JP2001255265A - 光断層画像化装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コヒーレンス干渉を用いて断層情報を取得
する光断層画像化装置において、大型で高価な光源を使
用せずに、高い分解能で断層情報を取得する。 【解決手段】 ファイバカプラ201において、光源部100
から出射された低コヒーレンス光を、被測定部10に照
射する信号光と、ピエゾ素子203 で周波数シフトされる
参照光とに分割し、また、被測定部10の所定の深部で反
射された信号光と参照光とを合波する。この合波された
干渉光の光強度をバランス差分検出部500 で検出し、信
号処理部600 で画像処理を行い、画像表示部700 に断層
画像として表示する。光源部100 は、励気用の半導体レ
ーザ102 および色素がドープされたファイバ光源101 か
ら構成されるため、小型で安価なものとなる。またファ
イバ光源101 から放出されるコヒーレンス長の短い自然
放出光を低コヒーレンス光として用いるため、低コヒー
レンス干渉における分解能も高くなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、低コヒーレンス光
である信号光を被測定部に照射して被測定部の断層画像
を取得する光断層画像化装置に関し、特に被測定部の表
面および深部の微細構造情報を信号光の反射光に基づい
て、画像化する光断層画像化装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、低コヒーレンス光を用いた光断層
画像化装置、特に低コヒーレンス干渉光の光強度をヘテ
ロダイン検波により測定することにより、被測定部の断
層画像を取得する光断層画像化装置が、眼底網膜下の微
細構造の光断層画像の取得等に用いられている。

【０００３】この光断層画像化装置は、ＳＬＤ(Super L
uminescent Diode）等から成る光源から出射された低コ
ヒーレンス光を信号光と参照光に分割し、ピエゾ素子等
により参照光の周波数を僅かにシフトさせ、信号光を被
測定部に入射させて該被測定部の所定の深度で反射した
反射光と参照光とを干渉させ、その干渉光の光強度をヘ
テロダイン検波により測定し、断層情報を取得するもの
であり、参照光の光路上に配置した可動ミラー等を微少
移動させ、参照光の光路長を僅かに変化させることによ
り、参照光の光路長と信号光の光路長が一致した、被測
定部の深度での情報を得ていた。

【０００４】このような光断層画像化装置においては、
被測定部の所望の深度における断層情報を得るために、
信号光と参照光の干渉は参照光の光路長と信号光の光路
長とが完全一致した時にのみ生じることが理想である
が、実際には信号光と参照光の光路長差が光源のコヒー
レンス長以下であれば、干渉が生じてしまう。すなわ
ち、低コヒーレンス干渉における分解能は、光源のコヒ
ーレンス長により定められるものとなる。

【０００５】一般に、光源の波長分布がガウス型分布で
あれば、そのコヒーレンス長ΔＬは、中心波長をλｃ、
スペクトル幅をΔλとすると、次式で表される。

【０００６】 ΔＬ＝（２／π）・ln２・（λｃ／Δλ） （１） 例えば光源として、中心波長８００nm、スペクトル幅２
０ｎｍのＳＬＤを用いた場合、コヒーレンス長は、約１
４μｍとなる。したがって、上記従来の光断層画像化装
置の光源として、このようなＳＬＤを用いた場合の分解
能は、約１４μｍとなる。このため、この分解能と同程
度の厚さの中に複数層を有するような被測定部の場合、
各層からの反射光を区別することはできなかった。

【０００７】近年、臨床分野において、生体組織等の断
層画像の有用性が広く知られるようになり、眼球部位に
留まらず、眼球部位に比べ、光散乱の大きい生体組織の
断層画像を高い分解能で取得することが望まれるように
なった。このためには、出力が大きく、かつコヒーレン
ス長の短い低コヒーレンス光を出射可能な光源が必要で
ある。しかし、ＳＤＬでは、出力の向上が難しく、また
バンドギャップによりスペクトル幅が決まるため、スペ
クトル幅を広げて、コヒーレンス長を短くすることも難
しいという問題があった。

【０００８】このため、例えば「Optics Letters Vol.2
1,No22 P1839-1841」(by B.E.Boumaet.al 1996）には、
光源にKLM mode-locked Ti:sapphire Laser を備え、超
短パルス光と光ファイバの分散遅延を利用して、高出
力、広スペクトル幅の低コヒーレンス光を実現し、信号
光および参照光として使用することにより、高い分解能
で断層画像を取得できる装置が提案されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記KL
M mode-locked Ti:sapphire Laser を光源に備えた光断
層画像化装置では、光源部分が大型で高価なものとな
り、また、光源部の取り扱いも難しく、実用化の面から
考えると大きさ、コスト、使い勝手等の面で問題があっ
た。

