JP2002182585A - Image display device and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、対向配置された
背面基板および前面基板を有する外囲器と、この外囲器
の内側に設けられた複数の画像表示素子と、を備え画像
表示装置、およびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image display device comprising: an envelope having a rear substrate and a front substrate opposed to each other; and a plurality of image display elements provided inside the envelope. And its manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、次世代の軽量、薄型の平面型表示
装置として、電子放出素子（以下、エミッタと称する）
を多数並べ、蛍光面と対向配置させた表示装置の開発が
進められている。エミッタとしては、電界放出型あるい
は表面伝導型の素子が想定される。通常、エミッタとし
て電界放出型電子放出素子を用いた表示装置は、フィー
ルドエミッションディスプレイ（以下、ＦＥＤと称す
る）、また、エミッタとして表面伝導型電子放出素子を
用いた表示装置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ
（以下、ＳＥＤと称する）と呼ばれている。2. Description of the Related Art In recent years, electron-emitting devices (hereinafter referred to as emitters) have been developed as next-generation light-weight and thin flat-panel display devices.
Are being developed, and a display device in which the display device is arranged to face the phosphor screen is being developed. As the emitter, a field emission type or surface conduction type element is assumed. Generally, a display device using a field emission type electron-emitting device as an emitter is a field emission display (hereinafter, referred to as an FED), and a display device using a surface conduction type electron-emitting device as an emitter is a surface emission type. This is called a display (hereinafter, referred to as SED).
【０００３】例えば、ＦＥＤは、一般に、所定の隙間を
置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、
これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を
互いに接合することにより真空外囲器を構成している。
前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面
基板の内面には、蛍光体を励起して発光させる電子放出
源として多数のエミッタが設けられている。また、背面
基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるため
に、これら基板の間には複数の支持部材が配設されてい
る。For example, an FED generally has a front substrate and a rear substrate opposed to each other with a predetermined gap therebetween.
These substrates constitute a vacuum envelope by joining their peripheral parts to each other via a rectangular frame-shaped side wall.
A phosphor screen is formed on the inner surface of the front substrate, and a number of emitters are provided on the inner surface of the rear substrate as electron emission sources for exciting the phosphor to emit light. In addition, a plurality of support members are disposed between the rear substrate and the front substrate to support the atmospheric load applied thereto.
【０００４】背面基板側の電位はほぼ０Ｖであり、蛍光
面にはアノード電圧Ｖａが印加される。そして、蛍光体
スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体にエミッタか
ら放出された電子ビームを照射し、蛍光体を発光させる
ことによって画像を表示する。The potential on the rear substrate side is almost 0 V, and an anode voltage Va is applied to the phosphor screen. An image is displayed by irradiating the red, green, and blue phosphors constituting the phosphor screen with an electron beam emitted from the emitter to cause the phosphors to emit light.
【０００５】このようなＦＥＤでは、前面基板と背面基
板との隙間を数ｍｍ以下に設定することができ、現在の
テレビやコンピュータのディスプレイとして使用されて
いる陰極線管（ＣＲＴ）と比較して、軽量化、薄型化を
達成することができる。In such an FED, the gap between the front substrate and the rear substrate can be set to several mm or less, and compared with a cathode ray tube (CRT) currently used as a display of a television or a computer. Lightening and thinning can be achieved.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述した平面表示装置
では、真空外囲器内部の真空度を例えば１０−５〜１０
−６Ｐａに保つ必要がある。従来の排気工程では、真空
外囲器を３００℃程度まで加熱するベーキング処理によ
り、外囲器内部の表面吸着ガスを放出させるようにして
いたが、このような排気方法では表面吸着ガスを十分に
放出させることはできない。SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned flat panel display device
Then, the degree of vacuum inside the vacuum envelope is set to, for example, 10-5-10
-6It is necessary to keep Pa. In the conventional evacuation process, vacuum
Baking process to heat the envelope to about 300 ° C
To release the surface adsorption gas inside the envelope.
However, with such an exhaust method, the surface adsorbed gas
It cannot be released.
【０００７】そのため、例えば特開平９−８２２４５号
公報には、前面基板の蛍光体スクリーン上に形成された
メタルバック上を、Ｔｉ，Ｚｒもしくはそれらの合金か
らなるゲッタ材で被覆する構成、メタルバック自身を上
記のようなゲッタ材で形成する構成、あるいは、画像表
示領域内で、電子放出素子以外の部分に、上記のような
ゲッタ材を配置した構成の平板表示装置が記載されてい
る。For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-82245 discloses a configuration in which a metal back formed on a phosphor screen of a front substrate is covered with a getter material made of Ti, Zr, or an alloy thereof. A flat panel display device having a configuration in which the device itself is formed with the above-described getter material, or a configuration in which the getter material as described above is arranged in a portion other than the electron-emitting device in the image display area is described.
【０００８】しかしながら、特開平９−８２２４５号公
報に開示された画像表示装置では、ゲッタ材を通常のパ
ネル工程で形成しているため、ゲッタ材の表面は当然酸
化することになる。ゲッタ材は、特に表面の活性度合い
が重要であるため、表面酸化したゲッタ材では満足なガ
ス吸着効果を得ることができない。However, in the image display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-82245, since the getter material is formed by a normal panel process, the surface of the getter material is naturally oxidized. Since the getter material is particularly important in the degree of surface activity, a getter material whose surface has been oxidized cannot obtain a satisfactory gas adsorption effect.
【０００９】真空外囲器内部の真空度を上げる方法とし
ては、背面基板、側壁、前面基板を真空装置内に投入
し、真空雰囲気中でこれらのべ一キング、電子線照射を
行って表面吸着ガスを放出させた後、ゲッタ膜を形成
し、そのまま真空雰囲気中でフリットガラスなどを用い
て側壁と背面基板および前面基板とを封着する方法が考
えられる。この方法によれば、電子線洗浄によって表面
吸着ガスを十分に放出させることができ、ゲッタ膜も酸
化されず十分なガス吸着効果を得ることができる。ま
た、排気管が不要であるため、画像表示装置のスペース
が無駄に消費されることがなくなる。As a method of increasing the degree of vacuum inside the vacuum envelope, the back substrate, the side walls, and the front substrate are put into a vacuum apparatus, and they are subjected to baking and electron beam irradiation in a vacuum atmosphere to adsorb the surface. After the gas is released, a method of forming a getter film and sealing the side wall to the rear substrate and the front substrate using frit glass or the like in a vacuum atmosphere is considered. According to this method, the surface adsorption gas can be sufficiently released by the electron beam cleaning, and the getter film is not oxidized, and a sufficient gas adsorption effect can be obtained. Further, since no exhaust pipe is required, the space of the image display device is not wasted.
