WO2025204530A1

WO2025204530A1 - 電力変換器の制御装置、プログラム及び電力変換器の制御方法

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Publication number: WO2025204530A1
Application number: PCT/JP2025/007476
Authority: WO
Inventors: 瞭弥橋爪; 佳祐外山
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2024-03-27
Filing date: 2025-03-03
Publication date: 2025-10-02
Anticipated expiration: 2026-09-27
Also published as: JP2025150286A

Abstract

蓄電部（１０）と、複数相の電機子巻線（２４Ｕ～２４Ｗ）及びロータ（２１）を有する回転電機（２０）と、蓄電部及び電機子巻線を電気的に接続し、上，下アームスイッチ（ＳＵＨ～ＳＷＬ）を有する電力変換器（３０）と、を備えるシステムに適用される電力変換器の制御装置（６０）において、昇温対象部（１０）の昇温要求があるか否かを判定する判定部（１００）と、昇温要求があると判定された場合、昇温要求がないと判定される場合よりも昇温制御を行うとともに、回転電機の発生トルクを指令トルク（Ｔｒｑ＊）となるよう制御を行うスイッチ制御部（１０１）と、を備え、スイッチ制御部は、昇温制御において、回転電機のトルクリプルが閾値よりも大きいと判定した場合、ｄｑ座標系のｑ軸と電機子巻線に流す電流ベクトルとのなす角度の大きさを小さくすべくロータの磁束を小さくするリプル抑制処理を行う、電力変換器の制御装置。

Description

電力変換器の制御装置、プログラム及び電力変換器の制御方法

関連出願の相互参照

　本出願は、２０２４年３月２７日に出願された日本出願番号２０２４－０５１０９４号に基づくもので、ここにその記載内容を援用する。

　本開示は、電力変換器の制御装置、プログラム及び電力変換器の制御方法に関する。

　従来、電力変換器と、電力変換器に電気的に接続された電機子巻線を有する回転電機とを備えるシステムに適用される制御装置が知られている。制御装置としては、回転電機を駆動しつつ、昇温対象を昇温させるものがある。なお、このような制御装置の例として、特許文献１に開示された制御装置が挙げられる。

特開２０２３－０１６５５９号公報

　回転電機を駆動しつつ、昇温対象を昇温させる技術については、未だ改善の余地がある。

　本開示は、回転電機を駆動しつつ、昇温対象を昇温させることができる電力変換器の制御装置、プログラム及び電力変換器の制御方法を提供することを主たる目的とする。

　本開示は、蓄電部と、
　複数相の電機子巻線及びロータを有する回転電機と、
　前記蓄電部及び前記電機子巻線を電気的に接続し、上，下アームスイッチを有する電力変換器と、
を備えるシステムに適用される電力変換器の制御装置において、
　昇温対象部の昇温要求があるか否かを判定する判定部と、
　前記昇温要求があると判定された場合、前記昇温要求がないと判定される場合よりも前記電機子巻線に流す電流ベクトルの大きさを大きくする昇温制御を行うとともに、前記回転電機の発生トルクを指令トルクに制御すべく、前記上，下アームスイッチのスイッチング制御を行うスイッチ制御部と、
を備え、
　前記スイッチ制御部は、前記昇温制御において、前記回転電機のトルクリプルが閾値よりも大きいと判定した場合、ｄｑ座標系のｑ軸と前記電機子巻線に流す電流ベクトルとのなす角度の大きさを小さくすべく前記ロータの磁束を小さくするリプル抑制処理を行う、電力変換器の制御装置。

　制御装置は、昇温制御において、昇温対象部を昇温させるべく電機子巻線に流す電流ベクトルの大きさを大きくするとともに、回転電機の発生トルクを指令トルクに制御する。ここで、昇温制御が実行される場合、昇温制御が実行されない場合よりもｄｑ座標系のｑ軸と電機子巻線に流す電流ベクトルとのなす角度（以下、電流進角）の大きさが大きくなり得る。この場合、例えば、回転電機のステータとロータとを含むｄ軸磁路が磁気飽和し、回転電機のトルクリプルが大きくなる懸念がある。

　そこで、本開示のスイッチ制御部は、回転電機のトルクリプルが閾値よりも大きいと判定した場合、昇温制御において、電流進角の大きさを小さくすべくロータの磁束を小さくするリプル抑制処理を実行する。

　リプル抑制処理において、ロータの磁束が小さくされることによりマグネットトルクが低下する。これにより、回転電機の発生トルクを指令トルクに制御しつつ、電流進角の大きさを小さくすることができる。その結果、昇温制御が実行されることにより回転電機のトルクリプルが大きくなる事態の発生を抑制できる。

　本開示についての上記目的およびその他の目的、特徴や利点は、添付の図面を参照しながら下記の詳細な記述により、より明確になる。その図面は、
図１は、第１実施形態に係るシステムの全体構成図であり、図２は、冷却システムの概要を示す図であり、図３は、通常制御及び昇温制御における３相交流電流及びトルクの推移を示す図であり、図４は、比較例に係るｄｑ座標系における昇温制御時の電流ベクトルを示す図であり、図５は、第１実施形態に係るｄｑ座標系における昇温制御時の等トルク線を示す図であり、図６は、制御装置の処理を示す機能ブロック図であり、図７は、昇温制御の処理手順を示すフローチャートであり、図８は、トルクリプルの算出処理の手順を示すフローチャートであり、図９は、低磁束モードの処理手順を示すフローチャートであり、図１０は、通常制御及び昇温制御における３相交流電流、ｄ，ｑ軸電流、界磁電流及びトルクの推移を示す図であり、図１１は、シミュレーション結果を示す図であり、図１２は、第２実施形態に係る昇温制御の処理手順を示すフローチャートであり、図１３は、低磁束モードの処理手順を示すフローチャートであり、図１４は、第２モードの処理手順を示すフローチャートであり、図１５は、第３実施形態に係る昇温制御の処理手順を示すフローチャートであり、図１６は、比較例に係る３相交流電流、ｄ，ｑ軸電流、界磁電流及びトルクの推移を示す図であり、図１７は、比較例に係るｄｑ座標系における電流ベクトルを示す図であり、図１８は、第４実施形態に係る３相交流電流、ｄ，ｑ軸電流、界磁電流及びトルクの推移を示す図であり、図１９は、ｄｑ座標系における電流ベクトルを示す図であり、図２０は、第５実施形態に係るシステムの全体構成図である。

　＜第１実施形態＞
　以下、本開示に係る制御装置を具体化した第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の制御装置を備えるシステムは、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載されている。

　図１に示すように、システムは、蓄電池１０（「蓄電部」に相当）と、２つの電力変換器と、回転電機２０とを備えている。本実施形態において、回転電機２０は、巻線界磁型の回転電機である。また、回転電機２０は、突極機であり、ｄ軸インダクタンスＬｄがｑ軸インダクタンスＬｑよりも大きい特性である順突極性を有している。

　蓄電池１０は、単電池である電池セルの直列接続体として構成された組電池である。電池セルは、例えば、リチウムイオン電池等の２次電池である。

　回転電機２０は、ロータ２１を備えている。ロータ２１は、ロータコアと、ロータコアから径方向に延びる複数の界磁突極部とを備えている。各界磁突極部には、界磁巻線２２が巻回されている。ロータ２１の回転軸は、車両に備えられた動力伝達機構１１を介して、車両の駆動輪１２と動力伝達が可能とされている。回転電機２０が電動機として機能することにより発生するトルクが、動力伝達機構１１を介して駆動輪１２に伝達され、駆動輪１２が回転する。これにより、車両が走行する。なお、動力伝達機構１１は、例えば、変速装置及びシャフトを含む。また、回転電機２０は、例えば、車両の駆動輪１２に一体に設けられるインホイールモータであってもよいし、車両の車体に備えられるオンボードモータであってもよい。

　回転電機２０は、ステータ２３を備えている。ステータ２３は、電機子コアと、電機子巻線とを備えている。電機子コアは、円環状のバックヨーク部と、バックヨーク部から径方向においてロータ２１側に延びる複数のティース部とを備えている。電機子巻線は、電気角で互いに１２０°ずれた状態で星形結線されたＵ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗである。

　システムは、インバータ３０（「第１電力変換器」に相当）と、界磁通電回路４０（「第２電力変換器」に相当）とを備えている。インバータ３０は、蓄電池１０からの直流電流を交流電流に変換して電機子巻線に供給する。インバータ３０は、Ｕ，Ｖ，Ｗ相上アームスイッチＳＵＨ，ＳＶＨ，ＳＷＨと、Ｕ，Ｖ，Ｗ相下アームスイッチＳＵＬ，ＳＶＬ，ＳＷＬとの直列接続体を備えている。本実施形態において、各スイッチＳＵＨ，ＳＶＨ，ＳＷＨ，ＳＵＬ，ＳＶＬ，ＳＷＬは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴである。各スイッチＳＵＨ，ＳＶＨ，ＳＷＨ，ＳＵＬ，ＳＶＬ，ＳＷＬは、ボディダイオードＤＵＨ，ＤＶＨ，ＤＷＨ，ＤＵＬ，ＤＶＬ，ＤＷＬを備えている。

