WO2025134752A1 - 半導体パッケージ、電子機器 - Google Patents

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WO2025134752A1
WO2025134752A1 PCT/JP2024/042640 JP2024042640W WO2025134752A1 WO 2025134752 A1 WO2025134752 A1 WO 2025134752A1 JP 2024042640 W JP2024042640 W JP 2024042640W WO 2025134752 A1 WO2025134752 A1 WO 2025134752A1
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pad
imaging element
element chip
semiconductor package
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悟志 辻
直樹 栫山
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Sony Semiconductor Solutions Corp
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Sony Semiconductor Solutions Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting

Definitions

  • This technology relates to semiconductor packages and electronic devices, for example, semiconductor packages and electronic devices that can be made smaller.
  • a chip such as an image sensor is mounted on a semiconductor mounting substrate and packaged so that the sensor surface of the image sensor is protected by sealing glass.
  • the image sensor and the semiconductor mounting substrate are connected by wire wiring formed by wire bonding (see, for example, Patent Document 1).
  • the sealing glass and the image sensor are connected by resin. If the width of the resin is reduced to make the semiconductor package smaller, there is a risk that the resin will be crushed by the weight of the sealing glass.
  • a first semiconductor package includes an imaging device chip having a first pad, a substrate on which the imaging device chip is mounted and having a second pad, a first wire wiring that connects the first pad to the second pad, the first pads to each other, or the second pads to each other with a metal wire, a second wire wiring that connects the first pad to the second pad with a metal wire, and a resin that is provided around the imaging device chip and bonds a seal glass provided on the light incident surface side of the imaging device chip, the highest point of the first wire wiring being the longest distance from the surface of the imaging device chip is provided at a position closer to the seal glass than the highest point of the second wire wiring, and the highest point of the first wire wiring is a semiconductor package that is encapsulated in the resin.
  • a first electronic device includes an imaging device chip having a first pad, a substrate on which the imaging device chip is mounted and having a second pad, a first wire wiring that connects the first pad to the second pad, the first pads to each other, or the second pads to each other with a metal wire, a second wire wiring that connects the first pad to the second pad with a metal wire, and a resin that is provided around the imaging device chip and bonds a seal glass provided on the light incident surface side of the imaging device chip, the highest point of the first wire wiring that is the longest distance from the surface of the imaging device chip is provided at a position closer to the seal glass than the highest point of the second wire wiring, and the highest point of the first wire wiring is an electronic device that includes a semiconductor package that is encapsulated in the resin.
  • a second semiconductor package includes an imaging element chip having a first pad, a substrate on which the imaging element chip is mounted and has a second pad, a first wire wiring connected to either the first pad or the second pad, a second wire wiring connecting the first pad and the second pad by a metal wire, and a resin provided around the imaging element chip and bonding a seal glass provided on the light incident surface side of the imaging element chip, the highest point of the first wire wiring being the longest distance from the surface of the imaging element chip is provided at a position closer to the seal glass than the highest point of the second wire wiring, and the highest point of the first wire wiring is a semiconductor package encapsulated in the resin.
  • a second electronic device is an electronic device that includes an imaging element chip having a first pad, a substrate on which the imaging element chip is mounted and having a second pad, a first wire wiring connected to either the first pad or the second pad, a second wire wiring connecting the first pad and the second pad by a metal wire, and a resin that is provided around the imaging element chip and bonds a seal glass provided on the light incident surface side of the imaging element chip, the highest point of the first wire wiring being the longest distance from the surface of the imaging element chip is provided at a position closer to the seal glass than the highest point of the second wire wiring, and the highest point of the first wire wiring is an electronic device that includes a semiconductor package encapsulated in the resin.
  • a first semiconductor package includes an imaging element chip having a first pad, a substrate on which the imaging element chip is mounted and having a second pad, a first wire wiring that connects the first pad to the second pad, the first pads to each other, or the second pads to each other with a metal wire, a second wire wiring that connects the first pad to the second pad with a metal wire, and a resin that is provided around the imaging element chip and bonds a seal glass provided on the light incident surface side of the imaging element chip.
  • the highest point of the first wire wiring which is the longest distance from the surface of the imaging element chip, is provided at a position closer to the seal glass than the highest point of the second wire wiring, and the highest point of the first wire wiring is encapsulated in the resin.
  • a first electronic device is provided with the first semiconductor package.
  • a second semiconductor package includes an imaging element chip having a first pad, a substrate on which the imaging element chip is mounted and having a second pad, a first wire wiring connected to either the first pad or the second pad, a second wire wiring connecting the first pad and the second pad by a metal wire, and a resin provided around the imaging element chip and bonding a seal glass provided on the light incident surface side of the imaging element chip.
  • the highest point of the first wire wiring which is the longest distance from the surface of the imaging element chip, is provided at a position closer to the seal glass than the highest point of the second wire wiring, and the highest point of the first wire wiring is encapsulated in the resin.
  • a second electronic device according to one aspect of the present technology is provided with the second semiconductor package.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of a semiconductor package to which the present technology is applied;
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a planar configuration of a semiconductor package.
  • 11A and 11B are diagrams illustrating another example of a planar configuration of a semiconductor package.
  • 11A and 11B are diagrams illustrating another example of a planar configuration of a semiconductor package.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining differences in height of wire wiring.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining how to make wire wiring.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining how to make wire wiring.
  • 13 is a diagram illustrating an example of a planar configuration of a semiconductor package according to a second embodiment;
  • FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a cross-sectional configuration of a semiconductor package according to a second embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a planar configuration of a semiconductor package according to a third embodiment. 13 is a diagram showing an example of a planar configuration of wire wiring according to the third embodiment;
  • FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a planar configuration of a semiconductor package according to a fourth embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a cross-sectional configuration of a semiconductor package according to a fifth embodiment. 13 is a diagram illustrating another example of a cross-sectional configuration of the semiconductor package according to the fifth embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a cross-sectional configuration of a semiconductor package according to a second embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a planar configuration of a semiconductor package according to a third embodiment. 13 is a diagram showing an example of a planar configuration
  • FIG. 23 is a diagram illustrating an example of a cross-sectional configuration of a semiconductor package according to a sixth embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an example of the configuration of an electronic device. 1 is a diagram illustrating an example of a schematic configuration of an endoscopic surgery system. 2 is a block diagram showing an example of the functional configuration of a camera head and a CCU.
  • FIG. 1 is a block diagram showing an example of a schematic configuration of a vehicle control system; 4 is an explanatory diagram showing an example of the installation positions of an outside-vehicle information detection unit and an imaging unit; FIG.
  • Fig. 1 is a diagram showing a cross-sectional configuration example of an embodiment of a semiconductor package to which the present technology is applied
  • Fig. 2 is a diagram showing a planar configuration example.
  • a semiconductor package 11 described below houses and packages an image sensor chip 21 as an image sensor.
  • the semiconductor package 11 shown in FIG. 1 includes an image sensor chip 21, a semiconductor mounting substrate 22, a seal glass 23, a sealing resin 24, a seal glass resin 25, and a die bond resin 26.
  • the image sensor chip 21 and the semiconductor mounting substrate 22 are connected by normal wire wiring 31 and high wire wiring 41.
  • the normal wire wiring 31 and the high wire wiring 41 each have a curved portion, and the curved portion of the high wire wiring 41 is formed at a higher position than the normal wire wiring, so here it is referred to as the high wire wiring 41 to distinguish it from the normal wire wiring 31.
  • the imaging element chip 21 is, for example, an imaging element such as a CCD (Charge Coupled Device) image sensor or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor, and has a sensor surface on which multiple pixels are arranged in an array.
  • CCD Charge Coupled Device
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • the semiconductor mounting substrate 22 is a substrate for mounting the imaging element chip 21.
  • the semiconductor mounting substrate 22 has multiple layers of wiring stacked inside.
  • An insulating film (not shown) such as solder resist is formed on the upper surface of the semiconductor mounting substrate 22, and pads 33 made of a nickel layer or a gold plating layer are provided for joining normal wire wiring 31 or high wire wiring 41.
  • An insulating film (not shown) such as solder resist is formed on the lower surface of the semiconductor mounting substrate 22, and a nickel layer or a gold plating layer is provided for joining solder balls (not shown).
  • the sealing glass 23 is a glass substrate for protecting the sensor surface of the imaging element chip 21, and is provided on the light incident surface side of the semiconductor package 11.
  • the sealing resin 24 is a resin material that is provided to surround the outer periphery of the side surface of the imaging element chip 21 and the sealing glass 23, and is used to seal the normal wire wiring 31 and the high wire wiring 41.
  • the sealing resin 24 can be an epoxy-based resin that begins to harden at temperatures of 50°C or higher.
  • the sealing glass resin 25 is used to mount the sealing glass 23 to the imaging element chip 21.
  • the sealing glass resin 25 may be a mixed resin made by mixing an acrylic system and an epoxy system, which is pre-cured with an ultraviolet amount of 1 J/cm2 or more and starts to thermally cure at 50°C or more, and is cured by ultraviolet light and heat.
  • the die-bond resin 26 is used to mount the image sensor chip 21 on the semiconductor mounting substrate 22.
  • the die-bond resin 26 may be an acrylic, epoxy, or silicone resin that begins to harden at 50°C or higher.
  • solder balls are used when mounting the semiconductor package 11 to an electronic device such as an imaging device, and the solder material may be, for example, a lead-free solder (e.g., Sn-3.0Ag-0.5Cu) with a melting point of approximately 220°C.
  • a lead-free solder e.g., Sn-3.0Ag-0.5Cu
  • the wire wiring 31 connects a pad 33 provided on the semiconductor mounting substrate 22 to a pad 34 provided on the imaging device chip 21 by a metal wire 32.
  • a gold wire with a diameter of 25 ⁇ m is used for the metal wire 32.
  • the high wire wiring 41 connects the pad 33 provided on the semiconductor mounting substrate 22 to the pad 34 provided on the imaging element chip 21 by a metal wire 42.
  • the metal wire 42 may be made of a gold wire having a diameter of, for example, 25 ⁇ m, the same as the metal wire 32, or it may be made of a gold wire thicker than the metal wire 32.
