DE4124426C2 - Lichtempfindliche Zusammensetzung - Google Patents

Lichtempfindliche Zusammensetzung

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammen­ setzung, umfassend (a) eine Verbindung, die durch aktinischen oder Radiantstrahlen Säure erzeugt, (b) eine organische Base und (c) ein alkalilösliches Polymer. Damit wird es ermöglicht, eine vorsensibilisierte Platte zur Verwendung in der Herstellung einer lithographischen Druckplatte (im folgenden bezeichnet als "PS-Platte"), von Korrektur­ fahnen bzw. Probedrucken bzw. -abzügen bzw. Aushängebögen für das photomechani­ sche Drucken bzw. Prozeßdrucken, von Abbildungen für Tageslichtprojektoren oder feinen Resist- bez. Schutzmassenmustern, die zur Herstellung von integrierten Schalt­ kreisen (IC) auf Halbleiterelementen erforderlich sind, herzustellen.
Als sogenannte positiv arbeitende lichtempfindliche Materialien sind o-Chinondiazid- Verbindungen bekannt, die durch Bestrahlen mit aktinischen Strahlen löslich gemacht werden, z. B. beim Herstellen lithographischer Druckplatten. Diese Verbindungen wurden praktisch weitverbreitet verwendet, um PS-Platten oder dgl. herzustellen. Derartige o- Chinondiazid-Verbindungen sind in verschiedenen Veröffentlichungen offenbart, ein­ schließlich der US-Patente 2,766,118; 2,767,092; 2,772,972; 2,859,112; 2,907,665; 3,046,110; 3,046,111; 3,046,115; 3,046,118; 3,046,119; 3,046,120; 3,046,121; 3,046,122; 3,046,123; 3,061,430; 3,102,809; 3,106,465; 3,635; 709 und 3,647,443.
Diese o-Chinondiazid-Verbindungen werden durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen zersetzt, um 5-gliedrige oder -teilige Carbonsäuren zu bilden, und sie werden so alkali­ löslich gemacht. Ihre Lichtempfindlichkeit ist jedoch unzureichend. Dieses Problem tritt auf, weil es schwierig ist, die o-Chinondiazid-Verbindungen optisch zu sensibilisieren, und ihre Quantenausbeute überschreitet eigentlich niemals 1. Außerdem ist die Licht­ wellenlänge für die Belichtung fest, und Lichtquellen sind beschränkt. Es ist schwierig, unter weißem Licht Sicherheit zu verleihen. Außerdem ist die Absorption von Licht im Tief-UV-Bereich groß, und daher sind sie nicht für Anwendungen geeignet, bei denen Licht einer kurzen Wellenlänge verwendet wird, um die Auflösung eines Photoresists zu erhöhen.
Viele Versuche sind durchgeführt worden, um die Lichtempfindlichkeit der lichtempfindli­ chen Zusammensetzungen, die o-Chinondiazid-Verbindungen enthalten, zu verbessern. Beispiele derartiger Versuche sind offenbart in JP-A-48-12242, JP-A-52-40125 und US-A-4,307,173.
Kürzlich sind einige positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzungen vorge­ schlagen worden, die frei von o-Chinondiazid-Verbindungen sind. Ein Beispiel enthält eine polymere Verbindung mit o-Nitrocarbinolester-Gruppen, wie offenbart in JP-A-56- 2696. Eine derartige Zusammensetzung liefert jedoch keine hohe Sensitivität, und zwar aus den gleichen Gründen wie oben in Verbindung mit o-Chinondiazid-Verbindungen diskutiert.
Andererseits sind als musterbildende Verfahren zur Herstellung von elektronischen Tei­ len wie Halbleiterelementen, magnetischen Blasenspeichern und integrierten Schaltkrei­ sen weitverbreitet Verfahren eingesetzt worden, in denen ein Photoresist bzw. Re­ sistlack bzw. Photolack bzw. Kopierlack verwendet wird, der empfindlich für ultraviolette und sichtbare Strahlen ist. Die Photoresiste werden in zwei Gruppen klassifiziert, die einen sind vom negativ arbeitenden Typ, deren belichtete bzw. freigelegte Teile durch Bestrahlen mit Licht in einem Entwickler unlöslich gemacht werden, und die anderen sind positiv arbeitend, deren belichtete Teile im Gegensatz dazu in einem Entwickler löslich gemacht werden. Die vom negativ arbeitenden Typ sind hinsichtlich der Empfind­ lichkeit den positiv arbeitenden überlegen, und die Haftung an ein Substrat und die Wi­ derstandsfähigkeit gegen Chemikalien, die beim Naßätzen erforderlich sind, ist auch ausgezeichnet. Daher ist die Verwendung von negativ arbeitenden Resisten eine der Hauptrichtungen der Photolithographie. Jedoch werden die Linienbreite und der Abstand zwischen den Linien des Musters um so schmaler, je mehr der Grad der Integration von Halbleiterelementen und die Packungsdichte darauf erhöht wird. Außerdem sind Troc­ kenätztechniken als ein Mittel zum Ätzen von Substraten übernommen bzw. eingeführt worden. Daher sollten die Photoresiste eine hohe Auflösung und hohe Widerstandsfä­ higkeit gegen Trockenätzen haben. Aus diesen Gründen werden in jüngster Zeit hauptsächlich positiv arbeitende Photoresiste verwendet. Insbesondere sind ausschließlich alkalientwickelbare positiv arbeitende Photoresiste verwendet worden, die hauptsächlich aus alkalilöslichen Novolakharzen zusammengesetzt sind, wie in J. C. Strieter, Kodak Microelectronics Seminar Proceedings, 1976, S. 116 offenbart, da sie eine ausgezeich­ nete Empfindlichkeit, Auflösung und Widerstandsfähigkeit gegen Trockenätzen haben.
Es ist jedoch erforderlich, die Größe bzw. die Abmessungen der Muster noch viel weiter zu verringern, um eine viel höhere Packungsdichte und höheren Integrationsgrad zu erreichen, die bzw. der mit dem Anwachsen der Multifunktionalität und hohen Funktio­ nalität von elektronischen Einrichtungen in jüngster Zeit verbunden ist.
