WO2025249192A1 - 電子部品 - Google Patents

電子部品

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WO2025249192A1
WO2025249192A1 PCT/JP2025/017681 JP2025017681W WO2025249192A1 WO 2025249192 A1 WO2025249192 A1 WO 2025249192A1 JP 2025017681 W JP2025017681 W JP 2025017681W WO 2025249192 A1 WO2025249192 A1 WO 2025249192A1
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WO
WIPO (PCT)
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inorganic oxide
oxide layer
potassium
glass layer
layer
Prior art date
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Pending
Application number
PCT/JP2025/017681
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English (en)
French (fr)
Inventor
知也 大島
大将 坪川
悠太 星野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of WO2025249192A1 publication Critical patent/WO2025249192A1/ja
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
    • H01C1/032—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure plural layers surrounding the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors

Definitions

  • This disclosure relates to electronic components.
  • the electronic component described in Patent Document 1 includes an element body and an external electrode.
  • the external electrode covers a portion of the outer surface of the element body.
  • a Ni plating film and a Sn plating film are laminated on the external electrode.
  • the electronic component described in Patent Document 1 also includes a glass film.
  • the glass film covers the portion of the outer surface of the element body that is not covered by the external electrode.
  • the glass film contains two or more alkali metal elements selected from Li, Na, and K.
  • the glass film contains alkali metals, which can cause elements contained in the element to diffuse into the glass layer. If elements contained in the element diffuse into the glass layer, the atomic structure of the element may change, potentially changing the characteristics of the element.
  • the present disclosure provides an electronic component comprising an element body, an inorganic oxide layer covering the outer surface of the element body, and a glass layer covering the outer surface of the inorganic oxide layer, wherein the glass layer contains one or more elements selected from alkali metals and alkaline earth metals, and the concentration of an element in the inorganic oxide layer that is the same as the one or more elements selected from alkali metals and alkaline earth metals contained in the glass layer is lower than the concentration of the same element in the glass layer.
  • the above configuration prevents elements from the element body from diffusing into the glass layer.
  • FIG. 1 is a perspective view of an electronic component.
  • FIG. 2 is a side view of the electronic component.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line 3-3 in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the element body, the inorganic oxide layer, and the glass layer.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a method for manufacturing an electronic component.
  • the electronic component 10 is, for example, a surface-mount type negative temperature coefficient thermistor component mounted on a circuit board, etc. Note that a negative temperature coefficient thermistor component has the characteristic that its resistance value decreases as the temperature increases.
  • the electronic component 10 includes an element body 20.
  • the element body 20 is generally rectangular prism-shaped and has a central axis CA.
  • the axis extending along the central axis CA is referred to as the first axis X.
  • One of the axes perpendicular to the first axis X is referred to as the second axis Y.
  • the axis perpendicular to the first axis X and the second axis Y is referred to as the third axis Z.
  • One of the directions along the first axis X is referred to as the first positive direction X1
  • the direction along the first axis X opposite to the first positive direction X1 is referred to as the first negative direction X2.
  • One of the directions along the second axis Y is referred to as the second positive direction Y1, and the direction along the second axis Y opposite to the second positive direction Y1 is referred to as the second negative direction Y2.
  • One of the directions along the third axis Z is referred to as the third positive direction Z1, and the direction along the third axis Z opposite to the third positive direction Z1 is referred to as the third negative direction Z2.
  • the outer surface 21 of the element body 20 has six flat surfaces.
  • the "surface" of the element body 20 referred to here refers to a surface that can be observed when the entire element body 20 is observed. In other words, even if there are minute irregularities or steps that can only be seen by magnifying a portion of the element body 20 with a microscope, the surface is still referred to as a flat or curved surface.
  • the six flat surfaces face in different directions.
  • the six flat surfaces are broadly divided into a first end surface 22A facing the first positive direction X1, a second end surface 22B facing the first negative direction X2, and four side surfaces 22C.
  • the four side surfaces 22C are, respectively, a surface facing the third positive direction Z1, a surface facing the third negative direction Z2, a surface facing the second positive direction Y1, and a surface facing the second negative direction Y2.
  • the boundary portions between two adjacent flat surfaces and the boundary portions between three adjacent surfaces are curved.
  • the corners of the element body 20 are rounded and chamfered.
  • the outer surface 31 of the inorganic oxide layer 30 and the outer surface 51 of the glass layer 50 which will be described later, are identified with the outer surface 21 of the element body 20 and are given reference numerals accordingly.
  • the dimension of element body 20 along the first axis X is greater than the dimension along the third axis Z. Also, as shown in Figure 1, the dimension of element body 20 along the first axis X is greater than the dimension along the second axis Y.
  • the material of element body 20 is a ceramic made by firing a metal oxide containing one or more elements selected from Mn, Fe, Ni, Co, Ti, Ba, Al, and Zn.
  • the electronic component 10 has two first internal electrodes 41 and two second internal electrodes 42.
  • the first internal electrodes 41 and the second internal electrodes 42 are embedded inside the element body 20.
  • the material of the first internal electrode 41 is a conductive material.
  • the material of the first internal electrode 41 is palladium.
  • the material of the second internal electrode 42 is the same as the material of the first internal electrode 41.
  • the first internal electrode 41 has a rectangular plate shape.
  • the main surface of the first internal electrode 41 is perpendicular to the second axis Y.
  • the second internal electrode 42 has the same rectangular plate shape as the first internal electrode 41.
  • the main surface of the second internal electrode 42 is perpendicular to the second axis Y, just like the first internal electrode 41.
  • the dimension of the first internal electrode 41 in the direction along the first axis X is smaller than the dimension of the element body 20 in the direction along the first axis X. Also, as shown in FIG. 1, the dimension of the first internal electrode 41 in the direction along the third axis Z is approximately two-thirds of the dimension of the element body 20 in the direction along the third axis Z. The dimensions of the second internal electrode 42 in each direction are approximately the same as those of the first internal electrode 41.
  • the first internal electrodes 41 and the second internal electrodes 42 are positioned alternately in the direction along the second axis Y. That is, from the side surface 22C facing the second positive direction Y1 toward the second negative direction Y2, the first internal electrode 41, the second internal electrode 42, the first internal electrode 41, the second internal electrode 42 are arranged in this order. In this embodiment, the distances between each internal electrode in the direction along the second axis Y are equal.
  • the two first internal electrodes 41 and the two second internal electrodes 42 are both located at the center of the element body 20 in the direction along the third axis Z.
  • the first internal electrode 41 is located closer to the first positive direction X1.
  • the second internal electrode 42 is located closer to the first negative direction X2.
  • the end of the first internal electrode 41 on the first positive direction X1 side coincides with the end of the element body 20 on the first positive direction X1 side.
  • the end of the first internal electrode 41 on the first negative direction X2 side is located inside the element body 20 and does not reach the end of the element body 20 on the first negative direction X2 side.
  • the end of the second internal electrode 42 on the first negative direction X2 side coincides with the end of the element body 20 on the first negative direction X2 side.
  • the end of the second internal electrode 42 on the first positive direction X1 side is located inside the element body 20 and does not reach the end of the element body 20 on the first positive direction X1 side.
  • the electronic component 10 includes an inorganic oxide layer 30.
  • the inorganic oxide layer 30 covers the outer surface 21 of the element body 20.
  • the inorganic oxide layer 30 covers substantially the entire area of the outer surface 21 of the element body 20.
  • the inorganic oxide layer 30 covers the outer surface 21 of the element body 20 means that the inorganic oxide layer 30 covers at least a portion of the outer surface 21.
  • the inorganic oxide layer 30 and the outer surface 21 are not in close contact, and no other solid substance is present between the inorganic oxide layer 30 and the outer surface 21, this also applies to "the inorganic oxide layer 30 covering the outer surface 21 of the element body 20.”
  • the inorganic oxide layer 30 contains one or more specific elements selected from Al, Si, Zr, and Ti.
  • the material of the inorganic oxide layer 30 is alumina. That is, the inorganic oxide layer 30 contains Al. Whether or not the inorganic oxide layer 30 contains Al can be confirmed by the following method.
  • the electronic component 10 is ground in a direction perpendicular to the outer surface 21 of the base body 20 using focused ion beam processing or the like.
  • the ground cross section is imaged using a transmission electron microscope (TEM).
  • TEM transmission electron microscope
  • EDX energy dispersive X-ray spectroscopy
  • the mapping data is in the form of an image.
  • mapping data the higher the dose of characteristic X-rays in an area, the higher the brightness value in the image. If a brightness value above a certain level is obtained in the area showing the inorganic oxide layer 30 in the mapping data, it is determined that the area "contains Al as a specific element.”
  • the electronic component 10 includes a glass layer 50.
  • the glass layer 50 covers the outer surface 31 of the inorganic oxide layer 30. Specifically, the glass layer 50 covers substantially the entire area of the outer surface 31 of the inorganic oxide layer 30.
  • the glass layer 50 contains the same type of element as the specific element contained in the inorganic oxide layer 30. That is, the glass layer 50 contains Al.
  • the Al diffuses from the inorganic oxide layer 30 into the glass layer 50 when the glass layer 50 is formed on the outer surface 31 of the inorganic oxide layer 30.
  • the Al concentration decreases with increasing distance from the inorganic oxide layer 30 in the thickness direction of the glass layer 50.
  • the Al concentration composition in the glass layer 50 has a gradient composition in which the concentration decreases with increasing distance from the inorganic oxide layer 30 in the thickness direction of the glass layer 50.
