WO2025263183A1 - フィルタ装置 - Google Patents

フィルタ装置

Info

Publication number
WO2025263183A1
WO2025263183A1 PCT/JP2025/017811 JP2025017811W WO2025263183A1 WO 2025263183 A1 WO2025263183 A1 WO 2025263183A1 JP 2025017811 W JP2025017811 W JP 2025017811W WO 2025263183 A1 WO2025263183 A1 WO 2025263183A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
piezoelectric layer
filter device
series arm
resonators
arm resonators
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
PCT/JP2025/017811
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
優太 石井
拓郎 岡田
克也 大門
峰文 大内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of WO2025263183A1 publication Critical patent/WO2025263183A1/ja
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to a filter device having multiple acoustic wave resonators.
  • filter devices with acoustic wave resonators have been widely used in mobile phones and other devices.
  • a filter device with multiple resonators using horizontal shear acoustic modes has been proposed, as described in Patent Document 1 below.
  • the multiple resonators include series arm resonators and shunt resonators.
  • Each of the multiple resonators in Patent Document 1 is configured by providing an IDT (Interdigital Transducer) on a piezoelectric plate.
  • the piezoelectric plate is provided on a substrate. More specifically, a cavity is formed in the substrate. The piezoelectric plate is suspended from the substrate so as to pass over the cavity.
  • the IDT has multiple fingers. Adjacent fingers are connected to different potentials. By applying an AC voltage between adjacent fingers, bulk waves in thickness-shear mode, which act as horizontal shear acoustic modes, are excited.
  • each resonator of a filter device such as that described in Patent Document 1
  • heat is generated as elastic waves such as thickness-shear mode bulk waves are excited. More specifically, the regions of the piezoelectric plate where elastic waves are excited become heat sources. The areas near these heat sources face the cavity. This makes it difficult for heat to be released to the outside, and there is a risk that the temperature of each IDT will become excessively high. As a result, it is difficult to achieve a sufficiently high power durability in the above-mentioned filter device.
  • the object of the present invention is to provide a filter device that can withstand high power.
  • the filter device has a piezoelectric substrate including a piezoelectric layer, and includes a plurality of acoustic wave resonators each having an IDT electrode provided on the piezoelectric layer, the IDT electrode having a plurality of electrode fingers, and when the direction in which the plurality of electrode fingers extend is defined as the electrode finger extension direction and the direction perpendicular to the electrode finger extension direction is defined as the electrode finger orthogonal direction, a region where adjacent electrode fingers overlap in the electrode finger orthogonal direction is a crossing region, and the dimension of the crossing region along the electrode finger extension direction is a crossing width, the plurality of acoustic wave resonators include at least one series arm resonator and at least one parallel arm resonator, and the crossing width of at least one of the series arm resonators is narrower than the crossing widths of all of the parallel arm resonators.
  • the filter device according to the present invention can improve power durability.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing an acoustic wave resonator according to a first preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a circuit diagram of a filter device according to a reference example.
  • FIG. 5 is a diagram showing the power consumption in the band between the resonant frequency and the anti-resonant frequency in each series arm resonator of the reference example.
  • FIG. 6 is a diagram showing the power consumption in the band between the resonant frequency and the anti-resonant frequency in each parallel arm resonator of the reference example.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the overlap width A of an elastic wave resonator and the temperature difference ⁇ T of the elastic wave resonator before and after power is applied to the elastic wave resonator.
  • FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the cross width A and the return loss at 4.65 GHz.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG.
  • FIG. 10 is a schematic front cross-sectional view of an elastic wave resonator according to a first modified example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic front cross-sectional view of an elastic wave resonator according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic plan view of an elastic wave resonator according to a third modified example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a circuit diagram of a filter device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic plan view of a filter device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic diagram of a filter device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 17 is a schematic front cross-sectional view showing a part of a filter device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a schematic diagram of a filter device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a graph showing the relationship between d/p and the bandwidth fraction of an elastic wave resonator.
  • FIG. 20 is a graph showing the relationship between the bandwidth ratio and the magnitude of normalized spurious signals in an acoustic wave resonator.
  • FIG. 21 is a diagram showing the relationship between d/p, metallization ratio MR, and fractional bandwidth.
  • FIG. 22 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth versus the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO 3 when d/p approaches 0 as close as possible.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • the filter device 1 is a ladder-type filter.
  • the filter device 1 has a first signal terminal 11A, a second signal terminal 11B, and a plurality of acoustic wave resonators.
  • the second signal terminal 11B is an antenna terminal.
  • the antenna terminal is connected to an antenna. Note that the second signal terminal 11B does not necessarily have to be an antenna terminal.
  • the multiple acoustic wave resonators include multiple series arm resonators and multiple parallel arm resonators.
  • the multiple series arm resonators are specifically series arm resonators S1a, S1b, S2a, S2b, S3a, S3b, and S4.
  • the multiple parallel arm resonators are specifically parallel arm resonators P1a, P1b, P2a, P2b, P3a, P3b, P4a, P4b, P4c, and P4d.
  • a series arm connects the first signal terminal 11A and the second signal terminal 11B.
  • Each series arm resonator is arranged in the series arm.
  • multiple parallel arms connect the series arm and ground potential.
  • Each parallel arm resonator is arranged in the parallel arm.
  • the multiple acoustic wave resonators in the filter device may include at least one series arm resonator and at least one parallel arm resonator.
  • the specific configuration of the filter device 1 of this embodiment is shown below.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of a filter device according to the first embodiment.
  • the IDT electrodes which will be described later, are shown as a simplified rectangle with two diagonal lines added. This is also true for other schematic plan views.
  • the filter device 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 is a substrate that has piezoelectric properties. Specifically, the piezoelectric substrate 2 is a laminated substrate that includes a piezoelectric layer 6. However, the piezoelectric substrate 2 may also be a substrate consisting of only the piezoelectric layer 6.
  • the piezoelectric layer 6 may be made of, for example, lithium niobate such as LiNbO3 , or lithium tantalate such as LiTaO3 .
  • the piezoelectric layer 6 is made of lithium niobate.
  • the expression "a certain member is made of a certain material" includes cases where a small amount of impurities are contained to the extent that the electrical characteristics of the elastic wave resonator are not significantly deteriorated.
  • the piezoelectric layer 6 has a first principal surface 6a and a second principal surface 6b.
  • the first principal surface 6a and the second principal surface 6b face each other.
  • a first signal terminal 11A, a second signal terminal 11B, and a plurality of ground terminals 12 are provided on the first principal surface 6a of the piezoelectric layer 6.
  • the ground terminals 12 are terminals connected to the ground potential.
  • Each of the above terminals is configured as an electrode pad. However, each of the above terminals may also be configured as wiring.
  • a plurality of IDT electrodes 7 are provided on the first main surface 6a of the piezoelectric layer 6. This forms a plurality of elastic wave resonators. That is, each of the elastic wave resonators has an IDT electrode 7.
  • the elastic wave resonators share the same piezoelectric substrate 2 and piezoelectric layer 6. A specific configuration of the elastic wave resonator in this embodiment is shown with reference to Figure 3.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing an elastic wave resonator according to the first embodiment. Note that other elastic wave resonators are omitted from FIG. 3.
  • the acoustic wave resonator shown in FIG. 3 is a series arm resonator S1a.
  • the IDT electrode 7 of the series arm resonator S1a has a pair of bus bars and multiple electrode fingers.
  • the pair of bus bars is specifically a first bus bar 16 and a second bus bar 17.
  • the first bus bar 16 and the second bus bar 17 face each other.
  • the multiple electrode fingers are specifically a multiple first electrode fingers 18 and a multiple second electrode fingers 19.
  • One end of each of the multiple first electrode fingers 18 is connected to the first bus bar 16.
  • One end of each of the multiple second electrode fingers 19 is connected to the second bus bar 17.
  • the multiple first electrode fingers 18 and the multiple second electrode fingers 19 are interdigitated with each other.
  • the first electrode fingers 18 and the second electrode fingers 19 are connected to different potentials.
  • the IDT electrode 7 may be made of a laminated metal film or a single-layer metal film.
  • first electrode fingers 18 and the second electrode fingers 19 may be collectively referred to simply as electrode fingers.
  • the first bus bar 16 and the second bus bar 17 may be collectively referred to simply as bus bars.
  • the direction in which the multiple electrode fingers extend is referred to as the electrode finger extension direction, and the direction perpendicular to the electrode finger extension direction is referred to as the electrode finger perpendicular direction.
  • the series arm resonator S1a has an intersection region F.
  • the intersection region F is a region where adjacent first electrode fingers 18 and second electrode fingers 19 overlap in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • the dimension of the intersection region F along the electrode finger extension direction will be referred to as the intersection width A.
  • the intersection region F includes multiple excitation regions C. More specifically, the excitation region C is the region where adjacent first electrode fingers 18 and second electrode fingers 19 overlap in the direction perpendicular to the electrode fingers, and is the region between the centers of adjacent first electrode fingers 18 and second electrode fingers 19.
  • the intersection region F and excitation region C are regions of the piezoelectric layer 6 that are defined based on the configuration of the IDT electrode 7. Note that Figure 3 shows only two of the multiple excitation regions C in the series arm resonator S1a.
  • the series arm resonator S1a is an elastic wave resonator configured to enable thickness-shear mode bulk waves to be used as the main mode. By applying an AC voltage to the IDT electrode 7, thickness-shear mode bulk waves are excited in each excitation region C. More specifically, in the series arm resonator S1a, where d is the thickness of the piezoelectric layer 6 and p is the center-to-center distance between adjacent first and second electrode fingers 18 and 19, d/p is 0.5 or less. This allows thickness-shear mode bulk waves to be suitably excited in each excitation region C.
  • the multiple series arm resonators and multiple parallel arm resonators other than the series arm resonator S1a shown in FIG. 1 are also elastic wave resonators configured to utilize thickness-shear mode bulk waves.
  • Each of the multiple elastic wave resonators of the filter device 1 has an IDT electrode 7, a crossing region F, and multiple excitation regions C.
  • the electrode fingers of all the elastic wave resonators are orthogonal to each other in the same direction. Note that the design parameters of the multiple elastic wave resonators of the filter device 1 may be different depending on the desired characteristics.
  • a feature of this embodiment is that the crossover width A of at least one series arm resonator is narrower than the crossover width A of all parallel arm resonators. This increases the power durability of the filter device 1. This is explained below with reference to a reference example.
  • the circuit configuration of the filter device 101 of the reference example shown in Figure 4 is similar to the circuit configuration of the first embodiment in that four parallel arms are connected to a series arm. First, the details of the circuit configuration of the first embodiment will be described.
  • a series arm connects the first signal terminal 11A and the second signal terminal 11B.
  • Each series arm resonator is arranged in the series arm. Specifically, in the series arm, series arm resonators S1a and S1b are connected in parallel to each other. Series arm resonators S2a and S2b are connected in parallel to each other. Series arm resonators S3a and S3b are connected in parallel to each other.
  • a group of resonators consisting of series arm resonators S1a and S1b, a group of resonators consisting of series arm resonators S2a and S2b, a group of resonators consisting of series arm resonators S3a and S3b, and series arm resonator S4 are connected in series with one another.
  • the series arm resonator S1a, series arm resonator S2a, series arm resonator S3a, and series arm resonator S4 are arranged in this order.
  • Parallel arm resonators P1a and P1b are connected in parallel between the connection point between series arm resonators S1a and S2a and ground potential.
  • Parallel arm resonators P2a and P2b are connected in parallel between the connection point between series arm resonators S2a and S3a and ground potential.
  • Parallel arm resonators P3a and P3b are connected in parallel between the connection point between series arm resonators S3a and S4 and ground potential.
  • Parallel arm resonators P4a, P4b, P4c, and P4d are connected in parallel between the second signal terminal 11B and ground potential.
  • the filter device 101 of the reference example shown in FIG. 4 does not include resonators connected in parallel.
  • the series arm resonators S101, S102, S103, and S104 are connected in series with each other.
  • the parallel arm resonator P101 is connected between the connection point between the series arm resonators S101 and S102 and ground potential.
  • the parallel arm resonator P102 is connected between the connection point between the series arm resonators S102 and S103 and ground potential.
  • the parallel arm resonator P103 is connected between the connection point between the series arm resonators S103 and S104 and ground potential.
  • the parallel arm resonator P104 is connected between the second signal terminal 11B and ground potential.
  • all of the series arm resonators and all of the parallel arm resonators are acoustic wave resonators having IDT electrodes. However, in the reference example, all of the acoustic wave resonators have the same crossover width.
  • Figures 5 and 6 show the power consumption within the band between the resonant frequency and anti-resonant frequency for each acoustic wave resonator in the reference example.
  • Figure 5 shows the power consumption in the band between the resonant frequency and anti-resonant frequency for each series arm resonator of the reference example.
  • Figure 6 shows the power consumption in the band between the resonant frequency and anti-resonant frequency for each parallel arm resonator of the reference example. Note that the frequency ranges shown in Figures 5 and 6 are all located within the band between the resonant frequency and anti-resonant frequency for each elastic wave resonator.
  • each series arm resonator consumes a large amount of power within the band between the resonant frequency and the anti-resonant frequency.
  • each parallel arm resonator consumes a small amount of power within the band between the resonant frequency and the anti-resonant frequency.
  • the crossover width A of at least one series arm resonator is narrower than the crossover width A of all of the parallel arm resonators. More specifically, the crossover widths A of the series arm resonators S2a, S2b, S3a, and S3b shown in FIG. 2 are narrower than the crossover widths A of all of the parallel arm resonators. This makes it possible to reduce the number of acoustic wave resonators that reach high temperatures when the filter device 1 is used. This is explained in more detail below.
  • the temperature difference of the elastic wave resonator was calculated before and after applying power to the elastic wave resonator.
  • this temperature difference will be referred to as ⁇ T.
  • the cross width A was set to 26.5 ⁇ m, 53.1 ⁇ m, or 92.8 ⁇ m.
  • the power applied to each elastic wave resonator was 1500 mW.
  • Figure 7 shows the relationship between the crossover width A of an elastic wave resonator and the temperature difference ⁇ T of the elastic wave resonator before and after power is applied to the elastic wave resonator.
  • the wider the cross width A the larger the temperature difference ⁇ T.
  • the wider the cross width A the higher the temperature of the elastic wave resonator becomes when power is applied to it.
  • the temperature of the electrode fingers of the IDT electrode becomes excessively high, the IDT electrode may be damaged.
