WO2025201050A1 - 晶圆处理腔、晶圆处理装置和晶圆处理设备 - Google Patents

晶圆处理腔、晶圆处理装置和晶圆处理设备

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WO2025201050A1
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tray
space
wafer processing
isolation plate
outlet
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顾建国
田连刚
朱志君
金京俊
陈国强
贺斌
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Cleanchip Technologies Ltd
ACM Research Shanghai Inc
Acm Research Korea Co Ltd
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Cleanchip Technologies Ltd
ACM Research Shanghai Inc
Acm Research Korea Co Ltd
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Definitions

  • the present application relates to the field of semiconductor technology, and in particular to a wafer processing chamber, a wafer processing device, and a wafer processing equipment.
  • the wafers are typically placed on a tray and a showerhead positioned above the wafers.
  • the showerhead supplies a processing fluid to treat the wafers. Due to obstruction by the tray or showerhead, the processing fluid, after processing the wafer surface, leaves the wafer at the edge and flows toward the outlet.
  • the height of the isolation plate is less than or equal to the height of the upper surface of the tray and greater than or equal to the height of the lower surface of the tray.
  • the inner circle of the isolation plate is high and the outer circle is low, and the height of the highest point of the isolation plate is greater than or equal to the height of the lower surface of the tray and less than or equal to the height of the upper surface of the tray.
  • the height of the horizontal portion of the isolation plate is less than or equal to the height of the upper surface of the pallet and greater than or equal to the height of the lower surface of the pallet.
  • the processing fluid is plasma or etching fluid.
  • FIG6 is a schematic diagram showing a top view of a wafer processing chamber according to another embodiment of the present application.
  • FIG7 shows a schematic cross-sectional structure diagram of a wafer processing device according to an embodiment of the present application.
  • FIG8 shows a schematic diagram of a top view of the wafer processing device in FIG7 ;
  • FIG10 shows a schematic structural diagram of a wafer processing device according to another embodiment of the present application.
  • This embodiment provides a wafer processing chamber for performing chemical vapor deposition (CVD) process, cleaning process or etching process, especially plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, which can improve the uniformity of wafer processing.
  • CVD chemical vapor deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • the exhaust port 11 is located below the tray 2 and is connected to the exhaust device so that the flow direction of the processing fluid is the same as the flow direction of the processing fluid during wafer processing, both from top to bottom, to avoid interfering with the flow direction of the processing fluid.
  • the exhaust port 11 is located at the bottom of the side wall of the cavity, and the exhaust port 11 located on the side wall of the cavity can control the exhaust direction.
  • the shape of the exhaust port 11 can be square, circular or other shapes.
  • the number of exhaust ports 11 can be multiple, and the multiple exhaust ports 11 are evenly distributed around the side wall of the cavity to increase the exhaust efficiency and make the wafer processing more uniform. For example, when the number of exhaust ports 11 is two, the two exhaust ports 11 are arranged relative to each other.
  • the number of exhaust ports 11 can be one. In other embodiments of the embodiments of the present application, the exhaust port 11 is arranged on the bottom wall of the cavity. In other embodiments of the embodiments of the present application, the exhaust port 11 is arranged above the tray 2. For example, the exhaust port 11 can be arranged on the top wall of the cavity or on the upper part of the side wall of the cavity.
  • An isolation plate 4 is provided between the tray 2 and the sidewall of the chamber.
  • the isolation plate 4 is an annular plate arranged around the tray 2.
  • the isolation plate 4 and the tray 2 separate the chamber 1 into a first space and a second space.
  • the wafers and showerhead 3 in the chamber 1 are arranged in the first space, and the discharge port 11 of the chamber 1 is arranged in the second space.
  • the isolation plate 4 is provided with a uniform flow hole 41 that passes through the isolation plate 4.
  • the uniform flow hole 41 connects the first space and the second space of the chamber 1.
  • the processing fluid in the first space flows evenly from the edge of the wafer through the uniform flow hole 41 to the second space, so that the processing fluid is discharged from the chamber 1 through the discharge port 11 in the second space.
  • the first space and the second space are connected through the uniform flow hole 41, reducing the connecting area between the first space and the second space, limiting the reaction of the processing fluid to the first space as much as possible, and reducing the area where reaction products are produced.
  • the processing fluid can be quickly withdrawn, improving the wafer processing efficiency, and on the other hand, it can also reduce the area where reactive particles are produced, facilitating the cleaning of the chamber 1.
  • reducing the area of communication between the first and second spaces stabilizes the pressure and flow rate of the processing fluid in the first space, bringing the pressure and flow rate at the wafer edge closer to those at the wafer center, further improving wafer processing uniformity.
  • a gap is left between isolation plate 4 and tray 2 to prevent it from affecting the temperature of tray 2.
  • the isolation plate 4 is an annular plate concentric with the tray 2.
  • the isolation plate 4 can be a circular flat plate.
  • the height of the isolation plate 4 is greater than the height of the discharge port 11.
  • the isolation plate 4 extends horizontally outward from a position close to the tray 2 to the side wall of the cavity to separate the cavity 1.
  • the height of the isolation plate 4 is less than or equal to the height of the upper surface of the tray and greater than or equal to the height of the lower surface of the tray, so that the uniform flow hole 41 on the isolation plate 4 is located on the flow path of the processing fluid from the wafer to the discharge port 11, and the isolation plate 4 is close to the wafer, which can further improve the uniformity of wafer processing.
  • the processing area is open on all sides, and the fixed axis of the fixed tray 2 is fixed to the bottom wall of the outer cavity.
  • the upper surfaces of the trays and the spray heads 3 in the multiple processing areas are all in the first space, and each processing area contains a second space, that is, the outlet of each processing area is set in a second space.
  • each partition 8 is set around a tray 2, and each partition 8 includes a surrounding portion 81 set around the tray 2 and a blocking portion 82 extending downward from the outside of the surrounding portion.