　Ｕ，Ｖ，Ｗ相上アームスイッチＳＵＨ，ＳＶＨ，ＳＷＨの高電位側端子であるドレインには、高電位側電気経路Ｌｐを介して蓄電池１０の正極端子が接続されている。Ｕ，Ｖ，Ｗ相下アームスイッチＳＵＬ，ＳＶＬ，ＳＷＬの低電位側端子であるソースには、低電位側電気経路Ｌｎを介して蓄電池１０の負極端子が接続されている。各電気経路Ｌｐ，Ｌｎは、バスバー等の導電部材である。インバータ３０は、平滑コンデンサである第１コンデンサ３１を備えている。なお、第１コンデンサ３１は、インバータ３０の外部に設けられていてもよい。

　界磁通電回路４０は、蓄電池１０から界磁巻線２２に電流を供給する。本実施形態の界磁通電回路４０は、フルブリッジ回路であり、第１上アームスイッチＳＨ１及び第１下アームスイッチＳＬ１の直列接続体と、第２上アームスイッチＳＨ２及び第２下アームスイッチＳＬ２の直列接続体とを備えている。本実施形態において、各スイッチＳＨ１，ＳＨ２，ＳＬ１，ＳＬ２は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴである。各スイッチＳＨ１，ＳＨ２，ＳＬ１，ＳＬ２は、ボディダイオードＤＨ１，ＤＨ２，ＤＬ１，ＤＬ２を備えている。各スイッチＳＨ１，ＳＨ２，ＳＬ１，ＳＬ２は、オンされている場合、ドレインからソースへの電流の流通、及びソースからドレインへの電流の流通が許可される双方向導通型のスイッチング素子である。

　第１，第２上アームスイッチＳＨ１，ＳＨ２の高電位側端子であるドレインには、高電位側電気経路Ｌｐを介して蓄電池１０の正極端子が接続されている。第１，第２下アームスイッチＳＬ１，ＳＬ２の低電位側端子であるソースには、低電位側電気経路Ｌｎを介して蓄電池１０の負極端子が接続されている。第１上アームスイッチＳＨ１と第１下アームスイッチＳＬ１との接続点には、図示しないブラシを介して界磁巻線２２の第１端が接続されている。第２上アームスイッチＳＨ２と第２下アームスイッチＳＬ２との接続点には、図示しないブラシを介して界磁巻線２２の第２端が接続されている。界磁通電回路４０は、平滑コンデンサである第２コンデンサ４１を備えている。なお、第２コンデンサ４１は、界磁通電回路４０の外部に設けられていてもよい。また、界磁通電回路４０に個別に第２コンデンサ４１が設けられるとともにインバータ３０に個別に第１コンデンサ３１が設けられる構成に代えて、インバータ３０及び界磁通電回路４０に共通のコンデンサが設けられる構成であってもよい。この場合、例えば、第２コンデンサ４１が設けられない構成とすればよい。

　システムは、図２に示すように、車両を走行させるためにインバータ３０のスイッチング制御が行われている場合においてインバータ３０、界磁通電回路４０、回転電機２０及び蓄電池１０を冷却する装置を備えている。詳しくは、システムは、冷却水が循環する循環経路２００と、電動式のウォータポンプ２０１と、ラジエータ２０２と、電動式のファン２０３とを備えている。ウォータポンプ２０１は、給電されて駆動されることにより冷却水を循環させる。図２に示す例では、循環経路２００において、ウォータポンプ２０１の下流側には、順に、インバータ３０、界磁通電回路４０、回転電機２０、蓄電池１０が配置されている。なお、循環経路２００における配置順は、図２に示す順序に限らない。

　循環経路２００においてウォータポンプ２０１と蓄電池１０の間には、ラジエータ２０２が設けられている。ラジエータ２０２は、循環経路２００を介して流入する冷却水を冷却してウォータポンプ２０１へと供給する。車両の走行に伴いラジエータ２０２に吹き付けられる走行風や、ファン２０３を回転駆動させることによりラジエータ２０２に吹き付けられる風により、ラジエータ２０２に流入する冷却水が冷却される。

　なお、ウォータポンプ２０１及びファン２０３は、制御装置６０とは別の制御装置により駆動され得る。ただし、本実施形態では、便宜上、ウォータポンプ２０１及びファン２０３が、システムが備える制御装置６０により駆動されるものとする。

　図１の説明に戻り、システムは、電圧センサ５０、相電流センサ５１、界磁電流センサ５２、角度センサ５３、電池温度センサ５４、ロータ温度センサ５５、ステータ温度センサ５６及び冷却水温センサ５７を備えている。電圧センサ５０は、蓄電池１０の電圧を検出する。相電流センサ５１は、Ｕ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗのうち少なくとも２相の巻線に流れる相電流を検出する。界磁電流センサ５２は、界磁巻線２２に流れる界磁電流（以下、界磁電流Ｉｆｒ）を検出する。角度センサ５３は、ロータ２１の回転角（具体的には電気角）を検出する。電池温度センサ５４は、蓄電池１０の温度を検出する。ロータ温度センサ５５は、ロータ２１の温度を検出する。ステータ温度センサ５６は、ステータ２３の温度を検出する。冷却水温センサ５７は、循環経路２００に流れる冷却水の温度を検出する。

　システムは、制御装置６０と、制御装置６０よりも上位の上位制御装置８０とを備えている。各センサ５０～５７の検出値は、制御装置６０に入力される。

　制御装置６０は、電子制御装置（Electronic Control Unit）であり、ハードウェアとしてのプロセッサ６０ａと、記憶部６０ｂとを備えている。上位制御装置８０は、電子制御装置（Electronic Control Unit）であり、ハードウェアとしての図示しないプロセッサと、図示しない記憶部とを備えている。制御装置６０と上位制御装置８０とは、情報のやり取りが可能になっている。

　記憶部６０ｂは、ハードウェアとしてのメモリ及びストレージを含む。メモリは、制御装置６０の処理に使用されるデータを記憶するための記憶装置である。メモリは、例えば、プロセッサ６０ａが処理を行う場合に一時的に使用するための作業領域をプロセッサ６０ａに提供する。メモリは、例えば、ＲＯＭ又はＲＡＭを含む。ストレージは、プロセッサ６０ａが読み込んで実行するための各種プログラム及びデータを記憶する記憶装置であり、非遷移的実体的記録媒体（non-transitory tangible storage medium）である。ストレージは、例えば、ＨＤＤ又はフラッシュメモリを含む。ストレージには、後述する図７～９，１２～１５等の処理のためのプログラム情報等が記憶されている。

　制御装置６０は、界磁巻線２２を励磁すべく、界磁通電回路４０を構成する各スイッチのスイッチング制御を行う。詳しくは、制御装置６０は、界磁電流センサ５２により検出された界磁電流Ｉｆｒを界磁目標電流Ｉｆ＊に制御すべく、第１状態と第２状態とが交互に出現するようにスイッチング制御を行う。第１状態は、第１上アームスイッチＳＨ１と第２下アームスイッチＳＬ２とがオンされて、かつ、第２上アームスイッチＳＨ２と第１下アームスイッチＳＬ１とがオフされている状態である。第２状態は、第１上アームスイッチＳＨ１と第２下アームスイッチＳＬ２とがオフされて、かつ、第２上アームスイッチＳＨ２と第１下アームスイッチＳＬ１とがオンされている状態である。

　制御装置６０は、界磁巻線２２が励磁されている状態において、各センサ５０～５７の検出値に基づいて、回転電機２０の制御量を指令値にフィードバック制御すべく、インバータ３０を構成する各スイッチのスイッチング制御を行う。本実施形態において、制御量はトルクである。各相において、上アームスイッチと下アームスイッチとは交互にオンされる。このフィードバック制御により、ロータ２１が回転する。

　続いて、制御装置６０により実行される昇温対象部の昇温制御について説明する。なお、本実施形態において、昇温対象部は蓄電池１０である。昇温制御は、通常制御が実行されている場合において、蓄電池１０の温度Ｔｒが目標温度Ｔ＊を下回るとき、インバータ３０及び界磁通電回路４０のスイッチング制御により熱を発生させる制御である。ここで、通常制御は、回転電機２０の発生トルク（以下、発生トルクＴｒｑｒ）を指令トルクＴｒｑ＊に制御すべく実行される制御である。昇温制御により発生した熱は、ウォータポンプ２０１の駆動によって循環経路２００を循環する冷却水を介して蓄電池１０に伝えられる。昇温制御は、例えば、蓄電池１０の温度Ｔｒが目標温度Ｔ＊に到達するまで継続される。また、ウォータポンプ２０１の駆動は、少なくとも昇温制御の実行中は継続される。

　制御装置６０は、昇温制御において、発生トルクＴｒｑｒを指令トルクＴｒｑ＊に制御しつつ、Ｕ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流す電流ベクトル（以下、電流ベクトル）の大きさを通常制御よりも大きくするようにインバータ３０のスイッチング制御を行う。

　ところで、図３（Ａ）に示す通常制御が実行される場合と比較して、図３（Ｂ）に示す昇温制御では、トルクリプルが大きくなり得る。図３において、上段はＵ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流される３相交流電流の推移を示し、下段は発生トルクＴｒｑｒの推移を示す。

