WO2025079366A1

WO2025079366A1 - 面発光素子

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Publication number: WO2025079366A1
Application number: PCT/JP2024/031435
Authority: WO
Inventors: 諒磨東; 修前田; 直輝城岸; 広樹横山; ビピンスベディ; 雄太乙黒
Original assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Current assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date: 2023-10-12
Filing date: 2024-09-02
Publication date: 2025-04-17
Anticipated expiration: 2026-04-12
Also published as: CN121970219A; TW202541378A

Abstract

クラックの発生を抑制しつつ酸化狭窄層における実効屈折率差を大きくすること。　本技術に係る面発光素子は、第１半導体構造を含む第１構造と、前記第１構造と積層された、第２半導体構造を含む第２構造と、前記第１及び第２構造の間に配置された少なくとも１つの発光層と、前記第１構造の前記第２構造側とは反対側の表面である第１面と、前記第２構造の前記第１構造側とは反対側の表面である第２面との間で、前記発光層と積層され且つ互いに積層された複数の酸化狭窄層と、を備え、前記複数の酸化狭窄層は、厚さ方向の中央位置が出射光の電界の定在波における節位置と一致していない所定の酸化狭窄層を少なくとも１つ含む。

Description

面発光素子

　本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、面発光素子に関する。

　従来、例えば面発光レーザ、発光ダイオード等の面発光出力を得ることができる面発光素子が知られている。

　従来の面発光素子の中には、高屈折率の非酸化領域が低屈折率の酸化領域で囲まれた酸化狭窄層を有するものがある（例えば特許文献１、２参照）。

　従来の面発光素子では、酸化狭窄層の形成によりクラックが発生するおそれがあった。

特開２００９－２０６４８０号公報特開２００５－２５９９５１号公報

　しかしながら、従来の面発光素子では、クラックの発生を抑制しつつ酸化狭窄層における実効屈折率差を大きくすることに関して何ら言及されていない。

　そこで、本技術は、クラックの発生を抑制しつつ酸化狭窄層における実効屈折率差を大きくすることができる面発光素子を提供することを主目的とする。

　本技術は、第１半導体構造を含む第１構造と、
　前記第１構造と積層された、第２半導体構造を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された少なくとも１つの発光層と、
　前記第１構造の前記第２構造側とは反対側の表面である第１面と、前記第２構造の前記第１構造側とは反対側の表面である第２面との間で、前記発光層と積層され且つ互いに積層された複数の酸化狭窄層と、
　を備え、
　前記複数の酸化狭窄層は、厚さ方向の中央位置が出射光の電界の定在波における節位置と一致していない所定の酸化狭窄層を少なくとも１つ含む、面発光素子を提供する。
　前記所定の酸化狭窄層は、前記中央位置以外の位置が前記節位置と一致していてもよい。
　前記所定の酸化狭窄層は、厚さ方向の全域が、前記中央位置から最も近い前記節位置から外れていてもよい。
　前記複数の酸化狭窄層は、前記所定の酸化狭窄層を少なくとも２つ含んでいてもよい。
　前記複数の酸化狭窄層は、前記中央位置が前記節位置と一致している酸化狭窄層を含んでいてもよい。
　前記中央位置と該中央位置から最も近い前記節位置との距離をｔとすると、前記中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離は、ｋを自然数として、（２ｋ－１）λ／４＋ｔ、又は、（２ｋ－１）λ／４－ｔであってもよい。
　前記複数の酸化狭窄層は、前記発光層の前記第１面側に配置された少なくとも１つの第１酸化狭窄層と、前記発光層の前記第２面側に配置された少なくとも１つの第２酸化狭窄層と、を含み、前記第１及び／又は第２酸化狭窄層は、前記所定の酸化狭窄層であってもよい。
　前記所定の酸化狭窄層は、少なくとも２つあり、前記第１及び第２酸化狭窄層の各々は、前記所定の酸化狭窄層であってもよい。
　前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置が、該中央位置から最も近い前記節位置の前記第１面側及び前記第２面側の一方に位置し、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置が、該中央位置から最も近い前記節位置の前記第１面側及び前記第２面側の他方に位置していてもよい。
　前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離をＬ１、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離をＬ２、前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と該中央位置から最も近い前記節位置との距離をｔ１、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と該中央位置から最も近い前記節位置との距離をｔ２とすると、ｎ、ｍを自然数として、
Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ１、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４＋ｔ２、
又は、
Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４－ｔ１、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４－ｔ２
が成立していてもよい。
　ｔ１＝ｔ２であってもよい。
　前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離と、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離とが等しくてもよい。
　前記第１及び第２酸化狭窄層の一方が、前記所定の酸化狭窄層であってもよい。
　前記第１及び第２酸化狭窄層の前記一方の厚さ方向の中央位置が、該中央位置から最も近い前記節位置の前記第１面側又は前記第２面側に位置し、前記第１及び第２酸化狭窄層の他方の厚さ方向の中央位置が、前記節位置と一致していてもよい。
　前記第１及び２酸化狭窄層の前記一方の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離をＬ１、前記第１及び第２酸化狭窄層の他方の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離をＬ２、前記第１及び第２酸化狭窄層の前記一方の厚さ方向の中央位置と該中央位置から最も近い前記節位置との距離をｔとすると、ｎ、ｍを自然数として、
Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４、
又は、
Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４－ｔ、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４
が成立していてもよい。
　前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離と、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離とが異なっていてもよい。
　前記複数の酸化狭窄層の各々は、非酸化領域と、前記非酸化領域を囲む酸化領域と、を有し、前記非酸化領域は、ＡｌＡｓ又はＡｌ_ｘＧａ_１－ｘＡｓ（０．８≦ｘ≦１）を含んでいてもよい。
　前記面発光素子は、前記少なくとも１つの発光層は、互いに積層された複数の発光層であり、前記複数の発光層のうち少なくとも１組の隣り合う２つの発光層の間に配置されたトンネルジャンクション層を更に備えていてもよい。
　前記隣り合う２つの発光層の一方と前記トンネルジャンクション層との間に前記所定の酸化狭窄層が配置されていてもよい。
　前記トンネルジャンクション層の厚さ方向の所定位置が、前記節位置に一致していてもよい。

比較例１の面発光レーザの断面図である。比較例２の面発光レーザの断面図である。比較例３の面発光レーザの断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の平面図である。図４の面発光素子のメサを抜き出して示す部分拡大図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光素子のメサを抜き出して示す部分拡大図である。本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光素子の断面図である。図１７の面発光素子のメサを抜き出して示す部分拡大図である。本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光素子の断面図である。図１９の面発光素子のメサを抜き出して示す部分拡大図である。本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光素子の断面図である。本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光素子の断面図である。図２２の面発光素子のメサを含む一部を抜き出して示す部分拡大図である。本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光素子のメサを含む一部を抜き出して示す部分拡大図である。本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光素子のメサを含む一部を抜き出して示す部分拡大図である。本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光素子のメサを含む一部を抜き出して示す部分拡大図である。本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光素子のメサを含む一部を抜き出して示す部分拡大図である。本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光素子のメサを含む一部を抜き出して示す部分拡大図である。本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光素子のメサを含む一部を抜き出して示す部分拡大図である。本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光素子のメサを抜き出して示す部分拡大図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の作用を説明するための図（その１）である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の作用を説明するための図（その２）である。本技術の一実施形態の変形例１に係る面発光素子のメサを抜き出して示す断面図である。本技術の一実施形態の変形例２に係る面発光素子のメサを抜き出して示す断面図である。本技術を適用し得る面発光素子の構成例を示す平面図である。図３６Ａは、図３５のＸ－Ｘ線断面図である。図３６Ｂは、図３５のＹ－Ｙ線断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子の距離測定装置への適用例を示す図である。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。距離測定装置の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る面発光素子が複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る面発光素子は、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

　また、以下の順序で説明を行う。
０．導入
１．本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子
２．本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光素子
３．本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光素子
４．本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光素子
５．本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光素子
６．本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光素子
７．本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光素子
８．本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光素子
９．本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光素子
１０．本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光素子
１１．本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光素子
１２．本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光素子
１３．本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光素子
１４．本技術の変形例
１５．本技術を適用し得る面発光レーザの構成例
１６．電子機器への応用例
１７．面発光素子を距離測定装置に適用した例
１８．距離測定装置を移動体に搭載した例

＜１．導入＞

　面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ｃａｖｉｔｙ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ）、発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ）等の面発光素子は、小型、長寿命といった特長を活かし、様々な用途に応用されている。その中でも特に面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）は、超小型化や高速動作の利点があり光通信や測距装置の光源として積極的な応用が進められている。

　図１に示す比較例１の面発光レーザＣ１では基板１上に、第１ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）２、第１スペーサ層３、活性層４、第２スペーサ層６、酸化狭窄層５、第２ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）７及びコンタクト層８がこの順に積層され、基板１の裏面に電極９が形成され、コンタクト層８の表面に電極１０が形成されている。第１スペーサ層３、活性層４、第２スペーサ層６、酸化狭窄層５、第２ＤＢＲ７及びコンタクト層８は含んでメサが構成されている。酸化狭窄層５は、材料となる被酸化層（半導体層）が側面から中心に向かって一部酸化されることにより形成される。酸化狭窄層を有することにより、活性層４における電流分布を制御することができ、閾値電流の低下やスロープ効率の向上といった効果が得られる。

　一般的なＶＣＳＥＬでは酸化狭窄層が１層であることが多いが、ＶＣＳＥＬ内に複数の酸化狭窄層を有することによって更なる発光効率向上効果が得られる。特に、活性層を複数有するＭｕｌｔｉ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ（ＭＪ）構造を持つＶＣＳＥＬ（ＭＪ－ＶＣＳＥＬ）においては、活性層１層につき、その隣接層として酸化狭窄層１層を有することが望ましい。例えば、２ＳｔａｃｋのＭＪ－ＶＣＳＥＬの場合、素子内に酸化狭窄層を１層有する場合と比較して、２層有するほうが発光効率を向上させることができる。

　酸化狭窄層は横方向の光閉じ込めにも寄与する。酸化狭窄層の酸化領域は酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）であり、非酸化領域である半導体層に比べて屈折率が小さい。これにより、メサ内に横方向の実効屈折率差Δｎが生じ、光がメサ中央に閉じ込められる。一般的に、酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置を共振器内に生じる定在波の節位置に一致させることによってΔｎは最小となる。Δｎと開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ　Ａｐｅｒｔｕｒｅ）には相関があるため、酸化狭窄層において所望のＮＡを得るためには設計上Δｎの値を制御する必要がある。これまで、Δｎを制御するために、酸化狭窄層の配置や形状に関して様々な提案が行われてきた。なお、ＮＡはＦＦＰ（Ｆａｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｐａｔｔｅｒｎ）と相関があることが知られている。「実効屈折率差」は、共振器内を伝搬する光が実際に感じる屈折率差であり、「等価屈折率差」とも呼ばれる。

　例えば図２に示す比較例２の面発光レーザＣ２では、活性層４側とは反対側の面が傾斜している酸化狭窄層５を有する。酸化狭窄層５において、基本横モードに対しては酸化領域の厚さ方向の中心位置が定在波分布の節位置に一致する条件を満たすとともに、高次横モードに対しては酸化領域の厚さ方向の中心位置が定在波分布の節位置から正の方向へ変位した条件を満たしている。これにより、基本横モードに対する発振閾値利得を低く保ちつつ、高次横モードに対する発振閾値利得のみを増加させることができ、高出力の基本横モード発振を得ることができる。なお、図２において、符号１１は配線、符号１２は絶縁膜、符号１３はバルク絶縁材料を示す。

　例えば図３に示す比較例３の面発光レーザＣ３では、酸化により形成された酸化狭窄層５及びモード調整部１４を有している。電極１０から活性層４に向かって電流が流れ、モード調整部１４には電流が流れないため、モード調整部１４の酸化領域を大きくすることができる。これにより高次モードを抑制し、高出力の基本横モードを得ることができる。

　以上の比較例１～３の面発光レーザＣ１～Ｃ３は、いずれも高次横モードを抑制し高強度の基本横モードを得ることを目的としており、これはＮＡとしては小さくなる方向である。発明者らは、このように安定的に低ＮＡを得るための技術は過去に提案されているが安定的に高ＮＡを得るための技術が未だ開発されていないことを見出した。これは、発明者らの第１の新規知見である。

　発明者らは、更に検討を進め、高ＮＡを得るためには、定在波と酸化狭窄層との重なり部分を増加させることにより実効屈折率差Δｎの値を大きくする必要があり、これには大きく分けて２つの方法があることを見出した。これは、発明者らの第２の新規知見である。これら２つの方法の１つは酸化狭窄層の膜厚を厚くすること（前者）であり、もう１つは酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置を定在波の節位置から変位させること（後者）である。

　発明者らは、前者には以下のような問題があることを見出した。酸化狭窄層はＡｌ組成を有する被酸化層（例えばＡｌＡｓ層又は高Ａｌ組成のＡｌＧａＡｓ層）を酸化することにより形成されるが、その酸化プロセス（酸化工程）で体積収縮が起きる。この際、発生する内部応力に耐えきれず被酸化層とその上下の半導体層との界面からクラックが発生することがある。また、酸化工程ではクラックが発生しなかったとしても、その後の実装工程や信頼性試験でクラックが発生することがある。酸化狭窄層の膜厚が厚いほどこのようなクラック発生のリスクが高まるため、信頼性の観点から酸化狭窄層の膜厚は薄い方が望ましい。これは、発明者らの第３の新規知見である。

　発明者らは、上記第２及び第３の新規知見から、クラックリスクを高めることなく高Δｎを得るために酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置を定在波の節位置からずらすこと（後者）が望ましいとの結論に至った。そして、発明者らは、これを具現化した面発光素子として、本技術に係る面発光素子を開発した。本技術に係る面発光素子によれば、クラックの発生を抑制しつつ酸化狭窄層における実効屈折率差を大きくすることが可能な面発光素子を提供することができる。酸化狭窄層における実効屈折率差を大きくすることは、該酸化狭窄層のＮＡを高くすることにつながる。

　以下、本技術に係る面発光素子の一実施形態の幾つかの実施例について図面を用いて詳細に説明する。以下、図１等の断面図において、適宜、上側を「上」、下側を「下」として説明する。

＜１．本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子＞
　図４は、本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子１０００の断面図である。図５は、本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子１０００の平面図（上面図）である。図４は、図５の１－１線断面図である。

≪面発光素子の構成≫
（全体構成）
　本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子１０００は、一例として、図４及び図５に示すように、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ｃａｖｉｔｙ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｌａｓｅｒ）である。面発光素子１０００は、一例として、表面出射型のＶＣＳＥＬである。面発光素子１０００は、一例として、ＭＪ（Ｍｕｌｔｉ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）構造を有する。