  • the blocking portion 82 extends from the outside of the surrounding portion 81 to the bottom wall of the outer cavity to enclose a second space.
  • the outlet 6 of the treatment area is located below the tray 2, and opens from the bottom wall of the outer cavity to the surrounding portion 81, so as to maximize the area of the outlet 6.
  • the enclosure portion 82 also extends upward from the outside of the surrounding portion, that is, the height of the enclosure portion 82 is greater than the height of the surrounding portion 81, and there is a gap between the enclosure portion 82 and the top wall of the outer cavity. While reducing the contact area between the enclosure portion 82 and the treatment fluid, it can also limit the treatment fluid from the outside of the surrounding portion to the outside of the enclosure portion, so that more treatment fluid flows from the rectifying flow hole 83 on the partition 8 to the second space.
  • the height of the top of the enclosure portion is lower than the height of the upper surface of the tray.
  • the enclosure portion 82 close to the side wall of the outer cavity is connected to the side wall of the outer cavity or is integrally provided to increase the stability of the partition 8 fixation.
  • each processing area outlet 6 being connected to a gas extraction device 7, the number of gas extraction devices 7 can be saved.
  • the flow direction of the processing fluid in the gas channel is shown by the arrows in Figures 7, 8 and 9, so that the reaction residues can be discharged smoothly.
  • the processing fluid is plasma, etching fluid or other fluid.
  • the outlet 6 is located above the tray 2 or flush with the tray 2 .
  • the surrounding portion 81 can be an annular plate such as an annular flat plate, an annular conical plate, or an annular bent plate, with a gap between it and the tray 2 to avoid affecting the temperature of the tray 2.
  • the height of the position of the rectifying flow hole 83 on the surrounding portion 81 is lower than the height of the upper surface of the tray and higher than the height of the lower surface of the tray, so that the rectifying flow hole 83 is on the flow path of the processing fluid and the rectifying flow hole 83 is close to the wafer, which can improve the uniformity of wafer processing.
  • the inner side of the surrounding portion can be bent downward to the bottom wall of the outer cavity so that the processing fluid flows to the outlet 6 through the rectifying flow hole 83.
  • the inner side of the surrounding portion can be bent downward and inward to the bottom of the tray 2 to cover the gap between the surrounding portion 81 and the tray 2.
  • the location on surrounding portion 81 farthest from outlet 6 has the highest porosity, while the location on surrounding portion 81 closest to outlet 6 has the lowest porosity, ensuring uniform passage of the processing fluid through surrounding portion 81.
