JP2002131918A - Radiation-sensitive resin composition - Google Patents

Radiation-sensitive resin composition

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JP2002131918A
JP2002131918A JP2000325889A JP2000325889A JP2002131918A JP 2002131918 A JP2002131918 A JP 2002131918A JP 2000325889 A JP2000325889 A JP 2000325889A JP 2000325889 A JP2000325889 A JP 2000325889A JP 2002131918 A JP2002131918 A JP 2002131918A
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carbon atoms
solvent
acid
substituted
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JP2000325889A
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Japanese (ja)
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Akira Takahashi
表 高橋
Kenichiro Sato
健一郎 佐藤
Shoichiro Yasunami
昭一郎 安波
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Fujifilm Holdings Corp
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Fuji Photo Film Co Ltd
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  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive resin composition having improved edge roughness of a resist pattern in the production of a semiconductor device, excellent in the change with time of preservability and excellent further in density dependence. SOLUTION: The radiation-sensitive resin composition contains (A) a polymer containing repeating units with a specified structure and having a group which is decomposed by the action of an acid, (B) a photo-acid generating agent and (C) a specified mixed solvent.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、超LSIや高容量
マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロ
セスやその他のフォトファブリケーションプロセスに使
用するポジ型感放射線性樹脂組成物に関するものであ
る。更に詳しくは、薄膜プロセスにて使用する高解像力
でパターン倒れの少ないポジ型感放射線性樹脂組成物に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive-type radiation-sensitive resin composition for use in an ultra-microlithography process such as the production of an VLSI or a high-capacity microchip and other photofabrication processes. More specifically, the present invention relates to a positive-type radiation-sensitive resin composition having high resolution and less pattern collapse used in a thin film process.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、LSIの高集積化と高速度化に伴
い、パターンの微細化が求められている。パターンの微
細化を図る手段の一つとしては、レジストパターン形成
の際に使用する露光光を短波長化する方法があり、25
6Mビット(加工寸法が0.25μm以下)DRAM
(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー)の量
産プロセスには、露光光源としてi線(365nm)に
代わって短波長のKrFエキシマレーザー(248n
m)の利用が現在積極的に検討されている。しかし、更
に微細な加工技術(加工寸法が0.2μm以下)を必要
とする集積度1G以上のDRAMの製造には、より短波
長の光源が必要とされ、特にArFエキシマレーザー
(193nm)を用いたフォトグラフィーが最近検討さ
れてきている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the increase in integration and speed of LSI, miniaturization of patterns has been required. As one of means for miniaturizing a pattern, there is a method of shortening the wavelength of exposure light used for forming a resist pattern.
6Mbit DRAM (processing dimension 0.25μm or less) DRAM
In the mass production process of (dynamic random access memory), a short wavelength KrF excimer laser (248n) is used as an exposure light source instead of i-line (365nm).
The use of m) is currently under active consideration. However, in order to manufacture a DRAM having an integration degree of 1 G or more, which requires a finer processing technology (processing size of 0.2 μm or less), a light source having a shorter wavelength is required. In particular, an ArF excimer laser (193 nm) is used. Photography has recently been considered.

【0003】ここで、ArFエキシマレーザーに代表さ
れる220nm以下の短波長光を用いたリソグラフィー
の場合、微細パターンを形成するためにフォトレジスト
には従来の材料では満足できない新たな特性が要求され
る。そのため、感度で高解像度の種々のレジスト材料
が開発されてきている。これらの感放射線性樹脂組成物
は、いずれも高感度で高解像度のものであるが、微細な
高アスペクト比のパターンを形成することは、これらか
ら得られるパターンの機械的強度を鑑みると困難であっ
た。
Here, in the case of lithography using short-wavelength light of 220 nm or less typified by an ArF excimer laser, a photoresist is required to have new characteristics that cannot be satisfied by conventional materials in order to form a fine pattern. . For this reason, various resist materials having high sensitivity and high resolution have been developed. These radiation-sensitive resin compositions are all of high sensitivity and high resolution, but it is difficult to form a fine pattern with a high aspect ratio in view of the mechanical strength of the pattern obtained therefrom. there were.

【0004】また、ポリヒドロキシスチレンをベース樹
脂として使用し、遠紫外線、電子線及びX線に対して感
度を有する感放射線性樹脂組成物は、従来より数多く提
案されている。しかし、段差基板上に高アスペクト比の
パターンを形成するには、2層レジスト法が優れている
のに対し、上記レジスト材料はいずれも単層レジスト法
によるものであり、未だ基板段差の問題、基板からの光
反射の問題、高アスペクト比のパターン形成が困難な問
題があり、実用に供することが難しいのが現状である。
[0004] Further, many radiation-sensitive resin compositions using polyhydroxystyrene as a base resin and having sensitivity to far ultraviolet rays, electron beams and X-rays have been proposed. However, in order to form a pattern having a high aspect ratio on a stepped substrate, a two-layer resist method is excellent, whereas all of the above resist materials are based on a single-layer resist method, and the problem of a substrate step difference still exists. At present, there is a problem of light reflection from the substrate and a problem of difficulty in forming a pattern having a high aspect ratio.

【0005】一方、従来より、段差基板上に高アスペク
ト比のパターンを形成するには2層レジスト法が優れて
いることが知られている。更に、2層レジスト膜を一般
的なアルカリ現像液で現像するためには、ヒドロキシ基
やカルボキシル基等の親水基を有する高分子シリコーン
化合物が含まれていることが必要ということ知られて
いる。しかし、親水基を有していても高分子シリコーン
化合物に直接水酸基が結合したシラノールの場合、酸に
より架橋反応が生じるため、感放射線性樹脂組成物への
適用は困難であった。
On the other hand, conventionally, it has been known that a two-layer resist method is excellent for forming a pattern having a high aspect ratio on a stepped substrate. Further, it is also known that in order to develop a two-layer resist film with a general alkali developer, it is necessary to include a high molecular silicone compound having a hydrophilic group such as a hydroxy group or a carboxyl group. . However, in the case of a silanol in which a hydroxyl group is directly bonded to a high molecular silicone compound even if it has a hydrophilic group, a cross-linking reaction occurs due to an acid, and thus application to a radiation-sensitive resin composition has been difficult.

【0006】近年、これらの問題を解決するシリコーン
系感放射線性樹脂組成物として、安定なアルカリ可溶性
シリコーンポリマーであるポリヒドロキシベンジルシル
セスキオキサンのフェノール性水酸基の一部をt−Bo
c基で保護したものをベース樹脂として使用し、これと
酸発生剤とを組み合わせたシリコーン系感放射線性樹脂
組成物が提案されている(特開平7−118651号、
SPIEvol.1952(1993)377等)。
In recent years, as a silicone-based radiation-sensitive resin composition which solves these problems, a part of the phenolic hydroxyl group of polyhydroxybenzylsilsesquioxane which is a stable alkali-soluble silicone polymer is replaced with t-Bo.
A silicone-based radiation-sensitive resin composition has been proposed in which a resin protected by the c group is used as a base resin, and this is combined with an acid generator (JP-A-7-118865,
SPIEvol. 1952 (1993) 377).

【0007】このような組成物のうち、高感度、高解像
度を有し、特に高アスペクト比のパターンを形成するの
に適した2層レジストの例として、特開平10−324
748号公報のものが挙げられる。
Among such compositions, Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-324 is an example of a two-layer resist having high sensitivity and high resolution and particularly suitable for forming a pattern having a high aspect ratio.
No. 748.

【0008】しかし、このレジストは、レジストパター
ンのエッジにラフネス(凹凸)を生じていた。ここで、
エッジラフネスとは、レジストのラインパターンの頂部
及び底部のエッジが、レジストの特性に起因して、ライ
ン方向と垂直な方向に不規則に変動するために、パター
ンを真上からみたときにエッジが凸凹して見えることを
いう。更に、レジスト液の保存安定性において改善の余
地があった。例えば、化学増幅系フォトレジストを液の
状態で保存した場合に、該樹脂と光酸発生剤との相溶性
が悪く、液中にパーティクルが発生したり、レジスト性
能が劣化するなどの問題点がいまだ存在した。
[0008] However, this resist has a roughness (unevenness) at the edge of the resist pattern. here,
Edge roughness refers to the fact that the top and bottom edges of a resist line pattern fluctuate irregularly in the direction perpendicular to the line direction due to the characteristics of the resist. It means that it looks uneven. Further, there is room for improvement in the storage stability of the resist solution. For example, when a chemically amplified photoresist is stored in a liquid state, there are problems such as poor compatibility between the resin and the photoacid generator, generation of particles in the liquid, and deterioration of resist performance. Still existed.

【0009】また、上記の技術でも疎密依存性について
も問題を抱えていた。最近のデバイスの傾向として様々
なパターンが含まれるためレジストには様々な性能が求
められている。その一つが疎密依存性である。デバイス
にはラインが密集した部分と、逆にラインと比較しスペ
ースが広いパターン、更に孤立ラインが存在する。この
ため、種々のラインを高い再現性をもって解像すること
は重要である。しかし、種々のラインを再現させること
は光学的な要因により必ずしも容易ではなく、レジスト
による解決方法が明確でないのが現状である。
[0009] In addition, the above-mentioned technology has a problem with the coarse / dense dependency. Since various patterns are included as a tendency of recent devices, various performances are required for resists. One of them is sparse / dense dependency. In the device, there are a portion where lines are dense, a pattern in which the space is wider than the lines, and an isolated line. Therefore, it is important to resolve various lines with high reproducibility. However, it is not always easy to reproduce various lines due to optical factors, and the solution at present is not clear.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体デバイスの製造において、レジストパターンのエッジ
ラフネスが改善された感放射線性樹脂組成物を提供する
ことである。本発明の他の目的は、経時保存性が優れ、
更に疎密依存性に優れた感放射線性樹脂組成物を提供す
ることである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a radiation-sensitive resin composition having improved edge roughness of a resist pattern in the manufacture of a semiconductor device. Another object of the present invention is to provide excellent storage stability over time,
It is still another object of the present invention to provide a radiation-sensitive resin composition having excellent density dependency.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、様々な既
存のボジ型化学増幅系感放射線性樹脂組成物を鋭意検討
した結果、下記組成物を用い特定の溶媒を複数組み合わ
せたり、その組成比を調整することにより、本発明の目
的が達成されることを知り、発明に至った。即ち、上記
目的は下記組成物により達成される。
Means for Solving the Problems As a result of diligent studies of various existing body-type chemically amplified radiation-sensitive resin compositions, the present inventors have found that the following compositions can be used to combine a plurality of specific solvents, It has been found that the object of the present invention is achieved by adjusting the composition ratio, and the present invention has been achieved. That is, the above object is achieved by the following composition.

【0012】(1)(A)下記一般式(1)または
(2)で示される繰り返し単位を含有し、かつ酸の作用
により分解する基を有する重合体 (B)光酸発生剤 (C)下記溶媒A群から選択される少なくとも1種と下
記溶剤B群から選択される少なくとも1種、もしくは溶
剤A群から選択される少なくとも1種と下記溶剤C群か
ら選択される少なくとも1種とを含有する混合溶剤 A群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルカル
ボキシレート B群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳
酸アルキル及びアルコキシアルキルプロピオネート C群:γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及び
プロピレンカーボネート を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
(1) (A) A polymer containing a repeating unit represented by the following general formula (1) or (2) and having a group that decomposes under the action of an acid (B) Photoacid generator (C) Contains at least one selected from the following solvent A group and at least one selected from the following solvent B group, or at least one selected from the solvent A group and at least one selected from the following solvent C group Group A: propylene glycol monoalkyl ether carboxylate Group B: propylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate and alkoxyalkyl propionate Group C: γ-butyrolactone, ethylene carbonate and propylene carbonate Radiation-sensitive resin composition.

【0013】[0013]

【化5】 Embedded image

【0014】式中、A0は単結合、炭素数1〜10個の
アルキレン、炭素数3〜12個のシクロアルキレン、−
L−OCO−、−L−COO−、−L−NHCO−、−
L−NHCOO−、−L−NHCONH−、−L−CO
NH−、−L−OCONH−、−L−CONHCO−、
−L−S−、−L−O−、−L−SO2−、−L−SO2
NH−、−L−NHSO2−、置換または非置換のフェ
ニレンから選ばれる2価の連結基を示す。Dは単結合、
置換または非置換の炭素数1〜30個の炭化水素基ある
いは芳香族基を示す。Me、Nfはそれぞれ置換または非
置換の炭素数1〜12個のアルキル基、炭素数3〜30
個のシクロアルキル基、炭素数2〜6個のアルケニル
基、炭素数2〜6個のシクロアルケニル基、炭素数6〜
20個のアリール基、トリメチルシロキシ基を示す。
e、fは0または1を示す。X、YはHまたは酸分解性
基を示す。r、sは1〜3を示す。Lは炭素数1〜10
個のアルキレンまたは炭素数3〜12個のシクロアルキ
レンを示す。
In the formula, A 0 is a single bond, alkylene having 1 to 10 carbon atoms, cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms,-
L-OCO-, -L-COO-, -L-NHCO-,-
L-NHCOO-, -L-NHCONH-, -L-CO
NH-, -L-OCONH-, -L-CONHCO-,
-L-S -, - L- O -, - L-SO 2 -, - L-SO 2
NH -, - L-NHSO 2 -, represents a divalent linking group selected from substituted or unsubstituted phenylene. D is a single bond,
It represents a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an aromatic group. M e, N f is independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, 3 to 30 carbon atoms
Cycloalkyl groups, alkenyl groups having 2 to 6 carbon atoms, cycloalkenyl groups having 2 to 6 carbon atoms, 6 to 6 carbon atoms
It represents 20 aryl groups and trimethylsiloxy groups.
e and f show 0 or 1. X and Y each represent H or an acid-decomposable group. r and s represent 1-3. L has 1 to 10 carbon atoms
Represents alkylene or cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms.

【0015】(2)(A)下記一般式(1)または
(2)で示される繰り返し単位を含有し、かつ酸の作用
により分解する基を有する重合体 (B)光酸発生剤 (C)下記溶媒A群から選択される少なくとも1種と下
記溶剤B群から選択される少なくとも1種、及び下記溶
剤Cから選択される少なくとも1種とを含有する混合溶
剤 A群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルカル
ボキシレート B群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳
酸アルキル及びアルコキシアルキルプロピオネート C群:γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及び
プロピレンカーボネート を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
(2) (A) A polymer containing a repeating unit represented by the following general formula (1) or (2) and having a group that decomposes under the action of an acid (B) Photoacid generator (C) A mixed solvent containing at least one selected from the following solvent group A, at least one selected from the following solvent group B, and at least one selected from the following solvent C group A: propylene glycol monoalkyl ether carboxy Rate Group B: propylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate and alkoxyalkyl propionate Group C: A radiation-sensitive resin composition containing γ-butyrolactone, ethylene carbonate and propylene carbonate.

【0016】[0016]

【化6】 Embedded image

【0017】式中、A0は単結合、炭素数1〜10個の
アルキレン、炭素数3〜12個のシクロアルキレン、−
L−OCO−、−L−COO−、−L−NHCO−、−
L−NHCOO−、−L−NHCONH−、−L−CO
NH−、−L−OCONH−、−L−CONHCO−、
−L−S−、−L−O−、−L−SO2−、−L−SO2
NH−、−L−NHSO2−、置換または非置換のフェ
ニレンから選ばれる2価の連結基を示す。Dは単結合、
置換または非置換の炭素数1〜30個の炭化水素基ある
いは芳香族基を示す。Me、Nfはそれぞれ置換または非
置換の炭素数1〜12個のアルキル基、炭素数3〜30
個のシクロアルキル基、炭素数2〜6個のアルケニル
基、炭素数2〜6個のシクロアルケニル基、炭素数6〜
20個のアリール基、トリメチルシロキシ基を示す。
e、fは0または1を示す。X、YはHまたは酸分解性
基を示す。r、sは1〜3を示す。Lは炭素数1〜10
個のアルキレンまたは炭素数3〜12個のシクロアルキ
レンを示す。
In the formula, A 0 is a single bond, alkylene having 1 to 10 carbon atoms, cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms,-
L-OCO-, -L-COO-, -L-NHCO-,-
L-NHCOO-, -L-NHCONH-, -L-CO
NH-, -L-OCONH-, -L-CONHCO-,
-L-S -, - L- O -, - L-SO 2 -, - L-SO 2
NH -, - L-NHSO 2 -, represents a divalent linking group selected from substituted or unsubstituted phenylene. D is a single bond,
It represents a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an aromatic group. M e, N f is independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, 3 to 30 carbon atoms
Cycloalkyl groups, alkenyl groups having 2 to 6 carbon atoms, cycloalkenyl groups having 2 to 6 carbon atoms, 6 to 6 carbon atoms
It represents 20 aryl groups and trimethylsiloxy groups.
e and f show 0 or 1. X and Y each represent H or an acid-decomposable group. r and s represent 1-3. L has 1 to 10 carbon atoms
Represents alkylene or cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms.

【0018】(3)(A)下記一般式(1)または
(2)で示される繰り返し単位を含有し、かつ酸の作用
により分解する基を有する重合体 (B)光酸発生剤 (C)乳酸アルキルのうち少なくとも1種と、エステル
溶剤及びアルコキシアルキルプロピオネートのうち少な
くとも1種とを含有することを特徴とする感放射線性樹
脂組成物。
(3) (A) A polymer containing a repeating unit represented by the following general formula (1) or (2) and having a group that decomposes under the action of an acid (B) Photoacid generator (C) A radiation-sensitive resin composition comprising at least one kind of alkyl lactate and at least one kind of ester solvent and alkoxyalkyl propionate.

【0019】[0019]

【化7】 Embedded image

【0020】式中、A0は単結合、炭素数1〜10個の
アルキレン、炭素数3〜12個のシクロアルキレン、−
L−OCO−、−L−COO−、−L−NHCO−、−
L−NHCOO−、−L−NHCONH−、−L−CO
NH−、−L−OCONH−、−L−CONHCO−、
−L−S−、−L−O−、−L−SO2−、−L−SO2
NH−、−L−NHSO2−、置換または非置換のフェ
ニレンから選ばれる2価の連結基を示す。Dは単結合、
置換または非置換の炭素数1〜30個の炭化水素基ある
いは芳香族基を示す。Me、Nfはそれぞれ置換または非
置換の炭素数1〜12個のアルキル基、炭素数3〜30
個のシクロアルキル基、炭素数2〜6個のアルケニル
基、炭素数2〜6個のシクロアルケニル基、炭素数6〜
20個のアリール基、トリメチルシロキシ基を示す。
e、fは0または1を示す。X、YはHまたは酸分解性
基を示す。r、sは1〜3を示す。Lは炭素数1〜10
個のアルキレンまたは炭素数3〜12個のシクロアルキ
レンを示す。
In the formula, A 0 is a single bond, alkylene having 1 to 10 carbon atoms, cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms,-
L-OCO-, -L-COO-, -L-NHCO-,-
L-NHCOO-, -L-NHCONH-, -L-CO
NH-, -L-OCONH-, -L-CONHCO-,
-L-S -, - L- O -, - L-SO 2 -, - L-SO 2
NH -, - L-NHSO 2 -, represents a divalent linking group selected from substituted or unsubstituted phenylene. D is a single bond,
It represents a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an aromatic group. M e, N f is independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, 3 to 30 carbon atoms
Cycloalkyl groups, alkenyl groups having 2 to 6 carbon atoms, cycloalkenyl groups having 2 to 6 carbon atoms, 6 to 6 carbon atoms
It represents 20 aryl groups and trimethylsiloxy groups.
e and f show 0 or 1. X and Y each represent H or an acid-decomposable group. r and s represent 1-3. L has 1 to 10 carbon atoms
Represents alkylene or cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms.

【0021】(4)(A)下記一般式(1)または
(2)で示される繰り返し単位を含有し、かつ酸の作用
により分解する基を有する重合体 (B)光酸発生剤 (C)ヘプタノンを含有する溶剤 を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
(4) (A) A polymer containing a repeating unit represented by the following general formula (1) or (2) and having a group that decomposes under the action of an acid (B) Photoacid generator (C) A radiation-sensitive resin composition comprising a solvent containing heptanone.

【0022】[0022]

【化8】 Embedded image

【0023】式中、A0は単結合、炭素数1〜10個の
アルキレン、炭素数3〜12個のシクロアルキレン、−
L−OCO−、−L−COO−、−L−NHCO−、−
L−NHCOO−、−L−NHCONH−、−L−CO
NH−、−L−OCONH−、−L−CONHCO−、
−L−S−、−L−O−、−L−SO2−、−L−SO2
NH−、−L−NHSO2−、置換または非置換のフェ
ニレンから選ばれる2価の連結基を示す。Dは単結合、
置換または非置換の炭素数1〜30個の炭化水素基ある
いは芳香族基を示す。Me、Nfはそれぞれ置換または非
置換の炭素数1〜12個のアルキル基、炭素数3〜30
個のシクロアルキル基、炭素数2〜6個のアルケニル
基、炭素数2〜6個のシクロアルケニル基、炭素数6〜
20個のアリール基、トリメチルシロキシ基を示す。
e、fは0または1を示す。X、YはHまたは酸分解性
基を示す。r、sは1〜3を示す。Lは炭素数1〜10
個のアルキレンまたは炭素数3〜12個のシクロアルキ
レンを示す。
In the formula, A 0 is a single bond, alkylene having 1 to 10 carbon atoms, cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms,-
L-OCO-, -L-COO-, -L-NHCO-,-
L-NHCOO-, -L-NHCONH-, -L-CO
NH-, -L-OCONH-, -L-CONHCO-,
-L-S -, - L- O -, - L-SO 2 -, - L-SO 2
NH -, - L-NHSO 2 -, represents a divalent linking group selected from substituted or unsubstituted phenylene. D is a single bond,
It represents a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an aromatic group. M e, N f is independently a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, 3 to 30 carbon atoms
Cycloalkyl groups, alkenyl groups having 2 to 6 carbon atoms, cycloalkenyl groups having 2 to 6 carbon atoms, 6 to 6 carbon atoms
It represents 20 aryl groups and trimethylsiloxy groups.
e and f show 0 or 1. X and Y each represent H or an acid-decomposable group. r and s represent 1-3. L has 1 to 10 carbon atoms
Represents alkylene or cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms.

【0024】(5)(C)の溶剤が、更にプロピレング
リコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル及びアル
コキシアルキルプロピオネートのうち少なくとも1種と
を含有することを特徴とする前記(4)に記載の感放射
線性樹脂組成物。 (6)(C)の溶剤が、更にγ−ブチロラクトン、エチ
レンカーボネート及びプロピレンカーボネートのうち少
なくとも1種とを含有することを特徴とする前記(3)
〜(5)のいずれかに記載の感放射線性樹脂組成物。
(5) The solvent according to (4), wherein the solvent (C) further contains at least one of propylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate and alkoxyalkyl propionate. Radiation resin composition. (6) The solvent according to (3), wherein the solvent of (C) further contains at least one of γ-butyrolactone, ethylene carbonate and propylene carbonate.
The radiation-sensitive resin composition according to any one of (1) to (5).

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、本発明につき更に詳細に説
明する。本発明における樹脂は、酸の作用によりアルカ
リ現像液に対する溶解速度が増加する性質を有し、Si
元素を含有している樹脂(以下、高分子シリコーン化合
物ともいう)である。高分子シリコーン化合物は、酸の
作用により分解する基(酸分解性基ともいう)とSi元
素(珪素原子)を含有し、シロキサン骨格、シルセスキ
オキサン骨格を有する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail. The resin in the present invention has a property that the dissolution rate in an alkali developer increases due to the action of an acid,
It is a resin containing an element (hereinafter, also referred to as a polymer silicone compound). The high molecular silicone compound contains a group decomposed by the action of an acid (also referred to as an acid-decomposable group) and a Si element (silicon atom), and has a siloxane skeleton and a silsesquioxane skeleton.

【0026】即ち、高分子シリコーン化合物としては、
前述の一般式(1)または一般式(2)で表わされる繰
り返し単位を有する高分子シリコーン化合物である。
That is, as the high molecular silicone compound,
It is a high molecular silicone compound having a repeating unit represented by the general formula (1) or (2).

【0027】一般式(1)、(2)中、A0は単結合、
炭素数1〜10個のアルキレン、炭素数3〜12個のシ
クロアルキレン、−L−OCO−、−L−COO−、−
L−NHCO−、−L−NHCOO−、−L−NHCO
NH−、−L−CONH−、−L−OCONH−、−L
−CONHCO−、−L−S−、−L−O−、−L−S
2−、−L−SO2NH−、−L−NHSO2−、置換
または非置換のフェニレンから選ばれる2価の連結基を
示す。
In the general formulas (1) and (2), A 0 is a single bond,
Alkylene having 1 to 10 carbon atoms, cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms, -L-OCO-, -L-COO-,-
L-NHCO-, -L-NHCOO-, -L-NHCO
NH-, -L-CONH-, -L-OCONH-, -L
-CONHCO-, -LS-, -LO-, -LS
It represents a divalent linking group selected from O 2- , -L-SO 2 NH-, -L-NHSO 2- , and substituted or unsubstituted phenylene.

【0028】Dは単結合、置換または非置換の炭素数1
〜30個の炭化水素基あるいは芳香族基を示す。Me
fはそれぞれ置換または非置換の炭素数1〜12個の
アルキル基、炭素数3〜30個のシクロアルキル基、炭
素数2〜6個のアルケニル基、炭素数2〜6個のシクロ
アルケニル基、炭素数6〜20個のアリール基、トリメ
チルシロキシ基を示す。e、fは0または1を示す。
X、YはHまたは酸分解性基を示す。r、sは1〜3を
示す。Lは炭素数1〜10個のアルキレンまたは炭素数
3〜12個のシクロアルキレンを示す。
D is a single bond, substituted or unsubstituted carbon atom of 1
And represents up to 30 hydrocarbon groups or aromatic groups. Me ,
N f is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, and a cycloalkenyl group having 2 to 6 carbon atoms. And an aryl group having 6 to 20 carbon atoms and a trimethylsiloxy group. e and f show 0 or 1.
X and Y each represent H or an acid-decomposable group. r and s represent 1-3. L represents alkylene having 1 to 10 carbon atoms or cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms.

【0029】A0の炭素数1〜10個のアルキレンとし
ては、メチレン、エチレン、プロピレン、イソプロピレ
ン、n−ブチレン、sec−ブチレン、tert−ブチ
レン、ペンチレン、イソペンチレン、ヘキシレン、ヘプ
チレン、オクチレン等が挙げられる。
Examples of the alkylene having 1 to 10 carbon atoms of A 0 include methylene, ethylene, propylene, isopropylene, n-butylene, sec-butylene, tert-butylene, pentylene, isopentylene, hexylene, heptylene, octylene and the like. Can be

【0030】炭素数3〜12個のシクロアルキレンとし
ては、シクロプロピレン、1,2−シクロブチレン、
1,3−シクロブチレン、1,2−シクロペンチレン、
1,3−シクロペンチレン、1,2−シクロヘキシレ
ン、1,3−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキシ
レン、1,2−シクロヘプチレン、1,3−シクロヘプ
チレン、1,4−シクロヘプチレン等が挙げられる。
Examples of the cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms include cyclopropylene, 1,2-cyclobutylene,
1,3-cyclobutylene, 1,2-cyclopentylene,
1,3-cyclopentylene, 1,2-cyclohexylene, 1,3-cyclohexylene, 1,4-cyclohexylene, 1,2-cycloheptylene, 1,3-cycloheptylene, 1,4-cycloheptylene and the like can be mentioned. .

【0031】Dの炭素数1〜30個の炭化水素基あるい
は芳香族基としては、2〜4価の基であり、2価の基と
しては、アルキレン基、環状アルキレン基、アリーレン
基が挙げられる。アルキレン基としては、直鎖状、分岐
状いずれでもよく、また置換基を有していてもよい。直
鎖状あるいは分岐状のアルキレン基としては、炭素数1
〜12のものであるが、より好ましくは炭素数1〜10
のものであり、具体的にメチレン基、エチレン基、プロ
ピレン基、イソプロピレン基、n−ブチレン基、イソブ
チレン基、sec−ブチレン基、t−ブチレン基、ペン
チレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン
基、ノニレン基、デシレン基を好ましく挙げることがで
きる。
The hydrocarbon group or aromatic group of D having 1 to 30 carbon atoms is a divalent or tetravalent group, and the divalent group is an alkylene group, a cyclic alkylene group or an arylene group. . The alkylene group may be linear or branched, and may have a substituent. As a linear or branched alkylene group, one having 1 carbon atom
To 12, more preferably 1 to 10 carbon atoms.
Specifically, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, n-butylene group, isobutylene group, sec-butylene group, t-butylene group, pentylene group, hexylene group, heptylene group, octylene group , A nonylene group and a decylene group.

【0032】環状のアルキレン基としては、炭素数3〜
30のものが挙げられ、具体的には、シクロプロピレン
基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、アダマ
ンチレン基、ノルボルニレン基、ボロニレン基、トリシ
クロデカニレン基、ジシクロペンテニレン基、ノルボル
ナンエポキシレン基、メンチレン基、イソメンチレン
基、ネオメンチレン基、テトラシクロドデカニレン基、
ステロイド残基等を挙げることができる。
The cyclic alkylene group may have 3 to 3 carbon atoms.
30, specifically, cyclopropylene group, cyclopentylene group, cyclohexylene group, adamantylene group, norbornylene group, boronylene group, tricyclodecenylene group, dicyclopentenylene group, norbornane epoxy Len group, menthylene group, isomenthylene group, neomenthylene group, tetracyclododecanylene group,
Steroid residues and the like can be mentioned.

【0033】アリーレン基としては、炭素数6〜20の
ものが挙げられ、置換基を有していてもよい。具体的に
はフェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等が挙げら
れる。3〜4価の基としては、上記2価の基の中の水素
原子が更に1〜2個取れて、3〜4価になった基が挙げ
られる。
Examples of the arylene group include those having 6 to 20 carbon atoms, which may have a substituent. Specific examples include a phenylene group, a tolylene group, and a naphthylene group. Examples of the trivalent or tetravalent group include trivalent or tetravalent groups obtained by removing one or two hydrogen atoms from the above divalent group.

【0034】Me、Nfの炭素数1〜12個のアルキル基
としては、直鎖状、分岐状いずれでもよく、また置換基
を有していてもよい。直鎖状あるいは分岐状のアルキル
基としては、炭素数1〜12のものであり、好ましくは
炭素数1〜10のものであり、具体的にメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イ
ソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基を好ましく挙げることができる。
Examples of the M e, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, N f, linear, branched either well, and may have a substituent. The straight-chain or branched alkyl group has 1 to 12 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, and specifically includes methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n Preferred examples include -butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group and decyl group.