　面発光素子１０００は、一例として、ドライバ（駆動回路）により駆動される。該ドライバは、一例として、電源と、該電源から面発光素子１０００への通電のオンオフを制御するトランジスタとを含んで構成される。

　面発光素子１０００は、一例として、第１半導体構造ＳＳ１を含む第１構造ＳＴ１と、該第１構造ＳＴ１と積層された、第２半導体構造ＳＳ２を含む第２構造ＳＴ２と、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の間に配置された、第１及び第２発光層１０３、１０９を含む第３半導体構造ＳＳ３と、第１構造ＳＴ１の第２構造ＳＴ２側とは反対側の表面である第１面（下面）と、第２構造ＳＴ２の第１構造ＳＴ１側とは反対側の表面である第２面（上面）との間で、第１及び第２発光層１０３、１０９と積層され且つ互いに積層された酸化狭窄層１０５、１１１とを備える。以下では、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２が積層されている方向（上下方向）を「積層方向」とも呼ぶ。

　第１構造ＳＴ１は、一例として、第１半導体構造ＳＳ１に加えて、第１半導体構造ＳＳ１の第２半導体構造ＳＳ２側とは反対側（下側）に配置された基板１００を含む。

　第１半導体構造ＳＳ１は、一例として、第１半導体多層膜反射鏡１０１を含んで構成される。

　第２半導体構造ＳＳ２は、一例として、第２半導体多層膜反射鏡１１２及びコンタクト層１１３を含んで構成される。第２半導体多層膜反射鏡１１２及びコンタクト層１１３は、基板１００側（下側）からこの順に積層されている。

　第３半導体構造ＳＳ３は、第１及び第２発光層１０３、１０９に加えて、第１クラッド層１０２、第２クラッド層１０４、第３クラッド層１０６、トンネルジャンクション層１０７、第４クラッド層１０８及び５クラッド層１１０を含む。第１クラッド層１０２、第２クラッド層１０４、第３クラッド層１０６、トンネルジャンクション層１０７、第４クラッド層１０８及び５クラッド層１１０は、基板１００側（下側）からこの順に積層されている。

　第１及び第２クラッド層１０２、１０４の間に第１発光層１０３が配置されている。第３及び第４クラッド層１０６、１０８の間にトンネルジャンクション層１０７が配置されている。第４及び第５クラッド層１０８、１１０の間に第２発光層１０９が配置されている。第２クラッド層１０４と第３クラッド層１０６との間に酸化狭窄層１０５が配置されている。第５クラッド層１１０と第２半導体多層膜反射鏡１１２との間に酸化狭窄層１１１が配置されている。第１及び第４クラッド層１０２、１０８は、いずれもｎ型半導体からなる。第２、第３及び第５クラッド層１０４、１０６、１１０は、いずれもｐ型半導体からなる。

　すなわち、互いに積層された第１及び第２発光層１０３、１０９の間にトンネルジャンクション層１０７が配置されている。第１発光層１０３とトンネルジャンクション層１０７との間に酸化狭窄層１０５が配置されている。

　酸化狭窄層１０５は、主に第１発光層１０３の発光領域を設定する。第１発光層１０３の発光領域は、第１発光層１０３における電流が注入される領域（電流注入領域）であって発光する領域である。

　第２酸化狭窄層１１１は、主に第２発光層１０９の発光領域を設定する。第２発光層１０９の発光領域は、第２発光層１０９における電流が注入される領域（電流注入領域）であって発光する領域である。

　以上のように、面発光素子１０００では、一例として、基板１００上に第１半導体多層膜反射鏡１０１と、第１クラッド層１０２と、第１発光層１０３と、第２クラッド層１０４と、酸化狭窄層１０５と、第３クラッド層１０６と、トンネルジャンクション層１０７と、第４クラッド層１０８と、第２発光層１０９と、第５クラッド層１１０と、酸化狭窄層１１１と、第２半導体多層膜反射鏡１１２と、コンタクト層１１３とが基板１００側（下側）からこの順に積層されている。

　面発光素子１０００は、第１発光層１０３が導電型の異なる第１及び第２クラッド層１０２、１０４で積層方向に挟まれたダブルヘテロ構造を有し、第１発光層１０３で正孔と電子とを発光再結合（輻射再結合）させることができる。

　面発光素子１０００は、第２発光層１０９が導電型の異なる第４及び第５クラッド層１０８、１１０で積層方向に挟まれたダブルヘテロ構造を有し、第２発光層１０９で正孔と電子とを発光再結合（輻射再結合）させることができる。

　面発光素子１０００では、第１及び第２発光層１０３、１０９を含む第３半導体構造ＳＳ３と、該第３半導体構造ＳＳ３を積層方向に挟む第１及び第２半導体多層膜反射鏡１０１、１１２とを含んで、共振器が構成されている。面発光素子１０００は、第２構造ＳＴ２の第２面側（上側）へレーザ光を出射する。

　面発光素子１０００では、一例として、第２及び第３半導体構造ＳＳ２、ＳＳ３と、酸化狭窄層１０５、１１１とでメサＭ１が構成されている。ここでは、メサＭ１は、第１半導体構造ＳＳ１から上方に突出している。メサＭ１は「発光メサ」とも呼ばれる。ここでは、メサＭ１の平面視形状は円形である（図２参照）が、これに限らず、楕円形、多角形等の他の形状であってもよい。メサＭ１の直径は、一例として、数十μｍ（例えば２０μｍ～３０μｍ）である。

　メサＭ１の頂部上（詳しくはコンタクト層１１３上）には、周回状（例えばリング状）のアノード電極１１５（ｐ側電極）が平面視において各発光層の発光領域を囲むように設けられている。

　一例として、メサＭ１と、第１半導体構造ＳＳ１の、メサＭ１の周辺の領域とが絶縁膜１１６で覆われている。絶縁膜１１６は、アノード電極１１５が配置されるコンタクトホール１１６ａを有する。絶縁膜１１６上にアノード配線１５０がアノード電極１１５に接するように設けられている。アノード配線１５０にはアノード電極１１５の内径側の絶縁膜１１６を露出させる開口１５０ａが設けられ、該開口１５０ａが出射口となっている。アノード電極１１５は、ドライバの陽極側に電気的に接続される。なお、アノード配線１５０がアノード電極１１５の内径部を露出させ、アノード電極１１５の内径側が出射口となっていてもよい。

　一例として、基板１００の裏面（下面）に、ベタ状のカソード電極１１４（ｎ側電極）が設けられている。カソード電極１１４は、ドライバの陰極側に電気的に接続される。

　面発光素子１０００は、一例として、実装基板（例えばドライバを有する駆動基板、ドライバに接続される配線基板等）に対してジャンクションアップで実装される。

（基板）
　基板１００は、一例として、ＧａＡｓ基板（例えばｎ－ＧａＡｓ基板）からなる。

（第１半導体多層膜反射鏡）
　第１半導体多層膜反射鏡１０１（半導体ＤＢＲ）は、一例として、ｎ型不純物がドープされた半導体多層膜反射鏡であり、光吸収が少なく、高反射率と導電性とを有する。多層膜反射鏡は、分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれる。第１半導体多層膜反射鏡１０１は、低屈折率層及び高屈折率層が交互に積層された積層構造であって、隣り合う低屈折率層及び高屈折率層の間に第１又は第２グレーデッド層（組成傾斜層）が配置された積層構造を有する。該積層構造では、低屈折率層、第１グレーデッド層、高屈折率層及び第２グレーデッド層がこの順に積層された４層構造が複数積層されている。一例として、低屈折率層はＡｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ａｓ（０＜ｘ１≦１）からなる。高屈折率層はＡｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ａｓ（０≦ｘ２＜ｘ１）からなる。第１グレーデッド層は、低屈折率層と接する一面から高屈折率層と接する他面に向かって低屈折率層の組成で始まって高屈折率層の組成で終わるように連続的に組成変化する。第２のグレーデッド層は、高屈折率層と接する一面から低屈折率層と接する他面に向かって高屈折率層の組成で始まって低屈折率層の組成で終わるように連続的に組成変化する。第１半導体多層膜反射鏡１０１のｎ型不純物（ｎ型ドーパント）としては、例えばＳｉ、Ｓｅ、Ｇｅ等が挙げられる。第１半導体多層膜反射鏡１０１は、第２半導体多層膜反射鏡１１２よりも反射率が僅かに高く設定されている。なお、第１半導体多層膜反射鏡１０１において、第１及び第２グレーデッド層は必須ではない。

（第１クラッド層）
　第１クラッド層１０２は、例えばｎ－Ａｌ_ｘ３Ｇａ_１－ｘ３Ａｓ（０≦ｘ３＜１）からなる。「第１クラッド層」は「第１スペーサ層」と呼んでもよい。第１クラッド層１０２のｎ型不純物（ｎ型ドーパント）としては、例えばＳｉ、Ｓｅ、Ｇｅ等が挙げられる。

（第１発光層）
　第１発光層１０３は、一例として、第１及び第２クラッド層１０２、１０４よりもバンドギャップエネルギーが小さい化合物半導体からなる。第１発光層１０３は、例えば、アンドープのＩｎ_ｘ４Ｇａ_１－ｘ４Ａｓ（０＜ｘ４＜１）からなる井戸層）及びアンドープのＡｌ_ｘ５Ｇａ_１－ｘ５Ａｓ（０＜ｘ５＜１）からなる障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造を有する。第１発光層１０３は、多重量子井戸構造に代えて、量子井戸構造、量子細線構造、量子ドット構造のいずれかを有していてもよい。第１発光層１０３の発光波長は、例えば６００～１１００ｎｍ程度に設定されている。第１発光層１０３は「第１活性層」と呼んでもよい。第１発光層１０３は、厚さ方向の中央位置が、共振器内に生じる定在波の腹位置（腹の位置）に一致することが好ましい。

（第２クラッド層）
　第２クラッド層１０４は、例えばｐ－Ａｌ_ｘ６Ｇａ_１－ｘ６Ａｓ（０≦ｘ６＜１）からなる。「第２クラッド層」は「第２スペーサ層」と呼んでもよい。第２クラッド層１０４のｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

（酸化狭窄層１０５）
　酸化狭窄層１０５は、一例として、非酸化領域１０５ａと、該非酸化領域１０５ａを囲む酸化領域１０５ｂ（絶縁領域）とを有する。

　非酸化領域１０５ａは、第１発光層１０３の発光領域に対応する領域であり、電流・光通過領域として機能する。非酸化領域１０５ａは、例えばｐ－Ａｌ_ｘ７Ｇａ_１－ｘ７Ａｓ（０＜ｘ７≦１）からなる。ｘ７≧０．８であることが好ましく、ｘ７≧０．９であることがより好ましい。非酸化領域１０５ａのｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

　酸化領域１０５ｂは、一例として、非酸化領域１０５ａを囲む平面視周回状（例えばリング状）の領域である。酸化領域１０５ｂは、非酸化領域１０５ａよりも高抵抗且つ低屈折率な領域であり、電流・光狭窄領域として機能する。酸化領域１０５ｂは、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）を含んで構成されており、例えば、高Ａｌ組成の被酸化層１０５Ｓ（例えばｐ－Ａｌ_ｘ７Ｇａ_１－ｘ７Ａｓ層（０≦ｘ７≦１））を側面から選択酸化することにより得られる。

　酸化狭窄層１０５の厚さは、λ／２以下であることが好ましく、λ／４以下であることがより好ましく、λ／８以下であることより好ましく、λ／１６以下であることがより好ましい。但し、λは共振器の発振波長

（第３クラッド層）
　第３クラッド層１０６は、例えばｐ－Ａｌ_ｘ８Ｇａ_１－ｘ８Ａｓ（０≦ｘ８＜１）からなる。「第３クラッド層」は「第３スペーサ層」と呼んでもよい。第３クラッド層１０６のｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

（トンネルジャンクション層）
　トンネルジャンクション層１０７は、第２発光層１０９を流れた電流をトンネル効果により電流値を変えずに第１発光層１０３へ流す機能を有する。トンネルジャンクション層１０７は、厚さ方向の所定位置（例えば中央位置）が定在波の節位置に一致することが好ましい。トンネルジャンクション層１０７は、例えば、ｐ型ハイドープ層（ｐ＋＋層）とｎ型ハイドープ層（ｎ＋＋層）とが積層された構造を有する。ｐ型ハイドープ層は、例えば、高濃度の炭素（Ｃ）などのｐ型不純物を含むＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓからなり、ｎ型ハイドープ層は、例えば、高濃度のテルル（Ｔｅ）などのｎ型不純物を含むＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓからなる。ここでは、ｐ型ハイドープ層がｎ型ハイドープ層の基板１００側（下側）に配置されている。

（第４クラッド層）
　第４クラッド層１０８は、例えばｎ－Ａｌ_ｘ９Ｇａ_１－ｘ９Ａｓ（０≦ｘ９＜１）からなる。「第４クラッド層」は「第４スペーサ層」と呼んでもよい。第４クラッド層１０８のｎ型不純物（ｎ型ドーパント）としては、例えばＳｉ、Ｓｅ、Ｇｅ等が挙げられる。

（第２発光層）
　第２発光層１０９は、一例として、第４及び第５クラッド層１０８、１１０よりもバンドギャップエネルギーが小さい化合物半導体からなる。第２発光層１０９は、例えば、アンドープのＩｎ_ｘ１０Ｇａ_{１－ｘ１０}Ａｓ（０＜ｘ１０＜１）からなる井戸層及びアンドープのＡｌ_ｘ１１Ｇａ_{１－ｘ１１}Ａｓ（０＜ｘ１１＜１）からなる障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造を有する。第２発光層１０９は、多重量子井戸構造に代えて、量子井戸構造、量子細線構造、量子ドット構造のいずれかを有していてもよい。第２発光層１０９の発光波長は、第１発光層１０３の発光波長（例えば６００～１１００ｎｍ）と同一に設定されている。第２発光層１０９は「第２活性層」と呼んでもよい。第２発光層１０９は、厚さ方向の中央位置が、共振器内に生じる定在波の腹位置（腹の位置）に一致することが好ましい。

（第５クラッド層）
　第５クラッド層１１０は、例えばｐ－Ａｌ_ｘ１２Ｇａ_{１－ｘ１２}Ａｓ（０≦ｘ１２＜１）からなる。「第５クラッド層」は「第５スペーサ層」と呼んでもよい。第５クラッド層１１０のｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

