WO2025225409A1 - 基板及び発光装置 - Google Patents

基板及び発光装置

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WO2025225409A1
WO2025225409A1 PCT/JP2025/014377 JP2025014377W WO2025225409A1 WO 2025225409 A1 WO2025225409 A1 WO 2025225409A1 JP 2025014377 W JP2025014377 W JP 2025014377W WO 2025225409 A1 WO2025225409 A1 WO 2025225409A1
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WO
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light
layer
substrate
emitting device
conductive
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PCT/JP2025/014377
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English (en)
French (fr)
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永子 湊
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Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
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Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
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Pending legal-status Critical Current
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls

Definitions

  • This disclosure relates to a substrate and a light-emitting device.
  • a method for manufacturing a hybrid integrated circuit includes a step of forming a wiring pattern and then printing copper paste on the wiring pattern, excluding the portion of the wiring pattern that will be bonded.
  • the present disclosure aims to provide a substrate and a light-emitting device that can improve the corrosion resistance of conductive members containing copper.
  • the substrate comprises a base having a main surface and a conductive member disposed on the main surface, the conductive member having a first portion having a first conductive layer, a copper layer, and a second conductive layer stacked in that order from the bottom up, and a second portion having the first conductive layer and the second conductive layer stacked in that order from the bottom up, and in a cross section passing through the first portion and the second portion, the width of the second portion obtained by subtracting the thickness of the second conductive layer is 99 ⁇ m or more and 1998.9 ⁇ m or less.
  • the light-emitting device includes a light-emitting element, a covering member, and the substrate.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically illustrating a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a top view schematically showing the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a top view schematically showing a substrate constituting the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a vertical cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is a vertical cross-sectional view taken along line VV in FIG. 6A to 6C are vertical cross-sectional views showing a method for manufacturing a substrate included in a light emitting device according to an embodiment.
  • 7A to 7C are vertical cross-sectional views showing a method for manufacturing a substrate included in a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically illustrating a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a top view schematically showing the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a top view schematically showing a substrate constitu
  • FIG. 8 is a vertical cross-sectional view showing a method for manufacturing a substrate included in a light emitting device according to an embodiment.
  • 9A to 9C are vertical cross-sectional views showing a method for manufacturing a substrate included in a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 10 is a vertical cross-sectional view showing a method for manufacturing a substrate included in a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 11 is a vertical cross-sectional view showing a method for manufacturing a substrate included in a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 12A is a vertical cross-sectional view showing a method for manufacturing a substrate included in a light emitting device according to an embodiment.
  • FIG. 12B is a vertical cross-sectional view showing a method for manufacturing a substrate included in the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 13A is a partial cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 13B is a partial cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 13C is a partial cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment.
  • FIG. 13D is a partial cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment.
  • the embodiments shown below are illustrative of light-emitting devices and the like that embody the technical concepts of the present invention, and are not intended to limit the present invention to the following.
  • the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, etc. of the components described below are intended for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the present invention.
  • the content described in one embodiment may also be applied to other embodiments and modified examples.
  • the size and positional relationships of components shown in the drawings may be exaggerated for clarity.
  • schematic diagrams may be used in which some elements are omitted, or end views may be used as cross-sectional views that show only the cut surface.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing a light-emitting device according to this embodiment.
  • FIG. 2 is a top view schematically showing the light-emitting device according to this embodiment.
  • FIG. 3 is a top view schematically showing a substrate constituting the light-emitting device according to this embodiment.
  • FIG. 4 is a vertical cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 2.
  • FIG. 5 is a vertical cross-sectional view taken along line V-V in FIG. 2. Note that the vertical cross-section is a cross-section of the light-emitting device 1 cut along a plane perpendicular to the upper surface 20a of the light-emitting element 20.
  • the light-emitting device 1 has a substrate 10, a light-emitting element 20, and a covering member 60.
  • the substrate 10 comprises a base 11 having a principal surface 11A, and a conductive member 12 disposed on the principal surface 11A.
  • the conductive member 12 is wiring
  • the substrate 10 comprising the conductive member 12 is a wiring substrate.
  • the principal surface 11A of the base 11 is referred to as the upper surface 11A of the base 11.
  • the light-emitting device 1 has multiple light-emitting elements 20, and in the light-emitting device 1, the multiple light-emitting elements 20 can emit light independently.
  • multiple light-emitting elements 20 are placed on the substrate 10.
  • the light-emitting elements 20 have an upper surface 20a, multiple side surfaces 20c connected to the upper surface 20a, and a lower surface 20b opposite the upper surface 20a.
  • the multiple side surfaces 20c are connected to the upper surface 20a and the lower surface 20b.
  • each of the multiple side surfaces 20c has an outer edge that is connected to the outer edge of the upper surface 20a and the outer edge of the lower surface 20b.
  • light-emitting element 20 light is emitted from the upper surface 20a, the lower surface 20b, and the side surfaces 20c.
  • the light-emitting element 20 has a substantially rectangular upper surface 20a.
  • the light-emitting element 20 has an external shape that is substantially rectangular or cubic.
  • the upper surface 20a and lower surface 20b of the light-emitting element 20 are substantially rectangular, and the light-emitting element 20 has four substantially rectangular side surfaces 20c.
  • the shape of the upper surface 20a of the light-emitting element 20 may be a polygon such as a triangle or hexagon.
  • the external shape of the light-emitting element 20 may also be a columnar or frustum with a polygonal upper surface.
  • the light-emitting device 1 further includes a translucent member 50.
  • multiple translucent members 50 are arranged on each of the multiple light-emitting elements 20.
  • the number of translucent members 50 is, for example, the same as the number of light-emitting elements 20.
  • the distance between adjacent translucent members 50 is, for example, 50 ⁇ m or less.
  • the translucent member 50 has an upper surface 50a, a lower surface 50b opposite the upper surface 50a, and a side surface 50c between the upper surface 50a and the lower surface 50b.
  • the upper surface 50a of the translucent member 50 constitutes the upper surface of the light-emitting device 1 as the main light-emitting surface of the light-emitting device 1.
  • the lower surface 50b of the translucent member 50 is joined to the upper surface 20a of the light-emitting element 20.
  • the light-transmitting member 50 and the light-emitting element 20 may be joined via a light-transmitting adhesive made of silicone resin or the like arranged between the lower surface 50b of the light-transmitting member 50 and the upper surface 20a of the light-emitting element 20, or the lower surface 50b of the light-transmitting member 50 may be in contact with the upper surface 20a of the light-emitting element 20.
  • the light-transmitting member 50 is arranged so that the lower surface 50b of the light-transmitting member 50 is approximately parallel to the upper surface 20a of the light-emitting element 20.
  • the shape of the lower surface 50b of the light-transmitting member 50 is preferably the same as or similar to the shape of the upper surface 20a of the light-emitting element 20.
  • the upper surface 20a of the light-emitting element 20 is rectangular
  • the lower surface 50b of the light-transmitting member 50 is preferably also rectangular.
  • the number of light-transmitting members 50 included in the light-emitting device 1 may be fewer than the number of light-emitting elements 20.
  • the light-emitting device 1 includes a plurality of translucent members whose number is less than the number of light-emitting elements 20, it may be configured such that at least one of the plurality of translucent members is arranged to collectively cover the plurality of light-emitting elements 20.
  • the lower surface 50b of the light-transmitting member 50 is a flat surface.
  • the upper surface 50a of the light-transmitting member 50 may be a flat surface parallel to the lower surface 50b, or part or all of the upper surface 50a may be a surface that is not parallel to the lower surface 50b.
  • the side surface 50c of the light-transmitting member 50 may be a surface that is perpendicular to at least one of the upper surface 50a and the lower surface 50b, an inclined surface, a curved surface, or the like.
  • the light-transmitting member 50 may have an uneven structure on part or all of its surface.
  • the lower surface 50b of the light-transmitting member 50 has a larger area than the upper surface 20a of the light-emitting element 20. In this case, it is preferable that the light-transmitting member 50 is arranged so that the lower surface 50b of the light-transmitting member 50 encloses the light-emitting element 20 when viewed from above.
  • the lower surface 50b of the light-transmitting member 50 may have an area smaller than or the same as the upper surface 20a of the light-emitting element 20.
  • the covering member 60 exposes the upper surface 50a of each translucent member 50 and collectively covers the side surface 50c of each translucent member 50 and the side surface 20c of each light-emitting element 20.
  • the covering member 60 may cover at least a portion of the upper surface of the substrate 10.
  • the light-emitting device 1 may further include a protective element placed on the substrate 10 to protect the light-emitting element 20.
  • the protective element is, for example, a Zener diode. If the light-emitting device 1 includes a protective element, the covering member 60 preferably covers the upper surface, lower surface, and side surfaces of the protective element. Furthermore, the covering member 60 may cover the lower surface 20b of each light-emitting element 20.
  • the covering member 60 together with the base 11 of the substrate 10, constitutes the side surface of the light-emitting device 1.
  • the side surface of the covering member 60 that constitutes the side surface of the light-emitting device 1 and the side surface of the base 11 are flush with each other.
  • the top surface 60a of the covering member 60 that constitutes the top surface of the light-emitting device 1 and the top surface 50a of the translucent member 50 are flush with each other. Note that the side surface of the covering member 60 and the side surface of the base 11 do not have to be flush with each other, and the top surface 60a of the covering member 60 and the top surface 50a of the translucent member 50 do not have to be flush with each other.
  • the substrate 10 comprises a base 11 and a conductive member 12 disposed on the main surface 11A (top surface 11A in this embodiment) of the base 11.
  • the base 11 supports the conductive member 12.
  • the substrate 10 is a member on which the light-emitting element 20 is mounted.
  • the conductive member 12 is used to supply power to the light-emitting element 20 from the outside.