  • the Al concentration in the glass layer 50 can be confirmed by the following method.
  • the electronic component 10 is ground in a direction perpendicular to the outer surface 21 of the base body 20 using focused ion beam processing or the like.
  • the ground cross section is imaged using a transmission electron microscope.
  • mapping data of the composition in the cross section is obtained using energy dispersive X-ray spectroscopy.
  • the mapping data is in the form of an image.
  • the concentration of the composition in a specific area of this mapping data is calculated by dividing the total brightness value in that area by the area of that area. Note that the concentration in this case is expressed as the average brightness value per unit area.
  • the glass layer 50 contains one or more elements selected from alkali metals and alkaline earth metals. Specifically, the glass layer 50 contains potassium. The potassium concentration in the glass layer 50 increases overall as it approaches the inorganic oxide layer 30. Whether the glass layer 50 contains Al and whether it contains potassium can be confirmed using the same method as above.
  • the melting point of the glass layer 50 is lower than that of the inorganic oxide layer 30. In other words, the melting point of the inorganic oxide layer 30 is higher than that of the glass layer 50. Therefore, even if heat is applied to the inorganic oxide layer 30 during the process of forming the glass layer 50, the inorganic oxide layer 30 does not melt completely.
  • the electronic component 10 includes a first external electrode 61 and a second external electrode 62.
  • the first external electrode 61 and the second external electrode 62 are shown by two-dot chain lines.
  • the first external electrode 61 has a first base electrode 61A and a first metal layer 61B.
  • the first base electrode 61A is laminated on the glass layer 50 in a portion of the outer surface 21 of the element body 20, including the first end face 22A.
  • the first base electrode 61A is a five-sided electrode that covers the first end face 22A of the element body 20 and portions of the four side faces 22C facing the first positive direction X1.
  • the material of the first base electrode 61A is a mixture of silver and glass.
  • the first metal layer 61B covers the first base electrode 61A from the outside. Therefore, the first metal layer 61B is laminated on the first base electrode 61A. Although not shown in the figure, the first metal layer 61B has a two-layer structure consisting of, in order from the first base electrode 61A side, a nickel layer and a tin layer.
  • the second external electrode 62 has a second base electrode 62A and a second metal layer 62B.
  • the second base electrode 62A is laminated on top of the glass layer 50 on a portion of the outer surface 21 of the element body 20, including the second end face 22B.
  • the second base electrode 62A is a five-sided electrode that covers the second end face 22B of the element body 20 and portions of the four side faces 22C facing the first negative direction X2.
  • the material of the second base electrode 62A is the same as the material of the first external electrode 61, a mixture of silver and glass.
  • the second metal layer 62B covers the second base electrode 62A from the outside.
  • the second metal layer 62B is laminated on the second base electrode 62A.
  • the second metal layer 62B has a two-layer structure consisting of, in order from the element body 20 side, a nickel layer and a tin layer.
  • the second external electrode 62 does not reach the first external electrode 61, and is positioned away from the first external electrode 61 in the direction along the first axis X. Furthermore, on the side surface 22C of the element body 20, in the central portion in the direction along the first axis X, the first external electrode 61 and second external electrode 62 are not stacked, and the glass layer 50 is exposed.
  • the first external electrode 61 is connected to the end of the first internal electrode 41 on the first positive direction X1 side via a first penetration portion 71 that penetrates the inorganic oxide layer 30 and the glass layer 50. Note that, as will be described in detail below, the first penetration portion 71 is formed during the manufacturing process of the electronic component 10 when the palladium that constitutes the first internal electrode 41 extends toward the first external electrode 61.
  • the second external electrode 62 is connected to the end of the second internal electrode 42 on the first negative direction X2 side via a second through portion 72 that penetrates the inorganic oxide layer 30 and the glass layer 50.
  • the second through portion 72 is formed during the manufacturing process of the electronic component 10 by the palladium that constitutes the second internal electrode 42 extending toward the second external electrode 62.
  • Figure 3 illustrates the first internal electrode 41 and the first through-hole portion 71 as separate components with a boundary, in reality there is no clear boundary between them. The same is true for the second through-hole portion 72. Furthermore, Figures 1 and 2 omit the illustration of the first through-hole portion 71 and the second through-hole portion 72.
  • the average thickness T1 of the inorganic oxide layer 30 is thinner than the average thickness T2 of the glass layer 50.
  • the average thickness T1 of the inorganic oxide layer 30 is calculated as follows. First, an electron microscope is used to image a cross section of the element body 20. In the image, a measurement range of at least 10 ⁇ m in the direction along the outer surface 31 of the inorganic oxide layer 30 is determined. Then, image processing is used to calculate the cross-sectional area of the inorganic oxide layer 30 in the measurement range. Next, the cross-sectional area is divided by the length of the measurement range in the direction along the outer surface 31 of the inorganic oxide layer 30.
  • the average thickness T1 of the inorganic oxide layer 30 in the measurement range is calculated.
  • the average thickness T1 of the inorganic oxide layer 30 is the average thickness in the measurement range.
  • the average thickness T2 of the glass layer 50 can also be measured in a similar manner. Note that in FIG. 4 , the thickness T1 represents an example of the thickness of the inorganic oxide layer 30. The same applies to the thickness T2 of the glass layer 50.
  • the inorganic oxide layer 30 contains one or more elements selected from the alkali metals and alkaline earth metals contained in the glass layer 50.
  • the inorganic oxide layer 30 contains potassium.
  • the concentration of potassium contained in the inorganic oxide layer 30 is lower than the concentration of potassium in the glass layer 50.
  • the concentration of elements in the inorganic oxide layer 30 that are the same as the one or more elements selected from the alkali metals and alkaline earth metals contained in the glass layer 50 is lower than the concentration of the same elements in the glass layer 50.
  • the potassium concentration in the inorganic oxide layer 30 can be confirmed using the same method as above.
  • the method for manufacturing electronic component 10 includes a laminate preparation step S11, an R-chamfering step S12, a first film-forming step S13, a solvent introduction step S14, a catalyst introduction step S15, an element introduction step S16, a polymer introduction step S17, and a metal alkoxide introduction step S18.
  • the method for manufacturing electronic component 10 also includes a second film-forming step S19, a first drying step S20, an immersion step S21, a second drying step S22, a conductor application step S23, a curing step S24, and a plating step S25.
  • a laminate is prepared, which is a rectangular parallelepiped element body 20 having six flat surfaces.
  • the laminate at this stage is in a state before R-chamfering.
  • multiple ceramic sheets that will become the element body 20 are prepared.
  • the sheets are thin plates.
  • a conductive paste that will become the first internal electrode 41 is laminated on the sheets.
  • a ceramic sheet that will become the element body 20 is laminated on the conductive paste.
  • a conductive paste that will become the second internal electrode 42 is laminated on the sheet. In this way, the ceramic sheets and conductive paste are laminated.
  • the laminate is then cut to a specified size to form an unfired laminate.
  • the unfired laminate is then fired at a high temperature to prepare the laminate.
  • the R-chamfering process S12 is performed.
  • curved surfaces are formed at the boundary portions between two adjacent flat surfaces and at the boundary portions between three adjacent flat surfaces of the laminate prepared in the laminate preparation process S11.
  • the corners of the laminate are R-chamfered by barrel polishing, thereby forming curved surfaces at the above-mentioned boundary portions. This forms the base body 20.
  • the first film formation process S13 is performed.
  • an alumina film is formed as the inorganic oxide layer 30.
  • the alumina film is formed on the outer surface 21 of the element body 20 by sputtering.
  • the inorganic oxide layer 30 does not contain potassium.
  • a solvent introduction step S14 is performed.
  • 2-propanol is introduced into the reaction vessel as a solvent.
  • a catalyst introduction step S15 is performed.
  • the catalyst introduction step S15 first, stirring of the solvent in the reaction vessel is started. Then, ammonia water is introduced into the reaction vessel as an aqueous solution containing a catalyst.
  • the catalyst is hydroxide ions, and functions as a catalyst for promoting the hydrolysis of the metal alkoxide, which will be described later.
  • an element body introduction step S16 is performed.
  • the element body introduction step S16 a plurality of element bodies 20 formed in advance as described above are introduced into the reaction vessel prepared in the catalyst introduction step S15.
  • a polymer introduction step S17 is performed.
  • polyvinylpyrrolidone is introduced into the reaction vessel as a polymer.
  • the polymer introduced into the reaction vessel is adsorbed onto the inorganic oxide layer 30.
  • the metal alkoxide introduction step S18 is performed.
  • liquid tetraethyl orthosilicate is introduced into the reaction vessel as the metal alkoxide.
  • tetraethyl orthosilicate is also known as tetraethoxysilane.
  • the amount of metal alkoxide introduced in the metal alkoxide introduction step S18 is calculated based on the area of the outer surface 21 of the element body 20 introduced in the element introduction step S16. Specifically, the amount is calculated by multiplying the amount of metal alkoxide per element body 20 required to form the glass layer 50 by the number of element bodies 20.
  • the second film-forming process S19 is performed.
  • the stirring of the solvent which began in the solvent-adding process S14 described above, is continued for a predetermined time after the metal alkoxide is added to the reaction vessel in the metal alkoxide-adding process S18.
  • a glass layer 50 is formed by a liquid-phase reaction in the reaction vessel.
  • the first drying step S20 is performed.