　昇温制御において、電流ベクトルの大きさが大きくされるため、図３（Ｂ）の上段に示すように、通常制御が実行される場合と比較して、３相交流電流の振幅は大きくなる。この場合、下段に示すように、発生トルクＴｒｑｒの変動分であるトルクリプルの幅（以下、リプルＲｉｐｒ）が大きくなり、リプル許容値Ｒｉｐｔｈ（「閾値」に相当）を超える。ここで、リプル許容値Ｒｉｐｔｈは、発生トルクＴｒｑｒの平均値に対して許容されるトルクリプルの幅であり、例えば、発生トルクＴｒｑｒの平均値が大きいほど、大きくなるように設定される値である。

　リプルＲｉｐｒがリプル許容値Ｒｉｐｔｈを超えることを抑制するため、Ｕ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流されるｄ軸電流（以下、ｄ軸電流Ｉｄｒ）の目標値であるｄ軸目標電流Ｉｄ＊、又はｑ軸電流（以下、ｑ軸電流Ｉｑｒ）の目標値であるｑ軸目標電流Ｉｑ＊に交流信号Ｓａｃが重畳される。これにより、図３（Ｃ）に示すように、３相交流電流の振幅を維持しつつ、リプルＲｉｐｒをリプル許容値Ｒｉｐｔｈ以下にすることができる。

　ここで、ｄ軸目標電流Ｉｄ＊又はｑ軸目標電流Ｉｑ＊に交流信号Ｓａｃが重畳される場合であっても、リプルＲｉｐｒがリプル許容値Ｒｉｐｔｈよりも大きくなり得る。この点について図４を参照して説明する。

　図４の横軸はｄ軸電流Ｉｄｒであり、縦軸はｑ軸電流Ｉｑｒである。Ｌｔｃｒは、発生トルクＴｒｑｒを同一とする場合のｄ，ｑ軸電流Ｉｄｒ，Ｉｑｒの組み合わせからなる等トルク線を示す。Ｌｉｃは、電流ベクトルの大きさの上限値である電流制限円を示す。

　通常制御における回転電機２０の電流動作点は、例えば、等トルク線Ｌｔｃｒ上であって、最も効率が高い点に制御される。例えば、通常制御における電流動作点は、第１動作点ＯＰ１であり、電流ベクトルは第１電流ベクトルＶｔ１である。一方、昇温制御における電流動作点は、等トルク線Ｌｔｃｒ上であって、電流ベクトルの大きさが第１電流ベクトルＶｔ１の大きさよりも大きくなるように制御される。例えば、昇温制御における電流動作点は、第２動作点ＯＰ２である。この場合、電流ベクトルは第２電流ベクトルＶｔ２であり、第２電流ベクトルＶｔ２の大きさは第１電流ベクトルＶｔ１の大きさよりも大きい。これにより、制御装置６０は、発生トルクＴｒｑｒの変動を抑制しつつ、蓄電池１０を昇温することができる。

　発生トルクＴｒｑｒを維持しつつ、電流ベクトルの大きさが第２電流ベクトルＶｔ２の大きさよりも大きくされる場合、ｑ軸と電流ベクトルとのなす角度（以下、電流進角θｒ）が大きくなる。ここで、電流進角θｒが大きくなるほど、Ｕ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流されるｄ軸電流Ｉｄｒが大きくなる。この場合、例えば、ステータ２３とロータ２１とを含むｄ軸磁路が磁気飽和し、リプルＲｉｐｒが大きくなる。図４において、最大角θｍａｘは、リプル許容値Ｒｉｐｔｈと対応する値であり、電流進角θｒが最大角θｍａｘよりも大きくなる場合、リプルＲｉｐｒがリプル許容値Ｒｉｐｔｈを超える。

　このため、例えば、第３動作点ＯＰ３に電流動作点が制御される場合、リプルＲｉｐｒがリプル許容値Ｒｉｐｔｈよりも大きくなる懸念がある。この場合、リプルＲｉｐｒを抑制するために、例えば、電流動作点が第３動作点ＯＰ３から第２動作点ＯＰ２に移動される。これにより、昇温制御により発生する熱が小さくなり、蓄電池１０の温度Ｔｒを目標温度Ｔ＊まで昇温できなくなる等、昇温制御が制限される懸念がある。そこで、本実施形態では、昇温制御において、ロータ２１の磁束が小さくされることにより、昇温制御が制限される事態の発生を抑制する。

　図５には、トルクを同一トルクとする第１等トルク線Ｌｔｃ１及び第２等トルク線Ｌｔｃ２を示している。第１等トルク線Ｌｔｃ１は、界磁巻線２２に発生する磁束φｆｒが第１磁束φｆ１である場合の等トルク線であり、第２等トルク線Ｌｔｃ２は、磁束φｆｒが第２磁束φｆ２である場合の等トルク線である。ここで、第２磁束φｆ２は第１磁束φｆ１よりも小さい。

　第１等トルク線Ｌｔｃ１上に電流動作点が制御される場合、電流ベクトルの大きさが電流制限円Ｌｉｃ以下であっても、例えば、破線で示す領域において、電流進角θｒが最大角θｍａｘよりも大きくなり得る。このため、昇温制御が制限される懸念がある。そこで、制御装置６０は、磁束φｆｒを第１磁束φｆ１から第２磁束φｆ２に低下させる。これにより、制御装置６０は、第１等トルク線Ｌｔｃ１を第２等トルク線Ｌｔｃ２に移動させる。電流動作点が第２等トルク線Ｌｔｃ２上に制御され、かつ、電流ベクトルの大きさが電流制限円Ｌｉｃ以下である場合、電流進角が最大角θｍａｘよりも大きくなることを抑制できる。

　以下、発生トルクＴｒｑｒ、磁束φｆｒ及び電流ベクトルの関係について詳しく説明する。

　発生トルクＴｒｑｒは、下式（ｅｑ１）で表されるように、マグネットトルクＴＭと、リラクタンストルクＴＲとからなる。

　Ｔｒｑｒ＝ＴＭ＋ＴＲ…（ｅｑ１）
　上式（ｅｑ１）より、発生トルクＴｒｑｒが一定である場合、マグネットトルクＴＭが小さくされることにより、リラクタンストルクＴＲを大きくすることができる。ここで、マグネットトルクＴＭは、下式（ｅｑ２）で表される。

　ＴＭ＝Ｐ・φｆｒ・Ｉｑｒ…（ｅｑ２）
　上式（ｅｑ２）において、Ｐは回転電機２０の極対数を示す。ここで、磁束φｆｒは界磁巻線２２に界磁電流Ｉｆｒが流れることにより発生する磁束である。磁束φｆｒは、結合インダクタンスＬｍｆを用いると、「φｆｒ＝Ｌｍｆ×Ｉｆｒ」のように表される。結合インダクタンスＬｍｆ（＞０）は、ステータ２３のバックヨーク部及びティース部と、ロータ２１のロータコア及び界磁突極部とを含むｄ軸磁路のインダクタンスである。

　上式（ｅｑ１），（ｅｑ２）から、磁束φｆｒが小さくされることにより、リラクタンストルクＴＲを大きくすることができる。ここで、リラクタンストルクＴＲは、下式（ｅｑ３）で表される。

　ＴＲ＝Ｐ・（Ｌｄ－Ｌｑ）・Ｉｄｒ・Ｉｑｒ　…（ｅｑ３）
　上式（ｅｑ３）において、Ｌｄはｄ軸インダクタンスを示し、Ｌｑはｑ軸インダクタンスを示す。

　上式（ｅｑ３）から、リラクタンストルクＴＲが大きくなると、電流ベクトルの大きさを大きくし、かつ、ｄ軸電流Ｉｄｒに対するｑ軸電流Ｉｑｒの比率（＝Ｉｑｒ／Ｉｄｒ）を大きくすることができる。このように、磁束φｆｒが小さくされることにより、発生トルクＴｒｑｒを維持しつつ、電流ベクトルの大きさを大きくし、かつ、電流進角θｒを小さくすることができる。

　図６に、制御装置６０により実行される昇温制御のブロック図を示す。

　制御装置６０は、判定部１００及びスイッチ制御部１０１を備えている。判定部１００は、通常制御の実行中に蓄電池１０の昇温要求があるか否かを判定する。判定部１００は、例えば、上位制御装置８０から昇温指令が入力されたと判定したことを条件として、昇温要求があると判定する。上位制御装置８０は、例えば、蓄電池１０の温度Ｔｒを取得し、蓄電池１０の温度Ｔｒが目標温度Ｔ＊よりも低いと判定した場合に、制御装置６０に昇温指令を入力する。上位制御装置８０において用いられる蓄電池１０の温度Ｔｒは、例えば、電池温度センサ５４の検出値である。

　判定部１００は、昇温指令が入力されており、かつ、通常制御により発生する熱が蓄電池１０の温度Ｔｒを目標温度Ｔ＊まで昇温させるのに不足していると判定した場合、昇温要求があると判定する。

　スイッチ制御部１０１には、判定部１００の判定結果が入力される。また、上位制御装置８０から指令トルクＴｒｑ＊及び蓄電池１０の温度Ｔｒが入力される。スイッチ制御部１０１は、昇温制御を実行する場合、昇温制御として高磁束モード又は低磁束モード（「リプル抑制処理」に相当）のいずれを実行するかを判定する。この場合、スイッチ制御部１０１は、リプル許容値Ｒｉｐｔｈ及び推定リプルＲｉｐｃを算出する。