Unter solchen Umständen sind lichtempfindliche Zusammensetzungen vorgeschlagen worden, die eine Kombination aus einem herkömmlichen o-Chinondiazid-lichtempfindli­ chen Material und einem Silikonpolymer wie Polysiloxan oder Polysilmethylen, das alka­ lilöslich gemacht wurde, enthält, zum Beispiel in JP-A-61-256347, JP-A-61-144639, JP- A-62-159141, JP-A-62-191849, JP-A-62-220949, JP-A-62-229136, JP-A-63-90534 und JP-A-63-91654. Weiterhin ist eine lichtempfindliche Zusammensetzung, die eine Kombi­ nation eines Polysiloxan-/Carbonat-Blockcopolymers und eine wirksame Menge eines Oniumsalzes enthält, in JP-A-62-136638 offenbart. Aufgrund des Arbeitsganges, mit dem sie alkalilöslich gemacht werden, ist es jedoch sehr schwierig, diese Polymere her­ zustellen. Außerdem ist die Widerstandsfähigkeit dieser Polymere gegen Alterung unzu­ reichend.
Die DE-A-39 26 666 beschreibt eine lichtempfindliche Zusammensetzung, die eine Trihalogen­ methyl-s-triazin-Verbindung und einen Photosensibilisator enthält. Der Photosensibilisator ist ein Farbstoff, der ein Reduktionspotential aufweist, das um nicht mehr als 0,10 Volt höher ist als das Reduktionspotential der Trihalogenmethyl-s-triazin-Verbindung.
In der EP-A-0363198 wird eine positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung beschrieben, die eine polymere Verbindung enthält, welche zu mindestens 1 mol% aus Sul­ fonamid-Struktureinheiten besteht.
Die DE-A-39 35 875 betrifft ein strahlungsempfindliches Gemisch, das im wesentlichen aus drei Komponenten besteht: einem in Wasser unlöslichen, in wäßrig-alkalischen Lösungen löslichen Bindemittel oder Bindegemisch, des weiteren einer bei Bestrahlung eine starke Säure bildenden Verbindung, und einer organischen Verbindung, die durch eine Säure spaltbare Carbamatein­ heiten enthält.
Die DE-A-23 06 248 beschreibt ein durch Belichten löslich werdendes Stoffgemisch, welches zum einen eine wasserunlösliche, durch Einwirkung einer photolytisch gebildeten Säure löslich werdende organische Verbindung enthält, zum anderen eine unter Normalbedingungen neutral reagierende stabile halogenhaltige organische Verbindung oder ein Diazoniumsalz als photoly­ tisch spaltbaren, eine Säure liefernden Photoinitiator, außerdem eine organische Verbindung mit mindestens einer Alkylphenylethergruppe, und ferner ein ein- oder mehrwertiges Phenol und ein aromatisches Monoalkylsulfonamid, Phenothiazin oder α-Naphtylphenylamin.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung zur Verfügung zu stellen, die hochempfindlich in breiteren Wellenlängen­ bereichen ist, die leicht hergestellt werden kann und die eine hohe Widerstandsfähigkeit gegen Alterung bestizt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine positiv arbeitende lichtempfindliche Zusam­ mensetzung der eingangs genannten Art gelöst, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die organiche Base ausgewählt ist aus Verbindungen, dargestellt durch die allgemeinen Formeln (VII) bis (XVIII)
wobei R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14 und R15 gleich sein können oder unterschiedlich und jeweils ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe, eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe, eine substituierte oder unsubstituierte Alkoxygruppe, ein Halogenatom, eine Nitrogruppe, eine Dialkylaminogruppe oder eine Diarylaminogruppe darstellen; R16 und R17 können gleich sein oder unterschiedlich und stellen jeweils ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe dar; X1 ist ein Sauerstoffatom oder ein Schwefelatom; X2 ist ein Sauerstoffatom, ein Schwefelatom, =CO oder =N-R18, wobei R18 ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe darstellt; B ist ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe, eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe oder eine Gruppe, dargestellt durch die Formel:
Der Grund, warum klare positive Bilder produziert werden, ist nicht bekannt. Es kann jedoch vermutet werden, daß im unbelichteten Bereich die säurenerzeugende Verbindung oder die organische Base etwas mit dem alkalilöslichen Polymer in Wechselwirkung tritt, um derart die Löslichkeit der lichtempfindlichen Schicht in einem alkalischen Entwickler zu verringern; während andererseits im belichteten Bereich die säurenerzeugende Verbindung Säuren erzeugt, die Salze mit der organischen Base bilden, um so die Löslichkeit der lichtempfindlichen Schicht in einem alkalischen Ent­ wickler zu erhöhen und so ein positives Bild zu produzieren.
Die vorliegende Erfindung wird nun im Detail erklärt.
(a) Verbindungen, die durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen oder Randiantstrahlen Säuren erzeugen
Beispiele für geeignete Verbindungen, die durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen oder Radiantstrahlen Säuren erzeugen und die in der positiv arbeitenden lichtempfindli­ chen Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, sind verschiedene bekannte Verbindungen und Gemische davon wie die Diazonium-, Phos­ phonium-, Sulfonium- und Iodoniumsalze von BF4, AsF6, PF6, SbF6, SiF6 und ClO4; or­ ganische Halogenverbindungen; und Kombinationen von organometallischen Verbin­ dungen und organischen Halogenverbindungen. Ebenso geeignet in der Zusammenset­ zung der vorliegenden Erfindung verwendet werden Verbindungen, die durch Photolyse Säuren erzeugen, wie offenbart in US-A 3,779,778, DE-A 2,610,842 und EP-A 126,712.
Typische Beispiele für die vorgenannten Verbindungen, die durch Bestrahlung mit akti­ nischen Strahlen oder Radiantstrahlen Säure erzeugen, werden im folgenden erklärt.
(1) Oxadiazol-Verbindungen der Formel (I) oder s-Triazin-Verbindungen (II) mit einer Trihalomethylgruppe
In diesen Formeln stellt R1 eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Alkenylgruppe dar; R2 stellt eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe, eine substituierte oder unsubstituierte Alkenylgruppe, -CY3 oder eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe dar; und Y stellt ein Chloratom oder ein Bromatom dar.