  • the cross width A is narrow, the temperature of the elastic wave resonator does not easily rise. This is for the following reasons.
  • the amount of heat generated near the center in the direction in which the electrode fingers extend is particularly large.
  • the cross width A is narrow, the distance between the center of the acoustic wave resonator and each bus bar is short.
  • Each bus bar is then connected to other elements or to the outside of the filter device via wiring. Therefore, when the cross width A is narrow, heat is more likely to be released to the outside via the bus bars and wiring. Therefore, by narrowing the cross width A, it is possible to improve the heat dissipation properties of the part where the acoustic wave resonator is configured, making it less likely for the IDT electrodes to be damaged.
  • the filter device when the filter device is used, the amount of heat generated in the series arm resonators is greater than the amount of heat generated in the parallel arm resonators.
  • the cross width A of at least one series arm resonator is narrower than the cross width A of all of the parallel arm resonators. This reduces the number of acoustic wave resonators that reach high temperatures when the filter device 1 is used. This therefore increases the power durability of the filter device 1 as a whole.
  • the cross width A of at least one series arm resonator is narrower than the cross width A of all parallel arm resonators.
  • the cross width A of all series arm resonators be 4.7p or greater. This effectively reduces loss in the filter device 1. This is explained in more detail below.
  • the return loss at 4.65 GHz was measured each time the cross width A of the elastic wave resonator was changed. Specifically, the cross width A was changed in 5 ⁇ m increments within the range of 5 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the center-to-center distance p was kept constant at 4.26 ⁇ m.
  • Figure 8 shows the relationship between crossover width A and return loss at 4.65 GHz.
  • the wider the cross width A the more the return loss is reduced.
  • the change in return loss is particularly large. Therefore, when the cross width A is less than 20 ⁇ m, the return loss increases significantly.
  • the cross width A is 20 ⁇ m or more, the absolute value of the return loss can be made less than 1.
  • the center-to-center distance p is 4.26 ⁇ m. Therefore, when the cross width A is 20 ⁇ m, the cross width A is 4.7 p to two significant digits.
  • the crossover width A of all series arm resonators when the crossover width A of all series arm resonators is 4.7p or greater, the return loss can be reduced in all series arm resonators.
  • the crossover width A of the series arm resonators which is narrower than the crossover width A of all parallel arm resonators, is 4.7p or greater. Therefore, the crossover width A of all parallel arm resonators exceeds 4.7p. Therefore, the return loss can be reduced in all parallel arm resonators as well. Therefore, the loss can be effectively reduced in the filter device 1.
  • the crossover width A of at least one series arm resonator may be 4.7p or greater.
  • Figure 9 is a schematic cross-sectional view taken along line I-I in Figure 3.
  • the piezoelectric substrate 2 has a support member 3 and a piezoelectric layer 6.
  • the support member 3 includes a support substrate 4 and an insulating layer 5.
  • the insulating layer 5 is provided on the support substrate 4.
  • the piezoelectric layer 6 is provided on the insulating layer 5.
  • the support member 3 may also be composed of only the support substrate 4.
  • the support substrate 4 can be made of a semiconductor such as silicon or a ceramic such as aluminum oxide.
  • the insulating layer 5 can be made of an appropriate dielectric such as silicon oxide or tantalum oxide.
  • a recess is provided in the insulating layer 5.
  • a piezoelectric layer 6 is provided on the insulating layer 5 to close the recess. This forms a hollow portion. This hollow portion is the cavity 2a.
  • the support member 3 and the piezoelectric layer 6 are arranged so that a portion of the support member 3 and a portion of the piezoelectric layer 6 face each other across the cavity 2a.
  • the recess in the support member 3 may be provided across the insulating layer 5 and the support substrate 4.
  • a recess provided only in the support substrate 4 may be closed by the insulating layer 5.
  • the recess may be provided in the piezoelectric layer 6, for example.
  • the cavity 2a may also be a through-hole provided in the support member 3.
  • a planar view refers to a view from a direction corresponding to the top in Figure 9, along the stacking direction of the support member 3 and the piezoelectric layer 6. Note that in Figure 9, for example, of the support substrate 4 side and the piezoelectric layer 6 side, the piezoelectric layer 6 side is the top. Furthermore, in this specification, a planar view is synonymous with a view from the principal surface opposing direction.
  • the principal surface opposing direction is the direction in which the first principal surface 6a and second principal surface 6b of the piezoelectric layer 6 face each other. More specifically, the principal surface opposing direction is, for example, the normal direction of the first principal surface 6a.
  • the hollow portion 2a is the acoustic reflecting portion of the present invention.
  • the acoustic reflecting portion can reflect the elastic waves toward the piezoelectric layer 6. This allows the energy of the elastic waves to be effectively trapped on the piezoelectric layer 6 side. It is preferable that the multiple excitation regions C overlap with the acoustic reflecting portion in a planar view. This allows the energy of the elastic waves to be more reliably and effectively trapped on the piezoelectric layer 6 side.
  • an acoustic reflection portion is provided in each of the multiple acoustic wave resonators at a position on the support member 3 that overlaps with the IDT electrode 7 when viewed in a plan view.
  • an acoustic reflection film may also be provided as the acoustic reflection portion.
  • the acoustic reflection portion is an acoustic reflection film 8.
  • the support member 3A consists only of a support substrate.
  • the acoustic reflection film 8 is provided on the surface of the support member 3A.
  • a piezoelectric layer 6 is provided on the acoustic reflection film 8. Note that the support member 3A and the piezoelectric layer 6 should be arranged so that at least a portion of the support member 3A and at least a portion of the piezoelectric layer 6 face each other with the acoustic reflection film 8 in between.
  • FIG. 10 shows one acoustic wave resonator in the filter device of this modified example. Note that each acoustic wave resonator in the filter device of this modified example other than the acoustic wave resonator shown in FIG. 10 also has an acoustic reflection film 8.
  • the acoustic reflection films 8 of multiple acoustic wave resonators may be provided as a single unit.
  • the acoustic reflecting film 8 is a laminate of multiple acoustic impedance layers. Specifically, the acoustic reflecting film 8 has multiple low acoustic impedance layers and multiple high acoustic impedance layers.
  • the low acoustic impedance layers are layers with a relatively low acoustic impedance. More specifically, the low acoustic impedance layers are layers with a lower acoustic impedance than adjacent layers in the acoustic reflecting film 8.
  • the multiple low acoustic impedance layers in the acoustic reflecting film 8 are low acoustic impedance layer 14a, low acoustic impedance layer 14b, and low acoustic impedance layer 14c.
  • a high acoustic impedance layer is a layer with a relatively high acoustic impedance. More specifically, a high acoustic impedance layer is a layer with a higher acoustic impedance than adjacent layers in the acoustic reflecting film 8.
  • the multiple high acoustic impedance layers in the acoustic reflecting film 8 are, more specifically, high acoustic impedance layer 15a and high acoustic impedance layer 15b.
  • the low acoustic impedance layers and high acoustic impedance layers are stacked alternately. Note that low acoustic impedance layer 14a is the layer in the acoustic reflecting film 8 that is located closest to the piezoelectric layer 6.
  • the acoustic reflection film 8 has three low acoustic impedance layers and two high acoustic impedance layers. However, it is sufficient for the acoustic reflection film 8 to have at least one low acoustic impedance layer and one high acoustic impedance layer.
  • the low acoustic impedance layer may be made of a material such as silicon oxide or aluminum.
  • the high acoustic impedance layer may be made of a material such as a metal such as platinum or tungsten, or a dielectric such as aluminum nitride, silicon nitride, or hafnium oxide.
  • the crossover width A of at least one series arm resonator is narrower than the crossover width A of all parallel arm resonators. This increases the power durability of the filter device.
  • the provision of the acoustic reflection film 8 effectively confines the energy of the elastic waves to the piezoelectric layer 6 side.
  • the configuration in this modified example in which the acoustic reflection portion is an acoustic reflection film 8 can also be applied to configurations of the present invention other than this modified example.
  • At least one elastic wave resonator has an acoustic reflecting portion.
  • all elastic wave resonators have an acoustic reflecting portion. This allows the energy of the elastic waves to be effectively confined to the piezoelectric layer 6 side in all elastic wave resonators. This makes it possible to more reliably reduce loss in the filter device.
  • a dielectric film may be provided on at least one of the first principal surface 6a or the second principal surface 6b of the piezoelectric layer 6.
  • a first dielectric film 9A is provided on the first principal surface 6a of the piezoelectric layer 6 so as to cover the IDT electrode 7. In this case, the IDT electrode 7 is protected by the first dielectric film 9A. This makes the IDT electrode 7 less likely to be damaged.
  • a second dielectric film 9B is provided on the second principal surface 6b of the piezoelectric layer 6.
  • the second dielectric film 9B overlaps the IDT electrode 7 in a plan view.
  • the piezoelectric substrate 2B includes a support substrate 4, an insulating layer 5, a second dielectric film 9B, and a piezoelectric layer 6.
  • the first dielectric film 9A and the second dielectric film 9B may be made of, for example, silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride.
  • the materials of the first dielectric film 9A and the second dielectric film 9B may be the same or different.
  • FIG. 11 shows one acoustic wave resonator in the filter device of this modified example.
  • each acoustic wave resonator in the filter device of this modified example other than the acoustic wave resonator shown in FIG. 11, also has a first dielectric film 9A and a second dielectric film 9B.
  • the first dielectric films 9A of multiple acoustic wave resonators may be provided as an integrated unit.
  • the second dielectric films 9B of multiple acoustic wave resonators may be provided as an integrated unit.
  • the crossover width A of at least one series arm resonator is narrower than the crossover widths A of all parallel arm resonators. This increases the power durability of the filter device.
  • the multiple elastic wave resonators may include elastic wave resonators that do not have a dielectric film on the first principal surface 6a or the second principal surface 6b of the piezoelectric layer 6.
  • at least one series arm resonator has a dielectric film on at least one of the first principal surface 6a and the second principal surface 6b of the piezoelectric layer 6, the dielectric film being arranged so as to overlap the IDT electrode 7 in a planar view.
  • at least one series arm resonator has at least one of the first dielectric film 9A and the second dielectric film 9B.
  • the crossover width A of the series arm resonator having the largest total thickness of the first dielectric film 9A and the second dielectric film 9B among all the series arm resonators be narrower than the crossover width A of all the parallel arm resonators. This can more reliably increase the power durability of the filter device. This is explained in more detail below.
  • the resonant frequency of the elastic wave resonator can be adjusted by adjusting the thickness of the first dielectric film 9A and the second dielectric film 9B. Specifically, the greater the total thickness of the first dielectric film 9A and the second dielectric film 9B, the lower the resonant frequency of the elastic wave resonator.
  • the series arm resonator with the lowest resonant frequency is often used to increase the steepness near the highest frequency in the pass band. In this specification, high steepness means that the amount of change in frequency is small relative to a certain amount of change in attenuation near the highest or lowest frequency in the pass band.
  • Series arm resonators used to increase steepness consume particularly large amounts of power.
  • the IDT electrodes 7 in the series arm resonators are prone to excessively high temperatures when the filter device is in use.
  • heat dissipation in the section where the series arm resonators are configured can be improved. This increases the power durability of the series arm resonators, and more reliably increases the power durability of the filter device.
  • each elastic wave resonator is configured to use thickness-shear bulk waves as its main mode. Specifically, in each elastic wave resonator having an acoustic reflector, d/p ⁇ 0.5. Note that each elastic wave resonator may also be configured to use, for example, plate waves as its main mode.
  • a pair of reflectors 13A and 13B are provided on the first main surface 6a of the piezoelectric layer 6. More specifically, the reflectors 13A and 13B face each other, sandwiching the IDT electrode 7 in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • Reflector 13A has a pair of reflector bus bars 13a and 13b, and a plurality of reflector electrode fingers 13c. Reflector bus bars 13a and 13b face each other. One end and the other end of each of the plurality of reflector electrode fingers 13c are short-circuited by reflector bus bars 13a and 13b. Reflector 13B is configured in the same way as reflector 13A.
  • the thickness of the piezoelectric layer 6 is d and the center-to-center distance between adjacent first electrode fingers 18 and second electrode fingers 19 is p, it is preferable that d ⁇ 2p. In this case, plate waves are suitably excited. In addition, the provision of reflectors 13A and 13B improves resonance characteristics. When plate waves are used as the main mode, the intersection region F is the excitation region.
  • FIG. 12 shows one acoustic wave resonator in the filter device of this modified example. Note that each acoustic wave resonator in the filter device of this modified example, other than the acoustic wave resonator shown in FIG. 12, also has reflector 13A and reflector 13B. As with the first embodiment, this modified example also allows for increased power durability of the filter device.
  • the filter device is a ladder-type filter.
  • the filter device may also include, for example, a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
  • the filter device only needs to include at least one series arm resonator and at least one parallel arm resonator.
  • the cross width A of at least one series arm resonator needs to be narrower than the cross widths A of all the parallel arm resonators.
  • all the series arm resonators and all the parallel arm resonators share the same piezoelectric substrate and piezoelectric layer.
  • all the series arm resonators and all the parallel arm resonators do not necessarily need to share the same piezoelectric substrate.
  • FIG. 13 is a circuit diagram of a filter device according to a second embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic plan view of a filter device according to the second embodiment.
  • this embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the series arms in the circuit configuration. As shown in FIG. 14, this embodiment also differs from the first embodiment in that the cross width A of all series arm resonators is narrower than the cross width A of all parallel arm resonators.
  • the filter device 21 of this embodiment has the same configuration as the filter device 1 of the first embodiment.
  • the multiple series arm resonators of the filter device 21 are series arm resonator S21a, series arm resonator S21b, series arm resonator S22, series arm resonator S23, and series arm resonator S24.
  • series arm resonator S21a and series arm resonator S21b are connected in parallel.
  • a group of resonators consisting of series arm resonator S21a and series arm resonator S21b is connected in series with series arm resonator S22, series arm resonator S23, and series arm resonator S24.
  • series arm resonator S21a, series arm resonator S22, series arm resonator S23, and series arm resonator S24 are arranged in this order.
  • circuit configuration of this embodiment is similar to that of the first embodiment in that four groups of resonators are arranged in the series arm and the arrangement of each parallel arm resonator.
  • the crossover width A of all series arm resonators is narrower than the crossover width A of all parallel arm resonators. This improves heat dissipation in the area where all series arm resonators are configured, and the IDT electrodes 7 of all series arm resonators are less likely to be damaged. This effectively improves the power durability of the filter device 21.
