WO2025148751A1 - 炉体结构和半导体工艺设备 - Google Patents

炉体结构和半导体工艺设备

Info

Publication number
WO2025148751A1
WO2025148751A1 PCT/CN2024/144135 CN2024144135W WO2025148751A1 WO 2025148751 A1 WO2025148751 A1 WO 2025148751A1 CN 2024144135 W CN2024144135 W CN 2024144135W WO 2025148751 A1 WO2025148751 A1 WO 2025148751A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
support body
thermal insulation
furnace
limiting
insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
PCT/CN2024/144135
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
许相超
李建国
郑建宇
耿丹
肖东辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Publication of WO2025148751A1 publication Critical patent/WO2025148751A1/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D1/00—Casings; Linings; Walls; Roofs
    • F27D1/0003—Linings or walls
    • F27D1/0036—Linings or walls comprising means for supporting electric resistances in the furnace
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any of groups F27B1/00 - F27B15/00
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D1/00—Casings; Linings; Walls; Roofs
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D11/00—Arrangement of elements for electric heating in or on furnaces
    • F27D11/02—Ohmic resistance heating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present application relates to the field of furnace body manufacturing, and in particular, to a furnace body structure and semiconductor process equipment.
  • the diameter and length of the diffusion furnace body which is the core heating component of photovoltaic equipment, are gradually increasing.
  • the outer diameter of the existing furnace body can reach up to 0.66m
  • the length is 3.3m
  • the process temperature can reach up to 1050°C.
  • the traditional mechanical structure is used to install the heating wire, that is, the heating wire is supported by its own weight
  • there are huge hidden dangers such as the heating wire coming out, collapsing, short circuiting and igniting, and even the quartz tube may be crushed during the process, causing huge losses to the equipment. Therefore, it is necessary to improve the mechanical structure of the furnace body to install the heating wire to meet the needs of large-capacity and high-temperature equipment.
  • the present application aims to solve at least one of the technical problems existing in the prior art, and proposes a furnace structure and semiconductor process equipment, which can solve the problem in the prior art that the heating wire is supported by its own weight, and there are huge hidden dangers such as the heating wire falling out, collapsing, short circuiting and igniting, and meet the needs of large-capacity and high-temperature equipment.
  • a furnace structure which is applied to semiconductor process equipment, and includes at least one furnace unit, each of which includes a heat-insulating support body and an insulating support structure, wherein the heat-insulating support body is annular, and the insulating support structure is fixed to the inner circumference of the heat-insulating support body;
  • the thermal insulation support body comprises an annular ceramic fiberboard.
  • the limiting groove includes a first groove section and a second groove section sequentially arranged in a direction from the groove bottom to the groove opening, and the width of the first groove section is greater than the width of the second groove section;
  • the limiting portion includes a first sub-limiting portion and a second sub-limiting portion, the width of the first sub-limiting portion is greater than the width of the second sub-limiting portion, and the first sub-limiting portion cooperates with the first slot segment, and the second sub-limiting portion cooperates with the second slot segment.
  • the limiting groove further includes a transition groove section connected between the first groove section and the second groove section, and the width of the transition groove section decreases from the first groove section to the second groove section;
  • the insulating support structure is multiple and is distributed at intervals along the circumference of the thermal insulation support body
  • the insulating support structure is formed with a plurality of accommodating holes, and the plurality of accommodating holes are arranged at intervals along a direction parallel to the axial direction of the thermal insulation support body;
  • the plurality of arc segments are disposed in a one-to-one correspondence through the plurality of accommodating holes.
  • the dimension of the accommodating hole in the axial direction of the heat-insulating support body is greater than the dimension of the arc-shaped segment in the axial direction of the heat-insulating support body.
  • the first support block is provided with the accommodation hole; and recesses are formed on two surfaces of each of two adjacent second support blocks that overlap each other and together constitute the accommodation hole.
  • the furnace unit is multiple and is arranged in sequence along the axial direction of the heat preservation support body
  • Each of the furnace body units also includes an annular insulating baffle, which is arranged at one end of the thermal insulation support body in its axial direction, and the inner peripheral edge of the insulating baffle protrudes relative to the inner peripheral surface of the thermal insulation support body, and is used to insulate and isolate the heating wire in the thermal insulation support body from the heating wire in another adjacent thermal insulation support body.
  • the thermal insulation support body is also provided with an insulating lead-out piece which passes through its thickness, and the insulating lead-out piece is provided with a lead-out hole, through which the lead-out wire of the heating wire extends to the outside of the thermal insulation support body; the lead-out hole on the insulating lead-out piece and the lead-out hole on the insulating lead-out piece of another adjacent thermal insulation support body are staggered with each other in the circumferential direction of the thermal insulation support body.
  • the furnace body structure also includes two insulation end covers and a furnace shell, wherein the two insulation end covers are annular and are respectively arranged at both ends of the at least one furnace body unit; the furnace shell is arranged around the at least one furnace body unit and the outer periphery of the two insulation end covers.
  • the present application also provides a semiconductor process equipment, including:
  • a heating wire disposed in the space enclosed by the heat-insulating support body of the furnace unit.
  • the process chamber is arranged in the space surrounded by the heat-insulating support body and located inside the heating wire, and is used for accommodating the wafer boat.
  • the furnace structure provided by the present application through the insulation support body, the insulating support structure is limited and fixed to the inner circumference of the insulation support body, which can support and limit the insulation support structure to avoid deformation and position movement, thereby ensuring the reliability of the insulation support structure and avoiding failure of its insulation and support functions.
  • the insulation support structure is combined to limit and fix the heating wire in the space surrounded by the insulation support body, that is, the heating wire is fixed to the insulation support body by the insulation support structure, and no longer supported by its own weight, which makes the heating wire less deformed and not easy to collapse, and the insulation support structure is used to insulate and isolate each adjacent arc segment, which can reduce the risk of short circuit of the heating wire.
  • the semiconductor process equipment provided in the present application by adopting the above-mentioned furnace body structure provided in the present application, can not only make the heating wire less deformed and not easy to collapse, and can reduce the risk of short circuit of the heating wire, but also can improve the heating efficiency and service life of the heating wire.
  • FIG1 is a structural diagram of a furnace unit of a furnace structure provided in an embodiment of the present application.
  • FIG2 is a structural diagram of a heat-insulating support body used in an embodiment of the present application.
  • FIG3 is a structural diagram of an insulating support structure used in an embodiment of the present application.
  • FIG4 is a cross-sectional view of a limiting groove used in an embodiment of the present application.
  • FIG7 is a structural diagram of a second insulating block used in an embodiment of the present application.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a semiconductor process equipment provided in an embodiment of the present application.
  • the heating wire relies on its own weight for support (i.e., it is placed independently without relying on other supporting structures), when a high-temperature process is carried out, as the process temperature increases or decreases, the thermal expansion and contraction of the heating wire and the creep after heating will be particularly obvious, especially after heating, a large amount of thermal stress will be generated with nowhere to release, thereby causing serious deformation of the heating wire, and there are huge hidden dangers such as the heating wire coming out, collapsing, short circuiting and sparking.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