【0035】炭素数3〜30個のシクロアルキル基とし
ては、具体的には、シクロプロピル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル
基、ボロニル基、トリシクロデカニル基、ジシクロペン
テニル基、ノボルナンエポキシ基、メンチル基、イソメ
ンチル基、ネオメンチル基、テトラシクロドデカニル
基、ステロイド残基等を挙げることができる。
Examples of the cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, a boronyl group, a tricyclodecanyl group and a dicyclopentenyl group. , Nobornane epoxy group, menthyl group, isomenthyl group, neomenthyl group, tetracyclododecanyl group, steroid residue and the like.

【0036】炭素数2〜6個のアルケニル基、シクロア
ルケニル基としては、具体的にはビニル基、プロペニル
基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル
基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、3−オ
キソシクロヘキセニル基、3−オキソシクロペンテニル
基、3−オキソインデニル基等が挙げられる。これらの
うちシクロアルケニル基は、酸素原子を含んでいてもよ
い。
Examples of the alkenyl group and cycloalkenyl group having 2 to 6 carbon atoms include vinyl, propenyl, allyl, butenyl, pentenyl, hexenyl, cyclopentenyl, cyclohexenyl and cyclohexenyl. -Oxocyclohexenyl group, 3-oxocyclopentenyl group, 3-oxoindenyl group and the like. Of these, the cycloalkenyl group may contain an oxygen atom.

【0037】炭素数6〜20個のアリール基としては、
具体的にはフェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げ
られる。
As the aryl group having 6 to 20 carbon atoms,
Specific examples include a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

【0038】A0のフェニレン、Dの炭素数1〜30個
の炭化水素基あるいは芳香族基、またMe、Nfの炭素数
1〜12個のアルキル基、炭素数3〜30個のシクロア
ルキル基、炭素数2〜6個のアルケニル基、炭素数2〜
6個のシクロアルケニル基、炭素数6〜20個のアリー
ル基、トリメチルシロキシ基の更なる置換基としては、
炭素数12以下の置換基が好ましい。
[0038] phenylene A 0, the number of 1 to 30 carbon atoms, D hydrocarbon group or an aromatic group, also M e, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, N f, of several 3 to 30 carbon atoms cycloalkyl Alkyl group, alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, 2 to 2 carbon atoms
As further substituents of 6 cycloalkenyl groups, aryl groups having 6 to 20 carbon atoms, and trimethylsiloxy groups,
A substituent having 12 or less carbon atoms is preferred.

【0039】炭素数12以下の置換基としては、アミド
基、イミド基、エステル基、ハロゲン基、ハロゲン置換
アルキル基、ハロゲン置換アリール基、水酸基、カルボ
キシル基、チオール基、シアノ基、ニトロ基、ホルミル
基、スルホニル基、スルホンアミド基、アルコキシ基、
アシル基、アロイル基、炭素数1〜8個のアルキル基、
ヘテロ環基等が挙げられる。
Examples of the substituent having 12 or less carbon atoms include an amide group, an imide group, an ester group, a halogen group, a halogen-substituted alkyl group, a halogen-substituted aryl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a thiol group, a cyano group, a nitro group, and a formyl group. Group, sulfonyl group, sulfonamide group, alkoxy group,
An acyl group, an aroyl group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms,
And a heterocyclic group.

【0040】アミド基としては、カルバモイル基、N−
メチルカルバモイル基、N,N−ジメチルカルバモイル
基、アセトアミド基、N−メチルアセトアミド基、プロ
ピオンアミド基、ベンズアミド基、メタクリルアミド
基、デカニルアミド基、ラウリルアミド基、パルチミル
アミド基、ステアリルアミド基等が例示される。イミド
基としては、フタルイミド基、サクシンイミド基、マレ
イミド基等が例示される。エステル基としては、カルバ
メート基、メチルエステル基、エチルエステル基、プロ
ピルエステル基、イソプロピルエステル基、n−ブチル
エステル基、sec−ブチルエステル基、tert−ブ
チルエステル基、ペンチルエステル基、イソペンチルエ
ステル基、tert−アミルエステル基、ヘキシルエス
テル基、ヘプチルエステル基、オクチルエステル基、シ
クロペンチルエステル基、シクロヘキシルエステル基、
シクロヘプチルエステル基、ノルボルニルエステル基、
アダマンチルエステル基等が例示される。
As the amide group, a carbamoyl group, N-
Examples include a methylcarbamoyl group, an N, N-dimethylcarbamoyl group, an acetamido group, an N-methylacetamido group, a propionamide group, a benzamide group, a methacrylamide group, a decanylamide group, a laurylamide group, a partimylamide group, and a stearylamide group. . Examples of the imide group include a phthalimide group, a succinimide group, and a maleimide group. Examples of the ester group include a carbamate group, a methyl ester group, an ethyl ester group, a propyl ester group, an isopropyl ester group, an n-butyl ester group, a sec-butyl ester group, a tert-butyl ester group, a pentyl ester group, and an isopentyl ester group. Tert-amyl ester group, hexyl ester group, heptyl ester group, octyl ester group, cyclopentyl ester group, cyclohexyl ester group,
Cycloheptyl ester group, norbornyl ester group,
An adamantyl ester group is exemplified.

【0041】ハロゲン置換アルキル基としては、トリフ
ルオロメチル基、1,1,1−トリフルオロエチル基、
1,1,1−トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル
基等が例示される。ハロゲン置換アリール基としては、
フルオロベンゼン基、クロロベンゼン基、1,2,3,
4,5−ペンタフルオロベンゼン基等が例示される。ア
ルキルオキシ基、アルケニルオキシ基としては、メトキ
シ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオ
キシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、ter
t−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキ
シ基、tert−アミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、
ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、シクロペンチル
オキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオ
キシ基、ノルボルニルオキシ基、アダマンチルオキシ
基、アクリルオキシ基、メタクリルオキシ基等が例示さ
れる。
Examples of the halogen-substituted alkyl group include a trifluoromethyl group, a 1,1,1-trifluoroethyl group,
Examples thereof include a 1,1,1-trichloroethyl group and a nonafluorobutyl group. As the halogen-substituted aryl group,
Fluorobenzene group, chlorobenzene group, 1,2,3
Examples thereof include a 4,5-pentafluorobenzene group. Examples of the alkyloxy group and the alkenyloxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propyloxy group, an isopropyloxy group, an n-butoxy group, a sec-butoxy group,
t-butoxy group, pentyloxy group, isopentyloxy group, tert-amyloxy group, hexyloxy group,
Examples include a heptyloxy group, an octyloxy group, a cyclopentyloxy group, a cyclohexyloxy group, a cycloheptyloxy group, a norbornyloxy group, an adamantyloxy group, an acryloxy group, and a methacryloxy group.

【0042】炭素数1〜8のアルキル基としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブ
チル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペン
チル基、イソペンチル基、tert−アミル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロプロピルメ
チル基、4−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシル
メチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基が例示され
る。ヘテロ環基としては、チオフェン、フラン、テトラ
ヒドロフラン、モルホリン、ピラン、テトラヒドロピラ
ン、ジオキサン、チオカルバゾール、キサンテン基、チ
オキサンテン基が例示される。
Examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, sec-butyl, tert-butyl, pentyl, isopentyl, and tert-amyl. Groups, hexyl group, heptyl group, octyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopropylmethyl group, 4-methylcyclohexyl group, cyclohexylmethyl group, norbornyl group, and adamantyl group. Examples of the heterocyclic group include thiophene, furan, tetrahydrofuran, morpholine, pyran, tetrahydropyran, dioxane, thiocarbazole, xanthene group, and thioxanthene group.

【0043】X、Yの酸分解性基としては、種々選定さ
れるが、特に下記一般式(4)で示される基、下記一般
式(5)で示される基、炭素数4〜20の3級アルキル
基、各アルキル基の炭素数が1〜6のトリアルキルシリ
ル基及び炭素数4〜20のオキソアルキル基より選ばれ
る1種又は2種以上の基であることが好ましい。
The acid-decomposable groups for X and Y are variously selected, and in particular, a group represented by the following general formula (4), a group represented by the following general formula (5), and a group having 4 to 20 carbon atoms. It is preferably one or more groups selected from a primary alkyl group, a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms and an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms.

【0044】[0044]

【化9】 Embedded image

【0045】式中、R6、R7は水素原子又は炭素数1〜
8、好ましくは1〜6、更に好ましくは1〜5の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R8は炭素数
1〜18、好ましくは1〜10、更に好ましくは1〜8
の酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい1価の炭
化水素基を示し、R6とR7、R6とR8、R7とR8とは環
を形成してもよく、環を形成する場合にはR6、R7、R
8はそれぞれ炭素数1〜18、好ましくは1〜10、更
に好ましくは1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基
を示す。R9は炭素数4〜20、好ましくは4〜15、
更に好ましくは4〜10の3級アルキル基、各アルキル
基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシリル基、炭
素数4〜20、好ましくは4〜15、更に好ましくは4
〜10のオキソアルキル基又は上記一般式(4)で示さ
れる基を示す。また、aは0〜6の整数である。
In the formula, R 6 and R 7 are each a hydrogen atom or a group having 1 to 1 carbon atoms.
8, preferably 1 to 6, more preferably 1 to 5, a linear, branched or cyclic alkyl group, and R 8 has 1 to 18 carbon atoms, preferably 1 to 10, more preferably 1 to 8 carbon atoms.
A monovalent hydrocarbon group which may have a hetero atom such as an oxygen atom, wherein R 6 and R 7 , R 6 and R 8 , R 7 and R 8 may form a ring, When a ring is formed, R 6 , R 7 , R
And 8 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 18, preferably 1 to 10, and more preferably 1 to 8 carbon atoms. R 9 has 4 to 20, preferably 4 to 15, carbon atoms;
More preferably, it is a tertiary alkyl group having 4 to 10 carbon atoms, each alkyl group is a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms, and 4 to 20 carbon atoms, preferably 4 to 15, more preferably 4 to 15.
Oxoalkyl group of 10 to 10 or a group represented by the above general formula (4). A is an integer of 0 to 6.

【0046】R6、R7の炭素数1〜8の直鎖状、分岐状
又は環状のアルキル基としては、R 1で説明したものと
同様の基が挙げられる。
R6, R7Linear or branched having 1 to 8 carbon atoms
Or, as a cyclic alkyl group, R 1With what was explained in
Similar groups are mentioned.

【0047】R8としては、直鎖状、分岐状又は環状の
アルキル基、フェニル基、p−メチルフェニル基、p−
エチルフェニル基、p−メトキシフェニル基等のアルコ
キシ置換フェニル基等の非置換又は置換アリール基、ベ
ンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等や、これら
の基に酸素原子を有する、或いは炭素原子に結合する水
素原子が水酸基に置換されたり、2個の水素原子が酸素
原子で置換されてカルボニル基を形成する下記式で示さ
れるようなアルキル基等の基を挙げることができる。
R 8 represents a linear, branched or cyclic alkyl group, phenyl group, p-methylphenyl group, p-
Unsubstituted or substituted aryl groups such as alkoxy-substituted phenyl groups such as ethylphenyl group and p-methoxyphenyl group; aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group; and those groups having an oxygen atom or bonded to a carbon atom Examples of such groups include an alkyl group represented by the following formula, in which a hydrogen atom is substituted by a hydroxyl group, or two hydrogen atoms are substituted by an oxygen atom to form a carbonyl group.

【0048】[0048]

【化10】 Embedded image

【0049】また、R9の炭素数4〜20の3級アルキ
ル基としては、tert−ブチル基、1−メチルシクロ
ヘキシル基、2−(2−メチル)アダマンチル基、te
rt−アミル基等を挙げることができる。
The tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms for R 9 includes tert-butyl, 1-methylcyclohexyl, 2- (2-methyl) adamantyl, te
An rt-amyl group and the like can be mentioned.

【0050】各アルキル基の炭素数が1〜6のトリアル
キルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチ
ルシリル基、ジメチル−tert−ブチル基等が挙げら
れ、炭素数4〜20のオキソアルキル基としては、3−
オキソシクロヘキシル基、下記式で示される基等が挙げ
られる。
The trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group includes trimethylsilyl group, triethylsilyl group, dimethyl-tert-butyl group and the like. Examples of the oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms are: , 3-
An oxocyclohexyl group, a group represented by the following formula, and the like are given.

【0051】[0051]

【化11】 Embedded image

【0052】上記式(4)で示される酸分解性基とし
て、具体的には、例えば1−メトキシエチル基、1−エ
トキシエチル基、1−n−プロポキシエチル基、1−イ
ソプロポキシエチル基、1−n−ブトキシエチル基、1
−イソブトキシエチル基、1−sec−ブトキシエチル
基、1−tert−ブトキシエチル基、1−tert−
アミロキシエチル基、1−エトキシ−n−プロピル基、
1−シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル
基、エトキシプロピル基、1−メトキシ−1−メチル−
エチル基、1−エトキシ−1−メチル−エチル基等の直
鎖状もしくは分岐状アセタール基、テトラヒドロフラニ
ル基、テトラヒドロピラニル基等の環状アセタール基等
が挙げられ、好ましくはエトキシエチル基、ブトキシエ
チル基、エトキシプロピル基が挙げられる。一方、上記
式(5)の酸分解性基として、例えばtert−ブトキ
シカルボニル基、tert−ブトキシカルボニルメチル
基、tert−アミロキシカルボニル基、tert−ア
ミロキシカルボニルメチル基、1−エトキシエトキシカ
ルボニルメチル基、2−テトラヒドロピラニルオキシカ
ルボニルメチル基、2−テトラヒドロフラニルオキシカ
ルボニルメチル基等が挙げられる。
As the acid-decomposable group represented by the above formula (4), specifically, for example, 1-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1-isopropoxyethyl group, 1-n-butoxyethyl group, 1
-Isobutoxyethyl group, 1-sec-butoxyethyl group, 1-tert-butoxyethyl group, 1-tert-
An amyloxyethyl group, a 1-ethoxy-n-propyl group,
1-cyclohexyloxyethyl group, methoxypropyl group, ethoxypropyl group, 1-methoxy-1-methyl-
Examples thereof include a linear or branched acetal group such as an ethyl group and a 1-ethoxy-1-methyl-ethyl group, and a cyclic acetal group such as a tetrahydrofuranyl group and a tetrahydropyranyl group, and preferably an ethoxyethyl group and a butoxyethyl group. And ethoxypropyl groups. On the other hand, as the acid-decomposable group of the above formula (5), for example, tert-butoxycarbonyl group, tert-butoxycarbonylmethyl group, tert-amyloxycarbonyl group, tert-amyloxycarbonylmethyl group, 1-ethoxyethoxycarbonylmethyl group , 2-tetrahydropyranyloxycarbonylmethyl group, 2-tetrahydrofuranyloxycarbonylmethyl group and the like.

【0053】高分子シリコーン化合物としては、好まし
くは下記一般式(1a)で表わされる繰り返し単位を有
する高分子シリコーン化合物である。
The high molecular silicone compound is preferably a high molecular silicone compound having a repeating unit represented by the following general formula (1a).

【0054】[0054]

【化12】 Embedded image

【0055】(式中、Zは2価〜6価の炭素数5〜12
の単環式もしくは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水
素基、R1は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の
非置換又は置換アルキル基又はアルケニル基を示す。R
2は酸分解性基を示し、mは0又は正の整数、nは正の
整数(1以上の整数)であり、m+n≦5を満足する数
である。xは正の整数である。p1、p2は正数、qは
0又は正数であり、0<p1/(p1+p2+q)≦
0.9、0<p2/(p1+p2+q)≦0.9、0≦
q/(p1+p2+q)≦0.7、p1+p2+q=1
を満足する数である。)
Wherein Z is a divalent or hexavalent C 5-12 carbon atom
And R 1 represents a linear, branched or cyclic unsubstituted or substituted alkyl group or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, wherein R 1 is a monocyclic or polycyclic hydrocarbon group or a bridged cyclic hydrocarbon group. R
2 represents an acid-decomposable group, m is 0 or a positive integer, n is a positive integer (an integer of 1 or more), and is a number satisfying m + n ≦ 5. x is a positive integer. p1 and p2 are positive numbers, q is 0 or a positive number, and 0 <p1 / (p1 + p2 + q) ≦
0.9, 0 <p2 / (p1 + p2 + q) ≦ 0.9, 0 ≦
q / (p1 + p2 + q) ≦ 0.7, p1 + p2 + q = 1
Is a number that satisfies. )

【0056】ここで、Zは2価〜6価の炭素数5〜12
の単環式もしくは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水
素基として具体的に次の炭化水素基が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。即ち、この炭化水素基
として、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイ
ル基、シクロヘプタンジイル基、シクロペンタントリイ
ル基、シクロヘキサントリイル基、シクロヘプタントリ
イル基、シクロヘキサンテトライル基、シクロヘキサン
ペンタイル基、シクロヘキサンヘキサイル基、シクロオ
クタンジイル基、シクロナノンジイル基、シクロデカン
ジイル基、シクロオクタントリイル基、シクロナノント
リイル基、シクロデカントリイル基、ノルボルナンジイ
ル基、イソボルナンジイル基、ノルボルナントリイル
基、イソボルナントリイル基、アダマンタンジイル基、
トリシクロ[5,2,1,02,6]デカンジイル基、ア
ダマンタントリイル基、トリシクロ[5,2,1,0
2,6]デカントリイル基、トリシクロ[5,2,1,0
2,6]デカンメチレンジイル基、トリシクロ[5,2,
1,02,6]デカンメチレントリイル基等が挙げられ
る。好適には、下記一般式(3)で示される繰り返し単
位を有する高分子シリコーン化合物を挙げることができ
る。
Here, Z is divalent or hexavalent having 5 to 12 carbon atoms.
Specific examples of the monocyclic or polycyclic hydrocarbon group or the bridged cyclic hydrocarbon group include the following hydrocarbon groups, but are not limited thereto. That is, as the hydrocarbon group, a cyclopentanediyl group, a cyclohexanediyl group, a cycloheptanediyl group, a cyclopentanetriyl group, a cyclohexanetriyl group, a cycloheptanetriyl group, a cyclohexanetetrayl group, a cyclohexanepentyl group, a cyclohexane Hexayl group, cyclooctanediyl group, cyclonanonediyl group, cyclodecanediyl group, cyclooctanetriyl group, cyclonanantriyl group, cyclodecanetriyl group, norbornanediyl group, isobornanediyl group, norbornanetriyl group , Isobornantriyl group, adamantanediyl group,
Tricyclo [5,2,1,0 2,6 ] decanediyl group, adamantanetriyl group, tricyclo [5,2,1,0]
2,6 ] decantriyl group, tricyclo [5,2,1,0
2,6 ] decanemethylenediyl group, tricyclo [5,2,
1,0 2,6 ] decanemethylenetriyl group and the like. A preferred example is a high molecular silicone compound having a repeating unit represented by the following general formula (3).

【0057】[0057]

【化13】 Embedded image

【0058】(式中、R1,R2,m,n,x,p1,p
2,qはそれぞれ上記と同様の意味を示す。)R1の炭
素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換アルキル
基又はアルケニル基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル
基、tert−ブチル基、シクロヘキシル基、シクロペ
ンチル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニ
ル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等を例示でき
る。置換アルキル基又はアルケニル基としては、これら
非置換のアルキル基又はアルケニル基の水素原子の一部
又は全部が例えばシアノ基、ニトロ基、炭素数1〜5の
アルコキシ基等で置換されたものを挙げることができ
る。また、xは整数であり、1〜3、特に1〜2が好ま
しい。上記式(1)において、p1、p2は正数、qは
0又は正数であり、p1+p2+q=1を満足する数で
ある。即ちp1、p2、qは、各々、本発明の化合物の
p1の繰り返し単位、p2の繰り返し単位、qの繰り返
し単位の比率を示すものであるが、0≦q/(p1+p
2+q)≦0.7、特に0≦q/(p1+p2+q)≦
0.6であり、0.7を超えるとアルカリ不溶性となる
ので、レジスト用のベースポリマーとしては不適当であ
る。また、q/(p1+p2+q)が低すぎると耐熱性
が低下する場合がある。また、0<p1/(p1+p2
+q)≦0.9、より好ましくは0.3<p1/(p1
+p2+q)≦0.8であり、0<p2/(p1+p2
+q)≦0.9、より好ましくは0.2<p2/(p1
+p2+q)≦0.7である。p1が0になると、アル
カリ溶解速度のコントラストが小さくなり、解像度が悪
くなる場合がある。一方、0.9を超えるとアルカリに
対して溶解性がなくなったり、アルカリ現像の際に膜厚
変化や膜内応力又は気泡の発生を引き起こしたり、親水
基が少なくなるために基板との密着性が劣る場合があ
る。
(Where R 1 , R 2 , m, n, x, p1, p
2 and q have the same meanings as above. ) As a linear, branched or cyclic unsubstituted alkyl or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms for R 1 , methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert -Butyl, cyclohexyl, cyclopentyl, vinyl, allyl, propenyl, butenyl, hexenyl, cyclohexenyl and the like. Examples of the substituted alkyl group or alkenyl group include those in which part or all of the hydrogen atoms of these unsubstituted alkyl groups or alkenyl groups are substituted with, for example, a cyano group, a nitro group, or an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. be able to. Further, x is an integer, preferably 1 to 3, particularly preferably 1 or 2. In the above formula (1), p1 and p2 are positive numbers, q is 0 or a positive number, and is a number satisfying p1 + p2 + q = 1. That is, p1, p2, and q indicate the ratio of the repeating unit of p1, the repeating unit of p2, and the repeating unit of q in the compound of the present invention, respectively, and 0 ≦ q / (p1 + p
2 + q) ≦ 0.7, especially 0 ≦ q / (p1 + p2 + q) ≦
It is 0.6, and when it exceeds 0.7, it becomes insoluble in alkali, so that it is not suitable as a base polymer for resist. If q / (p1 + p2 + q) is too low, the heat resistance may decrease. Also, 0 <p1 / (p1 + p2
+ Q) ≦ 0.9, more preferably 0.3 <p1 / (p1
+ P2 + q) ≦ 0.8, and 0 <p2 / (p1 + p2)
+ Q) ≦ 0.9, more preferably 0.2 <p2 / (p1
+ P2 + q) ≦ 0.7. When p1 becomes 0, the contrast of the alkali dissolution rate becomes small and the resolution may be deteriorated. On the other hand, if it exceeds 0.9, it will not be soluble in alkali, cause a change in film thickness, stress in the film or the generation of bubbles during alkali development, and the adhesion to the substrate because the number of hydrophilic groups decreases. May be inferior.

【0059】R2の酸分解性基としては、種々選定され
るが、特に下記一般式(4)で示される基、下記一般式
(5)で示される基、炭素数4〜20の3級アルキル
基、各アルキル基の炭素数が1〜6のトリアルキルシリ
ル基及び炭素数4〜20のオキソアルキル基より選ばれ
る1種又は2種以上の基であることが好ましい。
As the acid-decomposable group for R 2 , various types are selected. Particularly, a group represented by the following general formula (4), a group represented by the following general formula (5), a tertiary group having 4 to 20 carbon atoms. The alkyl group is preferably one or two or more groups selected from a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms and an oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms.

【0060】[0060]

【化14】 Embedded image

【0061】式中、R6、R7は水素原子又は炭素数1〜
8、好ましくは1〜6、更に好ましくは1〜5の直鎖
状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R8は炭素数
1〜18、好ましくは1〜10、更に好ましくは1〜8
の酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい1価の炭
化水素基を示し、R6とR7、R6とR8、R7とR8とは環
を形成してもよく、環を形成する場合にはR6、R7、R
8はそれぞれ炭素数1〜18、好ましくは1〜10、更
に好ましくは1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基
を示す。R9は炭素数4〜20、好ましくは4〜15、
更に好ましくは4〜10の3級アルキル基、各アルキル
基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシリル基、炭
素数4〜20、好ましくは4〜15、更に好ましくは4
〜10のオキソアルキル基又は上記一般式(4)で示さ
れる基を示す。また、aは0〜6の整数である。
In the formula, R 6 and R 7 are each a hydrogen atom or a group having 1 to 1 carbon atoms.
8, preferably 1 to 6, more preferably 1 to 5, a linear, branched or cyclic alkyl group, and R 8 has 1 to 18 carbon atoms, preferably 1 to 10, more preferably 1 to 8 carbon atoms.
A monovalent hydrocarbon group which may have a hetero atom such as an oxygen atom, wherein R 6 and R 7 , R 6 and R 8 , R 7 and R 8 may form a ring, When a ring is formed, R 6 , R 7 , R
And 8 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 18, preferably 1 to 10, and more preferably 1 to 8 carbon atoms. R 9 has 4 to 20, preferably 4 to 15, carbon atoms;
More preferably, it is a tertiary alkyl group having 4 to 10 carbon atoms, each alkyl group is a trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms, and 4 to 20 carbon atoms, preferably 4 to 15, more preferably 4 to 15.
Oxoalkyl group of 10 to 10 or a group represented by the above general formula (4). A is an integer of 0 to 6.

【0062】R6、R7の炭素数1〜8の直鎖状、分岐状
又は環状のアルキル基としては、R 1で説明したものと
同様の基が挙げられる。
R6, R7Linear or branched having 1 to 8 carbon atoms
Or, as a cyclic alkyl group, R 1With what was explained in
Similar groups are mentioned.

【0063】R8としては、直鎖状、分岐状又は環状の
アルキル基、フェニル基、p−メチルフェニル基、p−
エチルフェニル基、p−メトキシフェニル基等のアルコ
キシ置換フェニル基等の非置換又は置換アリール基、ベ
ンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等や、これら
の基に酸素原子を有する、或いは炭素原子に結合する水
素原子が水酸基に置換されたり、2個の水素原子が酸素
原子で置換されてカルボニル基を形成する下記式で示さ
れるようなアルキル基等の基を挙げることができる。
R 8 represents a linear, branched or cyclic alkyl group, phenyl group, p-methylphenyl group, p-
Unsubstituted or substituted aryl groups such as alkoxy-substituted phenyl groups such as ethylphenyl group and p-methoxyphenyl group; aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group; and those groups having an oxygen atom or bonded to a carbon atom Examples of such groups include an alkyl group represented by the following formula, in which a hydrogen atom is substituted by a hydroxyl group, or two hydrogen atoms are substituted by an oxygen atom to form a carbonyl group.

【0064】[0064]

【化15】 Embedded image

【0065】また、R9の炭素数4〜20の3級アルキ
ル基としては、tert−ブチル基、1−メチルシクロ
ヘキシル基、2−(2−メチル)アダマンチル基、te
rt−アミル基等を挙げることができる。
Examples of the tertiary alkyl group having 4 to 20 carbon atoms for R 9 include a tert-butyl group, a 1-methylcyclohexyl group, a 2- (2-methyl) adamantyl group,
An rt-amyl group and the like can be mentioned.

【0066】各アルキル基の炭素数が1〜6のトリアル
キルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチ
ルシリル基、ジメチル−tert−ブチル基等が挙げら
れ、炭素数4〜20のオキソアルキル基としては、3−
オキソシクロヘキシル基、下記式で示される基等が挙げ
られる。
Examples of the trialkylsilyl group having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, dimethyl-tert-butyl group and the like. Examples of the oxoalkyl group having 4 to 20 carbon atoms are , 3-
An oxocyclohexyl group, a group represented by the following formula, and the like are given.

【0067】[0067]

【化16】 Embedded image

【0068】上記式(4)で示される酸分解性基とし
て、具体的には、例えば1−メトキシエチル基、1−エ
トキシエチル基、1−n−プロポキシエチル基、1−イ
ソプロポキシエチル基、1−n−ブトキシエチル基、1
−イソブトキシエチル基、1−sec−ブトキシエチル
基、1−tert−ブトキシエチル基、1−tert−
アミロキシエチル基、1−エトキシ−n−プロピル基、
1−シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル
基、エトキシプロピル基、1−メトキシ−1−メチル−
エチル基、1−エトキシ−1−メチル−エチル基等の直
鎖状もしくは分岐状アセタール基、テトラヒドロフラニ
ル基、テトラヒドロピラニル基等の環状アセタール基等
が挙げられ、好ましくはエトキシエチル基、ブトキシエ
チル基、エトキシプロピル基が挙げられる。一方、上記
式(5)の酸分解性基として、例えばtert−ブトキ
シカルボニル基、tert−ブトキシカルボニルメチル
基、tert−アミロキシカルボニル基、tert−ア
ミロキシカルボニルメチル基、1−エトキシエトキシカ
ルボニルメチル基、2−テトラヒドロピラニルオキシカ
ルボニルメチル基、2−テトラヒドロフラニルオキシカ
ルボニルメチル基等が挙げられる。
As the acid-decomposable group represented by the above formula (4), specifically, for example, 1-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1-isopropoxyethyl group, 1-n-butoxyethyl group, 1
-Isobutoxyethyl group, 1-sec-butoxyethyl group, 1-tert-butoxyethyl group, 1-tert-
An amyloxyethyl group, a 1-ethoxy-n-propyl group,
1-cyclohexyloxyethyl group, methoxypropyl group, ethoxypropyl group, 1-methoxy-1-methyl-
Examples thereof include a linear or branched acetal group such as an ethyl group and a 1-ethoxy-1-methyl-ethyl group, and a cyclic acetal group such as a tetrahydrofuranyl group and a tetrahydropyranyl group, and preferably an ethoxyethyl group and a butoxyethyl group. And ethoxypropyl groups. On the other hand, as the acid-decomposable group of the above formula (5), for example, tert-butoxycarbonyl group, tert-butoxycarbonylmethyl group, tert-amyloxycarbonyl group, tert-amyloxycarbonylmethyl group, 1-ethoxyethoxycarbonylmethyl group , 2-tetrahydropyranyloxycarbonylmethyl group, 2-tetrahydrofuranyloxycarbonylmethyl group and the like.

【0069】また、上記一般式(1)において、そのカ
ルボキシル基の水素原子全体の0モル%を超え90モル
%以下、好ましくは0モル%を超え80モル%以下、更
に好ましくは1〜60モル%が一般式(2a)又は(2
b)で示されるC−O−C基を有する架橋基によって分
子内及び/又は分子間で架橋されていてもよい。本発明
においては、架橋基を有する高分子化合物が好ましい。
In the above general formula (1), more than 0 mol% and not more than 90 mol%, preferably more than 0 mol% and not more than 80 mol%, more preferably 1 to 60 mol% of all hydrogen atoms of the carboxyl group. % Is represented by the general formula (2a) or (2
It may be crosslinked intramolecularly and / or intermolecularly by a crosslinking group having a C—O—C group shown in b). In the present invention, a polymer compound having a crosslinking group is preferable.