（酸化狭窄層１１１）
　酸化狭窄層１１１は、一例として、非酸化領域１１１ａと、該非酸化領域１１１ａを囲む酸化領域１１１ｂ（絶縁領域）とを有する。

　非酸化領域１１１ａは、第２発光層１０９の発光領域に対応する領域であり、電流・光通過領域として機能する。非酸化領域１１１ａは、例えばｐ－Ａｌ_ｘ１３Ｇａ_{１－ｘ１３}Ａｓ（０＜ｘ１３≦１）からなる。ｘ１３≧０．８であることが好ましく、ｘ１３≧０．９であることがより好ましい。非酸化領域１１１ａのｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

　酸化領域１１１ｂは、一例として、非酸化領域１１１ａを囲む平面視周回状（例えばリング状）の領域である。酸化領域１１１ｂは、非酸化領域１１１ａよりも高抵抗且つ低屈折率な領域であり、電流・光狭窄領域として機能する。酸化領域１１１ｂは、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）を含んで構成されており、例えば、高Ａｌ組成の第２被酸化層１１１Ｓ（例えばｐ－Ａｌ_ｘ１３Ｇａ_{１－ｘ１３}Ａｓ層（０≦ｘ１３≦１））を側面から選択酸化することにより得られる。

　酸化狭窄層１１１の非酸化領域１１１ａは、一例として、酸化狭窄層１０５の非酸化領域１０５ａに対応する位置に位置している。酸化狭窄層１１１の酸化狭窄径（酸化領域１１１ｂの内径）は、一例として、酸化狭窄層１０５の酸化狭窄径（酸化領域１０５ｂの内径）と同一に設定されている。

　酸化狭窄層１１１の厚さは、λ／２以下であることが好ましく、λ／４以下であることがより好ましく、λ／８以下であることより好ましく、λ／１６以下であることがより好ましい。但し、λは共振器の発振波長

（第２半導体多層膜反射鏡）
　第２半導体多層膜反射鏡１１２（半導体ＤＢＲ）は、一例として、ｐ型不純物がドープされた半導体多層膜反射鏡であり、光吸収が少なく、高反射率と導電性とを有する。多層膜反射鏡は、分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれる。第２半導体多層膜反射鏡１１２は、低屈折率層及び高屈折率層が交互に積層された積層構造であって、隣り合う低屈折率層及び高屈折率層の間に第１又は第２グレーデッド層（組成傾斜層）が配置された積層構造を有する。該積層構造では、低屈折率層、第１グレーデッド層、高屈折率層及び第２グレーデッド層がこの順に積層された４層構造が複数積層されている。一例として、低屈折率層はＡｌ_ｘ１４Ｇａ_{１－ｘ１４}Ａｓ（０＜ｘ１４≦１）からなる。高屈折率層はＡｌ_ｘ１５Ｇａ_{１－ｘ１５}Ａｓ（０≦ｘ１５＜ｘ１４）からなる。第１グレーデッド層は、低屈折率層と接する一面から高屈折率層と接する他面に向かって低屈折率層の組成で始まって高屈折率層の組成で終わるように連続的に組成変化する。第２のグレーデッド層は、高屈折率層と接する一面から低屈折率層と接する他面に向かって高屈折率層の組成で始まって低屈折率層の組成で終わるように連続的に組成変化する。第２半導体多層膜反射鏡１１２のｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。なお、第２半導体多層膜反射鏡１１２において、第１及び第２グレーデッド層は必須ではない。

（コンタクト層）
　コンタクト層１１３は、アノード電極１１５と互いにオーミック接触させるための層である。コンタクト層１１３は、ｐ型不純物が高濃度にドープされたハイドープ層であり、例えばｐ－Ａｌ_ｘ１６Ｇａ_{１－ｘ１６}Ａｓ（０≦ｘ１６＜１）からなる。コンタクト層１１３のｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

（絶縁膜）
　絶縁膜１１６は、例えばポリイミド、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ等の誘電体からなる。

（アノード電極）
　アノード電極１１５は、一例として、非合金によって構成されており、例えば、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕがコンタクト層１１３側からこの順に積層された構造を有する。

（アノード配線）
　アノード配線１５０は、一例として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等を含むメッキからなる。

（カソード電極）
　カソード電極１１４は、一例として、合金を含んで構成されており、例えば、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、Ａｕを基板１００側からこの順に積層された構造を有する。

（発光層及び酸化狭窄層の位置）
　図６は、図４の面発光素子１０００のメサＭ１を抜き出して示す部分拡大図である。第１発光層１０３は、一例として図６に示すように、厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３が出射光（発振光）の電界の定在波（共振器内に生じる定在波）の腹位置（腹の位置）と一致している。第２発光層１０９は、厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９が出射光（発振光）の電界の定在波（共振器内に生じる定在波）の腹位置（腹の位置）と一致している。

　酸化狭窄層１０５は、一例として、第２発光層１０９の、第１構造ＳＴ１の第１面側（下側）に配置された第１酸化狭窄層である。酸化狭窄層１１１は、一例として、第２発光層１０９の、第２構造ＳＴ２の第２面側（上側）に配置された第２酸化狭窄層である。

　酸化狭窄層１０５は、一例として、厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５が出射光の電界の定在波（共振器内に生じる定在波）における節位置（節の位置）と一致していない所定の酸化狭窄層である。具体的には、一例として、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５が、該中央位置ＣＰ１０５から最も近い（最寄りの）、定在波の節位置ＮＰ１０５の第１面側（下側）に位置している。

　酸化狭窄層１１１は、一例として、厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１が出射光の電界の定在波（共振器内に生じる定在波）における節位置（節の位置）と一致していない所定の酸化狭窄層である。具体的には、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１が、該中央位置ＣＰ１１１から最も近い（最寄りの）、定在波の節位置ＮＰ１１１の第２面側（上側）に位置している。すなわち、酸化狭窄層１０５、１１１は、最寄りの節位置に対するずれ方向が互いに逆向きである。

　ここでは、一例として、酸化狭窄層１０５（当該所定の酸化狭窄層）は、厚さ方向の全域が、厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１０５から外れている。一例として、酸化狭窄層１１１（当該所定の酸化狭窄層）は、厚さ方向の全域が、厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１１１から外れている。

　酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と該中央位置ＣＰ１０５から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１０５との距離をｔ１、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離Ｌ１とすると、ｎを自然数として、Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ１が成立する。但し、０＜ｔ１≦λ／４（λ：発振波長）

　酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と該中央位置ＣＰ１１１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１１１との距離をｔ２、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離Ｌ２とすると、ｍを自然数として、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４＋ｔ２が成立する。但し、０＜ｔ２≦λ／４（λ：発振波長）

　図６の例では、ｔ１＝ｔ２＝ｔ（０＜ｔ≦λ／４）、ｎ＝ｍ＝ｋ（ｋは自然数、ここではｋ＝２）となっている。これは、酸化狭窄層１０５、１１１が第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９に関して対称に配置されていることを意味する。

　すなわち、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離と、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離とが等しい。

　酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３との距離をＬ３とすると、ｉを自然数として、Ｌ３＝（２ｉ－１）λ／４－ｔ３（０＜ｔ３≦λ／４）が成立する。図６の例では、ｉ＝２、ｔ３＝ｔである。

　以上説明した面発光素子１０００の構造的な特徴は、例えば、透過型電子顕微鏡分析（ＴＥＭ）や走査型透過型電子顕微鏡分析（ＳＴＥＭ）を用いた断面解析により判別することができる。

≪面発光素子の動作≫
　以下、面発光素子１０００の動作について説明する。面発光素子１０００にドライバの電源電圧が印加されると、ドライバの陽極側からアノード電極１１５を介してメサＭ１に電流が流入される。メサＭ１に流入された電流は、コンタクト層１１３及び第２半導体多層膜反射鏡１１２をこの順に介し、酸化狭窄層１１１で狭窄され、第５クラッド層１１０を介して第２発光層１０９に注入される。第２発光層１０９に注入された電流は、第４クラッド層１０８、トンネルジャンクション層１０７及び第３クラッド層１０６をこの順に介し、酸化狭窄層１０５で狭窄され、第２クラッド層１０４を介して第１発光層１０３に注入される。第１及び第２発光層１０３、１０９の各々への電流注入により、第１及び第２発光層１０３、１０９が発光し、それらの光が第１及び第２半導体多層膜反射鏡１０１、１１２の間を酸化狭窄層１０５、１１１で狭窄され且つ第１及び第２発光層１０３、１０９で増幅されつつ往復し、発振条件を満たしたとき、メサＭ１の上面側へレーザ光として出射される。第１発光層１０３に注入された電流は、第１クラッド層１０２、第１半導体多層膜反射鏡１０１、基板１００及びカソード電極１１４をこの順に介してドライバの陰極側へ流出される。

≪面発光素子の製造方法≫
　以下、面発光素子１０００の製造方法の一例について、図７のフローチャート等を参照して説明する。全体の流れとしては、先ず、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１００の基材である１枚のウェハ（以下では、便宜上「基板１００」と呼ぶ）上に複数の面発光素子１０００を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の面発光素子１０００をダイシング（例えばステルスダイシング）により互いに分離して、チップ状の面発光素子１０００を得る。

　最初のステップＳ１では、積層体を生成する（図８参照）。具体的には、例えばＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：有機金属気相成長）法などのエピタキシャル結晶成長法により、成長基板としての基板１００上に第１半導体多層膜反射鏡１０１、第１クラッド層１０２、第１発光層１０３、第２クラッド層１０４、被酸化層１０５Ｓ（（例えばｐ－Ａｌ_ｘ７Ｇａ_１－ｘ７Ａｓ層（０≦ｘ７≦１）））、第３クラッド層１０６、トンネルジャンクション層１０７、第４クラッド層１０８、第２発光層１０９、第５クラッド層１１０、被酸化層１１１Ｓ（（例えばｐ－Ａｌ_ｘ１３Ｇａ_{１－ｘ１３}Ａｓ層（０≦ｘ１３≦１）））、第２半導体多層膜反射鏡１１２及びコンタクト層１１３をこの順に積層して積層体を生成する。積層体の生成の際、化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）などのメチル系有機金属ガスと、アルシン(ＡｓＨ_３)ガスを用い、ドナー不純物の原料としては、例えばジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）を用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えば四臭化炭素（ＣＢｒ_４）を用いる。

　次のステップＳ２では、メサを形成する（図９参照）。具体的には、先ず、フォトリソグラフィにより、積層体上にメサを形成するためのレジストパターンを形成する。次いで、該レジストパターンをマスクとして積層体をドライエッチング（例えばＣｌ系ガスによるＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ））によりエッチングする。このエッチングは、少なくとも被酸化層１０５Ｓの側面が露出するまで（例えばエッチング底面が第１半導体多層膜反射鏡１０１の上面に一致するまで）行う。この結果、メサが形成される。その後、レジストパターンを除去する。

　次のステップＳ３では、酸化狭窄層１０５、１１１を形成する（図１０参照）。具体的には、積層体に形成されたメサを高温の水蒸気雰囲気に曝して、メサの側面から被酸化層１０５Ｓ、１１１Ｓ（図９参照）の各々に含まれるＡｌを選択的に酸化する。または、ウェット酸化法により、メサの側面から被酸化層１０５Ｓ、１１１Ｓ（図９参照）の各々に含まれるＡｌを選択的に酸化する。この結果、非酸化領域１０５ａが酸化領域１０５ｂで囲まれた酸化狭窄層１０５及び非酸化領域１１１ａが酸化領域１１１ｂで囲まれた酸化狭窄層１１１が形成される。

　次のステップＳ４では、絶縁膜１１６を形成する。具体的には、先ず、絶縁膜１１６を全面に成膜する（図１１参照）。絶縁膜１１６の成膜には、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いることが好ましい。その理由は、絶縁膜１１６は、第１半導体多層膜反射鏡１０１、第２半導体多層膜反射鏡１１２、酸化狭窄層１０５、酸化狭窄層１１１等の各構成要素と湿気との接触を防ぐものであるとともに、各構成要素（但し、コンタクト層１１３を除く）とアノード電極１１５とを電気的に分離するものでもあるため、メサの側面に対する被膜性を高くする必要があるからである。より具体的には、絶縁膜１１６の成膜には、例えば、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などを利用することができる。また、絶縁膜１１６に平坦性を持たせるためにスピンコート法などを用いてもよいが、被膜性を向上させるためにスピンコート法の前後にＣＶＤ法を併用することが好ましい。次いで、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、メサ上の絶縁膜１１６を選択的に除去して、コンタクト層１１３の一部を露出させる周回状（例えばリング状）のコンタクトホール１１６ａを形成する（図１２参照）。

　次のステップＳ５では、アノード電極１１５を形成する（図１３参照）。具体的には、例えば真空蒸着法、スパッタ法等により、コンタクトホール１１６ａ内に例えばＴｉ、Ｐｔ及びＡｕをこの順に積層して、コンタクト層１１３に接する周回状（例えばリング状）のアノード電極１１５を形成する。

　次のステップＳ６では、アノード配線１５０を形成する（図１４参照）。具体的には、例えばメッキ法により、アノード配線１５０を、アノード電極１１５と接するように且つアノード電極１１５の内径側の絶縁膜１１６を露出させるように形成する。なお、メッキ法の実施に先立って、メッキされることとなる箇所に予めシード層を形成しておくことが好ましい。

　最後のステップＳ７では、カソード電極１１４を形成する（図１５参照）。具体的には、基板１００の裏面（下面）を研磨して全体の厚さを例えば１００μｍ程度にした後、例えば真空蒸着法、スパッタ法等により、該裏面にＡｕとＧｅとの合金層（ＡｕＧｅ層）、Ｎｉ層及びＡｕ層をこの順に積層してベタ状のカソード電極１１４を形成する。その後、絶縁膜１１６のダイシングされる部分を除去し、基板１００上に一体に形成された複数の面発光素子１０００をダイシング（例えばステルスダイシング）により互いに分離して、複数のチップ状の面発光素子１０００を得る。
≪面発光素子の効果≫
　以下、面発光素子１０００の効果について説明する。

　面発光素子１０００は、第１半導体構造ＳＳ１を含む第１構造ＳＴ１と、第１構造ＳＴ１と積層された、第２半導体構造ＳＳ２を含む第２構造ＳＴ２と、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の間に配置された第１及び第２発光層１０３、１０９と、第１構造ＳＴ１の第２構造ＳＴ２側とは反対側の表面である第１面と、第２構造ＳＴ２の第１構造ＳＴ１側とは反対側の表面である第２面との間で、第１及び第２発光層１０３、１０９と積層され且つ互いに積層された酸化狭窄層１０５、１１１と、を備え、酸化狭窄層１０５、１１１の各々は、厚さ方向の中央位置が出射光の電界の定在波における節位置と一致していない所定の酸化狭窄層である。

