WO2026079110A1 - フローセンサ - Google Patents

Abstract

フローセンサのオフセット電圧のばらつきを低減させる。本フローセンサは、周辺部と前記周辺部よりも薄いメンブレン部とを有する基板と、前記メンブレン部に配置されたヒータと、前記ヒータに対して対称に配置された複数のサーモパイルと、を有し、前記複数のサーモパイルは、第１配線と第２配線とを有し、前記第１配線と前記第２配線は、前記メンブレン部の上で接続され、かつ前記周辺部の上で接続され、前記第１配線は、第１部分と前記第１部分よりも太い第２部分とを有し、前記第２配線は、第３部分と前記第３部分よりも太い第４部分とを有し、前記第２部分及び前記第４部分は、前記メンブレン部と前記周辺部に跨るように配置されている。

Description

フローセンサ

　本発明は、フローセンサに関する。

　従来、気体又は液体等の流体の、流量又は流速等を検出するフローセンサが知られている。

　例えば、特許文献１には、加熱要素に対して対称的に配置された温度センサに対し、チップ上面の少なくとも２つの熱伝導領域が同じ距離に配置された構成が開示されている。

欧州特許出願公開第１０９２９６２号明細書

　フローセンサでは、オフセット電圧のばらつきを抑えることが重要である。

　本発明は、フローセンサのオフセット電圧のばらつきを低減させることを目的とする。

　本フローセンサは、周辺部（１１）と前記周辺部（１１）よりも薄いメンブレン部（１２）とを有する基板（１）と、前記メンブレン部（１２）に配置されたヒータ（２）と、前記ヒータ（２）に対して対称に配置された複数のサーモパイル（３）と、を有し、前記複数のサーモパイル（３）は、第１配線（３１）と第２配線（３２）とを有し、前記第１配線（３１）と前記第２配線（３２）は、前記メンブレン部（１２）の上で接続され、かつ前記周辺部（１１）の上で接続され、前記第１配線（３１）は、第１部分（３１１）と、前記第１部分（３１１）よりも太い第２部分（３１２）と、を有し、前記第２配線（３２）は、第３部分（３２１）と前記第３部分（３２１）よりも太い第４部分（３２２）とを有し、前記第２部分（３１２）及び前記第４部分（３２２）は、前記メンブレン部（１２）と前記周辺部（１１）に跨るように配置されている。

　なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。

　本発明によれば、フローセンサのオフセット電圧のばらつきを低減させることができる。

第１実施形態に係るフローセンサの全体構成を示す模式的上面図の一例である。 図１におけるII－II線の模式的断面図の一例である。 第１実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイルを拡大して示す模式的上面図の一例である。 第１実施形態の変形例に係るフローセンサが有するサーモパイルを拡大して示す模式的上面図の一例である。 第２実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイルを拡大して示す模式的上面図の一例である。 第３実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイルを拡大して示す模式的上面図の一例である。 第４実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイルを拡大して示す模式的上面図の一例である。 第５実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイルを拡大して示す模式的上面図の一例である。 第６実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイルを拡大して示す模式的上面図の一例である。 第７実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイルを拡大して示す模式的上面図の一例である。 実施例に係るフローセンサを示す上面図の一例である。 第８実施形態に係るフローセンサの一例を模式的に示す上面図である。 図１２に示すII-II線で切断した断面を模式的に示すフローセンサの断面図の一例である。 流体の流れが生じていないときの流路内及びフローセンサ上の温度分布の一例を示すフローセンサの断面図である。 流体の流れが生じているときの流路内及びフローセンサ上の温度分布の一例を示すフローセンサの断面図である。 比較例のフローセンサの一例を模式的に示す上面図である。 第９実施形態に係るフローセンサの一例を模式的に示す上面図である。 図１６に示すVI-VI線で切断した断面を模式的に示すフローセンサの断面図の一例である。 参考形態に係るフローセンサを例示する平面図である。 参考形態に係るフローセンサを例示する断面図である。 参考形態に係るフローセンサを例示する断面図であり、気体の流れがない場合の温度分布を示す図である。 参考形態に係るフローセンサを例示する断面図であり、気体の流れがある場合の温度分布を示す図である。 第１０実施形態に係るフローセンサを例示する平面図である。 第１０実施形態に係るフローセンサの交差部を拡大して示す平面図である。 ジャンパを例示する断面図であり、図２３中のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う切断面を示す図である。 ジャンパを例示する断面図であり、図２３中のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う切断面を示す図である。 ジャンパを例示する断面図であり、図２３中のＩＸ－ＩＸ線に沿う切断面を示す図である。 第１０実施形態に係るフローセンサの非交差部を拡大して示す平面図である。 ジャンパを例示する断面図であり、図２７中のＸＩ－ＸＩ線に沿う切断面を示す図である。 第１１実施形態に係るフローセンサを例示する平面図である。

　以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を適宜省略する。但し、以下に示す形態は、本開示の技術思想を具現化するためのフローセンサを例示するものであって、以下に限定するものではない。なお、各図面が示す部材の大きさ、位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。

　各図面において、方向表現として、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸を有する直交座標を用いる。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、互いに略直交する。Ｘ軸の矢印が向く方向を＋Ｘ方向又は＋Ｘ側、＋Ｘ方向とは反対方向を－Ｘ方向又は－Ｘ側と表記する。Ｙ軸の矢印が向く方向を＋Ｙ方向又は＋Ｙ側、＋Ｙ方向とは反対方向を－Ｙ方向又は－Ｙ側と表記する。Ｚ軸の矢印が向く方向を＋Ｚ方向又は＋Ｚ側、＋Ｚ方向とは反対方向を－Ｚ方向又は－Ｚ側と表記する。

　Ｙ方向は、実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイルの第１配線及び第２配線が延びる第１方向に対応する。Ｘ方向は、第１方向と交差する第２方向に対応する。Ｚ方向は、実施形態に係るフローセンサが有するメンブレン部の平面を上面視する方向である第３方向に対応する。本明細書では、第１方向Ｙ、第２方向Ｘ、及び第３方向Ｚと表記する。また、第３方向Ｚから対象物を視ることを上面視という場合がある。

　上記の特定の方向や位置を示す用語は、参照した図面における相対的な方向や位置を分かり易くするために用いているにすぎない。これらの用語は、実施形態の方向を限定するものではなく、実施形態に係るフローセンサの使用時における向きは任意である。また、本明細書において、「配置する」は、直接接する場合に限られず、間接的に、例えば他の部材を介して配置する場合も含む。

　［第１実施形態］
　＜第１実施形態に係るフローセンサの構成＞
　図１から図３を参照して、第１実施形態に係るフローセンサの構成について説明する。図１は、第１実施形態に係るフローセンサ１００の全体構成を示す模式的上面図の一例である。図２は、図１におけるII－II線の模式的断面図である。図３は、フローセンサ１００が有するサーモパイル３を拡大して示す模式的上面図である。

　フローセンサ１００は、気体又は液体等の流体の流量又は流速等を検出する熱式のセンサである。フローセンサ１００は、流体の流量又は流速等に応じた検出信号を出力する。

　図１に示す例では、フローセンサ１００は、上面視において、略矩形の外形形状を有する。上面視におけるフローセンサ１００のサイズは、一例として、１．６ｍｍ×１．６ｍｍである。但し、上面視における基板１の外形形状は、略円形、略楕円形、又は略多角形等であってよい。また、フローセンサ１００のサイズは、上記のものに限定されない。フローセンサ１００は、半導体プロセス等により形成される。

　図１に示すように、フローセンサ１００は、周辺部１１と周辺部１１よりも薄いメンブレン部１２とを有する基板１と、メンブレン部１２に配置されたヒータ２と、ヒータ２に対して対称に配置された複数のサーモパイル３と、を有する。複数のサーモパイル３は、第１配線３１と第２配線３２とを有する。接続された第１配線３１と第２配線３２を１組として熱電対と称することができる。基板１の第１配線３１と第２配線３２の一端は、メンブレン部１２の上で接続され、かつ他端は周辺部１１の上で接続される。

　図１に示す例では、ヒータ２は、第２方向Ｘに延びている。ヒータ２は、第２方向Ｘにおける両端に配置されたヒータパッド２１に接続している。第１方向Ｙにおいて、ヒータ２に対して対称に８個のサーモパイル３が第２方向Ｘに並んで一定の間隔で配置されている。図１におけるメンブレン長さＬＭは、メンブレン部１２の第１方向Ｙにおける長さである。

　図１に示す例では、フローセンサ１００は、２つのサーモパイル３を有している。ヒータ２の＋Ｙ側に配置されたサーモパイル３Ａと、ヒータ２の－Ｙ側に配置されたサーモパイル３Ｂは、ヒータ２を基準に鏡映対称であり、対をなしている。なお、サーモパイル３を熱電堆と称し、複数の熱電対が接続されてサーモパイル３を形成していると言える。

　フローセンサ１００は、サーモパイル３により得られる検出信号を、基板１の４つの角部近傍に配置された４つのセンサパッド１０（１０Ａ－１、１０Ａ－２、１０Ｂ－１、１０Ｂ－２）を通して出力する。サーモパイル３Ａの両端には、センサパッド１０Ａ－１、１０Ａ－２が接続され、サーモパイル３Ｂの両端には、センサパッド１０Ｂ－１、１０Ｂ－２が接続されている。サーモパイル３Ａは、複数の熱電対の第１点３３と第２点３４の間に生じる温度差を電圧差に変換して、その電圧差をセンサパッド１０Ａ－１、１０Ａ－２に出力する。サーモパイル３Ｂは、複数の熱電対の第１点３３と第２点３４の間に生じる温度差を電圧差に変換して、その電圧差をセンサパッド１０Ｂ－１、１０Ｂ－２に出力する。

　図１に示す例では、第１配線３１と第２配線３２は、第１コンタクトプラグ３３０により、第１点３３で接続されている。第１配線３１と第２配線３２は、第２コンタクトプラグ３４０により、第２点３４で接続されている。ここで、第１コンタクトプラグ３３０が第１点３３であり、第２コンタクトプラグ３４０が第２点３４である。そのため、図１では、第１コンタクトプラグ３３０及び第１点３３の符号を併記し、第２コンタクトプラグ３４０及び第２点３４の符号を併記している。なお、第１点３３を第１コンタクトプラグ３３０の中心としても良く、第２点３４を第２コンタクトプラグ３４０の中心としても良い。

　図１に示す例では、サーモパイル３Ａ、３Ｂはそれぞれ８個の第１配線３１と８個の第２配線３２を有している。第１配線３１、第２配線３２を第２方向Ｘの小さい方から１、２、・・、ｎ、・・、８個目とする。ｎを１以上の整数とすると、メンブレン部１２において、ｎ個目の第２配線３２ｎとｎ個目の第１配線３１ｎは、第１点３３で接続されている。また、周辺部１１において、ｎ個目の第２配線３２ｎとｎ＋１個目の第１配線３１ｎ＋１が第２点３４で接続されている。

　図２に示す例では、フローセンサ１００は、基板１と、第３方向Ｚにおいて基板１の上に配置された絶縁膜１１３と、絶縁膜１１３上に配置された保護膜１３を有している。周辺部１１は基板１からなる支持部１１１を有している。メンブレン部１２は支持部１１１を有していない。第３方向Ｚにおいて、周辺部１１の厚さは約４００μｍであり、メンブレン部１２の厚さは約２μｍである。第２配線３２は、第３方向Ｚにおいて、第１配線３１の上方、例えば＋Ｚ側に配置されている。第１配線３１と第２配線３２は、メンブレン部１２上の第１点３３において接続され、かつ周辺部１１上の第２点３４において接続されている。第１点３３は、サーモパイル３が有する２つの接点のうち、温度測定のために用いられる温接点である。第２点３４は、サーモパイル３が有する２つの接点のうち、温接点以外の冷接点である。

　保護膜１３は、複数の絶縁膜が積層された積層構造体である。周辺部１１の支持部１１１は、基板１であり、例えばシリコンを含んで構成された部材である。周辺部１１は、メンブレン部１２と比較して放熱効率が高く、ヒートシンクの機能を有する。ヒータ２は、白金、ニクロム、ポリシリコン等を含んで構成され、ヒータパッド２１を介して供給される電流又は電圧に応じて発熱する発熱抵抗体である。

　サーモパイル３の第１配線３１は、例えばポリシリコン膜を含んで構成されたポリシリコン配線である。サーモパイル３の第２配線３２は、例えばアルミニウム膜を含んで構成されたアルミニウム配線である。第１配線３１及び第２配線３２は、それぞれ第１方向Ｙに延びている。サーモパイル３は、第１配線３１のポリシリコン膜と第２配線３２のアルミニウム膜が直列接続された繰り返し構造を有する。

　図３に示すように、本実施形態では、第１配線３１は、第１部分３１１と第１部分３１１よりも太い第２部分３１２とを有する。第２配線３２は、第３部分３２１と第３部分３２１よりも太い第４部分３２２とを有する。第２部分３１２及び第４部分３２２は、メンブレン部１２と周辺部１１に跨るように配置されている。図３に示す例では、第２部分３１２及び第４部分３２２は、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０を介して、メンブレン部１２と周辺部１１に跨るように配置されている。

　また、本実施形態では、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０において、第３方向Ｚから見たときに、第２配線３２は、第１方向Ｙ及び第２方向Ｘのそれぞれにおいて第１配線３１に包含されている。別の観点では、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０の近傍において、第３方向Ｚから見たときに、第２配線３２は、第１方向Ｙ及び第２方向Ｘのそれぞれにおいて第１配線３１に包含されている。

　＜第１実施形態に係るフローセンサ１００の作用効果＞
　フローセンサ１００では、第１方向Ｙのマイナス（－Ｙ方向）からプラス（＋Ｙ方向）に流体が流れる。フローセンサ１００では、流体の流量又は流速等を検出するときには、ヒータ２が通電加熱されることで、ヒータ２を中心に略対称な温度分布が形成される。ヒータ２に対して略対称な温度分布が形成された状態において、フローセンサ１００の＋Ｚ側の空間に流体の流れが生じると、ヒータ２により形成された温度分布の対称性が崩れる。温度分布の対称性が崩れることで、対をなすサーモパイル３Ａ（下流側）とサーモパイル３Ｂ（上流側）の起電力の差分が、流量又は流速等に応じたものとなる。フローセンサ１００は、この起電力の差分に対応する電圧信号を、流体の流量又は流速等の検出信号として出力する。

　例えば、基板１のメンブレン部１２は、基板１を深く掘り込むため、深堀りのドライエッチング加工を施したり、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ　Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：ＴＭＡＨ）等の薬液を用いた結晶異方性エッチング加工を施したりすることで形成される。これらの深堀りのドライエッチング加工や結晶異方性エッチング加工は、加工精度が高くない。そのため、メンブレン部１２の加工誤差によって、図２及び図３に示すメンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０の位置が、所望の位置から第１方向Ｙにずれる場合がある。境界１２０の位置ずれにより、第１方向Ｙにヒータ２を挟んで配置されたサーモパイル３Ａとサーモパイル３Ｂの第１点３３から周辺部１１とメンブレン部１２の境界の距離（図３の距離ＡＬ）が異なる。すなわち、サーモパイル３Ａとサーモパイル３Ｂのヒートシンク機能の対称性が崩れる。これにより、サーモパイル３Ａとサーモパイル３Ｂの温度検知特性に差が出ることで、流体の流量又は流速等が無い無風時においても、フローセンサ１００の検出信号がゼロにならないオフセット電圧が生じる。このオフセット電圧がばらつくことで、フローセンサ１００による検出値がばらつき、フローセンサ１００の検出精度が低下する。

　本実施形態では、第１配線３１の第２部分３１２と第２配線３２の第４部分３２２とが、メンブレン部１２と周辺部１１に跨るように配置されている。第２部分３１２は、第１部分３１１よりも太く形成されることで、第１部分３１１と比較して熱容量が大きく、かつ、基板１の周辺部１１との熱抵抗が低いため、ヒートシンク機能を有する。第４部分３２２は、第３部分３２１よりも太く形成されることで、第３部分３２１と比較して熱容量が大きく、ヒートシンク機能を有する。ここで、第１配線３１及び第２配線３２は、精度良く温度検知をするため、加工精度を上げる必要がある。第１配線３１及び第２配線３２に対する加工精度は、シリコン基板に対する深堀りのドライエッチング加工、或いは結晶異方性エッチング加工等と比較して高い。従って、第２部分３１２及び第４部分３２２の位置精度を高くすることで、距離ＡＬよりも距離ＢＬ（距離ＡＬから長さＰＬを引いた距離）の寸法精度が高くなる。

　図３において、第２配線３２の第４部分３２２のメンブレン部１２上にある端部をヒートシンク部３５のヒートシンク端３５０とする。なお、放熱効率が第２配線３２よりも第１配線３１の方が高い場合は、ヒートシンク端３５０は第１配線３１の第３部分３２１のメンブレン部１２上の端部になる。また、放熱効率が第１配線３１と第２配線３２と同じ場合は、ヒートシンク端３５０は第３部分３２１と第４部分３２２のうちヒータ２に近い方のメンブレン部１２上にある端部になる。ヒートシンク長さＬＨの寸法精度が高いことで、サーモパイル３Ａとサーモパイル３Ｂのヒートシンク機能の対称性が向上する。すなわち、図１に示す、サーモパイル３Ａのヒートシンク端３５０からヒータ２までの長さＬＩ－Ａと、サーモパイル３Ｂのヒートシンク端３５０からヒータ２までの長さＬＩ－Ｂのばらつきが小さくなる。ヒートシンク機能の対称性が向上することにより、本実施形態では、フローセンサ１００のオフセット電圧のばらつきを低減させることができる。また、本実施形態では、オフセット電圧のばらつきを低減させることで、フローセンサ１００の検出精度を高くすることができる。

　第２部分３１２及び第４部分３２２は、フローセンサ１００による流体の流量又は流速等の検出感度に対する寄与が小さい部分である。従って、第２部分３１２及び第４部分３２２を太くして抵抗を低くすることが好ましい。別の観点では、本実施形態では、第２部分３１２の抵抗は、第１部分３１１の抵抗よりも低いことが好ましい。第２部分３１２の抵抗が第１部分３１１の抵抗よりも低いことで、検出信号におけるノイズが低減し、フローセンサ１００のＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ　Ｎｏｉｓｅ　Ｒａｔｉｏ）が高くなる。フローセンサ１００のＳＮＲが高くなることで、フローセンサ１００の検出精度が高くなる。