【0070】この架橋基を有する高分子化合物について
更に詳述すると、この高分子シリコーン化合物として
は、下記一般式(3a)で示される繰り返し単位を有す
るシリコーン樹脂のカルボキシル基の一部の水素原子が
酸分解性基により部分置換され、かつ残りのカルボキシ
ル基の一部とアルケニルエーテル化合物及び/又はハロ
ゲン化アルキルエーテル化合物との反応により得られ
る、C−O−C基を有する架橋基によって分子内及び/
又は分子間で架橋されており、上記酸分解性基と架橋基
との合計量が式(1)におけるカルボキシル基全体の平
均0モル%を超え80モル%以下の割合である高分子シ
リコーン化合物とすることができる。
The polymer compound having a cross-linking group will be described in more detail. As the polymer silicone compound, a part of hydrogen atoms of a carboxyl group of a silicone resin having a repeating unit represented by the following general formula (3a) is used. Intramolecular and intramolecular by a cross-linking group having a C—O—C group, which is partially substituted by an acid-decomposable group and obtained by reacting a part of the remaining carboxyl groups with an alkenyl ether compound and / or a halogenated alkyl ether compound. /
Or a high molecular weight silicone compound which is cross-linked between molecules and whose total amount of the acid-decomposable group and the cross-linking group is more than 0 mol% and not more than 80 mol% on average of the entire carboxyl group in the formula (1). can do.

【0071】[0071]

【化17】 Embedded image

【0072】(式中、R1は上記した通り炭素数1〜8
の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又は置換アルキル基
又はアルケニル基を示す。xは正の整数である。p、q
は正数であり、0≦q/(p+q)≦0.6、p+q=
1を満足する数である。)
(Wherein R 1 has 1 to 8 carbon atoms as described above)
Represents a linear, branched or cyclic unsubstituted or substituted alkyl group or alkenyl group. x is a positive integer. p, q
Is a positive number, 0 ≦ q / (p + q) ≦ 0.6, p + q =
It is a number that satisfies 1. )

【0073】上記式(3a)において、p、qは正数で
あり、p+q=1を満足する数である。即ち、p、q
は、本発明の化合物のpの繰り返し単位、qの繰り返し
単位の比率を示すものであるが、0≦q/(p+q)≦
0.6、特に、0≦q/(p+q)≦0.5であること
が好ましい。この場合q/(p+q)≦0.6を超える
とアルカリ不溶性になるので、レジスト用のベースポリ
マーとしては不適当である。また、q/(p+q)が低
すぎると耐熱性が低下する場合があるので、より好まし
くはq/(p+q)は0.2以上であることが有効であ
る。なお、p、qはその値を上記範囲内で適宜選定する
ことによりパターンの寸法制御、パターン形状コントロ
ールを任意に行うことができる。
In the above formula (3a), p and q are positive numbers and satisfy p + q = 1. That is, p, q
Represents the ratio of the repeating unit of p and the repeating unit of q in the compound of the present invention, and 0 ≦ q / (p + q) ≦
0.6, particularly preferably 0 ≦ q / (p + q) ≦ 0.5. In this case, if q / (p + q) ≦ 0.6, it becomes insoluble in alkali, and thus is not suitable as a base polymer for resist. If q / (p + q) is too low, the heat resistance may decrease. Therefore, it is more preferable that q / (p + q) be 0.2 or more. Incidentally, p and q can be arbitrarily controlled for the pattern dimension and the pattern shape by appropriately selecting their values within the above range.

【0074】このような高分子シリコーン化合物として
具体的には、下記一般式(3b)で示される繰り返し単
位を有するシリコーン樹脂のRで示されるカルボキシル
基の一部とアルケニルエーテル化合物及び/又はハロゲ
ン化アルキルエーテル化合物との反応により得られるC
−O−C基を有する架橋基によって分子内及び/又は分
子間で架橋されており、酸分解性基と架橋基との合計量
が式(1)におけるカルボキシル基全体の平均0モル%
を超え80モル%以下の割合である高分子シリコーン化
合物とすることができる。
Specific examples of such a high molecular silicone compound include a part of a carboxyl group represented by R of a silicone resin having a repeating unit represented by the following general formula (3b) and an alkenyl ether compound and / or a halogenated compound. C obtained by reaction with an alkyl ether compound
The compound is cross-linked intramolecularly and / or intermolecularly by a cross-linking group having a -OC group, and the total amount of the acid-decomposable group and the cross-linking group is 0 mol% on the average of the entire carboxyl group in the formula (1)
And at most 80 mol%.

【0075】[0075]

【化18】 Embedded image

【0076】(式中、Rはカルボキシル基又はCOOR
2を示すが、Rの少なくとも1つはカルボキシル基であ
る。R1は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非
置換又は置換アルキル基又はアルケニル基、R2は酸分
解性基を示す。xは正の整数である。m’は0又は正の
整数であり、n’は正の整数であり、m’+n’≦5を
満足する数である。p3は正数、p4は0又は正数、q
は0又は正数であり、0<p3/(p3+p4+q)≦
0.8、0≦q/(p3+p4+q)≦0.6、0.4
≦(p3+p4)/(p3+p4+q)≦1、p3+p
4+q=1を満足する数である。なお、p3+p4=p
であり、pは上記の通りである。)また、C−O−C基
を有する架橋基としては、下記一般式(2a)又は(2
b)で示されるものを挙げることができる。
Wherein R is a carboxyl group or COOR
2 wherein at least one of R is a carboxyl group. R 1 represents a linear, branched or cyclic unsubstituted or substituted alkyl or alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, and R 2 represents an acid-decomposable group. x is a positive integer. m ′ is 0 or a positive integer, n ′ is a positive integer, and is a number that satisfies m ′ + n ′ ≦ 5. p3 is a positive number, p4 is 0 or a positive number, q
Is 0 or a positive number, and 0 <p3 / (p3 + p4 + q) ≦
0.8, 0 ≦ q / (p3 + p4 + q) ≦ 0.6, 0.4
≦ (p3 + p4) / (p3 + p4 + q) ≦ 1, p3 + p
This is a number that satisfies 4 + q = 1. Note that p3 + p4 = p
And p is as described above. ) In addition, as a crosslinking group having a C—O—C group, the following general formula (2a) or (2a)
What is shown by b) can be mentioned.

【0077】[0077]

【化19】 Embedded image

【0078】(式中、R3、R4は水素原子又は炭素数1
〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又
は、R3とR4とは環を形成してもよく、環を形成する場
合にはR3、R4は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のア
ルキレン基を示す。R5は炭素数1〜10の直鎖状又は
分岐状のアルキレン基、dは0又は1〜10の整数であ
る。Aは、(c’+1)価の炭素数1〜50の脂肪族も
しくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘ
テロ環基(好ましくは炭素数1〜20の直鎖状又は分岐
状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテト
ライル基、又は炭素数6〜30のアリーレン基)を示
し、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、ま
たその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カ
ルボキシル基、アシル基又はフッ素原子によって置換さ
れていてもよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O−
又は−NHCONH−を示す。c’は1〜7の整数であ
る。)
(Wherein R 3 and R 4 are each a hydrogen atom or a carbon atom
And represents a linear, branched or cyclic alkyl group of from 8 to 8. Alternatively, R 3 and R 4 may form a ring, and when forming a ring, R 3 and R 4 each represent a linear or branched alkylene group having 1 to 8 carbon atoms. R 5 is a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and d is 0 or an integer of 1 to 10. A represents a (c ′ + 1) -valent aliphatic or alicyclic saturated hydrocarbon group having 1 to 50 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group (preferably a linear or branched C 1 to C 20 Alkylene group, alkyltriyl group, alkyltetrayl group, or arylene group having 6 to 30 carbon atoms), and these groups may have a heteroatom interposed therebetween, and hydrogen bonded to the carbon atom Some of the atoms may be substituted by a hydroxyl group, a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom. B is -CO-O-, -NHCO-O-
Or -NHCONH-. c ′ is an integer of 1 to 7. )

【0079】ここで、炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又
は環状のアルキル基としては上述したものと同様のもの
を例示することができる。なお、Aの具体例は後述す
る。この架橋基(2a)、(2b)は、後述するアルケ
ニルエーテル化合物、ハロゲン化アルキルエーテル化合
物に由来する。架橋基は、上記式(2a)、(2b)の
c’の値から明らかなように、2価に限られず、3価〜
8価の基でもよい。例えば、2価の架橋基としては、下
記式(2a’)、(2b’)、3価の架橋基としては、
下記式(2a’’)、(2b’’)で示されるものが挙
げられる。
Here, examples of the linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 8 carbon atoms are the same as those described above. A specific example of A will be described later. The crosslinking groups (2a) and (2b) are derived from alkenyl ether compounds and halogenated alkyl ether compounds described below. As is clear from the value of c ′ in the above formulas (2a) and (2b), the crosslinking group is not limited to divalent but trivalent to
It may be an octavalent group. For example, as a divalent crosslinking group, the following formulas (2a ′) and (2b ′)
Examples represented by the following formulas (2a ″) and (2b ″) are given.

【0080】[0080]

【化20】 Embedded image

【0081】なお、好ましい架橋基は下記一般式(2
a''')又は(2b''')である。
A preferred crosslinking group is represented by the following general formula (2)
a ''') or (2b''').

【0082】[0082]

【化21】 Embedded image

【0083】(式中、R3、R4、R5、dは前述と同義
である。A’は、c''価の炭素数1〜20の直鎖状、分
岐状又は環状のアルキレン基、アルキルトリイル基、ア
ルキルテトライル基、炭素数6〜30のアリーレン基を
示し、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、
またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、
カルボキシル基、アシル基又はフッ素原子によって置換
されていてもよい。Bは−CO−O−、−NHCO−O
−又は−NHCONH−を示す。c''は2〜4、c'''
は1〜3の整数である。)
(Wherein, R 3 , R 4 , R 5 and d have the same meanings as described above. A ′ is a linear, branched or cyclic alkylene group having a c ″ valency and having 1 to 20 carbon atoms) Represents an alkyltriyl group, an alkyltetrayl group, an arylene group having 6 to 30 carbon atoms, and these groups may have a hetero atom interposed;
Some of the hydrogen atoms bonded to the carbon atoms are hydroxyl groups,
It may be substituted by a carboxyl group, an acyl group or a fluorine atom. B is -CO-O-, -NHCO-O
-Or -NHCONH-. c ″ is 2-4, c ″ ′
Is an integer of 1 to 3. )

【0084】本発明の上記式(3a)の高分子シリコー
ン化合物としては、具体的な例として、下記一般式(3
c)で示される繰り返し単位を有するシリコーン樹脂の
Rで示されるカルボキシル基の水素原子が取れてその末
端酸素原子が上記一般式(2a)又は(2b)で示され
るC−O−C基を有する2価以上の架橋基により分子内
及び/又は分子間で架橋されており、酸分解性基と架橋
基との合計量が式(3a)におけるカルボキシル基全体
の平均0モル%を超え80モル%以下の割合である高分
子シリコーン化合物を挙げることができる。
As specific examples of the high molecular silicone compound of the above formula (3a) of the present invention, the following general formula (3a)
The hydrogen atom of the carboxyl group represented by R of the silicone resin having the repeating unit represented by c) is removed, and the terminal oxygen atom has a C—O—C group represented by the above general formula (2a) or (2b). Crosslinked intramolecularly and / or intermolecularly by a divalent or higher valent crosslinkable group, and the total amount of the acid-decomposable group and the crosslinkable group is more than 80 mol% on average exceeding 0 mol% of the whole carboxyl group in the formula (3a). Polymer silicone compounds having the following ratios can be mentioned.

【0085】[0085]

【化22】 Embedded image

【0086】(式中、Rはカルボキシル基又はCOOR
2を示すが、Rの少なくとも1つはカルボキシル基であ
る。R1は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非
置換又は置換アルキル基又はアルケニル基を示し、R2
は上述した通りの酸分解性基を示す。p31は正数、p
32、p4、qは0又は正数であり、0<p31/(p
31+p32+p4+q)≦0.8、0≦p4/(p3
1+p32+p4+q)≦0.8、0≦q/(p31+
p32+p4+q)≦0.6、0.4≦(p31+p3
2+p4)/(p31+p32+p4+q)≦1、p3
1+p32+p4+q=1を満足する数である。xは正
の整数である。m’は0又は正の整数であり、n’は正
の整数であり、m’+n’≦5を満足する数である。な
お、p31+p32=p3であり、p3は上記の通りで
ある。) p31、p32、p4、qは上述した数を示すが、より
好ましくは、p31、p32、p4、qの値は下記の通
りである。
(Wherein R is a carboxyl group or COOR
2 wherein at least one of R is a carboxyl group. R 1 is a straight, branched or cyclic unsubstituted or substituted alkyl or alkenyl of 1 to 8 carbon atoms, R 2
Represents an acid-decomposable group as described above. p31 is a positive number, p
32, p4, and q are 0 or a positive number, and 0 <p31 / (p
31 + p32 + p4 + q) ≦ 0.8, 0 ≦ p4 / (p3
1 + p32 + p4 + q) ≦ 0.8, 0 ≦ q / (p31 +
p32 + p4 + q) ≦ 0.6, 0.4 ≦ (p31 + p3
2 + p4) / (p31 + p32 + p4 + q) ≦ 1, p3
This is a number that satisfies 1 + p32 + p4 + q = 1. x is a positive integer. m ′ is 0 or a positive integer, n ′ is a positive integer, and is a number that satisfies m ′ + n ′ ≦ 5. Note that p31 + p32 = p3, where p3 is as described above. P31, p32, p4, and q indicate the numbers described above, and more preferably, the values of p31, p32, p4, and q are as follows.

【0087】[0087]

【数1】 (Equation 1)

【0088】この高分子化合物の例としては、下記式
(3’−1)、(3’−2)で示されるものを挙げるこ
とができる。
Examples of the polymer compound include those represented by the following formulas (3′-1) and (3′-2).

【0089】[0089]

【化23】 Embedded image

【0090】[0090]

【化24】 Embedded image

【0091】なお、上記式中、p41、p42はそれぞ
れ0又は正数であるが、p41とp42は同時に0とな
ることはない。p41+p42=p4である。式(3’
−1)は分子間結合、式(3’−2)は分子内結合をし
ている状態を示し、これらはそれぞれ単独で又は混在し
ていてもよい。ここで、p41/(p41+p42)は
好ましくは0.1〜1、より好ましくは0.5〜1、更
に好ましくは0.7〜1である。
In the above formula, p41 and p42 are each 0 or a positive number, but p41 and p42 are never 0 at the same time. p41 + p42 = p4. Equation (3 '
-1) indicates an intermolecular bond, and formula (3'-2) indicates a state of an intramolecular bond, and these may be used alone or in combination. Here, p41 / (p41 + p42) is preferably 0.1 to 1, more preferably 0.5 to 1, and still more preferably 0.7 to 1.

【0092】QはC−O−C基を有する架橋基、典型的
には上記式(2a)又は(2b)で示される架橋基、特
に式(2a’)、(2b’)や(2a’’)、(2
b’’)、好ましくは(2a’’’)、(2b’’’)
で示される架橋基である。この場合、架橋基が3価以上
の場合、上記式(3a)において、下記の単位の3個以
上にQが結合したものとなる。
Q is a crosslinking group having a C—O—C group, typically a crosslinking group represented by the above formula (2a) or (2b), in particular, a formula (2a ′), (2b ′) or (2a ′) '), (2
b "), preferably (2a""),(2b"")
Is a cross-linking group. In this case, when the cross-linking group is trivalent or more, in the above formula (3a), Q is bonded to three or more of the following units.

【0093】[0093]

【化25】 Embedded image

【0094】本発明の上記式(3a)の高分子シリコー
ン化合物は、そのカルボキシル基の一部の水素原子が酸
分解性基及び上記C−O−C基を有する架橋基で置換さ
れているものであるが、より好ましくは、酸分解性基と
架橋基との合計が式(3a)におけるカルボキシル基の
全体に対して平均0モル%を超え80モル%以下、特に
2〜40モル%であることが好ましい。
The high molecular weight silicone compound of the above formula (3a) of the present invention has a carboxyl group in which a part of hydrogen atoms is substituted by an acid-decomposable group and a crosslinkable group having a CO—C group. More preferably, the sum of the acid-decomposable group and the cross-linking group is more than 0 mol% on average and not more than 80 mol%, particularly 2 to 40 mol%, based on the total carboxyl groups in the formula (3a) Is preferred.

【0095】この場合、式(3a)におけるカルボキシ
ル基の全体に対するC−O−C基を有する架橋基の割合
は平均0モル%を超え80モル%以下、特に1〜20モ
ル%が好ましい。0モル%となると、アルカリ溶解速度
のコントラストが小さくなり、架橋基の長所を引き出す
ことができなくなり、解像度が悪くなる。一方、80モ
ル%を超えると、架橋しすぎてゲル化し、アルカリに対
して溶解性がなくなったり、アルカリ現像の際に膜厚変
化や膜内応力又は気泡の発生を引き起こしたり、親水基
が少なくなるために基板との密着性に劣る場合がある。
In this case, the proportion of the crosslinking group having a C—O—C group to the entire carboxyl group in the formula (3a) is more than 0 mol% on average and 80 mol% or less, preferably 1 to 20 mol%. When the content is 0 mol%, the contrast of the alkali dissolution rate becomes small, and the advantage of the cross-linking group cannot be brought out, resulting in poor resolution. On the other hand, if it exceeds 80 mol%, it crosslinks too much and gels, loses its solubility in alkali, causes a change in film thickness, the generation of stress in the film or the generation of bubbles during alkali development, and the reduction of hydrophilic groups. Therefore, the adhesion to the substrate may be poor.

【0096】式(3a)におけるカルボキシル基の全体
に対する酸分解性基の割合は、平均0モル%を超え80
モル%以下、特に10〜40モル%が好ましい。0モル
%になるとアルカリ溶解速度のコントラストが小さくな
り、解像度が悪くなる。一方、80モル%を超えるとア
ルカリに対する溶解性がなくなったり、アルカリ現像の
際に現像液との親和性が低くなり、解像性が劣る場合が
ある。
The ratio of the acid-decomposable group to the total carboxyl group in the formula (3a) is more than 0 mol% on average and is more than 80 mol%.
It is preferably at most mol%, particularly preferably from 10 to 40 mol%. At 0 mol%, the contrast of the alkali dissolution rate becomes small, and the resolution becomes poor. On the other hand, if it exceeds 80 mol%, the solubility in alkali may be lost, or the affinity with a developing solution may be reduced during alkali development, resulting in poor resolution.

【0097】なお、C−O−C基を有する架橋基及び酸
分解性基はその値を上記範囲内で適宜選定することによ
りパターンの寸法制御、パターンの形状コントロールを
任意に行うことができる。本発明の高分子シリコーン化
合物において、C−O−C基を有する架橋基及び酸分解
性基の含有量は、レジスト膜の溶解速度のコントラスト
に影響し、パターン寸法制御、パターン形状等のレジス
ト材料の特性にかかわるものである。
The size of the pattern and the shape of the pattern can be arbitrarily controlled by appropriately selecting the values of the crosslinking group and the acid-decomposable group having a C—O—C group within the above ranges. In the polymer silicone compound of the present invention, the content of the crosslinking group having a C—O—C group and the acid-decomposable group affects the contrast of the dissolution rate of the resist film, and controls the resist dimensions such as pattern dimension control and pattern shape. It is related to the characteristics of

【0098】ここで、上記高分子シリコーン化合物は分
子内に2種以上の酸分解性基を持つものでもよく、異な
る酸分解性基を持つ2種以上のポリマー同士をブレンド
してもよい。
Here, the high molecular silicone compound may have two or more acid-decomposable groups in the molecule, or two or more polymers having different acid-decomposable groups may be blended.

【0099】本発明の高分子シリコーン化合物は、重量
平均分子量が1,000〜500,000、好ましくは
1,500〜300,000である。重量平均分子量が
1,000に満たないとレジスト材料が耐熱性に劣るも
のとなり、500,000を超えるとレジスト材料をス
ピンコートするとき均一に塗布することができなくな
る。
The high molecular weight silicone compound of the present invention has a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000, preferably 1,500 to 300,000. When the weight average molecular weight is less than 1,000, the resist material has poor heat resistance, and when it exceeds 500,000, the resist material cannot be uniformly applied when spin-coated.

【0100】次に、本発明の上記式(1)の高分子シリ
コーン化合物の製造方法について説明すると、この高分
子シリコーン化合物はカルボン酸アルキルエステル基が
結合した2価〜6価の炭素数5〜12の単環式もしくは
多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基を有するトリ
クロロシラン化合物及び必要に応じて直鎖状、分岐状又
は環状のアルキル基のトリクロロシラン化合物を加水分
解し、加水分解縮合物を更に熱縮合した後、アルキルエ
ステル基を一般的な方法によって加水分解(KOH、N
aOH等)して下記式(1’)の高分子シリコーン化合
物を得ることができる。なお、保存安定性を考慮して主
鎖末端のシラノール基を保護するためにトリメチルシリ
ル化することが好ましい。得られた高分子シリコーン化
合物のカルボキシル基に酸分解性基を導入し、目的とす
る高分子シリコーン化合物を得ることができる。
Next, the method for producing the high molecular silicone compound of the above formula (1) of the present invention will be described. The high molecular silicone compound has a divalent to hexavalent carbon number of 5 to 6 having a carboxylic acid alkyl ester group bonded thereto. Hydrolyzing a trichlorosilane compound having 12 monocyclic or polycyclic hydrocarbon groups or a bridged cyclic hydrocarbon group and, if necessary, a linear, branched or cyclic alkyl group, After further thermal condensation of the hydrolyzed condensate, the alkyl ester group is hydrolyzed (KOH, N
aOH or the like) to obtain a high molecular silicone compound of the following formula (1 ′). Note that trimethylsilylation is preferable in order to protect the silanol group at the main chain terminal in consideration of storage stability. By introducing an acid-decomposable group into the carboxyl group of the obtained high molecular silicone compound, the desired high molecular silicone compound can be obtained.

【0101】[0101]

【化26】 Embedded image

【0102】(式中、R1、p1、p2、Z、q、xは
上記と同様の意味を示し、この場合x=m+nを示
す。) ここで、酸分解性基の導入は公知の方法によって行うこ
とができる。また、C−O−C基を有する架橋基により
架橋させる方法は、アルケニルエーテル化合物又はハロ
ゲン化アルキルエーテル化合物を使用する方法を挙げる
ことができる。
(In the formula, R 1 , p 1 , p 2, Z, q, and x have the same meanings as above, and in this case, x = m + n.) Here, the acid-decomposable group is introduced by a known method. Can be done by Examples of the method of crosslinking with a crosslinking group having a C—O—C group include a method using an alkenyl ether compound or a halogenated alkyl ether compound.

【0103】即ち、C−O−C基を有する架橋基を持つ
本発明の高分子シリコーン化合物を製造する方法として
は、例えば、上記の重合方法により得られた高分子シリ
コーン化合物(1’)のカルボキシル基に一般式(4)
で示される酸分解性基を導入し、単離後、アルケニルエ
ーテル化合物もしくはハロゲン化アルキルエーテル化合
物との反応により分子内及び/又は分子間でC−O−C
基を有する架橋基により架橋させる方法、或いはアルケ
ニルエーテル化合物もしくはハロゲン化アルキルエーテ
ル化合物との反応により分子内及び/又は分子間でC−
O−Cで示される基により架橋させ、単離後、一般式
(4)で示される酸分解性基を導入する方法、或いはア
ルケニルエーテル化合物もしくはハロゲン化アルキルエ
ーテル化合物との反応と一般式(4)で示される酸分解
性基の導入を一括に行う方法が挙げられるが、アルケニ
ルエーテル化合物もしくはハロゲン化アルキルエーテル
化合物との反応と一般式(4)で示される酸分解性基の
導入を一括に行う方法が好ましい。また、これによって
得られた高分子シリコーン化合物に、必要に応じて一般
式(5)で示される酸分解性基、3級アルキル基、トリ
アルキルシリル基、オキソアルキル基等の導入を行うこ
とも可能である。
That is, as a method for producing the polymer silicone compound of the present invention having a crosslinkable group having a C—O—C group, for example, the polymer silicone compound (1 ′) obtained by the above polymerization method may be used. General formula (4) for carboxyl group
Is introduced, and after isolation, is reacted with an alkenyl ether compound or a halogenated alkyl ether compound to form C—O—C within the molecule and / or between the molecules.
A method of cross-linking by a cross-linking group having a group, or a reaction with an alkenyl ether compound or a halogenated alkyl ether compound to cause intramolecular and / or intermolecular C-
After crosslinking with a group represented by OC and isolation, a method of introducing an acid-decomposable group represented by the general formula (4), or a reaction with an alkenyl ether compound or a halogenated alkyl ether compound and the general formula (4) )), The reaction with an alkenyl ether compound or a halogenated alkyl ether compound and the introduction of the acid-decomposable group represented by the general formula (4) are collectively performed. The preferred method is to do so. In addition, an acid-decomposable group represented by the general formula (5), a tertiary alkyl group, a trialkylsilyl group, an oxoalkyl group, or the like may be introduced into the polymer silicone compound obtained as needed. It is possible.

【0104】具体的には、第1方法として、上記式
(1’)で示される繰り返し単位を有する高分子シリコ
ーン化合物と、下記一般式(I)又は(II)で示され
るアルケニルエーテル化合物と、下記一般式(4a)で
示される化合物を用いる方法、第2方法として、上記式
(1’)で示される繰り返し単位を有する高分子シリコ
ーン化合物と、下記一般式(VI)又は(VII)で示
されるハロゲン化アルキルエーテル化合物と、下記一般
式(4b)で示される化合物を用いる方法が挙げられ
る。
Specifically, as a first method, a high molecular silicone compound having a repeating unit represented by the above formula (1 ′), an alkenyl ether compound represented by the following general formula (I) or (II): As a second method using a compound represented by the following general formula (4a), a polymer silicone compound having a repeating unit represented by the above formula (1 ′) and a polymer silicone compound represented by the following general formula (VI) or (VII) Using a halogenated alkyl ether compound and a compound represented by the following general formula (4b).

【0105】[0105]

【化27】 Embedded image

【0106】ここで、R1、Z、R4、R5、R7、R8
p1、p2、q、xは上記と同様の意味を示し、また、
3a、R6aは水素原子又は炭素数1〜7の直鎖状、分岐
状又は環状のアルキル基を示す。
Here, R 1 , Z, R 4 , R 5 , R 7 , R 8 ,
p1, p2, q and x have the same meanings as described above,
R 3a and R 6a each represent a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 7 carbon atoms.

【0107】更に、式(I)又は(II)で示されるビ
ニルエーテル化合物において、Aはc価(cは2〜8を
示す)の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭
化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、B
は−CO−O−、−NHCOO−又は−NHCONH−
を示し、R5は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のア
ルキレン基を示し、dは0又は1〜10の整数を示す。
Further, in the vinyl ether compound represented by the formula (I) or (II), A is a c-valent (c is 2 to 8) aliphatic or alicyclic saturated hydrocarbon group having 1 to 50 carbon atoms. Represents an aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group,
Is -CO-O-, -NHCOO- or -NHCONH-
R 5 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and d represents 0 or an integer of 1 to 10.

【0108】具体的には、Aのc価の脂肪族もしくは脂
環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基としては、好ま
しくは炭素数1〜50、特に1〜40のO、NH、N
(CH 3)、S、SO2等のヘテロ原子が介在してもよい
非置換又は水酸基、カルボキシル基、アシル基又はフッ
素原子置換のアルキレン基、好ましくは炭素数6〜5
0、特に6〜40のアリーレン基、これらアルキレン基
とアリーレン基とが結合した基、上記各基の炭素原子に
結合した水素原子が脱離したc’’価(c’’は3〜8
の整数)の基が挙げられ、更にc価のヘテロ環基、この
ヘテロ環基と上記炭化水素基とが結合した基などが挙げ
られる。上記Aにおける「ヘテロ原子が介在した」基と
は、脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテ
ロ環基とヘテロ原子が一緒になって形成した(c’+
1)価の基を意味する。
Specifically, an aliphatic or fatty substance having a c value of A
Preferred as cyclic saturated hydrocarbon groups and aromatic hydrocarbon groups are
Or O, NH, N having 1 to 50, especially 1 to 40 carbon atoms
(CH Three), S, SOTwoHeteroatoms such as
Unsubstituted or hydroxyl group, carboxyl group, acyl group or fluoro group
A substituted alkylene group, preferably having 6 to 5 carbon atoms
0, especially 6 to 40 arylene groups, these alkylene groups
And an arylene group are bonded to each other,
The c ″ value (c ″ is 3 to 8) from which the bonded hydrogen atom is eliminated.
And an integer c), and further a c-valent heterocyclic group,
Examples include a group in which a heterocyclic group is bonded to the above hydrocarbon group.
Can be The “heteroatom-intervened” group in A above;
Represents an alicyclic saturated hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group or
(C ′ +)
1) It means a valence group.

【0109】具体的に例示すると、Aとして下記のもの
が挙げられる。
Specific examples include the following.

【0110】[0110]

【化28】 Embedded image

【0111】[0111]

【化29】 Embedded image

【0112】[0112]

【化30】 Embedded image

【0113】[0113]

【化31】 Embedded image

【0114】一般式(I)で示される化合物は、例え
ば、Stephen.C.Lapin,Polymer
s Paint Colour Journal.179
(4237)、321(1988)に記載されている方
法、即ち多価アルコールもしくは多価フェノールとアセ
チレンとの反応、又は多価アルコールもしくは多価フェ
ノールとハロゲン化アルキルビニルエーテルとの反応に
より合成することができる。
The compound represented by the general formula (I) is described, for example, in Stephen. C. Lapin, Polymer
s Paint Color Journal. 179
(4237), 321 (1988), that is, by a reaction between a polyhydric alcohol or polyhydric phenol and acetylene, or a reaction between a polyhydric alcohol or polyhydric phenol and a halogenated alkyl vinyl ether. it can.