Konkrete Beispiele dafür sind die unten aufgelisteten:
(2) Iodoniumsalze der Formel (III) oder Sulfoniumsalze der Formel (IV)
In diesen Formeln können Ar1 und Ar2 gleich oder verschieden sein und stellen jeweils eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe dar. Beispiele bevorzugter Substitu­ enten der Arylgruppen sind Alkyl-, Haloalkyl-, Cycloalkyl-, Alkoxy-, Nitro-, Carbonyl-, Al­ koxycarbonyl-, Hydroxy- und Mercaptogruppen und Halogenatome; R3, R4 und R5 kön­ nen gleich sein oder verschieden und stellen jeweils eine substituierte oder unsubstitu­ ierte Alkylgruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe dar, vorzugs­ weise eine Arylgruppe mit 6 bis 14 Kohlenstoffatomen, eine Alkylgruppe mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen oder ein substituiertes Derivat davon. Beispiele für bevorzugte Sub­ stituenten der Arylgruppen sind Alkoxygruppen mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen, Alkyl­ gruppen mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen, Nitro-, Carbonyl- und Hydroxylgruppen und Ha­ logenatome und die der Alkylgruppen sind Alkoxygruppen mit 1 bis 8 Kohlenstoffato­ men, Carbonylgruppen und Alkoxycarbonylgruppen. Z- stellt BF4 -, AsF6 -, PF6 -, SbF6 -, SiF6 -, ClO4 -, CF3SO3 - dar. Außerdem können zwei der Gruppen R3, R4 und R5, und Ar1 und Ar2 jeweils durch eine einzelne Bindung oder einen Substituenten gebunden sein.
Beispiele der durch die Formel (III) dargestellten Verbindungen finden sich in JP-A-50- 158680, JP-A-51-100716 und JP-A-52-14277. Konkrete Beispiele dafür sind die folgen­ den:
Beispiele für die durch Formel (IV) dargestellten Verbindungen sind in JP-A-51-56885, JP-A-52-14278, US-A-4,442,197 und DE-A-29 04 626 beschrieben. Konkrete Beispiele dafür sind unten aufgelistet:
Die durch die Formel (III) und (IV) dargestellten Verbindungen sind bekannt und können z. B. nach den Verfahren folgender Dokumente hergestellt werden:
J. W. Knapczyk et al., J. Am. Chem. Soc., 1969, 91, S. 145;
A. L. Maycock et al., J. Org. Chem., 1970, 35, S. 2532;
E. Goethals eet al., Bull. Soc. Chem. Belg., 1964, 73 S. 546;
H. M. Leicester, J. Am. Chem. Soc., 1929, 51, S. 3587;
J. V. Crivello et al., J. Polym. Sci. Polym. Chem. Ed., 1980, 18, S. 2677;
US-A 2,807,648;
US-A 4,247,473;
F. M. Beringer et al., J. Am. Chem. Soc., 1953, 75, S. 2705;
JP-A-53-101331.
(3) Disulfon-Derivate der Formel (V) oder Imidosulfonat-Derivate der Formel (VI)
In der Formel können Ar3 und Ar4 gleich sein oder unterschiedlich und stellen jeweils eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe dar; R6 stellt eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe dar und A stellt eine substituierte oder unsubstituierte Alkylen-, Alkenylen- oder Arylgruppe dar.
Konkrete Beispiele dafür sind wie folgt:
Die Menge dieser Verbindungen, die durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen oder Radiantstrahlen Säuren erzeugen, die zu der Zusammensetzung gegeben wird, liegt im Bereich von 0,001 bis 40 Gew.-%, vorzugsweise 0,1 bis 20 Gew.-%, noch bevorzugter 1 bis 15 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Feststoffgehalts der Zusammensetzung.
(b) Organische Base
Bevorzugte Beispiele der in der vorliegenden Erfindung verwendeten organischen Base sind Verbindungen, dargestellt durch die allgemeinen Formeln (VII) bis (VIII).
wobei R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14 und R15 gleich sein können oder unterschiedlich und jeweils ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe, eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe, eine substituierte oder unsubstituierte Alkoxygruppe, ein Halogenatom, eine Nitrogruppe, eine Dialkylaminogruppe oder eine Diarylaminogruppe darstellen; R16 und R17 können gleich sein oder unterschiedlich und stellen jeweils ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe dar; X1 ist ein Sauerstoffatom oder ein Schwefelatom; X2 ist ein Sauerstoffatom, ein Schwefelatom, =CO oder =N-R18, wobei R18 ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe darstellt; B ist ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder unsubstituierte Allylgruppe, eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe oder Gruppe, dargestellt durch die Formel;
Konkrete Beispiele dafür sind wie folgt:
Außerdem kann als organische Base ein Harz mit Seitenketten wie 2-Pyridyl- oder einer Imidazolgruppe verwendet werden.
Die Menge der organischen Base, die in der Zusammensetzung der vorliegenden Erfin­ dung verwendet wird, liegt im Bereich von 0,1 bis 50 Gew.-%, bezogen auf das Ge­ samtgewicht der Zusammensetzung.
(c) Alkalilösliche Polymere
Die in der Zusammensetzung verwendeten alkalilöslichen Polymeren sind Polymere, die azide Wasserstoffatome mit einem pKa von nicht mehr als 11 tragen, wie die phenoli­ sche Hydroxylgruppe, Carboxylgruppe, der Sulfonatrest, die Imidogruppe, Sulfonamido­ gruppe, N-Sulfonylamidogruppe, N-Sulfonylurethangruppe und/oder aktive Methylen­ gruppe. Bevorzugte alkalilösliche Polymere sind Phenolharze vom Novolaktyp wie Phe­ nol-Formaldehydharz, o-Cresol-Formaldehydharz, m-Cresol-Formaldehydharz, p- Cresol-Formaldehydharz, Xylenol-Formaldehydharz und Cokondensate davon. Es ist auch möglich, gleichzeitig das zuvor genannte Phenolharz und ein Kondensat aus Formaldehyd und Phenol oder Cresol, substituiert mit einer Alkylgruppe mit 3 bis 8 Kohlenstoffatomen, wie t-Butylphenol/Formaldehydharz, zu verwenden, wie in JP-A-50- 125806 beschrieben. Beispiele anderer in der Erfindung verwendbarer Polymere sind z. B. Polymere, die ein phenolische Hydroxylgruppen enthaltendes Monomer wie N-(4- Hydroxyphenyl)-methacrylamid als Copolymerisationskomponente aufweisen; Homo- oder Copolymere von Monomer(en) wie p-Hydroxystyrol, o-Hydroxystyrol, m- Isopropenylphenol und/oder p-Isopropenylphenol und teilweise veretherte oder veresterte Produkte davon.