　また、メンブレン部１２に配置された第１部分３１１が第２部分３１２よりも細く、メンブレン部１２に配置された第３部分３２１が第４部分３２２よりも細いことで、フローセンサ１００による流体の流量又は流速等の検出感度が高くなる。流体の流量又は流速等の検出感度が高くなることで、フローセンサ１００の検出精度が高くなる。

　本実施形態では、第２配線３２は、第３方向Ｚにおいて、第１配線３１の上方、例えば＋Ｚ側に配置されている。また、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０において、第３方向Ｚから見たときに、第２配線３２は、第１方向Ｙ及び第２方向Ｘのそれぞれで第１配線３１に包含されている。例えば、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０において、第３方向Ｚから見たときに、第１方向Ｙ及び第２方向Ｘのそれぞれにおける第１配線３１と第２配線３２の端部が重なると、第３方向Ｚから見たときに第１配線３１と第２配線３２の合わせズレにより第１配線３１の側面に第２配線３２の加工残りが発生する場合がある。加工残りが発生すると意図しない配線ショートが発生する場合がある。メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０において、第３方向Ｚから見たときに、第２配線３２が第１方向Ｙ及び第２方向Ｘのそれぞれで第１配線３１に包含されていることで、第２配線３２（第４部分３２２）のアルミニウムの加工残りの発生が低減する。

　図３において、ヒートシンク部３５のヒートシンク端３５０の、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０から＋Ｙ側へせり出す長さＰＬは、１μｍ以上で、かつメンブレン長さＬＭの１／４以下であることが好ましい。これにより、フローセンサ１００の検出精度が高くなる。

　ここで、図４は、第１実施形態の変形例に係るフローセンサ１００が有するサーモパイルを拡大して示す模式的上面図の一例である。例えば、図４において、ヒートシンク部３５は、ほとんどの領域が周辺部１１に熱的に接地され、周辺部１１に対して温度差がない。そのため、ヒートシンク部３５は、フローセンサ１００の起電力には寄与せず、寄生抵抗生じさせるだけの領域である。そこで、サーモパイル３におけるヒートシンク部３５－１のポリシリコン膜に不純物を注入することで、ヒートシンク部３５－１の抵抗を低くすることができる。別の観点では、本実施形態では、第２部分３１２の不純物濃度は、第１部分３１１の不純物濃度よりも高いと言える。ヒートシンク部３５の抵抗を低くすることで、熱的なノイズが低減し、フローセンサ１００のＳＮＲが高くなる。なお、不純物濃度を低くしてサーモパイル感度を高くする観点では、サーモパイル３におけるヒートシンク部３５よりもメンブレン部１２側の部分では、ヒートシンク部３５よりも不純物濃度を低くすることが好ましい。

　［第２実施形態］
　次に、第２実施形態に係るフローセンサについて説明する。なお、既に説明した実施形態と同一の名称、符号については、同一もしくは同質の部材又は構成を示しており、詳細説明を適宜省略する。この点は、以降に示す実施形態においても同様とする。

　図５は、第２実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイル３を拡大して示す模式的上面図である。

　本実施形態に係るフローセンサでは、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０において、第３方向Ｚから見たときに、第２方向Ｘにおける第２部分３１２と第４部分３２２の全部が重なっている点が、第１実施形態に係るフローセンサ１００と異なる。

　第２方向Ｘにおける第２部分３１２と第４部分３２２の全部が重なっていることで、ヒートシンク部３５における第２部分３１２及び第４部分３２２のそれぞれの面積が最大になる。これにより、ヒートシンク部３５の放熱効率を最大にすることができる。但し、第２方向Ｘにおける第２部分３１２と第４部分３２２は、第３方向Ｚから見たときに全部が重なる構成に限定されるものではなく、少なくとも一部が重なっていてもよい。

　本実施形態に係るフロセーサにおける上記以外の効果は、第１実施形態に係るフローセンサ１００の効果と同様である。

　［第３実施形態］
　次に、第３実施形態に係るフローセンサについて説明する。

　図６は、第３実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイル３を拡大して示す模式的上面図である。

　本実施形態に係るフローセンサでは、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０において、第３方向Ｚから見たときに、第２配線３２が、第１配線３１に対して第１方向Ｙ及び第２方向Ｘのそれぞれにずれるように配置されている点が、第１実施形態に係るフローセンサ１００と異なる。

　メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０において、第３方向Ｚから見たときに、第１方向Ｙにおいて第２配線３２と第１配線３１の太さが同じであり、かつ、第２配線３２が、第１配線３１に対して第１方向Ｙ及び第２方向Ｘのそれぞれにずれるように配置されている。その結果、第１配線３１と第２配線３２の端部が重ならないため、第２配線３２の第４部分３２２のアルミニウムの加工残りの可能性が低減する。これにより、第２配線３２を細くする必要が無いため、ヒートシンクの効果を落とすことが無く、かつ、ヒートシンク部３５における加工精度の低下が抑制される。なお、第２配線３２は、第１配線３１に対して第１方向Ｙ及び第２方向Ｘのそれぞれにずれている構成に限定されず、第１配線３１に対して少なくとも第２方向Ｘにおいてずれていればよい。

　本実施形態に係るフロセーサにおける上記以外の効果は、第１実施形態に係るフローセンサ１００の効果と同様である。

　［第４実施形態］
　次に、第４実施形態に係るフローセンサについて説明する。

　図７は、第４実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイル３を拡大して示す模式的上面図である。

　本実施形態に係るフローセンサでは、第２配線３２が、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０と第２点３４との間に第４部分３２２よりも細い第５部分３２３を有する点が、第１実施形態に係るフローセンサ１００と異なる。また、本実施形態に係るフローセンサでは、第１配線３１が、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０と第２点３４との間に第２部分３１２よりも細い第６部分３１３を有する点が、第１実施形態に係るフローセンサ１００と異なる。

　例えば、隣り合う第２配線３２間の間隔が狭いと、第２配線３２同士がショートするリスクが高まる場合がある。第２配線３２が、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０と第２点３４との間に第４部分３２２よりも細い第５部分３２３を有する。具体的には、第１配線３１ｎと第１配線３１ｎ＋１を跨ぐ第２配線３２が曲がる部分に第５部分３２３を配置している。配線が曲がる部分は、加工により配線幅が太くなる。ここで、第２配線３２が曲がる部分に第５部分３２３を有さない場合と比較して、隣り合う第２配線３２間の第２間隔ｄ２が広くなる。これにより、第２配線３２同士がショートする可能性を低くすることができる。

　また、例えば、隣り合う第１配線３１間の間隔が狭いと、第２配線３２による第１配線３１の被覆性が低下し、断線のリスクが高まる場合がある。第１配線３１が、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０と第２点３４との間に第２部分３１２よりも細い第６部分３１３を有する。具体的には、第２配線３２が第１配線３１ｎと第１配線３１ｎ＋１を跨ぐ部分に第６部分３１３を配置している。ここで、第１配線３１が第６部分３１３を有さない場合と比較して、隣り合う第１配線３１間の第１間隔ｄ１が広くなる。例えば、第２配線３２を物理気相堆積法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＶＤ）で形成する場合には、第１配線３１同士の間が狭いと、原料分子が隣り合う第１配線３１の間に届かない場合がある。その結果、第１配線３１間における第２配線３２の被覆性が低下して、第２配線３２が断線する可能性がある。本実施形態では、隣り合う第１配線３１間の第１間隔ｄ１を広くすることにより、原料分子が隣り合う第１配線３１の間に届きやすくなる。その結果、第２配線３２の断線のリスクが低減する。

　本実施形態に係るフロセーサにおける上記以外の効果は、第１実施形態に係るフローセンサ１００の効果と同様である。

　［第５実施形態］
　次に、第５実施形態に係るフローセンサについて説明する。

　図７は、第５実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイル３を拡大して示す模式的上面図である。

　本実施形態に係るフローセンサでは、第１配線３１は、第１導電型のポリシリコン配線であり、第２配線３２は、第１導電型とは反対の第２導電型のポリシリコン配線である点が、第１実施形態に係るフローセンサ１００と異なる。

　図８に示すように、第３方向Ｚにおいて、メンブレン部１２上の第１方向Ｙの第１配線３１の端部は、第２配線３２から露出している。第１配線３１が露出している部分において、第１配線３１は、第１コンタクトプラグ３３０と接続され、上層配線３６を介してコンタクトプラグ３６１により第２配線３２に接続されている。上層配線３６は第２配線３２よりも第３方向Ｚにおいて上方に配置されている。また、第３方向Ｚにおいて、周辺部１１条の第１方向Ｙの第１配線３１の端部は、第２配線３２から露出している。第１配線３１が露出している部分において、第１配線３１は第２コンタクトプラグ３４０と接続され、上層配線３７を介してコンタクトプラグ３７１により第２配線３２に接続されている。

　図８に示す例では、第１導電型はＰ型であり、第２導電型はＮ型である。但し、第１導電型がＮ型であって、第２導電型がＰ型であってもよい。第２配線３２は、第１コンタクトプラグ３３０により第１配線３１と接続される第７部分３２４を含む。また、上層配線３６、上層配線３７は例えばアルミニウムにより構成されている。また、上層配線３６、上層配線３７は同じ層に形成されていても良い。また、コンタクトプラグ３６１、６７１は上層配線３６、３７と同じ材料、例えばアルミニウムなど、であっても良い。また、上層配線３６、３７と異なる材料、例えば、タングステンなどの金属、であっても良い。

　以上のように、第１配線３１及び第２配線３２を導電型のポリシリコンにより構成した場合にも、第１実施形態に係るフローセンサ１００と同様の作用効果を得ることができる。

　［第６実施形態］
　次に、第６実施形態に係るフローセンサについて説明する。

　図９は、第６実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイル３を拡大して示す模式的上面図である。

　本実施形態に係るフローセンサは、メンブレン部１２及び周辺部１１に跨るように配置されている部材４を有する点が、第１実施形態に係るフローセンサ１００と異なる。

　部材４は、第２方向Ｘにおいて、第１配線３１及び第２配線３２から電気的に独立し、第１方向Ｙにおいて、メンブレン部１２上において、端部４０の位置がヒートシンク端３５０の位置と同じである。

　図９に示す例では、部材４は、第１配線３１と同じ層に配置された第１層４１と、第２配線３２と同じ層に配置された第２層４２と、を有する。第１層４１は、例えば、ポリシリコン膜を含んで構成される。第２層４２は、例えば、アルミニウム膜を含んで構成される。上面視における部材４の外形形状は、略矩形である。但し、上面視における部材４の外形形状は、略円形、略楕円形、略多角形等であってもよい。なお、端部４０は、第２層４２のメンブレン部１２上における端部である。放熱効率が第２層４２よりも第１層４１の方が高い場合には、端部４０は第１層４１のメンブレン部１２上の端部になる。放熱効率が第１層４１と第２配線３２が同じ場合には、端部４０は第１層４１と第２層４２のうちヒータ２に近い方のメンブレン部１２上にある端部になる。

　第２層４２は、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０の近傍において、第３方向Ｚから見たときに、第１方向Ｙ及び第２方向Ｘのそれぞれで第１層４１に包含されている。但し、第３方向Ｚから見たときの第１層４１と第２層４２の位置関係は、上記のものに限定されず、第３方向Ｚから見たときに、少なくとも一部が重なっていればよい。

　部材４はヒートシンクとしての機能を有する。部材４の第１層４１は第１配線３１と同じ工程で形成される。部材４の第２層４２は第２配線３２と同じ工程で形成される。すなわち、部材４の加工精度は、周辺部１１の加工精度と比較して高い。第６実施形態に係るフローセンサは、部材４を有することで、部材４の加工精度の高さによってヒートシンク機能の対称性が向上する。この結果、オフセット電圧のばらつきがさらに低減する。

　本実施形態に係るフロセーサにおける上記以外の効果は、第１実施形態に係るフローセンサ１００の効果と同様である。

　［第７実施形態］
　次に、第７実施形態に係るフローセンサについて説明する。

　図１０は、第７実施形態に係るフローセンサが有するサーモパイル３を拡大して示す模式的上面図である。

　本実施形態に係るフローセンサは、部材４が、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０を露出させるスリット４３を有する点が、第６実施形態に係るフローセンサと異なる。

　図１０に示す例では、部材４は、上面視における形状が第１方向Ｙを長手とする略長方形であり、第２方向Ｘに並ぶ２個のスリット４３を有する。但し、メンブレン部１２と周辺部１１の境界１２０を露出させることができれば、スリット４３の配置、個数、及び上面視における形状は、適宜変更可能である。

　第１層４１は、第２方向Ｘに所定の間隔で配置された複数の第１の層部分４１１を有する。図１０に示す例では、第１の層部分４１１の上面視における形状は、第１方向Ｙを長手とする略長方形である。第１層４１は、第２方向Ｘに並ぶ３個の第１の層部分４１１を有する。但し、第１の層部分４１１の配置、個数、及び上面視における形状は、適宜変更可能である。

　第２層４２は、第２方向Ｘに所定の間隔で配置された複数の第２の層部分４２１と、第１の層部分４１１と第２の層部分４２１とを接続する複数の接続部４２２と、を有する。第２の層部分４２１の上面視における形状は、第１方向Ｙを長手とする略長方形である。

　図１０に示す例では、第２層４２は、第２方向Ｘに並ぶ３個の第２の層部分４２１を有する。接続部４２２は、第２方向Ｘに延びて第１の層部分４１１と第２の層部分４２１とを接続している。第２層４２は、４個の接続部４２２を有する。但し、第２の層部分４２１及び接続部４２２それぞれの配置、個数、及び上面視における形状は、適宜変更可能である。

　本実施形態では、隣り合う第１の層部分４１１間の間隔、並びに、隣り合う第２の層部分４２１間の間隔が第３方向Ｚにおいて重なることによりスリット４３を形成している。

　本実施形態では、部材４がスリット４３を有する。これにより、第１層４１のポリシリコン膜、及び第２層４２のアルミニウム膜のそれぞれの応力が緩和され、ポリシリコン膜及びアルミニウム膜の剥離や破断のリスクが低減する。また、境界１２０がスリット４３により露出している。これにより、スリット４３を通して境界１２０の位置を検知できるため、フローセンサの製造工程の管理が容易になる。

　また、本実施形態では、第１層４１が複数の第１の層部分４１１を有し、第２層４２が複数の第２の層部分４２１と複数の接続部４２２と、を有する。これにより、第１層４１のポリシリコン膜、及び第２層４２のアルミニウム膜のそれぞれの応力が緩和し、ポリシリコン膜及びアルミニウム膜の剥離や破断のリスクが低減する。また、隣り合う第１の層部分４１１間の間隔、並びに、隣り合う第２の層部分４２１間の間隔によって境界１２０が露出している。これにより、境界１２０の位置を検知できるため、フローセンサの製造工程の管理が容易になる。

　本実施形態に係るフロセーサにおける上記以外の効果は、第１実施形態に係るフローセンサ１００の効果と同様である。

　［実施例］
　図１１は、実施例に係るフローセンサ１００を示す上面図である。図１１は、実施例に係るフローセンサ１００の具体的なレイアウトの一例を示している。但し、実施形態は、実施例に何ら限定されない。

　図１１に示すように、実施例に係るフローセンサ１００は、周辺部１１と周辺部１１よりも薄いメンブレン部１２とを有する基板１と、メンブレン部１２に配置されたヒータ２と、を有する。またフローセンサ１００は、ヒータ２に対して対称に配置された複数のサーモパイル３と、上面視において、第２方向Ｘにおける複数のサーモパイル３の外側に配置された部材４と、を有する。

　複数のサーモパイル３は、ヒートシンク部３５を含む。ヒートシンク部３５は、メンブレン部１２と周辺部１１に跨るように配置されている。ヒートシンク部３５の加工精度が周辺部１１の加工精度と比較して高いことで、ヒートシンク機能の対称性が向上し、フローセンサ１００のオフセット電圧のばらつきが低減する。

　部材４は、サーモパイル３以外の部分を用いて構成されたヒートシンク機能を有する部材である。部材４は、例えば、ポリシリコン膜及びアルミニウム膜を含んで構成される。部材４は、第２方向Ｘにおいてサーモパイル３と隣接するように４つ配置されている。部材４の加工精度が周辺部１１の加工精度と比較して高いことで、ヒートシンク機能の対称性がさらに向上し、フローセンサ１００のオフセット電圧のばらつきがさらに低減する。

　［第８実施形態］
　以下において、検出対象である流体は、Ｙ軸方向に流れるものとする。以下、Ｙ軸方向を「第１方向Ｙ」という。第１方向Ｙは、流体の流れ方向に対応する。また、－Ｙ側から＋Ｙ側への流体の流れ方向を「順方向」という。＋Ｙ側から－Ｙ側への流体の流れ方向を「逆方向」という。Ｘ軸方向は、Ｚ軸方向から視たときに第１方向Ｙと交差する方向である。以下、Ｘ軸方向を「第２方向Ｘ」という。Ｚ軸方向は、実施形態に係るフローセンサの高さ方向に対応する。以下、Ｚ軸方向を「第３方向Ｚ」という。第３方向Ｚから対象物を視ることを「平面視」という。

　以下において「方向に沿う」とは、２つの軸又は方向が交差しない場合を含む他、２つの軸又は方向の成す角度が±５度以下の場合を含む。また、「直交」とは、任意の方向に対する角度が９０度±５度の範囲を含む場合を含む。また、本実施形態では、温度検出部（後述する第１温度検出部３１、第２温度検出部３２）の一例として、２つの異なる導体を繋げ、温接点と冷接点の間に生じた起電力により温度を検出するサーモパイルを用いて説明している。なお、温度検出部としては、白金測温抵抗体や酸化バナジウムを用いたボロメータを使用することもできる。