【0115】式(I)の化合物の具体例として、エチレ
ングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコー
ルジビニルエーテル、1,2−プロパンジオールジビニ
ルエーテル、1,3−プロパンジオールジビニルエーテ
ル、1,3−ブタンジオールジビニルエーテル、1,4
−ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレング
リコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジ
ビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエ
ーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、ヘ
キサンジオールジビニルエーテル、1,4−シクロヘキ
サンジオールジビニルエーテル、テトラエチレングリコ
ールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニル
エーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、
ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビト
ールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニル
エーテル、エチレングリコールジエチレンビニルエーテ
ル、トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテ
ル、エチレングリコールジプロピレンビニルエーテル、
トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、ト
リメチロールプロパントリエチレンビニルエーテル、ト
リメチロールプロパンジエチレンビニルエーテル、ペン
タエリスリトールジエチレンビニルエーテル、ペンタエ
リスリトールトリエチレンビニルエーテル、ペンタエリ
スリトールテトラエチレンビニルエーテル並びに以下の
式(I−1)〜(I−31)で示される化合物を挙げる
ことができるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples of the compound of the formula (I) include ethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, 1,2-propanediol divinyl ether, 1,3-propanediol divinyl ether, and 1,3-butanediol divinyl ether. Vinyl ether, 1,4
-Butanediol divinyl ether, tetramethylene glycol divinyl ether, neopentyl glycol divinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, trimethylolethane trivinyl ether, hexanediol divinyl ether, 1,4-cyclohexanediol divinyl ether, tetraethylene glycol divinyl ether, Pentaerythritol divinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether,
Pentaerythritol tetravinyl ether, sorbitol tetravinyl ether, sorbitol pentavinyl ether, ethylene glycol diethylene vinyl ether, triethylene glycol diethylene vinyl ether, ethylene glycol dipropylene vinyl ether,
Triethylene glycol diethylene vinyl ether, trimethylolpropane triethylene vinyl ether, trimethylolpropane diethylene vinyl ether, pentaerythritol diethylene vinyl ether, pentaerythritol triethylene vinyl ether, pentaerythritol tetraethylene vinyl ether, and the following formulas (I-1) to (I-31) However, the present invention is not limited thereto.

【0116】[0116]

【化32】 Embedded image

【0117】[0117]

【化33】 Embedded image

【0118】[0118]

【化34】 Embedded image

【0119】[0119]

【化35】 Embedded image

【0120】[0120]

【化36】 Embedded image

【0121】一方、Bが−CO−O−の場合の上記一般
式(II)で示される化合物は、多価カルボン酸とハロ
ゲン化アルキルビニルエーテルとの反応により製造する
ことができる。Bが−CO−O−の場合の式(II)で
示される化合物の具体例としては、テレフタル酸ジエチ
レンビニルエーテル、フタル酸ジエチレンビニルエーテ
ル、イソフタル酸ジエチレンビニルエーテル、フタル酸
ジプロピレンビニルエーテル、テレフタル酸ジプロピレ
ンビニルエーテル、イソフタル酸ジプロピレンビニルエ
ーテル、マレイン酸ジエチレンビニルエーテル、フマル
酸ジエチレンビニルエーテル、イタコン酸ジエチレンビ
ニルエーテル等を挙げることができるが、これらに限定
されるものではない。
On the other hand, when B is -CO-O-, the compound represented by the general formula (II) can be produced by reacting a polyvalent carboxylic acid with a halogenated alkyl vinyl ether. Specific examples of the compound represented by the formula (II) when B is -CO-O- include diethylene vinyl ether terephthalate, diethylene vinyl ether phthalate, diethylene vinyl ether isophthalate, dipropylene vinyl ether phthalate, and dipropylene vinyl ether terephthalate. Diethylene vinyl ether isophthalate, diethylene vinyl ether maleate, diethylene vinyl ether fumarate, diethylene vinyl ether itaconate, and the like, but are not limited thereto.

【0122】更に、本発明において好適に用いられるア
ルケニルエーテル基含有化合物としては、下記一般式
(III)、(IV)又は(V)等で示される活性水素
を有するアルケニルエーテル化合物とイソシアナート基
を有する化合物との反応により合成されるアルケニルエ
ーテル基含有化合物を挙げることができる。
The alkenyl ether group-containing compound preferably used in the present invention includes an alkenyl ether compound having an active hydrogen represented by the following general formula (III), (IV) or (V) and an isocyanate group. Alkenyl ether group-containing compounds synthesized by a reaction with a compound having the alkenyl ether group.

【0123】[0123]

【化37】 Embedded image

【0124】(R3a、R4、R5は上記と同様の意味を示
す。)
(R 3a , R 4 and R 5 have the same meanings as described above.)

【0125】Bが−NHCOO−又は−NHCONH−
の場合の上記一般式(II)で示されるイソシアナート
基を有する化合物としては、例えば架橋剤ハンドブック
(大成社刊、1981年発行)に記載の化合物を用いる
ことができる。具体的には、トリフェニルメタントリイ
ソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ト
リレンジイソシアナート、2,4−トリレンジイソシア
ナートの二量体、ナフタレン−1,5−ジイソシアナー
ト、o−トリレンジイソシアナート、ポリメチレンポリ
フェニルイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナ
ート等のポリイソシアナート型、トリレンジイソシアナ
ートとトリメチロールプロパンの付加体、ヘキサメチレ
ンジイソシアナートと水との付加体、キシレンジイソシ
アナートとトリメチロールプロパンとの付加体等のポリ
イソシアナートアダクト型等を挙げることができる。上
記イソシアナート基含有化合物と活性水素含有アルケニ
ルエーテル化合物とを反応させることにより末端にアル
ケニルエーテル基を持つ種々の化合物ができる。このよ
うな化合物として以下の式(II−1)〜(II−1
1)で示されるものを挙げることができるが、これらに
限定されるものではない。
B is -NHCOO- or -NHCONH-
In the above case, as the compound having an isocyanate group represented by the general formula (II), for example, a compound described in Handbook of Crosslinking Agent (published by Taiseisha, 1981) can be used. Specifically, triphenylmethane triisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, a dimer of 2,4-tolylene diisocyanate, naphthalene-1,5-diisocyanate, o-tolylene diisocyanate Polyisocyanate type such as nate, polymethylene polyphenyl isocyanate, hexamethylene diisocyanate, adduct of tolylene diisocyanate and trimethylolpropane, adduct of hexamethylene diisocyanate and water, xylene diisocyanate Examples thereof include polyisocyanate adducts such as adducts with trimethylolpropane. By reacting the above-mentioned isocyanate group-containing compound with an active hydrogen-containing alkenyl ether compound, various compounds having an alkenyl ether group at a terminal can be obtained. Such compounds are represented by the following formulas (II-1) to (II-1)
Examples shown in 1) can be cited, but are not limited thereto.

【0126】[0126]

【化38】 Embedded image

【0127】[0127]

【化39】 Embedded image

【0128】上記第1方法においては、例えば式(3
a)の高分子シリコーン化合物を得る場合、重量平均分
子量が1,000〜50,000であり、好ましくは下
記一般式(3’)で示される高分子化合物のカルボキシ
ル基の1モルに対してp31モルの一般式(I)、(I
I)で示されるアルケニルエーテル化合物及びp41+
p42モルの一般式(4a)で示される化合物を反応さ
せて、例えば下記一般式(3a’−1)、(3a’−
2)で示される高分子化合物を得ることができる。
In the first method, for example, the following equation (3)
When the high molecular silicone compound of a) is obtained, the weight average molecular weight is 1,000 to 50,000, and preferably p31 with respect to 1 mol of the carboxyl group of the high molecular compound represented by the following general formula (3 ′). Moles of the general formulas (I), (I
An alkenyl ether compound represented by I) and p41 +
By reacting p42 mol of the compound represented by the general formula (4a), for example, the following general formulas (3a'-1) and (3a'-
The polymer compound represented by 2) can be obtained.

【0129】[0129]

【化40】 Embedded image

【0130】ここで、R1、x、p31、p41、p4
2、p32、qは上記と同様の意味を示し、p31+p
41+p42+p32+q=1である。
Here, R 1 , x, p31, p41, p4
2, p32 and q have the same meaning as described above, and p31 + p
41 + p42 + p32 + q = 1.

【0131】[0131]

【化41】 Embedded image

【0132】[0132]

【化42】 Embedded image

【0133】上記式においてQ、m’、n’及びその他
の符号は上記と同じである。第1の方法において、反応
溶媒としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミド、テトラヒドロフラン、酢酸エチル等の非プロト
ン性極性溶媒が好ましく、単独でも2種以上混合して使
用してもかまわない。
In the above formula, Q, m ', n' and other symbols are the same as above. In the first method, the reaction solvent is preferably an aprotic polar solvent such as dimethylformamide, dimethylacetamide, tetrahydrofuran, or ethyl acetate, and may be used alone or as a mixture of two or more.

【0134】触媒の酸としては、塩酸、硫酸、トリフル
オロメタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、メタ
ンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、p−トルエンスルホ
ン酸ピリジニウム塩等が好ましく、その使用量は反応す
る一般式(1’)で示される高分子化合物のカルボキシ
ル基の1モルに対して0.1〜10モル%であることが
好ましい。
As the acid for the catalyst, hydrochloric acid, sulfuric acid, trifluoromethanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, trifluoroacetic acid, pyridinium p-toluenesulfonate and the like are preferable. It is preferable that the content is 0.1 to 10 mol% with respect to 1 mol of the carboxyl group of the polymer compound represented by the formula (1 ′).

【0135】反応温度としては−20〜100℃、好ま
しくは0〜60℃であり、反応時間としては0.2〜1
00時間、好ましくは0.5〜20時間である。
The reaction temperature is -20 to 100 ° C, preferably 0 to 60 ° C, and the reaction time is 0.2 to 1
00 hours, preferably 0.5 to 20 hours.

【0136】上記反応を単離せずに一括して行う場合、
一般式(I)又は(II)で示されるアルケニルエーテ
ル化合物と一般式(4a)で示される化合物を添加する
順序は特に限定されないが、初めに一般式(4a)で示
される化合物を添加し、反応が十分進行した後に一般式
(I)又は(II)で示されるアルケニルエーテル化合
物を添加するのが好ましい。例えば一般式(I)又は
(II)で示されるアルケニルエーテル化合物と一般式
(4a)で示される化合物を同時に添加したり、一般式
(I)又は(II)で示されるアルケニルエーテル化合
物を先に添加した場合には、一般式(I)又は(II)
で示されるアルケニルエーテル化合物の反応点の一部が
反応系中の水分により加水分解され、生成した高分子化
合物の構造が複雑化し、物性の制御が困難となる場合が
ある。
When the above reactions are carried out collectively without isolation,
The order of adding the alkenyl ether compound represented by the general formula (I) or (II) and the compound represented by the general formula (4a) is not particularly limited, but first, the compound represented by the general formula (4a) is added, After the reaction has sufficiently proceeded, it is preferable to add the alkenyl ether compound represented by the general formula (I) or (II). For example, the alkenyl ether compound represented by the general formula (I) or (II) and the compound represented by the general formula (4a) are added simultaneously, or the alkenyl ether compound represented by the general formula (I) or (II) is added first. When added, the compound represented by the general formula (I) or (II)
In some cases, a part of the reaction points of the alkenyl ether compound represented by the formula (1) is hydrolyzed by water in the reaction system, the structure of the produced polymer compound becomes complicated, and the control of physical properties may be difficult.

【0137】[0137]

【化43】 Embedded image

【0138】(式中、R1、R3〜R5、R6a、R7
8、Z、p1、p2、q、x、A、B、c、dはそれ
ぞれ上記と同様の意味を示し、Z1はハロゲン原子(C
l、Br又はI)である。)
(Wherein R 1 , R 3 -R 5 , R 6a , R 7 ,
R 8 , Z, p1, p2, q, x, A, B, c, and d each have the same meaning as described above, and Z 1 is a halogen atom (C
1, Br or I). )

【0139】なお、上記式(VI)、(VII)の化合
物や式(4b)の化合物は、上記式(I)、(II)の
化合物や式(4a)の化合物に塩化水素、臭化水素又は
ヨウ化水素を反応させることにより得ることができる。
The compounds of the formulas (VI) and (VII) and the compound of the formula (4b) can be obtained by adding the compound of the formulas (I) and (II) and the compound of the formula (4a) to hydrogen chloride or hydrogen bromide. Alternatively, it can be obtained by reacting hydrogen iodide.

【0140】上記第2方法は、例えば式(3a)の高分
子シリコーン化合物を得る場合、重量平均分子量が1,
000〜500,000の上記一般式(3’)で示され
る繰り返し単位を有する高分子化合物のフェノール性水
酸基及びカルボキシル基の1モルに対してp31+p4
1モルの一般式(VI)又は(VII)で示されるハロ
ゲン化アルキルエーテル化合物及びp41モルの一般式
(4b)で示される化合物を反応させて、例えば上記式
(3a’−1)、(3a’−2)で示される高分子化合
物を得ることができる。
In the second method, for example, when obtaining a high molecular weight silicone compound of the formula (3a), the weight average molecular weight is 1,
P31 + p4 with respect to 1 mol of the phenolic hydroxyl group and the carboxyl group of the polymer compound having a repeating unit represented by the general formula (3 ′) of 000 to 500,000.
1 mol of the halogenated alkyl ether compound represented by the general formula (VI) or (VII) and p41 mol of the compound represented by the general formula (4b) are reacted, and for example, the above-mentioned formula (3a′-1), (3a The polymer compound represented by '-2) can be obtained.

【0141】上記製造方法は、溶媒中において塩基の存
在下で行うことが好ましい。反応溶媒としては、アセト
ニトリル、アセトン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキ
シド等の非プロトン性極性溶媒が好ましく、単独でも2
種以上混合して使用してもかまわない。
The above production method is preferably carried out in a solvent in the presence of a base. As the reaction solvent, aprotic polar solvents such as acetonitrile, acetone, dimethylformamide, dimethylacetamide, tetrahydrofuran and dimethylsulfoxide are preferable.
A mixture of more than one species may be used.

【0142】塩基としては、トリエチルアミン、ピリジ
ン、ジイソプロピルアミン、炭酸カリウム等が好まし
く、その使用量は反応する一般式(1’)で示される高
分子化合物のカルボキシル基の1モルに対して1モル倍
以上、特に5モル倍以上であることが好ましい。
The base is preferably triethylamine, pyridine, diisopropylamine, potassium carbonate or the like. The amount of the base used is 1 mole per mole of the carboxyl group of the polymer compound represented by the general formula (1 ′) to be reacted. More preferably, it is preferably at least 5 mol times.

【0143】反応温度としては−50〜100℃、好ま
しくは0〜60℃であり、反応時間としては0.5〜1
00時間、好ましくは1〜20時間である。
The reaction temperature is -50 to 100 ° C, preferably 0 to 60 ° C, and the reaction time is 0.5 to 1
00 hours, preferably 1 to 20 hours.

【0144】なお、上述したように、式(1’)又は
(3’)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物
に式(4a)又は(4b)の化合物を反応させて、得ら
れた酸分解性基を有する化合物、例えば下記式(3d)
で示される化合物を得た後、これを単離し、次いで式
(I)、(II)或いは(VI)、(VII)で示され
る化合物を用いて架橋を行うようにしてもよい。
As described above, the acid obtained by reacting the compound of the formula (4a) or (4b) with the polymer having a repeating unit of the formula (1 ′) or (3 ′) is obtained. Compound having a decomposable group, for example, the following formula (3d)
After obtaining the compound represented by the formula (I), the compound may be isolated and then subjected to crosslinking using the compound represented by the formula (I), (II) or (VI) or (VII).

【0145】[0145]

【化44】 Embedded image

【0146】上記第1又は第2方法により得られた例え
ば式(3a’−1)、(3a’−2)で示されるような
高分子化合物に、必要に応じて元の一般式(3’)で示
される高分子化合物のカルボキシル基の1モルに対して
p42モルの二炭酸ジアルキル化合物、アルコキシカル
ボニルアルキルハライド等を反応させて一般式(5)で
示される酸分解性基を導入したり、3級アルキルハライ
ド、トリアルキルシリルハライド、オキソアルキル化合
物等を反応させて、例えば一般式(3b’−1)、(3
b’−2)で示される高分子化合物を得ることができ
る。
The polymer represented by, for example, the formula (3a′-1) or (3a′-2) obtained by the first or second method may be added to the original formula (3 ′) if necessary. A) reacting a dialkyl dicarbonate compound, an alkoxycarbonylalkyl halide or the like with p42 mol with respect to 1 mol of the carboxyl group of the polymer compound represented by the formula (1) to introduce an acid-decomposable group represented by the general formula (5); By reacting a tertiary alkyl halide, a trialkylsilyl halide, an oxoalkyl compound, or the like, for example, a compound represented by the general formula (3b′-1) or (3
A polymer compound represented by b′-2) can be obtained.

【0147】[0147]

【化45】 Embedded image

【0148】[0148]

【化46】 Embedded image

【0149】上記式においてQ、m’、n’及びその他
の符号は上記と同じである。
In the above formula, Q, m ', n' and other symbols are the same as above.

【0150】上記式(5)の酸分解性基の導入方法は、
溶媒中において塩基の存在下で行うことが好ましい。
The method for introducing the acid-decomposable group of the above formula (5) is as follows.
It is preferable to carry out the reaction in a solvent in the presence of a base.

【0151】反応溶媒としては、アセトニトリル、アセ
トン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド等の非プロ
トン性極性溶媒が好ましく、単独でも2種以上混合して
使用してもかまわない。
As the reaction solvent, acetonitrile, acetone, dimethylformamide, dimethylacetamide,
Aprotic polar solvents such as tetrahydrofuran and dimethylsulfoxide are preferred, and they may be used alone or as a mixture of two or more.

【0152】塩基としては、トリエチルアミン、ピリジ
ン、イミダゾール、ジイソプロピルアミン、炭酸カリウ
ム等が好ましく、その使用量は元の一般式(1’)で示
される高分子化合物のカルボキシル基の1モルに対して
1モル倍以上、特に5モル倍以上であることが好まし
い。
As the base, triethylamine, pyridine, imidazole, diisopropylamine, potassium carbonate and the like are preferable. The amount of the base is 1 to 1 mol of the carboxyl group of the polymer compound represented by the general formula (1 ′). The molar ratio is preferably at least 5 times, especially at least 5 times.

【0153】反応温度としては0〜100℃、好ましく
は0〜60℃である。反応時間としては0.2〜100
時間、好ましくは1〜10時間である。
The reaction temperature is 0-100 ° C, preferably 0-60 ° C. The reaction time is 0.2 to 100
Hours, preferably 1 to 10 hours.

【0154】二炭酸ジアルキル化合物としては二炭酸ジ
−tert−ブチル、二炭酸ジ−tert−アミル等が
挙げられ、アルコキシカルボニルアルキルハライドとし
てはtert−ブトキシカルボニルメチルクロライド、
tert−アミロキシカルボニルメチルクロライド、t
ert−ブトキシカルボニルメチルブロマイド、ter
t−ブトキシカルボニルエチルクロライド等が挙げら
れ、トリアルキルシリルハライドとしてはトリメチルシ
リルクロライド、トリエチルシリルクロライド、ジメチ
ル−tert−ブチルシリルクロライド等が挙げられ
る。
Examples of the dialkyl dicarbonate compound include di-tert-butyl dicarbonate and di-tert-amyl dicarbonate. Examples of the alkoxycarbonylalkyl halide include tert-butoxycarbonyl methyl chloride and
tert-amyloxycarbonylmethyl chloride, t
tert-butoxycarbonylmethyl bromide, ter
Examples of t-butoxycarbonylethyl chloride include trialkylsilyl halides, such as trimethylsilyl chloride, triethylsilyl chloride, and dimethyl-tert-butylsilyl chloride.

【0155】また、上記第1又は第2の方法により得ら
れた一般式(3a’−1)、(3a’−2)で示される
高分子化合物に、必要に応じて元の一般式(3’)で示
される高分子化合物のカルボキシル基の1モルに対して
p42モルの3級アルキル化剤、オキソアルキル化合物
を反応させて3級アルキル化又はオキソアルキル化する
ことができる。
The polymer compound represented by the general formula (3a'-1) or (3a'-2) obtained by the first or second method may be added to the original compound represented by the general formula (3a) if necessary. The tertiary alkylation or oxoalkylation can be performed by reacting p42 mol of a tertiary alkylating agent and an oxoalkyl compound with respect to 1 mol of the carboxyl group of the polymer compound represented by ').

【0156】上記方法は、溶媒中において酸の存在下で
行うことが好ましい。反応溶媒としては、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラ
ン、酢酸エチル等の非プロトン性極性溶媒が好ましく、
単独でも2種以上混合して使用してもかまわない。
The above method is preferably carried out in a solvent in the presence of an acid. As the reaction solvent, dimethylformamide, dimethylacetamide, tetrahydrofuran, aprotic polar solvents such as ethyl acetate are preferred,
They may be used alone or in combination of two or more.

【0157】触媒の酸としては、塩酸、硫酸、トリフル
オロメタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、メタ
ンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩
等が好ましく、その使用量は元の一般式(1’)で示さ
れる高分子合物のカルボキシル基の1モルに対して0.
1〜10モル%であることが好ましい。
As the acid for the catalyst, hydrochloric acid, sulfuric acid, trifluoromethanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, pyridinium p-toluenesulfonate and the like are preferably used. )), Relative to 1 mol of the carboxyl group of the polymer compound represented by the formula (1).
Preferably it is 1 to 10 mol%.

【0158】反応温度としては−20〜100℃、好ま
しくは0〜60℃であり、反応時間としては0.2〜1
00時間、好ましくは0.5〜20時間である。
The reaction temperature is -20 to 100 ° C, preferably 0 to 60 ° C, and the reaction time is 0.2 to 1
00 hours, preferably 0.5 to 20 hours.

【0159】3級アルキル化剤としてはイソブテン、2
−メチル−1−ブテン、2−メチル−2−ブテン等が挙
げられ、オキソアルキル化合物としてはα−アンジェリ
カラクトン、2−シクロヘキセン−1−オン、5,6−
ジヒドロ−2H−ピラン−2−オン等が挙げられる。
As the tertiary alkylating agent, isobutene, 2
-Methyl-1-butene, 2-methyl-2-butene and the like, and the oxoalkyl compound is α-angelicalactone, 2-cyclohexen-1-one, 5,6-
And dihydro-2H-pyran-2-one.

【0160】なお、一般式(3a’−1)、(3a’−
2)で示される高分子化合物を経由せずに直接下記一般
式(3c’−1)又は(3c’−2)で示される繰り返
し単位を有する高分子化合物に一般式(5)で示される
酸分解性基、3級アルキル基、トリアルキルシリル基、
オキソアルキル基等を導入後、必要に応じて一般式
(4)で示される酸分解性基を導入することもできる。
The formulas (3a'-1) and (3a'-
The polymer compound having a repeating unit represented by the following general formula (3c'-1) or (3c'-2) directly without passing through the polymer compound represented by the formula (2) Decomposable group, tertiary alkyl group, trialkylsilyl group,
After the introduction of an oxoalkyl group or the like, an acid-decomposable group represented by the general formula (4) can be introduced as necessary.

【0161】[0161]

【化47】 Embedded image

【0162】[0162]

【化48】 Embedded image

【0163】本発明の高分子化合物において、R2の酸
分解性基としては1種に限られず、2種以上を導入する
ことができる。この場合、式(1’)の高分子化合物の
全水酸基1モルに対してp41モルの酸分解性基を上記
のようにして導入した後、これと異なる酸分解性基を上
記と同様の方法でp42モル導入することによって、か
かる酸分解性基を2種又は適宜かかる操作を繰り返して
それ以上導入した高分子化合物を得ることができる。
In the polymer compound of the present invention, the acid-decomposable group of R 2 is not limited to one type, and two or more types can be introduced. In this case, after introducing p41 mol of the acid-decomposable group per 1 mol of all the hydroxyl groups of the polymer compound of the formula (1 ′) as described above, a different acid-decomposable group is introduced in the same manner as described above. By introducing p42 mol of the above, a polymer compound in which two or more of such acid-decomposable groups are introduced or such an acid-decomposable group is repeatedly introduced can be obtained.

【0164】本発明の感放射線性樹脂組成物は、下記成
分を含有する感放射線性樹脂組成物である。 (A)樹脂として上記高分子シリコーン化合物 (B)光酸発生剤 (C)上記(A)及び(B)成分を溶解する溶剤 更に必要により下記成分を含有することができる。 (D)塩基性化合物
The radiation-sensitive resin composition of the present invention is a radiation-sensitive resin composition containing the following components. (A) As the resin, the above-mentioned high molecular silicone compound (B) Photo-acid generator (C) Solvent dissolving the above-mentioned components (A) and (B) Further, the following components can be contained as required. (D) Basic compound

【0165】ここで、本発明に使用される(C)成分の
溶剤としては、プロピレングリコールモノアルキルエー
テルカルボキシレートのうち少なくとも1種(A群の溶
剤ともいう)と、プロピレングリコールモノアルキルエ
ーテル、乳酸アルキル及びアルコキシアルキルプロピオ
ネートのうち少なくとも1種(B群の溶剤ともいう)及
び/又はγ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及
びプロピレンカーボネート(C群の溶剤ともいう)とを
含有する混合溶剤である。即ち、(C)成分としては、
A群の溶剤とB群の溶剤との組み合わせ、A群の溶剤と
C群の溶剤との組み合わせ、A群の溶剤とB群の溶剤と
C群の溶剤との組み合わせを用いる。A群の溶剤とB群
の溶剤との組み合わせを用いると、特にエッジラフネス
が優れる。A群の溶剤とC群の溶剤との組み合わせで
は、レジスト液の経時安定性が特に優れる。A群の溶剤
とB群の溶剤とC群の溶剤との組み合わせを用いると、
特にエッジラフネスとレジスト液の経時安定性の両方が
優れるようになる。プロピレングリコールモノアルキル
エーテルカルボキシレートとしては、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノエチルエーテルプロピオネートを好ましく
挙げることができる。
Here, the solvent of the component (C) used in the present invention includes at least one of propylene glycol monoalkyl ether carboxylate (also referred to as a group A solvent), propylene glycol monoalkyl ether and lactic acid. It is a mixed solvent containing at least one of alkyl and alkoxyalkyl propionates (also referred to as a group B solvent) and / or γ-butyrolactone, ethylene carbonate, and propylene carbonate (also referred to as a group C solvent). That is, as the component (C),
A combination of a group A solvent and a group B solvent, a combination of a group A solvent and a group C solvent, and a combination of a group A solvent, a group B solvent and a group C solvent are used. When a combination of the solvent of Group A and the solvent of Group B is used, the edge roughness is particularly excellent. The combination of the solvent of Group A and the solvent of Group C is particularly excellent in the stability over time of the resist solution. Using a combination of a solvent of Group A, a solvent of Group B, and a solvent of Group C,
In particular, both the edge roughness and the aging stability of the resist solution are improved. Preferred examples of the propylene glycol monoalkyl ether carboxylate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether acetate, and propylene glycol monoethyl ether propionate.

【0166】プロピレングリコールモノアルキルエーテ
ルとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノエチルエーテルを好まし
く挙げることができる。乳酸アルキルとしては、乳酸メ
チル、乳酸エチルを好ましく挙げることができる。アル
コキシアルキルプロピオネートとしては、3−エトキシ
エチルプロピオネート、3−メトキシメチルプロピオネ
ート、3−メトキシエチルプロピオネート、3−エトキ
シメチルプロピオネートを好ましく挙げることができ
る。
As the propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether can be preferably mentioned. Preferred examples of the alkyl lactate include methyl lactate and ethyl lactate. Preferred examples of the alkoxyalkyl propionate include 3-ethoxyethyl propionate, 3-methoxymethyl propionate, 3-methoxyethyl propionate, and 3-ethoxymethyl propionate.

【0167】上記A群の溶剤とB群の溶剤の使用重量比
率(A:B)は、90:10〜15:85が好ましく、
より好ましくは85:15〜20:80であり、更に好
ましくは80:20〜25:75である。上記A群の溶
剤とC群の溶剤の使用重量比率(A:C)は、99.
9:0.1〜75:25が好ましく、より好ましくは9
9:1〜80:20であり、更に好ましくは97:3〜
85:15である。
The weight ratio (A: B) of the solvent of the group A to the solvent of the group B is preferably 90:10 to 15:85.
The ratio is more preferably 85:15 to 20:80, and still more preferably 80:20 to 25:75. The weight ratio (A: C) of the solvent of Group A to the solvent of Group C is 99.
9: 0.1 to 75:25 is preferable, and 9 is more preferable.
9: 1 to 80:20, more preferably 97: 3 to
85:15.

【0168】この3種の溶剤を組み合わせる場合には、
C群の溶剤の使用重量比率は、全溶剤に対して0.1〜
25重量%が好ましく、より好ましくは1〜20重量
%、更に好ましくは3〜17重量%である。本発明にお
いて、上記各成分を含むレジスト組成物の固形分を、上
記混合溶剤に固形分濃度として3〜25重量%溶解する
ことが好ましく、より好ましくは5〜22重量%であ
り、更に好ましくは7〜20重量%である。
When these three solvents are combined,
The use weight ratio of the solvent of the group C is 0.1 to the total solvent.
It is preferably 25% by weight, more preferably 1 to 20% by weight, and still more preferably 3 to 17% by weight. In the present invention, the solid content of the resist composition containing each of the above components is preferably dissolved in the mixed solvent at a solid concentration of 3 to 25% by weight, more preferably 5 to 22% by weight, and still more preferably 5 to 22% by weight. It is 7 to 20% by weight.

【0169】本発明におけるプロピレングリコールモノ
アルキルエーテルカルボキシレートを含有する混合溶剤
の好ましい組み合わせとしては、 プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
γ−ブチロラクトン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
エチレンカーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレンカーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル+γ−ブチロ
ラクトン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル+γ−ブチロラクトン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート+γ−ブチロラクト
ン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル+エチレンカ
ーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル+エチレンカーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート+エチレンカーボネ
ート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル+プロピレン
カーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル+プロピレンカーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート+プロピレンカーボ
ネート である。
A preferred combination of the mixed solvent containing propylene glycol monoalkyl ether carboxylate in the present invention is propylene glycol monomethyl ether acetate +
Propylene glycol monomethyl ether Propylene glycol monomethyl ether acetate +
Ethyl lactate Propylene glycol monomethyl ether acetate +
3-ethoxyethyl propionate propylene glycol monomethyl ether acetate +
γ-butyrolactone propylene glycol monomethyl ether acetate +
Ethylene carbonate Propylene glycol monomethyl ether acetate +
Propylene carbonate Propylene glycol monomethyl ether acetate +
Propylene glycol monomethyl ether + γ-butyrolactone Propylene glycol monomethyl ether acetate +
Ethyl lactate + γ-butyrolactone propylene glycol monomethyl ether acetate +
3-ethoxyethyl propionate + γ-butyrolactone propylene glycol monomethyl ether acetate +
Propylene glycol monomethyl ether + ethylene carbonate Propylene glycol monomethyl ether acetate +
Ethyl lactate + ethylene carbonate propylene glycol monomethyl ether acetate +
3-ethoxyethyl propionate + ethylene carbonate propylene glycol monomethyl ether acetate +
Propylene glycol monomethyl ether + propylene carbonate Propylene glycol monomethyl ether acetate +
Ethyl lactate + propylene carbonate propylene glycol monomethyl ether acetate +
3-ethoxyethyl propionate + propylene carbonate.