  • the substrate 10 may also have wiring on its bottom surface, which is located on the opposite side of the top surface 11A of the base 11.
  • the base 11 is, for example, approximately rectangular or cubic in shape. It is preferable to use a material for the base 11 that is less transparent to light emitted from the light-emitting element 20 and external light.
  • materials for the base 11 include ceramics such as aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, and mullite; resins such as epoxy resin, silicone resin, modified epoxy resin, urethane resin, phenolic resin, polyimide resin, BT (bismaleimide triazine) resin, and polyphthalamide; semiconductors such as silicon; metals such as copper and aluminum; and graphite, as well as composites thereof.
  • ceramics with excellent heat dissipation properties are preferred for use as the material for the base 11.
  • Nitride ceramics are preferred as the material for the base 11.
  • nitride ceramics include silicon nitride and aluminum nitride.
  • the thickness of the base 11 is, for example, 0.1 mm to 0.5 mm for silicon nitride and 0.3 mm to 2 mm for aluminum nitride.
  • the upper surface 11A of the base 11 has a first region 91 in which the covering member 60 is disposed, and a second region 92 exposed from the covering member 60.
  • the conductive member 12 has a first portion 81 having a first conductive layer 31, a copper layer 32, and a second conductive layer 33 stacked in this order from the bottom up, and a second portion 82 having the first conductive layer 31 and the second conductive layer 33 stacked in this order from the bottom up.
  • the first layer 41 of the first conductive layer 31 and the second conductive layer 33 each have a higher resistance to halogens than the copper layer 32.
  • the first conductive layer 31 includes a first layer 41.
  • the first conductive layer 31 has a first layer 41 and a seed layer 42 stacked in order from the bottom.
  • the first layer 41 contains titanium.
  • the first layer 41 contains a titanium-tungsten alloy.
  • the first layer 41 is disposed on the substrate 11.
  • the first layer 41 and the substrate 11 are in contact with each other.
  • the thickness of the first layer 41 is, for example, 0.05 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • the seed layer 42 may be made of, for example, copper.
  • the thickness of the seed layer 42 is, for example, 0.05 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • the seed layer 42 is disposed only on the first portion 81 and is not disposed on the second portion 82.
  • the first layer 41 and the seed layer 42 may include a native oxide film on at least one of their respective surfaces and their respective interfaces. Furthermore, if a native oxide film is present on the surface and interface of each of the first layer 41 and the seed layer 42, the native oxide film is thin enough to conduct electricity, and therefore the first layer 41, the seed layer, and the substrate 11 can be considered to be in contact with each other.
  • titanium has strong resistance to halogens, making it highly resistant to halogen-containing chlorides such as sodium chloride.
  • the titanium In the first layer 41 containing a titanium-tungsten alloy, the titanium is in contact with the substrate 11, which is a nitride. Therefore, when the conductive member 12 is heat-treated, for example, titanium nitride is formed at the interface between the first layer 41 and the substrate 11, and the titanium nitride provides strong adhesion between the titanium and the nitride.
  • the linear expansion coefficient of tungsten is close to that of nitride ceramic. Therefore, large thermal stress is unlikely to occur between the tungsten and ceramic, and strong adhesion is achieved between the first layer 41 and the substrate 11.
  • the copper layer 32 is disposed only on the first portion 81, and not on the second portion 82.
  • the thickness of the copper layer 32 is, for example, 1 ⁇ m or more and 90 ⁇ m or less.
  • the copper layer 32 may include a natural oxide film on its surface. Copper has high thermal conductivity and is a soft metal. Therefore, by forming the copper layer 32 to a thickness in the range of 1 ⁇ m or more and 90 ⁇ m or less, preferably 10 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less, it has good mountability and connection reliability when flip-chip mounted to the light-emitting element 20 using gold bumps.
  • the second conductive layer 33 has, for example, a second layer 71, a palladium layer 72, and a gold layer 73 stacked in this order from the bottom.
  • the second layer 71 contains nickel.
  • the thickness of the second layer 71 is, for example, 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the thickness of the palladium layer 72 is, for example, 0.05 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • the thickness of the gold layer 73 is, for example, 0.05 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • the thickness of the second conductive layer 33 is, for example, 1.1 ⁇ m or more and 11 ⁇ m or less. In the second portion 82, the first layer 41 and the second layer 71 contact each other.
  • a natural oxide film is likely to form on the surface of nickel.
  • Nickel is also highly resistant to halogens and oxygen.
  • an alloy is likely to form between them.
  • the nickel contained in the second layer 71 prevents the diffusion of copper, so the second layer 71 functions as a diffusion prevention layer between the copper layer 32 and the gold layer 73.
  • Palladium is highly resistant to sulfur. Palladium also prevents the diffusion of nickel and gold.
  • an alloy may form between the nickel and gold, but the palladium layer 72 functions as a diffusion prevention layer between the second layer 71 and the gold layer 73.
  • this wiring may include an anode electrode and a cathode electrode that are electrically connected to an external power source.
  • the substrate 10 may be provided with relay wiring on at least one of the interior and side surfaces of the base 11 for connecting the conductive member 12 to the wiring arranged on the underside of the base 11.
  • the conductive member 12 may include wiring for heat dissipation on the underside of the base 11 in addition to the anode electrode and cathode electrode that are electrically connected to the light-emitting element 20.
  • metals such as iron, copper, nickel, aluminum, gold, silver, platinum, titanium, tungsten, and palladium, or alloys containing at least one of these, can be used for the wiring on the underside of the base 11.
  • the substrate 10 does not need to have wiring on the underside of the base 11.
  • an anode electrode and a cathode electrode that are electrically connected to an external power source may be disposed on the top or side surface of the base 11.
  • the substrate 10 may have a recess on its upper surface
  • the light-emitting device 1 may have a structure in which the light-emitting element 20 is disposed at the bottom of the recess in the substrate 10.
  • the substrate 10 may further include an insulating member that covers the base 11 and at least a first portion of the conductive member 12.
  • the light-emitting element 20 can be suitably a semiconductor light-emitting element such as a light-emitting diode (LED) chip or a semiconductor laser (LD) chip.
  • the shape, size, etc. of the light-emitting element 20 can be selected arbitrarily.
  • the light-emitting element 20 has, for example, multiple electrodes on its lower surface 20b.
  • the light-emitting element 20 is disposed on the substrate 10.
  • the light-emitting element 20 is flip-chip mounted to the substrate 10, for example, with the lower surface 20b with the electrodes facing the substrate 10.
  • the multiple electrodes of the light-emitting element 20 are electrically connected to the conductive member 12.
  • the light-emitting element 20 and the conductive member 12 can be connected using a known conductive bonding member 25, such as eutectic solder, conductive paste, or bumps.
  • the electrodes of the light-emitting element 20 and the conductive member 12 may be directly bonded to each other without the conductive bonding member 25.
  • the light-emitting element 20 includes, for example, a semiconductor structure and a support substrate supporting the semiconductor structure.
  • the semiconductor structure includes an n-side semiconductor layer, a p-side semiconductor layer, and an active layer sandwiched between the n-side semiconductor layer and the p-side semiconductor layer.
  • the active layer may have a single quantum well (SQW) structure or a multiple quantum well (MQW) structure including multiple well layers.
  • the semiconductor structure includes multiple semiconductor layers made of nitride semiconductors.
  • Nitride semiconductors include all compositions in which the composition ratios x and y in the chemical formula of In x Al y Ga 1-x-y N (0 ⁇ x, 0 ⁇ y, x+y ⁇ 1) are varied within their respective ranges.
  • the emission peak wavelength of the active layer can be appropriately selected depending on the purpose.
  • the active layer is configured to emit, for example, visible light or ultraviolet light.
  • the semiconductor structure may include multiple light-emitting sections, each including an n-side semiconductor layer, an active layer, and a p-side semiconductor layer.
  • each light-emitting section may include well layers with different emission peak wavelengths, or well layers with the same emission peak wavelength. Note that "same emission peak wavelength" includes cases where there is a variation of about a few nanometers. The combination of emission peak wavelengths of the multiple light-emitting sections can be selected appropriately.
  • each light-emitting section may be blue light with blue light, green light with green light, red light with red light, ultraviolet light with ultraviolet light, blue light with green light, blue light with red light, or green light with red light.
  • the combination of light emitted by each light-emitting section may be blue light, green light, and red light.
  • Each light-emitting section may include one or more well layers with emission peak wavelengths different from those of the other well layers.
  • the light-emitting element 20 shown in FIG. 4 has one semiconductor structure on one support substrate.
  • One semiconductor structure has only one light-emitting layer.
  • the light-emitting element 20 may have multiple semiconductor stacks on one support substrate.
  • one semiconductor structure may have multiple light-emitting layers.
  • the structure of a semiconductor structure having multiple light-emitting layers may be a structure including multiple active layers between one n-side semiconductor layer and one p-side semiconductor layer, or a structure in which a structure including an n-side semiconductor layer, an active layer, and a p-side semiconductor layer in that order is repeated multiple times.
  • the electrodes include an n-electrode connected to the n-side semiconductor layer and a p-electrode connected to the p-side semiconductor layer.
  • the p-electrode and n-electrode may be disposed on different surfaces of the semiconductor laminate, or may be disposed on the same surface.
  • the multiple electrodes including the p-electrode and n-electrode, are disposed on the same surface of the semiconductor structure, with the side on which the multiple electrodes are disposed constituting the lower surface 20b of the light-emitting device 20, and the surface of the support substrate opposite the surface on which the semiconductor structure is disposed constituting the upper surface 20a of the light-emitting device 20.
  • the support substrate include insulating substrates such as sapphire and spinel (MgAl 2 O 4 ), and nitride-based semiconductor substrates such as gallium nitride.
  • a light-transmitting material for the support substrate.
  • the light-emitting device 20 does not necessarily have a support substrate.