  • FIG. 15 is a schematic diagram of a filter device according to a third embodiment.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 15. Note that in FIG. 15, the IDT electrode is shown as a simplified diagram of a rectangle with two diagonal lines added. The first dielectric film is omitted from FIG. 15. Electrodes other than those constituting the acoustic wave resonator are also shown in FIG. 16.
  • this embodiment differs from the second embodiment in the circuit configuration and the arrangement of the acoustic wave resonators.
  • This embodiment also differs from the second embodiment in that all of the series arm resonators and all of the parallel arm resonators have the first dielectric film 9A shown in FIG. 16.
  • the filter device 31 of this embodiment has the same configuration as the filter device 21 of the second embodiment.
  • the multiple series arm resonators of the filter device 31 are series arm resonator S31, series arm resonator S32, series arm resonator S33, and series arm resonator S34.
  • series arm resonator S31, series arm resonator S32, series arm resonator S33, and series arm resonator S34 are arranged in this order.
  • the multiple parallel arm resonators of the filter device 31 are parallel arm resonators P31, P32, P33, and P34.
  • the parallel arm resonator P31 is connected between the first signal terminal 11A and ground potential.
  • the parallel arm resonator P32 is connected between the connection point between the series arm resonators S31 and S32 and ground potential.
  • the parallel arm resonator P33 is connected between the connection point between the series arm resonators S32 and S33 and ground potential.
  • the parallel arm resonator P34 is connected between the connection point between the series arm resonators S33 and S34 and ground potential.
  • the crossover width A of all series arm resonators is narrower than the crossover width A of all parallel arm resonators. This effectively increases the power durability of the filter device 31.
  • the piezoelectric layer 6 of the piezoelectric substrate 2 has a first region B1 and a second region B2.
  • the first region B1 and the second region B2 are two regions that divide the piezoelectric layer 6 in the orthogonal direction of the electrode fingers of at least one series arm resonator.
  • the orthogonal direction of the electrode fingers of all of the series arm resonators and all of the parallel arm resonators is the same.
  • All the series arm resonators are located in the first region B1. All the parallel arm resonators are located in the second region B2. As shown in FIG. 16, a first dielectric film 9A is provided on the first main surface 6a across the first region B1 and the second region B2 of the piezoelectric layer 6.
  • the first dielectric films 9A of all the series arm resonators and all the parallel arm resonators are provided integrally.
  • the thickness of the first dielectric film 9A provided in the first region B1 is different from the thickness of the first dielectric film 9A provided in the second region B2.
  • the thickness of the first dielectric film 9A in all the series arm resonators is different from the thickness of the first dielectric film 9A in all the parallel arm resonators.
  • the thickness of the first dielectric film 9A provided in the first region B1 is thinner than the thickness of the first dielectric film 9A provided in the second region B2.
  • the thickness of the first dielectric film 9A in all series arm resonators is thinner than the thickness of the dielectric film in all parallel arm resonators.
  • the thickness of the first dielectric film 9A in all series arm resonators is the same.
  • the thickness of the first dielectric film 9A in all parallel arm resonators is the same.
  • the thickness of the first dielectric film 9A in all series arm resonators is thinner than the thickness of the first dielectric film 9A in all parallel arm resonators.
  • the series arm resonators constitute the higher band in the pass band of the filter device.
  • the parallel arm resonators constitute the lower band in the pass band of the filter device. Therefore, the resonant frequency of the series arm resonators is higher than the resonant frequency of the parallel arm resonators.
  • the first region B1 and second region B2 in the piezoelectric layer 6 are regions that divide the piezoelectric layer 6 in the direction perpendicular to the electrode fingers of the acoustic wave resonators. Therefore, the thickness of the first dielectric film 9A can easily be made different in the first region B1 and the second region B2. Furthermore, all series arm resonators are provided in the first region B1, and all parallel arm resonators are provided in the second region B2. This makes it easy to make the thickness of the first dielectric film 9A of all series arm resonators thinner than the thickness of the first dielectric film 9A of all parallel arm resonators. This effectively increases the productivity of the filter device 31.
  • the second dielectric film 9B shown in FIG. 11 is not provided. Therefore, the thickness of the second dielectric film 9B is 0.
  • the second dielectric film 9B may also be provided on the second main surface 6b of the piezoelectric layer 6.
  • Figure 17 is a schematic front cross-sectional view showing a portion of a filter device according to a fourth embodiment.
  • Figure 17 also shows electrodes other than those constituting the acoustic wave resonator.
  • This embodiment differs from the third embodiment in that the thickness of the first dielectric film 9A is the same in all acoustic wave resonators. This embodiment also differs from the third embodiment in that the thickness of the piezoelectric layer 6 in the first region B1 is different from the thickness in the second region B2.
  • the filter device 41 of this embodiment has the same configuration as the filter device 31 of the third embodiment.
  • the crossover width A of all series arm resonators is narrower than the crossover width A of all parallel arm resonators. This effectively increases the power durability of the filter device 41.
  • the first region B1 and second region B2 of the piezoelectric layer 6 are regions that divide the piezoelectric layer 6 in the direction perpendicular to the electrode fingers of the acoustic wave resonator. Therefore, the thickness of the piezoelectric layer 6 can easily be made different in the first region B1 and the second region B2. All of the series arm resonators and all of the parallel arm resonators share the same piezoelectric substrate 2 and piezoelectric layer 6. Specifically, all of the series arm resonators are configured in the first region B1, and all of the parallel arm resonators are configured in the second region B2. This makes it easy to make the thickness of the piezoelectric layer 6 of all of the series arm resonators thinner than the thickness of the piezoelectric layer 6 of all of the parallel arm resonators. This effectively increases the productivity of the filter device 41.
  • the thickness of the first dielectric film 9A is the same in all series arm resonators and all parallel arm resonators.
  • the thickness of the piezoelectric layer 6 and the thickness of the first dielectric film 9A may differ from one another in all series arm resonators and all parallel arm resonators.
  • all of the series arm resonators and all of the parallel arm resonators do not necessarily have to share the same piezoelectric substrate.
  • the fifth embodiment shows an example in which all of the series arm resonators and all of the parallel arm resonators do not share the same piezoelectric substrate.
  • FIG. 18 is a schematic diagram of a filter device according to the fifth embodiment. Note that in FIG. 18, the IDT electrode is shown as a simplified rectangle with two diagonal lines added. The first dielectric film is omitted from FIG. 18.
  • This embodiment differs from the fourth embodiment in that the piezoelectric substrate 52A shared by all the series arm resonators and the piezoelectric substrate 52B shared by all the parallel arm resonators are different substrates.
  • the piezoelectric layer 56A shared by all the series arm resonators and the piezoelectric layer 56B shared by all the parallel arm resonators are different layers.
  • the filter device 51 of this embodiment has the same configuration as the filter device 41 of the fourth embodiment.
  • the circuit configuration of the filter device 51 is similar to that of the third and fourth embodiments. However, as shown in FIG. 18, the multiple series arm resonators of the filter device 51 are series arm resonator S51, series arm resonator S52, series arm resonator S53, and series arm resonator S54. In terms of the circuit configuration, from the first signal terminal 11A side, series arm resonator S51, series arm resonator S52, series arm resonator S53, and series arm resonator S54 are arranged in this order.
  • the multiple parallel arm resonators of the filter device 51 are parallel arm resonator P51, parallel arm resonator P52, parallel arm resonator P53, and parallel arm resonator P54.
  • the parallel arm resonator P51 is connected between the first signal terminal 11A and ground potential.
  • the parallel arm resonator P52 is connected between the connection point between the series arm resonator S51 and the series arm resonator S52 and ground potential.
  • the parallel arm resonator P53 is connected between the connection point between the series arm resonator S52 and the series arm resonator S53 and ground potential.
  • the parallel arm resonator P54 is connected between the connection point between the series arm resonator S53 and the series arm resonator S54 and ground potential.
  • the crossover width A of all series arm resonators is narrower than the crossover width A of all parallel arm resonators. This effectively increases the power durability of the filter device 51.
  • the thickness of the piezoelectric layer 56A and the thickness of the piezoelectric layer 56B are different from each other. Specifically, the thickness of the piezoelectric layer 56A shared by all the series arm resonators is thinner than the thickness of the piezoelectric layer 56B shared by all the parallel arm resonators. As a result, the resonant frequency of the series arm resonators is higher than the resonant frequency of the parallel arm resonators.
  • Piezoelectric layer 56A and piezoelectric layer 56B are different layers. Therefore, the thicknesses of piezoelectric layer 56A and piezoelectric layer 56B can be easily made different from each other. This effectively increases the productivity of filter device 51.
  • the materials of piezoelectric layer 56A and piezoelectric layer 56B may be different from each other.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the material constituting piezoelectric layer 56A may be different from the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the material constituting piezoelectric layer 56B.
  • the thicknesses, materials, Euler angles, etc. of piezoelectric layer 56A and piezoelectric layer 56B do not necessarily have to be different from each other.
  • the thickness of the first dielectric film provided on the first main surface of the piezoelectric layer 56A and the thickness of the first dielectric film provided on the first main surface of the piezoelectric layer 56B may be different from each other. That is, as with the third embodiment shown in Figure 16, the thickness of the first dielectric film 9A in all series arm resonators may be different from the thickness of the first dielectric film 9A in all parallel arm resonators.
  • the piezoelectric substrate 52A shared by all the series arm resonators and the piezoelectric substrate 52B shared by all the parallel arm resonators are different substrates.
  • the layered structure of the piezoelectric substrates 52A and 52B is the same as the layered structure of the piezoelectric substrate 2 shown in Figures 16 and 17.
  • the piezoelectric substrate 52A shared by all the series arm resonators and the piezoelectric substrate 52B shared by all the parallel arm resonators are mounted on the same package substrate.
  • the wiring connecting the series arm resonators and parallel arm resonators, as shown schematically in Figure 18, is provided on piezoelectric substrate 52A, on the package substrate, and on piezoelectric substrate 52B.
  • the package substrate may be made of, for example, an appropriate ceramic or glass epoxy resin.
  • the layered structures of piezoelectric substrate 52A and piezoelectric substrate 52B may be different from each other.
  • the acoustic reflection portion of one of piezoelectric substrate 52A and piezoelectric substrate 52B may be a cavity, and the acoustic reflection portion of the other may be an acoustic reflection film.
  • piezoelectric substrate 52A and piezoelectric substrate 52B can be formed separately. This makes it possible to easily and reliably obtain the desired electrical characteristics of filter device 51, and is less likely to reduce productivity.
  • d/p is 0.5 or less. It is preferable that d/p is 0.24 or less in an elastic wave resonator having an acoustic reflector. This allows thickness-shear mode bulk waves to be more effectively excited in each excitation region C, and enables the value of the relative bandwidth of the elastic wave resonator to be sufficiently large.
  • the relative bandwidth is expressed as (
  • Figure 19 shows the relationship between d/p and the relative bandwidth of an elastic wave resonator.
  • the metallization ratio of the electrode fingers to the excitation region C is MR, it is preferable to satisfy the condition MR ⁇ 1.75(d/p) + 0.075. In this case, the bandwidth ratio of the acoustic wave resonator does not become too large, and spurious emissions between the resonant frequency and anti-resonant frequency can be suppressed. Details of this are provided below.
  • the metallization ratio MR of the electrode fingers to the excitation region C is the proportion of the portion of the piezoelectric layer 6 that is covered with the metal that constitutes the electrode fingers in the excitation region C when viewed in a plan view.
  • the metallization ratio MR is the ratio of the area of the first electrode fingers 18 and the second electrode fingers 19 within the excitation region C to the area of the excitation region C when viewed in a plan view. Note that if the width of the electrode fingers located within the excitation region C is constant, the metallization ratio MR can also be calculated by dividing the sum of the widths of the electrode fingers located within the excitation region C by the dimension of the excitation region C in the direction perpendicular to the electrode fingers.
  • FIG. 20 is a graph showing the relationship between the bandwidth ratio and the normalized magnitude of spurious signals in an acoustic wave resonator.
  • FIG. 20 shows the results of measuring the phase rotation of spurious signals each time the bandwidth ratio is changed by varying the thickness of the piezoelectric layer and the dimensions of the electrode fingers.
  • the normalized spurious signals in FIG. 20 are, specifically, values obtained by normalizing the phase rotation of the spurious impedance by 180°.
  • the results shown in FIG. 20 are for a piezoelectric layer made of Z -cut LiNbO3, but similar trends are observed when piezoelectric layers with other cut angles are used.
  • the normalized magnitude of the spurious response between the resonant frequency and the anti-resonant frequency is 1.0. If the relative bandwidth of the elastic wave resonator exceeds 17%, the normalized magnitude of the spurious response may be 1.0 or greater. For this reason, it is preferable that the relative bandwidth be 17% or less. This makes it possible to suppress spurious responses between the resonant frequency and the anti-resonant frequency.
  • Figure 21 shows the relationship between d/p, metallization ratio MR, and bandwidth fraction.
  • Figure 21 shows the results of bandwidth fraction calculations for different d/p and metallization ratio MR.
  • the hatched area is the region where the fractional bandwidth is 17% or less.
  • the boundary between this hatched area and the unhatched area is roughly represented by dashed line E.
  • at least one elastic wave resonator with d/p of 0.5 or less has MR ⁇ 1.75(d/p) + 0.075. It is more preferable that all elastic wave resonators with d/p of 0.5 or less have MR ⁇ 1.75(d/p) + 0.075. In this case, it is easy to achieve a fractional bandwidth of 17% or less in an elastic wave resonator that uses a thickness-shear bulk wave as the main mode.
  • the dashed-dotted line E1 in Figure 21 indicates the boundary where the slope of the change in metallization ratio MR with respect to changes in d/p is the same as that of the dashed line E, and the fractional bandwidth is 17% or less over the entire range.
  • MR ⁇ 1.75(d/p) + 0.05 it is even more preferable that in each of all acoustic wave resonators where d/p is 0.5 or less, MR ⁇ 1.75(d/p) + 0.05. In this case, the fractional bandwidth can be more reliably kept to 17% or less in an acoustic wave resonator that uses a thickness-shear bulk wave as the main mode.
  • Fig. 22 is a diagram showing a map of the fractional bandwidth versus the Euler angles (0°, ⁇ , ⁇ ) of LiNbO3 when d/p approaches 0.