【００１０】しかしながら、真空中でフリットガラスを
使用して封着を行う場合、フリットガラスを４００℃以
上の高温に加熱する必要があり、その際、フリットガラ
スから多数の気泡が発生し、真空外囲器の気密性、封着
強度などが悪化し、信頼性が低下するという問題があ
る。また、電子放出素子の特性上、４００℃以上の高温
にすることは避けた方がよい場合があり、そのような場
合には、フリットガラスを用いて封着する方法は好まし
くない。However, when sealing is performed using frit glass in a vacuum, it is necessary to heat the frit glass to a high temperature of 400 ° C. or more. At that time, a number of bubbles are generated from the frit glass, and There is a problem that the hermeticity and sealing strength of the enclosure are deteriorated, and the reliability is reduced. In addition, due to the characteristics of the electron-emitting device, it may be better to avoid raising the temperature to 400 ° C. or higher. In such a case, a method of sealing with frit glass is not preferable.
【００１１】この発明は以上の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、真空雰囲気中で容易に封着を行うこと
が可能な画像表示装置、およびその製造方法を提供する
ことにある。An object of the present invention is to provide an image display device capable of easily performing sealing in a vacuum atmosphere, and a method of manufacturing the same.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る画像表示装置は、背面基板と、上記
背面基板と対向配置された前面基板とを有する外囲器
と、上記外囲器の内側に設けられた複数の画像表示素子
と、を備え、上記前面基板および上記背面基板は、上記
前面基板または上記背面基板の周辺部に沿って配置され
た低融点金属材料、およびこの低融点金属材料の内側に
並べて配置され上記低融点金属材料の流出を防止する流
れ止め材により互いに封着されていることを特徴として
いる。In order to achieve the above object, an image display device according to the present invention comprises an envelope having a rear substrate, a front substrate opposed to the rear substrate, and A plurality of image display elements provided inside the container, wherein the front substrate and the rear substrate are provided with a low-melting metal material disposed along a peripheral portion of the front substrate or the rear substrate; It is characterized in that it is arranged side by side inside the melting point metal material and is sealed to each other by a flow stopper which prevents the low melting point metal material from flowing out.
【００１３】また、この発明に係る他の画像表示装置
は、背面基板と、上記背面基板と対向配置された前面基
板とを有する外囲器と、上記外囲器の内側に設けられた
複数の画像表示素子と、を備え、上記前面基板および上
記背面基板は、上記前面基板または上記背面基板の周辺
部に沿って配置された低融点金属材料、およびこの低融
点金属材料の内側および外側に並べて配置され上記低融
点金属材料の流出を防止する流れ止め材により互いに封
着されていることを特徴としている。According to another aspect of the present invention, there is provided an image display apparatus comprising: an envelope having a rear substrate; a front substrate disposed to face the rear substrate; and a plurality of envelopes provided inside the envelope. An image display element, wherein the front substrate and the rear substrate are arranged along the periphery of the front substrate or the rear substrate and a low-melting metal material, and arranged inside and outside the low-melting metal material. The low melting point metal material is disposed and sealed with each other by a flow stopper for preventing the low melting point metal material from flowing out.
【００１４】一方、この発明に係る画像表示装置の製造
方法は、背面基板と上記背面基板と対向配置された前面
基板とを有する外囲器と、上記外囲器の内側に設けられ
た複数の画像表示素子と、を備えた画像表示装置の製造
方法において、上記背面基板の周縁部と上記前面基板の
周縁部との間の封着面に沿って、低融点金属材料を塗布
するとともに、上記低融点金属材料の流出を防止する流
れ止め材を上記低融点金属材料の内側に並べて塗布する
工程と、上記背面基板および前面基板を真空雰囲気中で
加熱し、上記低融点金属材料を溶融させて上記背面基板
の周縁部と上記前面基板の周縁部とを封着する工程と、
を備えたことを特徴としている。[0014] On the other hand, a method of manufacturing an image display device according to the present invention comprises an envelope having a rear substrate, a front substrate opposed to the rear substrate, and a plurality of inner panels provided inside the envelope. An image display device, and a method of manufacturing an image display device comprising: a low melting point metal material applied along a sealing surface between a peripheral portion of the rear substrate and a peripheral portion of the front substrate; A step of applying a flow stopper to prevent the outflow of the low-melting metal material side by side inside the low-melting metal material, and heating the back substrate and the front substrate in a vacuum atmosphere to melt the low-melting metal material. Sealing the peripheral portion of the back substrate and the peripheral portion of the front substrate,
It is characterized by having.
【００１５】上記本発明に係る画像表示装置およびその
製造方法において、上記低融点金属材料として、３５０
℃以下の融点を有した低融点金属材料を用い、例えば、
インジウムまたはインジウムを含む合金を用いている。
また、上記流れ止め材として、非金属接着剤、例えば、
シリコーン系接着剤又はポリイミド系接着剤を用いてい
る。In the image display device and the method of manufacturing the same according to the present invention, the low melting point metal material may be
Using a low-melting metal material having a melting point of less than or equal to ° C., for example,
Indium or an alloy containing indium is used.
Also, as the flow stopper, a non-metallic adhesive, for example,
A silicone adhesive or a polyimide adhesive is used.