  • the support substrate can be removed after the semiconductor structure is formed on the support substrate.
  • the light-transmitting member 50 is disposed on the light-emitting element 20 and transmits light emitted from the light-emitting element 20 to release it to the outside.
  • the light-transmitting member 50 may transmit 60% or more of the light from the light-emitting element 20 and light obtained by wavelength conversion of the light from the light-emitting element 20 using a phosphor described below (e.g., light having an emission peak wavelength in the wavelength range of 320 nm to 850 nm), and preferably transmits 70% or more of the light.
  • the light-transmitting member 50 may be formed from an inorganic material such as glass, ceramic, or sapphire, or an organic material such as a resin or hybrid resin containing one or more of silicone resin, modified silicone resin, epoxy resin, modified epoxy resin, acrylic resin, phenolic resin, or fluororesin.
  • the light-transmitting member 50 may contain a phosphor capable of wavelength conversion of at least a portion of the incident light.
  • Examples of light-transmitting members 50 containing phosphor include sintered bodies of phosphors and the above-mentioned materials containing phosphor powder.
  • the light-transmitting member 50 may also be a molded body of resin, glass, ceramic, or the like, on whose surface a light-transmitting layer, such as a resin layer containing phosphor or a glass layer containing phosphor, is formed.
  • the light-transmitting member 50 may also contain a filler such as a light-diffusing material, depending on the purpose.
  • the light-transmitting member 50 may be a resin, glass, ceramic, or other inorganic material containing the filler, or a light-transmitting plate made of a molded body of resin, glass, ceramic, or the like, on whose surface a light-transmitting layer, such as a resin layer containing filler or a glass layer containing filler, is formed.
  • the phosphors include yttrium aluminum garnet phosphors (e.g., (Y,Gd) 3 (Al, Ga ) 5O12 :Ce), lutetium aluminum garnet phosphors (e.g., Lu3 ( Al , Ga ) 5O12 :Ce), terbium aluminum garnet phosphors (e.g., Tb3 ( Al , Ga ) 5O12 :Ce), CCA phosphors (e.g., Ca10 ( PO4 ) 6Cl2 :Eu), SAE phosphors (e.g., Sr4Al14O25: Eu ), chlorosilicate phosphors (e.g., Ca8MgSi4O16Cl2 :Eu), silicate phosphors (e.g., (Ba, Sr , Ca , Mg) 2SiO4 oxynitride phosphors such as ⁇ -sialon phosphors (
  • KSF-based phosphors e.g., K2SiF6 Fluoride-based phosphors such as KSAF-based phosphors (for example, K 2 (Si 1-x Al x )F 6-x :Mn, where x satisfies 0 ⁇ x ⁇ 1) or MGF-based phosphors (for example, 3.5MgO.0.5MgF 2.GeO 2 :Mn), quantum dots having a perovskite structure (for example, (Cs,FA,MA)( Pb ,Sn)(F,Cl,Br,I) 3 , where FA and MA represent formamidinium and methylammonium, respectively), II-VI group quantum dots (for example, CdSe), III-V group quantum dots (for example, InP), or quantum dots having a chalcopyrite structure (for example, (Ag,Cu)(In,Ga)(S,Se) 2
  • KSF-based phosphors e.g., K2
  • Light diffusing materials that are known in the field can be used.
  • titanium dioxide, silicon dioxide, aluminum oxide, barium titanate, etc. can be used.
  • the light-transmitting member 50 includes at least one of a phosphor layer and a light-diffusing material layer
  • a resin is used as the base material for the phosphor layer and the light-diffusing material layer
  • examples of the resin include thermosetting resins such as epoxy resin, modified epoxy resin, silicone resin, and modified silicone resin.
  • the covering member 60 covers the first portion 81 of the conductive member 12, and the first boundary 83 between the first portion 81 and the second portion 82 is also covered by the covering member 60.
  • the thickness of the covering member 60 is greater than 0 ⁇ m and less than 998.9 ⁇ m.
  • the light-emitting element 20 is connected to the second conductive layer 33 at the first portion 81 of the conductive member 12 and is covered by the covering member 60.
  • the covering member 60 preferably has light-blocking properties, specifically, preferably has at least one of light reflectivity and light absorption properties. In particular, it preferably contains a material that can suitably reflect light emitted from the light-emitting element 20.
  • it preferably has a reflectivity of 60% or more for light emitted from the light-emitting element 20, and more preferably has a reflectivity of 70% or more, 80% or more, or 90% or more.
  • a material that can suitably absorb light emitted from the light-emitting element 20 is carbon black.
  • the covering member 60 may be made up of a single member or multiple members.
  • the covering member 60 is preferably made of an insulating material.
  • the covering member 60 is, for example, a member made of a translucent resin containing particles of a light-reflecting substance.
  • resins used for the covering member 60 include resins or hybrid resins containing one or more of the following: silicone resin, modified silicone resin, epoxy resin, modified epoxy resin, urea resin, acrylic resin, phenolic resin, bismaleimide triazine resin, and polyphthalamide resin.
  • silicone resin is particularly preferred, as it has excellent light resistance, heat resistance, electrical insulation, and flexibility.
  • Examples of light-reflecting substances include titanium dioxide, silicon dioxide, aluminum oxide, zirconium dioxide, magnesium oxide, potassium titanate, barium titanate, zinc oxide, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, and combinations thereof.
  • titanium dioxide which has a relatively high refractive index, is preferred from the perspective of light reflection.
  • the first conductive layer 31, copper layer 32, and second conductive layer 33 are stacked in this order from the bottom up in the first portion 81, and the first conductive layer 31 and second conductive layer 33 are stacked in this order from the bottom up in the second portion 82. Therefore, the copper layer 32 is less likely to be exposed to external corrosive substances, improving the corrosion resistance of the substrate 10 and the light-emitting device 1.
  • the resistance to halogens of each of the first conductive layer 31 and second conductive layer 33 is higher than the resistance to halogens of the copper layer 32, thereby improving corrosion resistance to halogens.
  • first layer 41 contains titanium
  • second layer 71 contains nickel
  • a natural oxide film also forms on the surface of the second layer 71 during and after the formation of the second layer 71.
  • the natural oxide film on the surface of the second layer 71 is formed, for example, when the second layer 71 is plated, or by the diffusion of oxygen contained in the coating member 60 and the substrate 11. Because natural oxide films are formed on the surfaces of the first layer 41 and the second layer 71 in this way, high adhesion is achieved between the oxide film on the surface of the first layer 41 and the oxide film on the surface of the second layer 71. Furthermore, since the first layer 41 and the second layer 71 are in contact with each other in the second portion 82, it is possible to prevent corrosive substances from penetrating into the copper layer 32 through the gap between the first layer 41 and the second layer 71.
  • the first layer 41 contains titanium
  • the base 11 contains nitride ceramic
  • the first layer 41 and base 11 are in contact with each other, when the conductive member 12 is heat-treated, the titanium contained in the first layer 41 and the nitrogen contained in the base 11 form titanium nitride at the interface between the first layer 41 and the base 11. This results in high adhesion between the first layer 41 and the base 11.
  • the thickness of the copper layer 32 is preferably 1 ⁇ m or more and 90 ⁇ m or less, and more preferably 10 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • the first boundary 83 which is the boundary between the first portion 81 and the second portion 82, is covered by the covering member 60, which also makes it difficult for corrosive substances to penetrate the copper layer 32, thereby improving the corrosion resistance of the light-emitting device 1.
  • the distance L1 between the first boundary 83 and the second boundary 93, which is the boundary between the first region 91 and the second region 92 on the upper surface 11A of the base 11, is preferably 10 ⁇ m or more. This allows a larger portion of the second portion 82 of the conductive member 12 to be covered by the covering member 60, making it more difficult for corrosive substances to penetrate the copper layer 32 and improving the corrosion resistance of the light emitting device 1.
  • the distance L1 is more preferably 20 ⁇ m or more, and even more preferably 30 ⁇ m or more.
  • the distance L1 is, for example, 1000 ⁇ m or less. Note that the distance L1 is the distance in a vertical cross section perpendicular to the side surface of the covering member 60 where the conductive member 12 is exposed.
  • the distance L2 from the second boundary 93 to the outer edge of the second portion 82 be 100 ⁇ m or more. This makes it easier to perform wire bonding on the portion of the second portion 82 exposed from the covering member 60.
  • the distance L2 is more preferably 200 ⁇ m or more, and even more preferably 300 ⁇ m or more.
  • the distance L2 is, for example, 1000 ⁇ m or less.
  • the sum of the distances L1 and L2 is 100 ⁇ m or more and 2000 ⁇ m or less.
  • the width A2 of the second portion 82 obtained by subtracting the thickness A1 of the second conductive layer 33 is 99 ⁇ m or more and 1998.9 ⁇ m or less.
  • the width A2 of the second portion 82 obtained by subtracting the thickness A1 of the second conductive layer 33 is the value obtained by subtracting the thickness A1 of the second conductive layer 33 from the respective preferable values of the distances L1 and L2.
  • a "cross section" refers to a cross section perpendicular to the upper surface 11A of the base 11 and the first boundary 83.
  • the light-emitting device 1 can be used, for example, in an automobile headlamp.
  • the light-emitting device 1 When the light-emitting device 1 is used in an automobile headlamp, it may be exposed to rain or fog containing salt or rain or fog containing sulfur. Even in such cases, the copper layer 32 is not easily exposed to these corrosive substances, allowing the light-emitting device 1 to operate stably for a long period of time and achieving excellent reliability.
  • FIGS. 6 to 12A and 12B are vertical cross-sectional views showing a method for manufacturing the substrate included in the light emitting device according to this embodiment.
  • a base 11 is prepared, and a step of disposing a first conductive layer 31 over the entire upper surface 11A of the base 11 is performed.