  • the hatched area in Fig. 22 is the region where a fractional bandwidth of at least 5% or more is obtained, and the range of this region can be approximated as the range expressed by the following formulas (1), (2), and (3).
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the lithium niobate constituting the piezoelectric layer be within the range of formula (1), formula (2), or formula (3) above. This allows the fractional bandwidth of the acoustic wave resonator to be sufficiently wide.
  • the piezoelectric layer is made of lithium tantalate.
  • piezoelectric layer 56A and piezoelectric layer 56B are different layers, as in the fifth embodiment shown in Figure 18.
  • the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the lithium niobate or lithium tantalate constituting both piezoelectric layers be within the range of formula (1), formula (2), or formula (3) above. This allows the fractional bandwidth of each series arm resonator and each parallel arm resonator to be sufficiently wide.
  • a filter device having a piezoelectric substrate including a piezoelectric layer, and comprising a plurality of acoustic wave resonators each having an IDT electrode provided on the piezoelectric layer, the IDT electrode having a plurality of electrode fingers, where the direction in which the plurality of electrode fingers extend is the electrode finger extension direction and the direction perpendicular to the electrode finger extension direction is the electrode finger orthogonal direction, a region where adjacent electrode fingers overlap in the electrode finger orthogonal direction is a crossing region, and the dimension of the crossing region along the electrode finger extension direction is a crossing width, the plurality of acoustic wave resonators including at least one series arm resonator and at least one parallel arm resonator, and the crossing width of at least one of the series arm resonators is narrower than the crossing widths of all of the parallel arm resonators.
  • a filter device according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the piezoelectric layer has a first principal surface and a second principal surface that face each other, at least one of the series arm resonators has a dielectric film provided on at least one of the first principal surface and the second principal surface of the piezoelectric layer so as to overlap the IDT electrode in a planar view, and the series arm resonator having the largest total thickness of the dielectric films provided on the first principal surface and the second principal surface of the piezoelectric layer among all the series arm resonators has a cross width narrower than the cross widths of all the parallel arm resonators.
  • ⁇ 4> A filter device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein the cross width of all of the series arm resonators is 4.7p or greater, where p is the center-to-center distance between adjacent electrode fingers.
  • ⁇ 5> A filter device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein all of the series arm resonators and all of the parallel arm resonators share the same piezoelectric substrate and piezoelectric layer, and when the piezoelectric layer is divided into a first region and a second region in the direction perpendicular to the electrode fingers of at least one of the series arm resonators, all of the series arm resonators are located in the first region, and all of the parallel arm resonators are located in the second region.
  • ⁇ 6> The filter device described in ⁇ 5>, wherein the piezoelectric layer has a first principal surface and a second principal surface that face each other, all of the series arm resonators and all of the parallel arm resonators have a dielectric film provided on the first principal surface of the piezoelectric layer so as to cover the IDT electrode, and the thickness of the dielectric film in all of the series arm resonators is different from the thickness of the dielectric film in all of the parallel arm resonators.
  • ⁇ 7> The filter device described in ⁇ 5> or ⁇ 6>, wherein the thickness of the piezoelectric layer in the first region and the thickness of the piezoelectric layer in the second region are different from each other.
  • a filter device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein all of the series arm resonators share the same piezoelectric substrate, all of the parallel arm resonators share the same piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate shared by all of the series arm resonators and the piezoelectric substrate shared by all of the parallel arm resonators are different substrates.
  • a filter device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8>, wherein the piezoelectric substrate includes a support member, the piezoelectric layer is provided on the support member, and at least one of the acoustic wave resonators has an acoustic reflector provided on the support member at a position that overlaps the IDT electrode in a planar view, and where d is the thickness of the piezoelectric layer and p is the center-to-center distance between adjacent electrode fingers, in the acoustic wave resonator having the acoustic reflector, d/p is 0.5 or less.
  • ⁇ 10> The filter device according to ⁇ 9>, wherein, in the acoustic wave resonator having d/p of 0.5 or less, the region where adjacent electrode fingers overlap in the direction perpendicular to the electrode fingers and the region between the centers of adjacent electrode fingers is the excitation region of the acoustic wave resonator, and when the metallization ratio of the electrode fingers to the excitation region is MR, in at least one acoustic wave resonator having d/p of 0.5 or less, MR ⁇ 1.75(d/p)+0.075 is satisfied.
  • ⁇ 12> The filter device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11>, wherein the piezoelectric layer is made of lithium niobate or lithium tantalate, and the Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) of the lithium niobate or lithium tantalate constituting the piezoelectric layer are within the range of the following formula (1), formula (2), or formula (3): (0° ⁇ 10°, 0° to 20°, any ⁇ ) ...Equation (1) (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, 0° to 60°(1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ) or (0° ⁇ 10°, 20° to 80°, [180°-60°(1-( ⁇ -50) 2 /900) 1/2 ] to 180°) ...Equation (2) (0° ⁇ 10°, [180°-30°(1-( ⁇ -90) 2 /8100) 1/2 ] to 180°, any ⁇ ) ...Equation (3)
  • a filter device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 12>, wherein the piezoelectric substrate includes a support member, the piezoelectric layer is provided on the support member, at least one of the acoustic wave resonators has an acoustic reflector provided on the support member at a position that overlaps the IDT electrode in a planar view, the acoustic reflector is a cavity, and the support member and the piezoelectric layer are arranged so that a portion of the support member and a portion of the piezoelectric layer face each other across the cavity.
  • the piezoelectric substrate includes a support member
  • the piezoelectric layer is provided on the support member
  • at least one of the acoustic wave resonators has an acoustic reflection portion provided on the support member at a position overlapping the IDT electrode in a planar view
  • the acoustic reflection portion is an acoustic reflection film including a high acoustic impedance layer with a relatively high acoustic impedance and a low acoustic impedance layer with a relatively low acoustic impedance
  • the support member and the piezoelectric layer are arranged so that at least a portion of the support member and at least a portion of the piezoelectric layer face each other with the acoustic reflection film in between.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

耐電力性を高くすることができる、フィルタ装置を提供する。　本発明のフィルタ装置１は、圧電体層６を含む圧電性基板２を有し、圧電体層６上に設けられているＩＤＴ電極７をそれぞれ有する複数の弾性波共振子を備える。ＩＤＴ電極７は複数の電極指を有する。複数の電極指が延びる方向を電極指延伸方向、電極指延伸方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、隣り合う電極指同士が電極指直交方向において重なり合っている領域が交叉領域である。交叉領域の電極指延伸方向に沿う寸法が交叉幅である。複数の弾性波共振子は、少なくとも１つの直列腕共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ，Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４と、少なくとも１つの並列腕共振子Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ，Ｐ３ａ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ａ～Ｐ４ｄとを含む。少なくとも１つの直列腕共振子Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂの交叉幅が、全ての並列腕共振子Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ，Ｐ３ａ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ａ～Ｐ４ｄの交叉幅よりも狭い。

Description

フィルタ装置
　本発明は、複数の弾性波共振子を有するフィルタ装置に関する。