【００１６】上記のように構成された画像表示装置およ
びその製造方法によれば、低融点金属および流れ止め材
を用いて前面基板と背面基板とを封着することにより、
背面基板に設けられてた電子放出素子などに熱的な損傷
を与えることのない低い温度（３５０℃以下の温度）
で、封着を行なうことができる。また、フリットガラス
を用いた場合のように多数の気泡が発生することがな
く、外囲器の気密性、封着強度を向上することができ
る。同時に、封着時に低融点金属が溶融して粘性が低く
なった場合でも、流れ止め材により低融点金属の流動を
防止し所定位置に保持することができる。従って、取り
扱いが容易であり、真空雰囲気中で容易にかつ確実に封
着を行うことが可能な画像表示装置、およびその製造方
法を提供するができる。According to the image display device and the method of manufacturing the same as described above, the front substrate and the rear substrate are sealed by using a low melting point metal and a flow stopper.
Low temperature that does not thermally damage the electron-emitting devices provided on the rear substrate (350 ° C or lower)
Thus, sealing can be performed. Further, unlike the case where frit glass is used, many air bubbles are not generated, and the airtightness and sealing strength of the envelope can be improved. At the same time, even when the low-melting-point metal is melted at the time of sealing to lower the viscosity, the flow-stopping member prevents the low-melting-point metal from flowing and can be held at a predetermined position. Therefore, it is possible to provide an image display device which can be easily handled and can be easily and reliably sealed in a vacuum atmosphere, and a method for manufacturing the same.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の画像表示装置をＦＥＤに適用した実施の形態につ
いて詳細に説明する。図１および図２に示すように、こ
のＦＥＤは、絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラスか
らなる前面基板１１、および背面基板１２を備え、これ
らの基板は約１．５〜３．０ｍｍの隙間を置いて対向配
置されている。そして、前面基板１１および背面基板１
２は、矩形枠状の側壁１８を介して周縁部同士が接合さ
れ、内部が真空状態に維持された偏平な矩形状の真空外
囲器１０を構成している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment in which an image display device of the present invention is applied to an FED will be described in detail with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 and 2, the FED includes a front substrate 11 and a rear substrate 12 each made of rectangular glass as an insulating substrate, and these substrates have a gap of about 1.5 to 3.0 mm. They are placed facing each other. Then, the front substrate 11 and the rear substrate 1
Reference numeral 2 denotes a flat rectangular vacuum envelope 10 whose peripheral portions are joined to each other via a rectangular frame-shaped side wall 18 and the inside of which is maintained in a vacuum state.
【００１８】真空外囲器１０の内部には、背面基板１２
および前面基板１１に加わる大気圧荷重を支えるため、
複数の支持部材１４が設けられている。これらの支持部
材１４は、真空外囲器１０の長辺と平行な方向に延出し
ているとともに、短辺と平行な方向に沿って所定の間隔
を置いて配置されている。なお、支持部材１４の形状に
ついては特にこれに限定されるものではなく、柱状の支
持部材を用いてもよい。Inside the vacuum envelope 10, a rear substrate 12 is provided.
And to support the atmospheric pressure load applied to the front substrate 11,
A plurality of support members 14 are provided. These support members 14 extend in a direction parallel to the long sides of the vacuum envelope 10 and are arranged at predetermined intervals along a direction parallel to the short sides. The shape of the support member 14 is not particularly limited to this, and a columnar support member may be used.
【００１９】図３に示すように、前面基板１１の内面に
は蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体
スクリーン１６は、赤、緑、青の３色に発光する蛍光体
層Ｒ、Ｇ、Ｂとマトリックス状の黒色光吸収部２０とで
形成されている。上述の支持部材１４は、黒色光吸収部
の影に隠れるように置かれる。また、蛍光体スクリーン
１６上には、メタルバックとして図示しないアルミニウ
ム層が蒸着されている。As shown in FIG. 3, a phosphor screen 16 is formed on the inner surface of the front substrate 11. The phosphor screen 16 is formed of phosphor layers R, G, and B emitting three colors of red, green, and blue, and a matrix-shaped black light absorbing portion 20. The above-described support member 14 is placed so as to be hidden by the shadow of the black light absorbing portion. On the phosphor screen 16, an aluminum layer (not shown) is deposited as a metal back.
【００２０】図２に示すように、背面基板１２の内面上
には、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起する電子放出源とし
て、それぞれ電子ビームを放出する多数の電界放出型の
電子放出素子２２が設けられている。これらの電子放出
素子２２は、各画素毎に対応して複数列および複数行に
配列され、この発明における画素表示素子として機能す
る。As shown in FIG. 2, on the inner surface of the rear substrate 12, a large number of field emission type electron-emitting devices each emitting an electron beam are provided as electron emission sources for exciting the phosphor layers R, G, and B. 22 are provided. These electron-emitting devices 22 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows corresponding to each pixel, and function as a pixel display device in the present invention.
【００２１】詳細に述べると、背面基板１２の内面上に
は、導電性カソード層２４が形成され、この導電性カソ
ード層上には多数のキャビティ２５を有した二酸化シリ
コン膜２６が形成されている。二酸化シリコン膜２６上
には、モリブデン、ニオブ等からなるゲート電極２８が
形成されている。そして、背面基板１２の内面上におい
て各キャビティ２５内に、モリブデン等からなるコーン
状の電子放出素子２２が設けられている。その他、背面
基板１２上には、電子放出素子２２に接続された図示し
ないマトリックス状の配線等が形成されている。More specifically, a conductive cathode layer 24 is formed on the inner surface of the back substrate 12, and a silicon dioxide film 26 having a number of cavities 25 is formed on the conductive cathode layer. . On the silicon dioxide film 26, a gate electrode 28 made of molybdenum, niobium or the like is formed. A cone-shaped electron-emitting device 22 made of molybdenum or the like is provided in each cavity 25 on the inner surface of the back substrate 12. In addition, on the back substrate 12, a matrix-like wiring (not shown) connected to the electron-emitting device 22 is formed.
【００２２】上記のように構成されたＦＥＤにおいて、
映像信号は、単純マトリックス方式に形成された電子放
出素子２２とゲート電極２８に入力される。電子放出素
子２２を基準とした場合、最も輝度の高い状態の時、＋
１００Ｖのゲート電圧が印加される。また、蛍光体スク
リーン１６には＋１０ｋＶが印加される。そして、電子
放出素子２２から放出される電子ビームの大きさは、ゲ
ート電極２８の電圧によって変調され、この電子ビーム
が蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起して発光させ
ることにより画像を表示する。In the FED configured as described above,
The video signal is input to the electron-emitting device 22 and the gate electrode 28 formed in a simple matrix system. On the basis of the electron-emitting device 22, when the brightness is the highest, +
A gate voltage of 100 V is applied. Further, +10 kV is applied to the phosphor screen 16. The size of the electron beam emitted from the electron-emitting device 22 is modulated by the voltage of the gate electrode 28, and the electron beam excites the phosphor layer of the phosphor screen 16 to emit light, thereby displaying an image. .