【0170】特に好ましい溶剤の組み合わせとしては、 プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル+γ−ブチロ
ラクトン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル+γ−ブチロラクトン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート+γ−ブチロラクト
ン プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル+エチレンカ
ーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル+エチレンカーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート+エチレンカーボネ
ート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
プロピレングリコールモノメチルエーテル+プロピレン
カーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
乳酸エチル+プロピレンカーボネート プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート+
3−エトキシエチルプロピオネート+プロピレンカーボ
ネート である。
Particularly preferred solvent combinations include propylene glycol monomethyl ether acetate +
Propylene glycol monomethyl ether + γ-butyrolactone Propylene glycol monomethyl ether acetate +
Ethyl lactate + γ-butyrolactone propylene glycol monomethyl ether acetate +
3-ethoxyethyl propionate + γ-butyrolactone propylene glycol monomethyl ether acetate +
Propylene glycol monomethyl ether + ethylene carbonate Propylene glycol monomethyl ether acetate +
Ethyl lactate + ethylene carbonate propylene glycol monomethyl ether acetate +
3-ethoxyethyl propionate + ethylene carbonate propylene glycol monomethyl ether acetate +
Propylene glycol monomethyl ether + propylene carbonate Propylene glycol monomethyl ether acetate +
Ethyl lactate + propylene carbonate propylene glycol monomethyl ether acetate +
3-ethoxyethyl propionate + propylene carbonate.

【0171】また、本発明の(C)成分としては、乳酸
アルキルのうち少なくとも1種((1)の溶剤ともい
う)と、エステル溶剤及びアルコキシアルキルプロピオ
ネートのうち少なくとも1種((2)の溶剤ともいう)
とを含有する混合溶剤である。(1)の溶剤と(2)の
溶剤との組み合わせを用いると、特にエッジラフネスが
優れる。乳酸アルキルとしては、好ましくは乳酸メチ
ル、乳酸エチルを挙げることができる。
The component (C) of the present invention includes at least one kind of alkyl lactate (also referred to as the solvent of (1)) and at least one kind of ester solvent and alkoxyalkyl propionate ((2) Solvent)
And a mixed solvent containing When a combination of the solvent (1) and the solvent (2) is used, the edge roughness is particularly excellent. Preferred examples of the alkyl lactate include methyl lactate and ethyl lactate.

【0172】エステル溶剤としては酢酸ブチル、酢酸ペ
ンチル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸ブチルを好ましく
挙げることができ、より好ましくは酢酸ブチルである。
アルコキシアルキルプロピオネートとしては、3−エト
キシエチルプロピオネート、3−メトキシメチルプロピ
オネート、3−メトキシエチルプロピオネート、3−エ
トキシメチルプロピオネートを好ましく挙げることがで
きる。
Preferred examples of the ester solvent include butyl acetate, pentyl acetate, hexyl acetate, and butyl propionate, and more preferably butyl acetate.
Preferred examples of the alkoxyalkyl propionate include 3-ethoxyethyl propionate, 3-methoxymethyl propionate, 3-methoxyethyl propionate, and 3-ethoxymethyl propionate.

【0173】上記(1)の溶剤と(2)の溶剤の使用重
量比率((1):(2))は、90:10〜15:85
が好ましく、より好ましくは85:15〜20:80で
あり、更に好ましくは80:20〜25:75である。
The weight ratio of the solvent (1) to the solvent (2) ((1) :( 2)) is 90:10 to 15:85.
And more preferably 85:15 to 20:80, and still more preferably 80:20 to 25:75.

【0174】本発明においては、(C)の混合溶剤に、
更にγ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプ
ロピレンカーボネートのうち少なくとも1種((3)の
溶剤ともいう)を含有することが好ましい。(3)の溶
剤を添加することにより、レジスト組成物溶液中にパー
ティクルが発生するのを抑制でき、更に該溶液の経時で
のパーティクルの発生をも抑制できる。(3)の溶剤の
使用重量比率は、全溶剤に対して0.1〜25重量%が
好ましく、1〜20重量%がより好ましく、より好まし
くは3〜15%である。本発明において、上記各成分を
含むレジスト組成物の固形分を、上記混合溶剤に固形分
濃度として3〜25重量%溶解することが好ましく、よ
り好ましくは5〜22重量%であり、更に好ましくは7
〜20重量%である。
In the present invention, the mixed solvent of (C)
Further, it is preferable to contain at least one of γ-butyrolactone, ethylene carbonate and propylene carbonate (also referred to as a solvent of (3)). By adding the solvent of (3), generation of particles in the resist composition solution can be suppressed, and further generation of particles in the solution over time can be suppressed. The use weight ratio of the solvent (3) is preferably 0.1 to 25% by weight, more preferably 1 to 20% by weight, and more preferably 3 to 15% with respect to the total solvent. In the present invention, the solid content of the resist composition containing each of the above components is preferably dissolved in the mixed solvent at a solid concentration of 3 to 25% by weight, more preferably 5 to 22% by weight, and still more preferably 5 to 22% by weight. 7
-20% by weight.

【0175】本発明における乳酸アルキルを含有する混
合溶剤の好ましい組み合わせとしては、乳酸エチル+酢
酸ブチル、乳酸エチル+酢酸ブチル+γ−ブチロラクト
ン、乳酸エチル+酢酸ブチル+エチレンカーボネート、
乳酸エチル+酢酸ブチル+プロピレンカーボネート、乳
酸エチル+3−エトキシエチルプロピオネート+γ−ブ
チロラクトン、乳酸エチル+3−エトキシエチルプロピ
オネート+エチレンカーボネート、乳酸エチル+3−エ
トキシエチルプロピオネート+プロピレンカーボネート
が挙げられ、更に好ましくは乳酸エチル+酢酸ブチル+
γ−ブチロラクトン、乳酸エチル+酢酸ブチル+エチレ
ンカーボネート、乳酸エチル+酢酸ブチル+プロピレン
カーボネート、乳酸エチル+3−エトキシエチルプロピ
オネート+γ−ブチロラクトン、乳酸エチル+3−エト
キシエチルプロピオネート+エチレンカーボネート、乳
酸エチル+3−エトキシエチルプロピオネート+プロピ
レンカーボネートである。
Preferred combinations of the mixed solvent containing an alkyl lactate in the present invention include ethyl lactate + butyl acetate, ethyl lactate + butyl acetate + γ-butyrolactone, ethyl lactate + butyl acetate + ethylene carbonate,
Ethyl lactate + butyl acetate + propylene carbonate, ethyl lactate + 3-ethoxyethyl propionate + γ-butyrolactone, ethyl lactate + 3-ethoxyethyl propionate + ethylene carbonate, ethyl lactate + 3-ethoxyethyl propionate + propylene carbonate. , More preferably ethyl lactate + butyl acetate +
γ-butyrolactone, ethyl lactate + butyl acetate + ethylene carbonate, ethyl lactate + butyl acetate + propylene carbonate, ethyl lactate + 3-ethoxyethyl propionate + γ-butyrolactone, ethyl lactate + 3-ethoxyethyl propionate + ethylene carbonate, ethyl lactate + 3-ethoxyethyl propionate + propylene carbonate.

【0176】更に、本発明の(C)成分としては、ヘプ
タノン((4)の溶剤ともいう)を含有する溶剤であ
る。ヘプタノンとしては、2−ヘプタノン、3−ヘプタ
ノン、4−ヘプタノンを挙げることができ、好ましくは
2−ヘプタノンである。ヘプタノン系溶剤を使用するこ
とで、レジストパターンのエッジラフネスが良好にな
る。また、(C)成分として、更にプロピレングリコー
ルモノアルキルエーテル、乳酸アルキル及びアルコキシ
アルキルプロピオネートのうち少なくとも1種((5)
の溶剤ともいう)を含有することが好ましい。これによ
り、レジストパターンのエッジラフネスがより一層改善
される。
The component (C) of the present invention is a solvent containing heptanone (also referred to as a solvent of (4)). Examples of heptanone include 2-heptanone, 3-heptanone, and 4-heptanone, and preferably 2-heptanone. By using a heptanone-based solvent, the edge roughness of the resist pattern is improved. Further, as the component (C), at least one of propylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate and alkoxyalkyl propionate ((5)
Is also referred to as a solvent). Thereby, the edge roughness of the resist pattern is further improved.

【0177】プロピレングリコールモノアルキルエーテ
ルとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノエチルエーテルを好まし
く挙げることができる。乳酸アルキルとしては、乳酸メ
チル、乳酸エチルを好ましく挙げることができる。アル
コキシアルキルプロピオネートとしては、3−エトキシ
エチルプロピオネート、3−メトキシメチルプロピオネ
ート、3−メトキシエチルプロピオネート、3−エトキ
シメチルプロピオネートを好ましく挙げることができ
る。
As the propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether can be preferably exemplified. Preferred examples of the alkyl lactate include methyl lactate and ethyl lactate. Preferred examples of the alkoxyalkyl propionate include 3-ethoxyethyl propionate, 3-methoxymethyl propionate, 3-methoxyethyl propionate, and 3-ethoxymethyl propionate.

【0178】上記(4)の溶剤の使用量は、全溶剤に対
して通常30重量%以上であり、好ましくは40重量%
以上、より好ましくは50重量%以上である。(5)の
溶剤の使用量は、全溶剤に対して通常5〜70重量%で
あり、好ましくは10〜60重量%、より好ましくは1
5〜50重量%である。(5)の溶剤の使用量が上記範
囲より少ないとその添加効果が低下し、70重量%を越
えると塗布性が劣化するなどの問題が生じる場合がある
ので、好ましくない。
The amount of the solvent (4) is usually at least 30% by weight, preferably at least 40% by weight, based on the total solvent.
The content is more preferably 50% by weight or more. The amount of the solvent (5) to be used is generally 5 to 70% by weight, preferably 10 to 60% by weight, more preferably 1 to 60% by weight, based on the total solvent.
5 to 50% by weight. If the amount of the solvent (5) is less than the above range, the effect of adding the solvent is reduced, and if it exceeds 70% by weight, problems such as deterioration of coating properties may occur, which is not preferable.

【0179】本発明においては、(C)の溶剤に、更に
γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピ
レンカーボネートのうち少なくとも1種((6)の溶剤
ともいう)を含有することが好ましい。(6)の溶剤を
添加することにより、レジスト組成物溶液中にパーティ
クルが発生するのを抑制でき、更に該溶液の経時でのパ
ーティクルの発生をも抑制できる。(6)の溶剤の使用
重量比率は、全溶剤に対して0.1〜25重量%が好ま
しく、1〜20重量%がより好ましく、より好ましくは
3〜15%である。本発明において、上記各成分を含む
レジスト組成物の固形分を、上記混合溶剤に固形分濃度
として3〜25重量%溶解することが好ましく、より好
ましくは5〜22重量%であり、更に好ましくは7〜2
0重量%である。
In the present invention, the solvent (C) preferably further contains at least one of γ-butyrolactone, ethylene carbonate and propylene carbonate (also referred to as the solvent (6)). By adding the solvent of (6), generation of particles in the resist composition solution can be suppressed, and further generation of particles in the solution over time can be suppressed. The use weight ratio of the solvent (6) is preferably from 0.1 to 25% by weight, more preferably from 1 to 20% by weight, more preferably from 3 to 15%, based on the total solvent. In the present invention, the solid content of the resist composition containing each of the above components is preferably dissolved in the mixed solvent at a solid concentration of 3 to 25% by weight, more preferably 5 to 22% by weight, and still more preferably 5 to 22% by weight. 7-2
0% by weight.

【0180】本発明におけるヘプタノンを含有する混合
溶剤の好ましい組み合わせとしては、2−ヘプタノン+
プロピレングリコールモノメチルエーテル、2−ヘプタ
ノン+乳酸エチル、2−ヘプタノン+3−エトキシエチ
ルプロピオネート、2−ヘプタノン+γ−ブチロラクト
ン、2−ヘプタノン+エチレンカーボネート、2−ヘプ
タノン+プロピレンカーボネート、2−ヘプタノン+プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル+γ−ブチロラ
クトン、2−ヘプタノン+乳酸エチル+γ−ブチロラク
トン、2−ヘプタノン+3−エトキシエチルプロピオネ
ート+γ−ブチロラクトン、2−ヘプタノン+プロピレ
ングリコールモノメチルエーテル+エチレンカーボネー
ト、2−ヘプタノン+乳酸エチル+エチレンカーボネー
ト、2−ヘプタノン+3−エトキシエチルプロピオネー
ト+エチレンカーボネート、2−ヘプタノン+プロピレ
ングリコールモノメチルエーテル+プロピレンカーボネ
ート、2−ヘプタノン+乳酸エチル+プロピレンカーボ
ネート、2−ヘプタノン+3−エトキシエチルプロピオ
ネート+プロピレンカーボネートである。さらに好まし
くは、2−ヘプタノン+プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル+γ−ブチロラクトン、2−ヘプタノン+乳
酸エチル+γ−ブチロラクトン、2−ヘプタノン+3−
エトキシエチルプロピオネート+γ−ブチロラクトン、
2−ヘプタノン+プロピレングリコールモノメチルエー
テル+エチレンカーボネート、2−ヘプタノン+乳酸エ
チル+エチレンカーボネート、2−ヘプタノン+3−エ
トキシエチルプロピオネート+エチレンカーボネート、
2−ヘプタノン+プロピレングリコールモノメチルエー
テル+プロピレンカーボネート、2−ヘプタノン+乳酸
エチル+プロピレンカーボネート、2−ヘプタノン+3
−エトキシエチルプロピオネート+プロピレンカーボネ
ートである。
A preferred combination of the mixed solvent containing heptanone in the present invention is 2-heptanone +
Propylene glycol monomethyl ether, 2-heptanone + ethyl lactate, 2-heptanone + 3-ethoxyethyl propionate, 2-heptanone + γ-butyrolactone, 2-heptanone + ethylene carbonate, 2-heptanone + propylene carbonate, 2-heptanone + propylene glycol Monomethyl ether + γ-butyrolactone, 2-heptanone + ethyl lactate + γ-butyrolactone, 2-heptanone + 3-ethoxyethyl propionate + γ-butyrolactone, 2-heptanone + propylene glycol monomethyl ether + ethylene carbonate, 2-heptanone + ethyl lactate + ethylene Carbonate, 2-heptanone + 3-ethoxyethyl propionate + ethylene carbonate, 2-heptanone + propylene glycol monomer Ether + propylene carbonate, 2-heptanone + ethyl lactate + propylene carbonate, 2-heptanone + 3-ethoxyethyl propionate + propylene carbonate. More preferably, 2-heptanone + propylene glycol monomethyl ether + γ-butyrolactone, 2-heptanone + ethyl lactate + γ-butyrolactone, 2-heptanone + 3-
Ethoxyethyl propionate + γ-butyrolactone,
2-heptanone + propylene glycol monomethyl ether + ethylene carbonate, 2-heptanone + ethyl lactate + ethylene carbonate, 2-heptanone + 3-ethoxyethyl propionate + ethylene carbonate,
2-heptanone + propylene glycol monomethyl ether + propylene carbonate, 2-heptanone + ethyl lactate + propylene carbonate, 2-heptanone + 3
-Ethoxyethyl propionate + propylene carbonate.

【0181】有機溶剤の使用量は、(A)成分の樹脂1
00部(重量部、以下同様)に対して200〜1,00
0部、特に400〜800部が好適である。
The amount of the organic solvent to be used is as follows.
200 parts to 100 parts by weight
0 parts, especially 400 to 800 parts, is suitable.

【0182】(B)成分の光酸発生剤は、活性光線又は
放射線の照射により、酸を発生する化合物を適宜選定し
て用いることができる。光酸発生剤としては、具体的に
は、下記に示すものが挙げられる。下記一般式(6a−
1)、(6a−2)又は(6b)のオニウム塩、下記一
般式(7)のジアゾメタン誘導体、下記一般式(8)の
グリオキシム誘導体、下記一般式(9)のビススルホン
誘導体、下記一般式(10)のN−ヒドロキシイミド化
合物のスルホン酸エステル、β−ケトスルホン酸誘導
体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘
導体、スルホン酸エステル誘導体等が挙げられる。
As the photoacid generator (B), a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation can be appropriately selected and used. Specific examples of the photoacid generator include the following. The following general formula (6a-
1), an onium salt of (6a-2) or (6b), a diazomethane derivative of the following general formula (7), a glyoxime derivative of the following general formula (8), a bissulfone derivative of the following general formula (9), 10) N-hydroxyimide compound sulfonic acid ester, β-ketosulfonic acid derivative, disulfone derivative, nitrobenzylsulfonate derivative, sulfonic acid ester derivative and the like.

【0183】[0183]

【化49】 Embedded image

【0184】(式中、R30a、R30b、R30cはそれぞれ
炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル
基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケ
ニル基、炭素数6〜20のアリール基又は炭素数7〜1
2のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を表
し、これら基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基
等によって置換されていてもよい。また、R30bとR30c
とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、R
30b、R30cはそれそれ炭素数1〜6のアルキレン基を示
し、K-は非求核性対向イオンを表す。)
(Wherein R 30a , R 30b and R 30c each represent a linear, branched or cyclic alkyl group, alkenyl group, oxoalkyl group or oxoalkenyl group having 1 to 12 carbon atoms; 20 aryl groups or 7-1 carbon atoms
2 represents an aralkyl group or an aryloxoalkyl group, and a part or all of the hydrogen atoms of these groups may be substituted by an alkoxy group or the like. Also, R 30b and R 30c
May form a ring, and when forming a ring, R
30b and R 30c each represent an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and K represents a non-nucleophilic counter ion. )

【0185】上記R30a、R30b、R30cは互いに同一で
あっても異なっていてもよく、具体的にはアルキル基と
して、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプ
チル基、シクロプロピルメチル基、4−メチルシクロヘ
キシル基、シクロヘキシルメチル基、ノルボルニル基、
アダマンチル基等が挙げられる。アルケニル基として
は、ビニル基、アリル基、プロぺニル基、ブテニル基、
ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。オ
キソアルキル基、オキソアルケニル基としては、2−オ
キソシクロペンチル基、2−オキソシクロヘプチル基等
が挙げられ、また2−オキソプロピル基、2−シクロペ
ンチル−2−オキソエチル基、2−シクロヘキシル−2
−オキソエチル基、2−(4−メチルシクロヘキシル)
−2−オキソエチル基等の2−アルキル−2−オキソエ
チル基を挙げることができる。アリール基としては、フ
ェニル基、ナフチル基等や、p−メトキシフェニル基、
m−メトキシフェニル基、o−メトキシフェニル基、エ
トキシフェニル基、p−tert−ブトキシフェニル
基、m−tert−ブトキシフェニル基等のアルコキシ
フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニ
ル基、4−メチルフェニル基、エチルフェニル基、4−
tert−ブチルフェニル基、4−ブチルフェニル基、
ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基、メチルナ
フチル基、エチルナフチル基等のアルキルナフチル基、
メトキシナフチル基、エトキシナフチル基等のアルコキ
シナフチル基、ジメチルナフチル基、ジエチルナフチル
基等のジアルキルナフチル基、ジメトキシナフチル基、
ジエトキシナフチル基等のジアルコキシナフチル基等が
挙げられる。アラルキル基としてはベンジル基、フェニ
ルエチル基、フェネチル基等が挙げられる。アリールオ
キソアルキル基としては、2−(フェニル)−2−オキ
ソエチル基、2−(1−ナフチル)−2−オキソエチル
基、2−(2−ナフチル)−2−オキソエチル基等の2
−アリール−2−オキソエチル基等が挙げられる。K-
の非求核性対向イオンとしては塩化物イオン、臭化物イ
オン等のハライドイオン、トリフレート、1,1,1−
トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタン
スルホネート等のフルオロアルキルスルホネート、トシ
レート、ベンゼンスルホネート、4−フルオロベンゼン
スルホネート、1,2,3,4,5−ペンタフルオロベ
ンゼンスルホネート等のアリールスルホネート、メシレ
ート、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネートが
挙げられる。
The above R 30a , R 30b and R 30c may be the same or different from each other. Specifically, as the alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopropylmethyl group, 4-methylcyclohexyl group, cyclohexylmethyl group, norbornyl group,
An adamantyl group and the like can be mentioned. Examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a propenyl group, a butenyl group,
Examples include a hexenyl group and a cyclohexenyl group. Examples of the oxoalkyl group and the oxoalkenyl group include a 2-oxocyclopentyl group and a 2-oxocycloheptyl group, and a 2-oxopropyl group, a 2-cyclopentyl-2-oxoethyl group, and a 2-cyclohexyl-2.
-Oxoethyl group, 2- (4-methylcyclohexyl)
And 2-alkyl-2-oxoethyl groups such as -2-oxoethyl group. Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a p-methoxyphenyl group,
alkoxyphenyl groups such as m-methoxyphenyl group, o-methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, p-tert-butoxyphenyl group, m-tert-butoxyphenyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4 -Methylphenyl group, ethylphenyl group, 4-
tert-butylphenyl group, 4-butylphenyl group,
Alkyl phenyl group such as dimethyl phenyl group, methyl naphthyl group, alkyl naphthyl group such as ethyl naphthyl group,
Methoxynaphthyl group, alkoxynaphthyl group such as ethoxynaphthyl group, dimethylnaphthyl group, dialkylnaphthyl group such as diethylnaphthyl group, dimethoxynaphthyl group,
And a dialkoxynaphthyl group such as a diethoxynaphthyl group. Examples of the aralkyl group include a benzyl group, a phenylethyl group, a phenethyl group and the like. Examples of the aryloxoalkyl group include 2- (phenyl) -2-oxoethyl, 2- (1-naphthyl) -2-oxoethyl, 2- (2-naphthyl) -2-oxoethyl and the like.
-Aryl-2-oxoethyl group and the like. K -
Non-nucleophilic counter ions include halide ions such as chloride ions and bromide ions, triflate, 1,1,1-
Fluoroalkylsulfonates such as trifluoroethanesulfonate and nonafluorobutanesulfonate, arylsulfonates such as tosylate, benzenesulfonate, 4-fluorobenzenesulfonate, 1,2,3,4,5-pentafluorobenzenesulfonate, mesylate, butanesulfonate and the like Alkylsulfonate.

【0186】[0186]

【化50】 Embedded image

【0187】(式中、R31a、R31bはそれぞれ炭素数1
〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、R32は炭
素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン
基、R33 a、R33bはそれぞれ炭素数3〜7の2−オキソ
アルキル基を示し、K-は非求核性対向イオンを表
す。)
(Wherein R 31a and R 31b each have 1 carbon atom)
8 linear, branched or cyclic alkyl group, R 32 represents a linear 1 to 10 carbon atoms, branched or cyclic alkylene group, R 33 a, R 33b is 3 to 7 carbon atoms, respectively Represents a 2-oxoalkyl group, and K represents a non-nucleophilic counter ion. )

【0188】上記R31a、R31bとして具体的には、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブ
チル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル
基、4−メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチ
ル基等が挙げられる。R32としては、メチレン基、エチ
レン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へ
キシレン基、へプチレン基、オクチレン基、ノニレン
基、1,4−シクロへキシレン基、1,2−シクロへキ
シレン基、1,3−シクロペンチレン基、1,4−シク
ロオクチレン基、1,4−シクロヘキサンジメチレン基
等が挙げられる。R33a、R33bとしては、2−オキソプ
ロピル基、2−オキソシクロペンチル基、2−オキソシ
クロヘキシル基、2−オキソシクロヘプチル基等が挙げ
られる。K-は式(6a)と同様のものを挙げることが
できる。
Specific examples of R 31a and R 31b include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group and a heptyl group. Octyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cyclopropylmethyl, 4-methylcyclohexyl, cyclohexylmethyl and the like. R 32 includes a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, a heptylene group, an octylene group, a nonylene group, a 1,4-cyclohexylene group, and a 1,2-cyclohexylene A 1,3-cyclopentylene group, a 1,4-cyclooctylene group, a 1,4-cyclohexanedimethylene group, and the like. Examples of R 33a and R 33b include a 2-oxopropyl group, a 2-oxocyclopentyl group, a 2-oxocyclohexyl group, and a 2-oxocycloheptyl group. K - is can be exemplified the same as the equation (6a).

【0189】[0189]

【化51】 Embedded image

【0190】(式中、R34、R35は炭素数1〜12の直
鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アル
キル基、炭素数6〜20のアリール基又はハロゲン化ア
リール基又は炭素数7〜12のアラルキル基を表す。)
(Wherein R 34 and R 35 are linear, branched or cyclic alkyl groups or halogenated alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, aryl groups or halogenated aryl groups having 6 to 20 carbon atoms, or Represents an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms)

【0191】R34、R35のアルキル基としてはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、アミル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプ
チル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられ
る。ハロゲン化アルキル基としてはトリフルオロメチル
基、1,1,1−トリフルオロエチル基、1,1,1−
トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げら
れる。アリール基としてはフェニル基、p−メトキシフ
ェニル基、m−メトキシフェニル基、o−メトキシフェ
ニル基、エトキシフェニル基、p−tert−ブトキシ
フェニル基、m−tert−ブトキシフェニル基等のア
ルコキシフェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチ
ルフェニル基、4−メチルフェニル基、エチルフェニル
基、4−tert−ブチルフェニル基、4−ブチルフェ
ニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基が
挙げられる。ハロゲン化アリール基としてはフルオロベ
ンゼン基、クロロベンゼン基、1,2,3,4,5−ペ
ンタフルオロベンゼン基等が挙げられる。アラルキル基
としてはベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group of R 34 and R 35 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group and an octyl group. Group, amyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like. Examples of the halogenated alkyl group include a trifluoromethyl group, a 1,1,1-trifluoroethyl group, and a 1,1,1-
Examples thereof include a trichloroethyl group and a nonafluorobutyl group. Examples of the aryl group include an alkoxyphenyl group such as a phenyl group, a p-methoxyphenyl group, an m-methoxyphenyl group, an o-methoxyphenyl group, an ethoxyphenyl group, a p-tert-butoxyphenyl group, and a m-tert-butoxyphenyl group. Examples thereof include an alkylphenyl group such as a 2-methylphenyl group, a 3-methylphenyl group, a 4-methylphenyl group, an ethylphenyl group, a 4-tert-butylphenyl group, a 4-butylphenyl group, and a dimethylphenyl group. Examples of the halogenated aryl group include a fluorobenzene group, a chlorobenzene group, a 1,2,3,4,5-pentafluorobenzene group, and the like. Examples of the aralkyl group include a benzyl group and a phenethyl group.

【0192】[0192]

【化52】 Embedded image

【0193】(式中、R36、R37、R38は炭素数1〜1
2の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン
化アルキル基、炭素数6〜20のアリール基又はハロゲ
ン化アリール基又は炭素数7〜12のアラルキル基を表
す。また、R37、R38は互いに結合して環状構造を形成
してもよく、環状構造を形成する場合、R37、R38はそ
れぞれ炭素数1〜6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基
を表す。)
(Wherein R 36 , R 37 and R 38 each have 1 to 1 carbon atoms)
2 represents a linear, branched or cyclic alkyl group or a halogenated alkyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or an aryl halide group, or an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms. R 37 and R 38 may be bonded to each other to form a cyclic structure. In the case of forming a cyclic structure, R 37 and R 38 are each a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. Represents )

【0194】R36、R37、R38のアルキル基、ハロゲン
化アルキル基、アリール基、ハロゲン化アリール基、ア
ラルキル基としては、R34、R35で説明したものと同様
の基が挙げられる。なお、R37、R38のアルキレン基と
してはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレ
ン基、ヘキシレン基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, halogenated aryl group and aralkyl group represented by R 36 , R 37 and R 38 include the same groups as those described for R 34 and R 35 . The alkylene group for R 37 and R 38 includes a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group and the like.

【0195】[0195]

【化53】 Embedded image

【0196】(式中、R30a、R30bは上記と同じ意味で
ある。)
(In the formula, R 30a and R 30b have the same meanings as described above.)

【0197】[0197]

【化54】 Embedded image

【0198】(式中、R39は炭素数6〜10のアリーレ
ン基、炭素数1〜6のアルキレン基又は炭素数2〜6の
アルケニレン基を表し、これらの基の水素原子の一部又
は全部は更に炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキ
ル基又はアルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、又はフ
ェニル基で置換されていてもよい。R40は炭素数1〜8
の直鎖状、分岐状又は置換のアルキル基、アルケニル基
又はアルコキシアルキル基、フェニル基、又はナフチル
基を表し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更に
炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基;炭素数1
〜4のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチ
ル基で置換されていてもよいフェニル基;炭素数3〜5
のヘテロ芳香族基;又は塩素原子で置換されていてもよ
い。)
(In the formula, R 39 represents an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms or an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms, and a part or all of the hydrogen atoms of these groups. Furthermore a linear or branched alkyl or alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a nitro group, an acetyl group or .R 40 optionally substituted by phenyl group, C 1 to C 8
Represents a linear, branched or substituted alkyl group, alkenyl group or alkoxyalkyl group, phenyl group, or naphthyl group, and some or all of the hydrogen atoms of these groups further have an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Or an alkoxy group; having 1 carbon atom
Or a phenyl group which may be substituted with an alkyl group, an alkoxy group, a nitro group or an acetyl group;
A heteroaromatic group; or a chlorine atom. )

【0199】ここで、R39のアリーレン基としては、
1,2−フェニレン基、1,8−ナフチレン基等が、ア
ルキレン基としては、メチレン基、1,2−エチレン
基、1,3−プロピレン基、1,4−ブチレン基、1−
フェニル−1,2−エチレン基、ノルボルナン−2,3
−ジイル基等が、アルケニレン基としては、1,2−ビ
ニレン基、1−フェニル−1,2−ビニレン基、5−ノ
ルボルネン−2,3−ジイル基等が挙げられる。R40
アルキル基としては、R30a〜R30cと同様のものが、ア
ルケニル基としては、ビニル基、1−プロペニル基、ア
リル基、1−ブテニル基、3−ブテニル基、イソプレニ
ル基、1−ペンテニル基、3−ペンテニル基、4−ペン
テニル基、ジメチルアリル基、1−ヘキセニル基、3−
ヘキセニル基、5−ヘキセニル基、1−ヘプテニル基、
3−ヘプテニル基、6−ヘプテニル基、7−オクテニル
基等が、アルコキシアルキル基としては、メトキシメチ
ル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキ
シメチル基、ペントキシメチル基、ヘキシロキシメチル
基、ヘプチロキシメチル基、メトキシエチル基、エトキ
シエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、
ペントキシエチル基、ヘキシロキシエチル基、メトキシ
プロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル
基、ブトキシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシ
ブチル基、プロポキシブチル基、メトキシペンチル基、
エトキシペンチル基、メトキシヘキシル基、メトキシヘ
プチル基等が挙げられる。
Here, as the arylene group for R 39 ,
1,2-phenylene group, 1,8-naphthylene group and the like, alkylene groups include methylene group, 1,2-ethylene group, 1,3-propylene group, 1,4-butylene group, 1-
Phenyl-1,2-ethylene group, norbornane-2,3
Examples of the -diyl group and the alkenylene group include a 1,2-vinylene group, a 1-phenyl-1,2-vinylene group, and a 5-norbornene-2,3-diyl group. The alkyl group for R 40 is the same as R 30a to R 30c, and the alkenyl group is a vinyl group, 1-propenyl group, allyl group, 1-butenyl group, 3-butenyl group, isoprenyl group, 1- Pentenyl group, 3-pentenyl group, 4-pentenyl group, dimethylallyl group, 1-hexenyl group, 3-
Hexenyl group, 5-hexenyl group, 1-heptenyl group,
A 3-heptenyl group, a 6-heptenyl group, a 7-octenyl group and the like include, as an alkoxyalkyl group, a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, a butoxymethyl group, a pentoxymethyl group, a hexyloxymethyl group, Butyloxymethyl group, methoxyethyl group, ethoxyethyl group, propoxyethyl group, butoxyethyl group,
Pentoxyethyl group, hexyloxyethyl group, methoxypropyl group, ethoxypropyl group, propoxypropyl group, butoxypropyl group, methoxybutyl group, ethoxybutyl group, propoxybutyl group, methoxypentyl group,
Examples include an ethoxypentyl group, a methoxyhexyl group, and a methoxyheptyl group.