Ferner können Polymere verwendet werden, die Carbonylgruppen enthalten, indem Mo­ nomere wie Acrylsäure und Methacrylsäure als Copolymerisationskomponente einge­ setzt werden. Außerdem können Carboxylgruppen enthaltende Polyvinylacetalharze, wie in JP-A-61-267042 beschrieben, und Carboxylgruppen enthaltende Polyurethanhar­ ze, wie in JP-A-63-124047 offenbart, verwendet werden.
Weitere Beispiele sind Polymere, die sich wiederholende Einheiten aufweisen, abgelei­ tet von Monomeren wie N-(4-Sulfonamoylphenyl)methacrylamid, N- Phenylsulfonylmethacrylamid und/oder Maleimid als Copolymerisationskomponenten sowie aktive Methylengruppen enthaltende Polymere, wie aus JP-A-63-127237 bekannt.
Diese alkalilöslichen Polymeren können allein oder in Kombination verwendet werden. Die Menge dieser alkalilöslichen Polymere, die in die lichtempfindliche Zusammenset­ zung eingebracht wird, liegt vorzugsweise im Bereich von 10 bis 90 Gew.-%, noch be­ vorzugter 30 bis 80 Gew.-%, auf der Grundlage des Gesamtgewichts des Feststoffge­ halts der Zusammensetzung.
Andere bevorzugte Komponenten
Die positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung kann wahlweise andere Zusätze bzw. Additive enthalten, wie Farbstoffe, Pigmente, Weichmacher und Verbindungen, die durch aktinische Strahlen oder Radiantstrahlen Säure erzeugen (sogenannte Sensibilisatoren).
Derartige Sensibilisatoren für den Säureerzeuger, der durch die Formel (III) und (IV) dargestellt wird, sind z. B. die in US-A 4,250,053 und US-A 4,442,197 offenbarten Ver­ bindungen. Konkrete Beispiele dafür sind Anthracen, Phenanthren, Perylen, Pyren, Chrysen, 1,2-Benzanthracen, Coronen, 1,6-Diphenyl-1,3,5-hexatrien, 1,1,4,4- Tetraphenyl-1,3-butadien, 2,3,4,5-Tetraphenylfuran, 2,5-Diphenylthiophen, Thioxanthon, 2-Chlorthioxanthon, Phenothiazin, 1,3-Diphenylpyrazolin, 1,3-Diphenylisobenzofuran, Xanthon, Benzophenon, 4-Hydroxybenzophenon, Anthron, Ninhydrin, 9-Fluorenon, 2,4,7-Trinitrofluorennon, Indanon, Phenanthrachinon, Tetralon, 7-Methoxy-4- methylcumalin, 3-Keto-bis(7-diethylaminocumalin), Michler's Keton und Ethyl-Michler's- Keton.
Das Molverhältnis dieser Sensibilisatoren zur Verbindung, die auf Photolyse eine Säure erzeugt, liegt im Bereich von 0,01/1 bis 10/1 und vorzugsweise 0,1/1 bis 5/1.
Außerdem können Farbstoffe als Färbemittel verwendet werden; bevorzugt werden zum Beispiel öllösliche Farbstoffe und basische Farbstoffe. Konkrete Beispiele dafür sind Oil Yellow # 101, Oil Yellow # 130, Oil Pink # 312, Oil Green BG, Oil Blue BOS, Oil Blue # 603, Oil Black BY, Oil Black BS, Oil Black T-505, Kristall-Violett (Cl 42555), Methyl- Violett (CI 42535), Rhodamin B (CI 45170 B), Malachit-Grün (CI 42000) und Methylen- Blau (CI 52015).
Die lichtempfindliche Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung kann weiterhin cy­ clische Säureanhydride und andere Füllmittel enthalten, um deren Sensitivität weiter zu erhöhen. Beispiele für cyclische Säureanhydride sind, wie in US-A 4,115,128 offenbart, Phthalsäureanhydrid, Tetrahydrophthalsäureanhydrid, Hexahydrophthalsäureanhydrid, 3,6-Endoxy-tetrahydrophthalsäureanhydrid, Tetrachlorphthalsäureanhydrid, Maleinsäu­ reanhydrid, Chlormaleinsäureanhydrid, α-Phenylmaleinsäureanhydrid, Bernsteinsäure­ anhydrid und Pyromellitsäureanhydrid. Die Sensivität kann durch Einbringen dieser cy­ clischen Säureanhydride in die Zusammensetzung in einer Menge von 1 bis 15 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Zusammensetzung, bis maximal um das etwa Dreifache erhöht werden.
Lösungsmittel
Die positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung wird in einem Lösungsmittel aufgelöst, das in der Lage ist, die Komponenten der Zu­ sammensetzung aufzulösen, und dann auf die Oberfläche eines Substrats aufgebracht, wenn sie als Material für PS-Platten verwendet wird. Außerdem wird sie in einem Lö­ sungsmittel aufgelöst, wenn sie als Resist für die Bearbeitung von Halbleitern oder dgl. verwendet wird, und die Lösung als solche wird verwendet. Beispiele für derartige Lö­ sungsmittel, die hier verwendet werden, sind Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methyle­ thylketon, Methanol, Ethanol, Propanol, Ethylenglykolmonomethylether, 1-Methoxy-2- propanol, Ethylenglykolmonoethylether, 2-Methoxyethylacetat, 1-Methoxy-2- propylacetat, Dimethoxyethan, Methyllactat, Ethyllactat, N,N-Dimethylacetamid, N,N- Dimethlformamid, Tetramethylharnstoff, N-Methylpyrrolidon, Dimethylsulfoxid, Sulforan, γ-Butyrolacton, Toluol und Ethylacetat, und diese Lösungsmittel können allein oder in Kombination verwendet werden.