  • a first layer 41 containing a titanium-tungsten alloy is disposed over the entire upper surface 11A of the base 11, and a seed layer 42 containing copper is disposed over the entire upper surface of the first layer 41.
  • the first layer 41 contains a titanium-tungsten alloy
  • the first layer 41 is preferably disposed by sputtering.
  • the seed layer 42 can be disposed by sputtering or electroless plating, etc.
  • the heating temperature is high and the film can be formed with strong energy, resulting in a higher Vickers hardness than when disposed by electroless plating.
  • a process is performed in which a mask 110 is placed on the seed layer 42.
  • the mask 110 has openings 111 in the areas where the conductive members 12 are to be formed.
  • the mask 110 is, for example, photoresist. If the photoresist is liquid, it is applied by spin coating. If the photoresist is a dry film, it is laminated using a heat roll laminator. In either case, the mask 110 is then placed by forming a photoresist pattern through exposure and development.
  • a step is performed in which a copper layer 32 is disposed on the seed layer 42 inside the opening 111.
  • the copper layer 32 can be disposed by electrolytic plating or the like. After the copper layer 32 is disposed, the mask 110 is removed.
  • a process is performed to remove the portions of the first conductive layer 31 exposed from the copper layer 32.
  • the portions of the first conductive layer 31 exposed from the copper layer 32 can be removed by wet etching. This wet etching is sometimes called flash etching.
  • a mask 120 is placed on the copper layer 32.
  • the mask 120 has openings 121 in the areas where the second portions 82 of the conductive member 12 are to be formed, and covers the areas where the first portions 81 are to be formed.
  • the mask 120 is, for example, the same photoresist as described above.
  • the portions of the copper layer 32 and seed layer 42 exposed from the mask 120 are removed.
  • the first layer 41 is exposed from the copper layer 32 and seed layer 42 in the areas where the second portions 82 of the conductive member 12 are to be formed.
  • the portions of the copper layer 32 and seed layer 42 exposed from the mask 120 can be removed by wet etching. The mask 120 is then removed.
  • a process of disposing a second conductive layer 33 on the first conductive layer 31 and the copper layer 32 is performed.
  • a second layer 71 is disposed on the first conductive layer 31 and the copper layer 32
  • a palladium layer 72 is disposed on the second layer 71
  • a gold layer 73 is disposed on the palladium layer 72.
  • the second layer 71, the palladium layer 72, and the gold layer 73 can be disposed by electroless plating or the like.
  • the second layer 71, the palladium layer 72, and the gold layer 73 are preferably disposed by plating.
  • electroless plating can be performed at room temperature, no heating energy is required, and the second layer 71, the palladium layer 72, and the gold layer 73 can be disposed inexpensively and easily. Furthermore, electroless plating can more evenly distribute the thickness of the side and top surfaces of the wiring, improving corrosion resistance on the side surfaces of the wiring compared to sputtering. Furthermore, the high deposition rates of electroless plating and electrolytic plating enable the formation of layers with low density and resistance to fracture. Furthermore, because gold has low wettability on the surface of copper, it is difficult to use electroless plating to deposit the gold layer 73 so that it comes into contact with the copper layer 32. In this embodiment, the second layer 71 and palladium layer 72 are deposited before depositing the gold layer 73, allowing the gold layer 73 to be deposited stably.
  • the ends of the first layer 41, second layer 71, and palladium layer 72 may not be exposed, as shown in FIG. 12B.
  • the end of the first layer 41 is covered with the second layer 71
  • the end of the second layer 71 is covered with the palladium layer 72
  • the end of the palladium layer 72 is covered with the gold layer 73.
  • corrosion resistance can be further improved.
  • a substrate 10 having a base body 11 and a conductive member 12 can be manufactured.
  • FIGS. 13A, 13B, 13C, and 13D are partial cross-sectional views illustrating the manufacturing process for the light-emitting device according to this embodiment.
  • a light-emitting element 20 having an upper surface 20a, a lower surface 20b, and multiple side surfaces 20c connected to the upper surface 20a and the lower surface 20b, and a substrate 10 are prepared.
  • multiple light-emitting elements 20 are prepared.
  • multiple light-emitting elements 20 are arranged on the substrate 10.
  • Each light-emitting element 20 is flip-chip mounted on the substrate 10 via gold bumps, which are conductive bonding members 25, with the surface on which the electrodes are arranged facing the conductive member 12.
  • a light-transmitting member 50 is placed on top of the light-emitting element 20.
  • one light-transmitting member 50 is placed on each of the multiple light-emitting elements 20.
  • the light-transmitting member 50 is placed on the upper surface 20a of the light-emitting element 20 via an adhesive resin.
  • the light-transmitting member 50 may also be placed on the upper surface of the light-emitting element 20 by a direct bonding method such as pressure bonding, surface activated bonding, atomic diffusion bonding, or hydroxyl group bonding, without using a bonding member such as an adhesive resin.
  • a covering member 60 is placed on the substrate 10 to collectively cover the side surfaces 50c of each translucent member 50 and the side surfaces 20c of each light-emitting element 20.
  • uncured resin that will become the covering member 60 is dispensed.
  • the uncured resin is placed so as to form a substantially rectangular frame that surrounds the multiple light-emitting elements 20 when viewed from above.
  • the substantially rectangular frame is formed so as to include the outer edge of the first region 91 (i.e., the region that will become the outer edge of the covering member 60).
  • uncured resin is placed near the outer periphery of the multiple light-emitting elements 20.
  • the uncured resin spreads by capillary action to cover the lower surfaces 20b of the light-emitting elements 20 and the conductive bonding member 25. Then, uncured resin is placed so as to cover the side surfaces 50c of each translucent member 50 and the side surfaces 20c of each light-emitting element 20. At this time, the amount of uncured resin is adjusted so that the upper surface of the uncured resin covering the side surface 20c of the light-emitting element 20 and the upper surface 50a of the light-transmitting member 50 are approximately flush with each other. The uncured resin is then cured to form the covering member 60. As a result, as shown in FIG.
  • the substrate 10 is formed, including a first region 91 where the covering member 60 is to be disposed and a second region 92 exposed from the covering member 60. Finally, as shown in FIGS. 1 and 2, the substrate 10 and covering member 60 are cut with a dicer to include the desired number of light-emitting elements 20, thereby obtaining individual light-emitting devices 1.
  • the light-emitting device 1 according to the embodiment can be manufactured.
  • (Appendix 1) a substrate having a main surface; a conductive member disposed on the main surface; Equipped with The conductive member is a first portion having a first conductive layer, a copper layer, and a second conductive layer stacked in this order from the bottom; a second portion having the first conductive layer and the second conductive layer stacked in this order from the bottom; and A substrate, wherein the width of the second portion obtained by subtracting the thickness of the second conductive layer in a cross section passing through the first portion and the second portion is 99 ⁇ m or more and 1998.9 ⁇ m or less.
  • Appendix 2 2.
  • the first conductive layer has a first layer comprising titanium; the second conductive layer has a second layer comprising nickel; 3.
  • the first conductive layer has a first layer comprising titanium; the substrate comprises a nitride ceramic; 4.
  • (Appendix 5) 5.
  • Appendix 7 a light-emitting element, a covering member, and a substrate according to any one of Supplementary Note 1 to Supplementary Note 6;
  • a light emitting device comprising: (Appendix 8) 8. The light emitting device according to claim 7, wherein a first boundary between the first portion and the second portion is covered by the covering member.
  • the main surface of the substrate is a first region in which the covering member is disposed; a second region exposed from the covering member; and 9.