【００２３】このように蛍光体スクリーン１６には高電
圧が印加されるため、前面基板１１、背面基板１２、側
壁１８、および支持部材１４用の板ガラスには、高歪点
ガラスが使用されている。また、後述するように、背面
基板１２と側壁１８との間は、フリットガラス等の低融
点ガラス３０によって封着され、前面基板１１と側壁１
８との間は、インジウム３１およびシリコーン接着剤３
２を用いて封着されている。As described above, since a high voltage is applied to the phosphor screen 16, a high strain point glass is used for the front substrate 11, the rear substrate 12, the side wall 18, and the plate glass for the support member 14. . Further, as described later, the space between the rear substrate 12 and the side wall 18 is sealed by a low melting point glass 30 such as frit glass, and the front substrate 11 and the side wall 1 are sealed.
8, between indium 31 and silicone adhesive 3
2 and sealed.
【００２４】次に、上記のように構成されたＦＥＤの製
造方法について詳細に説明する。まず、前面基板１１と
なる板ガラスに蛍光体スクリーン１６を形成する。これ
は、前面基板１１と同じ大きさの板ガラスを準備し、こ
の板ガラスにプロッターマシンで蛍光体層のストライプ
パターンを形成する。この蛍光体ストライプパターンを
形成された板ガラスと前面基板用の板ガラスとを位置決
め治具に載せて露光台にセットすることにより、露光、
現像して蛍光体スクリーンを生成する。Next, a method of manufacturing the FED configured as described above will be described in detail. First, the phosphor screen 16 is formed on a plate glass to be the front substrate 11. For this, a glass sheet having the same size as the front substrate 11 is prepared, and a stripe pattern of the phosphor layer is formed on the glass sheet by a plotter machine. Exposure is achieved by placing the plate glass on which the phosphor stripe pattern is formed and the plate glass for the front substrate on a positioning jig and setting it on an exposure table.
Develop to produce phosphor screen.
【００２５】続いて、背面基板用の板ガラスに電子放出
素子２２を形成する。この場合、板ガラス上にマトリッ
クス状の導電性カソード層を形成し、この導電性カソー
ド層上に、例えば熱酸化法、ＣＶＤ法、あるいはスパッ
タリング法により二酸化シリコン膜の絶縁膜を形成す
る。Subsequently, the electron-emitting devices 22 are formed on the glass plate for the rear substrate. In this case, a matrix-shaped conductive cathode layer is formed on a sheet glass, and an insulating film of a silicon dioxide film is formed on the conductive cathode layer by, for example, a thermal oxidation method, a CVD method, or a sputtering method.
【００２６】その後、この絶縁膜上に、例えばスパッタ
リング法や電子ビーム蒸着法によりモリブデンやニオブ
などのゲート電極形成用の金属膜を形成する。次に、こ
の金属膜上に、形成すべきゲート電極に対応した形状の
レジストパターンをリソグラフィーにより形成する。こ
のレジストパターンをマスクとして金属膜をウェットエ
ッチング法またはドライエッチング法によりエッチング
し、ゲート電極２８を形成する。After that, a metal film for forming a gate electrode such as molybdenum or niobium is formed on the insulating film by, for example, a sputtering method or an electron beam evaporation method. Next, a resist pattern having a shape corresponding to the gate electrode to be formed is formed on the metal film by lithography. Using the resist pattern as a mask, the metal film is etched by a wet etching method or a dry etching method to form a gate electrode 28.
【００２７】次に、レジストパターン及びゲート電極を
マスクとして絶縁膜をウェットエッチングまたはドライ
エッチング法によりエッチングして、キャビティ２５を
形成する。そして、レジストパターンを除去した後、背
面基板表面に対して所定角度傾斜した方向から電子ビー
ム蒸着を行うことにより、ゲート電極２８上に、例えば
アルミニウムやニッケルからなる剥離層を形成する。こ
の後、背面基板表面に対して垂直な方向から、カソード
形成用の材料として、例えばモリブデンを電子ビーム蒸
着法により蒸着する。これによって、各キャビティ２５
の内部に電子放出素子２２を形成する。続いて、剥離層
をその上に形成された金属膜とともにリフトオフ法によ
り除去する。Next, the cavity is formed by etching the insulating film by wet etching or dry etching using the resist pattern and the gate electrode as a mask. Then, after removing the resist pattern, a release layer made of, for example, aluminum or nickel is formed on the gate electrode 28 by performing electron beam evaporation from a direction inclined at a predetermined angle with respect to the rear substrate surface. Thereafter, for example, molybdenum as a material for forming a cathode is deposited by an electron beam evaporation method from a direction perpendicular to the surface of the rear substrate. Thereby, each cavity 25
Is formed inside the device. Subsequently, the release layer is removed by a lift-off method together with the metal film formed thereon.
【００２８】続いて、電子放出素子２２の形成された背
面基板１２の周縁部と矩形枠状の側壁１８との間を、大
気中で低融点ガラス３０により互いに封着する。同時
に、大気中で、背面基板１２上に複数の支持部材１４を
低融点ガラス３０により封着する。Subsequently, the space between the peripheral portion of the back substrate 12 on which the electron-emitting devices 22 are formed and the rectangular frame-shaped side wall 18 are sealed to each other in the atmosphere with a low-melting glass 30. At the same time, the plurality of support members 14 are sealed on the rear substrate 12 with the low-melting glass 30 in the atmosphere.