　＜全体構成の一例＞
　図１２から図１５を参照して、第８実施形態に係るフローセンサ１の全体構成の一例を説明する。図１２は、第８実施形態に係るフローセンサ１の一例を模式的に示す上面図である。図１３は、図１２に示すII-II線で切断した断面を模式的に示すフローセンサ１の断面図である。図１４Ａは、流体の流れが生じていないとき（以下、「無風時」という）の流路内及びフローセンサ１上の温度分布の一例を示すフローセンサ１の断面図である。図１４Ｂは、流体の流れが生じているときの流路内及びフローセンサ１上の温度分布の一例を示すフローセンサ１の断面図である。図１５は、比較例のフローセンサ１Ｒの一例を模式的に示す上面図である。なお、説明の便宜上、図１２において、フローセンサ１が備える基板１０の保護膜１３を省略している。図１４Ａ及び図１４Ｂに示すフローセンサ１の断面は、図１２に示すII-II線で切断した断面に対応する。

　フローセンサ１は、気体又は液体等の流体の流量又は流速を検出する熱式のフローセンサである。フローセンサ１は、図１２に示すように、基板１０と、ヒータ２０と、検出部３０と、第１配線４０と、第２配線５０と、を備える。図１２に示す例では、フローセンサ１は、端子６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄ，６１ｅ，６１ｆ、第３配線７０ａ，７０ｂ、第４配線７５ａ，７５ｂ、他の配線７７をさらに備える。フローセンサ１は、これら以外の他の構成部材をさらに備えていてもよい。なお、検出部３０は、第１温度検出部３１及び第２温度検出部３２を含む。第１温度検出部３１の一例として、前述のように、サーモパイルが挙げられる。以下、第１温度検出部３１を「第１サーモパイル３１」として説明する。ただし、第１温度検出部３１は、サーモパイルに限定されない。また、第２温度検出部３２の一例として、サーモパイルが挙げられる。以下、第２温度検出部３２を「第２サーモパイル３２」として説明する。第２温度検出部３２は、サーモパイルに限定されない。前述のように、第１温度検出部３１及び第２温度検出部３２の他の例として、白金測温抵抗体、及び酸化バナジウムを用いたボロメータが挙げられる。

　端子６１ａ，６１ｂは、ヒータ２０を加熱する際の電力の供給源である外部の電源と接続される端子である。図１２に示すように、端子６１ａは、第１配線４０を介してヒータ２０の一端２１と接続される。端子６１ｂは、配線７７を介してヒータ２０の他端２２と接続される。すなわち、ヒータ２０は、端子６１ａ，６１ｂを介して外部の電源と接続される。なお、本明細書において「接続」とは、複数の対象物が物理的につながる場合に限られず、電気的に接続される場合を含む。

　端子６１ｃ，６１ｄ，６１ｅ，６１ｆのそれぞれは、例えば、ボンディングワイヤ等の接続部材を介して外部の信号処理回路と接続される端子である。端子６１ｃは、第３配線７０ａを介して、検出部３０が有する第１サーモパイル３１と接続される。端子６１ｄは、第４配線７５ａを介して、と接続される。すなわち、第１サーモパイル３１は、端子６１ｃ，６１ｄを介して、外部の信号処理回路と接続される。第１サーモパイル３１からの検出信号は、６１ｃ，６１ｄを介して、外部の信号処理回路へ出力される。なお、第１サーモパイル３１からの検出信号は、「検出部３０からの検出信号」の一例である。

　端子６１ｅは、第３配線７０ｂを介して、検出部３０が有する第２サーモパイル３２と接続される。端子６１ｆは、第４配線７５ｂを介して、第３導体部３２１と接続される。すなわち、第２サーモパイル３２は、端子６１ｅ，６１ｆを介して、外部の信号処理回路と接続される。第２サーモパイル３２からの検出信号は、端子６１ｅ，６１ｆを介して、外部の信号処理回路へ出力される。なお、第２サーモパイル３２からの検出信号は、「検出部３０からの検出信号」の一例である。

　＜基板１０＞
　基板１０は、フローセンサ１の各構成部材を支持する支持部１１を有する。検出対象の流体は、基板１０の上方を流れる。すなわち、フローセンサ１において、基板１０の上方（＋Ｚ側）の空間が流体の流路に対応する。

　図１２及び図１３に示すように、基板１０は、支持部１１に加えて、絶縁膜１２と、保護膜１３と、を有する。支持部１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料から構成される。支持部１１の内側には、基板１０の一部が除去されることにより開口部１０Ｓが形成される。支持部１１は、基板１０の下面から上方へ窪む開口部１０Ｓの周囲に配置される枠状の部分である。

　絶縁膜１２は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等の絶縁材料から構成される。図１３に示すように、絶縁膜１２は、支持部１１上に配置され、かつ、開口部１０Ｓを塞ぐ。絶縁膜１２上には、例えば、ヒータ２０、第１サーモパイル３１、第２サーモパイル３２、第１配線４０、第２配線５０、第３配線７０ａ，７０ｂ、及び第４配線７５ａ，７５ｂが配置されている。

　保護膜１３は、例えば、ＳｉＯ_２膜及び窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等の複数の絶縁膜が積層された積層構造体である。保護膜１３は、絶縁膜１２上に配置され、かつ、ヒータ２０、第１サーモパイル３１、第２サーモパイル３２、第１配線４０、第２配線５０、第３配線７０ａ，７０ｂ、及び第４配線７５ａ，７５ｂを一括して被覆する。

　絶縁膜１２及び保護膜１３のうち、平面視において、支持部１１より内側の部分を、以下、「薄膜部１１１」という。また、支持部１１、並びに、絶縁膜１２及び保護膜１３のうち平面視において支持部１１と重なる外側の部分を、以下、「周辺部１１２」という。換言すれば、基板１０は、薄膜部１１１と、周辺部１１２と、を有する。薄膜部１１１は、Ｚ軸方向において、開口部１０Ｓと重なる。周辺部１１２は、平面視において、薄膜部１１１を囲むように配置される。図１３に示すように、薄膜部１１１の厚さは、周辺部１１２の厚さより薄い。

　図１２に示す例では、基板１０は、平面視において、略矩形の外形形状を有する。ただし、基板１０の平面視における外形形状は、略矩形に限定されない。基板１０の平面視における外形形状は、略円形、略楕円形、矩形以外の略多角形であってもよい。

　＜ヒータ２０＞
　ヒータ２０は、基板１０に配置される。ヒータ２０は、外部の電源から端子６１ａ，６１ｂを介して供給される電圧又は電流によって発熱する導体を含む。ヒータ２０が発した熱は、基板１０を通じてヒータ２０より上方に形成される流路に伝わる。これにより、ヒータ２０が発した熱に由来する温度分布が流路に形成される。ヒータ２０は、発熱抵抗体等の熱抵抗値が比較的高い導体によって構成されることが好ましい。ヒータ２０は、例えば、ポリシリコンによって構成される。ただし、ヒータ２０を構成する材料は、ポリシリコンに限定されない。

　図１２に示すように、ヒータ２０は、第２方向Ｘに延びる。ヒータ２０の一端２１は、－Ｘ側に位置する。ヒータ２０の他端２２は、＋Ｘ側に位置する。ヒータ２０における一端２１と他端２２との間の領域は、基板１０の薄膜部１１１上に位置する。図１２に示す例では、ヒータ２０の一端２１及び他端２２のそれぞれは、基板１０の周辺部１１２上に配置されている。ただし、ヒータ２０の一端２１及び他端２２のそれぞれは、基板１０の薄膜部１１１上に配置されていてもよい。

　＜検出部３０＞
　図示される例では、検出部３０は、第１サーモパイル３１と、第２サーモパイル３２と、を有する。検出部３０は、第１サーモパイル３１及び第２サーモパイル３２を通じて、流路内及びフローセンサ１上の温度を検出する。具体的には、第１サーモパイル（第１温度検出部）３１は、流路を形成する空間のうち、第１サーモパイル（第１温度検出部）３１上の空間の温度を検出する。第２サーモパイル（第２温度検出部）３２は、流路を形成する空間のうち、第２サーモパイル（第２温度検出部）３２上の空間の温度を検出する。

　第１サーモパイル３１及び第２サーモパイル３２のそれぞれは、基板１０に配置される。図１２に示すように、第１サーモパイル３１及び第２サーモパイル３２は、第１方向Ｙにおいてヒータ２０を挟むように配置される。図１２に示す例では、第１サーモパイル３１、ヒータ２０、第２サーモパイル３２が、＋Ｙ側から－Ｙ側へ順に配置されている。ただし、第２サーモパイル３２、ヒータ２０、第１サーモパイル３１が、＋Ｙ側から－Ｙ側へ順に配置されていてもよい。

　第１サーモパイル３１は、直列に接続される複数の熱電対によって構成される。第１サーモパイル３１を構成する複数の熱電対は、例えば、第２方向Ｘに並ぶ。第１サーモパイル３１を構成する複数の熱電対のそれぞれは、互いに異なる導体材料で構成される第１導体部３１１及び第２導体部３１２を含む。第１導体部３１１を構成する導体材料は、例えば、ポリシリコンである。第２導体部３１２を構成する導体材料は、例えば、アルミニウムである。ただし、第１導体部３１１を構成する導体材料及び第２導体部３１２を構成する導体材料は、これらに限定されない。

　図１２に示す例では、第１サーモパイル３１は、８個の熱電対を有する。すなわち、図１２に示す例では、第１サーモパイル３１は、８個の第１導体部３１１と、８個の第２導体部３１２と、を有する。ただし、第１サーモパイル３１が有する熱電対の数（すなわち、第１導体部３１１の数及び第２導体部３１２の数）は、これに限定されない。図１３に示す例では、第２導体部３１２は、第１導体部３１１上に配置される。ただし、第１導体部３１１が第２導体部３１２上に配置されていてもよい。

　第１サーモパイル３１は、ヒータ２０の近くに配置される複数の温接点３１３と、温接点３１３に比べてヒータ２０から離れた位置に配置される複数の冷接点３１４と、を有する。図１２及び図１３に示す例では、複数の温接点３１３のそれぞれは、同じ熱電対における第１導体部３１１と第２導体部３１２との接点に対応する。図１２に示すように、複数の温接点３１３のそれぞれは、第２方向Ｘに並び、かつ、基板１０の薄膜部１１１上に配置されている。

　図１２及び図１３に示す例では、複数の冷接点３１４のそれぞれは、隣り合う２つの熱電対の一方が有する第１導体部３１１と他方が有する第２導体部３１２との接点である。図１２に示すように、複数の冷接点３１４のそれぞれは、第２方向Ｘに並んで配置されている。複数の冷接点３１４のうち、最も－Ｘ側に位置する冷接点３１４は、第４配線７５ａを介して端子６１ｄと接続されている。図１２に示す例では、複数の冷接点３１４のそれぞれは、基板１０の周辺部１１２上に配置されている。

　第２サーモパイル３２は、直列に接続される複数の熱電対によって構成される。第２サーモパイル３２を構成する複数の熱電対は、例えば、第２方向Ｘに並ぶ。第２サーモパイル３２を構成する複数の熱電対のそれぞれは、互いに異なる導体材料で構成される第３導体部３２１及び第４導体部３２２を含む。第３導体部３２１を構成する導体材料は、例えば、ポリシリコンである。第４導体部３２２を構成する導体材料は、例えば、アルミニウムである。ただし、第３導体部３２１を構成する導体材料及び第４導体部３２２を構成する導体材料は、これらに限定されない。

　図１２に示す例では、第２サーモパイル３２は、８個の熱電対を有する。すなわち、図１２に示す例では、第２サーモパイル３２は、８個の第３導体部３２１と、８個の第４導体部３２２と、を有する。ただし、第２サーモパイル３２が有する熱電対の数（すなわち、第３導体部３２１の数及び第４導体部３２２の数）は、これに限定されない。図１３に示す例では、第４導体部３２２は、第３導体部３２１上に配置される。ただし、第３導体部３２１が第４導体部３２２上に配置されていてもよい。

　第２サーモパイル３２は、ヒータ２０の近くに配置される複数の温接点３２３と、温接点３２３に比べてヒータ２０から離れた位置に配置される複数の冷接点３２４と、を有する。図１２及び図１３に示す例では、複数の温接点３２３のそれぞれは、同じ熱電対における第３導体部３２１と第４導体部３２２との接点に対応する。複数の温接点３２３のそれぞれは、第２方向Ｘに並び、かつ、基板１０の薄膜部１１１上に配置されている。

　図１２及び図１３に示す例では、複数の冷接点３２４のそれぞれは、隣り合う２つの熱電対の一方が有する第３導体部３２１と他方が有する第４導体部３２２との接点である。複数の冷接点３２４のそれぞれは、第２方向Ｘに並んで配置されている。図１２に示す例では、複数の冷接点３２４のそれぞれは、基板１０の周辺部１１２上に配置されている。

　図１４Ａ及び図１４Ｂを参照して、検出部３０から出力された検出信号に基づく流体の流量又は流速の検出原理の一例を説明する。図１４Ａに示すように、ヒータ２０が発した熱は、基板１０より上方の空間、すなわち、ヒータ２０より上方の空間である流路内及びフローセンサ１上に略等方的に伝わる。その結果、無風時において、ヒータ２０を中心とする略対象な温度分布が流路内及びフローセンサ１上に形成される。一方、流路に流体の流れが生じていると、無風時において流路内及びフローセンサ１上に形成された温度分布の対称性が崩れる。例えば、図１４Ｂに示すように、流体の流れ方向が順方向である場合、流路内及びフローセンサ１上の空間のうち＋Ｙ側の温度が－Ｙ側の温度より高くなるように、流路内及びフローセンサ１上の温度分布が偏る。また、流体の流れ方向が逆方向である場合、流路内及びフローセンサ１上の空間のうち－Ｙ側の温度が＋Ｙ側の温度より高くなるように、流路内及びフローセンサ１上の温度分布が偏る。このように、流体の流れ方向が順方向である場合及び逆方向である場合の双方において、流路内及びフローセンサ１上の空間のうち、第１サーモパイル３１上の空間と第２サーモパイル３２上の空間とで温度差が生じる。その結果、第１サーモパイル３１から出力された検出信号の電圧値と、第２サーモパイル３２から出力された検出信号の電圧値との差電圧が生じる。第１サーモパイル３１から出力された検出信号の電圧値と、第２サーモパイル３２から出力された検出信号の電圧値との差電圧は、流体の流量又は流速に応じたものとみなすことができる。これにより、検出部３０は、流体の流量又は流速を検出することができる。なお、外部の信号処理回路は、検出部３０から出力された差電圧に基づいて流体の流量又は流速を算出する。外部の信号処理回路は、例えば、検出部３０から出力された差電圧に所定の係数を乗じて、流体の流量又は流速を算出する。

　ところで、流体の流量又は流速の検出精度を向上させる観点から、無風時において、流路内及びフローセンサ１上に形成された温度分布の対称性が確保されていることが好ましい。すなわち、無風時において、第１サーモパイル３１と第２サーモパイル３２から出力された差電圧がゼロであることが好ましい。一方、基板１０において、外部の電源からの電力をヒータ２０へ供給するための配線又は検出部３０からの検出信号を外部へ出力するための配線等、各種の配線が設けられている。ここで、配線は熱抵抗が低いため基板１０に設けられた配線のヒートシンク効果によって、配線近傍の温度が低くなる。このとき、配線レイアウトの幾何学的な対称性が低いと、フローセンサ１の面内における放熱量の分布に偏りが生じ得る。そのため、無風時であるにも関わらず、流路内及びフローセンサ１上に形成された温度分布の対称性が崩れる可能性がある。その結果、無風時において差電圧がゼロではないオフセット電圧が検出部３０から出力される。その結果、流体の流れが生じた際、流体の流れ方向（順方向又は逆方向）によって検出部３０から出力される差電圧と流量又は流速との対応関係が変化する等、流体の流量又は流速の検出精度の低下を招く事態が生じ得る。

　図１５を示す比較例のフローセンサ１Ｒを用いて、フローセンサ１Ｒの面内における放熱量の分布に偏りが生じる例を説明する。図１５に示すように、比較例のフローセンサ１Ｒが備えるヒータ２０の一端２１と端子６１ａとを接続する配線４０Ｒは、ヒータ２０を境に＋Ｙ側のみに配置されている。また、フローセンサ１Ｒの基板１０には、ヒータ２０を基準に、＋Ｘ側に配線４０Ｒの少なくとも一部と対称に位置する部分を有する他の配線が設けられていない。したがって、従来のフローセンサ１Ｒにおいて、面内における放熱量の分布に偏りが生じる可能性がある。一方、本実施形態に係るフローセンサ１は、別途説明する第１配線４０及び第２配線５０を備えることで、基板１０に設けられた配線レイアウトの幾何学的な対称性を向上させることができ、面内における放熱量の分布の偏りを低減することができる。以下、第１配線４０及び第２配線５０を詳細に説明する。なお、本明細書において、「対称性」とは、特記する場合を除き、ヒータ２０等の所定の基準に２つの対象物が線対称に位置することを意味するものとする。また、「対称性が高い」又は「対称性を向上させる」とは、複数の対象物の位置関係が、線対称に近づくことを意味するものとする。

　＜第１配線４０＞
　第１配線４０は、ヒータ２０の一端２１に接続される。第１配線４０は、断面視において、例えば、ヒータ２０より上方に位置する。第１配線４０は、コンタクトプラグ等のＺ軸方向に延びる接続部材を介してヒータ２０の一端２１と接続されていてもよい。図１２に示す例では、第１配線４０は、ヒータ２０の一端２１と端子６１ａとを接続し、外部の電源からヒータ２０へ電圧又は電流を供給するための配線である。ただし、第１配線４０は、ヒータ２０の一端２１と端子６１ａとを接続する配線に限定されない。第１配線４０の熱抵抗値は、ヒータ２０の熱抵抗値より小さい。第１配線４０は、例えば、アルミニウム等の金属材料から構成される。

　図１２に示すように、第１配線４０は、第１部分４１と、第２部分４２と、を有する。また、第１配線４０は、第１部分４１と端子６１ａとの間に配置される他の部分４３をさらに有する。ただし、第１配線４０は、第１部分４１及び第２部分４２のみから構成されていてもよいし、他の部分４３とは異なる部分をさらに有していてもよい。

　第１部分４１は、第１サーモパイル３１の隣に位置する。具体的には、第１部分４１は、第１サーモパイル３１における最も－Ｘ側に位置する第１導体部３１１及び第２導体部３１２と、第２方向Ｘに並ぶように位置する。また、第１部分４１は、第１サーモパイル３１の最も－Ｘ側に位置する温接点３１３と、第２方向Ｘに並ぶように位置する。なお、第１部分４１と第１サーモパイル３１との間に配線を配置しないようにすることができる。その結果、第１サーモパイル３１に対する温度制御において、第１部分４１のヒートシンク効果が最も寄与することになる。

