DE102004018249B3 - Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks an einem Werkstückträger - Google Patents

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Abstract

Beschrieben wird unter anderem ein Verfahren, bei dem ein Werkstück (14) an einem Werkstückträger (12) mit Hilfe von Verbindungsmitteln (18, 20) befestigt wird. Der so entstandene Verbund (10) wird bearbeitet. Anschließend wird das bearbeitete Werkstück (14) vom Werkstückträger (12) getrennt, indem der Werkstückträger (12) zumindest abschnittsweise zerteilt wird. Es entsteht ein besonders einfaches Verarbeitungsverfahren.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise aus der Druckschrift DE 100 54 038 A1 bekannt.
  • Zum Befestigen eines Werkstücks an einem Werkstückträger dient ein Befestigungsmittel, welches vorzugsweise zwischen dem Werkstück und dem Werkstückträger angeordnet wird, um eine ungehinderte Bearbeitung des Werkstücks zu ermöglichen und um eine Verbindung auch für bruchgefährdete Werkstücke zu gewährleisten.
  • Ferner ist aus der Japanischen Offenlegungsschrift JP 04-188818 A ein Halbleiterwafer bekannt, der zur einfachen Handhabung auf ein verstärkendes Material geklebt wird, z.B. auf einen Polyamidfilm.
  • Aus der nachveröffentlichten Druckschrift DE 103 01 245 A1 ist ferner bekannt, ein Werkstück vom Werkstückträger durch Abtragen von Teilen des Werkstücks und/oder des Werkstückträgers in mindestens einem Trennbereich zu trennen.
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 derart weiterzubilden, dass insbesondere ein Trennvorgang vereinfacht und/oder eine Bearbeitung bei Temperaturen bis zu 200°C oder sogar oberhalb von 200°C erlaubt.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Verfahrensschritte gelöst.
  • Insbesondere durch das Trennen des Werkstücks vom Werkstückträger durch Abtragen von Teilen des Werkstücks und/oder des Werkstückträgers in mindestens einem Trennbereich, wobei das Werkstück und der Werkstückträger durch ein ringförmiges Verbindungsmittel miteinander verbunden werden, kann auch bei Werkstücken die einer Hochtemperatur-Bearbeitung unterzogen werden, ein einfaches Trennen durchgeführt werden.
  • Die Erfindung geht von der Überlegung aus, dass beispielsweise Rückseitenprozesse an dünnen Wafern zu Problemen beim Handhaben der Wafer führen. Dünne Wafer sind insbesondere Wafer mit einer Dicke kleiner als 300 μm. Die Handhabungsprobleme werden mit zunehmendem Durchmesser der Wafer größer, d.h. insbesondere bei Wafern mit einem Durchmesser zwischen 100 mm und 300 mm oder mit einem Durchmesser größer 300 mm. Trotz einer Anpassung von Bearbeitungsanlagen an die Bearbeitung von dünnen Wafern und trotz des damit verbundenen Aufwands verbleiben viele Handhabungsnachteile, insbesondere ein zusätzlicher Bedienaufwand, eine erhöhte Bruchgefahr und Einschränkungen bei der Prozessierung.
  • Die Erfindung geht weiterhin von der Überlegung aus, dass zwar vielfältige Trägersysteme denkbar sind, damit der Wafer gestützt auf einen Träger stabil und handhabbar ist. Jedoch gilt es, eine Vielzahl von Problemen gleichzeitig zu lösen:
    • – Beibehaltung eines einfachen Bearbeitungsprozesses,
    • – Gewährleisten einer hohen Bearbeitungstemperatur,
    • – ein einfaches Lösen des Trägers ohne Bruchgefahr für den Wafer, und
    • – eine relativ hohe Stabilität bei den Prozessschritten sowie bei und nach dem Lösen des Wafers vom Träger.