一种炉体结构和半导体工艺设备，该炉体结构包括至少一个炉体单元（100），每个炉体单元（100）均包括保温支撑主体（1）和绝缘支撑结构（2），其中，保温支撑主体（1）呈环状，且将绝缘支撑结构（2）限位固定于保温支撑主体（1）的内周侧；绝缘支撑结构（2）用于将加热丝（200）限位固定于保温支撑主体（1）所围空间中，加热丝（200）包括首尾串接的多个弧形分段（200a），多个弧形分段（200a）首尾串接构成沿保温支撑主体（1）的周向环绕的柱状环形结构，绝缘支撑结构（2）被设置为将各相邻的弧形分段（200a）绝缘隔离。该炉体结构不仅可以使得加热丝（200）变形小，且不易塌陷，并可以减小加热丝（200）的短路风险，而且还可以提高加热丝（200）的发热效率和使用寿命。

Description

炉体结构和半导体工艺设备 技术领域
本申请涉及炉体制造领域，具体地，涉及一种炉体结构和半导体工艺设备。
背景技术
随着光伏行业的迅速发展，市场对于光伏设备的产能要求越来越大，光伏设备中作为核心加热部件的扩散炉体，其口径和长度都逐渐增大，现有的炉体的外径最大可达0.66m，长度为3.3m，工艺温度最高可达1050℃，在这种情况下，如果沿用传统的机械结构安装加热丝，即，加热丝利用自重支撑，存在加热丝脱出、塌陷、短路打火等巨大隐患，甚至可能在工艺过程中压碎石英管，对设备造成巨大的损失。因此，需要对炉体安装加热丝的机械结构进行改进，以满足大产能、高温度设备的需要。
发明内容
本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种炉体结构和半导体工艺设备，其可以解决现有技术中加热丝利用自重支撑，存在加热丝脱出、塌陷、短路打火等巨大隐患的问题，满足大产能、高温度设备的需要。
为实现本申请的目的而提供一种炉体结构，应用于半导体工艺设备，包括至少一个炉体单元，每个所述炉体单元均包括保温支撑主体和绝缘支撑结构，其中，所述保温支撑主体呈环状，且将所述绝缘支撑结构限位固定于所述保温支撑主体的内周侧；
所述绝缘支撑结构用于将加热丝限位固定于所述保温支撑主体所围空间中，所述加热丝包括首尾串接的多个弧形分段，多个所述弧形分段首尾串接构成沿所述保温支撑主体的周向环绕的柱状环形结构，所述绝缘支撑结构被设置为将各相邻的所述弧形分段绝缘隔离。
在一些实施例中，多个所述弧形分段首尾串接构成的所述柱状环形结构为柱状螺旋结构。
在一些实施例中，所述保温支撑主体包括环状的陶瓷纤维板。
在一些实施例中，所述保温支撑主体的内周面设置有第一限位结构，且所述绝缘支撑结构设置有第二限位结构；
所述第一限位结构与所述第二限位结构相配合，以将所述绝缘支撑结构限位固定于所述保温支撑主体的内周侧。
在一些实施例中，所述第一限位结构包括形成在所述保温支撑主体的内周面的限位凹槽，所述第二限位结构包括形成在所述绝缘支撑结构的限位部，所述限位部与所述限位凹槽相配合，以将所述绝缘支撑结构限位固定于所述保温支撑主体的内周侧。
在一些实施例中，所述限位凹槽包括沿自槽底向槽口的方向依次设置的第一槽段和第二槽段，所述第一槽段的宽度大于所述第二槽段的宽度；
所述限位部包括第一子限位部和第二子限位部，所述第一子限位部的宽度大于所述第二子限位部的宽度，且所述第一子限位部与所述第一槽段相配合，所述第二子限位部与所述第二槽段相配合。
在一些实施例中，所述限位凹槽还包括连接在所述第一槽段和所述第二槽段之间的过渡槽段，所述过渡槽段的宽度自所述第一槽段向所述第二槽段递减；
所述限位部还包括连接在所述第一子限位部和所述第二子限位部之间的过渡子限位部，所述过渡子限位部的宽度自所述第一子限位部向所述第二子限位部递减，且所述过渡子限位部与所述过渡槽段相配合。
在一些实施例中，所述绝缘支撑结构为多个，且沿所述保温支撑主体的周向间隔分布；
所述限位凹槽为多个，且与多个所述绝缘支撑结构的所述限位部一一对应地配合。
在一些实施例中，所述限位凹槽呈条状，且所述限位凹槽的长度方向平行于所述保温支撑主体的轴向，并且所述限位凹槽在长度方向上的两端贯通所述保温支撑主体。
在一些实施例中，所述绝缘支撑结构形成有多个容置孔，多个所述容置孔沿平行于所述保温支撑主体的轴向的方向间隔排布；
多个所述弧形分段一一对应地穿设于多个所述容置孔。
在一些实施例中，所述容置孔在所述保温支撑主体的径向上的尺寸大于所述弧形分段在所述保温支撑主体的径向上的尺寸；和/或，
所述容置孔在所述保温支撑主体的轴向上的尺寸大于所述弧形分段在所述保温支撑主体的轴向上的尺寸。
在一些实施例中，所述绝缘支撑结构包括多个支撑块，多个所述支撑块沿平行于所述保温支撑主体的轴向的方向依次叠置，且多个所述支撑块中，位于两端的两个所述支撑块为第一支撑块，除了位于两端的两个所述支撑块之外的各所述支撑块均为第二支撑块；
所述第一支撑块设置有所述容置孔；各相邻的两个所述第二支撑块彼此相叠置的两个表面均形成有凹部，且共同构成所述容置孔。
在一些实施例中，所述绝缘支撑结构还包括穿杆，所述穿杆沿平行于所述保温支撑主体的轴向的方向贯通多个所述支撑块；
两个所述第一支撑块的背离彼此的端面上均还设置有限位凹部，所述穿杆的两端均设置有弯折部，两个所述弯折部分别与两个所述限位凹部限位配合，用于将多个所述支撑块限位固定。
在一些实施例中，所述炉体单元为多个，且沿所述保温支撑主体的轴向依次设置；
每个所述炉体单元均还包括呈环状的绝缘挡板，所述绝缘挡板设置于所述保温支撑主体在其轴向上的一端，且所述绝缘挡板的内周边缘相对于所述保温支撑主体的内周面凸出，用于将所述保温支撑主体中的所述加热丝与相邻的另一所述保温支撑主体中的所述加热丝绝缘隔离。