　第２部分４２は、第２サーモパイル３２の隣に位置する。具体的には、第２部分４２は、第２サーモパイル３２における最も－Ｘ側に位置する第３導体部３２１及び第４導体部３２２と、第２方向Ｘに並ぶように位置する。なお、第２部分４２と第２サーモパイル３２との間に配線を配置しないようにすることができる。その結果、第２サーモパイル３２に対する温度制御において、第２部分４２のヒートシンク効果が最も寄与することになる。また、第２部分４２は、第２サーモパイル３２の最も－Ｘ側に位置する温接点３２３と、第２方向Ｘに並ぶように位置する。その結果、温度分布の対称性を保つにあたって重要な温接点３２３における、第１部分４１と第２部分４２の位置の対称性を確保することができる。

　第２部分４２は、第１配線４０において第１部分４１と連続する部分であって、ヒータ２０を基準に第１部分４１と対称に位置する。第１配線４０は、ヒータ２０の一端２１より＋Ｙ側に延びる部分（第１部分４１）と、ヒータ２０の一端２１より－Ｙ側に延びる部分（第２部分４２）と、を有する。なお、本明細書において、２つの対象物が「ヒータ２０を基準に対称に位置する」とは、ヒータ２０と重なるように第２方向Ｘに延びる基準線ＣＬを基準に、２つの対象物が対称に位置することを意味するものとする。

　第１配線４０がヒータ２０を基準に対称に位置する第１部分４１及び第２部分４２を有することで、第１配線４０のヒートシンク効果に由来する温度の低下領域を、ヒータ２０の＋Ｙ側及び－Ｙ側に対称に分布させることができる。その結果、図１５に示すフローセンサ１Ｒに比べて、面内における放熱量の分布の偏りを低減することができ、無風時において、流路内及びフローセンサ１上に形成された温度分布の対称性を確保することができる。したがって、流体の流量又は流速の検出精度を向上させることができる。

　図１２に示す例では、第１部分４１及び第２部分４２は、基板１０の周辺部１１２上に位置し、かつ、薄膜部１１１と周辺部１１２との境界１２０の近傍に位置している。第１部分４１及び第２部分４２が薄膜部１１１と周辺部１１２との境界１２０の近傍に位置することで、絶縁材料で構成される絶縁膜１２及び保護膜１３で構成され、ヒートシンク効果が弱い薄膜部１１１に、第１部分４１及び第２部分４２を近づけることができる。その結果、温度分布の対称性を向上させることができる。なお、「薄膜部１１１と周辺部１１２との境界１２０の近傍」とは、第１部分４１及び第２部分４２等の対象物と境界１２０との第２方向Ｘにおける距離が、薄膜部１１１の第２方向Ｘにおける距離の１０％以下であることをいうものとする。第１部分４１及び第２部分４２とは異なる他の対象物（例えば、別途説明する第２配線５０の第３部分５１及び第４部分５２）に関しても同様である。

　第１部分４１及び第２部分４２のそれぞれは、第１方向Ｙに延びることが好ましい。すなわち、第１部分４１と第２部分４２とが、第１方向Ｙに沿う同一直線上に配置されることが好ましい。第１部分４１及び第２部分４２のそれぞれが第１方向Ｙに延びることで、第１部分４１及び第２部分４２を容易に形成することができ、かつ、ヒータ２０を基準に第１部分４１と第２部分４２とを対称に配置することができる。

　＜第２配線５０＞
　第２配線５０は、ヒータ２０の他端２２に接続される。第２配線５０は、断面視において、例えば、ヒータ２０より上方に位置する。第２配線５０は、コンタクトプラグ等のＺ軸方向に延びる接続部材を介してヒータ２０の他端２２と接続されていてもよい。第２配線５０の熱抵抗値は、ヒータ２０の熱抵抗値より小さい。すなわち、第１配線４０の熱抵抗値及び第２配線５０の熱抵抗値は、ヒータ２０の熱抵抗値より小さい。第２配線５０は、例えば、アルミニウム等の金属材料から構成される。その結果、第１配線４０及び第２配線５０の周辺の温度を効果的に低下させることにより、温度分布を制御することができる。

　図１２に示すように、第２配線５０は、第３部分５１と、第４部分５２と、を有する。図１２に示す例では、第２配線５０は、第３部分５１及び第４部分５２のみから構成されている。ただし、第２配線５０は、第３部分５１及び第４部分５２とは異なる部分をさらに有していてもよい。

　第３部分５１は、第１サーモパイル３１の隣に位置する。具体的には、第３部分５１は、第１サーモパイル３１における最も＋Ｘ側に位置する第１導体部３１１及び第２導体部３１２と、第２方向Ｘに並ぶように位置する。また、第３部分５１は、第１サーモパイル３１の最も＋Ｘ側に位置する温接点３１３と、第２方向Ｘに並ぶように位置する。なお、第３部分５１と第１サーモパイル３１との間に配線を配置しないようにすることができる。その結果、第１サーモパイル３１に対する温度制御において、第３部分５１のヒートシンク効果が最も寄与することになる。

　図１２に示すように、第１配線４０の第１部分４１及び第２配線５０の第３部分５１は、第２方向Ｘにおけるヒータ２０の中央点２０ＣＰを基準に対称に位置することが好ましい。すなわち、第１配線４０の第１部分４１及び第２配線５０の第３部分５１は、第１サーモパイル３１を挟み、かつ、第１サーモパイル３１を基準に対称に位置することが好ましい。これにより、第１配線４０及び第２配線５０のヒートシンク効果に由来する温度の低下領域を、ヒータ２０の中央点２０ＣＰの＋Ｘ側及び－Ｘ側に対称に分布させることができる。その結果、面内における放熱量の分布の偏りをさらに低減することができ、無風時において、流路内及びフローセンサ１上に形成された温度分布の対称性を確保することができる。したがって、流体の流量又は流速の検出精度をさらに向上させることができる。なお、本明細書において、２つの対象物が「第２方向Ｘにおけるヒータ２０の中央点２０ＣＰを基準に対称に位置する」とは、中央点２０ＣＰと重なるように第１方向Ｙに延びる基準線を基準に、２つの対象物が対称に位置することを意味するものとする。

　第１配線４０の第１部分４１及び第２配線５０の第３部分５１は、第１方向Ｙに平行に延びることが好ましい。第１配線４０の第１部分４１及び第２配線５０の第３部分５１が第１方向Ｙに平行に延びることで、ヒータ２０の中央点２０ＣＰを基準とする第１配線４０と第２配線５０との対称性をさらに向上させることができる。これにより、面内における放熱量の分布の偏りをさらに低減することができる。

　第４部分５２は、第２サーモパイル３２の隣に位置する。具体的には、第４部分５２は、第２サーモパイル３２における最も＋Ｘ側に位置する第３導体部３２１及び第４導体部３２２と、第２方向Ｘに並ぶように位置する。なお、第４部分５２と第２サーモパイル３２との間に配線を配置しないようにすることができる。その結果、第２サーモパイル３２に対する温度制御において、第４部分５２のヒートシンク効果が最も寄与することになる。また、第４部分５２は、第２サーモパイル３２の最も＋Ｘ側に位置する温接点３２３と、第２方向Ｘに並ぶように位置する。その結果、温度分布の対称性を保つにあたって重要な温接点３２３における第３部分５１と第４部分５２の位置の対称性を確保することができる。

　第４部分５２は、第２配線５０において第３部分５１と連続する部分であって、ヒータ２０を基準に第３部分５１と対称に位置する。第２配線５０は、ヒータ２０の他端２２より＋Ｙ側に延びる部分（第３部分５１）と、ヒータ２０の他端２２より－Ｙ側に延びる部分（第４部分５２）と、を有する。

　第２配線５０がヒータ２０を基準に対称に位置する第３部分５１及び第４部分５２を有することで、第２配線５０のヒートシンク効果に由来する温度の低下領域を、ヒータ２０の＋Ｙ側及び－Ｙ側に対称に分布させることができる。その結果、面内における放熱量の分布の偏りをさらに低減することができ、無風時において、流路内及びフローセンサ１上に形成された温度分布の対称性を確保することができる。したがって、流体の流量又は流速の検出精度をさらに向上させることができる。

　図１２に示す例では、第２配線５０の第３部分５１及び第４部分５２は、基板１０の周辺部１１２上に位置し、かつ、薄膜部１１１と周辺部１１２との境界１２０の近傍に位置する。第３部分５１及び第４部分５２が薄膜部１１１と周辺部１１２との境界１２０の近傍に位置することで、絶縁材料で構成される絶縁膜１２及び保護膜１３で構成され、ヒートシンク効果が弱い薄膜部１１１に第３部分５１及び第４部分５２を近づけることができる。その結果、温度分布の対称性を向上させることができる。

　第３部分５１及び第４部分５２のそれぞれは、第１方向Ｙに延びることが好ましい。すなわち、第３部分５１と第４部分５２とが、第１方向Ｙに沿う同一直線上に配置されることが好ましい。第３部分５１及び第４部分５２のそれぞれが第１方向Ｙに延びることで、第３部分５１及び第４部分５２を容易に形成することができ、かつ、ヒータ２０を基準に第３部分５１と第４部分５２とを対称に配置することができる。

　図１２に示すように、第１配線４０の第２部分４２及び第２配線５０の第４部分５２は、第２方向Ｘにおけるヒータ２０の中央点２０ＣＰを基準に対称に位置することが好ましい。すなわち、第１配線４０の第２部分４２及び第２配線５０の第４部分５２は、第２方向Ｘにおいて、第２サーモパイル３２を挟み、かつ、第２サーモパイル３２を基準に対称に位置することが好ましい。これにより、第１配線４０及び第２配線５０のヒートシンク効果に由来する温度の低下領域を、ヒータ２０の中央点２０ＣＰの＋Ｘ側及び－Ｘ側に対称に分布させることができる。その結果、面内における放熱量の分布の偏りをさらに低減することができ、無風時において、流路内及びフローセンサ１上に形成された温度分布の対称性を確保することができる。したがって、流体の流量又は流速の検出精度をさらに向上させることができる。

　第１配線４０の第２部分４２及び第２配線５０の第４部分５２は、第１方向Ｙに平行に延びることが好ましい。第１配線４０の第２部分４２及び第２配線５０の第４部分５２が第１方向Ｙに平行に延びることで、ヒータ２０の中央点２０ＣＰを基準とする、第１配線４０と第２配線５０との対称性をさらに向上させることができる。これにより、面内における放熱量の分布の偏りをさらに低減することができる。

　図１２に示す例では、第１配線４０の第２部分４２側の端部４２Ｔ及び第２配線５０の第４部分５２側の端部５２Ｔは、それぞれ終端している。また、図１２に示す例では、第１配線４０の第２部分４２側の端部４２Ｔ及び第２配線５０の第４部分５２側の端部５２Ｔは、第１方向Ｙにおいて同じ位置にある。第１配線４０の第２部分４２側の端部４２Ｔ及び第２配線５０の第４部分５２側の端部５２Ｔがそれぞれ終端し、かつ、第１方向Ｙにおいて同じ位置にあることで、ヒータ２０の中央点２０ＣＰを基準とする第１配線４０と第２配線５０との対称性をさらに向上させることができる。これにより、面内における放熱量の分布の偏りをさらに低減することができる。

　＜第３配線７０ａ，７０ｂ、第４配線７５ａ，７５ｂ＞
　図１２に示すように、第３配線７０ａは、第１サーモパイル３１の最も＋Ｘ側に位置する第２導体部３１２と端子６１ｃとを接続する。第３配線７０ｂは、第２サーモパイル３２の最も＋Ｘ側に位置する第４導体部３２２と端子６１ｅとを接続する。第４配線７５ａは、第１サーモパイル３１の最も－Ｘ側に位置する第１導体部３１１と端子６１ｄとを接続する。第４配線７５ｂは、第２サーモパイル３２の最も－Ｘ側に位置する第３導体部３２１と端子６１ｆとを接続する。図１２に示す例では、第３配線７０ａ及び第４配線７５ａは、第１サーモパイル３１からの検出信号を外部へ出力するための配線である。第３配線７０ｂ及び第４配線７５ｂは、第２サーモパイル３２からの検出信号を外部へ出力するための配線である。

　第３配線７０ａと第３配線７０ｂとは、ヒータ２０を基準に対称に位置している。第３配線７０ａの熱抵抗値及び第３配線７０ｂの熱抵抗値は、ヒータ２０の熱抵抗値より小さい。第３配線７０ａ及び第３配線７０ｂのそれぞれは、例えば、アルミニウムで構成される。ただし、第３配線７０ａ及び第３配線７０ｂのそれぞれを構成する材料は、アルミニウムに限定されない。

　第４配線７５ａと第４配線７５ｂとは、ヒータ２０を基準に対称に位置している。第４配線７５ａの熱抵抗値及び第４配線７５ｂの熱抵抗値は、ヒータ２０の熱抵抗値より小さい。第４配線７５ａ及び第４配線７５ｂのそれぞれは、例えば、アルミニウムで構成される。ただし、第４配線７５ａ及び第４配線７５ｂのそれぞれを構成する材料は、アルミニウムに限定されない。

　第１配線４０の第１部分４１、第２部分４２、第２配線の第３部分５１、第４部分５２の配線の幅は同じにすることができる。これにより、面内における放熱量の分布の偏りをさらに低減することができる。

　［第９実施形態］
　次に、図１６及び図１７を参照して、第９実施形態に係るフローセンサ１Ａの構成の一例を説明する。図１６は、第９実施形態に係るフローセンサ１Ａの一例を模式的に示す上面図である。図１７は、図１６に示すVI-VI線で切断した断面を模式的に示すフローセンサ１Ａの断面図の一例である。なお、第９実施形態において、第８実施形態と同様の構成部材に関して、同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

　図１６に示すように、ヒータ２０Ａの一端２１ａと端子６１ａとを接続する配線７８が配置されている。図１７に示すように、ヒータ２０の一端２１ａと配線７８はコンタクトプラグ８０により電気的に接続されている。第９実施形態では、配線７８が、外部の電源からヒータ２０Ａへ電圧又は電流を供給する配線に相当する。これに対して、第８実施形態とは異なり、第１配線４０Ａは、ヒータ２０Ａと同じ層に配置されている。図１６に示す例では、第１配線４０Ａは、第１部分４１Ａ及び第２部分４２のみから構成されている。

　図１７に示すように、第１配線４０Ａ及び第２配線５０Ａの高さ方向における位置は、ヒータ２０Ａの高さ方向における位置と同じである。すなわち、第１配線４０Ａは、ヒータ２０Ａの一端２１ａと連続する。第２配線５０Ａは、ヒータ２０Ａの他端２２ａと連続する。

　第１配線４０Ａ及び第２配線５０Ａのそれぞれを構成する材料は、ヒータ２０Ａを構成する材料と同じであってよい。換言すれば、第１配線４０Ａの熱抵抗値及び第２配線５０Ａの熱抵抗値は、ヒータ２０Ａの熱抵抗値と同じであってよい。ヒータ２０Ａ、第１配線４０Ａ、及び第２配線５０Ａのそれぞれは、例えば、ポリシリコンで構成される。

　ヒータ２０Ａ、第１配線４０Ａ、及び第２配線５０Ａの高さ方向における位置を同じとし、かつ、ヒータ２０Ａ、第１配線４０Ａ、及び第２配線５０Ａを同じ材料で構成することで、それぞれを同一工程で形成することができる。これにより、ヒータ２０Ａ、第１配線４０Ａ、及び第２配線５０Ａを形成する際のコストを低減することができる。

　図１６に示すように、第１配線４０Ａの第１部分４１Ａ側の端部４１Ｔ及び第２部分４２側の端部４２Ｔは、それぞれ終端している。また、第２配線５０Ａの第３部分５１Ａ側の端部５１Ｔ及び第４部分５２Ａ側の端部５２Ｔは、それぞれ終端している。図１６に示す例では、第１配線４０Ａ及び第２配線５０Ａは、第１方向Ｙに平行に延びている。

　第１配線４０Ａの第１方向Ｙにおける長さ４０Ｌは、第２配線５０Ａの第１方向Ｙにおける長さ５０Ｌと同じである。第１配線４０Ａの第１方向Ｙにおける長さ４０Ｌが第２配線５０Ａの第１方向Ｙにおける長さ５０Ｌと同じであることで、ヒータ２０Ａの中央点２０ＣＰを基準とする第１配線４０Ａと第２配線５０Ａとの対称性を向上させることができる。これにより、面内における放熱量の分布の偏りをさらに低減することができる。

　フローセンサ１Ａは、第８実施形態と同様、検出部３０から出力される検出信号を処理する信号処理回路と接続される複数の端子６１ｃ，６１ｄ，６１ｅ，６１ｆを備える。第３配線７０ａは、端子６１ｃと接続される。また、第３配線７０ａは、第１サーモパイル３１が有する複数の温接点３１３のうち、第２配線５０Ａの最も近くに位置する温接点３１３ａに接続される。すなわち、第３配線７０ａは、端子６１ｃと温接点３１３ａとを接続する。第３配線７０ｂは、端子６１ｅと接続される。また、第３配線７０ｂは、第２サーモパイル３２が有する複数の温接点３２３のうち、第２配線５０Ａの最も近くに位置する温接点３２３ａに接続される。すなわち、第３配線７０ｂは、端子６１ｅと温接点３２３ａとを接続する。

　図１７に示すように、第３配線７０ａは、ヒータ２０Ａ、第１配線４０Ａ、及び第２配線５０Ａより上方に配置されている。第３配線７０ａは、Ｚ軸方向において絶縁膜１２と保護膜１３との間にある他の絶縁膜１４を介して、ヒータ２０Ａ、第１配線４０Ａ、及び第２配線５０Ａと離隔している。第３配線７０ｂも同様に、ヒータ２０Ａ、第１配線４０Ａ、及び第２配線５０Ａより上方に配置され、絶縁膜１４を介して、ヒータ２０Ａ、第１配線４０Ａ、及び第２配線５０Ａと離隔している。また、図１６に示すように、第３配線７０ａは、平面視において、第２配線５０Ａの一部である第３部分５１Ａと重なる。第３配線７０ｂは、平面視において、第２配線５０Ａの一部である第４部分５２Ａと重なる。これにより、端子６１ｃ，６１ｅにそれぞれ接続される第３配線７０ａ，７０ｂと、第２配線５０Ａとの短絡を防ぎつつ、基板１０に設けられる配線のレイアウトの自由度を向上させることができる。また、フローセンサ１Ａを小型化することができる。なお、図１６に示す例では、第３配線７０ａ，７０ｂのそれぞれが、平面視において、第２配線５０Ａの一部と重なっているが、第３配線７０ａ，７０ｂの一方のみが、平面視において、第２配線５０Ａの一部と重なっていてもよい。