　面発光素子１０００では、酸化狭窄層１０５、１１１の各々の厚さ方向の中央位置が出射光の電界の定在波の節位置と一致していないため、該中央位置が節位置と一致している場合と比べ、各酸化狭窄層の厚さを厚くすることなく該酸化狭窄層における実効屈折率差Δｎを大きくすることができる。高Δｎを得ることは高ＮＡを得ることにつながる。

　結果として、面発光素子１０００によれば、クラックの発生を抑制しつつ酸化狭窄層１０５、１１１の各々における実効屈折率差Δｎを大きくすることができる面発光素子を提供することができる。

　酸化狭窄層１０５、１１１の各々は、厚さ方向の全域が定在波の節位置から外れている。これにより、各酸化狭窄層の厚さが薄い場合でも、該酸化狭窄層における実効屈折率差Δｎを十分に大きくすることができる。

　各酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と該中央位置から最も近い（最寄りの）、定在波の節位置との距離をｔとすると、該中央位置と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離は、ｋを自然数として、（２ｋ－１）λ／４＋ｔである。これにより、第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９を定在波の腹位置に一致させ、且つ、各酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置を定在波の最寄りの節位置から距離ｔだけずらすことができる。

　酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５が、該中央位置ＣＰ１０５から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１０５の第１面側（下側）に位置し、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１が、該中央位置ＣＰ１１１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１１１の第２面側（上側）に位置する。この場合、酸化狭窄層１０５は最寄りの節位置ＮＰ１０５から距離ｔだけ下方にずれ、酸化狭窄層１１１は最寄りの節位置ＮＰ１１１から距離ｔだけ上方にずれているため、仮に製造時に実際のエピ膜厚が設計値からずれてしまい、酸化狭窄層１０５、１１１と定在波とが積層方向（出射方向）に例えば距離ｕ（＜ｔ）だけずれた場合でも、酸化狭窄層１０５、１１１の一方が最寄りの節位置に近づき、且つ、他方が最寄りの節位置から遠ざかるため（図３１、図３２参照）、Δｎの設計値からのずれを抑制することができる。これにより、ＮＡの設計値に対して高いロバスト性を担保することができる。補足すると、図３１の例では、当該ずれにより、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と最寄りの節位置ＮＰ１０５との距離がｔ＋ｕ、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と最寄りの節位置ＮＰ１１１との距離がｔ－ｕとなっている。図３２の例では、図３１の例とはずれ方向が逆であり、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と最寄りの節位置ＮＰ１０５との距離がｔ－ｕ、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と最寄りの節位置ＮＰ１１１との距離がｔ＋ｕとなっている。なお、図３１の例及び図３２の例も、実施例１のメサＭ１の一形態ということができる。すなわち、図３１の例では、ｔ１＝ｔ＋ｕ、且つ、ｔ２＝ｔ－ｕの場合に相当する。図３２の例では、ｔ１＝ｔ－ｕ、且つ、ｔ２＝ｔ＋ｕの場合に相当する。例えば、ｔ１、ｔ２の設計値をｔとしたときに、図６の例は膜厚ずれが生じていない例、図３１及び図３２の例は膜厚ずれが生じている例と捉えることもできる。

　酸化狭窄層１０５、１１１は、偶数個の酸化狭窄層であるため、各発光層の厚さ方向の中央位置を定在波の腹位置に一致させつつ、全ての酸化狭窄層１０５、１１１を当該所定の酸化狭窄層（定在波の最寄りの節位置に厚さ方向の中央位置が一致していない酸化狭窄層）とすることができる。

　以上のように、面発光素子１０００によれば、クラックの発生を抑制しつつ、高ＮＡが得られ、且つ、膜厚ずれに対して高いロバスト性を持つ、高出力且つ高効率のＶＣＳＥＬを提供することができる。

＜２．本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光素子＞
　図１６は、本技術の一実施形態の実施例２に係る面発光素子のメサＭ２を抜き出して示す断面図である。

　実施例２に係る面発光素子は、図１６に示すように、各酸化狭窄層の、最寄りの節位置からのずれ方向が実施例１に係る面発光素子１０００とは逆である点を除いて、実施例１に係る面発光素子１０００と同様の構成を有する。

　実施例２においても、酸化狭窄層１０５、１１１の各々は、一例として、厚さ方向の中央位置が出射光の電界の定在波（共振器内に生じる定在波）における節位置（節の位置）と一致していない所定の酸化狭窄層である。

　具体的には、実施例２では、一例として、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５が、該中央位置ＣＰ１０５から最も近い（最寄りの）、定在波の節位置ＮＰ１０５の第２面側（上側）に位置し、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１が、該中央位置ＣＰ１１１から最も近い（最寄りの）、定在波の節位置ＮＰ１１１の第１面側（下側）に位置している。すなわち、酸化狭窄層１０５、１１１は、最寄りの節位置に対するずれ方向が互いに逆向きである。

　ここでは、一例として、酸化狭窄層１０５（当該所定の酸化狭窄層）は、厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５以外の位置が該中央位置ＣＰ１０５に最寄りの節位置ＮＰ１０５と一致している。一例として、酸化狭窄層１１１（当該所定の酸化狭窄層）は、厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１以外の位置が該中央位置ＣＰ１１１に最寄りの節位置ＮＰ１１１と一致している。

　酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と該中央位置ＣＰ１０５から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１０５との距離をｔ１、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離Ｌ１とすると、ｎを自然数として、Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４－ｔ１が成立する。但し、０＜ｔ１≦λ／４（λ：発振波長）

　酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と該中央位置ＣＰ１１１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１１１との距離をｔ２、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離Ｌ２とすると、ｍを自然数として、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４－ｔ２が成立する。但し、０＜ｔ２≦λ／４（λ：発振波長）

　図１６の例では、ｔ１＝ｔ２＝ｔ（０＜ｔ≦λ／４）、ｎ＝ｍ＝ｋ（ｋは自然数、ここではｋ＝２）となっている。これは、酸化狭窄層１０５、１１１が第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９に関して対称に配置されていることを意味する。

　酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３との距離Ｌ３とすると、ｉを自然数として、Ｌ３＝（２ｉ－１）λ／４＋ｔ３（０＜ｔ３≦λ／４）が成立する。図１６の例では、ｉ＝２、ｔ３＝ｔである。

　実施例２に係る面発光素子によれば、実施例１に係る面発光素子１０００と同様の効果が得られる。

＜３．本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光素子＞
　図１７は、本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光素子３０００の断面図である。図１８は、本技術の一実施形態の実施例３に係る面発光素子３０００のメサＭ３を抜き出して示す断面図である。

　面発光素子３０００は、図１７に示すように、第１～第３発光層１０３、１０９、１１７を備えている。

　面発光素子３０００は、第４クラッド層１０８と第２発光層１０９との間に第３発光層１１７、第６クラッド層１１８、トンネルジャンクション層１１９、第７クラッド層１２０が第４クラッド層１０８側（下側）からこの順に積層されている点を除いて、実施例１に係る面発光素子１０００と同様の構成を有する。すなわち、面発光素子３０００では、第１及び第３発光層１０３、１１７の間にトンネルジャンクション層１０７が配置され、且つ、第２及び第３発光層１０９、１１７の間にトンネルジャンクション層１１９が配置されている。面発光素子３０００では、酸化狭窄層１０５、１１１の間に発光層及びトンネルジャンクション層が交互に積層されている。

　第３発光層１１７は、一例として、第４及び第６クラッド層１０８、１１８よりもバンドギャップエネルギーが小さい化合物半導体からなる。第３発光層１１７は、例えば、アンドープのＩｎ_ｘ１７Ｇａ_{１－ｘ１７}Ａｓ（０＜ｘ１７＜１）からなる井戸層及びアンドープのＡｌ_ｘ１８Ｇａ_{１－ｘ１８}Ａｓ（０＜ｘ１８＜１）からなる障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造を有する。第３発光層１１７は、多重量子井戸構造に代えて、量子井戸構造、量子細線構造、量子ドット構造のいずれかを有していてもよい。第３発光層１１７の発光波長は、第１及び第２発光層１０３、１０９の発光波長（例えば６００～１１００ｎｍ）と同一に設定されている。第３発光層１１７は「第３活性層」と呼んでもよい。第３発光層１１７は、厚さ方向の中央位置が、共振器内に生じる定在波の腹位置に一致することが好ましい。

　第６クラッド層１１８は、例えばｐ－Ａｌ_ｘ１９Ｇａ_{１－ｘ１９}Ａｓ（０≦ｘ１９＜１）からなる。「第６クラッド層」は「第６スペーサ層」と呼んでもよい。第６クラッド層１１８のｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

　トンネルジャンクション層１１９は、第２発光層１０９を流れた電流をトンネル効果により電流値を変えずに第３発光層１１７へ流す機能を有する。トンネルジャンクション層１１９は、厚さ方向の所定位置（例えば中央位置）が定在波の節位置に一致することが好ましい。トンネルジャンクション層１１９は、例えば、ｐ型ハイドープ層（ｐ＋＋層）とｎ型ハイドープ層（ｎ＋＋層）とが積層された構造を有する。ｐ型ハイドープ層は、例えば、高濃度の炭素（Ｃ）などのｐ型不純物を含むＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓからなり、ｎ型ハイドープ層は、例えば、高濃度のテルル（Ｔｅ）などのｎ型不純物を含むＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓからなる。ここでは、ｐ型ハイドープ層がｎ型ハイドープ層の基板１００側（下側）に配置されている。

　ここでは、トンネルジャンクション層１０７は、第３発光層１１７を流れた電流をトンネル効果により電流値を変えずに第１発光層１０３へ流す機能を有する。

　第７クラッド層１２０は、例えばｎ－Ａｌ_ｘ２０Ｇａ_{１－ｘ２０}Ａｓ（０≦ｘ２０＜１）からなる。「第７クラッド層」は「第７スペーサ層」と呼んでもよい。第７クラッド層１２０のｎ型不純物（ｎ型ドーパント）としては、例えばＳｉ、Ｓｅ、Ｇｅ等が挙げられる。

　実施例３においても、酸化狭窄層１０５、１１１の各々は、一例として、図１８に示すように、厚さ方向の中央位置が出射光の電界の定在波（共振器内に生じる定在波）における節位置（節の位置）と一致していない所定の酸化狭窄層である。

　具体的には、一例として、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５が、該中央位置ＣＰ１０５から最も近い（最寄りの）、定在波の節位置ＮＰ１０５の第１面側（下側）に位置する。一例として、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１が、該中央位置ＣＰ１１１から最も近い（最寄りの）、定在波の節位置ＮＰ１１１の第２面側（上側）に位置している。すなわち、酸化狭窄層１０５、１１１は、最寄りの節位置に対するずれ方向が互いに逆向きである。

　酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と該中央位置ＣＰ１０５から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１０５との距離をｔ１、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第３発光層１１７の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１７との距離をＬ１とすると、ｎを自然数として、Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ１が成立する。但し、０＜ｔ１≦λ／４（λ：発振波長）

　酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と該中央位置ＣＰ１１１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１１１との距離をｔ２、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離をＬ２とすると、ｍを自然数として、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４＋ｔ２が成立する。但し、０＜ｔ２≦λ／４（λ：発振波長）

　図１８の例では、ｔ１＝ｔ２＝ｔ（０＜ｔ≦λ／４）、ｎ＝ｍ＝ｋ（ｋは自然数、ここではｋ＝２）となっている。

　すなわち、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第３発光層１１７の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１７との距離と、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離とが等しい。酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第３発光層１１７の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１７との距離と、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と第３発光層１１７の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１７との距離とが異なる。酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離と、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離とが異なる。ここでは、トンネルジャンクション層１１９の厚さ方向の中央位置に関して、酸化狭窄層１０５、１１１が対称に配置され、且つ、第２及び第３発光層１０９、１１７が対称に配置されている。

　酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３との距離をＬ３とすると、ｉを自然数として、Ｌ３＝（２ｉ－１）λ／４－ｔ３（０＜ｔ３≦λ／４）が成立する。図１８の例では、ｉ＝２、ｔ３＝ｔである。

　実施例３に係る面発光素子３０００によれば、実施例１に係る面発光素子１０００と同様の効果が得られるともに、発光層が増設されているので更なる高出力化を図ることができる。

＜４．本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光素子＞
　図１９は、本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光素子４０００の断面図である。図２０は、本技術の一実施形態の実施例４に係る面発光素子４０００のメサＭ４を抜き出して示す断面図である。

　面発光素子４０００は、図１９に示すように、第１～第３発光層１０３、１０９、１１７と、３つの酸化狭窄層１０５、１１１、１２１とを備える。

　面発光素子４０００は、第４クラッド層１０８と第２発光層１０９との間に第３発光層１１７、第６クラッド層１１８、酸化狭窄層１２１、第８クラッド層１２２、トンネルジャンクション層１１９、第７クラッド層１２０が第４クラッド層１０８側（下側）からこの順に積層されている点を除いて、実施例１に係る面発光素子１０００と同様の構成を有する。すなわち、面発光素子３０００では、第１及び第３発光層１０３、１１７の間にトンネルジャンクション層１０７が配置され、且つ、第２及び第３発光層１０９、１１７の間にトンネルジャンクション層１１９が配置され、且つ、第２及び第３発光層１０９、１１７の間に酸化狭窄層１２１が配置されている。

　第８クラッド層１２２は、例えばｐ－Ａｌ_ｘ２１Ｇａ_{１－ｘ２１}Ａｓ（０≦ｘ２１＜１）からなる。「第８クラッド層」は「第８スペーサ層」と呼んでもよい。第８クラッド層１２２のｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

　酸化狭窄層１２１は、一例として、非酸化領域１２１ａと、該非酸化領域１２１ａを囲む酸化領域１２１ｂ（絶縁領域）とを有する。

　非酸化領域１２１ａは、第２及び第３発光層１０９、１１７の発光領域に対応する領域であり、電流・光通過領域として機能する。非酸化領域１２１ａは、例えばｐ－Ａｌ_ｘ２２Ｇａ_{１－ｘ２２}Ａｓ（０＜ｘ２２≦１）からなる。ｘ２２≧０．８であることが好ましく、ｘ２２≧０．９であることがより好ましい。非酸化領域１２１ａのｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

　酸化領域１２１ｂは、一例として、非酸化領域１２１ａを囲む平面視周回状（例えばリング状）の領域である。酸化領域１２１ｂは、非酸化領域１２１ａよりも高抵抗且つ低屈折率な領域であり、電流・光狭窄領域として機能する。酸化領域１２１ｂは、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）を含んで構成されており、例えば、高Ａｌ組成の被酸化層（例えばｐ－Ａｌ_ｘ２３Ｇａ_{１－ｘ２３}Ａｓ層（０≦ｘ２３≦１））を側面から選択酸化することにより得られる。