　スイッチ制御部１０１は、例えば、ロータ２１の回転速度Ｎｒに基づいて、発生トルクＴｒｑｒの許容値を算出し、発生トルクＴｒｑｒが許容値を超えないようなリプル許容値Ｒｉｐｔｈを算出する。

　推定リプルＲｉｐｃの算出方法としては、例えば以下の方法がある。スイッチ制御部１０１は、磁束φｆｒ、指令トルクＴｒｑ＊、及び目標温度Ｔ＊と蓄電池１０の温度Ｔｒとの温度差ΔＴｒ（＝Ｔ＊－Ｔｒ）に基づいて、ｄ軸目標電流Ｉｄ＊及びｑ軸目標電流Ｉｑ＊を算出する。スイッチ制御部１０１は、磁束φｆｒを界磁電流Ｉｆｒに基づいて算出すればよい。界磁電流Ｉｆｒは、例えば、界磁電流センサ５２の検出値である。スイッチ制御部１０１は、温度差ΔＴｒが大きいほど、電流ベクトルが大きくなるようにｄ軸目標電流Ｉｄ＊及びｑ軸目標電流Ｉｑ＊を算出する。スイッチ制御部１０１は、例えば、指令トルクＴｒｑ＊、磁束φｆｒ、温度差ΔＴｒ及びｄ，ｑ軸目標電流Ｉｄ＊，Ｉｑ＊が関係付けられたマップ情報に基づいて、ｄ，ｑ軸目標電流Ｉｄ＊，Ｉｑ＊を算出すればよい。

　スイッチ制御部１０１は、回転電機２０のトルクリプルを抑制するために、算出したｄ軸目標電流Ｉｄ＊又はｑ軸目標電流Ｉｑ＊に交流信号Ｓａｃを加算する。交流信号Ｓａｃは、例えば、トルクリプルの６次高調波成分を抑制するために加算される信号である。具体的には、交流信号Ｓａｃは、予測されるトルクリプルの波形の位相に対して逆位相の交流信号である。以下では、便宜上、交流信号Ｓａｃは、ｄ軸目標電流Ｉｄ＊に加算されるものとする。スイッチ制御部１０１は、上式（ｅｑ１）～（ｅｑ３）と、磁束φｆｒと、交流信号Ｓａｃを加算したｄ軸目標電流Ｉｄ＊と、ｑ軸目標電流Ｉｑ＊とに基づいて、発生トルクＴｒｑｒを算出する。スイッチ制御部１０１は、算出した発生トルクＴｒｑｒに基づいて推定リプルＲｉｐｃを算出する。スイッチ制御部１０１は、例えば、発生トルクＴｒｑｒ及びリプルＲｉｐｒが関係付けられたマップ情報に基づいて、推定リプルＲｉｐｃを算出すればよい。

　スイッチ制御部１０１は、算出した推定リプルＲｉｐｃがリプル許容値Ｒｉｐｔｈ以下であるか否かを判定する。スイッチ制御部１０１は、推定リプルＲｉｐｃがリプル許容値Ｒｉｐｔｈ以下であると判定した場合、高磁束モードを選択する。一方、スイッチ制御部１０１は、推定リプルＲｉｐｃがリプル許容値Ｒｉｐｔｈよりも大きいと判定した場合、低磁束モードを選択する。

　スイッチ制御部１０１は、高磁束モードを選択した場合、交流信号Ｓａｃを加算したｄ軸目標電流Ｉｄ＊と、ｑ軸目標電流Ｉｑ＊とをＵ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流すためのスイッチング信号を、インバータ３０の各スイッチＳＵＨ，ＳＵＬ，ＳＶＨ，ＳＶＬ，ＳＷＨ，ＳＷＬに入力する。

　スイッチ制御部１０１は、低磁束モードを選択した場合、発生トルクＴｒｑｒを指令トルクＴｒｑ＊に制御しつつ、磁束φｆｒを小さくするために界磁目標電流Ｉｆ＊を低下させる。具体的には、スイッチ制御部１０１は、電流ベクトルの大きさを高磁束モードと同等にし、かつ、電流進角θｒを高磁束モードよりも小さくするとの条件を課して、界磁目標電流Ｉｆ＊を低下させる。

　スイッチ制御部１０１は、上式（ｅｑ１）～（ｅｑ３）及び低下された界磁目標電流Ｉｆ＊に基づいて、低磁束モードにおけるｄ，ｑ軸目標電流Ｉｄ＊，Ｉｑ＊を算出する。スイッチ制御部１０１は、例えば、指令トルクＴｒｑ＊、界磁目標電流Ｉｆ＊、温度差ΔＴｒ及びｄ，ｑ軸目標電流Ｉｄ＊，Ｉｑ＊が関係付けられたマップ情報に基づいて、ｄ，ｑ軸目標電流Ｉｄ＊，Ｉｑ＊を算出すればよい。

　スイッチ制御部１０１は、低下された界磁目標電流Ｉｆ＊を界磁巻線２２に流すべく、スイッチング信号を界磁通電回路４０の各スイッチＳＨ１，ＳＬ１，ＳＨ２，ＳＬ２に入力する。また、算出されたｄ，ｑ軸目標電流Ｉｄ＊，Ｉｑ＊をＵ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流すべく、スイッチング信号をインバータ３０の各スイッチＳＵＨ，ＳＵＬ，ＳＶＨ，ＳＶＬ，ＳＷＨ，ＳＷＬに入力する。

　図７は、制御装置６０により実行される昇温制御の処理手順を示すフローチャートである。この処理は、通常制御の実行中に所定の制御周期で繰り返し実行される。以下の各ステップにおける算出方法は、図６等に基づいて説明した内容と同様の方法である。

　ステップＳ１０，Ｓ１１では、判定部１００において、蓄電池１０の昇温要求があるか否かを判定する。ステップＳ１０では、上位制御装置８０から昇温指令が入力されているか否かを判定する。ステップＳ１１では、判定部１００において、通常制御により発生する熱により蓄電池１０の温度Ｔｒを目標温度Ｔ＊まで昇温することができるか否かを判定する。ステップＳ１０，Ｓ１１において肯定判定した場合、蓄電池１０の昇温要求があると判定し、ステップＳ１２に進む。なお、以下の処理はスイッチ制御部１０１において実行される。

　ステップＳ１２では、リプル許容値Ｒｉｐｔｈを算出する。ステップＳ１３では、推定リプルＲｉｐｃの算出処理を実行する。以下、図８を用いて、この処理について説明する。

　ステップＳ３０では、上位制御装置８０から指令トルクＴｒｑ＊を取得する。ステップＳ３１では、上位制御装置８０から蓄電池１０の温度Ｔｒを取得する。ステップＳ３２では、磁束φｆｒを算出する。

　ステップＳ３３では、ステップＳ３０で取得した指令トルクＴｒｑ＊、ステップＳ３１で取得した蓄電池１０の温度Ｔｒ、及びステップＳ３２で算出した磁束φｆｒに基づいて、ｄ軸目標電流Ｉｄ＊及びｑ軸目標電流Ｉｑ＊を算出する。

　ステップＳ３４では、交流信号Ｓａｃを算出し、算出した交流信号ＳａｃをステップＳ３３において算出したｄ軸目標電流Ｉｄ＊又はｑ軸目標電流Ｉｑ＊に加算する。ここで、ｄ軸目標電流Ｉｄ＊よりもｑ軸目標電流Ｉｑ＊が大きい場合、負のｄ軸電流Ｉｄｒが流れることを抑制するため、ｑ軸目標電流Ｉｑ＊に交流信号Ｓａｃを加算するとよい。一方、ｑ軸目標電流Ｉｑ＊よりもｄ軸目標電流Ｉｄ＊が大きい場合、ｄ軸目標電流Ｉｄ＊に交流信号Ｓａｃを加算するとよい。以下、便宜上、交流信号Ｓａｃがｄ軸目標電流Ｉｄ＊に加算されるものとする。

　ステップＳ３５では、推定リプルＲｉｐｃを算出する。

　図７の説明に戻り、ステップＳ１４では、推定リプルＲｉｐｃがリプル許容値Ｒｉｐｔｈ以下であるか否かを判定する。ステップＳ１４において、推定リプルＲｉｐｃがリプル許容値Ｒｉｐｔｈ以下であると判定した場合、ステップＳ１５に進む。ステップＳ１５において、高磁束モードを選択し、ステップＳ１６に進む。

　ステップＳ１６では、図８のステップＳ３４において交流信号Ｓａｃを加算したｄ軸目標電流Ｉｄ＊、及びステップＳ３３において算出したｑ軸目標電流Ｉｑ＊をＵ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流すべく、インバータ３０の各スイッチＳＵＨ，ＳＵＬ，ＳＶＨ，ＳＶＬ，ＳＷＨ，ＳＷＬをスイッチング制御する。