Landscapes

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Abstract

基板は、主面を有する基体と、前記主面上に配置される導電部材と、を備え、前記導電部材は、下から順に積層された第１導電層、銅層及び第２導電層を有する第１部分と、下から順に積層された前記第１導電層及び前記第２導電層を有する第２部分と、を有し、前記第１部分及び前記第２部分を通る一断面において、前記第２導電層の厚さを減じた前記第２部分の幅は、９９μｍ以上１９９８．９μｍ以下である。

Description

基板及び発光装置
　本開示は、基板及び発光装置に関する。
　従来、配線パターンを形成した後に、配線パターンのうちボンディングされる部分を除いた配線パターンに銅ペーストを印刷する工程を有する混成集積回路の製造方法が開示されている。
日本国特開昭６１－０４８９９３号公報
　近年、銅を含む導電部材を備える基板及び発光装置に対して更なる耐食性の向上が求められている。
　本開示は、銅を含む導電部材の耐食性を向上できる基板及び発光装置を提供することを目的とする。
　開示の技術の一態様によれば、基板は、主面を有する基体と、前記主面上に配置される導電部材と、を備え、前記導電部材は、下から順に積層された第１導電層、銅層及び第２導電層を有する第１部分と、下から順に積層された前記第１導電層及び前記第２導電層を有する第２部分と、を有し、前記第１部分及び前記第２部分を通る一断面において、前記第２導電層の厚さを減じた前記第２部分の幅は、９９μｍ以上１９９８．９μｍ以下である。
　開示の技術の一態様によれば、発光装置は、発光素子と、被覆部材と、前記基板と、を含む。
　銅を含む導電部材の耐食性を向上できる基板及び発光装置を提供することができる。
図１は、実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。 図２は、実施形態に係る発光装置を模式的に示す上面図である。 図３は、実施形態に係る発光装置を構成する基板を模式的に示す上面図である。 図４は、図２のIV－IV線における縦断面図である。 図５は、図２のV－V線における縦断面図である。 図６は、実施形態に係る発光装置に含まれる基板の製造方法を示す縦断面図である。 図７は、実施形態に係る発光装置に含まれる基板の製造方法を示す縦断面図である。 図８は、実施形態に係る発光装置に含まれる基板の製造方法を示す縦断面図である。 図９は、実施形態に係る発光装置に含まれる基板の製造方法を示す縦断面図である。 図１０は、実施形態に係る発光装置に含まれる基板の製造方法を示す縦断面図である。 図１１は、実施形態に係る発光装置に含まれる基板の製造方法を示す縦断面図である。 図１２Ａは、実施形態に係る発光装置に含まれる基板の製造方法を示す縦断面図である。 図１２Ｂは、実施形態に係る発光装置に含まれる基板の製造方法を示す縦断面図である。 図１３Ａは、実施形態に係る発光装置の製造工程を説明する部分断面図である。 図１３Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造工程を説明する部分断面図である。 図１３Ｃは、実施形態に係る発光装置の製造工程を説明する部分断面図である。 図１３Ｄは、実施形態に係る発光装置の製造工程を説明する部分断面図である。
　以下、図面を参照して本発明に係る実施形態の製造方法、及び該製造方法により得られる発光装置（以下、「実施形態に係る発光装置」と呼ぶことがある）について説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、及びそれらの用語を含む別の用語）を用いる。しかし、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一もしくは同等の部分または部材を示す。
　また、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置等を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、以下に記載されている構成部品の寸法、材料、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、例示することを意図したものである。また、一の実施形態において説明する内容は、他の実施形態や変形例にも適用可能である。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張している場合がある。さらに、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略した模式図を用いたり、断面図として切断面のみを示す端面図を用いたりすることがある。
　＜実施形態に係る発光装置１＞
　図１は、本実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る発光装置を模式的に示す上面図である。図３は、本実施形態に係る発光装置を構成する基板を模式的に示す上面図である。図４は、図２のIV－IV線における縦断面図である。図５は、図２のV－V線における縦断面図である。なお、縦断面とは、発光装置１を発光素子２０の上面２０ａと垂直な平面で切断した断面である。
　図１～図５に示すように、発光装置１は、基板１０と、発光素子２０と、被覆部材６０とを有している。基板１０は、主面１１Ａを有する基体１１と、主面１１Ａ上に配置される導電部材１２と、を備える。本実施形態において、導電部材１２は配線であり、導電部材１２を備える基板１０は配線基板である。また、基体１１の主面１１Ａを、基体１１の上面１１Ａとする。
　本実施形態では、発光装置１は複数の発光素子２０を有し、発光装置１において、複数の発光素子２０は独立して発光させることができる。
　発光装置１において、複数の発光素子２０は、基板１０上に載置されている。発光素子２０は、上面２０ａと、上面２０ａに連なる複数の側面２０ｃと、上面２０ａと反対側の下面２０ｂとを有する。複数の側面２０ｃは、上面２０ａ及び下面２０ｂと連なる。言い換えれば、複数の側面２０ｃは、それぞれが、上面２０ａの外縁と下面２０ｂの外縁とに連なる外縁を有する。発光素子２０において、上面２０ａ、下面２０ｂ、及び側面２０ｃから光が出射される。
　発光素子２０は、略矩形状の上面２０ａを有する。例えば、発光素子２０は、外観形状が略直方体又は略立方体である。この場合、発光素子２０の上面２０ａ及び下面２０ｂは略矩形であり、発光素子２０は４つの略矩形の側面２０ｃを有する。発光素子２０の上面２０ａの形状は、三角形や六角形等の多角形であってもよい。また、発光素子２０は、外観形状が、上面が多角形の柱状体や錐台体であってもよい。
　発光装置１は、さらに透光性部材５０を備える。本実施形態では、複数の透光性部材５０が、複数の発光素子２０それぞれの上に配置される。透光性部材５０の個数は、例えば、発光素子２０の個数と同じである。隣接する透光性部材５０の間の距離は、例えば、５０μｍ以下である。透光性部材５０は、上面５０ａと、上面５０ａと反対側の下面５０ｂと、上面５０ａと下面５０ｂとの間の側面５０ｃとを有する。透光性部材５０の上面５０ａは、発光装置１の主発光面として、発光装置１の上面を構成している。透光性部材５０の下面５０ｂは、発光素子２０の上面２０ａと接合されている。透光性部材５０と発光素子２０とは、透光性部材５０の下面５０ｂと発光素子２０の上面２０ａとの間に配置されるシリコーン樹脂等からなる透光性接着剤を介して接合されていてもよく、透光性部材５０の下面５０ｂと発光素子２０の上面２０ａとが接していてもよい。透光性部材５０は、透光性部材５０の下面５０ｂが、発光素子２０の上面２０ａと略平行となるように配置される。透光性部材５０の下面５０ｂの形状は発光素子２０の上面２０ａの形状と同じ形状又は類似する形状であることが好ましい。例えば、発光素子２０の上面２０ａが矩形状である場合、透光性部材５０の下面５０ｂも矩形状であることが好ましい。なお、発光装置１が備える透光性部材５０の個数は、複数の発光素子２０より少ない個数であってもよい。発光装置１が、発光素子２０より少ない個数の複数の透光性部材を備えるとは、例えば、複数の透光性部材の少なくとも１つが、複数の発光素子２０を一括して覆うように配置される構成が挙げられる。
　透光性部材５０の下面５０ｂは平坦面である。透光性部材５０の上面５０ａは下面５０ｂに平行な平坦面であってもよく、上面５０ａの一部または全てが下面５０ｂに平行でない面を有していてもよい。透光性部材５０の側面５０ｃは上面５０ａ及び下面５０ｂの少なくとも一方に垂直な面、傾斜した面、曲面等のいずれであってもよい。なお、透光性部材５０は、その表面の一部または全てに凹凸構造を有していてもよい。
　透光性部材５０の下面５０ｂは、発光素子２０の上面２０ａよりも大きい面積である。なお、この場合、透光性部材５０は、上面視で透光性部材５０の下面５０ｂが発光素子２０を内包するように配置されていることが好ましい。また、透光性部材５０の下面５０ｂは、発光素子２０の上面２０ａより小さい面積であってもよく、同じ面積であってもよい。
　被覆部材６０は、それぞれの透光性部材５０の上面５０ａを露出し、それぞれの透光性部材５０の側面５０ｃ及びそれぞれの発光素子２０の側面２０ｃを一括して被覆する。被覆部材６０は、基板１０の上面の少なくとも一部を被覆してもよい。発光装置１は、さらに、基板１０上に載置され、発光素子２０を保護する保護素子を有していてもよい。保護素子は、例えば、ツェナーダイオードである。発光装置１が保護素子を有する場合、被覆部材６０は、保護素子の上面、下面、及び側面を被覆することが好ましい。さらに、被覆部材６０は、それぞれの発光素子２０の下面２０ｂを被覆していてもよい。
　発光装置１において、被覆部材６０は、基板１０の基体１１と共に、発光装置１の側面を構成する。本実施形態では、発光装置１の側面を構成する被覆部材６０の側面と基体１１の側面とは、同一面である。また、発光装置１の上面を構成する被覆部材６０の上面６０ａと透光性部材５０の上面５０ａとは、同一面である。なお、被覆部材６０の側面及び基体１１の側面は同一面でなくてもよく、被覆部材６０の上面６０ａ及び透光性部材５０の上面５０ａも同一面でなくてもよい。
　本実施形態に係る基板１０は、基体１１と、基体１１の主面１１Ａ（本実施形態において上面１１Ａ）に配置される導電部材１２とを備える。基体１１は、導電部材１２を支持する。基板１０は、発光素子２０が載置される部材である。導電部材１２は、外部から発光素子２０に電力を供給するために用いる。基板１０は、基体１１の上面の１１Ａの反対側に位置する下面にも配線を有してよい。
　基体１１は、例えば、略直方体形状又は略立方体形状である。基体１１には、発光素子２０から出射される光や外光等を透過しにくい材料を用いることが好ましい。基体１１の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、ムライト等のセラミック、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジン、ポリフタルアミド等の樹脂、シリコン等の半導体、銅、アルミニウム等の金属、グラファイトの単一材料及びこれらの複合材料が挙げられる。これらの中でも、基体１１の材料として、放熱性に優れるセラミックを好適に用いることができる。基体１１の材料としては、窒化物セラミックが好ましい。窒化物セラミックは、例えば窒化ケイ素又は窒化アルミニウムである。基体１１の厚さは、例えば窒化ケイ素の場合は０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下で、窒化アルミニウムの場合は０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下である。基体１１の上面１１Ａは、被覆部材６０が配置される第１領域９１と、被覆部材６０から露出する第２領域９２とを有する。