　酸化狭窄層１２１の非酸化領域１２１ａは、一例として、酸化狭窄層１０５、１１１の非酸化領域１０５ａ、１１１ａに対応する位置に位置している。酸化狭窄層１２１の酸化狭窄径（酸化領域１２１ｂの内径）は、一例として、酸化狭窄層１０５、１１１の酸化狭窄径（酸化領域１０５ｂ、１１１ｂの内径）と同一に設定されている。

　酸化狭窄層１２１の厚さは、λ／２以下であることが好ましく、λ／４以下であることがより好ましく、λ／８以下であることより好ましく、λ／１６以下であることがより好ましい。但し、λは共振器の発振波長

　実施例４では、図２０に示すように、酸化狭窄層１０５が第３発光層１１７の第１面側（下側）に位置する第１酸化狭窄層であり、酸化狭窄層１２１が第３発光層１１７の第２面側（上側）に位置する第２酸化狭窄層である。酸化狭窄層１２１が第２発光層１０９の第１面側（下側）に位置する第１酸化狭窄層であり、酸化狭窄層１１１が第２発光層１０９の第２面側（上側）に位置する第２酸化狭窄層である。

　実施例４では、第３発光層１１７に対応する（近接する）第１及び第２酸化狭窄層の一方（第１酸化狭窄層としての酸化狭窄層１０５）と、第２発光層１０９に対応する（近接する）第１及び第２酸化狭窄層の一方（第２酸化狭窄層としての酸化狭窄層１１１）とが、厚さ方向の中央位置が出射光の電界の定在波（共振器内に生じる定在波）における節位置（節の位置）と一致していない所定の酸化狭窄層である。酸化狭窄層１２１は、厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１が定在波の節位置と一致している。

　第３発光層１１７に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５が、該中央位置ＣＰ１０５から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１０５の第１面側（下側）に位置し、第３発光層１１７に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１２１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１が定在波の節位置と一致している。

　第２発光層１０９に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１が、該中央位置ＣＰ１１１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１１１の第２面側（上側）に位置し、第２発光層１０９に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１２１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１が定在波の節位置と一致している。

　第３発光層１１７に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第３発光層１１７の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１７との距離をＬ１、第３発光層１１７に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１２１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１と第３発光層１１７の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１７との距離をＬ２、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と該中央位置ＣＰ１０５から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１０５との距離をｔ１とすると、ｎ、ｍを自然数として、Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ１、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４が成立する。但し、０＜ｔ１≦λ／４（λ：発振波長）

　図２０の例では、ｔ１＝ｔ（０＜ｔ≦λ／４）、ｎ＝ｍ＝ｋ（ｋは自然数、ここではｋ＝２）となっている。

　第２発光層１０９に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１２１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１が定在波の節位置と一致し、第２発光層１０９に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１が、該中央位置ＣＰ１１１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１１１の第２面側（上側）に位置している。

　第２発光層１０９に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離をＬ１、第２発光層１０９に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１２１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離をＬ２、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と該中央位置ＣＰ１１１から最も近い、節位置ＮＰ１１１との距離をｔ２とすると、ｎ、ｍを自然数として、Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ２、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４が成立する。但し、０＜ｔ２≦λ／４（λ：発振波長）

　図２０の例では、ｔ２＝ｔ（０＜ｔ≦λ／４）
、ｎ＝ｍ＝ｋ（ｋは自然数、ここではｋ＝２）となっている。

　酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３との距離をＬ３とすると、ｉを自然数として、Ｌ３＝（２ｉ－１）λ／４－ｔ３（０＜ｔ３≦λ／４）が成立する。図２０の例では、ｉ＝２、ｔ３＝ｔである。

　実施例４に係る面発光素子４０００によれば、実施例１に係る面発光素子１０００と同様の効果が得られるともに、発光層及び酸化狭窄層が増設されているので更なる高出力化及び高効率化を図ることができる。

＜５．本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光素子＞
　図２１は、本技術の一実施形態の実施例５に係る面発光素子５０００の断面図である。

　面発光素子５０００は、図２１に示すように、裏面出射型であり、且つ、メサの導電型（ｐ型及びｎ型）が反転された構成を有する点を除いて、実施例１に係る面発光素子１０００と概ね同様の構成を有する。

　面発光素子５０００では、基板１００と第２半導体多層膜反射鏡１１２との間にコンタクト層１１３（例えばｐ－Ａｌ_ｘ１６Ｇａ_{１－ｘ１６}Ａｓ層（０≦ｘ１６＜１））設けられている。

　ここでは、一例として、第２半導体多層膜反射鏡１１２、酸化狭窄層１１１、第５クラッド層１１０、第２発光層１０９、第４クラッド層１０８、トンネルジャンクション層１０７、第３クラッド層１０６、酸化狭窄層１０５、第２クラッド層１０４、第１発光層１０３、第１クラッド層１０２、第１半導体多層膜反射鏡１０１及びコンタクト層１２３が基板１００側（下側）からこの順に積層され、メサＭ５が構成されている。コンタクト層１２３は、ｐ型不純物が高濃度にドープされたハイドープ層、例えばｐ－Ａｌ_Ｘ２４Ｇａ_{１－Ｘ２４}Ａｓ（０≦Ｘ２４＜１）からなる。

　メサＭ５の頂部上（詳しくはコンタクト層１２３上）の絶縁膜１１６に設けられたコンタクトホール１１６ｂ内にベタ状のカソード電極１１４がコンタクト層１２３とオーミック接触するように設けられている。

　コンタクト層１１３のメサＭ５の周辺の領域上の絶縁膜１１６にメサＭ５を囲むように周回状（例えばリング状）に設けられたコンタクトホール１１６ｃ内に、周回状（例えばリング状）のアノード電極１１５がコンタクト層１１３にオーミック接触するように設けられている。すなわち、面発光素子５０００は、イントラキャビティ構造を有し、直列抵抗を低減することが可能である。面発光素子５０００では、例えば、基板１００に半絶縁性のＧａＡｓ基板を用いることもできる。

　実施例５に係る面発光素子５０００によれば、実施例１に係る面発光素子１０００と同様の効果が得られるともに、裏面出射型の、低消費電力且つ高出力且つ高効率のＶＣＳＥＬを提供することができる。

＜６．本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光素子＞
　図２２は、本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光素子６０００の断面図である。図２３は、本技術の一実施形態の実施例６に係る面発光素子６０００のメサＭ６を抜き出して示す断面図である。

　面発光素子６０００は、図２２及び図２３に示すように、第３クラッド層１０６、トンネルジャンクション層１０７、第４クラッド層１０８、第２発光層１０９及び第５クラッド層１１０を有していない点を除いて、実施例１に係る面発光素子１０００と概ね同様の構成を有する。

　すなわち、面発光素子６０００は、単一の発光層（第１発光層１０３）を有するＶＣＳＥＬである。

　面発光素子６０００では、第１半導体多層膜反射鏡１０１と第１クラッド層１０２との間に酸化狭窄層１０５が配置され、第２クラッド層１０４と第２半導体多層膜反射鏡１１２との間に酸化狭窄層１１１が配置されている。

　面発光素子６０００では、酸化狭窄層１０５、第１クラッド層１０２、第１発光層１０３、第２クラッド層１０４、酸化狭窄層１１１、第２半導体多層膜反射鏡１１２及びコンタクト層１１３が基板１００側（下側）からこの順に積層されて、メサＭ６が構成されている。

　実施例６においても、酸化狭窄層１０５、１１１の各々は、一例として、図２３に示すように、厚さ方向の中央位置が出射光の電界の定在波（共振器内に生じる定在波）における節位置（節の位置）と一致していない所定の酸化狭窄層である。

　具体的には、一例として、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５が、該中央位置ＣＰ１０５から最も近い（最寄りの）、定在波の節位置ＮＰ１０５の第２面側（上側）に位置し、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１が、該中央位置ＣＰ１１１から最も近い（最寄りの）、定在波の節位置ＮＰ１１１の第１面側（下側）に位置している。すなわち、酸化狭窄層１０５、１１１は、最寄りの節位置に対するずれ方向が互いに逆向きである。

　ここでは、一例として、酸化狭窄層１０５（当該所定の酸化狭窄層）は、厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５以外の位置（例えば最下位置）が該中央位置ＣＰ１０５に最寄りの節位置ＮＰ１０５と一致している。一例として、酸化狭窄層１１１（当該所定の酸化狭窄層）は、厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１以外の位置（例えば最上位置）が該中央位置ＣＰ１１１に最寄りの節位置ＮＰ１１１と一致している。

　酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と該中央位置ＣＰ１０５から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１０５との距離をｔ１、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３との距離Ｌ１とすると、ｎを自然数として、Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４－ｔ１が成立する。但し、０＜ｔ１≦λ／４（λ：発振波長）

　酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と該中央位置ＣＰ１１１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１１１との距離をｔ２、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３との距離Ｌ２とすると、ｍを自然数として、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４－ｔ２が成立する。但し、０＜ｔ２≦λ／４（λ：発振波長）

　図２３の例では、ｔ１＝ｔ２＝ｔ（０＜ｔ≦λ／４）、ｎ＝ｍ＝ｋ（ｋは自然数、ここではｋ＝２）となっている。これは、酸化狭窄層１０５、１１１が第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３に関して対称に配置されていることを意味する。

　すなわち、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３との距離と、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３との距離とが等しい。

　実施例６に係る面発光素子６０００によれば、実施例１に係る面発光素子１０００と同様の効果が得られるともに、簡素な構成を有する高効率のＶＣＳＥＬを提供することができる。なお、実施例６において、酸化狭窄層１０５、１１１の一方のみが上記所定の酸化狭窄層であってもよい。

＜７．本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光素子＞
　図２４は、本技術の一実施形態の実施例７に係る面発光素子のメサＭ７を抜き出して示す断面図である。

　実施例７に係る面発光素子は、図２４に示すように、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５が、該中央位置ＣＰ１０５から最も近い（最寄りの）、定在波の節位置ＮＰ１０５の第１面側（下側）に位置し、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１が、該中央位置ＣＰ１１１から最も近い（最寄りの）、定在波の節位置ＮＰ１１１の第１面側（上側）に位置している点を除いて、実施例６に係る面発光素子６０００と同様の構成を有する。

　実施例７では、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と該中央位置ＣＰ１０５から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１０５との距離をｔ１、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３との距離Ｌ１とすると、ｎを自然数として、Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ１が成立する。但し、０＜ｔ１≦λ／４（λ：発振波長）

　実施例７では、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と該中央位置ＣＰ１１１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１１１との距離をｔ２、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３との距離Ｌ２とすると、ｍを自然数として、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４＋ｔ２が成立する。但し、０＜ｔ２≦λ／４（λ：発振波長）

　図２４の例では、ｔ１＝ｔ２＝ｔ（０＜ｔ≦λ／４）、ｎ＝ｍ＝ｋ（ｋは自然数、ここではｋ＝２）となっている。これは、酸化狭窄層１０５、１１１が第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３に関して対称に配置されていることを意味する。

　実施例７に係る面発光素子によれば、実施例６に係る面発光素子６０００と同様の効果が得られる。

＜８．本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光素子＞
　図２５は、本技術の一実施形態の実施例８に係る面発光素子のメサＭ８を抜き出して示す断面図である。

　実施例８に係る面発光素子は、図２５に示すように、ｔ１≠ｔ２である点、例えばｔ１＞ｔ２である点を除いて、実施例６に係る面発光素子６０００と同様の構成を有する。なお、ｔ１＜ｔ２であってもよい。

　実施例８に係る面発光素子によれば、実施例６に係る面発光素子６０００と同様の効果が得られる。

＜９．本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光素子＞
　図２６は、本技術の一実施形態の実施例９に係る面発光素子のメサＭ９を抜き出して示す断面図である。

　実施例９に係る面発光素子は、図２６に示すように、ｔ１≠ｔ２である点、例えばｔ２＞ｔ１である点を除いて、実施例７に係る面発光素子と同様の構成を有する。なお、ｔ２＜ｔ１であってもよい。

　実施例９に係る面発光素子によれば、実施例６に係る面発光素子６０００と同様の効果が得られる。

＜１０．本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光素子＞
　図２７は、本技術の一実施形態の実施例１０に係る面発光素子のメサＭ１０を抜き出して示す断面図である。

　実施例１０に係る面発光素子は、図２７に示すように、Ｌ１、Ｌ２において、ｎ＝ｍ＝ｋ＝１である点を除いて、実施例７に係る面発光素子と同様の構成を有する。

　実施例１０に係る面発光素子によれば、実施例６に係る面発光素子６０００と同様の効果が得られる。

＜１１．本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光素子＞
　図２８は、本技術の一実施形態の実施例１１に係る面発光素子のメサＭ１１を抜き出して示す断面図である。

　実施例１１に係る面発光素子は、図２８に示すように、Ｌ１、Ｌ２において、ｎ＝ｍ＝ｋ＝１である点を除いて、実施例６に係る面発光素子と概ね同様の構成を有する。

　実施例１１に係る面発光素子は、第１及び第２クラッド層１０２、１０４を有していないが、有していてもよい。

　実施例１１に係る面発光素子によれば、実施例６に係る面発光素子６０００と同様の効果が得られる。

＜１２．本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光素子＞
　図２９は、本技術の一実施形態の実施例１２に係る面発光素子のメサＭ１２を抜き出して示す断面図である。

　実施例１２に係る面発光素子は、図２９に示すように、実施例４に係る面発光素子４０００に発光層及び酸化狭窄層が１つずつ増設された構造を有する。具体的には、面発光素子４０００は、メサＭ１２において、第８クラッド層１２２とトンネルジャンクション層１１９との間にトンネルジャンクション層１２４、第９クラッド層１２５、第４発光層１２６、第１０クラッド層１２７、酸化狭窄層１２８及び第１１クラッド層１２９が第８クラッド層１２２側（下側）からこの順に積層されている点を除いて、実施例４に係る面発光素子４０００と概ね同様の構成を有する。

　トンネルジャンクション層１２４は、第４発光層１２６を流れた電流をトンネル効果により電流値を変えずに第３発光層１１７へ流す機能を有する。トンネルジャンクション層１２４は、厚さ方向の所定位置が定在波の節位置に一致することが好ましい。トンネルジャンクション層１２４は、例えば、ｐ型ハイドープ層（ｐ＋＋層）とｎ型ハイドープ層（ｎ＋＋層）とが積層された構造を有する。ｐ型ハイドープ層は、例えば、高濃度の炭素（Ｃ）などのｐ型不純物を含むＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓであり、ｎ型ハイドープ層は、例えば、高濃度のテルル（Ｔｅ）などのｎ型不純物を含むＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓである。ここでは、ｐ型ハイドープ層がｎ型ハイドープ層の第１面側（下側）に配置されている。