　ステップＳ１７では、モータ温度Ｔｍｏｔｒがモータ温度閾値Ｔｍｏｔｔｈ以下であるか否かを判定する。ここで、モータ温度Ｔｍｏｔｒは、例えば、ロータ２１の温度及びステータ２３の温度のうち高い方の温度である。ロータ２１の温度は、例えば、ロータ温度センサ５５の検出値である。ステータ２３の温度は、例えば、ステータ温度センサ５６の検出値である。ステップＳ１７において、モータ温度Ｔｍｏｔｒがモータ温度閾値Ｔｍｏｔｔｈ以下であると判定した場合、ステップＳ１８に進む。

　ステップＳ１８では、冷却水温度Ｔｃｏｌｒが水温閾値Ｔｃｏｌｔｈよりも大きいか否かを判定する。ここで、冷却水温度Ｔｃｏｌｒは、例えば、冷却水温センサ５７の検出値である。なお、冷却水温度Ｔｃｏｌｒは、システムを冷却する水以外の冷媒、オイルの温度でもよい。ステップＳ１８において、冷却水温度Ｔｃｏｌｒが水温閾値Ｔｃｏｌｔｈ以下であると判定した場合、ステップＳ１６に進み、スイッチング制御を継続する。

　ステップＳ１７において、モータ温度Ｔｍｏｔｒがモータ温度閾値Ｔｍｏｔｔｈよりも大きいと判定した場合、又はステップＳ１８において、冷却水温度Ｔｃｏｌｒが水温閾値Ｔｃｏｌｔｈよりも大きいと判定した場合、ステップＳ１９に進み、通常制御を実行する。

　ステップＳ１４において、推定リプルＲｉｐｃがリプル許容値Ｒｉｐｔｈよりも大きいと判定した場合、ステップＳ２０に進み、低磁束モードを選択する。以下、図９を用いて、低磁束モードが選択された場合の処理について説明する。

　ステップＳ４０において、発生トルクＴｒｑｒを指令トルクＴｒｑ＊に制御しつつ、電流ベクトルの大きさを高磁束モードと同等にし、かつ、電流進角θｒを高磁束モードよりも小さくするとの条件を課して、界磁目標電流Ｉｆ＊を低下させる。

　ステップＳ４１において、指令トルクＴｒｑ＊、低下された界磁目標電流Ｉｆ＊、及び温度差ΔＴｒに基づいて、低磁束モードにおけるｄ，ｑ軸目標電流Ｉｄ＊，Ｉｑ＊を算出する。

　図７の説明に戻り、ステップＳ１６では、ステップＳ４０において低下された界磁目標電流Ｉｆ＊を界磁巻線２２に流すべく、界磁通電回路４０の各スイッチＳＨ１，ＳＬ１，ＳＨ２，ＳＬ２をスイッチング制御する。また、ステップＳ４１において算出したｄ，ｑ軸目標電流Ｉｄ＊，Ｉｑ＊をＵ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流すべく、インバータ３０の各スイッチＳＵＨ，ＳＵＬ，ＳＶＨ，ＳＶＬ，ＳＷＨ，ＳＷＬをスイッチング制御する。

　図１０（Ａ）に示す通常制御に対して、図１０（Ｂ）に示す高磁束モードの昇温制御では、通常制御における三相電流の振幅である初期振幅Ｉｉｎｉが昇温振幅Ｉｈにされることにより、Ｕ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗから発生する熱が大きくなる。また、Ｕ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗから発生した熱が蓄電池１０に伝達されることにより昇温対象が昇温される。ここで、通常制御と比較して、高磁束モードの昇温制御では、トルクリプルが大きい。これに対して、図１０（Ｃ）に示す低磁束モードの昇温制御では、界磁電流Ｉｆｒが初期界磁電流Ｉｆｉｎｉから、低界磁電流Ｉｆｌｏｗに低下される。ここで、高磁束モードと低磁束モードでは、三相電流の昇温振幅Ｉｈ及び平均トルクＴｉｎｉが等しい。このため、低磁束モードでは、平均トルクＴｉｎｉを維持しつつ、昇温対象を昇温し、かつ、トルクリプルを小さくすることができる。

　図１１に、各モードにおける発生トルクＴｒｑｒのシミュレーション結果を示す。図１１（Ａ）は、高磁束モードの昇温制御を実行した場合における発生トルクＴｒｑｒの時間推移を示す。図１１（Ｂ）は、低磁束モードの昇温制御を実行した場合における発生トルクＴｒｑｒの時間推移を示す。高磁束モードと比較して、低磁束モードにおける回転電機２０のトルクリプルは小さい。

　以上説明したように、本実施形態では、低磁束モードにおいて、ロータ２１の磁束φｆｒが小さくされることによりマグネットトルクＴＭが小さくされる。このため、制御装置６０は、発生トルクＴｒｑｒを指令トルクＴｒｑ＊に制御しつつ、リラクタンストルクＴＲを大きくすることができる。この場合、制御装置６０は、Ｕ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流す電流ベクトルの大きさを維持しつつ、電流進角θｒの大きさを小さくすることができる。これにより、昇温制御により発生する熱を維持しつつ、トルクリプルが大きくなる事態の発生を抑制できる。

　＜第２実施形態＞
　以下、第２実施形態について、第１実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、昇温制御において、回転電機２０の温度としてステータ２３の温度とロータ２１の温度とが用いられる。また、低磁束モードにおいて、第１モードと第２モードとが切り替えられる。第１モードにおけるロータ２１の磁束は、第２モードにおけるロータ２１の磁束よりも小さくされる。

　詳しくは、図１２に示すように、ステップＳ１０～Ｓ１６を実行した後、ステップＳ５０では、ステータ２３の温度であるステータ温度Ｔｓｔａｒがステータ温度閾値Ｔｓｔａｔｈ以下であるか否かを判定する。ステータ温度閾値Ｔｓｔａｔｈは、例えば、ステータ２３の許容上限温度である。ステータ温度Ｔｓｔａｒは、例えば、ステータ温度センサ５６の検出値であってもよいし、界磁電流Ｉｆｒに基づいて算出された値であってもよい。ステータ温度Ｔｓｔａｒがステータ温度閾値Ｔｓｔａｔｈ以下であると判定した場合、ステップＳ５１に進む。

　ステップＳ５１では、ロータ２１の温度であるロータ温度Ｔｒｏｔｒがロータ温度閾値Ｔｒｏｔｔｈ以下であるか否かを判定する。ロータ温度閾値Ｔｒｏｔｔｈは、例えば、ロータ２１の許容上限温度である。ロータ温度Ｔｒｏｔｒは、例えば、ロータ温度センサ５５の検出値であってもよいし、ｄ，ｑ軸電流Ｉｄｒ，Ｉｑｒに基づいて算出された値であってもよい。ロータ温度Ｔｒｏｔｒがロータ温度閾値Ｔｒｏｔｔｈ以下であると判定した場合、ステップＳ１８に進む。

　ステップＳ５０において、ステータ温度Ｔｓｔａｒがステータ温度閾値Ｔｓｔａｔｈよりも大きいと判定した場合、又はステップＳ５１において、ロータ温度Ｔｒｏｔｒがロータ温度閾値Ｔｒｏｔｔｈよりも大きいと判定した場合、ステップＳ１９に進む。

　続いて、ステップＳ１４において、推定リプルＲｉｐｃがリプル許容値Ｒｉｐｔｈよりも大きいと判定され、低磁束モードが選択された場合の処理について、図１３を用いて説明する。

　ステップＳ４０，４１を実行した後、ステップＳ６０において、第１モードを実行する。本実施形態では、ステップＳ４０において低下された界磁目標電流Ｉｆ＊を第１界磁目標電流Ｉｆ１＊と称する。第１モードでは、第１界磁目標電流Ｉｆ１＊を界磁巻線２２に流すべく、界磁通電回路４０の各スイッチＳＨ１，ＳＬ１，ＳＨ２，ＳＬ２をスイッチング制御する。また、ステップＳ４１において算出したｄ，ｑ軸目標電流Ｉｄ＊，Ｉｑ＊をＵ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流すべく、インバータ３０の各スイッチＳＵＨ，ＳＵＬ，ＳＶＨ，ＳＶＬ，ＳＷＨ，ＳＷＬをスイッチング制御する。

　ステップＳ６１において、昇温制御における要求態様を判定する。詳しくは、昇温制御の効率と、昇温制御により発生する熱量（具体的には、単位時間あたりの発生熱量）とのうち、昇温の効率が優先されるかを判定する。昇温効率が優先される場合とは、例えば、短時間で昇温対象を昇温させる必要がある場合である。昇温制御により発生する熱量が優先される場合とは、例えば、蓄電池１０の温度Ｔｒが目標温度Ｔ＊に対して低い場合である。制御装置６０は、例えば、上位制御装置８０から昇温効率を優先するとの指令が入力されていた場合に、昇温効率が優先されると判定する。

　昇温効率が優先されると判定した場合、ステップＳ５０に進む。ステップＳ５０又はステップＳ５１において否定判定した場合、図１２のステップＳ１９の通常制御を実行する。一方、ステップＳ５０，Ｓ５１において肯定判定し、ステップＳ１８において否定判定した場合、ステップＳ６０に進み、第１モードを継続する。