【0200】なお、更に置換されていてもよい炭素数1
〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、イソブチル基、tert−ブチル基等が、アルコ
キシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ
基、tert−ブトキシ基等が、単環の芳香族基として
は、フェニル基、ピリジル基、フリル基等が挙げられ
る。
It is to be noted that carbon atoms which may be further substituted
Examples of the linear or branched alkyl group of to 4 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group and a tert-butyl group, and the alkoxy group includes a methoxy group, An ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a tert-butoxy group and the like, and a monocyclic aromatic group include a phenyl group, a pyridyl group and a furyl group.

【0201】光酸発生剤としては具体的には、例えばト
リフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、
トリフルオロメタンスルホン酸(p−tert−ブトキ
シフェニル)フェニルヨードニウム、p−トルエンスル
ホン酸ジフェニルヨードニウム、p−トルエンスルホン
酸(p−tert−ブトキシフェニル)フェニルヨード
ニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルス
ルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸(p−te
rt−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウム、ト
リフルオロメタンスルホン酸ビス(p−tert−ブト
キシフェニル)フェニルスルホニウム、トリフルオロメ
タンスルホン酸トリス(p−tert−ブトキシフェニ
ル)スルホニウム、p−トルエンスルホン酸トリフェニ
ルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸(p−ter
t−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウム、p−
トルエンスルホン酸ビス(p−tert−ブトキシフェ
ニル)フェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸
トリス(p−tert−ブトキシフェニル)スルホニウ
ム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホ
ニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、
トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウ
ム、p−トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、
トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル
(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム、p−トル
エンスルホン酸シクロヘキシルメチル(2−オキソシク
ロヘキシル)スルホニウム、トリフルオロメタンスルホ
ン酸ジメチルフェニルスルホニウム、p−トルエンスル
ホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメ
タンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウ
ム、p−トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニル
スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフ
チルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シク
ロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホ
ニウム、トリフルオロメタンスルホン酸(2−ノルボニ
ル)メチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウ
ム、エチレンビス[メチル(2−オキソシクロペンチ
ル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート]、
1,2’−ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオ
フェニウムトリフレート等のオニウム塩、
Specific examples of the photoacid generator include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate,
Trifluoromethanesulfonic acid (p-tert-butoxyphenyl) phenyliodonium, p-toluenesulfonic acid diphenyliodonium, p-toluenesulfonic acid (p-tert-butoxyphenyl) phenyliodonium, trifluoromethanesulfonic acid triphenylsulfonium, trifluoromethanesulfone Acid (p-te
rt-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, bis (p-tert-butoxyphenyl) phenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, tris (p-tert-butoxyphenyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, p- Toluenesulfonic acid (p-ter
t-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, p-
Bis (p-tert-butoxyphenyl) phenylsulfonium toluenesulfonate, tris (p-tert-butoxyphenyl) sulfonium p-toluenesulfonate, triphenylsulfonium nonafluorobutanesulfonate, triphenylsulfonium butanesulfonate,
Trimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, trimethylsulfonium p-toluenesulfonate,
Cyclohexylmethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium p-toluenesulfonate, dimethylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethylphenylsulfonium p-toluenesulfonate, trifluoromethanesulfonate Dicyclohexylphenylsulfonium, dicyclohexylphenylsulfonium p-toluenesulfonate, trinaphthylsulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl trifluoromethanesulfonate (2-oxocyclohexyl) sulfonium, (2-norbonyl) methyl trifluoromethanesulfonate (2-oxocyclohexyl) ) Sulfonium, ethylenebis [meth (2-oxo-cyclopentyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate],
Onium salts such as 1,2′-naphthylcarbonylmethyltetrahydrothiophenium triflate,

【0202】ビス(ベンゼンスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビ
ス(キシレンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロ
ヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロペン
チルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(n−ブチルスル
ホニル)ジアゾメタン、ビス(イソブチルスルホニル)
ジアゾメタン、ビス(sec−ブチルスルホニル)ジア
ゾメタン、ビス(n−プロピルスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビ
ス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス
(n−アミルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソア
ミルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(sec−アミル
スルホニル)ジアゾメタン、ビス(tert−アミルス
ルホニル)ジアゾメタン、1−シクロヘキシルスルホニ
ル−1−(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタ
ン、1−シクロヘキシルスルホニル−1−(tert−
アミルスルホニル)ジアゾメタン、1−tert−アミ
ルスルホニル−1−(tert−ブチルスルホニル)ジ
アゾメタン等のジアゾメタン誘導体、
Bis (benzenesulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (xylenesulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclopentylsulfonyl) diazomethane, bis (n-butylsulfonyl) diazomethane, bis (Isobutylsulfonyl)
Diazomethane, bis (sec-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-propylsulfonyl) diazomethane, bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-amylsulfonyl) diazomethane, bis (isoamylsulfonyl) Diazomethane, bis (sec-amylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-amylsulfonyl) diazomethane, 1-cyclohexylsulfonyl-1- (tert-butylsulfonyl) diazomethane, 1-cyclohexylsulfonyl-1- (tert-
Diazomethane derivatives such as amylsulfonyl) diazomethane and 1-tert-amylsulfonyl-1- (tert-butylsulfonyl) diazomethane;

【0203】ビス−o−(p−トルエンスルホニル)−
α−ジメチルグリオキシム、ビス−o−(p−トルエン
スルホニル)−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−o
−(p−トルエンスルホニル)−α−ジシクロヘキシル
グリオキシム、ビス−o−(p−トルエンスルホニル)
−2,3−ペンタンジオングリオキシム、ビス−o−
(p−トルエンスルホニル)−2−メチル−3,4−ペ
ンタンジオングリオキシム、ビス−o−(n−ブタンス
ルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−o−
(n−ブタンスルホニル)−α−ジフェニルグリオキシ
ム、ビス−o−(n−ブタンスルホニル)−α−ジシク
ロヘキシルグリオキシム、ビス−o−(n−ブタンスル
ホニル)−2,3−ペンタンジオングリオキシム、ビス
−o−(n−ブタンスルホニル)−2−メチル−3,4
−ペンタンジオングリオキシム、ビス−o−(メタンス
ルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−o−
(トリフルオロメタンスルホニル)−α−ジメチルグリ
オキシム、ビス−o−(1,1,1−トリフルオロエタ
ンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−o
−(tert−ブタンスルホニル)−α−ジメチルグリ
オキシム、ビス−o−(パーフルオロオクタンスルホニ
ル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−o−(シクロ
ヘキサンスルホニル)−α−ジメチルグリオキシム、ビ
ス−o−(ベンゼンスルホニル)−α−ジメチルグリオ
キシム、ビス−o−(p−フルオロベンゼンスルホニ
ル)−α−ジメチルグリオキシム、ビス−o−(p−t
ert−ブチルベンゼンスルホニル)−α−ジメチルグ
リオキシム、ビス−o−(キシレンスルホニル)−α−
ジメチルグリオキシム、ビス−o−(カンファースルホ
ニル)−α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘
導体、
Bis-o- (p-toluenesulfonyl)-
α-dimethylglyoxime, bis-o- (p-toluenesulfonyl) -α-diphenylglyoxime, bis-o
-(P-toluenesulfonyl) -α-dicyclohexylglyoxime, bis-o- (p-toluenesulfonyl)
-2,3-pentanedione glyoxime, bis-o-
(P-toluenesulfonyl) -2-methyl-3,4-pentanedione glyoxime, bis-o- (n-butanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o-
(N-butanesulfonyl) -α-diphenylglyoxime, bis-o- (n-butanesulfonyl) -α-dicyclohexylglyoxime, bis-o- (n-butanesulfonyl) -2,3-pentanedione glyoxime, Bis-o- (n-butanesulfonyl) -2-methyl-3,4
-Pentanedione glyoxime, bis-o- (methanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o-
(Trifluoromethanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (1,1,1-trifluoroethanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o
-(Tert-butanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (perfluorooctanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (cyclohexanesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (Benzenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (p-fluorobenzenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (pt
tert-butylbenzenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (xylenesulfonyl) -α-
Glyoxime derivatives such as dimethylglyoxime, bis-o- (camphorsulfonyl) -α-dimethylglyoxime,

【0204】ビスナフチルスルホニルメタン、ビストリ
フルオロメチルスルホニルメタン、ビスメチルスルホニ
ルメタン、ビスエチルスルホニルメタン、ビスプロピル
スルホニルメタン、ビスイソプロピルスルホニルメタ
ン、ビス−p−トルエンスルホニルメタン、ビスベンゼ
ンスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、2−シク
ロヘキシルカルボニル−2−(p−トルエンスルホニ
ル)プロパン、2−イソプロピルカルボニル−2−(p
−トルエンスルホニル)プロパン等のβ−ケトスルホン
誘導体、ジフェニルジスルホン、ジシクロヘキシルジス
ルホン等のジスルホン誘導体、p−トルエンスルホン酸
2,6−ジニトロベンジル、p−トルエンスルホン酸
2,4−ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネ
ート誘導体、1,2,3−トリス(メタンスルホニルオ
キシ)ベンゼン、1,2,3−トリス(トリフルオロメ
タンスルホニルオキシ)ベンゼン、1,2,3−トリス
(p−トルエンスルホニルオキシ)ベンゼン等のスルホ
ン酸エステル誘導体、
Bissulfone derivatives such as bisnaphthylsulfonylmethane, bistrifluoromethylsulfonylmethane, bismethylsulfonylmethane, bisethylsulfonylmethane, bispropylsulfonylmethane, bisisopropylsulfonylmethane, bis-p-toluenesulfonylmethane, bisbenzenesulfonylmethane, etc. , 2-cyclohexylcarbonyl-2- (p-toluenesulfonyl) propane, 2-isopropylcarbonyl-2- (p
Β-ketosulfone derivatives such as -toluenesulfonyl) propane; disulfone derivatives such as diphenyldisulfone and dicyclohexyldisulfone; nitrobenzylsulfonates such as 2,6-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate and 2,4-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate Derivatives, sulfonic acids such as 1,2,3-tris (methanesulfonyloxy) benzene, 1,2,3-tris (trifluoromethanesulfonyloxy) benzene, 1,2,3-tris (p-toluenesulfonyloxy) benzene Ester derivatives,

【0205】N−ヒドロキシスクシンイミドメチルスル
ホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフ
ルオロメチルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスク
シンイミドエチルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシ
スクシンイミドプロピルスルホン酸エステル、N−ヒド
ロキシスクシンイミドイソプロピルスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシスクシンイミドペンチルスルホン酸
エステル、N−ヒドロキシスクシンイミドオクチルスル
ホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド−p−
トルエンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシン
イミド−p−アニシルスルホン酸エステル、N−ヒドロ
キシスクシンイミド−2−クロロエチルスルホン酸エス
テル、N−ヒドロキシスクシンイミドベンゼンスルホン
酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミド−2,4,
6−トリメチルフェニルスルホン酸エステル、N−ヒド
ロキシスクシンイミドナフチルスルホン酸エステル、N
−ヒドロキシ−2−フェニルスクシンイミドメチルスル
ホン酸エステル、N−ヒドロキシマレイミドメチルスル
ホン酸エステル、N−ヒドロキシマレイミドエチルスル
ホン酸エステル、N−ヒドロキシ−2−フェニルマレイ
ミドメチルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシグルタ
ルイミドメチルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシグ
ルタルイミドフェニルスルホン酸エステル、N−ヒドロ
キシフタルイミドメチルスルホン酸エステル、N−ヒド
ロキシフタルイミドフェニルスルホン酸エステル、N−
ヒドロキシフタルイミドトリフルオロメタンスルホン酸
エステル、N−ヒドロキシフタルイミド−p−トルエン
スルホン酸エステル、N−ヒドロキシ−1,8−ナフタ
ルイミドメチルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシ−
1,8−ナフタルイミドフェニルスルホン酸エステル、
N−ヒドロキシ−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボ
キシイミドメチルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシ
−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミドトリ
フルオロメタンスルホン酸エステル、N−ヒドロキシ−
5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミド−p−
トルエンスルホン酸エステル等のN−ヒドロキシイミド
化合物のスルホン酸エステル誘導体等が挙げられる。
N-hydroxysuccinimide methyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide trifluoromethyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide ethyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide propyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide isopropyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide pentylsulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimideoctylsulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide-p-
Toluenesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide-p-anisylsulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide-2-chloroethylsulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimidebenzenesulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimide-2,4
6-trimethylphenylsulfonic acid ester, N-hydroxysuccinimidonaphthylsulfonic acid ester, N
-Hydroxy-2-phenylsuccinimide methyl sulfonate, N-hydroxymaleimidomethyl sulfonate, N-hydroxymaleimidoethyl sulfonate, N-hydroxy-2-phenylmaleimidomethyl sulfonate, N-hydroxyglutarimide methyl sulfone Acid ester, N-hydroxyglutarimidophenylsulfonic acid ester, N-hydroxyphthalimidomethylsulfonic acid ester, N-hydroxyphthalimidophenylsulfonic acid ester, N-
Hydroxyphthalimide trifluoromethanesulfonic acid ester, N-hydroxyphthalimide-p-toluenesulfonic acid ester, N-hydroxy-1,8-naphthalimidomethylsulfonic acid ester, N-hydroxy-
1,8-naphthalimidophenylsulfonic acid ester,
N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide methylsulfonic acid ester, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide trifluoromethanesulfonic acid ester, N-hydroxy-
5-norbornene-2,3-dicarboximide-p-
And sulfonic acid ester derivatives of N-hydroxyimide compounds such as toluenesulfonic acid ester.

【0206】これらの中でも、トリフルオロメタンスル
ホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタン
スルホン酸(p−tert−ブトキシフェニル)ジフェ
ニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリ
ス(p−tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、
p−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、p
−トルエンスルホン酸(p−tert−ブトキシフェニ
ル)ジフェニルスルホニウム、p−トルエンスルホン酸
トリス(p−tert−ブトキシフェニル)スルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホ
ニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシル
メチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム、ト
リフルオロメタンスルホン酸(2−ノルボニル)メチル
(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウム、1,2’
−ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウ
ムトリフレート等のオニウム塩、ビス(ベンゼンスルホ
ニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)
ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジア
ゾメタン、ビス(n−ブチルスルホニル)ジアゾメタ
ン、ビス(イソブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス
(sec−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(n
−プロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソプロ
ピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(tert−ブチ
ルスルホニル)ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、
ビス−o−(p−トルエンスルホニル)−α−ジメチル
グリオキシム、ビス−o−(n−ブタンスルホニル)−
α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビ
スナフチルスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、
N−ヒドロキシスクシンイミドメチルスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメチル
スルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイミドプ
ロピルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシスクシンイ
ミドイソプロピルスルホン酸エステル、N−ヒドロキシ
スクシンイミドペンチルスルホン酸エステル、N−ヒド
ロキシスクシンイミド−p−トルエンスルホン酸エステ
ル、N−ヒドロキシ−1,8−ナフタルイミドメチルス
ルホン酸エステル、N−ヒドロキシ−1,8−ナフタル
イミドフェニルスルホン酸エステル等のN−ヒドロキシ
イミド化合物のスルホン酸エステル誘導体が好ましく用
いられる。
Among them, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, trifluoromethanesulfonate (p-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium, tris (p-tert-butoxyphenyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate,
triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, p
-(P-tert-butoxyphenyl) diphenylsulfonium toluenesulfonic acid, tris (p-tert-butoxyphenyl) sulfonium p-toluenesulfonate, trinaphthylsulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl trifluoromethanesulfonate (2-oxocyclohexyl) ) Sulfonium, (2-norbornyl) methyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, 1,2 ′
-Onium salts such as naphthylcarbonylmethyltetrahydrothiophenium triflate, bis (benzenesulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl)
Diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (n-butylsulfonyl) diazomethane, bis (isobutylsulfonyl) diazomethane, bis (sec-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n
Diazomethane derivatives such as -propylsulfonyl) diazomethane, bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, and bis (tert-butylsulfonyl) diazomethane;
Bis-o- (p-toluenesulfonyl) -α-dimethylglyoxime, bis-o- (n-butanesulfonyl)-
glyoxime derivatives such as α-dimethylglyoxime, bissulfone derivatives such as bisnaphthylsulfonylmethane,
N-hydroxysuccinimide methyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide trifluoromethyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide propyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide isopropyl sulfonate, N-hydroxysuccinimide pentyl sulfonate, N-hydroxy Sulfonate derivatives of N-hydroxyimide compounds such as succinimide-p-toluenesulfonic acid ester, N-hydroxy-1,8-naphthalimidomethylsulfonic acid ester and N-hydroxy-1,8-naphthalimidophenylsulfonic acid ester Is preferably used.

【0207】なお、上記光酸発生剤は1種を単独で又は
2種以上を組み合わせて用いることができる。オニウム
塩は矩形性向上効果に優れ、ジアゾメタン誘導体及びグ
リオキシム誘導体は定在波低減効果に優れるが、両者を
組み合わせることにより、プロファイルの微調整を行う
ことが可能である。
The photoacid generators may be used alone or in combination of two or more. The onium salt is excellent in the effect of improving the rectangularity, and the diazomethane derivative and the glyoxime derivative are excellent in the standing wave reducing effect. However, by combining the two, fine adjustment of the profile can be performed.

【0208】光酸発生剤の添加量は、(A)の樹脂10
0部に対して好ましくは0.1〜15部、より好ましく
は0.5〜8部である。0.1部より少ないと感度が悪
い場合があり、15部より多いとアルカリ溶解速度が低
下することによってレジスト材料の解像性が低下する場
合があり、またモノマー成分が過剰となるために耐熱性
が低下する場合がある。
The amount of the photoacid generator added was as follows:
The amount is preferably 0.1 to 15 parts, more preferably 0.5 to 8 parts with respect to 0 parts. If the amount is less than 0.1 part, the sensitivity may be poor, and if the amount is more than 15 parts, the resolution of the resist material may decrease due to a decrease in the alkali dissolution rate. Performance may be reduced.

【0209】更に、本発明の感放射線性組成物には、
(D)成分として塩基性化合物を配合することができ
る。
Further, the radiation-sensitive composition of the present invention comprises
A basic compound can be blended as the component (D).

【0210】この(D)添加剤として配合される塩基性
化合物は、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡
散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適
しており、このような塩基性化合物の配合により、レジ
スト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上
し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性
を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向
上することができる。
As the basic compound to be added as the (D) additive, a compound capable of suppressing the rate of diffusion of the acid generated from the acid generator into the resist film is suitable. Incorporation of a basic compound suppresses the diffusion rate of acid in the resist film to improve resolution, suppresses sensitivity changes after exposure, reduces substrate and environment dependency, reduces exposure margin and pattern Profiles and the like can be improved.

【0211】このような塩基性化合物としては、第1
級、第2級、第3級の脂肪族アミン類、混成アミン類、
芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有す
る含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、
ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニ
ル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合
物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。
Examples of such a basic compound include the following:
Primary, secondary, tertiary aliphatic amines, mixed amines,
Aromatic amines, heterocyclic amines, nitrogen-containing compounds having a carboxy group, nitrogen-containing compounds having a sulfonyl group,
Examples include a nitrogen-containing compound having a hydroxy group, a nitrogen-containing compound having a hydroxyphenyl group, an alcoholic nitrogen-containing compound, an amide derivative, and an imide derivative.

【0212】具体的には、第1級の脂肪族アミン類とし
て、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n−プ
ロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミ
ン、イソブチルアミン、sec−ブチルアミン、ter
t−ブチルアミン、ペンチルアミン、tert−アミル
アミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シク
ロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、
ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチル
アミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラ
エチレンペンタミン等が例示され、第2級の脂肪族アミ
ン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−n
−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−n−ブ
チルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−sec−ブチル
アミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、
ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチ
ルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシ
ルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N
−ジメチルメチレンジアミン、N,N−ジメチルエチレ
ンジアミン、N,N−ジメチルテトラエチレンペンタミ
ン等が例示され、第3級の脂肪族アミン類として、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピル
アミン、トリイソプロピルアミン、トリ−n−ブチルア
ミン、トリイソブチルアミン、トリ−sec−ブチルア
ミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミ
ン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、
トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニル
アミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリ
セチルアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルメチ
レンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチ
レンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルテト
ラエチレンペンタミン等が例示される。
Specifically, the primary aliphatic amines include ammonia, methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, sec-butylamine, tertiary aliphatic amines.
t-butylamine, pentylamine, tert-amylamine, cyclopentylamine, hexylamine, cyclohexylamine, heptylamine, octylamine,
Nonylamine, decylamine, dodecylamine, cetylamine, methylenediamine, ethylenediamine, tetraethylenepentamine and the like are exemplified. As secondary aliphatic amines, dimethylamine, diethylamine, di-n
-Propylamine, diisopropylamine, di-n-butylamine, diisobutylamine, di-sec-butylamine, dipentylamine, dicyclopentylamine,
Dihexylamine, dicyclohexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, didodecylamine, dicetylamine, N, N
-Dimethylmethylenediamine, N, N-dimethylethylenediamine, N, N-dimethyltetraethylenepentamine, and the like. Examples of the tertiary aliphatic amines include trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, and triisopropylamine. , Tri-n-butylamine, triisobutylamine, tri-sec-butylamine, tripentylamine, tricyclopentylamine, trihexylamine, tricyclohexylamine,
Triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, tridodecylamine, tricetylamine, N, N, N ', N'-tetramethylmethylenediamine, N, N, N', N'-tetra Examples include methylethylenediamine, N, N, N ', N'-tetramethyltetraethylenepentamine and the like.

【0213】また、混成アミン類としては、例えばジメ
チルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベン
ジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミ
ン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類
の具体例としては、アニリン誘導体(例えばアニリン、
N−メチルアニリン、N−エチルアニリン、N−プロピ
ルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、2−メチルア
ニリン、3−メチルアニリン、4−メチルアニリン、エ
チルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリ
ン、2−ニトロアニリン、3−ニトロアニリン、4−ニ
トロアニリン、2,4−ジニトロアニリン、2,6−ジ
ニトロアニリン、3,5−ジニトロアニリン、N,N−
ジメチルトルイジン等)、ジフェニル(p−トリル)ア
ミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、
フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタ
レン、ピロール誘導体(例えばピロール、2H−ピロー
ル、1−メチルピロール、2,4−ジメチルピロール、
2,5−ジメチルピロール、N−メチルピロール等)、
オキサゾール誘導体(例えばオキサゾール、イソオキサ
ゾール等)、チアゾール誘導体(例えばチアゾール、イ
ソチアゾール等)、イミダゾール誘導体(例えばイミダ
ゾール、4−メチルイミダゾール、4−メチル−2−フ
ェニルイミダゾール等)、ピラゾール誘導体、フラザン
誘導体、ピロリン誘導体(例えばピロリン、2−メチル
−1−ピロリン等)、ピロリジン誘導体(例えばピロリ
ジン、N−メチルピロリジン、ピロリジノン、N−メチ
ルピロリドン等)、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジ
ン誘導体、ピリジン誘導体(例えばピリジン、メチルピ
リジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピ
リジン、4−(1−ブチルペンチル)ピリジン、ジメチ
ルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジ
ン、フェニルピリジン、3−メチル−2−フェニルピリ
ジン、4−tert−ブチルピリジン、ジフェニルピリ
ジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシ
ピリジン、ジメトキシピリジン、1−メチル−2−ピリ
ドン、4−ピロリジノピリジン、1−メチル−4−フェ
ニルピリジン、2−(1−エチルプロピル)ピリジン、
アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等)、ピリダ
ジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラ
ゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導
体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール
誘導体、イソインドール誘導体、1H−インダゾール誘
導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体(例えばキノ
リン、3−キノリンカルボニトリル等)、イソキノリン
誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテ
リジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン
誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,1
0−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノ
シン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラ
シル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
Examples of the mixed amines include dimethylethylamine, methylethylpropylamine, benzylamine, phenethylamine and benzyldimethylamine. Specific examples of aromatic amines and heterocyclic amines include aniline derivatives (for example, aniline,
N-methylaniline, N-ethylaniline, N-propylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, ethylaniline, propylaniline, trimethylaniline, 2-nitroaniline , 3-nitroaniline, 4-nitroaniline, 2,4-dinitroaniline, 2,6-dinitroaniline, 3,5-dinitroaniline, N, N-
Dimethyl toluidine, etc.), diphenyl (p-tolyl) amine, methyl diphenylamine, triphenylamine,
Phenylenediamine, naphthylamine, diaminonaphthalene, pyrrole derivatives (e.g., pyrrole, 2H-pyrrole, 1-methylpyrrole, 2,4-dimethylpyrrole,
2,5-dimethylpyrrole, N-methylpyrrole, etc.),
Oxazole derivatives (eg, oxazole, isoxazole, etc.), thiazole derivatives (eg, thiazole, isothiazole, etc.), imidazole derivatives (eg, imidazole, 4-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, etc.), pyrazole derivatives, furazane derivatives, Pyrroline derivatives (eg, pyrroline, 2-methyl-1-pyrroline, etc.), pyrrolidine derivatives (eg, pyrrolidine, N-methylpyrrolidine, pyrrolidinone, N-methylpyrrolidone, etc.), imidazoline derivatives, imidazolidine derivatives, pyridine derivatives (eg, pyridine, methyl) Pyridine, ethylpyridine, propylpyridine, butylpyridine, 4- (1-butylpentyl) pyridine, dimethylpyridine, trimethylpyridine, triethylpyridine, phenylpyridyl , 3-methyl-2-phenylpyridine, 4-tert-butylpyridine, diphenylpyridine, benzylpyridine, methoxypyridine, butoxypyridine, dimethoxypyridine, 1-methyl-2-pyridone, 4-pyrrolidinopyridine, 1-methyl- 4-phenylpyridine, 2- (1-ethylpropyl) pyridine,
Aminopyridine, dimethylaminopyridine, etc.), pyridazine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolidine derivatives, piperidine derivatives, piperazine derivatives, morpholine derivatives, indole derivatives, isoindole derivatives, 1H-indazole derivatives, indoline derivatives, quinoline derivatives (Eg, quinoline, 3-quinolinecarbonitrile), isoquinoline derivatives, cinnoline derivatives, quinazoline derivatives, quinoxaline derivatives, phthalazine derivatives, purine derivatives, pteridine derivatives, carbazole derivatives, phenanthridine derivatives, acridine derivatives, phenazine derivatives, 1,1
Examples thereof include 0-phenanthroline derivatives, adenine derivatives, adenosine derivatives, guanine derivatives, guanosine derivatives, uracil derivatives, uridine derivatives and the like.

【0214】更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物
としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン
酸、アミノ酸誘導体(例えばニコチン酸、アラニン、ア
ルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、
ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシ
ン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジ
ン、3−アミノピラジン−2−カルボン酸、メトキシア
ラニン)等が例示され、スルホニル基を有する含窒素化
合物として3−ピリジンスルホン酸、p−トルエンスル
ホン酸ピリジニウム等が例示され、ヒドロキシ基を有す
る含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素
化合物、アルコール性含窒素化合物としては、2−ヒド
ロキシピリジン、アミノクレゾール、2,4−キノリン
ジオール、3−インドールメタノールヒドレート、モノ
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、N−エチルジエタノールアミン、N,N−ジ
エチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミ
ン、2,2’−イミノジエタノール、2−アミノエタノ
−ル、3−アミノ−1−プロパノール、4−アミノ−1
−ブタノール、4−(2−ヒドロキシエチル)モルホリ
ン、2−(2−ヒドロキシエチル)ピリジン、1−(2
−ヒドロキシエチル)ピペラジン、1−[2−(2−ヒ
ドロキシエトキシ)エチル]ピペラジン、ピペリジンエ
タノール、1−(2−ヒドロキシエチル)ピロリジン、
1−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリジノン、3
−ピペリジノ−1,2−プロパンジオール、3−ピロリ
ジノ−1,2−プロパンジオール、8−ヒドロキシユロ
リジン、3−クイヌクリジノール、3−トロパノール、
1−メチル−2−ピロリジンエタノール、1−アジリジ
ンエタノール、N−(2−ヒドロキシエチル)フタルイ
ミド、N−(2−ヒドロキシエチル)イソニコチンアミ
ド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミ
ド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズ
アミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタル
イミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。
Further, examples of the nitrogen-containing compound having a carboxy group include aminobenzoic acid, indolecarboxylic acid, and amino acid derivatives (eg, nicotinic acid, alanine, arginine, aspartic acid, glutamic acid, glycine,
Histidine, isoleucine, glycylleucine, leucine, methionine, phenylalanine, threonine, lysine, 3-aminopyrazine-2-carboxylic acid, methoxyalanine) and the like, and 3-pyridinesulfonic acid as a nitrogen-containing compound having a sulfonyl group; Pyridinium p-toluenesulfonate and the like are exemplified. Examples of the nitrogen-containing compound having a hydroxy group, the nitrogen-containing compound having a hydroxyphenyl group, and the alcoholic nitrogen-containing compound include 2-hydroxypyridine, aminocresol, and 2,4-quinolinediol. , 3-indolemethanol hydrate, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N, N-diethylethanolamine, triisopropanolamine, 2,2'-imino Diethanol, 2-aminoethanol, 3-amino-1-propanol, 4-amino-1
-Butanol, 4- (2-hydroxyethyl) morpholine, 2- (2-hydroxyethyl) pyridine, 1- (2
-Hydroxyethyl) piperazine, 1- [2- (2-hydroxyethoxy) ethyl] piperazine, piperidineethanol, 1- (2-hydroxyethyl) pyrrolidine,
1- (2-hydroxyethyl) -2-pyrrolidinone, 3
-Piperidino-1,2-propanediol, 3-pyrrolidino-1,2-propanediol, 8-hydroxyurolidine, 3-quinuclidinol, 3-tropanol,
Examples thereof include 1-methyl-2-pyrrolidineethanol, 1-aziridineethanol, N- (2-hydroxyethyl) phthalimide, and N- (2-hydroxyethyl) isonicotinamide. Examples of amide derivatives include formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamido, N-methylacetamido,
Examples include N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide and the like. Examples of the imide derivative include phthalimide, succinimide, and maleimide.