　第９クラッド層１２５は、例えばｎ－Ａｌ_ｘ２５Ｇａ_{１－ｘ２５}Ａｓ（０≦ｘ２５＜１）からなる。「第９クラッド層」は「第９スペーサ層」と呼んでもよい。第９クラッド層１２５のｎ型不純物（ｎ型ドーパント）としては、例えばＳｉ、Ｓｅ、Ｇｅ等が挙げられる。

　第４発光層１２６は、一例として、第９及び第１０クラッド層１２５、１２７よりもバンドギャップエネルギーが小さい化合物半導体からなる。第４発光層１２６は、例えば、アンドープのＩｎ_ｘ２６Ｇａ_１－２６Ａｓ（０＜ｘ２６＜１）からなる井戸層及びアンドープのＡｌ_ｘ２７Ｇａ_{１－ｘ２７}Ａｓ（０＜ｘ２７＜１）からなる障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造を有する。第４発光層１２６は、多重量子井戸構造に代えて、量子井戸構造、量子細線構造、量子ドット構造のいずれかを有していてもよい。第４発光層１２６の発光波長は、第１～第３発光層１０３、１０９、１１７の発光波長（例えば６００～１１００ｎｍ）と同一に設定されている。第４発光層１２６は「第４活性層」と呼んでもよい。第４発光層１２６は、厚さ方向の中央位置ＣＰ１２６が、共振器内に生じる定在波の腹位置に一致することが好ましい。

　第１０クラッド層１２７は、例えばｐ－Ａｌ_ｘ２８Ｇａ_{１－ｘ２８}Ａｓ（０≦ｘ２８＜１）からなる。「第１０クラッド層」は「第１０スペーサ層」と呼んでもよい。第１０クラッド層１２７のｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

　酸化狭窄層１２８は、一例として、非酸化領域と、該非酸化領域を囲む酸化領域（絶縁領域）とを有する。

　当該非酸化領域は、第２及び第４発光層１０９、１２６の発光領域に対応する部分であり、電流・光通過領域として機能する。当該非酸化領域は、例えばｐ－Ａｌ_ｘ２９Ｇａ_{１－ｘ２９}Ａｓ（０＜ｘ２９≦１）からなる。ｘ２９≧０．８であることが好ましく、ｘ２９≧０．９であることがより好ましい。当該非酸化領域のｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

　当該酸化領域は、一例として、当該非酸化領域を囲む平面視周回状（例えばリング状）の領域である。当該酸化領域は、当該非酸化領域よりも高抵抗且つ低屈折率な領域であり、電流・光狭窄領域として機能する。当該酸化領域は、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）を含んで構成されており、例えば、高Ａｌ組成の被酸化層（例えばｐ－Ａｌ_ｘ３０Ｇａ_{１－ｘ３０}Ａｓ層（０≦ｘ３０≦１））を側面から選択酸化することにより得られる。

　酸化狭窄層１２８の非酸化領域は、一例として、酸化狭窄層１０５、１１１、１２１の非酸化領域１０５ａ、１１１ａ、１２１ａに対応する位置に位置している。酸化狭窄層１２８の酸化狭窄径（酸化領域の内径）は、一例として、酸化狭窄層１０５、１１１、１２１の酸化狭窄径（酸化領域１０５ｂ、１１１ｂ、１２１ｂの内径）と同一に設定されている。

　酸化狭窄層１２８の厚さは、λ／２以下であることが好ましく、λ／４以下であることがより好ましく、λ／８以下であることより好ましく、λ／１６以下であることがより好ましい。但し、λは共振器の発振波長

　実施例１２では、酸化狭窄層１０５が第３発光層１１７の第１面側（下側）に位置する第１酸化狭窄層であり、酸化狭窄層１２１が第３発光層１１７の第２面側（上側）に位置する第２酸化狭窄層である。酸化狭窄層１２１が第４発光層１２６の第１面側（下側）に位置する第１酸化狭窄層であり、酸化狭窄層１２８が第４発光層１２６の第２面側（上側）に位置する第２酸化狭窄層である。酸化狭窄層１２８が第２発光層１０９の第１面側（下側）に位置する第１酸化狭窄層であり、酸化狭窄層１１１が第２発光層１０９の第２面側（上側）に位置する第２酸化狭窄層である。

　実施例１２では、第３発光層１１７に対応する（近接する）第１及び第２酸化狭窄層（酸化狭窄層１０５、１２１）と、第４発光層１２６に対応する（近接する）第１及び第２酸化狭窄層（酸化狭窄層１２１、１２８）と、第２発光層１０９に対応する（近接する）第１及び第２酸化狭窄層（酸化狭窄層１２８、１１１）とが、厚さ方向の中央位置が出射光の電界の定在波（共振器内に生じる定在波）における節位置（節の位置）と一致していない所定の酸化狭窄層である。

　第３発光層１１７に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５が、該中央位置ＣＰ１０５から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１０５の第１面側（下側）に位置し、第３発光層１１７に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１２１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１が、該中央位置ＣＰ１２１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１２１の第２面側（上側）に位置する。

　第３発光層１１７に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第３発光層１１７の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１７との距離をＬ１、酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と該中央位置ＣＰ１０５から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１０５との距離をｔ１とすると、ｎを自然数として、Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ１が成立する。但し、０＜ｔ１≦λ／４（λ：発振波長）

　第３発光層１１７に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１２１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１と第３発光層１１７の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１７との距離をＬ２、酸化狭窄層１２１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１と該中央位置ＣＰ１２１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１２１との距離をｔ２とすると、ｍを自然数として、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４＋ｔ２が成立する。但し、０＜ｔ２≦λ／４（λ：発振波長）

　ここでは、ｔ１＝ｔ２＝ｔ（０＜ｔ≦λ／４）、ｎ＝ｍ＝ｋ（ｋは自然数、ここではｋ＝２）となっている。すなわち、Ｌ１＝Ｌ２が成立する。

　第４発光層１２６に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１２１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１が、該中央位置ＣＰ１２１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１２１の第２面側（上側）に位置し、第４発光層１２６に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１２８の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２８が、該中央位置ＣＰ１２８から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１２８の第１面側（下側）に位置する。

　第４発光層１２６に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１２１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１と第４発光層１２６の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２６との距離をＬ１、酸化狭窄層１２１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１と該中央位置ＣＰ１２１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１２１との距離をｔ１とすると、ｎを自然数として、Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４－ｔ１が成立する。但し、０＜ｔ１≦λ／４（λ：発振波長）

　第４発光層１２６に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１２８の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２８と第４発光層１２６の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２６との距離をＬ２、酸化狭窄層１２８の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２８と該中央位置ＣＰ１２８から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１２８との距離をｔ２とすると、ｍを自然数として、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４－ｔ２が成立する。但し、０＜ｔ２≦λ／４（λ：発振波長）

　第２発光層１０９に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１２８の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２８が、該中央位置ＣＰ１２８から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１２８の第１面側（下側）に位置し、第２発光層１０９に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１が、該中央位置ＣＰ１１１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１１１の第２面側（上側）に位置する。

　第２発光層１０９に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１２８の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２８と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離をＬ１、酸化狭窄層１２８の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２８と該中央位置ＣＰ１２８から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１２８との距離をｔ１とすると、ｎを自然数として、Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ１が成立する。但し、０＜ｔ１≦λ／４（λ：発振波長）

　第２発光層１０９に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離をＬ２、酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１と該中央位置ＣＰ１１１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１１１との距離をｔ２とすると、ｍを自然数として、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４＋ｔ２が成立する。但し、０＜ｔ２≦λ／４（λ：発振波長）

　酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３との距離をＬ３とすると、ｉを自然数として、Ｌ３＝（２ｉ－１）λ／４－ｔ３（０＜ｔ３≦λ／４）が成立する。図２９の例では、ｉ＝２、ｔ３＝ｔである。

　実施例１２に係る面発光素子によれば、実施例４に係る面発光素子４０００と同様の効果が得られるともに、発光層及び酸化狭窄層が増設されているので更なる高出力化及び高効率化を図ることができる。

＜１３．本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光素子＞
　図３０は、本技術の一実施形態の実施例１３に係る面発光素子のメサＭ１３を抜き出して示す断面図である。

　実施例１３に係る面発光素子は、図３０に示すように、実施例１２に係る面発光素子に発光層及び酸化狭窄層が１つずつ増設された構造を有する。具体的には、実施例１３に係る面発光素子は、メサＭ１３において、第１１クラッド層１２９とトンネルジャンクション層１１９との間にトンネルジャンクション層１３０、第１２クラッド層１３１、第５発光層１３２、第１３クラッド層１３３、酸化狭窄層１３４及び第１４クラッド層１３５--が第１１クラッド層１２９側（下側）からこの順に積層されている点を除いて、実施例１２に係る面発光素子と概ね同様の構成を有する。

　トンネルジャンクション層１３０は、第５発光層１３２を流れた電流をトンネル効果により電流値を変えずに第４発光層１２６へ流す機能を有する。トンネルジャンクション層１３０は、例えば、ｐ型ハイドープ層（ｐ＋＋層）とｎ型ハイドープ層（ｎ＋＋層）とが積層された構造を有する。ｐ型ハイドープ層は、例えば、高濃度の炭素（Ｃ）などのｐ型不純物を含むＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓであり、ｎ型ハイドープ層は、例えば、高濃度のテルル（Ｔｅ）などのｎ型不純物を含むＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓである。ここでは、ｐ型ハイドープ層がｎ型ハイドープ層の第１面側（下側）に配置されている。

　第１２クラッド層１３１は、例えばｎ－Ａｌ_ｘ３１Ｇａ_{１－ｘ３１}Ａｓ（０≦ｘ３１＜１）からなる。「第１２クラッド層」は「第１２スペーサ層」と呼んでもよい。第１２クラッド層１３１のｎ型不純物（ｎ型ドーパント）としては、例えばＳｉ、Ｓｅ、Ｇｅ等が挙げられる。

　第５発光層１３２は、一例として、第１２及び第１３クラッド層１３１、１３３よりもバンドギャップエネルギーが小さい化合物半導体からなる。第５発光層１３２は、例えば、アンドープのＩｎ_ｘ３２Ｇａ_１－３２Ａｓ（０＜ｘ３２＜１）からなる井戸層及びアンドープのＡｌ_ｘ３３Ｇａ_{１－ｘ３３}Ａｓ（０＜ｘ３３＜１）からなる障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造を有する。第５発光層１３２は、多重量子井戸構造に代えて、量子井戸構造、量子細線構造、量子ドット構造のいずれかを有していてもよい。第５発光層１３２の発光波長は、第１～第４発光層１０３、１０９、１１７、１２６の発光波長（例えば６００～１１００ｎｍ）と同一に設定されている。第５発光層１３２は「第５活性層」と呼んでもよい。第５発光層１３２は、厚さ方向の中央位置ＣＰ１３２が、共振器内に生じる定在波の腹位置に一致することが好ましい。

　第１３クラッド層１３３は、例えばｐ－Ａｌ_ｘ３４Ｇａ_{１－ｘ３４}Ａｓ（０≦ｘ３４＜１）からなる。「第１３クラッド層」は「第１３スペーサ層」と呼んでもよい。第１３クラッド層１３３のｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

　酸化狭窄層１３４は、一例として、非酸化領域と、該非酸化領域を囲む酸化領域（絶縁領域）とを有する。

　当該非酸化領域は、第２及び第５発光層１０９、１３２の発光領域に対応する部分であり、電流・光通過領域として機能する。当該非酸化領域は、例えばｐ－Ａｌ_ｘ３５Ｇａ_{１－ｘ３５}Ａｓ（０＜ｘ３５≦１）からなる。ｘ３５≧０．８であることが好ましく、ｘ３５≧０．９であることがより好ましい。当該非酸化領域のｐ型不純物（ｐ型ドーパント）としては、例えばＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ等が挙げられる。

　当該酸化領域は、一例として、当該非酸化領域を囲む平面視周回状（例えばリング状）の領域である。当該酸化領域は、当該非酸化領域よりも高抵抗且つ低屈折率な領域であり、電流・光狭窄領域として機能する。当該酸化領域は、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）を含んで構成されており、例えば、高Ａｌ組成の被酸化層（例えばｐ－Ａｌ_ｘ３６Ｇａ_{１－ｘ３６}Ａｓ層（０≦ｘ３６≦１））を側面から選択酸化することにより得られる。

　酸化狭窄層１３４の非酸化領域は、一例として、酸化狭窄層１０５、１１１、１２１、１２８の非酸化領域に対応する位置に位置している。酸化狭窄層１３４の酸化狭窄径（酸化領域の内径）は、一例として、酸化狭窄層１０５、１１１、１２１、１２８の酸化狭窄径（酸化領域の内径）と同一に設定されている。

　酸化狭窄層１３４の厚さは、λ／２以下であることが好ましく、λ／４以下であることがより好ましく、λ／８以下であることより好ましく、λ／１６以下であることがより好ましい。但し、λは共振器の発振波長

　実施例１３では、酸化狭窄層１０５が第３発光層１１７の第１面側（下側）に位置する第１酸化狭窄層であり、酸化狭窄層１２１が第３発光層１１７の第２面側（上側）に位置する第２酸化狭窄層である。酸化狭窄層１２１が第４発光層１２６の第１面側（下側）に位置する第１酸化狭窄層であり、酸化狭窄層１２８が第４発光層１２６の第２面側（上側）に位置する第２酸化狭窄層である。酸化狭窄層１２８が第５発光層１３２の第１面側（下側）に位置する第１酸化狭窄層であり、酸化狭窄層１３４が第５発光層１３２の第２面側（上側）に位置する第２酸化狭窄層である。酸化狭窄層１３４が第２発光層１０９の第１面側（下側）に位置する第１酸化狭窄層であり、酸化狭窄層１１１が第２発光層１０９の第２面側（上側）に位置する第２酸化狭窄層である。

　実施例１３では、第３発光層１１７に対応する（近接する）第１及び第２酸化狭窄層（酸化狭窄層１０５、１２１）と、第４発光層１２６に対応する（近接する）第１酸化狭窄層（酸化狭窄層１２１）と、第５発光層１３２に対応する（近接する）第２酸化狭窄層（酸化狭窄層１３４）と、第２発光層１０９に対応する（近接する）第１及び第２酸化狭窄層（酸化狭窄層１３４、１１１）とが、厚さ方向の中央位置が出射光の電界の定在波（共振器内に生じる定在波）における節位置（節の位置）と一致していない所定の酸化狭窄層である。第４発光層１２６に対応する（近接する）第２酸化狭窄層であり、且つ、第５発光層１３２に対応する（近接する）第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１２８は、厚さ方向の中央位置が定在波の節位置に一致する。