【００１０】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、低コヒーレンス干渉を用いてて断層画像を取得す
る光断層画像化装置において、大型で高価で取り扱いの
難しい光源を使用することなく、高い分解能で断層情報
を取得可能な光断層画像化装置を提供することを目的と
するものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の光断層画像化装
置は、低コヒーレンス光を信号光と参照光に分割し、信
号光を被測定部に照射し、参照光の周波数を前記信号光
と僅かな周波数差を有する周波数にシフトし、信号光の
被測定部の所定の深部からの反射光と、参照光とを干渉
させ、干渉光強度を測定し、被測定部の光断層画像を取
得する光断層画像化装置において、低コヒーレンス光
が、発光体がドープされた光ファイバに励起エネルギー
を印加することにより射出される増幅された自然放出光
であることを特徴とするものである。

【００１２】ここで、上記「発光体」とは、外部からの
エネルギー印加によって励起され、励起エネルギーが光
として放出されるものを意味する。また、「信号光の被
測定部の所定の深度からの反射光」とは、被測定部に照
射された信号光が被測定部の所定の深部で反射した反射
光と、被測定部の表面で反射した反射光とを含むもので
ある。

【００１３】「干渉光強度を測定する」とは、上記信号
光と参照光との差周波数で強弱を繰り返すビート信号
（干渉光）の強度を計測することを意味し、例えば、ヘ
テロダイン干渉計等による計測を意味する。

【００１４】被測定部は、生物組織の一部であり、低コ
ヒーレンス光の波長は、６００nm以上１７００nm以下の
範囲内の波長が好ましい。

【００１５】また、励起エネルギーとしては、５００nm
以上１７００nm以下の波長帯域内の励起光が望ましい。

【００１６】上記発光体としては、蛍光を発する色素が
好適である。

【００１７】また、発光体は遷移金属イオン、希土類イ
オンまたは錯イオンであってもよい。

【００１８】さらに、上記発光体は、遷移金属イオンで
ある Ｃｒ³⁺、Ｍｎ⁴⁺、Ｍｎ²⁺、 Ｆｅ³⁺、希土類イオン
であるＳｃ³⁺、Ｙ³⁺、Ｌａ³⁺、Ｃｅ³⁺、Ｐｒ³⁺、Ｎ
ｄ³⁺、Ｐｍ³⁺、Ｓｍ³⁺、 Ｅｕ³⁺、Ｇｄ³⁺、Ｔｂ³⁺、Ｄ
ｙ³⁺、Ｈｏ³⁺、Ｅｒ³⁺、Ｔｍ³⁺、Ｙｂ³⁺、Ｌｕ³⁺、錯イ
オンであるＷＯ₄ ^2-、ＭｏＯ₄ ^2-、ＶＯ₄ ³⁺、Ｐｔ（Ｃ
Ｎ）₄ ^2-およびＷＯ₆ ^6-からなる群から選ばれる少なくと
も１種類のイオンであってもよい。

【００１９】

【発明の効果】本発明の光断層画像化装置は、信号光お
よび参照光を形成する低コヒーレンス光として、発光体
がドープされた光ファイバに励起エネルギーを印加する
ことにより射出される増幅された自然放出光を用いるこ
とにより、小型で安価で、かつ取り扱いも容易な光源か
ら、高出力、広スペクトル幅の低コヒーレンス光を得る
ことができるので、従来必要であった、大型で、高価で
かつ取り扱いの難しい超短パルスレーザ等を備える光源
を用いることなく低コヒーレンス干渉における分解能を
向上させることができる。

【００２０】また、被測定部が生物組織の一部であり、
低コヒーレンス光の波長が、６００nm以上１７００nm以
下の範囲内であれば、信号光が被測定部において、望ま
しい透過性および散乱性を有するので、所望の断層画像
を取得することができる。

【００２１】また、励起エネルギーが、５００nm以上１
７００nm以下の波長帯域内の励起光であれば、効率良く
光ファイバ内にドープされた発光体を励起することがで
きる。