　低磁束モードにおいて、ロータ２１の磁束φｆｒが小さくされる。この場合、発生トルクＴｒｑｒを維持するためにｄ軸電流Ｉｄｒ及びｑ軸電流Ｉｑｒの少なくとも一方が大きくされる。これにより、Ｕ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗが組み付けられたステータ２３の温度が上昇する。このため、ステータ温度Ｔｓｔａｒがステータ温度閾値Ｔｓｔａｔｈ以下である場合に第１モードを継続することにより、ステータ２３の過熱を防止することができる。

　一方、ステップＳ６１において、昇温制御の効率よりも昇温制御により発生する熱量が優先されると判定した場合、ステップＳ６２に進み、第２モードを実行する。以下、図１４を用いて、この処理について説明する。

　ステップＳ７０では、第１界磁目標電流Ｉｆ１＊よりも大きい第２界磁目標電流Ｉｆ２＊を算出する。第２界磁目標電流Ｉｆ２＊は、通常制御における界磁電流Ｉｆｒよりも小さい値である。

　ステップＳ７１では、図８のステップＳ３０において取得した指令トルクＴｒｑ＊、及び第２界磁目標電流Ｉｆ２＊に基づいて、ｄ，ｑ軸目標電流Ｉｄ＊，Ｉｑ＊を算出する。

　ステップＳ７２では、ステップＳ７０において算出した第２界磁目標電流Ｉｆ２＊を界磁巻線２２に流すべく、界磁通電回路４０の各スイッチＳＨ１，ＳＬ１，ＳＨ２，ＳＬ２をスイッチング制御する。また、ステップＳ７１において算出したｄ，ｑ軸目標電流Ｉｄ＊，Ｉｑ＊をＵ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流すべく、インバータ３０の各スイッチＳＵＨ，ＳＵＬ，ＳＶＨ，ＳＶＬ，ＳＷＨ，ＳＷＬをスイッチング制御する。

　ステップＳ７３では、ステータ温度Ｔｓｔａｒがステータ温度閾値Ｔｓｔａｔｈ以下であるか否かを判定する。ステータ温度Ｔｓｔａｒがステータ温度閾値Ｔｓｔａｔｈ以下であると判定した場合、ステップＳ５１に進む。一方、ステータ温度Ｔｓｔａｒがステータ温度閾値Ｔｓｔａｔｈよりも大きいと判定した場合、ステップＳ７０に進み、第２界磁目標電流Ｉｆ２＊を増加させる。この場合、第２界磁目標電流Ｉｆ２＊が、通常制御における界磁電流Ｉｆｒよりも小さくなるように第２界磁目標電流Ｉｆ２＊を増加させる。

　以上説明したように、界磁巻線２２に流される電流の大きさ、及びＵ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流される電流の大きさのそれぞれは、第１モードと第２モードとで異なる。具体的には、第１モードにおいて、界磁巻線２２に流される電流は、第２モードよりも小さい。また、第１モードにおいて、Ｕ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流される電流は、第２モードよりも大きい。このため、第１モードが実行されることにより、ステータ２３とロータ２１とのうち、ステータ２３が優先的に昇温し、第２モードが実行されることにより、ステータ２３とロータ２１とのうち、ロータ２１が優先的に昇温する。

　このように、界磁巻線２２に流される電流の異なる第１モードと第２モードとを切り替えることにより、昇温制御により発生する熱のうちステータ２３により発生させる熱とロータ２１により発生させる熱との割合を変化させることができる。ここで、ステータ２３からの熱回収効率とロータ２１からの熱回収効率とは異なる。具体的には、例えば、Ｕ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗから発生した熱は、Ｕ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗが組み付けられたステータ２３のハウジングに設けられた冷却通路により回収される。一方、ロータ２１から発生した熱は、例えば、界磁巻線２２を冷却するオイルを介して回収される。このため、ステータ２３からの熱回収効率がロータ２１からの熱回収効率よりも高い。また、界磁巻線２２の抵抗は、Ｕ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗの抵抗よりも大きいため、ロータ２１の発熱量はステータ２３の発熱量よりも大きい。

　このため、制御装置６０は、昇温制御の効率が優先される場合、熱回収効率の高いステータ２３が優先的に昇温される第１モードを実行する。また、制御装置６０は、昇温制御により発生する熱量が優先される場合、発熱量が大きいロータ２１が優先的に昇温される第２モードを実行する。これにより、昇温制御の効率を向上させることができる。

　＜第３実施形態＞
　以下、第３実施形態について、第２実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、図１５に示すように、第１モードと第２モードとをステータ２３の温度に基づいて切り替える。

　詳しくは、ステップＳ４０，Ｓ４１，Ｓ６０を実行した後、ステップＳ５０において、ステータ温度Ｔｓｔａｒがステータ温度閾値Ｔｓｔａｔｈ以下であるか否かを判定する。ステータ温度Ｔｓｔａｒがステータ温度閾値Ｔｓｔａｔｈ以下であると判定した場合、ステップＳ５１に進む。一方、ステータ温度Ｔｓｔａｒがステータ温度閾値Ｔｓｔａｔｈよりも大きいと判定した場合、ステップＳ６２に進み、第２モードを実行する。

　以上説明したように、ステータ温度Ｔｓｔａｒに基づいて、ステータ２３が優先的に昇温される第１モードと、ロータ２１が優先的に昇温される第２モードとを切り替えることにより、ステータ２３の過熱を防止することができる。

　＜第４実施形態＞
　以下、第４実施形態について、第１実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、低磁束モードの昇温制御の実行中において、指令トルクＴｒｑ＊が所定量変化した場合に、昇温制御が休止される。以下では、便宜上、指令トルクＴｒｑ＊が所定量増加する場合を例に説明する。

　図１６は、本実施形態とは異なる比較例における各パラメータの推移を示す図である。詳しくは、図１６には、低磁束モードの昇温制御の実行中において、指令トルクＴｒｑ＊が大きくされる場合の三相電流、ｄ，ｑ軸電流Ｉｄｒ，Ｉｑｒ、界磁電流Ｉｆｒ、発生トルクＴｒｑｒの推移を示す。発生トルクＴｒｑｒを変更前トルクＴｆｏｒから変更後トルクＴｌａｔにするために、界磁電流Ｉｆｒが変更前界磁電流Ｉｆｆｏｒから変更後界磁電流Ｉｆｌａｔに大きくされる。ここで、発生トルクＴｒｑｒの変更前後で電流ベクトルの大きさを維持するために、変更前ｄ軸電流Ｉｄｆｏｒは小さくされ、変更後ｄ軸電流Ｉｄｌａｔとされる。また、変更前ｑ軸電流Ｉｑｆｏｒは大きくされ、変更後ｑ軸電流Ｉｑｌａｔとされる。この点について、図１７を用いて詳しく説明する。

　図１７において、ＬＩｆｆｏｒは、界磁電流Ｉｆｒが変更前界磁電流Ｉｆｆｏｒである場合の等トルク線である変更前トルク線を示す。ＬＩｆｌａｔは、界磁電流Ｉｆｒが変更後界磁電流Ｉｆｌａｔである場合の等トルク線である変更後トルク線を示す。

　ここで、指令トルクＴｒｑ＊の変更前において、電流動作点が変更前動作点ＯＰｆｏｒであるとする。この場合、指令トルクＴｒｑ＊が変更され、発生トルクＴｒｑｒが変更前トルクＴｆｏｒから変更後トルクＴｌａｔに変更されると、電流動作点は、変更後動作点ＯＰｌａｔに制御される。これにより、変更前電流ベクトルＶｔｆｏｒと変更後電流ベクトルＶｔｌａｔとの大きさが等しくされつつ、電流動作点が変更後トルク線ＬＩｆｌａｔ上に制御される。この場合、例えば、ｄ軸電流Ｉｄｒの変化量が大きいことにより、トルクショックが発生する懸念がある。

　そこで、本実施形態において、低磁束モードの昇温制御の実行中に指令トルクＴｒｑ＊が大きくされた場合、まず、昇温制御が停止され、通常制御が実行される。次に、通常制御において、発生トルクＴｒｑｒが大きくされる。そして、低磁束モードの昇温制御が再開される。この処理について、図１８及び図１９を参照しながら説明する。

　図１８のタイミングθ０からタイミングθ１の範囲において、低磁束モードの昇温制御が実行されている。ここで、制御装置６０は、指令トルクＴｒｑ＊が大きくされたと判定した場合、タイミングθ１において、昇温制御を停止し、通常制御を実行する。この場合、制御装置６０は、界磁電流Ｉｆｒを変更前界磁電流Ｉｆｆｏｒから第１界磁電流Ｉｆｍ１に増加させる。

　図１９において、Ｌｍｔｐａは、最小電流最大トルク制御（ＭＴＰＡ）に対応するｄ，ｑ軸電流Ｉｄｒ，Ｉｑｒの組み合わせからなる最大効率線を示す。また、ＬＩｆｍ１は、界磁電流Ｉｆｒが第１界磁電流Ｉｆｍ１である場合の等トルク線である第１中間トルク線を示す。ＬＩｆｍ２は、界磁電流Ｉｆｒが第２界磁電流Ｉｆｍ２である場合の等トルク線である第２中間トルク線を示す。