  • the method for adjusting the porosity of rectifying holes 83 on surrounding portion 81 can be referenced to the method for adjusting the porosity of uniform flow holes 41 on isolation plate 4 in the wafer processing area described above, and will not be further elaborated here.
  • the shielding cover 10 can be set at the top of the partition wall 11 so that a gas channel 9 is formed between the shielding cover 10, the partition wall 11, the side wall of the outer cavity and the bottom wall of the outer cavity, and the flow direction of the treatment fluid in the gas channel is shown by the arrow so that the reaction residues can be discharged smoothly.
  • the configuration of the external chamber 5 and processing area in the wafer processing equipment is similar to that of the external chamber 5 and processing area in the wafer processing device described above, and will not be described in detail here.
  • the external chamber 5 and processing area in the wafer processing equipment may be different from those in the wafer processing device described above.
  • the external chamber 5 may not be provided with a main outlet 51, and each processing area may be connected to an exhaust device 7.

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Abstract

本申请的实施例提供了一种晶圆处理腔、晶圆处理装置和晶圆处理设备，晶圆处理腔包括腔体、托盘和喷淋头，腔体开设有连通抽气装置的排出口，托盘用于承载晶圆，喷淋头用于喷出处理流体，托盘与腔体之间设有隔离板，隔离板环绕托盘设置，隔离板和托盘将腔体分隔成包括晶圆和喷淋头的第一空间和包括排出口的第二空间，隔离板开设有匀流通孔，第一空间内的处理流体通过匀流通孔进入第二空间后排出腔体。本申请的晶圆处理腔能够提高晶圆处理的均匀性。

Description

晶圆处理腔、晶圆处理装置和晶圆处理设备 技术领域
本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶圆处理腔、晶圆处理装置和晶圆处理设备。
背景技术
现有技术中，在对晶圆进行薄膜沉积、刻蚀、清洗等处理时，通常将晶圆放置在托盘上，将喷淋头设置在晶圆上方，喷淋头向晶圆上供给处理流体以处理晶圆。由于托盘或喷淋头的遮挡，处理流体在晶圆表面完成处理后，均从晶圆边缘离开晶圆流向排出口。
但是，排出口通常只设置在托盘的一侧，处理流体从晶圆边缘流向排出口的过程中，处理流体会集中流向设有排出口的一侧，导致处理流体在晶圆边缘非均匀分布，降低了晶圆处理的均匀性。
发明内容
本申请的实施例提供了一种晶圆处理腔、晶圆处理装置和晶圆处理设备，用于提高晶圆处理的均匀性。
第一方面，本申请提供了一种晶圆处理腔，包括：腔体，开设有排出口，所述排出口连通抽气装置；托盘，用于承载晶圆；喷淋头，用于喷出处理流体；其中，所述托盘与腔体之间设有隔离板，所述隔离板环绕所述托盘设置，所述隔离板和所述托盘将所述腔体分隔成包括所述托盘上表面和喷淋头的第一空间和包括所述排出口的第二空间，所述隔离板开设有匀流通孔，使得所述第一空间内的处理流体通过所述匀流通孔进入所述第二空间后排出所述腔体。
具体地，所述隔离板与所述托盘之间留有间隙。
具体地，所述隔离板为环形平板，所述隔离板延伸至腔体侧壁。
具体地，所述隔离板的高度小于等于托盘上表面的高度且大于等于托盘下表面的高度。
具体地，所述隔离板为环形倾斜板，所述隔离板延伸至腔体壁。
具体地，所述隔离板内圈高而外圈低，所述隔离板的最高点的高度大于等于托盘下表面的高度且小于等于托盘上表面的高度。
具体地，所述隔离板内圈低而外圈高，所述隔离板的最低点的高度大于等于托盘下表面的高度且小于等于托盘上表面的高度。
具体地，所述隔离板为环形弯折板，所述隔离板包括水平部和由所述水平部向上弯折延伸的竖直部，所述隔离板延伸至腔体顶壁。
具体地，所述隔离板的水平部高度小于等于托盘上表面的高度且大于等于托盘下表面的高度。
具体地，所述匀流通孔开设在所述隔离板的水平部。
具体地，所述匀流通孔有多个，所述隔离板上与所述排出口距离最远的位置开孔率最大，所述隔离板上与所述排出口距离最近的位置开孔率最小。
具体地，所述每个匀流通孔大小相同，所述隔离板中与所述排出口距离最远的位置通孔密度最大，所述隔离板中与所述排出口距离最近的位置通孔密度最小。
具体地，多个匀流通孔大小不同，与所述排出口距离最远的匀流通孔最大，与所述排出口距离最近的匀流通孔最小。
具体地，所述匀流通孔为环绕所述托盘均匀分布的腰型孔，多个腰型孔的宽度相同，与所述排出口距离最远的匀流通孔长度最长，与所述排出口距离最近的匀流通孔长度最短。
具体地，所述开孔率最大的位置与开孔率最小的位置之间的匀流通孔渐变过渡。
具体地，所述隔离板内圈向下且向内弯折至所述托盘下方。
具体地，所述隔离板内圈向下延伸至所述腔体底壁。
