WO2024112052A1 - 고온 안정성을 갖는 유전체 조성물 - Google Patents

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오수민
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Definitions

  • the present invention relates to a dielectric composition having high temperature stability, and in particular, to a dielectric composition that satisfies X8R characteristics (CERAMIC COMPOSTION HAVING HIGH TEMPERATURE STABILITY).
  • the present invention aims to provide a dielectric composition that satisfies the X8R standard.
  • the dielectric composition according to embodiments of the present invention includes a barium titanate-based base material main component and subcomponents, the subcomponents being a valence-fixed acceptor element including Mg, a first subcomponent including at least one of oxide and carbonate, and Si element.
  • the dielectric composition of the present invention satisfies the X8R characteristics of the EIA standard.
  • Figure 1 shows a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.
  • Figure 2 shows a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.
  • the present invention relates to a dielectric composition, and electronic components containing the dielectric composition include capacitors, inductors, piezoelectric elements, varistors, or thermistors.
  • capacitors inductors, piezoelectric elements, varistors, or thermistors.
  • thermistors thermoelectric elements
  • a multilayer ceramic capacitor will be described as an example of the dielectric composition and electronic components.
  • a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention includes a dielectric 100, a first external electrode 220, and a second external electrode 240.
  • the dielectric 100 is composed of a rectangular parallelepiped having an upper surface, a lower surface, a first side, a second side opposite the first side, a third side, and a fourth side opposite the third side, and the first side is on the left side in the drawing.
  • the second side is the right side in the drawing
  • the third side is the front in the drawing
  • the fourth side is the rear in the drawing.
  • the dielectric 100 may include a plurality of dielectric sheets.
  • a plurality of dielectric sheets may be stacked.
  • Each dielectric sheet includes a dielectric composition and may be formed by sintering the dielectric composition.
  • the first external electrode 220 is an electrode disposed on the first side of the dielectric 100.
  • the first external electrode 220 and the second external electrode 240 may be formed to extend from the first side of the dielectric 100 to the top, bottom, third, and fourth sides of the dielectric 100.
  • the second external electrode 240 is an electrode disposed on the second side of the dielectric 100.
  • the second external electrode 240 may be formed to extend from the second side of the dielectric 100 to the top, bottom, third, and fourth sides of the dielectric 100.
  • the first external electrode 220 and the second external electrode 240 may be formed to face each other at a predetermined distance from the top, bottom, third, and fourth sides of the dielectric 100.
  • the multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention may further include a plurality of electrode units 300.
  • the plurality of electrode units 300 are stacked to form a stack, and this stack is disposed inside the dielectric 100.
  • the plurality of electrode units 300 are stacked vertically in the drawing and disposed inside the dielectric 100.
  • Each electrode unit 300 includes a first electrode set 320 and a second electrode set 340, and the first electrode set 320 and the second electrode set 340 are alternately stacked.
  • the first electrode set 320 is composed of a plate-shaped conductor formed in a rectangular shape.
  • the first electrode set 320 is disposed inside the dielectric 100 to be biased toward the first side of the dielectric 100 .
  • the first end of the first electrode set 320 is connected to the first external electrode 220 on the first side of the dielectric 100.
  • the second electrode set 340 is composed of a plate-shaped conductor formed in a rectangular shape.
  • the second electrode set 340 is disposed inside the dielectric 100 to be biased toward the second side of the dielectric 100 .
  • the first end of the second electrode set 340 is connected to the second external electrode 240 on the second side of the dielectric 100.
  • the first electrode set 320 and the second electrode set 340 are distributed and disposed on two adjacent dielectric sheets among the dielectric sheets included in the dielectric 100.
  • the first electrode set 320 and the second electrode set 340 may partially overlap with the dielectric sheet 110 therebetween.
  • the dielectric composition may form the dielectric 100 described above. However, in order to avoid redundant explanation, content that overlaps with the above-described content will be omitted.
  • the dielectric composition according to embodiments of the present invention may include a base material containing a rare earth element.
  • the main component of the base material is a barium titanate-based compound containing Ba and Ti, and is preferably BaTiO 3 .
  • the dielectric composition according to embodiments of the present invention additionally includes a subcomponent, and the subcomponent may include first to sixth subcomponents.
  • Dielectric compositions according to embodiments of the present invention may include the minor components shown in Table 1 per 100 moles of base material BaTiO 3 .
  • Dielectric compositions according to embodiments of the present invention may include base material main components including Ba and Ti.
  • the main component of the base material is BaTiO 3 .
  • the main component of the base material may be included in powder form and included in the dielectric composition.
  • the average particle diameter of the base material powder is not particularly limited, but may be 1000 nm or less.
  • the average particle diameter of the base material powder may be 200 nm to 350 nm, and more preferably 250 nm.
  • the dielectric composition according to embodiments of the present invention may include one or more of an oxide and a carbonate of a fixed-valence acceptor element containing Mg as a first subcomponent.
  • the second subcomponent may be included in an amount of 2.0 mole parts or less based on 100 mole parts of the main ingredient of the base material.
  • the content of the first subcomponent may be based on the content of the Mg element included in the first subcomponent, regardless of the type of addition such as oxide or carbonate.
  • the content of Mg element included in the first subcomponent may be 2.0 mole parts or less with respect to 100 mole parts of the main component of the base material.
  • the content of the first subcomponent exceeds 2.0 mole parts with respect to 100 mole parts of the dielectric base material main component, it is undesirable because the dielectric constant may be lowered and the high-temperature withstand voltage characteristics may be lowered.
  • the dielectric composition according to embodiments of the present invention may include, as a second subcomponent, at least one selected from the group consisting of oxide of Si element, carbonate of Si element, and glass containing Si element.
  • the second subcomponent may be included in an amount of 0.5 to 3.5 mole parts based on 100 mole parts of the base material main component.
