this compound, the triethoxysilyl group was tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . [ 7,10 ] dodecane ring was a mixture of approximately equal amounts of the compound bonded to the 3-position and the compound bonded to the 4-position. σH: 3.8 ppm (ethoxy group), 1.2 ppm
(Ethoxy group), 1.4 ppm (t-butyl group). σC: 175 ppm (carbonyl group), 80 ppm
(T-butoxy group), 59 ppm (ethoxy group), 28
ppm (t-butyl group), 19 ppm (methyl group). σSi: -48 ppm. IR: 2885 cm -1 (ethoxy group), 1726 cm
-1 (ester group), 1153 cm -1 (siloxane group),
1080 cm -1 (siloxane group). FABMS: m / z = 425 (M ++ 1).

【0147】合成例3 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、トリエトキシシラン38.8gおよび5−〔2−ヒ
ドロキシ−2,2−ジ(トリフルオロメチル)〕ビシク
ロ[ 2.2.1 ]ヘプト−2−エン43.2gを加え、
室温にて撹拌したのち、塩化白金酸(H2PtCl6)の0.2
モルi−プロピルアルコール溶液0.1ミリリットルを
加えて、反応を開始させ、100℃で30時間加熱還流
した。その後、反応溶液を室温に戻し、n−ヘキサンで
希釈したのち、セライト上で吸引ろ過し、さらに溶媒を
減圧留去して、粗生成物を得た。その後、粗生成物を3
mmHgおよび105℃で減圧蒸留して精製し、化合物
59.8gを得た。
Synthesis Example 3 38.8 g of triethoxysilane and 5- [2-hydroxy-2,2-di (trifluoromethyl)] bicyclo were placed in a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer. [2.2.1] hept-2-ene 43.2 g was added,
After stirring at room temperature, 0.2 ml of chloroplatinic acid (H 2 PtCl 6 ) was added.
The reaction was started by adding 0.1 ml of a molar i-propyl alcohol solution, and the mixture was heated and refluxed at 100 ° C. for 30 hours. Thereafter, the reaction solution was returned to room temperature, diluted with n-hexane, filtered by suction on celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Then, the crude product was
Purification was performed by distillation under reduced pressure at mmHg and 105 ° C. to obtain 59.8 g of a compound.

【0148】この化合物について、 1H−NMRスペク
トル(化学シフト「σH」)、13C−NMRスペクトル
(化学シフト「σC」) 、 29Si−NMRスペクトル
(化学シフト「σSi」)、19F−NMRスペクトル(化
学シフト「σF」)、赤外吸収スペクトル(IR)、質
量スペクトル(FABMS)を測定したところ、測定値は以下
のとおりであり、そのRが水素原子、R''がトリフルオ
ロメチル基、X2 が水素原子、Yがエチル基、nが0で
あるシラン化合物(iii)(以下、「シラン化合物(iii-
1)」という。)と同定された。また、この化合物は、ト
リエトキシシリル基がビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプタン
環の2−位に結合した化合物と3−位に結合した化合物
とのほぼ等量の混合物であった。 σH :3.8ppm(エトキシ基)、1.2ppm
(エトキシ基)。 σC :123ppm(トリフルオロメチル基)、59
ppm(エトキシ基)、18ppm(メチル基)。 σSi :−48ppm。 σF :−76〜−79ppm。 IR :3400cm-1(水酸基)、2878cm
-1(メトキシ基)、1215cm-1(C−F結合)、1
082cm-1(シロキサン基)。 FABMS :m/z=439(M+ +1)。
About this compound, 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”), 13 C-NMR spectrum (chemical shift “σC”), 29 Si-NMR spectrum (chemical shift “σSi”), 19 F-NMR When the spectrum (chemical shift “σF”), infrared absorption spectrum (IR), and mass spectrum (FABMS) were measured, the measured values were as follows, where R was a hydrogen atom and R ″ was a trifluoromethyl group. , X 2 is a hydrogen atom, Y is an ethyl group, and n is 0 (hereinafter referred to as “silane compound (iii-
1) ". ). In addition, this compound was a mixture of a compound in which a triethoxysilyl group was bonded to the 2-position of the bicyclo [2.2.1] heptane ring and a compound in which the compound was bonded to the 3-position of the bicyclo [2.2.1] heptane ring. σH: 3.8 ppm (ethoxy group), 1.2 ppm
(Ethoxy group). σC: 123 ppm (trifluoromethyl group), 59
ppm (ethoxy group), 18 ppm (methyl group). σSi: -48 ppm. ? F: -76 to -79 ppm. IR: 3400 cm -1 (hydroxyl group), 2878 cm
-1 (methoxy group), 1215 cm -1 (CF bond), 1
082 cm -1 (siloxane group). FABMS: m / z = 439 (M ++ 1).

【0149】合成例4 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、合成例3で得たシラン化合物(iii-1)3.0gおよ
びテトラヒドロフラン10ミリリットルを加え、窒素気
流中、氷冷下で攪拌し、反応溶液の温度が5℃以下に達
した時点で、4−ジメチルアミノピリジン16.7mg
を加えたのち、ジ−t−ブチルジカーボネート1.64
gをテトラヒドロフラン5ミリリットルに溶解した溶液
を15分間かけて滴下した。滴下終了後1時間攪拌した
のち、反応溶液を室温に戻し、さらに5時間攪拌した。
その後、反応溶液にn−ヘキサン50ミリリットルを加
えて分液ロートに移したのち、有機層を氷水で3回洗浄
した。その後、有機層をビーカーに注ぎ、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥して、ろ過したのち、溶媒を減圧蒸留し
て、粗生成物を得た。その後、粗生成物をシリカゲルク
ロマトグラフィーにかけて、n−ヘキサン留分から、化
合物3.5gを得た。
Synthesis Example 4 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer, 3.0 g of the silane compound (iii-1) obtained in Synthesis Example 3 and 10 ml of tetrahydrofuran were added. When the temperature of the reaction solution reached 5 ° C. or lower, 16.7 mg of 4-dimethylaminopyridine was added.
After addition of 1.64 di-t-butyl dicarbonate.
g in 5 ml of tetrahydrofuran was added dropwise over 15 minutes. After stirring for 1 hour after the completion of the dropwise addition, the reaction solution was returned to room temperature and further stirred for 5 hours.
Thereafter, 50 ml of n-hexane was added to the reaction solution, and the mixture was transferred to a separating funnel. The organic layer was washed three times with ice water. Thereafter, the organic layer was poured into a beaker, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered, and then the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Thereafter, the crude product was subjected to silica gel chromatography to obtain 3.5 g of a compound from the n-hexane fraction.