　［第１０実施形態］
　以下、第１０実施形態に係るフローセンサについて説明する。なお、本明細書において、「上」及び「下」との用語を使用する場合がある。これは、図１９に示されている状態における「上」及び「下」である。実際のフローセンサの配置はこれに限定されない。

　［参考形態に係るフローセンサ１００Ｂ］
　第１０実施形態に係るフローセンサ１００を説明する前に参考形態に係るフローセンサ１００Ｂについて説明する。参考形態に係るフローセンサ１００Ｂは、第１０実施形態に係るフローセンサ１００の前提技術である。図１８は、参考形態に係るフローセンサ１００Ｂを例示する平面図である。図１９は、参考形態に係るフローセンサ１００Ｂを例示する断面図である。なお、各図において、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向を図示する。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向は、直交していなくてもよい。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向は任意の方向でもよい。Ｘ軸方向は、矢印で示す方向とその逆方向を含む。Ｙ軸方向及びＺ軸方向についても同様である。

　フローセンサ１００Ｂは、気体又は液体などの流体の流量又は流速を検出する熱式のフローセンサである。フローセンサ１００Ｂは、半導体基板１１０、ヒータ１０、検出部２０、第１配線４１，４３、及び第２配線５１，５３を備える。フローセンサ１００Ｂは、端子１５２，１５３，１５５、第５配線６１，６２、及び第６配線７１，７２を備える。検出部２０は、第１サーモパイル２１及び第２サーモパイル２２を有する。

　［半導体基板１１０］
　検出対象の流体は、半導体基板１１０の上方を流れる。フローセンサ１００Ｂにおいて、半導体基板１１０の上方の空間が流体の流路である。

　図１９に示すように、半導体基板１１０は、支持部１１１、絶縁膜１１２、及び保護膜１１３を有する。支持部１１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料から構成される。支持部１１１の内側には、開口部１１４が形成されている。支持部１１１は、半導体基板１１０の下面から上方へ窪む開口部１１４の周囲に配置される枠状の部分である。支持部１１１は、Ｚ軸方向に見て開口部１１４の周囲に形成されている。

　絶縁膜１１２は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等の絶縁材料から構成される。絶縁膜１１２は、支持部１１１上に配置され、かつ、開口部１１４を覆うように形成されている。絶縁膜１１２上には、例えば、ヒータ１０、第１サーモパイル２１、第２サーモパイル２２、第１配線４１，４３、第２配線５１，５３、第５配線６１，６２、及び第６配線７１，７２が配置されている。

　保護膜１１３は、例えば、ＳｉＯ_２膜及び窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等の複数の絶縁膜が積層された積層構造体である。保護膜１１３は、絶縁膜１１２上に配置され、かつ、ヒータ１０、第１サーモパイル２１、第２サーモパイル２２、第１配線４１，４３、第２配線５１，５３、第５配線６１，６２、第６配線７１，７２、及び配線７３を被覆する。

　絶縁膜１１２及び保護膜１１３のうち、平面視において、支持部１１１より内側の部分を、以下、「薄膜部１２０」という。また、支持部１１１、並びに、絶縁膜１１２及び保護膜１１３のうち平面視において支持部１１１と重なる外側の部分を、以下、「周辺部１３０」という。換言すれば、半導体基板１１０は、薄膜部１２０及び周辺部１３０を有する。薄膜部１２０は、Ｚ軸方向において、開口部１１４と重なるよう形成されている。周辺部１３０は、平面視において、薄膜部１２０を囲むように配置される。Ｚ軸方向において、薄膜部１２０の厚さは、周辺部１３０の厚さより薄い。

　図１８に示されるように、半導体基板１１０は、平面視において、略矩形を成す。半導体基板１１０は、複数の辺１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄを有する。辺１１０ａ，１１０ｂは、Ｘ軸方向に離れて配置され、Ｙ軸方向に延びる。辺１１０ｃ，１１０ｄは、Ｙ軸方向に離れて配置され、Ｘ軸方向に延びる。半導体基板１１０の形状は、略矩形に限定されない。半導体基板１１０の形状は、略円形、又は略楕円形でもよく、矩形以外の略多角形であってもよい。

　［ヒータ１０］
　ヒータ１０は、半導体基板１１０に配置される。ヒータ１０は、外部の回路から電力が供給されて発熱する。ヒータ１０による熱は、フローセンサ１００に接する流路に伝熱される。ヒータ１０は、発熱抵抗体等の熱抵抗値が比較的高い導体でもよい。ヒータ１０は、例えば、ポリシリコンでもよい。ヒータ１０の材質は、ポリシリコンに限定されない。

　ヒータ１０は、棒状を成し、Ｘ軸方向に延びる。ヒータ１０は、長手方向における両端部である端部１１及び端部１２を有する。端部１２は、Ｘ軸方向において、複数の端子１５２,１５３,１５５に近い方に配置され、端部１１は、複数の端子１５２,１５３,１５５から遠い方に配置されている。ヒータ１０の大部分は、薄膜部１２０に配置され、端部１１及び端部１２は、周辺部１３０に配置されている。端部１１及び端部１２は、薄膜部１２０に配置されていてもよい。

　［第１サーモパイル２１］
　検出部２０は、第１サーモパイル２１及び第２サーモパイル２２を有する。第１サーモパイル２１及び第２サーモパイル２２は、流路内の温度を検出する。第１サーモパイル２１及び第２サーモパイル２２は、Ｙ軸方向に離れて配置されている。ヒータ１０は、Ｙ軸方向において、第１サーモパイル２１と第２サーモパイル２２との間に配置されている。第１サーモパイル２１及び第２サーモパイル２２は、ヒータ１０を基準としてＹ軸方向に対称に配置されている。第１サーモパイル２１及び第２サーモパイル２２は、ヒータ１０からＹ軸方向に所定距離離れて配置されている。

　第１サーモパイル２１は、直列に接続される複数の熱電対を含む。第１サーモパイル２１に含まれる熱電対は、例えば、Ｘ軸方向に並ぶ。図１９に示されるように、熱電対は、互いに異なる導電材料である第１導体部２３及び第２導体部２４を含む。第１導体部２３の材質は、例えばポリシリコンでもよい。第２導体部２４の材質は、例えばＡｌでもよい。

　第１導体部２３は絶縁膜１１２の上に形成され、第２導体部２４は、第１導体部２３の上に形成されている。

　図１８に示されるように、第１サーモパイル２１は、複数の温接点２１ａ及び冷接点２１ｂを有する。温接点２１ａ及び冷接点２１ｂは、Ｙ軸方向に離れて配置されている。温接点２１ａは、Ｙ軸方向において、ヒータ１０に近い位置に配置され、冷接点２１ｂは、ヒータ１０から遠い位置に配置されている。複数の温接点２１ａは、薄膜部１２０に配置され、複数の冷接点２１ｂは、周辺部１３０に配置されている。

　第１導体部２３は、Ｙ軸方向に沿って直線的に形成されている。第２導体部２４は、第１導体部２３の上でＹ軸方向に沿って直線的に形成されている部分と、Ｙ軸方向に対して傾斜する部分とを含む。第２導体部２４のうち、温接点２１ａに近い方の部分は、Ｙ軸方向に沿って直線的に形成されている。第２導体部２４のうち、冷接点２１ｂに近い方の部分は、Ｙ軸方向に対して傾斜している。

　第２導体部２４のうち薄膜部１２０に形成されている部分は、Ｙ軸方向に沿って直線的に形成され、周辺部１３０に形成されている部分は、Ｙ軸方向に対して傾斜するように形成されていてもよい。第２導体部２４は、冷接点２１ｂにおいて、温接点２１ａで接続されている第１導体部２３に隣り合う別の第１導体部２３と接続されている。複数の熱電対は、交互に直列に接続された第１導体部２３及び第２導体部２４を含む。

　［第２サーモパイル２２］
　第２サーモパイル２２は、ヒータ１０を基準として、Ｙ軸方向に第１サーモパイル２１と対称に配置されている。第２サーモパイル２２は、直列に接続される複数の熱電対を含む。第２サーモパイル２２に含まれる熱電対は、例えば、Ｘ軸方向に並ぶ。熱電対は、互いに異なる導電材料である第１導体部２５及び第２導体部２６を含む。第１導体部２５の材質は、例えばポリシリコンでもよい。第２導体部２６の材質は、例えばＡｌでもよい。

　図１９に示されるように、第１導体部２５は絶縁膜１１２の上に形成され、第２導体部２６は、第１導体部２５の上に形成されている。

　図１８に示されるように、第２サーモパイル２２は、複数の温接点２２ａ及び冷接点２２ｂを有する。温接点２２ａ及び冷接点２２ｂは、Ｙ軸方向に離れて配置されている。温接点２２ａは、Ｙ軸方向において、ヒータ１０に近い位置に配置され、冷接点２２ｂは、ヒータ１０から遠い位置に配置されている。複数の温接点２２ａは、薄膜部１２０に配置され、複数の冷接点２２ｂは、周辺部１３０に配置されている。

　第１導体部２５は、Ｙ軸方向に沿って直線的に形成されている。第２導体部２６は、第１導体部２５の上でＹ軸方向に沿って直線的に形成されている部分と、Ｙ軸方向に対して傾斜する部分とを含む。第２導体部２６のうち、温接点２１ａに近い方の部分は、Ｙ軸方向に沿って直線的に形成されている。第２導体部２６のうち、冷接点２２ｂに近い方の部分は、Ｙ軸方向に対して傾斜している。

　第２導体部２６のうち薄膜部１２０に形成されている部分は、Ｙ軸方向に沿って直線的に形成され、周辺部１３０に形成されている部分は、Ｙ軸方向に対して傾斜するように形成されていてもよい。第２導体部２６は、冷接点２２ｂにおいて、温接点２２ａで接続されている第１導体部２５に隣り合う別の第１導体部２５と接続されている。複数の熱電対は、交互に直列に接続された第１導体部２５及び第２導体部２６を含む。

　［第１配線４１，４３］
　第１配線４１，４３は、第１サーモパイル２１に接続されている。第１配線４１は、第１サーモパイル２１と端子１５３とを接続する。第１配線４３は、第１サーモパイル２１と第２サーモパイル２２とを接続する。第１配線４３は、第２配線５３を介して、第２サーモパイル２２と接続されている。

　第１配線４１は、複数の熱電対のうち最も端子１５３に近い位置に配置された第２導体部２４に接続されている。複数の温接点２１ａのうち、最も端子１５３に近い位置に配置された温接点２１ａは、第２導体部２４および第１配線４１を介して、端子１５３に接続されている。第１配線４３は、複数の冷接点２１ｂのうち端子１５３から最も離れた位置に配置された冷接点２１ｂに接続されている。

　［第２配線５１，５３］
　第２配線５１，５３は、第２サーモパイル２２に接続されている。第２配線５１は、第２サーモパイル２２と端子１５５とを接続する。第２配線５３は、第２サーモパイル２２と第１サーモパイル２１とを接続する。

　第２配線５１は、複数の熱電対のうち最も端子１５５に近い位置に配置された第２導体部２６に接続されている。複数の温接点２２ａのうち、最も端子１５５に近い位置に配置された温接点２２ａは、第２導体部２６および第２配線５１を介して、端子１５５に接続されている。第２配線５３は、複数の冷接点２２ｂのうち端子１５５から最も離れた位置に配置された冷接点２２ｂに接続されている。第２配線５３は、第１配線４３を介して、第１サーモパイル２１と接続されている。

　［第５配線６１，６２］
　第５配線６１，６２は、ヒータ１０の端部１１に接続されている。第５配線６１は、Ｙ軸方向に沿って、端部１１から離れるように直線的に延びる。第５配線６１は、端部１１から第５配線６２とは反対側に延びる。第５配線６１は、Ｘ軸方向において、第１サーモパイル２１と離れて配置されている。第５配線６１は、Ｘ軸方向において、第１サーモパイル２１と第１配線４３の部分４３ｂとの間に配置されている。

　第５配線６２は、Ｙ軸方向に沿って、端部１１から離れるように直線的に延びる部分６２ａと、Ｘ軸方向に屈曲されて第２サーモパイル２２から離れる方向に直線的に延びる部分６２ｂとを含む。部分６２ａは、端部１１から第５配線６１とは反対側に延びる。部分６２ａは、Ｘ軸方向において、第２サーモパイル２２と離れて配置されている。部分６２ａは、Ｘ軸方向において、第２サーモパイル２２と第２配線５３の部分５３ｂとの間に配置されている。

　［第６配線７１，７２］
　第６配線７１，７２は、ヒータ１０の端部１２に接続されている。第６配線７１は、Ｙ軸方向に沿って、端部１２から離れるように直線的に延びる。第６配線７１は、Ｘ軸方向において、第１サーモパイル２１と離れて配置されている。第６配線７２は、Ｙ軸方向に沿って、端部１２から離れるように直線的に延びる。第６配線７２は、端部１２から第６配線７１とは反対側に延びる。第６配線７２は、Ｙ軸方向において、第２サーモパイル２２と離れて配置されている。

　第１サーモパイル２１は、Ｘ軸方向において、第５配線６１の部分６１ａと、第６配線７１との間に配置されている。第２サーモパイル２２は、Ｘ軸方向において、第５配線６２と第６配線７２との間に配置されている。

　［配線７３］
　フローセンサ１００Ｂは、半導体基板１１０に形成された配線７３を備える。配線７３は、ヒータ１０の端部１２に接続されている。配線７３は、Ｘ軸方向に延在し、端部１２と端子１５２とを接続する。

　［端子１５２］
　複数の端子１５２,１５３,１５５は、Ｘ軸方向において同じ位置に配置されていてもよい。複数の端子１５２,１５３,１５５は、Ｙ軸方向に並んで配置されていてもよい。複数の端子１５２,１５３,１５５は、矩形状の半導体基板１１０の辺１１０ａに近い位置に配置されている。複数の端子１５２,１５３,１５５は、Ｙ軸方向において、辺１１０ｃに近い位置から辺１１０ｄに向かって、端子１５３、端子１５２、端子１５５の順で配置されている。

　端子１５２は、ヒータ１０を加熱する際の電力の供給源である外部の回路と接続される端子である。端子１５２は、配線７３を介してヒータ１０の端部１２に接続されている。

　［端子１５３］
　端子１５３は、例えば、ボンディングワイヤなどの接続部材を介して外部の信号処理回路と接続される端子である。端子１５３は、第１配線４１を介して、第１サーモパイル２１の第２導体部２４と接続されている。第１サーモパイル２１は、端子１５３を介して、外部の信号処理回路と接続される。第１サーモパイル２１からの検出信号は、端子１５３を介して、外部の信号処理回路へ出力される。

　［端子１５５］
　端子１５５は、第２配線５１を介して、第２サーモパイル２２の第２導体部２６と接続されている。第２サーモパイル２２は、端子１５５を介して、外部の信号処理回路と接続される。第２サーモパイル２２からの検出信号は、端子１５５を介して、外部の信号処理回路へ出力される。

　［流量の検出原理］
　図２０及び図２１を参照して、第１サーモパイル２１及び第２サーモパイル２２から出力された検出信号に基づく流体の流量又は流速の検出原理の一例を説明する。図２０に示すように、ヒータ１０が発した熱は、半導体基板１１０より上方の空間、すなわち、ヒータ１０より上方の空間である流路内及びフローセンサ１００Ｂ上に略等方的に伝わる。その結果、無風時において、ヒータ１０を中心とする略対象な温度分布が流路内及びフローセンサ１００Ｂ上に形成される。

　［参考形態に係るフローセンサ１００Ｂの課題］
　次に、参考形態に係るフローセンサ１００Ｂの課題について説明する。流路に流体の流れが生じていると、無風時において流路内及びフローセンサ１００Ｂ上に形成された温度分布の対称性が崩れる。例えば、図２１に示すように、流体の流れ方向が辺１１０ｄから辺１１０ｃに向かう方向である場合、流路内及びフローセンサ１００Ｂ上の空間のうち、ヒータ１０よりも下流側の温度は、ヒータ１０の上流側の温度よりも高くなる。このように、流体の流れ方向によって、第１サーモパイル２１上の空間と第２サーモパイル２２上の空間とで温度差が生じる。その結果、第１サーモパイル２１から出力された検出信号の電圧値と、第２サーモパイル２２から出力された検出信号の電圧値との差電圧が生じる。

　第１サーモパイル２１から出力された検出信号の電圧値と、第２サーモパイル２２から出力された検出信号の電圧値との差電圧は、流体の流量又は流速に応じたものとみなすことができる。これにより、フローセンサ１００Ｂは、流体の流量又は流速を検出することができる。なお、外部の信号処理回路は、検出部２０から出力された差電圧に基づいて流体の流量又は流速を算出する。外部の信号処理回路は、例えば、検出部２０から出力された差電圧に所定の係数を乗じて、流体の流量又は流速を算出する。

　ところで、流体の流量又は流速の検出精度を向上させる観点から、無風時において、流路内及びフローセンサ１００Ｂ上に形成された温度分布の対称性が確保されていることが好ましい。すなわち、無風時において、第１サーモパイル２１と第２サーモパイル２２から出力された差電圧がゼロであることが好ましい。一方、半導体基板１１０には、外部の回路からの電力をヒータ１０へ供給するための配線、又は、検出部２０からの検出信号を外部へ出力するための配線等、各種の配線が設けられている。