　図１９の（Ａ）に示すように、制御装置６０は、タイミングθ１において、回転電機２０の電流動作点を第１中間トルク線ＬＩｆｍ１と最大効率線Ｌｍｔｐａとの交点である第１中間動作点ＯＰｍ１に制御する。この場合、制御装置６０は、ｄ軸電流Ｉｄｒを変更前ｄ軸電流Ｉｄｆｏｒから第１ｄ軸電流Ｉｄｍ１に低下させる。また、制御装置６０は、ｑ軸電流Ｉｑｒを変更前ｑ軸電流Ｉｑｆｏｒから第１ｑ軸電流Ｉｑｍ１に低下させる。

　制御装置６０は、図１８のタイミングθ２において、発生トルクＴｒｑｒを変更前トルクＴｆｏｒから変更後トルクＴｌａｔに変更する。この場合、制御装置６０は、界磁電流Ｉｆｒを第１界磁電流Ｉｆｍ１から第２界磁電流Ｉｆｍ２に増加させる。

　図１９の（Ｂ）に示すように、制御装置６０は、タイミングθ２において、電流動作点を第２中間トルク線ＬＩｆｍ２と最大効率線Ｌｍｔｐａとの交点である第２中間動作点ＯＰｍ２に制御する。この場合、制御装置６０は、ｄ軸電流Ｉｄｒを第１ｄ軸電流Ｉｄｍ１から第２ｄ軸電流Ｉｄｍ２に低下させる。また、制御装置６０は、ｑ軸電流Ｉｑｒを第１ｑ軸電流Ｉｑｍ１から第２ｑ軸電流Ｉｑｍ２に低下させる。

　制御装置６０は、図１８のタイミングθ３において、低磁束モードの昇温制御を再開する。この場合、制御装置６０は、界磁電流Ｉｆｒを第２界磁電流Ｉｆｍ２から変更後界磁電流Ｉｆｌａｔに低下させる。

　図１９の（Ｃ）に示すように、制御装置６０は、タイミングθ３において、電流動作点を変更後動作点ＯＰｌａｔに制御する。この場合、制御装置６０は、ｄ軸電流Ｉｄｒを第２ｄ軸電流Ｉｄｍ２から変更後ｄ軸電流Ｉｄｌａｔに低下させる。また、制御装置６０は、ｑ軸電流Ｉｑｒを第２ｑ軸電流Ｉｑｍ２から変更後ｑ軸電流Ｉｑｌａｔに増加させる。

　ここで、
　・変更前ｄ軸電流Ｉｄｆｏｒから第１ｄ軸電流Ｉｄｍ１への低下分（＝Ｉｄｆｏｒ－Ｉｄｍ１）
　・第１ｄ軸電流Ｉｄｍ１から第２ｄ軸電流Ｉｄｍ２への低下分（＝Ｉｄｍ１－Ｉｄｍ２）
　・第２ｄ軸電流Ｉｄｍ２から変更後ｄ軸電流Ｉｄｌａｔへの低下分（＝Ｉｄｍ２－Ｉｄｌａｔ）
は、いずれも変更前ｄ軸電流Ｉｄｆｏｒから変更後ｄ軸電流Ｉｄｌａｔへの低下分（＝Ｉｄｆｏｒ－Ｉｄｌａｔ）よりも小さい。このため、低磁束モードを実行しつつ、発生トルクＴｒｑｒを大きくした場合と比較して、トルクショックの発生を抑制することができる。

　以上説明したように、発生トルクＴｒｑｒが変動する場合に、低磁束モードの昇温制御が休止されることにより、トルクショックの発生を抑制することができる。

　＜第４実施形態の変形例＞
　・界磁電流Ｉｆｒ及びｄ，ｑ軸電流Ｉｄｒ，Ｉｑｒのうち少なくとも１つが変化される場合、界磁電流Ｉｆｒ及びｄ，ｑ軸電流Ｉｄｒ，Ｉｑｒのうち少なくとも１つを徐々に変化させるようにしてもよい。具体的には、例えば、制御装置６０は、界磁電流Ｉｆｒを変更前界磁電流Ｉｆｆｏｒから第１界磁電流Ｉｆｍ１に増加させる場合、界磁目標電流Ｉｆ＊を漸増させればよい。これにより、トルクショックの発生を抑制することができる。

　＜第５実施形態＞
　以下、第５実施形態について、第１実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、図２０に示すように、回転電機２０はメモリモータである。

　回転電機２０のロータ２１は、界磁極として、第１実施形態の界磁巻線２２に代えて、永久磁石２５（例えば、ネオジム磁石）を備えている。このため、本実施形態のシステムは、界磁通電回路４０及び界磁電流センサ５２を備えていない。

　続いて、本実施形態の昇温制御の概要について説明する。

　永久磁石界磁型の回転電機２０の発生トルクＴｒｑｒは、下式（ｅｑ４）で表されるように、マグネットトルクＴＭと、リラクタンストルクＴＲとからなる。下式（ｅｑ４）において、φｍｒは永久磁石２５により発生する磁束を示す。

　Ｔｒｑｒ＝ＴＭ＋ＴＲ
　　　　　＝Ｐ・φｍｒ・Ｉｑｒ＋Ｐ・（Ｌｄ－Ｌｑ）・Ｉｄｒ・Ｉｑｒ　…（ｅｑ４）

　本実施形態において、図９に示す低磁束モードが実行される。制御装置６０は、ステップＳ４０において、発生トルクＴｒｑｒを指令トルクＴｒｑ＊に制御しつつ、電流ベクトルの大きさを高磁束モードと同等にし、かつ、電流進角θｒを高磁束モードよりも小さくするとの条件を課して、磁束φｍを低下させる。この場合、永久磁石２５を減磁させる弱め界磁電流をＵ，Ｖ，Ｗ相巻線２４Ｕ，２４Ｖ，２４Ｗに流すことにより、磁束φｍを低下させる。

　本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

　＜その他の実施形態＞
　なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。

　・第２～第４実施形態で説明した低磁束モードを第５実施形態に適用してもよい。

　・昇温制御による昇温対象を、例えば、循環経路２００の冷却水としてもよい。冷却水を車室内暖房の熱源として利用する空調装置が車両に備えられる場合、昇温制御により、暖房の熱源の温度を迅速に上昇させることができる。なお、この場合、上位制御装置８０は、例えば、冷却水温センサ５７の検出値が目標温度未満であると判定した場合に昇温指令を制御装置６０に入力すればよい。

　・回転電機２０は、ｄ軸インダクタンスＬｄがｑ軸インダクタンスＬｑよりも小さい特性である逆突極性を有していてもよい。また、回転電機２０は、突極機に限らず、ｑ軸インダクタンスＬｑとｄ軸インダクタンスＬｄとが等しい特性（Ｌｑ＝Ｌｄ）を有する非突極機であってもよい。この場合、制御装置６０は、図８のステップＳ３３及び図９のステップＳ４１において、下式（ｅｑ５）に基づいて、ｑ軸目標電流Ｉｑ＊を算出する。

　Ｔｒｑｒ＝Ｐ・φｆｒ・Ｉｑｒ…（ｅｑ５）

　・回転電機としては、同期機に限らず、誘導機等の非同期機であってもよい。

　・回転電機としては、ロータ及びステータが径方向に対向するラジアル型のものに限らず、ロータ及びステータが回転軸の軸方向に対向するアキシャル型のものであってもよい。

　・回転電機としては、星形結線されるものに限らず、Δ結線されるものであってもよい。また、回転電機及びインバータとしては、３相のものに限らず、２相のもの、又は４相以上のものであってもよい。

　・熱伝達部としては、冷却流体として冷却水を用いるものに限らず、例えば、冷却流体として気体（空気）を用いる空冷式のものであってもよいし、金属製のヒートシンクであってもよい。熱伝達部としてヒートシンクが用いられる場合、例えば、ヒートシンクにインバータ等の電力変換器及び蓄電池が設けられていればよい。

　・インバータのスイッチは、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴに限らず、例えばＩＧＢＴであってもよい。この場合、ＩＧＢＴにフリーホイールダイオードが逆並列接続されていればよい。

　・インバータ等の電力変換器に接続される蓄電部としては、蓄電池に限らず、例えば、大容量の電気二重層キャパシタ、又は蓄電池及び電気二重層キャパシタの双方を備えるものであってもよい。

　・制御装置が搭載される移動体としては、車両に限らず、例えば、航空機又は船舶であってもよい。また、制御装置の搭載先は、移動体に限らず、定置式の装置であってもよい。

　・本開示に記載の制御部及びその手法は、コンピュータプログラムにより具体化された一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。あるいは、本開示に記載の制御部及びその手法は、一つ以上の専用ハードウェア論理回路によってプロセッサを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。もしくは、本開示に記載の制御部及びその手法は、一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリと一つ以上のハードウェア論理回路によって構成されたプロセッサとの組み合わせにより構成された一つ以上の専用コンピュータにより、実現されてもよい。また、コンピュータプログラムは、コンピュータにより実行されるインストラクションとして、コンピュータ読み取り可能な非遷移有形記録媒体に記憶されていてもよい。