【００２９】その後、背面基板１２と前面基板１１とを
側壁１８を介して互いに封着する。この場合、図４に示
すように、まず、封着面となる側壁１８の上面におい
て、幅方向中央部に、低融点金属材料としてのインジウ
ム３１を側壁の全周にわたって塗布する。また、側壁１
８の上面において、インジウム３１の内側および外側
に、流れ止め材として非金属接着剤、例えば、シリコー
ン接着剤を側壁の全周に亘って塗布する。側壁１８の幅
を９ｍｍとした場合、塗布されたインジウム層の幅を３
ｍｍ、各シリコーン接着剤層の幅を２．５ｍｍとしてい
る。この場合、シリコーン接着剤層の高さは、インジウ
ム層の高さよりも高く、あるいは、低く、更には、イン
ジウム層と同じ高さでもよい。Thereafter, the rear substrate 12 and the front substrate 11 are sealed to each other via the side wall 18. In this case, as shown in FIG. 4, first, indium 31 as a low-melting-point metal material is applied over the entire periphery of the side wall 18 at the center in the width direction on the upper surface of the side wall 18 serving as the sealing surface. Also, the side wall 1
On the upper surface of 8, a non-metallic adhesive, for example, a silicone adhesive is applied as a flow stopper to the inside and outside of the indium 31 over the entire periphery of the side wall. When the width of the side wall 18 is 9 mm, the width of the applied indium layer is 3 mm.
mm, and the width of each silicone adhesive layer is 2.5 mm. In this case, the height of the silicone adhesive layer may be higher or lower than the height of the indium layer, and may be the same height as the indium layer.
【００３０】なお、低融点金属材料としては、融点が３
５０℃以下で、基板および側壁を構成する材料との密着
性、接合性に優れた金属材料を使用することが望まし
い。本実施の形態で用いるインジウム（Ｉｎ）は、融点
１５６．７℃と低いだけでなく、蒸気圧が低い、軟らか
く衝撃に対して強い、低温でも脆くならないなどの優れ
た特徴がある。しかも、条件によってはガラスに直接接
合することができるので、本発明の目的に好適した材料
である。The low melting point metal material has a melting point of 3
At 50 ° C. or lower, it is desirable to use a metal material that is excellent in adhesion and bonding with the materials constituting the substrate and the side wall. Indium (In) used in this embodiment has not only a low melting point of 156.7 ° C. but also excellent characteristics such as a low vapor pressure, a soft and strong impact, and a low brittleness even at a low temperature. In addition, it can be directly bonded to glass depending on conditions, and is a material suitable for the purpose of the present invention.
【００３１】また、低融点金属材料としては、Ｉｎの単
体ではなく、酸化銀、銀、金、銅、アルミニウム、亜
鉛、錫等の元素を単独あるいは複合で添加した合金を用
いることもできる。例えば、Ｉｎ９７％−Ａｇ３％の共
晶合金では、融点が１４１℃とさらに低くなり、しかも
機械的強度を高めることができる。Further, as the low melting point metal material, an alloy to which elements such as silver oxide, silver, gold, copper, aluminum, zinc, tin and the like are added singly or in combination can be used instead of simple substance of In. For example, in the eutectic alloy of In97% -Ag3%, the melting point is further reduced to 141 ° C., and the mechanical strength can be increased.
【００３２】なお、上記説明では、「融点」という表現
を用いているが、２種以上の金属からなる合金では、融
点が単一に定まらない場合がある。一般にそのような場
合には、液相線温度と固相線温度が定義される。前者
は、液体の状態から温度を下げていった際、合金の一部
が固体化し始める温度であり、後者は合金の全てが固体
化する温度である。本実施の形態では、説明の便宜上、
このような場合においても融点という表現を用いること
にし、固相線温度を融点と呼ぶことにする。In the above description, the expression "melting point" is used, but in the case of an alloy composed of two or more kinds of metals, the melting point may not be determined singly. Generally, in such a case, the liquidus temperature and the solidus temperature are defined. The former is the temperature at which part of the alloy starts to solidify when the temperature is lowered from the liquid state, and the latter is the temperature at which all of the alloy solidifies. In the present embodiment, for convenience of explanation,
In such a case, the expression "melting point" will be used, and the solidus temperature will be called the melting point.
【００３３】上記のように上面にインジウム３１および
シリコーン接着剤３２が塗布された側壁１８と背面基板
１２とからなる背面側組立体、および前面基板１１は、
図５に示すように、所定の距離をおいて対向した状態で
治具等により保持され、この状態で真空処理装置に投入
される。As described above, the back-side assembly including the side wall 18 coated with indium 31 and the silicone adhesive 32 on the upper surface and the back substrate 12, and the front substrate 11 are:
As shown in FIG. 5, it is held by a jig or the like in a state where it faces at a predetermined distance, and is put into a vacuum processing apparatus in this state.
【００３４】図６に示すように、この真空処理装置１０
０は、順に並んで設けられたロード室１０１、ベーキン
グ、電子線洗浄室１０２、冷却室１０３、ゲッタ膜の蒸
着室１０４、組立室１０５、冷却室１０６、およびアン
ロード室１０７を有している。これら各室は真空処理が
可能な処理室として構成され、ＦＥＤの製造時には全室
が真空排気されている。また、隣合う処理室間はゲート
バルブ等により接続されている。As shown in FIG. 6, this vacuum processing apparatus 10
Numeral 0 has a load chamber 101, a baking, electron beam cleaning chamber 102, a cooling chamber 103, a getter film deposition chamber 104, an assembling chamber 105, a cooling chamber 106, and an unloading chamber 107 provided in order. . Each of these chambers is configured as a processing chamber capable of performing vacuum processing, and all the chambers are evacuated during the manufacture of the FED. Adjacent processing chambers are connected by a gate valve or the like.
【００３５】所定の間隔をおいて対向した背面側組立体
および前面基板１１は、ロード室１０１に投入され、ロ
ード室１０１内を真空雰囲気とした後、ベーキング、電
子線洗浄室１０２へ送られる。べーキング、電子線洗浄
室１０２では、１０−５Ｐａ程度の高真空度に達した時
点で、背面側組立体および前面基板を３００℃程度の温
度に加熱してベーキングし、各部材の表面吸着ガスを十
分に放出させる。この温度は、シリコーン接着剤の耐熱
温度未満であり、数十分〜数時間のべーキングではシリ
コーン接着剤が劣化することはない。The back-side assembly and the front substrate 11 facing each other at a predetermined interval are put into a load chamber 101, and the inside of the load chamber 101 is evacuated to a vacuum atmosphere. In the baking and electron beam cleaning chamber 102, when a high degree of vacuum of about 10 −5 Pa is reached, the back assembly and the front substrate are heated to a temperature of about 300 ° C. and baked, and the surface of each member is adsorbed. Allow sufficient gas to be released. This temperature is lower than the heat resistant temperature of the silicone adhesive, and the baking for several tens of minutes to several hours does not deteriorate the silicone adhesive.