【0215】更に、下記一般式(15)及び(16)で
示される塩基性化合物を配合することもできる。
Further, basic compounds represented by the following general formulas (15) and (16) can be blended.

【0216】[0216]

【化55】 Embedded image

【0217】(式中、R41、R42、R43、R47、R48
それぞれ独立して直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数1
〜20のアルキレン基、R44、R45、R46、R49、R50
は水素原子、炭素数1〜20のアルキル基又はアミノ基
を示し、R44とR45、R45とR 46、R44とR46、R44
45とR46、R49とR50はそれぞれ結合して環を形成し
てもよい。S、T、Uはそれぞれ0〜20の整数を示
す。但し、S、T、U=0のとき、R44、R45、R46
49、R50は水素原子を含まない。)
(Wherein R41, R42, R43, R47, R48Is
Each independently represents a linear, branched or cyclic carbon number of 1
~ 20 alkylene groups, R44, R45, R46, R49, R50
Is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an amino group
And R44And R45, R45And R 46, R44And R46, R44When
R45And R46, R49And R50Each combine to form a ring
You may. S, T and U each represent an integer of 0 to 20
You. However, when S, T, U = 0, R44, R45, R46,
R49, R50Does not contain a hydrogen atom. )

【0218】ここで、R41、R42、R43、R47、R48
アルキレン基としては、炭素数1〜20、好ましくは1
〜10、更に好ましくは1〜8のものであり、具体的に
は、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソ
プロピレン基、n−ブチレン基、イソブチレン基、n−
ペンチレン基、イソペンチレン基、ヘキシレン基、ノニ
レン基、デシレン基、シクロペンチレン基、シクロへキ
シレン基等が挙げられる。
The alkylene group represented by R 41 , R 42 , R 43 , R 47 and R 48 has 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 carbon atom.
-10, more preferably 1-8, and specifically, methylene, ethylene, n-propylene, isopropylene, n-butylene, isobutylene, n-
Examples include a pentylene group, an isopentylene group, a hexylene group, a nonylene group, a decylene group, a cyclopentylene group, and a cyclohexylene group.

【0219】また、R44、R45、R46、R49、R50のア
ルキル基としては、炭素数1〜20、好ましくは1〜
8、更に好ましくは1〜6のものであり、これらは直鎖
状、分岐状、環状のいずれであってもよい。具体的に
は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル
基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ノ
ニル基、デシル基、ドデシル基、トリデシル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
The alkyl group of R 44 , R 45 , R 46 , R 49 and R 50 has 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms.
8, more preferably 1 to 6, which may be linear, branched, or cyclic. Specifically, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, n-pentyl, isopentyl, hexyl, nonyl, decyl, dodecyl Group, tridecyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like.

【0220】更に、R44とR45、R45とR46、R44とR
46、R44とR45とR46、R49とR50が環を形成する場
合、その環の炭素数は1〜20、より好ましくは1〜
8、更に好ましくは1〜6であり、またこれらの環は炭
素数1〜6、特に1〜4のアルキル基が分岐していても
よい。
Further, R 44 and R 45 , R 45 and R 46 , R 44 and R 46
46, if R 44 and R 45 and R 46, R 49 and R 50 form rings, the number of carbon atoms in the ring is 1 to 20, more preferably 1 to
8, more preferably 1 to 6, and in these rings, an alkyl group having 1 to 6, particularly 1 to 4 carbon atoms may be branched.

【0221】S、T、Uはそれぞれ0〜20の整数であ
り、より好ましくは1〜10、更に好ましくは1〜8の
整数である。
Each of S, T and U is an integer of 0 to 20, more preferably 1 to 10, and further preferably 1 to 8.

【0222】上記(15)、(16)の化合物として具
体的には、トリス{2−(メトキシメトキシ)エチル}
アミン、トリス{2−(メトキシエトキシ)エチル}ア
ミン、トリス[2−{(2−メトキシエトキシ)メトキ
シ}エチル]アミン、トリス{2−(2−メトキシエト
キシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メトキシエ
トキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシ
エトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキ
シプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−{(2−
ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、4,
7,13,16,21,24−ヘキサオキサ−1,10
−ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,
7,13,18−テトラオキサ−1,10−ジアザビシ
クロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13−
テトラオキサ−7,16−ジアザビシクロオクタデカ
ン、1−アザ−12−クラウン−4、1−アザ−15−
クラウン−5、1−アザ−18−クラウン−6等が挙げ
られる。
Specific examples of the compounds of the above (15) and (16) include tris {2- (methoxymethoxy) ethyl}
Amine, tris {2- (methoxyethoxy) ethyl} amine, tris [2-{(2-methoxyethoxy) methoxy} ethyl] amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- ( 1-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris [2-{(2-
Hydroxyethoxy) ethoxydiethyl] amine, 4,
7,13,16,21,24-hexaoxa-1,10
-Diazabicyclo [8.8.8] hexacosan, 4,
7,13,18-tetraoxa-1,10-diazabicyclo [8.5.5] eicosan, 1,4,10,13-
Tetraoxa-7,16-diazabicyclooctadecane, 1-aza-12-crown-4, 1-aza-15-
Crown-5, 1-aza-18-crown-6 and the like.

【0223】(D)成分としては、特に第3級アミン、
アニリン誘導体、ピロリジン誘導体、ピリジン誘導体、
キノリン誘導体、アミノ酸誘導体、ヒドロキシ基を有す
る含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素
化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イ
ミド誘導体、トリス{2−(メトキシメトキシ)エチ
ル}アミン、トリス{(2−(2−メトキシエトキシ)
エチル}アミン、トリス[2−{(2−メトキシエトキ
シ)メチル}エチル]アミン、1−アザ−15−クラウ
ン−5等が好ましい。
As the component (D), tertiary amines,
Aniline derivatives, pyrrolidine derivatives, pyridine derivatives,
Quinoline derivatives, amino acid derivatives, nitrogen-containing compounds having a hydroxy group, nitrogen-containing compounds having a hydroxyphenyl group, alcoholic nitrogen-containing compounds, amide derivatives, imide derivatives, tris {2- (methoxymethoxy) ethyl} amine, tris} ( 2- (2-methoxyethoxy)
Preferred are ethyl @ amine, tris [2-{(2-methoxyethoxy) methyl} ethyl] amine, 1-aza-15-crown-5, and the like.

【0224】上記塩基性化合物の配合量は、光酸発生剤
1部に対して0.001〜10部、好ましくは0.01
〜1部である。配合量が0.001部未満であると添加
剤としての効果が十分に得られない場合があり、10部
を超えると解像度や感度が低下する場合がある。
The amount of the basic compound is 0.001-10 parts, preferably 0.01 part, per part of the photoacid generator.
~ 1 part. If the amount is less than 0.001 part, the effect as an additive may not be sufficiently obtained, and if it exceeds 10 parts, the resolution and sensitivity may be reduced.

【0225】本発明の感放射線性組成物には、上記成分
以外に任意成分として塗布性を向上させるために慣用さ
れている界面活性剤を添加することができる。なお、任
意成分の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常
量とすることができる。
The radiation-sensitive composition of the present invention may contain, as an optional component, a surfactant which is commonly used for improving coating properties, in addition to the above components. In addition, the addition amount of the optional component can be a normal amount as long as the effect of the present invention is not impaired.

【0226】ここで、界面活性剤としては非イオン性の
ものが好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチ
レンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフル
オロアルキルアミンオキサイド、パーフルオロアルキル
EO付加物、含フッ素オルガノシロキサン系化合物など
が挙げられる。例えばフロラード「FC−430」、
「FC−431」(いずれも住友スリーエム(株)
製)、サーフロン「S−141」、「S−145」(い
ずれも旭硝子(株)製)、ユニダイン「DS−40
1」、「DS−403」、「DS−451」(いずれも
ダイキン工業(株)製)、メガファック「F−815
1」(大日本インキ工業(株)製)、「X−70−09
2」、「X−70−093」(いずれも信越化学工業
(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル
(株)製)等を挙げることができる。好ましくは、フロ
ラード「FC−430」(住友スリーエム(株)製)、
「X−70−093」(信越化学工業(株)製)、トロ
イゾルS−366(トロイケミカル(株)製)が挙げら
れる。
The surfactant is preferably a nonionic surfactant, and is preferably a perfluoroalkylpolyoxyethylene ethanol, a fluorinated alkyl ester, a perfluoroalkylamine oxide, a perfluoroalkylEO adduct, or a fluorine-containing organosiloxane-based surfactant. And the like. For example, Florard "FC-430",
"FC-431" (all are Sumitomo 3M Limited)
), Surflon "S-141", "S-145" (all manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Unidyne "DS-40"
1 "," DS-403 "," DS-451 "(all manufactured by Daikin Industries, Ltd.), MegaFac" F-815 "
1 "(manufactured by Dainippon Ink Industries, Ltd.)," X-70-09 "
2 "," X-70-093 "(all manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Troysol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.) and the like. Preferably, Florado “FC-430” (manufactured by Sumitomo 3M Limited),
"X-70-093" (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and Troysol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.).

【0227】本発明の溶液状組成物は、基板上に塗布さ
れ、引き続く乾燥により溶剤が除去されてレジスト塗膜
が形成される。この塗膜の膜厚は、0.05〜1.2μ
mが好ましく、特に二層用レジストとして使用された場
合、より好ましくは0.1〜0.35μmである。本発
明においては、形成されたレジスト塗膜が、波長193
nmの光に対して40〜70%/200nm、特には4
5〜65%/200nm、波長157nmの光に対して
20〜70%/200nm、特には35〜60%/20
0nmの透過率を有することが好ましい。レジスト塗膜
が上記範囲の透過率を有することにより、定在波のみら
れない矩形なプロファイルを得ることが可能となり、好
ましい結果が得られる。透過率の調整法としては、例え
ば組成物の波長193nm及び157nmの光に対する
透過率は、(A)成分中での各繰り返し単位の種類、共
重合比および分子量により調整することも可能である。
さらに、その波長に吸収を持つような(B)成分、酸分
解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、界面活性剤、光増
感剤、有機塩基化合物、および露光部の現像液に対する
溶解性を促進させる化合物の添加量を適宜調整すること
によりなされる。
The solution composition of the present invention is applied on a substrate, and the solvent is removed by subsequent drying to form a resist coating film. The thickness of this coating film is 0.05 to 1.2 μm.
m is preferable, and particularly when it is used as a two-layer resist, it is more preferably 0.1 to 0.35 μm. In the present invention, the formed resist coating film has a wavelength of 193.
40-70% / 200 nm, especially 4
5 to 65% / 200 nm, 20 to 70% / 200 nm, particularly 35 to 60% / 20 for light having a wavelength of 157 nm.
It preferably has a transmittance of 0 nm. When the resist coating film has the transmittance in the above range, it is possible to obtain a rectangular profile in which only a standing wave is not generated, and a preferable result is obtained. As a method of adjusting the transmittance, for example, the transmittance of the composition for light having wavelengths of 193 nm and 157 nm can be adjusted by the type, copolymerization ratio, and molecular weight of each repeating unit in the component (A).
Further, the solubility of the component (B), the acid-decomposable dissolution inhibiting compound, the dye, the plasticizer, the surfactant, the photosensitizer, the organic base compound, and the developer in the exposed portion, which have absorption at the wavelength, is determined. This is achieved by appropriately adjusting the amount of the compound to be promoted.

【0228】本発明の感放射線性樹脂組成物を使用して
パターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を
採用して行うことができ、例えばシリコンウエハー等の
基板上にスピンコーティング等の手法で膜厚が0.05
〜2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレー
ト上で60〜150℃、1〜10分間、好ましくは80
〜120℃、1〜5分間プリベークする。次いで目的の
パターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上
にかざし、波長300nm以下の遠紫外線、エキシマレ
ーザー、X線、EUV等の高エネルギー線もしくは電子
線を露光量1〜200mJ/cm2(1〜200μC/
cm2)程度、好ましくは10〜100mJ/cm2(1
〜100μC/cm2)程度となるように照射した後、
ホットプレート上で60〜150℃、1〜5分間、好ま
しくは80〜120℃、1〜3分間ポストエクスポージ
ャベーク(PEB)する。更に、0.1〜5%、好まし
くは2〜3%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド(TMAH)等のアルカリ水溶液の現像液を用い、
0.1〜3分間、好ましくは0.5〜2分間、浸漬(d
ip)法、パドル(puddle)法、スプレー(sp
ray)法等の常法により現像することにより基板上に
目的のパターンが形成される。なお、本発明材料は、特
に高エネルギー線の中でも254〜157nmの遠紫外
線又はエキシマレーザー、X線及び電子線による微細パ
ターンニングに最適である。また、上記範囲を上限及び
下限から外れる場合は、目的のパターンを得ることがで
きない場合がある。
A pattern can be formed by using the radiation-sensitive resin composition of the present invention by using a known lithography technique. For example, a pattern such as spin coating is applied onto a substrate such as a silicon wafer. Film thickness 0.05
2.02.0 μm, and apply it on a hot plate at 60-150 ° C. for 1-10 minutes, preferably 80
Pre-bake at ~ 120 ° C for 1-5 minutes. Next, a mask for forming a target pattern is held over the above resist film, and a high energy ray such as far ultraviolet rays having a wavelength of 300 nm or less, excimer laser, X-ray, EUV or the like or an electron beam is exposed at 1 to 200 mJ / cm 2. (1 to 200 μC /
cm 2 ), preferably 10 to 100 mJ / cm 2 (1
100100 μC / cm 2 )
Post exposure bake (PEB) on a hot plate at 60 to 150 ° C for 1 to 5 minutes, preferably at 80 to 120 ° C for 1 to 3 minutes. Further, using a developer of an aqueous alkali solution such as 0.1 to 5%, preferably 2 to 3% tetramethylammonium hydroxide (TMAH),
Dipping for 0.1 to 3 minutes, preferably 0.5 to 2 minutes (d
ip) method, paddle method, spray method (sp
(ray) method to form a target pattern on the substrate by performing development. The material of the present invention is particularly suitable for fine patterning with 254 to 157 nm far ultraviolet rays or excimer laser, X-rays and electron beams among high energy rays. In addition, when the above range is out of the upper limit and the lower limit, a desired pattern may not be obtained.

【0229】また、本発明の感放射線性組成物は高分子
シリコーン化合物を(A)樹脂としたことにより、酸素
プラズマエッチング耐性に優れているので2層レジスト
材料としても有用である。即ち、常法に従い、基板上に
下層レジストとして厚い有機ポリマー層を形成後、本発
明のレジスト溶液をその上にスピン塗布する。上層の本
発明のレジスト層(膜厚0.1〜0.5μm)は、上記
と同様の方法でパターン形成を行った後、エッチングを
行うことにより下層レジストが選択的にエッチングされ
るため、上層のレジストパターンを下層に形成すること
ができる。
The radiation-sensitive composition of the present invention is also useful as a two-layer resist material because it has excellent resistance to oxygen plasma etching by using the polymer silicone compound (A) as the resin. That is, after forming a thick organic polymer layer as a lower resist on a substrate according to a conventional method, the resist solution of the present invention is spin-coated thereon. The upper resist layer (film thickness: 0.1 to 0.5 μm) of the present invention is formed by patterning in the same manner as described above, and then by etching, the lower resist is selectively etched. Can be formed in the lower layer.

【0230】なお、下層レジストには、ノボラック樹脂
系ポジ型レジストを使用することができ、基板上に塗布
した後、200℃で1時間ハードベークすることによ
り、シリコーン系レジストとのインターミキシングを防
ぐことができる。
As the lower resist, a novolak resin-based positive resist can be used. After coating on the substrate, hard baking is performed at 200 ° C. for 1 hour to prevent intermixing with the silicone-based resist. be able to.

【0231】[0231]

【実施例】<合成例> [合成例1] ポリ(3−カルボキシシクロヘキシルシルセスキオキサ
ン)の合成 3−トリクロロシリル−1−シクロヘキシルカルボン酸
メチルエステル150.0g(0.544mol)をト
ルエン150gに溶解し、水300g中へ室温で撹拌し
ながら滴下添加した。滴下終了後、反応混合物より酸性
水層を分離し、次いで水1Lで有機層を水洗し、水層が
中性になってから更に2回水洗を行った。有機層をエバ
ポレーターにより溶媒留去した。その濃縮液を200℃
で2時間加熱し、重合した。重合物にテトラヒドロフラ
ン800gを加えて溶解したものを、10%水酸化ナト
リウム溶液1,000gへ滴下し、40℃で3時間加熱
し、メチルエステル基を加水分解した。塩酸で酸性にし
てポリマーを晶出し、濾過、乾燥を行い、ポリ(3−カ
ルボキシシクロヘキシルシルセスキオキサン)を収量8
3.4gで得た。得られたポリマーの重量平均分子量は
3,000であった。
EXAMPLES <Synthesis Example> [Synthesis Example 1] Synthesis of poly (3-carboxycyclohexylsilsesquioxane) 150.0 g (0.544 mol) of 3-trichlorosilyl-1-cyclohexylcarboxylic acid methyl ester in 150 g of toluene It was dissolved and added dropwise to 300 g of water at room temperature with stirring. After completion of the dropwise addition, an acidic aqueous layer was separated from the reaction mixture, and then the organic layer was washed with 1 L of water, and further washed twice after the aqueous layer became neutral. The solvent was distilled off from the organic layer using an evaporator. 200 ℃
And polymerized for 2 hours. A solution obtained by adding 800 g of tetrahydrofuran to the polymer and dissolving the solution was dropped into 1,000 g of a 10% sodium hydroxide solution, and heated at 40 ° C. for 3 hours to hydrolyze a methyl ester group. The polymer was crystallized by acidification with hydrochloric acid, filtered and dried to obtain poly (3-carboxycyclohexylsilsesquioxane) in a yield of 8%.
Obtained in 3.4 g. The weight average molecular weight of the obtained polymer was 3,000.

【0232】[合成例2] ポリ[(3−カルボキシシクロヘキシルシルセスキオキ
サン)−(シクロヘキシルシルセスキオキサン)]の合
成 3−トリクロロシリル−1−シクロヘキシルカルボン酸
メチルエステル75.0g(0.272mol)とシク
ロヘキシルトリクロロシラン59.2g(0.272m
ol)をトルエン150gに溶解し、水300g中へ室
温で撹拌しながら滴下添加した。滴下終了後、反応混合
物より酸性水層を分離し、次いで水1Lで有機層を水洗
し、水層が中性になってから更に2回水洗を行った。有
機層をエバポレーターにより溶媒留去した。その濃縮液
を200℃で2時間加熱し、重合した。重合物にテトラ
ヒドロフラン800gを加えて溶解したものを、10%
水酸化ナトリウム溶液1,000gへ滴下し、40℃で
3時間加熱し、メチルエステル基を加水分解した。塩酸
で酸性にしてポリマーを晶出し、濾過、乾燥を行い、ポ
リ[(3−カルボキシシクロヘキシルシルセスキオキサ
ン)−(シクロヘキシルシルセスキオキサン)]を収量
82.0gで得た。得られたポリマーの重量平均分子量
は3,500であった。また、1H−NMRの分析にお
いて、3−カルボキシシクロヘキシルシルセスキオキサ
ン/シクロヘキシルシルセスキオキサンの組成比は50
/50(モル比)であった。
Synthesis Example 2 Synthesis of Poly [(3-carboxycyclohexylsilsesquioxane)-(cyclohexylsilsesquioxane)] 3-Trichlorosilyl-1-cyclohexylcarboxylic acid methyl ester 75.0 g (0.272 mol) ) And 59.2 g (0.272 m) of cyclohexyltrichlorosilane
ol) was dissolved in 150 g of toluene and added dropwise to 300 g of water with stirring at room temperature. After completion of the dropwise addition, an acidic aqueous layer was separated from the reaction mixture, and then the organic layer was washed with 1 L of water, and further washed twice after the aqueous layer became neutral. The solvent was distilled off from the organic layer using an evaporator. The concentrate was heated at 200 ° C. for 2 hours to polymerize. The polymer was dissolved by adding 800 g of tetrahydrofuran to 10%
The solution was dropped into 1,000 g of a sodium hydroxide solution and heated at 40 ° C. for 3 hours to hydrolyze a methyl ester group. The polymer was crystallized by acidification with hydrochloric acid, filtered and dried to obtain 82.0 g of poly [(3-carboxycyclohexylsilsesquioxane)-(cyclohexylsilsesquioxane)]. The weight average molecular weight of the obtained polymer was 3,500. In 1 H-NMR analysis, the composition ratio of 3-carboxycyclohexylsilsesquioxane / cyclohexylsilsesquioxane was 50%.
/ 50 (molar ratio).

【0233】[合成例3〜8]合成例1、2と同様な方
法で表1に示すシリコーンポリマーを得た。得られたポ
リマーの重量平均分子量、組成比を表1を示す。
[Synthesis Examples 3 to 8] Silicone polymers shown in Table 1 were obtained in the same manner as in Synthesis Examples 1 and 2. Table 1 shows the weight average molecular weight and composition ratio of the obtained polymer.

【0234】[0234]

【表1】 [Table 1]

【0235】[0235]

【化56】 Embedded image

【0236】[合成例9]合成例1で得られたポリマー
50gをテトラヒドロフラン180mlに溶解させ、触
媒量のp−トルエンスルホン酸を添加後、20℃で撹拌
しながらエチルビニルエーテル23.0gを添加した。
1時間反応させた後、濃アンモニア水により中和し、水
5Lに中和反応液を滴下したところ、白色固体が得られ
た。これを濾過後、アセトン100mlに溶解させ、水
5Lに滴下し、濾過後、真空乾燥した。得られたポリマ
ーは、下記式(Polym.1)で示される構造を有
し、1H−NMRによる分析において、高分子化合物の
カルボキシル基の水素原子の80%がエトキシエチル化
されたことが確認された。
Synthesis Example 9 50 g of the polymer obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 180 ml of tetrahydrofuran, a catalytic amount of p-toluenesulfonic acid was added, and 23.0 g of ethyl vinyl ether was added while stirring at 20 ° C. .
After reacting for 1 hour, the mixture was neutralized with concentrated aqueous ammonia, and the neutralized reaction solution was added dropwise to 5 L of water, whereby a white solid was obtained. After filtration, this was dissolved in 100 ml of acetone, dropped into 5 L of water, filtered, and dried in vacuo. The obtained polymer had a structure represented by the following formula (Polym. 1), and it was confirmed by 1 H-NMR analysis that 80% of the hydrogen atoms of the carboxyl groups of the polymer compound were ethoxyethylated. Was.

【0237】[合成例10〜19]合成例9において、
合成例1〜8のいずれかのポリマーを用い、エチルビニ
ルエーテルの代わりにPolym.2〜11に示す酸分
解性基を導入し得る化合物を用いる以外は同様な方法に
より下記式(Polym.2〜11)で示されるシリコ
ーンポリマーを得た。
[Synthesis Examples 10 to 19]
Using any of the polymers of Synthesis Examples 1 to 8, instead of ethyl vinyl ether, Polym. Silicone polymers represented by the following formulas (Polyms. 2 to 11) were obtained in the same manner except that compounds capable of introducing acid-decomposable groups 2 to 11 were used.

【0238】[合成例20]合成例1で得られたポリマ
ー20gをジメチルホルムアミド200mlに溶解さ
せ、炭酸カリウムを固体のまま添加し、撹拌しながらク
ロロ酢酸−tert−ブチルエステル1.0gを添加
し、60℃で6時間反応させた後、反応液から固体の炭
酸カリウムを濾別して水10Lを滴下したところ、白色
固体が得られた。これを濾過後、アセトン100mlに
溶かし、水5Lに滴下し、濾過後、真空乾燥させ、ポリ
マーを得た。得られたポリマーは、下記式(Poly
m.12)で示される構造を有し、1H−NMRによる
分析において、高分子化合物のカルボキシル基の水素原
子の75%がエトキシエチル化され、tert−ブチル
カルボニル化率は5%であることが確認された。
[Synthesis Example 20] 20 g of the polymer obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 200 ml of dimethylformamide, potassium carbonate was added as a solid, and 1.0 g of chloroacetic acid-tert-butyl ester was added with stirring. After reaction at 60 ° C. for 6 hours, solid potassium carbonate was filtered off from the reaction solution, and 10 L of water was added dropwise to obtain a white solid. After filtration, this was dissolved in 100 ml of acetone, dropped into 5 L of water, filtered, and dried under vacuum to obtain a polymer. The obtained polymer has the following formula (Poly
m. 1H-NMR analysis revealed that 75% of the hydrogen atoms of the carboxyl group of the polymer compound were ethoxyethylated, and the tert-butylcarbonylation rate was 5%. Was.

【0239】[合成例21]合成例1で得られたポリマ
ー20gをジメチルホルムアミド200mlに溶解さ
せ、炭酸カリウムを固体のまま添加し、撹拌しながらク
ロロ酢酸−tert−ブチルエステル13.0gを添加
し、60℃で6時間反応させた後、反応液から固体の炭
酸カリウムを濾別して水10Lを滴下したところ、白色
固体が得られた。これを濾過後、アセトン100mlに
溶かし、水5Lに滴下し、濾過後、真空乾燥させ、ポリ
マーを得た。得られたポリマーは、下記式(Poly
m.13)で示される構造を有し、1H−NMRによる
分析において、高分子化合物のカルボキシル基の水素原
子の65%がエトキシエチル化されていることが確認さ
れた。
[Synthesis Example 21] 20 g of the polymer obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 200 ml of dimethylformamide, potassium carbonate was added as a solid, and 13.0 g of chloroacetic acid-tert-butyl ester was added with stirring. After reaction at 60 ° C. for 6 hours, solid potassium carbonate was filtered off from the reaction solution, and 10 L of water was added dropwise to obtain a white solid. After filtration, this was dissolved in 100 ml of acetone, dropped into 5 L of water, filtered, and dried under vacuum to obtain a polymer. The obtained polymer has the following formula (Poly
m. It has the structure represented by 13), and it was confirmed by analysis by 1 H-NMR that 65% of the hydrogen atoms of the carboxyl groups of the polymer compound were ethoxyethylated.

【0240】[合成例22]合成例1で得られたポリマ
ー50gをテトラヒドロフラン180mlに溶解させ、
無水トリフルオロ酢酸を添加後、5℃以下で撹拌しなが
らtーブチルアルコール18.2gを添加した。2時間
反応させた後、濃アンモニア水により中和し、水5Lに
中和反応液を滴下したところ、白色固体が得られた。こ
れを濾過後、アセトン100mlに溶解させ、水5Lに
滴下し、濾過後、真空乾燥した。得られたポリマーは、
下記式(Polym.14)で示される構造を有し、1
H−NMRによる分析において、高分子化合物のカルボ
キシル基の水素原子の80%がtert−ブチル化され
たことが確認された。
[Synthesis Example 22] 50 g of the polymer obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 180 ml of tetrahydrofuran.
After adding trifluoroacetic anhydride, 18.2 g of t-butyl alcohol was added while stirring at 5 ° C. or lower. After reacting for 2 hours, the mixture was neutralized with concentrated aqueous ammonia, and the neutralized reaction solution was added dropwise to 5 L of water, whereby a white solid was obtained. After filtration, this was dissolved in 100 ml of acetone, dropped into 5 L of water, filtered, and dried in vacuo. The resulting polymer is
It has a structure represented by the following formula (Polym. 14), and 1
In the analysis by H-NMR, it was confirmed that 80% of the hydrogen atoms of the carboxyl group of the polymer compound were tert-butylated.

【0241】[合成例23]合成例5のポリマーを用い
た以外、合成例22と同様な方法で行い、下記式(Po
lym.15)のシリコーンポリマーを得た。
[Synthesis Example 23] A synthesis was performed in the same manner as in Synthesis Example 22 except that the polymer of Synthesis Example 5 was used.
lym. 15) A silicone polymer was obtained.

【0242】[0242]

【化57】 Embedded image

【0243】[0243]

【化58】 Embedded image

【0244】[0244]

【化59】 Embedded image

【0245】[0245]

【化60】 Embedded image

【0246】[0246]

【化61】 Embedded image

【0247】[合成例24] ポリ(3−カルボキシシクロヘキシルシルセスキオキサ
ン)の合成 3−トリクロロシリル−1−シクロヘキシルカルボン酸
メチルエステル150.0g(0.544mol)をト
ルエン150gに溶解し、水300g中へ室温で撹拌し
ながら滴下添加した。滴下終了後、反応混合物より酸性
水層を分離し、次いで水1Lで有機層を水洗し、水層が
中性になってから更に2回水洗を行った。有機層をエバ
ポレーターにより溶媒留去した。その濃縮液を200℃
で2時間加熱し、重合した。重合物にテトラヒドロフラ
ン800gを加えて溶解したものを、10%水酸化ナト
リウム溶液1,000gへ滴下し、40℃で3時間加熱
しメチルエステルを加水分解した。塩酸で酸性にしてポ
リマーを晶出し、濾過、乾燥を行い、ポリ(3−カルボ
キシシクロヘキシルシルセスキオキサン)を収量83.
4gで得た。得られたポリマーの重量平均分子量は3,
000であった。
Synthesis Example 24 Synthesis of Poly (3-carboxycyclohexylsilsesquioxane) 150.0 g (0.544 mol) of methyl 3-trichlorosilyl-1-cyclohexylcarboxylate was dissolved in 150 g of toluene, and 300 g of water was dissolved. It was added dropwise with stirring at room temperature. After completion of the dropwise addition, an acidic aqueous layer was separated from the reaction mixture, and then the organic layer was washed with 1 L of water, and further washed twice after the aqueous layer became neutral. The solvent was distilled off from the organic layer using an evaporator. 200 ℃
And polymerized for 2 hours. A solution obtained by adding 800 g of tetrahydrofuran to the polymer and dissolving the solution was dropped into 1,000 g of a 10% sodium hydroxide solution, and heated at 40 ° C. for 3 hours to hydrolyze the methyl ester. The polymer was crystallized by acidification with hydrochloric acid, filtered and dried to give poly (3-carboxycyclohexylsilsesquioxane) in a yield of 83.
Obtained in 4 g. The weight average molecular weight of the obtained polymer is 3,
000.