【0150】この化合物について、 1H−NMRスペク
トル(化学シフト「σH」)、13C−NMRスペクトル
(化学シフト「σC」) 、 29Si−NMRスペクトル
(化学シフト「σSi」)、19F−NMRスペクトル(化
学シフト「σF」)、赤外吸収スペクトル(IR)、質
量スペクトル(FABMS)を測定したところ、測定値は以下
のとおりであり、そのRが水素原子、R''がトリフルオ
ロメチル基、X2 がt−ブトキシカルボニル基、Yがエ
チル基、nが0であるシラン化合物(iii)(以下、「シ
ラン化合物(iii-2)」という。)で置換された化合物と
同定された。 σH :3.8ppm(エトキシ基)、1.2ppm
(エトキシ基)、1.5ppm(t−ブチル基)。 σC :149ppm(炭酸エステル基)、122pp
m(トリフルオロメチル基)、85ppm(t−ブトキ
シ基)、59ppm(エトキシ基)、28ppm(t−
ブチル基)、18ppm(メチル基)。 σSi :−48ppm。 σF :−72.7〜−73.3ppm。 IR :3400cm-1(水酸基)、2879cm
-1(メトキシ基)、1774cm-1(炭酸エステル
基)、1221cm-1(C−F結合)、1082cm-1
(シロキサン基)。 FABMS :m/z=539(M+ +1)。
About this compound, 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”), 13 C-NMR spectrum (chemical shift “σC”), 29 Si-NMR spectrum (chemical shift “σSi”), 19 F-NMR When the spectrum (chemical shift “σF”), infrared absorption spectrum (IR), and mass spectrum (FABMS) were measured, the measured values were as follows, where R was a hydrogen atom and R ″ was a trifluoromethyl group. , X 2 is a t-butoxycarbonyl group, Y is an ethyl group, and n is 0, and was identified as a compound substituted with a silane compound (iii) (hereinafter referred to as “silane compound (iii-2)”). σH: 3.8 ppm (ethoxy group), 1.2 ppm
(Ethoxy group), 1.5 ppm (t-butyl group). σC: 149 ppm (carbonate group), 122 pp
m (trifluoromethyl group), 85 ppm (t-butoxy group), 59 ppm (ethoxy group), 28 ppm (t-
Butyl group), 18 ppm (methyl group). σSi: -48 ppm. ? F: -72.7 to -73.3 ppm. IR: 3400 cm -1 (hydroxyl group), 2879 cm
-1 (methoxy group), 1774 cm -1 (carbonate group), 1221 cm -1 (CF bond), 1082 cm -1
(Siloxane group). FABMS: m / z = 539 (M ++ 1).

【0151】合成例5 撹拌機、寒流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、トリエトキシシラン365g、ビシクロ[ 2.2.
1 ]ヘプト−2−エン200gを加え、室温にて攪拌し
たのち、塩化白金酸(H2PtCl6)の0.2モルi−プロピ
ルアルコール溶液4.0ミリリットルを加えて、反応を
開始させ、160℃で90時間加熱還流した。その後、
反応溶液を室温に戻し、n−ヘキサンで希釈したのち、
セライト上で吸引ろ過し、さらに溶媒を減圧留去して、
粗生成物を得た。その後、粗生成物を3.0mmHgお
よび82℃にて減圧蒸留して精製し、化合物252gを
得た。この化合物について、 1H−NMRスペクトル
(化学シフト「σH」) および赤外吸収スペクトル(I
R)を測定したところ、測定値は以下の通りであり、下
記式(v)で表されるシラン化合物(以下、「シラン化
合物(v)」という。)と同定された。なお、この化合
物中のトリエトキシシリル基はビシクロ[ 2.2.1 ]
ヘプタン環の2−位に結合している。 σH:3.8ppm(エトキシ基)、1.2ppm(エ
トキシ基)。 IR:2880cm-1(エトキシ基)、1080cm-1
(シロキサン基)。
Synthesis Example 5 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a cold flow cooler, and a thermometer, 365 g of triethoxysilane and 2.2 g of bicyclo [2.2.
1] After adding 200 g of hept-2-ene and stirring at room temperature, 4.0 ml of a 0.2 mol i-propyl alcohol solution of chloroplatinic acid (H 2 PtCl 6 ) was added to start the reaction, The mixture was heated under reflux at 160 ° C. for 90 hours. afterwards,
After returning the reaction solution to room temperature and diluting with n-hexane,
Suction filtration on celite, further distilling off the solvent under reduced pressure,
A crude product was obtained. Thereafter, the crude product was purified by distillation under reduced pressure at 3.0 mmHg and 82 ° C. to obtain 252 g of a compound. For this compound, 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and infrared absorption spectrum (I
When R) was measured, the measured values were as follows and were identified as a silane compound represented by the following formula (v) (hereinafter, referred to as "silane compound (v)"). The triethoxysilyl group in this compound is bicyclo [2.2.1].
It is bonded to the 2-position of the heptane ring. σH: 3.8 ppm (ethoxy group), 1.2 ppm (ethoxy group). IR: 2880 cm -1 (ethoxy group), 1080 cm -1
(Siloxane group).

【0152】[0152]