  • the normal wire wiring 31 and the high wire wiring 41 have the same basic configuration and connect the imaging device chip 21 and the semiconductor mounting substrate 22. Although details will be described later, the normal wire wiring 31 and the high wire wiring 41 are both formed in a linear shape and are similar in that they have a partially curved shape, but the difference is that the curved part of the high wire wiring 41 is formed at a higher position than the curved part of the normal wire wiring 31, in other words, at a position closer to the seal glass 23.
  • the high wire wiring 41, together with the seal glass resin 25, has the function of supporting the seal glass 23.
  • the high wire wiring 41 has the function of supporting the seal glass 23 so that the distance between the image sensor chip 21 and the seal glass 23 does not become smaller than a certain distance, and so that the seal glass resin 25 does not become crushed or deformed, for example, horizontally, due to the weight of the seal glass 23 and does not reach the area where the image sensor of the image sensor chip 21 is located.
  • the high wire wiring 41 has the function of supporting the seal glass 23
  • a metal wire 42 thicker than the normal wire wiring 31 may be used.
  • the metal wire 42 of the high wire wiring 41 is illustrated with a thicker line type than the metal wire 32 of the normal wire wiring 31. This description is for the purpose of explanation, and the present embodiment includes the metal wire 42 of the high wire wiring 41 and the metal wire 32 of the normal wire wiring 31 whether they are formed with the same thickness or different thicknesses.
  • one of the multiple normal wire wirings 31 is set as a high wire wiring 41.
  • the image sensor chip 21 is disposed in the central region of the semiconductor mounting substrate 22.
  • the image sensor chip 21 and the semiconductor mounting substrate 22 are connected by a plurality of normal wire wirings 31.
  • the image sensor chip 21 and the semiconductor mounting substrate 22 are each formed in a rectangular shape when viewed in a plan view, with pads 34 provided on three sides of the image sensor chip 21 and pads 33 provided on three sides of the semiconductor mounting substrate 22.
  • the normal wire wiring 31 is configured such that a metal wire 32 connects a pad 34 on the imaging element chip 21 to a pad 33 on the semiconductor mounting substrate 22 that is provided at a corresponding position.
  • the wiring 31 typically includes wires for outputting signals processed by the image sensor chip 21 to a downstream control unit provided on the semiconductor mounting substrate 22, wires for supplying power supply voltage, and grounded wires.
  • one of the three sides on which normal wire wiring 31 is provided is provided as a high wire wiring 41, and one of the multiple normal wire wirings 31 provided on that side is provided as a high wire wiring 41.
  • the high wire wiring 41 is surrounded by a square so that it can be distinguished from the normal wire wiring 31.
  • the normal wire wiring 31 located approximately in the center of the left side in the figure is formed of a high wire wiring 41.
  • the high wire wiring 41 has the function of holding the seal glass 23.
  • the applicant has confirmed that the seal glass 23 can be held by providing one high wire wiring 41. Holding the seal glass 23 means that the position of the seal glass 23 is maintained with a small amount of deformation of the seal glass resin 25, the distance between the seal glass 23 and the imaging element chip 21 in the vertical direction being maintained at or above the desired distance, and the width of the seal glass resin 25 in the planar direction not exceeding the desired width.
  • the seal glass 23 is held by the seal glass resin 25, but if the width of the seal glass resin 25 in the planar direction is narrowed in order to miniaturize the semiconductor package 11, in other words, if the amount of seal glass resin 25 applied is reduced, the seal glass resin 25 may not be strong enough to hold the seal glass 23 and may deform, resulting in a state in which the seal glass 23 cannot be held.
  • the high wire wiring 41 is provided. By providing the high wire wiring 41, the seal glass 23 can be held not only by the seal glass resin 25 but also by the high wire wiring 41, preventing the seal glass resin 25 from deforming and making it possible to hold the seal glass 23 in the appropriate position.
  • the high wire wiring 41f included in the semiconductor package 11f shown in FIG. 15 has a shape similar to that of the high wire wiring 41 in the first embodiment shown in FIG. 1, but cut in the middle.
  • the input device 11204 is an input interface for the endoscopic surgery system 11000.
  • a user can input various information and instructions to the endoscopic surgery system 11000 via the input device 11204.
  • the user inputs an instruction to change the imaging conditions (type of irradiation light, magnification, focal length, etc.) of the endoscope 11100.
  • the light source device 11203 may be controlled to change the intensity of the light it outputs at predetermined time intervals.
  • the image sensor of the camera head 11102 may be controlled to acquire images in a time-division manner in synchronization with the timing of the change in the light intensity, and the images may be synthesized to generate an image with a high dynamic range that is free of so-called blackout and whiteout.
  • excitation light is irradiated to body tissue and fluorescence from the body tissue is observed (autofluorescence observation), or a reagent such as indocyanine green (ICG) is locally injected into the body tissue and excitation light corresponding to the fluorescence wavelength of the reagent is irradiated to the body tissue to obtain a fluorescent image.
  • the light source device 11203 may be configured to supply narrow band light and/or excitation light corresponding to such special light observation.
  • FIG. 18 is a block diagram showing an example of the functional configuration of the camera head 11102 and CCU 11201 shown in FIG. 17.
  • the camera head 11102 has a lens unit 11401, an imaging unit 11402, a drive unit 11403, a communication unit 11404, and a camera head control unit 11405.
  • the CCU 11201 has a communication unit 11411, an image processing unit 11412, and a control unit 11413.
  • the camera head 11102 and the CCU 11201 are connected to each other via a transmission cable 11400 so that they can communicate with each other.
  • the lens unit 11401 is an optical system provided at the connection with the lens barrel 11101. Observation light taken in from the tip of the lens barrel 11101 is guided to the camera head 11102 and enters the lens unit 11401.
  • the lens unit 11401 is composed of a combination of multiple lenses including a zoom lens and a focus lens.
  • the imaging unit 11402 may include one imaging element (a so-called single-plate type) or multiple imaging elements (a so-called multi-plate type).
  • each imaging element may generate an image signal corresponding to each of RGB, and a color image may be obtained by combining these.
  • the imaging unit 11402 may be configured to have a pair of imaging elements for acquiring image signals for the right eye and the left eye corresponding to a 3D (dimensional) display. By performing a 3D display, the surgeon 11131 can more accurately grasp the depth of the biological tissue in the surgical site.
  • multiple lens units 11401 may be provided corresponding to each imaging element.
  • the imaging unit 11402 does not necessarily have to be provided in the camera head 11102.
  • the imaging unit 11402 may be provided inside the lens barrel 11101, immediately after the objective lens.
  • the driving unit 11403 is composed of an actuator, and moves the zoom lens and focus lens of the lens unit 11401 a predetermined distance along the optical axis under the control of the camera head control unit 11405. This allows the magnification and focus of the image captured by the imaging unit 11402 to be adjusted appropriately.
  • the communication unit 11404 is configured with a communication device for transmitting and receiving various information to and from the CCU 11201.
  • the communication unit 11404 transmits the image signal obtained from the imaging unit 11402 as RAW data to the CCU 11201 via the transmission cable 11400.
  • the above-mentioned frame rate, exposure value, magnification, focus, and other imaging conditions may be appropriately specified by the user, or may be automatically set by the control unit 11413 of the CCU 11201 based on the acquired image signal.
  • the endoscope 11100 is equipped with the so-called AE (Auto Exposure) function, AF (Auto Focus) function, and AWB (Auto White Balance) function.
  • the camera head control unit 11405 controls the operation of the camera head 11102 based on a control signal from the CCU 11201 received via the communication unit 11404.
  • the communication unit 11411 is configured with a communication device for transmitting and receiving various information to and from the camera head 11102.
  • the communication unit 11411 receives an image signal transmitted from the camera head 11102 via the transmission cable 11400.
  • the communication unit 11411 also transmits to the camera head 11102 a control signal for controlling the operation of the camera head 11102.
  • the image signal and the control signal can be transmitted by electrical communication, optical communication, etc.
  • the image processing unit 11412 performs various image processing operations on the image signal, which is the RAW data transmitted from the camera head 11102.
  • the control unit 11413 performs various controls related to the imaging of the surgical site, etc. by the endoscope 11100, and the display of the captured images obtained by imaging the surgical site, etc. For example, the control unit 11413 generates a control signal for controlling the driving of the camera head 11102.
  • the control unit 11413 also causes the display device 11202 to display the captured image showing the surgical site, etc., based on the image signal that has been image-processed by the image processing unit 11412. At this time, the control unit 11413 may recognize various objects in the captured image using various image recognition techniques. For example, the control unit 11413 can recognize surgical tools such as forceps, specific body parts, bleeding, mist generated when the energy treatment tool 11112 is used, etc., by detecting the shape and color of the edges of objects included in the captured image. When the control unit 11413 causes the display device 11202 to display the captured image, it may use the recognition result to superimpose various types of surgical support information on the image of the surgical site. By superimposing the surgical support information and presenting it to the surgeon 11131, the burden on the surgeon 11131 can be reduced and the surgeon 11131 can proceed with the surgery reliably.
  • various image recognition techniques such as forceps, specific body parts, bleeding, mist generated when the energy treatment tool 11112 is used, etc.
  • the transmission cable 11400 that connects the camera head 11102 and the CCU 11201 is an electrical signal cable that supports electrical signal communication, an optical fiber that supports optical communication, or a composite cable of these.
  • communication is performed wired using a transmission cable 11400, but communication between the camera head 11102 and the CCU 11201 may also be performed wirelessly.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure may be realized as a device mounted on any type of moving body such as an automobile, an electric vehicle, a hybrid electric vehicle, a motorcycle, a bicycle, a personal mobility device, an airplane, a drone, a ship, or a robot.
  • FIG. 19 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system, which is an example of a mobile object control system to which the technology disclosed herein can be applied.
  • the vehicle control system 12000 includes a plurality of electronic control units connected via a communication network 12001.
  • the vehicle control system 12000 includes a drive system control unit 12010, a body system control unit 12020, an outside vehicle information detection unit 12030, an inside vehicle information detection unit 12040, and an integrated control unit 12050.
  • Also shown as functional components of the integrated control unit 12050 are a microcomputer 12051, an audio/video output unit 12052, and an in-vehicle network I/F (Interface) 12053.