　導電部材１２は、下から順に積層された第１導電層３１、銅層３２及び第２導電層３３を有する第１部分８１と、下から順に積層された第１導電層３１及び第２導電層３３を有する第２部分８２とを有する。本実施形態において、第１導電層３１の第１層４１及び第２導電層３３の各々のハロゲンに対する耐性は、銅層３２のハロゲンに対する耐性よりも高い。
　第１導電層３１は、第１層４１を含む。図５に示す例では、第１導電層３１は、下から順に積層された第１層４１及びシード層４２を有する。第１層４１はチタンを含む。本実施形態において、第１層４１は、チタンタングステン合金を含む。第１層４１は基体１１の上に配置されている。第１層４１及び基体１１は互いに接触する。第１層４１の厚さは、例えば０．０５μｍ以上０．５μｍ以下である。シード層４２には、例えば、銅を用いることができる。シード層４２の厚さは、例えば０．０５μｍ以上０．５μｍ以下である。シード層４２は、第１部分８１のみに配置され、第２部分８２に配置されていない。第１層４１及びシード層４２は、それぞれの表面及びそれぞれの界面の少なくとも一方に、自然酸化膜を含んでいてもよい。なお、第１層４１及びシード層４２それぞれの表面及び界面に自然酸化膜が存在する場合、自然酸化膜は電気を通すほどに十分に薄いものであるため、第１層４１、シード層、及び基体１１はそれぞれ互いに接触するとみなすことができる。
　チタンの表面には自然酸化膜が形成されやすい。また、チタンはハロゲンに対して強い耐性を有するため、ハロゲンを含む塩化ナトリウム等の塩化物に対して耐性が高い。チタンタングステン合金を含む第１層４１では、チタンが窒化物である基体１１に接しているため、例えば導電部材１２を熱処理すると、第１層４１と基体１１との界面に窒化チタンが形成され、窒化チタンによりチタンと窒化物との間に高い密着性が得られる。さらに、タングステンの線膨張係数は窒化物セラミックの線膨張係数に近い。このため、タングステンとセラミックとの間では大きな熱応力が生じにくく、第１層４１と基体１１との間に高い密着性が得られる。
　銅層３２は、第１部分８１のみに配置され、第２部分８２に配置されていない。銅層３２の厚さは、例えば１μｍ以上９０μｍ以下である。銅層３２はその表面に自然酸化膜を含んでいてもよい。銅は、高い熱伝導性を有するとともに、柔らかい金属である。このため、銅層３２は、１μｍ以上９０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲で厚く形成することにより、発光素子２０に対して、金バンプを用いたフリップチップ実装において良好な実装性や接続信頼性を有する。
　第２導電層３３は、例えば、下から順に積層された第２層７１、パラジウム層７２及び金層７３を有する。第２層７１はニッケルを含む。第２層７１の厚さは、例えば１μｍ以上１０μｍ以下である。パラジウム層７２の厚さは、例えば０．０５μｍ以上０．５μｍ以下である。金層７３の厚さは、例えば０．０５μｍ以上０．５μｍ以下である。第２導電層３３の厚さは、例えば１．１μｍ以上１１μｍ以下である。第２部分８２において、第１層４１及び第２層７１は互いに接触する。
　ニッケルの表面には自然酸化膜が形成されやすい。また、ニッケルは、ハロゲン及び酸素に対して強い耐性を有する。銅層３２と金層７３とが互いに接触している場合、これらの間に合金が形成されやすい。第２層７１に含まれるニッケルは、銅の拡散を防止するため、第２層７１が銅層３２と金層７３との間の拡散防止層として機能する。パラジウムは硫黄に対して強い耐性を有する。また、パラジウムはニッケル及び金の拡散を防止する。第２層７１と金層７３とが互いに接触している場合、例えば導電部材１２を熱処理すると、ニッケルと金との間に合金が形成される場合があるが、パラジウム層７２が第２層７１と金層７３との間の拡散防止層として機能する。
　基体１１の下面に配線を有する場合、この配線には外部電源と電気的に接続されるアノード電極及びカソード電極を含んでよい。さらに、基板１０は、基体１１の下面に配線を有する場合、基体１１の内部及び側面の少なくとも一方に、導電部材１２と基体１１の下面に配置される配線とを接続するための中継配線を備えてよい。また、導電部材１２は、基体１１の下面に、発光素子２０と電気的に接続されるアノード電極及びカソード電極の他に、放熱用の配線を含んでよい。基体１１の下面の配線には、例えば、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀、プラチナ、チタン、タングステン、パラジウム等の金属又は、これらの少なくとも一種を含む合金を用いることができる。
　基板１０は、基体１１の下面に配線を有していなくてもよい。この場合、基体１１の上面又は側面に、外部電源と電気的に接続されるアノード電極及びカソード電極が配置されていてもよい。
　なお、基板１０は、上面に凹部を有し、発光装置１は、基板１０の凹部の底に発光素子２０が配置される構造としてもよい。
　また、基板１０は、基体１１と、導電部材１２の少なくとも第１部分と、を覆う絶縁部材をさらに有していてもよい。
　以下、実施形態に係る発光装置１を構成する各要素について詳説する。
　（発光素子２０）
　発光素子２０は、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップや半導体レーザ（ＬＤ）チップ等の半導体発光素子が好適に利用できる。発光素子２０の形状や大きさ等は任意のものを選択できる。発光素子２０は、例えば、下面２０ｂに複数の電極を有する。発光素子２０は、基板１０上に配置されている。発光素子２０は、例えば、電極を備えた下面２０ｂを基板１０の側に向けて、基板１０にフリップチップ実装されている。発光素子２０の複数の電極は、導電部材１２と電気的に接続されている。発光素子２０と導電部材１２とは、例えば、共晶はんだ、導電ペースト、バンプ等の公知の導電性接合部材２５を用いて接続することができる。なお、発光素子２０と導電部材１２とは導電性接合部材２５を介さずに、発光素子２０の電極と導電部材１２とが直接接合されていてもよい。
　発光素子２０は、例えば、半導体構造体と、半導体構造体を支持する支持基板と、を含む。半導体構造体は、ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、ｎ側半導体層とｐ側半導体層とに挟まれた活性層とを含む。活性層は、単一量子井戸（ＳＱＷ）構造としてもよいし、複数の井戸層を含む多重量子井戸（ＭＱＷ）構造としてもよい。半導体構造体は、窒化物半導体からなる複数の半導体層を含む。窒化物半導体は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）からなる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させたすべての組成の半導体を含む。活性層の発光ピーク波長は、目的に応じて適宜選択することができる。活性層は、例えば、可視光または紫外光を発光可能に構成されている。
　半導体構造体は、ｎ側半導体層と、活性層と、ｐ側半導体層とを含む発光部を複数含んでいてもよい。半導体構造体が複数の発光部を含む場合、それぞれの発光部において、発光ピーク波長が異なる井戸層を含んでいてもよいし、発光ピーク波長が同じ井戸層を含んでいてもよい。なお、発光ピーク波長が同じとは、数ｎｍ程度のばらつきがある場合も含む。複数の発光部の発光ピーク波長の組み合わせは、適宜選択することができる。例えば、半導体構造体が２つの発光部を含む場合、それぞれの発光部が発する光の組み合わせとして、青色光と青色光、緑色光と緑色光、赤色光と赤色光、紫外光と紫外光、青色光と緑色光、青色光と赤色光、または、緑色光と赤色光などの組み合わせが挙げられる。例えば、半導体構造体が３つの発光部を含む場合、それぞれの発光部が発する光の組み合わせとして、青色光、緑色光、及び赤色光とする組み合わせが挙げられる。各発光部は、他の井戸層と発光ピーク波長が異なる井戸層を１以上含んでいてもよい。
　図４に示す発光素子２０は、１つの支持基板上に１つの半導体構造体を有している。１つの半導体構造体は１つの発光層のみを有している。なお、発光素子２０は、１つの支持基板上に複数の半導体積層体を有していてもよい。また、１つの半導体構造体が複数の発光層を有していてもよい。複数の発光層を有する半導体構造体の構造は、１つのｎ側半導体層と１つのｐ側半導体層との間に複数の活性層を含む構造であってもよいし、ｎ側半導体層と活性層とｐ側半導体層とを順に含む構造が複数回繰り返された構造であってもよい。
　発光素子２０において、複数の電極は半導体構造体上に配置される。電極は、ｎ側半導体層に接続されるｎ電極とｐ側半導体層に接続されるｐ電極とを含む。ｐ電極とｎ電極は半導体積層体の異なる面に配置されていてもよく、同一面に配置されていてもよい。ここでは、ｐ電極とｎ電極を含む複数の電極は、半導体構造体の同一面に配置されており、複数の電極が配置される側が発光素子２０の下面２０ｂを構成し、支持基板の半導体構造体が配置される面と反対側の面が発光素子２０の上面２０ａを構成している。支持基板としては、サファイアやスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のような絶縁性基板、窒化ガリウム等の窒化物系の半導体基板が挙げられる。活性層から出射される光を、支持基板を介して取り出すために、支持基板は、透光性を有する材料を用いることが好ましい。なお、発光素子２０は、支持基板を有していなくてもよい。例えば、支持基板上に半導体構造体を形成した後、支持基板を除去することができる。
　（透光性部材５０）
　透光性部材５０は、発光素子２０上に配置され、発光素子２０から出射される光を透過して外部に放出する部材である。透光性部材５０は、発光素子２０からの光及び発光素子２０からの光が後述の蛍光体により波長変換された光（例えば、３２０ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する光）の６０％以上を透過するものが挙げられ、７０％以上の光を透過するものが好ましい。透光性部材５０は、例えば、ガラス、セラミック、サファイア等の無機材料、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂のうちの一種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等の有機材料のいずれによって形成されていてもよい。