　従来、弾性波共振子を有するフィルタ装置が、携帯電話機などに広く用いられている。近年においては、下記の特許文献１に記載のような、水平剪断音響モードを用いた複数の共振器を有するフィルタデバイスが提案されている。このフィルタデバイスにおいては、複数の共振器は、直列腕共振器及びシャント共振器を含む。
　特許文献１における複数の共振器はそれぞれ、圧電プレート上にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）が設けられていることにより構成されている。なお、圧電プレートは基板上に設けられている。より具体的には、基板にはキャビティが形成されている。圧電プレートは、キャビティ上を通るように、基板に懸架されている。
　ＩＤＴは複数のフィンガーを有する。隣り合うフィンガー同士は、互いに異なる電位に接続される。隣り合うフィンガー間に交流電圧を印加することにより、水平剪断音響モードとしての、厚み滑りモードのバルク波が励振される。
特表２０２１－５２７３４４号公報
　特許文献１に記載のようなフィルタデバイスの各共振器においては、厚み滑りモードのバルク波などの弾性波が励振されると共に、熱が生じる。より具体的には、圧電プレートにおける、弾性波が励振される領域が熱源となる。これらの熱源付近は空洞部に面している。これに起因して、熱が外部に放出され難く、各ＩＤＴの温度が過度に高くなるおそれがある。そのため、上記のフィルタデバイスにおいては、耐電力性を十分に高くすることは困難である。
　本発明の目的は、耐電力性を高くすることができる、フィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係るフィルタ装置は、圧電体層を含む圧電性基板を有し、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極をそれぞれ有する複数の弾性波共振子を備え、前記ＩＤＴ電極が複数の電極指を有し、前記複数の電極指が延びる方向を電極指延伸方向、前記電極指延伸方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、隣り合う前記電極指同士が前記電極指直交方向において重なり合っている領域が交叉領域であり、前記交叉領域の前記電極指延伸方向に沿う寸法が交叉幅であり、前記複数の弾性波共振子が、少なくとも１つの直列腕共振子と、少なくとも１つの並列腕共振子とを含み、少なくとも１つの前記直列腕共振子の前記交叉幅が、全ての前記並列腕共振子の前記交叉幅よりも狭い。
　本発明に係るフィルタ装置によれば、耐電力性を高くすることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態における弾性波共振子を示す模式的平面図である。 図４は、参考例のフィルタ装置の回路図である。 図５は、参考例の各直列腕共振子における、共振周波数及び反共振周波数の間の帯域内においての消費電力を示す図である。 図６は、参考例の各並列腕共振子における、共振周波数及び反共振周波数の間の帯域内においての消費電力を示す図である。 図７は、弾性波共振子の交叉幅Ａと、弾性波共振子に電力を印加する前及び印加した後における、弾性波共振子の温度差ΔＴとの関係を示す図である。 図８は、交叉幅Ａと４．６５ＧＨｚにおけるリターンロスとの関係を示す図である。 図９は、図３中のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例における弾性波共振子の模式的正面断面図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例における弾性波共振子の模式的正面断面図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例における弾性波共振子の模式的平面図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図１４は、本発明の第２の実施形態に係るフィルタ装置の略図的平面図である。 図１５は、本発明の第３の実施形態に係るフィルタ装置の模式図である。 図１６は、図１５中のＩＩ－ＩＩ線に沿う模式的断面図である。 図１７は、本発明の第４の実施形態に係るフィルタ装置の一部を示す模式的正面断面図である。 図１８は、本発明の第５の実施形態に係るフィルタ装置の模式図である。 図１９は、ｄ／ｐと、弾性波共振子の比帯域との関係を示す図である。 図２０は、弾性波共振子における比帯域と、規格化されたスプリアスの大きさとの関係を示す図である。 図２１は、ｄ／ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。 図２２は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
　フィルタ装置１はラダー型フィルタである。フィルタ装置１は、第１の信号端子１１Ａ及び第２の信号端子１１Ｂと、複数の弾性波共振子とを有する。本実施形態においては、第２の信号端子１１Ｂはアンテナ端子である。アンテナ端子はアンテナに接続される。なお、第２の信号端子１１Ｂは、必ずしもアンテナ端子ではなくともよい。
　複数の弾性波共振子は、複数の直列腕共振子と、複数の並列腕共振子とを含む。本実施形態において、複数の直列腕共振子は、具体的には、直列腕共振子Ｓ１ａ、直列腕共振子Ｓ１ｂ、直列腕共振子Ｓ２ａ、直列腕共振子Ｓ２ｂ、直列腕共振子Ｓ３ａ、直列腕共振子Ｓ３ｂ及び直列腕共振子Ｓ４である。複数の並列腕共振子は、具体的には、並列腕共振子Ｐ１ａ、並列腕共振子Ｐ１ｂ、並列腕共振子Ｐ２ａ、並列腕共振子Ｐ２ｂ、並列腕共振子Ｐ３ａ、並列腕共振子Ｐ３ｂ、並列腕共振子Ｐ４ａ、並列腕共振子Ｐ４ｂ、並列腕共振子Ｐ４ｃ及び並列腕共振子Ｐ４ｄである。
　回路構成上、第１の信号端子１１Ａ及び第２の信号端子１１Ｂを直列腕が結んでいる。各直列腕共振子は直列腕に配置されている。一方で、直列腕及びグラウンド電位を、複数の並列腕が結んでいる。各並列腕共振子は並列腕に配置されている。なお、本発明においては、フィルタ装置における複数の弾性波共振子は、少なくとも１つの直列腕共振子と、少なくとも１つの並列腕共振子とを含んでいればよい。
　以下において、本実施形態のフィルタ装置１の具体的な構成を示す。
　図２は、第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的平面図である。図２においては、後述するＩＤＴ電極を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示している。図２以外の略図的平面図においても同様である。
　フィルタ装置１は圧電性基板２を有する。圧電性基板２は圧電性を有する基板である。具体的には、圧電性基板２は圧電体層６を含む積層基板である。もっとも、圧電性基板２は、圧電体層６のみからなる基板であってもよい。
　圧電体層６は、例えば、ＬｉＮｂＯ３などのニオブ酸リチウムからなっていてもよく、あるいは、ＬｉＴａＯ３などのタンタル酸リチウムからなっていてもよい。なお、本実施形態では、圧電体層６はニオブ酸リチウムからなる。本明細書において、ある部材がある材料からなるとは、弾性波共振子の電気的特性が大きく劣化しない程度の微量な不純物が含まれる場合を含む。
　圧電体層６は第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂを有する。第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂは互いに対向している。圧電体層６の第１の主面６ａには、第１の信号端子１１Ａ、第２の信号端子１１Ｂ及び複数のグラウンド端子１２が設けられている。グラウンド端子１２はグラウンド電位に接続される端子である。上記の各端子は電極パッドとして構成されている。もっとも、上記の各端子は配線として構成されていてもよい。
　圧電体層６の第１の主面６ａには、複数のＩＤＴ電極７が設けられている。これにより、複数の弾性波共振子が構成されている。すなわち、複数の弾性波共振子はそれぞれＩＤＴ電極７を有する。そして、複数の弾性波共振子は同じ圧電性基板２及び圧電体層６を共有している。図３を参照して、本実施形態における弾性波共振子の具体的な構成を示す。
　図３は、第１の実施形態における弾性波共振子を示す模式的平面図である。なお、図３においては、他の弾性波共振子を省略している。
　図３に示す弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ１ａである。直列腕共振子Ｓ１ａのＩＤＴ電極７は、１対のバスバーと、複数の電極指とを有する。１対のバスバーは、具体的には、第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７である。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７は互いに対向している。複数の電極指は、具体的には、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９である。複数の第１の電極指１８の一端はそれぞれ、第１のバスバー１６に接続されている。複数の第２の電極指１９の一端はそれぞれ、第２のバスバー１７に接続されている。複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９は互いに間挿し合っている。第１の電極指１８及び第２の電極指１９は、互いに異なる電位に接続される。ＩＤＴ電極７は、積層金属膜からなっていてもよく、あるいは、単層の金属膜からなっていてもよい。
　以下においては、第１の電極指１８及び第２の電極指１９をまとめて、単に電極指と記載することがある。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７をまとめて、単にバスバーと記載することがある。複数の電極指が延びる方向を電極指延伸方向とし、電極指延伸方向と直交する方向を電極指直交方向とする。
　直列腕共振子Ｓ１ａは交叉領域Ｆを有する。交叉領域Ｆは、隣り合う第１の電極指１８及び第２の電極指１９が電極指直交方向において重なり合っている領域である。以下においては、交叉領域Ｆの電極指延伸方向に沿う寸法を交叉幅Ａとする。
　交叉領域Ｆは複数の励振領域Ｃを含む。より具体的には、隣り合う第１の電極指１８及び第２の電極指１９が電極指直交方向において重なり合っている領域であり、かつ隣り合う第１の電極指１８及び第２の電極指１９の中心間の領域が励振領域Ｃである。交叉領域Ｆ及び励振領域Ｃは、ＩＤＴ電極７の構成に基づいて定義される、圧電体層６の領域である。なお、図３においては、直列腕共振子Ｓ１ａにおける複数の励振領域Ｃのうち２つのみの励振領域Ｃが示されている。
　直列腕共振子Ｓ１ａは、厚み滑りモードのバルク波をメインモードとして利用可能に構成された弾性波共振子である。ＩＤＴ電極７に交流電圧を印加することにより、各励振領域Ｃにおいて、厚み滑りモードのバルク波が励振される。より具体的には、直列腕共振子Ｓ１ａにおいては、圧電体層６の厚みをｄ、隣り合う第１の電極指１８及び第２の電極指１９の中心間距離をｐとした場合、ｄ／ｐが０．５以下である。これにより、厚み滑りモードのバルク波が、各励振領域Ｃにおいて好適に励振される。
　図１に示す直列腕共振子Ｓ１ａ以外の複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子もそれぞれ、厚み滑りモードのバルク波を利用可能に構成された弾性波共振子である。フィルタ装置１の複数の弾性波共振子はそれぞれ、ＩＤＴ電極７を有し、交叉領域Ｆ及び複数の励振領域Ｃを有する。本実施形態では、全ての弾性波共振子の電極指直交方向は同じである。なお、フィルタ装置１の複数の弾性波共振子においては、所望の特性に応じて、設計パラメータが異ならされていてもよい。
　本実施形態の特徴は、少なくとも１つの直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭いことにある。それによって、フィルタ装置１の耐電力性を高くすることができる。これを、参考例を参照することにより、以下において説明する。
　図４に示す参考例のフィルタ装置１０１の回路構成は、直列腕に４つの並列腕が接続されている構成においては、第１の実施形態の回路構成と同様である。まず、第１の実施形態の回路構成の詳細を説明する。
　図１に示すように、回路構成上、第１の信号端子１１Ａ及び第２の信号端子１１Ｂを直列腕が結んでいる。直列腕に各直列腕共振子が配置されている。具体的には、直列腕において、直列腕共振子Ｓ１ａ及び直列腕共振子Ｓ１ｂが互いに並列に接続されている。直列腕共振子Ｓ２ａ及び直列腕共振子Ｓ２ｂが互いに並列に接続されている。直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ３ｂが互いに並列に接続されている。
　直列腕共振子Ｓ１ａ及び直列腕共振子Ｓ１ｂからなる共振子の群と、直列腕共振子Ｓ２ａ及び直列腕共振子Ｓ２ｂからなる共振子の群と、直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ３ｂからなる共振子の群と、直列腕共振子Ｓ４とが互いに直列に接続されている。回路構成上、第１の信号端子１１Ａ側から、直列腕共振子Ｓ１ａ、直列腕共振子Ｓ２ａ、直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ４がこの順序で配置されている。
　直列腕共振子Ｓ１ａ及び直列腕共振子Ｓ２ａの間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１ａ及び並列腕共振子Ｐ１ｂが互いに並列に接続されている。直列腕共振子Ｓ２ａ及び直列腕共振子Ｓ３ａの間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２ａ及び並列腕共振子Ｐ２ｂが互いに並列に接続されている。直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３ａ及び並列腕共振子Ｐ３ｂが互いに並列に接続されている。第２の信号端子１１Ｂとグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ４ａ、並列腕共振子Ｐ４ｂ、並列腕共振子Ｐ４ｃ及び並列腕共振子Ｐ４ｄが互いに並列に接続されている。
　一方で、図４に示す参考例のフィルタ装置１０１は、並列に接続された共振子を含まない。第１の信号端子１１Ａ及び第２の信号端子１１Ｂを結ぶ直列腕において、直列腕共振子Ｓ１０１、直列腕共振子Ｓ１０２、直列腕共振子Ｓ１０３及び直列腕共振子Ｓ１０４が互いに直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１０１及び直列腕共振子Ｓ１０２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１０１が接続されている。直列腕共振子Ｓ１０２及び直列腕共振子Ｓ１０３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１０２が接続されている。直列腕共振子Ｓ１０３及び直列腕共振子Ｓ１０４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１０３が接続されている。第２の信号端子１１Ｂとグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１０４が接続されている。
　参考例においては、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子はそれぞれ、ＩＤＴ電極を有する弾性波共振子である。もっとも、参考例においては、全ての弾性波共振子の交叉幅は同じである。図５及び図６により、参考例の各弾性波共振子における、共振周波数及び反共振周波数の間の帯域内においての消費電力を示す。
　図５は、参考例の各直列腕共振子における、共振周波数及び反共振周波数の間の帯域内においての消費電力を示す図である。図６は、参考例の各並列腕共振子における、共振周波数及び反共振周波数の間の帯域内においての消費電力を示す図である。なお、図５及び図６において示されている周波数の範囲は全て、各弾性波共振子における共振周波数及び反共振周波数の間の帯域内に位置している。
　図５に示すように、各直列腕共振子においては、共振周波数及び反共振周波数の間の帯域内における消費電力が大きい。一方で、図６に示すように、各並列腕共振子においては、共振周波数及び反共振周波数の間の帯域内における消費電力は小さい。ここで、弾性波共振子に電力を印加すると、弾性波が励振されると共に、熱が生じる。弾性波共振子の消費電力が大きいほど、弾性波共振子において生じる熱の熱量は大きい。よって、図５及び図６により示される結果から、フィルタ装置が用いられるに際し、直列腕共振子において生じる熱の熱量が、並列腕共振子において生じる熱の熱量よりも大きいことがわかる。
　これに対して、第１の実施形態においては、少なくとも１つの直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭い。より具体的には、図２に示す、直列腕共振子Ｓ２ａ、直列腕共振子Ｓ２ｂ、直列腕共振子Ｓ３ａ及び直列腕共振子Ｓ３ｂの交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭い。それによって、フィルタ装置１が用いられるに際し、高い温度となる弾性波共振子を少なくすることができる。この詳細を以下において説明する。
　弾性波共振子の交叉幅Ａを異ならせる毎に、弾性波共振子に電力を印加する前及び印加した後における、弾性波共振子の温度差を算出した。なお、以下においては、当該温度差をΔＴとする。当該検討においては、交叉幅Ａは、２６．５μｍ、５３．１μｍまたは９２．８μｍとした。各弾性波共振子に印加した電力は１５００ｍＷである。
　図７は、弾性波共振子の交叉幅Ａと、弾性波共振子に電力を印加する前及び印加した後における、弾性波共振子の温度差ΔＴとの関係を示す図である。
　図７に示すように、交叉幅Ａが広いほど温度差ΔＴが大きい。すなわち、交叉幅Ａが広いほど、弾性波共振子に電力を印加することにより弾性波共振子の温度が高くなる。弾性波共振子において、ＩＤＴ電極の電極指の温度が過度に高くなると、ＩＤＴ電極が破損するおそれがある。一方で、交叉幅Ａが狭い場合には、弾性波共振子の温度が上昇し難い。これは以下の理由による。
　弾性波共振子においては、電極指延伸方向における中央付近において生じる熱の熱量が特に大きい。これに対して、交叉幅Ａが狭い場合には、弾性波共振子における上記中央付近と、各バスバーとの間の距離が短い。そして、各バスバーは、配線を介して、他の素子やフィルタ装置の外部に接続されている。よって、交叉幅Ａが狭い場合には、各バスバー及び配線を介して、熱を外部に放出し易い。従って、交叉幅Ａを狭くすることにより、弾性波共振子が構成されている部分の放熱性を高くすることができ、ＩＤＴ電極を破損し難くすることができる。
　上述したように、フィルタ装置が用いられるに際し、直列腕共振子において生じる熱の熱量は、並列腕共振子において生じる熱の熱量よりも大きい。これに対して、第１の実施形態においては、少なくとも１つの直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭い。それによって、フィルタ装置１が用いられるに際し、高い温度となる弾性波共振子を少なくすることができる。従って、フィルタ装置１全体として、耐電力性を高くすることができる。