Die Konzentration der vorstehenden Komponenten (Gesamtfeststoffgehalt einschließlich von Zusätzen bzw. Additiven) liegt im Bereich von 2 bis 50 Gew.-%. Wenn die Lösung auf ein Substrat aufgebracht wird, variiert die aufgebrachte Menge in Abhängigkeit von den Anwendungen und liegt zum Beispiel in der Regel vorzugsweise im Bereich von 0,5 bis 3,0 g/m2, bezogen auf den Feststoffgehalt für PS-Platten. Wenn die davon aufgetra­ gene Menge abnimmt, steigt die Lichtempfindlichkeit entsprechend an, aber im Gegen­ satz dazu werden die physikalischen Eigenschaften des resultierenden Films ver­ schlechtert.
Herstellung von PS-Platten oder dergleichen
Wenn eine PS-Platte mit der positiv arbeitenden lichtempfindlichen Zusammensetzung dieser Erfindung hergestellt wird, wird in der Regel ein Substrat verwendet, zum Beispiel Papier, mit einem Plastikfilm wie Polyethylen-, Polypropylen- oder Polystyrolfilm lami­ niertes Papier; eine Metallplatte, wie eine Aluminium- (einschließlich Aluminiumlegierun­ gen), eine Zink- oder Kupferplatte, ein Kunststofffilm, wie einen Cellulosediacetat-, Cellulosetriacetat-, Cellulosepropionat-, Cellulosebutyrat-, Celluloseacetatbutyrat-, Cellulosenitrat-, Polyethylenterephthalat-, Polyethylen-, Polysty­ rol-, Polypropylen-, Polycarbonat- oder Polyvinylacetatfilm, und Papier oder einen Kunststoffilm, wie oben aufgelistet, der mit einer Metallfolie laminiert ist oder auf dem eine Schicht des vorstehenden Metalls abgelagert bzw. niedergeschlagen ist. Beson­ ders bevorzugt ist eine Aluminiumplatte wegen ihrer hohen Dimensions- bzw. Formsta­ bilität und geringen Kosten. Weiterhin ist es auch bevorzugt, ein Verbund- bzw. Kompo­ sitblech bzw. -platte zu verwenden, das einen Polyethylenterephthalatfilm aufweist, auf dem ein Aluminiumblech bzw. -platte gebunden ist, wie in JP-A-48-18327 offenbart. Die Oberfläche der Aluminiumplatte wird vorzugsweise gekörnt durch, zum Beispiel, mecha­ nische Verfahren wie Drahtbürstenkörnen, Bürstenkörnen, das Körnen mit einer Nylon­ bürste mit Ausgießen einer Aufschlämmung von Schleif- bzw. Schmirgelteilchen auf­ weist, Kugelkörnen, Körnen durch Flüssigkeitshonen bzw. -ziehschleifen und Schwab­ belkörnen, chemische Körnungsverfahren wie die, in denen HF, AlCl3 oder HCl als Ätz­ mittel verwendet werden, elekrolytisches Körnen, bei dem Salpetersäure oder Salzsäure als Elektrolyt verwendet wird, oder kombiniertes Körnen, das Kombinationen davon auf­ weist, dann wird wahlweise mit einer Säure oder Alkali geätzt, und in einem Elektrolyt wie Schwefelsäure, Phosphorsäure, Oxalsäure, Borsäure, Bromsäure, Amidoschwefel­ säure bzw. Sulfamidsäure oder einem Gemisch davon unter Verwendung von Gleich- oder Wechselstrom anodisiert bzw. eloxiert, um einen starken Passivierungsfilm auf der Oberfläche der Aluminiumplatte zu bilden. Ein derartiger Passivierungsfilm macht die Aluminiumplattenoberfläche per se hydrophil, aber es wird insbesondere bevorzugt, dass die Aluminiumplatte wahlweise hydrophilisiert wird durch eine Silikat- (Natriumsili­ kat-, Kaliumsilikat-) Behandlung, wie in US-A-2,714,066 und US-A-3,181,461 offenbart, eine Phosphomolybdat- bzw. Molybdatphosphatbehandlung, wie in US-A-3,201,247 offenbart, eine Alkyltitanatbehandlung, wie in UK-A-1,108,559 beschrieben, eine Po­ lyacrylsäurebehandlung, wie in D-A-1,091,433 offenbart, eine Polyvinylphosphonsäure­ behandlung, wie in D-A-1,134,093 und in UK-1,230,447 offenbart, eine Phosphonsäure­ behandlung, wie in JP-A-44-6409 offenbart, eine Phytinsäurebehandlung, wie in US-A- 3,307,951 offenbart, eine kombinierte Behandlung mit einer hydrophilen organischen polymeren Verbindungen und einem zweiwertigen Metall, wie in JP-A-58-16893 und JP-A-58- 16291 offenbart, eine Behandlung mittels einer darunterliegenden Beschichtung aus einem wasserlöslichen Polymer mit Sulfonatgruppen, wie in JP-A-59-101651 offenbart. Beispiele für andere Hydrophilissierungsbehandlungen sind Silikatelektrofällungs- bzw. -abscheidungsverfahren, wie im US-Patent 3,658,662 offenbart.
Es wird auch bevorzugt, eine Aluminiumplatte zu verwenden, die nach Körnungs- und Anodisierungs- bzw. Eloxierungsbehandlungen einer Nachverdichtungsbehandlung un­ terworfen wurde. Eine derartige Nachverdichtungsbehandlung kann durch Eintauchen der Aluminiumplatte in heißes Wasser oder eine heiße wässrige Lösung, die ein anor­ ganisches oder organisches Salz enthält, durchgeführt werden, oder mittels eines Dampfbades.