在一些实施例中，所述炉体单元为多个，且沿所述保温支撑主体的轴向依次设置；
所述保温支撑主体还设置有贯通其厚度设置的绝缘引出件，所述绝缘引出件上设置有引出孔，所述加热丝的引出线通过所述引出孔延伸至所述保温支撑主体的外部；所述绝缘引出件上的所述引出孔与相邻的另一所述保温支撑主体的所述绝缘引出件上的所述引出孔，在所述保温支撑主体的周向上相互错开。
在一些实施例中，所述炉体结构还包括两个保温端盖和炉壳，其中，两个所述保温端盖均呈环状，且分别设置于所述至少一个炉体单元两端；所述炉壳环绕设置于所述至少一个炉体单元以及两个所述保温端盖外周。
作为另一个技术方案，本申请还提供一种半导体工艺设备，包括：
本申请提供的上述炉体结构；
设置在所述炉体单元的所述保温支撑主体所围空间中的加热丝；以及
工艺腔体，设置于所述保温支撑主体所围空间中，且位于所述加热丝内侧，用于容置晶舟。
本申请具有以下有益效果：
本申请提供的炉体结构，其通过保温支撑主体将绝缘支撑结构限位固定于保温支撑主体的内周侧，可以对绝缘支撑结构起到支撑和限位的作用，避免其产生变形、位置移动，从而可以保证绝缘支撑结构的可靠性，避免其绝缘、支撑作用失效，在此基础上，结合使用绝缘支撑结构将加热丝限位固定于保温支撑主体所围空间中，即加热丝利用绝缘支撑结构固定于保温支撑主体上，不再利用自重支撑，这使得加热丝变形小，且不易塌陷，并通过绝缘支撑结构将各相邻的弧形分段绝缘隔离，可以减小加热丝的短路风险。而且，通过将加热丝利用绝缘支撑结构固定于保温支撑主体上，可以使加热丝在由绝缘支撑结构支撑和限位的同时，使加热丝与保温支撑主体之间是分离的，这与相关技术中将加热丝半埋在保温棉中或保温块中相比，可以使加热丝几乎全部暴露于保温支撑主体所围空间中，从而可以提高加热丝的发热效率和使用寿命。
本申请提供的半导体工艺设备，其通过采用本申请提供的上述炉体结构，不仅可以使得加热丝变形小，且不易塌陷，并可以减小加热丝的短路风险，而且还可以提高加热丝的发热效率和使用寿命。
附图说明
图1为本申请实施例提供的炉体结构的一个炉体单元的结构图；
图2为本申请实施例采用的保温支撑主体的结构图；
图3为本申请实施例采用的绝缘支撑结构的结构图；
图4为本申请实施例采用的限位凹槽的截面图；
图5为本申请实施例采用的第一绝缘块的结构图；
图6为本申请实施例采用的炉体结构的一个炉体单元的端侧视图；
图7为本申请实施例采用的第二绝缘块的结构图；
图8为本申请实施例提供的炉体结构的相邻两个炉体单元的局部剖面图；
图9为本申请实施例提供的炉体结构的多个炉体单元的装配图；
图10为本申请实施例提供的炉体结构的多个炉体单元的剖面图；
图11为本申请实施例提供的炉体结构的整体结构图；
图12为本申请实施例提供的半导体工艺设备的剖面图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本申请的技术方案，下面结合附图来对本申请提供的炉体结构进行详细描述。
相关技术中，加热丝由单根金属线绕制成柱状螺旋结构，且各相邻的两匝线圈之间设置绝缘块，用于将各相邻的两匝线圈绝缘隔离。在此基础上，在加热丝的周围包覆有柔性的保温棉，并在保温棉的外周设置外壳。这在实际应用中不可避免地存在以下问题，即：由于加热丝依靠自重支撑(即未依靠其他支撑结构而独立放置)，在进行高温工艺时，随着工艺温度的升高或降低，加热丝产生的热胀冷缩以及加热后的蠕变会特别明显，特别是在加热后会产生很大的热应力无处释放，从而造成加热丝变形严重，存在加热丝脱出、塌陷、短路打火等巨大隐患。并且，设置在各相邻的两匝线圈之间的绝缘块很容易随着加热丝的变形而产生变形、位移，很难在炉体轴向上继续保持在一条直线上，很容易造成线圈之间接触短路，产生打火现象。
此外，发明人发现，上述柔性的保温棉不仅未起到任何支撑作用，而且不可避免地会与加热丝有一定程度地接触，甚至还有一些相关技术中，将加热丝半埋在保温棉或保温块中，这使得加热丝发热后作用于工艺空间内的发热面积变小，发热效率偏低，无法满足高温工艺要求。
本申请实施例提供一种炉体结构，其可以应用于诸如扩散炉、氧化炉等需要加热的半导体工艺设备，用于对半导体工艺设备的加热丝起到保温和固定作用。具体地，炉体结构包括至少一个炉体单元100，每个炉体单元100均包括保温支撑主体1和绝缘支撑结构2，其中，保温支撑主体1呈环状，且将绝缘支撑结构2限位固定于保温支撑主体1的内周侧；绝缘支撑结构2用于将加热丝200限位固定于保温支撑主体1所围空间中。
通过保温支撑主体1将绝缘支撑结构2限位固定于保温支撑主体1的内周侧，可以对绝缘支撑结构2起到支撑和限位的作用，避免其产生变形、位置移动，从而可以保证绝缘支撑结构2的可靠性，避免其绝缘、支撑作用失效，在此基础上，结合使用绝缘支撑结构2将加热丝200限位固定于保温支撑主体1所围空间中，即加热丝200利用绝缘支撑结构2固定于保温支撑主体1上，不再利用自重支撑，这使得加热丝200变形小，且不易塌陷，并可以减小加热丝200的短路风险。而且，通过将加热丝利用绝缘支撑结构2固定于保温支撑主体1上，可以使加热丝200在由绝缘支撑结构2支撑和限位的同时，使加热丝200与保温支撑主体1之间是分离的，即，由于绝缘支撑结构2的存在，加热丝200与保温支撑主体1之间具有间隔，这与相关技术中柔性的保温棉接触加热丝200，或者将加热丝200半埋在保温棉中或保温块中相比，可以使加热丝200几乎全部暴露于保温支撑主体1所围空间中，有效增大了发热面积，从而可以提高加热丝200的发热效率，而且还具有更好的可维护性，从而可以提高加热丝的使用寿命。