【００２２】上記発光体としては、蛍光を発する色素を
用いれば、望ましい中心波長およびスペクトル幅を有す
る低コヒーレンス光を得ることができる。

【００２３】また、発光体として、遷移金属イオン、希
土類イオンまたは錯イオンを用いれば、光ファイバへ容
易にドープ可能であり、また、望ましい中心波長および
スペクトル幅を有する低コヒーレンス光を得ることがで
きる。

【００２４】さらに、上記発光体として、遷移金属イオ
ンである Ｃｒ³⁺、Ｍｎ⁴⁺、Ｍｎ²⁺、 Ｆｅ³⁺、希土
類イオンであるＳｃ³⁺、Ｙ³⁺、Ｌａ³⁺、Ｃｅ³⁺、Ｐ
ｒ³⁺、Ｎｄ³⁺、Ｐｍ³⁺、 Ｓｍ³⁺、Ｅｕ³⁺、Ｇｄ³⁺、Ｔ
ｂ³⁺、Ｄｙ³⁺、Ｈｏ³⁺、Ｅｒ³⁺、Ｔｍ³⁺、Ｙｂ³⁺、Ｌｕ
³⁺、 錯イオンであるＷＯ₄ ^2-、ＭｏＯ₄ ^2-、ＶＯ₄ ³⁺、
Ｐｔ（ＣＮ）₄ ^2- およびＷＯ₆ ^6- からな る群から選ば
れる少なくとも１種類のイオンを用いれば、励起光を望
ましい低コヒーレンス光へ効率良く変換することができ
る。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態である光断層画像化装置について図１を参照して説明
する。図１は本発明による光断層画像化装置の概略構成
図である。

【００２６】この光断層画像化装置は、中心波長８００
nmで、スペクトル幅が約２００nmの低コヒーレンス光を
出射する光源部100 と、この光源部100 から出射された
低コヒーレンス光の参照光Ｌｒおよび信号光Ｌｓへの分
割および合波を行うファイバ結合光学系200 と、参照光
Ｌｒの光路上に配され、参照光Ｌｒの光路長を変化させ
る光路遅延部300 と、信号光Ｌｓで生体組織の被測定部
10を走査する光走査部400 と、被測定部10の所定の面で
反射された信号光Ｌｓ’と参照光Ｌｒとの干渉光Ｌｃの
強度を検出するバランス差分検出部500 と、バランス差
分検出部500 で検出された干渉光Ｌｃの光強度から被測
定部10の所定の面で反射された信号光Ｌｓ’の強度を求
めるヘテロダイン検出を行い、画像信号に変換する信号
処理部600 と、信号処理部600 で得られた画像信号を断
層画像として表示する画像表示部700 とから構成される
ものである。

【００２７】光源部100 は、励起光が入射されると低コ
ヒーレンス光を射出するファイバ光源101 と、該ファイ
バ光源101 を励起する励起光である波長６６０nmのレー
ザ光を射出する半導体レーザ102 と、励起光をファイバ
光源101 の入射端面に集光するレンズ103 と、低コヒー
レンス光に含まれている励起光をカットするために、７
００nm以下の波長帯域の光をカットする励起光カットフ
ィルタ104 と、ファイバ光源101 から出射された低コヒ
ーレンス光を集光するレンズ105 およびレンズ106 とを
備えている。

【００２８】ファイバ光源101 は、中心にコア107 を有
する光ファイバであり、コア107 には、励起光を吸収し
て発光する色素がドープされている。励起光がファイバ
光源101 に入射すると、ファイバ光源101 の出射端から
は、中心波長が約８００nmで、スペクトル幅が約２００
nmの低コヒーレンス光が出射される。

【００２９】ファイバ結合光学系200 は、ファイバ光源
101 から出射された低コヒーレンス光を信号光Ｌs と参
照光Ｌr とに分割し、また、信号光Ｌｓの被測定部10の
所定の深部からの反射である信号光Ｌｓ’と参照光Ｌｒ
を合波し、干渉光Ｌｃを得るファイバカプラ201 と、光
源部100 とファイバカプラ201 の間に設けられるファイ
バカプラ202 と、参照光Ｌｒに僅かな周波数シフトを生
じさせるピエゾ素子203 と、光源部100 とファイバカプ
ラ202 を繋ぐファイバ204 と、ファイバカプラ201 およ
び202 を介して光路遅延部300 とバランス差分検出部50
0 を繋ぐファイバ205 と、ファイバカプラ201 を介して
光走査部400 とバランス差分検出部500を繋ぐファイバ2
06 とを備えている。なお、ファイバ204 、205 および2
06 はシングルモード光ファイバである。