Aktinische Strahlen oder Randiantstrahlen
Lichtquellen für aktinische Strahlen bzw. photochemisch wirksame Strahlen oder Randi­ antstrahlen, die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden, sind zum Beispiel eine Quecksilberlampe, eine Metallhalogenidlampe, eine Xenonlampe, eine chemische Lam­ pe und eine Kohle(Licht)bogenlampe für aktinische Strahlen und Elektronenstrahlen, Röntgenstrahlen, Ionenstrahlen und Fern-Ultraviolettstrahlen für Randiantstrahlen. Be­ vorzugte Beispiele für Lichtquellen für Photoresiste sind G-Strahlen, I-Strahlen und Tief- UV-Strahlen. Außerdem kann eine abtastende Belichtung bzw. Elektronenstrahlen mit einem Strahl mit hoher Energiedichte wie einem Laserstrahl oder Elektronenstrahlen in der Erfindung eingesetzt werden. Beispiele für derartige Laserstrahlquellen sind ein He.Ne-Laser, ein Ar-Laser, ein Kr-Ionenlaseer, ein He.Cd-Laser und KrF-Excimerlaser.
Entwickler
Beispiele für Entwickler für die positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung umfassen vorzugsweise eine wässrige Lösung eines anorganischen alkalischen Mittels wie Natriumsilikat, Kaliumsilikat, Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Lithiumhydroxid, teertiäres Natriumphosphat, sekundäres Natriump­ hosphat, tertiäres Ammoniumphosphat, sekundäres Ammoniumphosphat, Natriummeta­ silikat, Natriumbicarbonat oder Ammoniak oder ein organisches alkalisches Mittel wie Tetraalkylammoniumhydroxid. Diese alkalischen Mittel können allein oder in Kombinati­ on verwendet werden. Ihre Konzentration liegt im Bereich von 0,1 bis 10 Gew.-% und vorzugsweise 0,5 bis 5 Gew.-%.
Diese wässrigen alkalischen Lösungen können wahlweise ein oberflächenaktives Mittel oder ein organisches Lösungsmittel wie einen Alkohol enthalten.
Die vorliegende Erfindung wird im folgenden detaillierter erklärt unter Bezugnahme auf die folgenden nicht-einschränkenden Arbeitsbeispiele, und die Effekte bzw. Wirkungen, die praktisch mit der vorliegenden Erfindung erzielt werden, werden detaillierter disku­ tiert.
Beispiele 1 bis 10
Eine 2S-Aluminiumplatte mit einer Dicke von 0,24 mm wurde in eine 10%ige wässrige Lösung von tertiärem Natriumphosphat eingetaucht und dort 3 Minuten bei 80°C gehal­ ten, um sie zu entfetten, mit einer Nylonbürste gekörnt, etwa 10 Minuten mit einer Natri­ umaluminatlösung geätzt und dann mit einer 3%igen wässrigen Lösung von Natriumhy­ drogensulfat desmuttiert. Die Aluminiumplatte wurde dann bei einer Stromdichte von 2 A/dm2 2 Minuten in einer 20%igen Schwefelsäurelösung anodisiert, um so ein Alumini­ umsubstrat zu erhalten.
Zehn Arten von Lösungen, (A)-1 bis (A)-10, der lichtempfindlichen Zusammensetzung (im folgenden "lichtempfindliche Lösungen" genannt) wurden hergestellt durch Änderun­ gen der Arten der (a) Verbindungen, die durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen oder Randiantstrahlen Säuren erzeugen, und (b) organischen Basen, die in einer licht­ empfindlichen Lösung (A) mit der folgenden Zusammensetzung verwendet wurden. Je­ de dieser lichtempfindlichen Lösungen wurde auf die Aluminiumplatte aufgebracht, die anodisiert wurde, und bei 100°C 2 Minuten getrocknet, um die korrespondierenden PS-Platten (A)-1 bis (A)-10 zu erhalten. Die Überzugsmenge der lichtempfindlichen Schicht auf allen PS-Platten betrug 1,5 g/m2 (gewogen nach dem Trocknen).
Die Verbindungen, die durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen oder Radiantstrahlen Säuren erzeugen, und die organischen Basen, die in den lichtempfindlichen Lösungen (A)-1 bis (A)-10 verwendet wurden, sind in der unten angegebenen Tabelle I aufgelistet.
Lichtempfindliche Lösungen (A)
Komponente
Menge (g)
(a) Verbindungen, die durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen oder Randiantstrahlen Säuren erzeugt 0,02
(b) organische Base 0,02
Cresol/Formaldehyd/Novolakharz 1,00
Oil Blue # 603 0,01
Methylethylketon 5,00
Methyl-Cellosolve 15,00
Tabelle I
Eine Grauskala mit einem Dichteunterschied von 0,15 wurde in engen Kontakt mit der lichtempfindlichen Schicht jeder PS-Platte (A)-1 bis (A)-10 gebracht, und die Schicht wurde dem Licht einer 2 KW Hochdruckquecksilberlampe in einem Abstand von 50 cm 2 Minuten ausgesetzt. Die belichteten PS-Platten (A)-1 bis (A)-10 wurden in DP-4(H2O, Tetranatriumethylendiamin-tetraacetat, Kobalt(2)acetat, Kaliumsilicat, Polyoxyethylen­ bis-glycerylboratlaurat, pH 13) eingetaucht und entwickelt und achtmal für 60 Sekunden bei 25°C mit Wasser verdünnt bzw. gewaschen, um so klare positive Bilder zu erhalten.
Beispiele 11 bis 15
Fünf Arten von Lösungen, (B)-1 bis (B)-5, der lichtempfindlichen Lösungen wurden her­ gestellt durch Ändern der Arten der (a) Verbindungen, die durch Bestrahlung mit aktini­ schen Strahlen oder Randiantstrahlen Säuren erzeugen, und (b) organischen Basen, die in einer lichtempfindlichen Lösung (B) der folgenden Zusammensetzung verwendet wur­ den. Jede der lichtempfindlichen Lösungen wurde mit einer Schleuder bzw. einem "Spinner" auf einen Siliziumwafer aufgebracht und 2 Minuten auf einer bei 90°C gehal­ tenen Platte getrocknet. Die Dicke der Schicht betrug 1,0 µm.