在一些实施例中，如图8所示，加热丝200包括首尾串接的多个弧形分段200a，多个弧形分段200a首尾串接构成沿保温支撑主体1的周向环绕的柱状环形结构，为了便于加工，该柱状环形结构为柱状螺旋结构，该柱状螺旋结构可以由单根金属线绕制而成，组成该柱状螺旋结构的各线圈即为沿螺旋方向延伸的弧形分段200a。在此基础上，绝缘支撑结构2被设置为将各相邻的弧形分段200a绝缘隔离，避免二者接触短路，产生打火现象。但是，本申请实施例并不局限于此，在实际应用中，多个弧形分段200a也可以首尾串接构成除了柱状螺旋结构之外的其他柱状环形结构，柱状环形结构不同，各弧形分段200a的结构也可能不同。例如，各弧形分段200a还可以为沿保温支撑主体1的周向延伸的非闭合的圆弧形段，且各相邻的两个圆弧形段之间可通过一过渡段实现首尾串接，构成柱状环形结构，该过渡段例如为沿柱状环形结构的轴线延伸的直线段。
实现隔热、限位和支撑功能的上述保温支撑主体1，其采用硬质保温材料制成，由于该硬质保温材料是硬质的，具备坚硬、不易变形、抗压性强等的特性，这使得保温支撑主体1能够在保温的基础上，可靠地对绝缘支撑结构2和加热丝200起到支撑和限位作用，从而可以解决加热丝因自重支撑而存在的加热丝脱出、塌陷、短路打火等问题。
在一些实施例中，保温支撑主体1例如包括环状的陶瓷纤维板，该陶瓷纤维板即为上述硬质保温材料的一种，且兼具良好的保温和抗压性能。优选地，陶瓷纤维板的原料可以包括以下组分：80％～84％的氧化铝和15％～20％的二氧化硅，该陶瓷纤维板的最小抗压压强可以达到0.5MPa以上，是一种具有良好的抗压性能的硬质保温材料。当然，在实际应用中，保温支撑主体1还可以采用其他硬质保温材料制成，只要能够可靠地支撑绝缘支撑结构2和加热丝200即可，本申请实施例对此没有限制。
在一些实施例中，绝缘支撑结构2的材质包括陶瓷，当然，其还可以采用其他耐高温、具有一定强度的绝缘材料，以起到对加热丝200的绝缘、支撑和限位作用。
将绝缘支撑结构2限位固定于保温支撑主体1的内周侧的方式可以有多种，例如，保温支撑主体1的内周面设置有第一限位结构，且绝缘支撑结构2设置有第二限位结构；该第一限位结构与第二限位结构相配合，以将绝缘支撑结构2限位固定于保温支撑主体1的内周侧。进一步地，如图2所示，上述第一限位结构例如包括形成在保温支撑主体1的内周面的限位凹槽11，如图3所示，上述第二限位结构例如包括形成在绝缘支撑结构2的限位部22，该限位部22与限位凹槽11相配合，以将绝缘支撑结构2限位固定于保温支撑主体1的内周侧。具体地，限位部22的形状和尺寸与限位凹槽11的形状和尺寸相适配，以将限位部22固定于限位凹槽11中。实现上述限位固定功能的第一限位结构与第二限位结构还可以采用其他限位结构，只要能够将将绝缘支撑结构2限位固定于保温支撑主体1的内周侧即可。
在一些实施例中，本申请实施例提供的炉体结构，其应用于卧式扩散炉，在这种情况下，保温支撑主体1的轴向平行于水平面，此时在限位部22与限位凹槽11相配合的作用下，绝缘支撑结构2相当于悬挂在保温支撑主体1上。也就是说，限位部22与限位凹槽11相配合的方式被设置为：限位部22不会因绝缘支撑结构2的重力作用从限位凹槽11中脱离。当然，在实际应用中，本申请实施例提供的炉体结构也可以应用于立式扩散炉，在这种情况下，保温支撑主体1的轴向垂直于水平面，此时在限位部22与限位凹槽11相配合的基础上，还需要另外设置限位件，用以将限位部22锁定在限位凹槽11中的相应高度。或者，也可以采用下端为盲端的限位凹槽11，用于将限位部22锁定在相应高度。
在一些实施例中，为了便于加热丝200的安装，以及降低绝缘支撑结构2的加工难度，如图3所示，绝缘支撑结构2包括多个支撑块21，多个支撑块21沿平行于保温支撑主体1的轴向的方向依次叠置。在这种情况下，上述限位部22由设置于多个支撑块21一端的子限位部221组成，多个支撑块21上的子限位部221平行于保温支撑主体1的轴向的方向依次叠置，且在保温支撑主体1的径向截面上的横截面轮廓形状相同。在实际应用中，支撑块21设置于该支撑块21一端的子限位部221可以连为一体。
进一步地，在一些实施例中，为了实现限位部22不会因绝缘支撑结构2的重力作用从限位凹槽11中脱离，如图4所示，限位凹槽11包括沿自槽底向槽口的方向依次设置的第一槽段11a和第二槽段11c，第一槽段11a的宽度B1大于第二槽段11c的宽度B2，该宽度B1和B2分别为第一槽段11a和第二槽段11c在保温支撑主体1的径向截面上，垂直于槽深方向的尺寸。并且，结合图3和图5可知，限位部22包括第一子限位部和第二子限位部，该第一子限位部由多个支撑块21上的第一子限位块221a组成，多个支撑块21上的第一子限位块221a沿平行于保温支撑主体1的轴向的方向依次叠置；第二子限位部由多个支撑块21上的第二子限位块221c组成，多个支撑块21上的第二子限位块221c沿平行于保温支撑主体1的轴向的方向依次叠置。并且，第一子限位部的宽度(即，第一子限位块221a的宽度)大于第二子限位部22的宽度(即，第二子限位块221c的宽度)，且第一子限位部(由多个第一子限位块221a组成)与第一槽段11a相配合，第二子限位部(由多个第二子限位块221c组成)与第二槽段11c相配合。如图6所示，通过使第一槽段11a的宽度大于第二槽段11c的宽度，且第一子限位部的宽度大于第二子限位部的宽度，第一子限位部无法通过第二槽段11c直接移出，从而可以将限位部22限制在限位凹槽11中，实现限位部22不会因绝缘支撑结构2的重力作用从限位凹槽11中脱离。在此基础上，由多个支撑块21组成的绝缘支撑结构2位于限位凹槽11之外，即位于保温支撑主体1所围空间中，以能够对加热丝200进行限位固定，在此基础上，由于加热丝200是通过绝缘支撑结构2间接与保温支撑主体1固定，加热丝200几乎全部暴露于保温支撑主体1所围空间中，有效增大了发热面积，从而可以提高加热丝200的发热效率，而且还具有更好的可维护性，从而可以提高加热丝的使用寿命。