  • the element body 20 is removed from the reaction vessel and dried. This dries the sol-state glass layer 50 and turns it into a gel-state glass layer 50.
  • the immersion process S21 is performed.
  • a solution containing at least one element selected from alkali metals and alkaline earth metals as an additive is first placed in a reaction vessel different from the reaction vessel used up to the second film-forming process S19.
  • the solution is an aqueous solution containing a potassium oxide precursor.
  • the element body 20 having the gel-like glass layer 50 is immersed in the solution. This causes the solution to adhere to the surface of the glass layer 50.
  • the potassium oxide precursor which is an additive, adheres to the surface of the glass layer 50.
  • the amount of potassium oxide precursor that adheres to the outer surface 51 of the glass layer 50 depends on the concentration of the potassium oxide precursor in the solution prepared in the immersion process S21.
  • a second drying step S22 is performed.
  • the element body 20 immersed in the solution in the immersion step S21 is removed from the reaction vessel and dried. This causes the water in the solution adhering to the surface of the glass layer 50 to evaporate. Meanwhile, the potassium oxide precursor contained in the solution precipitates on the outer surface 51 of the glass layer 50.
  • the conductor application process S23 is performed.
  • conductor paste is applied to two locations on the surface of the glass layer 50: a portion that includes a portion covering the first end face 22A of the element body 20, and a portion that includes a portion covering the second end face 22B of the element body 20.
  • the conductor paste is applied to cover the glass layer 50 over the entire first end face 22A and portions of the four side faces 22C.
  • the conductor paste is also applied to cover the glass layer 50 over the entire second end face 22B and portions of the four side faces 22C.
  • the hardening step S24 is performed. Specifically, in the hardening step S24, the glass layer 50 and the element body 20 to which the conductive paste has been applied are heated.
  • the heating temperature at this time is equal to or higher than the melting point of the glass layer 50 and lower than the melting point of the inorganic oxide layer 30, for example, approximately 800°C.
  • the precipitated potassium oxide precursor becomes potassium oxide.
  • the potassium oxide diffuses into the glass layer 50. Note that the amount of potassium oxide diffusing into the glass layer 50 at this time depends on the amount of potassium oxide precursor adhered to the outer surface 51 of the glass layer 50. Note that the potassium oxide also flows into the inorganic oxide layer 30.
  • the element body 20 is heated, causing the water and polymer to evaporate from the gel-like glass layer 50. This causes the glass layer 50 to be baked and hardened. As mentioned above, the melting point of the inorganic oxide layer 30 is higher than the melting point of the glass layer 50. Therefore, the inorganic oxide layer 30 does not completely melt in the curing step S24. Furthermore, in the curing step S24, the conductive paste applied in the conductor application step S23 is baked, thereby forming the first base electrode 61A and the second base electrode 62A.
  • the Kirkendall effect which arises from the difference in diffusion rate between the first internal electrode 41 and the first base electrode 61A, attracts palladium contained in the first internal electrode 41 to the first base electrode 61A, which contains silver.
  • the first penetration portion 71 extends from the first internal electrode 41 toward the first base electrode 61A, penetrating the inorganic oxide layer 30 and the glass layer 50, thereby connecting the first internal electrode 41 to the first base electrode 61A.
  • the second penetration portion 72 connecting the second internal electrode 42 and the second base electrode 62A.
  • the plating process S25 is performed. Electroplating is performed on the first base electrode 61A and the second base electrode 62A. As a result, a first metal layer 61B is formed on the surface of the first base electrode 61A. Furthermore, a second metal layer 62B is formed on the surface of the second base electrode 62A. Although not shown, the first metal layer 61B and the second metal layer 62B are electroplated with two types of metal, nickel and tin, to form a two-layer structure. In this way, the electronic component 10 is formed.
  • the alkali metal or alkaline earth metal contained in the glass layer 50 easily breaks the bonds between atoms in the glass layer 50. As a result of the bond breaking, a large amount of non-bridging oxygen is generated, which causes the element to diffuse. Therefore, it is preferable that the concentrations of alkali metal elements and alkaline earth elements are low in the layer in contact with the element body 20. According to the above embodiment, the potassium concentration in the inorganic oxide layer 30 is lower than the potassium concentration in the glass layer 50. Therefore, the bonds in the inorganic oxide layer 30 are less likely to break, and the diffusion of elements contained in the element body 20 can be suppressed.
  • the inorganic oxide layer 30 may melt during the formation of the glass layer 50. If the inorganic oxide layer 30 melts, the glass layer 50 and the inorganic oxide layer 30 may mix, and the potassium contained in the glass layer 50 may flow toward the outer surface 21 of the element body 20.
  • the melting point of the inorganic oxide layer 30 is higher than the melting point of the glass layer 50. Therefore, melting of the inorganic oxide layer 30 during the process of forming the glass layer 50, as described above, can be suppressed.
  • the inorganic oxide layer 30 contains Al as a specific element. If the inorganic oxide layer 30 contains Al, it is easier to obtain an inorganic oxide layer 30 with excellent chemical resistance, heat resistance, and the like.
  • the glass layer 50 contains the same type of element as the specific element contained in the inorganic oxide layer 30.
  • the specific element in the inorganic oxide layer 30 is diffused into the glass layer 50.
  • the diffusion of the specific element into the glass layer 50 makes it difficult to clearly distinguish the boundary between the glass layer 50 and the inorganic oxide layer 30. Therefore, peeling between these layers is unlikely to occur.
  • the Al concentration in the glass layer 50 has a gradient composition in which the concentration decreases the further away from the inorganic oxide layer 30 in the thickness direction of the glass layer 50.
  • the specific element diffused from the inorganic oxide layer 30 is concentrated in the glass layer 50 near the boundary with the inorganic oxide layer 30.
  • the average thickness T1 of the inorganic oxide layer 30 is thinner than the average thickness T2 of the glass layer 50. With this configuration, the inorganic oxide layer 30 is thin, which prevents the overall external dimensions of the electronic component 10 from becoming larger.
  • the electronic component 10 is not limited to a negative temperature coefficient thermistor component.
  • it may be a thermistor component other than a negative temperature coefficient, or a multilayer capacitor component or an inductor component.
  • the material of the element body 20 is not limited to the example in the above embodiment.
  • the material of the element body 20 may be a composite body of resin and metal powder.
  • the shape of the element body 20 is not limited to the example in the above embodiment.
  • the element body 20 may be a polygonal columnar shape other than a quadrangular columnar shape having a central axis CA.
  • the element body 20 may also be the core of a wire-wound inductor component.
  • the core may have a so-called drum core shape.
  • the core may have a columnar winding core portion and flange portions provided at each end of the winding core portion.
  • the boundary portion between adjacent flat surfaces on the outer surface 21 of the element body 20 does not have to be chamfered. In this case, no curved surface exists at the boundary portion.
  • the shapes of the first internal electrodes 41 and the second internal electrodes 42 are not important as long as they can ensure electrical conduction with the corresponding first external electrodes 61 and second external electrodes 62.
  • the number of first internal electrodes 41 and second internal electrodes 42 is not important, and the number of each internal electrode may be one, or three or more.
  • the configuration of the first external electrode 61 is not limited to the example of the above embodiment.
  • the first external electrode 61 may be composed of only the first base electrode 61A, and the first metal layer 61B may not have a two-layer structure. The same applies to the second external electrode 62.
  • the first base electrode 61A need only be electrically conductive with the first internal electrode 41 and need not contain glass.
  • the second base electrode 62A need only be electrically conductive with the second internal electrode 42 and need not contain glass.
  • the material combination of the first internal electrode 41 and the first base electrode 61A is not limited to palladium and silver.
  • it may be copper and nickel, copper and silver, silver and gold, nickel and cobalt, or nickel and gold.
  • one may be silver and the other silver and palladium.
  • one may be palladium and the other silver and palladium, or one may be copper and the other silver and palladium.
  • one may be gold and the other silver and palladium.
  • the Kirkendall effect may not be achieved.
  • the first internal electrode 41 can be exposed by processing it before forming the external electrode.
  • the first end face 22A side of the element body 20 can be polished to physically remove part of the glass layer 50 and inorganic oxide layer 30.
  • the first base electrode 61A can then be formed on the exposed first internal electrode 41, thereby connecting the first internal electrode 41 and the first base electrode 61A.
  • the inorganic oxide layer 30 and glass layer 50 can be formed, including on the surface of the first base electrode 61A, and the inorganic oxide layer 30 and glass layer 50 covering the surface of the first base electrode 61A can be removed. This also applies to the combination of materials for the second internal electrode 42 and the second base electrode 62A.
  • the location of the first external electrode 61 is not limited to the example in the above embodiment.
  • the first external electrode 61 may be arranged only on the first end surface 22A and one side surface 22C. The same applies to the second external electrode 62.
  • the glass of the glass layer 50 may be integrated with the glass of the first base electrode 61A.
  • the inorganic oxide layer 30 does not have to cover the entire outer surface 21 of the element body 20.
  • the inorganic oxide layer 30 only needs to cover at least a portion of the outer surface 21 of the element body 20.
  • the glass layer 50 does not have to cover the entire outer surface 31 of the inorganic oxide layer 30.
  • the inorganic oxide layer 30 does not necessarily contain alkali metals and alkaline earth metals.
  • the inorganic oxide layer 30 contains only small amounts of alkali metals and alkaline earth metals, the alkali metals and alkaline earth metals may not be detected in the inorganic oxide layer 30 using the method described in the above embodiment. If the proportion of alkali metals and alkaline earth metals in the inorganic oxide layer 30 is so small that they are not detectable, it can be said that the inorganic oxide layer 30 does not contain alkali metals and alkaline earth metals.