  • So wird bei einer Ausgestaltung für ein Werkstück, das ein Halbleiterwafer ist, als Werkstückträger ebenfalls ein Halbleiterwafer verwendet, z.B. ein so genannter Dummy-Wafer oder ein nicht mehr benötigter Testwafer. Die Dicke des Trägerwafers ist beliebig. Die Breite eines Spaltes zwischen dem Werkstückwafer und dem Trägerwafer ist für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens nicht entscheidend, so dass auch keine Toleranzen für diesen Spalt einzuhalten sind.
  • Bei einer Ausgestaltung – bei der mit Vakuum zwischen Werkstück und Werkstückträger gearbeitet wird – ist praktisch kein Spalt zwischen Werkstück und Werkstückträger vorhanden. Bestehen beide Wafer beispielsweise aus Silizium, so sind auch die Wärmeausdehnungskoeffizienten gleich, was besonders vorteilhaft ist. Außerdem können Trägerwafer verwendet werden, die ein Nebenprodukt der Halbleiterfertigung sind und daher das Verfahren nicht zusätzlich verteuern.
  • Bei einer bevorzugten Ausgestaltung wird der Werkstückwafer mit dem Trägerwafer durch einen Ring einer hochtemperaturfesten Substanz verbunden, beispielsweise durch eine 360°-Verklebung. Als Verbindungsmittel ist beispielsweise ein Verbindungsmittel geeignet, das aus Palladium besteht oder Palladium enthält. Diese ringförmige Verbindungsstelle kann sich beispielsweise am Rand der Wafer befinden, d.h. außerhalb der aktiven Chipfläche. Die Verbindungen sind hochtemperaturfest und können bei Bedarf wieder gelöst werden. Bei einer Ausgestaltung ist ein Lösen der Verbindungen aber nicht erforderlich, weil um die Verbindungsstelle herum oder an der Verbindungsstelle getrennt wird. Wird an der Verbindungsstelle getrennt, so wird die Verbindung zerstört.
  • Durch die stabilisierende Verbindung von Werkstückwafer und Trägerwafer mittels ringförmiger Verklebung lässt sich der Werkstückwafer mit handelsüblichen Anlagen weiterbearbeiten, z.B. mit einem Ionenimplanter, mit einer CVD-Anlage (Chemical Vapor Deposition), mit einer Sputteranlage, mit einer Belichtungsanlage, in einem Lithografieprozess oder in einem Ofenprozess bzw. in einem Temperaturbestrahlungsprozess, z.B. in einem RTP-Prozess (Rapid Thermal Annealing). Aufgrund der erhöhten Dicke und des daraus resultierenden Stabilitätsgewinns des Verbundes aus Werkstückwafer und Trägerwafer gibt es keine Handhabungsprobleme mehr.
  • Bei einer Weiterbildung wird entlang eines Trennbereiches getrennt, bei dem sich ein ringförmiges Verbindungsmittel an einem peripheren Teil des Werkstücks bzw. des Werkstückträgers befindet. Die eigentliche Verbindung bleibt dabei unbeschädigt.
  • Bei einer alternativen Ausgestaltung wird entlang eines Trennbereiches getrennt, der gemeinsam mit dem Rand des Werkstücks bzw. des Werkstückträgers einen Befestigungsteil umschließt, an dem ein Verbindungsmittel befestigt ist. Diese Ausgestaltung wird insbesondere bei Verbindungsmitteln genutzt, die am Rand des Werkstücks bzw. des Werkstückträgers angeordnet sind. Auch in diesem Fall bleibt die eigentliche Verbindung unbeschädigt, da um sie herum getrennt wird.
  • Bei einer weiteren alternativen Ausgestaltung enthält der Trennbereich eine Grenzfläche zwischen dem Werkstück bzw. dem Werkstückträger auf der einen Seite und einem Verbindungsmittel auf der anderen Seite. Die Grenzfläche und damit auch ein Teil der Verbindung oder die gesamte Verbindung wird beim Trennen zerstört, wodurch die Verbindung gelöst wird.