　透光性部材５０は、入射された光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含有してもよい。蛍光体を含有する透光性部材５０は、例えば、蛍光体の焼結体や、上述した材料に蛍光体粉末を含有させたものが挙げられる。また、透光性部材５０は、樹脂、ガラス、セラミック等の成形体の表面に蛍光体を含有する樹脂層や蛍光体を含有するガラス層等の透光層を形成したものでもよい。また、透光性部材５０は、目的に応じて、光拡散材等のフィラーを含有してもよい。また、光拡散材等のフィラーを含有する場合、透光性部材５０は、樹脂、ガラス、セラミック又は他の無機物等にフィラーを含有させたものでもよいし、樹脂、ガラス、セラミック等の成形体である透光板の表面にフィラーを含有する樹脂層やフィラーを含有するガラス層等の透光層を形成したものでもよい。
　蛍光体は、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ）、シリケート系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｏ，Ｎ）４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＬＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｌａ，Ｙ）３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２（Ｓｉ１－ｘＡｌｘ）Ｆ６－ｘ：Ｍｎ　ここで、ｘは、０＜ｘ＜１を満たす。）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する量子ドット（例えば、（Ｃｓ，ＦＡ，ＭＡ）（Ｐｂ，Ｓｎ）（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）３　ここで、ＦＡとＭＡは、それぞれホルムアミジニウムとメチルアンモニウムを表す。）、ＩＩ－ＶＩ族量子ドット（例えば、ＣｄＳｅ）、ＩＩＩ－Ｖ族量子ドット（例えば、ＩｎＰ）、又はカルコパイライト構造を有する量子ドット（例えば、（Ａｇ，Ｃｕ）（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２）等を用いることができる。
　光拡散材としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、二酸化チタン、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム等を用いることができる。
　また透光性部材５０が蛍光体層及び光拡散材層の少なくとも一方を含み、蛍光体層及び光拡散材層の母材として樹脂を用いる場合、樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。
　（被覆部材６０）
　被覆部材６０は導電部材１２の第１部分８１を覆うとともに、第１部分８１と第２部分８２との境界である第１境界８３が被覆部材６０に覆われている。被覆部材６０の厚さは、０μｍより大きく９９８．９μｍより小さい。発光素子２０は、導電部材１２の第１部分８１において第２導電層３３に接続され、かつ被覆部材６０に覆われている。被覆部材６０は、遮光性を有することが好ましく、具体的には、光反射性及び光吸収性の少なくとも一方を有することが好ましい。なかでも、発光素子２０から出射された光を好適に反射することができる材料を含むことが好ましい。例えば、発光素子２０から出射された光に対して６０％以上の反射率を有することが好ましく、７０％以上、８０％以上又は９０％以上の反射率を有することがより好ましい。発光素子２０から出射された光を好適に吸収することができる材料は、例えばカーボンブラックである。
　被覆部材６０が発光素子２０の側面２０ｃを被覆することにより、発光素子２０の側面２０ｃから出射された光が被覆部材６０で反射される。また、被覆部材６０が発光素子２０の下面２０ｂを被覆することにより、発光素子２０の下方に進む光が被覆部材６０で反射される。これらにより、発光装置１における光の取り出し効率を向上させることができる。なお、被覆部材６０は、単一の部材から構成されてもよいし、複数の部材から構成されてもよい。
　被覆部材６０は、絶縁性材料を用いることが好ましい。被覆部材６０は、例えば、透光性の樹脂に光反射性物質の粒子を含有させた部材である。被覆部材６０に用いる樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフタルアミド樹脂、の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂が挙げられる。これらの中でも、特に、耐光性、耐熱性、電気絶縁性に優れ、柔軟性のあるシリコーン樹脂を用いることが好ましい。光反射性物質としては、例えば、二酸化チタン、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、酸化亜鉛、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。これらの中でも、光反射の観点から、屈折率が比較的高い二酸化チタンを用いることが好ましい。
　発光装置１においては、第１部分８１において第１導電層３１、銅層３２及び第２導電層３３が下から順に積層され、第２部分８２において第１導電層３１及び第２導電層３３が下から順に積層されている。従って、銅層３２は外部の腐食性物質に晒されにくく、基板１０及び発光装置１の耐食性を向上することができる。特に、第１導電層３１及び第２導電層３３の各々のハロゲンに対する耐性は、銅層３２のハロゲンに対する耐性よりも高いことで、ハロゲンに対する耐食性を向上することができる。
　第１層４１がチタンを含む場合、第１層４１の表面に自然酸化膜が形成される。第１層４１の表面の自然酸化膜は、例えば、第１層４１が大気に晒されている時に形成される。また、第２層７１がニッケルを含む場合、第２層７１の形成時及び形成後に第２層７１の表面にも自然酸化膜が形成される。第２層７１の表面の自然酸化膜は、例えば、第２層７１のめっき時に形成されたり、被覆部材６０に含まれる酸素及び基体１１に含まれる酸素の拡散により形成されたりする。このように、第１層４１の表面及び第２層７１の表面に自然酸化膜が形成されるため、第１層４１の表面の酸化膜と第２層７１の表面の酸化膜との間に高い密着性が得られる。そして、第２部分８２において第１層４１及び第２層７１が互いに接触していることで、第１層４１と第２層７１との間を通じた腐食性物質の銅層３２への進入を生じにくくすることができる。
　第１層４１がチタンを含み、基体１１が窒化物セラミックを含み、第１層４１及び基体１１が互いに接触している場合、導電部材１２を熱処理すると、第１層４１に含まれるチタンと基体１１に含まれる窒素とにより、第１層４１と基体１１との界面に窒化チタンが生じる。このため、第１層４１と基体１１との間に高い密着性が得られる。
　銅層３２の厚さは、１μｍ以上９０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。銅層３２の厚さが１０μｍ以上であることで、発光素子２０の実装時に導電部材１２に熱応力が作用しても、銅層３２により熱応力を吸収して、導電部材１２の剥がれ等を生じにくくすることができる。また、銅層３２の厚さが９０μｍ以下であることにより、基板１０及び発光装置１が過剰に厚くなることがない。
　第１部分８１と第２部分８２との境界である第１境界８３が被覆部材６０に覆われていることで、被覆部材６０によっても、腐食性物質を銅層３２へ進入しにくくし、発光装置１の耐食性を向上することができる。
　基体１１の上面１１Ａの第１領域９１と第２領域９２との境界である第２境界９３と第１境界８３との間の距離Ｌ１は１０μｍ以上であることが好ましい。これにより、導電部材１２の第２部分８２において、被覆部材６０に覆われた部分が大きく、腐食性物質を銅層３２へ進入しにくくし、発光装置１の耐食性を向上することができる。距離Ｌ１は、より好ましくは２０μｍ以上であり、更に好ましくは３０μｍ以上である。距離Ｌ１は、例えば１０００μｍ以下である。なお、距離Ｌ１は、被覆部材６０の導電部材１２が露出する側面に垂直な縦断面視における距離である。
　また、上面視において、第２境界９３から第２部分８２の外縁までの距離Ｌ２は１００μｍ以上であることが好ましい。これにより、第２部分８２の被覆部材６０から露出した部分にワイヤボンディングを行いやすくなる。距離Ｌ２は、より好ましくは２００μｍ以上であり、更に好ましくは３００μｍ以上である。距離Ｌ２は、例えば１０００μｍ以下である。距離Ｌ１と距離Ｌ２との合計は、１００μｍ以上２０００μｍ以下である。したがって、第１部分８１及び第２部分８２を通る一断面において、第２導電層３３の厚さＡ１を減じた第２部分８２の幅Ａ２は、９９μｍ以上１９９８．９μｍ以下である。なお、距離Ｌ１及び距離Ｌ２それぞれの好ましい値から、第２導電層３３の厚さＡ１を減じた値が、第２導電層３３の厚さを減じた第２部分８２の幅Ａ２となる。本開示における「一断面」は、基体１１の上面１１Ａ及び第１境界８３に垂直な断面である。
　発光装置１は、例えば自動車のヘッドランプに用いることができる。発光装置１が自動車のヘッドランプに用いられた場合、塩分を含む雨又は霧が付着したり、硫黄分を含む雨又は霧が付着したりすることがある。このような場合でも、銅層３２がこれら腐食性物質に晒されにくいため、発光装置１は、長期にわたり安定して動作することができ、優れた信頼性を得ることができる。
　＜実施形態に係る発光装置の製造方法＞
　以下、実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。ここでは、まず、基板１０の製造方法について説明する。図６～図１２Ａ及び図１２Ｂは、本実施形態に係る発光装置に含まれる基板の製造方法を示す縦断面図である。
　まず、図６に示すように、基体１１を準備し、基体１１の上面１１Ａの全体に第１導電層３１を配置する工程を行う。第１導電層３１を配置する工程において、基体１１の上面１１Ａの全体にチタンタングステン合金を含む第１層４１を配置し、第１層４１の上面の全体に銅を含むシード層４２を配置する。第１層４１がチタンタングステン合金を含む場合、第１層４１は、好ましくはスパッタ法により配置する。シード層４２は、スパッタ法又は無電解めっき法等により配置することができる。第１層４１及びシード層４２をスパッタ法で配置する場合、スパッタ法による加熱温度が高く、強いエネルギーで成膜できるため、無電解めっき法で配置する場合よりも高いビッカース硬さが得られる。
　次に、図７に示すように、シード層４２の上にマスク１１０を配置する工程を行う。マスク１１０は、導電部材１２を形成する予定の領域に開口部１１１を有する。マスク１１０は、例えばフォトレジストである。フォトレジストが液体の場合、スピンコートで塗布する。フォトレジストがドライフィルムの場合は、熱ロールラミネータで貼合する。いずれの場合であっても、その後、露光、現像してフォトレジストのパターンを形成することにより、マスク１１０が配置される。
　次に、図８に示すように、開口部１１１の内側でシード層４２の上に銅層３２を配置する工程を行う。銅層３２は、電解めっき法等により配置することができる。銅層３２を配置した後、マスク１１０を除去する。