  • the one or more elements selected from alkali metals and alkaline earth metals contained in the glass layer 50 are not limited to potassium. Furthermore, in the inorganic oxide layer 30, the one or more elements selected from alkali metals and alkaline earth metals may be the same type of elements as those in the glass layer 50, and are not limited to potassium.
  • the potassium concentration in the glass layer 50 does not need to be higher overall as it approaches the inorganic oxide layer 30.
  • the potassium concentration may be highest at the outer surface 51 of the glass layer 50.
  • the average value of the thickness T1 of the inorganic oxide layer 30 may be thicker than the average value of the thickness T2 of the glass layer 50. Furthermore, the average value of the thickness T1 of the inorganic oxide layer 30 may be the same as the average value of the thickness T2 of the glass layer 50.
  • the melting point of the inorganic oxide layer 30 may be lower than or the same as the melting point of the glass layer 50 as long as the shape of the inorganic oxide layer 30 is maintained.
  • the specific element contained in the inorganic oxide layer 30 is not limited to Al. In consideration of chemical resistance, heat resistance, and the like, it is preferable that the inorganic oxide layer 30 contains one or more specific elements selected from Al, Si, Zr, and Ti. Similarly, the specific element contained in the glass layer 50 is not limited to Al and may be any of the above elements.
  • the method for forming the inorganic oxide layer 30 in the first film-forming step S13 is not limited to sputtering.
  • the inorganic oxide layer 30 may be formed by spray coating, slurry coating, or the like.
  • the inorganic oxide layer 30 may also be formed by adding water vapor to the sputtering method.
  • the inorganic oxide layer 30 may also be formed by atomic layer deposition method, etc.
  • the inorganic oxide layer 30 does not necessarily have to contain the specific element.
  • the glass layer 50 does not necessarily have to contain the specific element.
  • the specific element in the glass layer 50 does not have to have a gradient composition in which the concentration decreases with increasing distance from the inorganic oxide layer 30 in the thickness direction of the glass layer 50 .
  • the additive contained in the solution introduced into the reaction vessel in the immersion step S21 is not limited to potassium oxide precursor.
  • the additive contained in the solution may be lithium carbonate, lithium chloride, lithium titanate, lithium nitride, lithium peroxide, lithium citrate, lithium fluoride, lithium hexafluorophosphate, lithium acetate, lithium iodide, lithium hypochlorite, lithium tetraborate, lithium bromide, lithium nitrate, lithium hydroxide, lithium aluminum hydride, lithium triethylborohydride, lithium hydride, lithium amide, lithium imide, lithium diisopropylamide, lithium tetramethylpiperidide, lithium sulfide, lithium sulfate, lithium thiophenolate, lithium phenoxide, etc.
  • the additives contained in the above solution may be, for example, oxoacid salts such as calcium carbonate, calcium bicarbonate, calcium nitrate, calcium sulfate, calcium sulfite, calcium silicate, calcium phosphate, calcium pyrophosphate, calcium hypochlorite, calcium chlorate, calcium perchlorate, calcium bromate, calcium iodate, calcium arsenite, calcium chromate, calcium tungstate, calcium molybdate, calcium magnesium carbonate, and hydroxyapatite.
  • the additives may also be calcium acetate, calcium gluconate, calcium citrate, calcium malate, calcium lactate, calcium benzoate, calcium stearate, calcium aspartate, etc.
  • additives contained in the above solution may be, for example, barium sulfite, barium chloride, barium chlorate, barium perchlorate, barium peroxide, barium chromate, barium acetate, barium cyanide, barium bromide, barium oxalate, barium nitrate, barium hydroxide, barium hydride, barium carbonate, barium iodide, barium sulfide, or barium sulfate.
  • Other additives may include sodium acetate and sodium citrate.
  • additives contained in the above solution include, for example, potassium arsenide, potassium bromide, potassium carbonate, potassium chloride, potassium fluoride, potassium hydride, potassium iodide, potassium triiodide, potassium azide, potassium nitride, potassium superoxide, potassium ozonate, potassium peroxide, potassium phosphide, potassium sulfide, potassium selenide, potassium telluride, potassium tetrafluoroaluminate, potassium tetrafluoroborate, potassium tetrahydroborate, potassium methanide, potassium cyanide, potassium formate, potassium hydrogen fluoride, Te, potassium iodomercurate(II), potassium hydrogen sulfide, potassium octachlorodimolybdate(II), potassium amide, potassium hydroxide, potassium hexafluorophosphate, potassium carbonate, potassium tetrachloroplatinate(II), potassium hexachloroplatin