具体地，所述处理流体为等离子体或刻蚀流体。
第二方面，本申请提供了一种晶圆处理装置，包括：外腔体，开设有连通抽气装置的总出口；多个托盘，对应设置在所述多个处理区中，用于承载晶圆；多个喷淋头，对应设置在所述多个处理区中，用于喷出处理流体；多个处理区，设置在所述外腔体内，每个处理区分别设有出口；气体通道，用于连接所述多个处理区的出口与所述总出口；其中，所述多个处理区还包括环绕所述多个托盘设置的隔板，所述隔板将所述多个处理区分隔成包括所述多个托盘上表面和所述多个喷淋头的至少一个第一空间和包括所述出口的至少一个第二空间，所述隔板开设有整流通孔，使得所述第一空间内的处理流体通过所述整流通孔进入所述第二空间后依次经过所述出口、所述气体通道和所述总出口排出。
具体地，所述总出口设置在外腔体底壁，所述多个处理区环绕所述总出口设置。
具体地，所述隔板有多个，将所述多个处理区分隔成一个第一空间和多个第二空间，其中每个隔板均包括环绕每个托盘设置的环绕部和由所述环绕部外侧向下延伸的围挡部，所述围挡部延伸至外腔体底壁以围成一个与每个处理区对应的第二空间，所述出口开设在所述围挡部，每个第二空间包括一个处理区的出口，所述多个处理区的托盘上表面均设置在同一个第一空间中，所述整流通孔开设在所述环绕部。
具体地，还包括遮挡盖，所述遮挡盖由所述围挡部水平延伸至外腔体侧壁。
具体地，所述隔板有多个，将所述多个处理区分隔成多个第一空间和一个第二空间，其中每个隔板均包括环绕所述托盘设置的环绕部和由所述环绕部外侧向上延伸的围挡部，所述围挡部延伸至外腔体顶壁以围成一个与每个处理区对应的第一空间，每个第一空间包括一个处理区的托盘上表面和喷淋头，所述整流通孔开设在所述环绕部；所述每个处理区分别包括一个环绕所述托盘设置的分隔壁，所述分隔壁由外腔体底壁向上延伸，多个分隔壁设置在同一个第二空间中，所述出口开设在所述分隔壁，多个出口设置在所述同一个第二空间中。
具体地，所述隔板为延伸至外腔体侧壁的平板，将所述多个处理区分隔成一个第一空间和一个第二空间，所述多个处理区的托盘上表面均位于所述隔板上方的第一空间；所述每个处理区包括一个环绕所述托盘设置的分隔壁，所述分隔壁由外腔体底壁向上延伸，多个分隔壁均位于所述隔板下方的第二空间，所述出口开设在所述分隔壁，所述多个出口均设置在所述第二空间。
具体地，所述隔板包括多个环绕所述托盘设置的环绕部，所述整流通孔开设在所述环绕部。
具体地，所述环绕部的高度低于托盘上表面的高度且高于托盘下表面的高度。
具体地，所述环绕部与所述出口距离最远的位置开孔率最大，所述环绕部与所述出口距离最近的位置开孔率最小。
具体地，所述整流通孔有多个，每一托盘与距离所述每一托盘最近的整流通孔之间的距离大于等于1mm且小于等于78mm。
具体地，所述每一托盘中心至所述出口的水平距离与所述出口到所述总出口的水平距离之和大于所述每一托盘中心到所述总出口的水平直线距离。
具体地，每个处理区的出口数量为多个，每个处理区的多个出口环绕所述每个处理区中的托盘均匀分布。
具体地，所述每个处理区的出口数量为两个，同一处理区的两个出口与所述总出口之间的距离相等。
具体地，所述外腔体中还设有遮挡盖，所述遮挡盖由所述分隔壁水平延伸至外腔体侧壁。
具体地，所述隔板与所述托盘之间留有间隙。
具体地，所述处理流体为等离子体或刻蚀流体。
第三方面，本申请提供了一种晶圆处理设备，包括：外腔体；多个处理区，设置在所述外腔体内，每个处理区分别设有出口；多个托盘，对应设置在所述多个处理区中，用于承载晶圆；多个喷淋头，对应设置在所述多个处理区中，用于喷出处理流体；其中，所述每个处理区分别包括一个围绕每个托盘设置的分隔板，所述分隔板由外腔体顶壁向下延伸，将所述多个处理区分隔成包括所述多个托盘的上表面和所述多个喷淋头的第一空间和包括出口的第二空间，所述分隔板与托盘侧壁之间留有大于等于1mm且小于等于78mm的缝隙，使得处理流体从所述第一空间通过所述缝隙进入所述第二空间后经过所述出口排出。
本申请的晶圆处理装置在托盘与腔体侧壁之间设置隔离板，隔离板和托盘将腔体分隔成包括托盘上表面和喷淋头的第一空间和包括排出口的第二空间，隔离板上开设有匀流通孔，来自晶圆边缘的处理流体通过匀流通孔流至排出口，提高了晶圆边缘流体的均匀性，进而提高了晶圆处理的均匀性。
本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图概述
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1示出了本申请实施例一实施方式的晶圆处理腔结构示意图；
图2示出了图1中晶圆处理腔俯视结构示意图；
图3示出了本申请实施例又一实施方式的晶圆处理腔结构示意图；
图4示出了本申请实施例又一实施方式的晶圆处理腔结构示意图；
图5示出了本申请实施例又一实施方式的晶圆处理腔结构示意图；
图6示出了本申请实施例又一实施方式的晶圆处理腔俯视结构示意图；
图7示出了本申请实施例的晶圆处理装置剖面结构示意图；
图8示出了图7中晶圆处理装置俯视结构示意图；
图9示出了本申请实施例又一实施方式的晶圆处理装置俯视结构示意图；
图10示出了本申请实施例又一实施方式的晶圆处理装置结构示意图。
其中，1、腔体，11、排出口，2、托盘、3、喷淋头，4、隔离板，41、匀流通孔；5、外腔体，51、总出口，6、出口、7、抽气装置，8、隔板，81、环绕部，82、围挡部，83、整流通孔，9、气体通道、10、遮挡盖，11、分隔壁。
本发明的较佳实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其他的方法、组元、装置、步骤等。在其他情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。
请参照图1至图6，本实施例提供了一种晶圆处理腔，用于执行化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺、清洗工艺或刻蚀工艺等，尤其是等离子体增强化学气相沉积(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)工艺，能够提高晶圆处理的均匀性。
如图1所示，晶圆处理腔包括腔体1以及设置在腔体1中的托盘2和喷淋头3。腔体1包括腔体顶壁、腔体侧壁和腔体底壁。托盘2通过固定轴固定在腔体底壁，用于承载晶圆。喷淋头3设置在托盘2上方，用于向晶圆供给处理流体。喷淋头3全覆盖晶圆，以使晶圆整面均被处理。腔体壁开设有用于排出处理流体的排出口11。在对晶圆进行薄膜沉积时，为了减少杂质对晶圆的污染，通常一边处理晶圆一边通过排出口11将处理流体抽出腔体1。腔体1的形状可以为圆筒或其他形状。其中，处理流体可以为等离子体、刻蚀流体或其他流体。