在一些实施例中，为了避免第一子限位部(由多个第一子限位块221a组成)与第二子限位部(由多个第二子限位块221c组成)的连接处的应力集中，限位凹槽11还包括连接在第一槽段11a和第二槽段11c之间的过渡槽段11b，过渡槽段11b的宽度自第一槽段11a向第二槽段11c递减；限位部22还包括连接在第一子限位部和第二子限位部之间的过渡子限位部(由沿平行于保温支撑主体1的轴向的方向依次叠置的多个第三子限位块221b组成)，过渡子限位部的宽度自第一子限位部向第二子限位部递减，且过渡子限位部与过渡槽段11b相配合。需要说明的是，上述过渡槽段11b在保温支撑主体1的径向截面上的形状例如为等腰梯形，即，过渡槽段11b的侧面为平面，但是本申请实施例并不局限于此，在实际应用中，上述过渡槽段11b的侧面还可以为弧形面，这同样可以解决上述应力集中的问题。
在一些实施例中，为了能够在加热丝200的周向上均匀地固定加热丝200，确保加热丝200在周向上的各个位置不会产生较大的变形，如图1、图2和图6所示，绝缘支撑结构2为多个，且沿保温支撑主体1的周向间隔分布；并且，限位凹槽11为多个，且与多个绝缘支撑结构2的限位部22一一对应地配合。
在一些实施例中，为了便于将限位部22安装于限位凹槽11中，如图2所示，该限位凹槽11呈条状，且限位凹槽11的长度方向平行于保温支撑主体1的轴向，并且限位凹槽11在长度方向上的两端贯通保温支撑主体1，即，限位凹槽11在长度方向上的两端具有开口，限位部22可以从该开口处移入限位凹槽11中。
在一些实施例中，使用绝缘支撑结构2将加热丝200限位固定于保温支撑主体1所围空间中的方式可以有多种，例如，如图3、图5和图7所示，绝缘支撑结构2形成有多个容置孔23，多个容置孔23沿平行于保温支撑主体1的轴向的方向间隔排布；如图8所示，多个弧形分段200a一一对应地穿设于多个容置孔23。在容置孔23的限位和固定作用下，一方面，可以确保加热丝200产生较大变形，避免出现加热丝200脱出、塌陷，并可以保持各相邻的两个弧形分段200a之间的绝缘隔离，避免二者接触短路，产生打火现象。另一方面，加热丝200几乎全部暴露于保温支撑主体1所围空间中，这与相关技术中将加热丝200半埋在保温棉中或保温块中相比，可以提高加热丝200的发热效率和使用寿命。
在一些实施例中，为了给弧形分段200a在加热后产生的热膨胀预留一定的空间，减小绝缘支撑结构2对加热丝200的束缚而产生的热应力，容置孔23在保温支撑主体1的径向上的尺寸大于弧形分段200a在保温支撑主体1的径向上的尺寸；和/或，容置孔23在保温支撑主体1的轴向上的尺寸大于弧形分段200a在保温支撑主体1的轴向上的尺寸。根据弧形分段200a在加热后在不同方向上产生的热膨胀量的大小，上述容置孔23可以是长圆孔或者椭圆形孔，该容置孔23的长度方向例如平行于保温支撑主体1的径向。
在一些实施例中，为了便于加热丝200的安装，以及降低绝缘支撑结构2的加工难度，绝缘支撑结构2包括多个支撑块21，多个支撑块21沿平行于保温支撑主体1的轴向的方向依次叠置。并且，如图3所示，多个支撑块21中，位于两端的两个支撑块21为第一支撑块21a，除了位于两端的两个支撑块21(即，第一支撑块21a)之外的各支撑块21均为第二支撑块21b；如图5所示，第一支撑块21a设置有容置孔23；如图3和图7所示，各相邻的两个第二支撑块21b彼此相叠置的两个表面均形成有凹部231，且相邻的两个凹部231共同构成容置孔23。由于加热丝200在其轴向上位于最外圈的弧形分段200a所在位置处的工艺温度的升降速率变化较大，导致最外圈的弧形分段200a容易产生较大的变形，很容易塌陷，对此，通过将位于两端的两个支撑块21(即，第一支撑块21a)设置完整的容置孔23，即在一个支撑块21上设置完整的容置孔23，可以更可靠地将最外圈的弧形分段200a进行限位和固定。另外，除了位于两端的两个支撑块21之外的支撑块21(即，第二支撑块21b)的凹部231通过与相邻的第二支撑块21b的凹部231对接构成容置孔23，既可以使加热丝200的安装更简单，又可以降低绝缘支撑结构2的加工难度。优选地，为了进一步使加热丝200的安装更简单，如图3所示，各相邻的第二支撑块21b之间的凹部231对接构成的容置孔23在对接处具有缝隙。
在一些实施例中，为了将多个支撑块21固定在一起，且在保温支撑主体1的轴向上保持在一条直线上，绝缘支撑结构2还包括穿杆，该穿杆沿平行于保温支撑主体1的轴向的方向贯通多个支撑块21。具体地，如图7所示，在多个支撑块21(包括第一支撑块21a和第二支撑块21b)中均对应设置有供穿杆穿过的通孔25，穿杆经由这些通孔25将所有的支撑块21串接在一起。并且，如图3和图5所示，两个第一支撑块21a的背离彼此的端面上均还设置有限位凹部24，穿杆的两端均设置有弯折部26，两个弯折部26分别与两个限位凹部24限位配合，用于将多个支撑块21限位固定。两个弯折部26的设置可以避免支撑块21从穿杆一端脱出，且将多个支撑块21限位在两个弯折部26之间。具体地，如图3所示，限位凹部24在子限位部221上形成有开口，弯折部26从该开口伸出。需要说明的是，通过保温支撑主体1将绝缘支撑结构2限位固定于保温支撑主体1的内周侧，可以有效防止穿杆热胀冷缩带来的变形，减少穿杆因摩擦力作用变细拉长而与加热丝200产生打火的概率。