【００３０】光路遅延部300 は、ファイバ205 から射出
された参照光Ｌrを平行光に変換し、また反射された参
照光Ｌｒをファイバ205 へ入射させるレンズ301 と、図
１における水平方向への移動により参照光Ｌrの光路長
を変化させるプリズム302 とを備えている。

【００３１】光走査部400 は、信号光Ｌｓを図１におけ
る垂直方向に移動し、また被測定部10で反射した信号光
Ｌｓ’をファイバ206 に入射させるレンズ401 およびレ
ンズ402 とを備えている。

【００３２】バランス差分検出器500 は、干渉光Ｌｃの
光強度を測定する光検出器501 および502 と、光検出器
501 の検出値と光検出器502 の検出値の入力バランスを
調整し、ノイズ成分やドリフト成分を相殺した上で、差
分を増幅する差動増幅器503とを備えている。

【００３３】次に本実施の形態の光断層画像化装置の動
作について説明する。まず、半導体レーザ102 から射出
された波長６６０ｎｍの励起光は、レンズ103 により集
光され、ファイバ光源101 のコア107 に導入される。

【００３４】励起光は、コア107 内を伝搬しながら、ド
ープされた色素に吸収される。励起光を吸収した色素
は、基底状態から励起状態に遷移する。励起状態から
は、熱緩和や発光過程を通して、基底状態へ戻る。ファ
イバ光源101 は、光共振器を構成していないため、個々
の発光がランダムに、相関無く増幅されながら、コア10
7内を伝搬し、自然放出光としてファイバ光源101 の端
面から出射する。この自然放出光は、コア107 内にドー
プされた色素の発光スペクトルとファイバ光源101の伝
送特性から決まるスペクトル特性を有する低コヒーレン
ス光である。また、その光強度は、励起光の光強度とコ
ア107 内にドープされた色素の量に依存する。すなわ
ち、励起光の光強度、ファイバ光源101 のコア107 内に
ドープされる色素の種類と量、およびファイバ光源101
の長さを適宜選択することにより、所望の中心波長、ス
ペクトル幅および光強度を有する低コヒーレンス光が得
られる。

【００３５】本実施の形態に用いられるファイバ光源10
1 からは、中心波長が約８００nm、スペクトル幅が約２
００nmの低コヒーレンス光が出射され、この低コヒーレ
ンス光は、レンズ105 により平行光に変換され、励起光
カットフィルタ104 を透過後、レンズ106 により集光さ
れ、ファイバ204 に導入される。

【００３６】ファイバ204 を透過した低コヒーレンス光
は、ファイバカプラ202 で、ファイバ205 に導入され、
さらに、ファイバカプラ201 で、ファイバ205 内を光路
遅延部300 の方向へ進行する参照光Ｌｒと、ファイバ20
6 内を光走査部400 の方向へ進行する信号光Ｌｓとに分
割される。

【００３７】参照光Ｌr は光路上に設けられたピエゾ素
子203 により変調され、参照光Ｌｒと信号光Ｌｓには、
僅かな周波数差△ｆが生じる。

【００３８】信号光Ｌs は光走査部400 のレンズ401 お
よび402 を経て被測定部10へ入射される。被測定部10に
入射された信号光Ｌｓのうち被測定部10の所定の深度で
反射された信号光Ｌｓ’は、レンズ402 および401 によ
り、ファイバ206 に帰還せしめられる。ファイバ206 に
帰還せしめられた信号光Ｌｓ’は、ファイバカプラ201
において、後述するファイバ205 に帰還せしめられた参
照光Ｌｒと合波される。

【００３９】一方、ピエゾ素子203 で変調された後の参
照光Ｌr は、ファイバ205 を通過し光路遅延部300 のレ
ンズ301 を介して、プリズム302に入射し、このプリズ
ム302で反射され再度レンズ301 を透過して、ファイバ2
05 に帰還せしめられる。ファイバ205 に帰還せしめら
れた参照光Ｌｒはファイバカプラ201 で、上述した信号
光Ｌｓ’と合波される。