  • the drive system control unit 12010 controls the operation of devices related to the drive system of the vehicle according to various programs.
  • the drive system control unit 12010 functions as a control device for a drive force generating device for generating the drive force of the vehicle, such as an internal combustion engine or a drive motor, a drive force transmission mechanism for transmitting the drive force to the wheels, a steering mechanism for adjusting the steering angle of the vehicle, and a braking device for generating a braking force for the vehicle.
  • the body system control unit 12020 controls the operation of various devices installed in the vehicle body according to various programs.
  • the body system control unit 12020 functions as a control device for a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or various lamps such as headlamps, tail lamps, brake lamps, turn signals, and fog lamps.
  • radio waves or signals from various switches transmitted from a portable device that replaces a key can be input to the body system control unit 12020.
  • the body system control unit 12020 accepts the input of these radio waves or signals and controls the vehicle's door lock device, power window device, lamps, etc.
  • the outside-vehicle information detection unit 12030 detects information outside the vehicle equipped with the vehicle control system 12000.
  • the image capturing unit 12031 is connected to the outside-vehicle information detection unit 12030.
  • the outside-vehicle information detection unit 12030 causes the image capturing unit 12031 to capture images outside the vehicle and receives the captured images.
  • the outside-vehicle information detection unit 12030 may perform object detection processing or distance detection processing for people, cars, obstacles, signs, characters on the road surface, etc. based on the received images.
  • the imaging unit 12031 is an optical sensor that receives light and outputs an electrical signal according to the amount of light received.
  • the imaging unit 12031 can output the electrical signal as an image, or as distance measurement information.
  • the light received by the imaging unit 12031 may be visible light, or may be invisible light such as infrared light.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 detects information inside the vehicle.
  • a driver state detection unit 12041 that detects the state of the driver is connected.
  • the driver state detection unit 12041 includes, for example, a camera that captures an image of the driver, and the in-vehicle information detection unit 12040 may calculate the driver's degree of fatigue or concentration based on the detection information input from the driver state detection unit 12041, or may determine whether the driver is dozing off.
  • the microcomputer 12051 can calculate control target values for the driving force generating device, steering mechanism, or braking device based on information inside and outside the vehicle acquired by the outside vehicle information detection unit 12030 or the inside vehicle information detection unit 12040, and output control commands to the drive system control unit 12010.
  • the microcomputer 12051 can perform cooperative control aimed at realizing the functions of an ADAS (Advanced Driver Assistance System), including vehicle collision avoidance or impact mitigation, following driving based on the distance between vehicles, maintaining vehicle speed, vehicle collision warning, or vehicle lane departure warning.
  • ADAS Advanced Driver Assistance System
  • the microcomputer 12051 can also perform cooperative control for the purpose of autonomous driving, which allows the vehicle to travel autonomously without relying on the driver's operation, by controlling the driving force generating device, steering mechanism, braking device, etc. based on information about the surroundings of the vehicle acquired by the outside vehicle information detection unit 12030 or the inside vehicle information detection unit 12040.
  • the microcomputer 12051 can also output control commands to the body system control unit 12030 based on information outside the vehicle acquired by the outside information detection unit 12030. For example, the microcomputer 12051 can control the headlamps according to the position of a preceding vehicle or an oncoming vehicle detected by the outside information detection unit 12030, and perform cooperative control aimed at preventing glare, such as switching high beams to low beams.
  • the audio/image output unit 12052 transmits at least one output signal of audio and image to an output device capable of visually or audibly notifying the occupants of the vehicle or the outside of the vehicle of information.
  • an audio speaker 12061, a display unit 12062, and an instrument panel 12063 are exemplified as output devices.
  • the display unit 12062 may include, for example, at least one of an on-board display and a head-up display.
  • FIG. 20 shows an example of the installation position of the imaging unit 12031.
  • the imaging unit 12031 includes imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105.
  • the imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105 are provided, for example, at the front nose, side mirrors, rear bumper, back door, and upper part of the windshield inside the vehicle cabin of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12101 provided at the front nose and the imaging unit 12105 provided at the upper part of the windshield inside the vehicle cabin mainly acquire images of the front of the vehicle 12100.
  • the imaging units 12102 and 12103 provided at the side mirrors mainly acquire images of the sides of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12104 provided at the rear bumper or back door mainly acquires images of the rear of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12105 provided at the upper part of the windshield inside the vehicle cabin is mainly used to detect leading vehicles, pedestrians, obstacles, traffic lights, traffic signs, lanes, etc.
  • FIG. 20 shows an example of the imaging ranges of the imaging units 12101 to 12104.