  • Bei einer nächsten Weiterbildung haben Werkstück und Werkstückträger die gleichen Umrisse. Durch diese Maßnahme lassen sich Bearbeitungsanlagen für bestimmte Werkstückdicken auch dann einsetzen, wenn die Werkstücke dünner sind. Umbauten sind nicht erforderlich, weil die Dicke und der Umriss des Verbundes aus Werkstück und Werkstückträger der Dicke und dem Umriss eines ungedünnten Werkstücks entsprechen.
  • Bei einer bevorzugten Ausgestaltung sind Werkstück bzw. Werkstückträger runde Scheiben, insbesondere Halbleiter-Wafer mit einem so genannten Flat oder einer Kerbe zur Kennzeichnungen einer Kristallrichtung.
  • Bestehen bei einer nächsten Ausgestaltung Werkstückträger und Werkstück aus dem gleichen Material oder der gleichen Materialzusammensetzung, so lassen sich Temperaturprozesse ohne zusätzliche Spannungen auf Grund der Verbindung oder auf Grund des Verbundes mit dem Werkstückträger durchführen.
  • Besteht bei einer nächsten Ausgestaltung, das Werkstück aus einem Halbleitermaterial, so wird beim Bearbeiten ein Verfahren zum Bearbeiten von Halbleitermaterial durchgeführt, insbesondere ein Lithografieverfahren, ein Metallisierungsverfahren, ein Schichtaufbringungsverfahren, ein Schichtstrukturierungsverfahren, ein Implantationsverfahren, ein Ofenprozess oder ein Temperaturbestrahlungsprozess.
  • Die Verfahren zur Bearbeitung werden bei einer nächsten Ausgestaltung an der Rückseite des Werkstücks durchgeführt, d.h. an einer Seite, die keine aktiven Bauelemente enthält, wie z.B. Transistoren.
  • Bei einer nächsten Weiterbildung wird durch Sägen, Fräsen, Schleifen oder Bearbeiten mit Lasern getrennt. Diese Verfahren sind insbesondere bei Werkstücken bzw. Werkstückträgern aus Glas, Keramik oder aus Halbleitermaterialien geeignet. Bei einer Ausgestaltung wird ein gerader Trennschnitt parallel zur Ebene der Wafer erzeugt, wie er beispielsweise bei Verwendung eines geraden Sägeblattes oder eines Kreissägeblatts entsteht. Jedoch lassen sich, abweichend von dieser Lösung, auch Lochkreissägeblätter zum Trennen des Werkstücks vom Werkstückträger benutzen.
  • Bei einer nächsten Weiterbildung wird das Werkstück während des Abtragens an einem Haltemittel befestigt. Geeignet ist bei einer Ausgestaltung ein so genannter Gel-Pack-Greifer.
  • Bei einer nächsten Ausgestaltung werden beim Trennen nur Teile des Werkstückträgers, nicht aber des Werkstücks abgetragen Dies lässt sich beispielsweise erreichen, wenn das Trennwerkzeug nur bis in einen Spalt zwischen dem Werkstück und dem Werkstückträger vordringt.
  • Bei einer anderen Ausgestaltung dringt das Trennwerkzeug nur in einen Teil des Werkstückträgers vor. Das vollständige Trennen von Werkstück und Werkstückträger wird durch die beim Trennen auftretende Vibration erreicht. In diesem Fall wird gegebenenfalls ganz ohne Spalt zwischen Werkstück und Werkstückträger gearbeitet.
  • Bei einer nächsten Weiterbildung werden Werkstück und Werkstückträger miteinander verklebt, wobei die Klebeverbindung temperaturbeständig bis 200°C oder bis 400°C oder bis 800°C oder sogar bis 1200°C ist. Trotz dieser hohen Temperaturbeständigkeit kann bei niedrigen Temperaturen aufgrund der oben erläuterten Trennverfahren getrennt werden.