Lichtempfindliche Lösung (B)
Komponente
Menge (g)
(a) Verbindungen, die durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen Säuren erzeugt 0,030
(b) organische Base 0,030
Cresol/Formaldehyd/Novolakharz 1,000
Perylen 0,003
Ethyl-Cellosolveaacetat 7,500
Tabelle I
Dann wurde die resultierende Resistschicht dem Licht ausgesetzt, und zwar mit einem herunterregelbaren Projektionsausrichtgerät (Schrittschalter bzw. "Stepper") unter Ver­ wendung von monochromatischem Licht von 436 nm, und mit einer 2,4%igen wässrigen Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid unter Bildung eines Resistmusters 60 Se­ kunden entwickelt. Als Ergebnis wurde ein gutes Muster mit einer Linie & Raum von 0,8 µm erhalten.
Beispiel 16
Die resultierende Resistschicht aus Beispiel 11 wurde UV-Licht von 254 nm ausgesetzt, und zwar durch eine Glasmaske mit einem Dicht- bzw. Nahbelichtungsverfahren bzw. "Close Exposure"-Verfahren und dann auf die gleiche Weise wie in Beispiel 11 entwic­ kelt, und als Ergebnis wurde ein gutes Muster mit einer Linie & Raum von 9,7 µm er­ halten.

Claims (9)

  1. 4. Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung, umfassend (a) eine Verbindung, die durch Bestrahlung mit aktinischen oder Radiantstrahlen Säuren erzeugt, (b) eine orga­ nische Base und (c) ein alkalilösliches Polymer, dadurch gekennzeichnet, dass die organi­ sche Base ausgewählt ist aus Verbindungen, dargestellt durch die allgemeinen Formeln (VII) bis (XVIII)
    wobei R7, R8, R9, R10, R12, R13, R14 und R15 gleich sein können oder unterschiedlich und jeweils ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe, eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe, eine substituierte oder unsubstituierte Alkoxygruppe, ein Halogenatom, eine Nitrogruppe, eine Dialkylaminogruppe oder eine Diarylaminogruppe darstellen; R16 und R17 können gleich sein oder unterschiedlich und stellen jeweils ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe dar; X1 ist ein Sauerstoffatom oder ein Schwefelatom; X2 ist ein Sauerstoffatom, ein Schwefelatom, =CO oder =N-R18, wobei R18 ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe darstellt; B ist ein Wasserstoffatom, eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe, eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe oder eine Gruppe, dargestellt durch die Formel:
  2. 2. Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung, die durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen oder Radiantstrahlen Säuren erzeugt, eine Oxadiazol-Verbindung der Formel (I) oder eine S-Triazin-Verbindung der Formel (II) ist:
    wobei R1 eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Alkenylgruppe darstellt; R2 eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe, eine substituierte oder unsubstituierte Alkenylgruppe, -CY3 oder eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe darstellt; und Y ein Chlor- oder Bromatom darstellt.
  3. 3. Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung, die durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen oder Radiantstrahlen Säuren erzeugt, ein Iodoniumsalz der Formel (III) oder ein Sulfoniumsalz der Formel (IV) ist:
    wobei Ar1 und Ar2 gleich sein können oder unterschiedlich und jeweils eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe darstellen: R3, R4 und R5 können gleich sein oder unterschiedlich und stellen jeweils eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe dar.
  4. 4. Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung, die durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen oder Radiantstrahlen Säuren erzeugt, eine Disulfon-Verbindung der Formel (V) oder eine Imidosulfonat-Verbindung der Formel (VI) ist:
    wobei Ar3 und Ar4 gleich sein können oder unterschiedlich und jeweils eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe darstellen; R6 stellt eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe dar;
    und A stellt eine substituierte oder unsubstituierte Alkylengruppe, eine substituierte oder unsubstituierte Alkenylengruppe oder eine substituierte oder unsubstituierte Arylengruppe dar.
  5. 5. Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung, die durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen oder Radiantstrahlen Säuren erzeugt, in der Zusammensetzung in einer Menge von 0,001 bis 40 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Feststoffgehalts in der Zusammensetzung, enthalten ist.
  6. 6. Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das alkalilösliche Polymer ein Polymer ist, das saure Gruppen mit einem pKa-Wert von nicht mehr als 11 trägt.
  7. 7. Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das alkalilösliche Polymer in der Zusammensetzung in einer Menge von 0,1 bis 50 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Feststoffgehalts der Zusammensetzung, enthalten ist.
  8. 8. Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das alkalilösliche Polymer in der Zusammensetzung in einer Menge von 10 bis 90 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht des Feststoffgehalts der Zusammensetzung, enthalten ist.