  • the content of the second subcomponent may be based on the content of the Si element included in the second subcomponent, regardless of the type of addition such as glass, oxide, or carbonate.
  • the dielectric constant and high-temperature withstand voltage may be reduced, and if it is contained in excess of 3.5 mole parts, problems such as reduced sinterability and density, and secondary phase formation may occur. It may be undesirable.
  • the dielectric composition according to embodiments of the present invention may include, as a third subcomponent, one or more of oxides containing V and carbonates thereof.
  • the third subcomponent may be included in an amount of 0 to 7 mole parts based on 100 mole parts of the base material main ingredient.
  • the content of the third subcomponent can be based on the content of the V element included in the third subcomponent, regardless of the type of addition such as oxide or carbonate.
  • the content of element V included in the third subcomponent may be 7 mole parts or less based on 100 mole parts of the main component of the base material.
  • the third subcomponent plays a role in stabilizing the change in capacity at high temperatures, and when the content of the third subcomponent exceeds 7 mole parts per 100 mole parts of the main dielectric base material component, the high temperature withstand voltage may be lowered.
  • the dielectric composition according to embodiments of the present invention contains, as a fourth subcomponent, at least one element selected from the group consisting of Mn, Cr, Fe, Ni, Co, Cu, and Zn, their oxides, and their carbonates. can do.
  • the fourth subcomponent may be included in an amount of 0.2 to 4.4 mole parts based on 100 mole parts of the base material main ingredient.
  • the content of the fourth subcomponent may be based on the content of at least one element among Mn, Cr, Fe, Ni, Co, Cu, and Zn included in the fourth subcomponent, regardless of the type of addition such as oxide or carbonate.
  • the total content of at least one valence variable acceptor element among Mn, Cr, Fe, Ni, Co, Cu, and Zn included in the fourth subcomponent may be 0.2 to 4.4 mole parts based on 100 mole parts of the base material main component. there is.
  • the fourth subcomponent serves to increase the IR value, and if the content of the fourth subcomponent is less than 0.2 mole part, the IR characteristics may deteriorate and reliability may decrease. Additionally, if the content of the fourth subcomponent exceeds 4.4 mole parts, the high temperature accelerated life may be reduced.
  • the dielectric composition according to embodiments of the present invention may include at least one selected from the group consisting of oxides and carbonates of Ba element as a fifth subcomponent.
  • the fifth subcomponent may be included in an amount of 0.05 to 3.0 mole parts based on 100 mole parts of the base material main ingredient.
  • the content of the fifth subcomponent can be based on the content of Ba element included in the fifth subcomponent, regardless of the form of addition such as oxide or carbonate.
  • the total content of the Ba element included in the fifth subcomponent may be 0.05 to 3.0 mole parts based on 100 mole parts of the base material main component.
  • the fifth subcomponent is included in an amount of 0.05 to 3.0 mole parts based on 100 mole parts of the main component of the base material, high-temperature withstand voltage characteristics can be improved.
  • the dielectric composition according to embodiments of the present invention may include at least one selected from the group consisting of oxides and carbonates of element Yb as a sixth subcomponent.
  • the sixth subcomponent includes at least one selected from the group consisting of oxides and carbonates of one or more of the other rare earth elements Y, Dy, Ho, Sm, Gd, Er, La, Ce and Nd instead of the element Yb. You may.
  • the sixth subcomponent may be included in an amount of 0.4 to 14 mole parts based on 100 mole parts of the base material main ingredient.
  • the content of the sixth subcomponent can be based on the content of the element included in the sixth subcomponent without distinguishing the form of addition such as oxide or carbonate.
  • the total content of elements included in the sixth subcomponent may be 0.4 to 14 mole parts based on 100 mole parts of the main component of the base material.
  • the sixth subcomponent serves to prevent a decrease in reliability of the multilayer ceramic capacitor formed with the dielectric composition according to embodiments of the present invention.
  • the effect of improving the TCC (temperature coefficient of capacitance) of the high temperature part may not be significant, and if the content of the sixth subcomponent exceeds 14 mole parts with respect to 100 mole parts of the main component of the base material. Doing so may deteriorate the high-temperature withstand voltage characteristics.
  • BaTiO3 mixed solid solution powder which is the base powder containing the main ingredient, was manufactured by applying the solid phase method as follows.
  • Starting materials are BaCO3 and TiO2. These starting material powders were mixed using a ball mill and calcined in the range of 900 to 1000°C to prepare the main ingredient powder. After adding the auxiliary ingredient additive powder to the main ingredient base powder according to the composition ratio specified in Table 2, the raw material powder containing the main ingredient and auxiliary ingredients is mixed with ethanol/toluene, dispersant, and binder using a zirconia ball as a mixing/dispersing medium, and then mixed with a predetermined amount. Ball milling was performed for a period of time (e.g., 20 hours).
  • the prepared slurry was used to manufacture a molded sheet with a thickness of 10 ⁇ m using a doctor blade type coater. Ni internal electrodes were printed on the molded sheet.
  • the upper and lower covers were manufactured by stacking 25 layers of cover sheets, and 21 layers of printed active sheets were stacked while pressing to create a pressed bar. The pressed bar was cut into chips of size 3225 (length x width x thickness 3.2 mm x 2.5 mm x 2.5 mm) using a cutter.
  • the manufactured chip After calcining the manufactured chip, it is fired in a reducing atmosphere (0.1% H 2 /99.9% N 2 , H 2 O/H 2 /N 2 atmosphere) at a temperature of 1250 to 1350°C for more than 1 hour, and then at 1000°C. Heat treatment was performed by reoxidation in a nitrogen (N2) atmosphere for more than 2 hours.