【化57】 Embedded image

【0153】合成例6 撹拌機、寒流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、トリエトキシシラン118g、テトラシクロ[ 4.
4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン100gを
加え、室温にて攪拌したのち、塩化白金酸(H2PtCl6)の
0.2モルi−プロピルアルコール溶液4.0ミリリッ
トルを加えて、反応を開始させ、160℃で90時間加
熱還流した。その後、反応溶液を室温に戻し、n−ヘキ
サンで希釈したのち、セライト上で吸引ろ過し、さらに
溶媒を減圧留去して、粗生成物を得た。その後、粗生成
物を1.5mmHgおよび133℃にて減圧蒸留して精
製し、化合物68gを得た。この化合物について、 1
−NMRスペクトル(化学シフト「σH」) および赤外
吸収スペクトル(IR)を測定したところ、測定値は以
下の通りであり、下記式(vi)で表されるシラン化合物
(以下、「シラン化合物(vi)」という。)と同定され
た。なお、この化合物中のトリエトキシシリル基はテト
ラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカン環の
3−位に結合している。 σH:3.8ppm(エトキシ基)、1.2ppm(エ
トキシ基)。 IR:2880cm-1(エトキシ基)、1080cm-1
(シロキサン基)。
Synthesis Example 6 118 g of triethoxysilane and tetracyclo [4.
4.0.1 2,5 . 1 7,10] dodeca-3-ene 100g added, After stirring at room temperature, was added a 0.2 molar i- propyl alcohol solution 4.0 ml of chloroplatinic acid (H 2 PtCl 6), the reaction It was started and heated to reflux at 160 ° C. for 90 hours. Thereafter, the reaction solution was returned to room temperature, diluted with n-hexane, filtered by suction on celite, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Thereafter, the crude product was purified by distillation under reduced pressure at 1.5 mmHg and 133 ° C. to obtain 68 g of a compound. For this compound, 1 H
When the -NMR spectrum (chemical shift "? H") and infrared absorption spectrum (IR) were measured, the measured values were as follows, and the silane compound represented by the following formula (vi) (hereinafter, "silane compound ( vi) ”). The triethoxysilyl group in this compound was tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . [ 7,10 ] dodecane ring at the 3-position. σH: 3.8 ppm (ethoxy group), 1.2 ppm (ethoxy group). IR: 2880 cm -1 (ethoxy group), 1080 cm -1
(Siloxane group).

【0154】[0154]

【化58】 Embedded image

【0155】〈ポリマーの合成〉 合成例7 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-2)8.34g、シラン化合物
(iii-1)12.92g、メチルトリエトキシシラン8.
75g、4−メチル−2−ペンタノン30g、1.75
重量%しゅう酸水溶液7.20gを加えて、撹拌しつ
つ、80℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷し
て、反応を停止させた。その後反応溶液を分液ロートに
移して、水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水
洗し、反応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したの
ち、有機層を減圧留去して、ポリマー18.5gを得
た。このポリマーについて、 1H−NMRスペクトル
(化学シフト「σH」) およびMwを測定したところ、
以下のとおりであった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)、0.2ppm(SiCH
3 基)。 Mw:2,300。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−1)とする。
<Synthesis of Polymer> Synthesis Example 7 8.34 g of silane compound (i-2) and 12.92 g of silane compound (iii-1) were placed in a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer. 7. methyltriethoxysilane
75 g, 30 g of 4-methyl-2-pentanone, 1.75
After adding 7.20 g of a weight% oxalic acid aqueous solution and reacting with stirring at 80 ° C. for 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction. After that, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was further added thereto, followed by washing with water.After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure. 18.5 g of polymer were obtained. When the 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured,
It was as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group), 0.2 ppm (SiCH
3 ). Mw: 2,300. This polymer is referred to as polysiloxane (a-1).

【0156】合成例8 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-2)5.36g、シラン化合物
(iii-1)7.39g、メチルトリエトキシシラン2.2
5g、4−メチル−2−ペンタノン15g、1.75重
量%しゅう酸水溶液3.09gを加えて、撹拌しつつ、
80℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷して、
反応を停止させた。その後反応溶液を分液ロートに移し
て、水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水洗
し、反応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、
有機層を減圧留去して、ポリマー8.33gを得た。こ
のポリマーについて、 1H−NMRスペクトル(化学シ
フト「σH」) およびMwを測定したところ、以下のと
おりであった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)、0.2ppm(SiCH
3 基)。 Mw:1,800。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−2)とする。
Synthesis Example 8 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 5.36 g of the silane compound (i-2), 7.39 g of the silane compound (iii-1), and methyltriethoxysilane 2.2
5 g, 15 g of 4-methyl-2-pentanone, 3.09 g of a 1.75% by weight aqueous oxalic acid solution were added, and while stirring,
After reacting at 80 ° C for 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice,
The reaction was stopped. Thereafter, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was further added and washed with water.After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral,
The organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 8.33 g of a polymer. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group), 0.2 ppm (SiCH
3 ). Mw: 1,800. This polymer is referred to as polysiloxane (a-2).

【0157】合成例9 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-2)3.84g、シラン化合物
(iii-1)7.93g、メチルトリエトキシシラン3.2
2g、4−メチル−2−ペンタノン15g、1.75重
量%しゅう酸水溶液3.32gを加えて、撹拌しつつ、
80℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷して、
反応を停止させた。その後反応溶液を分液ロートに移し
て、水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水洗
し、反応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、
有機層を減圧留去して、ポリマー8.24gを得た。こ
のポリマーについて、 1H−NMRスペクトル(化学シ
フト「σH」) およびMwを測定したところ、以下のと
おりであった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)、0.2ppm(SiCH
3 基)。 Mw:2,200。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−3)とする。
Synthesis Example 9 3.84 g of the silane compound (i-2), 7.93 g of the silane compound (iii-1) and methyltriethoxysilane were placed in a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer. 3.2
2 g, 15 g of 4-methyl-2-pentanone, 3.32 g of 1.75 wt% oxalic acid aqueous solution were added, and while stirring,
After reacting at 80 ° C for 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice,
The reaction was stopped. Thereafter, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was further added and washed with water.After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral,
The organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 8.24 g of a polymer. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group), 0.2 ppm (SiCH
3 ). Mw: 2,200. This polymer is referred to as polysiloxane (a-3).

【0158】合成例10 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-2)7.00g、シラン化合物
(iii-1)14.47g、シラン化合物(v)8.52
g、4−メチル−2−ペンタノン30g、1.75重量
%しゅう酸水溶液6.05gを加えて、撹拌しつつ、8
0℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷して、反
応を停止させた。その後反応溶液を分液ロートに移し
て、水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水洗
し、反応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、
有機層を減圧留去して、ポリマー18.75gを得た。
このポリマーについて、 1H−NMRスペクトル(化学
シフト「σH」) およびMwを測定したところ、以下の
とおりであった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)。 Mw:1,400。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−4)とする。
Synthesis Example 10 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 7.00 g of the silane compound (i-2), 14.47 g of the silane compound (iii-1) and 14.47 g of the silane compound (v ) 8.52
g, 30 g of 4-methyl-2-pentanone, 6.05 g of a 1.75% by weight aqueous solution of oxalic acid, and while stirring, add 8 g of oxalic acid.
After reacting at 0 ° C. for 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction. Thereafter, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was further added and washed with water.After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral,
The organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 18.75 g of a polymer.
The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group). Mw: 1,400. This polymer is referred to as polysiloxane (a-4).