  • Imaging range 12111 indicates the imaging range of the imaging unit 12101 provided on the front nose
  • imaging ranges 12112 and 12113 indicate the imaging ranges of the imaging units 12102 and 12103 provided on the side mirrors, respectively
  • imaging range 12114 indicates the imaging range of the imaging unit 12104 provided on the rear bumper or back door.
  • an overhead image of the vehicle 12100 viewed from above is obtained by superimposing the image data captured by the imaging units 12101 to 12104.
  • the audio/image output unit 12052 controls the display unit 12062 to superimpose a rectangular contour line for emphasis on the recognized pedestrian.
  • the audio/image output unit 12052 may also control the display unit 12062 to display an icon or the like indicating a pedestrian at a desired position.
  • an imaging element chip having a first pad; a substrate on which the imaging element chip is mounted and which has a second pad; a first wire interconnection that connects the first pad and the second pad, the first pads together, or the second pads together by a metal wire; a second wire interconnection connecting the first pad and the second pad by a metal wire; a resin provided around the imaging element chip and for bonding a seal glass provided on a light incident surface side of the imaging element chip; a maximum point of the first wire that is farthest from a surface of the imaging element chip is located closer to the seal glass than a maximum point of the second wire; An electronic device comprising a semiconductor package, the highest point of the first wire being encapsulated in resin.
  • an imaging element chip having a first pad; a substrate on which the imaging element chip is mounted and which has a second pad; a first wire connected to either the first pad or the second pad; a second wire interconnection connecting the first pad and the second pad by a metal wire; a resin provided around the imaging element chip and for bonding a seal glass provided on a light incident surface side of the imaging element chip; a maximum point of the first wire that is farthest from a surface of the imaging element chip is located closer to the seal glass than a maximum point of the second wire; An electronic device comprising a semiconductor package, the highest point of the first wire being encapsulated in resin.

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Abstract

本技術は、半導体パッケージを小型化することができるようにする半導体パッケージ、電子機器に関する。 第１のパッドを有する撮像素子チップと、撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、第１のパッドと第２のパッド、第１のパッド同士、または第２のパッド同士を金属ワイヤによって接続する第１のワイヤ配線と、第１のパッドと第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、撮像素子チップの周囲に設けられ、撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂とを備え、撮像素子チップの表面からの距離が最長となる第１のワイヤ配線の最高点は、第２のワイヤ配線の最高点よりもシールガラスに近い位置に設けられ、第１のワイヤ配線の最高点は、樹脂に内包されている。本技術は、例えば、撮像素子を含む半導体パッケージに適用できる。

Description

半導体パッケージ、電子機器
　本技術は半導体パッケージ、電子機器に関し、例えば、小型化できるようにした半導体パッケージ、電子機器に関する。
　従来、撮像素子などのチップを半導体搭載基板に搭載し、撮像素子のセンサ面をシールガラスで保護するようにパッケージ化した半導体パッケージでは、撮像素子および半導体搭載基板が、ワイヤボンディングによって形成されるワイヤ配線により接続される（例えば、特許文献１参照）。
特開2003-243673号公報
　半導体パッケージでは、シールガラスと撮像素子とが樹脂により接続されている。半導体パッケージを小型化するために、樹脂の幅を縮小すると、シールガラスの自重で樹脂が潰れてしまう可能性があった。
　樹脂が潰れることにより、撮像素子のセンサ面上に樹脂がかかってしまったり、シールガラスとセンサ面との間の距離が所望とされる距離よりも短くなってしまったりする可能性があった。
　樹脂が潰れるようなことなく、半導体パッケージを小型化することが望まれている。
　本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、半導体パッケージを小型化することができるようにするものである。
　本技術の一側面の第１の半導体パッケージは、第１のパッドを有する撮像素子チップと、前記撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、前記第１のパッドと前記第２のパッド、前記第１のパッド同士、または前記第２のパッド同士を金属ワイヤによって接続する第１のワイヤ配線と、前記第１のパッドと前記第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、前記撮像素子チップの周囲に設けられ、前記撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂とを備え、前記撮像素子チップの表面からの距離が最長となる前記第１のワイヤ配線の最高点は、前記第２のワイヤ配線の最高点よりも前記シールガラスに近い位置に設けられ、前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記樹脂に内包されている半導体パッケージである。
　本技術の一側面の第１の電子機器は、第１のパッドを有する撮像素子チップと、前記撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、前記第１のパッドと前記第２のパッド、前記第１のパッド同士、または前記第２のパッド同士を金属ワイヤによって接続する第１のワイヤ配線と、前記第１のパッドと前記第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、前記撮像素子チップの周囲に設けられ、前記撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂とを備え、前記撮像素子チップの表面からの距離が最長となる前記第１のワイヤ配線の最高点は、前記第２のワイヤ配線の最高点よりも前記シールガラスに近い位置に設けられ、前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記樹脂に内包されている半導体パッケージを備える電子機器である。
　本技術の一側面の第２の半導体パッケージは、第１のパッドを有する撮像素子チップと、前記撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、前記第１のパッドまたは前記第２のパッドのどちらか一方と接続されている第１のワイヤ配線と、前記第１のパッドと前記第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、前記撮像素子チップの周囲に設けられ、前記撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂とを備え、前記撮像素子チップの表面からの距離が最長となる前記第１のワイヤ配線の最高点は、前記第２のワイヤ配線の最高点よりも前記シールガラスに近い位置に設けられ、前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記樹脂に内包されている半導体パッケージである。
　本技術の一側面の第２の電子機器は、第１のパッドを有する撮像素子チップと、撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、第１のパッドまたは第２のパッドのどちらか一方と接続されている第１のワイヤ配線と、第１のパッドと第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、撮像素子チップの周囲に設けられ、撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂とを備え、撮像素子チップの表面からの距離が最長となる第１のワイヤ配線の最高点は、第２のワイヤ配線の最高点よりもシールガラスに近い位置に設けられ、第１のワイヤ配線の最高点は、樹脂に内包されている半導体パッケージを備える電子機器である。
　本技術の一側面の第１の半導体パッケージにおいては、第１のパッドを有する撮像素子チップと、撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、第１のパッドと第２のパッド、第１のパッド同士、または前記第２のパッド同士を金属ワイヤによって接続する第１のワイヤ配線と、第１のパッドと第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、撮像素子チップの周囲に設けられ、撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂とが備えられる。撮像素子チップの表面からの距離が最長となる第１のワイヤ配線の最高点は、第２のワイヤ配線の最高点よりもシールガラスに近い位置に設けられ、第１のワイヤ配線の最高点は、樹脂に内包されている。
　本技術の一側面の第１の電子機器においては、前記第１の半導体パッケージが備えられている。
　本技術の一側面の第２の半導体パッケージにおいては、第１のパッドを有する撮像素子チップと、撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、第１のパッドまたは第２のパッドのどちらか一方と接続されている第１のワイヤ配線と、第１のパッドと第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、撮像素子チップの周囲に設けられ、撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂とが備えられる。撮像素子チップの表面からの距離が最長となる第１のワイヤ配線の最高点は、第２のワイヤ配線の最高点よりもシールガラスに近い位置に設けられ、第１のワイヤ配線の最高点は、樹脂に内包されている。
　本技術の一側面の第２の電子機器においては、前記第２の半導体パッケージが備えられている。