　ここで、配線は熱抵抗が低いため半導体基板１１０に設けられた配線のヒートシンク効果によって、配線近傍の温度が低くなる。このとき、配線レイアウトの幾何学的な対称性が低いと、フローセンサ１００Ｂの面内における放熱量の分布に偏りが生じやすい。そのため、無風時であるにも関わらず、流路内及びフローセンサ１００Ｂ上に形成された温度分布の対称性が崩れる可能性がある。その結果、無風時において差電圧がゼロではないオフセット電圧が検出部２０から出力される。その結果、流体の流れが生じた際、流体の流れ方向（順方向又は逆方向）によって検出部２０から出力される差電圧と流量又は流速との対応関係が変化する等、流体の流量又は流速の検出精度の低下を招く事態が生じ得る。例えば、図２１に示される矢印の向きを順方向とし、その逆向きを逆方向とする。

　［第１０実施形態に係るフローセンサ１００］
　次に図２２～図２５を参照して、第１０実施形態に係るフローセンサ１００について説明する。図２２は、第１０実施形態に係るフローセンサ１００を例示する平面図である。図２３は、第１０実施形態に係るフローセンサ１００の交差部３１０，３２０を拡大して示す平面図である。第１０実施形態に係るフローセンサ１００が、上記の参考形態に係るフローセンサ１００Ｂと違う点は、配線の配置が異なる点、端子の配置が異なる点、ジャンパを備える点、並びに、第２センサ２１０及び第３センサ２２０を備える点である。なお、第１０実施形態に係るフローセンサ１００の説明において、上記の参考形態に係るフローセンサ１００Ｂと同様の説明は省略する場合がある。

　フローセンサ１００は、半導体基板１１０、ヒータ１０、検出部２０、第１配線４１，４３、第２配線５１，５３、第５配線６１，６２、第６配線７１，７２、配線７３、配線８１，８３、配線９１、第２センサ２１０，及び、第３センサ２２０を備える。

　［第１配線４１，４３］
　第１配線４１，４３は、第１サーモパイル２１に接続されている。第１配線４１は、第１サーモパイル２１と端子１５３とを接続する。第１配線４１は、Ｘ軸方向において最も端子１５３に近い位置に配置された熱電対に接続されている。

　第１配線４３は、第２配線５３を介して、第２サーモパイル２２に接続されている。第１配線４３は、第１サーモパイル２１に接続されＸ軸方向に直線的に延びる部分４３ａと、部分４３ａに接続され、Ｙ軸方向に直線的に延びる部分４３ｂとを有する。部分４３ａは、Ｘ軸方向において最も端子１５３から離れた位置に配置された熱電対に接続されている。部分４３ｂは、第２配線５３に接続されている。

　［第２配線５１，５３］
　第２配線５１，５３は、第２サーモパイル２２に接続されている。第２配線５１は、第２サーモパイル２２と端子１５５とを接続する。第２配線５１は、Ｘ軸方向において最も端子１５５に近い位置に配置された熱電対に接続されている。

　第２配線５３は、第１配線４３を介して、第１サーモパイル２１に接続されている。第２配線５３は、第２サーモパイル２２に接続されＸ軸方向に直線的に延びる部分５３ａと、部分５３ａに接続され、Ｙ軸方向に直線的に延びる部分５３ｂとを有する。部分５３ａは、Ｘ軸方向において最も端子１５５から離れた位置に配置された熱電対に接続されている。部分５３ｂは、第１配線４３に接続されている。第１配線４３及び第２配線５３は、第１サーモパイル２１と第２サーモパイル２２とを接続する。

　［第５配線６１，６２］
　第５配線６１，６２は、ヒータ１０の端部１１に接続されている。第５配線６１は、Ｙ軸方向に沿って、端部１１から離れるように直線的に延びる。第５配線６１は、端部１１から第５配線６２とは反対側に延びる。第５配線６１は、Ｘ軸方向において、第１サーモパイル２１と離れて配置されている。第５配線６１は、Ｘ軸方向において、第１サーモパイル２１と第１配線４３の部分４３ｂとの間に配置されている。

　第５配線６２は、Ｙ軸方向に沿って、端部１１から離れるように直線的に延びる部分６２ａと、Ｘ軸方向に屈曲されて第２サーモパイル２２から離れる方向に直線的に延びる部分６２ｂとを含む。部分６２ａは、端部１１から第５配線６１とは反対側に延びる。部分６２ａは、Ｘ軸方向において、第２サーモパイル２２と離れて配置されている。部分６２ａは、Ｘ軸方向において、第２サーモパイル２２と第２配線５３の部分５３ｂとの間に配置されている。

　第５配線６１及び第５配線６２の部分６２ａは、ヒータ１０を基準としてＹ軸方向に対称に配置されている。第５配線６２の部分６２ａは、Ｙ軸方向に沿って直線的に形成されている部分である。第５配線６２の部分６２ａのＹ軸方向における長さは、第５配線６１のＹ軸方向における長さと同じでもよい。換言すると、Ｙ軸方向に沿って直線的に形成されている第５配線６１の長さと、Ｙ軸方向に沿って直線的に形成性されている第５配線６２の部分６２ａの長さは同じでもよい。

　［第６配線７１，７２］
　一対の第６配線７１，７２は、ヒータ１０の端部１２に接続されている。第６配線７１は、Ｙ軸方向に沿って、端部１２から離れるように直線的に延びる。第６配線７１は、Ｘ軸方向において、第１サーモパイル２１と離れて配置されている。第６配線７２は、Ｙ軸方向に沿って、端部１２から離れるように直線的に延びる。第６配線７２は、端部１２から第６配線７１とは反対側に延びる。第６配線７２は、Ｙ軸方向において、第２サーモパイル２２と離れて配置されている。

　第１サーモパイル２１は、Ｘ軸方向において、第５配線６１と、第６配線７１との間に配置されている。第２サーモパイル２２は、Ｘ軸方向において、第５配線６２の部分６２ａと第６配線７２との間に配置されている。

　第６配線７１及び第６配線７２は、ヒータ１０を基準としてＹ軸方向に対称に配置されている。第６配線７２のＹ軸方向における長さは、第６配線７１のＹ軸方向における長さと同じでもよい。

　第６配線７１は、第５配線６１と平行に配置されていてもよい。第６配線７２は、第５配線６２の部分６２ａと平行に配置されていてもよい。第５配線６１及び第６配線７１は、第１サーモパイル２１と平行に配置されていてもよい。第５配線６２及び第６配線７２は、第２サーモパイル２２と平行に配置されていてもよい。

　第６配線７１と第５配線６１は、第１サーモパイル２１を基準としてＸ軸方向に対称に配置されてもよい。第６配線７２と第５配線６２は、第２サーモパイルを基準としてＸ軸方向に対称に配置されてもよい。

　［配線７３］
　配線７３は、ヒータ１０の端部１２に接続されている。配線７３は、Ｘ軸方向に延在し、端部１２と端子１５２とを接続する。

　［配線８１］
　配線８１は、Ｙ軸方向に沿って直線的に延びる。配線８１は、辺１１０ｃに近い位置に配置された測温抵抗体２３０に接続されていてもよい。配線８１は、辺１１０ｄに近い位置に配置された第３センサ２２０に接続されていてもよい。配線８１は、Ｘ軸方向において、第５配線６１及び第５配線６２の部分６２ａと隣り合うように配置されている。配線８１は、Ｚ軸方向に見て、第５配線６２の部分６２ｂと交差するように配置されている。詳しくは後述する。

　［配線８３］
　配線８３は、Ｘ軸方向において、配線８１と第５配線６１，６２とを接続する。配線８３は、Ｙ軸方向においてヒータ１０と同じ位置に配置されていてもよい。

　［配線９１］
　配線９１は、Ｙ軸方向に沿って直線的に延びる。配線９１は、辺１１０ｃに近い位置に配置された第２センサ２１０に接続されていてもよい。配線９１は、辺１１０ｄに近い位置に配置された第３センサ２２０に接続されていてもよい。配線９１は、Ｘ軸方向において、配線８１と隣り合うように配置されている。配線９１には、第５配線６２の部分６２ｂが接続されている。

　［半導体基板１１０の積層構造］
　次に図２４及び図２５を参照して半導体基板１１０の積層構造について説明する。図２４は、ジャンパ３１３，３２３を例示する断面図であり、図２３中のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う切断面を示す図である。図２５は、ジャンパ３１３を例示する断面図であり、図２３中のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う切断面を示す図である。

　半導体基板１１０は、支持部１１１、第１層１１５、第２層１１６、第３層１１７、及び第４層１１８を有する。第１層１１５は、支持部１１１の上に成膜されている。第１層１１５は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）から形成されている。第２層１１６は、第１層１１５の上に成膜されている。第２層１１６は、窒化シリコン（ＳｉＮ）から形成されている。

　第３層１１７は、第２層１１６の上に成膜されている。第３層１１７は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）から形成されている。第４層１１８は、第３層１１７の上に成膜されている。第４層１１８は、保護膜１１３でもよい。

　［交差部３１０］
　図２３及び図２４に示されるように、フローセンサ１００は、配線８１と第５配線６２とが交差する交差部３１０を有する。配線８１は、第５配線６２の部分６２ｂと交差するジャンパ３１３を有する。

　配線８１は、第１部分３１１、第２部分３１２、及びジャンパ３１３を含む。第１部分３１１及び第２部分３１２は、Ｙ軸方向に離れて配置されている。ジャンパ３１３は、Ｙ軸方向に第１部分３１１と第２部分３１２とを接続する。

　図２５に示されるように、ジャンパ３１３は、第１部分３１１及び第２部分３１２とは異なる配線層に形成されている。ジャンパ３１３は、第３層１１７に形成されている。第１部分３１１及び第２部分３１２は、第３層１１７の上に形成された第４層１１８に形成されている。第１部分３１１は、Ｚ軸方向にジャンパ３１３と接続されている。第２部分３１２は、Ｚ軸方向にジャンパ３１３と接続されている。

　［交差部３２０］
　図２３及び図２４に示されるように、フローセンサ１００は、第２配線５３と第５配線６２とが交差する交差部３２０を有する。第２配線５３は、第５配線６２の部分６２ｂと交差するジャンパ３２３を有する。

　第２配線５３の部分５３ｂは、第１部分３２１、第２部分３２２、及びジャンパ３２３を含む。第１部分３２１及び第２部分３２２は、Ｙ軸方向に離れて配置されている。ジャンパ３２３は、Ｙ軸方向に第１部分３２１と第２部分３２２とを接続する。

　図２６は、ジャンパ３２３を例示する断面図であり、図２３中のＩＸ－ＩＸ線に沿う切断面を示す図である。図２６に示されるように、ジャンパ３２３は、第１部分３２１及び第２部分３２２とは異なる配線層に形成されている。ジャンパ３２３は、第３層１１７に形成されている。第１部分３２１及び第２部分３２２は、第３層１１７の上に形成された第４層１１８に形成されている。第１部分３２１は、Ｚ軸方向にジャンパ３２３と接続されている。第２部分３２２は、Ｚ軸方向にジャンパ３２３と接続されている。第２配線５３は、第２サーモパイル２２と接続された「第２配線」であり「一方の配線」の一例である。第１部分３２１及び第２部分３２２は、「本体部分」の一例である。ジャンパ３２３は、本体部分とは異なる配線層に形成された第３配線を含む「第１ジャンパ」の一例である。

　［非交差部３３０］
　図２７は、第１０実施形態に係るフローセンサ１００の非交差部３３０を拡大して示す平面図である。図２８は、ジャンパ３３３を例示する断面図であり、図２７中のＸＩ－ＸＩ線に沿う切断面を示す図である。図２７及び図２８に示されるように、フローセンサ１００は、第１配線４３に形成された非交差部３３０を有する。非交差部３３０は、ジャンパ３３３を有する。

　第１配線４３の部分４３ｂは、第１部分３３１、第２部分３３２、及びジャンパ３３３を含む。第１部分３３１及び第２部分３３２は、Ｙ軸方向に離れて配置されている。ジャンパ３３３は、Ｙ軸方向に第１部分３３１と第２部分３３２とを接続する。

　図２８に示されるように、ジャンパ３３３は、第１部分３３１及び第２部分３３２とは異なる配線層に形成されている。ジャンパ３３３は、第３層１１７に形成されている。第１部分３３１及び第２部分３３２は、第３層１１７の上に形成された第４層１１８に形成されている。第１部分３３１は、Ｚ軸方向にジャンパ３３３と接続されている。第２部分３３２は、Ｚ軸方向にジャンパ３３３と接続されている。第１配線４３は、第１サーモパイル２１と接続された「第１配線」であり「他方の配線」の一例である。ジャンパ３３３は、第３配線（ジャンパ３２３）と同じ配線層（第３層１１７）に形成された第４配線を含む「第２ジャンパ」の一例である。ジャンパ３３３は、抵抗部の一例である。ジャンパ３３３は、半導体基板１１０に形成された他の配線と交差していない。

　図２２に示されるように、ジャンパ３３３は、Ｙ軸方向において、ヒータ１０を基準として、ジャンパ３２３と対称に形成されている。第１サーモパイル２１に接続された第１配線４３の抵抗値は、第２サーモパイル２２に接続された第２配線５３の抵抗値と等しい。第１配線４３は、Ｙ軸方向において、ヒータ１０を基準として、第２配線５３と対称に形成されていてもよい。

　第２配線５３には、ジャンパ３２３が１つだけ形成され、第１配線４３には、ジャンパ３３３が１つだけ形成されている。第２配線５３に形成されたジャンパ３２３の個数は、第１配線４３に形成されたジャンパ３２３の個数と等しくてもよい。

　ジャンパ３２３のＹ軸方向における長さは、ジャンパ３３３のＹ軸方向における長さと等しくてもよい。ジャンパ３２３のＸ軸方向における幅は、ジャンパ３３３のＸ軸方向における幅と等しくてもよい。

　ジャンパ３２３及びジャンパ３３３は、ヒータ１０と同じ材質である。ジャンパ３２３及びジャンパ３３３の材質は、例えばポリシリコンでもよい。ジャンパ３２３及びジャンパ３３３の材質はポリシリコンに限定されず、その他のものでもよい。また、ジャンパ３２３及びジャンパ３３３の材質は、ヒータ１０の材質と異なっていてもよい。

　ヒータ１０の端部１２と端子１５２とを接続する配線７３には、ジャンパ３２３及びジャンパ３３３は、形成されていない。配線７３は、例えば同じ配線層に形成されている。ヒータ１０の端部１１は、第５配線６２及び配線９１を介して端子（例えば図１８に示す端子１５１）が接続されている。端部１１と端子１５１とを接続する第５配線６２及び配線９１には、ジャンパ３２３及びジャンパ３３３は、形成されていない。第５配線６２及び配線９１は、例えば同じ配線層に形成されている。ヒータ１０に電力を供給する配線は、ヒータ１０を加熱するための配線である。

　［第１０実施形態に係るフローセンサ１００の作用効果］
　第１０実施形態に係るフローセンサ１００は、薄膜部１２０を有する半導体基板１１０と、薄膜部１２０に形成され、Ｘ軸方向（第１方向）に延びるヒータ１０と、薄膜部１２０に形成され、ヒータ１０から所定距離をおいてＹ軸方向（第２方向）に、ヒータ１０を挟むように配置された第１サーモパイル２１及び第２サーモパイル２２と、半導体基板１１０に形成され、第１サーモパイル２１に接続された第１配線４３と、半導体基板１１０に形成され、第２サーモパイル２２に接続された第２配線５３と、を備える。配線（第１配線及び第２配線のうちの一方の配線）５３は、第１部分（本体部分）３２１及び第２部分（本体部分）３２２と、第１部分３２１及び第２部分３２２とは異なる配線層（第３層１１７）に形成されたジャンパ（第１ジャンパ、第３配線）３２３とを有する。第１配線４３（第１配線及び第２配線のうちの他方の配線）は、第１配線４３の抵抗値と第２配線５３の抵抗値とが等しくなるように形成されたジャンパ（抵抗部）３３３を有する。

　このようなフローセンサ１００では、第１配線４３の抵抗値と第２配線５３の抵抗値とが等しくなるようにジャンパ３３が形成されていることにより、第１サーモパイル２１及び第２サーモパイル２２に接続された配線の抵抗値やヒータ１０の熱分布の不均一を改善することができる。これにより、フローセンサ１００における検出精度の向上を図ることができる。「等しく」とは、略等しい場合を含み、例えば、９０％以上１１０％以下の範囲でもよい。

　第１配線４３は、第１サーモパイル２１の冷接点２１ｂに接続された端部４３ｃから第２配線５３との境界点Ｃ１１まででもよい。第２配線５３は、第２サーモパイル２２の冷接点２２ｂに接続された端部５３ｃから第１配線４３との境界点Ｃ１１まででもよい。境界点Ｃ１１は、第１配線４３及び第２配線５３が延在する方向において、端部４３ｃと端部５３ｃと間の中間位置でもよく、Ｙ軸方向においてヒータ１０に対応する位置でもよい。フローセンサ１００では、第１配線４３の抵抗値と第２配線５３の抵抗値とが等しくなるようにジャンパ３３３が形成されている。

　フローセンサ１００において、ジャンパ（第４配線、第２ジャンパ）３３３は、ジャンパ（第３配線）３２３と同じ第３層１１７に形成されている。ジャンパ３２３，３３３が同じ配線層に形成されていることにより、製造工程の簡素化を図ることができる。

　フローセンサ１００において、ジャンパ３３３は、半導体基板１１０に形成された他の配線と交差していない。Ｚ軸方向に見て、ジャンパ３３３は、他の配線と交差していない。他の配線と交差していない部分に、ジャンパ３３３を設けることにより、第１サーモパイル２１に接続された第１配線４３の抵抗値と、第２サーモパイル２２に接続された第２配線５３の抵抗値とを等しくできる。その結果、フローセンサ１００における熱分布の不均一を改善することができ、検出精度の向上を図ることができる。

　フローセンサ１００において、ジャンパ３２３は、半導体基板１１０に形成された他の配線（第５配線６２の部分６２ｂ）と交差する。他の配線と交差する部分にジャンパ３２３を設けることにより、第１サーモパイル２１に接続された第１配線４３の抵抗値と、第２サーモパイル２２に接続された第２配線５３の抵抗値とを等しくできる。その結果、フローセンサ１００における熱分布の不均一を改善することができ、検出精度の向上を図ることができる。

　フローセンサ１００において、ジャンパ３２３の個数は、ジャンパ３３３の個数と等しくてもよい。この構造のフローセンサ１００では、第１配線４３の抵抗値と、第２配線５３の抵抗値とを等しくしやすい。