  • An electronic component comprising: an element body; an inorganic oxide layer covering the outer surface of the element body; and a glass layer covering the outer surface of the inorganic oxide layer, wherein the glass layer contains one or more elements selected from alkali metals and alkaline earth metals; and wherein the concentration of an element in the inorganic oxide layer that is the same as the one or more elements selected from alkali metals and alkaline earth metals contained in the glass layer is lower than the concentration of the same element in the glass layer.
  • REFERENCE SIGNS LIST 10 Electronic component 20
  • Element body 30 Inorganic oxide layer 50
  • Glass layer 41 First internal electrode 42
  • Second internal electrode 61 First external electrode 62

Landscapes

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Abstract

電子部品は、素体（２０）と、素体（２０）の外表面（２１）を覆う無機酸化物層（３０）と、無機酸化物層（３０）の外表面（３１）を覆うガラス層（５０）と、を備えている。ガラス層（５０）は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の元素を含んでいる。無機酸化物層（３０）においては、ガラス層（５０）に含まれるアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の元素と同種の元素の濃度は、ガラス層（５０）における同種の元素の濃度よりも小さい。

Description

電子部品
　本開示は、電子部品に関する。
　特許文献１に記載の電子部品は、素体と、外部電極と、を備えている。外部電極は、素体の外表面の一部を覆っている。外部電極上には、Ｎｉめっき膜と、Ｓｎめっき膜とが積層されている。また、特許文献１に記載の電子部品は、ガラス膜を備えている。ガラス膜は、素体の外表面のうちの外部電極に覆われていない部分を覆っている。ガラス膜は、Ｌｉ、Ｎａ、及びＫから選ばれる２以上のアルカリ金属元素を含んでいる。
特開２００４－１２８４８８号公報
　特許文献１に記載の電子部品では、ガラス膜にアルカリ金属が含まれることにより、素体に含まれる元素がガラス層に拡散することがある。素体に含まれる元素がガラス層に拡散した場合、素体における原子構造が変化して、素体の特性が変化するおそれがある。
　上記課題を解決するため、本開示は、素体と、前記素体の外表面を覆う無機酸化物層と、前記無機酸化物層の外表面を覆うガラス層と、を備え、前記ガラス層は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の元素を含んでおり、前記無機酸化物層において、前記ガラス層に含まれるアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の前記元素と同種の元素の濃度は、前記ガラス層における同種の元素の濃度よりも小さい電子部品である。
　上記構成によれば、素体の元素がガラス層に拡散することを抑制できる。
図１は、電子部品の斜視図である。 図２は、電子部品の側面図である。 図３は、図２における３－３線に沿う断面図である。 図４は、素体、無機酸化物層、及びガラス層の拡大断面図である。 図５は、電子部品の製造方法を説明する説明図である。
　以下、電子部品の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図面中のものと異なる場合がある。
　＜電子部品の全体構成について＞
　図１に示すように、電子部品１０は、例えば、回路基板等に実装される表面実装型の負特性サーミスタ部品である。なお、負特性サーミスタ部品は、温度が上がると抵抗値が下がるという特性を有するものである。
　電子部品１０は、素体２０を備えている。素体２０は、略四角柱状であり、中心軸線ＣＡを有する。なお、以下では、中心軸線ＣＡに沿って延びる軸を第１軸Ｘとする。また、第１軸Ｘに直交する軸の１つを第２軸Ｙとする。そして、第１軸Ｘ及び第２軸Ｙに直交する軸を第３軸Ｚとする。さらに、第１軸Ｘに沿う方向の一方を第１正方向Ｘ１とし、第１軸Ｘに沿う方向のうち第１正方向Ｘ１と反対方向を第１負方向Ｘ２とする。また、第２軸Ｙに沿う方向の一方を第２正方向Ｙ１とし、第２軸Ｙに沿う方向のうち第２正方向Ｙ１と反対方向を第２負方向Ｙ２とする。さらに、第３軸Ｚに沿う方向の一方を第３正方向Ｚ１とし、第３軸Ｚに沿う方向のうち第３正方向Ｚ１と反対方向を第３負方向Ｚ２とする。
　素体２０の外表面２１は、６つの平面を有している。なお、ここでいう素体２０の「面」とは、素体２０全体を観察したときに面として観察できるものをいう。つまり、例えば素体２０の一部を顕微鏡等で拡大して観察しなければわからないような微小な凹凸、段差が存在しても、平面又は曲面と表現する。６つの平面は、互いに異なる方向を向いている。６つの平面は、第１正方向Ｘ１を向く第１端面２２Ａと、第１負方向Ｘ２を向く第２端面２２Ｂと、４つの側面２２Ｃとに大別される。４つの側面２２Ｃは、それぞれ、第３正方向Ｚ１を向く面と、第３負方向Ｚ２を向く面と、第２正方向Ｙ１を向く面と、第２負方向Ｙ２を向く面と、である。
　素体２０の外表面２１のうち、隣り合う２つの平面の境界部分、及び隣り合う３つの表面の境界部分は、曲面になっている。すなわち、素体２０の角は、Ｒ面取り形状になっている。なお、図１及び図２では、後述する無機酸化物層３０の外表面３１、及びガラス層５０の外表面５１を素体２０の外表面２１と同一視して符号を付している。
　図２に示すように、素体２０は、第１軸Ｘに沿う方向の寸法が、第３軸Ｚに沿う方向の寸法よりも大きい。また、図１に示すように、素体２０は、第１軸Ｘに沿う方向の寸法が、第２軸Ｙに沿う方向の寸法よりも大きい。素体２０の材質は、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｂａ、Ａｌ、及びＺｎから選ばれる１以上を成分とする金属酸化物を焼成したセラミックスである。
　図３に示すように、電子部品１０は、２つの第１内部電極４１と、２つの第２内部電極４２と、を備えている。第１内部電極４１及び第２内部電極４２は、素体２０の内部に埋め込まれている。
　第１内部電極４１の材質は、導電性の材料である。例えば、第１内部電極４１の材質は、パラジウムである。また、第２内部電極４２の材質は、第１内部電極４１の材質と同一である。
　第１内部電極４１の形状は、長方形板状である。第１内部電極４１の主面は、第２軸Ｙに直交している。第２内部電極４２の形状は、第１内部電極４１と同じ長方形板状である。第２内部電極４２の主面は、第１内部電極４１と同様に、第２軸Ｙに直交している。
　第１内部電極４１の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、素体２０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法より小さい。また、図１に示すように、第１内部電極４１の第３軸Ｚに沿う方向の寸法は、素体２０の第３軸Ｚに沿う方向の寸法の略３分の２である。第２内部電極４２の各方向の寸法は、第１内部電極４１と略同じ寸法である。
　図３に示すように、第１内部電極４１と第２内部電極４２とは、第２軸Ｙに沿う方向に互い違いに位置している。すなわち、第２正方向Ｙ１を向く側面２２Ｃから第２負方向Ｙ２に向かって、第１内部電極４１、第２内部電極４２、第１内部電極４１、第２内部電極４２の順に並んでいる。この実施形態では、各内部電極間の第２軸Ｙに沿う方向の距離は、等しくなっている。
　図１に示すように、２つの第１内部電極４１及び２つの第２内部電極４２は、いずれも、第３軸Ｚに沿う方向において、素体２０の中央に位置している。その一方で、図３に示すように、第１内部電極４１は、第１正方向Ｘ１に寄って位置している。第２内部電極４２は、第１負方向Ｘ２に寄って位置している。
　具体的には、第１内部電極４１の第１正方向Ｘ１側の端は、素体２０の第１正方向Ｘ１側の端と一致している。第１内部電極４１の第１負方向Ｘ２側の端は、素体２０の内部に位置しており、素体２０の第１負方向Ｘ２側の端にまで至っていない。一方で、第２内部電極４２の第１負方向Ｘ２側の端は、素体２０の第１負方向Ｘ２側の端と一致している。第２内部電極４２の第１正方向Ｘ１側の端は、素体２０の内部に位置しており、素体２０の第１正方向Ｘ１側の端にまで至っていない。
　図３に示すように、電子部品１０は、無機酸化物層３０を備えている。無機酸化物層３０は、素体２０の外表面２１を覆っている。本実施形態では、無機酸化物層３０は、素体２０の外表面２１の略すべての領域を覆っている。なお、「無機酸化物層３０が素体２０の外表面２１を覆っている」とは、無機酸化物層３０が外表面２１の少なくとも一部を覆っていればよい。また、無機酸化物層３０と外表面２１とが密着していなくても、無機酸化物層３０と外表面２１との間に他の固体状の物質が介在していない場合も、「無機酸化物層３０が素体２０の外表面２１を覆っている」に含まれる。
　無機酸化物層３０は、特定元素としてＡｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれる１以上を含んでいる。本実施形態では、無機酸化物層３０の材質は、アルミナである。すなわち、無機酸化物層３０は、Ａｌを含んでいる。無機酸化物層３０においてＡｌが含まれているか否かについては、以下の方法において確認可能である。先ず、集束イオンビーム加工等によって、電子部品１０を素体２０の外表面２１に直交する方向に研削する。次いで、透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＴＥＭ）を利用して、当該研削断面を撮像する。当該撮影断面をエネルギー分散型Ｘ線分光法（Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ－ｒａｙ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＥＤＸ）により当該断面における組成物のマッピングデータを取得する。当該マッピングデータは、画像形式のデータである。マッピングデータでは、特性Ｘ線の線量が高い箇所ほど、画像内での輝度値が高くなっている。当該マッピングデータにおいて無機酸化物層３０を示す部分において一定以上の輝度値が得られた場合において「特定元素としてＡｌを含んでいる」とする。