本技術を適用した半導体パッケージの一実施の形態の構成を示す図である。 半導体パッケージの平面構成例を示す図である。 半導体パッケージの他の平面構成例を示す図である。 半導体パッケージの他の平面構成例を示す図である。 ワイヤ配線の高さの違いについて説明するための図である。 ワイヤ配線の作り方について説明するための図である。 ワイヤ配線の作り方について説明するための図である。 第２の実施の形態における半導体パッケージの平面構成例を示す図である。 第２の実施の形態における半導体パッケージの断面構成例を示す図である。 第３の実施の形態における半導体パッケージの平面構成例を示す図である。 第３の実施の形態におけるワイヤ配線の平面構成例を示す図である。 第４の実施の形態における半導体パッケージの平面構成例を示す図である。 第５の実施の形態における半導体パッケージの断面構成例を示す図である。 第５の実施の形態における半導体パッケージの他の断面構成例を示す図である。 第６の実施の形態における半導体パッケージの断面構成例を示す図である。 電子機器の構成例を示す図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
　以下に、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。
　＜半導体パッケージの構成例＞
　図１は本技術を適用した半導体パッケージの一実施の形態の断面構成例を示す図であり、図２は、平面構成例を示す図である。以下に説明する半導体パッケージ１１は、イメージセンサとしての撮像素子チップ２１を収納してパッケージングしている。
　図１に示す半導体パッケージ１１は、撮像素子チップ２１、半導体搭載基板２２、シールガラス２３、封止樹脂２４、シールガラス樹脂２５、ダイボンド樹脂２６を備えている。半導体パッケージ１１では、撮像素子チップ２１および半導体搭載基板２２が通常ワイヤ配線３１および高ワイヤ配線４１によって接続される。
　詳細は後述するが、通常ワイヤ配線３１と高ワイヤ配線４１はそれぞれ湾曲部分を有し、その湾曲部分は、高ワイヤ配線４１の方が、通常ワイヤ配線よりも高い位置に形成されているため、ここでは高ワイヤ配線４１と記述し、通常ワイヤ配線３１と区別する。
　撮像素子チップ２１は、例えば、CCD（Charge Coupled Device）イメージセンサやCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサなどの撮像素子であり、複数の画素がアレイ状に配置されたセンサ面を有する。
　半導体搭載基板２２は、撮像素子チップ２１を搭載するための基板である。半導体搭載基板２２は、複数層の配線が内部に積層された構成とされている。半導体搭載基板２２の上面側には、ソルダーレジストなどの絶縁膜（不図示）が成膜されているとともに、通常ワイヤ配線３１または高ワイヤ配線４１を接合するためのニッケル層や金メッキ層からなるパッド３３が設けられる。半導体搭載基板２２の下面側には、ソルダーレジストなどの絶縁膜（不図示）が成膜されるとともに、はんだボール（不図示）を接合するためのニッケル層や金メッキ層が設けられている。
　シールガラス２３は、撮像素子チップ２１のセンサ面を保護するためのガラス基板であり、半導体パッケージ１１の光入射面側に設けられている。
　封止樹脂２４は、撮像素子チップ２１およびシールガラス２３の側面の外周を囲うように設けられ、通常ワイヤ配線３１と高ワイヤ配線４１を封止するための樹脂部材である。例えば、封止樹脂２４としては、50℃度以上で硬化を開始するエポキシ系の樹脂を採用することができる。
　シールガラス樹脂２５は、撮像素子チップ２１に対してシールガラス２３を実装するのに用いられる。例えば、シールガラス樹脂２５としては、紫外線量１J/cm2以上で仮硬化し、50℃以上で熱硬化を開始するようなアクリル系とエポキシ系とを混合した混合樹脂を採用することができ、紫外線および熱により硬化を実施する。
　ダイボンド樹脂２６は、半導体搭載基板２２に対して撮像素子チップ２１を実装するのに用いられる。例えば、ダイボンド樹脂２６としては、50℃度以上で硬化を開始するアクリル系、エポキシ系、またはシリコーン系の樹脂を採用することができる。
　はんだボール（不図示）は、半導体パッケージ１１を撮像装置などの電子機器に実装する際に利用され、はんだ材としては、例えば、融点が約220℃である鉛フリーハンダ（例えば、Sn-3.0Ag-0.5Cu）を採用することができる。
　通常ワイヤ配線３１は、金属ワイヤ３２によって、半導体搭載基板２２に設けられたパッド３３と撮像素子チップ２１に設けられたパッド３４とを接続する。金属ワイヤ３２には、例えば、直径２５μｍの金線が用いられる。
　高ワイヤ配線４１は、金属ワイヤ４２によって、半導体搭載基板２２に設けられたパッド３３と撮像素子チップ２１に設けられたパッド３４とを接続する。金属ワイヤ４２には、金属ワイヤ３２と同じ例えば、直径２５μｍの金線が用いられるようにしても良いし、金属ワイヤ３２よりも太い金線が用いられるようにすることもできる。
　通常ワイヤ配線３１と高ワイヤ配線４１は、基本的な構成は同じであり、撮像素子チップ２１と半導体搭載基板２２を接続する。詳細は後述するが、通常ワイヤ配線３１と高ワイヤ配線４１は共に線状で形成され、一部が湾曲する形状を有している点は同様であるが、高ワイヤ配線４１の湾曲した形状の部分は、通常ワイヤ配線３１の湾曲した形状の部分よりも高い位置、換言すれば、シールガラス２３に近い位置に形成されている点が異なる。
　高ワイヤ配線４１は、シールガラス樹脂２５とともに、シールガラス２３を支える機能を有している。高ワイヤ配線４１は、撮像素子チップ２１とシールガラス２３との間の距離が一定の距離以下にならないように、またシールガラス樹脂２５がシールガラス２３の重みで潰れ、変形、例えば横方向に変形し、撮像素子チップ２１の撮像素子が設けられている領域に係るようなことがないようにシールガラス２３を支える機能を有する。
　高ワイヤ配線４１は、シールガラス２３を支える機能を有するため、通常ワイヤ配線３１よりも太い金属ワイヤ４２が用いられるようにしても良い。なお、以下の説明においては、高ワイヤ配線４１と通常ワイヤ配線３１を区別するために、高ワイヤ配線４１の金属ワイヤ４２は、通常ワイヤ配線３１の金属ワイヤ３２よりも太い線種で図示している。このような記載は、説明のためであり、高ワイヤ配線４１の金属ワイヤ４２と通常ワイヤ配線３１の金属ワイヤ３２は、同じ太さで形成されていても、異なる太さで形成されていても本実施の形態に含まれる。
　図２に示すように、例えば、複数の通常ワイヤ配線３１のうちの１箇所が高ワイヤ配線４１とされる。
　図２に示した半導体パッケージ１１の平面構成例においては、半導体搭載基板２２の中央領域に撮像素子チップ２１が配置されている。撮像素子チップ２１と半導体搭載基板２２は、複数の通常ワイヤ配線３１で接続されている。
　図２に示した例では、平面視において撮像素子チップ２１と半導体搭載基板２２がそれぞれ四角形状で形成され、撮像素子チップ２１の３辺にパッド３４が設けられ、半導体搭載基板２２の３辺にパッド３３が設けられている。
　通常ワイヤ配線３１は、金属ワイヤ３２により撮像素子チップ２１のパッド３４と、対応する位置に設けられている半導体搭載基板２２のパッド３３が接続された構成とされている。
　通常ワイヤ配線３１には、撮像素子チップ２１で処理された信号等を、半導体搭載基板２２に設けられた後段の制御部などに出力するためワイヤや、電源電圧を供給するワイヤや、接地されているワイヤなどが含まれる。
　図２に示した例では、通常ワイヤ配線３１が設けられている３辺のうちの１辺に、またその１辺に設けられている複数の通常ワイヤ配線３１のうちの１本が、高ワイヤ配線４１として設けられている例を示した。説明のため、高ワイヤ配線４１は四角で囲み、通常ワイヤ配線３１と区別が付くように図示し説明を続ける。図２に示した例では、図中左側の１辺の略中央に位置する通常ワイヤ配線３１は、高ワイヤ配線４１で形成されている。
　高ワイヤ配線４１は、シールガラス２３を保持する機能を有する。本出願人は、高ワイヤ配線４１を１箇所設けることで、シールガラス２３を保持できることを確認している。シールガラス２３を保持するとは、シールガラス樹脂２５の変形量が少なく、垂直方向においてシールガラス２３と撮像素子チップ２１との距離が所望とされている距離以上保たれ、平面方向においてシールガラス樹脂２５の幅が所望とされる幅以上にならない状態で、シールガラス２３の位置が保たれることを意味する。
　シールガラス２３は、シールガラス樹脂２５により保持されるが、例えば、半導体パッケージ１１を小型化するために、シールガラス樹脂２５の平面方向における幅を狭くした場合、換言すれば、シールガラス樹脂２５の塗布量が少なくなった場合、シールガラス２３を保持するのに十分な強度を保てずにシールガラス樹脂２５が変形してしまい、シールガラス２３を保持できない状態となる可能性がある。そのようなことを防ぐために、高ワイヤ配線４１は設けられている。高ワイヤ配線４１を設けることで、シールガラス樹脂２５だけではなく、高ワイヤ配線４１でもシールガラス２３を保持できるようになり、シールガラス樹脂２５が変形するようなことを防ぎ、シールガラス２３を適切な位置で保持できるようになる。
　高ワイヤ配線４１が一箇所だけでもシールガラス２３を適切に保持できるが、１箇所だけだと、シールガラス２３が傾いてしまう可能性がある。図３に示したように、高ワイヤ配線４１を３箇所設けるようにしても良い。図３に示した例では、撮像素子チップ２１の図中上辺に高ワイヤ配線４１－１が配置され、撮像素子チップ２１の図中左辺に高ワイヤ配線４１－２が配置され、撮像素子チップ２１の図中下辺に高ワイヤ配線４１－３が配置されている。このように、３箇所に高ワイヤ配線４１を設けることで、より確実に、シールガラス２３を保持し、シールガラス２３が傾くようなことがないように保持することができる。
　図示はしていないが、撮像素子チップ２１の対向する位置にある２辺に、それぞれ高ワイヤ配線４１が設けられている、換言すれば２箇所設けられている構成とすることもできる。
　図４に示すように、４辺に、高ワイヤ配線４１が設けられている構成としても良い。図４を参照するに、撮像素子チップ２１の４辺に、それぞれ高ワイヤ配線４１が配置されている。図４に示した例では、撮像素子チップ２１の図中上辺に高ワイヤ配線４１－１が配置され、撮像素子チップ２１の図中左辺に高ワイヤ配線４１－２が配置され、撮像素子チップ２１の図中下辺に高ワイヤ配線４１－３が配置され、撮像素子チップ２１の図中右辺に高ワイヤ配線４１－４が配置されている。
　高ワイヤ配線４１－４が設けられている辺には、通常ワイヤ配線３１は設けられていない。このように通常ワイヤ配線３１が設けられていない辺に、高ワイヤ配線４１を配置する構成とすることも可能である。
　上記した実施の形態においては、１辺に１つの高ワイヤ配線４１が配置されている例を示したが、１辺に２以上の高ワイヤ配線４１が配置されているようにしても良い。
　＜通常ワイヤ配線３１と高ワイヤ配線４１との比較＞
　図５は、通常ワイヤ配線３１と高ワイヤ配線４１の高さの違いについて説明するための図である。図５の左図は、高ワイヤ配線４１の部分を拡大した断面図であり、図５の右図は、通常ワイヤ配線３１の部分を拡大した断面図である。図５では、封止樹脂２４（図１）は図示していない。図５に示したように封止樹脂２４を備えない半導体パッケージ１１に対しても本技術を適用することはできる。
　図５の右図を参照するに、通常ワイヤ配線３１の金属ワイヤ３２の一方は、撮像素子チップ２１に設けられているパッド３４と接続され、他方は、半導体搭載基板２２に設けられているパッド３３と接続されている。通常ワイヤ配線３１の金属ワイヤ３２は、線状のワイヤであり、横から見た場合、湾曲した部分がある形状で形成されている。金属ワイヤ３２の湾曲した部分は、シールガラス樹脂２５外に位置している。図５では図示していない封止樹脂２４に、金属ワイヤ３２の湾曲した部分が内包されている構成としても良い。
　図５の左図を参照するに、高ワイヤ配線４１の金属ワイヤ４２の一方は、撮像素子チップ２１に設けられているパッド３４と接続され、他方は、半導体搭載基板２２に設けられているパッド３３と接続されている。高ワイヤ配線４１の金属ワイヤ４２は、線状のワイヤであり、横から見た場合、湾曲した部分がある形状で形成されている。金属ワイヤ４２の湾曲した部分は、シールガラス樹脂２５内に位置し、シールガラス樹脂２５内に内包されている。
　通常ワイヤ配線３１の湾曲部分の最高点の位置を位置Ｐ１とし、高ワイヤ配線４１の湾曲部分の最高点の位置を位置Ｐ２とする。最高点の高さは、例えば、撮像素子チップ２１とシールガラス樹脂２５との界面を基準とした高さとすることができる。最高点は、基準となる位置から距離が最長となる位置とすることができる。位置Ｐ１と位置Ｐ２との差分は差分ａとなる。すなわち、通常ワイヤ配線３１の湾曲部分の最高点の位置よりも差分ａだけ高い位置に、高ワイヤ配線４１の湾曲部分の最高点がある。
　図５の右図では、通常ワイヤ配線３１の湾曲部分は、シールガラス樹脂２５外に位置している例を示しているが、シールガラス樹脂２５に内包されている形状であっても良い。通常ワイヤ配線３１の湾曲部分が、シールガラス樹脂２５に内包されている形状であっても、通常ワイヤ配線３１の湾曲部分の最高点の位置よりも差分ａだけ高い位置に、高ワイヤ配線４１の湾曲部分の最高点があるという関係が満たされるように、通常ワイヤ配線３１と高ワイヤ配線４１は、それぞれ形成されている。
　高ワイヤ配線４１は、通常ワイヤ配線３１よりも最高点が高くなるように形成されている。高ワイヤ配線４１の湾曲部分、換言すれば、高ワイヤ配線４１の最高点を含む所定の範囲内の金属ワイヤ４２は、シールガラス２３と一部接触する部分がある、またはシールガラス２３と所定の距離だけ離れた位置となるような高さまで形成されている。高ワイヤ配線４１の湾曲部分（最高点）とシールガラス２３との距離ｂは、例えば、高ワイヤ配線４１の金属ワイヤ４２の太さと同程度または太さ以下に該当する長さである。
　高ワイヤ配線４１がシールガラス２３と接触するか否かは、シールガラス２３の大きさ（重さ）や、シールガラス樹脂２５を設ける幅（量）や、シールガラス樹脂２５の材料などに依存する。高ワイヤ配線４１を設けることで、シールガラス２３をシールガラス樹脂２５だけでなく、高ワイヤ配線４１でも保持することができるようになる。
　高ワイヤ配線４１は、シールガラス２３と接触する可能性があるが、通常ワイヤ配線３１は、シールガラス２３とは接触しないような高さ、形状で形成されている。通常ワイヤ配線３１がシールガラス２３と接触すると、通常ワイヤ配線３１を介して信号にノイズが載る可能性があるため、このようなことを防ぐために、通常ワイヤ配線３１は、シールガラス２３と接触することがないように構成されている。また、高ワイヤ配線４１を設けることで、シールガラス樹脂２５を所望の位置で固定することができるため、通常ワイヤ配線３１が、シールガラス２３と接触するようなことをより確実に防ぐことが可能となる。