在一些实施例中，如图2、图8和图9所示，炉体单元100为多个，且沿保温支撑主体1的轴向依次设置；并且，每个炉体单元100均还包括呈环状的绝缘挡板4，该绝缘挡板4设置于保温支撑主体1在其轴向上的一端，且绝缘挡板4的内周边缘相对于保温支撑主体1的内周面凸出，用于将保温支撑主体1中的加热丝200与相邻的另一保温支撑主体1中的加热丝200绝缘隔离。借助上述绝缘挡板4，可以避免两个相邻炉体单元100之间的加热丝200在加热产生热膨胀之后接触短路。在一些实施例中，绝缘挡板4的材质包括硬质陶瓷板，主要组分例如为密度大于820kg/m3的氧化铝，该硬质陶瓷板具有较大的强度，以能够更可靠地将相邻的加热丝200在产生热膨胀时保持隔开，避免二者搭接触，出现打火现象。
在一些实施例中，如图1、图2和图9所示，保温支撑主体1还设置有贯通其厚度设置的绝缘引出件3，绝缘引出件3上设置有引出孔32，加热丝200的引出线通过引出孔32延伸至保温支撑主体1的外部，以能够与供电电源连接，具体地，引出孔32中穿设有连接端子31，该连接端子31用于将供电电源与加热丝200的引出线电导通。此外，每个绝缘引出件3上可以设置有两个引出孔32，用于分别将加热丝200的正极引出线和负极引出线引出，同时限定引出位置，以减少焊接误差。在这种情况下，如图2所示，绝缘引出件3呈条状，保温支撑主体1上设置有沿其厚度方向贯通的安装孔12，该安装孔12呈条状，且沿平行于保温支撑主体1的轴向的方向延伸设置，绝缘引出件3内嵌于该安装孔12中，绝缘引出件3与安装孔12的形状相适配。并且每个绝缘引出件3上的两个引出孔32分别设置于绝缘引出件3在保温支撑主体1的轴向上的两端，以能够分别与加热丝200的正极引出线和负极引出线的位置对应。在一些实施例中，连接端子31的材质与加热丝200的材质相同，例如为电热合金。
并且，在炉体单元100为多个的情况下，如图9所示，绝缘引出件3上的引出孔32与相邻的另一保温支撑主体1的绝缘引出件3上的引出孔32，在保温支撑主体1的周向上相互错开，即，相邻的绝缘引出件3在保温支撑主体1的周向上相互错开。这样可以避免因相邻的绝缘引出件3上的连接端子31之间距离过近而导致相邻两个连接端子31之间出现电压击穿空气从而出现打火现象。优选地，相邻的绝缘引出件3在保温支撑主体1的周向上相互错开的角度大于等于20°。
在一些实施例中，如图10和图11所示，炉体结构还包括两个保温端盖5和炉壳6，其中，两个保温端盖5均呈环状，且分别设置于至少一个炉体单元100两端；炉壳6环绕设置于至少一个炉体单元100以及两个保温端盖5外周。两个保温端盖5用于在至少一个炉体单元100两端起到保温作用，炉壳6用于将多个炉体单元100容置在其中构成整体结构。另外，如图11所示，各连接端子31贯通炉壳6延伸至炉壳6的外部，用于与外部的供电电源电连接。
综上所述，本申请实施例提供的炉体结构，其通过保温支撑主体1将绝缘支撑结构2限位固定于保温支撑主体1的内周侧，可以对绝缘支撑结构2起到支撑和限位的作用，避免其产生变形、位置移动，从而可以保证绝缘支撑结构2的可靠性，避免其绝缘、支撑作用失效，在此基础上，结合使用绝缘支撑结构2将加热丝200限位固定于保温支撑主体1所围空间中，即加热丝200利用绝缘支撑结构2固定于保温支撑主体1上，不再利用自重支撑，这使得加热丝200变形小，且不易塌陷，并可以减小加热丝200的短路风险。而且，通过将加热丝200利用绝缘支撑结构2固定于保温支撑主体1上，可以使加热丝200在由绝缘支撑结构2支撑和限位的同时，使加热丝200与保温支撑主体1之间是分离的，这与相关技术中将加热丝200半埋在保温棉中或保温块中相比，可以使加热丝200几乎全部暴露于保温支撑主体1所围空间中，从而可以提高加热丝200的发热效率和使用寿命。
作为另一个技术方案，如图12所示，本申请实施例还提供一种半导体工艺设备，其例如为扩散炉、氧化炉等，且包括炉体结构、设置在该炉体结构的各炉体单元100中保温支撑主体1所围空间中的加热丝200以及工艺腔体300，该工艺腔体300设置于多个炉体单元100中保温支撑主体1所围空间中，且位于加热丝200内侧，用于构成工艺空间，且容置晶舟400。工艺腔体300例如为石英管。上述炉体结构采用本申请提供的上述炉体结构。
在一些实施例中，加热丝200的材质例如为电热合金，用于在供电电源向其供电时将电能转换为热能，以对工艺腔体300中的晶舟400进行加热。
另外，通过设置多个炉体单元100，可以通过单独控制各炉体单元100对应的加热丝200的加热功率，来实现对工艺空间温度的分区控制，从而可以提高工艺空间中的温度均匀性，进而提高工艺均匀性。
本申请提供的半导体工艺设备，其通过采用本申请提供的上述炉体结构，不仅可以使得加热丝200变形小，且不易塌陷，并可以减小加热丝200的短路风险，而且还可以提高加热丝200的发热效率和使用寿命。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本申请的原理而采用的示例性实施方式，然而本申请并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本申请的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本申请的保护范围。