  • a reducing atmosphere (0.1% H 2 /99.9% N 2 , H 2 O/H 2 /N 2 atmosphere
  • External electrodes were completed through a termination process and electrode firing using copper paste for the fired chip.
  • Capacitance dielectric constant
  • TCC change in capacitance with temperature
  • high-temperature withstand voltage were measured and evaluated for the multilayer ceramic capacitor specimen completed as described above.
  • room temperature insulation resistance, high temperature acceleration life, and loss coefficient were evaluated, but are not described.
  • the dielectric constant of the multilayer ceramic capacitor (MLCC) chip was calculated from the capacitance, dielectric thickness, internal electrode area, and number of layers of the multilayer ceramic capacitor (MLCC) chip.
  • the change in capacitance according to temperature was measured in the temperature range from -55°C to 150°C. In the corresponding temperature range, the change in capacity was measured at 1kHz and 1Vrms using an LCR-meter. At this time, the rate of change (%) of capacitance at each temperature compared to the capacitance at 25°C is measured. In this specification, the change in capacitance at 150°C is described.
  • High-temperature withstand voltage was measured by applying a voltage step of DC 5 V/ ⁇ m for 10 minutes at 150°C and continuously increasing this voltage step, and the voltage at which IR withstood more than 100G ⁇ was measured. If the high-temperature withstand voltage was more than 50 V/ ⁇ m, it was judged as good, and if it was less than 40 V/ ⁇ m, it was judged as bad.
  • Table 2 below is a composition table of the experimental example, and Table 3 shows the characteristics of the multilayer ceramic capacitor chip corresponding to the composition specified in Table 2.
  • Samples 1 to 5 of Table 2 have a content of 0.9 mole of the first subcomponent Mg, 2.7 mole of the second subcomponent Si, 0.61 mole of the sum of the fourth subcomponents (Cr, Mn), and 2 mole of the fifth subcomponent Ba.
  • Mol represents samples in which the content of the third subcomponent V was changed while the content of the sixth subcomponent Yb was fixed at 8.4 mol
  • samples 1 to 5 in Table 3 are the characteristics of the samples corresponding to samples 1 to 45 in Table 2. represents.
  • the high temperature TCC (150°C) deviates from ⁇ 15% and is vulnerable to temperature changes, and when the content exceeds 7 mol (Sample 5), the dielectric constant is 1200. If it falls below this level, reliability problems will occur. Moreover, in this case, the RC value also becomes low, causing reliability problems.
  • the high temperature TCC satisfies the X8R standard within ⁇ 15% and has a good high temperature withstand voltage of 50 V/ ⁇ m or more. Characteristics can be implemented. Therefore, the appropriate content range of the third subcomponent V can be said to be more than 0 and less than 7 mole parts in element ratio with respect to 100 mole parts of the main component of the base material.
  • Samples 5 to 12 in Table 4 have a content of 0.9 mole of the first subcomponent Mg, 2.7 mole of the second subcomponent Si, 0.5 mole of the third subcomponent V, and 0.61 mole of the sum of the fourth subcomponent (Cr, Mn).
  • Mol represents samples in which the content of the sixth subcomponent Yb was changed while the content of the fifth subcomponent Ba was fixed at 2 moles, and samples 6 to 15 in Table 5 are the characteristics of the samples corresponding to samples 6 to 15 in Table 4. represents.
  • the high temperature TCC (150°C) deviates from ⁇ 15%, making it vulnerable to temperature changes.
  • the content of the sixth subcomponent Yb exceeds 14 mol (sample 15)
  • the high temperature TCC (150°C) does not exceed ⁇ 15%, but there is a problem of poor high temperature withstand voltage characteristics.
  • the high temperature TCC satisfies the X8R standard within ⁇ 15% and has a good high temperature withstand voltage of 50V/ ⁇ m or more. Characteristics can be implemented. Therefore, the appropriate content range of the third subcomponent Yb can be said to be greater than 0 and less than or equal to 14 mole parts in element ratio with respect to 100 mole parts of the main component of the base material.
  • Samples 16 to 21 in Table 6 have a content of 0.9 mole of the first subcomponent Mg, 2.7 mole of the second subcomponent Si, 0.5 mole of the third subcomponent V, and 0.61 mole of the sum of the fourth subcomponent (Cr, Mn).
  • Samples 22 to 24 were fired at a different sintering temperature of 1316°C. Represents one sample.
  • Samples 16 to 24 in Table 7 show the characteristics of the samples corresponding to samples 16 to 23 in Table 6. Meanwhile, samples 16 to 19 and 23 to 24 are identical to samples 8, 9, 2, and 11 to 13.
  • the high temperature TCC appears to improve as the content increases, but when the content of the sixth subcomponent Yb is more than 10 moles.
  • the high temperature TCC is rather weakened and does not satisfy the X8R standard.
  • the high-temperature TCC satisfies the This can be inferred that as the content of the sixth subcomponent Yb increases, a higher sintering temperature is required.
  • a sintering temperature of 1300°C or more is required.

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Abstract

티탄산바륨계 모재 주성분 및 부성분을 포함하는 유전체 조성물이 개시된다. 유전체 조성물은 Mg, Si, V, Mn 및 Cr, Ba 및 Yb 원소의 산화물 및 탄산염 중에서 적어도 Yb 원소의 산화물 및 탄산염 중에서 어느 하나를 포함한다. 유전체 조성물을 소결하여 형성된 유전체 제료는 EIA 규격에서 명시한 X8R 특성을 만족한다.

Description

고온 안정성을 갖는 유전체 조성물
본 발명은 고온 안정성을 갖는 유전체 조성물에 관한 것으로, 특히, X8R 특성을 만족하는 유전체 조성물(CERAMIC COMPOSTION HAVING HIGH TEMPERATURE STABILITY)에 관한 것이다.