　通常ワイヤ配線３１は、ノイズが載らないように構成されているため、撮像素子チップ２１で処理された信号等を、半導体搭載基板２２に設けられた後段の制御部などに出力するためワイヤや、電源電圧を供給するワイヤや、接地されているワイヤなどとして用いられる。高ワイヤ配線４１は、シールガラス２３と接触する可能性があるため、電源電圧を供給するワイヤや、接地されているワイヤ、またはダミー配線として設けられる。ダミー配線とは、信号や電源電圧を供給しない線である。また、高ワイヤ配線４１がダミー配線として設けられている場合、ダミー配線と接続されているパッド３３やパッド３４も、信号や電源電圧が供給されないダミーパッドとして設けられている。
　高ワイヤ配線４１をダミー配線とした場合、１つのパッド３３に、通常ワイヤ配線３１と高ワイヤ配線４１の両方が接続されている構成とすることもできる。
　シールガラス樹脂２５は、撮像素子チップ２１を封止する機能と、シールガラス２３を保持する機能を有している。高ワイヤ配線４１を設けることで、シールガラス２３を保持する機能を、高ワイヤ配線４１にも持たせることができるため、シールガラス樹脂２５自体は、シールガラス２３を保持する機能が弱くなっても良くなる。例えば、シールガラス樹脂２５は、撮像素子チップ２１を封止する機能に特化した材料や、半導体パッケージ１１内で発生した熱を外部に放出する熱伝導性が高い材料を用いたりすることができ、シールガラス樹脂２５の材料の選択肢を広げることができる。
　＜通常ワイヤ配線３１と高ワイヤ配線４１の形成の仕方について＞
　図６を参照して通常ワイヤ配線３１と高ワイヤ配線４１の形成の仕方について説明を加える。
　通常ワイヤ配線３１は、図６のＡに示すように、リバースボンドと称される方法でボンディングすることで形成することができる。リバースボンドで通常ワイヤ配線３１を形成する場合、ノズルから所定の太さの金線が排出され、スパークで先端が溶融され、半導体搭載基板２２のパッド３３上にボールが形成される（１ｓｔボンドが作成される）。
　ボールがパッド３３に圧着されると、撮像素子チップ２１と金線が接触しないように、ループ（湾曲部分に該当）が形成される。撮像素子チップ２１のパッド３４に、金線が圧着され、切断される（２ｎｄボンドが作成される）。
　リバースボンドで通常ワイヤ配線３１を形成した場合、図６のＡに示したように、撮像素子チップ２１のセンサ面（表面とする）からの高さが高さｃの位置に、ループ（湾曲部分）が来るような金属ワイヤ３２を有する通常ワイヤ配線３１を形成することができる。
　高ワイヤ配線４１は、図６のＢに示すように、ノーマルボンドと称される方法でボンディングすることで形成することができる。ノーマルボンドで高ワイヤ配線４１を形成する場合、ノズルから所定の太さの金線が排出され、スパークで先端が溶融され、撮像素子チップ２１のパッド３４上にボールが形成される（１ｓｔボンドが作成される）。
　ボールがパッド３４に圧着されると、撮像素子チップ２１と金線が接触しないように、ループ（湾曲部分に該当）が形成される。このとき金線が引き上げられることで、撮像素子チップ２１の表面から高さｄの位置にループ（湾曲部分）が位置するように加工することができる。
　ループ形成後、半導体搭載基板２２のパッド３３に、金線が圧着され、切断される（２ｎｄボンドが形成される）。ノーマルボンドで高ワイヤ配線４１を形成した場合、図６のＢに示したように、撮像素子チップ２１の表面からの高さが高さｄ（高さｄ＞高さｃを満たす）の位置に、ループ（湾曲部分）が来るような金属ワイヤ３２を有する高ワイヤ配線４１を形成することができる。
　このように、ワイヤ配線の形成時に、リバースボンドとノーマルボンドを使い分けることで、通常ワイヤ配線３１と高ワイヤ配線４１をそれぞれ形成することができる。
　ここで例示した形成の仕方は一例であり、他の方法で、通常ワイヤ配線３１や高ワイヤ配線４１が形成されてもよい。例えば通常ワイヤ配線３１を、ノーマルボンドで高さｃとなるように形成し、高ワイヤ配線４１をリバースボンドで高さｄとなるように形成するようにしても良い。例えば、通常ワイヤ配線３１と高ワイヤ配線４１の両方をリバースボンドまたはノーマルボンドのどちらかで形成し、形成時に、ループの高さが異なるように形成されるようにしても良い。
　高ワイヤ配線４１の形状は、例えば、図７に示すような形状であっても良い。図７に示した高ワイヤ配線４１の形状は、最高点が水平（平坦）となっている。図７に示した高ワイヤ配線４１の形状は、パッド３３側から引き出されている金属ワイヤ４２が直線形状から曲線形状になり、その曲線形状の部分が最高点に達した位置から水平方向に、最高点の位置を保ちながら延び、撮像素子チップ２１のパッド３４付近で曲線形状になり、パッド３４と接続されている形状である。
　撮像素子チップ２１のパッド３４付近での曲線形状の一部または全ては、シールガラス樹脂２５（図７では不図示）に内包されている。
　例えばノーマルボンドを適用することで、様々なループ形状を形成することが可能であり、例えば図７に示したように、最高点となる部分が、直線形状になり、半導体搭載基板２２の表面と平行となる直線を有する高ワイヤ配線４１を形成することもできる。
　＜第２の実施の形態＞
　図８は、第２の実施の形態における半導体パッケージ１１ｂの平面構成例を示し、図９は、図８の線分Ａ－Ａ’における半導体パッケージ１１ｂの断面構成例を示す。第１の実施の形態における半導体パッケージ１１と同一の部分には、同一の符号を付し、適宜その説明は省略する。
　図８、図９に示した半導体パッケージ１１ｂは、撮像素子チップ２１の２辺にそれぞれ高ワイヤ配線４１ｂが設けられている。撮像素子チップ２１の図中上辺には、高ワイヤ配線４１ｂ－１と高ワイヤ配線４１ｂ－２が設けられ、撮像素子チップ２１の図中下辺には、高ワイヤ配線４１ｂ－１’と高ワイヤ配線４１ｂ－２’が設けられている。
　撮像素子チップ２１の図中上辺に設けられている高ワイヤ配線４１ｂ－１は、撮像素子チップ２１に設けられているパッド６１－１とパッド６１－２と、パッド６１－１とパッド６１－２間に配線されている金属ワイヤ４２ｂ－１とを含む構成とされている。高ワイヤ配線４１ｂ－２は、撮像素子チップ２１に設けられているパッド６１－３とパッド６１－３と、パッド６１－３とパッド６１－４間に配線されている金属ワイヤ４２ｂ－２とを含む構成とされている。
　パッド６１－１とパッド６１－４は、撮像素子チップ２１の１辺の両端に設けられ、パッド６１－２とパッド６１－３は、撮像素子チップ２１の１辺の略中央に設けられている。図８に示したように、パッド６１－２とパッド６１－３を１つのパッドとして形成し、そのパッドの両端に金属ワイヤ４２ｂ－１と金属ワイヤ４２ｂ－２がそれぞれ接続されるように構成しても良い。この場合、パッド６１－２とパッド６１－３を含む１つのパッドで形成されたパッドは、パッド６１－１やパッド６１－２よりも大きく形成されているようにしても良い。
　図９に示したように、パッド６１－２とパッド６１－３をそれぞれ別のパッドとして形成し、金属ワイヤ４２ｂ－１と金属ワイヤ４２ｂ－２がそれぞれのパッドに接続されるように構成しても良い。この場合、パッド６１－２とパッド６１－３のそれぞれは、パッド６１－１やパッド６１－２と同程度の大きさで形成されているようにすることができる。
　パッド６１－１から６１－４までは、全て撮像素子チップ２１に設けられている。第２の実施の形態における半導体パッケージ１１ｂにおいては、撮像素子チップ２１上に設けられているパッド６１同士を金属ワイヤ４２ｂで接続することで高ワイヤ配線４１ｂが形成されている。
　図９に示したように、高ワイヤ配線４１ｂ－１，４１ｂ－２の金属ワイヤ４２ｂ－１，４２ｂ－２は、撮像素子チップ２１の表面と平行となり、直線状に形成され、その部分が最高点となる形状で形成されている。金属ワイヤ４２ｂは、通常ワイヤ配線３１と接することがないように、複数の通常ワイヤ配線３１上を跨ぐような形状で形成されている。
　高ワイヤ配線４１ｂは、シールガラス樹脂２５に内包されている。このような形状の高ワイヤ配線４１ｂは、例えば、図７を参照して説明したノーマルボンドを適用して形成することができる。
　同様に、撮像素子チップ２１の図中下辺には、パッド６１－１’から６１－４’が設けられている。パッド６１－１’とパッド６１－２’を接続する金属ワイヤ４２ｂ－１’を含む高ワイヤ配線４１ｂ－１’と、パッド６１－３’とパッド６１－４’を接続する金属ワイヤ４２ｂ－２’を含む高ワイヤ配線４１ｂ－２’が設けられている。
　図８に示した例では、撮像素子チップ２１の２辺に、それぞれ高ワイヤ配線４１ｂが配置されている例を示したが、撮像素子チップ２１の３辺または４辺に、それぞれ高ワイヤ配線４１ｂが配置されている構成とすることもできる。
　図８に示した例では、撮像素子チップ２１の上辺に高ワイヤ配線４１ｂ－１と高ワイヤ配線４１ｂ－２が配置され、下辺に高ワイヤ配線４１ｂ－１’と高ワイヤ配線４１ｂ－２’が配置されている例を示したが、これら４つの高ワイヤ配線４１ｂのうちの２つ、例えば、高ワイヤ配線４１ｂ－１と高ワイヤ配線４１ｂ－２’が配置されている構成とすることもできる。
　高ワイヤ配線４１ｂ－１と高ワイヤ配線４１ｂ－２を１つの高ワイヤ配線４１ｂとして設ける、換言すれば、パッド６１－１とパッド６１－４を接続する金属ワイヤ４２ｂから構成される高ワイヤ配線４１ｂが設けられた構成としても良い。
　ここでは、１辺に高ワイヤ配線４１ｂ－１と高ワイヤ配線４１ｂ－２の２本のワイヤ配線が形成されている例を示したが、１辺に２以上の高ワイヤ配線４１ｂが形成されているようにしても良い。
　第１の実施の形態と同じく、第２の実施の形態においても、高ワイヤ配線４１ｂでシールガラス２３を保持することができ、シールガラス樹脂２５の変形量を所定の範囲内に抑えることができ、半導体パッケージ１１を小型化することができる。
　さらに、高ワイヤ配線４１ｂを基準電源電圧、例えばグランド（GND）に接続することで、ノイズを抑制することもできる。パッド６１－１から６１－４のそれぞれをGNDに接続することで、GND同士が繋がるGNDループが形成されるため、ノイズを抑制する効果を得ることができる。
　＜第３の実施の形態＞
　図１０は、第３の実施の形態における半導体パッケージ１１ｃの平面構成例を示し、図１１は、図１０に示した高ワイヤ配線４１ｃ－１の部分を拡大した図である。第１の実施の形態における半導体パッケージ１１と同一の部分には、同一の符号を付し、適宜その説明は省略する。
　図１０に示した半導体パッケージ１１ｃは、撮像素子チップ２１の２隅にそれぞれ高ワイヤ配線４１ｃが設けられている。撮像素子チップ２１の図中右上の隅に設けられている高ワイヤ配線４１ｃ－１は、撮像素子チップ２１にＬ字形状で設けられているパッド７１－１に配線されている金属ワイヤ４２ｃ－１と金属ワイヤ４２ｃ－２を含む構成とされている。
　図１１に示すように、パッド７１－１は、撮像素子チップ２１の隅に設けられ、その隅の形状に合わせて、Ｌ字形状で形成されている。パッド７１－１の横方向の辺には金属ワイヤ４２ｃ－１が接続され、パッド７１－２の横方向の辺には金属ワイヤ４２ｃ－２が接続されている。
　高ワイヤ配線４１ｃ－１のパッド７１－１は、Ｌ字形状に一体型で形成され、金属ワイヤ４２ｃは、分離した２本の金属ワイヤ４２ｃがＬ字形状となるように配置されて形成されている。
　第３の実施の形態における半導体パッケージ１１ｃにおいては、撮像素子チップ２１上に設けられているパッド７１に金属ワイヤ４２ｃを接続することで高ワイヤ配線４１ｃが形成されている。
　図示はしていないが、第３の実施の形態おける高ワイヤ配線４１ｃ－１の金属ワイヤ４２ｃ－１，４２ｃ－２は、図９に示した金属ワイヤ４２ｂ－１，４２ｂ－２と同じく、撮像素子チップ２１のセンサ面（表面）と平行となり、直線状に形成され、その部分が最高点となる形状で形成されている。また、高ワイヤ配線４１ｃは、シールガラス樹脂２５に内包されている。このような形状の高ワイヤ配線４１ｃは、例えば、図７を参照して説明したノーマルボンドを適用して形成することができる。
　同様に、撮像素子チップ２１の図中左下の隅には、Ｌ字形状で形成されたパッド７１－２が設けられ、そのＬ字形状のパッド７１－２の一端と中央部分とを接続する金属ワイヤ４２ｃ－１’と、パッド７１－２の他端と中央部分とを接続する金属ワイヤ４２ｃ－２’を含む高ワイヤ配線４１ｃ－２が設けられている。
　図１０に示した例では、撮像素子チップ２１の２隅に、それぞれ高ワイヤ配線４１ｃが配置されている例を示したが、撮像素子チップ２１の３隅または４隅に、それぞれ高ワイヤ配線４１ｃが配置されている構成とすることもできる。
　第１の実施の形態と同じく、第３の実施の形態においても、高ワイヤ配線４１ｃでシールガラス２３を保持することができ、シールガラス樹脂２５の変形量を所定の範囲内に抑えることができ、半導体パッケージ１１を小型化することができる。
　＜第４の実施の形態＞
　図１２は、第４の実施の形態における半導体パッケージ１１ｄの平面構成例を示す図である。第１の実施の形態における半導体パッケージ１１と同一の部分には、同一の符号を付し、適宜その説明は省略する。
　図１２は、半導体パッケージ１１ｄの隅の部分を拡大した図である。図１２に示した半導体パッケージ１１ｄに含まれる高ワイヤ配線４１ｄは、半導体搭載基板２２上に設けられているパッド３３同士を接続する。
　図１２に示した半導体搭載基板２２の隅には、パッド３３ｄ－１とパッド３３ｄ－２が設けられている。パッド３３ｄ－１とパッド３３ｄ－２が金属ワイヤ４２ｄで接続されることで、高ワイヤ配線４１が形成されている。
　図示はしていないが高ワイヤ配線４１ｄは、図９に示した金属ワイヤ４２ｂ－１，４２ｂ－２と同じく、撮像素子チップ２１のセンサ面（表面）と平行となり、直線状に形成され、その部分が最高点となる形状で形成されている。また、高ワイヤ配線４１ｄ（金属ワイヤ４２ｄ）の一部、具体的には、撮像素子チップ２１上に位置している高ワイヤ配線４１ｄ（金属ワイヤ４２ｄ）は、シールガラス樹脂２５に内包されている。このような形状の高ワイヤ配線４１ｄは、例えば、図７を参照して説明したノーマルボンドを適用して形成することができる。