排出口11位于托盘2下方，连通抽气装置，以使处理流体的流向和晶圆处理时处理流体的流向相同，均为由上至下，避免干扰处理流体的流向。具体地，排出口11位于腔体侧壁底部，位于腔体侧壁的排出口11可以控制排气方向。排出口11的形状可以为方形、圆形或其他形状。排出口11的数量可以为多个，多个排出口11环绕腔体侧壁一周均匀分布，增加排气效率，使晶圆处理更加均匀。举例来讲，当排出口11的数量为两个时，两个排出口11相对设置。在本申请实施例的其他实施方式中，排出口11的数量可以为一个。在本申请实施例的其他实施方式中，排出口11设置在腔体底壁。在本申请实施例的其他实施方式中，排出口11设置在托盘2上方，举例来讲，排出口11可以设置在腔体顶壁，也可以设置在腔体侧壁上部。
托盘2和腔体侧壁之间设有隔离板4，隔离板4为环绕托盘2设置的环形板，隔离板4与托盘2将腔体1分隔成第一空间和第二空间，腔体1内的晶圆和喷淋头3设置在第一空间，腔体1的排出口11设置在第二空间。如图2所示，隔离板4上开设贯穿隔离板4的匀流通孔41，匀流通孔41连通腔体1的第一空间和第二空间，第一空间的处理流体从晶圆边缘通过匀流通孔41均匀地流至第二空间，以使处理流体从第二空间中的排出口11排出腔体1。同时，第一空间和第二空间通过匀流通孔41连通，减少第一空间和第二空间之间的连通面积，将处理流体的反应尽量限制在第一空间，减少反应产物产生的区域，一方面可以使处理流体被快速抽走，提高晶圆处理效率，另一方面还能减少产生反应颗粒的面积，便于清洗腔体1。此外，减少第一空间和第二空间之间的连通面积，还可以稳定第一空间中的压力和处理流体的流速，使晶圆边缘的压力和流速接近晶圆中心的压力和流速，进一步改善晶圆处理的均匀性。其中，隔离板4与托盘2之间留有间隙，以防止隔离板4影响托盘2的温度。
具体地，隔离板4为与托盘2同心的环形板，举例来讲，如图3所示，隔离板4可以为圆环形平板，隔离板4的高度大于排出口11的高度，隔离板4从靠近托盘2的位置水平向外延伸至腔体侧壁以分隔腔体1。隔离板4的高度小于等于托盘上表面的高度且大于等于托盘下表面的高度，以使隔离板4上的匀流通孔41位于处理流体由晶圆至排出口11的流动路径上，且隔离板4靠近晶圆，能够进一步提高晶圆处理的均匀性。在一个实施例中，排出口11由腔体底壁开至隔离板4连接腔体1的位置，以增大排出口11的面积并减少第二空间的腔体1接触处理流体的面积，进一步减少反应颗粒的面积，便于清洗腔体1。
在本申请实施例的其他实施方式中，如图4所示，隔离板4为环形倾斜板，隔离板4延伸至腔体侧壁，腔体侧壁与隔离板4相连接的位置在排出口11上方，从而使晶圆和喷淋头3分隔在同一空间，使排出口11分隔在另一空间。具体地，当隔离板4内圈高而外圈低时，隔离板4的最高点的高度大于等于托盘下表面的高度且小于等于托盘上表面的高度，以使隔离板4位于处理流体由晶圆至排出口11的流动路径上，且隔离板4靠近晶圆，能够进一步提高晶圆处理的均匀性。当隔离板4内圈低而外圈高时，隔离板4的最低点的高度大于等于托盘下表面的高度且小于等于托盘上表面的高度，以使隔离板4位于处理流体由晶圆至排出口11的流动路径上，且隔离板4靠近晶圆，能够进一步提高晶圆处理的均匀性。
在本申请实施例的其他实施方式中，隔离板4为锥面板，隔离板4延伸至腔体顶壁。
在本申请实施例的其他实施方式中，隔离板4为环形弯折板，隔离板4包括水平部和由水平部向上弯折延伸的竖直部，隔离板4延伸至腔体顶壁以分隔腔体1，其中，水平部高度小于等于托盘上表面的高度且大于等于托盘下表面的高度，且匀流通孔41开设在所述隔离板4的水平部，以使水平部以及水平部上的匀流通孔41位于处理流体由晶圆至排出口11的流动路径上，且隔离板4靠近晶圆，能够进一步提高晶圆处理的均匀性。
在此参照图1，在各实施方式中，隔离板内圈还可以向下延伸至腔体底壁，隔离板4、腔体底壁和腔体侧壁围成独立空间，排出口11开设在组成该独立空间的腔体侧壁上，以使排出口11只连通隔离板4的匀流通孔41，以使处理流体均通过匀流通孔41流至排出口11，进一步提高晶圆处理的均匀性。在本申请实施例的其他实施方式中，如图5所示，隔离板内圈向下且向内弯折至托盘2的下方，以遮挡隔离板4与托盘2之间的间隙，以使更多的处理流体通过匀流通孔41。更进一步地，隔离板内圈向内且向下弯折至腔体底壁，在遮挡间隙的同时还可以使处理流体均通过匀流通孔41流至排出口11。
进一步地，再次参照图2，匀流通孔41有多个，沿圆周排布在隔离板4上。隔离板4上与排出口11距离最远的位置开孔率最大，隔离板4上与排出口11距离最近的位置开孔率最小。其中，隔离板4的开孔率为隔离板4上全部匀流通孔41的总面积占隔离板4面积的比例。当连接抽气装置的排出口11通过隔离板4对晶圆抽气时，隔离板4上与排出口11距离最远的位置抽力最弱，以使隔离板4上开孔率最大的位置抽力最弱。隔离板4上与排出口11距离最近的位置抽力最强，以使隔离板4上开孔率最小的位置抽力最强，从而使通过这两个位置的处理流体的量相近，提高晶圆边缘处理流体流动的均匀性。更进一步地，开孔率最大位置与开孔率最小位置之间的匀流通孔41的开孔率渐变过渡，以使晶圆一周的处理流体均被匀流，从而使晶圆被均匀处理。
具体地，若每个匀流通孔41大小相同，则隔离板4中与排出口11距离最远的位置通孔密度最大，隔离板4中与排出口11距离最近的位置通孔密度最小，以通过通孔密度调节开孔率。举例来讲，匀流通孔41可以为环绕托盘2均匀分布的腰型孔，每个腰型孔均沿着托盘2的径向方向延伸设置，多个腰型孔大小相同，通孔密度最大的位置孔间距最小，通孔密度最小的位置孔间距最大。在本申请实施例的其他实施方式中，如图6所示，若多个匀流通孔41大小不同，则与排出口11距离最远的匀流通孔41最大，与排出口11距离最近的匀流通孔41最小，以通过通孔大小调节开孔率。举例来讲，匀流通孔41可以为环绕托盘2均匀分布的腰型孔，每个腰型孔均沿着托盘2的径向方向延伸设置，多个腰型孔的宽度相同，每两个相邻的腰型孔之间的间距相同，与排出口11距离最远的匀流通孔41长度最长，与排出口11距离最近的匀流通孔41长度最短。在本申请实施例的其他实施方式中，可以同时通过调节匀流通孔41的孔距和通孔大小来调节开孔率。
请参照图7至图10，本实施例还提供了一种晶圆处理装置，用于执行化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺、清洗工艺或刻蚀工艺等，尤其是等离子体增强化学气相沉积(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)工艺，能够提高晶圆处理的均匀性。