　電子部品１０は、ガラス層５０を備えている。ガラス層５０は、無機酸化物層３０の外表面３１を覆っている。具体的には、ガラス層５０は、無機酸化物層３０の外表面３１の略すべての領域を覆っている。
　ガラス層５０は、無機酸化物層３０に含まれる特定元素と同種の元素を含んでいる。すなわち、ガラス層５０は、Ａｌを含んでいる。当該Ａｌは、無機酸化物層３０の外表面３１にガラス層５０を形成したときに、無機酸化物層３０からガラス層５０中に拡散したものである。ガラス層５０では、当該ガラス層５０の厚さ方向において、無機酸化物層３０から離れるほど、Ａｌの濃度が低下している。換言すると、ガラス層５０におけるＡｌの濃度の組成は、ガラス層５０の厚さ方向において無機酸化物層３０から離れるほど濃度が低下する傾斜組成になっている。なお、ガラス層５０中のＡｌの濃度については、以下の方法において確認可能である。先ず、集束イオンビーム加工等によって、電子部品１０の素体２０の外表面２１に直交する方向に研削する。次いで、透過型電子顕微鏡を利用して、当該研削断面を撮像する。そして、エネルギー分散型Ｘ線分光法により、当該断面における組成物のマッピングデータを取得する。当該マッピングデータは、画像形式のデータである。マッピングデータでは、特性Ｘ線の線量が高い箇所ほど、画像内での輝度値が高くなっている。すなわち、マッピングデータでは、組成物の量が多い箇所ほど、画像内での輝度値が高くなっている。したがって、このマッピングデータの特定の領域に存在する輝度値の合計値を、当該領域の面積で除することにより、当該領域における組成物の濃度を算出する。なお、この場合の濃度は、単位面積当たりの平均輝度値で表される。
　ガラス層５０は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の元素を含んでいる。具体的には、ガラス層５０はカリウムを含んでいる。ガラス層５０でのカリウムの濃度は、全体として無機酸化物層３０に近いほど高くなっている。なお、ガラス層５０がＡｌを含んでいるか否か、及びカリウムを含んでいるか否かについては、上記方法と同様にして確認できる。
　ガラス層５０の融点は、無機酸化物層３０の融点よりも低い。換言すると、無機酸化物層３０の融点は、ガラス層５０の融点よりも高い。そのため、ガラス層５０を形成する工程において無機酸化物層３０に熱が加わったとしても、無機酸化物層３０が完全には融解しない。
　電子部品１０は、第１外部電極６１と、第２外部電極６２と、を備えている。なお、図１～図３では、第１外部電極６１及び第２外部電極６２を二点鎖線で図示している。
　図３に示すように、第１外部電極６１は、第１下地電極６１Ａと、第１金属層６１Ｂと、を有している。第１下地電極６１Ａは、素体２０の外表面２１のうち、第１端面２２Ａを含む一部分において、ガラス層５０の上から積層されている。具体的には、第１下地電極６１Ａは、素体２０の第１端面２２Ａと、４つの側面２２Ｃの第１正方向Ｘ１側の一部とを覆う、５面電極である。この実施形態では、第１下地電極６１Ａの材質は、銀及びガラスの混合物である。
　第１金属層６１Ｂは、第１下地電極６１Ａを外部から覆っている。そのため、第１金属層６１Ｂは、第１下地電極６１Ａに積層されている。図示は省略するが、第１金属層６１Ｂは、第１下地電極６１Ａ側から順に、ニッケル層と、錫層と、の２層構造となっている。
　第２外部電極６２は、第２下地電極６２Ａと、第２金属層６２Ｂと、を有している。第２下地電極６２Ａは、素体２０の外表面２１のうち、第２端面２２Ｂを含む一部分において、ガラス層５０の上から積層されている。具体的には、第２下地電極６２Ａは、素体２０の第２端面２２Ｂと、４つの側面２２Ｃの第１負方向Ｘ２側の一部とを覆う、５面電極である。この実施形態では、第２下地電極６２Ａの材質は、第１外部電極６１の材質と同一で、銀及びガラスの混合物である。
　第２金属層６２Ｂは、第２下地電極６２Ａを外部から覆っている。つまり、第２金属層６２Ｂは、第２下地電極６２Ａに積層されている。第２金属層６２Ｂは、第１金属層６１Ｂと同様に、素体２０側から順に、ニッケル層と、錫層と、の２層構造となっている。
　第２外部電極６２は、側面２２Ｃ上において、第１外部電極６１にまでは至っておらず、第１外部電極６１に対して第１軸Ｘに沿う方向に離れて配置されている。そして、素体２０の側面２２Ｃ上において、第１軸Ｘに沿う方向の中央部分は、第１外部電極６１及び第２外部電極６２が積層されておらず、ガラス層５０が露出している。
　図３に示すように、第１外部電極６１は、無機酸化物層３０及びガラス層５０を貫通する第１貫通部７１を介して、第１内部電極４１における第１正方向Ｘ１側の端に接続している。なお、詳細は後述するが、第１貫通部７１は、電子部品１０の製造過程において、第１内部電極４１を構成するパラジウムが第１外部電極６１側へと延びることによって形成される。
　また、第２外部電極６２は、無機酸化物層３０及びガラス層５０を貫通する第２貫通部７２を介して第２内部電極４２における第１負方向Ｘ２側の端に接続している。第２貫通部７２も、第１貫通部７１と同様に、電子部品１０の製造過程において、第２内部電極４２を構成するパラジウムが第２外部電極６２側へと延びることによって形成される。
　なお、図３では、第１内部電極４１と第１貫通部７１とを境界のある別の部材として図示しているが、実際には両者の間に明確な境界は存在しない。この点、第２貫通部７２についても同様である。また、図１及び図２においては、第１貫通部７１及び第２貫通部７２の図示を省略している。
　＜無機酸化物層について＞
　図４に示すように、無機酸化物層３０の厚さＴ１の平均値は、ガラス層５０の厚さＴ２の平均値よりも薄い。無機酸化物層３０の厚さＴ１の平均値は、次のように算出する。まず、電子顕微鏡を用いて、素体２０の断面を撮像する。この撮像した画像について、無機酸化物層３０の外表面３１に沿う方向に少なくとも１０μｍ以上の範囲を測定範囲とする。そして、画像処理により、当該測定範囲における無機酸化物層３０の断面積を算出する。次いで、当該断面積を、無機酸化物層３０の外表面３１に沿う方向の当該測定範囲の長さで除算する。これにより、測定範囲における無機酸化物層３０の厚さＴ１の平均値を算出する。つまり、無機酸化物層３０の厚さＴ１の平均値とは、測定範囲における厚さの平均値である。ガラス層５０の厚さＴ２の平均値についても同様に測定可能である。なお、図４において、厚さＴ１は、無機酸化物層３０における厚さの一例を示すものである。この点、ガラス層５０の厚さＴ２も同様である。
　無機酸化物層３０は、ガラス層５０に含まれるアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の元素を含んでいる。本実施形態では、無機酸化物層３０は、カリウムを含んでいる。無機酸化物層３０に含まれるカリウムの濃度は、ガラス層５０におけるカリウムの濃度よりも小さい。すなわち、無機酸化物層３０において、ガラス層５０に含まれるアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の元素と同種の元素の濃度は、ガラス層５０における同種の元素の濃度よりも小さい。無機酸化物層３０におけるカリウムの濃度については、上記方法と同様にして確認できる。
　＜電子部品の製造方法＞
　次に、電子部品１０の製造方法及び無機酸化物層３０の形成方法について説明する。
　図５に示すように、電子部品１０の製造方法は、積層体準備工程Ｓ１１と、Ｒ面取り加工工程Ｓ１２と、第１成膜工程Ｓ１３と、溶媒投入工程Ｓ１４と、触媒投入工程Ｓ１５と、素体投入工程Ｓ１６と、ポリマー投入工程Ｓ１７と、金属アルコキシド投入工程Ｓ１８と、を備えている。また、電子部品１０の製造方法は、第２成膜工程Ｓ１９と、第１乾燥工程Ｓ２０と、浸漬工程Ｓ２１と、第２乾燥工程Ｓ２２と、導電体塗布工程Ｓ２３と、硬化工程Ｓ２４と、めっき工程Ｓ２５と、をさらに備えている。
　先ず、素体２０を形成するにあたって、積層体準備工程Ｓ１１では、６つの平面を有する直方体状の素体２０である積層体を準備する。すなわち、この段階での積層体は、Ｒ面取りする前の状態である。例えば、先ず、素体２０となる複数のセラミックスのシートを準備する。当該シートは、薄い板状である。当該シート上に、第１内部電極４１となる導電体ペーストを積層する。当該導電体ペースト上に、素体２０となるセラミックスのシートを積層する。当該シート上に、第２内部電極４２となる導電体ペーストを積層する。このように、セラミックスのシートと導電体ペーストとを積層する。そして、所定のサイズにカットすることで、未焼成の積層体を形成する。その後、未焼成の積層体を高温で焼成することで、積層体を準備する。
　次に、Ｒ面取り加工工程Ｓ１２を行う。Ｒ面取り加工工程Ｓ１２では、積層体準備工程Ｓ１１で準備した積層体の隣り合う２つの平面の境界部分、及び隣り合う３つの平面の境界部分に、曲面を形成する。例えば、バレル研磨により、積層体の角がＲ面取り加工されることによって、上記境界部分に曲面が形成される。これにより素体２０が形成される。
　次に、第１成膜工程Ｓ１３を行う。第１成膜工程Ｓ１３では、無機酸化物層３０としてアルミナ膜を形成する。具体的には、素体２０の外表面２１に対して、スパッタリング法によりアルミナ膜を形成する。なお、この時点において無機酸化物層３０は、カリウムを含んでいない。
　次に、溶媒投入工程Ｓ１４を行う。溶媒投入工程Ｓ１４では、反応容器内に、溶媒として、２－プロパノールを投入する。
　次に、触媒投入工程Ｓ１５を行う。触媒投入工程Ｓ１５では、先ず、反応容器内の溶媒の撹拌を開始する。そして、反応容器内に、触媒を含む水溶液として、アンモニア水を投入する。この実施形態における触媒は、水酸化物イオンであり、後述する金属アルコキシドの加水分解を促進する触媒として機能する。
　次に、素体投入工程Ｓ１６を行う。素体投入工程Ｓ１６では、触媒投入工程Ｓ１５で準備した反応容器内に、上述したように予め形成した複数の素体２０を投入する。
　次に、ポリマー投入工程Ｓ１７を行う。ポリマー投入工程Ｓ１７では、反応容器内に、ポリマーとして、ポリビニルピロリドンを投入する。これにより、反応容器内に投入されたポリマーは、無機酸化物層３０に吸着する。
　次に、金属アルコキシド投入工程Ｓ１８を行う。金属アルコキシド投入工程Ｓ１８では、反応容器内に、金属アルコキシドとして、液状のオルトケイ酸テトラエチルを投入する。なお、オルトケイ酸テトラエチルは、テトラエトキシシランと呼称されることもある。本実施形態において、金属アルコキシド投入工程Ｓ１８において投入する金属アルコキシドの量は、素体投入工程Ｓ１６において投入した素体２０の外表面２１の面積を基に算出している。具体的には、ガラス層５０を形成するために必要な素体２０の１個当たりの金属アルコキシドの量に、素体２０の数を乗算して算出する。
　次に、第２成膜工程Ｓ１９を行う。第２成膜工程Ｓ１９では、上述した溶媒投入工程Ｓ１４で開始した溶媒の撹拌を、金属アルコキシド投入工程Ｓ１８によって金属アルコキシドが反応容器内に投入されてから、所定時間だけ続ける。このようにして、第２成膜工程Ｓ１９では、反応容器内における液相反応によって、ガラス層５０が成膜される。
　次に、第１乾燥工程Ｓ２０を行う。第１乾燥工程Ｓ２０では、第２成膜工程Ｓ１９において所定時間だけ撹拌を続けた後に、素体２０を反応容器から取り出して、乾燥させる。これにより、ゾル状のガラス層５０は乾燥され、ゲル状のガラス層５０となる。