【0159】合成例11 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-2)1.28g、シラン化合物
(iii-1)2.20g、シラン化合物(v)0.52g、
4−メチル−2−ペンタノン4.0g、1.75重量%
しゅう酸水溶液0.74gを加えて、撹拌しつつ、80
℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷して、反応
を停止させた。その後反応溶液を分液ロートに移して、
水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水洗し、反
応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、有機層
を減圧留去して、ポリマー2.46gを得た。このポリ
マーについて、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」) およびMwを測定したところ、以下のとおり
であった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)。 Mw:1,400。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−5)とする。
Synthesis Example 11 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 1.28 g of the silane compound (i-2), 2.20 g of the silane compound (iii-1), and ) 0.52 g,
4.0 g of 4-methyl-2-pentanone, 1.75% by weight
Add 0.74 g of oxalic acid aqueous solution, and stir,
After the reaction at 6 ° C. for 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction. After that, transfer the reaction solution to a separating funnel,
The aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was further added thereto for washing with water. After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 2.46 g of a polymer. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group). Mw: 1,400. This polymer is referred to as polysiloxane (a-5).

【0160】合成例12 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-2)3.34g、シラン化合物
(iii-1)8.62g、シラン化合物(v)3.05g、
4−メチル−2−ペンタノン15g、1.75重量%し
ゅう酸水溶液2.88gを加えて、撹拌しつつ、80℃
で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷して、反応を
停止させた。その後反応溶液を分液ロートに移して、水
層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水洗し、反応
溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、有機層を
減圧留去して、ポリマー9.90gを得た。このポリマ
ーについて、 1H−NMRスペクトル(化学シフト「σ
H」) およびMwを測定したところ、以下のとおりであ
った。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)。 Mw:1,200。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−6)とする。
Synthesis Example 12 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer, 3.34 g of the silane compound (i-2), 8.62 g of the silane compound (iii-1), and silane compound (v) ) 3.05 g,
15 g of 4-methyl-2-pentanone, 2.88 g of a 1.75% by weight aqueous solution of oxalic acid were added, and the mixture was stirred at 80 ° C.
After 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction. After that, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was further added thereto, followed by washing with water.After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure. 9.90 g of polymer were obtained. For this polymer, a 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σ
H ") and Mw were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group). Mw: 1,200. This polymer is referred to as polysiloxane (a-6).

【0161】合成例13 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(iii-2)1.5g、4−メチル−2−
ペンタノン1.5g、1.75重量%しゅう酸水溶液
0.20gを加えて、撹拌しつつ、80℃で5時間反応
させたのち、反応容器を氷冷して、反応を停止させた。
その後反応溶液を分液ロートに移して、水層を廃棄し、
さらにイオン交換水を加えて水洗し、反応溶液が中性に
なるまで水洗を繰り返したのち、有機層を減圧留去し
て、ポリマー1.01gを得た。このポリマーについ
て、 1H−NMRスペクトル(化学シフト「σH」) お
よびMwを測定したところ、以下のとおりであった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.5
ppm(t−ブトキシカルボニル基)。 Mw:7,500。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−7)とする。
Synthesis Example 13 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer, 1.5 g of the silane compound (iii-2) and 4-methyl-2-
After adding 1.5 g of pentanone and 0.20 g of a 1.75% by weight aqueous solution of oxalic acid, the mixture was reacted at 80 ° C. for 5 hours while stirring, and then the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction.
After that, transfer the reaction solution to a separating funnel, discard the aqueous layer,
Further, ion-exchanged water was added and the mixture was washed with water. After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 1.01 g of a polymer. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.5
ppm (t-butoxycarbonyl group). Mw: 7,500. This polymer is referred to as polysiloxane (a-7).

【0162】合成例14 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(iii-1)1.98g、2−t−ブトキ
シカルボニルエチルトリエトキシシラン1.62g、メ
チルトリエトキシシラン2.41g、4−メチル−2−
ペンタノン6.0g、1.75重量%しゅう酸水溶液
1.65gを加えて、撹拌しつつ、80℃で6時間反応
させたのち、反応容器を氷冷して、反応を停止させた。
その後反応溶液を分液ロートに移して、水層を廃棄し、
さらにイオン交換水を加えて水洗し、反応溶液が中性に
なるまで水洗を繰り返したのち、有機層を減圧留去し
て、ポリマー3.17gを得た。このポリマーについ
て、 1H−NMRスペクトル(化学シフト「σH」) お
よびMwを測定したところ、以下のとおりであった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.5
ppm(t−ブトキシカルボニル基)、0.2ppm
(SiCH3 基)。 Mw :2,500。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−8)とする。
Synthesis Example 14 1.98 g of a silane compound (iii-1), 1.62 g of 2-t-butoxycarbonylethyltriethoxysilane, and methyl were placed in a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer. 2.41 g of triethoxysilane, 4-methyl-2-
After adding 6.0 g of pentanone and 1.65 g of a 1.75% by weight aqueous solution of oxalic acid, the mixture was reacted at 80 ° C. for 6 hours with stirring, and then the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction.
After that, transfer the reaction solution to a separating funnel, discard the aqueous layer,
Further, ion-exchanged water was added and the mixture was washed with water. After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 3.17 g of a polymer. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.5
ppm (t-butoxycarbonyl group), 0.2 ppm
(SiCH 3 group). Mw: 2,500. This polymer is referred to as polysiloxane (a-8).

【0163】合成例15 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-2)0.85g、シラン化合物
(iii-1)2.63g、シラン化合物(v)0.52g、
4−メチル−2−ペンタノン4.0g、1.75重量%
しゅう酸水溶液0.73gを加えて、撹拌しつつ、80
℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷して、反応
を停止させた。その後反応溶液を分液ロートに移して、
水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水洗し、反
応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、有機層
を減圧留去して、ポリマー2.63gを得た。このポリ
マーについて、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」) およびMwを測定したところ、以下のとおり
であった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)。 Mw:1,500。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−9)とする。
Synthesis Example 15 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 0.85 g of the silane compound (i-2), 2.63 g of the silane compound (iii-1), and the silane compound (v ) 0.52 g,
4.0 g of 4-methyl-2-pentanone, 1.75% by weight
Add 0.73 g of oxalic acid aqueous solution, and stir,
After the reaction at 6 ° C. for 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction. After that, transfer the reaction solution to a separating funnel,
The aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was added to wash with water. After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 2.63 g of a polymer. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group). Mw: 1,500. This polymer is referred to as polysiloxane (a-9).