【００３６】一方、この温度ではインジウム層（融点約
１５６℃）３１が溶融する。しかし、インジウム層の両
側はシリコーン接着剤３２により保護されているため、
インジウムが流動することがなく、背面基板１２の電子
放出素子２２側および背面基板の外側への流出が防止さ
れる。On the other hand, at this temperature, the indium layer (melting point: about 156 ° C.) 31 is melted. However, since both sides of the indium layer are protected by the silicone adhesive 32,
Indium does not flow, and the outflow of the back substrate 12 to the electron-emitting device 22 side and the outside of the back substrate is prevented.
【００３７】また、ベーキング、電子線洗浄室１０２で
は、加熱と同時に、べーキング、電子線洗浄室１０２に
取り付けられた図示しない電子線発生装置から、前面基
板１１の蛍光体スクリーン面、および背面基板１２の電
子放出素子面に電子線を照射する。この電子線は、電子
線発生装置外部に装着された偏向装置によって偏向走査
されるため、蛍光体スクリーン面、および電子放出素子
面の全面を電子線洗浄することが可能となる。In the baking / electron beam cleaning chamber 102, simultaneously with heating, the phosphor screen surface of the front substrate 11 and the back substrate Twelve electron-emitting device surfaces are irradiated with an electron beam. Since the electron beam is deflected and scanned by a deflecting device mounted outside the electron beam generator, it is possible to clean the entire surface of the phosphor screen surface and the electron emission element surface with the electron beam.
【００３８】加熱、電子線洗浄後、背面側組立体および
前面基板１１は冷却室１０３に送られ、例えば約１００
℃の温度の温度まで冷却される。続いて、背面基板側組
立体および前面基板１１はゲッタ膜の蒸着室１０４へ送
られ、ここで蛍光体スクリーンの外側にゲッタ膜として
Ｂａ膜が蒸着形成される。このＢａ膜は、表面が酸素や
炭素などで汚染されることが防止され、活性状態を維持
することができる。After heating and electron beam cleaning, the rear assembly and the front substrate 11 are sent to the cooling chamber 103, for example, about 100
Cooled down to a temperature of ° C. Subsequently, the rear substrate-side assembly and the front substrate 11 are sent to a getter film deposition chamber 104, where a Ba film is deposited as a getter film outside the phosphor screen. The surface of the Ba film is prevented from being contaminated with oxygen, carbon, or the like, and can maintain an active state.
【００３９】次に、背面側組立体および前面基板１１は
組立室１０５に送られ、ここで２００℃まで加熱されイ
ンジウム層３１が再び液状に溶融あるいは軟化される。
この状態で、前面基板１１と背面基板１２とを側壁１８
を挟んで接合して所定の圧力で加圧した後、インジウム
を除冷して固化させる。これにより、前面基板１１と側
壁１８とがインジウム層３１およびシリコーン接着剤３
２によって封着され、真空外囲器１０が形成される。Next, the rear-side assembly and the front substrate 11 are sent to the assembly chamber 105, where they are heated to 200 ° C., and the indium layer 31 is again melted or softened into a liquid state.
In this state, the front substrate 11 and the rear substrate 12 are
And pressurized at a predetermined pressure, and then indium is cooled and solidified. As a result, the front substrate 11 and the side wall 18 are in contact with the indium layer 31 and the silicone adhesive 3.
2 to form a vacuum envelope 10.
【００４０】このようにして形成された真空外囲器１０
は、冷却室１０６で常温まで冷却された後、アンロード
室１０７から取り出される。以上の工程により、ＦＥＤ
が完成する。The vacuum envelope 10 thus formed is
Is cooled to room temperature in the cooling chamber 106 and then taken out of the unloading chamber 107. By the above process, FED
Is completed.
【００４１】以上のように構成されたＦＥＤおよびその
製造方法によれば、真空雰囲気中で前面基板１１、およ
び背面基板１２の封着を行なうことにより、ベーキング
および電子線洗浄の併用によって基板の表面吸着ガスを
十分に放出させることができ、ゲッタ膜も酸化されず十
分なガス吸着効果を得ることができる。According to the FED and the method of manufacturing the same as described above, the front substrate 11 and the rear substrate 12 are sealed in a vacuum atmosphere, so that the surface of the substrate can be combined with baking and electron beam cleaning. The adsorbed gas can be sufficiently released, and the getter film is not oxidized, so that a sufficient gas adsorbing effect can be obtained.
【００４２】また、インジウムを使用することにより封
着時の発泡を抑えることができ、気密性および封着強度
の高いＦＥＤを得ることが可能となる。同時に、インジ
ウムに並べてシリコーン接着剤３２を配置することによ
り、封着工程においてインジウムが溶融した場合でもイ
ンジウムの流出を防止し所定位置に保持することができ
る。従って、インジウムの取り扱いが簡単となり、５０
インチ以上の大型の画像表示装置であっても容易にかつ
確実に封着することができる。Further, by using indium, foaming at the time of sealing can be suppressed, and an FED having high airtightness and sealing strength can be obtained. At the same time, by arranging the silicone adhesive 32 side by side with the indium, even if the indium is melted in the sealing step, the indium can be prevented from flowing out and held at a predetermined position. Therefore, handling of indium is simplified, and 50
Even a large-sized image display device of not less than inches can be easily and reliably sealed.