【0248】[合成例25] ポリ[(3−カルボキシシクロヘキシルシルセスキオキ
サン)−(シクロヘキシルシルセスキオキサン)]の合
成 3−トリクロロシリル−1−シクロヘキシルカルボン酸
メチルエステル75.0g(0.272mol)とシク
ロヘキシルトリクロロシラン59.2g(0.272m
ol)をトルエン150gに溶解し、水300g中へ室
温で撹拌しながら滴下添加した。滴下終了後、反応混合
物より酸性水層を分離し、次いで水1Lで有機層を水洗
し、水層が中性になってから更に2回水洗を行った。有
機層をエバポレーターにより溶媒留去した。その濃縮液
を200℃で2時間加熱し、重合した。重合物にテトラ
ヒドロフラン800gを加えて溶解したものを、10%
水酸化ナトリウム溶液1,000gへ滴下し、40℃で
3時間加熱しメチルエステルを加水分解した。塩酸で酸
性にしてポリマーを晶出し、濾過、乾燥を行い、ポリ
[(3−カルボキシシクロヘキシルシルセスキオキサ
ン)−(シクロヘキシルシルセスキオキサン)]を収量
82.0gで得た。得られたポリマーの重量平均分子量
は3,500であった。また、1H−NMRの分析にお
いて、3−カルボキシシクロヘキシルシルセスキオキサ
ン/シクロヘキシルシルセスキオキサンの組成比は50
/50(モル比)であった。
Synthesis Example 25 Synthesis of Poly [(3-carboxycyclohexylsilsesquioxane)-(cyclohexylsilsesquioxane)] 3-Trichlorosilyl-1-cyclohexylcarboxylic acid methyl ester 75.0 g (0.272 mol) ) And 59.2 g (0.272 m) of cyclohexyltrichlorosilane
ol) was dissolved in 150 g of toluene and added dropwise to 300 g of water with stirring at room temperature. After completion of the dropwise addition, an acidic aqueous layer was separated from the reaction mixture, and then the organic layer was washed with 1 L of water, and further washed twice after the aqueous layer became neutral. The solvent was distilled off from the organic layer using an evaporator. The concentrate was heated at 200 ° C. for 2 hours to polymerize. The polymer was dissolved by adding 800 g of tetrahydrofuran to 10%
The solution was dropped into 1,000 g of a sodium hydroxide solution and heated at 40 ° C. for 3 hours to hydrolyze the methyl ester. The polymer was crystallized by acidification with hydrochloric acid, filtered and dried to obtain 82.0 g of poly [(3-carboxycyclohexylsilsesquioxane)-(cyclohexylsilsesquioxane)]. The weight average molecular weight of the obtained polymer was 3,500. In 1 H-NMR analysis, the composition ratio of 3-carboxycyclohexylsilsesquioxane / cyclohexylsilsesquioxane was 50%.
/ 50 (molar ratio).

【0249】[合成例26〜31]合成例25におい
て、シクロヘキシルトリクロロシラン化合物を表1のよ
うに代えた以外は同様な方法でシリコーンポリマーを得
た。表2に組成比、重量平均分子量を示す。
[Synthesis Examples 26 to 31] Silicone polymers were obtained in the same manner as in Synthesis Example 25 except that the cyclohexyltrichlorosilane compound was changed as shown in Table 1. Table 2 shows the composition ratio and the weight average molecular weight.

【0250】[合成例32]合成例24で得られたポリ
マー50gをテトラヒドロフラン180mlに溶解さ
せ、触媒量のp−トルエンスルホン酸を添加後、20℃
で撹拌しながらエチルビニルエーテル13.7g、4−
ブタンジオールジビニルエーテル2.5gを添加した。
1時間反応させた後、濃アンモニア水により中和し、水
5Lに中和反応液を滴下したところ、白色固体が得られ
た。これを濾過後、アセトン100mlに溶解させ、水
5Lに滴下し、濾過後、真空乾燥した。得られたポリマ
ーは、下記式(Polym.16)で示される構造を有
し、1H−NMRによる分析において、高分子化合物の
カルボキシル基の水素原子の53%がエトキシエチル化
され、カルボキシル基の水素原子の5%が架橋されたこ
とが確認された。
Synthesis Example 32 50 g of the polymer obtained in Synthesis Example 24 was dissolved in 180 ml of tetrahydrofuran, and a catalytic amount of p-toluenesulfonic acid was added.
While stirring with 13.7 g of ethyl vinyl ether, 4-
2.5 g of butanediol divinyl ether were added.
After reacting for 1 hour, the mixture was neutralized with concentrated aqueous ammonia, and the neutralized reaction solution was added dropwise to 5 L of water, whereby a white solid was obtained. After filtration, this was dissolved in 100 ml of acetone, dropped into 5 L of water, filtered, and dried in vacuo. The obtained polymer has a structure represented by the following formula (Polym. 16). In 1 H-NMR analysis, 53% of the hydrogen atoms of the carboxyl group of the polymer compound are ethoxyethylated, and the hydrogen of the carboxyl group is hydrogenated. It was confirmed that 5% of the atoms were crosslinked.

【0251】[合成例33〜39]合成例32におい
て、エチルビニルエーテル及び4−ブタンジオールジビ
ニルエーテルの代わりにPolym.17〜23に示す
酸分解性基及び架橋基を導入し得る化合物を用いる以外
は同様な方法により下記式(Polym.17〜23)
で示されるシリコーンポリマーを得た。
[Synthesis Examples 33 to 39] In Synthesis Example 32, Polym. 3 was used instead of ethyl vinyl ether and 4-butanediol divinyl ether. The following formula (Polym. 17 to 23) is prepared in the same manner except that a compound capable of introducing an acid-decomposable group and a crosslinking group shown in 17 to 23 is used.
Was obtained.

【0252】[合成例40]合成例32で得られたポリ
マー20gをジメチルホルムアミド200mlに溶解さ
せ、炭酸カリウムを固体のまま添加し、撹拌しながらク
ロロ酢酸−tert−ブチルエステル1.0gを添加
し、60℃で6時間反応させた後、反応液から固体の炭
酸カリウムを濾別して水10Lを滴下したところ、白色
固体が得られた。これを濾過後、アセトン100mlに
溶かし、水5Lに滴下し、濾過後、真空乾燥させ、ポリ
マーを得た。得られたポリマーは、下記式(Poly
m.24)で示される構造を有し、1H−NMRによる
分析において、高分子化合物のカルボキシル基の水素原
子の53%がエトキシエチル化され、カルボキシル基の
水素原子の5%が架橋され、tert−ブチルカルボニ
ル化率は5%であることが確認された。
[Synthesis Example 40] 20 g of the polymer obtained in Synthesis Example 32 was dissolved in 200 ml of dimethylformamide, potassium carbonate was added as a solid, and 1.0 g of chloroacetic acid-tert-butyl ester was added with stirring. After reaction at 60 ° C. for 6 hours, solid potassium carbonate was filtered off from the reaction solution, and 10 L of water was added dropwise to obtain a white solid. After filtration, this was dissolved in 100 ml of acetone, dropped into 5 L of water, filtered, and dried under vacuum to obtain a polymer. The obtained polymer has the following formula (Poly
m. In the analysis by 1 H-NMR, 53% of the hydrogen atoms of the carboxyl group of the polymer compound are ethoxyethylated, 5% of the hydrogen atoms of the carboxyl group are crosslinked, and tert-butyl The carbonylation rate was confirmed to be 5%.

【0253】[合成例41〜47]ベースポリマーを合
成例25〜31に代えた以外は合成例32と同様な方法
により下記式(Polym.25〜31)で示されるシ
リコーンポリマーを得た。
[Synthesis Examples 41 to 47] A silicone polymer represented by the following formula (Polym. 25 to 31) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 32 except that the base polymer was changed to Synthesis Examples 25 to 31.

【0254】得られたポリマーの構造は下記式の通りで
あり、それぞれの置換率は表3に示す通りであった。な
お、下記式において、Rは下記単位を分子間又は分子内
架橋している基を示し、(R)は架橋基Rが結合してい
る状態を示す。
The structure of the obtained polymer was as shown in the following formula, and the respective substitution rates were as shown in Table 3. In the following formula, R represents a group which crosslinks the following units between molecules or intramolecularly, and (R) shows a state where a crosslinking group R is bonded.

【0255】[0255]

【化62】 Embedded image

【0256】[0256]

【表2】 [Table 2]

【0257】[0257]

【化63】 Embedded image

【0258】[0258]

【表3】 [Table 3]

【0259】[0259]

【化64】 Embedded image

【0260】[0260]

【化65】 Embedded image

【0261】[0261]

【化66】 Embedded image

【0262】[0262]

【化67】 Embedded image

【0263】 〔実施例1〜60及び比較例1〜20〕 <ポジ型感放射線性樹脂組成物の調整と評価> 上記合成例で示した下記表4〜7に示す樹脂(polym.) 1.37g、 光酸発生剤 30mg、 有機塩基性化合物(アミン) 1.5mg、 必要により界面活性剤 (30mg)、 を配合し、表4〜7に示す溶剤6.0gに溶解させた。
その得られた溶液を0.1μmのミクロフィルターで濾
過し、実施例1〜60の感放射線性樹脂組成物を得た。
また、比較例1〜20として、各々上記樹脂と光酸発生
剤を用いる以外は、上記実施例1〜60と同様に感放射
線性樹脂組成物を調整した。
Examples 1 to 60 and Comparative Examples 1 to 20 <Adjustment and Evaluation of Positive-Type Radiation-Sensitive Resin Composition> Resins (polym.) Shown in the following Tables 4 to 7 shown in the above Synthesis Examples. 37 g, 30 mg of a photoacid generator, 1.5 mg of an organic basic compound (amine), and a surfactant (30 mg) as necessary, were dissolved in 6.0 g of a solvent shown in Tables 4 to 7.
The obtained solution was filtered through a 0.1 μm microfilter to obtain radiation-sensitive resin compositions of Examples 1 to 60.
Further, as Comparative Examples 1 to 20, radiation-sensitive resin compositions were prepared in the same manner as in Examples 1 to 60 except that the above-mentioned resin and photoacid generator were used, respectively.

【0264】溶剤としては、 S1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート S2:プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピ
オネート S3:乳酸エチル S4:酢酸ブチル S5:2−ヘプタノン S6:プロピレングリコールモノメチルエーテル S7:エトキシエチルプロピオネート S8:γ−ブチロラクトン S9:エチレンカーボネート S10:プロピレンカーボネート S11:シクロヘキサノン
As the solvent, S1: propylene glycol monomethyl ether acetate S2: propylene glycol monomethyl ether propionate S3: ethyl lactate S4: butyl acetate S5: 2-heptanone S6: propylene glycol monomethyl ether S7: ethoxyethyl propionate S8 : Γ-butyrolactone S9: ethylene carbonate S10: propylene carbonate S11: cyclohexanone

【0265】有機塩基性化合物として、 1:トリブチルアミン 2:DBN(1,5−ジアザビシクロ〔4.3.0〕−
5−ノネン) 3:TPI(2,4,5−トリフェニルイミダゾール) を表す。
As the organic basic compound, 1: tributylamine 2: DBN (1,5-diazabicyclo [4.3.0]-
5-nonene) 3: represents TPI (2,4,5-triphenylimidazole).

【0266】表4〜7において、PAG.1〜7は下記
式で示される。
In Tables 4 to 7, PAG. 1 to 7 are represented by the following formulas.

【0267】[0267]

【化68】 Embedded image

【0268】[0268]

【表4】 [Table 4]

【0269】[0269]

【表5】 [Table 5]

【0270】[0270]

【表6】 [Table 6]

【0271】[0271]

【表7】 [Table 7]

【0272】(評価試験)上記で調製したレジスト液を
スピンコーターでプリュワー社製DUV30(1600
Å)を塗布した基板に膜厚3500Å以下で塗布した
後、140℃で90秒間乾燥しレジスト膜を得た。
(Evaluation Test) The resist solution prepared above was applied to a DUV30 (1600) manufactured by Prewer using a spin coater.
After coating on the substrate coated with Å) at a film thickness of 3500 Å or less, it was dried at 140 ° C. for 90 seconds to obtain a resist film.

【0273】こうして得られたウェハーをArFエキシ
マレーザーステッパーに解像力マスクを装填して露光量
と焦点を変化させながら露光した。その後クリーンルー
ム内で125℃、90秒加熱した後、テトラメチルアン
モニウムヒドロオキサイド現像液(2.38%)で60
秒間現像し、蒸留水でリンス、乾燥してパターンを得た
(実施例3〜60)。また、F2エキシマレーザーステ
ッパーを用い同様の手法でパターンを得た(実施例1、
2)。このようにして得られたシリコンウエハーのレジ
ストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジストを
下記のように評価した。これらの評価結果を表8〜11
に示す。
The thus-obtained wafer was exposed to an ArF excimer laser stepper while changing the exposure amount and the focus by mounting a resolving power mask. Then, after heating in a clean room at 125 ° C. for 90 seconds, a tetramethylammonium hydroxide developing solution (2.38%) was used for 60 seconds.
Developed for 2 seconds, rinsed with distilled water, and dried to obtain patterns (Examples 3 to 60). Further, a pattern was obtained in the same manner using an F 2 excimer laser stepper (Example 1,
2). The resist pattern of the silicon wafer thus obtained was observed with a scanning electron microscope, and the resist was evaluated as follows. Tables 8 to 11 show these evaluation results.
Shown in

【0274】〔エッジラフネス〕:エッジラフネスの測
定は、測長走査型電子顕微鏡(SEM)を使用して0.
13μmのラインアンドスペース(ライン/スペース=
1/1.2)パターンのエッジラフネスで行い、測定モ
ニター内でラインパターンエッジを複数の位置で検出
し、その検出位置のバラツキの分散(3σ)をエッジラ
フネスの指標とし、この値が小さいほど好ましい。
[Edge Roughness]: The edge roughness was measured using a length-measuring scanning electron microscope (SEM).
13 μm line and space (line / space =
1 / 1.2) The edge roughness of the pattern is used, the line pattern edge is detected at a plurality of positions in the measurement monitor, and the variance (3σ) of the variation of the detected position is used as an index of the edge roughness. preferable.

【0275】〔パーティクル数と経時保存後のパーティ
クルの増加数〕:上記のように調製した放射線性樹脂組
成物溶液(塗液)について調液直後(パーティクル初期
値)と、4℃で1週間放置した後(経時後のパーティク
ル数)の液中のパーティクル数を、リオン社製、パーテ
ィクルカウンターにてカウントした。パーティクル初期
値とともに、(経時後のパーティクル数)―(パーティ
クル初期値)で計算されるパーティクル増加数を評価し
た。
[Number of particles and increase of particles after storage over time]: The radiation-sensitive resin composition solution (coating solution) prepared as described above was prepared immediately after preparation (initial value of particles) and left at 4 ° C. for one week. After that (the number of particles after aging), the number of particles in the liquid was counted using a particle counter manufactured by Rion. Along with the particle initial value, the number of particles increased by (number of particles after aging)-(particle initial value) was evaluated.

【0276】〔感度変動率〕:上記のように調製した放
射線性樹脂組成物溶液(塗液)について調液直後の感度
(保存前の露光量)を上記のように評価し、上記組成物
溶液を4℃で1週間放置した後の感度(保存後の露光
量)を評価し、下記式により感度変動率を評価した。 感度変動率(%)={(保存前の露光量)−(保存後の
露光量)}/(保存前の露光量)×100
[Sensitivity variation]: The sensitivity (exposure amount before storage) of the radiation-sensitive resin composition solution (coating solution) prepared as described above immediately after the preparation was evaluated as described above. Was allowed to stand at 4 ° C. for 1 week, the sensitivity (exposure after storage) was evaluated, and the sensitivity variation was evaluated by the following equation. Sensitivity fluctuation rate (%) = {(exposure amount before storage) − (exposure amount after storage)} / (exposure amount before storage) × 100

【0277】〔疎密依存性〕:線幅0.20μmのライ
ンアンドスペースパターン(密パターン)と孤立ライン
パターン(疎パターン)において、それぞれ0.20μ
m±10%を許容する焦点深度の重なり範囲を求めた。
この範囲が大きい程疎密依存性が良好なことを示す。
[Density / Dense Dependency]: 0.20 μm each in a line-and-space pattern (dense pattern) and an isolated line pattern (sparse pattern) having a line width of 0.20 μm
The overlapping range of the depth of focus allowing m ± 10% was determined.
The larger this range is, the better the density dependency is.

【0278】[0278]

【表8】 [Table 8]

【0279】[0279]

【表9】 [Table 9]

【0280】[0280]

【表10】 [Table 10]

【0281】[0281]

【表11】 [Table 11]

【0282】上記表8〜11に示すように、本発明のポ
ジ型フォトレジスト組成物は、評価項目全てにおいて優
れた性能を示した。
As shown in Tables 8 to 11, the positive photoresist compositions of the present invention exhibited excellent performance in all evaluation items.

【0283】[0283]

【発明の効果】本発明は、半導体デバイスの製造におい
て、レジストパターンのエッジラフネスが改善した感放
射線性樹脂組成物を提供することができる。また、経時
保存性に優れ、更に疎密依存性に優れた感放射線性樹脂
組成物を提供することができる。
The present invention can provide a radiation-sensitive resin composition having improved edge roughness of a resist pattern in the manufacture of a semiconductor device. Further, it is possible to provide a radiation-sensitive resin composition which is excellent in storage stability over time and which is further excellent in dependency on density.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/039 601 G03F 7/039 601 H01L 21/027 H01L 21/30 502R (72)発明者 安波 昭一郎 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA03 AA11 AB16 AD03 BE00 BE10 BG00 CB33 CB41 CC03 4J002 CP031 CP051 CP071 CP091 EB016 EB106 ED027 EH007 EH057 EH097 EL057 EQ016 ES016 EV236 EV256 EV296 FD206 FD207 GP03 HA05 4J035 BA02 BA04 BA12 BA14 CA082 CA092 CA102 CA182 CA192 EA01 LA05 LB16 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03F 7/039 601 G03F 7/039 601 H01L 21/027 H01L 21/30 502R (72) Inventor Shoichiro Yasu Shizuoka Shizuoka 4,000 Kawajiri, Yoshida-cho, Haibara-gun, Japan F-term in Fujisha Shin Film Co., Ltd. FD206 FD207 GP03 HA05 4J035 BA02 BA04 BA12 BA14 CA082 CA092 CA102 CA182 CA192 EA01 LA05 LB16

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)下記一般式(1)または(2)で
示される繰り返し単位を含有し、かつ酸の作用により分
解する基を有する重合体 (B)光酸発生剤 (C)下記溶媒A群から選択される少なくとも1種と下
記溶剤B群から選択される少なくとも1種、もしくは溶
剤A群から選択される少なくとも1種と下記溶剤C群か
ら選択される少なくとも1種とを含有する混合溶剤 A群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルカル
ボキシレート B群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳
酸アルキル及びアルコキシアルキルプロピオネート C群:γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及び
プロピレンカーボネート を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 【化1】 式中、A0は単結合、炭素数1〜10個のアルキレン、
炭素数3〜12個のシクロアルキレン、−L−OCO
−、−L−COO−、−L−NHCO−、−L−NHC
OO−、−L−NHCONH−、−L−CONH−、−
L−OCONH−、−L−CONHCO−、−L−S
−、−L−O−、−L−SO2−、−L−SO2NH−、
−L−NHSO2−、置換または非置換のフェニレンか
ら選ばれる2価の連結基を示す。Dは単結合、置換また
は非置換の炭素数1〜30個の炭化水素基あるいは芳香
族基を示す。Me、Nfはそれぞれ置換または非置換の炭
素数1〜12個のアルキル基、炭素数3〜30個のシク
ロアルキル基、炭素数2〜6個のアルケニル基、炭素数
2〜6個のシクロアルケニル基、炭素数6〜20個のア
リール基、トリメチルシロキシ基を示す。e、fは0ま
たは1を示す。X、YはHまたは酸分解性基を示す。
r、sは1〜3を示す。Lは炭素数1〜10個のアルキ
レンまたは炭素数3〜12個のシクロアルキレンを示
す。
(A) a polymer containing a repeating unit represented by the following general formula (1) or (2) and having a group that decomposes under the action of an acid; (B) a photoacid generator; It contains at least one kind selected from the solvent A group and at least one kind selected from the following solvent group B, or at least one kind selected from the solvent group A and at least one kind selected from the following solvent group C. Mixed solvent Group A: propylene glycol monoalkyl ether carboxylate Group B: propylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate and alkoxyalkyl propionate Group C: feeling characterized by containing γ-butyrolactone, ethylene carbonate and propylene carbonate Radiation resin composition. Embedded image In the formula, A 0 is a single bond, alkylene having 1 to 10 carbon atoms,
C3-C12 cycloalkylene, -L-OCO
-, -L-COO-, -L-NHCO-, -L-NHC
OO-, -L-NHCONH-, -L-CONH-,-
L-OCONH-, -L-CONHCO-, -LS
-, - L-O -, - L-SO 2 -, - L-SO 2 NH-,
And a divalent linking group selected from -L-NHSO 2 -and substituted or unsubstituted phenylene. D represents a single bond, a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an aromatic group. M e, N f is independently a substituted or unsubstituted C 1 -C 12 alkyl group having a carbon of 3 to 30 carbon atoms a cycloalkyl group, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, 2 to 6 carbon atoms A cycloalkenyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a trimethylsiloxy group. e and f show 0 or 1. X and Y each represent H or an acid-decomposable group.
r and s represent 1-3. L represents alkylene having 1 to 10 carbon atoms or cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms.
【請求項2】 (A)下記一般式(1)または(2)で
示される繰り返し単位を含有し、かつ酸の作用により分
解する基を有する重合体 (B)光酸発生剤 (C)下記溶媒A群から選択される少なくとも1種と下
記溶剤B群から選択される少なくとも1種、及び下記溶
剤Cから選択される少なくとも1種とを含有する混合溶
剤 A群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルカル
ボキシレート B群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳
酸アルキル及びアルコキシアルキルプロピオネート C群:γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及び
プロピレンカーボネート を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 【化2】 式中、A0は単結合、炭素数1〜10個のアルキレン、
炭素数3〜12個のシクロアルキレン、−L−OCO
−、−L−COO−、−L−NHCO−、−L−NHC
OO−、−L−NHCONH−、−L−CONH−、−
L−OCONH−、−L−CONHCO−、−L−S
−、−L−O−、−L−SO2−、−L−SO2NH−、
−L−NHSO2−、置換または非置換のフェニレンか
ら選ばれる2価の連結基を示す。Dは単結合、置換また
は非置換の炭素数1〜30個の炭化水素基あるいは芳香
族基を示す。Me、Nfはそれぞれ置換または非置換の炭
素数1〜12個のアルキル基、炭素数3〜30個のシク
ロアルキル基、炭素数2〜6個のアルケニル基、炭素数
2〜6個のシクロアルケニル基、炭素数6〜20個のア
リール基、トリメチルシロキシ基を示す。e、fは0ま
たは1を示す。X、YはHまたは酸分解性基を示す。
r、sは1〜3を示す。Lは炭素数1〜10個のアルキ
レンまたは炭素数3〜12個のシクロアルキレンを示
す。
(A) a polymer containing a repeating unit represented by the following general formula (1) or (2) and having a group that decomposes under the action of an acid; (B) a photoacid generator; Mixed solvent containing at least one selected from solvent A group, at least one selected from solvent B group below, and at least one selected from solvent C group: propylene glycol monoalkyl ether carboxylate Group B: propylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate and alkoxyalkyl propionate Group C: a radiation-sensitive resin composition containing γ-butyrolactone, ethylene carbonate and propylene carbonate. Embedded image In the formula, A 0 is a single bond, alkylene having 1 to 10 carbon atoms,
C3-C12 cycloalkylene, -L-OCO
-, -L-COO-, -L-NHCO-, -L-NHC
OO-, -L-NHCONH-, -L-CONH-,-
L-OCONH-, -L-CONHCO-, -LS
-, - L-O -, - L-SO 2 -, - L-SO 2 NH-,
And a divalent linking group selected from -L-NHSO 2 -and substituted or unsubstituted phenylene. D represents a single bond, a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an aromatic group. M e, N f is independently a substituted or unsubstituted C 1 -C 12 alkyl group having a carbon of 3 to 30 carbon atoms a cycloalkyl group, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, 2 to 6 carbon atoms A cycloalkenyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a trimethylsiloxy group. e and f show 0 or 1. X and Y each represent H or an acid-decomposable group.
r and s represent 1-3. L represents alkylene having 1 to 10 carbon atoms or cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms.
【請求項3】 (A)下記一般式(1)または(2)で
示される繰り返し単位を含有し、かつ酸の作用により分
解する基を有する重合体 (B)光酸発生剤 (C)乳酸アルキルのうち少なくとも1種と、エステル
溶剤及びアルコキシアルキルプロピオネートのうち少な
くとも1種とを含有することを特徴とする感放射線性樹
脂組成物。 【化3】 式中、A0は単結合、炭素数1〜10個のアルキレン、
炭素数3〜12個のシクロアルキレン、−L−OCO
−、−L−COO−、−L−NHCO−、−L−NHC
OO−、−L−NHCONH−、−L−CONH−、−
L−OCONH−、−L−CONHCO−、−L−S
−、−L−O−、−L−SO2−、−L−SO2NH−、
−L−NHSO2−、置換または非置換のフェニレンか
ら選ばれる2価の連結基を示す。Dは単結合、置換また
は非置換の炭素数1〜30個の炭化水素基あるいは芳香
族基を示す。Me、Nfはそれぞれ置換または非置換の炭
素数1〜12個のアルキル基、炭素数3〜30個のシク
ロアルキル基、炭素数2〜6個のアルケニル基、炭素数
2〜6個のシクロアルケニル基、炭素数6〜20個のア
リール基、トリメチルシロキシ基を示す。e、fは0ま
たは1を示す。X、YはHまたは酸分解性基を示す。
r、sは1〜3を示す。Lは炭素数1〜10個のアルキ
レンまたは炭素数3〜12個のシクロアルキレンを示
す。
(A) a polymer containing a repeating unit represented by the following general formula (1) or (2) and having a group that decomposes under the action of an acid (B) a photoacid generator (C) lactic acid A radiation-sensitive resin composition comprising at least one kind of alkyl and at least one kind of ester solvent and alkoxyalkyl propionate. Embedded image In the formula, A 0 is a single bond, alkylene having 1 to 10 carbon atoms,
C3-C12 cycloalkylene, -L-OCO
-, -L-COO-, -L-NHCO-, -L-NHC
OO-, -L-NHCONH-, -L-CONH-,-
L-OCONH-, -L-CONHCO-, -LS
-, - L-O -, - L-SO 2 -, - L-SO 2 NH-,
-L-NHSO 2 -, it represents a divalent linking group selected from substituted or unsubstituted phenylene. D represents a single bond, a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an aromatic group. M e, N f is independently a substituted or unsubstituted C 1 -C 12 alkyl group having a carbon of 3 to 30 carbon atoms a cycloalkyl group, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, 2 to 6 carbon atoms A cycloalkenyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a trimethylsiloxy group. e and f show 0 or 1. X and Y each represent H or an acid-decomposable group.
r and s represent 1-3. L represents alkylene having 1 to 10 carbon atoms or cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms.
【請求項4】 (A)下記一般式(1)または(2)で
示される繰り返し単位を含有し、かつ酸の作用により分
解する基を有する重合体 (B)光酸発生剤 (C)ヘプタノンを含有する溶剤 を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 【化4】 式中、A0は単結合、炭素数1〜10個のアルキレン、
炭素数3〜12個のシクロアルキレン、−L−OCO
−、−L−COO−、−L−NHCO−、−L−NHC
OO−、−L−NHCONH−、−L−CONH−、−
L−OCONH−、−L−CONHCO−、−L−S
−、−L−O−、−L−SO2−、−L−SO2NH−、
−L−NHSO2−、置換または非置換のフェニレンか
ら選ばれる2価の連結基を示す。Dは単結合、置換また
は非置換の炭素数1〜30個の炭化水素基あるいは芳香
族基を示す。Me、Nfはそれぞれ置換または非置換の炭
素数1〜12個のアルキル基、炭素数3〜30個のシク
ロアルキル基、炭素数2〜6個のアルケニル基、炭素数
2〜6個のシクロアルケニル基、炭素数6〜20個のア
リール基、トリメチルシロキシ基を示す。e、fは0ま
たは1を示す。X、YはHまたは酸分解性基を示す。
r、sは1〜3を示す。Lは炭素数1〜10個のアルキ
レンまたは炭素数3〜12個のシクロアルキレンを示
す。
(A) a polymer containing a repeating unit represented by the following general formula (1) or (2) and having a group that decomposes under the action of an acid (B) a photoacid generator (C) heptanone A radiation-sensitive resin composition comprising a solvent containing: Embedded image In the formula, A 0 is a single bond, alkylene having 1 to 10 carbon atoms,
C3-C12 cycloalkylene, -L-OCO
-, -L-COO-, -L-NHCO-, -L-NHC
OO-, -L-NHCONH-, -L-CONH-,-
L-OCONH-, -L-CONHCO-, -LS
-, - L-O -, - L-SO 2 -, - L-SO 2 NH-,
And a divalent linking group selected from -L-NHSO 2 -and substituted or unsubstituted phenylene. D represents a single bond, a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an aromatic group. M e, N f is independently a substituted or unsubstituted C 1 -C 12 alkyl group having a carbon of 3 to 30 carbon atoms a cycloalkyl group, an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, 2 to 6 carbon atoms A cycloalkenyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a trimethylsiloxy group. e and f show 0 or 1. X and Y each represent H or an acid-decomposable group.
r and s represent 1-3. L represents alkylene having 1 to 10 carbon atoms or cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms.
【請求項5】 (C)の溶剤が、更にプロピレングリコ
ールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル及びアルコキ
シアルキルプロピオネートのうち少なくとも1種とを含
有することを特徴とする請求項4に記載の感放射線性樹
脂組成物。
5. The radiation-sensitive composition according to claim 4, wherein the solvent (C) further contains at least one of propylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate and alkoxyalkyl propionate. Resin composition.
【請求項6】 (C)の溶剤が、更にγ−ブチロラクト
ン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネート
のうち少なくとも1種とを含有することを特徴とする請
求項3〜5のいずれかに記載の感放射線性樹脂組成物。
6. The radiation-sensitive composition according to claim 3, wherein the solvent (C) further contains at least one of γ-butyrolactone, ethylene carbonate and propylene carbonate. Resin composition.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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