다층 세라믹 칩 캐패시터는 높은 용량과 높은 신뢰성을 가지되, 그 크기가 상대적으로 작아 자동차, 모터 등 정밀도 및 안정성이 요구되는 분야에서 널리 사용되고 있다.
적층 세라믹 커패시터에 대해 용량, 온도 안정성, 전압 안정성 등 여러가지 요인에 대한 요구가 있다. 특히, 자동차에 사용되는 전장용 적층 세라믹 커패시터의 경우 높은 온도 하에서 동작하기 때문에, 높은 온도에서도 그 용량(커패시턴스)이 변화하지 않아야 한다. 이와 관련하여, 전자 산업 협회(EIA)는 적층 세라믹 커패시터에 대해, 섭씨 -55도 내지 150도의 온도에서의 커패시턴스의 변화가, 25도에서의 기준 커패시턴스에 대하여 15% 내외일 때, 이를 X8R 특성을 만족한다고 규정하고 있다.
본 발명은 X8R 규격을 만족하는 유전체 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물은 티탄산바륨계 모재 주성분 및 부성분을 포함하며, 부성분은 Mg를 포함하는 원자가 고정 억셉터 원소의, 산화물 및 탄산염 중 하나 이상을 포함하는 제1부성분, Si 원소의 산화물, 탄산염 및 글라스로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 제2부성분, V 원소의 산화물 및 탄산염 중 하나 이상을 포함하는 제3부성분, Mn, Cr, Fe, Ni, Co, Cu, 및 Zn 중 하나 이상을 포함하는 원자가 가변 억셉터 원소의, 산화물 및 탄산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 제4부성분, Ba 원소의 산화물 및 탄산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 제5부성분 및 Yb 원소의 산화물 및 탄산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 제6부성분; 중 적어도 하나의 부성분을 포함하고, 적어도 하나의 부성분은 제6부성분을 포함하고, 제6부성분에 포함된 Yb 원소의 함량은 모재 주성분 100몰부에 대해 0.4 내지 14몰부이다.
본 발명의 유전체 조성물은 EIA 규격의 X8R 특성을 만족한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 적층 세라믹 커패시터를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 적층 세라믹 커패시터를 나타낸다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명은 유전체 조성물에 관한 것으로, 유전체 조성물을 포함하는 전자부품은 커패시터, 인덕터, 압전체 소자, 바리스터, 또는 서미스터 등이 있으며, 이하에서는 유전체 조성물 및 전자부품의 일례로서 적층 세라믹 커패시터에 관하여 설명한다.
적층 세라믹 커패시터
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 적층 세라믹 커패시터를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 적층 세라믹 커패시터는 유전체(100), 제1 외부 전극(220) 및 제2 외부 전극(240)을 포함하여 구성된다.
유전체(100)는 상면, 하면, 제1 측면, 제1 측면에 대향되는 제2 측면, 제3 측면, 제3 측면에 대향되는 제4 측면을 갖는 직육면체로 구성되며, 제1 측면은 도면상 좌측이고, 제2 측면은 도면상 우측이고, 제3측면은 도면상 전면이고, 제4 측면은 도면상 후면인 것을 일례로 한다.
유전체(100)는 복수의 유전체 시트를 포함할 수 있다. 복수의 유전체 시트는 적층될 수 있다. 각각의 유전체 시트는 유전체 조성물을 포함하고, 유전체 조성물을 소결함으로써 형성된 것일 수 있다.
제1 외부 전극(220)은 유전체(100)의 제1 측면에 배치되는 전극이다. 제1 외부 전극(220) 및 제2 외부 전극(240)은 유전체(100)의 제1 측면에서 유전체(100)의 상면, 하면, 제3측면 및 제4 측면으로 연장되어 형성될 수 있다. 제2 외부 전극(240)은 유전체(100)의 제2 측면에 배치되는 전극이다. 제2 외부 전극(240) 및 제2 외부 전극(240)은 유전체(100)의 제2 측면에서 유전체(100)의 상면, 하면, 제3측면 및 제4 측면으로 연장되어 형성될 수 있다. 이 때, 제1 외부 전극(220) 및 제2 외부 전극(240)은 유전체(100)의 상면, 하면, 제3측면 및 제4 측면에서 소정 간격 이격되어 서로 마주보도록 형성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 적층 세라믹 커패시터는 복수의 전극 유닛(300)을 더 포함할 수 있다. 이 때, 복수의 전극 유닛(300)은 적층되어 적층체를 형성하고, 이 적층체는 유전체(100)의 내부에 배치된다.
복수의 전극 유닛(300)은 도면상에서 수직 방향으로 적층되어 유전체(100)의 내부에 배치된다. 각각의 전극 유닛(300)은 제1 전극 세트(320) 및 제2 전극 세트(340)를 포함하며, 제1 전극 세트(320) 및 제2 전극 세트(340)가 교대로 적층되어 구성된다.
제1 전극 세트(320)는 직사각형 형상으로 형성된 판상의 도전체로 구성된다. 제1 전극 세트(320)는 유전체(100)의 내부에서 유전체(100)의 제1 측면으로 치우쳐져 배치된다. 제1 전극 세트(320)의 제1 단부는 유전체(100)의 제1 측면에서 제1 외부 전극(220)과 연결된다.
제2 전극 세트(340)는 직사각형 형상으로 형성된 판상의 도전체로 구성된다. 제2 전극 세트(340)는 유전체(100)의 내부에서 유전체(100)의 제2 측면으로 치우쳐져 배치된다. 제2 전극 세트(340)의 제1 단부는 유전체(100)의 제2 측면에서 제2 외부 전극(240)과 연결된다.
제1 전극 세트(320) 및 제2 전극 세트(340)는 유전체(100)에 포함된 유전체 시트들 중에서 인접한 두 개의 유전체 시트에 각각 분산 배치된다. 제1 전극 세트(320) 및 제2 전극 세트(340)는 유전체 시트(110)를 사이에 두고 일부 중첩될 수 있다.