  9. 9. Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung mindestens einen Bestandteil aufweist, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Farbstoffen, Pigmenten, Weichmachern und Verbindungen zum Erhöhen der Photoreaktivität oder Photoansprechbarkeit und säureerzeugenden Effizienz der Verbindungen, die durch Bestrahlung mit aktinischen Strahlen oder Radiantstrahlen Säuren erzeugen.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0480758A (ja) * 1990-07-23 1992-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
DE4121199A1 (de) * 1991-06-27 1993-01-07 Basf Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
EP0537524A1 (de) 1991-10-17 1993-04-21 Shipley Company Inc. Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen und Verfahren
JPH05127369A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Nec Corp レジスト材料
US5580695A (en) * 1992-02-25 1996-12-03 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Chemically amplified resist
JP3010607B2 (ja) * 1992-02-25 2000-02-21 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
KR100341563B1 (ko) * 1992-03-23 2002-10-25 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트도포조성물
DE4222968A1 (de) * 1992-07-13 1994-01-20 Hoechst Ag Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial
JPH06230574A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
DE4306069A1 (de) * 1993-03-01 1994-09-08 Basf Ag Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen mit verbessertem Kontrast
US6703181B1 (en) 1993-03-12 2004-03-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Photosensitive composition having uniform concentration distribution of components and pattern formation method using the same
JPH08262720A (ja) * 1995-03-28 1996-10-11 Hoechst Ind Kk 可塑剤を含む放射線感応性組成物
US5561029A (en) * 1995-04-28 1996-10-01 Polaroid Corporation Low-volatility, substituted 2-phenyl-4,6-bis (halomethyl)-1,3,5-triazine for lithographic printing plates
US5609989A (en) * 1995-06-06 1997-03-11 International Business Machines, Corporation Acid scavengers for use in chemically amplified photoresists
US5863699A (en) * 1995-10-12 1999-01-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Photo-sensitive composition
JPH09166871A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト組成物
EP0837367B1 (de) * 1996-10-16 2002-04-10 Sumitomo Chemical Company Limited Eine Dipyridylverbindung enthaltender positiver Photolack
TW490593B (en) * 1996-10-16 2002-06-11 Sumitomo Chemical Co Positive resist composition
US5837586A (en) * 1997-02-14 1998-11-17 Kodak Polychrome Graphics Company, Ltd. 4-(alkoxyhydroxy)styryl triazine photinitiators and photo sensitive composition
JP3823449B2 (ja) * 1997-06-16 2006-09-20 住友化学株式会社 フォトレジスト組成物
KR100571313B1 (ko) * 1998-03-17 2006-04-17 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 포지티브 감광성 조성물
JP3120402B2 (ja) 1998-09-03 2000-12-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション 不活性化芳香族アミン化合物を含むフォトレジスト組成物
US20030235775A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-25 Munirathna Padmanaban Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
CN1802603A (zh) 2003-07-17 2006-07-12 霍尼韦尔国际公司 用于高级微电子应用的平面化薄膜及其生产装置和方法
US7959742B2 (en) * 2007-07-11 2011-06-14 Whirlpool Corporation Outer support body for a drawer-type dishwasher
JP5720722B2 (ja) 2013-06-04 2015-05-20 栗田工業株式会社 難生物分解性有機物含有水の処理方法及び処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2306248B2 (de) * 1972-02-09 1974-05-16 Minnesota Mining And Manufacturing Co., St. Paul, Minn. (V.St.A.) Durch Belichten löslich werdendes Stoffgemisch und lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
DE3926666A1 (de) * 1988-08-11 1990-02-15 Fuji Photo Film Co Ltd Lichtempfindliche zusammensetzung und photopolymerisierbare zusammensetzung unter verwendung derselben
EP0363198A2 (de) * 1988-10-07 1990-04-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung
DE3935875A1 (de) * 1989-10-27 1991-05-02 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3661582A (en) * 1970-03-23 1972-05-09 Western Electric Co Additives to positive photoresists which increase the sensitivity thereof
US4196003A (en) * 1974-02-01 1980-04-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive o-quinone diazide copying composition
CH621416A5 (de) * 1975-03-27 1981-01-30 Hoechst Ag
DE2529054C2 (de) * 1975-06-30 1982-04-29 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes
DE2718254C3 (de) * 1977-04-25 1980-04-10 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliche Kopiermasse
US4168171A (en) * 1977-08-05 1979-09-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light-sensitive thermal developable diazotype sheets with imidazoles
JPS6046422B2 (ja) * 1978-12-07 1985-10-16 東京応化工業株式会社 新規なフオトレジスト組成物
JPS5636648A (en) * 1979-09-03 1981-04-09 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material and pattern forming method using it
DE3023201A1 (de) * 1980-06-21 1982-01-07 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3406927A1 (de) * 1984-02-25 1985-08-29 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen
GB8413395D0 (en) * 1984-05-25 1984-07-04 Ciba Geigy Ag Production of images
JPS6235350A (ja) * 1985-08-07 1987-02-16 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 像反転に有用な保存寿命の長いフオトレジスト
EP0249139B2 (de) * 1986-06-13 1998-03-11 MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) Lackzusammensetzung und -anwendung
US4721665A (en) * 1986-09-29 1988-01-26 Polychrome Corporation Method for neutralizing acidic novolak resin in a lithographic coating composition
DE3637717A1 (de) * 1986-11-05 1988-05-11 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, dieses enthaltendes aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von positiven oder negativen reliefkopien unter verwendung dieses materials
JPS63149640A (ja) * 1986-12-12 1988-06-22 Konica Corp 感光性組成物および感光性平版印刷版
US4810613A (en) * 1987-05-22 1989-03-07 Hoechst Celanese Corporation Blocked monomer and polymers therefrom for use as photoresists
JP2584316B2 (ja) * 1988-06-30 1997-02-26 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JPH02118651A (ja) * 1988-10-28 1990-05-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成材料
JP2661671B2 (ja) * 1989-03-20 1997-10-08 株式会社日立製作所 パタン形成材料とそれを用いたパタン形成方法
GB8923459D0 (en) * 1989-10-18 1989-12-06 Minnesota Mining & Mfg Positive-acting photoresist compositions
JP2632066B2 (ja) * 1990-04-06 1997-07-16 富士写真フイルム株式会社 ポジ画像の形成方法
JP2566045B2 (ja) * 1990-05-30 1996-12-25 東京応化工業株式会社 新規ポジ型感光性組成物
JPH0451243A (ja) * 1990-06-20 1992-02-19 Hitachi Ltd パターン形成方法
JPH0480758A (ja) * 1990-07-23 1992-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2306248B2 (de) * 1972-02-09 1974-05-16 Minnesota Mining And Manufacturing Co., St. Paul, Minn. (V.St.A.) Durch Belichten löslich werdendes Stoffgemisch und lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
DE3926666A1 (de) * 1988-08-11 1990-02-15 Fuji Photo Film Co Ltd Lichtempfindliche zusammensetzung und photopolymerisierbare zusammensetzung unter verwendung derselben
EP0363198A2 (de) * 1988-10-07 1990-04-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung
DE3935875A1 (de) * 1989-10-27 1991-05-02 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern

Also Published As

Publication number Publication date
DE4124426A1 (de) 1992-01-30
JPH0480758A (ja) 1992-03-13
US5320931A (en) 1994-06-14

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