　第１の実施形態では、少なくとも１つの直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭い。これに加えて、隣り合う電極指同士の中心間距離をｐとしたときに、全ての直列腕共振子の交叉幅Ａが４．７ｐ以上であることが好ましい。それによって、フィルタ装置１においてロスを効果的に低減させることができる。この詳細を以下において説明する。
　弾性波共振子の交叉幅Ａを変化させる毎に、４．６５ＧＨｚにおけるリターンロスを測定した。具体的には、交叉幅Ａを、５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲において５μｍ刻みで変化させた。なお、中心間距離ｐは変化させず、４．２６μｍとした。
　図８は、交叉幅Ａと４．６５ＧＨｚにおけるリターンロスとの関係を示す図である。
　図８に示すように、交叉幅Ａが広くなるほど、リターンロスが低減されていることがわかる。交叉幅Ａが２０μｍ以下である場合には、リターンロスの変化が特に大きい。そのため、交叉幅Ａが２０μｍ未満である場合、リターンロスは大幅に増加する。これに対して、交叉幅Ａが２０μｍ以上である場合には、リターンロスの絶対値を１未満にすることができる。当該検討では、中心間距離ｐは４．２６μｍである。このことから、交叉幅Ａが２０μｍである場合、交叉幅Ａは、有効数字２桁において４．７ｐである。
　よって、全ての直列腕共振子の交叉幅Ａが４．７ｐ以上である場合には、全ての直列腕共振子において、リターンロスを低減させることができる。なお、この場合、全ての並列腕共振子よりも交叉幅Ａが狭い直列腕共振子の交叉幅Ａは、４．７ｐ以上である。そのため、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａは４．７ｐ超である。よって、全ての並列腕共振子においても、リターンロスを低減させることができる。従って、フィルタ装置１においてロスを効果的に低減させることができる。もっとも、少なくとも１つの直列腕共振子の交叉幅Ａが４．７ｐ以上であってもよい。
　以下において、第１の実施形態の構成をより詳細に説明する。
　図９は、図３中のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面図である。
　圧電性基板２は、支持部材３と、圧電体層６とを有する。本実施形態では、支持部材３は、支持基板４と、絶縁層５とを含む。支持基板４上に絶縁層５が設けられている。絶縁層５上に圧電体層６が設けられている。もっとも、支持部材３は支持基板４のみにより構成されていてもよい。
　支持基板４の材料としては、例えば、シリコンなどの半導体や、酸化アルミニウムなどのセラミックスなどを用いることができる。絶縁層５の材料としては、酸化ケイ素または酸化タンタルなどの、適宜の誘電体を用いることができる。
　絶縁層５には凹部が設けられている。絶縁層５上に、凹部を塞ぐように、圧電体層６が設けられている。これにより、中空部が構成されている。この中空部が空洞部２ａである。本実施形態では、支持部材３の一部及び圧電体層６の一部が、空洞部２ａを挟み互いに対向するように、支持部材３と圧電体層６とが配置されている。もっとも、支持部材３における凹部は、絶縁層５及び支持基板４にわたり設けられていてもよい。あるいは、支持基板４のみに設けられた凹部が、絶縁層５により塞がれていてもよい。凹部は、例えば、圧電体層６に設けられていても構わない。なお、空洞部２ａは、支持部材３に設けられた貫通孔であってもよい。
　平面視において、ＩＤＴ電極７の少なくとも一部が空洞部２ａと重なっている。本明細書において平面視とは、図９における上方に相当する方向から、支持部材３及び圧電体層６の積層方向に沿って見ることをいう。なお、図９においては、例えば、支持基板４側及び圧電体層６側のうち、圧電体層６側が上方である。さらに、本明細書において平面視は、主面対向方向から見ることと同義であるとする。主面対向方向とは、圧電体層６の第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂが対向し合う方向である。より具体的には、主面対向方向は、例えば、第１の主面６ａの法線方向である。
　空洞部２ａは、本発明における音響反射部である。弾性波を、音響反射部により、圧電体層６側に反射させることができる。これにより、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。複数の励振領域Ｃが、平面視において音響反射部と重なっていることが好ましい。それによって、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に、より確実に、効果的に閉じ込めることができる。
　第１の実施形態では、複数の弾性波共振子のそれぞれにおいて、平面視したときに、支持部材３における、ＩＤＴ電極７と重なる位置に音響反射部が設けられている。なお、音響反射部として、音響反射膜が設けられていてもよい。
　例えば、図１０に示す第１の実施形態の第１の変形例においては、音響反射部は音響反射膜８である。本変形例の支持部材３Ａは支持基板のみからなる。支持部材３Ａの表面に音響反射膜８が設けられている。音響反射膜８上に圧電体層６が設けられている。なお、支持部材３Ａの少なくとも一部及び圧電体層６の少なくとも一部が、音響反射膜８を挟み互いに対向するように、支持部材３Ａと圧電体層６とが配置されていればよい。
　図１０においては、本変形例のフィルタ装置における１つの弾性波共振子が示されている。なお、本変形例のフィルタ装置における、図１０に示す弾性波共振子以外の各弾性波共振子もそれぞれ、音響反射膜８を有する。複数の弾性波共振子の音響反射膜８が、一体として設けられていてもよい。
　音響反射膜８は、複数の音響インピーダンス層の積層体である。具体的には、音響反射膜８は、複数の低音響インピーダンス層と、複数の高音響インピーダンス層とを有する。低音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが低い層である。より詳細には、低音響インピーダンス層は、音響反射膜８において隣接する層よりも、音響インピーダンスが低い層である。音響反射膜８における複数の低音響インピーダンス層は、より具体的には、低音響インピーダンス層１４ａ、低音響インピーダンス層１４ｂ及び低音響インピーダンス層１４ｃである。
　一方で、高音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが高い層である。より詳細には、高音響インピーダンス層は、音響反射膜８において隣接する層よりも、音響インピーダンスが高い層である。音響反射膜８における複数の高音響インピーダンス層は、より具体的には、高音響インピーダンス層１５ａ及び高音響インピーダンス層１５ｂである。低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層は交互に積層されている。なお、低音響インピーダンス層１４ａが、音響反射膜８において最も圧電体層６側に位置する層である。
　音響反射膜８は、低音響インピーダンス層を３層有し、高音響インピーダンス層を２層有する。もっとも、音響反射膜８は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ少なくとも１層ずつ有していればよい。
　低音響インピーダンス層の材料としては、例えば、酸化ケイ素またはアルミニウムなどを用いることができる。高音響インピーダンス層の材料としては、例えば、白金またはタングステンなどの金属や、窒化アルミニウム、窒化ケイ素または酸化ハフニウムなどの誘電体を用いることができる。
　本変形例においても、第１の実施形態と同様に、少なくとも１つの直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭い。それによって、フィルタ装置の耐電力性を高くすることができる。加えて、音響反射膜８が設けられていることにより、弾性波のエネルギーを、圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。
　本変形例における、音響反射部が音響反射膜８である構成は、本変形例以外の本発明の構成にも適用することができる。
　本発明においては、少なくとも１つの弾性波共振子が音響反射部を有していればよい。もっとも、全ての弾性波共振子が音響反射部を有することが好ましい。それによって、全ての弾性波共振子において、弾性波のエネルギーを、圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。これにより、フィルタ装置において、ロスをより確実に低減させることができる。
　第１の実施形態やその第１の変形例においては、圧電体層６の第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂに誘電体膜は設けられていない。なお、圧電体層６の第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂのうち少なくとも一方に、誘電体膜が設けられていてもよい。例えば、図１１に示す第１の実施形態の第２の変形例においては、圧電体層６の第１の主面６ａに、ＩＤＴ電極７を覆うように、第１の誘電体膜９Ａが設けられている。この場合、第１の誘電体膜９ＡによりＩＤＴ電極７が保護される。これにより、ＩＤＴ電極７が破損し難い。
　圧電体層６の第２の主面６ｂには、第２の誘電体膜９Ｂが設けられている。第２の誘電体膜９Ｂは、平面視において、ＩＤＴ電極７と重なっている。本変形例では、圧電性基板２Ｂは、支持基板４、絶縁層５、第２の誘電体膜９Ｂ及び圧電体層６を含む。
　第１の誘電体膜９Ａ及び第２の誘電体膜９Ｂの材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素などを用いることができる。第１の誘電体膜９Ａ及び第２の誘電体膜９Ｂの材料は同じであってもよく、あるいは、互いに異なっていてもよい。
　図１１においては、本変形例のフィルタ装置における１つの弾性波共振子が示されている。なお、本変形例のフィルタ装置における、図１１に示す弾性波共振子以外の各弾性波共振子もそれぞれ、第１の誘電体膜９Ａ及び第２の誘電体膜９Ｂを有する。複数の弾性波共振子の第１の誘電体膜９Ａが一体として設けられていてもよい。複数の弾性波共振子の第２の誘電体膜９Ｂが一体として設けられていてもよい。
　本変形例においても、第１の実施形態と同様に、少なくとも１つの直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭い。それによって、フィルタ装置の耐電力性を高くすることができる。
　なお、複数の弾性波共振子は、圧電体層６の第１の主面６ａまたは第２の主面６ｂに誘電体膜が設けられていない弾性波共振子を含んでいてもよい。もっとも、少なくとも１つの直列腕共振子が、圧電体層６の第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂのうち少なくとも一方に、ＩＤＴ電極７と平面視において重なるように設けられている、誘電体膜を有していることが好ましい。言い換えれば、少なくとも１つの直列腕共振子が、第１の誘電体膜９Ａ及び第２の誘電体膜９Ｂのうち少なくとも一方を有していることが好ましい。
　そして、全ての直列腕共振子のうち、第１の誘電体膜９Ａ及び第２の誘電体膜９Ｂの厚みの合計値が最も大きい直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭いことが好ましい。それによって、フィルタ装置の耐電力性をより確実に高くすることができる。この詳細を以下において説明する。
　第１の誘電体膜９Ａ及び第２の誘電体膜９Ｂの厚みを調整することにより、弾性波共振子の共振周波数を調整することができる。具体的には、第１の誘電体膜９Ａ及び第２の誘電体膜９Ｂの厚みの合計値が大きいほど、弾性波共振子の共振周波数は低い。フィルタ装置における、共振周波数が最も低い直列腕共振子は、通過帯域における最も高い周波数付近における、急峻性を高くするために用いられることが多い。本明細書において急峻性が高いとは、通過帯域における最も高い周波数または最も低い周波数付近において、ある一定の減衰量の変化量に対して、周波数の変化量が小さいことをいう。
　急峻性を高くするために用いられる直列腕共振子においては、消費電力が特に大きくなる。そのため、当該直列腕共振子におけるＩＤＴ電極７は、フィルタ装置が用いられるに際し、温度が過度に高くなり易い。当該直列腕共振子の交叉幅Ａが狭いことにより、当該直列腕共振子が構成されている部分における放熱性を高くすることができる。従って、当該直列腕共振子の耐電力性を高くすることができ、フィルタ装置の耐電力性をより確実に高くすることができる。
　ところで、第１の実施形態においては、各弾性波共振子は、厚み滑りモードのバルク波をメインモードとして利用可能に構成されている。具体的には、音響反射部を有する各弾性波共振子において、ｄ／ｐ≦０．５である。なお、各弾性波共振子は、例えば、板波をメインモードとして利用可能に構成されていてもよい。
　例えば、図１２に示す第１の実施形態の第３の変形例においては、圧電体層６の第１の主面６ａに、１対の反射器１３Ａ及び反射器１３Ｂが設けられている。より具体的には、反射器１３Ａ及び反射器１３Ｂは、ＩＤＴ電極７を電極指直交方向において挟み互いに対向している。
　反射器１３Ａは、１対の反射器バスバー１３ａ及び反射器バスバー１３ｂと、複数の反射器電極指１３ｃとを有する。反射器バスバー１３ａ及び反射器バスバー１３ｂは互いに対向している。複数の反射器電極指１３ｃのそれぞれにおける一方端及び他方端は、反射器バスバー１３ａ及び反射器バスバー１３ｂにより短絡されている。反射器１３Ｂも、反射器１３Ａと同様に構成されている。
　圧電体層６の厚みをｄ、隣り合う第１の電極指１８及び第２の電極指１９の中心間距離をｐとしたときに、ｄ≦２ｐであることが好ましい。この場合には、板波が好適に励振される。加えて、反射器１３Ａ及び反射器１３Ｂが設けられていることにより、共振特性を良好にすることができる。なお、板波をメインモードとして利用する場合、交叉領域Ｆが励振領域である。
　図１２においては、本変形例のフィルタ装置における１つの弾性波共振子が示されている。なお、本変形例のフィルタ装置における、図１２に示す弾性波共振子以外の各弾性波共振子もそれぞれ、反射器１３Ａ及び反射器１３Ｂを有する。本変形例においても、第１の実施形態と同様に、フィルタ装置の耐電力性を高くすることができる。
　第１の実施形態やその各変形例においては、フィルタ装置はラダー型フィルタである。もっとも、フィルタ装置は、例えば、縦結合共振子型弾性波フィルタを含んでいてもよい。この場合においても、フィルタ装置は、少なくとも１つの直列腕共振子と、少なくとも１つの並列腕共振子とを含んでいればよい。少なくとも１つの直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭ければよい。第１の実施形態やその各変形例では、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子が同じ圧電性基板及び圧電体層を共有している。なお、本発明においては、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は、必ずしも同じ圧電性基板を共有していなくともよい。
　図１３は、第２の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。図１４は、第２の実施形態に係るフィルタ装置の略図的平面図である。
　図１３に示すように、本実施形態は、回路構成における直列腕の構成において、第１の実施形態と異なる。図１４に示すように、本実施形態は、全ての直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭い点においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置２１は第１の実施形態のフィルタ装置１と同様の構成を有する。
　図１３に示すように、フィルタ装置２１の複数の直列腕共振子は、直列腕共振子Ｓ２１ａ、直列腕共振子Ｓ２１ｂ、直列腕共振子Ｓ２２、直列腕共振子Ｓ２３及び直列腕共振子Ｓ２４である。直列腕において、直列腕共振子Ｓ２１ａ及び直列腕共振子Ｓ２１ｂが互いに並列に接続されている。そして、直列腕において、直列腕共振子Ｓ２１ａ及び直列腕共振子Ｓ２１ｂからなる共振子の群と、直列腕共振子Ｓ２２と、直列腕共振子Ｓ２３と、直列腕共振子Ｓ２４とが互いに直列に接続されている。回路構成上、第１の信号端子１１Ａ側から、直列腕共振子Ｓ２１ａ、直列腕共振子Ｓ２２、直列腕共振子Ｓ２３及び直列腕共振子Ｓ２４がこの順序で配置されている。
　本実施形態の回路構成は、直列腕に共振子の群が４つ配置されている点、及び各並列腕共振子の配置においては、第１の実施形態の回路構成と同様である。
　フィルタ装置２１においては、全ての直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭い。それによって、全ての直列腕共振子が構成されている部分の放熱性を高くすることができ、全ての直列腕共振子におけるＩＤＴ電極７が破損し難い。従って、フィルタ装置２１の耐電力性を効果的に高くすることができる。
　図１５は、第３の実施形態に係るフィルタ装置の模式図である。図１６は、図１５中のＩＩ－ＩＩ線に沿う模式的断面図である。なお、図１５においては、ＩＤＴ電極を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示している。図１５においては、第１の誘電体膜を省略している。図１６では、弾性波共振子を構成している電極以外の電極も示している。
　図１５に示すように、本実施形態は、回路構成及び弾性波共振子の配置において、第２の実施形態と異なる。本実施形態は、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子が、図１６に示す第１の誘電体膜９Ａを有する点においても、第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置３１は第２の実施形態のフィルタ装置２１と同様の構成を有する。
　フィルタ装置３１の複数の直列腕共振子は、直列腕共振子Ｓ３１、直列腕共振子Ｓ３２、直列腕共振子Ｓ３３、直列腕共振子Ｓ３４である。回路構成上、第１の信号端子１１Ａ側から、直列腕共振子Ｓ３１、直列腕共振子Ｓ３２、直列腕共振子Ｓ３３及び直列腕共振子Ｓ３４がこの順序において配置されている。
　フィルタ装置３１の複数の並列腕共振子は、並列腕共振子Ｐ３１、並列腕共振子Ｐ３２、並列腕共振子Ｐ３３及び並列腕共振子Ｐ３４である。第１の信号端子１１Ａとグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３１が接続されている。直列腕共振子Ｓ３１及び直列腕共振子Ｓ３２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３２が接続されている。直列腕共振子Ｓ３２及び直列腕共振子Ｓ３３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３３が接続されている。直列腕共振子Ｓ３３及び直列腕共振子Ｓ３４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３４が接続されている。
　本実施形態においても、第２の実施形態と同様に、全ての直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭い。それによって、フィルタ装置３１の耐電力性を効果的に高くすることができる。