　フローセンサ１００において、ジャンパ３２３の長さは、ジャンパ３３３の長さと等しくてもよい。この構造のフローセンサ１００では、第１配線４３の抵抗値と、第２配線５３の抵抗値とを等しくしやすい。

　フローセンサ１００において、ジャンパ３２３の幅Ｗ３２３は、ジャンパ３３３の幅Ｗ３３３と等しくてもよい。この構造のフローセンサ１００では、第１配線４３の抵抗値と、第２配線５３の抵抗値とを等しくしやすい。また、ジャンパ３２３，３３３の長さを同一に揃える場合と比較して、ジャンパ３２３，３３３の幅Ｗ３２３，Ｗ３３３を同一に揃える場合の方が、抵抗値の均一化を図りやすい。ジャンパ３２３の抵抗値は、ジャンパ３２３と第２配線５３とを接続するコンタクト間の長さＬ３２３に起因するため、ジャンパ３２３の長手方向と交差する幅Ｗ３２３を調整する方が、抵抗値を調整しやすい。同様に、ジャンパ３３３の抵抗値は、ジャンパ３３３と第１配線４３とを接続するコンタクト間の長さＬ３３３に起因するため、ジャンパ３３３の長手方向と交差する幅Ｗ３３３を調整する方が、抵抗値を調整しやすい。そのため、ジャンパ３２３，３３３の幅Ｗ３２３，Ｗ３３３を同一に揃える場合の方が、ジャンパ３２３，３３３の長さを同一に揃える場合と比較して、抵抗値の均一化を図りやすい。

　なお、「ジャンパ３２３と第２配線５３とを接続するコンタクト間の長さＬ３２３」とは、ジャンパ３２３と第１部分３２１とが接触している部分と、ジャンパ３２３と第２部分３２２とが接触している部分との間の長さでもよい。「ジャンパ３３３と第１配線４３とを接続するコンタクト間の長さＬ３３３」とは、ジャンパ３３３と第１部分３３１とが接触している部分と、ジャンパ３３３と第２部分３３２とが接触している部分との間の長さでもよい。「コンタクト間の長さＬ３２３，Ｌ３３３」は、一方のコンタクト中心から他方のコンタクト中心までの距離でもよい。例えば、コンタクトが２列ある場合には、１列目のコンタクトと２列目のコンタクトの中間がコンタクト中心となる。

　フローセンサ１００において、ジャンパ３２３が延在する方向は、ジャンパ３３３が延在する方向と同じである。ジャンパ３２３，３３３の長手方向は、Ｙ軸方向に沿っている。このような構成のフローセンサ１００では、チップ（半導体基板１１０）内において、ジャンパ３２３，３３３の長手方向の向きを揃えることにより、半導体基板１１０の成膜時にウェハ内でばらつきが生じてもチップ内でのばらつきを抑制することができる。これにより、第１配線４３の抵抗値と、第２配線５３の抵抗値とを等しくしやすい。

　また、ジャンパ３２３，３３３の長手方向は、半導体基板１１０の長手方向（長辺）と同じ方向でもよい。これにより、第１配線４３の抵抗値と、第２配線５３の抵抗値の均一化を図ることができると共に、効率よくスペースに配置できる。「効率よくスペースに配置できる」とは、半導体基板１１０のスペースを有効に利用できることでもよい。

　フローセンサ１００において、ジャンパ３２３及びジャンパ３３３は、ヒータ１０と同じ材質でもよい。このように、ヒータ１０、ジャンパ３２３及びジャンパ３３３の材質を同じにすることにより、製造工程の簡素化を図ると共に、第１配線４３の抵抗値と、第２配線５３の抵抗値とを等しくしやすい。製造工程における簡素化を図り、フローセンサ１００を製造する際の製造時間の短縮を図ることができる。

　また、フローセンサ１００は、外部の回路に電気的に接続される端子（パッド）１５１，１５２を有する。端子１５１，１５２は、半導体基板１１０の一辺に配置され、一端が端子１５２に接続され、他端がヒータ１０に接続され、ヒータ１０を加熱するための配線７３には、ジャンパ３２３及びジャンパ３３３が形成されていなくてもよい。この構成のフローセンサ１００では、エレクトロマイグレーションの発生を防止できる。

　フローセンサ１００において、ジャンパ３２３及びジャンパ３３３は、ヒータ１０を基準としてＹ軸方向に対称となるように配置されていてもよい。この構造のフローセンサ１００によれば、ヒータ１０を基準としてＹ軸方向における配線の抵抗値及び熱分布の不均一を改善できる。その結果、検出精度の向上を図ることができる。

　また、フローセンサ１００は、ヒータ１０の端部（一端）１１に接続された一対第５配線６１，６２と、ヒータ１０の端部（他端）１２に接続された一対の第６配線７１，７２と、をさらに備えていてもよい。第５配線６１及び第５配線６２の部分６２ａは、ヒータ１０を基準としてＹ軸方向に対称となるように配置され、一対の第６配線７１，７２は、ヒータ１０を基準としてＹ軸方向に対称となるように配置されていてもよい。この構造のフローセンサ１００によれば、ヒータ１０を基準としてＹ軸方向における配線の抵抗値及び熱分布の不均一を改善できる。その結果、検出精度の向上を図ることができる。

　また、フローセンサ１００において、第５配線６１及び第６配線７１は、第１サーモパイル２１に対して平行でもよい。同様に、第５配線６２及び第６配線７２は、第２サーモパイル２２に対して平行でもよい。この構造のフローセンサ１００によれば、ヒータ１０を基準としてＸ軸方向における配線の抵抗値及び熱分布の不均一を改善できる。その結果、検出精度の向上を図ることができる。

　また、フローセンサ１００において、第５配線６１，６２及び第６配線７１，７２は、第１サーモパイル２１及び第２サーモパイル２２を基準としてＸ軸方向に対称となるように配置されてもよい。この構造のフローセンサ１００によれば、ヒータ１０を基準としてＸ軸方向における配線の抵抗値及び熱分布の不均一を改善できる。その結果、検出精度の向上を図ることができる。

　［第１１実施形態に係るフローセンサ１００Ｃ］
　次に第１１実施形態に係るフローセンサ１００Ｃについて説明する。図２９は、第１１実施形態に係るフローセンサ１００Ｃを例示する平面図である。第１１実施形態に係るフローセンサ１００Ｃが、上記の第１０実施形態に係るフローセンサ１００と違う点は、複数のジャンパ３４１～３４４を備えている点である。なお、第１１実施形態の説明において、上記の第１０実施形態及び参考形態に係るフローセンサ１００，１００Ｂと同様の説明は省略する場合がある。

　第１１実施形態に係るフローセンサ１００Ｃは、複数のジャンパ３４１～３４４を備える。複数のジャンパ３４１～３４４は、流量を検出する検出部２０以外の領域に設けられていてもよい。フローセンサ１００Ｃは、第２センサ２１０、第３センサ２２０、及び、測温抵抗体２３０を備える。第２センサ２１０は、気体の熱伝導率を検出するセンサでもよい。第３センサ２２０は、気体の熱量を検出するセンサでもよい。

　［ジャンパ３４１］
　ジャンパ３４１及びジャンパ３４２は、Ｙ軸方向において、第２センサ２１０が配置されている領域に配置されていてもよい。ジャンパ３４１は、例えば、配線９１の部分９１ｂと配線８１とが交差する交差部に設けられている。配線９１は、Ｘ軸方向に延在する部分９１ｂを含む。配線８１は、Ｙ軸方向に延在し、配線９１と交差するジャンパ３４１を有する。ジャンパ３４１は、ジャンパ３１３と同じ配線層（第３層１１７）に設けられている。

　［ジャンパ３４２］
　ジャンパ３４２は、例えば、配線９１と、第２センサ２１０に接続された配線４１１とが交差する交差部に設けられている。第２センサ２１０に接続された配線４１１は、Ｙ軸方向に延在する部分を含む。配線４１１は、Ｙ軸方向に延在し、配線９１の部分９１ｂと交差するジャンパ３４２を有する。ジャンパ３４２は、ジャンパ３４１と同じ配線層（第３層１１７）に設けられている。

　［ジャンパ３４３］
　ジャンパ３４３及びジャンパ３４４は、Ｙ軸方向において、第３センサ２２０が配置されている領域に配置されていてもよい。ジャンパ３４３は、例えば、配線９１の部分９１ｃと、第３センサ２２０に接続された配線４１２とが交差する交差部に設けられている。配線９１は、Ｘ軸方向に延在する部分９１ｃを含む。配線４１２は、Ｙ軸方向に延在し、配線９１の部分９１ｃと交差するジャンパ３４３を有する。ジャンパ３４３は、ジャンパ３４１と同じ配線層（第３層１１７）に設けられている。

　［ジャンパ３４４］
　ジャンパ３４４は、例えば、配線９１の部分９１ｄと、第３センサ２２０に接続された配線４１３とが交差する交差部に設けられている。配線９１は、Ｘ軸方向に延在する部分９１ｄを含む。配線４１３は、Ｙ軸方向に延在し、配線９１の部分９１ｄと交差するジャンパ３４４を有する。ジャンパ３４３は、ジャンパ３４３と同じ配線層（第３層１１７）に設けられている。

　このような第１１実施形態に係るフローセンサ１００Ｃにおいても、上記の第１０実施形態に係るフローセンサ１００と同様の作用効果を奏する。フローセンサ１００Ｃは、流量を検出する検出部２０が形成されている領域以外に形成されたジャンパ３４１～３４４を備えていてもよい。

　［変形例に係るフローセンサ１００］
　変形例に係るフローセンサ１００において、第１サーモパイル２１に接続された第１配線にジャンパが設けられ、第２サーモパイル２２に接続された第２配線に、抵抗部（第２ジャンパ３３３）が設けられていてもよい。

　なお、上記第１０実施形態及び第１１実施形態に挙げた構成等に対し、その他の構成要素が組み合わされるなどした他の実施形態であってもよく、ここで示した構成に本発明が何等限定されるものではない。この点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。

　なお、抵抗部は、第２ジャンパに限定されない。例えば、配線の一部の寸法や材質を変更することにより、第１配線の抵抗値と第２配線の抵抗値とが等しくなるように形成された抵抗部でもよい。

　以上、本発明の好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

　本発明の態様は、例えば以下の通りである。
＜１＞　周辺部と前記周辺部よりも薄いメンブレン部とを有する基板と、前記メンブレン部に配置されたヒータと、前記ヒータに対して対称に配置された複数のサーモパイルと、を有し、前記複数のサーモパイルは、第１配線と第２配線とを有し、前記第１配線と前記第２配線は、前記メンブレン部の上で接続され、かつ前記周辺部の上で接続され、前記第１配線は、第１部分と前記第１部分よりも太い第２部分とを有し、前記第２配線は、第３部分と前記第３部分よりも太い第４部分とを有し、前記第２部分及び前記第４部分は、前記メンブレン部と前記周辺部に跨るように配置されている、フローセンサである。
＜２＞　前記第１配線及び前記第２配線は、第１方向に延び、前記第１方向と交差する方向を第２方向とし、前記メンブレン部は、平面を有し、前記平面を上面視する方向を第３方向とし、前記メンブレン部と前記周辺部の境界において、前記第３方向から見たときに、前記第２方向における前記第２部分と前記第４部分の少なくとも一部が重なっている、前記＜１＞に記載のフローセンサである。
＜３＞　前記第１配線及び前記第２配線は、第１方向に延び、前記第１方向と交差する方向を第２方向とし、前記メンブレン部は平面を有し、前記平面を上面視する方向を第３方向とし、前記第３方向において、前記第２配線は、前記第１配線よりも上方に位置し、前記メンブレン部と前記周辺部の境界において、前記第３方向から見たときに、前記第２配線は、前記第１方向及び前記第２方向のそれぞれで前記第１配線に包含されている、前記＜１＞又は前記＜２＞に記載のフローセンサである。
＜４＞　前記第１配線及び前記第２配線は、第１方向に延び、前記第１方向と交差する方向を第２方向とし、前記メンブレン部は、平面を有し、前記平面を上面視する方向を第３方向とし、前記メンブレン部と前記周辺部の境界において、前記第３方向から見たときに、前記第２配線は、前記第１配線に対して、少なくとも前記第２方向においてずれるように配置されている、前記＜１＞又は前記＜２＞に記載のフローセンサである。
＜５＞　前記第１配線と前記第２配線の端部が重ならない、前記＜４＞に記載のフローセンサである。
＜６＞　ｎを１以上の整数とし、前記第１配線及び前記第２配線は、第１方向に延び、前記第１配線及び前記第２配線は、前記第１方向と交差する第２方向に一定の間隔で複数配置され、前記メンブレン部は平面を有し、前記平面を上面視する方向を第３方向とし、前記第３方向において、前記第２配線は、前記第１配線よりも上方に位置し、前記メンブレン部において、ｎ個目の前記第２配線とｎ個目の前記第１配線が第１点で接続され、前記周辺部において、ｎ個目の前記第２配線とｎ＋１個目の前記第１配線が第２点で接続されている、前記＜１＞から前記＜５＞のいずれか１つに記載のフローセンサである。
＜７＞　前記第２配線は、前記メンブレン部と前記周辺部の境界と前記第２点との間に、前記第４部分よりも細い第５部分を有する、前記＜６＞に記載のフローセンサである。
＜８＞　前記第１配線は、前記メンブレン部と前記周辺部の境界と前記第２点との間に、前記第２部分よりも細い第６部分を有する、前記＜７＞に記載のフローセンサである。
＜９＞　前記第１配線は、第１導電型のポリシリコン配線であり、前記第２配線は、前記第１導電型とは反対の第２導電型のポリシリコン配線であり、前記第３方向において、前記第１配線は、前記第１点で前記第２配線から露出しており、前記第１配線が露出している部分において、前記第１配線は第１コンタクトプラグに接続され、第３配線を介して第２コンタクトプラグにより前記第２配線に接続されており、前記第３方向において、前記第１配線は、前記第２点で前記第２配線から露出しており、前記第１配線が露出している部分において、前記第１配線は第３コンタクトプラグに接続され、第４配線を介して第４コンタクトプラグにより前記第２配線に接続されている、前記＜６＞に記載のフローセンサである。
＜１０＞　前記第２部分の抵抗は、前記第１部分の抵抗よりも低い、前記＜１＞から前記＜９＞のいずれか１つに記載のフローセンサである。
＜１１＞　前記第２部分の不純物濃度は前記第１部分の不純物濃度よりも高い、前記＜１＞から前記＜１０＞のいずれか１つに記載のフローセンサである。
＜１２＞　前記第１配線及び前記第２配線は、第１方向に延び、前記第１方向と交差する方向を第２方向とし、前記第２方向において、前記第１配線及び前記第２配線から電気的に独立し、前記第１方向において、前記メンブレン上の端部の位置が前記第２部分又は前記第４部分の端部の位置と同じである部材を有し、前記部材は、前記メンブレン部及び前記周辺部に跨るように配置されている、前記＜１＞から前記＜１１＞のいずれか１つに記載のフローセンサである。
＜１３＞　前記部材は、前記第１配線と同じ層に配置された第１層と、前記第２配線と同じ層に配置された第２層と、を有する、前記＜１２＞に記載のフローセンサである。
＜１４＞　前記部材は、前記メンブレン部と前記周辺部の境界を露出させるスリットを有する、前記＜１２＞に記載のフローセンサである。
＜１５＞前記メンブレン部は、平面を有し、前記平面を上面視する方向を第３方向とし、　前記第１層は、前記第２方向に所定の間隔で配置された複数の第１の層部分を有し、前記第２層は、前記第２方向に所定の間隔で配置された複数の第２の層部分と、前記第１の層部分と前記第２の層部分とを接続する複数の接続部と、を有し、隣り合う前記第１の層部分間の間隔、並びに、隣り合う前記第２の層部分間の間隔が前記第３方向において重なることによりスリットを形成している、前記＜１３＞に記載のフローセンサである。
＜１６＞　基板と、
　前記基板に配置され、平面視において、流体の流れ方向である第１方向と交差する第２方向に延びるヒータと、
　それぞれが前記基板に配置され、かつ、前記第１方向において前記ヒータを挟むように配置される第１温度検出部及び第２温度検出部を含む検出部と、
　前記ヒータの一端に接続される第１配線と、
　前記ヒータの他端に接続される第２配線と、
　を備え、
　前記第１配線は、前記第１温度検出部の隣に位置する第１部分と、前記第２温度検出部の隣に位置し、かつ、前記ヒータを基準に前記第１部分と対称に位置する第２部分と、を有し、
　前記第２配線は、前記第１温度検出部の隣に位置する第３部分と、前記第２温度検出部の隣に位置し、かつ、前記ヒータを基準に前記第３部分と対称に位置する第４部分と、を有する、
　フローセンサ。
＜１７＞　前記第１部分及び前記第３部分は、前記第２方向における前記ヒータの中央点を基準に対称に位置する、
　前記＜１６＞に記載のフローセンサ。
＜１８＞　前記第１部分及び前記第３部分は、前記第１方向に平行に延びる、
　前記＜１６＞又は前記＜１７＞に記載のフローセンサ。
＜１９＞　前記第２部分及び前記第４部分は、前記第２方向における前記ヒータの中央点を基準に対称に位置する、
　前記＜１６＞から前記＜１８＞のいずれか１つに記載のフローセンサ。
＜２０＞　前記第２部分及び前記第４部分は、前記第１方向に平行に延びる、
　前記＜１９＞に記載のフローセンサ。
＜２１＞　前記第１配線の前記第２部分側の端部及び前記第２配線の前記第４部分側の端部は、それぞれ終端し、かつ、前記第１方向において同じ位置にある、
　前記＜２０＞に記載のフローセンサ。
＜２２＞　前記第１温度検出部及び前記第２温度検出部は、温接点を有するサーモパイルであり、
　前記第１配線の前記第１部分及び前記第２配線の前記第３部分は、前記第２方向において、前記第１温度検出部の前記温接点と並び、
　前記第１配線の前記第２部分及び前記第２配線の前記第４部分は、前記第２方向において、前記第２温度検出部の前記温接点と並ぶ、
　前記＜１６＞から前記＜２１＞のいずれか１つに記載のフローセンサ。
＜２３＞　前記第１配線の熱抵抗値及び前記第２配線の熱抵抗値は、前記ヒータの熱抵抗値より小さい、
　前記＜１６＞から前記＜２２＞のいずれか１つに記載のフローセンサ。
＜２４＞　前記第１配線及び前記第２配線の高さ方向における位置は、前記ヒータの前記高さ方向における位置と同じであり、
　前記第１配線の前記第１部分側の端部及び前記第２部分側の端部は、それぞれ終端し、
　前記第２配線の前記第３部分側の端部及び前記第４部分側の端部は、それぞれ終端し、
　前記第１配線の前記第１方向における長さは、前記第２配線の前記第１方向における長さと同じである、
　前記＜１６＞から前記＜２３＞のいずれか１つに記載のフローセンサ。
＜２５＞　前記第１温度検出部及び前記第２温度検出部は、複数の温接点を有するサーモパイルであり、
　前記フローセンサは、
　前記検出部から出力される検出信号を処理する信号処理回路と接続される複数の端子と、
　前記ヒータ、前記第１配線、及び前記第２配線より上方に配置され、かつ、前記第１温度検出部及び前記第２温度検出部の少なくとも一方が有する複数の前記温接点のうち、前記第２配線の最も近くに位置する前記温接点に接続される第３配線と、
　をさらに備え、
　前記第３配線は、複数の前記端子のうちの少なくとも１つと、前記第２配線の最も近くに位置する前記温接点とを接続し、かつ、平面視において、前記第２配線の一部と重なる、
　前記＜２４＞に記載のフローセンサ。
＜２６＞　前記基板は、薄膜部と、平面視において前記薄膜部を囲むように配置される周辺部と、を有し、
　前記第１配線の前記第１部分及び前記第２部分、並びに、前記第２配線の前記第３部分及び前記第４部分のそれぞれは、前記周辺部上に位置し、かつ、前記薄膜部と前記周辺部との境界の近傍に位置する、
　前記＜１６＞から前記＜２５＞のいずれか１つに記載のフローセンサ。