　高ワイヤ配線４１ｄは、半導体搭載基板２２の１隅、２隅、３隅、または４隅に配置されている構成とすることができる。
　第１の実施の形態と同じく、第４の実施の形態においても、高ワイヤ配線４１ｄでシールガラス２３を保持することができ、シールガラス樹脂２５の変形量を所定の範囲内に抑えることができ、半導体パッケージ１１を小型化することができる。
　＜第５の実施の形態＞
　図１３は、第４の実施の形態における半導体パッケージ１１ｅの断面構成例を示す図である。第１の実施の形態における半導体パッケージ１１と同一の部分には、同一の符号を付し、適宜その説明は省略する。
　図１３に示した半導体パッケージ１１ｅに含まれる高ワイヤ配線４１ｅは、パッド３４から垂直方向に直線形状を有する金属ワイヤ４２ｅで形成されている。高ワイヤ配線４１ｅは、撮像素子チップ２１上に設けられている１つのパッド３４に接続されている。
　上述した第１から第３の実施の形態における高ワイヤ配線４１は、２つのパッドに接続されている構成例を示したが、第４の実施の形態における高ワイヤ配線４１ｅは、１つのパッド３４に接続されている。よって、図１３では図示しているが、高ワイヤ配線４１の金属ワイヤ４２ｅを接続する半導体搭載基板２２上にパッド３３は、設けない構成とすることも可能である。
　高ワイヤ配線４１ｅは、図１４に示すように、湾曲した形状であり、バネ形状に形成された金属ワイヤ４２ｅ’を含む構成とすることも可能である。金属ワイヤ４２ｅ’をバネ形状にすることで、シールガラス樹脂２５の重みを吸収し、より確実に保持することができる高ワイヤ配線４１ｅ’とすることができる。
　高ワイヤ配線４１ｅ（高ワイヤ配線４１ｅ’）は、半導体パッケージ１１ｅ内に、１以上設けられていれば良く、複数設けられているようにすることができる。１つの半導体パッケージ１１ｅ内に高ワイヤ配線４１ｅと高ワイヤ配線４１ｅ’が混在している構成とすることもできる。
　第１の実施の形態と同じく、第５の実施の形態においても、高ワイヤ配線４１ｅ，４１ｅ’でシールガラス２３を保持することができ、シールガラス樹脂２５の変形量を所定の範囲内に抑えることができ、半導体パッケージ１１を小型化することができる。
　＜第６の実施の形態＞
　図１５は、第６の実施の形態における半導体パッケージ１１ｆの断面構成例を示す図である。第１の実施の形態における半導体パッケージ１１と同一の部分には、同一の符号を付し、適宜その説明は省略する。
　図１５に示した半導体パッケージ１１ｆに含まれる高ワイヤ配線４１ｆは、例えば図１に示した第１の実施の形態における高ワイヤ配線４１を途中で切ったような形状を有している。
　図１５のＡに示した高ワイヤ配線４１ｆの金属ワイヤ４２ｆは、撮像素子チップ２１に設けられているパッド３４に接続されているが、半導体搭載基板２２のパッド３３には接続されていない構造とされている。金属ワイヤ４２ｆは、第１の実施の形態の金属ワイヤ４２と同じく、湾曲部分を有し、湾曲部分は、シールガラス樹脂２５に接するまたはシールガラス樹脂２５を介して接する高さで形成されている。
　金属ワイヤ４２ｆの湾曲部分は、シールガラス樹脂２５に内包されている。金属ワイヤ４２ｆの一方はパッド３４と接続され、他方はシールガラス樹脂２５外でパッドなどに接続されることなく、浮いたような状態とされている。この部分は、封止樹脂２４を設けた構成とした場合、封止樹脂２４内に内包される。
　図１５のＢに示した高ワイヤ配線４１ｆ’の金属ワイヤ４２ｆ’は、半導体搭載基板２２に設けられているパッド３３に接続されているが、撮像素子チップ２１のパッド３４には接続されていない構造とされている。金属ワイヤ４２ｆ’は、第１の実施の形態の金属ワイヤ４２と同じく、湾曲部分を有し、湾曲部分は、シールガラス樹脂２５に接するまたはシールガラス樹脂２５を介して接する高さで形成されている。
　金属ワイヤ４２ｆ’の湾曲部分は、シールガラス樹脂２５に内包されている。金属ワイヤ４２ｆ’の一方はパッド３３と接続され、他方はシールガラス樹脂２５内でパッドなどに接続されることなく、浮いたような状態とされている。
　図１５に示した例では、図１に示した高ワイヤ配線４１を途中で切ったような形状を例に挙げて説明したが、図７を参照して説明したノーマルボンドを適用し、最高点が直線形状になっている高ワイヤ配線４１を、第６の実施の形態として適用することも可能である。最高点がある部分は、湾曲形状であっても良いし、直線形状であっても良く、シールガラス２３の下側に位置し、シールガラス樹脂２５に内包されている構成であれば良い。
　第１の実施の形態と同じく、第６の実施の形態においても、高ワイヤ配線４１ｆ，４１ｆ’でシールガラス２３を保持することができ、シールガラス樹脂２５の変形量を所定の範囲内に抑えることができ、半導体パッケージ１１を小型化することができる。
　＜電子機器への適用例＞
　本技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に撮像素子を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
　図１６は、本技術を適用した電子機器としての、撮像装置の構成例を示すブロック図である。
　図１６の撮像素子１０００は、レンズ群などからなる光学部１００１、撮像素子（撮像デバイス）１００２、およびカメラ信号処理回路であるDSP(Digital Signal Processor)回路１００３を備える。また、撮像素子１０００は、フレームメモリ１００４、表示部１００５、記録部１００６、操作部１００７、および電源部１００８も備える。DSP回路１００３、フレームメモリ１００４、表示部１００５、記録部１００６、操作部１００７および電源部１００８は、バスライン１００９を介して相互に接続されている。
　光学部１００１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで撮像素子１００２の撮像面上に結像する。撮像素子１００２は、光学部１００１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
　表示部１００５は、例えば、LCD(Liquid Crystal Display)や有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等の薄型ディスプレイで構成され、撮像素子１００２で撮像された動画または静止画を表示する。記録部１００６は、撮像素子１００２で撮像された動画または静止画を、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録する。
　操作部１００７は、ユーザによる操作の下に、撮像素子１０００が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源部１００８は、DSP回路１００３、フレームメモリ１００４、表示部１００５、記録部１００６および操作部１００７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
　図１６に示した撮像装置の一部に、上述した撮像素子チップ２１を含む半導体パッケージ１１を適用することができる。
　＜内視鏡手術システムへの応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
　図１７は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
　図１７では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
　内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
　鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
　カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ: Camera Control Unit）１１２０１に送信される。
　ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
　表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
　光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（light emitting diode）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
　入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
　処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
　なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
　また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
　また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Narrow Band Imaging）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ICG）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
　図１８は、図１７に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
　カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
　レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
　撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（dimensional）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
　また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
　駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
　通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
　また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
　なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Auto Exposure）機能、ＡＦ（Auto Focus）機能及びＡＷＢ（Auto White Balance）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
　カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
　通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
　また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
　画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
　制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
　また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
　カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
　ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
　＜移動体への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図１９は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１９に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０３０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１９の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図２０は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図２０では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。
　撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図２０には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０km/h以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
　なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
　なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
　第１のパッドを有する撮像素子チップと、
　前記撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、
　前記第１のパッドと前記第２のパッド、前記第１のパッド同士、または前記第２のパッド同士を金属ワイヤによって接続する第１のワイヤ配線と、
　前記第１のパッドと前記第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、