Claims (17)

  1. 一种炉体结构，其特征在于，应用于半导体工艺设备，包括至少一个炉体单元，每个所述炉体单元均包括保温支撑主体和绝缘支撑结构，其中，所述保温支撑主体呈环状，且将所述绝缘支撑结构限位固定于所述保温支撑主体的内周侧；
    所述绝缘支撑结构用于将加热丝限位固定于所述保温支撑主体所围空间中，所述加热丝包括首尾串接的多个弧形分段，多个所述弧形分段首尾串接构成沿所述保温支撑主体的周向环绕的柱状环形结构，所述绝缘支撑结构被设置为将各相邻的所述弧形分段绝缘隔离。
  2. 根据权利要求1所述的炉体结构，其特征在于，多个所述弧形分段首尾串接构成的所述柱状环形结构为柱状螺旋结构。
  3. 根据权利要求1所述的炉体结构，其特征在于，所述保温支撑主体包括环状的陶瓷纤维板。
  4. 根据权利要求1所述的炉体结构，其特征在于，所述保温支撑主体的内周面设置有第一限位结构，且所述绝缘支撑结构设置有第二限位结构；
    所述第一限位结构与所述第二限位结构相配合，以将所述绝缘支撑结构限位固定于所述保温支撑主体的内周侧。
  5. 根据权利要求4所述的炉体结构，其特征在于，所述第一限位结构包括限位凹槽，所述第二限位结构包括形成在所述绝缘支撑结构的限位部，所述限位部与所述限位凹槽相配合，以将所述绝缘支撑结构限位固定于所述保温支撑主体的内周侧。
  6. 根据权利要求5所述的炉体结构，其特征在于，所述限位凹槽包括沿自槽底向槽口的方向依次设置的第一槽段和第二槽段，所述第一槽段的宽度大于所述第二槽段的宽度；
    所述限位部包括第一子限位部和第二子限位部，所述第一子限位部的宽度大于所述第二子限位部的宽度，且所述第一子限位部与所述第一槽段相配合，所述第二子限位部与所述第二槽段相配合。
  7. 根据权利要求6所述的炉体结构，其特征在于，所述限位凹槽还包括连接在所述第一槽段和所述第二槽段之间的过渡槽段，所述过渡槽段的宽度自所述第一槽段向所述第二槽段递减；
    所述限位部还包括连接在所述第一子限位部和所述第二子限位部之间的过渡子限位部，所述过渡子限位部的宽度自所述第一子限位部向所述第二子限位部递减，且所述过渡子限位部与所述过渡槽段相配合。
  8. 根据权利要求5所述的炉体结构，其特征在于，所述绝缘支撑结构为多个，且沿所述保温支撑主体的周向间隔分布；
    所述限位凹槽为多个，且与多个所述绝缘支撑结构的所述限位部一一对应地配合。
  9. 根据权利要求8所述的炉体结构，其特征在于，所述限位凹槽呈条状，且所述限位凹槽的长度方向平行于所述保温支撑主体的轴向，并且所述限位凹槽在长度方向上的两端贯通所述保温支撑主体。
  10. 根据权利要求1-9中任意一项所述的炉体结构，其特征在于，所述绝缘支撑结构形成有多个容置孔，多个所述容置孔沿平行于所述保温支撑主体的轴向的方向间隔排布；
    多个所述弧形分段一一对应地穿设于多个所述容置孔。
  11. 根据权利要求10所述的炉体结构，其特征在于，所述容置孔在所述保温支撑主体的径向上的尺寸大于所述弧形分段在所述保温支撑主体的径向上的尺寸；和/或，
    所述容置孔在所述保温支撑主体的轴向上的尺寸大于所述弧形分段在所述保温支撑主体的轴向上的尺寸。
  12. 根据权利要求10所述的炉体结构，其特征在于，所述绝缘支撑结构包括多个支撑块，多个所述支撑块沿平行于所述保温支撑主体的轴向的方向依次叠置，且多个所述支撑块中，位于两端的两个所述支撑块为第一支撑块，除了位于两端的两个所述支撑块之外的各所述支撑块均为第二支撑块；
    所述第一支撑块设置有所述容置孔；各相邻的两个所述第二支撑块彼此相叠置的两个表面均形成有凹部，且共同构成所述容置孔。
  13. 根据权利要求12所述的炉体结构，其特征在于，所述绝缘支撑结构还包括穿杆，所述穿杆沿平行于所述保温支撑主体的轴向的方向贯通多个所述支撑块；
    两个所述第一支撑块的背离彼此的端面上均还设置有限位凹部，所述穿杆的两端均设置有弯折部，两个所述弯折部分别与两个所述限位凹部限位配合，用于将多个所述支撑块限位固定。
  14. 根据权利要求1-9中任意一项所述的炉体结构，其特征在于，所述炉体单元为多个，且沿所述保温支撑主体的轴向依次设置；
    每个所述炉体单元均还包括呈环状的绝缘挡板，所述绝缘挡板设置于所述保温支撑主体在其轴向上的一端，且所述绝缘挡板的内周边缘相对于所述保温支撑主体的内周面凸出，用于将所述保温支撑主体中的所述加热丝与相邻的另一所述保温支撑主体中的所述加热丝绝缘隔离。
  15. 根据权利要求1-9中任意一项所述的炉体结构，其特征在于，所述炉体单元为多个，且沿所述保温支撑主体的轴向依次设置；
    所述保温支撑主体还设置有贯通其厚度设置的绝缘引出件，所述绝缘引出件上设置有引出孔，所述加热丝的引出线通过所述引出孔延伸至所述保温支撑主体的外部；所述绝缘引出件上的所述引出孔与相邻的另一所述保温支撑主体的所述绝缘引出件上的所述引出孔，在所述保温支撑主体的周向上相互错开。
  16. 根据权利要求1-9中任意一项所述的炉体结构，其特征在于，所述炉体结构还包括两个保温端盖和炉壳，其中，两个所述保温端盖均呈环状，且分别设置于所述至少一个炉体单元两端；所述炉壳环绕设置于所述至少一个炉体单元以及两个所述保温端盖外周。
  17. 一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：
    如权利要求1-16中任意一项所述的炉体结构；
    设置在所述炉体单元的所述保温支撑主体所围空间中的加热丝；以及
    工艺腔体，设置于所述保温支撑主体所围空间中，且位于所述加热丝内侧，用于容置晶舟。
PCT/CN2024/144135 2024-01-12 2024-12-31 炉体结构和半导体工艺设备 Pending WO2025148751A1 (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410051333.0A CN120313356A (zh) 2024-01-12 2024-01-12 炉体结构和半导体工艺设备
CN202410051333.0 2024-01-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2025148751A1 true WO2025148751A1 (zh) 2025-07-17