유전체 조성물 및 이의 제조방법
이하, 본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물 및 이의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다. 유전체 조성물은 상술한 유전체(100)를 형성할 수 있다. 다만, 중복되는 설명을 피하기 위하여, 상술한 내용과 중복되는 내용은 생략한다.
본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물은 희토류 원소를 포함하는 모재 주성분을 포함할 수 있다. 모재 주성분은 Ba 및 Ti를 포함하는 티탄산 바륨계 화합물이고, 바람직하게는, BaTiO3일 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물은 부성분을 추가적으로 포함하고, 상기 부성분은 제1부성분 내지 제6성분을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물은 EIA(Electronic Industries Association) 규격에서 명시한 X8R(-55℃~150℃) 특성을 만족하여, 신뢰성이 우수한 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터를 구현할 수 있다.
본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물은 모재 BaTiO3 100몰당 표 1의 부성분들을 포함할 수 있다.
제1부성분 제2부성분 제3부성분 제4부성분 제5부성분 제6부성분
MgCO3 SiO2 V2O5 Cr2O3 MnO2 BaCO3 Yb2O3
0-2.0 0.5-3.5 0-3.5 0.05-2.0 0.1-0.4 0.05-3.0 0.2-7.0
이하, 본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물의 각 성분을 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
모재 주성분
본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물은 Ba 및 Ti를 포함하는 모재 주성분을 포함할 수 있다. 실시 예들에 따라, 상기 모재 주성분은 BaTiO3이다.
상기 모재 주성분은 분말 형태로 포함되어 유전체 조성물에 포함될 수 있다. 상기 모재 주성분 분말의 평균 입경은 특별히 제한되는 것은 아니나 1000nm 이하일 수 있다. 바람직하게는, 모재 주성분 분말의 평균 입경은 200nm 내지 350nm일 수 있고, 더욱 바람직하게는, 250nm일 수 있다.
제1부성분
본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물은 제1부성분으로서 Mg를 포함하는 원자가 고정 억셉터(fixed-valence acceptor) 원소의, 산화물 및 탄산염 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
제2부성분은 모재 주성분 100몰부에 대하여 2.0몰부 이하로 포함될 수 있다. 제1부성분의 함량은 산화물 또는 탄산염과 같은 첨가 형태를 구분하지 않고 제1부성분에 포함된 Mg 원소의 함량을 기준으로 할 수 있다. 예를 들어, 제1부성분에 포함된 Mg 원소의 함량은 모재 주성분 100 몰부에 대하여 2.0 몰부 이하일 수 있다.
제1부성분의 함량이 유전체 모재 주성분 100몰부에 대하여 2.0몰부를 초과하는 경우 유전율이 낮아지고 고온 내전압 특성이 낮아지는 문제가 있을 수 있어 바람직하지 못하다.
제2부성분
본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물은 제2부성분으로서 Si 원소의 산화물, Si 원소의 탄산염 및 Si 원소를 포함하는 글라스로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
제2부성분은 상기 모재 주성분 100 몰부에 대하여 0.5 내지 3.5 몰부로 포함될 수 있다. 제2부성분의 함량은 글라스, 산화물 또는 탄산염과 같은 첨가 형태를 구분하지 않고 제2부성분에 포함된 Si 원소의 함량을 기준으로 할 수 있다.
제2부성분의 함량이 유전체 모재 주성분 100 몰부에 대하여 0.5몰부 미만인 경우에는 유전율 및 고온내전압이 저하될 수 있으며, 3.5 몰부를 초과하여 포함되는 경우 소결성 및 치밀도 저하, 2차 상 생성 등의 문제가 있을 수 있어 바람직하지 못하다.
제3부성분
본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물은 제3부성분으로서, V를 포함하는 산화물 및 이들의 탄산염 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
제3부성분은 모재 주성분 100 몰부에 대하여 0 내지 7몰부로 포함될 수 있다. 제3부성분의 함량은 산화물 또는 탄산염과 같은 첨가 형태를 구분하지 않고 제3부성분에 포함된 V 원소의 함량을 기준으로 할 수 있다. 예를 들어, 제3부성분에 포함된 V 원소의 함량은 모재 주성분 100 몰부에 대하여 7몰부 이하일 수 있다.
제3부성분은 고온에서의 용량 변화를 안정화시키는 역할을 하며, 제3부성분 함량이 유전체 모재 주성분 100 몰부에 대하여 7몰부를 초과하는 경우에는 고온 내전압이 낮아질 수 있다.
제4부성분
본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물은 제4부성분으로서, Mn, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 원소, 이들의 산화물 및 이들의 탄산염 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
제4부성분은 모재 주성분 100몰부에 대하여 0.2 내지 4.4몰부로 포함될 수 있다. 제4부성분의 함량은 산화물 또는 탄산염과 같은 첨가 형태를 구분하지 않고 제4부성분에 포함된 Mn, Cr, Fe, Ni, Co, Cu 및 Zn 중 적어도 하나 이상의 원소의 함량을 기준으로 할 수 있다. 예를 들어, 제4부성분에 포함된 Mn, Cr, Fe, Ni, Co, Cu, 및 Zn중 적어도 하나 이상의 원자가 가변 억셉터 원소의 함량의 총합은 모재 주성분 100 몰부에 대하여 0.2 내지 4.4 몰부일 수 있다.
제4부성분은 IR 값을 증가시키는 역할을 하며, 제4부성분의 함량이 0.2 몰부 미만이면 IR 특성이 저하될 수 있어 신뢰성이 하락할 수 있다. 또한, 제4부성분의 함량이 4.4 몰부를 초과하는 경우에는 고온 가속 수명이 저하될 수 있다.