　前記撮像素子チップの周囲に設けられ、前記撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂と
　を備え、
　前記撮像素子チップの表面からの距離が最長となる前記第１のワイヤ配線の最高点は、前記第２のワイヤ配線の最高点よりも前記シールガラスに近い位置に設けられ、
　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記樹脂に内包されている
　半導体パッケージ。
（２）
　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記第１のワイヤ配線の前記金属ワイヤの湾曲している部分に位置する
　前記（１）に記載の半導体パッケージ。
（３）
　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、直線形状である
　前記（１）に記載の半導体パッケージ。
（４）
　２以上の前記第１のワイヤ配線を備える
　前記（１）から（３）までのいずれかに記載の半導体パッケージ。
（５）
　前記第１のワイヤ配線は、前記撮像素子チップの少なくとも２辺に備えられている
　前記（１）から（４）までのいずれかに記載の半導体パッケージ。
（６）
　前記第１のワイヤ配線は、前記撮像素子チップの１辺に設けられた２つの前記第１のパッドに、前記第２のワイヤ配線を跨ぐように接続されている
　前記（１）から（５）までのいずれかに記載の半導体パッケージ。
（７）
　前記第１のワイヤ配線は、前記撮像素子チップの１辺に２以上形成されている
　前記（６）に記載の半導体パッケージ。
（８）
　前記第１のワイヤ配線は、前記撮像素子チップの少なくとも２隅に備えられている
　前記（１）から（４）までのいずれかに記載の半導体パッケージ。
（９）
　前記第１のワイヤ配線が接続されている前記第１のパッドは、Ｌ字形状に形成されている
　前記（８）に記載の半導体パッケージ。
（１０）
　前記Ｌ字形状に形成されている前記第１のパッドの一端と略中央を接続する前記金属ワイヤと、他端と略中央を接続する前記金属ワイヤを備える
　前記（９）に記載の半導体パッケージ。
（１１）
　前記第１のワイヤ配線の１ｓｔボンドは、前記第１のパッドに形成され、
　前記第２のワイヤ配線の１ｓｔボンドは、前記第２のパッドに形成されている
　前記（１）から（１０）までのいずれかに記載の半導体パッケージ。
（１２）
　前記第１のワイヤ配線の前記最高点と、前記シールガラスとの間の距離は、前記第１のワイヤ配線の前記金属ワイヤの太さ以下である
　前記（１）から（１１）までのいずれかに記載の半導体パッケージ。
（１３）
　第１のパッドを有する撮像素子チップと、
　前記撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、
　前記第１のパッドと前記第２のパッド、前記第１のパッド同士、または前記第２のパッド同士を金属ワイヤによって接続する第１のワイヤ配線と、
　前記第１のパッドと前記第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、
　前記撮像素子チップの周囲に設けられ、前記撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂と
　を備え、
　前記撮像素子チップの表面からの距離が最長となる前記第１のワイヤ配線の最高点は、前記第２のワイヤ配線の最高点よりも前記シールガラスに近い位置に設けられ、
　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記樹脂に内包されている
　半導体パッケージ
　を備える電子機器。
（１４）
　第１のパッドを有する撮像素子チップと、
　前記撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、
　前記第１のパッドまたは前記第２のパッドのどちらか一方と接続されている第１のワイヤ配線と、
　前記第１のパッドと前記第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、
　前記撮像素子チップの周囲に設けられ、前記撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂と
　を備え、
　前記撮像素子チップの表面からの距離が最長となる前記第１のワイヤ配線の最高点は、前記第２のワイヤ配線の最高点よりも前記シールガラスに近い位置に設けられ、
　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記樹脂に内包されている
　半導体パッケージ。
（１５）
　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記第１のワイヤ配線の前記金属ワイヤの湾曲している部分に位置する
　前記（１４）に記載の半導体パッケージ。
（１６）
　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記撮像素子チップの表面に対して平行となる直線形状の部分である
　前記（１４）に記載の半導体パッケージ。
（１７）
　前記第１のワイヤ配線は、前記第１のパッドから垂直方向に直線形状で形成されている
　前記（１４）に記載の半導体パッケージ。
（１８）
　前記第１のワイヤ配線は、前記第１のパッドから垂直方向にバネ形状で形成されている
　前記（１４）に記載の半導体パッケージ。
（１９）
　第１のパッドを有する撮像素子チップと、
　前記撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、
　前記第１のパッドまたは前記第２のパッドのどちらか一方と接続されている第１のワイヤ配線と、
　前記第１のパッドと前記第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、
　前記撮像素子チップの周囲に設けられ、前記撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂と
　を備え、
　前記撮像素子チップの表面からの距離が最長となる前記第１のワイヤ配線の最高点は、前記第２のワイヤ配線の最高点よりも前記シールガラスに近い位置に設けられ、
　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記樹脂に内包されている
　半導体パッケージ
　を備える電子機器。
　１１　半導体パッケージ，　２１　撮像素子チップ，　２２　半導体搭載基板，　２３　シールガラス，　２４　封止樹脂，　２５　シールガラス樹脂，　２６　ダイボンド樹脂，　３１　通常ワイヤ配線，　３２　金属ワイヤ，　３３　パッド，　３４　パッド，　４１　高ワイヤ配線，　４２　金属ワイヤ，　６１　パッド，　７１　パッド

Claims (19)

  1. 　第１のパッドを有する撮像素子チップと、
    　前記撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、
    　前記第１のパッドと前記第２のパッド、前記第１のパッド同士、または前記第２のパッド同士を金属ワイヤによって接続する第１のワイヤ配線と、
    　前記第１のパッドと前記第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、
    　前記撮像素子チップの周囲に設けられ、前記撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂と
    　を備え、
    　前記撮像素子チップの表面からの距離が最長となる前記第１のワイヤ配線の最高点は、前記第２のワイヤ配線の最高点よりも前記シールガラスに近い位置に設けられ、
    　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記樹脂に内包されている
    　半導体パッケージ。
  2. 　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記第１のワイヤ配線の前記金属ワイヤの湾曲している部分に位置する
    　請求項１に記載の半導体パッケージ。
  3. 　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、直線形状である
    　請求項１に記載の半導体パッケージ。
  4. 　２以上の前記第１のワイヤ配線を備える
    　請求項１に記載の半導体パッケージ。
  5. 　前記第１のワイヤ配線は、前記撮像素子チップの少なくとも２辺に備えられている
    　請求項１に記載の半導体パッケージ。
  6. 　前記第１のワイヤ配線は、前記撮像素子チップの１辺に設けられた２つの前記第１のパッドに、前記第２のワイヤ配線を跨ぐように接続されている
    　請求項１に記載の半導体パッケージ。
  7. 　前記第１のワイヤ配線は、前記撮像素子チップの１辺に２以上形成されている
    　請求項６に記載の半導体パッケージ。
  8. 　前記第１のワイヤ配線は、前記撮像素子チップの少なくとも２隅に備えられている
    　請求項１に記載の半導体パッケージ。
  9. 　前記第１のワイヤ配線が接続されている前記第１のパッドは、Ｌ字形状に形成されている
    　請求項８に記載の半導体パッケージ。
  10. 　前記Ｌ字形状に形成されている前記第１のパッドの一端と略中央を接続する前記金属ワイヤと、他端と略中央を接続する前記金属ワイヤを備える
    　請求項９に記載の半導体パッケージ。
  11. 　前記第１のワイヤ配線の１ｓｔボンドは、前記第１のパッドに形成され、
    　前記第２のワイヤ配線の１ｓｔボンドは、前記第２のパッドに形成されている
    　請求項１に記載の半導体パッケージ。
  12. 　前記第１のワイヤ配線の前記最高点と、前記シールガラスとの間の距離は、前記第１のワイヤ配線の前記金属ワイヤの太さ以下である
    　請求項１に記載の半導体パッケージ。
  13. 　第１のパッドを有する撮像素子チップと、
    　前記撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、
    　前記第１のパッドと前記第２のパッド、前記第１のパッド同士、または前記第２のパッド同士を金属ワイヤによって接続する第１のワイヤ配線と、
    　前記第１のパッドと前記第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、
    　前記撮像素子チップの周囲に設けられ、前記撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂と
    　を備え、
    　前記撮像素子チップの表面からの距離が最長となる前記第１のワイヤ配線の最高点は、前記第２のワイヤ配線の最高点よりも前記シールガラスに近い位置に設けられ、
    　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記樹脂に内包されている
    　半導体パッケージ
    　を備える電子機器。
  14. 　第１のパッドを有する撮像素子チップと、
    　前記撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、
    　前記第１のパッドまたは前記第２のパッドのどちらか一方と接続されている第１のワイヤ配線と、
    　前記第１のパッドと前記第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、
    　前記撮像素子チップの周囲に設けられ、前記撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂と
    　を備え、
    　前記撮像素子チップの表面からの距離が最長となる前記第１のワイヤ配線の最高点は、前記第２のワイヤ配線の最高点よりも前記シールガラスに近い位置に設けられ、
    　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記樹脂に内包されている
    　半導体パッケージ。
  15. 　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記第１のワイヤ配線の前記金属ワイヤの湾曲している部分に位置する
    　請求項１４に記載の半導体パッケージ。
  16. 　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記撮像素子チップの表面に対して平行となる直線形状の部分である
    　請求項１４に記載の半導体パッケージ。
  17. 　前記第１のワイヤ配線は、前記第１のパッドから垂直方向に直線形状で形成されている
    　請求項１４に記載の半導体パッケージ。
  18. 　前記第１のワイヤ配線は、前記第１のパッドから垂直方向にバネ形状で形成されている
    　請求項１４に記載の半導体パッケージ。
  19. 　第１のパッドを有する撮像素子チップと、
    　前記撮像素子チップが搭載され、第２のパッドを有する基板と、
    　前記第１のパッドまたは前記第２のパッドのどちらか一方と接続されている第１のワイヤ配線と、
    　前記第１のパッドと前記第２のパッドとを金属ワイヤによって接続する第２のワイヤ配線と、
    　前記撮像素子チップの周囲に設けられ、前記撮像素子チップの光入射面側に設けられたシールガラスを接着する樹脂と
    　を備え、
    　前記撮像素子チップの表面からの距離が最長となる前記第１のワイヤ配線の最高点は、前記第２のワイヤ配線の最高点よりも前記シールガラスに近い位置に設けられ、
    　前記第１のワイヤ配線の前記最高点は、前記樹脂に内包されている
    　半導体パッケージ
    　を備える電子機器。
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