　ここでは、ｔ１＝ｔ２＝ｔ（０＜ｔ≦λ／４）、ｎ＝ｍ＝ｋ（ｋは自然数、ここではｋ＝２）となっている。すなわち、Ｌ１＝Ｌ２となっている。

　第４発光層１２６に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１２１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２１が、該中央位置ＣＰ１２１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１２１の第２面側（上側）に位置し、第４発光層１２６に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１２８の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２８が定在波の節位置に一致する。

　第４発光層１２６に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１２８の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２８と第４発光層１２６の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２６との距離をＬ２とすると、ｍを自然数として、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４が成立する。

　ここでは、ｔ１＝ｔ（０＜ｔ≦λ／４）、ｎ＝ｍ＝ｋ（ｋは自然数、ここではｋ＝２）となっている。すなわち、Ｌ１≠Ｌ２となっている。

　第５発光層１３２に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１２８の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２８が定在波の節位置に一致し、第５発光層１３２に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１３４の厚さ方向の中央位置ＣＰ１３４が、該中央位置ＣＰ１３４から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１３４の第１面側（下側）に位置する。

　第５発光層１３２に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１２８の厚さ方向の中央位置ＣＰ１２８と第５発光層１３２の厚さ方向の中央位置ＣＰ１３２との距離をＬ１とすると、ｎを自然数として、Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４が成立する。

　第５発光層１３２に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１３４の厚さ方向の中央位置ＣＰ１３４と第５発光層１３２の厚さ方向の中央位置ＣＰ１３２との距離をＬ２、酸化狭窄層１３４の厚さ方向の中央位置ＣＰ１３４と該中央位置ＣＰ１３４から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１３４との距離をｔ２とすると、ｍを自然数として、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４－ｔ２が成立する。但し、０＜ｔ２≦λ／４（λ：発振波長）

　ここでは、ｔ２＝ｔ（０＜ｔ≦λ／４）、ｎ＝ｍ＝ｋ（ｋは自然数、ここではｋ＝２）となっている。すなわち、Ｌ１≠Ｌ２となっている。

　第２発光層１０９に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１３４の厚さ方向の中央位置ＣＰ１３４が、該中央位置ＣＰ１３４から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１３４の第１面側（下側）に位置し、第２発光層１０９に対応する第２酸化狭窄層である酸化狭窄層１１１の厚さ方向の中央位置ＣＰ１１１が、該中央位置ＣＰ１１１から最も近い、定在波の節位置ＮＰ１１１の第２面側（上側）に位置する。

　第２発光層１０９に対応する第１酸化狭窄層である酸化狭窄層１３４の厚さ方向の中央位置ＣＰ１３４と第２発光層１０９の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０９との距離をＬ１、酸化狭窄層１３４の厚さ方向の中央位置ＣＰ１３４と該中央位置ＣＰ１３４から最も近い、節位置ＮＰ１３４との距離をｔ１とすると、ｎを自然数として、Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ１が成立する。但し、０＜ｔ１≦λ／４（λ：発振波長）

　酸化狭窄層１０５の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０５と第１発光層１０３の厚さ方向の中央位置ＣＰ１０３との距離をＬ３とすると、ｉを自然数として、Ｌ３＝（２ｉ－１）λ／４－ｔ３（０＜ｔ３≦λ／４）が成立する。ここでは、ｉ＝２、ｔ３＝ｔである。

　実施例１３に係る面発光素子によれば、実施例１２に係る面発光素子と同様の効果が得られるともに、発光層及び酸化狭窄層が増設されているので更なる高出力化及び高効率化を図ることができる。

＜１４．本技術の変形例＞
　本技術は、上記一実施形態の各実施例に限らず、適宜変更可能である。

　例えば図３３に示す一実施形態の実施例７の変形例１に係る面発光素子のように、メサＭＭ１のＬ１、Ｌ２において、ｎ≠ｍ（例えばｎ＞ｍ）、且つ、ｔ１＝ｔ２＝ｔであってもよい。なお、メサＭＭ１のＬ１、Ｌ２において、ｎ＜ｍ、且つ、ｔ１＝ｔ２＝ｔであってもよい。

　例えば図３４に示す一実施形態の実施例７の変形例２に係る面発光素子のように、メサＭＭ２のＬ１、Ｌ２において、ｎ≠ｍ（例えばｎ＞ｍ）、且つ、ｔ１≠ｔ２（例えばｔ１＞ｔ２）であってもよい。なお、メサＭＭ２のＬ１、Ｌ２において、ｎ＜ｍ、且つ、ｔ１≠ｔ２（ｔ１＞ｔ２、又はｔ１＜ｔ２）であってもよい。

　例えば、発光層数が３、４、５、・・・と増え、それに伴い酸化狭窄層数が３、４、５、・・・と増えていった場合においても、酸化狭窄層数が偶数の場合には実施例１、２、３、５、６～１２のように、また奇数の場合には実施例４、１３のように、酸化狭窄層とその近傍の発光層との位置関係を設定することができる。また、例えば、酸化狭窄層が４層ある場合に、酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置の、定在波の節位置からの変位（下方変位を－、上方変位を＋）を、下から順に‐ｔ、‐ｔ、＋ｔ、＋ｔや、＋ｔ、＋ｔ、‐ｔ、‐ｔや、‐ｔ、＋ｔ、‐ｔ、＋ｔや、＋ｔ、‐ｔ、＋ｔ、‐ｔなどとすることもできる。つまり、酸化狭窄層の略半数が節位置から＋方向（上方）に、残りの略半数が節位置から－方向（下方）にずれていれば、その組み合わせは任意である。これは酸化狭窄層が奇数個である場合や、導電型（ｐ型及びｎ型）が反転した構造であった場合においても同様である。さらに、酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置の、定在波の節位置からの変位量が等しくない場合においても、略半数が節位置から＋方向に、残りの略半数が節位置から－方向にずれていれば、ある程度の効果は得られる。

　複数の酸化狭窄層が偶数個の酸化狭窄層である場合に、複数の酸化狭窄層の各々を上記所定の酸化狭窄層とすることが可能である。

　複数の酸化狭窄層が３個以上の奇数個の酸化狭窄層である場合に、３個以上の奇数個の酸化狭窄層のうち１個以上の奇数個の酸化狭窄層以外の酸化狭窄層の各々を上記所定の酸化狭窄層とすることが可能である。

　例えば、上記各実施例及び各変形例に係る面発光素子において、第１及び第２半導体多層膜反射鏡１０１、１１２の少なくとも一方をクラッド層（例えばＡｌＧａＡｓ層）に置き換えることにより、発光ダイオード（ＬＥＤ）を構成することもできる。

　例えば、上記各実施例及び各変形例に係る面発光素子を一次元又は二次元に配置して面発光素子アレイを構成することもできる。

　上記各実施例及び各変形例に係る面発光素子において、基板１００と第１半導体多層膜反射鏡１０１との間にバッファ層が設けられてもよい。

　上記各実施例及び各変形例に係る面発光素子において、コンタクト層が設けられていなくてもよい。

　上記各実施例及び各変形例では、主にＧａＡｓ系（ＧａＡｓに格子整合する材料系）の面発光素子について説明したが、これに限らず、本技術は、例えば、ＩｎＰ系（ＩｎＰに格子整合する材料系）、ＧａＮ系（ＧａＮに格子整合する材料系）等の面発光素子にも適用可能である。一例として、ＩｎＰ系としては、例えばＡｌＧａＩｎＰ系、ＡｌＧａＩｎＡｓ系、ＡｌＩｎＡｓ系などが挙げられる。

　すなわち、本技術に係る面発光素子には、波長帯２００～２０００ｎｍに含まれるいずれの発光波長となる材料も用いることが可能である。本技術に係る面発光素子の材料には、適宜好適な化合物半導体を用いることができる。

　上記各実施例及び各変形例では、砒素（Ａｓ）系半導体を例示して説明したが、必要に応じて、例えば窒素（Ｎ）、ホウ素（Ｂ）、アンチモン（Ｓｂ）、リン（Ｐ）を含む、III－Ｖ族半導体であってもかまわない。

　第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の少なくとも一方は、半導体多層膜反射鏡に限らず、要は、半導体、誘電体及び金属から選択される一種又は２種以上の組み合わせで構成される反射鏡を有していてもよい。

　上記各実施例及び各変形例に係る面発光素子において、第１及び第２構造ＳＴ１、ＳＴ２の導電型（ｐ型及びｎ型）を逆にしてもよい。

　上記各実施例及び各変形例に係る面発光素子の構成の一部を相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。

　上記各実施例及び各変形例において、面発光素子を構成する各層の配置、材料、導電型、厚さ、幅、数値、形状、大きさ等は、面発光素子として機能する範囲内で適宜変更可能である。その他、面発光素子を構成する材質、組成、膜厚、含まれる元素、形状、呼称、駆動機構、製造方法、用途が如何に変わっても、本開示の請求項にかかる特徴を有している限り、同様の効果が得られるものである。

＜１５．本技術を適用し得る面発光レーザの構成例＞
　図３５は、本技術を適用し得る面発光レーザの構成例である面発光レーザ２００００を示す平面図である。図３６Ａは、図３５のＸ－Ｘ線断面図である。図３６Ｂは、図３５のＹ－Ｙ線断面図である。

　面発光レーザ２００００の各構成要素は、基板２００１に積層されている。基板２００１は例えばＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓＰ等の半導体を含んで構成することができる。

　面発光レーザ２００００は、保護領域２００２（図３６Ａ及び図３６Ｂの透過性灰色領域）を含む。図３５に示すように、保護領域２００２は、平面視において円形状であるが、例えば楕円形状、多角形状等の別の形状であってもよく、特定の形状に限定されない。保護領域２００２は電気的な分離をもたらす材料を含み、例えばイオン注入された領域である。

　更に、面発光レーザ２００００は、図３６Ａ及び図３６Ｂに示すように、第１電極２００３と第２電極２００４とを含む。図３５に示すように、第１電極２００３は、平面視において、不連続箇所（断続箇所）を有するリング形状、すなわちスプリットリング形状であるが、特定の形状に限定されない。図３６Ａ又は図３６Ｂに示すように、第２電極２００４は、基板２００１に接触している。第１電極２００３及び第２電極２００４は、例えばＴｉ、Ｐｔ、Ａｕ、ＡｕＧｅＮｉ、ＰｄＧｅＡｕ等の導電材料を含んで構成される。第１電極２００３及び第２電極２００４は、単層構造を有していてもよいし、積層構造を有していてもよい。

　更に、面発光レーザ２００００は、保護領域２００２の周囲に設けられたトレンチ２００５を含む。図３５は、一例として平面視矩形のトレンチ２００５が６箇所に設けられた構造を示すが、その数や、平面視における形状は特定のものに限定されない。トレンチ２００５は酸化狭窄層２００６（酸化領域２００６ａ及び非酸化領域２００６ｂを含む）を形成するための開口である。面発光レーザ２００００の製造工程において、トレンチ２００５を介して高温水蒸気が供給されることで酸化狭窄層２００６の酸化領域２００６ａが形成される。例えば、酸化領域２００６ａはＡｌＡｓ又はＡｌＧａＡｓ層の酸化の結果として形成されるＡｌ_２Ｏ_３である。トレンチ２００５には酸化狭窄層２００６を形成する工程の後において、任意の誘電体が埋め込まれる場合もある。また、誘電体膜による表面被膜を行う場合もある。

　更に、面発光レーザ２００００は、第１電極２００３上の誘電体層２００７に設けられた誘電体開口２００８（コンタクトホール）を含む。誘電体層２００７は、図３６Ａ及び図３６Ｂに示すような積層構造を有していてもよいし、単層構造を有していてもよい。誘電体層２００７は、一例として酸化シリコンや窒化シリコンなどを含む。図３５に示すように、誘電体開口２００８は、第１電極２００３と同じ形状に形成されている。ただし、誘電体開口２００８の形状は第１電極２００３の形状には限定されず、第１電極２００３上に部分的に形成されていてもよい。誘電体開口２００８には不図示の導電材料が充填され、該導電材料が第１電極２００３と接触する。

　更に、図３６Ａ及び図３６Ｂに示すように、面発光レーザ２００００は第１電極２００３の内側に光学開口２００９を含む。面発光レーザ２００００は、光学開口２００９を介して光線を出射する。更に、面発光レーザ２００００は、酸化狭窄層２００６の酸化領域２００６ａが、電流及び光を閉じ込める電流・光閉じ込め領域として機能する。酸化狭窄層２００６の非酸化領域２００６ｂは、光学開口２００９の下方に位置し、電流及び光を通過させる電流・光通過領域として機能する。

　更に、面発光レーザ２００００は、第１多層膜反射鏡２０１１及び第２多層膜反射鏡２０１２を含む。多層膜反射鏡は一例として半導体多層膜反射鏡であり、分布型ブラッグ反射鏡（Distributed Bragg Reflector）とも呼ばれる。

　更に、面発光レーザ２００００は、活性層２０１３を含む。活性層２０１３は、第１多層膜反射鏡２０１１と第２多層膜反射鏡２０１２との間に配置され、注入キャリアを閉じ込め、面発光レーザ２００００の発光波長を規定する。

　本構成例では、一例として、面発光レーザ２００００が表面出射型面発光レーザである場合を例にとって説明したが、面発光レーザ２００００は裏面出射型面発光レーザを構成することもできる。

　図３５及び図３６Ａに示すように、本構成例の面発光レーザ２００００の実質的な径はトレンチ２００５によって規定される仮想的な円の直径ｄである。

　本構成例の面発光レーザ２００００は、一例として、以下の工程１～８の手順で製造される。
（工程１）基板２００１の表面に第１多層膜反射鏡２０１１、活性層２０１３、酸化狭窄層２００６となる被選択酸化層、及び第２多層膜反射鏡２０１２をエピタキシャル成長させる。
（工程２）例えばリフトオフ法を用いて、第１電極２００３を第２多層膜反射鏡２０１２上に形成する。
（工程３）例えばフォトリソグラフィによりトレンチ２００５を形成する。
（工程４）被選択酸化層の側面を露出させ、該被選択酸化層を側面から選択酸化することにより酸化狭窄層２００６を形成する。
（工程５）保護領域２００２をイオン注入などによって形成する。
（工程６）誘電体層２００７を例えば蒸着、スパッタ等により成膜する。
（工程７）例えばフォトリソグラフィにより誘電体層２００７に誘電体開口２００８を形成して第１電極２００３の接点を露出させる。
（工程８）基板２００１の裏面を研磨して薄膜化した後、第２電極２００４を基板２００１の裏面に形成する。

　以上説明した面発光レーザ２００００を構成する層の層数、配置、厚さ、配置順、対称性等は一例であって適宜変更可能である。すなわち、面発光レーザ２００００は、図３５、図３６Ａ及び図３６Ｂに示すものより多数の層、少数の層、異なる層、異なる構造の層、又は異なる配置の層を含んでもよい。