  • Bei einer speziellen Ausführungsform wird ein Leitkleber verwendet, der beispielsweise auf einer Silberbasis aufgebaut ist. Solche Leitkleber sind beispielsweise für Heizungen an Autoscheiben bekannt. Die Temperaturbeständigkeit des Klebstoffes wird erhöht, wenn Palladium zugesetzt wird oder wenn der Klebstoff vollständig auf einer Palladiumbasis aufgebaut ist. Mit steigendem Palladiumanteil steigt die Temperaturbeständigkeit.
  • Ferner kann bei der Bearbeitung des Werkstücks ein Hochtemperaturprozess durchgeführt werden, bei dem die Temperatur in der Reihenfolge für die zuvor genannten Temperaturen beispielsweise größer als 150°C, größer als 350°C, größer als 700°C oder größer als 1000°C ist. Das Trennen von Werkstück und Werkstückträger wird jedoch bei einer Temperatur durchgeführt, die unterhalb der Bearbeitungstemperatur liegt.
  • Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der beiliegenden Zeichnungen erläutert. Darin zeigen:
  • 1 einen Verbund von Trägerwafer und Werkstückwafer auf einer Trennvorrichtung,
  • 2 eine Untersicht eines Werkstückwafers,
  • 3 einen Werkstückwafer und einen Werkstückträgerwafer vor der Verbindung zum Verbund,
  • 4 einen Verbund von Werkstückwafer und Werkstückträgerwafer,
  • 5 eine weitere Untersicht eines Werkstückwafers,
  • 6 einen Werkstückwafer und einen Werkstückträgerwafer vor der Verbindung zum Verbund,
  • 7 einen Verbund von Werkstückwafer und Werkstückträgerwafer nach einem Trennvorgang,
  • 8 eine weitere Untersicht eines Werkstückwafers,
  • 9 ein Verbund von Werkstückwafer, Werkstückträgerwafer und einem Greifer,
  • 10 einen getrennten Verbund mit Greifer,
  • 11 einen Werkstückwafer und einen abgelösten Greifer.
    •
  • 1 zeigt einen Verbund 10 eines Trägerwafers 12 und eines zu bearbeitenden Werkstückwafers 14. Der Werkstückwafer 14 hat eine Vorderseite 16, auf der eine Vielzahl von integrierten Schaltkreisen erzeugt worden ist, z.B. CMOS-Schaltkreise (Complementary Metall Oxide Semiconductor). Die Vorderseite 16 ist dem Trägerwafer 12 zugewandt und mit Hilfe eines Ringes 18 von Leitklebstoff 20, z.B. auf Palladiumbasis, am Trägerwafer 12 befestigt. Nach dem Verkleben von Trägerwafer 12 und Werkstückwafer 14 wird der Werkstückwafer 14 an seiner Rückseite 22 gedünnt, beispielsweise mit Hilfe einer Schleifanlage um mehr als 100 μm. Nach dem Dünnen wird die Rückseite 22 beispielsweise mit einer Rückseitenkontaktierung versehen. Dabei wird ein Temperaturprozess mit einer Bearbeitungstemperatur größer als 350°C oder auch größer als 450°C ausgeführt. Anschließend wird die Rückseite 22 auf einem Sägerahmen 26 befestigt.
  • Nach dem Befestigen des Verbundes 10 am Sägerahmen 26 wird zunächst der Trägerwafer 12 vom gedünnten Werkstückwafer 14 entfernt, indem mittels eines Sägeschnitts der Trägerwafer 12 am Umfang abgetragen wird, siehe die gekreuzt schraffierten Bereiche 27 und 28. Durch den Sägeschnitt wird der Trägerwafer 12 am Umfang soweit abgesägt, dass die Verbindung zum Werkstückwafer 14 entfällt. Dies lässt sich mittels der genannten Säge oder einer Fräse oder durch Schleifen oder mittels Laser einfach durchführen.
  • Nach dem Entfernen des Trägerwafers 12 vom Werkstückwafer 14 werden die integrierten Schaltkreise auf dem Werkstückwafer 14 mit Hilfe von bekannten Sägeverfahren vereinzelt, geprüft und mit einem Gehäuse versehen.