如图7所示，晶圆处理装置包括外腔体5，外腔体5包括外腔体侧壁、外腔体底壁和外腔体顶壁。如图8所示，外腔体底壁开设有连通抽气装置7的总出口51，外腔体5内环绕总出口51设有多个处理区，举例来讲，处理区的数量可以为3个，3个处理区可以呈三角形设置，总出口51设置在三角形中心。将图8沿着剖面线K-K进行剖面得到图7中下半部分。再次参照图7，每个处理区内均设有用于承载晶圆的托盘2、用于供给处理流体的喷淋头3以及固定托盘2的固定轴，以使晶圆处理装置能够同时处理多个晶圆，提高晶圆处理效率。
具体地，处理区为四周敞开的，固定托盘2的固定轴固定在外腔体底壁。隔板8有多个，多个隔板8将多个处理区分隔成一个第一空间和多个第二空间，多个处理区中的托盘上表面和喷淋头3均在该第一空间，每个处理区包含一个第二空间，也即每个处理区的出口设置在一个第二空间中。具体地，每个隔板8均环绕一个托盘2设置，每个隔板8均包括环绕托盘2设置的环绕部81和由环绕部外侧向下延伸的围挡部82，围挡部82由环绕部81外侧延伸至外腔体底壁以围成一个第二空间，外腔体5内被隔离在第二空间之外的空间作为第一空间，整流通孔83开设在环绕部81以连通第一空间和第二空间。多个处理区的上部是连通的，因而多个晶圆所在的托盘上表面和多个喷淋头3均设置在同一个第一空间中，相比于第一空间被处理区侧壁隔开，能够减少处理流体接触处理区壁的面积，加快处理流体的流速，减少反应产物的残留。每个围挡部82上开设整流通孔83，处理流体从第一空间经过整流通孔83进入第二空间之后从出口6流出处理区。
进一步地，处理区的出口6位于托盘2下方，由外腔体底壁开至环绕部81，以尽量增大出口6的面积。围挡部82还由环绕部外侧向上延伸，即围挡部82高度大于环绕部81高度，且围挡部82与外腔体顶壁之间留有间距，在减少围挡部82与处理流体的接触面积的同时，还能限制处理流体从环绕部外侧流至围挡部外侧，以使更多的处理流体从隔板8上的整流通孔83流至第二空间。较佳地，围挡部顶端的高度低于托盘上表面的高度。靠近外腔体侧壁的围挡部82与外腔体侧壁连接或一体设置，以增加隔板8固定的稳定性。
外腔体中还设有遮挡盖10，遮挡盖10由围挡部8水平延伸至外腔体侧壁，举例来讲，参照图9，遮挡盖10由围挡部82顶端向外腔体侧壁延伸。遮挡盖10遮挡相邻处理区的围挡部82之间的间隙，且遮挡盖10遮挡围挡部82与外腔体侧壁之间的间隙。遮挡盖10、围挡部8、外腔体侧壁和外腔体底壁围成气体通道9，气体通道9将多个处理区的出口6和总出口51连通，处理流体从出口6经过气体通道9后从外腔体的总出口51排出，以使处理流体只通过一个总出口51排出，相比于每个处理区的出口6均连通一个抽气装置7，能够节约抽气装置7的数量。处理流体在气道中的流动方向如图7、图8和图9中的箭头所示，以使反应残留物顺畅地排出。其中，处理流体为等离子体、刻蚀流体或其他流体。在本申请实施例的其他实施方式中，出口6位于托盘2上方或与托盘2齐平。
在该实施方式中，环绕部81可以为环形平板、环形锥面板或环形折弯板等环形板，与托盘2之间留有间隙以避免影响托盘2温度。环绕部81上开设整流通孔83位置的高度低于托盘上表面的高度且高于托盘下表面的高度，以使整流通孔83在处理流体的流动路径上，且整流通孔83接近晶圆，能够提高处理晶圆的均匀性。环绕部内侧可以向下弯折至外腔体底壁以使处理流体均通过整流通孔83流至出口6。并且，环绕部内侧可以向下并向内弯折至托盘2下方，以遮挡环绕部81与托盘2之间的间隙。整流通孔83的数量为多个，托盘2与距离托盘2最近的整流通孔83之间的距离大于等于1mm且小于等于78mm，比如可以为4.5mm、5mm、5.5mm、10mm、20mm或40mm，以有效调节晶圆边缘的处理流体。再次参照图8，环绕部81上与出口6距离最远的位置开孔率最大，环绕部81上与出口6距离最近的位置开孔率最小，以使处理流体均匀地通过环绕部81。环绕部81上整流通孔83的开孔率调节方式可以参照上述晶圆处理区中隔离板4上匀流通孔41的开孔率调节方式，在此不再赘述。
在本申请的又一实施方式中，如图10所示，隔板8有多个，每个隔板8均包括环绕托盘2设置的环绕部81和由环绕部外侧向上延伸的围挡部82。围挡部82延伸至外腔体顶壁以围成第一空间，以使每个处理区的托盘上表面和喷淋头3设置在一个第一空间中，外腔体5内除了第一空间以外的空间作为一个第二空间，整流通孔83(参考图8所示)开设在环绕部81以连通第一空间和第二空间。每个处理区分别包括一个环绕托盘2设置的分隔壁11，分隔壁11由外腔体底壁向上延伸，位于托盘2下方。每个处理区的分隔壁11均设置在该第二空间中，也即每个分隔壁11围成的空间在第二空间相互连通，连通的方式可以是每个分隔壁11上都开设连通口，也可以是各个分隔壁11的顶端相互连通。处理区的出口6开设在分隔壁11上，以使多个处理区的出口6设置在同一个第二空间中，以使处理流体在从晶圆至出口6的过程中接触更少的处理区壁，加快处理流体的排出，减少反应物残留。与外腔体侧壁相邻的分隔壁11可以与外腔体侧壁连接或与外腔体侧壁一体成型设置，以使分隔壁11稳定固定。分隔壁11还向外腔体侧壁水平延伸设置遮挡盖10，遮挡盖10设置在分隔壁11连通口上方以避免影响各分隔壁11内的空间在第二空间中相互连通。举例来讲，遮挡盖10可以设置在分隔壁11的顶端，以使遮挡盖10、分隔壁11、外腔体侧壁和外腔体底壁之间围成气体通道9，处理流体在气道中的流动方向如箭头所示，以使反应残留物顺畅地排出。
在本申请实施例的其他实施方式中，隔板8简化为一个，隔板8为延伸至外腔体侧壁的平板，隔板8上方的空间为第一空间，隔板8下方的空间为第二空间，隔板8上设有多个环绕托盘2设置的环绕部81，整流通孔83开设在环绕部81以连通第一空间和第二空间。多个处理区的托盘上表面和喷淋头3均位于第一空间中，每个处理区包括一个环绕托盘2设置的分隔壁11，分隔壁11由外腔体底壁向上延伸，位于托盘2的下方，出口6开设在分隔壁11。多个分隔壁11均位于隔板8下方的第二空间，各个分隔壁11围成的空间在第二空间中相互连通，以使多个出口6均位于同一个第二空间中。分隔壁11还向外腔体侧壁水平延伸设置遮挡盖10以围成气道。
在本申请实施例的其他实施方式中，处理区包括处理区侧壁，每个处理区的侧壁均由外腔体底壁延伸至外腔体顶壁，每个处理区互不连通、相互独立，处理区的出口6设置在处理区侧壁。每个处理区内均设有环绕托盘2设置的隔板8，隔板8将每个处理区分别分隔成第一空间和第二空间，整流通孔83设置在隔板8上以连通第一空间和第二空间。隔板8的结构和设置方式参照上述晶圆处理区的隔离板4设置，在此不再赘述。在又一实施方式中，处理区包括处理区侧壁、处理区底壁和处理区顶壁。
在本申请实施例的其他实施方式中，外腔体5中处理区和隔板8的设置方式可以是以上几种实施方式的组合。