【００４０】ファイバカプラ201 で合波された信号光Ｌ
ｓ’および参照光Ｌr は、再び同軸上に重なることにな
り所定の条件の時に信号光Ｌｓ’と参照光Ｌｒが干渉
し、干渉光Ｌｃとなり、ビート信号を発生する。

【００４１】参照光Ｌr および信号光Ｌｓ’は、可干渉
距離の短い低コヒーレンス光であるため、低コヒーレン
ス光が信号光Ｌｓと参照光Ｌｒに分割されたのち、信号
光Ｌs（Ｌｓ’） がファイバカプラ201 に到達するまで
の光路長が、参照光Ｌr がファイバカプラ201 に到達す
るまでの光路長に略等しい場合に両光が干渉し、この干
渉する両光の周波数差（△ｆ）で強弱を繰り返すビート
信号が発生する。

【００４２】干渉光Ｌｃは、ファイバカプラ201 で分割
され、一方は、ファイバ205 を透過してバランス差分検
出器500 の光検出器501 に入力され、他方はファイバ20
6 を透過して光検出器502 に入力される。

【００４３】光検出器501 および502 では、干渉光Ｌｃ
から上記ビート信号の光強度を検出し、差動増幅器503
で、光検出器501 の検出値と光検出器502 の検出値の差
分を求め、信号処理部600 へ出力する。なお、差動増幅
器503 は、その入力値の直流成分のバランスを調整する
機能を備えているため、たとえ光源部100 から出射され
た低コヒーレンス光にドリフトが生じている場合でも、
直流成分のバランスを調整した上で差分を増幅すること
により、ドリフト成分は相殺され、ビート信号成分のみ
が検出される。

【００４４】なおこのときに、プリズム302 をその光軸
方向（図中水平方向）に移動すると、参照光Ｌr がファ
イバカプラ201 に到達するまでの光路長が変化する。こ
のため参照光Ｌｒと干渉する信号光Ｌｓ（Ｌｓ’）の光
路長も変化するため、断層情報を取得する被測定部10の
深度も変化する。

【００４５】上記の動作により、被測定部10の所定点に
おける表面から所望の深度までの断層情報を取得したの
ち、光走査部400 のレンズ401 およびレンズ402 によ
り、信号光Ｌｓの入射点を図１の垂直方向に僅かに移動
させ、同様に所定の深度までの断層情報を取得する。こ
のような動作を繰り返すことにより、被測定部10の断層
画像を得ることができる。

【００４６】信号処理部600 では、バランス差分検出部
500 で検出された干渉光Ｌｃの光強度から被測定部10の
所定の面で反射された信号光Ｌｓ’の強度を求めるヘテ
ロダイン検出を行い、画像信号に変換し、断層画像とし
て画像表示部700 に表示する。

【００４７】また、光源部100 から出射される低コヒー
レンス光の中心波長は８００nmであり、スペクトル幅は
２００nmであるので、式１からコヒーレンス長は、1.4
μｍとなる。すなわち、低コヒーレンス干渉における分
解能も1.4μｍとなる。

【００４８】このため、従来必要であった、大型で、高
価でかつ取り扱いの難しい超短パルスレーザ等を備える
光源を用いることなく、低コヒーレンス干渉における分
解能を、生体組織等の微細断層画像を取得可能な高分解
能まで向上させることができる。

【００４９】また、低コヒーレンス光の波長帯域が略７
００nmから略９００nmの範囲であるため、生体組織であ
る被測定部10において、望ましい透過性および散乱性を
有するので、所望の断層画像を取得することができる。

【００５０】また、励起エネルギーが、半導体レーザ10
2 から出射される波長６６０nmのレーザ光であるため、
効率良くファイバ光源101 内にドープされた色素を励起
することができる。

【００５１】なお、ファイバ光源101 を交換可能である
ため、被測定部10の光透過特性および光散乱特性に応じ
て、適宜低コヒーレンス光の中心波長およびスペクトル
幅を選択することができ、光断層画像化装置の利便性を
向上させることができる。

【００５２】なお、上記本発明の実施の形態では、励気
光光源として半導体レーザ102 を用いたが、半導体レー
ザの代わりに、波長６６０nmの第２高調波を発生するＹ
ＡＧレーザを用いることもでき、この場合には、より高
出力の励気光が得られるため、低コヒーレンス光も一層
高出力化が可能である。