【0164】合成例16 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-2)0.85g、シラン化合物
(iii-1)2.18g、シラン化合物(vi)0.97g、
4−メチル−2−ペンタノン4.0g、1.75重量%
しゅう酸水溶液0.73gを加えて、撹拌しつつ、80
℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷して、反応
を停止させた。その後反応溶液を分液ロートに移して、
水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水洗し、反
応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、有機層
を減圧留去して、ポリマー2.27gを得た。このポリ
マーについて、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」) およびMwを測定したところ、以下のとおり
であった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)。 Mw:1,300。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−10)とする。
Synthesis Example 16 0.85 g of the silane compound (i-2), 2.18 g of the silane compound (iii-1), and the silane compound (vi) were placed in a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer. ) 0.97 g,
4.0 g of 4-methyl-2-pentanone, 1.75% by weight
Add 0.73 g of oxalic acid aqueous solution, and stir,
After the reaction at 6 ° C. for 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction. After that, transfer the reaction solution to a separating funnel,
The aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was further added thereto, followed by washing with water. After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 2.27 g of a polymer. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group). Mw: 1,300. This polymer is referred to as polysiloxane (a-10).

【0165】合成例17 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-2)0.82g、シラン化合物
(iii-1)2.55g、シラン化合物(vi)0.63g、
4−メチル−2−ペンタノン4.0g、1.75重量%
しゅう酸水溶液0.71gを加えて、撹拌しつつ、80
℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷して、反応
を停止させた。その後反応溶液を分液ロートに移して、
水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水洗し、反
応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、有機層
を減圧留去して、ポリマー2.25gを得た。このポリ
マーについて、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」) およびMwを測定したところ、以下のとおり
であった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)。 Mw:1,500。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−11)とする。
Synthesis Example 17 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 0.82 g of the silane compound (i-2), 2.55 g of the silane compound (iii-1) and 2.5 g of the silane compound (vi ) 0.63 g,
4.0 g of 4-methyl-2-pentanone, 1.75% by weight
Add 0.71 g of oxalic acid aqueous solution, and stir
After the reaction at 6 ° C. for 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction. After that, transfer the reaction solution to a separating funnel,
The aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was further added thereto, followed by washing with water. After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 2.25 g of a polymer. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group). Mw: 1,500. This polymer is referred to as polysiloxane (a-11).

【0166】合成例18 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-1)0.86g、シラン化合物
(iii-1)1.58g、シラン化合物(v)1.55g、
4−メチル−2−ペンタノン4.0g、1.75重量%
しゅう酸水溶液0.88gを加えて、撹拌しつつ、80
℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷して、反応
を停止させた。その後反応溶液を分液ロートに移して、
水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水洗し、反
応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、有機層
を減圧留去して、ポリマー2.31gを得た。このポリ
マーについて、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」) およびMwを測定したところ、以下のとおり
であった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)。 Mw:1,000。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−12)とする。
Synthesis Example 18 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 0.86 g of the silane compound (i-1), 1.58 g of the silane compound (iii-1) and 1.5 g of the silane compound (v ) 1.55 g,
4.0 g of 4-methyl-2-pentanone, 1.75% by weight
Add 0.88 g of oxalic acid aqueous solution, and stir,
After the reaction at 6 ° C. for 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction. After that, transfer the reaction solution to a separating funnel,
The aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was further added thereto for washing with water. After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 2.31 g of a polymer. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group). Mw: 1,000. This polymer is referred to as polysiloxane (a-12).

【0167】合成例19 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-1)0.82g、シラン化合物
(iii-1)2.00g、シラン化合物(v)1.18g、
4−メチル−2−ペンタノン4.0g、1.75重量%
しゅう酸水溶液0.84gを加えて、撹拌しつつ、80
℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷して、反応
を停止させた。その後反応溶液を分液ロートに移して、
水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水洗し、反
応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、有機層
を減圧留去して、ポリマー2.26gを得た。このポリ
マーについて、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」) およびMwを測定したところ、以下のとおり
であった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)。 Mw:1,100。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−13)とする。
Synthesis Example 19 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 0.82 g of the silane compound (i-1), 2.00 g of the silane compound (iii-1), and silane compound (v ) 1.18 g,
4.0 g of 4-methyl-2-pentanone, 1.75% by weight
Add 0.84 g of oxalic acid aqueous solution, and stir with 80
After the reaction at 6 ° C. for 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction. After that, transfer the reaction solution to a separating funnel,
The aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was added to wash with water. After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 2.26 g of a polymer. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group). Mw: 1,100. This polymer is referred to as polysiloxane (a-13).

【0168】合成例20 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-1)0.76g、シラン化合物
(iii-1)1.86g、シラン化合物(v)1.38g、
4−メチル−2−ペンタノン4.0g、1.75重量%
しゅう酸水溶液0.78gを加えて、撹拌しつつ、80
℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷して、反応
を停止させた。その後反応溶液を分液ロートに移して、
水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水洗し、反
応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、有機層
を減圧留去して、ポリマー2.22gを得た。このポリ
マーについて、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」) およびMwを測定したところ、以下のとおり
であった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)。 Mw:1,200。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−14)とする。
Synthesis Example 20 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer, 0.76 g of the silane compound (i-1), 1.86 g of the silane compound (iii-1), and the silane compound (v ) 1.38 g,
4.0 g of 4-methyl-2-pentanone, 1.75% by weight
Add 0.78 g of oxalic acid aqueous solution, and stir,
After the reaction at 6 ° C. for 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction. After that, transfer the reaction solution to a separating funnel,
The aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was further added for washing with water. After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 2.22 g of a polymer. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group). Mw: 1,200. This polymer is referred to as polysiloxane (a-14).