　この出願は、２０２４年１０月７日に日本国特許庁に出願された日本国特許出願第２０２４－１７６０７３号、２０２４年１１月８日に日本国特許庁に出願された日本国特許出願第２０２４－１９６１１９号、及び２０２５年１月７日に日本国特許庁に出願された日本国特許出願第２０２５－００２２６２号に基づいて、それらの優先権を主張するものであり、この日本国特許出願の全内容を含む。

１・・・基板、２・・・ヒータ、３・・・サーモパイル、４・・・部材、１０・・・センサパッド、１１・・・周辺部、１２・・・メンブレン部、１３・・・保護膜、２１・・・ヒータパッド、３１、３１ｎ、３１ｎ＋１・・・第１配線、３２、３２ｎ・・・第２配線、３３・・・第１点、３４・・・第２点、３５、３５－１・・・ヒートシンク部、４０・・・端部、４１・・・第１層、４２・・・第２層、４３・・・スリット、１００・・・フローセンサ、１１０・・・上面、１１１・・・支持部、１１２・・・上部、１２０・・・境界、３１１・・・第１部分、３１２・・・第２部分、３１３・・・第６部分、３２１・・・第３部分、３２２・・・第４部分、３２３・・・第５部分、３２４・・・第７部分、３３０・・・第１コンタクトプラグ、３４０・・・第２コンタクトプラグ、３５０・・・ヒートシンク端、４１１・・・第１の層部分、４２１・・・第２の層部分、４２２・・・接続部、ｄ１・・・第１間隔、ｄ２・・・第２間隔、ＬＨ・・・ヒートシンク長さ、ＬＭ・・・メンブレン長さ、ＰＬ・・・長さ
１，１Ａ・・・フローセンサ、１０・・・基板、１１１・・・薄膜部、１１２・・・周辺部、２０，２０Ａ・・・ヒータ、２０ＣＰ・・・中央点、２１，２１ａ・・・ヒータの一端、２２，２２ａ・・・ヒータの他端、３０・・・検出部、３１・・・第１サーモパイル、３１３・・・第１サーモパイルの温接点、３１４・・・第１サーモパイルの冷接点、３２・・・第２サーモパイル、３２３・・・第２サーモパイルの温接点、３２４・・・第２サーモパイルの冷接点、４０，４０Ａ・・・第１配線、４１，４１Ａ・・・第１部分、４１Ｔ・・・第１部分側の端部、４２・・・第２部分、４２Ｔ・・・第２部分側の端部、５０，５０Ａ・・・第２配線、５１，５１Ａ・・・第３部分、５１Ｔ・・・第３部分側の端部、５２，５２Ａ・・・第４部分、５２Ｔ・・・第４部分側の端部、６１ａ～６１ｆ・・・端子、７０ａ，７０ｂ・・・第３配線、７５ａ，７５ｂ・・・第４配線
１００，１００Ｃ：フローセンサ、１０：ヒータ、１１：端部（ヒータの一端）、１２：端部（ヒータの他端）、２１：第１サーモパイル、２２：第２サーモパイル、４３：第１配線、５３：第２配線、６１：第５配線、６２：第５配線、７１：第６配線、７２：第６配線、１１０：半導体基板、１１７：第３層（配線層）、１２０：薄膜部、３２１：第１部分（第２配線の本体部分）、３２２：第２部分（第２配線の本体部分）、３２３：ジャンパ（第１ジャンパ、第３配線）、３３３：ジャンパ（第２ジャンパ、第４配線、抵抗部）、Ｘ…Ｘ軸方向（第１方向）、Ｙ…Ｙ軸方向（第２方向、流路方向）、Ｚ…Ｚ軸方向。

Claims (40)

1. 　周辺部と前記周辺部よりも薄いメンブレン部とを有する基板と、
   　前記メンブレン部に配置されたヒータと、
   　前記ヒータに対して対称に配置された複数のサーモパイルと、を有し、
   　前記複数のサーモパイルは、第１配線と第２配線とを有し、
   　前記第１配線と前記第２配線は、前記メンブレン部の上で接続され、かつ、前記周辺部の上で接続され、
   　前記第１配線は、第１部分と前記第１部分よりも太い第２部分とを有し、
   　前記第２配線は、第３部分と前記第３部分よりも太い第４部分とを有し、
   　前記第２部分及び前記第４部分は、前記メンブレン部と前記周辺部に跨るように配置されている、フローセンサ。
2. 　前記第１配線及び前記第２配線は、第１方向に延び、
   　前記第１方向と交差する方向を第２方向とし、
   　前記メンブレン部は、平面を有し、前記平面を上面視する方向を第３方向とし、
   　前記メンブレン部と前記周辺部の境界において、前記第３方向から見たときに、前記第２方向における前記第２部分と前記第４部分の少なくとも一部が重なっている、請求項１に記載のフローセンサ。
3. 　前記第１配線及び前記第２配線は、第１方向に延び、
   　前記第１方向と交差する方向を第２方向とし、
   　前記メンブレン部は平面を有し、前記平面を上面視する方向を第３方向とし、
   　前記第３方向において、前記第２配線は、前記第１配線よりも上方に位置し、
   　前記メンブレン部と前記周辺部の境界において、前記第３方向から見たときに、前記第２配線は、前記第１方向及び前記第２方向のそれぞれにおいて前記第１配線に包含されている、請求項１又は請求項２に記載のフローセンサ。
4. 　前記第１配線及び前記第２配線は、第１方向に延び、
   　前記第１方向と交差する方向を第２方向とし、
   　前記メンブレン部は、平面を有し、前記平面を上面視する方向を第３方向とし、
   　前記メンブレン部と前記周辺部の境界において、前記第３方向から見たときに、前記第２配線は、前記第１配線に対して、少なくとも前記第２方向においてずれるように配置されている、請求項１又は請求項２に記載のフローセンサ。
5. 　前記第１配線と前記第２配線の端部が重ならない、
   請求項４に記載のフローセンサ。
6. 　ｎを１以上の整数とし、
   　前記第１配線及び前記第２配線は、第１方向に延び、
   　前記第１配線及び前記第２配線は、前記第１方向と交差する第２方向に一定の間隔で複数配置され、
   　前記メンブレン部は平面を有し、前記平面を上面視する方向を第３方向とし、
   　前記第３方向において、前記第２配線は、前記第１配線よりも上方に位置し、
   　前記メンブレン部において、ｎ個目の前記第２配線とｎ個目の前記第１配線が第１点で接続され、
   　前記周辺部において、ｎ個目の前記第２配線とｎ＋１個目の前記第１配線が第２点で接続されている、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のフローセンサ。
7. 　前記第２配線は、前記メンブレン部と前記周辺部の境界と前記第２点との間に、前記第４部分よりも細い第５部分を有する、請求項６に記載のフローセンサ。
8. 　前記第１配線は、前記メンブレン部と前記周辺部の境界と前記第２点との間に、前記第２部分よりも細い第６部分を有する、請求項７に記載のフローセンサ。
9. 　前記第１配線は、第１導電型のポリシリコン配線であり、
   　前記第２配線は、前記第１導電型とは反対の第２導電型のポリシリコン配線であり、
   　前記第３方向において、前記第１配線は、前記第１点で前記第２配線から露出しており、
   　前記第１配線が露出している部分において、前記第１配線は第１コンタクトプラグに接続され、第３配線を介して第２コンタクトプラグにより前記第２配線に接続されており、
   　前記第３方向において、前記第１配線は、前記第２点で前記第２配線から露出しており、
   　前記第１配線が露出している部分において、前記第１配線は第３コンタクトプラグに接続され、第４配線を介して第４コンタクトプラグにより前記第２配線に接続されている、請求項６に記載のフローセンサ。
10. 　前記第２部分の抵抗は、前記第１部分の抵抗よりも低い、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のフローセンサ。
11. 　前記第２部分の不純物濃度は前記第１部分の不純物濃度よりも高い、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のフローセンサ。
12. 　前記第１配線及び前記第２配線は、第１方向に延び、
    　前記第１方向と交差する方向を第２方向とし、
    　前記第２方向において、前記第１配線及び前記第２配線から電気的に独立し、前記第１方向において、前記メンブレン部上の端部の位置が前記第２部分又は前記第４部分の端部の位置と同じである部材を有し、
    　前記部材は、前記メンブレン部及び前記周辺部に跨るように配置されている、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のフローセンサ。
13. 　前記部材は、前記第１配線と同じ層に配置された第１層と、前記第２配線と同じ層に配置された第２層と、を有する、請求項１２に記載のフローセンサ。
14. 　前記部材は、前記メンブレン部と前記周辺部の境界を露出させるスリットを有する、請求項１２に記載のフローセンサ。
15. 前記メンブレン部は、平面を有し、前記平面を上面視する方向を第３方向とし、
    　前記第１層は、前記第２方向に所定の間隔で配置された複数の第１の層部分を有し、
    　前記第２層は、前記第２方向に所定の間隔で配置された複数の第２の層部分と、前記第１の層部分と前記第２の層部分とを接続する複数の接続部と、を有し、
    　隣り合う前記第１の層部分間の間隔、並びに、隣り合う前記第２の層部分間の間隔が前記第３方向において重なることによりスリットを形成している、請求項１３に記載のフローセンサ。
16. 　基板と、
    　前記基板に配置され、平面視において、流体の流れ方向である第１方向と交差する第２方向に延びるヒータと、
    　それぞれが前記基板に配置され、かつ、前記第１方向において前記ヒータを挟むように配置される第１温度検出部及び第２温度検出部を含む検出部と、
    　前記ヒータの一端に接続される第１配線と、
    　前記ヒータの他端に接続される第２配線と、
    　を備え、
    　前記第１配線は、前記第１温度検出部の隣に位置する第１部分と、前記第２温度検出部の隣に位置し、かつ、前記ヒータを基準に前記第１部分と対称に位置する第２部分と、を有し、
    　前記第２配線は、前記第１温度検出部の隣に位置する第３部分と、前記第２温度検出部の隣に位置し、かつ、前記ヒータを基準に前記第３部分と対称に位置する第４部分と、を有する、
    　フローセンサ。
17. 　前記第１部分及び前記第３部分は、前記第２方向における前記ヒータの中央点を基準に対称に位置する、
    　請求項１６に記載のフローセンサ。
18. 　前記第１部分及び前記第３部分は、前記第１方向に平行に延びる、
    　請求項１６又は請求項１７に記載のフローセンサ。
19. 　前記第２部分及び前記第４部分は、前記第２方向における前記ヒータの中央点を基準に対称に位置する、
    　請求項１６から請求項１８のいずれか１項に記載のフローセンサ。
20. 　前記第２部分及び前記第４部分は、前記第１方向に平行に延びる、
    　請求項１９に記載のフローセンサ。
21. 　前記第１配線の前記第２部分側の端部及び前記第２配線の前記第４部分側の端部は、それぞれ終端し、かつ、前記第１方向において同じ位置にある、
    　請求項２０に記載のフローセンサ。
22. 　前記第１温度検出部及び前記第２温度検出部は、温接点を有するサーモパイルであり、
    　前記第１配線の前記第１部分及び前記第２配線の前記第３部分は、前記第２方向において、前記第１温度検出部の前記温接点と並び、
    　前記第１配線の前記第２部分及び前記第２配線の前記第４部分は、前記第２方向において、前記第２温度検出部の前記温接点と並ぶ、
    　請求項１６から請求項２１のいずれか１項に記載のフローセンサ。
23. 　前記第１配線の熱抵抗値及び前記第２配線の熱抵抗値は、前記ヒータの熱抵抗値より小さい、
    　請求項１６から請求項２２のいずれか１項に記載のフローセンサ。
24. 　前記第１配線及び前記第２配線の高さ方向における位置は、前記ヒータの前記高さ方向における位置と同じであり、
    　前記第１配線の前記第１部分側の端部及び前記第２部分側の端部は、それぞれ終端し、
    　前記第２配線の前記第３部分側の端部及び前記第４部分側の端部は、それぞれ終端し、
    　前記第１配線の前記第１方向における長さは、前記第２配線の前記第１方向における長さと同じである、
    　請求項１６から請求項２３のいずれか１項に記載のフローセンサ。
25. 　前記第１温度検出部及び前記第２温度検出部は、複数の温接点を有するサーモパイルであり、
    　前記フローセンサは、
    　前記検出部から出力される検出信号を処理する信号処理回路と接続される複数の端子と、
    　前記ヒータ、前記第１配線、及び前記第２配線より上方に配置され、かつ、前記第１温度検出部及び前記第２温度検出部の少なくとも一方が有する複数の前記温接点のうち、前記第２配線の最も近くに位置する前記温接点に接続される第３配線と、
    　をさらに備え、
    　前記第３配線は、複数の前記端子のうちの少なくとも１つと、前記第２配線の最も近くに位置する前記温接点とを接続し、かつ、平面視において、前記第２配線の一部と重なる、
    　請求項２４に記載のフローセンサ。
26. 　前記基板は、薄膜部と、平面視において前記薄膜部を囲むように配置される周辺部と、を有し、
    　前記第１配線の前記第１部分及び前記第２部分、並びに、前記第２配線の前記第３部分及び前記第４部分のそれぞれは、前記周辺部上に位置し、かつ、前記薄膜部と前記周辺部との境界の近傍に位置する、
    　請求項１６から請求項２５のいずれか１項に記載のフローセンサ。
27. 　薄膜部を有する半導体基板と、
    　前記薄膜部に形成され、第１方向に延びるヒータと、
    　前記薄膜部に形成され、前記ヒータから所定距離をおいて前記第１方向に交差する第２方向に、前記ヒータを挟むように配置された第１サーモパイル及び第２サーモパイルと、
    　前記半導体基板に形成され、前記第１サーモパイルに接続された第１配線と、
    　前記半導体基板に形成され、前記第２サーモパイルに接続された第２配線と、を備え、
    　前記第１配線及び前記第２配線のうちの一方の配線は、本体部分と、前記本体部分とは異なる配線層に形成された第３配線を含む第１ジャンパとを有し、
    　前記第１配線及び前記第２配線のうちの他方の配線は、前記第１配線の抵抗値と前記第２配線の抵抗値とが等しくなるように形成された抵抗部を有するフローセンサ。
28. 　前記抵抗部は、前記第３配線と同じ配線層に形成された第４配線を含む第２ジャンパを有する請求項２７に記載のフローセンサ。
29. 　前記第２ジャンパは、前記半導体基板に形成された他の配線と交差していない請求項２８に記載のフローセンサ。
30. 　前記第１ジャンパは、前記半導体基板に形成された他の配線と交差する請求項２９に記載のフローセンサ。
31. 　前記第１ジャンパの個数は、前記第２ジャンパの個数と等しい請求項２８に記載のフローセンサ。
32. 　前記第３配線の長さは、前記第４配線の長さと等しい請求項２８に記載のフローセンサ。
33. 　前記第３配線の幅は、前記第４配線の幅と等しい請求項２８に記載のフローセンサ。
34. 　前記第３配線が延在する方向は、前記第４配線が延在する方向と同じである請求項２８に記載のフローセンサ。
35. 　前記第３配線及び前記第４配線は、前記ヒータと同じ材質である請求項２８に記載のフローセンサ。
36. 　外部の回路に電気的に接続されるパッドを有し、
    　前記パッドは、前記半導体基板の一辺に配置され、
    　一端が前記パッドに接続され、他端が前記ヒータに接続され、前記ヒータを加熱するための配線には、前記第１ジャンパ及び前記第２ジャンパが形成されていない請求項２８に記載のフローセンサ。
37. 　前記第１ジャンパ及び前記第２ジャンパは、前記ヒータを基準として前記第２方向に対称となるように配置されている請求項２８に記載のフローセンサ。
38. 　前記ヒータの一端に接続された一対の第５配線と、
    　前記ヒータの他端に接続された一対の第６配線と、をさらに備え、
    　前記一対の第５配線は、前記ヒータを基準として前記第２方向に対称となるように配置され、
    　前記一対の第６配線は、前記ヒータを基準として前記第２方向に対称となるように配置されている請求項２７に記載のフローセンサ。
39. 　前記第５配線及び前記第６配線は、前記第１サーモパイル及び前記第２サーモパイルに対して平行である請求項３８に記載のフローセンサ。
40. 　前記第５配線及び前記第６配線は、前記第１サーモパイル及び前記第２サーモパイルを基準として前記第１方向に対称となるように配置されている請求項３９に記載のフローセンサ。