【００５３】また、上記本発明の実施の形態の変形例と
して、色素がドープされたファイバ光源101 の代わり
に、発光体として、遷移金属イオン、希土類イオンまた
は錯イオンをドープしたファイバ光源を用いた光断層画
像化装置を考えることもできる。これらのイオンは、フ
ァイバ光源のコアに容易にドープ可能であり、ファイバ
光源の製造コストを低減することができる。また、適宜
上記発光体として、遷移金属イオンである Ｃｒ³⁺、Ｍ
ｎ⁴⁺、Ｍｎ²⁺、 Ｆｅ³⁺、希土類イオンであるＳｃ ³⁺、
Ｙ³⁺、Ｌａ³⁺、Ｃｅ³⁺、Ｐｒ³⁺、Ｎｄ³⁺、Ｐｍ³⁺、Ｓｍ
³⁺、Ｅｕ³⁺、Ｇｄ³⁺、Ｔｂ³⁺、Ｄｙ³⁺、Ｈｏ³⁺、Ｅ
ｒ³⁺、Ｔｍ³⁺、Ｙｂ³⁺、Ｌｕ³⁺、錯イオンであるＷＯ₄
^2-、ＭｏＯ₄ ^2-、ＶＯ₄ ³⁺、Ｐｔ（ＣＮ）₄ ^2-およびＷＯ₆
^6-からなる群から選ばれる少なくとも１種類のイオンを
用いれば、励起光を望ましい中心波長およびスペクトル
線幅を有する低コヒーレンス光へ効率良く変換すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光断層画像化装置の概略構成図

【符号の説明】

10 被測定部 100 光源部 101 ファイバ光源 102 半導体レーザ 104 励気光カットフィルタ 200 ファイバ結合光学系 201,202 ファイバカプラ 203 ピエゾ素子 204,205,206 ファイバ 300 光路遅延部 302 プリズム 400 光走査部 500 バランス差分検出部 501,502 光検出器 503 差動増幅器 600 信号処理部 700 画像表示部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 低コヒーレンス光を信号光と参照光に分
   割し、 前記信号光を被測定部に照射し、 前記参照光の周波数を前記信号光と僅かな周波数差を有
   する周波数にシフトし、 前記信号光の前記被測定部の所定の深部からの反射光
   と、前記参照光とを干渉させ、干渉光強度を測定し、前
   記被測定部の光断層画像を取得する光断層画像化装置に
   おいて、 前記低コヒーレンス光が、発光体がドープされた光ファ
   イバに励起エネルギーを印加することにより射出される
   増幅された自然放出光であることを特徴とする光断層画
   像化装置。
2. 【請求項２】 前記被測定部が生物組織の一部であり、 前記低コヒーレンス光の波長が、６００nm以上１７００
   nm以下の範囲内の波長であることを特徴とする請求項１
   記載の光断層画像化装置。
3. 【請求項３】 前記励起エネルギーが、５００nm以上１
   ７００nm以下の波長帯域内の励起光であることを特徴と
   する請求項２記載の光断層画像化装置。
4. 【請求項４】 前記発光体が蛍光を発する色素であるこ
   とを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の光断
   層画像化装置。
5. 【請求項５】 前記発光体が遷移金属イオン、希土類イ
   オンまたは錯イオンであることを特徴とする請求項１か
   ら３いずれか1項記載の光断層画像化装置。
6. 【請求項６】 前記発光体が、遷移金属イオンである
   Ｃｒ³⁺、Ｍｎ⁴⁺、Ｍｎ²⁺、Ｆｅ³⁺、希土類イオンである
   Ｓｃ³⁺、Ｙ³⁺、Ｌａ³⁺、Ｃｅ³⁺、Ｐｒ³⁺、Ｎｄ³⁺、Ｐｍ
   ³⁺、 Ｓｍ³⁺、Ｅｕ³⁺、Ｇｄ³⁺、Ｔｂ³⁺、Ｄｙ³⁺、Ｈｏ
   ³⁺、Ｅｒ³⁺、Ｔｍ³⁺、Ｙｂ³⁺、Ｌｕ³⁺、錯イオンである
   ＷＯ₄ ^2-、ＭｏＯ₄ ^2-、ＶＯ₄ ³⁺、Ｐｔ（ＣＮ）₄ ^2-および
   ＷＯ₆ ^6-からなる群から選ばれる少なくとも１種類のイ
   オンであることを特徴とする請求項２から５いずれか１
   項記載の光断層画像化装置。