【0169】合成例21 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、シラン化合物(i-1)0.74g、シラン化合物
(iii-1)2.26g、シラン化合物(vi)1.00g、
4−メチル−2−ペンタノン4.0g、1.75重量%
しゅう酸水溶液0.76gを加えて、撹拌しつつ、80
℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷して、反応
を停止させた。その後反応溶液を分液ロートに移して、
水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて水洗し、反
応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したのち、有機層
を減圧留去して、ポリマー2.38gを得た。このポリ
マーについて、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」) およびMwを測定したところ、以下のとおり
であった。 σH:2.3ppm(CH2 C(CF3)2 基)、1.4
ppm(t−ブチル基)。 Mw:1,300。 このポリマーを、ポリシロキサン(イ−15)とする。
Synthesis Example 21 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer, 0.74 g of the silane compound (i-1), 2.26 g of the silane compound (iii-1), and the silane compound (vi) ) 1.00 g,
4.0 g of 4-methyl-2-pentanone, 1.75% by weight
Add 0.76 g of oxalic acid aqueous solution, and stir,
After the reaction at 6 ° C. for 6 hours, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction. After that, transfer the reaction solution to a separating funnel,
The aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was further added to wash with water. After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure to obtain 2.38 g of a polymer. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”) and Mw of this polymer were measured, and the results were as follows. σH: 2.3 ppm (CH 2 C (CF 3 ) 2 groups), 1.4
ppm (t-butyl group). Mw: 1,300. This polymer is designated as polysiloxane (a-15).

【0170】比較合成例1 撹拌機、還流冷却器、温度計を装着した3つ口フラスコ
に、2−t―ブトキシカルボニルエチルトリエトキシシ
ラン20g、4−メチル−2−ペンタノン60g、1.
75重量%しゅう酸水溶液4.09gを加えて、撹拌し
つつ、80℃で6時間反応させたのち、反応容器を氷冷
して、反応を停止させた。その後反応溶液を分液ロート
に移して、水層を廃棄し、さらにイオン交換水を加えて
水洗し、反応溶液が中性になるまで水洗を繰り返したの
ち、有機層を減圧留去して、ポリマーを得た。このポリ
マーについて、 1H−NMRスペクトル(化学シフト
「σH」) 、赤外吸収スペクトル(IR)およびMwを
測定したところ、以下のとおりであった。 σH:1.5ppm(t−ブトキシカルボニル基)。 IR:3400cm-1(水酸基)、1703cm-1(カ
ルボニル基)、1130cm-1(シロキサン基)、10
80cm-1(シロキサン基)。 Mw:2,700。 このポリマーを、比較用ポリシロキサンとする。
Comparative Synthesis Example 1 In a three-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer, 20 g of 2-t-butoxycarbonylethyltriethoxysilane, 60 g of 4-methyl-2-pentanone, and 1.
After adding 4.09 g of a 75% by weight aqueous oxalic acid solution and reacting at 80 ° C. for 6 hours with stirring, the reaction vessel was cooled with ice to stop the reaction. After that, the reaction solution was transferred to a separating funnel, the aqueous layer was discarded, and ion-exchanged water was further added thereto, followed by washing with water.After repeatedly washing with water until the reaction solution became neutral, the organic layer was distilled off under reduced pressure. A polymer was obtained. The 1 H-NMR spectrum (chemical shift “σH”), infrared absorption spectrum (IR) and Mw of this polymer were measured. The results were as follows. σH: 1.5 ppm (t-butoxycarbonyl group). IR: 3400 cm -1 (hydroxyl group), 1703 cm -1 (carbonyl group), 1130 cm -1 (siloxane group), 10
80 cm -1 (siloxane group). Mw: 2,700. This polymer is used as a comparative polysiloxane.

【0171】[0171]

【実施例】実施例1(放射線透過率の評価) ポリシロキサン(イ−1)〜(イ−15)および比較用
ポリシロキサンから形成した膜厚1,000Åの各被膜
について、波長が157nmおよび193nmにおける
放射線透過率を測定した。測定結果を、表1に示す。
Example 1 (Evaluation of Radiation Transmittance) Wavelengths of 157 nm and 193 nm were measured for each of the 1,000-mm-thick films formed from the polysiloxanes (a-1) to (a-15) and the comparative polysiloxane. Was measured for radiation transmittance. Table 1 shows the measurement results.

【0172】[0172]

【表1】 [Table 1]

【0173】表1から明らかなように、本発明における
ポリシロキサン(イ)は、基本骨格がポリシロキサン構
造であるため、波長193nmにおける放射線透過率が
いずれも、比較用ポリシロキサンと同等以上の高い値を
示している。一方、波長157nmにおいては、比較用
ポリシロキサンの放射線透過率が30%であるのに対し
て、ポリシロキサン(イ−1)〜(イ−15)はいずれ
も、比較用ポリシロキサンに較べて高い放射線透過率を
有する。波長157nmにおける放射線透過率は、一般
にポリシロキサン中の炭化水素構造の割合が相対的に増
加することにより低下すると考えられるが、本発明のポ
リシロキサン(イ)は、炭化水素構造の割合が比較的多
いにもかかわらず、またポリシロキサン中の部分構造が
変わっても、波長157nmにおける放射線透過率が高
い水準にある。
As is evident from Table 1, the polysiloxane (a) of the present invention has a polysiloxane structure as its basic skeleton, so that the radiation transmittance at a wavelength of 193 nm is as high as or higher than that of the comparative polysiloxane. Indicates the value. On the other hand, at a wavelength of 157 nm, the radiation transmittance of the comparative polysiloxane is 30%, whereas all of the polysiloxanes (a-1) to (a-15) are higher than the comparative polysiloxane. Has radiation transmittance. Although the radiation transmittance at a wavelength of 157 nm is generally considered to decrease due to the relative increase in the proportion of the hydrocarbon structure in the polysiloxane, the polysiloxane (a) of the present invention has a relatively low proportion of the hydrocarbon structure. Despite the large number, and even when the partial structure in the polysiloxane changes, the radiation transmittance at a wavelength of 157 nm is at a high level.