　図１５に示すように、フィルタ装置３１の全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は、同じ圧電性基板２を共有している。そして、圧電性基板２における圧電体層６は第１の領域Ｂ１及び第２の領域Ｂ２を有する。具体的には、第１の領域Ｂ１及び第２の領域Ｂ２は、少なくとも１つの直列腕共振子における電極指直交方向において、圧電体層６を分けた２つの領域である。もっとも、本実施形態では、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子の電極指直交方向は同じである。
　第１の領域Ｂ１には、全ての直列腕共振子が位置している。第２の領域Ｂ２には、全ての並列腕共振子が位置している。図１６に示すように、圧電体層６の第１の領域Ｂ１及び第２の領域Ｂ２にわたり、第１の主面６ａに、第１の誘電体膜９Ａが設けられている。本実施形態では、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子の第１の誘電体膜９Ａが一体として設けられている。そして、第１の領域Ｂ１に設けられている第１の誘電体膜９Ａの厚みと、第２の領域Ｂ２に設けられている第１の誘電体膜９Ａの厚みとが互いに異なる。これにより、全ての直列腕共振子における第１の誘電体膜９Ａの厚みと、全ての並列腕共振子における第１の誘電体膜９Ａの厚みとが互いに異なる。
　より具体的には、第１の領域Ｂ１に設けられている第１の誘電体膜９Ａの厚みは、第２の領域Ｂ２に設けられている第１の誘電体膜９Ａの厚みよりも薄い。これにより、全ての直列腕共振子における第１の誘電体膜９Ａの厚みは、全ての並列腕共振子における誘電体膜の厚みよりも薄い。
　より詳細には、全ての直列腕共振子における第１の誘電体膜９Ａの厚みは同じである。全ての並列腕共振子における第１の誘電体膜９Ａの厚みは同じである。他方、いずれの直列腕共振子における第１の誘電体膜９Ａの厚みも、全ての並列腕共振子における第１の誘電体膜９Ａの厚みよりも薄い。
　一般に、直列腕共振子は、フィルタ装置の通過帯域における高域側の帯域を構成する。並列腕共振子は、フィルタ装置の通過帯域における低域側の帯域を構成する。そのため、直列腕共振子の共振周波数は並列腕共振子の共振周波数よりも高い。上記のように、図１１に示した第１の誘電体膜９Ａ及び第２の誘電体膜９Ｂの厚みの合計値が大きいほど、弾性波共振子の共振周波数は低い。すなわち、該合計値が小さいほど、弾性波共振子の共振周波数は高い。そのため、直列腕共振子における該合計値を、並列腕共振子における該合計値よりも小さくすることにより、直列腕共振子の共振周波数を並列腕共振子の共振周波数よりも、容易に高くすることができる。
　図１６に示すように、圧電体層６における第１の領域Ｂ１及び第２の領域Ｂ２は、弾性波共振子の電極指直交方向において圧電体層６を分けた領域である。よって、第１の領域Ｂ１及び第２の領域Ｂ２において、第１の誘電体膜９Ａの厚みを容易に互いに異ならせることができる。そして、全ての直列腕共振子が第１の領域Ｂ１に設けられており、全ての並列腕共振子が第２の領域Ｂ２に設けられている。これにより、全ての直列腕共振子の第１の誘電体膜９Ａの厚みを、全ての並列腕共振子の第１の誘電体膜９Ａの厚みよりも容易に薄くすることができる。従って、フィルタ装置３１の生産性を効果的に高くすることができる。
　なお、本実施形態においては、図１１に示した第２の誘電体膜９Ｂは設けられていない。そのため、第２の誘電体膜９Ｂの厚みは０である。もっとも、圧電体層６の第２の主面６ｂに第２の誘電体膜９Ｂが設けられていてもよい。
　図１７は、第４の実施形態に係るフィルタ装置の一部を示す模式的正面断面図である。図１７では、弾性波共振子を構成している電極以外の電極も示している。
　本実施形態は、第１の誘電体膜９Ａの厚みが、全ての弾性波共振子において同じである点において、第３の実施形態と異なる。本実施形態は、圧電体層６の第１の領域Ｂ１における厚みと、第２の領域Ｂ２における厚みとが互いに異なる点においても、第３の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置４１は第３の実施形態のフィルタ装置３１と同様の構成を有する。
　本実施形態においても、第３の実施形態と同様に、全ての直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭い。それによって、フィルタ装置４１の耐電力性を効果的に高くすることができる。
　ここで、圧電体層６の厚みが薄いほど、弾性波共振子の共振周波数は高い。そのため、直列腕共振子における圧電体層６の厚みを、並列腕共振子における圧電体層６の厚みよりも薄くすることにより、直列腕共振子の共振周波数を並列腕共振子の共振周波数よりも、容易に高くすることができる。
　圧電体層６における第１の領域Ｂ１及び第２の領域Ｂ２は、弾性波共振子の電極指直交方向において圧電体層６を分けた領域である。よって、第１の領域Ｂ１及び第２の領域Ｂ２において、圧電体層６の厚みを容易に互いに異ならせることができる。そして、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は同じ圧電性基板２及び圧電体層６を共有している。具体的には、全ての直列腕共振子が第１の領域Ｂ１において構成されており、全ての並列腕共振子が第２の領域Ｂ２において構成されている。これにより、全ての直列腕共振子の圧電体層６の厚みを、全ての並列腕共振子の圧電体層６の厚みよりも容易に薄くすることができる。従って、フィルタ装置４１の生産性を効果的に高くすることができる。
　本実施形態では、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子における第１の誘電体膜９Ａの厚みは同じである。なお、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子において、圧電体層６の厚み及び第１の誘電体膜９Ａの厚みが互いに異なっていてもよい。
　ところで、本発明においては、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は、必ずしも同じ圧電性基板を共有していなくともよい。全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子が、同じ圧電性基板を共有していない例を、第５の実施形態により示す。
　図１８は、第５の実施形態に係るフィルタ装置の模式図である。なお、図１８においては、ＩＤＴ電極を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示している。図１８においては、第１の誘電体膜を省略している。
　本実施形態は、全ての直列腕共振子が共有している圧電性基板５２Ａと、全ての並列腕共振子が共有している圧電性基板５２Ｂとが互いに異なる基板である点において、第４の実施形態と異なる。本実施形態では、全ての直列腕共振子が共有している圧電体層５６Ａと、全ての並列腕共振子が共有している圧電体層５６Ｂとは互いに異なる層である。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置５１は第４の実施形態のフィルタ装置４１と同様の構成を有する。
　フィルタ装置５１の回路構成は、第３の実施形態及び第４の実施形態の回路構成と同様である。もっとも、図１８に示すように、フィルタ装置５１の複数の直列腕共振子は、直列腕共振子Ｓ５１、直列腕共振子Ｓ５２、直列腕共振子Ｓ５３、直列腕共振子Ｓ５４である。回路構成上、第１の信号端子１１Ａ側から、直列腕共振子Ｓ５１、直列腕共振子Ｓ５２、直列腕共振子Ｓ５３及び直列腕共振子Ｓ５４がこの順序において配置されている。
　フィルタ装置５１の複数の並列腕共振子は、並列腕共振子Ｐ５１、並列腕共振子Ｐ５２、並列腕共振子Ｐ５３及び並列腕共振子Ｐ５４である。第１の信号端子１１Ａとグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ５１が接続されている。直列腕共振子Ｓ５１及び直列腕共振子Ｓ５２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ５２が接続されている。直列腕共振子Ｓ５２及び直列腕共振子Ｓ５３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ５３が接続されている。直列腕共振子Ｓ５３及び直列腕共振子Ｓ５４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ５４が接続されている。
　本実施形態においても、第４の実施形態と同様に、全ての直列腕共振子の交叉幅Ａが、全ての並列腕共振子の交叉幅Ａよりも狭い。それによって、フィルタ装置５１の耐電力性を効果的に高くすることができる。
　フィルタ装置５１においては、圧電体層５６Ａの厚みと圧電体層５６Ｂの厚みとは互いに異なる。具体的には、全ての直列腕共振子が共有している圧電体層５６Ａの厚みは、全ての並列腕共振子が共有している圧電体層５６Ｂの厚みよりも薄い。これにより、直列腕共振子の共振周波数が並列腕共振子の共振周波数よりも高い。
　圧電体層５６Ａ及び圧電体層５６Ｂは互いに異なる層である。よって、圧電体層５６Ａ及び圧電体層５６Ｂの厚みを容易に互いに異ならせることができる。従って、フィルタ装置５１の生産性を効果的に高くすることができる。
　加えて、圧電体層５６Ａ及び圧電体層５６Ｂの材料は互いに異なっていてもよい。あるいは、圧電体層５６Ａを構成している材料のオイラー角（φ，θ，ψ）と、圧電体層５６Ｂを構成している材料のオイラー角（φ，θ，ψ）とが互いに異なっていてもよい。これらの場合にも、圧電体層５６Ａ及び圧電体層５６Ｂが互いに異なる層であるため、フィルタ装置５１を容易に製造することができる。よって、フィルタ装置５１の所望の電気的特性を容易に、より確実に得ることができ、生産性が低下し難い。もっとも、圧電体層５６Ａ及び圧電体層５６Ｂの厚み、材料やオイラー角などは、必ずしも互いに異なっていなくともよい。
　図１８においては省略しているが、圧電体層５６Ａの第１の主面に設けられている第１の誘電体膜の厚みと、圧電体層５６Ｂの第１の主面に設けられている第１の誘電体膜の厚みとが、互いに異なっていてもよい。すなわち、図１６に示す第３の実施形態と同様に、全ての直列腕共振子における第１の誘電体膜９Ａの厚みと、全ての並列腕共振子における第１の誘電体膜９Ａの厚みとが互いに異なっていてもよい。
　本実施形態では、全ての直列腕共振子が共有している圧電性基板５２Ａと、全ての並列腕共振子が共有している圧電性基板５２Ｂとが互いに異なる基板である。なお、圧電性基板５２Ａ及び圧電性基板５２Ｂの積層構成は、図１６や図１７に示した圧電性基板２の積層構成と同様である。図示しないが、本実施形態においては、全ての直列腕共振子が共有している圧電性基板５２Ａと、全ての並列腕共振子が共有している圧電性基板５２Ｂとは、同じパッケージ基板に実装されている。
　図１８において模式的に示す、直列腕共振子及び並列腕共振子を接続している配線は、圧電性基板５２Ａ上、パッケージ基板上及び圧電性基板５２Ｂ上にわたり設けられている。パッケージ基板の材料としては、例えば、適宜のセラミックスまたはガラスエポキシ樹脂などを用いることができる。
　なお、例えば、圧電性基板５２Ａと、圧電性基板５２Ｂとの積層構成が互いに異なっていてもよい。例えば、圧電性基板５２Ａ及び圧電性基板５２Ｂのうち一方における音響反射部が空洞部であり、他方における音響反射部が音響反射膜であってもよい。フィルタ装置５１の製造に際し、圧電性基板５２Ａ及び圧電性基板５２Ｂを個別に形成することができる。それによって、フィルタ装置５１の所望の電気的特性を容易に、より確実に得ることができ、生産性が低下し難い。
　以下において、本発明における弾性波共振子の好ましい構成を、図３を用いて説明する。もっとも、以下に示す好ましい構成は、第１の実施形態以外の本発明の、厚み滑りモードをメインモードとして利用する弾性波共振子の構成にも適用することができる。
　第１の実施形態では、圧電体層６の厚みをｄ、隣り合う電極指同士の中心間距離をｐとした場合、音響反射部を有する弾性波共振子において、ｄ／ｐが０．５以下である。なお、音響反射部を有する弾性波共振子において、ｄ／ｐが０．２４以下であることが好ましい。それによって、各励振領域Ｃにおいて、厚み滑りモードのバルク波がより好適に励振され、かつ弾性波共振子の比帯域の値を十分に大きくすることができる。比帯域は、共振周波数をｆｒ、反共振周波数をｆａとしたときに、（｜ｆａ－ｆｒ｜／ｆｒ）×１００［％］により表される。
　図１９は、ｄ／ｐと、弾性波共振子の比帯域との関係を示す図である。
　図１９から明らかなように、ｄ／ｐ＞０．５である場合には、比帯域は５％未満である。これに対して、ｄ／ｐ≦０．５である場合には、比帯域を５％以上にすることができる。よって、厚み滑りモードのバルク波の電気機械結合係数を大きくすることができる。ｄ／ｐ≦０．２４である場合には、比帯域を７％以上にすることができる。よって、厚み滑りモードのバルク波の電気機械結合係数を効果的に大きくすることができる。
　励振領域Ｃに対する、電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たすことが好ましい。この場合には、弾性波共振子の比帯域の値が大きくなりすぎず、共振周波数及び反共振周波数の間においてスプリアスが生じることを抑制できる。この詳細を以下において示す。
　なお、本明細書では、励振領域Ｃに対する電極指のメタライゼーション比ＭＲは、平面視したときに、圧電体層６が電極指を構成する金属により被覆されている部分が、励振領域Ｃにおいて占める割合である。具体的には、平面視したときの、励振領域Ｃの面積に対する、励振領域Ｃ内における第１の電極指１８及び第２の電極指１９の面積の比が、メタライゼーション比ＭＲとなる。なお、励振領域Ｃ内に位置する電極指の幅が一定である場合には、励振領域Ｃ内に位置する電極指の幅の合計を、励振領域Ｃの電極指直交方向に沿う寸法により割ることによって、メタライゼーション比ＭＲを算出することもできる。
　図２０は、弾性波共振子における比帯域と、規格化されたスプリアスの大きさとの関係を示す図である。図２０では、圧電体層の厚みや電極指の寸法を変化させることにより、比帯域を変化させる毎に、スプリアスの位相回転量を測定した結果を示す。なお、図２０における規格化されたスプリアスの大きさは、具体的には、スプリアスのインピーダンスの位相回転量が、１８０°により規格化された値である。図２０に示す結果は、ＺカットのＬｉＮｂＯ３からなる圧電体層を用いた場合の結果であるが、他のカット角の圧電体層を用いた場合においても、同様の傾向となる。
　図２０中の楕円Ｄにより囲まれている領域では、共振周波数及び反共振周波数の間における規格化されたスプリアスの大きさが、１．０となっている。弾性波共振子の比帯域が１７％を超えると、規格化された該スプリアスの大きさが、１．０以上となり得る。このことから、比帯域は１７％以下であることが好ましい。それによって、共振周波数及び反共振周波数の間におけるスプリアスを抑制することができる。
　図２１は、ｄ／ｐと、メタライゼーション比ＭＲと、比帯域との関係を示す図である。図２１では、ｄ／ｐ及びメタライゼーション比ＭＲを異ならせる毎に、比帯域を算出した結果を示す。
　図２１中において、ハッチングを付して示した部分は、比帯域が１７％以下の領域である。このハッチングを付した領域と、付していない領域との境界は、おおよそ破線Ｅにより表される。破線Ｅは、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５により表される。そして、フィルタ装置における、ｄ／ｐが０．５以下である少なくとも１つの弾性波共振子において、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５であることが好ましい。ｄ／ｐが０．５以下である全ての弾性波共振子のそれぞれにおいて、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５であることがより好ましい。この場合には、厚み滑りモードのバルク波をメインモードとして利用する弾性波共振子において、比帯域を１７％以下とし易い。
　一方で、図２１中の一点鎖線Ｅ１により、ｄ／ｐの変化に対するメタライゼーション比ＭＲの変化の傾きが、破線Ｅの該傾きと同じであり、かつ全ての範囲において比帯域が１７％以下となる境界を示す。一点鎖線Ｅ１は、ＭＲ＝１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５により表される。そして、フィルタ装置における、ｄ／ｐが０．５以下である少なくとも１つの弾性波共振子において、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であることがより好ましい。ｄ／ｐが０．５以下である全ての弾性波共振子のそれぞれにおいて、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０５であることがさらに好ましい。この場合には、厚み滑りモードのバルク波をメインモードとして利用する弾性波共振子において、比帯域をより確実に１７％以下にすることができる。
　図２２は、ｄ／ｐを限りなく０に近づけた場合のＬｉＮｂＯ３のオイラー角（０°，θ，ψ）に対する比帯域のマップを示す図である。図２２のハッチングを付して示した部分が、少なくとも５％以上の比帯域が得られる領域であり、当該領域の範囲を近似すると、下記の式（１）、式（２）及び式（３）により表される範囲となる。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　圧電体層を構成しているニオブ酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、上記式（１）、式（２）または式（３）の範囲にあることが好ましい。それによって、弾性波共振子の比帯域を十分に広くすることができる。圧電体層がタンタル酸リチウムからなる場合も同様である。さらに、図１８に示す第５の実施形態のように、圧電体層５６Ａと圧電体層５６Ｂとが互いに異なる層である場合においても同様である。具体的には、双方の圧電体層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、上記式（１）、式（２）または式（３）の範囲にあることが好ましい。それによって、各直列腕共振子及び各並列腕共振子の比帯域を十分に広くすることができる。
　以下において、本発明に係るフィルタ装置の形態の例をまとめて記載する。
　＜１＞圧電体層を含む圧電性基板を有し、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極をそれぞれ有する複数の弾性波共振子を備え、前記ＩＤＴ電極が複数の電極指を有し、前記複数の電極指が延びる方向を電極指延伸方向、前記電極指延伸方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、隣り合う前記電極指同士が前記電極指直交方向において重なり合っている領域が交叉領域であり、前記交叉領域の前記電極指延伸方向に沿う寸法が交叉幅であり、前記複数の弾性波共振子が、少なくとも１つの直列腕共振子と、少なくとも１つの並列腕共振子と、を含み、少なくとも１つの前記直列腕共振子の前記交叉幅が、全ての前記並列腕共振子の前記交叉幅よりも狭い、フィルタ装置。
　＜２＞全ての前記直列腕共振子の前記交叉幅が、全ての前記並列腕共振子の前記交叉幅よりも狭い、＜１＞に記載のフィルタ装置。