제5부성분
본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물은 제5부성분으로서 Ba 원소의 산화물 및 탄산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
제5부성분은 모재 주성분 100몰부에 대하여 0.05 내지 3.0 몰부로 포함될 수 있다. 제5부성분의 함량은 산화물 또는 탄산염과 같은 첨가 형태를 구분하지 않고 제5부성분에 포함된 Ba 원소의 함량을 기준으로 할 수 있다. 예를 들어, 제5부성분에 포함된 Ba 원소의 함량의 총합은 모재 주성분 100 몰부에 대하여 0.05 내지 3.0 몰부일 수 있다.
제5부성분이 모재 주성분 100 몰부에 대하여 0.05 내지 3.0 몰부로 포함되는 경우 고온 내전압 특성이 향상될 수 있다.
제6부성분
본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물은 제6부성분으로서 Yb 원소의 산화물 및 탄산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 대안적으로, 제6부성분은 Yb 원소 대신 다른 희토류 원소인 Y, Dy, Ho, Sm, Gd, Er, La, Ce 및 Nd 중 하나 이상 원소의 산화물 및 탄산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수도 있다.
제6부성분은 상기 모재 주성분 100 몰부에 대하여 0.4 내지 14 몰부로 포함될 수 있다. 제6부성분의 함량은 산화물 또는 탄산염과 같은 첨가 형태를 구분하지 않고 제6부성분에 포함된 원소의 함량을 기준으로 할 수 있다. 예를 들어, 제6부성분에 포함된 원소의 함량의 총합은 모재 주성분 100 몰부에 대하여 0.4 내지 14 몰부일 수 있다.
제6부성분은 본 발명의 실시 예들에 따른 유전체 조성물로 형성된 적층 세라믹 커패시터의 신뢰성 저하를 막는 역할을 한다.
제6부성분의 함량이 모재 주성분 100 몰부에 대하여 0.4 몰부 미만이면 고온부 TCC(temperature coefficient of capacitance)가 개선효과가 크게 나타나지 않을 수 있고, 제6부성분의 함량이 모재 주성분 100 몰부에 대하여 14몰부를 초과하면 고온 내전압 특성이 저하될 수 있다.
실험 예
주성분을 포함하는 모재 분말인 BaTiO3 혼합 고용체 분말은 다음과 같이 고상법을 적용하여 제조하였다.
출발원료는 BaCO3 및 TiO2이다. 이들 출발원료 파우더를 볼밀로 혼합하고 900~1000℃ 범위에 하소하여 주성분 모재 분말을 준비하였다. 주성분 모재 분말에 부성분 첨가제 파우더를 표 2에 명시된 조성비에 맞게 첨가한 후, 주성분과 부성분이 포함된 원료 분말을 지르코니아 볼을 혼합/분산 메디아로 사용하고 에탄올/톨루엔과 분산제 및 바인더를 혼합하여, 소정 시간(예, 20 시간) 동안 볼밀링 하였다.
제조된 슬러리는 닥터 블레이드 방식의 코터를 이용하여 10 ㎛의 두께로 성형시트를 제조하였다. 성형시트에 Ni 내부전극 인쇄을 하였다. 상하 커버는 커버용 시트를 25 층으로 적층하여 제작하였고, 21 층의 인쇄된 활성시트를 가압하며 적층하여 압착바(bar)를 제작하였다. 압착바는 절단기를 이용하여 3225(길이×폭×두께가 3.2mm×2.5mm×2.5mm) 크기의 칩으로 절단하였다.
제작이 완료된 칩을 가소한 뒤에 환원 분위기(0.1% H2/99.9% N2, H2O/H2/N2 분위기)에서 1250 ~ 1350℃의 온도에서 1시간 이상 소성한 후, 1000℃에서 질소(N2) 분위기에서 재산화를 2시간 이상 실시하여 열처리하였다.
소성된 칩에 대해 구리 페이스트를 이용하여 터미네이션 공정 및 전극 소성을 거쳐 외부전극을 완성하였다.
상기와 같이 완성된 적층 세라믹 커패시터 시편에 대해 용량(유전율), 온도에 따른 정전용량의 변화(TCC) 및 고온내전압 등을 측정 및 평가하였다. 또한, 이와 더불어 상온 절연저항, 고온가속수명, 손실계수 등을 평가하였으나 기재하지는 않는다.
상온 정전용량은 LCR-meter를 이용하여 1 kHz, AC 0.2 V/㎛ 조건에서 용량을 측정하였다. 정전용량과 적층 세라믹 커패시터(MLCC) 칩의 유전체 두께, 내부전극 면적, 적층수로부터 적층 세라믹 커패시터(MLCC) 칩의 유전율을 계산하였다.
온도에 따른 정전용량의 변화는 -55℃에서 150℃의 온도 범위에서 측정되었다. 해당 온도 범위에서, LCR-meter를 이용하여 1kHz, 1Vrms 조건에서 용량 변화를 측정하였다. 이 때, 25℃에서의 정전용량 대비 각 온도에서의 정전용량의 변화율(%)을 측정한다. 본 명세서에서는 150℃에서의 정전용량 변화를 기재하도록 한다.
고온 내전압은 150℃에서 전압 스텝(Voltage step) DC 5 V/㎛를 10분간 인가하고 이 전압 스텝을 계속 증가시키면서 측정할 때, IR이 100GΩ 이상을 견디는 전압을 측정하였다. 고온 내전압이 50 V/μm이상인 경우에는 양호로 판정하였고, 40V/μm 미만인 경우에는 불량으로 판정하였다.
아래 표 2는 실험 예의 조성표이며, 표 3은 표 2에 명시된 조성에 해당하는 적층 세라믹 커패시터 칩의 특성을 나타낸다.