【００４３】なお、上述した実施の形態では、インジウ
ム３１の両側にシリコーン接着剤３２の層を設ける構成
としたが、画像表示装置のサイズが小さい場合、基板の
傾きや基板自体の自重による変形が小さくインジウムの
流動が少ないため、図７に示すように、インジウム層の
片側、例えば、内側だけにシリコーン接着剤３２の層を
塗布した状態で封着する構成としてもよい。In the above-described embodiment, the layers of the silicone adhesive 32 are provided on both sides of the indium 31. However, when the size of the image display device is small, the inclination of the substrate and the deformation due to the weight of the substrate itself are reduced. Since the flow of indium is small and the flow of indium is small, as shown in FIG. 7, a configuration may be adopted in which sealing is performed with a layer of the silicone adhesive 32 applied to only one side of the indium layer, for example, only on the inside.
【００４４】その他、この発明は上述した実施の形態に
限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能
である。例えば、低融点金属材料は、インジウムおよび
インジウム合金に限らず、他の低融点金属材料を用いて
もよい。また、流れ止め材は、インジウムの流出を防止
する機能を有していればよく、シリコーン接着剤に限ら
ず、ポリイミド系接着剤、その他の接着剤であってもよ
く、更に、接着剤に限定されるこのもない。なお、ポリ
イミド系接着剤は樹脂系接着剤の中では耐熱性が高く、
本発明に好適である。In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified within the scope of the present invention. For example, the low melting point metal material is not limited to indium and indium alloy, and other low melting point metal materials may be used. In addition, the flow stopper may have a function of preventing indium from flowing out, and is not limited to a silicone adhesive, but may be a polyimide-based adhesive or another adhesive, and is further limited to an adhesive. Nothing to be done. In addition, polyimide adhesive has high heat resistance among resin adhesives,
It is suitable for the present invention.
【００４５】また、前面基板あるいは背面基板の一方の
周縁部を折り曲げて形成し、これらの基板を側壁を介す
ることなく直接的に接合する構成としてもよい。上述し
た実施の形態では、電子放出素子として電界放出型の電
子放出素子を用いたが、これに限らず、ｐｎ型の冷陰極
素子あるいは表面伝導型の電子放出素子等の他の電子放
出素子を用いてもよい。また、この発明は、プラズマ表
示パネル（ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Ｅ
Ｌ）等の他の画像表示装置にも適用可能である。Further, one peripheral portion of the front substrate or the rear substrate may be formed by bending, and these substrates may be directly joined without interposing a side wall. In the above-described embodiment, the field emission type electron emission element is used as the electron emission element. However, the present invention is not limited to this, and other electron emission elements such as a pn type cold cathode element or a surface conduction type electron emission element may be used. May be used. Further, the present invention provides a plasma display panel (PDP), an electroluminescence (E)
L) and other image display devices.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上詳述したように、この本発明によれ
ば、低融点金属およびこの低融点金属に並んで設けた流
れ止め剤を用いて基板同士を封着することにより、真空
雰囲気中で容易に封着を行うことができるとともに気密
性および封着強度の高い画像表示装置、およびその製造
方法を提供することができる。As described above in detail, according to the present invention, the substrates are sealed with each other by using the low melting point metal and the flow stopper provided side by side with the low melting point metal, so that the substrate can be sealed in a vacuum atmosphere. It is possible to provide an image display device that can easily perform sealing with high airtightness and sealing strength, and a method of manufacturing the same.
【図１】この発明の実施の形態に係るＦＥＤを示す斜視
図。FIG. 1 is a perspective view showing an FED according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿った断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 1;
【図３】上記ＦＥＤの蛍光体スクリーンを示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing a phosphor screen of the FED.
【図４】上記ＦＥＤの真空外囲器を構成する側壁の封着
部にインジウムおよびシリコーン接着剤を塗布した状態
を示す斜視図。FIG. 4 is a perspective view showing a state in which indium and a silicone adhesive are applied to a sealing portion of a side wall constituting the vacuum envelope of the FED.
【図５】上記封着部にインジウムおよびシリコーン接着
剤が塗布された背面側組立体と前面基板とを対向配置し
た状態を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which a back-side assembly in which indium and a silicone adhesive are applied to the sealing portion is opposed to a front substrate.
【図６】上記ＦＥＤの製造に用いる真空処理装置を概略
的に示す図。FIG. 6 is a view schematically showing a vacuum processing apparatus used for manufacturing the FED.
【図７】この発明の他の実施の形態に係るＦＥＤの真空
外囲器を構成する側壁の封着部にインジウムおよびシリ
コーン接着剤を塗布した状態を示す斜視図。FIG. 7 is a perspective view showing a state in which indium and a silicone adhesive are applied to a sealing portion of a side wall constituting a vacuum envelope of an FED according to another embodiment of the present invention.
１０…真空外囲器 １１…前面基板 １２…背面基板 １４…支持部材 １６…蛍光体スクリーン １８…側壁 ２２…電子放出素子 ３０…低融点ガラス ３１…インジウム ３２…シリコーン接着剤 １００…真空処理装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Vacuum envelope 11 ... Front substrate 12 ... Back substrate 14 ... Support member 16 ... Phosphor screen 18 ... Side wall 22 ... Electron emission element 30 ... Low melting point glass 31 ... Indium 32 ... Silicone adhesive 100 ... Vacuum processing apparatus
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/04 Ｈ０５Ｂ 33/04 ５Ｇ４３５ Ｆターム(参考） 3K007 AB14 AB15 AB18 BA06 BB01 CA01 CB01 FA01 FA02 FA03 5C012 AA09 BC03 5C032 AA07 BB02 BB03 5C036 EE17 EF01 EF06 EF08 EG02 EG06 EH11 EH21 5C094 AA36 AA43 BA21 DA07 EB02 5G435 AA17 BB00 KK10 LL04 LL08Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H05B 33/04 H05B 33/04 5G435 F-term (Reference) 3K007 AB14 AB15 AB18 BA06 BB01 CA01 CB01 FA01 FA02 FA03 5C012 AA09 BC03 5C032 AA07 BB02 BB03 5C036 EE17 EF01 EF06 EF08 EG02 EG06 EH11 EH21 5C094 AA36 AA43 BA21 DA07 EB02 5G435 AA17 BB00 KK10 LL04 LL08
Claims (14)
た前面基板とを有する外囲器と、上記外囲器の内側に設
けられた複数の画像表示素子と、を備え、 上記前面基板および上記背面基板は、上記前面基板また
は上記背面基板の周辺部に沿って配置された低融点金属
材料、およびこの低融点金属材料の内側に並んで配置さ
れ上記低融点金属材料の流出を防止する流れ止め材によ
り互いに封着されていることを特徴とする画像表示装
置。An enclosure having a rear substrate, a front substrate opposed to the rear substrate, and a plurality of image display elements provided inside the enclosure; And the rear substrate is a low-melting metal material arranged along the peripheral portion of the front substrate or the rear substrate, and arranged side by side inside the low-melting metal material to prevent the low-melting metal material from flowing out. An image display device which is sealed with a flow stopper.