在各实施方式中，托盘中心至处理区出口6的水平距离与出口6到总出口51的水平距离之和大于托盘中心到总出口51的水平直线距离，以避免出口6与总出口51直接相对，降低连通抽气装置7的总出口51对处理流体流向的影响。每个处理区的出口6数量为多个，每个处理区的多个出口6环绕托盘2均匀分布。例如每个处理区的出口6数量为两个，同一处理区的两个出口6与总出口51之间的距离相等，从而使多个处理区的处理流体排出速度均相同，使不同处理区内的晶圆在同样时间内被同样处理，也能使每个处理区中的晶圆自身被均匀处理。
本实施例还提供了一种晶圆处理设备，用于执行化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺、清洗工艺或刻蚀工艺等，尤其是等离子体增强化学气相沉积(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)工艺，能够提高晶圆处理的均匀性。
晶圆处理设备包括外腔体5以及设置在外腔体5内的多个处理区，每个处理区分别设有出口6，每个处理区分别包括一个围绕托盘2设置的分隔板，分隔板由外腔体顶壁向下延伸，分隔板与托盘侧壁之间留有大于等于1mm且小于等于78mm的缝隙，分隔板和托盘2将每个处理区的晶圆和喷淋头3分隔在一个相对独立的第一空间，处理区的出口6被分隔板分隔在第一空间之外的第二空间，处理流体从第一空间通过缝隙进入第二空间后经过出口6排出，从而减少第一空间和第二空间之间的连通面积，将处理流体的反应尽量限制在第一空间，减少反应产物产生的区域，减少产生反应颗粒的面积，便于清洗腔体。此外，减少第一空间和第二空间之间的连通面积，还可以稳定第一空间中的压力和处理流体的流速，使晶圆边缘的压力和流速接近晶圆中心的压力和流速，进一步改善晶圆处理的均匀性。其中，分隔板与托盘侧壁之间的间隙可以为4.5mm、5mm、5.5mm、10mm、20mm或40mm。
晶圆处理设备中外腔体5以及处理区的设置参照上述晶圆处理装置中的外腔体5和处理区，在此不再赘述。在本申请实施例的其他实施方式中，晶圆处理设备中外腔体5和处理区可以与上述晶圆处理装置中的外腔体5和处理区不同，举例来讲，可以是外腔体5不设置总出口51，每个处理区连通一个抽气装置7。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的实施方式后，将容易想到本申请的其他实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (35)

  1. 一种晶圆处理腔，其特征在于，包括：
    腔体，开设有排出口，所述排出口连通抽气装置；
    托盘，用于承载晶圆；
    喷淋头，用于喷出处理流体；
    其中，所述托盘与腔体之间设有隔离板，所述隔离板环绕所述托盘设置，所述隔离板和所述托盘将所述腔体分隔成包括所述托盘上表面和喷淋头的第一空间和包括所述排出口的第二空间，所述隔离板开设有匀流通孔，使得所述第一空间内的处理流体通过所述匀流通孔进入所述第二空间后排出所述腔体。
  2. 根据权利要求1所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述隔离板与所述托盘之间留有间隙。
  3. 根据权利要求2所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述隔离板为环形平板，所述隔离板延伸至腔体侧壁。
  4. 根据权利要求3所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述隔离板的高度小于等于托盘上表面的高度且大于等于托盘下表面的高度。
  5. 根据权利要求2所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述隔离板为环形倾斜板，所述隔离板延伸至腔体壁。
  6. 根据权利要求5所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述隔离板内圈高而外圈低，所述隔离板的最高点的高度大于等于托盘下表面的高度且小于等于托盘上表面的高度。
  7. 根据权利要求5所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述隔离板内圈低而外圈高，所述隔离板的最低点的高度大于等于托盘下表面的高度且小于等于托盘上表面的高度。
  8. 根据权利要求2所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述隔离板为环形弯折板，所述隔离板包括水平部和由所述水平部向上弯折延伸的竖直部，所述隔离板延伸至腔体顶壁。
  9. 根据权利要求8所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述隔离板的水平部高度小于等于托盘上表面的高度且大于等于托盘下表面的高度。
  10. 根据权利要求9所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述匀流通孔开设在所述隔离板的水平部。
  11. 根据权利要求1所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述匀流通孔有多个，所述隔离板上与所述排出口距离最远的位置开孔率最大，所述隔离板上与所述排出口距离最近的位置开孔率最小。
  12. 根据权利要求11所述的晶圆处理腔，其特征在于，每个所述匀流通孔大小相同，所述隔离板中与所述排出口距离最远的位置通孔密度最大，所述隔离板中与所述排出口距离最近的位置通孔密度最小。
  13. 根据权利要求11所述的晶圆处理腔，其特征在于，多个匀流通孔大小不同，与所述排出口距离最远的匀流通孔最大，与所述排出口距离最近的匀流通孔最小。
  14. 根据权利要求13所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述匀流通孔为环绕所述托盘均匀分布的腰型孔，多个腰型孔的宽度相同，与所述排出口距离最远的匀流通孔长度最长，与所述排出口距离最近的匀流通孔长度最短。
  15. 根据权利要求11所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述开孔率最大的位置与开孔率最小的位置之间的匀流通孔渐变过渡。
  16. 根据权利要求1所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述隔离板内圈向下且向内弯折至所述托盘下方。