　本技術は、以上説明した面発光レーザ２００００及びその変形例に適用することができる。

＜１６．電子機器への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品（電子機器）へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体や、低消費電力機器（例えばスマートフォン、スマートウォッチ、タブレット、マウス等）や、光ファイバ等の導波路を介した光通信に用いられる通信機器に搭載される装置として実現されてもよい。

　本技術に係る面発光素子は、例えば、光により画像を形成又は表示する機器（例えばプリンタ、複写機、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ等）の光源としても応用可能である。

＜１７．面発光素子を距離測定装置に適用した例＞
　以下に、本技術の一実施形態の実施例１に係る面発光素子１０００の適用例について説明する。

　図３７は、本技術に係る電子機器の一例としての、面発光素子１０００を備えた距離測定装置１００００（測距装置）の概略構成の一例を表したものである。距離測定装置１００００は、ＴＯＦ（Time Of Flight）方式により被検体Ｓまでの距離を測定するものである。距離測定装置１００００は、面発光素子１０００を備えている。距離測定装置１００００は、例えば、面発光素子１０００、受光装置１４０、レンズ１４５、１５３、信号処理部１５５、制御部１６０、表示部１６５および記憶部１７５を備えている。

　受光装置１４０は、面発光素子１０００から出射され被検体Ｓ（物体）で反射された光を受光する。すなわち、受光装置１４０は、被検体Ｓで反射された光を検出する。レンズ１４５は、面発光素子１０００から出射された光を平行光化するためのレンズであり、例えばコリメートレンズである。レンズ１５３は、被検体Ｓで反射された光を集光し、受光装置１４０に導くためのレンズであり、例えば集光レンズである。

　信号処理部１５５は、受光装置１４０から入力された信号と、制御部１６０から入力された参照信号との差分に対応する信号を生成するための回路である。制御部１６０は、例えば、Time to Digital Converter (TDC)を含んで構成されている。参照信号は、制御部１６０から入力される信号であってもよいし、面発光素子１０００の出力を直接検出する検出部の出力信号であってもよい。制御部１６０は、例えば、面発光素子１０００、受光装置１４０、信号処理部１５５、表示部１６５および記憶部１７５を制御するプロセッサである。制御部１６０は、信号処理部１５５で生成された信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離を計測する回路である。制御部１６０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示するための映像信号を生成し、表示部１６５に出力する。表示部１６５は、制御部１６０から入力された映像信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示する。制御部１６０は、被検体Ｓまでの距離についての情報を記憶部１７５に格納する。

　本適用例において、面発光素子１０００に代えて、実施例２～１３及び各変形例に係る面発光素子のいずれかを距離測定装置１００００に適用することもできる。

＜１８．距離測定装置を移動体に搭載した例＞
　図３８は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図３８に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、距離測定装置１２０３１が接続される。距離測定装置１２０３１には、上述の距離測定装置１００００が含まれる。車外情報検出ユニット１２０３０は、距離測定装置１２０３１に車外の物体（被検体Ｓ）との距離を計測させ、それにより得られた距離データを取得する。車外情報検出ユニット１２０３０は、取得した距離データに基づいて、人、車、障害物、標識等の物体検出処理を行ってもよい。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（ＡｄｖａｎｃｅｄＤｒｉｖｅｒＡｓｓｉｓｔａｎｃｅＳｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図３８の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図３９は、距離測定装置１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図３９では、車両１２１００は、距離測定装置１２０３１として、距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる距離測定装置１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる距離測定装置１２１０５は、主として車両１２１００の前方のデータを取得する。サイドミラーに備えられる距離測定装置１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方のデータを取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる距離測定装置１２１０４は、主として車両１２１００の後方のデータを取得する。距離測定装置１２１０１及び１２１０５で取得される前方のデータは、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識等の検出に用いられる。

　なお、図３９には、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４の検出範囲の一例が示されている。検出範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた距離測定装置１２１０１の検出範囲を示し、検出範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた距離測定装置１２１０２，１２１０３の検出範囲を示し、検出範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた距離測定装置１２１０４の検出範囲を示す。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを基に、検出範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　以上、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、距離測定装置１２０３１に適用され得る。

　また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）第１半導体構造を含む第１構造と、
　前記第１構造と積層された、第２半導体構造を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された少なくとも１つの発光層と、
　前記第１構造の前記第２構造側とは反対側の表面である第１面と、前記第２構造の前記第１構造側とは反対側の表面である第２面との間で、前記発光層と積層され且つ互いに積層された複数の酸化狭窄層と、
　を備え、
　前記複数の酸化狭窄層は、厚さ方向の中央位置が出射光の電界の定在波における節位置と一致していない所定の酸化狭窄層を少なくとも１つ含む、面発光素子。
（２）前記所定の酸化狭窄層は、前記中央位置以外の位置が前記節位置と一致している、（１）に記載の面発光素子。
（３）前記所定の酸化狭窄層は、厚さ方向の全域が前記中央位置から最も近い前記節位置から外れている、（１）に記載の面発光素子。
（４）前記複数の酸化狭窄層は、前記所定の酸化狭窄層を少なくとも２つ含む、（１）～（３）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（５）前記複数の酸化狭窄層は、前記中央位置が前記節位置と一致している酸化狭窄層を含む、（１）～（４）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（６）前記中央位置と該中央位置から最も近い前記節位置との距離をｔとすると、
　前記中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離は、ｋを自然数として、
（２ｋ－１）λ／４＋ｔ、又は、（２ｋ－１）λ／４－ｔ
である、（１）～（５）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（７）前記複数の酸化狭窄層は、
　前記発光層の前記第１面側に配置された少なくとも１つの第１酸化狭窄層と、
　前記発光層の前記第２面側に配置された少なくとも１つの第２酸化狭窄層と、
　を含み、
　前記第１及び／又は第２酸化狭窄層は、前記所定の酸化狭窄層である、（１）～（６）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（８）前記所定の酸化狭窄層は、少なくとも２つあり、
　前記第１及び第２酸化狭窄層の各々は、前記所定の酸化狭窄層である、（７）に記載の面発光素子。
（９）前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置が、該中央位置から最も近い前記節位置の前記第１面側及び前記第２面側の一方に位置し、
　前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置が、該中央位置から最も近い前記節位置の前記第１面側及び前記第２面側の他方に位置する、（７）又は（８）に記載の面発光素子。
（１０）前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離をＬ１、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離をＬ２、前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と該中央位置から最も近い前記節位置との距離をｔ１、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と該中央位置から最も近い前記節位置との距離をｔ２とすると、ｎ、ｍを自然数として、
Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ１、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４＋ｔ２、
又は、
Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４－ｔ１、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４－ｔ２
が成立する、（７）～（９）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（１１）ｔ１＝ｔ２である、（１０）に記載の面発光素子。
（１２）前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離と、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離とが等しい、（７）～（１１）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（１３）前記第１及び第２酸化狭窄層の一方が、前記所定の酸化狭窄層である、（７）～（１２）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（１４）前記第１及び第２酸化狭窄層の前記一方の厚さ方向の中央位置が、該中央位置から最も近い前記節位置の前記第１面側又は前記第２面側に位置し、
　前記第１及び第２酸化狭窄層の他方の厚さ方向の中央位置が、前記節位置と一致する、（７）～（１３）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（１５）前記第１及び２酸化狭窄層の前記一方の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離をＬ１、前記第１及び第２酸化狭窄層の他方の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離をＬ２、前記第１及び第２酸化狭窄層の前記一方の厚さ方向の中央位置と該中央位置から最も近い前記節位置との距離をｔとすると、ｎ、ｍを自然数として、
Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４、
又は、
Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４－ｔ、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４
が成立する、（７）～（１４）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（１６）前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離と、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離とが異なる、（７）～（１５）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（１７）前記複数の酸化狭窄層の各々は、
　非酸化領域と、
　前記非酸化領域を囲む酸化領域と、
　を有し、
　前記非酸化領域は、Ａｌ_ｘＧａ_１－ｘＡｓ（０．８≦ｘ≦１）を含む、（１）～（１６）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（１８）前記少なくとも１つの発光層は、互いに積層された複数の発光層であり、
　前記複数の発光層のうち少なくとも１組の隣り合う２つの発光層の間に配置されたトンネルジャンクション層を更に備える、（１）～（１７）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（１９）前記隣り合う２つの発光層の一方と前記トンネルジャンクション層との間に前記所定の酸化狭窄層が配置されている、（１８）に記載の面発光素子。
（２０）前記トンネルジャンクション層の厚さ方向の所定位置が、前記節位置に一致する、（１８）又は（１９）に記載の面発光素子。
（２１）前記複数の酸化狭窄層は、偶数個の酸化狭窄層であり、
　前記複数の酸化狭窄層の各々は、前記所定の酸化狭窄層である、（１）～（２０）のいずれか１つに記載の面発光素子。
（２２）前記複数の酸化狭窄層は、３個以上の奇数個の酸化狭窄層であり、
　前記３個以上の奇数個の酸化狭窄層のうち１個以上の奇数個の酸化狭窄層以外の酸化狭窄層の各々は、前記所定の酸化狭窄層である、（１）～（２１）のいずれか１つに記載の面発光素子。

　１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００：面発光素子
　１００：基板
　１０１：第１半導体多層膜反射鏡（第１半導体構造）
　１０３：第１発光層（発光層）
　１０９：第２発光層（発光層）
　１１７：第３発光層（発光層）
　１２６：第４発光層（発光層）
　１３２：第５発光層（発光層）
　１０５、１１１、１２１、１２８、１３４：酸化狭窄層
　１０７、１１９、１２４、１３０：トンネルジャンクション層
　１１２：第２半導体多層膜反射鏡（第２半導体構造の一部）
　１１３：コンタクト層（第２半導体構造の一部）
　ＳＴ１：第１構造
　ＳＴ２：第２構造
　ＳＳ１：第１半導体構造
　ＳＳ２：第２半導体構造

Claims

　第１半導体構造を含む第１構造と、
　前記第１構造と積層された、第２半導体構造を含む第２構造と、
　前記第１及び第２構造の間に配置された少なくとも１つの発光層と、
　前記第１構造の前記第２構造側とは反対側の表面である第１面と、前記第２構造の前記第１構造側とは反対側の表面である第２面との間で、前記発光層と積層され且つ互いに積層された複数の酸化狭窄層と、
　を備え、
　前記複数の酸化狭窄層は、厚さ方向の中央位置が出射光の電界の定在波における節位置と一致していない所定の酸化狭窄層を少なくとも１つ含む、面発光素子。
　前記所定の酸化狭窄層は、前記中央位置以外の位置が前記節位置と一致している、請求項１に記載の面発光素子。
　前記所定の酸化狭窄層は、厚さ方向の全域が、前記中央位置から最も近い前記節位置から外れている、請求項１に記載の面発光素子。
　前記複数の酸化狭窄層は、前記所定の酸化狭窄層を少なくとも２つ含む、請求項１に記載の面発光素子。
　前記複数の酸化狭窄層は、前記中央位置が前記節位置と一致している酸化狭窄層を含む、請求項１に記載の面発光素子。
　前記中央位置と該中央位置から最も近い前記節位置との距離をｔとすると、
　前記中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離は、ｋを自然数として、
（２ｋ－１）λ／４＋ｔ、又は、（２ｋ－１）λ／４－ｔ
である、請求項１に記載の面発光素子。
　前記複数の酸化狭窄層は、
　前記発光層の前記第１面側に配置された少なくとも１つの第１酸化狭窄層と、
　前記発光層の前記第２面側に配置された少なくとも１つの第２酸化狭窄層と、
　を含み、
　前記第１及び／又は第２酸化狭窄層は、前記所定の酸化狭窄層である、請求項１に記載の面発光素子。
　前記所定の酸化狭窄層は、少なくとも２つあり、
　前記第１及び第２酸化狭窄層の各々は、前記所定の酸化狭窄層である、請求項７に記載の面発光素子。
　前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置が、該中央位置から最も近い前記節位置の前記第１面側及び前記第２面側の一方に位置し、
　前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置が、該中央位置から最も近い前記節位置の前記第１面側及び前記第２面側の他方に位置する、請求項８に記載の面発光素子。
　前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離をＬ１、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離をＬ２、前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と該中央位置から最も近い前記節位置との距離をｔ１、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と該中央位置から最も近い前記節位置との距離をｔ２とすると、ｎ、ｍを自然数として、
Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ１、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４＋ｔ２、
又は、
Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４－ｔ１、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４－ｔ２
が成立する、請求項８に記載の面発光素子。
　ｔ１＝ｔ２である、請求項１０に記載の面発光素子。
　前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離と、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離とが等しい、請求項８に記載の面発光素子。
　前記第１及び第２酸化狭窄層の一方が、前記所定の酸化狭窄層である、請求項７に記載の面発光素子。
　前記第１及び第２酸化狭窄層の前記一方の厚さ方向の中央位置が、該中央位置から最も近い前記節位置の前記第１面側又は前記第２面側に位置し、
　前記第１及び第２酸化狭窄層の他方の厚さ方向の中央位置が、前記節位置と一致する、請求項１３に記載の面発光素子。
　前記第１及び２酸化狭窄層の前記一方の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離をＬ１、前記第１及び第２酸化狭窄層の他方の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離をＬ２、前記第１及び第２酸化狭窄層の前記一方の厚さ方向の中央位置と該中央位置から最も近い前記節位置との距離をｔとすると、ｎ、ｍを自然数として、
Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４＋ｔ、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４、
又は、
Ｌ１＝（２ｎ－１）λ／４－ｔ、且つ、Ｌ２＝（２ｍ－１）λ／４
が成立する、請求項１３に記載の面発光素子。
　前記第１酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離と、前記第２酸化狭窄層の厚さ方向の中央位置と前記発光層の厚さ方向の中央位置との距離とが異なる、請求項１３に記載の面発光素子。
　前記複数の酸化狭窄層の各々は、
　非酸化領域と、
　前記非酸化領域を囲む酸化領域と、
　を有し、
　前記非酸化領域は、Ａｌ_ｘＧａ_１－ｘＡｓ（０．８≦ｘ≦１）を含む、請求項１に記載の面発光素子。
　前記少なくとも１つの発光層は、互いに積層された複数の発光層であり、
　前記複数の発光層のうち少なくとも１組の隣り合う２つの発光層の間に配置されたトンネルジャンクション層を更に備える、請求項１に記載の面発光素子。
　前記隣り合う２つの発光層の一方と前記トンネルジャンクション層との間に前記所定の酸化狭窄層が配置されている、請求項１８に記載の面発光素子。
　前記トンネルジャンクション層の厚さ方向の所定位置が、前記節位置に一致する、請求項１８に記載の面発光素子。