　次に、浸漬工程Ｓ２１を行う。浸漬工程Ｓ２１では、まず、第２成膜工程Ｓ１９までに使用した反応容器とは異なる反応容器に、添加物としてアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも１つの元素を含む溶液を予め投入しておく。本実施形態においては、溶液は、酸化カリウム前駆体を含む水溶液である。そして、ゲル状のガラス層５０を有する素体２０を溶液に浸漬する。これにより、ガラス層５０の表面に溶液が付着する。なお、浸漬工程Ｓ２１では、添加物である酸化カリウム前駆体が、ガラス層５０の表面に付着する。このときガラス層５０の外表面５１に付着する酸化カリウム前駆体の量は、浸漬工程Ｓ２１で用意した溶液中の、酸化カリウム前駆体の濃度に依存する。
　次に、第２乾燥工程Ｓ２２を行う。第２乾燥工程Ｓ２２では、浸漬工程Ｓ２１において溶液に浸漬した素体２０を反応容器から取り出して、乾燥させる。これにより、ガラス層５０の表面に付着した溶液の水分が揮発する。その一方で、溶液に含まれていた酸化カリウム前駆体は、ガラス層５０の外表面５１上に析出する。
　次に、導電体塗布工程Ｓ２３を行う。導電体塗布工程Ｓ２３では、ガラス層５０の表面のうち、素体２０の第１端面２２Ａを覆う部分を含む一部分と、素体２０の第２端面２２Ｂを覆う部分を含む一部分と、の２箇所に導電体ペーストを塗布する。具体的には、導電体ペーストを、第１端面２２Ａの全域と４つの側面２２Ｃ上の一部とのガラス層５０を覆うように塗布する。また、導電体ペーストを、第２端面２２Ｂの全域と４つの側面２２Ｃ上の一部とのガラス層５０を覆うように塗布する。
　次に、硬化工程Ｓ２４を行う。具体的には、硬化工程Ｓ２４は、ガラス層５０及び導電体ペーストが塗布された素体２０を加熱する。このときの加熱温度は、ガラス層５０の融点以上、且つ無機酸化物層３０の融点未満、例えば８００度程度である。これにより、析出した酸化カリウム前駆体が酸化カリウムとなる。酸化カリウムは、ガラス層５０の内部へ拡散する。なお、このときガラス層５０の内部へ拡散する酸化カリウムの量は、ガラス層５０の外表面５１に付着した酸化カリウム前駆体の量に依存している。なお、当該酸化カリウムは、無機酸化物層３０内にも流入する。
　また、硬化工程Ｓ２４において、素体２０を加熱することで、ゲル状のガラス層５０から水及びポリマーが気化する。これにより、ガラス層５０が焼成され、硬化する。なお、上述したように、無機酸化物層３０の融点は、ガラス層５０の融点より高くなっている。したがって、硬化工程Ｓ２４において無機酸化物層３０は完全には溶融されない。さらに、硬化工程Ｓ２４では、導電体塗布工程Ｓ２３において塗布された導電体ペーストが焼成されることによって、第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａが形成される。
　本実施形態においては、硬化工程Ｓ２４における加熱の際に、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとの拡散速度の違いから生じるカーケンドール効果により、銀を含む第１下地電極６１Ａ側に、第１内部電極４１側に含まれるパラジウムが引き寄せられる。これにより、第１内部電極４１から第１下地電極６１Ａに向かって第１貫通部７１が無機酸化物層３０及びガラス層５０を貫通して延びることで、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとが接続する。この点、第２内部電極４２と第２下地電極６２Ａとを接続する第２貫通部７２においても同様である。
　次に、めっき工程Ｓ２５を行う。第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａの部分に、電気めっきを行う。これにより、第１下地電極６１Ａの表面に、第１金属層６１Ｂが形成される。また、第２下地電極６２Ａの表面に、第２金属層６２Ｂが形成される。図示は省略するが、第１金属層６１Ｂ及び第２金属層６２Ｂは、ニッケル、錫の２種類で電気めっきされることで、２層構造となる。このようにして、電子部品１０が形成される。
　＜本実施形態の効果＞
　（１）ガラス層５０に含まれるアルカリ金属又はアルカリ土類金属によって、ガラス層５０における原子間の結合が切断されやすい。結合が切断された結果、元素が拡散する原因となる非架橋酸素が多く発生する。そのため、素体２０に接触する層においては、アルカリ金属元素及びアルカリ土類元素の濃度が小さい方が好ましい。上記実施形態によれば、無機酸化物層３０におけるカリウムの濃度は、ガラス層５０におけるカリウムの濃度よりも小さくなっている。そのため、無機酸化物層３０内の結合が切断されにくく、素体２０に含まれる元素が拡散されることを抑制できる。
　（２）仮に、無機酸化物層３０の融点がガラス層５０の融点よりも低い場合、ガラス層５０の形成時に無機酸化物層３０が溶融することがある。無機酸化物層３０が溶融すると、ガラス層５０と無機酸化物層３０とが混合してしまい、ガラス層５０に含まれるカリウムが、素体２０の外表面２１側に流動するおそれがある。上記実施形態では、無機酸化物層３０の融点は、ガラス層５０の融点よりも高い。したがって上述したような、ガラス層５０形成の過程における無機酸化物層３０の溶融を抑制できる。
　（３）上記実施形態では、無機酸化物層３０は、特定元素としてＡｌを含んでいる。無機酸化物層３０がＡｌを含んでいれば、耐薬品性及び耐熱性などに優れた無機酸化物層３０を得やすい。
　（４）上記実施形態では、ガラス層５０は、無機酸化物層３０に含まれる特定元素と同種の元素を含んでいる。換言すると、無機酸化物層３０における特定元素は、ガラス層５０内部に拡散している。このように、特定元素がガラス層５０に拡散することにより、ガラス層５０と無機酸化物層３０との境界が明確に分かれにくい。そのため、これらの層間で剥離が生じにくい。
　（５）上記実施形態において、ガラス層５０におけるＡｌの濃度の組成は、ガラス層５０の厚さ方向において無機酸化物層３０から離れるほど濃度が低下する傾斜組成になっている。換言すると、無機酸化物層３０から拡散した特定元素は、ガラス層５０中において、無機酸化物層３０との境界近傍に集中している。この構成によれば、さらにガラス層５０と無機酸化物層３０との境界が明確に分かれにくい。そのため、これらの層間で剥離が生じにくい。
　（６）上記実施形態では、無機酸化物層３０の厚さＴ１の平均値は、ガラス層５０の厚さＴ２の平均値よりも薄い。この構成によれば、無機酸化物層３０が薄いため、電子部品１０全体の外形が大きくなることを抑制できる。
　＜変更例＞
　上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
　・上記実施形態において、電子部品１０は、負特性サーミスタ部品に限られない。例えば、素体２０の内部に何らかの配線を備えているのであれば、負特性以外のサーミスタ部品であってもよいし、積層コンデンサ部品やインダクタ部品であってもよい。
　・上記実施形態において、素体２０の材質は、上記実施形態の例に限られない。素体２０の材質は、樹脂と金属粉体とのコンポジット体であってもよい。
　・上記実施形態において、素体２０の形状は、上記実施形態の例に限られない。例えば、素体２０は、中心軸線ＣＡを有する四角形柱状以外の多角形柱状であってもよい。また、素体２０は、巻線型のインダクタ部品のコアであってもよい。例えば、コアは、いわゆるドラムコア形状であってもよい。具体的には、コアは、柱状の巻芯部と、巻芯部の各端部に設けられた鍔部とを有していてもよい。
　・上記実施形態において、素体２０の外表面２１のうち、隣り合う平面の境界部分が面取り形状になっていなくてもよい。この場合、当該境界部分には、曲面が存在しない。
　・上記実施形態において、第１内部電極４１及び第２内部電極４２の形状は、対応する第１外部電極６１及び第２外部電極６２との電気的導通を確保できる形状であれば問わない。また、第１内部電極４１及び第２内部電極４２の数は問わず、各内部電極の数が１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。
　・上記実施形態において、第１外部電極６１の構成は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１外部電極６１は、第１下地電極６１Ａのみから構成されていてもよいし、第１金属層６１Ｂが、２層構造でなくてもよい。この点、第２外部電極６２についても同様である。
　・上記実施形態において、第１下地電極６１Ａは、第１内部電極４１と電気的に導通していればよく、ガラスを含んでいなくてもよい。同様に、第２下地電極６２Ａは、第２内部電極４２と電気的に導通していればよく、ガラスを含んでいなくてもよい。
　・上記実施形態において、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとの材質の組み合わせは、パラジウム及び銀の組み合わせに限らない。例えば、銅及びニッケル、銅及び銀、銀及び金、ニッケル及びコバルト、又は、ニッケル及び金、の組み合わせであってもよい。また例えば、一方が銀で、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよい。また例えば、一方がパラジウムで、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよいし、一方が銅で、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよい。また例えば、一方が金で、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよい。
　・なお、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとの組み合わせによっては、カーケンドール効果を得られない場合がある。この場合には、外部電極を形成する前に、第１内部電極４１が露出するように加工すればよい。例えば、素体２０の第１端面２２Ａ側を研磨してガラス層５０及び無機酸化物層３０の一部を物理的に除去すればよい。その後、露出した第１内部電極４１上に第１下地電極６１Ａを形成することで、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとを接続することができる。また例えば、第１下地電極６１Ａを形成した後に、第１下地電極６１Ａの表面も含めて無機酸化物層３０及びガラス層５０を形成して、第１下地電極６１Ａの表面を覆う無機酸化物層３０及びガラス層５０を除去してもよい。この点、第２内部電極４２と第２下地電極６２Ａとの材質の組み合わせにおいても同様である。
　・上記実施形態において、第１外部電極６１の配置箇所は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１外部電極６１が第１端面２２Ａと１つの側面２２Ｃとにのみ配置されていてもよい。この点、第２外部電極６２についても同様である。
　・上記実施形態において、ガラス層５０のうち第１下地電極６１Ａに覆われている部分では、ガラス層５０におけるガラスが、第１下地電極６１Ａにおけるガラスと一体化していることもある。