た前面基板とを有する外囲器と、上記外囲器の内側に設
けられた複数の画像表示素子と、を備え、 上記前面基板および上記背面基板は、上記前面基板また
は上記背面基板の周辺部に沿って配置された低融点金属
材料、およびこの低融点金属材料の内側および外側に並
んで配置され上記低融点金属材料の流出を防止する流れ
止め材により互いに封着されていることを特徴とする画
像表示装置。2. An enclosure having a back substrate, a front substrate opposed to the back substrate, and a plurality of image display elements provided inside the enclosure. And the back substrate, the low melting metal material disposed along the periphery of the front substrate or the back substrate, and the outflow of the low melting metal material arranged side by side inside and outside the low melting metal material An image display device, wherein the image display devices are sealed to each other by a flow stopper for preventing the image.
記背面基板の周縁部との間に配設された側壁を備え、上
記前面基板と側壁との間、および上記背面基板と側壁と
の間の少なくとも一方は、上記低融点金属材料および流
れ止め材により封着されていることを特徴とする請求項
１又は２記載の画像表示装置。3. The envelope has a side wall disposed between a peripheral edge of the front substrate and a peripheral edge of the rear substrate, and includes a space between the front substrate and the side wall, and between the rear substrate and the rear substrate. 3. The image display device according to claim 1, wherein at least one of the side walls and the side wall is sealed with the low melting point metal material and the flow stopper.
点を有していることを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれか１項に記載の画像表示装置。4. The image display device according to claim 1, wherein the low melting point metal material has a melting point of 350 ° C. or less.
インジウムを含む合金であることを特徴とする請求項４
記載の画像表示装置。5. The low melting point metal material is indium or an alloy containing indium.
The image display device as described in the above.
とを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載
の画像表示装置。6. The image display device according to claim 1, wherein the flow stopper is a non-metallic adhesive.
又はポリイミド系接着剤であることを特徴とする請求項
６に記載の画像表示装置。7. The image display device according to claim 6, wherein the non-gold layer adhesive is a silicone adhesive or a polyimide adhesive.
された前面基板を有する外囲器と、 上記前面基板の内面に形成された蛍光体スクリーンと、 上記背面基板上に設けられ、上記蛍光体スクリーンに電
子ビームを放出し蛍光体スクリーンを発光させる電子放
出源と、を備え、 上記前面基板および上記背面基板は、上記前面基板また
は上記背面基板の周辺部に沿って配置された低融点金属
材料、およびこの低融点金属材料の内側に並んで配置さ
れ上記低融点金属材料の流出を防止する流れ止め材によ
り互いに封着されていることを特徴とする画像表示装
置。8. An envelope having a rear substrate, a front substrate opposed to the rear substrate, a phosphor screen formed on an inner surface of the front substrate, and a phosphor screen provided on the rear substrate, An electron emission source that emits an electron beam to the body screen to cause the phosphor screen to emit light, wherein the front substrate and the back substrate have a low melting point metal disposed along the periphery of the front substrate or the back substrate. An image display device characterized by being sealed to each other by a material and a flow-stopping member arranged side by side inside the low-melting metal material to prevent the low-melting metal material from flowing out.
た前面基板とを有する外囲器と、上記外囲器の内側に設
けられた複数の画像表示素子と、を備えた画像表示装置
の製造方法において、 上記背面基板の周縁部と上記前面基板の周縁部との間の
封着面に沿って、低融点金属材料を塗布するとともに、
上記低融点金属材料の流出を防止する流れ止め材を上記
低融点金属材料の内側に並べて塗布する工程と、 上記背面基板および前面基板を真空雰囲気中で加熱し、
上記低融点金属材料を溶融させて上記背面基板の周縁部
と上記前面基板の周縁部とを封着する工程とを備えたこ
とを特徴とする画像表示装置の製造方法。9. An image display device comprising: an envelope having a rear substrate, a front substrate opposed to the rear substrate, and a plurality of image display elements provided inside the envelope. In the manufacturing method, along with a sealing surface between the peripheral portion of the back substrate and the peripheral portion of the front substrate, while applying a low melting metal material,
A step of applying a flow stopper to prevent the outflow of the low-melting metal material side by side inside the low-melting metal material, and heating the back substrate and the front substrate in a vacuum atmosphere,
A method of melting the low melting point metal material to seal a peripheral portion of the rear substrate and a peripheral portion of the front substrate.
て、上記低融点金属材料の内側および外側に並べて塗布
することを特徴とする請求項９に記載の画像表示装置の
製造方法。10. The method according to claim 9, wherein, in the step of applying the flow stopper, the low-melting metal material is applied side by side inside and outside.
下の融点を有したて低融点金属を用いることを特徴とす
る請求項９又は１０に記載の画像表示装置の製造方法。11. The method for manufacturing an image display device according to claim 9, wherein a low melting point metal having a melting point of 350 ° C. or less is used as said low melting point metal material.
またはインジウムを含む合金を用いることを特徴とする
請求項１１に記載の画像表示装置の製造方法。12. The method according to claim 11, wherein indium or an alloy containing indium is used as the low melting point metal material.
用いることを特徴とする請求項９ないし１２のいずれか
１項に記載の画像表示装置の製造方法。13. The method according to claim 9, wherein a non-metallic adhesive is used as the flow stopper.
接着剤又はポリイミド系接着剤を用いることを特徴とす
る請求項１３に記載の画像表示装置の製造方法。14. The method according to claim 13, wherein a silicone-based adhesive or a polyimide-based adhesive is used as the non-gold layer adhesive.
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