샘플 모재 주성분 100몰 당 부성분 몰 수
제1부성분 제2부성분 제3부성분 제4부성분 제5부성분 제6부성분
MgCO3 SiO2 V2O5 Cr2O3 MnO2 BaCO3 Yb2O3
1 0.9 2.7 0 0.13 0.35 2 4.2
2 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 4.2
3 0.9 2.7 2 0.13 0.35 2 4.2
4 0.9 2.7 3.5 0.13 0.35 2 4.2
5 0.9 2.7 4 0.13 0.35 2 4.2
샘플 유전율 고온 TCC(150℃) 고온(150℃)
내전압(V/μm)		 특성
판정
1 1421 -15.8 양호 X
2 1381 -13.9 양호 O
3 1356 -13.6 양호 O
4 1313 -12.9 양호 O
5 1178 -12.1 양호 X
표 2의 샘플 1~5는 제1부성분 Mg의 함량이 0.9몰, 제2부성분 Si의 함량이 2.7몰, 제4부성분 (Cr, Mn) 합의 함량이 0.61몰, 제5부성분 Ba의 함량이 2몰, 제6부성분 Yb의 함량이 8.4몰로 고정된 상태에서, 제3부성분 V의 함량을 변화시킨 샘플들을 나타내며, 표 3의 샘플 1~5는 표 2의 샘플 1~45에 해당하는 시료의 특성을 나타낸다.
제3부성분 V의 함량이 0몰인 경우(샘플 1)에는 고온 TCC(150℃)가 ±15%를 벗어나 온도 변화에 취약하며, 그 함량이 7몰을 초과하는 경우(샘플 5)에는 유전율이 1200 이하로 낮아지게 되어 신뢰성 문제가 생기게 된다. 게다가, 이 경우 RC 값 또한 낮아지게 되어 신뢰성 문제가 생기게 된다. 제3부성분 V의 함량이 0몰을 초과하고(예컨대, 0.5몰 이상) 7몰 이하인 범위에서는 (샘플 2~4) 고온 TCC가 ±15% 이내로 X8R 규격을 만족하며, 50V/μm이상의 양호한 고온내전압 특성 구현이 가능하다. 따라서, 제3부성분 V의 적정 함량 범위는 모재 주성분 100 몰부에 대해 원소비율로 0 초과 7몰부 이하라고 할 수 있다.
샘플 모재 주성분 100몰 당 부성분 몰 수
제1부성분 제2부성분 제3부성분 제4부성분 제5부성분 제6부성분
MgCO3 SiO2 V2O5 Cr2O3 MnO2 BaCO3 Yb2O3
6 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 0
7 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 0.2
8 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 1
9 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 2
10 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 3
11 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 4.6
12 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 5
13 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 5.05
14 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 7
15 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 7.5
샘플 유전율 고온 TCC(150℃) 고온(150℃)
내전압(V/μm)		 특성
판정
6 1523 -18.3 양호 X
7 1482 -14.9 양호 O
8 1417 -14.6 양호 O
9 1412 -14.3 양호 O
10 1401 -14.1 양호 O
11 1379 -13.6 양호 O
12 1374 -13.5 양호 O
13 1344 -13.5 양호 O
14 1308 -13.1 양호 O
15 1283 -13.2 불량 X
표 4의 샘플 5~12는 제1부성분 Mg의 함량이 0.9몰, 제2부성분 Si의 함량이 2.7몰, 제3부성분 V의 함량이 0.5몰, 제4부성분 (Cr, Mn) 합의 함량이 0.61몰, 제5부성분 Ba의 함량이 2몰로 고정된 상태에서, 제6부성분 Yb의 함량을 변화시킨 샘플들을 나타내며, 표 5의 샘플 6~15는 표 4의 샘플 6~15에 해당하는 시료의 특성을 나타낸다.
제6부성분 Yb의 함량이 0몰인 경우(샘플 6)에는 고온 TCC(150℃)가 ±15%를 벗어나 온도 변화에 취약한 문제가 있다. 또한, 제6부성분 Yb의 함량이 14몰을 초과하는 경우(샘플 15)에는 고온 TCC(150℃)가 ±15%를 벗어나지는 않지만 고온 내전압 특성이 불량인 문제가 있다. 제6부성분 Yb의 함량이 0몰을 초과하고(예컨대, 0.4몰 이상) 14몰 이하인 범위에서는 (샘플 7~14) 고온 TCC가 ±15% 이내로 X8R 규격을 만족하며, 50V/μm이상의 양호한 고온내전압 특성 구현이 가능하다. 따라서, 제3부성분 Yb의 적정 함량 범위는 모재 주성분 100 몰부에 대해 원소비율로 0 초과 14몰부 이하라고 할 수 있다.
샘플 소성온도 모재 주성분 100몰 당 부성분 몰 수
제1부성분 제2부성분 제3부성분 제4부성분 제5부성분 제6부성분
MgCO3 SiO2 V2O5 Cr2O3 MnO2 BaCO3 Yb2O3
16 1282 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 1
17 1282 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 2
18 1282 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 4.2
19 1282 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 4.6
20 1282 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 5
21 1282 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 5.05
22 1316 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 4.2
23 1316 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 5
24 1316 0.9 2.7 0.25 0.13 0.35 2 5.05
샘플 유전율 고온 TCC(150℃) 특성
판정
16 1417 -14.6 O
17 1412 -14.3 O
18 1401 -14.1 O
19 1381 -13.9 O
20 1217 -17.5 X
21 1189 -18.7 X
22 1189 -13.8 O
23 1374 -13.5 O
24 1344 -13.4 O
표 6의 샘플 16~21는 제1부성분 Mg의 함량이 0.9몰, 제2부성분 Si의 함량이 2.7몰, 제3부성분 V의 함량이 0.5몰, 제4부성분 (Cr, Mn) 합의 함량이 0.61몰, 제5부성분 Ba의 함량이 2몰로 고정된 상태에서, 제6부성분 Yb의 함량을 변화시키며 소성온도 1282℃에서 소성한 샘플들을 나타내며, 샘플 22~24은 소성온도를 1316℃로 달리하여 소성한 샘플들을 나타낸다. 표 7의 샘플 16~24는 표 6의 샘플 16~23에 해당하는 시료의 특성을 나타낸다. 한편, 샘플 16~19 및 23~24은 샘플 8, 9, 2 및 11~13과 동일하다.