　以下、上述した各実施形態から抽出される特徴的な構成を記載する。
［構成１］
　蓄電部（１０）と、
　複数相の電機子巻線（２４Ｕ～２４Ｗ）及びロータ（２１）を有する回転電機（２０）と、
　前記蓄電部及び前記電機子巻線を電気的に接続し、上，下アームスイッチ（ＳＵＨ～ＳＷＬ）を有する電力変換器（３０）と、
を備えるシステムに適用される電力変換器の制御装置（６０）において、
　昇温対象部（１０）の昇温要求があるか否かを判定する判定部（１００）と、
　前記昇温要求があると判定された場合、前記昇温要求がないと判定される場合よりも前記電機子巻線に流す電流ベクトルの大きさを大きくする昇温制御を行うとともに、前記回転電機の発生トルクを指令トルク（Ｔｒｑ＊）に制御すべく、前記上，下アームスイッチのスイッチング制御を行うスイッチ制御部（１０１）と、
を備え、
　前記スイッチ制御部は、前記昇温制御において、前記回転電機のトルクリプルが閾値よりも大きいと判定した場合、ｄｑ座標系のｑ軸と前記電機子巻線に流す電流ベクトルとのなす角度の大きさを小さくすべく前記ロータの磁束を小さくするリプル抑制処理を行う、電力変換器の制御装置。
［構成２］
　前記電力変換器は、第１電力変換器であり、
　前記回転電機は、界磁巻線（２２）を有し、
　前記システムは、前記蓄電部及び前記界磁巻線を電気的に接続する第２電力変換器（４０）を備え、
　前記スイッチ制御部は、
　前記界磁巻線に流れる界磁電流を制御すべく、前記第２電力変換器のスイッチング制御を行い、
　前記リプル抑制処理として、前記界磁巻線に流れる界磁電流を小さくすることにより前記ロータの磁束を小さくする処理を行う、構成１に記載の電力変換器の制御装置。
［構成３］
　前記回転電機は、永久磁石を有する前記ロータを備えるメモリモータであり、
　前記スイッチ制御部は、前記リプル抑制処理として、前記永久磁石を減磁させる弱め界磁電流を前記電機子巻線に流すことにより、前記ロータの磁束を小さくする処理を行う、構成１に記載の電力変換器の制御装置。
［構成４］
　前記スイッチ制御部は、
　前記昇温制御における要求態様に基づいて、前記リプル抑制処理として第１モードと第２モードとを切り替え、
　前記第１モードにおける前記ロータの磁束を、前記第２モードにおける前記ロータの磁束よりも小さくする、構成１～３のいずれか１つに記載の電力変換器の制御装置。
［構成５］
　前記スイッチ制御部は、
　前記回転電機の温度に基づいて、前記リプル抑制処理として第１モードと第２モードとを切り替え、
　前記第１モードにおける前記ロータの磁束を、前記第２モードにおける前記ロータの磁束よりも小さくする、構成１～３のいずれか１つに記載の電力変換器の制御装置。
［構成６］
　前記スイッチ制御部は、前記昇温制御の実行中に前記指令トルクが所定量以上変化すると判定した場合、前記昇温制御を停止した状態で前記回転電機の発生トルクを前記所定量変化させ、その後、前記昇温制御を再開する、構成１～５のいずれか１つに記載の電力変換器の制御装置。
［構成７］
　前記スイッチ制御部は、前記昇温制御において、前記回転電機のトルクリプルを小さくすべく、前記電機子巻線に流す電流の目標値であるｄ軸目標電流及びｑ軸目標電流の少なくとも一方に交流信号を加える、構成１～６のいずれか１つに記載の電力変換器の制御装置。

　本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。

Claims

　蓄電部（１０）と、
　複数相の電機子巻線（２４Ｕ～２４Ｗ）及びロータ（２１）を有する回転電機（２０）と、
　前記蓄電部及び前記電機子巻線を電気的に接続し、上，下アームスイッチ（ＳＵＨ～ＳＷＬ）を有する電力変換器（３０）と、
を備えるシステムに適用される電力変換器の制御装置（６０）において、
　昇温対象部（１０）の昇温要求があるか否かを判定する判定部（１００）と、
　前記昇温要求があると判定された場合、前記昇温要求がないと判定される場合よりも前記電機子巻線に流す電流ベクトルの大きさを大きくする昇温制御を行うとともに、前記回転電機の発生トルクを指令トルク（Ｔｒｑ＊）に制御すべく、前記上，下アームスイッチのスイッチング制御を行うスイッチ制御部（１０１）と、
を備え、
　前記スイッチ制御部は、前記昇温制御において、前記回転電機のトルクリプルが閾値よりも大きいと判定した場合、ｄｑ座標系のｑ軸と前記電機子巻線に流す電流ベクトルとのなす角度の大きさを小さくすべく前記ロータの磁束を小さくするリプル抑制処理を行う、電力変換器の制御装置。
　前記電力変換器は、第１電力変換器であり、
　前記回転電機は、界磁巻線（２２）を有し、
　前記システムは、前記蓄電部及び前記界磁巻線を電気的に接続する第２電力変換器（４０）を備え、
　前記スイッチ制御部は、
　前記界磁巻線に流れる界磁電流を制御すべく、前記第２電力変換器のスイッチング制御を行い、
　前記リプル抑制処理として、前記界磁巻線に流れる界磁電流を小さくすることにより前記ロータの磁束を小さくする処理を行う、請求項１に記載の電力変換器の制御装置。
　前記回転電機は、永久磁石を有する前記ロータを備えるメモリモータであり、
　前記スイッチ制御部は、前記リプル抑制処理として、前記永久磁石を減磁させる弱め界磁電流を前記電機子巻線に流すことにより、前記ロータの磁束を小さくする処理を行う、請求項１に記載の電力変換器の制御装置。
　前記スイッチ制御部は、
　前記昇温制御における要求態様に基づいて、前記リプル抑制処理として第１モードと第２モードとを切り替え、
　前記第１モードにおける前記ロータの磁束を、前記第２モードにおける前記ロータの磁束よりも小さくする、請求項２又は３に記載の電力変換器の制御装置。
　前記スイッチ制御部は、
　前記回転電機の温度に基づいて、前記リプル抑制処理として第１モードと第２モードとを切り替え、
　前記第１モードにおける前記ロータの磁束を、前記第２モードにおける前記ロータの磁束よりも小さくする、請求項２又は３に記載の電力変換器の制御装置。
　前記スイッチ制御部は、前記昇温制御の実行中に前記指令トルクが所定量以上変化すると判定した場合、前記昇温制御を停止した状態で前記回転電機の発生トルクを前記所定量変化させ、その後、前記昇温制御を再開する、請求項２又は３に記載の電力変換器の制御装置。
　前記スイッチ制御部は、前記昇温制御において、前記回転電機のトルクリプルを小さくすべく、前記電機子巻線に流す電流の目標値であるｄ軸目標電流及びｑ軸目標電流の少なくとも一方に交流信号を加える、請求項１～３のいずれか１項に記載の電力変換器の制御装置。
　蓄電部（１０）と、
　複数相の電機子巻線（２４Ｕ～２４Ｗ）及びロータ（２１）を有する回転電機（２０）と、
　前記蓄電部及び前記電機子巻線を電気的に接続し、上，下アームスイッチ（ＳＵＨ～ＳＷＬ）を有する電力変換器（３０）と、
を備えるシステムに適用されるプログラムにおいて、
　昇温対象部（１０）の昇温要求があるか否かを判定する判定処理と、
　前記昇温要求があると判定された場合、前記昇温要求がないと判定される場合よりも前記電機子巻線に流す電流ベクトルの大きさを大きくする昇温制御を行うとともに、前記回転電機の発生トルクを指令トルク（Ｔｒｑ＊）に制御すべく、前記上，下アームスイッチのスイッチング制御を行う制御処理と、
を実行させ、
　前記制御処理における前記昇温制御において、前記回転電機のトルクリプルが閾値よりも大きいと判定した場合、ｄｑ座標系のｑ軸と前記電機子巻線に流す電流ベクトルとのなす角度の大きさを小さくすべく前記ロータの磁束を小さくするリプル抑制処理を行う、プログラム。
　蓄電部（１０）と、
　複数相の電機子巻線（２４Ｕ～２４Ｗ）及びロータ（２１）を有する回転電機（２０）と、
　前記蓄電部及び前記電機子巻線を電気的に接続し、上，下アームスイッチ（ＳＵＨ～ＳＷＬ）を有する電力変換器（３０）と、
を備えるシステムに適用される電力変換器の制御方法において、
　昇温対象部（１０）の昇温要求があるか否かを判定する判定ステップと、
　前記昇温要求があると判定された場合、前記昇温要求がないと判定される場合よりも前記電機子巻線に流す電流ベクトルの大きさを大きくする昇温制御を行うとともに、前記回転電機の発生トルクを指令トルク（Ｔｒｑ＊）に制御すべく、前記上，下アームスイッチのスイッチング制御を行う制御ステップと、
を備え、
　前記制御ステップにおける前記昇温制御において、前記回転電機のトルクリプルが閾値よりも大きいと判定した場合、ｄｑ座標系のｑ軸と前記電機子巻線に流す電流ベクトルとのなす角度の大きさを小さくすべく前記ロータの磁束を小さくするリプル抑制処理を行う、電力変換器の制御方法。