Family

ID=96334016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2024/144135 Pending WO2025148751A1 (zh) 2024-01-12 2024-12-31 炉体结构和半导体工艺设备

Country Status (3)

Country Link
CN (1) CN120313356A (zh)
TW (1) TW202528682A (zh)
WO (1) WO2025148751A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN121123064A (zh) * 2025-08-25 2025-12-12 北京和崎精密科技有限公司 一种模块化设计的半导体炉管设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1167424A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Kokusai Electric Co Ltd ヒータ支持装置
US20110281226A1 (en) * 2010-05-11 2011-11-17 Hitachi Kokusai Electric Inc. Heater supporting device
CN110087354A (zh) * 2018-01-26 2019-08-02 鸿成国际科技股份有限公司 一种加热器支撑装置
CN213956012U (zh) * 2020-09-17 2021-08-13 江苏昌耐能源科技有限公司 一种管式加热炉体结构
CN215638776U (zh) * 2021-07-26 2022-01-25 江苏昌耐能源科技有限公司 一种具有内部支撑结构的管式加热炉体
CN115808083A (zh) * 2022-11-18 2023-03-17 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 热炉炉体
CN222231281U (zh) * 2024-01-12 2024-12-24 北京北方华创微电子装备有限公司 炉体结构和半导体工艺设备

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1167424A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Kokusai Electric Co Ltd ヒータ支持装置
US20110281226A1 (en) * 2010-05-11 2011-11-17 Hitachi Kokusai Electric Inc. Heater supporting device
CN110087354A (zh) * 2018-01-26 2019-08-02 鸿成国际科技股份有限公司 一种加热器支撑装置
CN213956012U (zh) * 2020-09-17 2021-08-13 江苏昌耐能源科技有限公司 一种管式加热炉体结构
CN215638776U (zh) * 2021-07-26 2022-01-25 江苏昌耐能源科技有限公司 一种具有内部支撑结构的管式加热炉体
CN115808083A (zh) * 2022-11-18 2023-03-17 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 热炉炉体
CN222231281U (zh) * 2024-01-12 2024-12-24 北京北方华创微电子装备有限公司 炉体结构和半导体工艺设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN121123064A (zh) * 2025-08-25 2025-12-12 北京和崎精密科技有限公司 一种模块化设计的半导体炉管设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW202528682A (zh) 2025-07-16
CN120313356A (zh) 2025-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN222231281U (zh) 炉体结构和半导体工艺设备
WO2025148751A1 (zh) 炉体结构和半导体工艺设备
KR101142686B1 (ko) 열처리로
CN100536628C (zh) 用于高温扩散炉的加热线圈的保持机构
JP3104992B2 (ja) 電気炉
JP4331768B2 (ja) 熱処理炉及び縦型熱処理装置
JP4185194B2 (ja) カーボンヒータ
JP7270908B2 (ja) 超電導マグネット装置
CN101630560B (zh) 一种超导磁体绕制方法
CN114420401B (zh) 一种核电站控制棒驱动机构用电磁线圈
JP4198901B2 (ja) カーボンヒータ
US20240237155A1 (en) Electric heating device
CN115484694A (zh) 一种半导体热处理设备
CN101686583A (zh) 一种无芯电加热辐射管加热装置
JP2008534893A (ja) 効率的発熱を有し、機械的安定性を有する加熱素子構造
CN113659371B (zh) 一种提高套管运行可靠性的电连接结构
CN114688870B (zh) 一种高温感应加热炉用感应器、感应加热炉
CN223427912U (zh) 射频电路的连接件、射频电极组件及半导体器件加工设备
KR20040028530A (ko) 전기 저항로
JP7598480B1 (ja) セラミックヒータ
CN221805238U (zh) 断路器用互感器的安装机构
CN118549865A (zh) 一种超导磁体失超传播装置
CN224153244U (zh) 电力变压器二次绕组短路保护组件
SU873304A1 (ru) Отпа чна печь
CN217005323U (zh) 一种高温感应加热炉感应器、感应加热炉

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 24916798

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1