  17. 根据权利要求1所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述隔离板内圈向下延伸至所述腔体底壁。
  18. 根据权利要求1所述的晶圆处理腔，其特征在于，所述处理流体为等离子体或刻蚀流体。
  19. 一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：
    外腔体，开设有连通抽气装置的总出口；
    多个处理区，设置在所述外腔体内，每个处理区分别设有出口；
    多个托盘，对应设置在所述多个处理区中，用于承载晶圆；
    多个喷淋头，对应设置在所述多个处理区中，用于喷出处理流体；
    气体通道，用于连接所述多个处理区的出口与所述总出口；
    其中，所述多个处理区还包括环绕所述多个托盘设置的隔板，所述隔板将所述多个处理区分隔成包括所述多个托盘上表面和所述多个喷淋头的至少一个第一空间和包括所述出口的至少一个第二空间，所述隔板开设有整流通孔，使得所述第一空间内的处理流体通过所述整流通孔进入所述第二空间后依次经过所述出口、所述气体通道和所述总出口排出。
  20. 根据权利要求19所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述总出口设置在外腔体底壁，所述多个处理区环绕所述总出口设置。
  21. 根据权利要求20所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述隔板有多个，将所述多个处理区分隔成一个第一空间和多个第二空间，其中每个隔板均包括环绕每个托盘设置的环绕部和由所述环绕部外侧向下延伸的围挡部，所述围挡部延伸至外腔体底壁以围成一个与每个处理区对应的第二空间，所述出口开设在所述围挡部，每个第二空间包括一个处理区的出口，所述多个处理区的托盘上表面均设置在同一个第一空间中，所述整流通孔开设在所述环绕部。
  22. 根据权利要求21所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括遮挡盖，所述遮挡盖由所述围挡部水平延伸至外腔体侧壁。
  23. 根据权利要求20所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述隔板有多个，将所述多个处理区分隔成多个第一空间和一个第二空间，其中每个隔板均包括环绕所述托盘设置的环绕部和由所述环绕部外侧向上延伸的围挡部，所述围挡部延伸至外腔体顶壁以围成一个与每个处理区对应的第一空间，每个第一空间包括一个处理区的托盘上表面和喷淋头，所述整流通孔开设在所述环绕部；所述每个处理区分别包括一个环绕所述托盘设置的分隔壁，所述分隔壁由外腔体底壁向上延伸，多个分隔壁设置在同一个第二空间中，所述出口开设在所述分隔壁，多个出口设置在所述同一个第二空间中。
  24. 根据权利要求20所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述隔板为延伸至外腔体侧壁的平板，将所述多个处理区分隔成一个第一空间和一个第二空间，所述多个处理区的托盘上表面均位于所述隔板上方的第一空间；所述每个处理区包括一个环绕所述托盘设置的分隔壁，所述分隔壁由外腔体底壁向上延伸，多个分隔壁均位于所述隔板下方的第二空间，所述出口开设在所述分隔壁，所述多个出口均设置在所述第二空间。
  25. 根据权利要求24所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述隔板包括多个环绕所述托盘设置的环绕部，所述整流通孔开设在所述环绕部。
  26. 根据权利要求21、23或25所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述环绕部的高度低于托盘上表面的高度且高于托盘下表面的高度。
  27. 根据权利要求26所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述环绕部与所述出口距离最远的位置开孔率最大，所述环绕部与所述出口距离最近的位置开孔率最小。
  28. 根据权利要求19所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述整流通孔有多个，每一托盘与距离所述每一托盘最近的整流通孔之间的距离大于等于1mm且小于等于78mm。
  29. 根据权利要求28所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述每一托盘中心至所述出口的水平距离与所述出口到所述总出口的水平距离之和大于所述每一托盘中心到所述总出口的水平直线距离。
  30. 根据权利要求29所述的晶圆处理装置，其特征在于，每个处理区的出口数量为多个，每个处理区的多个出口环绕所述每个处理区中的托盘均匀分布。
  31. 根据权利要求30所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述每个处理区的出口数量为两个，同一处理区的两个出口与所述总出口之间的距离相等。
  32. 根据权利要求23或24所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述外腔体中还设有遮挡盖，所述遮挡盖由所述分隔壁水平延伸至外腔体侧壁。
  33. 根据权利要求19所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述隔板与所述托盘之间留有间隙。
  34. 根据权利要求19所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述处理流体为等离子体或刻蚀流体。
  35. 一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：
    外腔体；
    多个处理区，设置在所述外腔体内，每个处理区分别设有出口；
    多个托盘，对应设置在所述多个处理区中，用于承载晶圆；
    多个喷淋头，对应设置在所述多个处理区中，用于喷出处理流体；
    其中，所述每个处理区分别包括一个围绕每个托盘设置的分隔板，所述分隔板由外腔体顶壁向下延伸，将所述多个处理区分隔成包括所述多个托盘的上表面和所述多个喷淋头的第一空间和包括出口的第二空间，所述分隔板与托盘侧壁之间留有大于等于1mm且小于等于78mm的缝隙，使得处理流体从所述第一空间通过所述缝隙进入所述第二空间后经过所述出口排出。
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