　次に、図９、図１０及び図１１に示すように、第１導電層３１の銅層３２から露出した部分を除去する工程を行う。第１導電層３１の銅層３２から露出した部分はウェットエッチングにより除去することができる。このウェットエッチングはフラッシュエッチングとよばれることがある。図１０に示すように、銅層３２の上にマスク１２０を配置する。マスク１２０は、導電部材１２の第２部分８２を形成する予定の領域に開口部１２１を有し、第１部分８１を形成する予定の領域を被覆する。マスク１２０は、例えば上述と同様のフォトレジストである。次に、図１１に示すように、銅層３２及びシード層４２のマスク１２０から露出した部分を除去する。この結果、導電部材１２の第２部分８２を形成する予定の領域において、第１層４１が銅層３２及びシード層４２から露出する。銅層３２及びシード層４２のマスク１２０から露出した部分はウェットエッチングにより除去することができる。そして、マスク１２０を除去する。
　次に、図１２Ａに示すように、第１導電層３１及び銅層３２の上に第２導電層３３を配置する工程を行う。第２導電層３３を配置する工程において、第１導電層３１及び銅層３２の上に第２層７１を配置し、第２層７１の上にパラジウム層７２を配置し、パラジウム層７２の上に金層７３を配置する。第２層７１、パラジウム層７２及び金層７３は、無電解めっき法等により配置することができる。第２層７１、パラジウム層７２及び金層７３はめっき法により配置することが好ましい。無電解めっき法によれば、常温で配置できるため、加熱のためのエネルギーを必要とせず、第２層７１、パラジウム層７２及び金層７３を安価で簡易に配置することができる。また無電解めっきは配線側面と上面の厚みをより均等に配置することができ、スパッタを用いる場合よりも配線側面での耐腐食性を向上できる。また、無電解めっき法及び電解めっき法は成膜レートが高いため、密度が低く破断しにくい層を形成することができる。なお、銅の表面での金の濡れ性が低いために、金層７３を銅層３２に接触するように無電解めっき法により配置することは難しい。本実施形態では、金層７３の配置の前に第２層７１及びパラジウム層７２を配置しているため、安定して金層７３を配置することができる。
　なお、第２導電層３３を無電解めっき法により配置する場合、図１２Ｂに示すように、第１層４１、第２層７１及びパラジウム層７２の端部が露出しないようにしてもよい。図１２Ｂに示す例では、第１層４１の端部が第２層７１に覆われ、第２層７１の端部がパラジウム層７２に覆われ、パラジウム層７２の端部が金層７３に覆われている。このように、第１層４１、第２層７１及びパラジウム層７２を金層７３で覆うことにより、耐腐食性をさらに向上させることができる。
　このようにして、基体１１及び導電部材１２を有する基板１０を製造することができる。
　基板１０を用いて発光装置を製造する。図１３Ａ、図１３Ｂ、図１３Ｃ及び図１３Ｄは、本実施形態に係る発光装置の製造工程を説明する部分断面図である。
　まず、図１３Ａに示すように、上面２０ａと、下面２０ｂと、上面２０ａ及び下面２０ｂに連なる複数の側面２０ｃとを備えた発光素子２０と、基板１０とを準備する。図１３Ａに示す例では、発光素子２０を複数個準備している。そして、図１３Ｂに示すように、複数の発光素子２０を基板１０上に配置する。各々の発光素子２０は、例えば、電極が配置される側の面を導電部材１２側に向けて基板１０上に導電性接合部材２５である金バンプを介してフリップチップ実装される。
　次に、発光素子２０の上に透光性部材５０を配置する。図１３Ｃに示す例では、複数の発光素子２０それぞれの上に透光性部材５０を１つずつ配置する。本実施形態では、透光性部材５０は、接着樹脂を介して、発光素子２０の上面２０ａに配置する。なお、透光性部材５０は、接着樹脂等の接合部材を介さずに、圧着、表面活性化接合、原子拡散接合、水酸基接合等による直接接合法で発光素子２０の上面に配置されてもよい。
　次に、図１３Ｄに示すように、基板１０上に、それぞれの透光性部材５０の側面５０ｃ及びそれぞれの発光素子２０の側面２０ｃを一括して被覆する被覆部材６０を配置する。具体的には、被覆部材６０となる未硬化の樹脂をディスペンスにて配置する。まず、上面視において、複数の発光素子２０を囲む略矩形状の枠を形成するように未硬化の樹脂を配置する。このとき、第１領域９１の外縁（すなわち、被覆部材６０の外縁となる予定の領域）を含むように略矩形状の枠を形成する。次に、複数の発光素子２０の外周近傍に未硬化の樹脂を配置する。このとき未硬化の樹脂は、毛細管現象によって発光素子２０の下面２０ｂ及び導電性接合部材２５を覆うように広がる。そして、それぞれの透光性部材５０の側面５０ｃ及びそれぞれの発光素子２０の側面２０ｃを覆うように未硬化の樹脂を配置する。このとき、発光素子２０の側面２０ｃを覆う未硬化の樹脂の上面と透光性部材５０の上面５０ａとが略同一面となるように、未硬化の樹脂の量を調整する。その後、未硬化の樹脂を硬化させることで、被覆部材６０が形成される。これにより、図５に示すように、被覆部材６０が配置される第１領域９１と、被覆部材６０から露出する第２領域９２と、を含む基板１０が形成される。最後に、図１及び図２に示すように、所望の数の発光素子２０を含むように基板１０と被覆部材６０とをダイサーにより切断して、個々の発光装置１を得る。
　このようにして、実施形態に係る発光装置１を製造することができる。
　以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
　以上の実施形態に加えて、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
　主面を有する基体と、
　前記主面上に配置される導電部材と、
　を備え、
　前記導電部材は、
　　下から順に積層された第１導電層、銅層及び第２導電層を有する第１部分と、
　　下から順に積層された前記第１導電層及び前記第２導電層を有する第２部分と、
　を有し、
　前記第１部分及び前記第２部分を通る一断面において、前記第２導電層の厚さを減じた前記第２部分の幅は、９９μｍ以上１９９８．９μｍ以下である、基板。
（付記２）
　前記第１導電層及び前記第２導電層の各々のハロゲンに対する耐性は、前記銅層のハロゲンに対する耐性よりも高い、付記１に記載の基板。
（付記３）
　前記第１導電層はチタンを含む第１層を有し、
　前記第２導電層はニッケルを含む第２層を有し、
　前記第１層及び前記第２層は互いに接触する、付記１又は２に記載の基板。
（付記４）
　前記第１導電層はチタンを含む第１層を有し、
　前記基体は窒化物セラミックを含み、
　前記第１層及び前記基体は互いに接触する、付記１から付記３のいずれか１つに記載の基板。
（付記５）
　前記第１層はチタンタングステン合金を含む、付記３又は４に記載の基板。
（付記６）
　前記銅層の厚さは１μｍ以上９０μｍ以下である、付記１から付記５のいずれか１つに記載の基板。
（付記７）
　発光素子と、被覆部材と、付記１から付記６のいずれか１つに記載の基板と、
　を含む、発光装置。
（付記８）
　前記第１部分と前記第２部分との境界である第１境界は、前記被覆部材に覆われている、付記７に記載の発光装置。
（付記９）
　前記基板の主面は、
　　前記被覆部材が配置される第１領域と、
　　前記被覆部材から露出する第２領域と、
　を有し、
　前記第１領域と前記第２領域との境界である第２境界と、前記第１境界と、の間の距離は１０μｍ以上である、付記８に記載の発光装置。
（付記１０）
　上面視において、前記第２境界から前記第２部分の外縁までの距離は１００μｍ以上である、付記９に記載の発光装置。
（付記１１）
　前記発光素子は、前記第１部分において前記第２導電層に接続され、かつ前記被覆部材に覆われている、付記７から付記１０のいずれか１つに記載の発光装置。
　本出願は、２０２４年４月２６日に日本国特許庁に出願された日本国特許出願第２０２４－０７２０６０号、及び２０２５年１月２３日に日本国特許庁に出願された日本国特許出願第２０２５－０１０１２０号のそれぞれに基づいて、その優先権を主張するものであり、これらの日本国特許出願の全内容を含む。
　１　発光装置
　１０　基板
　１１　基体
　１１Ａ　上面
　１２　導電部材
　２０　発光素子
　３１　第１導電層
　３２　銅層
　３３　第２導電層
　４１　第１層
　４２　シード層
　５０　透光性部材
　６０　被覆部材
　７１　第２層
　７２　パラジウム層
　７３　金層
　８１　第１部分
　８２　第２部分
　８３　第１境界
　９１　第１領域
　９２　第２領域
　９３　第２境界
　１１０　マスク
　１２０　マスク

Claims (11)

  1. 　主面を有する基体と、
    　前記主面上に配置される導電部材と、
    　を備え、
    　前記導電部材は、
    　　下から順に積層された第１導電層、銅層及び第２導電層を有する第１部分と、
    　　下から順に積層された前記第１導電層及び前記第２導電層を有する第２部分と、
    　を有し、
    　前記第１部分及び前記第２部分を通る一断面において、前記第２導電層の厚さを減じた前記第２部分の幅は、９９μｍ以上１９９８．９μｍ以下である、基板。
  2. 　前記第１導電層及び前記第２導電層の各々のハロゲンに対する耐性は、前記銅層のハロゲンに対する耐性よりも高い、請求項１に記載の基板。
  3. 　前記第１導電層はチタンを含む第１層を有し、
    　前記第２導電層はニッケルを含む第２層を有し、
    　前記第１層及び前記第２層は互いに接触する、請求項１又は２に記載の基板。
  4. 　前記第１導電層はチタンを含む第１層を有し、
    　前記基体は窒化物セラミックを含み、
    　前記第１層及び前記基体は互いに接触する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板。
  5. 　前記第１層はチタンタングステン合金を含む、請求項３又は４に記載の基板。
  6. 　前記銅層の厚さは１μｍ以上９０μｍ以下である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板。
  7. 　発光素子と、被覆部材と、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板と、
    　を含む、発光装置。
  8. 　前記第１部分と前記第２部分との境界である第１境界は、前記被覆部材に覆われている、請求項７に記載の発光装置。
  9. 　前記基板の主面は、
    　　前記被覆部材が配置される第１領域と、
    　　前記被覆部材から露出する第２領域と、
    　を有し、
    　前記第１領域と前記第２領域との境界である第２境界と、前記第１境界と、の間の距離は１０μｍ以上である、請求項８に記載の発光装置。
  10. 　上面視において、前記第２境界から前記第２部分の外縁までの距離は１００μｍ以上である、請求項９に記載の発光装置。
  11. 　前記発光素子は、前記第１部分において前記第２導電層に接続され、かつ前記被覆部材に覆われている、請求項７から請求項１０のいずれか１項に記載の発光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015050303A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 東芝ライテック株式会社 発光装置
JP2015188037A (ja) * 2014-03-27 2015-10-29 ソニー株式会社 実装用基板及びその製造方法、並びに、部品実装方法

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