【0174】実施例2(ArFエキシマレーザーによる
解像度の評価) ポリシロキサン(イ−7)およびポリシロキサン(イ−
8)を各100重量部、トリフェニルスルフォニウムト
リフルオロメタンスルホネート1重量部、トリ−n−オ
クチルアミン0.02重量部および2−ヘプタノン90
0重量部を均一に混合して、組成物溶液を調製した。次
いで、各組成物溶液を、シリコンウエハー上にスピンコ
ートにより塗布し、130℃に保持したホットプレート
上で、90秒間加熱処理を行って、膜厚100nmのレ
ジスト被膜を形成した。その後、各レジスト被膜に対し
て、ArFエキシマレーザー(波長193nm)により
露光量を変えて露光し、110℃に保持したホットプレ
ート上で、90秒間加熱処理を行ったのち、2.38重
量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で
現像を行って、レジストパターンを形成した。得られた
各レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察した結
果、ポリシロキサン(イ−7)の場合、0.30μmま
で解像しており、またポリシロキサン(イ−8)の場
合、0.15μmまで解像していた。
Example 2 (Evaluation of resolution by ArF excimer laser) Polysiloxane (a-7) and polysiloxane (a
8), 100 parts by weight of each, 1 part by weight of triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 0.02 part by weight of tri-n-octylamine and 90 parts of 2-heptanone
0 parts by weight were uniformly mixed to prepare a composition solution. Next, each composition solution was applied on a silicon wafer by spin coating, and heat-treated on a hot plate kept at 130 ° C. for 90 seconds to form a resist film having a thickness of 100 nm. After that, each resist film was exposed to light by changing the amount of exposure with an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), and was heated on a hot plate kept at 110 ° C. for 90 seconds, and then 2.38% by weight. Development was performed with an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide to form a resist pattern. As a result of observing each of the obtained resist patterns with a scanning electron microscope, the resolution was reduced to 0.30 μm in the case of polysiloxane (a-7) and 0.15 μm in the case of polysiloxane (a-8). Had been resolved until.

【0175】実施例3(ドライエッチング耐性の評価) ポリシロキサン(イ−3)およびポリシロキサン(イ−
4)と、比較用としてポリスチレン(Mw=16,00
0)を各100重量部、トリフェニルスルホニウムノナ
フルオロ−n−ブタンスルホネート1重量部、トリ−n
―オクチルアミン0.04重量部および2−ヘプタノン
900重量部を均一に混合して、組成物溶液を調製し
た。次いで、各組成物溶液をシリコンウエハー上にスピ
ンコートにより塗布し、140℃に保持したホットプレ
ート上で90秒間加熱処理を行って、膜厚1,000Å
のレジスト被膜を形成した。得られた各レジスト被膜に
ついて、種々の条件におけるエッチング試験を行った。
エッチングガス(単独あるいは混合物)、エッチング速
度、ポリシロキサン(イ−3)あるいはポリシロキサン
(イ−4)とポリスチレンとのエッチング速度の相対比
を、表2に示す。
Example 3 (Evaluation of dry etching resistance) Polysiloxane (a-3) and polysiloxane (a
4) and polystyrene (Mw = 16,000) for comparison.
0), 100 parts by weight of each, triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate 1 part by weight, tri-n
0.04 parts by weight of octylamine and 900 parts by weight of 2-heptanone were uniformly mixed to prepare a composition solution. Next, each composition solution was applied on a silicon wafer by spin coating, and heat-treated on a hot plate maintained at 140 ° C. for 90 seconds to obtain a film thickness of 1,000 °.
Was formed. Each of the obtained resist films was subjected to etching tests under various conditions.
Table 2 shows the etching gas (single or mixture), the etching rate, and the relative ratio of the etching rate of polysiloxane (a-3) or polysiloxane (a-4) to polystyrene.

【0176】[0176]

【表2】 [Table 2]

【0177】表2から明らかなように、本発明の感放射
線性樹脂組成物は、検討した全てのエッチング条件にお
いて、ポリスチレンとほぼ同等の高いドライエッチング
耐性を示すことが明らかとなった。
As is clear from Table 2, it was found that the radiation-sensitive resin composition of the present invention exhibited almost the same high dry etching resistance as polystyrene under all the etching conditions studied.

【0178】実施例4(ArFエキシマレーザーによる
解像度の評価) ポリシロキサン(イー1)〜(イー11)を各100重
量部、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブ
タンスルホネート1重量部、トリ−n―オクチルアミン
0.04重量部および2−ヘプタノン900重量部を均
一に混合して、組成物溶液を調製した。次いで、各組成
物溶液をシリコンウエハー上にスピンコートにより塗布
し、140℃に保持したホットプレート上で90秒間加
熱処理を行って、膜厚1,000Åのレジスト被膜を形
成した。その後、各レジスト被膜に対して、ArFエキ
シマレーザー(波長193nm)により露光量を変えて
露光し、100℃に保持したホットプレート上で、90
秒間加熱処理を行ったのち、2.38重量%のテトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行って、
レジストパターンを形成した。得られた各レジストパタ
ーンを走査型電子顕微鏡で観察した結果、解像度は表3
に示すとおりであり、本発明の感放射線性樹脂組成物
は、ArFエキシマレーザーに対して高い解像性能を示
すことが明らかとなった。
Example 4 (Evaluation of resolution by ArF excimer laser) 100 parts by weight of each of polysiloxanes (E1) to (E11), 1 part by weight of triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, tri-n- 0.04 parts by weight of octylamine and 900 parts by weight of 2-heptanone were uniformly mixed to prepare a composition solution. Next, each composition solution was applied on a silicon wafer by spin coating, and heat-treated on a hot plate maintained at 140 ° C. for 90 seconds to form a resist film having a thickness of 1,000 °. Thereafter, each resist film was exposed to light with a different amount of exposure using an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm).
After a heat treatment for 2 seconds, development was performed with a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide,
A resist pattern was formed. As a result of observing each obtained resist pattern with a scanning electron microscope, the resolution was as shown in Table 3.
It is clear that the radiation-sensitive resin composition of the present invention exhibits high resolution performance with respect to an ArF excimer laser.