  • 2 zeigt eine Untersicht auf einen Werkstückwafer 14 auf welchem ein Ring 18 aus Klebstoff 20 aufgebracht ist.
  • In 3 ist ein Trägerwafer 12 und ein Werkstückwafer 14 dargestellt. Zwischen dem Trägerwafer 12 und dem Werkstückwafer 14 ist ein Ring 18 aus Klebstoff 20 angeordnet, der zu einer Klebeverbindung zwischen diesen Elementen führen soll.
  • Durch Verfahrensschritte wie Anpressen und Ausvulkanisieren werden die beiden Trägerwafer 12 und Werkstückwafer 14 parallel miteinander verbunden und der Ring 18 aus Kleber 20 wird bis zu einer Dicke von lediglich 2 μm zusammengepresst, was aus der 4 ersichtlich ist. Um den Verbindungsvorgang zu optimieren wird der Zwischenraum 24 zwischen dem Werkstückwafer 14 und dem Trägerwafer 12 evakuiert. Dazu sind im Trägerwafer 12 kleine Löcher 29 und 30 vorgesehen, durch die vorhandene Atmosphäre abgepumpt werden kann. Diese Löcher 29 und 30 werden beim weiteren Prozessieren verschlossen bzw. abgedeckt. Nicht zeichnerisch dargestellt ist eine Variante, die dadurch zu realisieren ist, dass der Ring 18 aus Klebstoff nicht vollständig geschlossen ist. Bei dieser Ausführungsform muss nach der Evakuierung der Ring 18 dann vollständig geschlossen werden.
  • Eine nicht dargestellte, aber vorteilhafte Möglichkeit zum Evakuieren des Zwischenraums 24 besteht darin, den Werkstückwafer 14 und den Trägerwafer 12 in einer Kammer zusammen zu fügen und diese Kammer zu evakuieren.
  • In 5 ist nochmals die Untersicht des Werkstückwafers 14 mit dem Ring 18 aus Kleber 20 dargestellt. 6 wiederholt die Darstellung aus 3, jedoch sind hier die Löcher 29 und 30 nicht dargestellt. Aus dem hier gezeigten Zustand erfolgt – wie bereits beschrieben – die Evakuierung, die Verpressung und die Ausvulkanisierung, so dass wieder ein inni ger Verbund 10 von Werkstückwafer 14 und Trägerwafer 12 hergestellt ist.
  • In 7 ist gezeigt, wie zum Trennen dieses Verbunds ein Werkzeug, beispielsweise eine Säge 31, ein Fräser oder eine Schleifscheibe radial am Umfang des Trägerwafers 12 angreift und einen Teilbereich des Trägerwafers 12 entfernt, wie es in 1 mit den Bereichen 27 und 28 schon gezeigt worden ist. Dabei kann die Entfernung der Bereiche 27 und 28 maßlich so gesteuert werden, dass der Ring 18 aus ausgehärtetem Kleber 20 am Werkstückwafer 14 verbleibt und diesen stabilisiert. Die Oberfläche des Rings 20 aus Klebstoff 20 kann dann eine Grenzfläche darstellen, die beim Tennen durch das Trennwerkzeug 31 entsteht.
  • In 8 ist nochmals eine Untersicht eines Werkstückwafers 14 mit einem geschlossenen Ring 18 aus Kleber 20 vor dem Zusammenfügen zu einem Verbund gezeigt.