1300℃ 미만의 소성온도에서, 제6부성분 Yb의 함량이 10몰 미만인 경우(샘플 16~19) 그 함량이 증가할수록 고온 TCC가 개선되는 모습이 보이나, 제6부성분 Yb의 함량이 10몰 이상인 경우에는 고온 TCC가 오히려 약화되어 X8R 규격을 만족시키지 못한다. 반면, 1300℃ 이상의 소성온도에서는 제6부성분 Yb의 함량이 10몰 미만인 경우(샘플 22) 뿐만 아니라 10몰 이상인 경우(샘플 23, 24)에도 고온 TCC가 ±15% 이내로 X8R 규격을 만족한다. 이는, 제6부성분 Yb의 함량이 증가할수록 더 높은 소성온도가 요구되는 것으로 짐작할 수 있다. 본 발명의 실시 예들에 따르면, 제6부성분 Yb의 함량이 10몰 이상인 경우에는 1300℃ 이상의 소성온도가 요구된다고 할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.

Claims (11)

  1. 티탄산바륨계 모재 주성분 및 부성분을 포함하는 유전체 조성물에 있어서,
    상기 부성분은,
    Mg를 포함하는 원자가 고정 억셉터 원소의, 산화물 및 탄산염 중 하나 이상을 포함하는 제1부성분;
    Si 원소의 산화물, 탄산염 및 글라스로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 제2부성분;
    V 원소의 산화물 및 탄산염 중 하나 이상을 포함하는 제3부성분;
    Mn, Cr, Fe, Ni, Co, Cu, 및 Zn 중 하나 이상을 포함하는 원자가 가변 억셉터 원소의, 산화물 및 탄산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 제4부성분;
    Ba 원소의 산화물 및 탄산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 제5부성분; 및
    Yb 원소의 산화물 및 탄산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 제6부성분; 중 적어도 하나의 부성분을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 부성분은 상기 제6부성분을 포함하고,
    상기 제6부성분에 포함된 Yb 원소의 함량은 상기 모재 주성분 100몰부에 대해 0.4 내지 14몰부인,
    유전체 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 부성분은 상기 제1부성분을 더 포함하고,
    상기 제1부성분에 포함된 Mg 원소의 함량은 상기 모재 주성분 100몰부에 대해 2몰부 이하인,
    유전체 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 부성분은 상기 제2부성분을 더 포함하고,
    상기 제2부성분에 포함된 Si 원소의 함량은 상기 모재 주성분 100몰부에 대해 0.5 내지 3.5몰부인,
    유전체 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 부성분은 상기 제3부성분을 더 포함하고,
    상기 제3부성분에 포함된 V 원소의 함량은 상기 모재 주성분 100몰부에 대해 3.5몰부 이하인,
    유전체 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 부성분은 상기 제4부성분을 더 포함하고,
    상기 제4부성분에 포함된 Cr 및 Mn 원소의 함량의 합은 상기 모재 주성분 100몰부에 대해 0.2 내지 4.4몰부인,
    유전체 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제4부성분에 포함된 Cr 원소의 함량은 상기 모재 주성분 100몰부에 대해 0.1 내지 4몰부이고, Mn 원소의 함량은 0.1 내지 0.4몰부인,
    유전체 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 부성분은 상기 제5부성분을 더 포함하고,
    상기 제4부성분에 포함된 Ba 원소의 함량은 상기 모재 주성분 100몰부에 대해 0.05 내지 3몰부인,
    유전체 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제6부성분에 포함된 Yb 원소의 함량은 상기 모재 주성분 100몰부에 대해 8.4 내지 10.1 몰부인,
    유전체 조성물.
  9. 유전체 조성물의 제조 방법에 있어서,
    티탄산바륨계 모재 주성분을 준비하는 단계;
    Mg를 포함하는 원자가 고정 억셉터 원소의, 산화물 및 탄산염 중 하나 이상을 포함하는 제1부성분, Si 원소의 산화물, 탄산염 및 글라스로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 제2부성분, V 원소의 산화물 및 탄산염 중 하나 이상을 포함하는 제3부성분, Mn, Cr, Fe, Ni, Co, Cu, 및 Zn 중 하나 이상을 포함하는 원자가 가변 억셉터 원소의 산화물 및 탄산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 제4부성분, Ba 원소의 산화물 및 탄산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 제5부성분 및 Yb 원소의 산화물 및 탄산염으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 제6부성분 중 상기 제6부성분을 포함하는 적어도 하나의 부성분을 준비하는 단계;
    상기 모재 주성분 및 상기 적어도 하나의 부성분을 포함하는 혼합물을 제조하는 단계; 및
    상기 혼합물을 소성하는 단계를 포함하고,
    상기 제6부성분에 포함된 Yb 원소의 함량은 상기 모재 주성분 100몰부에 대해 0.4 내지 14몰부인,
    유전체 조성물의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 혼합물의 소성 온도는 1250℃ 이상인,
    유전체 조성물의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제6부성분에 포함된 Yb 원소의 함량은 상기 모재 주성분 100몰부에 대해 8.4 내지 10.1 몰부이고,
    상기 혼합물의 소성 온도는 1300℃ 이상인,
    유전체 조성물의 제조 방법.
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