【0179】[0179]

【表3】 [Table 3]

【0180】実施例5(F2 エキシマレーザーによる解
像度の評価) ポリシロキサン(イ−1)〜(イ−4)およびポリシロ
キサン(イ−6)を各100重量部、トリフェニルスル
ホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート1重量
部、トリ−n―オクチルアミン0.04重量部および2
−ヘプタノン900重量部を均一に混合し、組成物溶液
を調製した。次いで、各組成物溶液をシリコンウエハー
上にスピンコートにより塗布し、140℃に保持したホ
ットプレート上で90秒間加熱処理を行って、膜厚1,
000Åのレジスト被膜を形成した。その後、得られた
各レジスト被膜に対して、F2 エキシマレーザー(波長
157nm)により露光量を変えて露光し、100℃に
保持したホットプレート上で90秒間加熱処理を行った
のち、2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液で現像を行って、レジストパターンを形
成した。得られた各レジストパターンを走査型電子顕微
鏡で観察した結果、解像度は表4に示すとおりであり、
本発明の感放射線性樹脂組成物は、F2 エキシマレーザ
ーに対して高い解像性能を示すことが明らかとなった。
Example 5 (Evaluation of resolution by F 2 excimer laser) 100 parts by weight of each of polysiloxanes (a-1) to (a-4) and polysiloxane (a-6), triphenylsulfonium nonafluoro-n 1 part by weight of butanesulfonate, 0.04 part by weight of tri-n-octylamine and 2 parts by weight
-900 parts by weight of heptanone were uniformly mixed to prepare a composition solution. Next, each composition solution was applied on a silicon wafer by spin coating, and heat-treated on a hot plate maintained at 140 ° C. for 90 seconds to obtain a film thickness of 1,
A resist film of 2,000 mm was formed. Thereafter, each of the obtained resist films is exposed to light with a different exposure amount using an F 2 excimer laser (wavelength: 157 nm), and is heated for 90 seconds on a hot plate maintained at 100 ° C., and then 2.38 The resist pattern was formed by developing with an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide in a weight%. As a result of observing each obtained resist pattern with a scanning electron microscope, the resolution is as shown in Table 4,
It has been clarified that the radiation-sensitive resin composition of the present invention exhibits high resolution performance with respect to an F 2 excimer laser.

【0181】[0181]

【表4】 [Table 4]

【0182】[0182]

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、遠紫
外線、電子線、X線等の放射線に有効に感応し、特に波
長193nm以下、就中波長157nmの放射線に対す
る透明性が高く、しかもドライエッチング耐性、感度、
解像度、現像性等のレジストとしての基本物性に優れて
いる。したがって、当該感放射線性樹脂組成物は、今後
微細化がますます進行するとみられるLSI(高集積回
路)等の微細加工の分野に極めて好適に使用することが
できる。
The radiation-sensitive resin composition of the present invention effectively responds to radiations such as far ultraviolet rays, electron beams, and X-rays, and particularly has high transparency to radiation having a wavelength of 193 nm or less, especially 157 nm. Moreover, dry etching resistance, sensitivity,
It has excellent basic physical properties as a resist such as resolution and developability. Therefore, the radiation-sensitive resin composition can be extremely suitably used in the field of microfabrication such as LSI (highly integrated circuit) in which miniaturization is expected to progress more and more in the future.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 明弘 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 下川 努 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA04 AA09 AB16 AB17 AC04 AC05 AC06 AD03 BE00 BE10 BG00 CB33 CB41 FA17 4J002 CP051 CP071 CP081 CP091 CP101 CP151 CP161 EB116 EB126 EQ016 EU186 EV216 EV246 EV266 EV296 EV306 FD206 GP03  ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Akihiro Hayashi 2--11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Inside JSR Co., Ltd. (72) Inventor Tsutomu Shimokawa 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo JSR F term (for reference) 2H025 AA01 AA02 AA04 AA09 AB16 AB17 AC04 AC05 AC06 AD03 BE00 BE10 BG00 CB33 CB41 FA17 4J002 CP051 CP071 CP081 CP091 CP101 CP151 CP161 EB116 EB126 EQ016 EU186 EV216 EV246 EV266 EV296 EV306 FD206 GP03

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (イ)下記一般式(1)に示す構造単位
(I)あるいは構造単位(II)および下記一般式(2)
に示す構造単位(III)あるいは構造単位(IV) からなる
群から選ばれる少なくとも1種の構造単位を有する、ア
ルカリ不溶性またはアルカリ難溶性のポリシロキサンで
あって、その酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶
性となる樹脂、並びに(ロ)感放射線性酸発生剤を含有
することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 【化1】 〔一般式(1)において、各Rは相互に独立して水素原
子またはメチル基を示し、R’は水素原子、炭素数1〜
20の1価の炭化水素基、炭素数1〜20の1価のハロ
ゲン化炭化水素基、ハロゲン原子または1級、2級もし
くは3級のアミノ基を示し、X1 は酸により解離して水
素原子を生じる1価の有機基を示し、mは0〜3の整数
である。但し、一般式(1)中の各ケイ素原子は最上位
にあるビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプタン環の2−位また
は3−位に結合している。〕 【化2】 〔一般式(2)において、各Rは相互に独立して水素原
子またはメチル基を示し、R’は水素原子、炭素数1〜
20の1価の炭化水素基、炭素数1〜20の1価のハロ
ゲン化炭化水素基、ハロゲン原子または1級、2級もし
くは3級のアミノ基を示し、R''は水素原子、メチル基
またはトリフルオロメチル基を示し、X2は水素原子ま
たは酸により解離して水素原子を生じる1価の有機基を
示し、nは0〜3の整数である。但し、一般式(2)中
の各ケイ素原子は最上位にあるビシクロ[ 2.2.1 ]
ヘプタン環の2−位または3−位に結合している。〕
(1) A structural unit (I) or a structural unit (II) represented by the following general formula (1) and the following general formula (2)
An alkali-insoluble or poorly alkali-soluble polysiloxane having at least one structural unit selected from the group consisting of the structural unit (III) and the structural unit (IV), wherein the acid-dissociable group is dissociated. A radiation-sensitive resin composition, comprising: a resin which becomes alkali-soluble in the composition; and (b) a radiation-sensitive acid generator. Embedded image [In the general formula (1), each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and R ′ represents a hydrogen atom and has 1 to 1 carbon atoms.
20 monovalent hydrocarbon group, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a halogen atom, or primary, shows a secondary or tertiary amino group, X 1 is hydrogen is dissociated by acid Represents a monovalent organic group generating an atom, and m is an integer of 0 to 3. However, each silicon atom in the general formula (1) is bonded to the 2-position or 3-position of the bicyclo [2.2.1] heptane ring at the highest position. [Chemical formula 2] [In the general formula (2), each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group, R ′ represents a hydrogen atom, and has 1 to 1 carbon atoms.
20 represents a monovalent hydrocarbon group, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a halogen atom or a primary, secondary or tertiary amino group, and R ″ represents a hydrogen atom, a methyl group Or X represents a trifluoromethyl group, X 2 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group which generates a hydrogen atom by dissociation with an acid, and n is an integer of 0 to 3. However, each silicon atom in the general formula (2) is a bicyclo [2.2.1] at the top.
It is bonded to the 2- or 3-position of the heptane ring. ]
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