  • In 9 ist zum Trennen des Verbunds 10 eine Hilfsvorrichtung in Form eines so genannten „Gel-Pack-Greifers" 32 gezeigt. Diese Art Greifer 32 ist bekannt und wird in der Praxis mit Erfolg beim Trennen von ebenen Substraten verwendet, wenn diese auf Grund starker Adhäsionskräfte ohne Hilfsvorrichtung nicht ohne Weiteres voneinander getrennt werden können, obwohl sie mechanisch nicht mehr miteinander verbunden sind. Der Gel-Pack-Greifer 32 hält den Werkstückwafer 14 fest und ein Trennwerkzeug, beispielsweise wieder eine Säge 31, sägt radial den Ring 18 von Kleber 20 auf, so dass die mechanische Verbindung zwischen Werkstückwafer 14 und Trägerwafer 12 aufgetrennt ist. Die starken Adhäsionskräfte verhindern aber dennoch die Trennung des Verbunds 10 aus diesen beiden Elementen 12 und 14 und erst durch den Einsatz des Gel-Pack-Greifers 32 kann die Trennung von Werkstückwafer 14 und Trägerwafer 12 erfolgen, wie es vereinfacht in 10 dargestellt ist.
  • In der 11 wird schematisch gezeigt, dass anschließend die Trennung des Gel-Pack-Greifers 32 vom Werkstückwafer 14 erfolgt.
  • Wie auch im zuletzt beschriebenen Ausführungsbeispiel dargestellt ist, kann ein stabilisierender Ring 18 auf der Oberfläche des Werkstückwafers 14 verbleiben, wenn es die weiteren Verfahrensschritte erfordern. Dabei ist es ohne Belang, ob der stabilisierende Ring 18 auf der Vorderseite 16 oder der Rückseite 22 verbleibt.
  • Zusammengefasst ist die vorliegende Erfindung geeignet, Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer, auf Werkstückträgern, insbesondere Trägerwafern, zu applizieren und wieder zu trennen, so dass die Werkstückwafer besser bearbeitet werden können, wobei Prozesse wie Schleifen (Grinding), Sputtern, Nass-Chemie (SEZ-Etch; Marangonie-Dryer; etc), Spin-Etch, Cleaning, Implantation, PVD und andere geeignet sind. Bei der Beschreibung wurden die Fachbegriffe verwendet, die überwiegend nur als englischsprachige Begriffe in der Fachwelt verwendet werden.

Claims (18)

  1. Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks (14) an einem Werkstückträger (12), bei dem die folgenden Schritte ausgeführt werden: Befestigen eines Werkstücks (14) an einem Werkstückträger (12), Bearbeiten des am Werkstückträger (12) befestigten Werkstücks (14), und Trennen des bearbeiteten Werkstücks (14) vom Werkstückträger (12), wobei das Werkstück (14) vom Werkstückträger (12) durch Abtragen von Teilen des Werkstücks (14) und/oder des Werkstückträgers (12) in mindestens einem Trennbereich (27, 28) getrennt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Werkstück (14) und der Werkstückträger (12) durch ein ringförmiges Verbindungsmittel (18, 20) miteinander verbunden werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Werkstück (14) bei einer Bearbeitungstemperatur von mindestens 150°C oder von mindestens 350°C oder von mindestens 700°C oder von mindestens 1000°C bearbeitet wird, und das Werkstück (14) und der Werkstückträger (12) bei einer Temperatur von einander gelöst werden, die unterhalb der Bearbeitungstemperatur liegt.
  3. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass am Werkstück (14) nach dem Trennen ein Ring (18) zur Stabilisierung des Werkstücks (14) verbleibt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass entlang eines Trennbereiches (27, 28) getrennt wird, der einen Befestigungsbereich (33) umfasst, an dem das Verbindungsmittel (18, 20) zum Verbinden von Werkstück (14) und Werkstückträger (12) vorhanden ist, und/oder dass entlang eines Trennbereiches (27, 28) getrennt wird, der gemeinsam mit dem Rand des Werkstücks (14) oder des Werkstückträgers (12) einen Befestigungsbereich (33) umschließt, an dem das Verbindungsmittel (18, 20) zum Verbinden von Werkstück (14) und Werkstückträger (12) befestigt ist, und/oder dass der Trennbereich (27, 28) eine Grenzfläche eines Befestigungsbereiches (33) des Werkstücks (14) oder Werkstückträgers (12) sowie des Verbindungsmittels (18,20) zum Verbinden von Werkstück (14) und Werkstückträger (12) enthält.