　＜３＞前記圧電体層が、互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有し、少なくとも１つの前記直列腕共振子が、前記圧電体層の前記第１の主面及び前記第２の主面のうち少なくとも一方に、前記ＩＤＴ電極と平面視において重なるように設けられている、誘電体膜を有し、全ての前記直列腕共振子のうち、前記圧電体層の前記第１の主面及び前記第２の主面に設けられている前記誘電体膜の厚みの合計値が最も大きい前記直列腕共振子の前記交叉幅が、全ての前記並列腕共振子の前記交叉幅よりも狭い、＜１＞または＜２＞に記載のフィルタ装置。
　＜４＞隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとしたときに、全ての前記直列腕共振子の前記交叉幅が４．７ｐ以上である、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。
　＜５＞全ての前記直列腕共振子及び全ての前記並列腕共振子が同じ前記圧電性基板及び前記圧電体層を共有しており、少なくとも１つの前記直列腕共振子における前記電極指直交方向において、前記圧電体層を第１の領域及び第２の領域に分けたときに、前記第１の領域に全ての前記直列腕共振子が位置しており、前記第２の領域に全ての前記並列腕共振子が位置している、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。
　＜６＞前記圧電体層が互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有し、全ての前記直列腕共振子及び全ての前記並列腕共振子が、前記圧電体層の前記第１の主面に、前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている誘電体膜を有し、全ての前記直列腕共振子における前記誘電体膜の厚みと、全ての前記並列腕共振子における前記誘電体膜の厚みとが互いに異なる、＜５＞に記載のフィルタ装置。
　＜７＞前記圧電体層の前記第１の領域における厚みと、前記第２の領域における厚みとが互いに異なる、＜５＞または＜６＞に記載のフィルタ装置。
　＜８＞全ての前記直列腕共振子が同じ前記圧電性基板を共有しており、全ての前記並列腕共振子が同じ前記圧電性基板を共有しており、全ての前記直列腕共振子が共有している前記圧電性基板と、全ての前記並列腕共振子が共有している前記圧電性基板とが互いに異なる基板である、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。
　＜９＞前記圧電性基板が支持部材を含み、前記支持部材上に前記圧電体層が設けられており、少なくとも１つの前記弾性波共振子が、前記支持部材における、平面視において前記ＩＤＴ電極と重なる位置に設けられている音響反射部を有し、前記圧電体層の厚みをｄとし、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとしたときに、前記音響反射部を有する前記弾性波共振子において、ｄ／ｐが０．５以下である、＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。
　＜１０＞ｄ／ｐが０．５以下である前記弾性波共振子における、隣り合う前記電極指同士が前記電極指直交方向において重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記電極指の中心間の領域が該弾性波共振子の励振領域であり、前記励振領域に対する、前記電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ｄ／ｐが０．５以下である少なくとも１つの前記弾性波共振子において、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、＜９＞に記載のフィルタ装置。
　＜１１＞前記音響反射部を有する前記弾性波共振子において、ｄ／ｐが０．２４以下である、＜９＞または＜１０＞に記載のフィルタ装置。
　＜１２＞前記圧電体層がニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなり、前記圧電体層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。
　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
　＜１３＞前記圧電性基板が支持部材を含み、前記支持部材上に前記圧電体層が設けられており、少なくとも１つの前記弾性波共振子が、前記支持部材における、平面視において前記ＩＤＴ電極と重なる位置に設けられている音響反射部を有し、前記音響反射部が空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電体層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電体層とが配置されている、＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。
　＜１４＞前記圧電性基板が支持部材を含み、前記支持部材上に前記圧電体層が設けられており、少なくとも１つの前記弾性波共振子が、前記支持部材における、平面視において前記ＩＤＴ電極と重なる位置に設けられている音響反射部を有し、前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電体層の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電体層とが配置されている、＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載のフィルタ装置。
１…フィルタ装置
２，２Ｂ…圧電性基板
２ａ…空洞部
３，３Ａ…支持部材
４…支持基板
５…絶縁層
６…圧電体層
６ａ，６ｂ…第１，第２の主面
７…ＩＤＴ電極
８…音響反射膜
９Ａ，９Ｂ…第１，第２の誘電体膜
１１Ａ，１１Ｂ…第１，第２の信号端子
１２…グラウンド端子
１３Ａ，１３Ｂ…反射器
１３ａ，１３ｂ…反射器バスバー
１３ｃ…反射器電極指
１４ａ～１４ｃ…低音響インピーダンス層
１５ａ，１５ｂ…高音響インピーダンス層
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２１，３１，４１，５１…フィルタ装置
５２Ａ，５２Ｂ…圧電性基板
５６Ａ，５６Ｂ…圧電体層
１０１…フィルタ装置
Ｂ１，Ｂ２…第１，第２の領域
Ｃ…励振領域
Ｆ…交叉領域
Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ，Ｐ３ａ，Ｐ３ｂ，Ｐ４ａ～Ｐ４ｄ，Ｐ３１～Ｐ３４，Ｐ５１～Ｐ５４，Ｐ１０１～Ｐ１０４…並列腕共振子
Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ，Ｓ２ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ３ａ，Ｓ３ｂ，Ｓ４，Ｓ２１ａ，Ｓ２１ｂ，Ｓ２２～Ｓ２４，Ｓ３１～Ｓ３４，Ｓ５１～Ｓ５４，Ｓ１０１～Ｓ１０４…直列腕共振子

Claims (14)

  1. 　圧電体層を含む圧電性基板を有し、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極をそれぞれ有する複数の弾性波共振子を備え、
    　前記ＩＤＴ電極が複数の電極指を有し、前記複数の電極指が延びる方向を電極指延伸方向、前記電極指延伸方向と直交する方向を電極指直交方向としたときに、隣り合う前記電極指同士が前記電極指直交方向において重なり合っている領域が交叉領域であり、前記交叉領域の前記電極指延伸方向に沿う寸法が交叉幅であり、
    　前記複数の弾性波共振子が、少なくとも１つの直列腕共振子と、少なくとも１つの並列腕共振子と、を含み、
    　少なくとも１つの前記直列腕共振子の前記交叉幅が、全ての前記並列腕共振子の前記交叉幅よりも狭い、フィルタ装置。
  2. 　全ての前記直列腕共振子の前記交叉幅が、全ての前記並列腕共振子の前記交叉幅よりも狭い、請求項１に記載のフィルタ装置。
  3. 　前記圧電体層が、互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有し、
    　少なくとも１つの前記直列腕共振子が、前記圧電体層の前記第１の主面及び前記第２の主面のうち少なくとも一方に、前記ＩＤＴ電極と平面視において重なるように設けられている、誘電体膜を有し、
    　全ての前記直列腕共振子のうち、前記圧電体層の前記第１の主面及び前記第２の主面に設けられている前記誘電体膜の厚みの合計値が最も大きい前記直列腕共振子の前記交叉幅が、全ての前記並列腕共振子の前記交叉幅よりも狭い、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
  4. 　隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとしたときに、全ての前記直列腕共振子の前記交叉幅が４．７ｐ以上である、請求項１～３のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  5. 　全ての前記直列腕共振子及び全ての前記並列腕共振子が同じ前記圧電性基板及び前記圧電体層を共有しており、
    　少なくとも１つの前記直列腕共振子における前記電極指直交方向において、前記圧電体層を第１の領域及び第２の領域に分けたときに、前記第１の領域に全ての前記直列腕共振子が位置しており、前記第２の領域に全ての前記並列腕共振子が位置している、請求項１～４のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  6. 　前記圧電体層が互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有し、
    　全ての前記直列腕共振子及び全ての前記並列腕共振子が、前記圧電体層の前記第１の主面に、前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている誘電体膜を有し、
    　全ての前記直列腕共振子における前記誘電体膜の厚みと、全ての前記並列腕共振子における前記誘電体膜の厚みとが互いに異なる、請求項５に記載のフィルタ装置。
  7. 　前記圧電体層の前記第１の領域における厚みと、前記第２の領域における厚みとが互いに異なる、請求項５または６に記載のフィルタ装置。
  8. 　全ての前記直列腕共振子が同じ前記圧電性基板を共有しており、全ての前記並列腕共振子が同じ前記圧電性基板を共有しており、全ての前記直列腕共振子が共有している前記圧電性基板と、全ての前記並列腕共振子が共有している前記圧電性基板とが互いに異なる基板である、請求項１～４のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  9. 　前記圧電性基板が支持部材を含み、
    　前記支持部材上に前記圧電体層が設けられており、
    　少なくとも１つの前記弾性波共振子が、前記支持部材における、平面視において前記ＩＤＴ電極と重なる位置に設けられている音響反射部を有し、
    　前記圧電体層の厚みをｄとし、隣り合う前記電極指同士の中心間距離をｐとしたときに、前記音響反射部を有する前記弾性波共振子において、ｄ／ｐが０．５以下である、請求項１～８のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  10. 　ｄ／ｐが０．５以下である前記弾性波共振子における、隣り合う前記電極指同士が前記電極指直交方向において重なり合っている領域であり、かつ隣り合う前記電極指の中心間の領域が該弾性波共振子の励振領域であり、
    　前記励振領域に対する、前記電極指のメタライゼーション比をＭＲとしたときに、ｄ／ｐが０．５以下である少なくとも１つの前記弾性波共振子において、ＭＲ≦１．７５（ｄ／ｐ）＋０．０７５を満たす、請求項９に記載のフィルタ装置。
  11. 　前記音響反射部を有する前記弾性波共振子において、ｄ／ｐが０．２４以下である、請求項９または１０に記載のフィルタ装置。
  12. 　前記圧電体層がニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなり、
    　前記圧電体層を構成しているニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムのオイラー角（φ，θ，ψ）が、以下の式（１）、式（２）または式（３）の範囲にある、請求項１～１１のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
    　（０°±１０°，０°～２０°，任意のψ）　　…式（１）
    　（０°±１０°，２０°～８０°，０°～６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２）　または　（０°±１０°，２０°～８０°，［１８０°－６０°（１－（θ－５０）２／９００）１／２］～１８０°）　　…式（２）
    　（０°±１０°，［１８０°－３０°（１－（ψ－９０）２／８１００）１／２］～１８０°，任意のψ）　　…式（３）
  13. 　前記圧電性基板が支持部材を含み、
    　前記支持部材上に前記圧電体層が設けられており、
    　少なくとも１つの前記弾性波共振子が、前記支持部材における、平面視において前記ＩＤＴ電極と重なる位置に設けられている音響反射部を有し、
    　前記音響反射部が空洞部であり、前記支持部材の一部及び前記圧電体層の一部が、前記空洞部を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電体層とが配置されている、請求項１～１２のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  14. 　前記圧電性基板が支持部材を含み、
    　前記支持部材上に前記圧電体層が設けられており、
    　少なくとも１つの前記弾性波共振子が、前記支持部材における、平面視において前記ＩＤＴ電極と重なる位置に設けられている音響反射部を有し、
    　前記音響反射部が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を含む、音響反射膜であり、前記支持部材の少なくとも一部及び前記圧電体層の少なくとも一部が、前記音響反射膜を挟み互いに対向するように、前記支持部材と前記圧電体層とが配置されている、請求項１～１２のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
PCT/JP2025/017811 2024-06-21 2025-05-16 フィルタ装置 Pending WO2025263183A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2024-100443 2024-06-21
JP2024100443 2024-06-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2025263183A1 true WO2025263183A1 (ja) 2025-12-26

Family

ID=98212855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2025/017811 Pending WO2025263183A1 (ja) 2024-06-21 2025-05-16 フィルタ装置

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2025263183A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018050108A (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022071186A1 (ja) * 2020-09-30 2022-04-07 株式会社村田製作所 マルチプレクサ
WO2022224740A1 (ja) * 2021-04-22 2022-10-27 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ
WO2024085127A1 (ja) * 2022-10-17 2024-04-25 株式会社村田製作所 弾性波装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018050108A (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2022071186A1 (ja) * 2020-09-30 2022-04-07 株式会社村田製作所 マルチプレクサ
WO2022224740A1 (ja) * 2021-04-22 2022-10-27 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ
WO2024085127A1 (ja) * 2022-10-17 2024-04-25 株式会社村田製作所 弾性波装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240154596A1 (en) Acoustic wave device and filter device
US20230084340A1 (en) Acoustic wave device
US12470197B2 (en) Acoustic wave device
WO2024043343A1 (ja) 弾性波装置
WO2022239630A1 (ja) 圧電バルク波装置
WO2022211029A1 (ja) 弾性波装置
US20260088799A1 (en) Acoustic wave device and acoustic wave filter device
WO2024029609A1 (ja) 弾性波装置
US20250038730A1 (en) Acoustic wave device
US20250167760A1 (en) Acoustic wave device
JP7800707B2 (ja) 弾性波装置
WO2024257810A1 (ja) 弾性波装置及び弾性波フィルタ装置
WO2023136293A1 (ja) 弾性波装置
WO2023140354A1 (ja) 弾性波装置及びフィルタ装置
WO2022210923A1 (ja) 弾性波装置
WO2023136291A1 (ja) 弾性波装置
WO2022210941A1 (ja) 弾性波装置
WO2024085127A1 (ja) 弾性波装置
WO2023048140A1 (ja) 弾性波装置
WO2023002824A1 (ja) 弾性波装置
WO2025253720A1 (ja) フィルタ装置
WO2026023625A1 (ja) フィルタ装置
JP7700959B2 (ja) 弾性波装置
US20250158592A1 (en) Acoustic wave device
WO2025263149A1 (ja) 弾性波装置及びフィルタ装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 25830308

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1