　・上記実施形態において、無機酸化物層３０は、素体２０の外表面２１の全体を覆っていなくてもよい。無機酸化物層３０は、素体２０の外表面２１の少なくとも一部を覆っていればよい。また、同様に、ガラス層５０は、無機酸化物層３０の外表面３１の全体を覆っていなくてもよい。
　・上記実施形態において、無機酸化物層３０は、必ずしもアルカリ金属及びアルカリ土類金属を含んでいなくてもよい。例えば、無機酸化物層３０に含まれるアルカリ金属及びアルカリ土類金属がほんの僅かの場合、上記実施形態で記載したような方法において無機酸化物層３０中にアルカリ金属及びアルカリ土類金属が観測されないことがある。観測されないほど無機酸化物層３０に含まれるアルカリ金属及びアルカリ土類金属の割合が少ない場合、無機酸化物層３０は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属を含んでいないといえる。
　・上記実施形態において、ガラス層５０に含まれるアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の元素は、カリウムに限定されない。また、無機酸化物層３０においても、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の元素は、ガラス層５０と同種の元素であればよく、カリウムに限定されない。
　・上記実施形態において、ガラス層５０でのカリウムの濃度は、全体として無機酸化物層３０に近いほど高くなっていなくてもよい。例えば、無機酸化物層３０の厚さＴ１等によっては、ガラス層５０の外表面５１においてカリウムの濃度が最も高くなることもある。
　・上記実施形態において、無機酸化物層３０の厚さＴ１の平均値は、ガラス層５０の厚さＴ２の平均値よりも厚くてもよい。また、無機酸化物層３０の厚さＴ１の平均値と、ガラス層５０の厚さＴ２の平均値とが同じであってもよい。
　・上記実施形態において、無機酸化物層３０の形状が保たれるのであれば、無機酸化物層３０の融点は、ガラス層５０の融点よりも低くてもよいし、同じであってもよい。
　・上記実施形態において、無機酸化物層３０に含まれる特定元素は、Ａｌに限定されない。耐薬品性及び耐熱性などを考慮すると、無機酸化物層３０は、特定元素としてＡｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれる１以上を含んでいると好ましい。また、同様に、ガラス層５０に含まれる特定元素は、Ａｌに限られず、上記の元素のいずれかであってもよい。
　・上記実施形態において、第１成膜工程Ｓ１３において無機酸化物層３０を形成する方法は、スパッタリング法に限定されない。例えば、スプレーによる塗布、スラリーの塗布などにより無機酸化物層３０を形成してもよい。また、スパッタリング法において、水蒸気を添加する方法で無機酸化物層３０を形成してもよい。また、原子層体積法等により無機酸化物層３０を形成してもよい。
　・上記実施形態において、無機酸化物層３０は、必ずしも特定元素を含んでいなくてもよい。同様に、ガラス層５０も、必ずしも特定元素を含んでいなくてもよい。
　・上記実施形態において、ガラス層５０における特定元素は、ガラス層５０の厚さ方向において、無機酸化物層３０から離れるほど、濃度が低下する傾斜組成になっていなくてもよい。
　・上記実施形態において、浸漬工程Ｓ２１で反応容器内に投入する溶液に含まれる添加物は、酸化カリウム前駆体に限られない。例えば、上記溶液に含まれる添加物は、炭酸リチウム、塩化リチウム、チタン酸リチウム、窒化リチウム、過酸化リチウム、クエン酸リチウム、フッ化リチウム、ヘキサフルオロリン酸リチウム、酢酸リチウム、ヨウ化リチウム、次亜塩素酸リチウム、四ホウ酸リチウム、臭化リチウム、硝酸リチウム、水酸化リチウム、水素化アルミニウムリチウム、水素化トリエチルホウ素リチウム、水素化リチウム、リチウムアミド、リチウムイミド、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムテトラメチルピペリジド、硫化リチウム、硫酸リチウム、リチウムチオフェノラート、リチウムフェノキシド等であってもよい。
　・また、上記溶液に含まれる添加物は、例えば、炭酸カルシウム、炭酸水素カルシウム、硝酸カルシウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、リン酸カルシウム、ピロリン酸カルシウム、次亜塩素酸カルシウム、塩素酸カルシウム、過塩素酸カルシウム、臭素酸カルシウム、ヨウ素酸カルシウム、亜ヒ酸カルシウム、クロム酸カルシウム、タングステン酸カルシウムモリブデン酸カルシウム、炭酸カルシウムマグネシウム、ハイドロキシアパタイト、といったオキソ酸塩等であってもよい。また、添加物は、酢酸カルシウム、グルコン酸カルシウム、クエン酸カルシウム、リンゴ酸カルシウム、乳酸カルシウム、安息香酸カルシウム、ステアリン酸カルシウム、アスパラギン酸カルシウム等であってもよい。
　・また、上記溶液に含まれる添加物は、例えば、亜硫酸バリウム、塩化バリウム、塩素酸バリウム、過塩素酸バリウム、過酸化バリウム、クロム酸バリウム、酢酸バリウム、シアン化バリウム、臭化バリウム、シュウ酸バリウム、硝酸バリウム、水酸化バリウム、水素化バリウム、炭酸バリウム、ヨウ化バリウム、硫化バリウム、硫酸バリウムであってもよい。他にも、添加物は、酢酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム等であってもよい。
　・また、上記溶液に含まれる添加物は、例えば、ヒ化カリウム、臭化カリウム、炭化カリウム、塩化カリウム、フッ化カリウム、水素化カリウム、ヨウ化カリウム、三ヨウ化カリウム、アジ化カリウム、窒化カリウム、超酸化カリウム、オゾン化カリウム、過酸化カリウム、リン化カリウム、硫化カリウム、セレン化カリウム、テルル化カリウム、テトラフルオロアルミン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸カリウム、テトラヒドロホウ酸カリウム、カリウムメタニド、シアン化カリウム、ギ酸カリウム、フッ化水素カリウム、テ、ラヨード水銀（ＩＩ）酸カリウム、硫化水素カリウム、オクタクロロ二モリブデン（ＩＩ）酸カリウム、カリウムアミド、水酸化カリウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、炭酸カリウム、テトラクロリド白金（ＩＩ）酸カリウム、ヘキサクロリド白金（ＩＶ）酸カリウム、ノナヒドリドレニウム（ＶＩＩ）酸カリウム、硫酸カリウム、酢酸カリウム、シアン化金（Ｉ）カリウム、ヘキサニトロコバルト（ＩＩＩ）酸カリウム、ヘキサシアノ鉄（ＩＩＩ）酸カリウム、ヘキサシアノ鉄（ＩＩ）酸カリウム、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド、シアン酸カリウム、雷酸カリウム、チオシアン酸カリウム、硫酸カリウムアルミニウム、アルミン酸カリウム、ヒ酸カリウム、臭素酸カリウム、次亜塩素酸カリウム、亜塩素酸カリウム、塩素酸カリウム、過塩素酸カリウム、炭酸カリウム、クロム酸カリウム、二クロム酸カリウム、テトラキス（ペルオキソ）クロム（Ｖ）酸カリウム、銅（ＩＩＩ）酸カリウム、鉄酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、マンガン酸カリウム、次亜マンガン酸カリウム、モリブデン酸カリウム、亜硝酸カリウム、硝酸カリウム、リン酸三カリウム、過レニウム酸カリウム、セレン酸カリウム、ケイ酸カリウム、亜硫酸カリウム、硫酸カリウム、チオ硫酸カリウム、二亜硫酸カリウム、ジチオン酸カリウム、二硫酸カリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム、ヒ酸二水素カリウム、ヒ酸水素二カリウム、炭酸水素カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸水素二カリウム、セレン酸水素カリウム、亜硫酸水素カリウム、硫酸水素カリウム、ペルオキソ硫酸水素カリウム等であってもよい。
　＜付記＞
　上記実施形態及び変更例から把握できる技術的思想について記載する。
　［１］素体と、前記素体の外表面を覆う無機酸化物層と、前記無機酸化物層の外表面を覆うガラス層と、を備え、前記ガラス層は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の元素を含んでおり、前記無機酸化物層において、前記ガラス層に含まれるアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の前記元素と同種の元素の濃度は、前記ガラス層における同種の元素の濃度よりも小さい電子部品。
　［２］前記無機酸化物層の融点は、前記ガラス層の融点よりも高い［１］に記載の電子部品。
　［３］前記無機酸化物層は、特定元素としてＡｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれる１以上を含んでいる［１］又は［２］に記載の電子部品。
　［４］前記ガラス層は、前記無機酸化物層に含まれる前記特定元素と同種の元素を含んでいる［３］に記載の電子部品。
　［５］前記ガラス層における前記特定元素の濃度の組成は、前記ガラス層の厚さ方向において前記無機酸化物層から離れるほど濃度が低下する傾斜組成になっている［４］に記載の電子部品。
　［６］前記無機酸化物層の厚さの平均値は、前記ガラス層の厚さの平均値よりも薄い［１］～［５］のいずれか一つに記載の電子部品。
　１０…電子部品
　２０…素体
　３０…無機酸化物層
　５０…ガラス層
　４１…第１内部電極
　４２…第２内部電極
　６１…第１外部電極
　６２…第２外部電極

Claims (6)

  1. 　素体と、
    　前記素体の外表面を覆う無機酸化物層と、
    　前記無機酸化物層の外表面を覆うガラス層と、
    　を備え、
    　前記ガラス層は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の元素を含んでおり、
    　前記無機酸化物層において、前記ガラス層に含まれるアルカリ金属及びアルカリ土類金属から選ばれる１以上の前記元素と同種の元素の濃度は、前記ガラス層における同種の元素の濃度よりも小さい
    　電子部品。
  2. 　前記無機酸化物層の融点は、前記ガラス層の融点よりも高い
    　請求項１に記載の電子部品。
  3. 　前記無機酸化物層は、特定元素としてＡｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれる１以上を含んでいる
    　請求項１又は請求項２に記載の電子部品。
  4. 　前記ガラス層は、前記無機酸化物層に含まれる前記特定元素と同種の元素を含んでいる
    　請求項３に記載の電子部品。
  5. 　前記ガラス層における前記特定元素の濃度の組成は、前記ガラス層の厚さ方向において前記無機酸化物層から離れるほど濃度が低下する傾斜組成になっている
    　請求項４に記載の電子部品。
  6. 　前記無機酸化物層の厚さの平均値は、前記ガラス層の厚さの平均値よりも薄い
    　請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の電子部品。
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