  5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Werkstück (14) und der Werkstückträger (12) gleiche Umrisse haben, und/oder dass das Werkstück (14) und/oder der Werkstückträger (12) eckige Platten oder runde Scheiben sind, vorzugsweise an einer Umfangsseite abgeflachte Scheiben, und/oder dass das Werkstück (14) und der Werkstückträger (12) aus dem gleichen Material oder aus der gleichen Materialzusammensetzung bestehen, und/oder dass das Werkstück (14) ein Halbleitermaterial enthält oder aus einem Halbleitermaterial besteht, und/oder dass der Werkstückträger (12) ein Halbleitermaterial enthält oder aus einem Halbleitermaterial besteht, und/oder dass beim Bearbeiten ein Lithografieverfahren und/oder ein Metallisierungsverfahren und/oder ein Schichtaufbringungsverfahren und/oder ein Schichtstrukturierungsverfahren und/oder ein Implantationsverfahren und/oder ein Ofenprozess und/oder ein Temperaturbestrahlungsprozess ausgeführt wird, insbesondere an einer Rückseite (22) des Werkstücks (14).
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass durch Lasern, Sägen, Fräsen oder Schleifen getrennt wird, und/oder dass ein Trennschnitt (27, 28, 31) erzeugt wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass Werkstück (14) und Werkstückträger (12) durch einen geraden Trennschnitt (31) getrennt werden, der vorzugsweise parallel zur Ebene des Werkstücks (14) und des Werkstückträgers (12) liegt.
  8. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass Werkstück (14) und Werkstückträger (12) durch einen kreisringförmigen Trennschnitt (27, 28, 31) getrennt werden, der vorzugsweise senkrecht zur Ebene des Werkstücks (14) und des Werkstückträgers (12) liegt.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Werkstück (14) während des Trennens an einem Haltemittel (32) befestigt wird, vorzugsweise an einem Gel-Pack-Greifer (32), und/oder dass nach dem Trennen von Werkstück (14) und Werkstückträger (12) weitere Trennvorgänge zum Vereinzeln einer Vielzahl von Bauelementen oder Schaltkreisen des Werkstücks (14) durchgeführt werden, und/oder dass beim Trennen nur Teile des Werkstückträgers (12), nicht aber des Werkstücks (14) abgetragen werden, wobei vorzugsweise ein vollständiges Trennen des Werkstückträgers (12) durch die beim Trennen auftretende Vibration erreicht wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das ringförmige Verbindungsmittel (18, 20) temperaturbeständig bis 200°C oder bis 400°C oder bis 800°C oder bis 1200°C ist, wobei vorzugsweise ein Leitkleber (18, 20) verwendet wird, insbesondere ein Leitkleber auf Silberbasis und/oder Palladiumbasis.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass als Verbindungsmittel (18, 20) ein geschlossener Ring (18) aus Kleber (20) gebildet wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass als Verbindungsmittel (18, 20) ein nahezu geschlossener Ring (18) aus Kleber (20) gebildet wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der nahezu geschlossene Ring (18) nach der Verklebung geschlossen wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Werkstück (14) und der Werkstückträger (12) beim Zusammenfügen verpresst werden.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass ein Zwischenraum (24) zwischen dem Werkstück (14) und dem Werkstückträger (12) beim Zusammenfügen evakuiert wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass am Werkstückträger (12) zum Evakuieren Entlüftungslöcher (29, 30) vorgesehen sind.
  17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass am Werkstückträger (12) zum Evakuieren verschließbare Entlüftungslöcher (29, 30) vorgesehen sind.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Zwischenraum (24) zwischen dem Werkstück (14) und dem Werkstückträger (12) beim Zusammenfügen dadurch evakuiert wird, dass die Zusammenfügung innerhalb einer evakuierten Kammer erfolgt.
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